KR860000701A - 다수의 옆으로의 소멸을 가진 전력 접합전계효과 트랜지스터 - Google Patents

다수의 옆으로의 소멸을 가진 전력 접합전계효과 트랜지스터 Download PDF

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KR860000701A
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제임스 안소니이 벤자민 (외 2)
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프랑크 엠. 사조백
이턴 코오포레이숀
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Abstract

내용 없음

Description

다수의 옆으로의 소멸을 가진 전력 접합전계효과 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 구성된 전력 접합전계효과 트랜지스터(JFET)의 구조를 표시하는 등각투영 개략도. 제5도는 전도채널 및 공핍소멸을 표시하는 제4도의 부분을 따로 뽑아낸 확대도. 제6도는 양호한 게이트단자 구조를 표시하는 등각투영도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
(2):JFET, (4):열, (6),(8),(10),(12),(14),(16):층, (7),(9),(11),(13),(15):채널, (24):공핍영역, (26):기판, (28):노치, (30),(32):접합, (34):공유면, (36),(38):공핍영역, (40):폭, (42),(43):P영역, (44):부하, (46):전원, (48):게이트전압원, (52):홈, (60),(62):접합, (58),(64);전극, (T1):제1주단자수단, (T2):제2주단자수단, (G):게이트단자수단.

Claims (15)

  1. 다수의 채널을 형성하는 교번의 전도성의 형의 열을 가진 전력 JFET에서, 상기 JFET가 채널을 통하여 수평으로 길이방향으로 양방향 전류를 전도하는 온상태를 가지고, 상기 JFET가 수평의 옆으로의 공핍소멸로 인하여 채널을 통하여 흐르는 전류를 저지하는 오프상태를 가지는 것을 특징으로 하는 다수의 옆으로의 소멸을 가진 전력 접합전계효과 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 열의 층들은 수직으로 또한 수평으로 길이방향으로 연장하고 층의 방향은 수평으로 옆으로 연장하는 것.
  3. 제2항에 있어서, 상기 채널은 한 전도성 형의 것이고 열의 채널의 일단에 조작하게 결합된 제1 주단자수단과 열의 채널의 타단에 조작하게 결합된 제2주단자수단과, 열의 다른 전도성 형의 층에 조작하게 결합된 게이트 단자수단과, 소멸의 오프상태를 일으키는 층들간의 접합부터 확장하는 공핍영역과 온상태를 가능하게 하는 층들간의 접합종으로 축소하는 공핍영역을 가지는 것.
  4. 제3항에 있어서, 제2 주단자수단과 열 사이에 한 전도성의 형의 드리프트 영역을 가지고, 제1 및 제2주단자수단간의 전류가 채널과 드리프트 영역을 통하여 수평으로 길이방향으로 가로지르는 것.
  5. 제4항에 있어서, 다른 전도성 형의 기판에 한 전도성형의 수평으로 길이방향으로 또한 옆으로 연장하는 적층성장의 층을 가지고 교번의 전도성 형의 층의 열이 적층성장의 층에서 그들간의 채널을 이루는 다른 전도성형의 반도체물질을 포함하고, 기판으로 적층성장의 층을 통하여 하방으로 연장하는 다수의 옆으로 일렬로 된 노치에 의하여 형성되는 것.
  6. 제3항에 있어서, 상기 JFET는 통상적으로 오프이고, 열의 다른 전도성 형의 층으로 부터의 공핍영역이 통상적으로 게이트단자수단의 바이어스의 결여에서 채널에서 서로에 향하여 확장해서 만나고 채널은 통상적으로 소멸되고, 상기 JFET는 게이트단자수단을 바이어스하는 것에 의하여 온으로 돌려져서 공핍영역을 축소하고 그들간의 전도성 채널을 열어 전류는 주단자수단간에 흐르게 되는 것.
  7. 제3항에 있어서, JFET는 통상적으로 온이고, 열의 다른 전도성 형의 층으로 부터의 공핍영역은 그들간의 전도성 채널을 열게 서로에 향하여 부분적으로만 확장하고, 전류는 주단자수단간에 흐르게 되고, 상기 JFET는 게이트단자수단을 바이어스하는 것에 의하여 오프로 돌려져서 공핍영역을 확장하고 채널을 소멸하는 것.
  8. 제4항에 있어서, 접합의 작용면적으로 부터 이동되는 공핍영역의 전계형성수단을 가지는 것.
  9. 제8항에 있어서, 전계형성수단이 전계선의 밀어닥치는 경사만곡을 감소하고 드리프트 영역의 전계선을 똑바르게 하기 위하여 다른 전도성형의 하나 또는 그 이상의 영역을 가지는 것.
  10. 전력 JFET가 수직으로 또한 수평으로 길이방향으로 연장하는 한 전도성 형의 다수의 채널을 형성하는 교번의 전도성 형의 층의 열을 가지고 그러한 쌓기의 방향은 수평으로 옆으로 연장하고 상기 JFET가 수평으로 옆으로의 공핍소멸로 인하여 채널을 통하여 흐르는 전류를 저지하는 오프상태를 가지고 주단자수단에 열의 채널의 일단에 조작하게 결합되고 제2 주단자수단이 열의 채널의 타단에 조작하게 결합되고, 게이트단자수단이 열의 다른 전도성 형의 층에 조작하게 결합되고 층들간의 접합으로 부터 확장하는 공핍영역이 소멸의 오프상태를 일으키고 층들간의 접합쪽으로 축소하는 공핍영역이 온상태를 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 다수의 옆으로의 소멸을 가진 전력 접합전계효과 트랜지스터.
  11. 제10항에 있어서, 열과 제2 주단자수단을 분리하고, 그 사이에 길이방향으로 연장하는 한 전도성형의 반도체물질의 드리프트 영역을 가지며, 온상태에서 전류가 채널과 드리프트 영역을 통하여 수평으로 길이방향으로 흐르는 것.
  12. 제11항에 있어서, 그들간의 전계선을 똑바르게 하기 위하여 드리프트 영역에 수직으로 대향된 다른 전도성형의 공핍영역을 형성하는 전계를 가지는 것.
  13. 전력 JFET가 한 전도성형의 다수의 채널을 형성하는 교번의 전도성 형의 층의 열을 가지고 상기 JFET가 채널을 통하여 수평으로 길이방향으로 양방향 전류를 전도하는 온상태를 가지고 상기 JFET가 수평으로 옆으로의 공핍소멸로 인하여 채널을 통하여 흐르는 전류를 저지하는 오프상태를 가지고, 홈이 열에 수직으로 노치되고, 홈의 게이트단자수단이 열의 다른 전도성 형의 층에 접속되고, 제1주단자수단이 열의 채널의 일단에 조작하게 결합되고, 제2 주단자수단이 열의 채널의 타단에 조작하게 접속되고 층들간의 결합으로 부터 확장하는 공핍영역이 소멸 오프상태를 일으키고, 층들간이 접합 쪽으로 축소하는 공핍영역이 온상태를 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 다수의 옆으로의 소멸을 가진 전력 접합전계효과 트랜지스터.
  14. 제13항에 있어서, 게이트단자수단이 게이트층에 접촉하는 게이트 전극과, 열의 다른 전도성 형의 층에 접촉하게 홈의 내부면에 따라 연장하는 다른 전도성형의 반도체물질의 게이트층을 가지는 것.
  15. 제14항에 있어서, 열의 층들은 수직으로 또한 수평으로 길이방향으로 연장하고 쌓기의 방향은 수평으로 옆으로 연장하며, 홈은 열의 층들을 가로질러 수평으로 옆으로 연장하고, 게이트층이 열의 채널에 따라 다수의 공유면 접합을 형성하여 접촉하고 최후에 언급된 접합이, 열의 층들간의 접합의 단락을 방지하는데 충분한 순방향 전압강하를 그들을 가로질러 온상태를 가능하게 하는 최후에 언급된 접합들 쪽으로 축소하는 공핍영역을 가능하게 하기 위하여 최후에 언급된 접합들을 가로지르는 충분한 전압차로 보장하는 것.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850004036A 1984-06-08 1985-06-08 다수의 옆으로의 소멸을 가진 전력 접합전계효과 트랜지스터 KR860000701A (ko)

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EP0167810A1 (en) 1986-01-15

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