KR840007021A - 포스포노메틸화 아미노산의 제법 - Google Patents
포스포노메틸화 아미노산의 제법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (25)
- 제1아미노산 에스테르 또는 염과 2산화탄소 보호 그루우프과의 반응에 의하여 보호 아미노 화합물을 형성하고 ; 상기 보호 아미드 화합물을 포스포노메틸화 함에 의하여 포스포노 메틸화 보호 아미노 화합물을 생성시키고 ; 그리고 상기 2산화탄소 보호 그루우프에 추방하여 포스포노메티로화 아미노산 또는 산유도체를 생성하기 위하여 상기 포스포노 메틸화 아미노화 합물을 산성화시키는 공정단계로 이루어지는 포스포노메틸화 아미노산의 제법.
- 제1아미노산 메스테르 또는 염은 하기 구조식을 가지는 특허청구의 범위 1기재의 포스포노 메틸화 아미노산의 제법.
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- 식중, R은 알칼리금속, 알칼리토류금속, 암모늄, 유기암모늄, 양이온, 1~8개의 탄소원자를 가진 알킬, 페닐 및 치환페닐(치환본은 1~4개의 탄소원자를 가지 알킬, 1~4개의 탄소원자를 가진 알콕시 및 클로로로 구성된 그 루우프으로부터 선택된다)로 구성되는 그루우프로부터 선택되며 ; 그리고 R1은 수소, 1~8개의 탄소원자를 가진 제1또는 제2지방족 알킬, 2~8개의 탄소원자를 가진 알케닐 및 2~8개의 탄소원자를 가진알키닐로 구성되는 그루우프로부터 선택되며, 그리고 상기 알킬, 알케닐 또는 알키닐은 임의로, 수소, 히드록그루우프, 아민, 시아노 그루우프, 1~4개의 탄소원자를 가진 알콕시, 아미도 그루우프, 티오그루우프, 1~4개의 탄소원자를 가진 술파이드 그루우프, 6~12개의 탄소원자를 가진 아릴옥시, 1~8개의 탄소원자를 가진 알콕시 카트보닐, 페닐, 6~12개의 탄소원자를 가진 아릴, 7~12개의 탄소원자를 가진 카르복시아릴, 1~8개의 탄소원자를 가진 아미노 알킬 아민, 2~8개의 탄소원자를 가진 알콕시알콕시 및 2~12개의 탄소원자를 가진 복소환식 그루우프로 구성되는 그루우프의 멤버와 치환된다.
- R1은 수소로 이루어지는 특허청구의 범위 2기재의 포스포노 메틸화 아미노산의 제법.
- 2산화 탄소 보호 그루우프는 중탄산나트륨, 탄산나트륨 및 2산하탄소 가스로 구성되는 원으로부터 선택되는 특허청구의 범위 1기재의 포스포노메틸화 아미노산의 제법.
- 제1아미노산 에스케르 또는 염은 1몰 등량의 상기 2산화탄소보호 그루우프와 반응되는 특허청구의 범위 1기재의 포스포노 메틸화 아미노산의 제법.
- 보호 아미노 화합물은 포롬알데히드 및 인원을 사용함에 의하여 포스포노메틸화되는 범위 1기재의 포스포노메틸하 아미노산의 제법.
- 포름알데히드는 수성 포름알데히드의 형태로 사용되는 특허청구의 범위 6기재의 포스포노메틸화 아미노산의 제법.
- 인원은 하기 구조식을 가지는 특허청구의 범위 6기재의 포스포노메틸하 아미노산의 제법.
-
- 식중, R2는 1~8개의 탄소원자를 가진 알킬, 페닐 및 치한페닐로 구성되는 그루우프로부터 독자적으로 선택되며, 그리고 상기 치환부은 1~4개의 탄소원자를 가진 알킬,1~4개의 탄소원자를 가진 알콕시 및 수소로 구성되는 그루우프으로부터 선택된다.
- 보호 아미노 화합물은 염기성 매질내에서 포스포노메틸화되는 특허청구의 범위 6기재의 포스포노메틸화 아미노산의 제법.
- 포스포노 메틸화는 약 1~5기압의 압력으로 2산화탄소하에서 행하여지는 특허청구의 범위 9기재의 포스포노메틸화 아미노산의 제법.
- 보호 아미노 화합물은 염기성 매질내의 포름알대히드 및 산성매질내의 인원을 사용함에 의하여 포스포노메틸화 되는 특허청구의 범위 6기재의 포스포노메틸화 아미노산의 제법.
- 포스포노메틸화 보호 아미노 화합물은 염화수소산, 취화수소산, 황산, 아세트산, 질산 및 과염소산으로 구성되는 그 루우프로부터 선택된 상에 의하여 산성화되는 특허청구의 범위 1기제의 포스포노메틸화 아미노산의 제법.
- 포스포노메틸화 보호 화합물의 산성화에 의하여 포스포노메틸화 아미노산 유도체가 산출되며, 그리고 상기 유도체는 산내에서 가열됨에 의하여 포스포노메틸화 아미노산으로 가수분해 되어지는 특허청구의 범위 1기재의 포스포노메틸화 아미노산의 제법.
- 글리신을 중탄산나트륨 또는 탄산나트륨과 반응시킴에 의하여 보호 아미노화합물을 형성하고 ; 상기 보호 아미노 화합물을 포름알데히드 및 인원을 사용하여 포스포노메틸화함에 의하여 포스포노메틸화 보호 아미노 화합물을 형성하고 ; 상기 포스포노메틸화보호 아미노 화합물을 산성화함에 의하여 상기 2산화탄소 그루우프를 추방하여 포스포노 아미노 화합물을 형성시키고 ; 그리고 체스테르 그루우프를 가수분해하여 글리포세트를 생성하기 위하여 산에 존재하에서 포스포노메틸화 아미노 화합물을 가열하는 공정단계로 이루어지는 글리포세이트의 제법.
- 인 원은 하기의 구조식을 가지는 특허청구의 범위 14기재의 글리포세이트의 제법.
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- 식중, R2는 1~8개의 탄소원자를 가진 알킬, 페닐 및 치한페닐로 구성기는 그루우프로부터 독자적으로 선택되며, 그리고 상기 치환분은 1~4개의 탄소원자를 가진 알킬, 1~4개의 탄소원자를 가진 알콕시 및 수소로 구성되는 그루우프로부터 선택된다.
- 보호 아미노 화합물은 염기성 매질내에서 포스포노메틸화되는 특허청구의 범위 15기재의 글리포세이트의 제법.
- 보호 아미노 화합물은 염기성 매질내의 포름알데히드 및 산성매질내의 인원을 사용하여 포스포노메틸하되는 특허청구의 범위 15기재의 글리포세이트의 제법.
- 포스포노메틸화 보호 아미노 화합물은 염하수소산, 취화수소산, 황산, 아세트산, 질산 및 과염소산으로 구성되는 그루우프로부터 선택되는 산에 의하여 산성화되는 특허청구의 범위 14기재의 글리포세이트의 제법.
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