KR850005147A - 스팟타링 방법 및 장치 - Google Patents

스팟타링 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR850005147A
KR850005147A KR1019840008169A KR840008169A KR850005147A KR 850005147 A KR850005147 A KR 850005147A KR 1019840008169 A KR1019840008169 A KR 1019840008169A KR 840008169 A KR840008169 A KR 840008169A KR 850005147 A KR850005147 A KR 850005147A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
magnetic field
space
electrode structure
miller
Prior art date
Application number
KR1019840008169A
Other languages
English (en)
Other versions
KR890004880B1 (ko
Inventor
히로시 사이도우 (외 7)
Original Assignee
미쓰다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=17110200&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR850005147(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 미쓰다 가쓰시게, 가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 filed Critical 미쓰다 가쓰시게
Publication of KR850005147A publication Critical patent/KR850005147A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR890004880B1 publication Critical patent/KR890004880B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

스팟타링 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 1실시예에 의한 스팟타링 장치의 단면도.
제3도는 타겟트 위의 프라즈마를 개략적으로 도시한 단면도.
제4도A는 본 발명의 다른 실시예에 의한 스팟타링 장치의 부분 상면도.
제4도B는 제4도A의 1VH선에 따른 단면도. 제5도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 스팟타링 장치의 단면도.

Claims (22)

  1. 타켓트 판을 올려놓은 전극 구조와, 기판과를 대향해서 배치하고, 프라즈마로 타겟트 판을 스팟터해서 기판위에 막을 형성하는 스팟타링의 방법으로 다음의 공정을 포함한다. 타겟트 표면위에 고밀도 프라즈마를 유지한다. 그리고, 전극 구조가 형성하는 전장에 의해서, 해당 고밀도 프라즈마 중의 이온을 타겟트 표면으로 향해서 가속 충돌시켜, 이것으로서 타겟트를 스팟터하여 기판위에 막을 형성한다.
  2. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 프라즈마 유지 스텝은 전극 구조외에 배치된 자석대에 의해, 밀러 자장을 형성하는 밀러 자장에 의해 정의되는 공간에 파를 조사하고, 이로의해서 고밀도 프라즈마를 해당 공간에 발생시키는 것을 포함한다.
  3. 특허 청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 밀러 자장내의 자력선은 실질적으로 타겟트를 관통해서, 전극 구조내부에서 막히는 루프를 형성하지 않는다.
  4. 특허 청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 공간은 상기 전극 구조와 상기 기판을 수용하는 치리실에 인접한 고밀도 프라즈마 발생용 내에 정의되고, 상기 프라즈마 유지 스텝은 상기 고농도 프라즈마 발생용실에서 상기 치리실내의 타겟트위에 프라즈마를 이송하는 것을 포함한다.
  5. 특허 청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 고밀도 프라즈마 발생용실은 타겟트 윗쪽으로 향해서 열린 구멍을 가지고, 밀러 자장 형성용 자석대에 둘러싸인 μ파를 파괴하는 창을 거쳐서 μ파원에 인접한다.
  6. 특허 청구의 범위 제5에 있어서, 상기 밀러 자장은 사용하는 μ파에 대해서 전자싸이크로트론 공명을 만족하는 강도 이상의 강도를 갖으며, 상기 열린 구멍 측보다 상기 창측에서 강하다.
  7. 특허 청구의 범위 제6항에 있어서, 또한 타겟트 표면에 따라서 이송되는 전자를 타겟트에 향해서 가속하고, 타겟트 근방에 보획하는 자장을 발생시키는 스텝을 포함한다.
  8. 특허 청구의 범위 제6항에 있어서, 프라즈마 발생용실의 측은 수평으로 타겟트보다 위에 있다.
  9. 특허 청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 공간은 타겟트 표면 근방에 정의되고, 상기 전극 구조와 상기 기판과를 포함하는 치리실 주위에 상기 밀러 자장 형성용 자석대가 배치된다.
  10. 특허 청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 밀러 자장은 해당 타겟트를 포함하는 형상의 자력선을 갖으며 전자를 해당 타겟트 근방에 보획한다.
  11. 타겟트를 올려놓은 전극 구조와 기판과를 대향해서 배치하고, 프라즈마로 타겟을 스팟터해서 기판위에 막을 행하는 스팟타링의 방법으로 다음 공정을 포함한다. 프라즈마 형성 까스를 도입하는 전극구조와 기판이 대향하는 제1공간의 외부에서 또한 제1공간에 인접한 제2공간에 중심축이 타겟트 중앙부에 향한 밀러 자장을 형성하다. 상기 밀러 자장과 대략 같은 축에 타켓트 중앙부를 향해서μ를 조사하는 것에 의해, 제2공간에 고밀도 프라즈마를 형성한다. 상기 고밀도 프라즈마를 제1공간내의 타겟트 윗쪽에 이송한다. 상기 전극 구조에 전입을 인가해서, 타겟트에 대략 수직인 전장을 발생시켜, 이송된 프라즈마중의 이온을 타겟트에 충돌시켜서 스파타하며, 기판위에 막을 형성한다.
  12. 특허 청구의 범위 제11항에 있어서, 또 다음 공정을 포함한다. 타겟트 표면 윗쪽에서 타겟트 표면과, 대략 평행인 자장을 발생시켜 이송되는 프라즈마중의 전자에 회전 운동을 일으키게 한다.
  13. 타겟트를 올려 놓을 수 있는 전극 구조와 전극 구조에 대향해서 기판을 지지하는 기판 지지구조를 갖으며, 프라즈마로 타겟트를 스팟타링하는 것에 의해 기판위에 막을 형성하는 스팟타 장치에 있어서, 다음 사항을 포함한다. 상기 전극 구조에서 떨어진 장소에 배치된 자석대, 해당 자석대는 밀러 자석 자장을 형성하며, 해당 밀러 자장은 고밀도 프라즈마 발생 공간을 정의하며, 그리고 상기 고밀도 프라즈마 방생공간에 μ파를 조사하기 위한 마이크로파원.
  14. 특허 청구의 범위 제13항에 있어서 상기 밀러 자장은 상기 μ파에 대해 전자 쌍으크로트론 공명을 일으키기 위해 필요한 강도 이상의 강도를 갖는다.
  15. 특허 청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 고밀도 프라즈마 발생공간은 상기 전극 구조에서 떨어진 장소로 정의되고, 상기 자석대와 상기 마이크로 파원은 대략 같은 축의 밀러 자장과 μ파를 일으키도록 고밀도 프라즈마 발생 공간 주위에 배치시킨다.
  16. 특허 청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 고밀도 프라즈마 발생 공간은 도파관내에 정의되고, 도파관은 타겟트에 향해서 열린 구멍을 갖는다.
  17. 특허 청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 자석대는 도파관의 축과 같은 축에 도파관의 길이 방향에 따라서 배치되고, 타겟트에서 먼쪽의 자석은 타겟트의 가까운 쪽의 자석보다 강도가 높은 자장을 발생한다.
  18. 특허 청구의 범위 제17항에 있어서 상기 타겟트는 수평으로 배치되며, 상기 도파관은 수평으로 배치되고 그 상단은 기판보다 낮고, 그 중심축은 타겟트의 면보다 높다.
  19. 특허청구의 범위 제17항에 있어서, 상기 도파관의 중심축은 타겟트의 거의 중앙으로 향하고 있다.
  20. 특허 청구의 범위 13항에 있어서, 상기 고밀도 프라즈마 발생 공간은 상기 타겟트 근방에 정의되고, 상기 자석대는 타겟트의 중앙부 법선과 같은 축으로 법선의 길이 방향에 분리하여 배치된다.
  21. 특허 청구의 범위 제20항에 있어서, 상기 마이크로파는 타겟트 윗쪽에 타겟트 표면에 따라서 마이크로파를 조사하도록 배치된다.
  22. 특허 청구의 범위 제18항에 있어서, 전자 구조는 타겟트 하부에 배치된 음극과 타겟트의 서로 대향하는 양측부에 배치된 자석대와를 포함하고, 자석대는 타겟트 표면과 대략 평행이고, 도파관에서 이송되는 전자를 타겟트 방향으로 꾸부린 방향을 가진 자장을 발생한다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840008169A 1983-12-26 1984-12-20 스퍼터링 방법 및 장치 KR890004880B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58243870A JPH0627323B2 (ja) 1983-12-26 1983-12-26 スパツタリング方法及びその装置
JP58-243870 1983-12-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR850005147A true KR850005147A (ko) 1985-08-21
KR890004880B1 KR890004880B1 (ko) 1989-11-30

Family

ID=17110200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019840008169A KR890004880B1 (ko) 1983-12-26 1984-12-20 스퍼터링 방법 및 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4610770A (ko)
EP (1) EP0148504B2 (ko)
JP (1) JPH0627323B2 (ko)
KR (1) KR890004880B1 (ko)
DE (1) DE3483647D1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100422184B1 (ko) * 2001-11-10 2004-03-11 아이티엠 주식회사 진공 아크를 이용한 고품위 박막 형성 방법

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0627323B2 (ja) 1983-12-26 1994-04-13 株式会社日立製作所 スパツタリング方法及びその装置
JPS6113626A (ja) * 1984-06-29 1986-01-21 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
DE3566194D1 (en) * 1984-08-31 1988-12-15 Hitachi Ltd Microwave assisting sputtering
US4842707A (en) * 1986-06-23 1989-06-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Dry process apparatus
JPS6324030A (ja) * 1986-06-26 1988-02-01 Res Dev Corp Of Japan 異方性希土類磁石材料およびその製造方法
JPS6376867A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 Mitsubishi Kasei Corp 反応性スパツタリング装置
JP2587924B2 (ja) * 1986-10-11 1997-03-05 日本電信電話株式会社 薄膜形成装置
JP2631650B2 (ja) * 1986-12-05 1997-07-16 アネルバ株式会社 真空装置
JPH066786B2 (ja) * 1987-03-17 1994-01-26 日本電信電話株式会社 薄膜形成装置
US4834860A (en) * 1987-07-01 1989-05-30 The Boc Group, Inc. Magnetron sputtering targets
DE3803355A1 (de) * 1988-02-05 1989-08-17 Leybold Ag Teilchenquelle fuer eine reaktive ionenstrahlaetz- oder plasmadepositionsanlage
US5180436A (en) * 1988-07-26 1993-01-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave plasma film deposition system
US5125358A (en) * 1988-07-26 1992-06-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave plasma film deposition system
US4952273A (en) * 1988-09-21 1990-08-28 Microscience, Inc. Plasma generation in electron cyclotron resonance
JPH0689446B2 (ja) * 1988-12-19 1994-11-09 株式会社日立製作所 薄膜形成装置
JP2934711B2 (ja) * 1989-12-07 1999-08-16 カシオ計算機株式会社 スパッタ装置
US5045166A (en) * 1990-05-21 1991-09-03 Mcnc Magnetron method and apparatus for producing high density ionic gas discharge
US5707692A (en) * 1990-10-23 1998-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method for processing a base substance using plasma and a magnetic field
ATE147890T1 (de) * 1991-05-31 1997-02-15 Deposition Sciences Inc Sputteranlage
DE4119362A1 (de) * 1991-06-12 1992-12-17 Leybold Ag Teilchenquelle, insbesondere fuer reaktive ionenaetz- und plasmaunterstuetzte cvd-verfahren
US5490910A (en) * 1992-03-09 1996-02-13 Tulip Memory Systems, Inc. Circularly symmetric sputtering apparatus with hollow-cathode plasma devices
JPH06192830A (ja) * 1992-07-31 1994-07-12 Texas Instr Inc <Ti> 材料層の物理的蒸気沈着のための方法と装置
DE4230290A1 (de) * 1992-09-10 1994-03-17 Leybold Ag Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung und Mikrowelleneinstrahlung
DE4230291C2 (de) * 1992-09-10 1999-11-04 Leybold Ag Mikrowellenunterstützte Zerstäubungsanordnung
DE4336830A1 (de) * 1993-10-28 1995-05-04 Leybold Ag Plasma-Zerstäubungsanlage mit Mikrowellenunterstützung
KR100226366B1 (ko) * 1995-08-23 1999-10-15 아끼구사 나오유끼 플라즈마장치 및 플라즈마 처리방법
US5855745A (en) * 1997-04-23 1999-01-05 Sierra Applied Sciences, Inc. Plasma processing system utilizing combined anode/ ion source
JP3944946B2 (ja) * 1997-04-25 2007-07-18 株式会社島津製作所 薄膜形成装置
FR2774251B1 (fr) * 1998-01-26 2000-02-25 Commissariat Energie Atomique Source a plasma micro-onde lineaire en aimants permanents
US8500973B2 (en) * 2004-08-20 2013-08-06 Jds Uniphase Corporation Anode for sputter coating
US7879209B2 (en) * 2004-08-20 2011-02-01 Jds Uniphase Corporation Cathode for sputter coating
US7658802B2 (en) * 2005-11-22 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and a method for cleaning a dielectric film
US8268116B2 (en) 2007-06-14 2012-09-18 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for protecting a region of process exclusion adjacent to a region of process performance in a process chamber
EP2251453B1 (en) 2009-05-13 2013-12-11 SiO2 Medical Products, Inc. Vessel holder
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
CN103262663B (zh) 2011-04-28 2016-12-14 住友理工株式会社 微波等离子体生成装置和采用该装置的磁控溅射成膜装置
CN103930595A (zh) 2011-11-11 2014-07-16 Sio2医药产品公司 用于药物包装的钝化、pH保护性或润滑性涂层、涂布方法以及设备
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
JP5907701B2 (ja) * 2011-11-18 2016-04-26 住友理工株式会社 フィルム部材の製造方法
EP2846755A1 (en) 2012-05-09 2015-03-18 SiO2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US9184030B2 (en) 2012-07-19 2015-11-10 Lam Research Corporation Edge exclusion control with adjustable plasma exclusion zone ring
FR2995493B1 (fr) * 2012-09-11 2014-08-22 Hydromecanique & Frottement Dispositif pour generer un plasma presentant une etendue importante le long d'un axe par resonnance cyclotronique electronique rce a partir d'un milieu gazeux
WO2014071061A1 (en) 2012-11-01 2014-05-08 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
US9903782B2 (en) 2012-11-16 2018-02-27 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
AU2013352436B2 (en) 2012-11-30 2018-10-25 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition on medical syringes, cartridges, and the like
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US20160015600A1 (en) 2013-03-11 2016-01-21 Sio2 Medical Products, Inc. Coated packaging
WO2014144926A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Sio2 Medical Products, Inc. Coating method
EP3693493A1 (en) 2014-03-28 2020-08-12 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
CN103966567B (zh) * 2014-05-05 2016-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种平面靶材的磁场结构及其使用方法
US11077233B2 (en) 2015-08-18 2021-08-03 Sio2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate
FR3042797B1 (fr) * 2015-10-27 2021-01-22 Commissariat Energie Atomique Dispositif pour la fabrication d'une couche en carbone amorphe par plasma a la resonance cyclotron electronique
JP7138504B2 (ja) * 2018-07-31 2022-09-16 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び電子デバイスの製造方法
CN113774342A (zh) * 2020-06-09 2021-12-10 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 溅射镀膜设备及其电极装置和镀膜方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3325394A (en) * 1963-07-01 1967-06-13 Ibm Magnetic control of film deposition
FR2324755A1 (fr) * 1975-09-19 1977-04-15 Anvar Dispositif de pulverisation cathodique de grande vitesse de depot
JPS55131175A (en) * 1979-03-30 1980-10-11 Toshiba Corp Surface treatment apparatus with microwave plasma
JPS5613480A (en) * 1979-07-13 1981-02-09 Hitachi Ltd Dry etching apparatus
JPS5673539A (en) * 1979-11-22 1981-06-18 Toshiba Corp Surface treating apparatus of microwave plasma
JPS5779621A (en) * 1980-11-05 1982-05-18 Mitsubishi Electric Corp Plasma processing device
JPS5875839A (ja) * 1981-10-30 1983-05-07 Fujitsu Ltd スパツタ装置
JPS58161774A (ja) * 1982-03-17 1983-09-26 Fujitsu Ltd スパツタリング処理方法
DE3378508D1 (en) * 1982-09-10 1988-12-22 Nippon Telegraph & Telephone Plasma deposition method and apparatus
JPS6016424A (ja) * 1983-07-08 1985-01-28 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理方法及びその装置
JPH0627323B2 (ja) 1983-12-26 1994-04-13 株式会社日立製作所 スパツタリング方法及びその装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100422184B1 (ko) * 2001-11-10 2004-03-11 아이티엠 주식회사 진공 아크를 이용한 고품위 박막 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0627323B2 (ja) 1994-04-13
KR890004880B1 (ko) 1989-11-30
EP0148504B1 (en) 1990-11-22
DE3483647D1 (de) 1991-01-03
US4610770A (en) 1986-09-09
EP0148504A2 (en) 1985-07-17
EP0148504B2 (en) 1995-07-12
JPS60135573A (ja) 1985-07-18
EP0148504A3 (en) 1987-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR850005147A (ko) 스팟타링 방법 및 장치
JP2972477B2 (ja) Ｒｆ・ｅｃｒプラズマエッチング装置
KR860002137A (ko) 마이크로파 여기 스팟타링
KR890003266A (ko) 플라즈마 처리방법 및 그 장치
FI890497A0 (fi) Hiukkaslähde reaktiivista ionisäde-etsaus- tai plasmakerrostuslaitteistoa varten
KR0158875B1 (ko) 전자비임 여기(勵起) 이온 원(源)
KR900014639A (ko) 마이크로파 플라스마 에칭방법 및 장치
KR890013689A (ko) 전자빔 노광장치
US5196670A (en) Magnetic plasma producing device with adjustable resonance plane
JPS6035447A (ja) 電子流生成方法及び装置
JPH07161490A (ja) プラズマ処理装置
JP3064214B2 (ja) 高速原子線源
JP3229987B2 (ja) 中性粒子加工方法およびその装置
EP0066175A1 (en) Ion implanter
JP2511433B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2869557B2 (ja) 電子ビーム励起イオン源
JP2000114240A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ閉じ込め方法
JPH0578849A (ja) 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
JPH10163173A (ja) 半導体処理装置
JPS59121747A (ja) イオンミリング方法
JPS6489520A (en) Dry etching
JP3463896B2 (ja) イオンビーム発生装置
JPS6364247A (ja) プラズマ装置
JPS6187867A (ja) スパツタリング装置
JPS6251033A (ja) 磁気記録媒体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20041101

Year of fee payment: 16

EXPY Expiration of term