KR850005621A - 전자비임장치의 교정방법 - Google Patents

전자비임장치의 교정방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

전자비임장치의 교정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 전자비임 노광기용 제어시스템의 개통도로서, 촛점의 비점수차와 필드곡률로 인한 수차를 교정하기 위한 부분을 개략적으로 나타내는 도면.
제5도는 비임의 예도를 측정하여 수차를 교정하기 위한 시스템의 주요부분을 나타내는 개통도.
제8도는 본 발명의 방법에 의해 예도 P의 측정된 값으로부터 교정인수 Ix의 최적값을 얻기위한 방법을 나타내는 도면.

Claims (12)

  1. 기판위에 전자비임을 주사하기 위한 전자비임장치의 교정방법으로서, X,Y방향의 비점수차와 촛점의 필드곡률로 인한 수차를 교정하도록 교정코일들에 각각 공급되는 Ix,Iy와 IF로부터 구성되는 교정전류들을 경정해 주기위한 전자비임장치의 교정방법에 있어서, (a)전자비임의 예도 P를 측정하는 단계와, 여기서 상기 예도는 전자비임이 X방향으로 편향될때 측정된 예도를 나타내는 Px와 전자비임이 Y방향으로 편향될때 측정된 예도를 나타내는 Py의 적으로서 정의되며, (b)상기 교정전류들중 다른 두 전류는 일정하게 유지시키고 하나의 전류를 변화시키면서 교정전류의 각 변화단계에 대해 단계(a)를 반복하는 단계와 그리고 (c)상기 변환된 전류는 최적값이 요구되는 전류인 단계(b)로부터 얻은 데이타로부터 상기 교정전류에 대한 최적값을 결정하는 단계를 포함하는 것이 특징인 전자비임장치의 교정방법.
  2. 제1항에서, 예도의 측정은 전자비임이 마크의 연부를 가로질러 편향될때 상기 마크의 표면으로부터 산란된 전자나 2차전자의 변동을 측정하거나 상기 마크를 통하여 전송되는 전자의 변동을 측정하여 수행되는 것이 특징인 전자비임장치의 교정방법.
  3. 제2항에서, 상기 마크는 기판상에 형성되며, 전자비임의 교정이 행해지게 되는 지점으로 인도되는 것이 특징인 전자비임장치의 교정방법.
  4. 제1항에서, 단계(c)에서 교정전류의 최적값이 2차곡선으로 측정된 값을 접근하는 최소한의 제공방법에 의해 결정되는 것이 특징인 전자비임장치의 교정방법.
  5. 제1항에서, 단계(b)내의 교정전류는 P의 측정값이 사전값의 측정값으로부터 약 5-10% 변동하도록 변화되어야 되는 것이 특징인 전자비임장치의 교정방법.
  6. 제1항에서, 전자비임 스포트는 상기 Px가 측정될때 Y방향으로 길어지고 상기 Py가 측정될때 X방향으로 길어지는 것이 특징인 전자비임장치의 교정방법.
  7. 제1항에서, 상기 교정전류는 전자비임의 편향필드상에 위치된 예정된 매트릭스 지점들에 얻어지며, 다른 지점들에 대한 교정전류는 그러한 측정된 지점들에 대한 값으로부터 결정되는 것이 특징인 전자비임 장치의 교정방법.
  8. 제1항에서, 각 교정코일들에 대한 교정전류의 상기 최적값들은 메모리 수단에 기억되며, 그들이 교정될때 새로운 값으로 대치되는 것이 특징인 전자비임장치의 교정방법.
  9. 제8항에서, 측정공정은 최적값들이 적당한 값으로 수렴될 때까지 반복되는 것이 특징인 전자비임장치의 교정방법.
  10. 제1항에서, 상기 예도 P는 Px2+Py2에 의해 정의되는 것이 특징인 전자비임장치의 교정방법.
  11. 제1항에서, 상기 예도 P는 ｜Px｜+｜Py｜에 의해 정의되는 것이 특징인 전자비임장치의 교정방법.
  12. 제1항에서, 상기 예도는 X와 Y방향의 비임스포트의 폭에 의해 정의되는 것이 특징인 전자비임장치의 교정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850000087A 1984-01-10 1985-01-09 전자비임장치의 교정방법 KR900001506B1 (ko)

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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6355935A (ja) * 1986-08-27 1988-03-10 Omron Tateisi Electronics Co 電子ビ−ム描画装置
JPH0628232B2 (ja) * 1987-09-16 1994-04-13 富士通株式会社 荷電ビーム露光装置
JP2540168B2 (ja) * 1987-09-25 1996-10-02 三菱電機株式会社 ビ―ム偏向位置補正装置
US4980922A (en) * 1988-05-31 1990-12-25 Grumman Aerospace Corporation System for output plane calibration of an optical correlator
JP2835097B2 (ja) * 1989-09-21 1998-12-14 株式会社東芝 荷電ビームの非点収差補正方法
JPH07201701A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光装置および露光方法
US6559456B1 (en) * 1998-10-23 2003-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Charged particle beam exposure method and apparatus
JP4434446B2 (ja) 2000-07-21 2010-03-17 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 走査型電子顕微鏡の校正方法
EP1428006B1 (en) * 2001-01-26 2012-10-03 Fei Company Method and apparatus for scanned instrument calibration
US6770867B2 (en) 2001-06-29 2004-08-03 Fei Company Method and apparatus for scanned instrument calibration
JP4359232B2 (ja) * 2004-12-20 2009-11-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5055015B2 (ja) * 2007-05-09 2012-10-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4180738A (en) * 1977-07-30 1979-12-25 National Research Development Corporation Astigmatism in electron beam probe instruments
GB2002547B (en) * 1977-07-30 1982-01-20 Tee W Investigation of astigmatism in electron beam probe instruments
JPS5492050A (en) * 1977-12-29 1979-07-20 Jeol Ltd Method and apparatus for astigmatic correction of scanning electronic microscope and others
US4162403A (en) * 1978-07-26 1979-07-24 Advanced Metals Research Corp. Method and means for compensating for charge carrier beam astigmatism
JPS567341A (en) * 1979-06-29 1981-01-26 Jeol Ltd Automatic astigmatism compensation and focussing in scanning electron microscope
JPS5618422A (en) * 1979-07-23 1981-02-21 Hitachi Ltd Measuring method for diameter of electron beam
NL7906632A (nl) * 1979-09-05 1981-03-09 Philips Nv Automatische bundelcorrektie in stem.
JPS5693318A (en) * 1979-12-10 1981-07-28 Fujitsu Ltd Electron beam exposure device
US4363104A (en) * 1980-09-22 1982-12-07 Hughes Aircraft Company Imaging system having multiple image copying and hierarchical busing
JPS57208140A (en) * 1981-06-18 1982-12-21 Fujitsu Ltd Method of adjusting electron beam exposure apparatus
JPS58218117A (ja) * 1982-06-11 1983-12-19 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム制御装置
JPS59124719A (ja) * 1982-12-29 1984-07-18 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム露光装置
US4553260A (en) * 1983-03-18 1985-11-12 Honeywell Inc. Means and method of processing optical image edge data

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EP0148784A2 (en) 1985-07-17
JPS60147117A (ja) 1985-08-03
DE3571363D1 (en) 1989-08-10
JPH0254655B2 (ko) 1990-11-22

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