KR840001402A - 고전압 연산 증폭기 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

고전압 연산 증폭기

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명에 의한 연산 증폭기의 회로도.

Claims (14)

1. 고전압 집적회로 연산증폭기는 반전입력과 비 반전입력회로를 갖는 입력회로와, 증폭기용 출력을 지님과 동시에 입력회로에 결합된 출력회로로 구성되어 있고 : 전술한 입력회로가 전력공급선의 한 단자와 서로 다른 입력단자에 각각 결합되는 1전도도의 고전압 특성을 가진 제1쌍의 트랜지스터, 전술한 제1쌍의 트랜지스터의 다른 단자와 결합하고, 상호 서로 결합하는 반대 전도도형의 저전압 특성을 가진 제2쌍의 트랜지스터, 그리고 전술한 제2쌍의 트랜지스터의 다른 단자와 각각 결합하고, 전력공급선의 다른 단자에 결합하고, 상호 서로 결합하는 1 전도도형의 저전압 특성을 가진 제3쌍의 트랜지스터를 포함하는 고전압집적회로 연산증폭기.
2. 제1항에 있어서, 출력회로가 출력과 전력공급선의 하 단자, 제3쌍의 트랜지스터에 결합되는 1전도도형의 첫번째 고전압 트랜지스터, 전술한 전력 공급선의 다른 단자와 출력, 전술한 첫번째 고전압트랜지스터, 그리고 제3쌍의 트랜지스터에 결합되는 반대 전도도형의 두번째 고전압 트랜지스터를 포함하는 증폭기.
3. 제2항에 있어서, 더 나아가서 전술한 입력회로와 출력회로 사이에서 결합된 중간회로를 포함하는데, 중간회로는 전술한 제3쌍의 트랜지스처와 결합하고, 상호 서로 결합하고, 제2쌍의 트랜지스터의 다른 단자에 결합되는 반대 전도도형의 저전압 특성을 가진 제4쌍의 트랜지스터, 전술한 전력공급선의 한 단자와 제4쌍 트랜지스터에 결합되는 1 전도도형의 세번째 고전압 트랜지스터, 전술한 제4쌍 트랜지스터와 제3쌍 트랜지스터에 결합되는 1 전도도형의 첫번째 저전압 트랜지스터, 전술한 제3쌍 트랜지스터와 첫번째 저전압 트랜지스터, 그리고 세번째 고전압 트랜지스터에 결합되는 반대 전도도형의 네번째 고전압 트랜지스터, 전술한 네번째 고전압 트랜지스터와 전력공급선의 다른 단자에 결합되는 1전도도형의 두번째 저전압 트랜지스터, 전술한 전력공급선의 다른 단자와 두번째 저전압 트랜지스터, 그리고 세번째, 네번째 고전압 트랜지스터에 결합되는 1전도도형의 다섯번째 고전압 트랜지스터, 그리고 전술한 전력공급선의 다른 단자와 출력회로, 다섯번째 고전압 트랜지스터에 결합되는 1 전도도형의 여섯번째 고전압 트랜지스터를 포함하는 증폭기.
4. 제3항에 있어서, 더 나아가 출력회로는 다섯번째 고전압 트랜지스터와 여섯번째 고전압 트랜지스터에 결합된 1전도도형의 일곱번째 고전압 트랜지스터, 전술한 첫번째, 두번째, 여섯번째 그리고 일곱번째 고전압 트랜지스터에 결합되 1 전도도형의 여덟번째 고전압 트랜지스터, 전술한 첫번째, 일곱번째와 여덟번째 고전압 트랜지스터와 전력공급선의 한 단자에 결합된 반대 전도도형의 아홉번째 고전압 트랜지스터를 포함하는 증폭기.
5. 제4항에 있어서, 제3쌍 트랜지스터는 전술한 1 전도도형의 열번째 고전압 트랜지스터에 의한 전력공급선의 한 단자와 두번째 저전압 트랜지스터에 결합되는 열번째 고전압 트랜지스터에 결합되는 증폭기.
6. 제5항에 있어서, 더 나아가서 열번째 고전압 트랜지스터에 결합된 1 전도도형의 세번째 저전압 트랜지스터와 입력회로를 바이어스하기 위한 전압 공급선의 한자에 결합되는 첫번째 저항과 전력 공급선의 한단자를 포함하는 증폭기.
7. 제6항에 있어서, 더 나아가서 아홉번째 고전압 트랜지스터에 결합된 반대 전도도형의 열한번째 고전압 트랜지스터와 출력회로를 바이어스하기 위한 전력 공급선의 다른 단자에 결합된 두번째 저항과 전력공급선의 한 단자를 포함하는 증폭기.
8. 제7항에 있어서, 더 나아가서 전술한 제3쌍 트랜지스터의 제4쌍 트랜지스터 사이에 결합되어 제너다이오드로 작동하도록 연결된 1 전도도형의 트랜지스터를 포함하는 증폭기.
9. 제1,2,3,4,5,6,7 또는 8항에 있어서, 전술한 전력 공급선의 한 단자가 양극이고, 전력공급의 다른 단자가 음극이고, 1 전도도형 트랜지스터는 NPN 트랜지스터이고, 반대 전도도형 트랜지스터는 PNP 트랜지스터 특성을 갖는 증폭기.
10. 제9항에 있어서, 전술한 제2쌍 트랜지스터는 각각 2개의 콜렉터를 갖는 벽형 PNP 트랜지스터의 특성을 갖는 증폭기.
11. 제10항에 있어서, 전술한 제3쌍 트랜지스터는 제2상 트랜지스터의 각각 다른 쪽의 2개의 콜렉터의 한 부분과 결합되어 있고 전술한 제4쌍 트랜지스터는 제2쌍 트랜지스터의 각각 다른쪽의 2개의 콜렉터의 다른 부분과 결합되어 있는 특성을 갖는 증폭기.
12. 제11항에 있어서, 제4쌍 고전압 트랜지스터는 벽형 트랜지스터의 특성을 갖는 증폭기.
13. 제12항에 있어서, 전술한 두번째 고전압 트랜지스터가 수직의 트랜지스터의 특성을 갖는 증폭기.
14. 전술한 입력신호를 결합하는 수단; 전술한 대칭입력신호를 비대칭 신호로의 더블 투 싱글 엔디드변환을 제공하는 수단; 전술한 비대칭신호의 직류 레벨을 이동하기 위한 수단을 갖는 차동증폭기 수단을 포함하는 대칭 고전압 교류 입력 신호를 받는 입력단과; 그리고 전출한 비대칭 신호의 B급 증폭을 제공하기 위한 증폭기수단; 그리고 비대칭 고전압 출력신호가 전술한 부하에 결합되는 것에 의하여 부하에 전류이득을 제공하기 위하여 증폭된 비대칭 신호를 결합하는 구동수단을 포함하는, 즉 레벨이 이동된 비대칭 신호를 결합하는 출력단으로 구성되는 고전압 집적회로 연산 증폭기.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.