KR20240120668A - Cured body - Google Patents

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KR20240120668A
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cured
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히로유키 사카우치
료 미야모토
다이치 오카자키
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아지노모토 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 고온 고습 환경 하에서의 고가속 수명 시험 후에, 도체층과의 사이의 밀착성이 높은 절연층을 얻을 수 있는 경화체를 제공한다.
[해결수단] 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물의 경화체로서; 경화체는, 산술 평균 거칠기 Ra가 100nm 미만인 면을 갖고; 수지 조성물의 층을 200℃ 90분의 조건으로 경화하여 경화 시료층을 형성한 경우에, 경화 시료층의 표면에 대한 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 접촉각이 30°미만이고, 경화 시료층의 표면의 X선 광전자 분광 분석에서의 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여 얻어지는 질소 원자 농도가 3.8원자% 미만인, 경화체.
[Problem] To provide a cured body that can obtain an insulating layer with high adhesion to a conductor layer after a high-acceleration life test in a high-temperature, high-humidity environment.
[Solution] As a cured product of a resin composition containing a thermosetting resin; The hardened body has a surface with an arithmetic mean roughness Ra of less than 100 nm; When a layer of the resin composition is cured at 200°C for 90 minutes to form a cured sample layer, the contact angle of diethylene glycol-mono-n-butyl ether with respect to the surface of the cured sample layer is less than 30°, and the cured sample layer A cured body wherein the nitrogen atom concentration obtained based on the peak area of the spectrum of N1s in X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the surface of the layer is less than 3.8 atomic%.

Description

경화체{CURED BODY}Cured body {CURED BODY}

본 발명은, 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물의 경화체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 경화체를 포함하는 회로 기판, 반도체 칩 패키지 및 반도체 장치; 및 상기 경화체를 제조할 수 있는 수지 시트에 관한 것이다.The present invention relates to a cured body of a resin composition containing a thermosetting resin and a method for producing the same. In addition, the present invention relates to a circuit board, a semiconductor chip package, and a semiconductor device including the cured body; and a resin sheet capable of producing the cured body.

회로 기판 및 반도체 칩 패키지에는, 일반적으로 절연층이 제공된다. 예를 들어, 회로 기판의 일종으로서의 프린트 배선판에는, 절연층으로서 층간 절연층이 제공되는 경우가 있다. 또한, 예를 들어, 반도체 칩 패키지에는, 절연층으로서 재배선 형성층이 제공되는 경우가 있다. 이들 절연층은, 수지 조성물을 경화시켜서 얻어지는 경화체에 의해 형성될 수 있다(특허문헌 1 내지 2).Circuit boards and semiconductor chip packages are generally provided with an insulating layer. For example, a printed wiring board as a type of circuit board may be provided with an interlayer insulating layer as an insulating layer. Additionally, for example, a semiconductor chip package may be provided with a redistribution formation layer as an insulating layer. These insulating layers can be formed from a cured body obtained by curing a resin composition (Patent Documents 1 and 2).

[특허문헌][Patent Document]

[특허문헌 1] 국제공개 제2020/130100호[Patent Document 1] International Publication No. 2020/130100

[특허문헌 2] 일본 공개특허공보 특개2020-193365호[Patent Document 2] Japanese Patent Publication No. 2020-193365

절연층 위에는 도체층이 제공되는 경우가 있다. 이 도체층은, 일반적으로, 패터닝 가공이 실시되어 있어, 적절한 패턴 형상을 갖는 배선을 형성한다. 이와 같이 절연층 위에 제공되는 도체층은, 통상, 절연층과의 밀착성이 높은 것이 요구된다. 그래서, 높은 밀착성을 얻는 관점에서, 절연층 위에 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 행한 후, 당해 절연층 위에 도체층을 형성하는 것이 제안되어 있다.In some cases, a conductor layer is provided on the insulating layer. This conductor layer is generally subjected to patterning processing to form wiring having an appropriate pattern shape. The conductor layer provided on the insulating layer in this way is usually required to have high adhesion to the insulating layer. Therefore, from the viewpoint of obtaining high adhesion, it has been proposed to form a conductor layer on the insulating layer after performing ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment on the insulating layer.

그런데, 종래의 방법에서는, 고온 고습 환경 하에서의 고가속 수명 시험(HAST 시험. 가속 환경 시험이라고도 함.) 후에서의 밀착성이 만족스러울 만한 것이 아니라, 추가적인 개선이 요구되고 있다.However, in the conventional method, the adhesion after a highly accelerated life test (HAST test, also called accelerated environmental test) under a high temperature and high humidity environment is not satisfactory, and further improvement is required.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 고온 고습 환경 하에서의 고가속 수명 시험(HAST 시험) 후에, 도체층과의 사이의 밀착성이 높은 절연층을 얻을 수 있는 경화체; 당해 경화체의 제조 방법; 당해 경화체를 포함하는 회로 기판, 반도체 칩 패키지 및 반도체 장치; 및, 당해 경화체를 제조할 수 있는 수지 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was created in view of the above problems, and provides a cured body capable of obtaining an insulating layer with high adhesion to a conductor layer after a highly accelerated life test (HAST test) in a high temperature and high humidity environment; Method for producing the cured body; Circuit boards, semiconductor chip packages, and semiconductor devices containing the cured body; And, the purpose is to provide a resin sheet from which the cured body can be manufactured.

본 발명자는, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토하였다. 그 결과, 본 발명자는, 도체층이 형성되는 경화체의 면의 표면 거칠기를 특정 범위에 넣고, 또한, 당해 경화체의 재료로서의 수지 조성물을 특정 조건으로 경화하여 형성되는 경화 시료층의 표면의 성정을 특정 요건을 충족시키도록 제어함으로써, 상기의 과제를 해결할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.The present inventor has diligently studied to solve the above problems. As a result, the present inventor set the surface roughness of the surface of the cured body on which the conductor layer is formed within a specific range, and further specified the surface properties of the cured sample layer formed by curing the resin composition as the material for the cured body under specific conditions. It was discovered that the above problems could be solved by controlling them to meet the requirements, and the present invention was completed.

즉, 본 발명은, 하기의 것을 포함한다.That is, the present invention includes the following.

[1] 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물의 경화체로서;[1] As a cured product of a resin composition containing a thermosetting resin;

경화체는, 산술 평균 거칠기 Ra가 100nm 미만인 면을 갖고;The hardened body has a surface with an arithmetic mean roughness Ra of less than 100 nm;

수지 조성물의 층을 200℃ 90분의 조건으로 경화하여 경화 시료층을 형성하는 시험을 행한 경우에,When a test was conducted to form a cured sample layer by curing a layer of the resin composition at 200°C for 90 minutes,

경화 시료층의 표면에 대한 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 접촉각이 30°미만이고,The contact angle of diethylene glycol-mono-n-butyl ether with respect to the surface of the cured sample layer is less than 30°,

경화 시료층의 표면의 X선 광전자 분광 분석에서의 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여 얻어지는 질소 원자 농도가 3.8원자% 미만인, 경화체.A cured body having a nitrogen atom concentration of less than 3.8 atomic% obtained based on the peak area of the spectrum of N1s in X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the surface of the cured sample layer.

[2] 경화 시료층의 표면의 X선 광전자 분광 분석에서의 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여 얻어지는 질소 원자 농도가 0.1원자% 이상인, [1]에 기재된 경화체.[2] The cured body according to [1], wherein the nitrogen atom concentration obtained based on the peak area of the N1s spectrum in X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the surface of the cured sample layer is 0.1 atomic% or more.

[3] 수지 조성물이 무기 충전재를 포함하는, [1] 또는 [2]에 기재된 경화체.[3] The cured body according to [1] or [2], wherein the resin composition contains an inorganic filler.

[4] 수지 조성물 중의 무기 충전재의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 40질량% 이상 90질량% 이하인, [3]에 기재된 경화체.[4] The cured body according to [3], wherein the amount of the inorganic filler in the resin composition is 40% by mass or more and 90% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition.

[5] 열경화성 수지가 에폭시 수지를 포함하는, [1] 내지 [4] 중 어느 한 항에 기재된 경화체.[5] The cured body according to any one of [1] to [4], wherein the thermosetting resin contains an epoxy resin.

[6] 열경화성 수지가 페놀 수지를 포함하는, [1] 내지 [5] 중 어느 한 항에 기재된 경화체.[6] The cured product according to any one of [1] to [5], wherein the thermosetting resin contains a phenol resin.

[7] 열경화성 수지가 활성 에스테르 수지를 포함하는, [1] 내지 [6] 중 어느 한 항에 기재된 경화체.[7] The cured product according to any one of [1] to [6], wherein the thermosetting resin contains an active ester resin.

[8] 열경화성 수지가 말레이미드 수지를 포함하는, [1] 내지 [7] 중 어느 한 항에 기재된 경화체.[8] The cured body according to any one of [1] to [7], wherein the thermosetting resin contains a maleimide resin.

[9] 수지 조성물이 경화 촉진제를 포함하는, [1] 내지 [8] 중 어느 한 항에 기재된 경화체.[9] The cured body according to any one of [1] to [8], wherein the resin composition contains a curing accelerator.

[10] 수지 조성물이 질소 원자를 함유하는 수지 성분을 포함하는, [1] 내지 [9] 중 어느 한 항에 기재된 경화체.[10] The cured body according to any one of [1] to [9], wherein the resin composition contains a resin component containing a nitrogen atom.

[11] 산술 평균 거칠기 Ra가 100nm 미만의 상기 면에, 도체층을 형성하기 위한, [1] 내지 [10] 중 어느 한 항에 기재된 경화체.[11] The cured body according to any one of [1] to [10], for forming a conductor layer on the surface having an arithmetic mean roughness Ra of less than 100 nm.

[12] [1] 내지 [11] 중 어느 한 항에 기재된 경화체에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 회로 기판.[12] A circuit board comprising an insulating layer formed by the cured body according to any one of [1] to [11].

[13] [1] 내지 [11] 중 어느 한 항에 기재된 경화체와, 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지.[13] A semiconductor chip package comprising the cured body according to any one of [1] to [11] and a semiconductor chip.

[14] [12]에 기재된 회로 기판을 구비하는, 반도체 장치.[14] A semiconductor device including the circuit board described in [12].

[15] [13]에 기재된 반도체 칩 패키지를 구비하는, 반도체 장치.[15] A semiconductor device including the semiconductor chip package described in [13].

[16] [1] 내지 [11] 중 어느 한 항에 기재된 경화체의 제조 방법으로서,[16] A method for producing a cured body according to any one of [1] to [11],

열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물을 경화하여 경화체를 얻는 공정과,A process of obtaining a cured body by curing a resin composition containing a thermosetting resin;

상기 경화체에 자외선 처리를 실시하는 공정과,A process of subjecting the cured body to ultraviolet ray treatment;

상기 경화체에 실란 커플링제 처리를 실시하는 공정을 포함하는, 경화체의 제조 방법.A method for producing a cured body, comprising the step of subjecting the cured body to treatment with a silane coupling agent.

[17] 지지체와, 지지체 위에 형성된 수지 조성물의 층을 구비하는 수지 시트로서;[17] A resin sheet comprising a support and a layer of a resin composition formed on the support;

수지 조성물이 열경화성 수지를 포함하고;The resin composition includes a thermosetting resin;

수지 조성물의 층을 경화하여 시료 경화체를 형성하고, 시료 경화체의 지지체측의 면으로 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시하는 제1 시험을 행한 경우, 당해 지지체측의 면의 산술 평균 거칠기 Ra가 100nm 미만이고;When the layer of the resin composition is cured to form a cured sample, and a first test is performed in which the surface of the cured sample is treated with ultraviolet rays and a silane coupling agent on the surface on the support side, the arithmetic average roughness Ra of the surface on the support side is 100 nm. is less than;

수지 조성물의 층을 200℃ 90분의 조건으로 경화하여 경화 시료층을 형성하는 제2 시험을 행한 경우,When a second test was conducted in which a layer of the resin composition was cured at 200°C for 90 minutes to form a cured sample layer,

경화 시료층의 지지체측의 표면에 대한 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 접촉각이 30°미만이고,The contact angle of diethylene glycol-mono-n-butyl ether with respect to the surface of the support side of the cured sample layer is less than 30°,

경화 시료층의 지지체측의 표면의 X선 광전자 분광 분석에서의 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여 얻어지는 질소 원자 농도가 3.8원자% 미만인, 수지 시트.A resin sheet wherein the nitrogen atom concentration obtained based on the peak area of the N1s spectrum in X-ray photoelectron spectroscopy of the surface on the support side of the cured sample layer is less than 3.8 atomic%.

[18] 제1 시험에 있어서, 수지 조성물의 층의 경화가 170℃ 30분의 조건으로 행해지고,[18] In the first test, curing of the layer of the resin composition was carried out under conditions of 170°C for 30 minutes,

제1 시험에 있어서, 자외선 처리가, 시료 경화체에 파장 172nm의 자외선을 10초간 조사함으로써 행해지고,In the first test, ultraviolet treatment is performed by irradiating the cured sample with ultraviolet rays with a wavelength of 172 nm for 10 seconds,

제1 시험에 있어서, 실란 커플링제 처리가, 시료 경화체를, 3-아미노-프로필 트리메톡시실란 5g/리터 및 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르 350g/리터를 포함하는 pH 5.0의 수용액에, 40℃에서 10분 침지함으로써 행해지는, [17]에 기재된 수지 시트.In the first test, the silane coupling agent treatment involved placing the cured sample in an aqueous solution of pH 5.0 containing 5 g/liter of 3-amino-propyl trimethoxysilane and 350 g/liter of diethylene glycol-mono-n-butyl ether. , The resin sheet described in [17], which is performed by dipping at 40°C for 10 minutes.

본 발명에 의하면, 고온 고습 환경 하에서의 고가속 수명 시험(HAST 시험) 후에, 도체층과의 사이의 밀착성이 높은 절연층을 얻을 수 있는 경화체; 당해 경화체의 제조 방법; 당해 경화체를 포함하는 회로 기판, 반도체 칩 패키지 및 반도체 장치; 및, 당해 경화체를 제조할 수 있는 수지 시트를 제공할 수 있다.According to the present invention, a cured body capable of obtaining an insulating layer with high adhesion to a conductor layer after a highly accelerated life test (HAST test) in a high temperature and high humidity environment; Method for producing the cured body; Circuit boards, semiconductor chip packages, and semiconductor devices containing the cured body; And, a resin sheet capable of producing the cured body can be provided.

[도 1] 도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 일례로서의 Fan-out형 WLP를 모식적으로 나타내는 단면도이다.[Figure 1] Figure 1 is a cross-sectional view schematically showing a fan-out type WLP as an example of a semiconductor chip package according to an embodiment of the present invention.

이하, 실시형태 및 예시물을 나타내어 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하에 열거하는 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니고, 특허청구의 범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by showing embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the embodiments and examples listed below, and may be implemented with any modification without departing from the scope of the claims and their equivalents.

<경화체의 개요><Overview of hardened body>

본 발명의 일 실시형태에 따른 경화체는, 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물의 경화체이다. 이 경화체는, 하기의 요건 (i) 내지 (iii)을 충족한다.The cured body according to one embodiment of the present invention is a cured body of a resin composition containing a thermosetting resin. This cured body satisfies the following requirements (i) to (iii).

(i) 경화체가, 산술 평균 거칠기 Ra가 100nm 미만인 면을 갖는다.(i) The cured body has a surface with an arithmetic mean roughness Ra of less than 100 nm.

(ii) 수지 조성물의 층을 200℃ 90분의 조건으로 경화하여 경화 시료층을 형성하는 시험을 행한 경우에, 경화 시료층의 표면에 대한 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 접촉각 X가 30°미만이다.(ii) When a test was conducted to form a cured sample layer by curing the layer of the resin composition at 200°C for 90 minutes, the contact angle It is less than 30°.

(iii) 수지 조성물의 층을 200℃ 90분의 조건으로 경화하여 경화 시료층을 형성하는 시험을 행한 경우에, 경화 시료층의 표면의 X선 광전자 분광(XPS: X-ray Photoelectron Spectroscopy) 분석에서의 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여 얻어지는 질소 원자 농도가 3.8원자% 미만이다.(iii) When a test was conducted to form a cured sample layer by curing the layer of the resin composition at 200°C for 90 minutes, in XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) analysis of the surface of the cured sample layer, The nitrogen atom concentration obtained based on the peak area of the spectrum of N1s is less than 3.8 atomic%.

경화체가 갖는 산술 평균 거칠기 Ra가 100nm 미만인 면을, 이하 「특정 평활면」이라고 하는 경우가 있다. 경화체가 갖는 특정 평활면에 도체층을 형성한 경우, 고온 고습 환경 하에서의 고가속 수명 시험(HAST 시험) 후에, 도체층과 경화체 사이에 높은 밀착성을 얻을 수 있다. 따라서, 경화체에 의하면, HAST 시험 후에 도체층과의 밀착성이 높은 절연층을 얻을 수 있다.A surface with an arithmetic mean roughness Ra of less than 100 nm of the cured body may be hereinafter referred to as a “specific smooth surface.” When a conductor layer is formed on a specific smooth surface of a cured body, high adhesion can be obtained between the conductor layer and the cured body after a highly accelerated life test (HAST test) under a high temperature and high humidity environment. Therefore, according to the cured body, an insulating layer with high adhesion to the conductor layer can be obtained after the HAST test.

특정 이론에 구속되는 것은 아니지만, 본 발명자는, 상기의 효과가 얻어지는 메커니즘을 이하와 같이 추측한다. 단, 본 발명의 기술적 범위는, 이하에 설명하는 메커니즘에 의해 제한되는 것은 아니다.Although not bound by a specific theory, the present inventors speculate the mechanism by which the above effect is obtained as follows. However, the technical scope of the present invention is not limited by the mechanism described below.

경화체의 특정 평활면은, 도체층이 형성되는 시점에서는, 통상, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리가 실시된 상태로 되어 있다. 자외선 처리에 의하면, 경화체의 특정 평활면에 -COOH기 등의 관능기가 생성된다. 또한, 실란 커플링제 처리에 의하면, 실란 커플링제가 상기 관능기에 결합하여 고정화되므로, 당해 특정 평활면의 무기 재료에 대한 친화성이 향상된다. 일반적으로, 도체층의 재료로서는, 금속 등의 무기 재료가 사용되므로, 특정 평활면에 도체층을 형성한 경우에, 경화체와 도체층 사이에 높은 밀착성을 얻을 수 있다.The specific smooth surface of the cured body is usually treated with ultraviolet rays and a silane coupling agent at the time the conductor layer is formed. By ultraviolet treatment, functional groups such as -COOH groups are generated on the specific smooth surface of the cured body. In addition, by treatment with a silane coupling agent, the silane coupling agent binds to and immobilizes the functional group, thereby improving the affinity of the specific smooth surface for the inorganic material. Generally, inorganic materials such as metal are used as materials for the conductor layer, so when the conductor layer is formed on a specific smooth surface, high adhesion can be obtained between the cured body and the conductor layer.

요건 (ii)에 있어서, 경화 시료층의 표면의 성정은, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시하기 전의 경화체의 특정 평활면의 성정과 상관을 갖는다. 통상은, 경화 시료층의 표면의 성정은, 경화체의 특정 평활면의 성정과 일치한다. 또한, 요건 (ii)에 있어서, 경화 시료층의 표면에 대한 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 접촉각 X는, 경화 시료층의 표면과 실란 커플링제 처리에 사용되는 처리액과의 친화성에 상관을 갖는다. 따라서, 요건 (ii)가 충족되는 경우, 통상은, 경화체의 특정 평활면에 대한 실란 커플링제 처리의 처리액의 접촉각은 충분히 작고, 따라서, 경화체의 특정 평활면은 실란 커플링제 처리의 처리액에 높은 친화성을 가질 수 있다. 따라서, 경화체의 특정 평활면에 대한 처리액의 융합성을 높일 수 있으므로, 실란 커플링제와 특정 평활면에 있는 관능기의 결합을 원활하게 진행시키거나, 당해 결합의 정도를 특정 평활면의 면내에서 고도로 균일화하거나 할 수 있다.In requirement (ii), the surface properties of the cured sample layer are correlated with the properties of a specific smooth surface of the cured body before ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment. Usually, the surface properties of the cured sample layer match the properties of the specific smooth surface of the cured body. In addition, in requirement (ii), the contact angle have a relationship Therefore, when requirement (ii) is satisfied, usually the contact angle of the treatment liquid for silane coupling agent treatment with respect to the specific smooth surface of the cured body is sufficiently small, and therefore, the specific smooth surface of the cured body is exposed to the treatment liquid for silane coupling agent treatment. Can have high affinity. Therefore, the compatibility of the treatment liquid with the specific smooth surface of the cured body can be increased, so that the bonding between the silane coupling agent and the functional group on the specific smooth surface proceeds smoothly, or the degree of the bonding can be increased to a high level within the specific smooth surface. It can be uniformized.

또한, 요건 (iii)에 있어서, 경화 시료층의 표면의 질소 원자 농도는, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시하기 전의 경화체의 특정 평활면의 질소 원자 농도와 상관을 갖는다. 통상은, 경화 시료층의 표면의 질소 원자 농도는, 경화체의 특정 평활면의 질소 원자 농도에 일치한다. 질소 원자 농도가 상기 특정 범위에 있는 경우, 자외선 처리에 의해 -COOH기 등의 관능기를 효과적으로 생성시킬 수 있다. 또한, 요건 (iii)이 충족되는 경우, 통상은, 경화체의 특정 평활면이 실란 커플링제 처리의 처리액에 높은 친화성을 가질 수 있으므로, 요건 (ii)에서 설명한 것과 동일하게, 경화체의 특정 평활면에 대한 처리액의 융합성을 높일 수 있다.In addition, in requirement (iii), the nitrogen atom concentration on the surface of the cured sample layer has a correlation with the nitrogen atom concentration on the specific smooth surface of the cured body before ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment. Usually, the nitrogen atom concentration on the surface of the cured sample layer matches the nitrogen atom concentration on the specific smooth surface of the cured body. When the nitrogen atom concentration is within the above specific range, functional groups such as -COOH group can be effectively generated by ultraviolet treatment. In addition, when requirement (iii) is satisfied, usually the specific smooth surface of the cured body can have high affinity to the treatment liquid for silane coupling agent treatment, so the specific smooth surface of the cured body is the same as described in requirement (ii). The solubility of the treatment solution to cotton can be improved.

따라서, 상기 요건 (ii) 및 요건 (iii)이 충족되는 경우, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리에 의해 얻어지는 화학적 작용에 의해, 강력한 밀착성 향상 효과가 얻어진다. 따라서, HAST 시험 후에, 경화체와 도체층 사이에 높은 밀착성을 얻을 수 있다.Therefore, when the above requirements (ii) and (iii) are satisfied, a strong adhesion improvement effect is obtained by the chemical action obtained by ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment. Therefore, after the HAST test, high adhesion can be obtained between the cured body and the conductor layer.

단, 본 발명자가 실험을 반복하여 검토한 바, 상기의 화학적 작용을 효과적으로 발휘시키기 위해서는, 경화체의 특정 평활면에 높은 평활성이 요구되는 것이 판명되어 있다. 종래, 평활성이 낮은 면 쪽이 앵커 효과에 의해 높은 밀착성이 얻어진다는 기술 상식이 있었던 것으로부터 판단하면, 높은 평활성을 갖는 특정 평활면에서 HAST 시험 후에 우수한 밀착성이 얻어지는 것은 의외이다.However, as a result of the present inventor's repeated experiments, it has been revealed that in order to effectively exert the above chemical action, a high smoothness is required for a specific smooth surface of the cured body. Considering that there has been conventional technical knowledge that higher adhesion is achieved on surfaces with lower smoothness due to the anchor effect, it is surprising that excellent adhesion is obtained after the HAST test on a specific smooth surface with high smoothness.

자외선 처리 및 실란 커플링제 처리에 따라서는, 일반적으로, 경화체의 표면의 산술 평균 거칠기 Ra에 변화는 생기지 않는다. 따라서, 경화체의 특정 평활면의 산술 평균 거칠기 Ra는, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리 전에 측정해도 좋고, 후에 측정해도 좋다.Depending on ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment, generally, no change occurs in the arithmetic mean roughness Ra of the surface of the cured body. Therefore, the arithmetic mean roughness Ra of the specific smooth surface of the cured body may be measured before or after ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment.

예를 들어, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리 전에 측정한 산술 평균 거칠기 Ra가 요건 (i)를 충족하는 특정 범위에 있는 특정 평활면을 갖는 경화체는, 그 특정 평활면에 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시한 후에 도체층을 형성한 경우에, 경화체와 도체층 사이에서 HAST 시험 후에 높은 밀착성을 얻을 수 있다. 따라서, 이와 같이 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시하기 전의 특정 평활면이 요건 (i)를 충족하는 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는 경화체는, 본 실시형태에 따른 경화체에 포함된다.For example, a cured body having a specific smooth surface whose arithmetic mean roughness Ra measured before treatment with ultraviolet rays and a silane coupling agent is in a specific range that satisfies requirement (i), has the specific smooth surface treated with ultraviolet rays and a silane coupling agent. When the conductor layer is formed after performing the HAST test, high adhesion can be obtained between the cured body and the conductor layer. Therefore, the cured body according to the present embodiment includes a cured body whose specific smooth surface before ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment has an arithmetic mean roughness Ra that satisfies requirement (i).

또한, 예를 들어, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리 후에 측정한 산술 평균 거칠기 Ra가 요건 (i)를 충족하는 특정 범위에 있는 특정 평활면을 갖는 경화체는, 그 특정 평활면에 도체층을 형성한 경우에, 경화체와 도체층 사이에서 HAST 시험 후에 높은 밀착성을 얻을 수 있다. 따라서, 이와 같이 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시한 후의 특정 평활면이 요건 (i)를 충족하는 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는 경화체는, 본 실시형태에 따른 경화체에 포함된다.In addition, for example, a cured body having a specific smooth surface in a specific range where the arithmetic mean roughness Ra measured after treatment with ultraviolet rays and treatment with a silane coupling agent satisfies requirement (i), has a conductor layer formed on the specific smooth surface. In this case, high adhesion can be obtained after the HAST test between the cured body and the conductor layer. Therefore, a cured body having an arithmetic mean roughness Ra that satisfies requirement (i) on a specific smooth surface after ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment is included in the cured body according to the present embodiment.

통상, 경화체는, HAST 시험 후 뿐만 아니라, HAST 시험 전에도, 도체층과 경화체 사이에 높은 밀착성을 얻을 수 있다. 또한, 경화체는, 낮은 유전정접을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 경화체는, 높은 유리 전이 온도를 갖는 것이 바람직하다.Usually, the cured body can achieve high adhesion between the conductor layer and the cured body not only after the HAST test but also before the HAST test. Additionally, the cured body preferably has a low dielectric loss tangent. Additionally, the cured body preferably has a high glass transition temperature.

<요건 (i). 경화체의 특정 평활면의 산술 평균 거칠기 Ra><Requirement (i). Arithmetic average roughness Ra> of the specific smooth surface of the hardened body

본 실시형태에 따른 경화체는, 특정 범위의 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는 특정 평활면을 갖는다. 구체적으로는, 특정 평활면의 산술 평균 거칠기 Ra의 범위는, 통상 100nm 미만, 바람직하게는 80nm 이하, 보다 바람직하게는 60nm 이하이고, 바람직하게는 10nm 이상, 보다 바람직하게는 20nm 이상, 더욱 바람직하게는 30nm 이상이다. 경화체의 특정 평활면이 상기 범위의 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 높일 수 있고, 또한 통상은, HAST 시험 전의 밀착성의 향상도 가능하다.The hardened body according to the present embodiment has a specific smooth surface with an arithmetic mean roughness Ra in a specific range. Specifically, the range of the arithmetic mean roughness Ra of a specific smooth surface is usually less than 100 nm, preferably less than 80 nm, more preferably less than 60 nm, preferably more than 10 nm, more preferably more than 20 nm, even more preferably is 30nm or more. When the specific smooth surface of the cured body has an arithmetic mean roughness Ra in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on the specific smooth surface and the cured body can be improved after the HAST test, and usually, the adhesion before the HAST test is improved. It is also possible.

경화체의 특정 평활면의 산술 평균 거칠기 Ra는, 일본 공업 규격(JIS B0601-2001)에 준거하여 측정할 수 있다. 측정은, 비접촉형 표면 조도계(비코 인스트루먼츠사 제조 「WYKO NT3300」)를 이용하여 실시할 수 있다. 산술 평균 거칠기 Ra의 구체적인 측정 방법은, 후술하는 실시예의 <시험 4. 표면 거칠기 Ra 및 Rz의 측정>의 방법을 채용할 수 있다.The arithmetic mean roughness Ra of the specific smooth surface of the hardened body can be measured based on Japanese Industrial Standards (JIS B0601-2001). Measurement can be performed using a non-contact surface roughness meter (“WYKO NT3300” manufactured by Viko Instruments). As a specific method of measuring the arithmetic mean roughness Ra, the method of <Test 4. Measurement of surface roughness Ra and Rz> in the examples described later can be adopted.

경화체의 특정 평활면의 산술 평균 거칠기 Ra는, 예를 들어, 수지 조성물의 조성에 의해 조정할 수 있다. 구체예를 들면, 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물을 사용하는 경우에는, 당해 무기 충전재의 입자직경에 의해 조정할 수 있다. 또한, 예를 들어, 수지 시트가 구비하는 수지 조성물층(수지 조성물의 층)을 경화하여 경화체를 얻는 경우, 당해 수지 시트가 구비하는 지지체의 표면 거칠기, 라미네이트 조건에 의해 조정할 수 있다.The arithmetic mean roughness Ra of the specific smooth surface of the cured body can be adjusted, for example, by the composition of the resin composition. For example, when using a resin composition containing an inorganic filler, it can be adjusted according to the particle size of the inorganic filler. In addition, for example, when obtaining a cured body by curing the resin composition layer (layer of the resin composition) provided in the resin sheet, the surface roughness of the support provided in the resin sheet can be adjusted according to the lamination conditions.

<요건 (ii). 경화 시료층의 표면의 접촉각 X><Requirement (ii). Contact angle X of the surface of the cured sample layer>

본 실시형태에 따른 경화체는, 수지 조성물의 경화체이다. 상기의 수지 조성물에 의해 수지 조성물의 층(이하 「수지 조성물층」이라고 말하는 경우가 있음.)을 형성하고, 그 수지 조성물층을 200℃ 90분의 조건으로 경화하여 경화 시료층을 형성하는 시험을 행한 경우, 경화 시료층의 표면에 대한 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 접촉각 X는, 특정 범위에 있다.The cured body according to the present embodiment is a cured body of a resin composition. A test was performed to form a cured sample layer by forming a layer of the resin composition (hereinafter sometimes referred to as “resin composition layer”) using the above resin composition, and curing the resin composition layer under conditions of 200°C for 90 minutes. In this case, the contact angle X of diethylene glycol-mono-n-butyl ether with respect to the surface of the cured sample layer is within a specific range.

상기의 접촉각 X의 구체적 범위는, 통상 30°미만, 바람직하게는 28°이하, 보다 바람직하게는 25°이하, 특히 바람직하게는 20°이하이고, 바람직하게는 0°보다 크고, 보다 바람직하게는 1°이상, 더욱 바람직하게는 3°이상, 특히 바람직하게는 6°이상이다. 접촉각 X가 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 높게 할 수 있고, 또한 통상은, HAST 시험 전의 밀착성의 향상도 가능하다.The specific range of the contact angle It is 1° or more, more preferably 3° or more, and particularly preferably 6° or more. When the contact angle

경화 시료층은, 수지 조성물층을 형성하고, 200℃ 90분의 경화 조건으로 경화하여 형성할 수 있다. 이렇게 해서 형성되는 경화 시료층의 표면은, 통상, 상술한 요건 (i)에 규정되는 범위의 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는다. 또한, 접촉각 X는, 액적법에 의해, θ/2법을 이용하여 측정할 수 있다. 구체적으로는, 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 1.0μL의 액적을 경화 시료층의 표면에 부착시키고, 액적이 부착되어 2000ms 후에 접촉각 X를 측정할 수 있다. 접촉각 X의 상세한 측정 방법은, 후술하는 실시예의 <시험 1. 접촉각 X의 측정>의 방법을 채용할 수 있다.The cured sample layer can be formed by forming a resin composition layer and curing it under curing conditions of 200°C for 90 minutes. The surface of the cured sample layer formed in this way usually has an arithmetic mean roughness Ra in the range specified in the above-mentioned requirement (i). Additionally, the contact angle X can be measured using the θ/2 method by the droplet method. Specifically, a 1.0 μL droplet of diethylene glycol-mono-n-butyl ether is attached to the surface of the cured sample layer, and the contact angle X can be measured 2000 ms after the droplet is attached. The detailed measurement method of the contact angle

상기의 접촉각 X는, 예를 들어, 수지 조성물의 수지 성분의 조성에 의해 조정할 수 있다. 수지 조성물의 수지 성분이란, 달리 언급하지 않는 한, 수지 조성물에 포함되는 불휘발 성분 중 무기 충전재를 제외한 성분을 나타낸다. 구체예를 들면, 실리콘계 수지 등의 무극성 수지가 많으면 접촉각 X는 커지는 경향이 있다. 또한, 극성을 갖는 수지를 포함하는 경우, 접촉각 X는 작아지는 경향이 있다.The contact angle X can be adjusted, for example, by the composition of the resin component of the resin composition. Unless otherwise specified, the resin component of the resin composition refers to the component excluding the inorganic filler among the non-volatile components contained in the resin composition. For example, if there is a large amount of non-polar resin such as silicone resin, the contact angle X tends to increase. Additionally, when a polar resin is included, the contact angle X tends to become small.

여기서, 상기의 경화 시료층은, 수지 조성물의 속성(나아가서는, 그 경화체의 속성)을 특정하기 위한 측정 시험에 제공되는 시료를 나타낸다. 그리고, 요건 (ii)는, 이 경화 시료층의 표면에 대한 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 접촉각 X의 범위를 규정하는 것이다. 따라서, 경화체의 특정 평활면은, 특정 범위의 접촉각 X를 갖고 있어도 좋고, 갖고 있지 않아도 좋다.Here, the cured sample layer above represents a sample to be subjected to a measurement test to specify the properties of the resin composition (and, by extension, the properties of the cured body). And requirement (ii) specifies the range of the contact angle X of diethylene glycol-mono-n-butyl ether with respect to the surface of this cured sample layer. Therefore, the specific smooth surface of the cured body may or may not have a contact angle X in a specific range.

<요건 (iii). 경화 시료층의 표면의 질소 원자 농도><Requirement (iii). Nitrogen atom concentration on the surface of the cured sample layer>

본 실시형태에 따른 경화체는, 상기와 같이, 수지 조성물의 경화체이다. 상기의 수지 조성물의 층(수지 조성물층)을, 200℃ 90분의 조건으로 경화하여, 경화 시료층을 형성하는 시험을 행한 경우, 경화 시료층의 표면의 X선 광전자 분광 분석에서의 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여 얻어지는 질소 원자 농도는, 특정 한 범위에 있다.As described above, the cured body according to the present embodiment is a cured body of a resin composition. When a test was performed to form a cured sample layer by curing the layer of the resin composition (resin composition layer) at 200°C for 90 minutes, the spectrum of N1s in X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the surface of the cured sample layer The nitrogen atom concentration obtained based on the peak area is within a specific range.

상기의 질소 원자 농도의 구체적 범위는, 통상 3.8원자% 미만, 바람직하게는 3.5원자% 이하, 보다 바람직하게는 3.0원자% 이하이고, 바람직하게는 0.1원자% 이상, 보다 바람직하게는 0.5원자% 이상, 더욱 바람직하게는 1.0원자% 이상이다. 질소 원자 농도가 상기의 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 높일 수 있고, 또한 통상은, HAST 시험 전의 밀착성 향상도 가능하다.The specific range of the above nitrogen atom concentration is usually less than 3.8 atomic%, preferably 3.5 atomic% or less, more preferably 3.0 atomic% or less, preferably 0.1 atomic% or more, more preferably 0.5 atomic% or more. , more preferably 1.0 atomic% or more. When the nitrogen atom concentration is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body can be improved after the HAST test, and in general, the adhesion before the HAST test can also be improved.

경화 시료층은, 상기와 같이, 수지 조성물층을 형성하고, 200℃ 90분의 경화 조건으로 경화하여 형성할 수 있다. 또한, 경화 시료층의 표면의 질소 원자 농도는, X선 광전자 분광 분석을 이용하여 측정할 수 있다. 구체적으로는, X선 광전자 분광 분석에 의해 측정되는 스펙트럼의 전체 피크의 면적에 대한 N1s의 피크의 면적의 비율로서, 질소 원자 농도를 측정할 수 있다. X선 광전자 분광 분석에 의한 질소 원자 농도의 상세한 측정 방법은, 후술하는 실시예의 <시험 2. XPS 측정>의 방법을 채용할 수 있다.The cured sample layer can be formed by forming a resin composition layer as described above and curing it under curing conditions of 200°C for 90 minutes. Additionally, the nitrogen atom concentration on the surface of the cured sample layer can be measured using X-ray photoelectron spectroscopy. Specifically, the nitrogen atom concentration can be measured as the ratio of the area of the N1s peak to the area of all peaks in the spectrum measured by X-ray photoelectron spectroscopy. As a detailed measurement method of nitrogen atom concentration by X-ray photoelectron spectroscopy, the method of <Test 2.

상기의 질소 원자 농도는, 예를 들어, 수지 조성물의 수지 성분의 조성에 따라 조정할 수 있다. 구체예를 들면, 질소 원자를 함유하는 수지의 양을 조정함으로써, 경화 시료층의 표면의 상기 질소 원자 농도를 조정할 수 있다. 단, 수지 조성물층을 가열하여 경화할 때에, 수지 조성물층 중의 수지가 유동하여, 두께 방향에서 수지 조성물층에 포함되는 수지의 조성에는 분포가 생기는 경우가 있을 수 있다. 예를 들어, 수지 조성물층이 두께 방향에서 균일한 조성을 갖는 경우라도, 경화시에 수지가 유동하여, 질소 원자를 포함하는 수지가 수지 조성물층의 표면 근방에 편재하도록 포함되는 경우가 있을 수 있다. 상기의 유동은, 경화 조건에 따라서 변화할 수 있다. 따라서, 다른 경화 조건이 아니라, 200℃ 90분의 경화 조건으로 경화하여 얻어지는 경화 시료층의 표면이 상기 범위의 질소 원자 농도가 얻어지도록, 수지 조성물의 조성을 조정하는 것이 바람직하다.The nitrogen atom concentration can be adjusted, for example, depending on the composition of the resin component of the resin composition. For example, by adjusting the amount of resin containing nitrogen atoms, the nitrogen atom concentration on the surface of the cured sample layer can be adjusted. However, when the resin composition layer is heated and cured, the resin in the resin composition layer may flow and a distribution may occur in the composition of the resin contained in the resin composition layer in the thickness direction. For example, even when the resin composition layer has a uniform composition in the thickness direction, the resin may flow during curing, and the resin containing nitrogen atoms may be contained so as to be distributed near the surface of the resin composition layer. The above flow may change depending on curing conditions. Therefore, it is desirable to adjust the composition of the resin composition so that the surface of the cured sample layer obtained by curing under the curing conditions of 200°C for 90 minutes, rather than under other curing conditions, has a nitrogen atom concentration in the above range.

여기서, 상기와 같이, 경화 시료층은, 수지 조성물의 속성(나아가서는, 그 경화체의 속성)을 특정하기 위한 측정 시험에 제공되는 시료를 나타낸다. 그리고, 요건 (iii)은, 이 경화 시료층의 표면의 X선 광전자 분광 분석에서의 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여 얻어지는 질소 원자 농도의 범위를 규정하는 것이다. 따라서, 경화체의 특정 평활면은, 특정 범위의 질소 원자 농도를 갖고 있어도 좋고, 갖고 있지 않아도 좋다.Here, as described above, the cured sample layer represents a sample to be subjected to a measurement test for specifying the properties of the resin composition (and, by extension, the properties of the cured body). And requirement (iii) specifies the range of nitrogen atom concentration obtained based on the peak area of the spectrum of N1s in X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the surface of this cured sample layer. Therefore, the specific smooth surface of the cured body may or may not have a nitrogen atom concentration within a specific range.

<수지 조성물><Resin composition>

본 실시형태에 따른 경화체는, 상기와 같이, 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 부재이다. 수지 조성물은, (A) 성분으로서의 (A) 열경화성 수지를 포함한다. (A) 열경화성 수지로서는, 열을 가한 경우에 경화 가능한 수지를 사용할 수 있다. (A) 열경화성 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The cured body according to the present embodiment is a member obtained by curing the resin composition as described above. The resin composition contains (A) thermosetting resin as component (A). (A) As the thermosetting resin, a resin that can be cured when heat is applied can be used. (A) Thermosetting resin may be used individually or in combination of two or more types.

((A-1) 에폭시 수지)((A-1) epoxy resin)

(A) 열경화성 수지는, (A-1) 성분으로서의 (A-1) 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (A-1) 에폭시 수지는, 에폭시기를 갖는 경화성 수지이다. (A-1) 에폭시 수지의 예로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. (A-1) 에폭시 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A) The thermosetting resin preferably contains (A-1) epoxy resin as the (A-1) component. (A-1) Epoxy resin is a curable resin having an epoxy group. (A-1) Examples of epoxy resins include bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, and trisphenol. type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, Glycidyl epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin with butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring containing Epoxy resin, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, isocyanurate type epoxy resin, phenolphthalimidine type epoxy resin. etc. can be mentioned. (A-1) One type of epoxy resin may be used individually, or two or more types may be used in combination.

(A-1) 에폭시 수지는, 내열성이 우수한 경화체를 얻는 관점에서, 방향족 구조를 함유하는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 방향족 구조란, 일반적으로 방향족으로 정의되는 화학 구조이며, 다환 방향족 및 방향족 복소환도 포함한다. 방향족 구조를 함유하는 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 선상 지방족 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 스피로환 함유 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 트리메틸올형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.(A-1) The epoxy resin preferably contains an epoxy resin containing an aromatic structure from the viewpoint of obtaining a cured body with excellent heat resistance. An aromatic structure is a chemical structure generally defined as aromatic, and also includes polycyclic aromatics and aromatic heterocycles. As an epoxy resin containing an aromatic structure, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, and trisphenol type epoxy resin. , naphthol novolak-type epoxy resin, phenol novolac-type epoxy resin, tert-butyl-catechol-type epoxy resin, naphthalene-type epoxy resin, naphthol-type epoxy resin, anthracene-type epoxy resin, bixylenol-type epoxy resin, glyphosate having an aromatic structure. Cydylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin having an aromatic structure, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin having an aromatic structure, epoxy having a butadiene structure having an aromatic structure. Resin, alicyclic epoxy resin with an aromatic structure, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin with an aromatic structure, cyclohexanedimethanol type epoxy resin with an aromatic structure, naphthylene ether type epoxy resin, trimethyl with an aromatic structure All-type epoxy resins, tetraphenylethane-type epoxy resins having an aromatic structure, etc. can be mentioned.

(A-1) 에폭시 수지는, 내열성이 우수한 경화체를 얻는 관점에서, 질소 원자를 포함하는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 질소 원자를 포함하는 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 글리시딜아민형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.(A-1) The epoxy resin preferably contains an epoxy resin containing a nitrogen atom from the viewpoint of obtaining a cured body with excellent heat resistance. Examples of the epoxy resin containing a nitrogen atom include glycidylamine type epoxy resin.

(A-1) 에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (A-1) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.(A-1) The epoxy resin preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. (A-1) The proportion of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule relative to 100% by mass of the non-volatile component of the epoxy resin is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, especially Preferably it is 70% by mass or more.

에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상의 에폭시 수지(이하 「액상 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있음.)와, 온도 20℃에서 고체상의 에폭시 수지(이하 「고체상 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있음.)가 있다. 수지 조성물에 포함되는 (A-1) 에폭시 수지는, 액상 에폭시 수지만이라도 좋고, 고체상 에폭시 수지만이라도 좋고, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 조합이라도 좋다.Epoxy resins include epoxy resins that are liquid at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resins”) and epoxy resins that are solid at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “solid epoxy resins”). There is. The (A-1) epoxy resin contained in the resin composition may be only a liquid epoxy resin, only a solid epoxy resin, or a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올 형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하다.Liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, and phenol novolac type epoxy resin. , alicyclic epoxy resins having an ester skeleton, cyclohexane-type epoxy resins, cyclohexanedimethanol-type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure are preferable.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「828EL」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀 노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」, 「JER630LSD」, 「604」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「ED-523T」(글리시롤형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-3950L」, 「EP-3980S」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-4088S」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼 카가쿠사 제조의 「ZX-1059」(비스페놀A형 에폭시 수지와 비스페놀F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」, 닛폰 소다사 제조의 「JP-100」, 「JP-200」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이것들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032D", and "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "828US", "828EL", "jER828EL", "825", and "Epicoat 828EL" (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “jER807” and “1750” (bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "jER152" (phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “630”, “630LSD”, “JER630LSD”, and “604” (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “ED-523T” manufactured by ADEKA (glycirol type epoxy resin); “EP-3950L” and “EP-3980S” (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by ADEKA; “EP-4088S” manufactured by ADEKA (dicyclopentadiene type epoxy resin); “ZX-1059” manufactured by Nittetsu Chemical & Materials Co., Ltd. (mixture of bisphenol A-type epoxy resin and bisphenol F-type epoxy resin); “EX-721” (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase Chemtex Corporation; “Celoxide 2021P” manufactured by Daicel Corporation (alicyclic epoxy resin with an ester skeleton); “PB-3600” manufactured by Daicel Corporation, “JP-100” and “JP-200” manufactured by Nippon Soda Corporation (epoxy resin with a butadiene structure); “ZX1658” and “ZX1658GS” (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Nittetsu Chemical & Materials. These may be used individually or in combination of two or more types.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As a solid epoxy resin, a solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups per molecule is preferable, and an aromatic solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups per molecule is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지가 바람직하다.As solid epoxy resins, xylenol-type epoxy resin, naphthalene-type epoxy resin, naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, naphthol novolak-type epoxy resin, cresol novolak-type epoxy resin, dicyclopentadiene-type epoxy resin, and trisphenol-type epoxy resin. , naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, phenol Phthalimidine type epoxy resin is preferred.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「HP-7200L」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」, 「HP6000L」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3000FH」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN475V」, 「ESN4100V」(나프탈렌형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN485」(나프톨형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN375」(디하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YX4000HK」, 「YL7890」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX7700」(페놀 아랄킬형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1010」(비스페놀A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「WHR991S」(페놀프탈이미딘형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이것들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Specific examples of the solid epoxy resin include "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; “HP-4700” and “HP-4710” (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-690" (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-695" (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "HP-7200", "HP-7200HH", "HP-7200H", and "HP-7200L" (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000", and "HP6000L" (naphthylene ether type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; “EPPN-502H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. (trisphenol type epoxy resin); “NC7000L” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. (naphthol novolac type epoxy resin); "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3000FH", and "NC3100" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; “ESN475V” and “ESN4100V” (naphthalene type epoxy resin) manufactured by Nittetsu Chemical & Materials Co., Ltd.; “ESN485” (naphthol type epoxy resin) manufactured by Nittetsu Chemical &Materials; “ESN375” (dihydroxynaphthalene type epoxy resin) manufactured by Nittetsu Chemical &Materials; "YX4000H", "YX4000", "YX4000HK", and "YL7890" (bixylenol type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “YL6121” (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “YX8800” (anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “YX7700” (phenol aralkyl type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “PG-100” and “CG-500” manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.; “YL7760” (bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “YL7800” (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “jER1010” (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “jER1031S” (tetraphenylethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "WHR991S" (phenolphthalimidine type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., etc. are mentioned. These may be used individually, or two or more types may be used in combination.

에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 그것들의 질량비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)의 범위는, 바람직하게는 20:1 내지 1:10, 보다 바람직하게는 10:1 내지 1:5, 특히 바람직하게는 5:1 내지 1:2이다.When using a combination of liquid epoxy resin and solid epoxy resin as an epoxy resin, the range of their mass ratio (liquid epoxy resin:solid epoxy resin) is preferably 20:1 to 1:10, more preferably 10. :1 to 1:5, particularly preferably 5:1 to 1:2.

(A-1) 에폭시 수지의 에폭시 당량의 범위는, 바람직하게는 50g/eq. 내지 5,000g/eq., 보다 바람직하게는 60g/eq. 내지 3,000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 2,000g/eq., 특히 바람직하게는 90g/eq. 내지 1,000g/eq.이다. 에폭시 당량은, 에폭시기 1당량당 수지의 질량을 나타낸다. 이 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.(A-1) The range of the epoxy equivalent weight of the epoxy resin is preferably 50 g/eq. to 5,000 g/eq., more preferably 60 g/eq. to 3,000 g/eq., more preferably 80 g/eq. to 2,000 g/eq., particularly preferably 90 g/eq. to 1,000 g/eq. Epoxy equivalent represents the mass of resin per equivalent of epoxy group. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.

(A-1) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)의 범위는, 바람직하게는 100 내지 5,000, 보다 바람직하게는 250 내지 3,000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1,500이다. 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.(A-1) The range of the weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin is preferably 100 to 5,000, more preferably 250 to 3,000, and still more preferably 400 to 1,500. The weight average molecular weight of the resin can be measured as a value in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).

수지 조성물 중의 (A-1) 에폭시 수지의 양은, 상술한 요건 (i) 내지 (iii)를 충족하는 범위에서 설정할 수 있다. 일례에 있어서, (A-1) 에폭시 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 20질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다. (A-1) 에폭시 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.The amount of epoxy resin (A-1) in the resin composition can be set in a range that satisfies the above-mentioned requirements (i) to (iii). In one example, the range of the amount of the epoxy resin (A-1) is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, with respect to 100% by mass of non-volatile components of the resin composition. It is 3% by mass or more, preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and even more preferably 10% by mass or less. (A-1) When the amount of the epoxy resin is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

또한, 일례에 있어서, 수지 조성물 중의 (A-1) 에폭시 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 60질량% 이하, 더욱 바람직하게는 50질량% 이하이다. 수지 조성물의 수지 성분이란, 전술한 바와 같이, 수지 조성물에 포함되는 불휘발 성분 중 무기 충전재를 제외한 성분을 나타낸다. (A-1) 에폭시 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.In addition, in one example, the range of the amount of epoxy resin (A-1) in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component of the resin composition. More preferably, it is 10 mass% or more, preferably 80 mass% or less, more preferably 60 mass% or less, and even more preferably 50 mass% or less. As described above, the resin component of the resin composition refers to the component excluding the inorganic filler among the non-volatile components contained in the resin composition. (A-1) When the amount of the epoxy resin is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

((A-2) 페놀 수지)((A-2) Phenolic resin)

(A) 열경화성 수지는, (A-2) 성분으로서의 (A-2) 페놀 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (A-2) 페놀 수지로서는, 페놀성 수산기를 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 페놀성 수산기란, 벤젠환, 나프탈렌환 등의 방향환에 결합한 수산기를 말한다. 특히, (A-2) 페놀 수지는, (A-1) 에폭시 수지와 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. (A-1) 에폭시 수지와 (A-2) 페놀 수지를 조합하여 사용한 경우, (A-2) 페놀 수지는, (A-1) 에폭시 수지와 반응하여 결합을 형성하여 수지 조성물을 경화시키는 경화제로서 기능할 수 있다.(A) The thermosetting resin preferably contains (A-2) phenol resin as the (A-2) component. (A-2) As the phenol resin, a compound having one or more phenolic hydroxyl groups per molecule, preferably two or more, can be used. A phenolic hydroxyl group refers to a hydroxyl group bonded to an aromatic ring such as a benzene ring or a naphthalene ring. In particular, it is preferable to use the phenol resin (A-2) in combination with the epoxy resin (A-1). When the (A-1) epoxy resin and (A-2) phenol resin are used in combination, the (A-2) phenol resin is a curing agent that reacts with the (A-1) epoxy resin to form a bond to cure the resin composition. It can function as.

내열성 및 내수성의 관점에서, (A-2) 페놀 수지로서는, 노볼락 구조를 갖는 페놀 수지가 바람직하다. 또한, 밀착성의 관점에서는, 함질소 페놀 수지가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀 수지가 보다 바람직하다. 그 중에서도, 내열성, 내수성, 및 밀착성을 고도로 만족시키는 관점에서, 트리아진 골격 함유 페놀 노볼락 수지가 바람직하다.From the viewpoint of heat resistance and water resistance, the phenol resin (A-2) having a novolak structure is preferable. Furthermore, from the viewpoint of adhesion, a nitrogen-containing phenol resin is preferable, and a triazine skeleton-containing phenol resin is more preferable. Among them, a phenol novolak resin containing a triazine skeleton is preferable from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesion.

(A-2) 페놀 수지의 구체예로서는, 예를 들어, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 「MEH-8000」, 닛폰 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「SN-170」, 「SN-180」, 「SN-190」, 「SN-475」, 「SN-485」, 「SN-495」, 「SN-375」, 「SN-395」, DIC사 제조의 「TD-2090」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018」, 「LA-3018-50P」, 「LA-1356」, 「TD2090」, 「TD-2090-60M」, 「EXB-9500」, 「HPC-9500」, 「KA-1160」, 「KA-1163」, 「KA-1165」, 군에이 카가쿠사 제조의 「GDP-6115L」, 「GDP-6115H」 등을 들 수 있다.(A-2) Specific examples of the phenol resin include, for example, "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851", and "MEH-8000" manufactured by Meiwa Kasei Corporation, and "MEH-8000" manufactured by Nippon Kayaku Corporation. “NHN”, “CBN”, “GPH”, “SN-170”, “SN-180”, “SN-190”, “SN-475”, “SN-485” manufactured by Nittetsu Chemical & Materials, “SN-495”, “SN-375”, “SN-395”, “TD-2090”, “LA-7052”, “LA-7054”, “LA-1356”, “LA-3018” manufactured by DIC Corporation ”, 「LA-3018-50P」, 「LA-1356」, 「TD2090」, 「TD-2090-60M」, 「EXB-9500」, 「HPC-9500」, 「KA-1160」, 「KA-1163 ", "KA-1165", "GDP-6115L" and "GDP-6115H" manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd., etc.

(A-2) 페놀 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A-2) One type of phenol resin may be used individually, or two or more types may be used in combination.

(A-2) 페놀 수지의 수산기 당량의 범위는, 바람직하게는 50g/eq. 내지 3000g/eq., 보다 바람직하게는 100g/eq. 내지 1000g/eq., 보다 바람직하게는 100g/eq. 내지 500g/eq., 특히 바람직하게는 100g/eq. 내지 300g/eq.이다. 수산기 당량은, 수산기 1당량당의 수지의 질량을 나타낸다.(A-2) The range of the hydroxyl equivalent weight of the phenol resin is preferably 50 g/eq. to 3000 g/eq., more preferably 100 g/eq. to 1000 g/eq., more preferably 100 g/eq. to 500 g/eq., particularly preferably 100 g/eq. to 300 g/eq. The hydroxyl equivalent weight represents the mass of the resin per 1 equivalent of the hydroxyl group.

(A-2) 페놀 수지의 중량 평균 분자량의 범위는, (A-1) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량의 범위와 동일할 수 있다.The range of the weight average molecular weight of the (A-2) phenol resin may be the same as the range of the weight average molecular weight of the epoxy resin (A-1).

(A-1) 에폭시 수지의 에폭시기수를 1로 한 경우, (A-2) 페놀 수지의 수산기 수의 범위는, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.10 이상, 더욱 바람직하게는 0.15 이상이고, 바람직하게는 5.0 이하, 보다 바람직하게는 2.0 이하, 특히 바람직하게는 1.0 이하이다. 「(A-1) 에폭시 수지의 에폭시기수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 에폭시 수지의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눗셈한 값을 전부 합계한 값을 나타낸다. 또한, 「(A-2) 페놀 수지의 수산기수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 페놀 수지의 불휘발 성분의 질량을 수산기 당량으로 나눗셈한 값을 전부 합계한 값을 나타낸다.(A-1) When the epoxy group number of the epoxy resin is 1, the range of the hydroxyl group number of the (A-2) phenol resin is preferably 0.01 or more, more preferably 0.10 or more, and still more preferably 0.15 or more. , Preferably it is 5.0 or less, more preferably 2.0 or less, and especially preferably 1.0 or less. “(A-1) Epoxy group number of the epoxy resin” refers to the sum of all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. In addition, “(A-2) hydroxyl group number of phenol resin” represents the sum of all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the phenol resin present in the resin composition by the hydroxyl group equivalent.

수지 조성물 중의 (A-2) 페놀 수지의 양은, 상술한 요건 (i) 내지 (iii)를 충족하는 범위에서 설정할 수 있다. 일례에 있어서, (A-2) 페놀 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다. (A-2) 페놀 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.The amount of (A-2) phenol resin in the resin composition can be set in a range that satisfies the above-mentioned requirements (i) to (iii). In one example, the range of the amount of the phenol resin (A-2) is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, with respect to 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. It is 0.5 mass% or more, preferably 20 mass% or less, more preferably 15 mass% or less, and even more preferably 10 mass% or less. (A-2) When the amount of the phenol resin is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

또한, 일례에 있어서, 수지 조성물 중의 (A-2) 페놀 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 60질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하, 더욱 바람직하게는 40질량% 이하이다. (A-2) 페놀 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.In addition, in one example, the range of the amount of phenol resin (A-2) in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component of the resin composition. More preferably, it is 3% by mass or more, preferably 60% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, and even more preferably 40% by mass or less. (A-2) When the amount of the phenol resin is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

((A-3) 활성 에스테르 수지)((A-3) activated ester resin)

(A) 열경화성 수지는, (A-3) 성분으로서의 (A-3) 활성 에스테르 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (A-3) 활성 에스테르 수지로서는, 일반적으로 페놀 에스테르류, 티오페놀 에스테르류, N-하이드록시아민 에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 특히, (A-3) 활성 에스테르 수지는, (A-1) 에폭시 수지와 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. (A-1) 에폭시 수지와 (A-3) 활성 에스테르 수지를 조합하여 사용한 경우, (A-3) 활성 에스테르 수지는, (A-1) 에폭시 수지와 반응하여 결합을 형성하여 수지 조성물을 경화시키는 경화제로서 기능할 수 있다.(A) The thermosetting resin preferably contains (A-3) active ester resin as the (A-3) component. (A-3) The active ester resin generally contains two highly reactive ester groups per molecule, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds. Compounds having more than one compound are preferably used. In particular, it is preferable to use the active ester resin (A-3) in combination with the epoxy resin (A-1). When the (A-1) epoxy resin and (A-3) active ester resin are used in combination, the (A-3) active ester resin reacts with the (A-1) epoxy resin to form a bond to cure the resin composition. Shiki can function as a hardener.

(A-3) 활성 에스테르 수지는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르 수지가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르 수지가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들어, 벤조산, 아세트산, 숙신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀A, 비스페놀F, 비스페놀S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀A, 메틸화 비스페놀F, 메틸화 비스페놀S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-다이하이드록시나프탈렌, 2,6-다이하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀 노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.(A-3) The active ester resin is preferably obtained by condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and/or a thiol compound. Particularly from the viewpoint of improving heat resistance, active ester resins obtained from carboxylic acid compounds and hydroxy compounds are preferable, and active ester resins obtained from carboxylic acid compounds, phenol compounds, and/or naphthol compounds are more preferable. Examples of carboxylic acid compounds include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Phenol compounds or naphthol compounds include, for example, hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucine, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolac, etc. are mentioned. Here, “dicyclopentadiene-type diphenol compound” refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.

구체적으로는, (A-3) 활성 에스테르 수지로서는, 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르 수지, 나프탈렌 구조를 포함하는 나프탈렌형 활성 에스테르 수지, 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 수지, 페놀 노볼락의 벤조일화물 을 포함하는 활성 에스테르 수지가 바람직하고, 그 중에서도 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르 수지, 및 나프탈렌형 활성 에스테르 수지로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 보다 바람직하다. 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르 수지로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 수지가 바람직하다.Specifically, (A-3) active ester resins include dicyclopentadiene type active ester resin, naphthalene type active ester resin containing a naphthalene structure, active ester resin containing acetylated product of phenol novolak, and phenol novolak. An active ester resin containing a benzoylate is preferable, and among these, at least one type selected from a dicyclopentadiene type active ester resin and a naphthalene type active ester resin is more preferable. As the dicyclopentadiene type active ester resin, an active ester resin containing a dicyclopentadiene type diphenol structure is preferable.

(A-3) 활성 에스테르 수지의 시판품으로서는, 예를 들어, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 수지로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「EXB-8000L」, 「EXB-8000L-65M」, 「EXB-8000L-65TM」, 「HPC-8000L-65TM」, 「HPC-8000」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H」, 「HPC-8000H-65TM」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 수지로서 「HP-B-8151-62T」, 「EXB-8100L-65T」, 「EXB-8150-60T」, 「EXB-8150-62T」, 「EXB-9416-70BK」, 「HPC-8150-60T」, 「HPC-8150-62T」, 「EXB-8」(DIC사 제조); 인 함유 활성 에스테르 수지로서, 「EXB9401」(DIC사 제조); 페놀 노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르 수지로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀 노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르 수지로서 「YLH1026」, 「YLH1030」, 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조); 스티릴기 및 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 수지로서 「PC1300-02-65MA」(에어워터사 제조) 등을 들 수 있다.(A-3) Commercially available active ester resins include, for example, active ester resins containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, such as “EXB9451”, “EXB9460”, “EXB9460S”, “EXB-8000L”, 「EXB-8000L-65M」, 「EXB-8000L-65TM」, 「HPC-8000L-65TM」, 「HPC-8000」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H」, 「HPC-8000H-65TM 」(manufactured by DIC); As an active ester resin containing a naphthalene structure, “HP-B-8151-62T”, “EXB-8100L-65T”, “EXB-8150-60T”, “EXB-8150-62T”, and “EXB-9416-70BK” , “HPC-8150-60T”, “HPC-8150-62T”, “EXB-8” (manufactured by DIC); As a phosphorus-containing active ester resin, "EXB9401" (manufactured by DIC Corporation); As an activated ester resin which is an acetylate of phenol novolak, "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation); Examples of active ester resins that are benzoylates of phenol novolak include "YLH1026", "YLH1030", and "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation); Examples of the active ester resin containing a styryl group and a naphthalene structure include "PC1300-02-65MA" (manufactured by Airwater).

(A-3) 활성 에스테르 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A-3) One type of active ester resin may be used individually, or two or more types may be used in combination.

(A-3) 활성 에스테르 수지의 활성 에스테르기 당량의 범위는, 바람직하게는 50g/eq. 내지 3000g/eq., 보다 바람직하게는 100g/eq. 내지 1000g/eq., 더욱 바람직하게는 100g/eq. 내지 500g/eq., 특히 바람직하게는 100g/eq. 내지 300g/eq.이다. 활성 에스테르기 당량은, 활성 에스테르기 1당량당의 수지의 질량을 나타낸다.(A-3) The range of the equivalent weight of the active ester group of the active ester resin is preferably 50 g/eq. to 3000 g/eq., more preferably 100 g/eq. to 1000 g/eq., more preferably 100 g/eq. to 500 g/eq., particularly preferably 100 g/eq. to 300 g/eq. The active ester group equivalent represents the mass of the resin per equivalent of the active ester group.

(A-3) 활성 에스테르 수지의 중량 평균 분자량의 범위는, (A-1) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량의 범위와 같을 수 있다.The range of the weight average molecular weight of the (A-3) active ester resin may be the same as the range of the weight average molecular weight of the epoxy resin (A-1).

(A-1) 에폭시 수지의 에폭시기수를 1로 한 경우, (A-3) 활성 에스테르 수지의 활성 에스테르기수의 범위는, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.05 이상, 더욱 바람직하게는 0.10 이상이고, 바람직하게는 5.0 이하, 보다 바람직하게는 2.0 이하, 특히 바람직하게는 1.0 이하이다. 「(A-3) 활성 에스테르 수지의 활성 에스테르기수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 활성 에스테르 수지의 불휘발 성분의 질량을 활성 에스테르기 당량으로 나눗셈한 값을 전부 합계한 값을 나타낸다.(A-1) When the epoxy group number of the epoxy resin is 1, the range of the active ester group number of the (A-3) active ester resin is preferably 0.01 or more, more preferably 0.05 or more, and even more preferably 0.10. or more, preferably 5.0 or less, more preferably 2.0 or less, and particularly preferably 1.0 or less. “(A-3) Number of active ester groups of active ester resin” refers to the sum of all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the active ester resin present in the resin composition by the equivalent weight of the active ester group.

수지 조성물 중의 (A-3) 활성 에스테르 수지의 양은, 상술한 요건 (i) 내지 (iii)를 충족하는 범위에서 설정할 수 있다. 일례에 있어서, (A-3) 활성 에스테르 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이상이고, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 2질량% 이하이다. (A-3) 활성 에스테르 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.The amount of active ester resin (A-3) in the resin composition can be set in a range that satisfies the above-mentioned requirements (i) to (iii). In one example, the range of the amount of the active ester resin (A-3) is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. is 0.5 mass% or more, preferably 10 mass% or less, more preferably 5 mass% or less, and even more preferably 2 mass% or less. (A-3) When the amount of the active ester resin is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

또한, 일례에 있어서, 수지 조성물 중의 (A-3) 활성 에스테르 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다. (A-3) 활성 에스테르 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.In addition, in one example, the range of the amount of active ester resin (A-3) in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component of the resin composition. , more preferably 3% by mass or more, preferably 40% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, and even more preferably 20% by mass or less. (A-3) When the amount of the active ester resin is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

((A-4) 말레이미드 수지)((A-4) maleimide resin)

(A) 열경화성 수지는, (A-4) 성분으로서의 (A-4) 말레이미드 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 말레이미드 수지로서는, 1분자 중에 적어도 1개, 바람직하게는 2개 이상의 말레이미드기(2,5-디하이드로-2,5-디옥소-1H-피롤-1-일기)를 함유하는 화합물을 사용할 수 있다. (A-4) 말레이미드 수지는, 말레이미드기가 함유하는 에틸렌성 이중 결합이 라디칼 중합을 발생시켜서 결합을 형성하고, 수지 조성물을 열경화시킬 수 있다. 또한, (A-4) 말레이미드 수지는, 이미다졸 화합물 등의 적절한 촉매의 존재하에서는, (A-1) 에폭시 수지와 반응하여 결합을 형성하여 수지 조성물을 경화시키는 경화제로서 기능할 수 있다.(A) The thermosetting resin preferably contains (A-4) maleimide resin as the (A-4) component. As the maleimide resin, a compound containing at least one, preferably two or more maleimide groups (2,5-dihydro-2,5-dioxo-1H-pyrrol-1-yl group) per molecule can be used. You can. (A-4) In the maleimide resin, the ethylenic double bond contained in the maleimide group undergoes radical polymerization to form a bond, and the resin composition can be heat-cured. Additionally, in the presence of an appropriate catalyst such as an imidazole compound, the maleimide resin (A-4) reacts with the epoxy resin (A-1) to form a bond and can function as a curing agent that hardens the resin composition.

(A-4) 말레이미드 수지로서는, 지방족 아민 골격을 포함하는 지방족 말레이미드 수지를 사용해도 좋고, 방향족 아민 골격을 포함하는 방향족 말레이미드 수지를 사용해도 좋고, 이것들의 조합을 사용해도 좋다. 또한, (A-4) 말레이미드 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A-4) As the maleimide resin, an aliphatic maleimide resin containing an aliphatic amine skeleton may be used, an aromatic maleimide resin containing an aromatic amine skeleton may be used, or a combination of these may be used. In addition, (A-4) maleimide resin may be used individually, or may be used in combination of two or more types.

(A-4) 말레이미드 수지로서는, 예를 들어, (1) 「BMI-3000」, 「BMI-3000J」, 「BMI-5000」, 「BMI-1400」, 「BMI-1500」, 「BMI-1700」 , 「BMI-689」(모두 디자이너 몰레큘즈사 제조), 「SLK-6895-T90」(신에츠 카가쿠 코교사 제조) 등의 지방족 골격(바람직하게는 다이머디아민 유래의 탄소 원자수 36의 지방족 골격)을 포함하는 말레이미드 수지; (2) 발명협회 공개기보 공기번호2020-500211호에 기재되는, 인단 골격을 포함하는 말레이미드 수지; (3) 「MIR-3000-70MT」(닛폰 카야쿠사 제조), 「BMI-4000」(야마토 카세이사 제조), 「BMI-80」(케이아이 카세이사 제조) 등의 말레이미드기의 질소 원자와 직접 결합하고 있는 방향환 골격을 포함하는 말레이미드 수지를 들 수 있다.(A-4) As maleimide resin, for example, (1) “BMI-3000”, “BMI-3000J”, “BMI-5000”, “BMI-1400”, “BMI-1500”, “BMI- 1700", "BMI-689" (all manufactured by Designer Molecules), and "SLK-6895-T90" (manufactured by Shin-Etsu Kagaku Kogyo), etc. (preferably an aliphatic with 36 carbon atoms derived from dimerdiamine) maleimide resin containing a skeleton); (2) A maleimide resin containing an indane skeleton described in the Invention Association Publication No. 2020-500211; (3) Nitrogen atoms of maleimide groups such as “MIR-3000-70MT” (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), “BMI-4000” (manufactured by Yamato Kasei Co., Ltd.), and “BMI-80” (manufactured by KAI Kasei Co., Ltd.) and a maleimide resin containing a directly bonded aromatic ring skeleton.

(A-4) 말레이미드 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A-4) Maleimide resin may be used individually or in combination of two or more types.

(A-4) 말레이미드 수지의 말레이미드기 당량의 범위는, 바람직하게는 50 g/eq. 내지 3000g/eq., 보다 바람직하게는 100g/eq. 내지 1000g/eq., 더욱 바람직하게는 100g/eq. 내지 500g/eq이다. 말레이미드기 당량은, 말레이미드기 1당량당의 수지의 질량을 나타낸다.(A-4) The range of the maleimide group equivalent of the maleimide resin is preferably 50 g/eq. to 3000 g/eq., more preferably 100 g/eq. to 1000 g/eq., and even more preferably 100 g/eq. to 500 g/eq. The maleimide group equivalent represents the mass of the resin per 1 equivalent of the maleimide group.

(A-4) 말레이미드 수지의 중량 평균 분자량의 범위는, (A-1) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량의 범위와 동일할 수 있다.The range of the weight average molecular weight of the (A-4) maleimide resin may be the same as the range of the weight average molecular weight of the epoxy resin (A-1).

(A-1) 에폭시 수지의 에폭시기수를 1로 한 경우, (A-4) 말레이미드 수지의 말레이미드기수의 범위는, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.05 이상, 더욱 바람직하게는 0.10 이상이고, 바람직하게는 5.0 이하, 보다 바람직하게는 2.0 이하, 특히 바람직하게는 1.0 이하이다. 「(A-4) 말레이미드 수지의 말레이미드기수지란, 수지 조성물 중에 존재하는 말레이미드 수지의 불휘발 성분의 질량을 말레이미드기 당량으로 나눗셈한 값을 전부 합계한 값을 나타낸다.When the epoxy group number of the (A-1) epoxy resin is 1, the range of the maleimide group number of the (A-4) maleimide resin is preferably 0.01 or more, more preferably 0.05 or more, and even more preferably 0.10. or more, preferably 5.0 or less, more preferably 2.0 or less, and particularly preferably 1.0 or less. “(A-4) The maleimide group resin of the maleimide resin represents the sum of all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the maleimide resin present in the resin composition by the maleimide group equivalent.

수지 조성물 중의 (A-4) 말레이미드 수지의 양은, 상술한 요건 (i) 내지 (iii)을 충족하는 범위에서 설정할 수 있다. 일례에 있어서, (A-4) 말레이미드 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1.0질량% 이상, 더욱 바람직하게는 2.0질량% 이상이고, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 20질량% 이하, 더욱 바람직하게는 15질량% 이하이다. (A-4) 말레이미드 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.The amount of (A-4) maleimide resin in the resin composition can be set in a range that satisfies the above-mentioned requirements (i) to (iii). In one example, the range of the amount of maleimide resin (A-4) is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1.0% by mass or more, and even more preferably 1.0% by mass or more, based on 100% by mass of non-volatile components of the resin composition. is 2.0 mass% or more, preferably 30 mass% or less, more preferably 20 mass% or less, and even more preferably 15 mass% or less. (A-4) When the amount of maleimide resin is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

또한, 일례에 있어서, 수지 조성물 중의 (A-4) 말레이미드 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 4질량% 이상, 보다 바람직하게는 6질량% 이상이고, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 60질량% 이하, 더욱 바람직하게는 50질량% 이하이다. (A-4) 말레이미드 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.In addition, in one example, the range of the amount of maleimide resin (A-4) in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 4% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component of the resin composition. , more preferably 6% by mass or more, preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, even more preferably 50% by mass or less. (A-4) When the amount of maleimide resin is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

(임의의 열경화성 수지)(Any thermosetting resin)

(A) 열경화성 수지의 다른 예로서는, 시아네이트 에스테르 수지, 카르보디이미드 수지, 산 무수물 수지, 아민 수지, 벤조옥사진 수지, 및, 티올 수지를 들 수 있다. 이들 수지는, (A-1) 에폭시 수지와 조합하여 사용한 경우, (A-1) 에폭시 수지와 반응하여 결합을 형성하여 수지 조성물을 경화시키는 경화제로서 기능할 수 있다. 경화제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A) Other examples of thermosetting resins include cyanate ester resin, carbodiimide resin, acid anhydride resin, amine resin, benzoxazine resin, and thiol resin. When these resins are used in combination with the (A-1) epoxy resin, they can function as a curing agent that reacts with the (A-1) epoxy resin to form a bond and harden the resin composition. One type of hardening agent may be used individually, or two or more types may be used in combination.

(A) 열경화성 수지가 (A-1) 에폭시 수지와 경화제를 조합하여 포함하는 경우, (A-2) 페놀 수지, (A-3) 활성 에스테르 수지, 시아네이트 에스테르 수지, 카르보디이미드 수지, 산 무수물 수지, 아민 수지, 벤조옥사진 수지, 티올 수지 등의 경화제의 양은 특정 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 여기서, (A-1) 에폭시 수지와 (A-4) 말레이미드 수지가 반응하여 결합할 수 있는 계에 있어서는, (A-4) 말레이미드 수지도 경화제에 포함된다. 경화제의 양의 구체적인 범위는, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다. 경화제의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.(A) When the thermosetting resin contains (A-1) an epoxy resin and a curing agent in combination, (A-2) phenol resin, (A-3) active ester resin, cyanate ester resin, carbodiimide resin, acid It is desirable that the amount of curing agent such as anhydride resin, amine resin, benzoxazine resin, and thiol resin falls within a specific range. Here, in a system in which the (A-1) epoxy resin and (A-4) maleimide resin can react and combine, the (A-4) maleimide resin is also included in the curing agent. The specific range of the amount of the curing agent is preferably 0.1 mass% or more, more preferably 1 mass% or more, further preferably 3 mass% or more, based on 100 mass% of non-volatile components of the resin composition. It is 40 mass% or less, more preferably 30 mass% or less, and even more preferably 20 mass% or less. When the amount of the curing agent is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured material after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

또한, 경화제의 양의 범위는, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상이고, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 80질량% 이하, 더욱 바람직하게는 70질량% 이하이다. 경화제의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.In addition, the range of the amount of the curing agent is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, further preferably 10% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component of the resin composition, and preferably It is 90 mass% or less, more preferably 80 mass% or less, and even more preferably 70 mass% or less. When the amount of the curing agent is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured material after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

또한, (A-1) 에폭시 수지의 에폭시기수를 1로 한 경우, 경화제의 활성기수의 범위는, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.1 이상, 더욱 바람직하게는 0.3 이상이고, 바람직하게는 5.0 이하, 보다 바람직하게는 2.0 이하, 특히 바람직하게는 1.0 이하이다. 「경화제의 활성기수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 경화제의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눗셈한 값을 전부 합계한 값을 나타낸다. 또한, 경화제의 활성기 당량이란, 페놀성 수산기, 활성 에스테르기, 말레이미드기 등의 활성기 1당량당의 수지의 질량을 나타낸다.In addition, when the epoxy group number of the (A-1) epoxy resin is 1, the range of the active group number of the curing agent is preferably 0.01 or more, more preferably 0.1 or more, further preferably 0.3 or more, and preferably It is 5.0 or less, more preferably 2.0 or less, especially preferably 1.0 or less. The “active group number of the curing agent” refers to the sum of all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the curing agent present in the resin composition by the active group equivalent. In addition, the active group equivalent of the curing agent refers to the mass of the resin per equivalent of active groups such as phenolic hydroxyl group, active ester group, and maleimide group.

또한, (A) 열경화성 수지의 또 다른 예로서는, (A-4) 말레이미드 수지 이외의 라디칼 중합성 수지 등을 들 수 있다. 이 라디칼 중합성 수지는, 일반적으로 에틸렌성 불포화 결합을 갖고, 라디칼 중합에 의해 경화될 수 있다. 라디칼 중합성 수지로서는, 예를 들어, 방향족 탄소 원자에 직접 결합한 1개 이상의 비닐기를 갖는 스티렌계 라디칼 중합성 수지, 1개 이상의 알릴기를 갖는 알릴계 라디칼 중합성 수지 등을 들 수 있다. 라디칼 중합성 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Moreover, as another example of (A) thermosetting resin, (A-4) radically polymerizable resin other than maleimide resin, etc. are mentioned. This radically polymerizable resin generally has ethylenically unsaturated bonds and can be cured by radical polymerization. Examples of the radically polymerizable resin include a styrene-based radically polymerizable resin having one or more vinyl groups directly bonded to an aromatic carbon atom, an allyl-based radically polymerizable resin having one or more allyl groups, etc. One type of radical polymerizable resin may be used individually, or two or more types may be used in combination.

(A) 열경화성 수지의 중량 평균 분자량의 범위는, (A-1) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량의 범위와 동일할 수 있다.The range of the weight average molecular weight of the (A) thermosetting resin may be the same as the range of the weight average molecular weight of the epoxy resin (A-1).

(질소 원자를 포함하는 열경화성 수지의 양)(Amount of thermosetting resin containing nitrogen atoms)

(A) 열경화성 수지의 일부 또는 전부는 질소 원자를 함유하고 있어도 좋다. 질소 원자를 함유하는 열경화성 수지로서는, 예를 들어, (A-4) 말레이미드 수지 및 아민 수지; 및, (A-1) 에폭시 수지, (A-2) 페놀 수지 및 (A-3) 활성 에스테르 수지) 중 질소 원자를 함유하는 수지 등을 들 수 있다. 질소 원자를 함유하는 열경화성 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A) Part or all of the thermosetting resin may contain nitrogen atoms. Examples of the thermosetting resin containing a nitrogen atom include (A-4) maleimide resin and amine resin; and resins containing a nitrogen atom such as (A-1) epoxy resin, (A-2) phenol resin, and (A-3) active ester resin. The thermosetting resin containing a nitrogen atom may be used individually or in combination of two or more types.

수지 조성물 중의 질소 원자를 함유하는 열경화성 수지의 양은, 상술한 요건 (i) 내지 (iii)을 충족하는 범위에서 설정할 수 있다. 일례에 있어서, 수지 조성물 중의 질소 원자를 함유하는 열경화성 수지의 양의 범위는, (A) 열경화성 수지의 전량 100질량%에 대하여, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상이고, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 80질량% 이하, 더욱 바람직하게는 70질량% 이하이다. 질소 원자를 함유하는 열경화성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.The amount of the thermosetting resin containing nitrogen atoms in the resin composition can be set in a range that satisfies the above-mentioned requirements (i) to (iii). In one example, the range of the amount of the thermosetting resin containing a nitrogen atom in the resin composition is (A) preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, based on 100% by mass of the total amount of the thermosetting resin, More preferably, it is 30 mass% or more, preferably 90 mass% or less, more preferably 80 mass% or less, and even more preferably 70 mass% or less. When the amount of the thermosetting resin containing nitrogen atoms is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

또한, 수지 조성물 중의 질소 원자를 함유하는 열경화성 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 2질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다. 질소 원자를 함유하는 열경화성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.In addition, the range of the amount of the thermosetting resin containing a nitrogen atom in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, and still more preferably 100% by mass or more of the non-volatile component of the resin composition. is 2% by mass or more, preferably 40% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, and even more preferably 20% by mass or less. When the amount of the thermosetting resin containing nitrogen atoms is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

또한, 수지 조성물 중의 질소 원자를 함유하는 열경화성 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상이고, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 80질량% 이하, 더욱 바람직하게는 70질량% 이하이다. 질소 원자를 함유하는 열경화성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.In addition, the range of the amount of the thermosetting resin containing a nitrogen atom in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, with respect to 100% by mass of the resin component of the resin composition. It is 10 mass% or more, preferably 90 mass% or less, more preferably 80 mass% or less, and even more preferably 70 mass% or less. When the amount of the thermosetting resin containing nitrogen atoms is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

(열경화성 수지의 양)(Amount of thermosetting resin)

수지 조성물 중의 (A) 열경화성 수지의 양은, 상술한 요건 (i) 내지 (iii)를 충족하는 범위에서 설정할 수 있다. 일례에 있어서, 수지 조성물 중의 (A) 열경화성 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이고, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 40질량% 이하, 더욱 바람직하게는 30질량% 이하이다. (A) 열경화성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.The amount of (A) thermosetting resin in the resin composition can be set in a range that satisfies the above-mentioned requirements (i) to (iii). In one example, the range of the amount of thermosetting resin (A) in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, even more preferably, based on 100% by mass of non-volatile components of the resin composition. is 5 mass% or more, preferably 50 mass% or less, more preferably 40 mass% or less, and even more preferably 30 mass% or less. (A) When the amount of the thermosetting resin is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

또한, (A) 열경화성 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상이고, 바람직하게는 100질량% 이하이다. (A) 열경화성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.In addition, the range of the amount of the thermosetting resin (A) is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and still more preferably 30% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component of the resin composition. , Preferably it is 100% by mass or less. (A) When the amount of the thermosetting resin is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

((B) 무기 충전재)((B) Inorganic filler)

수지 조성물은, 임의의 성분으로서, 추가로 (B) 무기 충전재를 포함하고 있어도 좋다. (B) 성분으로서의 (B) 무기 충전재는, 통상, 입자의 상태에서 수지 조성물 및 경화체에 포함된다.The resin composition may further contain (B) an inorganic filler as an optional component. (B) The inorganic filler as the component (B) is usually contained in the resin composition and the cured body in the state of particles.

(B) 무기 충전재의 재료로서는, 통상 무기 화합물을 사용한다. (B) 무기 충전재의 재료로서는, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 질화 망간, 붕산 알루미늄, 탄산 스트론튬, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무트, 산화 티타늄, 산화 지르코늄, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘 산 칼슘, 인산 지르코늄, 및 인산 텅스텐산 지르코늄 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도 실리카, 알루미나가 적합하고, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들어, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. (B) 무기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(B) As the material for the inorganic filler, an inorganic compound is usually used. (B) Inorganic filler materials include, for example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, and hydroxide. Aluminum, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, Examples include barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Among these, silica and alumina are suitable, and silica is particularly suitable. Examples of silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Additionally, spherical silica is preferred as the silica. (B) Inorganic fillers may be used individually, or two or more types may be used in combination.

(B) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들어, 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」, 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」; 덴카사 제조의 「UFP-30」, 「DAW-03」, 「FB-105FD」; 토쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 타이헤요 시멘트사 제조의 「셀스피어즈」 「MGH-005」; 닛키 쇼쿠바이 카세이사 제조 「BA-1」 등을 들 수 있다.(B) Commercially available inorganic fillers include, for example, “SP60-05” and “SP507-05” manufactured by Nittetsu Chemical &Materials; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C", "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", and "SO-C1" manufactured by Adomatex Corporation; “UFP-30”, “DAW-03”, and “FB-105FD” manufactured by Denka Corporation; “Actual writing NSS-3N”, “Actual writing NSS-4N”, and “Actual writing NSS-5N” manufactured by Tokuyama Corporation; “Cell Spears” and “MGH-005” manufactured by Taiheyo Cement Co., Ltd.; and "BA-1" manufactured by Nikki Shokubai Kasei.

(B) 무기 충전재의 평균 입자직경의 범위는, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.1㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 7㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이하이다.(B) The range of the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, particularly preferably 0.1 μm or more, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. Preferably it is 10㎛ or less, more preferably 7㎛ or less, even more preferably 5㎛ or less.

(B) 무기 충전재의 평균 입자직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중간직경을 평균 입자직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재 100mg, 메틸에틸케톤 10g을 바이알병에 칭량하여 넣고, 초음파로 10분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자직경 분포 측정 장치를 사용하여, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 플로우 셀 방식으로 무기 충전재의 체적 기준의 입자직경 분포를 측정하고, 얻어진 입자직경 분포로부터 중간 직경으로서 평균 입자직경을 산출할 수 있다. 레이저 회절식 입자직경 분포 측정 장치로서는, 예를 들어 호리바 세사쿠쇼사 제조 「LA-960」 등을 들 수 있다.(B) The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be prepared on a volume basis using a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, and the median diameter can be measured as the average particle size. The measurement sample can be prepared by weighing 100 mg of inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone into a vial bottle and dispersing them by ultrasonic waves for 10 minutes. For the measurement sample, use a laser diffraction type particle size distribution measuring device, use a light source wavelength of blue and red, measure the volume-based particle size distribution of the inorganic filler using a flow cell method, and determine the median diameter from the obtained particle size distribution. The average particle diameter can be calculated as . Examples of the laser diffraction type particle size distribution measuring device include "LA-960" manufactured by Horiba Sesakusho Co., Ltd.

(B) 무기 충전재의 비표면적의 범위는, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 2㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 3㎡/g 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 비표면적은, BET법에 따라, 비표면적 측정 장치(마운텍사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 이용하여 비표면적을 산출함으로써 측정할 수 있다.(B) The range of the specific surface area of the inorganic filler is preferably 1 m2/g or more, more preferably 2 m2/g or more, particularly preferably 3 m2/g, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. g or more. There is no particular limitation on the upper limit, but it is preferably 60 m2/g or less, 50 m2/g or less, or 40 m2/g or less. The specific surface area can be measured by adsorbing nitrogen gas to the surface of the sample using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210, manufactured by Mountec) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multipoint method.

(B) 무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들어, 불소 함유 실란 커플링제, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 표면 처리제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다.(B) The inorganic filler is preferably treated with a surface treatment agent from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. Examples of surface treatment agents include fluorine-containing silane coupling agents, aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, silane coupling agents, alkoxysilanes, organosilazane compounds, and titanate coupling agents. Ringer, etc. can be mentioned. Surface treatment agents may be used individually, or may be used in combination of two or more types arbitrarily.

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.Commercially available surface treatment agents include, for example, “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane), manufactured by Shin-Etsu Chemical Kogyo Co., Ltd., and “KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxysilane), manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. silane), “KBE903” (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Kogyoso, “KBM573” (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Kogyoso, Shin-Etsu Chemical “SZ-31” (hexamethyldisilazane) manufactured by Kogyo Corporation, “KBM103” (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Kogyo Corporation, and “KBM-4803” (long chain epoxy type silane couple) manufactured by Shin-Etsu Chemical Kogyo Corporation ring agent), "KBM-7103" (3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., etc.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, (B) 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 특정 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량%는, 0.2질량% 내지 5질량%의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량% 내지 3질량%의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 보다 바람직하고, 0.3질량% 내지 2질량%의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 더욱 바람직하다.The degree of surface treatment with the surface treatment agent is preferably within a specific range from the viewpoint of improving the dispersibility of the (B) inorganic filler. Specifically, 100% by mass of the inorganic filler is preferably surface treated with 0.2% by mass to 5% by mass of a surface treatment agent, more preferably 0.2% by mass to 3% by mass of a surface treatment agent, It is more preferable that the surface is treated with 0.3% by mass to 2% by mass of a surface treatment agent.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02㎎/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1㎎/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2㎎/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 조성물의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1.0mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The degree of surface treatment by a surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and even more preferably 0.2 mg/m 2 or more. On the other hand, from the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the resin composition, 1.0 mg/m 2 or less is preferable, 0.8 mg/m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m 2 or less is still more preferable.

(B) 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들어, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 첨가하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는 호리바 세사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.(B) The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after the surface-treated inorganic filler is washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, and ultrasonic cleaning is performed at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Sesakusho, etc. can be used.

수지 조성물 중의 (B) 무기 충전재의 양은, 상술한 요건 (i) 내지 (iii)을 충족하는 범위에서 설정할 수 있다. 일례에 있어서, 수지 조성물 중의 (B) 무기 충전재의 양의 범위는, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 40질량% 이상, 보다 바람직하게는 50질량% 이상, 더욱 바람직하게는 60질량% 이상이고, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 86질량% 이하, 더욱 바람직하게는 83질량% 이하이다. (B) 무기 충전재의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.The amount of (B) inorganic filler in the resin composition can be set in a range that satisfies the above-mentioned requirements (i) to (iii). In one example, the range of the amount of the inorganic filler (B) in the resin composition is preferably 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, even more preferably, based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. is 60 mass% or more, preferably 90 mass% or less, more preferably 86 mass% or less, and even more preferably 83 mass% or less. (B) When the amount of the inorganic filler is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

((C) 경화 촉진제)((C) Curing accelerator)

수지 조성물은, 임의의 성분으로서, (C) 경화 촉진제를 포함하고 있어도 좋다. (C) 성분으로서의 (C) 경화 촉진제에는, 상술한 (A) 내지 (B) 성분에 해당하는 것은 포함시키지 않는다. (C) 경화 촉진제는, (A-1) 에폭시 수지의 경화를 촉진시키는 경화 촉매로서의 기능을 갖는다.The resin composition may contain (C) a curing accelerator as an optional component. The curing accelerator (C) as component (C) does not include those corresponding to the components (A) to (B) described above. (C) The curing accelerator has a function as a curing catalyst that promotes curing of the epoxy resin (A-1).

(C) 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 인계 경화 촉진제, 우레아계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하다. (C) 경화 촉진제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(C) Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, urea-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, metal-based curing accelerators, and amine-based curing accelerators. Among them, an imidazole-based curing accelerator is preferable. (C) A hardening accelerator may be used individually, or may be used in combination of two or more types.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라부틸포스포늄클로라이드, 테트라부틸포스포늄아세테이트, 테트라부틸포스포늄데카노에이트, 테트라부틸포스포늄라우레이트, 비스(테트라부틸포스포늄)피로멜리테이트, 테트라부틸포스포늄하이드로젠헥사하이드로프탈레이트, 테트라부틸포스포늄 2,6-비스[(2-하이드록시-5-메틸페닐)메틸]-4-메틸페놀레이트, 디-tert-부틸디메틸포스포늄테트라페닐보레이트 등의 지방족 포스포늄염; 메틸트리페닐포스포늄브로마이드, 에틸트리페닐포스포늄브로마이드, 프로필트리페닐포스포늄브로마이드, 부틸트리페닐포스포늄브로마이드, 벤질트리페닐포스포늄클로라이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, p-톨릴트리페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라p-톨릴보레이트, 트리페닐에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(3-메틸페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(2-메톡시페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등의 방향족 포스포늄염; 트리페닐포스핀·트리페닐보란 등의 방향족 포스핀·보란 복합체; 트리페닐포스핀·p-벤조퀴논 부가 반응물 등의 방향족 포스핀·퀴논 부가 반응물; 트리부틸포스핀, 트리-tert-부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 2-tert-부틸(2-부테닐)포스핀, 디-tert-부틸(3-메틸-2-부테닐)포스핀, 트리사이클로헥실포스핀 등의 지방족 포스핀; 디부틸페닐포스핀, 디-tert-부틸페닐포스핀, 메틸디페닐포스핀, 에틸디페닐포스핀, 부틸디페닐포스핀, 디페닐사이클로헥실포스핀, 트리페닐포스핀, 트리-o-톨릴포스핀, 트리-m-톨릴포스핀, 트리-p-톨릴포스핀, 트리스(4-에틸페닐)포스핀, 트리스(4-프로필페닐)포스핀, 트리스(4-이소프로필페닐)포스핀, 트리스(4-부틸페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부틸페닐)포스핀, 트리스(2,4-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸페닐)포스핀, 트리스(3,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,4,6-트리메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸-4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(2-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부톡시페닐)포스핀, 디페닐-2-피리딜포스핀, 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄, 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판, 1,4-비스(디페닐포스피노)부탄, 1,2-비스(디페닐포스피노)아세틸렌, 2,2'-비스(디페닐포스피노)디페닐에테르 등의 방향족 포스핀 등을 들 수 있다.Examples of phosphorus-based curing accelerators include tetrabutylphosphonium bromide, tetrabutylphosphonium chloride, tetrabutylphosphonium acetate, tetrabutylphosphonium decanoate, tetrabutylphosphonium laurate, and bis(tetrabutylphosphonium)pyrro. Melitate, tetrabutylphosphonium hydrogenhexahydrophthalate, tetrabutylphosphonium 2,6-bis[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenolate, di-tert-butyldimethylphosphonium Aliphatic phosphonium salts such as tetraphenyl borate; Methyltriphenylphosphonium bromide, ethyltriphenylphosphonium bromide, propyltriphenylphosphonium bromide, butyltriphenylphosphonium bromide, benzyltriphenylphosphonium chloride, tetraphenylphosphonium bromide, p-tolyltriphenylphosphonium tetra- p-tolyl borate, tetraphenylphosphonium tetraphenyl borate, tetraphenylphosphonium tetrap-tolyl borate, triphenylethylphosphonium tetraphenyl borate, tris (3-methylphenyl) ethylphosphonium tetraphenyl borate, tris (2-methyl aromatic phosphonium salts such as toxyphenyl)ethylphosphonium tetraphenyl borate, (4-methylphenyl)triphenylphosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, and butyltriphenylphosphonium thiocyanate; Aromatic phosphine/borane complexes such as triphenylphosphine/triphenylborane; Aromatic phosphine/quinone addition reactants such as triphenylphosphine/p-benzoquinone addition reactants; Tributylphosphine, tri-tert-butylphosphine, trioctylphosphine, 2-tert-butyl(2-butenyl)phosphine, di-tert-butyl(3-methyl-2-butenyl)phosphine, Aliphatic phosphines such as tricyclohexylphosphine; Dibutylphenylphosphine, di-tert-butylphenylphosphine, methyldiphenylphosphine, ethyldiphenylphosphine, butyldiphenylphosphine, diphenylcyclohexylphosphine, triphenylphosphine, tri-o-tolyl Phosphine, tri-m-tolylphosphine, tri-p-tolylphosphine, tris(4-ethylphenyl)phosphine, tris(4-propylphenyl)phosphine, tris(4-isopropylphenyl)phosphine, Tris(4-butylphenyl)phosphine, tris(4-tert-butylphenyl)phosphine, tris(2,4-dimethylphenyl)phosphine, tris(2,5-dimethylphenyl)phosphine, tris(2, 6-dimethylphenyl)phosphine, tris(3,5-dimethylphenyl)phosphine, tris(2,4,6-trimethylphenyl)phosphine, tris(2,6-dimethyl-4-ethoxyphenyl)phosphine , tris(2-methoxyphenyl)phosphine, tris(4-methoxyphenyl)phosphine, tris(4-ethoxyphenyl)phosphine, tris(4-tert-butoxyphenyl)phosphine, diphenyl- 2-pyridylphosphine, 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane, 1,3-bis(diphenylphosphino)propane, 1,4-bis(diphenylphosphino)butane, 1,2- and aromatic phosphines such as bis(diphenylphosphino)acetylene and 2,2'-bis(diphenylphosphino)diphenyl ether.

우레아계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 1,1-디메틸요소; 1,1,3-트리메틸요소, 3-에틸-1,1-디메틸요소, 3-사이클로헥실-1,1-디메틸요소, 3-사이클로옥틸-1,1-디메틸요소 등의 지방족 디메틸우레아; 3-페닐-1,1-디메틸요소, 3-(4-클로로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3-클로로-4-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(2-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3,4-디메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-이소프로필페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4- 메톡시페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-니트로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-[4-(4-메톡시페녹시)페닐]-1,1-디메틸요소, 3-[4-(4-클로로페녹시)페닐]-1,1-디메틸요소, 3-[3-(트리플루오로메틸)페닐]-1,1-디메틸요소, N,N-(1,4-페닐렌)비스(N',N'-디메틸요소), N,N-(4-메틸-1,3-페닐렌)비스(N',N'-디메틸요소)〔톨루엔비스디메틸우레아〕등의 방향족 디메틸우레아 등을 들 수 있다.Examples of urea-based curing accelerators include 1,1-dimethylurea; Aliphatic dimethylureas such as 1,1,3-trimethylurea, 3-ethyl-1,1-dimethylurea, 3-cyclohexyl-1,1-dimethylurea, and 3-cyclooctyl-1,1-dimethylurea; 3-phenyl-1,1-dimethylurea, 3-(4-chlorophenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(3,4-dichlorophenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(3- Chloro-4-methylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(2-methylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(4-methylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(3,4 -dimethylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(4-isopropylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(4-methoxyphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(4 -nitrophenyl)-1,1-dimethylurea, 3-[4-(4-methoxyphenoxy)phenyl]-1,1-dimethylurea, 3-[4-(4-chlorophenoxy)phenyl]- 1,1-dimethylurea, 3-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-1,1-dimethylurea, N,N-(1,4-phenylene)bis(N',N'-dimethylurea ), and aromatic dimethyl ureas such as N,N-(4-methyl-1,3-phenylene)bis(N',N'-dimethylurea) [toluene bisdimethylurea].

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있다. Examples of guanidine-based curing accelerators include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, and diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, Examples include 1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1-allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, and 1-(o-tolyl) biguanide.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들어 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있다. 이미다졸계 경화 촉진제의 시판품으로서는, 예를 들어, 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「1B2PZ」, 「2E4MZ」, 「2MZA-PW」, 「2MZ-OK」, 「2MA-OK」, 「2MA-OK-PW」, 「2PHZ」, 「2PHZ-PW」, 「Cl1Z」, 「Cl1Z-CN」, 「Cl1Z-CNS」, 「C11Z-A」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.Examples of imidazole-based curing accelerators include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Midazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole Sol, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl- 4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium tri. Melitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl Midazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-tri Azine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazoleisocyanuric acid adduct , 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2- a] Imidazole compounds such as benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazoline, and mixtures of imidazole compounds and epoxy resins A duct body can be mentioned. Commercially available imidazole-based curing accelerators include, for example, "1B2PZ", "2E4MZ", "2MZA-PW", "2MZ-OK", "2MA-OK", and "2MA-OK-" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. PW”, “2PHZ”, “2PHZ-PW”, “Cl1Z”, “Cl1Z-CN”, “Cl1Z-CNS”, “C11Z-A”; and “P200-H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들어, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing accelerator include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Examples include organic zinc complexes, organic iron complexes such as iron(III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel(II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese(II) acetylacetonate. Examples of organometallic salts include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들어 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6,-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있다. 아민계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 아지노모토 파인테크노사 제조의 「MY-25」 등을 들 수 있다.Examples of amine-based curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6,-tris(dimethylaminomethyl)phenol, and 1,8. -Diazabicyclo(5,4,0)-undecene, etc. can be mentioned. As an amine-type hardening accelerator, a commercial item may be used, for example, "MY-25" manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., etc.

수지 조성물 중의 (C) 경화 촉진제의 양은, 상술한 요건 (i) 내지 (iii)을 충족하는 범위에서 설정할 수 있다. 일례에 있어서, 수지 조성물 중의 (C) 경화 촉진제의 양의 범위는, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 0질량%라도 좋고, 0질량%보다 많아도 좋고, 바람직하게는 0.0001질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.001질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.002질량% 이상이고, 바람직하게는 2질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이하이다.The amount of curing accelerator (C) in the resin composition can be set in a range that satisfies the above-mentioned requirements (i) to (iii). In one example, the range of the amount of curing accelerator (C) in the resin composition may be 0% by mass, may be greater than 0% by mass, and is preferably 0.0001% by mass or more, based on 100% by mass of non-volatile components of the resin composition. , more preferably 0.001 mass% or more, further preferably 0.002 mass% or more, preferably 2 mass% or less, more preferably 1 mass% or less, even more preferably 0.1 mass% or less.

또한, (C) 경화 촉진제의 양의 범위는, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 0질량%라도 좋고, 0질량%보다 많아도 좋고, 바람직하게는 0.001질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.01질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이상, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.Additionally, the range of the amount of the curing accelerator (C) may be 0% by mass or may be greater than 0% by mass, with respect to 100% by mass of the resin component of the resin composition, preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.01% by mass. It is mass % or more, more preferably 0.1 mass % or more, preferably 3 mass % or less, more preferably 1 mass % or less, and even more preferably 0.5 mass % or less.

((D) 고분자 수지)((D) polymer resin)

수지 조성물은, 임의의 성분으로서, 추가로 (D) 고분자 수지를 포함하고 있어도 좋다. (D) 성분으로서의 (D) 고분자 수지에는, 상술한 (A) 내지 (C) 성분에 해당하는 것은 포함시키지 않는다. (D) 고분자 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하고 있어도 좋다.The resin composition may further contain (D) polymer resin as an optional component. The polymer resin (D) as the component (D) does not include those corresponding to the components (A) to (C) described above. (D) One type of polymer resin may be used individually, or two or more types may be used in combination.

(D) 고분자 수지로서는, 예를 들어, 페녹시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리페닐렌에테르 수지 및 폴리카보네이트 수지가 바람직하고, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리부타디엔 수지 및 폴리페닐렌에테르 수지가 더욱 바람직하다.(D) Polymer resins include, for example, phenoxy resin, acrylic resin, polyimide resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyamidoimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, and polyether. Sulfone resin, polyphenylene ether resin, polycarbonate resin, polyether ether ketone resin, polyester resin, etc. are mentioned. Among them, acrylic resin, polyimide resin, polybutadiene resin, polyphenylene ether resin, and polycarbonate resin are preferable, and acrylic resin, polyimide resin, polybutadiene resin, and polyphenylene ether resin are more preferable.

페녹시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀A 골격, 비스페놀F 골격, 비스페놀S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미츠비시 케미컬사 제조의 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀A 골격 함유 페녹시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8100」(비스페놀S 골격 함유 페녹시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX6954」(비스페놀아세토페논 골격 함유 페녹시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「FX280」 및 「FX293」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7500BH30」, 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」, 「YL7482」 및 「YL7891BH30」 등을 들 수 있다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, and naphthalene. and a phenoxy resin having at least one skeleton selected from the group consisting of an anthracene skeleton, an adamantane skeleton, a terpene skeleton, and a trimethylcyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (both phenoxy resins containing a bisphenol A skeleton); “YX8100” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (phenoxy resin containing bisphenol S skeleton); “YX6954” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (phenoxy resin containing bisphenol acetophenone skeleton); “FX280” and “FX293” manufactured by Nittetsu Chemical & Materials, Inc.; "YL7500BH30", "YX6954BH30", "YX7553", "YX7553BH30", "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290", "YL7482" and "YL789" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation 1BH30” and the like.

아크릴 수지로서는, 예를 들어, (메타)아크릴레이트 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 아크릴 수지는 (메타)아크릴레이트 구조를, 주쇄에 함유하고 있어도 좋고, 측쇄에 함유하고 있어도 좋다. 여기서, 용어 「(메타)아크릴레이트 구조」는, 아크릴레이트 구조 및 메타크릴레이트 구조의 양쪽을 포함한다. 아크릴 수지의 구체예로서는, 나가세 켐텍스사 제조의 테이산 레진 「SG-70L」, 「SG-708-6」, 「WS-023」, 「SG-700AS」, 「SG-280TEA」, 「SG-80H」, 「SG-80H-3」, 「SG-P3」, 「SG-600TEA」, 「SG-790」; 네가미 코교사 제조의 「ME-2000」, 「W-116.3」, 「W-197C」, 「KG-25」, 「KG-3000」; 도아 고세사 제조의 「ARUFON UH-2000」 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic resin include resin containing a (meth)acrylate structure. The acrylic resin may contain a (meth)acrylate structure in the main chain or in the side chain. Here, the term “(meth)acrylate structure” includes both an acrylate structure and a methacrylate structure. Specific examples of acrylic resins include Teisan resins "SG-70L", "SG-708-6", "WS-023", "SG-700AS", "SG-280TEA", and "SG-" manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd. 80H”, “SG-80H-3”, “SG-P3”, “SG-600TEA”, “SG-790”; “ME-2000”, “W-116.3”, “W-197C”, “KG-25”, and “KG-3000” manufactured by Negami Kogyo Corporation; "ARUFON UH-2000" manufactured by Toa Kosei Corporation, etc. are mentioned.

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「SLK-6100」, 신닛폰 리카사 제조의 「리카코트 SN20」 및 「리카코트 PN20」 등을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재된 폴리이미드), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호 등에 기재된 폴리이미드) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다. Specific examples of the polyimide resin include “SLK-6100” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “Lika Coat SN20” and “Rica Coat PN20” manufactured by Nippon Rika Co., Ltd. Specific examples of polyimide resins include linear polyimides obtained by reacting bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, diisocyanate compounds, and tetrabasic acid anhydrides (polyimides described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-37083), and polysiloxane. Modified polyimides such as skeleton-containing polyimides (polyimides described in JP2002-12667, JP2000-319386, etc.) can be given.

폴리비닐 아세탈 수지로서는, 예를 들어, 폴리비닐 포르말 수지, 폴리비닐 부티랄 수지를 들 수 있고, 폴리비닐 부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐 아세탈 수지의 구체예로서는, 덴키 카가쿠 코교사 제조의 「덴카 부티랄 4000-2」, 「덴카 부티랄 5000-A」, 「덴카 부티랄 6000-C」, 「덴카 부티랄 6000-EP」; 세키스이 카가쿠 코교사 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈(예를 들어 BX-5Z), KS 시리즈(예를 들어 KS-1), BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.Examples of the polyvinyl acetal resin include polyvinyl formal resin and polyvinyl butyral resin, with polyvinyl butyral resin being preferred. Specific examples of polyvinyl acetal resins include “Denka Butyral 4000-2,” “Denka Butyral 5000-A,” “Denka Butyral 6000-C,” and “Denka Butyral 6000-EP” manufactured by Denki Chemical Co., Ltd. ; Examples include S-Lec BH series, BX series (for example, BX-5Z), KS series (for example, KS-1), BL series, and BM series manufactured by Sekisui Kagaku Kogyo.

폴리올레핀 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체 수지; 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 블록 공중합체 등의 폴리올레핀계 중합체 등을 들 수 있다.Examples of polyolefin resins include ethylene-based copolymer resins such as low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, high-density polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, and ethylene-methyl acrylate copolymer; and polyolefin-based polymers such as polypropylene and ethylene-propylene block copolymer.

폴리부타디엔 수지로서는, 예를 들어, 수소화 폴리부타디엔 골격 함유 수지, 하이드록시기 함유 폴리부타디엔 수지, 페놀성 수산기 함유 폴리부타디엔 수지, 카르복시기 함유 폴리부타디엔 수지, 산 무수물기 함유 폴리부타디엔 수지, 에폭시기 함유 폴리부타디엔 수지, 이소시아네이트기 함유 폴리부타디엔 수지, 우레탄기 함유 폴리부타디엔 수지, 폴리페닐렌에테르-폴리부타디엔 수지 등을 들 수 있다. 폴리부타디엔 수지의 폴리부타디엔 구조의 일부 또는 전부는 수소 첨가되어 있어도 좋다. 폴리부타디엔 수지의 구체예로서는, 크레이 발레이사 제조의 「Ricon 130MA8」, 「Ricon 130MA13」, 「Ricon 130MA20」, 「Ricon 131MA5」, 「Ricon 131MA10」, 「Ricon 131MA17」, 「Ricon 131MA20」, 「Ricon 184MA6」(산 무수물기 함유 폴리부타디엔), 닛폰 소다사 제조의 「GQ-1000」(수산기, 카르복실기 도입 폴리부타디엔), 「G-1000」, 「G-2000」, 「G-3000」(양 말단 수산기 폴리부타디엔), 「GI-1000」, 「GI-2000」, 「GI-3000」(양 말단 수산기 수소화 폴리부타디엔), 나가세 켐텍스사 제조의 「FCA-061L」(수소화 폴리부타디엔 골격 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 또한, 폴리부타디엔 수지의 구체예로서는, 분자 내에 폴리부타디엔 구조, 우레탄 구조 및 이미드 구조를 갖는 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 당해 폴리이미드 수지는, 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 원료로 하여 선상 폴리이미드 수지(일본 공개특허공보 특개2006-37083호, 국제공개 제2008/153208호에 기재된 폴리이미드)로서 제조할 수 있다. 당해 폴리이미드 수지의 부타디엔 구조의 함유율은, 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 당해 폴리이미드 수지의 상세는, 일본 공개특허공보 특개2006-37083호, 국제공개 제2008/153208호의 기재를 참작할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 편입된다.Examples of the polybutadiene resin include hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin, hydroxyl group-containing polybutadiene resin, phenolic hydroxyl group-containing polybutadiene resin, carboxyl group-containing polybutadiene resin, acid anhydride group-containing polybutadiene resin, and epoxy group-containing polybutadiene. Resins, polybutadiene resins containing isocyanate groups, polybutadiene resins containing urethane groups, polyphenylene ether-polybutadiene resins, etc. can be mentioned. Part or all of the polybutadiene structure of the polybutadiene resin may be hydrogenated. Specific examples of polybutadiene resins include "Ricon 130MA8", "Ricon 130MA13", "Ricon 130MA20", "Ricon 131MA5", "Ricon 131MA10", "Ricon 131MA17", "Ricon 131MA20", and "Ricon 184MA6" manufactured by Kray Vale. "(polybutadiene containing acid anhydride group), "GQ-1000" manufactured by Nippon Soda Corporation (polybutadiene with hydroxyl and carboxyl groups introduced), "G-1000", "G-2000", and "G-3000" (hydroxyl groups at both terminals) polybutadiene), “GI-1000”, “GI-2000”, “GI-3000” (polybutadiene with hydrogenated hydroxyl groups at both ends), “FCA-061L” (hydrogenated polybutadiene skeleton epoxy resin) manufactured by Nagase Chemtex, etc. can be mentioned. Additionally, specific examples of the polybutadiene resin include polyimide resins having a polybutadiene structure, a urethane structure, and an imide structure in the molecule. The polyimide resin is a linear polyimide resin (a polyimide resin described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-37083 and International Publication No. 2008/153208) using hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride as raw materials. It can be manufactured as mead). The content of the butadiene structure in the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, more preferably 75% by mass to 85% by mass. For details of the polyimide resin, the descriptions in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-37083 and International Publication No. 2008/153208 can be taken into consideration, and this content is incorporated into this specification.

폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요보사 제조의 「바이로막스 HR11NN」 및 「바이로막스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 히타치 카세이사 제조의 「KS9100」, 「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.Specific examples of polyamide-imide resin include “Viromax HR11NN” and “Viromax HR16NN” manufactured by Toyobo Co., Ltd. Specific examples of the polyamideimide resin include modified polyamideimides such as “KS9100” and “KS9300” (polyamideimide containing a polysiloxane skeleton) manufactured by Hitachi Kasei Corporation.

폴리에테르이미드 수지의 구체예로서는, GE사 제조의 「울템」 등을 들 수 있다.Specific examples of polyetherimide resin include “Ultem” manufactured by GE Corporation.

폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이 어드밴스트 폴리머즈사 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」 등을 들 수 있다.Specific examples of polysulfone resins include polysulfone “P1700” and “P3500” manufactured by Solvay Advanced Polymers.

폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「PES5003P」 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyether sulfone resin include "PES5003P" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.

폴리페닐렌에테르 수지의 구체예로서는, SABIC 제조 「NORYL SA90」, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조의 올리고페닐렌에테르·스티렌 수지 「OPE-2St 1200」 등을 들 수 있다.Specific examples of polyphenylene ether resin include "NORYL SA90" manufactured by SABIC, and oligophenylene ether/styrene resin "OPE-2St 1200" manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.

폴리카보네이트 수지로서는, 예를 들어, 하이드록시기 함유 카보네이트 수지, 페놀성 수산기 함유 카보네이트 수지, 카르복시기 함유 카보네이트 수지, 산 무수물기 함유 카보네이트 수지, 이소시아네이트기 함유 카보네이트 수지, 우레탄기 함유 카보네이트 수지 등을 들 수 있다. 폴리카보네이트 수지의 구체예로서는, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조의 「FPC0220」, 아사히 카세이 케미컬즈사 제조의 「T6002」, 「T6001」(폴리카보네이트디올), 쿠라레사 제조의 「C-1090」, 「C-2090」, 「C-3090」(폴리카보네이트디올) 등을 들 수 있다. 또한, 폴리카보네이트 수지의 구체예로서는, 분자 내에 이미드 구조, 우레탄 구조 및 폴리카보네이트 구조를 갖는 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 당해 폴리이미드 수지는, 하이드록실기 말단 폴리카보네이트, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드 수지로서 제조할 수 있다. 당해 폴리이미드 수지의 카보네이트 구조의 함유율은, 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 당해 폴리이미드 수지의 상세는, 국제공개 제2016/129541호의 기재를 참작할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 편입된다.Examples of polycarbonate resins include carbonate resins containing hydroxy groups, carbonate resins containing phenolic hydroxyl groups, carbonate resins containing carboxyl groups, carbonate resins containing acid anhydride groups, carbonate resins containing isocyanate groups, carbonate resins containing urethane groups, etc. there is. Specific examples of polycarbonate resin include “FPC0220” manufactured by Mitsubishi Gas Chemicals, “T6002” and “T6001” (polycarbonate diol) manufactured by Asahi Kasei Chemicals, and “C-1090” and “C-2090” manufactured by Kuraray Corporation. ", "C-3090" (polycarbonate diol), etc. Additionally, specific examples of the polycarbonate resin include polyimide resins having an imide structure, a urethane structure, and a polycarbonate structure in the molecule. The polyimide resin can be manufactured as a linear polyimide resin using hydroxyl group-terminated polycarbonate, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride as raw materials. The content of the carbonate structure in the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, more preferably 75% by mass to 85% by mass. For details of the polyimide resin, the description of International Publication No. 2016/129541 can be taken into consideration, and this content is incorporated into this specification.

폴리에테르에테르케톤 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「스미프로이 K」 등을 들 수 있다.Specific examples of polyetheretherketone resin include "Sumipro K" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.

폴리에스테르 수지로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌나프탈레이트 수지, 폴리트리메틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리트리메틸렌나프탈레이트 수지, 폴리사이클로헥산디메틸테레프탈레이트 수지 등을 들 수 있다.Examples of polyester resin include polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polybutylene naphthalate resin, polytrimethylene terephthalate resin, polytrimethylene naphthalate resin, and polycyclohexanedimethyl. Terephthalate resin, etc. can be mentioned.

(D) 고분자 수지는, 당해 (D) 고분자 수지 이외의 수지 성분과 상용하여 수지 조성물에 포함되어 있어도 좋다. 이와 같이 상용한 (D) 고분자 수지는, 통상, (D) 고분자 수지 이외의 수지 성분과 상용하여 경화체에 포함된다. 또한, (D) 고분자 수지는, 당해 (D) 고분자 수지 이외의 수지 성분과 상용하지 않고 입자의 상태로 수지 조성물에 포함되어 있어도 좋다. 이러한 입자상의 (D) 고분자 수지는, 통상, (D) 고분자 수지 이외의 수지 성분과 상용하지 않고, 입자의 상태로 경화체에 포함된다. 또한, (D) 고분자 수지 이외의 수지 성분과 상용할 수 있는 (D) 고분자 수지와 입자상의 (D) 고분자 수지를 조합하여 사용해도 좋다.The polymer resin (D) may be compatible with resin components other than the polymer resin (D) and may be contained in the resin composition. The polymer resin (D) compatible in this way is usually compatible with resin components other than the polymer resin (D) and is included in the cured body. In addition, the polymer resin (D) may be incompatible with resin components other than the polymer resin (D) and may be contained in the resin composition in the form of particles. This particulate (D) polymer resin is usually incompatible with resin components other than the (D) polymer resin, and is contained in the cured body in the form of particles. Additionally, the (D) polymer resin, which is compatible with resin components other than the (D) polymer resin, and the particulate (D) polymer resin may be used in combination.

입자상의 (D) 고분자 수지로서는, 예를 들어, 아크릴 수지 입자를 들 수 있다. 아크릴 수지 입자의 구체예로서는, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 부타디엔 고무, 아크릴 고무 등의 고무 탄성을 나타내는 수지에 화학적 가교 처리를 실시하고, 유기 용제에 불용 및 불융으로 한 수지의 미립자체를 들 수 있다. 그 시판품의 구체예로서는, XER-91(닛폰 고세이 고무사 제조); 스타필로이드 AC3355, AC3816, AC3816N, AC3832, AC4030, AC3364, IM101(이상, 아이카 코교사 제조); 파랄로이드 EXL2655, EXL2602(이상, 우레하 카가쿠 코교사 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the particulate (D) polymer resin include acrylic resin particles. Specific examples of acrylic resin particles include fine particles of a resin that is chemically cross-linked to a resin showing rubber elasticity such as acrylonitrile butadiene rubber, butadiene rubber, and acrylic rubber, and rendered insoluble and infusible in an organic solvent. Specific examples of commercial products include XER-91 (manufactured by Nippon Kosei Rubber Co., Ltd.); Staphylloid AC3355, AC3816, AC3816N, AC3832, AC4030, AC3364, IM101 (above, manufactured by Aika Kogyo); Paralloid EXL2655, EXL2602 (above, manufactured by Ureha Chemical Kogyo), etc. can be mentioned.

(D) 고분자 수지는, 통상, 큰 분자량을 갖는다. 구체적으로는, (D) 고분자 수지의 중량 평균 분자량 Mw의 범위는, 바람직하게는 5000보다 크고, 보다 바람직하게는 8,000 이상, 더욱 바람직하게는 10,000 이상, 더욱 바람직하게는 20,000 이상이고, 바람직하게는 100,000 이하, 보다 바람직하게는 70,000 이하, 더욱 바람직하게는 60,000 이하, 더욱 바람직하게는 50,000 이하이다. 중량 평균 분자량 Mw는, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로 측정할 수 있다.(D) Polymer resin usually has a large molecular weight. Specifically, the range of the weight average molecular weight Mw of the polymer resin (D) is preferably greater than 5000, more preferably 8,000 or more, further preferably 10,000 or more, further preferably 20,000 or more, and preferably It is 100,000 or less, more preferably 70,000 or less, even more preferably 60,000 or less, and even more preferably 50,000 or less. The weight average molecular weight Mw can be measured as a polystyrene equivalent value by gel permeation chromatography (GPC).

수지 조성물 중의 (D) 고분자 수지의 양은, 상술한 요건 (i) 내지 (iii)을 충족하는 범위에서 설정할 수 있다. 일례에 있어서, 수지 조성물 중의 (D) 고분자 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 0질량%라도 좋고, 0질량%보다 많아도 좋고, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 25질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다.The amount of polymer resin (D) in the resin composition can be set in a range that satisfies the above-mentioned requirements (i) to (iii). In one example, the range of the amount of polymer resin (D) in the resin composition may be 0% by mass, may be greater than 0% by mass, and is preferably 0.1% by mass or more, based on 100% by mass of non-volatile components of the resin composition. , more preferably 1 mass% or more, further preferably 3 mass% or more, preferably 30 mass% or less, more preferably 25 mass% or less, and even more preferably 20 mass% or less.

또한, (D) 고분자 수지의 양의 범위는, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 0질량%라도 좋고, 0질량%보다 많아도 좋고, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 20질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 더욱 바람직하게는 65질량% 이하이다.In addition, the range of the amount of the polymer resin (D) may be 0% by mass or may be greater than 0% by mass, preferably 1% by mass or more, more preferably 10% by mass, based on 100% by mass of the resin component of the resin composition. It is mass % or more, more preferably 20 mass % or more, preferably 80 mass % or less, more preferably 70 mass % or less, and even more preferably 65 mass % or less.

(질소 원자를 함유하는 수지 성분의 양)(Amount of resin component containing nitrogen atoms)

수지 조성물에 포함되는 수지 성분의 일부 또는 전부는 질소 원자를 함유하고 있어도 좋다. 질소 원자를 함유하는 수지 성분은 1종류라도 좋고, 2종류 이상이라도 좋다.Some or all of the resin components contained in the resin composition may contain nitrogen atoms. There may be one type of resin component containing a nitrogen atom, or two or more types may be used.

질소 원자를 함유하는 수지 성분의 양은, 상술한 요건 (i) 내지 (iii)을 충족하는 범위에서 설정할 수 있다. 일례에 있어서, 수지 조성물 중의 질소 원자를 함유하는 수지 성분의 양의 범위는, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이고, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 40질량% 이하, 더욱 바람직하게는 30질량% 이하이다. 질소 원자를 함유하는 수지 성분의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.The amount of the resin component containing nitrogen atoms can be set in a range that satisfies the above-mentioned requirements (i) to (iii). In one example, the range of the amount of the resin component containing a nitrogen atom in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. Preferably it is 5 mass% or more, preferably 50 mass% or less, more preferably 40 mass% or less, and even more preferably 30 mass% or less. When the amount of the resin component containing nitrogen atoms is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

또한, 수지 조성물 중의 질소 원자를 함유하는 수지 성분의 양의 범위는, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 20질량% 이상이고, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 90질량% 이하, 더욱 바람직하게는 80질량% 이하이다. 질소 원자를 함유하는 수지 성분의 양이 상기 범위에 있는 경우, 특정 평활면에 형성되는 도체층과 경화체 사이의 HAST 시험 후에서의 밀착성을 특히 높일 수 있다. 또한, 통상은, HAST 시험 전의 밀착성을 효과적으로 향상시키거나, 경화체의 유전정접, 저장 탄성률, 유리 전이 온도 및 가교 밀도를 양호하게 하거나 할 수 있다.In addition, the range of the amount of the resin component containing a nitrogen atom in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and even more preferably 100% by mass or more of the resin component of the resin composition. It is 20 mass% or more, preferably 95 mass% or less, more preferably 90 mass% or less, and even more preferably 80 mass% or less. When the amount of the resin component containing nitrogen atoms is in the above range, the adhesion between the conductor layer formed on a specific smooth surface and the cured body after the HAST test can be particularly improved. In addition, usually, the adhesion before the HAST test can be effectively improved, or the dielectric loss tangent, storage modulus, glass transition temperature, and crosslink density of the cured body can be improved.

((E) 임의의 첨가제)((E) optional additives)

수지 조성물은, 또한 임의의 불휘발성 성분으로서, (E) 임의의 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. (E) 임의의 첨가제로서는, 예를 들어, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물, 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 실리콘계 레벨링제, 아크릴 폴리머계 레벨링제 등의 레벨링제; 벤톤, 몬모릴로나이트 등의 증점제; 실리콘계 소포제, 아크릴계 소포제, 불소계 소포제, 비닐 수지계 소포제 등의 소포제; 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 등의 자외선 흡수제; 요소 실란 등의 접착성 향상제; 트리아졸계 밀착성 부여제, 테트라졸계 밀착성 부여제, 트리아진계 밀착성 부여제 등의 밀착성 부여제; 힌더드 페놀계 산화 방지제 등의 산화 방지제; 스틸벤 유도체 등의 형광 증백제, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 계면활성제; 인계 난연제(예를 들어 인산 에스테르 화합물, 포스파젠 화합물, 포스핀산 화합물, 적인), 질소계 난연제(예를 들어 황산 멜라민), 할로겐계 난연제, 무기계 난연제(예를 들어 3산화 안티몬) 등의 난연제; 인산 에스테르계 분산제, 폴리옥시알킬렌계 분산제, 아세틸렌계 분산제, 실리콘계 분산제, 음이온성 분산제, 양이온성 분산제 등의 분산제; 보레이트계 안정제, 티타네이트계 안정제, 알루미네이트계 안정제, 지르코네이트계 안정제, 이소시아네이트계 안정제, 카복실산계 안정제, 카복실산 무수물계 안정제 등의 안정제를 들 수 있다. (E) 임의의 첨가제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may further contain (E) optional additives as optional nonvolatile components. (E) Optional additives include, for example, organometallic compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds, and organic cobalt compounds; Leveling agents such as silicone-based leveling agents and acrylic polymer-based leveling agents; Thickeners such as bentone and montmorillonite; Antifoaming agents such as silicone-based defoaming agents, acrylic-based defoaming agents, fluorine-based defoaming agents, and vinyl resin-based defoaming agents; UV absorbers such as benzotriazole-based UV absorbers; Adhesion improvers such as urea silane; Adhesion imparting agents such as triazole-based adhesion imparting agents, tetrazole-based adhesion imparting agents, and triazine-based adhesion imparting agents; Antioxidants such as hindered phenolic antioxidants; Fluorescent whitening agents such as stilbene derivatives, surfactants such as fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants; Flame retardants such as phosphorus-based flame retardants (e.g., phosphoric acid ester compounds, phosphazene compounds, phosphinic acid compounds, red), nitrogen-based flame retardants (e.g., melamine sulfate), halogen-based flame retardants, and inorganic flame retardants (e.g., antimony trioxide); Dispersants such as phosphoric acid ester-based dispersants, polyoxyalkylene-based dispersants, acetylene-based dispersants, silicone-based dispersants, anionic dispersants, and cationic dispersants; Stabilizers include borate-based stabilizers, titanate-based stabilizers, aluminate-based stabilizers, zirconate-based stabilizers, isocyanate-based stabilizers, carboxylic acid-based stabilizers, and carboxylic acid anhydride-based stabilizers. (E) Arbitrary additives may be used individually, or may be used in combination of two or more types.

((F) 용제)((F) Solvent)

수지 조성물은, 통상, 상술한 (A) 내지 (E) 성분과 같은 불휘발 성분에 조합하고, 또한 휘발성 성분으로서 (F) 용제를 포함하고 있어도 좋다. (F) 용제로서는, 통상, 유기 용제를 사용한다. 유기 용제의 구체예로서는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥사논 등의 케톤계 용제; 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 이소아밀, 프로피온산 메틸, 프로피온산 에틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르계 용제; 테트라하이드로피란, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디부틸에테르, 디페닐에테르, 아니솔 등의 에테르계 용제; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜 등의 알코올계 용제; 아세트산2-에톡시에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸디글리콜아세테이트, γ-부티로락톤, 메톡시프로피온산 메틸 등의 에테르에스테르계 용제; 젖산 메틸, 젖산 에틸, 2-하이드록시이소부티르산 메틸 등의 에스테르알코올계 용제; 2-메톡시프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(부틸카르비톨) 등의 에테르알코올계 용제; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드계 용제; 디메틸설폭사이드 등의 설폭사이드계 용제; 아세토니트릴, 프로피오니트릴 등의 니트릴계 용제; 헥산, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용제; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. (F) 용제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition is usually combined with a non-volatile component such as the above-mentioned (A) to (E) components, and may also contain a solvent (F) as a volatile component. (F) As a solvent, an organic solvent is usually used. Specific examples of organic solvents include ketone-based solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; Ester solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, isoamyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, and γ-butyrolactone; ether solvents such as tetrahydropyran, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, diphenyl ether, and anisole; Alcohol-based solvents such as methanol, ethanol, propanol, butanol, and ethylene glycol; Ether ester solvents such as 2-ethoxyethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl diglycol acetate, γ-butyrolactone, and methyl methoxypropionate; Ester alcohol solvents such as methyl lactate, ethyl lactate, and methyl 2-hydroxyisobutyrate; Ether alcohol-based solvents such as 2-methoxypropanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, propylene glycol monomethyl ether, and diethylene glycol monobutyl ether (butylcarbitol); amide-based solvents such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone; Sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide; Nitrile-based solvents such as acetonitrile and propionitrile; Aliphatic hydrocarbon-based solvents such as hexane, cyclopentane, cyclohexane, and methylcyclohexane; and aromatic hydrocarbon-based solvents such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, and trimethylbenzene. (F) One type of solvent may be used individually, or two or more types may be used in combination.

(F) 용제의 양은 특별히 한정되는 것은 아니다. 일례에 있어서, 수지 조성물의 전체 성분 100질량%에 대한 (F) 용제의 양의 범위는, 60질량% 이하, 40질량% 이하, 30질량% 이하, 20질량% 이하, 15질량% 이하, 10질량% 이하 등일 수 있고, 0질량%라도 좋다.(F) The amount of solvent is not particularly limited. In one example, the range of the amount of solvent (F) relative to 100% by mass of all components of the resin composition is 60% by mass or less, 40% by mass or less, 30% by mass or less, 20% by mass or less, 15% by mass or less, 10% by mass or less. It may be % by mass or less, or even 0% by mass.

(경화체의 특성)(Characteristics of hardened body)

본 발명의 일 실시형태에 따른 경화체는, 상술한 수지 조성물이 경화되어 얻어진다. 수지 조성물이 (A) 열경화성 수지를 포함하므로, 일반적으로는, 수지 조성물이 열경화되어 경화체가 얻어진다. 통상, 수지 조성물에 포함되는 성분 중, (F) 용제 등의 휘발성 성분은, 열경화시의 열에 의해 휘발될 수 있지만, (A) 내지 (E) 성분 등과 같은 불휘발 성분은, 열경화시의 열에 의해서는 휘발되지 않는다. 따라서, 수지 조성물의 경화체는, 수지 조성물의 불휘발성 성분 또는 그의 반응 생성물을 포함할 수 있다.The cured body according to one embodiment of the present invention is obtained by curing the above-described resin composition. Since the resin composition contains (A) a thermosetting resin, the resin composition is generally thermoset to obtain a cured product. Usually, among the components contained in the resin composition, volatile components such as (F) solvent may be volatilized by heat during thermal curing, but non-volatile components such as components (A) to (E) may be volatilized during thermal curing. It does not volatilize by heat. Therefore, the cured body of the resin composition may contain a non-volatile component of the resin composition or a reaction product thereof.

상술한 바와 같이, 경화체는, 특정 평활면을 갖는다. 특정 평활면은, 요건 (i)를 충족하는 범위의 산술 평균 거칠기 Ra를 가질 뿐만 아니라, 특정 범위의 최대 높이 Rz를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 특정 평활면의 최대 높이 Rz의 범위는, 바람직하게는 2000nm 이하, 보다 바람직하게는 1500nm 이하, 더욱 바람직하게는 1000nm 이하이고, 바람직하게는 10nm 이상, 보다 바람직하게는 50nm 이상, 더욱 바람직하게는 100nm 이상이다. 경화체의 특정 평활면이 상기 범위의 최대 높이 Rz를 갖는 경우, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다.As described above, the hardened body has a specific smooth surface. It is desirable that the specific smooth surface not only has an arithmetic mean roughness Ra in a range that satisfies requirement (i), but also has a maximum height Rz in a specific range. Specifically, the range of the maximum height Rz of a specific smooth surface is preferably 2000 nm or less, more preferably 1500 nm or less, further preferably 1000 nm or less, preferably 10 nm or more, more preferably 50 nm or more, further Preferably it is 100 nm or more. When the specific smooth surface of the cured body has a maximum height Rz in the above range, the desired effect of the present invention can be significantly achieved.

경화체의 특정 평활면의 최대 높이 Rz는, 일본 공업 규격(JIS B0601-2001)에 준거하여 측정할 수 있다. 측정은, 비접촉형 표면 조도계(비코 인스트루먼츠사 제조 「WYKO NT3300」)를 이용하여 실시할 수 있다. 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리에 따라서는, 일반적으로, 경화체의 특정 평활면의 최대 높이 Rz에 변화는 생기지 않는다. 따라서, 경화체의 특정 평활면의 최대 높이 Rz는, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리 전에 측정해도 좋고, 후에 측정해도 좋다. 최대 높이 Rz의 구체적인 측정 방법은, 후술하는 실시예의 <시험 4. 표면 거칠기 Ra 및 Rz의 측정>의 방법을 채용할 수 있다.The maximum height Rz of a specific smooth surface of the hardened body can be measured based on Japanese Industrial Standards (JIS B0601-2001). Measurement can be performed using a non-contact surface roughness meter (“WYKO NT3300” manufactured by Vico Instruments). Depending on the ultraviolet treatment and the silane coupling agent treatment, generally, there is no change in the maximum height Rz of the specific smooth surface of the cured body. Therefore, the maximum height Rz of the specific smooth surface of the cured body may be measured before or after ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment. As a specific measurement method of the maximum height Rz, the method of <Test 4. Measurement of surface roughness Ra and Rz> in the examples described later can be adopted.

경화체의 특정 평활면에는, 도체층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리 전에 측정한 특정 평활면의 산술 평균 거칠기 Ra가 요건 (i)를 충족하는 경우, 그 특정 평활면에 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시한 후에 도체층을 형성할 수 있다. 또한, 예를 들어, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리 후에 측정한 특정 평활면의 산술 평균 거칠기 Ra가 요건 (i)를 충족하는 경우, 그 특정 평활면에 도체층을 형성할 수 있다. 그리고, 그렇게 형성된 도체층과 경화체 사이에서는, HAST 시험 후에 높은 밀착성을 얻을 수 있다.A conductor layer can be formed on a specific smooth surface of the cured body. For example, if the arithmetic mean roughness Ra of a specific smooth surface measured before ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment satisfies requirement (i), the conductor layer is can be formed. Additionally, for example, if the arithmetic mean roughness Ra of a specific smooth surface measured after treatment with ultraviolet rays and treatment with a silane coupling agent satisfies requirement (i), a conductor layer can be formed on the specific smooth surface. And, between the conductor layer thus formed and the cured body, high adhesion can be obtained after the HAST test.

일례에 있어서, 경화체의 특정 평활면에 도금에 의해 도체층을 형성하고, 130℃, 85%RH의 고온 고습 조건에서 100시간의 HAST 시험을 실시한 경우, 그 HAST 시험 후에서 경화체와 도체층 사이에 높은 밀착성을 얻을 수 있다. 상기의 밀착성은, 경화체로부터 도체층을 떼어내기 위해 요하는 힘으로서의 필 강도에 의해 평가할 수 있다. 상기의 예에서, HAST 시험 후의 필 강도는, 바람직하게는 0.15kg/cm 이상, 보다 바람직하게는 0.20kg/cm 이상, 더욱 바람직하게는 0.25kg/cm 이상이다. 상한은, 높을수록 바람직하고, 예를 들어 2.00kg/cm 이하일 수 있다.In one example, when a conductor layer is formed by plating on a specific smooth surface of a cured body and a HAST test is conducted for 100 hours under high temperature and high humidity conditions of 130°C and 85%RH, after the HAST test, there is a gap between the cured body and the conductor layer. High adhesion can be achieved. The above-mentioned adhesion can be evaluated by peeling strength as the force required to peel off the conductor layer from the cured body. In the above example, the peel strength after the HAST test is preferably 0.15 kg/cm or more, more preferably 0.20 kg/cm or more, and even more preferably 0.25 kg/cm or more. The higher the upper limit, the more preferable it may be, for example, 2.00 kg/cm or less.

경화체와 도체층 사이에서 HAST 시험 후에 높은 밀착성을 얻을 수 있으므로, 통상은, HAST 시험에 의한 상기의 밀착성의 저하는 억제할 수 있다. 따라서, HAST 시험 후에서의 밀착성의 유지율을 높게 할 수 있다. 상기의 유지율은, HAST 시험 전의 필 강도에 대한 HAST 시험 후의 필 강도의 비로 나타낼 수 있다. 상기의 예에 있어서, 필 강도의 유지율의 범위는, 바람직하게는 35% 이상, 보다 바람직하게는 40% 이상, 더욱 바람직하게는 45% 이상, 특히 바람직하게는 50% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 100% 이하이지만, 통상은 80% 이하이다.Since high adhesion can be obtained between the cured body and the conductor layer after the HAST test, the decrease in adhesion due to the HAST test can usually be suppressed. Therefore, the adhesion retention rate after the HAST test can be increased. The above retention rate can be expressed as a ratio of the peel strength after the HAST test to the peel strength before the HAST test. In the above example, the range of the peel strength retention rate is preferably 35% or more, more preferably 40% or more, further preferably 45% or more, and particularly preferably 50% or more. The upper limit is preferably 100% or less, but is usually 80% or less.

통상은, HAST 시험 뿐만 아니라, HAST 시험 전에서도, 경화체와 도체층 사이에서 높은 밀착성을 얻을 수 있다. 일례에 있어서, HAST 시험 전의 필 강도는, 바람직하게는 0.30kg/cm 이상, 보다 바람직하게는 0.35kg/cm 이상, 더욱 바람직하게는 0.40kg/cm 이상, 특히 바람직하게는 0.43kg/cm 이상이다. 상한은, 높을수록 바람직하고, 예를 들어 2.00kg/cm 이하일 수 있다.Usually, high adhesion can be obtained between the cured body and the conductor layer not only during the HAST test but also before the HAST test. In one example, the peel strength before the HAST test is preferably 0.30 kg/cm or more, more preferably 0.35 kg/cm or more, even more preferably 0.40 kg/cm or more, particularly preferably 0.43 kg/cm or more. . The higher the upper limit, the more preferable it may be, for example, 2.00 kg/cm or less.

절연층과 도체층 사이의 필 강도의 측정은, JIS C6481에 준거하여 실시할 수 있다. 상세하게는, 경화체의 특정 평활면에 형성한 도체층에, 폭 10㎜, 길이 100㎜의 직사각형 부분을 둘러싸는 절개를 형성한다. 이 직사각형 부분의 일단을, 실온 중에서, 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 잡아당기고, 35mm를 떼어냈을 때의 하중(kgf/cm)을 필 강도로서 측정할 수 있다. 필 강도의 구체적인 측정 방법은, 후술하는 <시험 3. 절연층과 도체층 사이의 필 강도(밀착 강도)의 측정>에 기재된 방법을 채용할 수 있다.The peeling strength between the insulating layer and the conductor layer can be measured based on JIS C6481. In detail, a cut is formed in the conductor layer formed on a specific smooth surface of the cured body, surrounding a rectangular portion with a width of 10 mm and a length of 100 mm. One end of this rectangular portion can be pulled in the vertical direction at a speed of 50 mm/min at room temperature, and the load (kgf/cm) when 35 mm is removed can be measured as the peeling strength. As a specific method of measuring the peel strength, the method described in <Test 3. Measurement of peel strength (adhesion strength) between the insulating layer and the conductor layer> described later can be adopted.

상기와 같이 특정 평활면에 높은 밀착성으로 도체층을 형성할 수 있다는 이점을 활용하여, 경화체는, 특정 평활면에 도체층을 형성하기 위해 사용되는 것이 바람직하고, 특정 평활면에 도체층을 형성하기 위한 절연층으로서 사용되는 것이 더욱 바람직하다.Taking advantage of the advantage of being able to form a conductor layer with high adhesion to a specific smooth surface as described above, the cured body is preferably used to form a conductor layer on a specific smooth surface, and to form a conductor layer on a specific smooth surface. It is more preferable to use it as an insulating layer for.

전송 손실이 작은 절연층을 얻는 관점에서, 경화체는, 낮은 유전정접 Df를 갖는 것이 바람직하다. 경화체의 유전정접 Df의 구체적인 범위는, 바람직하게는 0.0200 이하, 보다 바람직하게는 0.0100 이하, 더욱 바람직하게는 0.0080 이하, 특히 바람직하게는 0.0060 이하이다. 하한은, 낮을수록 바람직하고, 예를 들어 0.0010 이상일 수 있다.From the viewpoint of obtaining an insulating layer with low transmission loss, the cured body preferably has a low dielectric loss tangent Df. The specific range of dielectric loss tangent Df of the cured body is preferably 0.0200 or less, more preferably 0.0100 or less, further preferably 0.0080 or less, and particularly preferably 0.0060 or less. The lower the lower limit, the more preferable it may be, for example, 0.0010 or more.

경화체의 유전정접은, 공동 공진 섭동법에 의해, 측정 주파수 5.8GHz, 측정 온도 23℃에서 측정할 수 있다. 유전정접 Df의 구체적인 측정 방법은, 후술하는 실시예의 <시험 6. 유전정접의 측정>에 기재된 방법을 채용할 수 있다.The dielectric loss tangent of the cured body can be measured by the cavity resonance perturbation method at a measurement frequency of 5.8 GHz and a measurement temperature of 23°C. As a specific method of measuring the dielectric loss tangent Df, the method described in <Test 6. Measurement of dielectric loss tangent> in the examples described later can be adopted.

자외선 처리 및 실란 커플링제 처리가 실시된 특정 평활면에 도체층을 형성한다는 도체층의 형성 방법은, 특정 물성을 갖는 경화체에 바람직하게 적용된다. 따라서, 상기와 바와 같이 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리가 실시된 특정 평활면에 도체층을 형성하는 용도에 사용되는 절연층에는, 특정 물성을 갖는 것이 요망된다. 따라서, 이들 용도에 적합하게 사용하는 관점에서, 본 실시형태에 따른 경화체는, 그 특정한 물성을 갖는 것이 바람직하다.The conductor layer formation method of forming a conductor layer on a specific smooth surface that has been treated with ultraviolet rays and a silane coupling agent is preferably applied to a cured body having specific physical properties. Therefore, it is desired that the insulating layer used in the application of forming a conductor layer on a specific smooth surface that has been subjected to ultraviolet ray treatment and silane coupling agent treatment as described above has specific physical properties. Therefore, from the viewpoint of being used suitably for these purposes, it is preferable that the cured body according to the present embodiment has the specific physical properties.

구체적으로는, 본 실시형태에 따른 경화체는, 특정 범위의 저장 탄성률을 갖는 것이 바람직하다. 경화체의 25℃에서의 저장 탄성률의 범위는, 바람직하게는 0.10GPa 이상, 보다 바람직하게는 0.20GPa 이상, 더욱 바람직하게는 0.30GPa 이상이고, 바람직하게는 1.30GPa 이하, 보다 바람직하게는 1.20GPa 이하, 더욱 바람직하게는 1.10GPa 이하이다. 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리가 실시된 특정 평활면에 도체층을 형성하는 것은, 이러한 범위의 저장 탄성률을 갖는 절연층을 사용하는 용도로 사용될 수 있다. 그래서, 그 용도에 적합한 절연층을 얻는 관점에서, 본 실시형태에 따른 경화체가 상기 범위의 저장 탄성률을 갖는 것이 바람직하다.Specifically, it is preferable that the cured body according to the present embodiment has a storage elastic modulus in a specific range. The range of the storage elastic modulus at 25°C of the cured body is preferably 0.10 GPa or more, more preferably 0.20 GPa or more, further preferably 0.30 GPa or more, preferably 1.30 GPa or less, more preferably 1.20 GPa or less. , more preferably 1.10 GPa or less. Forming a conductor layer on a specific smooth surface that has been treated with ultraviolet rays and a silane coupling agent can be used for the purpose of using an insulating layer having a storage modulus in this range. Therefore, from the viewpoint of obtaining an insulating layer suitable for the application, it is preferable that the cured body according to the present embodiment has a storage elastic modulus in the above range.

경화체의 저장 탄성률은, 주파수 1Hz, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로 인장 모드로 동적 기계 분석을 행하여 측정할 수 있다. 저장 탄성률의 구체적인 측정 방법은, 후술하는 <시험 7. 저장 탄성률 및 유리 전이 온도의 측정>에 기재된 방법을 채용할 수 있다.The storage elastic modulus of the cured body can be measured by performing dynamic mechanical analysis in tensile mode under the measurement conditions of a frequency of 1 Hz and a temperature increase rate of 5°C/min. As a specific method of measuring the storage elastic modulus, the method described in <Test 7. Measurement of storage elastic modulus and glass transition temperature> described later can be adopted.

본 실시형태에 따른 경화체는, 특정 범위의 유리 전이 온도 Tg를 갖는 것이 바람직하다. 경화체의 유리 전이 온도 Tg의 범위는, 바람직하게는 130℃ 이상, 보다 바람직하게는 140℃ 이상, 더욱 바람직하게는 150℃ 이상이고, 바람직하게는 190℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하, 더욱 바람직하게는 170℃ 이하이다. 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리가 실시된 특정 평활면에 도체층을 형성하는 것은, 이러한 범위의 유리 전이 온도 Tg를 갖는 절연층을 사용하는 용도에서 사용될 수 있다. 따라서, 그 용도에 적합한 절연층을 얻는 관점에서, 본 실시형태에 따른 경화체가 상기 범위의 유리 전이 온도 Tg를 갖는 것이 바람직하다.The cured body according to this embodiment preferably has a glass transition temperature Tg in a specific range. The range of the glass transition temperature Tg of the cured body is preferably 130°C or higher, more preferably 140°C or higher, further preferably 150°C or higher, preferably 190°C or lower, more preferably 180°C or lower. Preferably it is 170°C or lower. Forming a conductor layer on a specific smooth surface that has been treated with ultraviolet rays and a silane coupling agent can be used in applications that use an insulating layer with a glass transition temperature Tg in this range. Therefore, from the viewpoint of obtaining an insulating layer suitable for the application, it is preferable that the cured body according to the present embodiment has a glass transition temperature Tg in the above range.

경화체의 유리 전이 온도 Tg는, 주파수 1Hz, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로 인장 모드로 동적 기계 분석을 행하고, tanδ가 최대가 되는 온도를 유리 전이 온도 Tg로서 측정할 수 있다. 유리 전이 온도 Tg의 구체적인 측정 방법은, 후술하는 <시험 7. 저장 탄성률 및 유리 전이 온도의 측정>에 기재된 방법을 채용할 수 있다.The glass transition temperature Tg of the cured body can be measured as the glass transition temperature Tg by performing dynamic mechanical analysis in tensile mode under the measurement conditions of a frequency of 1 Hz and a temperature increase rate of 5°C/min, and the temperature at which tan δ becomes maximum. As a specific method of measuring the glass transition temperature Tg, the method described in <Test 7. Measurement of storage modulus and glass transition temperature> described later can be adopted.

본 실시형태에 따른 경화체는, 특정 범위의 가교 밀도를 갖는 것이 바람직하다. 경화체의 가교 밀도의 범위는, 바람직하게는 0.1×10-3mol/㎤ 이상, 보다 바람직하게는 1.0×10-3mol/㎤ 이상, 더욱 바람직하게는 2.0×10-3mol/㎤ 이상이고, 바람직하게는 200×10-3mol/㎤ 이하, 보다 바람직하게는 150×10-3mol/㎤ 이하, 더욱 바람직하게는 100×10-3mol/㎤ 이하이다. 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리가 실시 된 특정 평활면에 도체층을 형성하는 것은, 이러한 범위의 가교 밀도를 갖는 절연 층을 사용하는 용도에서 사용될 수 있다. 그래서, 그 용도에 적합한 절연층을 얻는 관점에서, 본 실시형태에 따른 경화체가 상기 범위의 가교 밀도를 갖는 것이 바람직하다.The cured body according to the present embodiment preferably has a crosslinking density within a specific range. The range of crosslink density of the cured body is preferably 0.1 × 10 -3 mol/cm 3 or more, more preferably 1.0 × 10 -3 mol/cm 3 or more, and even more preferably 2.0 × 10 -3 mol/cm 3 or more, Preferably it is 200×10 -3 mol/cm3 or less, more preferably 150×10 -3 mol/cm3 or less, and even more preferably 100×10 -3 mol/cm3 or less. Forming a conductor layer on a specific smooth surface that has been treated with ultraviolet rays and a silane coupling agent can be used in applications that use an insulating layer with a crosslink density in this range. Therefore, from the viewpoint of obtaining an insulating layer suitable for the application, it is preferable that the cured body according to the present embodiment has a crosslink density in the above range.

경화체의 가교 밀도는, 이하의 방법으로 측정할 수 있다. 경화체에 하중 200mN, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로 인장 가중법으로 열기계 분석을 행하고, 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 측정한다. 경화체의 유리 전이 온도 Tg보다도 80K 높은 온도 T를 설정하고, 이 온도 T에서의 저장 탄성률의 측정값 E'(단위: GPa, 즉 ×109Pa)를 취득한다. 취득한 저장 탄성률 E'(Pa)를, 이하의 식 (M1)에 대입함으로써, 가교 밀도 n(mol/㎤)을 산출한다. 가교 밀도의 구체적인 측정 방법은, 후술하는 <시험 5. 가교 밀도 n의 측정>에 기재된 방법을 채용할 수 있다. 가교 밀도 n은, 단위 체적당에 존재하는 가교 분자의 수를 나타내는 지표로서 사용할 수 있다.The crosslinking density of the cured body can be measured by the following method. Thermomechanical analysis is performed on the cured body by the tensile weighting method under the measurement conditions of a load of 200 mN and a temperature increase rate of 5°C/min, and the storage modulus and loss modulus are measured. A temperature T that is 80K higher than the glass transition temperature Tg of the cured body is set, and the measured value E' (unit: GPa, that is, ×10 9 Pa) of the storage elastic modulus at this temperature T is acquired. The crosslinking density n (mol/cm3) is calculated by substituting the obtained storage elastic modulus E'(Pa) into the following equation (M1). As a specific measuring method for crosslinking density, the method described in <Test 5. Measurement of crosslinking density n> described later can be adopted. The crosslinking density n can be used as an index indicating the number of crosslinked molecules present per unit volume.

n=E'/3RT  (M1)n=E'/3RT  (M1)

(상기 식 (M1) 중, T는, 소정의 온도 T(K)를 나타내고, E'는, 소정의 온도 T(K)에서의 저장 탄성률의 측정값(Pa)을 나타내고, R은, 기체 상수로서의 8310000(Pa·㎤/mol·K)를 나타낸다. 또한, E'/3으로서, 소정의 온도 T(K)에서의 전단 탄성률 G'의 측정값(109Pa)을 사용해도 좋다.)(In the above formula (M1), T represents a predetermined temperature T (K), E' represents the measured value (Pa) of the storage elastic modulus at a predetermined temperature T (K), and R is the gas constant. Also, as E'/3, the measured value of shear modulus G' (10 9 Pa) at a given temperature T (K) may be used.

가교 밀도는, 수지 조성물의 조성에 의해 조정할 수 있다. 예를 들어, 적절한 활성기 당량을 갖는 (A) 열경화성 수지를 적절한 양으로 사용하거나, (B) 무기 충전재를 적절한 양으로 사용하거나 하는 방법에 의해, 경화체의 가교 밀도를 조정할 수 있다.The crosslinking density can be adjusted depending on the composition of the resin composition. For example, the crosslinking density of the cured product can be adjusted by using an appropriate amount of (A) a thermosetting resin having an appropriate active group equivalent, or using an appropriate amount of an inorganic filler (B).

경화체의 형상에 제한은 없다. 통상, 경화체는, 층상으로 형성된다. 층상 경화체가 갖는 특정 평활면은, 통상, 경화체의 층의 층 평면과 평행한 평면으로 되어 있다. 층상의 경화체의 두께는, 박형화의 관점에서, 바람직하게는 600㎛ 이하, 보다 바람직하게는 300㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하이다. 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 5㎛ 이상, 10㎛ 이상, 20㎛ 이상 등일 수 있다.There are no restrictions on the shape of the hardened body. Usually, the hardened body is formed in layers. The specific smooth surface of the layered cured body is usually a plane parallel to the layer plane of the layer of the cured body. From the viewpoint of thinning, the thickness of the layered cured body is preferably 600 μm or less, more preferably 300 μm or less, and even more preferably 100 μm or less. The lower limit of the thickness is not particularly limited and may be, for example, 5 μm or more, 10 μm or more, or 20 μm or more.

<경화체의 제조 방법><Method for manufacturing hardened body>

본 실시형태에 따른 경화체는, 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물을 경화하는 공정을 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다. 통상, 경화체의 제조 방법은, 수지 조성물을 준비하는 공정을 포함하고, 그 공정에서 준비한 수지 조성물을 경화시킨다.The cured body according to the present embodiment can be manufactured by a manufacturing method including a step of curing a resin composition containing a thermosetting resin. Usually, a method for producing a cured body includes a step of preparing a resin composition, and the resin composition prepared in the step is cured.

수지 조성물은, 시장에서 구입하여 준비해도 좋지만, 제조하여 준비해도 좋다. 수지 조성물은, 예를 들어, 상술한 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다. 상술한 성분은, 일부 또는 전부를 동시에 혼합해도 좋고, 차례로 혼합해도 좋다. 각 성분을 혼합하는 과정에서, 온도를 적절히 설정해도 좋고, 따라서, 일시적으로 또는 시종에 걸쳐, 가열 및/또는 냉각해도 좋다. 또한, 각 성분을 혼합하는 과정에 있어서, 교반 또는 진탕을 행하여도 좋다.The resin composition may be prepared by purchasing it from the market, or it may be prepared by manufacturing it. The resin composition can be produced, for example, by mixing the above-mentioned components. Some or all of the above-mentioned components may be mixed simultaneously, or may be mixed sequentially. In the process of mixing each component, the temperature may be appropriately set, and accordingly, heating and/or cooling may be performed temporarily or over time. Additionally, in the process of mixing each component, stirring or shaking may be performed.

준비한 수지 조성물은, 필요에 따라, 적절한 형상으로 성형해도 좋다. 통상, 특정 평활면을 갖는 경화체가 얻어지도록, 수지 조성물을 성형한다. 예를 들어, 경화체로서 절연층을 제조하는 경우, 수지 조성물을 층상으로 성형하여, 수지 조성물층을 얻어도 좋다. 구체예를 들면, 평활한 면 위에 수지 조성물을 도포하고, 필요에 따라 건조하여, 수지 조성물층을 얻어도 좋다. 또한, 준비한 수지 조성물층을 적절한 기판에 적층하여, 당해 기판 위에 수지 조성물층을 얻어도 좋다.The prepared resin composition may be molded into an appropriate shape as needed. Usually, the resin composition is molded to obtain a cured body having a specific smooth surface. For example, when producing an insulating layer as a cured body, the resin composition layer may be obtained by molding the resin composition into a layer. For a specific example, the resin composition may be applied on a smooth surface and dried as needed to obtain a resin composition layer. Additionally, the prepared resin composition layer may be laminated on an appropriate substrate to obtain a resin composition layer on the substrate.

수지 조성물을 준비한 후에, 수지 조성물을 경화시키는 공정을 행한다. 통상은, 가열에 의해 수지 조성물을 열경화시킨다. 수지 조성물의 구체적인 경화 조건은, 수지 조성물의 조성에 따라 달라질 수 있다. 일례에 있어서, 경화 온도는, 바람직하게는 120℃ 내지 240℃, 보다 바람직하게는 150℃ 내지 220℃, 더욱 바람직하게는 170℃ 내지 210℃이다. 경화 시간은, 바람직하게는 5분간 내지 120분간, 보다 바람직하게는 10분간 내지 100분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간일 수 있다.After preparing the resin composition, a process of curing the resin composition is performed. Usually, the resin composition is thermoset by heating. Specific curing conditions of the resin composition may vary depending on the composition of the resin composition. In one example, the curing temperature is preferably 120°C to 240°C, more preferably 150°C to 220°C, and even more preferably 170°C to 210°C. The curing time may be preferably 5 minutes to 120 minutes, more preferably 10 minutes to 100 minutes, and even more preferably 15 minutes to 100 minutes.

경화체의 제조 방법은, 수지 조성물의 경화 전에, 수지 조성물을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열하는 것을 포함하고 있어도 좋다. 예비 가열은, 예를 들어, 통상 50℃ 내지 150℃, 바람직하게는 60℃ 내지 140℃, 보다 바람직하게는 70℃ 내지 130℃의 온도에서, 수지 조성물을, 통상 5분간 이상, 바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간의 처리 시간 가열하는 조건으로 행하여도 좋다.The method for producing the cured body may include preheating the resin composition at a temperature lower than the curing temperature before curing the resin composition. Preheating, for example, heats the resin composition at a temperature of usually 50°C to 150°C, preferably 60°C to 140°C, more preferably 70°C to 130°C, for usually 5 minutes or more, preferably 5 minutes. It may be carried out under heating conditions with a treatment time of 15 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes, and even more preferably 15 minutes to 100 minutes.

상기와 같이 수지 조성물을 경화시킴으로써, 면을 갖는 경화체가 얻어진다. 이렇게 하여 얻어진 경화체의 면이 요건 (i)를 충족하는 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는 경우, 당해 면은 특정 평활면으로서 기능할 수 있으므로, 그 특정 평활면에는 도체층을 형성할 수 있다. 그리고, 경화체와 도체층은, HAST 시험 후에 높은 밀착성을 달성할 수 있다. 즉, 이와 같이 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 행하기 전에 요건 (i)를 충족하는 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는 특정 평활면이 얻어지고 있는 경우, 그 특정 평활면은, 통상, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 행한 후라도 요건 (i)를 충족하는 산술 평균 거칠기 Ra를 가질 수 있다. 따라서, 당해 경화체의 특정 평활면에 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 행하고 나서 도체층을 형성함으로써, HAST 시험 후에 높은 밀착성을 달성할 수 있다.By curing the resin composition as described above, a cured body having surfaces is obtained. When the surface of the cured body thus obtained has an arithmetic mean roughness Ra that satisfies requirement (i), the surface can function as a specific smooth surface, and therefore a conductor layer can be formed on the specific smooth surface. And, the cured body and the conductor layer can achieve high adhesion after the HAST test. That is, when a specific smooth surface having an arithmetic mean roughness Ra that satisfies requirement (i) is obtained before ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment, the specific smooth surface is usually subjected to ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment. Even after performing ring agent treatment, it can have an arithmetic mean roughness Ra that satisfies requirement (i). Therefore, by forming a conductor layer after ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment on a specific smooth surface of the cured body, high adhesion can be achieved after the HAST test.

단, 후술하는 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 행한 후에 요건 (i)를 충족하는 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는 특정 평활면이 얻어지는 경우에는, 수지 조성물을 경화하여 얻어진 직후의 경화체는, 반드시 요건 (i)를 충족하는 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는 특정 평활면을 갖고 있지 않아도 좋다.However, when a specific smooth surface having an arithmetic mean roughness Ra that satisfies requirement (i) is obtained after performing ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment described later, the cured body immediately obtained by curing the resin composition must necessarily meet requirement (i) It is not necessary to have a specific smooth surface with an arithmetic mean roughness Ra that satisfies ).

경화체의 제조 방법은, 필요에 따라서 경화체의 표면의 산술 평균 거칠기 Ra를 조정하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들어, 경화체의 제조 방법은, 경화체에 디스미어 처리를 실시하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 구체예를 들면, 경화체로서의 절연층에 비아홀 등의 홀을 형성한 경우, 그 홀 내에 스미어(수지 잔사)가 형성될 수 있으므로, 당해 스미어의 제거를 위해 디스미어 처리가 행해지는 경우가 있을 수 있다. 이 디스미어 처리에 의하면, 스미어의 제거뿐만 아니라 경화체의 표면의 조화도 진행하는 것이 일반적이다. 따라서, 디스미어 처리에 의하면, 특정 평활면을 포함하는 경화체 표면의 산술 평균 거칠기 Ra를 크게 하도록 조정할 수 있다. 이 디스미어 처리는, 당해 디스미어 처리 후에 요건 (i)를 충족하는 범위의 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는 특정 평활면이 얻어지도록 행하는 것이 바람직하다. 디스미어 처리의 방법으로서는, 예를 들어 경화체에, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순으로 실시하는 방법을 들 수 있다.The method for manufacturing a hardened body may include a step of adjusting the arithmetic mean roughness Ra of the surface of the hardened body as needed. For example, the method for producing a cured body may include a step of subjecting the cured body to a desmear treatment. For example, when a hole such as a via hole is formed in an insulating layer as a cured body, smear (resin residue) may be formed in the hole, so desmear treatment may be performed to remove the smear. . According to this desmear treatment, it is common to not only remove smears but also roughen the surface of the cured body. Therefore, according to the desmear treatment, the arithmetic mean roughness Ra of the surface of the hardened body including a specific smooth surface can be adjusted to increase. This desmear treatment is preferably performed so that a specific smooth surface having an arithmetic mean roughness Ra in a range that satisfies requirement (i) is obtained after the desmear treatment. Examples of the desmear treatment include a method of subjecting the cured body to a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralization treatment with a neutralizing liquid in this order.

조화 처리에 사용하는 팽윤액으로서는, 예를 들어, 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이다. 당해 알칼리 용액으로서는, 수산화 나트륨 용액, 수산화 칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「스웰링 딥 세큐리간스 P」, 「스웰링 딥 세큐리간스 SBU」 등을 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 예를 들어, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 경화체를 1분간 내지 20분간 침지함으로써 행할 수 있다. 경화체의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 경화체를 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다.Examples of the swelling liquid used in the roughening treatment include an alkaline solution and a surfactant solution, and an alkaline solution is preferred. As the alkaline solution, a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution are more preferable. Examples of commercially available swelling liquids include "Swelling Deep Securiganth P" and "Swelling Deep Securiganth SBU" manufactured by Atotech Japan. Swelling treatment with a swelling liquid can be performed, for example, by immersing the cured body in a swelling liquid of 30°C to 90°C for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing swelling of the resin of the cured body to an appropriate level, it is preferable to immerse the cured body in a swelling liquid of 40°C to 80°C for 5 to 15 minutes.

조화 처리에 사용하는 산화제로서는, 예를 들어, 수산화 나트륨의 수용액에 과망간산 칼륨 또는 과망간산 나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 100℃로 가열한 산화제 용액에 경화체를 10분간 내지 30분간 침지시켜 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는, 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「컨센트레이트 컴팩트 CP」, 「도징 솔루션 세큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다.Examples of the oxidizing agent used in the roughening treatment include an alkaline permanganate solution obtained by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous solution of sodium hydroxide. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably performed by immersing the cured body in an oxidizing agent solution heated to 60°C to 100°C for 10 to 30 minutes. Additionally, the concentration of permanganate in the alkaline permanganate solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganate solutions such as “Concentrate Compact CP” and “Dosing Solution Securiganth P” manufactured by Atotech Japan.

조화 처리에 사용하는 중화액으로서는, 산성의 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「리덕션 솔루션 세큐리간트 P」를 들 수 있다. 중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 된 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 된 대상물을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.As a neutralizing liquid used in the roughening treatment, an acidic aqueous solution is preferable, and examples of commercially available products include "Reduction Solution Securigant P" manufactured by Atotech Japan. Treatment with a neutralizing liquid can be performed by immersing the treated surface that has been roughened with an oxidizing agent in a neutralizing liquid at 30°C to 80°C for 5 to 30 minutes. In terms of workability, etc., a method of immersing the object that has been roughened with an oxidizing agent in a neutralizing liquid at 40°C to 70°C for 5 to 20 minutes is preferable.

경화체의 제조 방법은, 또한, 경화체에 자외선 처리를 실시하는 공정을 포함할 수 있다. 경화체의 제조 방법이 디스미어 처리를 행하는 공정을 포함하는 경우, 통상, 자외선 처리는, 디스미어 처리보다도 후에 행해진다. 자외선 처리는, 자외선을 경화체에 조사하는 것을 포함한다. 구체적으로는, 경화체의 특정 평활면 또는 당해 특정 평활면을 형성해야 할 면에 자외선을 조사한다. 이 자외선 처리에 의해, 경화체의 면에 관능기를 생성시킬 수 있다.The method for producing a cured body may further include a step of subjecting the cured body to ultraviolet ray treatment. When the method for manufacturing a hardened body includes a step of performing a desmear treatment, the ultraviolet ray treatment is usually performed after the desmear treatment. Ultraviolet treatment includes irradiating ultraviolet rays to the cured body. Specifically, ultraviolet rays are irradiated to a specific smooth surface of the cured body or to a surface on which the specific smooth surface is to be formed. By this ultraviolet treatment, functional groups can be generated on the surface of the cured body.

조사되는 자외선의 파장은, 바람직하게는 160nm 이상, 보다 바람직하게는 172nm 이상이고, 바람직하게는 350nm 이하, 보다 바람직하게는 300nm 이하이다. 또한, 자외선의 조사 시간은, 바람직하게는 1초 이상, 보다 바람직하게는 2초 이상이고, 바람직하게는 300초 이하, 보다 바람직하게는 20초 이하이다.The wavelength of ultraviolet rays to be irradiated is preferably 160 nm or more, more preferably 172 nm or more, preferably 350 nm or less, and more preferably 300 nm or less. Moreover, the irradiation time of ultraviolet rays is preferably 1 second or longer, more preferably 2 seconds or longer, preferably 300 seconds or less, and more preferably 20 seconds or less.

경화체의 제조 방법은, 추가로 경화체에 실란 커플링제 처리를 실시하는 공정을 포함할 수 있다. 실란 커플링제 처리는, 통상, 자외선 처리보다도 후에 행해진다. 실란 커플링제 처리는, 실란 커플링제를 포함하는 처리액을 경화체에 저촉시키는 것을 포함한다. 구체적으로는, 경화체의 특정 평활면 또는 당해 특정 평활면을 형성해야 할 면에 처리액을 접촉시킨다. 이 실란 커플링제 처리에 의해, 경화체의 면에 실란 커플링제를 고정화할 수 있다.The method for producing a cured body may further include a step of subjecting the cured body to treatment with a silane coupling agent. Silane coupling agent treatment is usually performed after ultraviolet ray treatment. The silane coupling agent treatment includes causing a treatment liquid containing a silane coupling agent to impinge on the cured body. Specifically, the treatment liquid is brought into contact with a specific smooth surface of the cured body or a surface on which the specific smooth surface is to be formed. By this silane coupling agent treatment, the silane coupling agent can be immobilized on the surface of the cured body.

실란 커플링제는, 통상, 규소 원자와, 무기 재료와 반응하여 결합할 수 있는 관능기와, 수지 성분과 반응하여 결합할 수 있는 관능기를 함유한다. 무기 재료와 반응하여 결합할 수 있는 관능기에는, 당해 관능기가 가수분해됨으로써 무기 재료와 반응하여 결합할 수 있는 기(실라놀기 등)를 발생시키는 것도 포함된다. 무기 재료와 반응하여 결합할 수 있는 관능기로서는, 예를 들어, 알콕시기, 아세톡시기, 염소 원자 등을 들 수 있다. 또한, 수지 성분과 반응하여 결합할 수 있는 관능기로서는, 예를 들어, 아미노기, 글리시딜기, 머캅토기 등을 들 수 있다.A silane coupling agent usually contains a silicon atom, a functional group that can react and bond with an inorganic material, and a functional group that can react and bond with a resin component. The functional group that can react and bond with an inorganic material includes one that hydrolyzes the functional group to generate a group (silanol group, etc.) that can react and bond with the inorganic material. Examples of functional groups that can react and bond with inorganic materials include alkoxy groups, acetoxy groups, and chlorine atoms. In addition, examples of functional groups that can react and bind with the resin component include amino groups, glycidyl groups, and mercapto groups.

실란 커플링제로서는, 아미노기를 함유하는 아민계 실란 커플링제가 바람직하다. 아민계 실란 커플링제에 의하면, 아미노기가 수지 성분과 강하게 결합할 수 있으므로, 높은 밀착성을 얻을 수 있다. 바람직한 아민계 실란 커플링제로서는, 예를 들어, 지방족 탄화수소기에 결합한 아미노기(지방족 아미노기)를 함유하는 지방족 아민계 실란 커플링제; 방향족 탄화수소기에 결합한 아미노기(방향족 아미노기)를 함유하는 방향족 아민계 실란 커플링제 등을 들 수 있다.As the silane coupling agent, an amine-based silane coupling agent containing an amino group is preferable. According to the amine-based silane coupling agent, the amino group can strongly bind to the resin component, so high adhesion can be obtained. Preferred amine-based silane coupling agents include, for example, an aliphatic amine-based silane coupling agent containing an amino group (aliphatic amino group) bonded to an aliphatic hydrocarbon group; and aromatic amine-based silane coupling agents containing an amino group (aromatic amino group) bonded to an aromatic hydrocarbon group.

지방족 아민계 실란 커플링제로서는, 예를 들어, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리 메톡시실란의 염산염, 1-(3-트리에톡시실릴프로필)-2-이미다졸린 등을 들 수 있다. 또한, 방향족 아민계 실란 커플링제로서는, 예를 들어, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란을 들 수 있다.As an aliphatic amine-based silane coupling agent, for example, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- 2-(Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl-butylidene)propylamine, N-(vinylbenzyl)-2-aminoethyl -3-aminopropyltrimethoxysilane hydrochloride, 1-(3-triethoxysilylpropyl)-2-imidazoline, etc. are mentioned. Additionally, examples of the aromatic amine-based silane coupling agent include N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane.

실란 커플링제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Silane coupling agents may be used individually or in combination of two or more types.

처리액에서의 실란 커플링제의 양의 범위는, 바람직하게는 1g/리터 이상, 보다 바람직하게는 3g/리터 이상, 더욱 바람직하게는 5g/리터 이상이고, 바람직하게는 500g/리터 이하, 보다 바람직하게는 300g/ 리터 이하, 더욱 바람직하게는 100g/리터 이하이다.The range of the amount of silane coupling agent in the treatment liquid is preferably 1 g/liter or more, more preferably 3 g/liter or more, further preferably 5 g/liter or more, preferably 500 g/liter or less, more preferably 500 g/liter or less. Preferably it is 300 g/liter or less, more preferably 100 g/liter or less.

처리액은, 통상, 실란 커플링제에 조합하여 용제를 포함한다. 용제로서는, 실란 커플링제를 용해할 수 있는 것이 바람직하다. 이 용제로서는, 예를 들어, 물 및 유기 용제를 들 수 있다. 그 중에서도, 용제는, 물을 포함하는 것이 바람직하다. 용제가 물을 포함하는 경우, 실란 커플링제의 관능기를 가수분해하여, 실라놀기 등의 반응성이 높은 기를 생성시킬 수 있다.The treatment liquid usually contains a solvent in combination with a silane coupling agent. As a solvent, one that can dissolve the silane coupling agent is preferable. Examples of this solvent include water and organic solvents. Among these, it is preferable that the solvent contains water. When the solvent contains water, the functional group of the silane coupling agent can be hydrolyzed to generate highly reactive groups such as silanol groups.

바람직한 유기 용제로서는, 케톤계 용제, 글리콜계 용제를 들 수 있고, 그 중에서도 글리콜계 용제가 보다 바람직하다. 또한, 글리콜계 용제 중에서도, 글리콜에테르계 용제가 바람직하고, 글리콜부틸에테르계 용제가 보다 바람직하고, 에틸렌계 글리콜부틸에테르 및 프로필렌계 글리콜부틸에테르로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상이 더욱 바람직하다.Preferred organic solvents include ketone-based solvents and glycol-based solvents, and among these, glycol-based solvents are more preferable. Moreover, among glycol-based solvents, glycol ether-based solvents are preferable, glycol butyl ether-based solvents are more preferable, and at least one type selected from the group consisting of ethylene-based glycol butyl ether and propylene-based glycol butyl ether is even more preferable.

에틸렌계 글리콜부틸에테르로서는, C4H9-(OC2H4)n1-OH로 표시되는 용제가 바람직하다. 여기서, n1은 1 이상의 정수를 나타내고, 바람직하게는 1 내지 4의 정수를 나타낸다. 에틸렌계 글리콜부틸에테르의 구체예로서는, 에틸렌글리콜부틸에테르(n1=1), 디에틸렌글리콜부틸에테르(n1=2), 트리에틸렌글리콜부틸에테르(n1=3), 테트라에틸렌글리콜부틸에테르(n1=4)를 들 수 있다.As ethylene glycol butyl ether, a solvent represented by C 4 H 9 -(OC 2 H 4 ) n1 -OH is preferable. Here, n1 represents an integer of 1 or more, and preferably represents an integer of 1 to 4. Specific examples of ethylene glycol butyl ether include ethylene glycol butyl ether (n1=1), diethylene glycol butyl ether (n1=2), triethylene glycol butyl ether (n1=3), and tetraethylene glycol butyl ether (n1=4). ) can be mentioned.

프로필렌계 글리콜부틸에테르로서는, C4H9-(OC3H6)n2-OH로 표시되는 용제가 바람직하다. 여기서, n2는, 1 이상의 정수를 나타내고, 바람직하게는 1 내지 4의 정수를 나타낸다. 프로필렌계 글리콜부틸에테르의 구체예로서는, 프로필렌글리콜부틸에테르(n2=1), 디프로필렌글리콜부틸에테르(n2=2), 트리프로필렌글리콜부틸에테르(n2=3), 테트라프로필렌글리콜부틸에테르(n2=4)를 들 수 있다.As propylene glycol butyl ether, a solvent represented by C 4 H 9 -(OC 3 H 6 ) n2 -OH is preferable. Here, n2 represents an integer of 1 or more, and preferably represents an integer of 1 to 4. Specific examples of propylene glycol butyl ether include propylene glycol butyl ether (n2 = 1), dipropylene glycol butyl ether (n2 = 2), tripropylene glycol butyl ether (n2 = 3), and tetrapropylene glycol butyl ether (n2 = 4). ) can be mentioned.

상기의 예 중에서도, 에틸렌계 글리콜부틸에테르가 바람직하고, 디에틸렌글리콜부틸에테르(예를 들어, 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르 등)가 보다 바람직하다.Among the above examples, ethylene glycol butyl ether is preferable, and diethylene glycol butyl ether (for example, diethylene glycol-mono-n-butyl ether, etc.) is more preferable.

또한, 상기의 글리콜부틸에테르계 용제에 있어서, 부틸기는, 직쇄상이라도 좋고, 분기상이라도 좋다. 또한, 글리콜부틸에테르계 용제로서, 말단에 부틸기를 갖는 것을 사용하면, 침투성이 향상되어, 바람직하다.In addition, in the glycol butyl ether-based solvent described above, the butyl group may be linear or branched. Additionally, it is preferable to use a glycol butyl ether-based solvent having a butyl group at the terminal because the permeability is improved.

용제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 예를 들어, 물과 유기 용제를 조합하여 사용해도 좋다. 물과 글리콜계 용제 등의 유기 용제를 조합하여 사용하는 경우, 처리액에서의 유기 용제의 양의 범위는, 바람직하게는 0.1g/리터 이상, 보다 바람직하게는 10g/리터 이상, 더욱 바람직하게는 50g/리터 이상이고, 바람직하게는 600g/리터 이하, 보다 바람직하게는 500g/리터 이하, 더욱 바람직하게는 400g/리터 이하이다.One type of solvent may be used individually, or two or more types may be used in combination. For example, a combination of water and an organic solvent may be used. When using a combination of water and an organic solvent such as a glycol-based solvent, the range of the amount of the organic solvent in the treatment liquid is preferably 0.1 g/liter or more, more preferably 10 g/liter or more, and even more preferably It is 50 g/liter or more, preferably 600 g/liter or less, more preferably 500 g/liter or less, and even more preferably 400 g/liter or less.

처리액은, pH 조정제를 포함하고 있어도 좋다. pH 조정제에 의하면, 처리액의 pH를 적절한 범위로 용이하게 조정할 수 있다. pH 조정제로서는, 예를 들어 디에틸렌트리아민 등의 아민 화합물; 황산; NaOH 등의 알칼리 용액을 들 수 있다.The treatment liquid may contain a pH adjuster. According to the pH adjuster, the pH of the treatment liquid can be easily adjusted to an appropriate range. Examples of the pH adjuster include amine compounds such as diethylenetriamine; Sulfuric acid; Alkaline solutions such as NaOH can be mentioned.

pH 조정제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.One type of pH adjuster may be used individually, or two or more types may be used in combination.

처리액에서의 pH 조정제의 양은, 원하는 pH의 처리액이 얻어지도록 설정할 수 있다. 일례에 있어서, pH 조정제의 양의 범위는, 바람직하게는 3g/리터 이상, 보다 바람직하게는 5g/리터 이상이고, 바람직하게는 50g/리터 이하, 보다 바람직하게는 30g/리터 이하이다.The amount of the pH adjuster in the treatment liquid can be set so that a treatment liquid with the desired pH is obtained. In one example, the range of the amount of the pH adjuster is preferably 3 g/liter or more, more preferably 5 g/liter or more, preferably 50 g/liter or less, and more preferably 30 g/liter or less.

처리액은, 본 발명의 효과를 현저하게 손상시키지 않는 한, 임의의 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 임의의 첨가제로서는, 예를 들어, 실란 커플링제의 용해를 촉진하는 용해 조제; 불소 화합물; 계면활성제 등을 포함한다. 또한, 임의의 첨가제는, 불소 화합물 및 계면활성제를 포함하지 않아도 좋다. 또한, 임의의 첨가제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The treatment liquid may contain optional additives as long as they do not significantly impair the effects of the present invention. Optional additives include, for example, a dissolution aid that promotes dissolution of the silane coupling agent; fluorine compounds; Includes surfactants, etc. Additionally, the optional additives do not need to contain a fluorine compound or surfactant. In addition, arbitrary additives may be used individually, or may be used in combination of two or more types.

처리액은, 특정 범위의 pH를 갖는 것이 바람직하다. 처리액의 구체적인 범위는, 바람직하게는 3.0 이상, 보다 바람직하게는 3.5 이상, 더욱 바람직하게는 4.5 이상이고, 바람직하게는 10.0 이하, 보다 바람직하게는 9.0 이하, 더욱 바람직하게는 7.0 이하이고, 더욱 바람직하게는 5.5 이하이다.The treatment liquid preferably has a pH within a specific range. The specific range of the treatment liquid is preferably 3.0 or more, more preferably 3.5 or more, even more preferably 4.5 or more, preferably 10.0 or less, more preferably 9.0 or less, even more preferably 7.0 or less, and further Preferably it is 5.5 or less.

경화체와 접촉시키는 처리액의 온도는, 예를 들어 40℃ 내지 80℃이다. 또한, 경화체와 처리액과의 접촉 시간은, 예를 들어, 1분 내지 20분이다. 경화체와 처리액과의 접촉 방법에 제한은 없고, 예를 들어, 처리액에 경화체를 침지함으로써 접촉을 행하여도 좋다.The temperature of the treatment liquid brought into contact with the cured body is, for example, 40°C to 80°C. In addition, the contact time between the cured body and the treatment liquid is, for example, 1 minute to 20 minutes. There are no restrictions on the method of contact between the cured body and the treatment liquid. For example, the contact may be performed by immersing the cured body in the treatment liquid.

상기와 같이 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 행한 경우, 당해 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리가 실시된 면으로서, 특정 평활면을 얻을 수 있다. 이 특정 평활면에는 도체층을 형성할 수 있다. 그리고, 경화체와 도체층은, HAST 시험 후에 높은 밀착성을 달성할 수 있다.When ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment are performed as described above, a specific smooth surface can be obtained as the surface on which the ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment have been performed. A conductor layer can be formed on this particular smooth surface. And, the cured body and the conductor layer can achieve high adhesion after the HAST test.

경화체의 제조 방법은, 상술한 공정에 조합하여, 추가로 임의의 공정을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들어, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리 후에, 경화체에 열처리를 실시하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 열처리에 의하면, 경화체와 도체층 사이의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있다. 열처리의 온도 조건은, 바람직하게는 120℃ 이상, 보다 바람직하게는 130℃ 이상, 더욱 바람직하게는 140℃ 이상이고, 바람직하게는 180℃ 이하이다. 또한, 열처리의 처리 시간은, 바람직하게는 5분 내지 30분의 범위이다.The method for producing the cured body may include an additional arbitrary process in combination with the above-described processes. For example, after ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment, a step of subjecting the cured body to heat treatment may be included. By heat treatment, the adhesion between the cured body and the conductor layer can be effectively increased. The temperature conditions for heat treatment are preferably 120°C or higher, more preferably 130°C or higher, even more preferably 140°C or higher, and preferably 180°C or lower. Additionally, the heat treatment treatment time is preferably in the range of 5 minutes to 30 minutes.

<경화체의 용도><Use of hardened body>

본 실시형태에 따른 경화체는, 절연 용도에 사용할 수 있고, 특히, 절연층을 형성하기 위한 경화체(절연층 형성용의 경화체)로서 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 본 실시형태에 따른 경화체는, 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한 경화체(반도체 칩 패키지의 절연층용의 경화체), 및, 회로 기판(프린트 배선판을 포함함)의 절연층을 형성하기 위한 경화체(회로 기판의 절연층용의 경화체)로서 적합하게 사용할 수 있다. 특히, 경화체는, 도체층과 도체층 사이에 마련된 층간 절연층을 형성하기 위해 적합하다.The cured body according to the present embodiment can be used for insulation purposes, and can be particularly suitably used as a cured body for forming an insulating layer (cured body for forming an insulating layer). For example, the cured body according to the present embodiment forms a cured body for forming an insulating layer of a semiconductor chip package (cured body for an insulating layer of a semiconductor chip package) and an insulating layer of a circuit board (including a printed wiring board). It can be suitably used as a cured body (cured body for the insulating layer of a circuit board) for the following purposes. In particular, the cured body is suitable for forming an interlayer insulating layer provided between conductor layers.

반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지, Fan-out형 WLP(Wafer Level Package), Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP(Panel Level Package), Fan-in 형 PLP를 들 수 있다.Semiconductor chip packages include, for example, FC-CSP, MIS-BGA package, ETS-BGA package, fan-out type WLP (Wafer Level Package), fan-in type WLP, and fan-out type PLP (Panel Level Package). , Fan-in type PLP.

또한, 상기 경화체는, 언더필재로서 사용해도 좋고, 예를 들어, 반도체 칩을 기판에 접속한 후에 사용하는 MUF(Molding Under Filling)의 재료로서 사용해도 좋다.Additionally, the cured body may be used as an underfill material, for example, as a material for MUF (Molding Under Filling) used after connecting a semiconductor chip to a substrate.

또한, 상기의 경화체는, 솔더 레지스트, 다이본딩재, 반도체 밀봉재, 구멍 메움재, 부품 매립재 등, 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 재료가 사용되는 광범위한 용도에 사용할 수 있다.In addition, the above cured body can be used in a wide range of applications where materials obtained by curing a resin composition are used, such as solder resist, die bonding material, semiconductor sealing material, hole filling material, and component filling material.

<수지 시트><Resin sheet>

상기의 용도에 경화체를 적용함에 있어서, 당해 경화체의 원료로서의 수지 조성물은, 수지 시트의 형태로 준비해도 좋다. 수지 시트는, 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된 수지 조성물층을 구비한다. 수지 조성물층은, 수지 조성물을 포함하고, 바람직하게는 수지 조성물만을 포함한다.When applying the cured body to the above-mentioned use, the resin composition as a raw material for the cured body may be prepared in the form of a resin sheet. The resin sheet includes a support and a resin composition layer formed on the support. The resin composition layer contains the resin composition, and preferably contains only the resin composition.

수지 조성물층의 두께는, 박형화의 관점에서, 바람직하게는 600㎛ 이하, 보다 바람직하게는 300㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 이상, 10㎛ 이상 등일 수 있다.From the viewpoint of thinning, the thickness of the resin composition layer is preferably 600 μm or less, more preferably 300 μm or less, and even more preferably 100 μm or less. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, but may be 5 μm or more, 10 μm or more, etc.

지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.Examples of the support include films made of plastic materials, metal foils, and release papers, and films and metal foils made of plastic materials are preferred.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」이라고 약칭하는 경우가 있음.), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음.) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음.), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When using a film made of a plastic material as a support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”) .), polyester, polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as “PC”), acrylic, polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetylcellulose (TAC), and polyether sulfide (PES). ), polyether ketone, polyimide, etc. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is especially preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들어, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티타늄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When using a metal foil as a support, examples of the metal foil include copper foil, aluminum foil, etc., and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of the simple metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and other metals (e.g., tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. good night.

지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리를 실시해도 좋다.The support may be subjected to mat treatment, corona treatment, or antistatic treatment on the surface joined to the resin composition layer.

지지체로서, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들어, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」, 토레사제조의 「루미라 T60」, 테이진사 제조의 「퓨렉스」, 유니치카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.As the support, you may use a support with a mold release layer that has a mold release layer on the surface bonded to the resin composition layer. Examples of the release agent used in the release layer of the support with a release layer include at least one type of release agent selected from the group consisting of alkyd resin, polyolefin resin, urethane resin, and silicone resin. The support with the release layer may be a commercially available product, for example, "SK-1", "AL-5", and "AL-" manufactured by Lintec, which are PET films with a release layer containing an alkyd resin-based release agent as a main component. 7”, “Lumira T60” manufactured by Torres, “Purex” manufactured by Teijin, and “Unifill” manufactured by Unichika.

지지체의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, and more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. In addition, when using a support body with a release layer, it is preferable that the entire thickness of the support body with a release layer is within the above range.

여기서, 수지 시트의 수지 조성물층을 경화하여 경화체를 형성하고, 그 경화체의 지지체측의 면으로 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시하는 제1 시험을 행한 경우를 설명한다. 제1 시험으로 형성되는 경화체는, 수지 시트의 속성을 특정하기 위한 시료이고, 이하 「시료 경화체」라고 말하는 경우가 있다. 이 제1 시험을 행한 경우, 시료 경화체의 지지체측의 면은, 바람직하게는, 요건 (i)를 충족하는 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는 특정 평활면을 형성하는 것이 바람직하다. 여기서, 시료 경화체의 지지체측의 면이란, 시료 경화체의 면 중, 지지체와 접합하고 있는 측의 면을 나타낸다. 제1 시험에서는, 수지 조성물층의 경화는, 수지 시트의 용도에 따른 조건으로 행하여도 좋고, 예를 들어, 170℃ 30분의 조건으로 행하여도 좋다. 또한, 자외선 조사 처리는, 시료 경화체에 파장 172㎚의 자외선을 10초간 조사함으로써 행하여도 좋다. 또한, 실란 커플링제 처리는, 시료 경화체를, 3-아미노-프로필트리메톡시실란 5g/리터 및 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르 350g/리터를 포함하는 pH5.0의 수용액으로서의 처리액에, 40℃에서 10분 침지함으로써 행하여도 좋다. 지지체는, 수지 조성물층의 경화 전, 또는, 자외선 처리 전에 박리한다.Here, a case will be described in which the first test was conducted in which the resin composition layer of the resin sheet was cured to form a cured body, and the surface of the cured body on the support side was subjected to ultraviolet ray treatment and silane coupling agent treatment. The cured body formed in the first test is a sample for specifying the properties of the resin sheet, and may hereinafter be referred to as a “sample cured body.” When this first test is performed, the surface of the hardened sample on the support side preferably forms a specific smooth surface with an arithmetic mean roughness Ra that satisfies requirement (i). Here, the surface on the support side of the cured sample refers to the surface on the side that is joined to the support among the surfaces of the cured sample. In the first test, curing of the resin composition layer may be performed under conditions depending on the intended use of the resin sheet, for example, at 170°C for 30 minutes. Additionally, the ultraviolet irradiation treatment may be performed by irradiating the cured sample with ultraviolet rays with a wavelength of 172 nm for 10 seconds. In addition, the silane coupling agent treatment involves subjecting the cured sample to a treatment solution as an aqueous solution of pH 5.0 containing 5 g/liter of 3-amino-propyltrimethoxysilane and 350 g/liter of diethylene glycol-mono-n-butyl ether. , may be carried out by immersing at 40°C for 10 minutes. The support is peeled off before curing the resin composition layer or before treatment with ultraviolet rays.

이와 같이, 제1 시험을 행한 경우, 시료 경화체의 지지체측의 면은, 요건 (i)에서 설명된 특정 범위의 산술 평균 거칠기 Ra를 갖는 상기의 특정 평활면을 형성하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 시료 경화체의 지지체측의 면은, 산술 평균 거칠기 Ra 이외에도, 상기의 특정 평활면과 동일한 특성을 갖는 것이 보다 바람직하다. 또한, 시료 경화체는, 상술한 본 실시형태에 따른 경화체와 동일한 특성을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 제1 시험에 있어서 이러한 요건을 충족할 수 있는 수지 시트를 사용하면, 상술한 실시형태에 따른 경화체로서의 절연층을 용이하게 제조할 수 있다. 이러한 수지 시트를 얻는 관점에서, 지지체는, 수지 조성물층과 접하는 면이 평활한 것이 바람직하다. 예를 들어, 지지체의 수지 조성물층과 접하는 면의 표면 거칠기의 범위는, 특정 평활면의 표면 거칠기의 범위와 동일해도 좋다.In this way, when the first test is performed, the surface of the hardened sample on the support side preferably forms the above-mentioned specific smooth surface having an arithmetic mean roughness Ra in the specific range described in requirement (i). In addition, it is more preferable that the surface of the hardened sample on the support side has the same characteristics as the above-mentioned specific smooth surface in addition to the arithmetic mean roughness Ra. Moreover, it is more preferable that the sample cured body has the same characteristics as the cured body according to the present embodiment described above. If a resin sheet that can satisfy these requirements in the first test is used, the insulating layer as the cured body according to the above-described embodiment can be easily manufactured. From the viewpoint of obtaining such a resin sheet, it is preferable that the surface of the support in contact with the resin composition layer is smooth. For example, the surface roughness range of the surface in contact with the resin composition layer of the support may be the same as the surface roughness range of a specific smooth surface.

또한, 수지 시트의 수지 조성물층을 200℃ 90분의 조건으로 경화하여 경화 시료층을 형성하는 제2 시험을 행한 경우를 설명한다. 이 경우, 그 경화 시료층의 지지체측의 표면은, 바람직하게는, 요건 (ii)을 충족하는 접촉각 X를 갖는다. 즉, 상기의 지지체측의 표면의 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 접촉각 X는, 요건 (ii)의 항에서 설명한 특정의 범위에 있는 것이 바람직하다. 상기의 지지체측의 표면이란, 경화 시료층의 표면 중, 지지체와 접합하고 있던 측의 면을 나타낸다. 이러한 수지 시트를 사용하면, 상술한 실시형태에 따른 경화체로서의 절연층을 용이하게 제조할 수 있다.Additionally, a case in which a second test was conducted in which the resin composition layer of the resin sheet was cured at 200°C for 90 minutes to form a cured sample layer will be described. In this case, the surface of the cured sample layer on the support side preferably has a contact angle That is, it is preferable that the contact angle The surface on the support side above refers to the surface of the cured sample layer on the side that was bonded to the support. Using such a resin sheet, an insulating layer as a cured body according to the above-described embodiment can be easily manufactured.

또한, 수지 시트의 수지 조성물층을 200℃ 90분의 조건으로 경화하여 경화 시료층을 형성하는 제2 시험을 행한 경우, 그 경화 시료층의 지지체측의 표면은, 바람직하게는, 요건 (iii)를 충족하는 질소 원자 농도를 갖는다. 즉, 상기의 지지체측의 표면의 X선 광전자 분광 분석에서의 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여 얻어지는 질소 원자 농도는, 요건 (iii)의 항에서 설명한 특정 범위에 있는 것이 바람직하다. 이러한 수지 시트를 사용하면, 상술한 실시형태에 따른 경화체로서의 절연층을 용이하게 제조할 수 있다.In addition, when the second test is conducted in which the resin composition layer of the resin sheet is cured at 200°C for 90 minutes to form a cured sample layer, the surface of the cured sample layer on the support side preferably meets requirement (iii). It has a nitrogen atom concentration that satisfies. That is, the nitrogen atom concentration obtained based on the peak area of the N1s spectrum in the X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the surface of the support side is preferably within the specific range described in requirement (iii). Using such a resin sheet, an insulating layer as a cured body according to the above-described embodiment can be easily manufactured.

일 실시형태에서, 수지 시트는, 또한 필요에 따라, 임의의 층을 포함하고 있어도 좋다. 이러한 임의의 층으로서는, 예를 들어, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에 마련된, 지지체에 준한 보호 필름 등을 들 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름에 의하면, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지의 부착 및 흠집을 억제할 수 있다.In one embodiment, the resin sheet may further include arbitrary layers as needed. Examples of such an optional layer include a protective film similar to the support provided on the side of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the side opposite to the support). The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 μm to 40 μm. According to the protective film, adhesion of dust and scratches to the surface of the resin composition layer can be suppressed.

수지 시트는, 예를 들어, 액상(바니시상)의 수지 조성물을 그대로, 혹은 용제에 수지 조성물을 용해하여 액상(바니시상)의 수지 조성물을 조제하고, 이것을, 다이코터 등의 도포 장치를 사용하여 지지체 위에 도포하고, 추가로 건조시켜서 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.The resin sheet, for example, is prepared by preparing a liquid (varnish-like) resin composition as is, or by dissolving the resin composition in a solvent, and applying this using a coating device such as a die coater. It can be manufactured by applying it on a support and further drying it to form a resin composition layer.

용제로서는, 수지 조성물의 성분으로서 설명한 (F) 용제와 동일한 것을 들 수 있다. 용제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the solvent include the same solvent as (F) described as a component of the resin composition. One type of solvent may be used individually, or two or more types may be used in combination.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 건조 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층 중의 용제의 함유량이 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 조성물 중의 용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들어 30질량% 내지 60질량%의 용제를 포함하는 수지 조성물을 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다.Drying may be performed by a drying method such as heating or hot air spraying. Drying conditions are not particularly limited, but drying is performed so that the solvent content in the resin composition layer is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it also varies depending on the boiling point of the solvent in the resin composition, for example, when using a resin composition containing 30% by mass to 60% by mass of the solvent, the resin composition layer is dried at 50°C to 150°C for 3 to 10 minutes. can be formed.

수지 시트는, 롤 형상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 통상은, 보호 필름을 박리함으로써 사용 가능해진다.The resin sheet can be wound into a roll and stored. When the resin sheet has a protective film, it usually becomes usable by peeling the protective film.

<회로 기판><Circuit board>

본 발명의 일 실시예에 따른 회로 기판은, 상술한 경화체에 의해 형성된 절연층을 포함한다. 절연층은, 상술한 경화체를 포함하고, 바람직하게는 상술한 경화체만을 포함한다. 이 회로 기판은, 예를 들어, 이하의 공정 (I) 및 공정 (II)를 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.A circuit board according to an embodiment of the present invention includes an insulating layer formed by the above-described cured body. The insulating layer contains the above-mentioned hardened body, and preferably contains only the above-mentioned hardened body. This circuit board can be manufactured, for example, by a manufacturing method including the following steps (I) and (II).

(I) 내층 기판 위에 수지 조성물층을 형성하는 공정.(I) Process of forming a resin composition layer on an inner layer substrate.

(II) 수지 조성물층을 경화하여, 경화체로서의 절연층을 형성하는 공정.(II) A process of curing the resin composition layer to form an insulating layer as a cured body.

공정 (I)에서 사용하는 「내층 기판」이란, 회로 기판의 기재가 되는 부재로서, 예를 들어, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 또한, 당해 기판은, 그 한면 또는 양면에 도체층을 갖고 있어도 좋고, 이 도체층은 패턴 가공되어 있어도 좋다. 기판의 한면 또는 양면에 도체층(회로)이 형성된 내층 기판은, 「내층 회로 기판」이라고 말하는 경우가 있다. 또한, 회로 기판을 제조할 때에, 추가로 절연층 및/또는 도체층이 형성되어야 할 중간 제조물도, 상기 「내층 기판」에 포함된다. 회로 기판이 부품 내장 회로판인 경우, 부품이 내장된 내층 기판을 사용해도 좋다.The “inner layer substrate” used in step (I) is a member that becomes the base material of the circuit board, for example, a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, and a thermosetting polyphenylene. Ether substrates, etc. can be mentioned. Additionally, the substrate may have a conductor layer on one or both sides, and this conductor layer may be pattern-processed. An inner layer substrate in which a conductor layer (circuit) is formed on one or both sides of the substrate is sometimes referred to as an “inner layer circuit board.” Additionally, when manufacturing a circuit board, an intermediate product on which an insulating layer and/or a conductor layer must be additionally formed is also included in the above-mentioned “inner layer substrate.” If the circuit board is a circuit board with embedded components, an inner layer board with embedded components may be used.

내층 기판 위로의 수지 조성물층의 형성은, 예를 들어, 내층 기판과 수지 시트를 적층함으로써 행할 수 있다. 내층 기판과 수지 시트의 적층은, 예를 들어, 지지체측으로부터 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착함으로써 행할 수 있다. 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함.)로서는, 예를 들어, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤 등)을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니라, 내층 기판의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.Formation of the resin composition layer on the inner layer substrate can be performed, for example, by laminating the inner layer substrate and the resin sheet. Lamination of the inner layer substrate and the resin sheet can be performed, for example, by heat-pressing the resin sheet to the inner layer substrate from the support side. As a member for heat-pressing the resin sheet to the inner layer substrate (hereinafter also referred to as “heat-pressing member”), for example, a heated metal plate (SUS head plate, etc.) or a metal roll (SUS roll, etc.) can be used. In addition, it is preferable not to press the heat-compression member directly onto the resin sheet, but to press it through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the inner layer substrate.

내층 기판과 수지 시트의 적층은, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이고, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이고, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 26.7hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시된다.Lamination of the inner layer substrate and the resin sheet may be performed by a vacuum lamination method. In the vacuum lamination method, the heat-pressing temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, more preferably in the range of 80°C to 140°C, and the heat-compression pressure is preferably in the range of 0.098MPa to 1.77MPa, more preferably is in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa, and the heat compression time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably in the range of 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of 26.7 hPa or less.

적층은, 시판되는 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들어, 메이키 세사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코 머티리얼즈사 제조의 베큠 어플리케이터, 배치식 진공 가압 라미네이터 등을 들 수 있다.Lamination can be performed using a commercially available vacuum laminator. Examples of commercially available vacuum laminators include a vacuum pressurization laminator manufactured by Meiki Sesakusho, a vacuum applicator manufactured by Nikko Materials, and a batch vacuum pressurization laminator.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 행하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는, 시판되는 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층 및 평활화 처리는, 상기의 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행하여도 좋다.After lamination, the laminated resin sheets may be smoothed under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing a heat-pressing member from the support side. The press conditions for the smoothing treatment can be the same as the heat-pressing conditions for the above-mentioned lamination. Smoothing treatment can be performed using a commercially available laminator. Additionally, the lamination and smoothing treatment may be performed continuously using the commercially available vacuum laminator described above.

지지체는, 공정 (I)과 공정 (II) 사이에서 제거해도 좋고, 공정 (II) 후에 제거해도 좋다.The support may be removed between step (I) and step (II), or may be removed after step (II).

공정 (II)에 있어서, 수지 조성물층을 경화하여, 수지 조성물의 경화체로 이루어진 절연층을 형성한다. 이렇게 형성된 절연층의 표면이, 특정 평활면을 형성한다. 이 특정 평활면은, 통상, 회로 기판과는 반대측의 절연층의 면으로서 얻어진다. 수지 조성물층의 경화는, 통상, 열경화에 의해 행한다. 수지 조성물층의 구체적인 경화 조건은, 경화체의 제조 방법에서 설명한 조건을 채용할 수 있다.In step (II), the resin composition layer is cured to form an insulating layer made of a cured resin composition. The surface of the insulating layer thus formed forms a specific smooth surface. This specific smooth surface is usually obtained as the surface of the insulating layer on the opposite side to the circuit board. Curing of the resin composition layer is usually performed by thermal curing. As specific curing conditions for the resin composition layer, the conditions described in the method for producing the cured body can be adopted.

회로 기판의 제조 방법은, 수지 조성물층의 열경화 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열하는 것을 포함하고 있어도 좋다. 예비 가열의 조건은, 경화체의 제조 방법에서 설명한 조건을 채용할 수 있다.The method for manufacturing a circuit board may include preheating the resin composition layer at a temperature lower than the curing temperature before thermal curing of the resin composition layer. The conditions for preheating can be those described in the method for producing a cured body.

회로 기판의 제조 방법은, 통상은, (V) 절연층에 자외선 처리를 실시하는 공정, (VI) 절연층에 실란 커플링제 처리를 실시하는 공정, 및, (VII) 도체층을 형성하는 공정을 추가로 포함한다. 또한, 회로 기판의 제조 방법은, 추가로, (III) 절연층에 천공하는 공정, (IV) 절연층에 디스미어 처리를 실시하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 공정 (III) 및 공정 (IV)는, 일반적으로, 공정 (V) 및 공정 (VI)보다 전에 행해진다. 또한, 공정 (VII)는, 일반적으로, 공정 (V) 및 공정 (VI)보다 후에 행해진다. 지지체를 공정 (II) 후에 제거하는 경우, 당해 지지체의 제거는, 공정 (II)와 공정 (III) 사이, 공정 (III)과 공정 (IV) 사이, 또는 공정 (IV)와 공정 (V) 사이에 실시해도 좋다.The manufacturing method of a circuit board usually includes the following steps: (V) subjecting the insulating layer to ultraviolet treatment, (VI) subjecting the insulating layer to a silane coupling agent treatment, and (VII) forming a conductor layer. Includes additional In addition, the method for manufacturing a circuit board may further include (III) a step of perforating the insulating layer, and (IV) a step of performing a desmear treatment on the insulating layer. Steps (III) and (IV) are generally performed before steps (V) and (VI). Additionally, step (VII) is generally performed after steps (V) and (VI). When the support is removed after step (II), the support may be removed between steps (II) and (III), between steps (III) and (IV), or between steps (IV) and (V). It may be carried out in .

공정 (III)은, 절연층에 천공하는 공정이다. 공정 (III)에 의해, 절연층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (III)은, 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성에 따라, 예를 들어, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용하여 실시해도 좋다. 홀의 치수 및 형상은, 회로 기판의 설계에 따라 적절하게 결정해도 좋다.Process (III) is a process of perforating the insulating layer. Through step (III), holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. Step (III) may be performed using, for example, a drill, laser, or plasma, depending on the composition of the resin composition used to form the insulating layer. The dimensions and shape of the hole may be determined appropriately according to the design of the circuit board.

공정 (IV)는, 절연층에 디스미어 처리를 실시하는 공정이다. 통상, 이 공정 (IV)에서는, 절연층의 표면의 조화도 행해진다. 따라서, 상기 디스미어 처리는 「조화 처리」라고 부르는 경우가 있다. 디스미어 처리는, 예를 들어, 경화체의 제조 방법에서 설명한 방법에 의해 행할 수 있다.Process (IV) is a process of subjecting the insulating layer to a desmear treatment. Usually, in this step (IV), the surface of the insulating layer is also roughened. Therefore, the desmear process is sometimes called “harmonization process.” Desmear treatment can be performed, for example, by the method described in the method for producing a cured body.

(V) 절연층에 자외선 처리를 실시하는 공정, 및, (VI) 절연층에 실란 커플링제 처리를 실시하는 공정은, 공정 (II)에서 수지 조성물층을 경화하여 절연층을 형성하고, 필요에 따라서 공정 (III) 및 공정 (IV)를 행한 후에 행해진다. 통상, 도체층은 회로 기판과는 반대측의 절연층의 면에 형성되므로, 공정 (V)에서는 회로 기판과는 반대측의 절연층의 면에 자외선 처리를 실시하고, 공정 (VI)에서는 회로 기판과는 반대측의 절연층의 면에 실란 커플링제 처리를 실시한다. 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리는, 경화체의 제조 방법에서 설명한 방법에 의해 행할 수 있다. 이들 공정 (V) 및 공정 (VI)를 행함으로써, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리가 실시된 특정 평활면을 갖는 경화체로서 절연층을 얻을 수 있다.(V) the step of subjecting the insulating layer to ultraviolet treatment, and (VI) the step of subjecting the insulating layer to a silane coupling agent treatment include curing the resin composition layer in step (II) to form an insulating layer, and as necessary. Therefore, it is performed after performing steps (III) and (IV). Normally, the conductor layer is formed on the side of the insulating layer opposite to the circuit board, so in step (V), ultraviolet treatment is applied to the side of the insulating layer opposite to the circuit board, and in step (VI), the side of the insulating layer opposite to the circuit board is treated with ultraviolet rays. A silane coupling agent treatment is performed on the opposite side of the insulating layer. Ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment can be performed by the method described in the method for producing a cured body. By performing these steps (V) and (VI), an insulating layer can be obtained as a cured body having a specific smooth surface that has been treated with ultraviolet rays and treated with a silane coupling agent.

회로 기판의 제조 방법은, 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리 후, 도체층을 형성하기 전에, 절연층에 열처리를 실시하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 열처리는, 경화체의 제조 방법에서 설명한 방법에 의해 행할 수 있다.The method of manufacturing a circuit board may include a step of subjecting the insulating layer to heat treatment after ultraviolet treatment and silane coupling agent treatment, but before forming the conductor layer. Heat treatment can be performed by the method described in the manufacturing method of the hardened body.

공정 (VII)은, 도체층을 형성하는 공정이고, 절연층 위에 도체층을 형성한다. 도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서, 도체층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티타늄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은, 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들어, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티타늄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티타늄 합금의 합금층이 바람직하고, 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 구리의 단금속층이 더욱 바람직하다.Step (VII) is a step of forming a conductor layer, and the conductor layer is formed on the insulating layer. The conductor material used in the conductor layer is not particularly limited. In a suitable embodiment, the conductor layer comprises one or more metals selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. do. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer, and the alloy layer may be, for example, an alloy of two or more metals selected from the above group (e.g., nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy, and copper-titanium A layer formed of an alloy) may be mentioned. Among them, from the viewpoint of versatility of forming the conductor layer, cost, ease of patterning, etc., a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or a nickel-chromium alloy or copper-nickel alloy , an alloy layer of a copper-titanium alloy is preferred, and a mono-metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or an alloy layer of a nickel-chromium alloy is more preferable, and a mono-metal layer of copper This is more preferable.

도체층은, 단층 구조라도 좋고, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은, 크롬, 아연 또는 티타늄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated. When the conductor layer has a multi-layer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc, or titanium, or an alloy layer of nickel-chromium alloy.

도체층의 두께는, 원하는 회로 기판의 디자인에 의하지만, 일반적으로 3㎛ 내지 35㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛이다.The thickness of the conductor layer is generally 3 μm to 35 μm, preferably 5 μm to 30 μm, depending on the desired circuit board design.

일 실시형태에 있어서, 도체층은, 도금에 의해 형성해도 좋다. 예를 들어, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해 절연층의 특정 평활면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 제조의 간편성의 관점에서, 세미 어디티브법이 바람직하다. 이하, 도체층을 세미 어디티브 법에 의해 형성하는 예를 나타낸다.In one embodiment, the conductor layer may be formed by plating. For example, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating a specific smooth surface of the insulating layer using a conventionally known technique such as a semi-additive method or a full additive method. From the viewpoint of manufacturing simplicity, the semi-additive method is preferable. Below, an example of forming a conductor layer by the semiadditive method will be shown.

우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층(무전해 도금층)을 형성한다. 그 다음에, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금층 위에, 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.First, a plating seed layer (electroless plating layer) is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, on the formed plating seed layer, a mask pattern is formed to expose a portion of the plating seed layer corresponding to the desired wiring pattern. After forming an electrolytic plating layer by electrolytic plating on the exposed plating layer, the mask pattern is removed. Afterwards, the unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer with a desired wiring pattern.

상기와 같이 도체층을 형성함으로써, 상술한 경화체로서의 절연층과, 그 절연층의 특정 평활면에 형성된 도체층을 포함하는 회로 기판을 제조할 수 있다. 이렇게 제조되는 회로 기판은, 절연층과 도체층과의 밀착성이 우수하고, 특히 HAST 시험 후에 높은 밀착성을 달성할 수 있다.By forming the conductor layer as described above, a circuit board can be manufactured including the insulating layer as the above-mentioned hardened body and the conductor layer formed on a specific smooth surface of the insulating layer. The circuit board manufactured in this way has excellent adhesion between the insulating layer and the conductor layer, and can achieve high adhesion especially after the HAST test.

회로 기판의 제조 방법은, 필요에 따라서, 공정 (I) 내지 공정 (VII)의 절연 층 및 도체층의 형성을 반복하여 실시해도 좋다. 절연층 및 도체층의 형성을 반복해서 행함으로써, 다층 프린트 배선판 등의 다층 구조를 갖는 회로 기판을 제조할 수 있다.In the circuit board manufacturing method, the formation of the insulating layer and the conductor layer in steps (I) to (VII) may be repeated as necessary. By repeatedly forming the insulating layer and the conductor layer, a circuit board with a multilayer structure, such as a multilayer printed wiring board, can be manufactured.

<반도체 칩 패키지><Semiconductor chip package>

본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지는, 상술한 경화체와 반도체 칩을 포함한다. 통상, 반도체 칩 패키지는, 경화체로 형성된 절연층을 포함한다. 절연층은, 상술한 경화체를 포함하고, 바람직하게는 상술한 수지 조성물의 경화체만을 포함한다. 이 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, 하기의 것을 들 수 있다.A semiconductor chip package according to an embodiment of the present invention includes the above-described hardened body and a semiconductor chip. Usually, a semiconductor chip package includes an insulating layer formed of a hardened body. The insulating layer contains the cured body described above, and preferably contains only the cured body of the resin composition described above. Examples of this semiconductor chip package include the following.

제1예에 따른 반도체 칩 패키지는, 상술한 회로 기판과, 이 회로 기판에 탑재된 반도체 칩을 포함한다. 이 반도체 칩 패키지는, 회로 기판에 반도체 칩을 접합함으로써 제조할 수 있다.The semiconductor chip package according to the first example includes the above-described circuit board and a semiconductor chip mounted on the circuit board. This semiconductor chip package can be manufactured by bonding a semiconductor chip to a circuit board.

회로 기판과 반도체 칩의 접합 조건은, 반도체 칩의 단자 전극과 회로 기판의 회로 배선이 도체 접속할 수 있는 임의의 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 반도체 칩의 플립 칩 실장에서 사용되는 조건을 채용할 수 있다. 또한, 예를 들어, 반도체 칩과 회로 기판 사이에 절연성의 접착제를 개재하여 접합해도 좋다.The bonding conditions between the circuit board and the semiconductor chip can be any condition that allows for conductive connection between the terminal electrodes of the semiconductor chip and the circuit wiring of the circuit board. For example, conditions used in flip chip mounting of semiconductor chips can be adopted. Additionally, for example, the semiconductor chip and the circuit board may be bonded through an insulating adhesive.

접합 방법의 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 압착하는 방법을 들 수 있다. 압착 조건으로서는, 압착 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 130℃ 내지 200℃의 범위, 보다 바람직하게는 140℃ 내지 180℃의 범위), 압착 시간은 통상 1초간 내지 60초간의 범위(바람직하게는 5초간 내지 30초간의 범위)이다.An example of a bonding method is a method of pressing a semiconductor chip to a circuit board. As for the pressing conditions, the pressing temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 130°C to 200°C, more preferably in the range of 140°C to 180°C), and the pressing time is usually in the range of 1 second to 60 seconds. range (preferably from 5 seconds to 30 seconds).

또한, 접합 방법의 다른 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 리플로우하여 접합하는 방법을 들 수 있다. 리플로우 조건은, 120℃ 내지 300℃의 범위로 해도 좋다.Additionally, another example of a bonding method is a method of bonding a semiconductor chip to a circuit board by reflowing it. Reflow conditions may be in the range of 120°C to 300°C.

반도체 칩을 회로 기판에 접합한 후, 반도체 칩을 몰드 언더필재로 충전해도 좋다.After bonding the semiconductor chip to the circuit board, the semiconductor chip may be filled with a mold underfill material.

제2예에 따른 반도체 칩 패키지는, 반도체 칩과, 경화체로 형성된 절연층을 포함한다. 제2예에 따른 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, Fan-out형 WLP, Fan-out형 PLP 등을 포함한다.The semiconductor chip package according to the second example includes a semiconductor chip and an insulating layer formed of a hardened body. The semiconductor chip package according to the second example includes, for example, fan-out type WLP, fan-out type PLP, etc.

도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 일례로서의 Fan-out형 WLP를 모식적으로 나타내는 단면도이다. Fan-out형 WLP로서의 반도체 칩 패키지(100)는, 예를 들어 도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(110); 반도체 칩(110)의 주위를 덮도록 형성된 밀봉층(120); 반도체 칩(110)의 밀봉층(120)과는 반대측의 면에 제공된, 절연층으로서의 재배선 형성층(130); 도체층으로서의 재배선층(140); 솔더 레지스트층(150); 및, 범프(160)를 구비한다.1 is a cross-sectional view schematically showing a fan-out type WLP as an example of a semiconductor chip package according to an embodiment of the present invention. The semiconductor chip package 100 as a fan-out type WLP includes, for example, a semiconductor chip 110, as shown in FIG. 1; A sealing layer 120 formed to cover the periphery of the semiconductor chip 110; a redistribution forming layer 130 as an insulating layer provided on the surface opposite to the sealing layer 120 of the semiconductor chip 110; A rewiring layer 140 as a conductor layer; Solder resist layer 150; and a bump 160.

이러한 반도체 칩 패키지의 제조 방법은,The manufacturing method of such a semiconductor chip package is,

(i) 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정,(i) a process of laminating a temporarily fixed film on a substrate,

(ii) 반도체 칩을 가고정 필름 위에 가고정하는 공정,(ii) a process of temporarily fixing a semiconductor chip on a temporarily fixing film,

(iii) 반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정,(iii) a process of forming a sealing layer on a semiconductor chip,

(iv) 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정,(iv) a process of peeling the substrate and temporarily fixed film from the semiconductor chip,

(v) 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에 재배선 형성층을 형성하는 공정,(v) a process of forming a redistribution formation layer on the surface from which the substrate and temporarily fixed film of the semiconductor chip are peeled,

(vi) 재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정, 및,(vi) a process of forming a redistribution layer as a conductor layer on the redistribution formation layer, and

(vii) 재배선층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정(vii) Process of forming a solder resist layer on the redistribution layer

을 포함한다. 또한, 상기의 반도체 칩 패키지의 제조 방법은,Includes. In addition, the method for manufacturing the above semiconductor chip package is,

(viii) 복수의 반도체 칩 패키지를, 개개의 반도체 칩 패키지로 다이싱하여 개편화하는 공정(viii) Process of individualizing a plurality of semiconductor chip packages by dicing them into individual semiconductor chip packages

을 포함하고 있어도 좋다.It may be included.

(공정 (i))(Process (i))

공정 (i)은, 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정이다. 기재와 가고정 필름의 적층 조건은, 회로 기판의 제조 방법에서의 내층 기판과 수지 시트의 적층 조건과 동일할 수 있다.Process (i) is a process of laminating a temporarily fixed film on a substrate. The laminating conditions of the base material and the temporarily fixed film may be the same as the laminating conditions of the inner layer substrate and the resin sheet in the circuit board manufacturing method.

기재로서는, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼; 유리 웨이퍼; 유리 기판; 구리, 티타늄, 스테인리스, 냉간 압연 강판(SPCC) 등의 금속 기판; FR-4 기판 등의, 유리 섬유에 에폭시 수지 등을 배어들게 하여 열경화 처리된 기판; BT 수지 등의 비스말레이미드 트리아진 수지로 이루어진 기판 등을 들 수 있다.As a base material, for example, a silicon wafer; glass wafer; glass substrate; Metal substrates such as copper, titanium, stainless steel, and cold rolled steel (SPCC); Substrates such as FR-4 substrates that have been heat-cured by impregnating glass fibers with an epoxy resin or the like; and a substrate made of bismaleimide triazine resin such as BT resin.

가고정 필름은, 반도체 칩으로부터 박리할 수 있고, 또한, 반도체 칩을 가고정할 수 있는 임의의 재료를 사용할 수 있다. 시판품으로서는, 닛토 덴코사 제조 「리바알파」 등을 들 수 있다.The temporarily fixed film can be peeled from the semiconductor chip, and any material that can temporarily fix the semiconductor chip can be used. Commercially available products include "Riva Alpha" manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.

(공정 (ii))(Process (ii))

공정 (ii)는, 반도체 칩을 가고정 필름 위에 가고정하는 공정이다. 반도체 칩의 가고정은, 예를 들어, 플립칩 본더, 다이 본더 등의 장치를 사용하여 행할 수 있다. 반도체 칩의 배치의 레이아웃 및 배치 수는, 가고정 필름의 형상, 크기, 목적으로 하는 반도체 칩 패키지의 생산 수 등에 따라서 적절하게 설정할 수 있다. 예를 들어, 복수행이고, 또한 복수열의 매트릭스상으로 반도체 칩을 정렬시켜서 가고정해도 좋다.Process (ii) is a process of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporarily fixing film. Temporarily fixing a semiconductor chip can be performed using, for example, devices such as a flip chip bonder or die bonder. The layout and number of batches of semiconductor chips can be appropriately set according to the shape and size of the temporarily fixed film, the number of production semiconductor chip packages of interest, etc. For example, semiconductor chips may be aligned and temporarily fixed in a matrix of multiple rows and multiple columns.

(공정 (iii))(Process (iii))

공정 (iii)은, 반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정이다. 밀봉층은, 예를 들어, 감광성 수지 조성물 또는 열경화성 수지 조성물에 의해 형성할 수 있다. 이 밀봉층을, 상술한 실시형태에 따른 경화체에 의해 형성해도 좋다. 밀봉층은, 통상, 반도체 칩 위에 수지 조성물층을 형성하는 공정과, 이 수지 조성물층을 경화시켜서 밀봉층을 형성하는 공정을 포함하는 방법으로 형성할 수 있다.Step (iii) is a step of forming a sealing layer on the semiconductor chip. The sealing layer can be formed, for example, from a photosensitive resin composition or a thermosetting resin composition. This sealing layer may be formed using the cured body according to the above-described embodiment. The sealing layer can usually be formed by a method including a step of forming a resin composition layer on a semiconductor chip and a step of curing this resin composition layer to form a sealing layer.

(공정 (iv))(Process (iv))

공정 (iv)는, 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정이다. 박리 방법은, 가고정 필름의 재질에 따른 적절한 방법을 채용하는 것이 바람직하다. 박리 방법으로서는, 예를 들어, 가고정 필름을 가열, 발포 또는 팽창시켜 박리하는 방법을 들 수 있다. 또한, 박리 방법으로서는, 예를 들어, 기재를 통해 가고정 필름에 자외선을 조사하여, 가고정 필름의 점착력을 저하시켜 박리하는 방법을 들 수 있다.Process (iv) is a process of peeling the base material and the temporarily fixed film from the semiconductor chip. As for the peeling method, it is preferable to adopt an appropriate method depending on the material of the temporarily fixed film. Examples of the peeling method include a method of peeling the temporarily fixed film by heating, foaming, or expanding it. In addition, examples of the peeling method include irradiating ultraviolet rays to the temporarily fixed film through a base material to lower the adhesive force of the temporarily fixed film and peeling the film.

상기와 같이 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하면, 밀봉층의 면이 노출된다. 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 이 노출된 밀봉층의 면을 연마하는 것을 포함하고 있어도 좋다. 연마에 의해, 밀봉층의 표면의 평활성을 향상시킬 수 있다.When the base material and the temporarily fixed film are peeled from the semiconductor chip as described above, the surface of the sealing layer is exposed. The method of manufacturing a semiconductor chip package may include polishing the exposed surface of the sealing layer. By polishing, the smoothness of the surface of the sealing layer can be improved.

(공정 (v))(Process (v))

공정 (v)는, 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에, 절연층으로서의 재배선 형성층을 형성하는 공정이다. 통상, 재배선 형성층은, 반도체 칩 및 밀봉층 위에 형성된다. 재배선 형성층은, 상술한 실시형태에 따른 경화체에 의해 형성할 수 있다. 재배선 형성층은, 통상, 반도체 칩 위에 수지 조성물층을 형성하는 공정과, 이 수지 조성물층을 경화시켜서 재배선 형성층을 형성하는 공정과, 재배선 형성층에 자외선 처리를 실시하는 공정과, 재배선 형성층에 실란 커플링제 처리를 실시하는 공정을 포함하는 방법으로 형성할 수 있다.Step (v) is a step of forming a redistribution layer as an insulating layer on the surface of the semiconductor chip from which the substrate and temporarily fixed film have been peeled. Usually, the rewiring formation layer is formed on the semiconductor chip and the sealing layer. The rewiring formation layer can be formed with the cured body according to the above-described embodiment. The redistribution forming layer usually includes the steps of forming a resin composition layer on a semiconductor chip, curing the resin composition layer to form a redistribution forming layer, applying ultraviolet rays to the redistribution forming layer, and forming the redistribution forming layer. It can be formed by a method including the step of treating with a silane coupling agent.

반도체 칩 위로의 수지 조성물층의 형성은, 예를 들어, 내층 기판 대신에 반도체 칩을 사용하는 것 이외에는, 상기의 회로 기판의 제조 방법에서 설명한 내층 기판 위로의 수지 조성물층의 형성 방법과 동일한 방법으로 행할 수 있다.The formation of the resin composition layer on the semiconductor chip is, for example, the same method as the method of forming the resin composition layer on the inner layer substrate described in the above circuit board manufacturing method, except that a semiconductor chip is used instead of the inner layer substrate. It can be done.

반도체 칩 위에 수지 조성물 층을 형성한 후에, 이 수지 조성물층을 경화시켜서, 절연층으로서의 재배선 형성층을 얻는다. 수지 조성물층의 경화 조건은, 경화체의 제조 방법에서 설명한 조건을 채용할 수 있다. 수지 조성물층을 열경화시키는 경우에는, 그 열경화 전에, 수지 조성물층에 대하여, 경화 온도보다도 낮은 온도에서 가열하는 예비 가열을 실시해도 좋다. 이 예비 가열의 조건은, 경화체의 제조 방법에서 설명한 조건을 채용할 수 있다.After forming a resin composition layer on a semiconductor chip, this resin composition layer is cured to obtain a redistribution layer as an insulating layer. The conditions for curing the resin composition layer can be those described in the method for producing the cured body. When thermally curing the resin composition layer, prior to thermal curing, the resin composition layer may be subjected to preliminary heating at a temperature lower than the curing temperature. The conditions for this preliminary heating can be those described in the method for producing a cured body.

재배선 형성층을 형성한 후에, 재배선 형성층의 면에 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시한다. 또한, 실란 커플링제 처리 후에, 재배선 형성층에 열처리를 실시해도 좋다. 자외선 처리, 실란 커플링제 처리 및 열처리는, 경화체의 제조 방법에서 설명한 방법에 의해 행할 수 있다. 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시한 특정 평활면으로서의 재배선 형성층의 면에는, 높은 밀착성으로 도체층을 형성할 수 있다.After forming the redistribution layer, the surface of the redistribution layer is subjected to ultraviolet ray treatment and silane coupling agent treatment. Additionally, after the silane coupling agent treatment, heat treatment may be performed on the redistribution formation layer. Ultraviolet treatment, silane coupling agent treatment, and heat treatment can be performed by the method described in the method for producing a cured body. A conductor layer can be formed with high adhesion on the surface of the rewiring layer as a specific smooth surface that has been treated with ultraviolet rays and a silane coupling agent.

또한, 재배선 형성층을 형성한 후, 반도체 칩과 재배선층을 접속하기 위해, 재배선 형성층에 홀을 형성해도 좋다. 홀의 형성은, 통상, 자외선 처리보다 전에 행해진다.Additionally, after forming the redistribution forming layer, a hole may be formed in the redistribution forming layer in order to connect the semiconductor chip and the redistribution layer. The formation of holes is usually performed before ultraviolet ray treatment.

(공정 (vi))(Process (vi))

공정 (vi)는, 재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정이다. 재배선 형성층 위에 재배선층을 형성하는 방법은, 회로 기판의 제조 방법에서의 절연층 위로의 도체층의 형성 방법과 동일할 수 있다. 또한, 공정 (v) 및 공정 (vi)를 반복해서 행하여, 재배선층 및 재배선 형성층을 교대로 쌓아올려도(빌드업해도) 좋다.Step (vi) is a step of forming a rewiring layer as a conductor layer on the rewiring forming layer. The method of forming the redistribution layer on the redistribution forming layer may be the same as the method of forming the conductor layer on the insulating layer in the circuit board manufacturing method. Additionally, steps (v) and (vi) may be repeatedly performed to alternately stack (build up) the redistribution layer and the redistribution formation layer.

(공정 (vii))(Process (vii))

공정 (vii)는, 재배선층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정이다. 솔더 레지스트층의 재료는, 절연성을 갖는 임의의 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 반도체 칩 패키지의 제조의 용이성의 관점에서, 감광성 수지 조성물 및 열경화성 수지 조성물이 바람직하다. 솔더 레지스트층은, 상술한 실시형태에 따른 경화체에 의해 형성해도 좋다.Step (vii) is a step of forming a solder resist layer on the redistribution layer. The material of the solder resist layer can be any material that has insulating properties. Among them, from the viewpoint of ease of manufacturing a semiconductor chip package, a photosensitive resin composition and a thermosetting resin composition are preferable. The solder resist layer may be formed from the cured body according to the above-described embodiment.

또한, 공정 (vii)에서는, 필요에 따라서, 범프를 형성하는 범핑 가공을 행하여도 좋다. 범핑 가공은, 땜납 볼, 땜납 도금 등의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 범핑 가공에서의 비아홀의 형성은, 공정 (v)와 동일하게 행하여도 좋다.Additionally, in step (vii), bumping processing to form bumps may be performed as needed. Bumping processing can be performed using methods such as solder balls and solder plating. In addition, formation of via holes in bumping processing may be performed in the same manner as step (v).

(공정 (viii))(Process (viii))

반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 공정 (i) 내지 (vii) 이외에, 공정 (viii)을 포함해도 좋다. 공정 (viii)은, 복수의 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지로 다이싱하여, 개편화하는 공정이다. 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지로 다이싱하는 방법은 특별히 한정되지 않는다.The method for manufacturing a semiconductor chip package may include step (viii) in addition to steps (i) to (vii). Process (viii) is a process of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and dividing them into individual semiconductor chip packages. The method of dicing a semiconductor chip package into individual semiconductor chip packages is not particularly limited.

<반도체 장치><Semiconductor device>

반도체 장치는, 상술한 회로 기판 또는 반도체 칩 패키지를 구비한다. 반도체 장치로서는, 예를 들어, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대전화, 스마트폰, 태블릿형 디바이스, 웨어러블 디바이스, 디지털 카메라, 의료 기기, 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 기차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.A semiconductor device includes the circuit board or semiconductor chip package described above. Examples of semiconductor devices include electrical appliances (e.g., computers, mobile phones, smartphones, tablet-type devices, wearable devices, digital cameras, medical devices, and televisions) and vehicles (e.g., two-wheeled vehicles). , automobiles, trains, ships, and aircraft, etc.) and various semiconductor devices.

[실시예][Example]

이하, 실시예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하의 설명에 있어서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도로 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 또한, 이하에 설명하는 조작은, 별도 명시가 없는 한, 상온 상압(25℃ 1기압) 대기 중에서 행하였다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples. However, the present invention is not limited to these examples. In the following description, “part” and “%” indicating quantity mean “part by mass” and “% by mass”, respectively, unless otherwise specified. In addition, the operations described below were performed in the air at room temperature and pressure (25°C, 1 atm), unless otherwise specified.

이하의 실시예에 있어서, 글리시딜아민형 에폭시 수지 「JER630LSD」, 페놀계 경화제 「LA-3018-50P」, 말레이미드 화합물 「SLK-6895-M90」, 비스말레이미드 수지 「BMI-3000」, 경화 촉진제 「1B2PZ」, 합성예 1에서 합성한 고분자 수지 A, 및 합성예 2에서 합성한 고분자 수지 D가, 질소 원자를 함유하는 수지 성분에 해당한다.In the following examples, glycidylamine type epoxy resin “JER630LSD”, phenolic curing agent “LA-3018-50P”, maleimide compound “SLK-6895-M90”, bismaleimide resin “BMI-3000”, The curing accelerator "1B2PZ", polymer resin A synthesized in Synthesis Example 1, and polymer resin D synthesized in Synthesis Example 2 correspond to the resin component containing a nitrogen atom.

<합성예 1. 고분자 수지 A의 합성><Synthesis Example 1. Synthesis of polymer resin A>

교반 장치, 온도계 및 콘덴서를 구비한 플라스크에, 271.7질량부의 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMAc)와, 14.1질량부(0.064mol)의 이소포론디이소시아네이트(IPDI)와, 112.2질량부(0.03mol)의 양 말단 OH기 폴리부타디엔(닛폰 소다 가부시키가이샤 제조 「G-3000」, 수산기가: 30mgKOH/g)을 공급하여 혼합 용액을 얻었다. 이 혼합 용액을 50℃까지 승온한 후, 이 온도에서 1시간 유지하였다. 그 다음에, 이소시아네이트기의 양이 소정값 이하인 것을 확인하고, 상기 혼합 용액에, 145.2질량부(0.09mol)의 양 말단 페놀성 수산기 함유 올리고페닐렌에테르 수지(Sabic사 제조 「SA90-100」, 수산기 당량: 807g/mol)와, 1질량부(0.003mol)의 벤조페논테트라카복실산 2무수물(BTDA)을 첨가하였다. 그 후, 혼합 용액을 140℃까지 승온한 후, 4시간 반응을 계속하였다. 적외 스펙트럼으로 특성 흡수를 측정하고, 이소시아네이트기의 특성 흡수인 2270cm-1의 흡수 피크가 완전히 소멸된 것을 확인하고, 점도의 상승이 멈춘 곳에서 반응을 종료하였다.In a flask equipped with a stirring device, a thermometer, and a condenser, 271.7 parts by mass of propylene glycol methyl ether acetate (PGMAc), 14.1 parts by mass (0.064 mol) of isophorone diisocyanate (IPDI), and 112.2 parts by mass (0.03 mol) were added. Polybutadiene with OH groups at both ends (“G-3000” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., hydroxyl value: 30 mgKOH/g) was supplied to obtain a mixed solution. This mixed solution was heated to 50°C and maintained at this temperature for 1 hour. Next, it was confirmed that the amount of isocyanate groups was below the predetermined value, and 145.2 parts by mass (0.09 mol) of oligophenylene ether resin containing phenolic hydroxyl groups at both terminals (“SA90-100” manufactured by Sabic, Inc.) was added to the mixed solution. Hydroxyl equivalent: 807 g/mol) and 1 mass part (0.003 mol) of benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA) were added. After that, the mixed solution was heated to 140°C, and the reaction was continued for 4 hours. The characteristic absorption was measured using an infrared spectrum, and it was confirmed that the absorption peak at 2270 cm -1 , which is the characteristic absorption of the isocyanate group, completely disappeared, and the reaction was terminated at the point where the increase in viscosity stopped.

이상과 같이 하여, 분자 말단이 페놀 수지(양 말단 페놀성 수산기 함유 올리고페닐렌에테르 수지)로 밀봉된 구조를 갖는 고분자 수지 A를 합성하여, 그 고분자 수지 A의 용액을 얻었다. 고분자 수지 A의 중량 평균 분자량은 15000, 고분자 수지 A의 용액의 불휘발 성분의 함유량은 50질량%였다.As described above, polymer resin A having a structure in which the molecular ends are sealed with a phenol resin (oligophenylene ether resin containing phenolic hydroxyl groups at both ends) was synthesized, and a solution of the polymer resin A was obtained. The weight average molecular weight of polymer resin A was 15000, and the content of non-volatile components in the solution of polymer resin A was 50 mass%.

<합성예 2. 고분자 수지 D의 합성><Synthesis Example 2. Synthesis of polymer resin D>

교반기, 분수기, 온도계 및 질소 가스 도입관을 구비한 반응 용기에, 방향족 테트라카복실산 2무수물(SABIC 재팬사 제조 「BisDA-1000」, 4,4'-(4,4')-이소프로필리덴디페녹시)비스프탈산 2무수물) 65.0g, 사이클로헥사논 266.5g, 및 메틸사이클로헥산 44.4g을 주입하여 용액을 얻었다. 이 용액을 60℃까지 가열하였다. 그 다음에, 다이머디아민(크로다 재팬사 제조 「PRIAMINE 1075」) 43.7g, 및 1,3-비스(아미노메틸)사이클로헥산 5.4g을 용액에 적하한 후, 140℃에서 1시간에 걸쳐 이미드화 반응시켰다. 이로써, 폴리이미드 수지인 고분자 수지 D를 포함하는 폴리이미드 용액(불휘발 성분 30질량%)을 얻었다. 고분자 수지 D의 중량 평균 분자량은 25000이었다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, fountain, thermometer, and nitrogen gas introduction tube, aromatic tetracarboxylic dianhydride (“BisDA-1000” manufactured by SABIC Japan, 4,4'-(4,4')-isopropylidene dipene was added. A solution was obtained by injecting 65.0 g of (noxy) bisphthalic dianhydride, 266.5 g of cyclohexanone, and 44.4 g of methylcyclohexane. This solution was heated to 60°C. Next, 43.7 g of dimerdiamine (“PRIAMINE 1075” manufactured by Croda Japan) and 5.4 g of 1,3-bis(aminomethyl)cyclohexane were added dropwise to the solution, followed by imidization at 140°C for 1 hour. reacted. As a result, a polyimide solution (30% by mass of non-volatile component) containing polymer resin D, which is a polyimide resin, was obtained. The weight average molecular weight of polymer resin D was 25000.

<실시예 1><Example 1>

(수지 바니시의 제조)(Manufacture of resin varnish)

비스페놀형 에폭시 수지(닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조 「ZX-1059」, 비스페놀A형과 비스페놀F형의 1:1 혼합품, 에폭시 당량 169g/eq.) 3부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-4032D」, 1,6-비스(글리시딜옥시)나프탈렌, 에폭시 당량 약 145g/eq.) 3부, 무기 충전재 2(아민계 알콕시실란 화합물(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C1」, 평균 입자직경 0.3㎛, 비표면적 15㎡/g)) 65부, 고분자 수지 A의 용액(불휘발 성분 50질량%) 20부, 말레이미드 화합물(신에츠 카가쿠 코교사 제조 액상 비스말레이미드 「SLK-6895-M90」, 불휘발 성분 90%질량%의 MEK 용액, 말레이미드기 당량 345g/eq.) 3.3부, 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 불휘발 성분 50%, 페놀성 수산기 당량 151g/eq.) 4부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이코교 제조 「1B2PZ」, 1-벤질-2-페닐이미다졸) 0.05부, 사이클로헥사논 15부, 및, 메틸에틸케톤 6부를, 믹서를 사용하여 균일하게 분산시켜서, 수지 바니시를 얻었다.3 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX-1059” manufactured by Nittetsu Chemical & Materials, 1:1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type, epoxy equivalent weight 169 g/eq.), naphthalene type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation) “HP-4032D”, 1,6-bis(glycidyloxy)naphthalene, epoxy equivalent approximately 145 g/eq.) 3 parts, 2 parts inorganic filler (amine-based alkoxysilane compound (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 65 parts of spherical silica surface-treated (“SO-C1” manufactured by Adomatex, average particle diameter 0.3 ㎛, specific surface area 15 m2/g), 20 parts of solution of polymer resin A (50% by mass of non-volatile components) , 3.3 parts of maleimide compound (liquid bismaleimide "SLK-6895-M90" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., MEK solution with 90% mass% non-volatile components, maleimide group equivalent 345 g/eq.), phenol-based curing agent ( “LA-3018-50P” manufactured by DIC, non-volatile component 50%, phenolic hydroxyl equivalent weight 151 g/eq.) 4 parts, curing accelerator (“1B2PZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo, 1-benzyl-2-phenylimida) 0.05 parts of sol), 15 parts of cyclohexanone, and 6 parts of methyl ethyl ketone were uniformly dispersed using a mixer to obtain a resin varnish.

(수지 시트의 제조)(Manufacture of resin sheet)

지지체로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레사 제조 「루미라 T6AM」, 두께 38㎛)을 준비하였다. 이 지지체 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 50㎛가 되도록 수지 바니시를 균일하게 도포하고, 80℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 6분간 건조시켜서, 수지 조성물층을 형성하였다.As a support, a polyethylene terephthalate film (“Lumira T6AM” manufactured by Torres, thickness 38 μm) was prepared. On this support, a resin varnish was uniformly applied so that the thickness of the dried resin composition layer was 50 μm, and dried at 80°C to 120°C (average 100°C) for 6 minutes to form a resin composition layer.

조면을 갖는 보호 필름(폴리프로필렌 필름, 오지 에프텍스사 제조 「알판 MA-430」, 두께 20㎛)을 준비하였다. 이 보호 필름의 조면을 수지 조성물층에 첩합하여, 지지체/수지 조성물층/보호 필름의 층 구성을 갖는 수지 시트를 얻었다.A protective film with a rough surface (polypropylene film, “Alpan MA-430” manufactured by Oji Ftex, Inc., thickness 20 μm) was prepared. The rough surface of this protective film was bonded to the resin composition layer to obtain a resin sheet having a layer structure of support/resin composition layer/protective film.

<실시예 2><Example 2>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-4032D」, 1,6-비스(글리시딜옥시)나프탈렌, 에폭시 당량 약 145g/eq.) 3부, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-6000L」, 에폭시 당량 215g/eq.) 3부, 무기 충전재 3(아민계 알콕시실란 화합물(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C4」, 평균 입자직경 1.0㎛, 비표면적 4.5㎡/g)) 90부, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「EXB8000L-65TM」, 활성기 당량 약 220g/eq., 불휘발 성분 65%의 톨루엔·MEK 용액) 1.54부, 고분자 수지 A의 용액(불휘발 성분 50질량%) 40부, 말레이미드 화합물(신에츠 카가쿠 코교사 제조 액상 비스말레이미드 「SLK-6895-M90」, 불휘발 성분 90질량%의 MEK 용액, 말레이미드기 당량 345g/eq.) 3.3부, 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 불휘발 성분 50%) 2부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조 「1B2PZ」, 1-벤질-2-페닐이미다졸) 0.05부, 사이클로헥사논 15부, 및, 메틸에틸케톤 6부를, 믹서를 사용하여 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 얻었다.Naphthalene type epoxy resin ("HP-4032D" manufactured by DIC, 1,6-bis(glycidyloxy)naphthalene, epoxy equivalent weight approximately 145 g/eq.) 3 parts, naphthylene ether type epoxy resin (HP-4032D manufactured by DIC) -6000L", epoxy equivalent weight 215g/eq.) 3 parts, 3 parts inorganic filler (spherical silica surface-treated with amine-based alkoxysilane compound ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) ("SO-C4" manufactured by Adomatex Corporation) ”, average particle diameter 1.0 ㎛, specific surface area 4.5 m2/g)) 90 parts, activated ester-based curing agent (“EXB8000L-65TM” manufactured by DIC, active group equivalent approximately 220 g/eq., toluene/MEK with 65% non-volatile component) solution) 1.54 parts, solution of polymer resin A (50 mass% of non-volatile components), 40 parts, maleimide compound (liquid bismaleimide "SLK-6895-M90" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 90 mass% of non-volatile components) MEK solution, maleimide group equivalent 345 g/eq.) 3.3 parts, phenolic hardener (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, non-volatile component 50%) 2 parts, curing accelerator (“1B2PZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Corporation) , 0.05 parts of 1-benzyl-2-phenylimidazole), 15 parts of cyclohexanone, and 6 parts of methyl ethyl ketone were uniformly dispersed using a mixer to obtain a resin varnish.

이렇게 해서 얻어진 수지 바니시를 실시예 1의 수지 바니시 대신에 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수지 시트를 제조하였다.A resin sheet was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the resin varnish obtained in this way was used instead of the resin varnish in Example 1.

<실시예 3><Example 3>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-4032D」, 1,6-비스(글리시딜옥시)나프탈렌, 에폭시 당량 약 145g/eq.) 3부, 글리시딜아민형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「JER630LSD」, 에폭시 당량 95g/eq.) 3부, 무기 충전재 1(아민계 알콕시실란 화합물(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)으로 표면 처리된 구형 실리카(DENKA사 제조 「UFP-30」, 평균 입자직경 1.0㎛, 비표면적 31㎡/g)) 50부, 크레졸 노볼락 수지(DIC사 제조 「KA-1160」, 수산기 당량=117g/eq.) 3g, 고분자 수지 A의 용액(불휘발 성분 50질량%) 20부, 말레이미드 화합물(신에츠 카가쿠 코교사 제조 액상 비스말레이미드 「SLK-6895-M90」, 불휘발 성분 90%질량%의 MEK 용액, 말레이미드기 당량 345g/eq.) 6.7부, 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 불휘발 성분 50%) 2부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조 「1B2PZ」, 1-벤질-2-페닐이미다졸) 0.05부, 사이클로헥사논 15부, 및, 메틸에틸케톤 6부를, 믹서를 사용하여 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 얻었다.Naphthalene type epoxy resin (“HP-4032D” manufactured by DIC, 1,6-bis(glycidyloxy)naphthalene, epoxy equivalent weight approximately 145 g/eq.) 3 parts, glycidylamine type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) “JER630LSD”, epoxy equivalent weight 95 g/eq.) 3 parts, inorganic filler 1 (spherical silica (“UFP-30” manufactured by DENKA) surface-treated with an amine-based alkoxysilane compound (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Average particle diameter 1.0 ㎛, specific surface area 31 m2/g)) 50 parts, cresol novolak resin (“KA-1160” manufactured by DIC, hydroxyl equivalent = 117 g/eq.) 3 g, solution of polymer resin A (non-volatile component 50 mass%) 20 parts, maleimide compound (liquid bismaleimide "SLK-6895-M90" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., MEK solution with 90% mass% non-volatile component, maleimide group equivalent 345 g/eq.) 6.7 Part, phenol-based curing agent (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, non-volatile component 50%), 2 parts, curing accelerator (“1B2PZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Corporation, 1-benzyl-2-phenylimidazole) 0.05 parts, 15 parts of cyclohexanone, and 6 parts of methyl ethyl ketone were uniformly dispersed using a mixer to obtain a resin varnish.

이렇게 해서 얻은 수지 바니시를 실시예 1의 수지 바니시 대신에 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 수지 시트를 제조하였다.A resin sheet was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the resin varnish obtained in this way was used instead of the resin varnish in Example 1.

<실시예 4><Example 4>

고분자 수지 A의 용액을, 고분자 수지 B로서의 수산기 함유 아크릴 폴리머(도아 코세이사 제조 「ARUFON UH-2000」, 중량 평균 분자량 11,000) 10부로 변경한 것 이외에는, 실시예 3과 동일한 방법으로, 수지 바니시 및 수지 시트의 제조를 행하였다.Resin varnish and A resin sheet was manufactured.

<실시예 5><Example 5>

고분자 수지 A의 용액을, 고분자 수지 C로서의 코어-셸(core-shell)형 폴리머 입자(Dow사 「EXL2655」; 부타디엔의 중합체로 형성된 코어부와, 스티렌 및 메틸메타크릴레이트의 공중합체로 형성된 셸부를 구비하는 코어 셸 입자; 평균 입자직경 0.2㎛) 4부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 수지 바니시 및 수지 시트의 제조를 행하였다.The solution of polymer resin A was mixed with core-shell type polymer particles as polymer resin C (“EXL2655” from Dow; a core portion formed of a polymer of butadiene and a shell formed of a copolymer of styrene and methyl methacrylate). A resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1, except that the number of core-shell particles (average particle diameter: 0.2 μm) was changed to 4 parts.

<실시예 6><Example 6>

고분자 수지 A의 용액을, 고분자 수지 D를 포함하는 폴리이미드 용액(불휘발 성분 30질량%) 33.3부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 수지 바니시 및 수지 시트의 제조를 행하였다.A resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1, except that the solution of polymer resin A was changed to 33.3 parts of a polyimide solution (non-volatile component 30% by mass) containing polymer resin D.

<실시예 7><Example 7>

고분자 수지 A의 용액을, 비스말레이미드 수지(Designer Molecules사 제조 「BMI-3000」, 분자량 3000, 말레이미드기 당량 1500g/eq.) 5부로 변경하였다. 또한, 말레이미드 화합물(신에츠 카가쿠 코교사 제조 액상 비스말레이미드 「SLK-6895-M90」, 불휘발 성분 90%질량%의 MEK 용액, 말레이미드기 당량 345g/eq.)의 양을 6.7부에서 3.3부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 3과 동일한 방법으로 수지 바니시 및 수지 시트의 제조를 행하였다.The solution of polymer resin A was changed to 5 parts of bismaleimide resin (“BMI-3000” manufactured by Designer Molecules, molecular weight 3000, maleimide group equivalent weight 1500 g/eq.). In addition, the amount of the maleimide compound (liquid bismaleimide "SLK-6895-M90" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., MEK solution with 90% mass% non-volatile components, maleimide group equivalent weight 345 g/eq.) was adjusted to 6.7 parts. Changed to part 3.3. Except for the above, the resin varnish and resin sheet were manufactured in the same manner as in Example 3.

<비교예 1><Comparative Example 1>

90부의 무기 충전재 3을, 무기 충전재 4(아민계 알콕시실란 화합물(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」))로 표면 처리된 구형 실리카 입자, 평균 입자직경 2.0㎛, 비표면적 2.0㎡/g) 100부로 변경하였다. 또한, 고분자 수지 A의 용액(불휘발 성분 50질량%)의 양을 40부에서 26부로 변경하였다. 또한, 말레이미드 화합물(신에츠 카가쿠 코교사 제조 액상 비스말레이미드 「SLK-6895-M90」, 불휘발 성분 90%질량%의 MEK 용액, 말레이미드기 당량 345g/eq.)을 사용하지 않았다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2와 동일한 방법으로 수지 바니시 및 수지 시트의 제조를 행하였다.90 parts of inorganic filler 3, spherical silica particles surface-treated with inorganic filler 4 (amine-based alkoxysilane compound (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Kogyo Co., Ltd.)), average particle diameter 2.0 ㎛, specific surface area 2.0 m2/g) 100 Changed to wealth. Additionally, the amount of the solution of polymer resin A (50% by mass of non-volatile components) was changed from 40 parts to 26 parts. In addition, a maleimide compound (liquid bismaleimide "SLK-6895-M90" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., MEK solution containing 90% by mass of non-volatile components, maleimide group equivalent of 345 g/eq.) was not used. Except for the above, the resin varnish and resin sheet were manufactured in the same manner as in Example 2.

<비교예 2><Comparative Example 2>

나프틸렌에테르형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-6000L」, 에폭시 당량 215g/eq.) 3부, 글리시딜아민형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「JER630LSD」, 에폭시 당량 95g/eq.) 4부, 무기 충전재 3(아민계 알콕시실란 화합물(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C4」, 평균 입자직경 1.0㎛, 비표면적 4.5㎡/g)) 90부, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「EXB8000L-65TM」, 활성기 당량 약 220g/eq., 불휘발 성분 65%의 톨루엔·MEK 용액) 1.54부, 고분자 수지 A의 용액(불휘발 성분 50질량%) 14부, 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 불휘발 성분 50%) 8부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조 「1B2PZ」, 1-벤질-2-페닐이미다졸) 0.05부, 사이클로헥사논 15부, 및, 메틸에틸케톤 6부를, 믹서를 사용하여 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 얻었다.Naphthylene ether type epoxy resin (“HP-6000L” manufactured by DIC, epoxy equivalent 215 g/eq.) 3 parts, glycidylamine type epoxy resin (“JER630LSD” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 95 g/eq.) 4 parts Part, inorganic filler 3 (spherical silica (“SO-C4” manufactured by Adomatex Co., Ltd.) surface-treated with an amine-based alkoxysilane compound (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), average particle diameter 1.0 μm, specific surface area 4.5 m2. /g)) 90 parts, activated ester curing agent (“EXB8000L-65TM” manufactured by DIC, active group equivalent of about 220 g/eq., toluene/MEK solution with 65% non-volatile components) 1.54 parts, solution of polymer resin A (non-volatile) 14 parts of phenol-based hardener ("LA-3018-50P" manufactured by DIC, 50% non-volatile component), 8 parts of curing accelerator ("1B2PZ" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Corporation, 1-benzyl-2) -0.05 parts of phenylimidazole, 15 parts of cyclohexanone, and 6 parts of methyl ethyl ketone were uniformly dispersed using a mixer to obtain a resin varnish.

이렇게 해서 얻은 수지 바니시를 실시예 1의 수지 바니시 대신에 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수지 시트를 제조하였다.A resin sheet was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the resin varnish obtained in this way was used instead of the resin varnish in Example 1.

<비교예 3><Comparative Example 3>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-4032D」, 1,6-비스(글리시딜옥시)나프탈렌, 에폭시 당량 약 145g/eq.) 3부, 에폭시기 함유 변성 실리콘 수지(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「X-22-2000」, 에폭시 당량 620/eq.) 3부, 무기 충전재 3(아민계 알콕시실란 화합물(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C4」, 평균 입자직경 1.0㎛, 비표면적 4.5㎡/g)) 90부, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「EXB-8000L-65TM」, 활성기 당량 약 220g/eq., 불휘발 성분 65%의 톨루엔·MEK 용액) 1.54부, 고분자 수지 A의 용액(불휘발 성분 50질량%) 40부, 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 불휘발 성분 50%) 2부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조 「1B2PZ」, 1-벤질-2-페닐이미다졸) 0.05부, 사이클로헥사논 15부, 및, 메틸에틸케톤 6부를, 믹서를 사용하여 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 얻었다.3 parts of naphthalene type epoxy resin (“HP-4032D” manufactured by DIC, 1,6-bis(glycidyloxy)naphthalene, epoxy equivalent weight approximately 145 g/eq.), 3 parts of modified silicone resin containing an epoxy group (manufactured by Shinetsu Chemical Co., Ltd.) “X-22-2000”, epoxy equivalent weight 620/eq.) 3 parts, inorganic filler 3 (spherical silica surface-treated with amine-based alkoxysilane compound (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (manufactured by Adomatex) “SO-C4”, average particle diameter 1.0㎛, specific surface area 4.5㎡/g))) 90 parts, activated ester curing agent (“EXB-8000L-65TM” manufactured by DIC, active group equivalent approximately 220g/eq., non-volatile component) 1.54 parts of 65% toluene/MEK solution), 40 parts of polymer resin A solution (50% by mass of non-volatile components), 2 parts of phenol-based curing agent (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, 50% of non-volatile components) , 0.05 parts of curing accelerator (“1B2PZ”, 1-benzyl-2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), 15 parts of cyclohexanone, and 6 parts of methyl ethyl ketone were uniformly dispersed using a mixer, Got a resin varnish.

이렇게 해서 얻어진 수지 바니시를 실시예 1의 수지 바니시 대신에 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수지 시트를 제조하였다.A resin sheet was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the resin varnish obtained in this way was used instead of the resin varnish in Example 1.

<시험 1. 접촉각 X의 측정><Test 1. Measurement of contact angle

(내층 회로 기판의 하지 처리)(Basic processing of inner layer circuit board)

내층 회로 기판으로서, 구리에 의해 내층 회로를 형성한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18㎛, 기판의 두께 0.4mm, 파나소닉사 제조 「R1515A」)을 준비하였다. 이 내층 회로 기판의 양면을 마이크로에칭제(메크사 제조 「CZ8101」)로 1㎛ 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 행하였다.As an inner layer circuit board, a glass cloth-based epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.4 mm, “R1515A” manufactured by Panasonic Corporation) in which the inner layer circuit was formed with copper was prepared. Both sides of this inner-layer circuit board were etched by 1 μm with a microetchant (“CZ8101” manufactured by Mech Co., Ltd.) to roughen the copper surface.

(경화 시료층의 형성)(Formation of hardened sample layer)

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 시트로부터 보호 필름을 벗겨서, 수지 조성물층을 노출시켰다. 배치(batch)식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈사 제조, 2스테이지 빌드업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물층이 상기 내층 회로 기판과 접하도록, 내층 회로 기판의 양면에 라미네이트하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 조정한 후, 120℃, 압력 0.74MPa에서 30초간 압착시킴으로써 실시하였다. 그 다음에, 100℃, 압력 0.5MPa에서 60초간 열프레스를 행하였다. 그 후, 지지체를 벗겨서, 수지 조성물층을 노출시켰다.The protective film was peeled off from the resin sheets produced in Examples and Comparative Examples, and the resin composition layer was exposed. Using a batch vacuum pressure laminator (Nikko Materials, two-stage build-up laminator "CVP700"), it was laminated on both sides of the inner layer circuit board so that the resin composition layer was in contact with the inner layer circuit board. Lamination was performed by depressurizing for 30 seconds to adjust the atmospheric pressure to 13 hPa or less, and then compressing at 120°C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Next, heat pressing was performed at 100°C and a pressure of 0.5 MPa for 60 seconds. After that, the support was peeled off to expose the resin composition layer.

200℃ 90분의 경화 조건으로 수지 조성물층을 경화하여, 내층 회로 기판 위에 경화 시료층을 형성하였다.The resin composition layer was cured under curing conditions of 200°C for 90 minutes to form a cured sample layer on the inner layer circuit board.

경화 시료층의 표면에 대한 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 접촉각 X를, 액적법에 의해, 자동 접촉각계(쿄와 카이멘 카가쿠사 제조 「DropMaster DMs-401」)를 이용하여 측정하였다. 구체적으로는, 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르를 주사기에 충전하고, 1.0μL의 액적을 제작하고, 경화 시료층의 표면에 부착시켰다. 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르가 부착하여 2000ms 후의 접촉각 X(°)를, 상기의 자동 접촉각계로 측정하였다.The contact angle . Specifically, diethylene glycol-mono-n-butyl ether was filled into a syringe, a 1.0 μL droplet was created, and it was adhered to the surface of the cured sample layer. Diethylene glycol-mono-n-butyl ether adhered and the contact angle

<시험 2. XPS 측정><Test 2. XPS measurement>

(내층 회로 기판의 하지 처리)(Basic processing of inner layer circuit board)

내층 회로 기판으로서, 구리에 의해 내층 회로를 형성한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18㎛, 기판의 두께 0.4mm, 파나소닉사 제조 「R1515A」)을 준비하였다. 이 내층 회로 기판의 양면을 마이크로에칭제(메크사 제조 「CZ8101」)로 1㎛ 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 행하였다.As an inner layer circuit board, a glass cloth-based epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.4 mm, “R1515A” manufactured by Panasonic Corporation) in which the inner layer circuit was formed with copper was prepared. Both sides of this inner-layer circuit board were etched by 1 μm with a microetchant (“CZ8101” manufactured by Mech Co., Ltd.) to roughen the copper surface.

(경화 시료층의 형성)(Formation of hardened sample layer)

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 시트로부터 보호 필름을 벗겨서, 수지 조성물층을 노출시켰다. 배치식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈사 제조, 2스테이지 빌드업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물층이 상기 내층 회로 기판과 접하도록, 내층 회로 기판의 양면에 라미네이트하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 조정한 후, 120℃, 압력 0.74MPa에서 30초간 압착시킴으로써 실시하였다. 그 다음에, 100℃, 압력 0.5MPa에서 60초간 열 프레스를 행하였다. 그 후, 지지체를 벗겨서, 수지 조성물층을 노출시켰다.The protective film was peeled off from the resin sheets produced in Examples and Comparative Examples, and the resin composition layer was exposed. Using a batch type vacuum pressurized laminator (Nikko Materials, two-stage build-up laminator "CVP700"), it was laminated on both sides of the inner layer circuit board so that the resin composition layer was in contact with the inner layer circuit board. Lamination was performed by depressurizing for 30 seconds to adjust the atmospheric pressure to 13 hPa or less, and then compressing at 120°C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Next, heat pressing was performed at 100°C and a pressure of 0.5 MPa for 60 seconds. After that, the support was peeled off to expose the resin composition layer.

200℃ 90분의 경화 조건으로 수지 조성물층을 경화하여, 내층 회로 기판 위에 경화 시료층을 형성하였다.The resin composition layer was cured under curing conditions of 200°C for 90 minutes to form a cured sample layer on the inner layer circuit board.

(XPS 측정)(XPS measurement)

경화 시료층의 표면에 대하여, 주사형 X선 광전자 분광 분석 장치(알박파이사 제조 「PHI Quantera II」)를 이용하여 XPS 측정을 행하였다. 측정된 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여, 경화 시료층의 표면의 질소 원자 농도를 구하였다. XPS 측정은, 하기의 측정 조건으로 행하였다.XPS measurement was performed on the surface of the cured sample layer using a scanning X-ray photoelectron spectroscopic analyzer (“PHI Quantera II” manufactured by Albak Phi Co., Ltd.). Based on the peak area of the measured N1s spectrum, the nitrogen atom concentration on the surface of the cured sample layer was determined. XPS measurement was performed under the following measurement conditions.

XPS 측정 조건:XPS measurement conditions:

X선 빔 직경 100㎛, 에너지 25W, 가속 전압 15kVX-ray beam diameter 100㎛, energy 25W, acceleration voltage 15kV

<시험 3. 절연층과 도체층 사이의 필 강도(밀착 강도)의 측정><Test 3. Measurement of peel strength (adhesion strength) between insulating layer and conductor layer>

(샘플의 조제)(Preparation of samples)

(1) 내층 회로 기판의 하지 처리:(1) Base processing of inner layer circuit board:

내층 회로 기판으로서, 구리에 의해 내층 회로를 형성한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18㎛, 기판 두께 0.4mm, 파나소닉사 제조 「R1515A」)을 준비하였다. 이 내층 회로 기판의 양면을, 마이크로에칭제(메크사 제조 「CZ8101」)로 1㎛ 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 행하였다.As an inner layer circuit board, a glass cloth-based epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.4 mm, “R1515A” manufactured by Panasonic Corporation) in which the inner layer circuit was formed with copper was prepared. Both sides of this inner layer circuit board were etched to 1 µm with a microetchant (“CZ8101” manufactured by Mech Co., Ltd.) to roughen the copper surface.

(2) 수지 시트의 적층:(2) Lamination of resin sheets:

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 시트로부터 보호 필름을 벗겼다. 이 수지 시트를, 배치식 진공 가압 라미네이터(메이키 세사쿠쇼사 제조 「MVLP-500」)를 이용하여, 수지 조성물층이 내층 회로 기판과 접하도록, 내층 회로 기판의 양면에 적층하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa에서 30초간 라미네이트 처리함으로써 행하였다.The protective film was peeled off from the resin sheets produced in Examples and Comparative Examples. This resin sheet was laminated on both sides of the inner layer circuit board using a batch type vacuum pressure laminator (“MVLP-500” manufactured by Makey Sesakusho) so that the resin composition layer was in contact with the inner layer circuit board. Lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds to bring the atmospheric pressure to 13 hPa or less, and then laminating at 100°C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds.

(3) 수지 조성물층의 경화:(3) Curing of the resin composition layer:

적층된 수지 시트를, 100℃에서 30분간, 그 다음에 170℃에서 30분간 가열하고, 수지 조성물층을 열경화하여 경화체로서의 절연층을 형성하였다. 그 후, 지지체를 박리하여 절연층/내층 회로 기판/절연층의 층 구성을 갖는 중간 적층체를 얻었다.The laminated resin sheets were heated at 100°C for 30 minutes and then at 170°C for 30 minutes to heat-cure the resin composition layer to form an insulating layer as a cured body. Thereafter, the support was peeled off to obtain an intermediate laminate having a layer structure of insulating layer/inner layer circuit board/insulating layer.

(4) 자외선 처리:(4) UV treatment:

지지체를 박리하여 나타난 상기 절연층의 면에, 파장 172㎚의 자외선을, 25℃에서 10초간 조사하였다.The surface of the insulating layer revealed by peeling off the support was irradiated with ultraviolet rays with a wavelength of 172 nm at 25°C for 10 seconds.

(5) 실란 커플링 처리:(5) Silane coupling treatment:

물에 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM903」, 3-아미노-프로필트리메톡시실란) 및 글리콜계 용제(디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르)를 용해한 실란 커플링제 용액(실란 커플링제의 농도가 5g/L, 글리콜계 용제의 농도가 350g/L)을 준비하였다. 용액의 pH는 5.0이었다. 이 실란 커플링제 용액에, 중간 적층체를, 40℃에서 10분간 침지하였다. 그 후, 중간 적층체를 60℃ 10분 건조하여, 시료 기판 A를 얻었다.A silane coupling agent solution (Silane The concentration of the coupling agent was 5 g/L and the concentration of the glycol solvent was 350 g/L. The pH of the solution was 5.0. The intermediate laminate was immersed in this silane coupling agent solution at 40°C for 10 minutes. After that, the intermediate laminate was dried at 60°C for 10 minutes to obtain sample substrate A.

(6) 열처리:(6) Heat treatment:

시료 기판 A에, 160℃ 10분의 열처리를 가하였다.Heat treatment at 160°C for 10 minutes was applied to sample substrate A.

(7) 무전해 도금 공정:(7) Electroless plating process:

1. 알칼리 클리닝:1. Alkaline cleaning:

열처리 후의 시료 기판 A의 표면을, Cleaning Cleaner Securiganth 902(상품명)를 사용하여 60℃에서 5분간 세정하였다.The surface of sample substrate A after heat treatment was cleaned at 60°C for 5 minutes using Cleaning Cleaner Securiganth 902 (brand name).

2. 소프트 에칭:2. Soft etching:

계속해서 시료 기판 A의 표면을, 황산 산성 퍼옥소이황산나트륨 수용액을 사용하여, 30℃에서 1분간 처리하였다.Subsequently, the surface of sample substrate A was treated at 30°C for 1 minute using an aqueous sulfuric acidic sodium peroxodisulfate solution.

3. 프리딥(Pd 부여를 위한 절연층의 표면의 전하의 조정):3. Pre-dip (adjustment of charge on the surface of the insulating layer to impart Pd):

이어서 샘플 기판 A의 표면을, Pre. Dip Neoganth B(상품명)를 사용하여, 실온에서 1분간 처리하였다.The surface of sample substrate A was then treated with Pre. Dip Neoganth B (brand name) was used and treated at room temperature for 1 minute.

4. 액티베이터 부여(절연층의 표면으로의 Pd의 부여):4. Provision of activator (provision of Pd to the surface of the insulating layer):

이어서 샘플 기판 A의 표면을, Activator Neoganth 834(상품명)를 사용하여, 35℃에서 5분간 처리하였다.Next, the surface of sample substrate A was treated at 35°C for 5 minutes using Activator Neoganth 834 (brand name).

5. 환원(절연층에 부여된 Pd를 환원):5. Reduction (reduction of Pd given to the insulating layer):

이어서 시료 기판 A의 표면을, Reducer Neoganth WA(상품명)와 Reducer Acceralator 810 mod.(상품명)과의 혼합액을 사용하여, 30℃에서 5분간 처리하였다.Next, the surface of sample substrate A was treated at 30°C for 5 minutes using a mixture of Reducer Neoganth WA (brand name) and Reducer Acceralator 810 mod. (brand name).

6. 무전해 구리 도금 공정(Cu를 절연층의 표면(Pd 표면)에 석출):6. Electroless copper plating process (Cu is deposited on the surface of the insulating layer (Pd surface)):

이어서 시료 기판 A의 표면을, Basic Solution Printganth MSK-DK(상품명)과, Copper solution Printganth MSK(상품명)와, Stabilizer Printganth MSK-DK(상품명)와, Reducer Cu(상품명)과의 혼합액을 사용하여, 35℃에서 20분간 처리하였다. 이상의 조작에 의해, 절연층의 표면에 무전해 구리 도금층(두께 0.8㎛)이 형성되었다. 그 후, 열처리를 150℃ 30분 실시하였다.Next, the surface of sample substrate A was treated with a mixture of Basic Solution Printganth MSK-DK (brand name), Copper solution Printganth MSK (brand name), Stabilizer Printganth MSK-DK (brand name), and Reducer Cu (brand name). Treated at 35°C for 20 minutes. Through the above operation, an electroless copper plating layer (0.8 μm thick) was formed on the surface of the insulating layer. After that, heat treatment was performed at 150°C for 30 minutes.

7. 전해 도금 공정:7. Electrolytic plating process:

그 다음에, 아토텍 재팬사 제조의 약액을 사용하여, 전해 구리 도금 공정을 행하여 전해 도금층을 형성하였다. 무전해 구리 도금층 및 전해 도금층의 조합에 의해, 도체층(두께 25㎛)이 형성되었다. 다음에, 어닐 처리를 200℃에서 90분간 행하여, 시료 기판 B를 얻었다.Next, using a chemical solution manufactured by Atotech Japan, an electrolytic copper plating process was performed to form an electrolytic plating layer. A conductor layer (25 μm thick) was formed by combining the electroless copper plating layer and the electrolytic plating layer. Next, annealing was performed at 200°C for 90 minutes to obtain sample substrate B.

(HAST 시험 전의 필 강도의 측정)(Measurement of peel strength before HAST test)

절연층과 도체층 사이의 필 강도의 측정은, 시료 기판 B에 대하여, JIS C6481에 준거하여 행하였다. 구체적으로는, 하기의 방법에 의해 필 강도를 측정하였다. The peeling strength between the insulating layer and the conductor layer was measured for sample substrate B based on JIS C6481. Specifically, the peeling strength was measured by the following method.

샘플 기판 (B)의 도체층에, 폭 10㎜, 길이 100㎜의 직사각형 부분을 둘러싸는 절개를 형성하였다. 이 직사각형 부분의 일단을 벗겨서, 집기구로 집었다. 집기구로 직사각형 부분을, 실온 중에서, 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 35mm를 떼어냈을 때의 하중(kgf/cm)을 측정하여, 필 강도(HAST 시험 전의 필 강도)를 구하였다. 측정에는, 인장 시험기(TSE사 제조 「AC-50C-SL」)를 사용하였다.A cut was formed in the conductor layer of the sample substrate (B) surrounding a rectangular portion with a width of 10 mm and a length of 100 mm. One end of this rectangular part was peeled off and picked up with a kitchen utensil. The load (kgf/cm) when 35 mm of the rectangular part was peeled off in the vertical direction at a speed of 50 mm/min at room temperature was measured with a clamp, and the peel strength (peel strength before the HAST test) was determined. For the measurement, a tensile tester (“AC-50C-SL” manufactured by TSE) was used.

(HAST 시험 후의 필 강도의 측정)(Measurement of peel strength after HAST test)

그 후, 시료 기판 B에, 고도 가속 수명 시험 장치(쿠스모토 카세이사 제조 「PM422」)를 이용하여, 130℃, 85%RH의 고온 고습 조건으로 100시간의 HAST 시험을 실시하였다. 그 후, 상기의 HAST 시험 후의 시료 기판 B의 도체층에 상기의 공정(HAST 시험 전의 필 강도의 측정)과 동일한 방법으로, 절개를 형성하여 필 강도(HAST 시험 후의 필 강도)를 측정하였다.Thereafter, a HAST test was performed on sample substrate B for 100 hours using a highly accelerated life test device (“PM422” manufactured by Kusumoto Kasei Co., Ltd.) under high temperature and high humidity conditions of 130°C and 85%RH. After that, an incision was made in the conductor layer of sample substrate B after the HAST test described above in the same manner as the above process (measurement of peel strength before the HAST test), and the peel strength (peel strength after the HAST test) was measured.

<시험 4. 표면 거칠기 Ra 및 Rz의 측정><Test 4. Measurement of surface roughness Ra and Rz>

상기의 시험 3에서 얻은 시료 기판 A(실란 커플링 처리 후, 열처리 전의 시료 기판 A)의 절연층의 면에 대하여, 일본 공업 규격(JIS B0601-2001)으로 규정된 산술 평균 거칠기 Ra 및 최대 높이 Rz를 측정하였다. 측정은, 비접촉형 표면 조도계(비코 인스트루먼츠사 제조 「WYKO NT3300」)를 사용하여, VSI 모드, 50배 렌즈에 의해, 측정 범위를 121㎛×92㎛로 하여 행하였다.For the surface of the insulating layer of sample substrate A (sample substrate A after silane coupling treatment and before heat treatment) obtained in Test 3 above, the arithmetic mean roughness Ra and maximum height Rz specified in Japanese Industrial Standards (JIS B0601-2001) was measured. The measurement was performed using a non-contact surface roughness meter (“WYKO NT3300” manufactured by Vico Instruments) in VSI mode with a 50x lens, with a measurement range of 121 µm x 92 µm.

<시험 5. 가교 밀도 n의 측정><Test 5. Measurement of crosslink density n>

폴리이미드 필름(토레 듀폰사 제조 「캡톤 200EN」)을 폴리이미드 기재로서 준비하였다. 실시예 및 비교예에서 제작한 수지 시트로부터 보호 필름을 벗겼다. 이 수지 시트를, 배치식 진공 가압 라미네이터(메이키 세사쿠쇼사 제조 「MVLP-500」)를 이용하여, 수지 조성물층이 폴리이미드 기재와 접하도록, 폴리이미드 기재의 편면에 적층하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 라미네이트 처리함으로써 행하였다. 상기의 적층에 의해, 폴리이미드 기재 부착 수지 시트를 얻었다.A polyimide film (“Kapton 200EN” manufactured by Torre DuPont) was prepared as a polyimide substrate. The protective film was peeled off from the resin sheets produced in Examples and Comparative Examples. This resin sheet was laminated on one side of the polyimide substrate using a batch type vacuum pressure laminator (“MVLP-500” manufactured by Makey Sesakusho) so that the resin composition layer was in contact with the polyimide substrate. Lamination was performed by depressurizing for 30 seconds to bring the atmospheric pressure to 13 hPa or less, and then laminating at 100°C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. By the above lamination, a resin sheet with a polyimide base material was obtained.

폴리이미드 기재 부착 수지 시트를, 12인치 실리콘 웨이퍼 위에, 폴리이미드 기재측이 실리콘 웨이퍼에 접하도록 두었다. 폴리이미드 테이프로, 폴리이미드 기재 부착 수지 시트 4변을 실리콘 웨이퍼에 부착하였다. 100℃에서 30분간, 그 다음에 170℃에서 30분간 가열하고, 수지 조성물층을 열경화하여, 경화체로서의 절연층을 형성하였다. 그 후, 지지체를 박리하여, 절연층/폴리이미드 기재/실리콘 웨이퍼의 구성을 갖는 중간 적층체를 얻었다.A resin sheet with a polyimide substrate was placed on a 12-inch silicon wafer with the polyimide substrate side in contact with the silicon wafer. The four sides of the polyimide base-attached resin sheet were attached to the silicon wafer with polyimide tape. The resin composition layer was heat-cured by heating at 100°C for 30 minutes and then at 170°C for 30 minutes to form an insulating layer as a cured body. After that, the support was peeled off to obtain an intermediate laminate having a structure of insulating layer/polyimide base material/silicon wafer.

지지체를 박리하여 나타난 상기 절연층의 면에, 파장 172㎚의 자외선을, 25℃에서 10초간 조사하였다.The surface of the insulating layer revealed by peeling off the support was irradiated with ultraviolet rays with a wavelength of 172 nm at 25°C for 10 seconds.

물에 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM903」, 3-아미노-프로필트리메톡시실란) 및 글리콜계 용제(디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르)를 용해한 실란 커플링제 용액(실란 커플링제의 농도가 5g/L, 글리콜계 용제의 농도가 350g/L)을 준비하였다. 용액의 pH는 5.0이었다. 이 실란 커플링제 용액에, 중간 적층체를, 40℃에서 10분간 침지하였다. 그 후, 중간 적층체를 60℃ 10분에서 건조하고, 추가로 180℃ 60분의 열처리를 가하여, 시료 기판 C를 얻었다.A silane coupling agent solution (Silane The concentration of the coupling agent was 5 g/L and the concentration of the glycol solvent was 350 g/L. The pH of the solution was 5.0. The intermediate laminate was immersed in this silane coupling agent solution at 40°C for 10 minutes. After that, the intermediate laminate was dried at 60°C for 10 minutes and further subjected to heat treatment at 180°C for 60 minutes to obtain sample substrate C.

열처리 후의 시료 기판 C로부터 절연층을 떼어내어 경화체를 얻었다. 이 경화체를 폭 5mm, 길이 15mm로 절단하여 시험편 D를 얻었다. 이 시험편 D에 대하여, 점탄성 측정 장치(히타치 하이테크 사이언스사 제조 「DMA7100」)를 이용하여, 인장 가중법으로 열기계 분석을 행하였다. 구체적으로는, 시험편 C를 상기 열기계 분석 장치에 장착한 후, 하중 200mN, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로, 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 측정하였다.The insulating layer was removed from the sample substrate C after heat treatment, and a cured body was obtained. This hardened body was cut into pieces with a width of 5 mm and a length of 15 mm to obtain test piece D. Thermomechanical analysis was performed on this test piece D by the tensile weighting method using a viscoelasticity measuring device (“DMA7100” manufactured by Hitachi High-Tech Science). Specifically, after mounting the test piece C on the thermomechanical analysis device, the storage modulus and loss modulus were measured under the measurement conditions of a load of 200 mN and a temperature increase rate of 5°C/min.

측정 결과로서 얻어지는 tanδ(저장 탄성률 및 손실 탄성률의 비의 온도 의존 곡선)의 피크 탑으로부터, 유리 전이 온도 Tg(℃)를 취득하였다.The glass transition temperature Tg (°C) was obtained from the peak top of tanδ (temperature dependence curve of the ratio of storage elastic modulus and loss modulus) obtained as a measurement result.

이어서, 유리 전이 온도 Tg보다도 80K 높은 소정의 온도 T(K)를 결정하였다. 구체적으로는, 취득한 유리 전이 온도 Tg(℃)를 단위 K로 환산하기 위해 273K를 가산하고, 추가로, 80K를 가산하여, 소정의 온도 T(K)를 결정하였다. 또한, 소정의 온도 T(K) 근방의 온도 영역에서는, 저장 탄성률의 값은 크게 변동되지 않는 경향이 있으므로, 결정한 소정의 온도 T(K)에 관하여, -5℃ 내지 +5℃의 범위 내에서 오차가 생길 수 있는 것은 허용된다. 그리고, 결정한 소정의 온도 T(K)에서의 저장 탄성률의 측정값 E'(단위: GPa, 즉, ×109Pa)를 취득하였다.Next, a predetermined temperature T(K), which was 80K higher than the glass transition temperature Tg, was determined. Specifically, to convert the obtained glass transition temperature Tg (°C) into a unit K, 273 K was added, and 80 K was further added to determine the predetermined temperature T (K). In addition, in the temperature range around the predetermined temperature T(K), the value of the storage elastic modulus tends not to vary significantly, so it is within the range of -5°C to +5°C with respect to the determined predetermined temperature T(K). It is acceptable for errors to occur. Then, the measured value E' (unit: GPa, i.e., ×10 9 Pa) of the storage elastic modulus at the determined predetermined temperature T (K) was obtained.

취득한 저장 탄성률 E'(Pa)를, 이하의 식(M1)에 대입함으로써, 가교 밀도 n(mol/㎤)을 산출하였다. 여기서, 가교 밀도 n은, 단위 체적당에 존재하는 가교 분자의 수를 나타내는 지표로서 생각하는 것이 가능하다.The crosslinking density n (mol/cm 3 ) was calculated by substituting the obtained storage elastic modulus E' (Pa) into the following equation (M1). Here, the crosslinking density n can be considered as an index representing the number of crosslinked molecules present per unit volume.

n=E'/3RT   (M1)n=E'/3RT   (M1)

(상기 식 (M1)에 있어서, T는, 소정의 온도 T(K)를 나타내고; E'는, 소정의 온도 T(K)에서의 저장 탄성률의 측정값(Pa)을 나타내고; R은, 기체 상수로서의 8310000(Pa·㎤/mol·K)을 나타낸다. 또한, E'/3으로서, 소정의 온도 T(K)에서의 전단 탄성률 G'의 측정값(109Pa)을 사용해도 좋다.)(In the above formula (M1), T represents a predetermined temperature T(K); E' represents the measured value (Pa) of the storage elastic modulus at a predetermined temperature T(K); R represents the gas It represents 8310000 (Pa·cm3/mol·K) as a constant. Additionally, the measured value of shear modulus G' (10 9 Pa) at a given temperature T (K) may be used as E'/3.

<시험 6. 유전정접의 측정><Test 6. Measurement of dielectric loss tangent>

상기의 시험 5에서 얻은 시료 기판 C로부터 절연층을 떼어내어 경화체를 얻었다. 이 경화체에 대하여, 아질렌트 테크놀로지스사 제조 「HP8362B」를 이용하여, 공동 공진 섭동법에 의해 측정 주파수 5.8GHz, 측정 온도 23℃에서 유전정접 Df를 측정하였다. 3개의 시험편에 대하여 측정을 행하고, 평균값을 산출하였다.The insulating layer was removed from the sample substrate C obtained in Test 5 above, and a cured body was obtained. For this cured body, the dielectric loss tangent Df was measured at a measurement frequency of 5.8 GHz and a measurement temperature of 23°C by the cavity resonance perturbation method using “HP8362B” manufactured by Agilent Technologies. Measurements were made on three test pieces, and the average value was calculated.

<시험 7. 저장 탄성률 및 유리 전이 온도의 측정><Test 7. Measurement of storage modulus and glass transition temperature>

상기의 시험 5에서 얻은 시료 기판 C로부터 절연층을 떼어내어 경화체를 얻었다. 이 경화체를 절단하여, 폭 7mm, 길이 40mm의 시험편을 얻었다. 이 시험편에 대하여, 동적 기계 분석 장치(세이코 인스트루먼츠사 제조 「DMS-6100」)를 사용하여, 인장 모드로 동적 기계 분석을 행하였다. 구체적으로는, 시험편을 상기 장치에 장착 후, 주파수 1Hz, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로 측정하였다. 이러한 측정에서의 25℃일 때의 저장 탄성률(E')을 판독하였다. 또한, tanδ가 최대가 되는 온도를, 유리 전이 온도 Tg로서 판독하였다.The insulating layer was removed from the sample substrate C obtained in Test 5 above, and a cured body was obtained. This cured body was cut to obtain a test piece with a width of 7 mm and a length of 40 mm. For this test piece, dynamic mechanical analysis was performed in tensile mode using a dynamic mechanical analysis device (“DMS-6100” manufactured by Seiko Instruments). Specifically, the test piece was mounted on the above device and measured under measurement conditions of a frequency of 1 Hz and a temperature increase rate of 5°C/min. The storage modulus (E') at 25°C in these measurements was read. Additionally, the temperature at which tan δ reached its maximum was read as the glass transition temperature Tg.

<결과><Result>

상술한 실시예 및 비교예의 결과를, 하기의 표에 나타낸다. 하기 표에서, 각 성분의 양은, 불휘발 성분의 질량부를 나타낸다. 또한, 약칭의 의미는, 이하와 같다.The results of the above-mentioned examples and comparative examples are shown in the table below. In the table below, the amount of each component represents the mass part of the non-volatile component. In addition, the meaning of the abbreviated name is as follows.

Ra: 산술 평균 거칠기.Ra: Arithmetic mean roughness.

Rz: 최대 높이.Rz: Maximum height.

Tg: 유리 전이 온도.Tg: Glass transition temperature.

HAST 전의 필 강도: HAST 시험 전의 절연층과 도체층 사이의 필 강도.Peel strength before HAST: Peel strength between the insulating layer and the conductor layer before the HAST test.

HAST 후의 필 강도: HAST 시험 후의 절연층과 도체층 사이의 필 강도.Peel strength after HAST: Peel strength between the insulating layer and the conductor layer after the HAST test.

<검토><Review>

비교예 1에서는, 경화체의 면의 표면 거칠기가 크고, 따라서, 높은 밀착성을 얻을 수 없었다. 또한, 비교예 2는, HAST 시험 전에는 높은 밀착성을 얻을 수 있었지만, HAST 시험에 의해 도체층에 부풀음이 생겨, HAST 시험 후의 필 강도의 측정 자체를 할 수 없었다. 비교예 2에서는 경화 시료층의 표면의 질소 원자 농도가 커서, 절연층의 표면에서도 질소 원자 농도가 크고, 따라서 흡수가 많아져 부풀음이 생긴 것이라고 추측된다. 또한, 비교예 3에서는, HAST 시험 전에 높은 밀착성을 얻을 수 없었다. 비교예 3에서는 경화 시료층의 표면의 접촉각 X가 커서, 실란 커플링제 처리의 처리액과 절연층의 융합성이 낮고, 따라서 밀착성의 향상 효과를 충분히 얻을 수 없었던 것이라고 추측된다.In Comparative Example 1, the surface roughness of the surface of the cured body was large, and therefore high adhesion could not be obtained. In addition, Comparative Example 2 was able to obtain high adhesion before the HAST test, but swelling occurred in the conductor layer during the HAST test, and the peeling strength itself could not be measured after the HAST test. In Comparative Example 2, the nitrogen atom concentration on the surface of the cured sample layer was large, and the nitrogen atom concentration on the surface of the insulating layer was also large, so it is assumed that absorption increased and swelling occurred. Additionally, in Comparative Example 3, high adhesion could not be obtained before the HAST test. In Comparative Example 3, the contact angle

이에 대하여, 실시예에서는, 모두 HAST 시험 후에 높은 밀착성을 얻을 수 있었다. 본 실시예의 결과로부터, 본 발명에 의해 HAST 시험 후의 높은 밀착성을 달성할 수 있음을 확인할 수 있다.In contrast, in all examples, high adhesion was obtained after the HAST test. From the results of this example, it can be confirmed that high adhesion after the HAST test can be achieved by the present invention.

100 반도체 칩 패키지
110 반도체 칩
120 밀봉층
130 재배선 형성층
140 재배선층
150 솔더 레지스트층
160 범프
100 semiconductor chip packages
110 semiconductor chip
120 sealing layer
130 Rewiring cambium
140 rewiring layer
150 solder resist layer
160 bump

Claims (18)

열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물의 경화체로서;
경화체는, 산술 평균 거칠기 Ra가 100nm 미만인 면을 갖고;
수지 조성물의 층을 200℃ 90분의 조건으로 경화하여 경화 시료층을 형성하는 시험을 행한 경우에,
경화 시료층의 표면에 대한 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 접촉각이 30°미만이고,
경화 시료층의 표면의 X선 광전자 분광 분석에서의 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여 얻어지는 질소 원자 농도가 3.8원자% 미만인, 경화체.
As a cured body of a resin composition containing a thermosetting resin;
The hardened body has a surface with an arithmetic mean roughness Ra of less than 100 nm;
When a test was conducted to form a cured sample layer by curing a layer of the resin composition at 200°C for 90 minutes,
The contact angle of diethylene glycol-mono-n-butyl ether with respect to the surface of the cured sample layer is less than 30°,
A cured body having a nitrogen atom concentration of less than 3.8 atomic% obtained based on the peak area of the spectrum of N1s in X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the surface of the cured sample layer.
제1항에 있어서, 경화 시료층의 표면의 X선 광전자 분광 분석에서의 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여 얻어지는 질소 원자 농도가 0.1원자% 이상인, 경화체.The cured body according to claim 1, wherein the nitrogen atom concentration obtained based on the peak area of the spectrum of N1s in X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the surface of the cured sample layer is 0.1 atomic% or more. 제1항에 있어서, 수지 조성물이 무기 충전재를 포함하는, 경화체.The cured body according to claim 1, wherein the resin composition contains an inorganic filler. 제3항에 있어서, 수지 조성물 중의 무기 충전재의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 40질량% 이상 90질량% 이하인, 경화체.The cured body according to claim 3, wherein the amount of the inorganic filler in the resin composition is 40% by mass or more and 90% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. 제1항에 있어서, 열경화성 수지가 에폭시 수지를 포함하는, 경화체.The cured body according to claim 1, wherein the thermosetting resin contains an epoxy resin. 제1항에 있어서, 열경화성 수지가 페놀 수지를 포함하는, 경화체.The cured body according to claim 1, wherein the thermosetting resin contains a phenolic resin. 제1항에 있어서, 열경화성 수지가 활성 에스테르 수지를 포함하는, 경화체.The cured body according to claim 1, wherein the thermosetting resin comprises an activated ester resin. 제1항에 있어서, 열경화성 수지가 말레이미드 수지를 포함하는, 경화체.The cured body according to claim 1, wherein the thermosetting resin contains a maleimide resin. 제1항에 있어서, 수지 조성물이 경화 촉진제를 포함하는, 경화체.The cured body according to claim 1, wherein the resin composition contains a curing accelerator. 제1항에 있어서, 수지 조성물이 질소 원자를 함유하는 수지 성분을 포함하는, 경화체.The cured body according to claim 1, wherein the resin composition contains a resin component containing a nitrogen atom. 제1항에 있어서, 산술 평균 거칠기 Ra가 100nm 미만의 상기 면에, 도체층을 형성하기 위한, 경화체.The cured body according to claim 1, for forming a conductor layer on the surface having an arithmetic mean roughness Ra of less than 100 nm. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 경화체에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 회로 기판.A circuit board comprising an insulating layer formed by the cured body according to any one of claims 1 to 11. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 경화체와, 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지.A semiconductor chip package comprising the cured body according to any one of claims 1 to 11 and a semiconductor chip. 제12항에 기재된 회로 기판을 구비하는, 반도체 장치.A semiconductor device comprising the circuit board according to claim 12. 제13항에 기재된 반도체 칩 패키지를 구비하는, 반도체 장치.A semiconductor device comprising the semiconductor chip package according to claim 13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 경화체의 제조 방법으로서,
열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물을 경화하여 경화체를 얻는 공정과,
상기 경화체에 자외선 처리를 실시하는 공정과,
상기 경화체에 실란 커플링제 처리를 실시하는 공정을 포함하는, 경화체의 제조 방법.
A method for producing a cured body according to any one of claims 1 to 11, comprising:
A process of obtaining a cured body by curing a resin composition containing a thermosetting resin;
A process of subjecting the cured body to ultraviolet ray treatment;
A method for producing a cured body, comprising the step of subjecting the cured body to treatment with a silane coupling agent.
지지체와, 지지체 위에 형성된 수지 조성물의 층을 구비하는 수지 시트로서;
수지 조성물이 열경화성 수지를 포함하고;
수지 조성물의 층을 경화하여 시료 경화체를 형성하고, 시료 경화체의 지지체측의 면으로 자외선 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시하는 제1 시험을 행한 경우, 당해 지지체측의 면의 산술 평균 거칠기 Ra가 100nm 미만이고;
수지 조성물의 층을 200℃ 90분의 조건으로 경화하여 경화 시료층을 형성하는 제2 시험을 행한 경우,
경화 시료층의 지지체측의 표면에 대한 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르의 접촉각이 30°미만이고,
경화 시료층의 지지체측의 표면의 X선 광전자 분광 분석에서의 N1s의 스펙트럼의 피크 면적에 기초하여 얻어지는 질소 원자 농도가 3.8원자% 미만인, 수지 시트.
A resin sheet comprising a support and a layer of a resin composition formed on the support;
The resin composition includes a thermosetting resin;
When the layer of the resin composition is cured to form a cured sample, and a first test is performed in which the surface of the cured sample is treated with ultraviolet rays and a silane coupling agent on the surface on the support side, the arithmetic average roughness Ra of the surface on the support side is 100 nm. is less than;
When a second test was conducted in which a layer of the resin composition was cured at 200°C for 90 minutes to form a cured sample layer,
The contact angle of diethylene glycol-mono-n-butyl ether with respect to the surface of the support side of the cured sample layer is less than 30°,
A resin sheet wherein the nitrogen atom concentration obtained based on the peak area of the N1s spectrum in X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the surface on the support side of the cured sample layer is less than 3.8 atomic%.
제17항에 있어서, 제1 시험에 있어서, 수지 조성물의 층의 경화가, 170℃ 30분의 조건으로 행해지고,
제1 시험에 있어서, 자외선 처리가, 시료 경화체에 파장 172nm의 자외선을 10초간 조사함으로써 행해지고,
제1 시험에서, 실란 커플링제 처리가, 시료 경화체를, 3-아미노-프로필트리메톡시실란 5g/리터 및 디에틸렌글리콜-모노-n-부틸에테르 350g/리터를 포함하는 pH5.0의 수용액에, 40℃에서 10분 침지함으로써 행해지는, 수지 시트.
The method of claim 17, wherein in the first test, curing of the layer of the resin composition is performed under conditions of 170°C for 30 minutes,
In the first test, ultraviolet treatment is performed by irradiating the cured sample with ultraviolet rays with a wavelength of 172 nm for 10 seconds,
In the first test, the silane coupling agent treatment was performed by placing the cured sample in an aqueous solution of pH 5.0 containing 5 g/liter of 3-amino-propyltrimethoxysilane and 350 g/liter of diethylene glycol-mono-n-butyl ether. , a resin sheet made by dipping at 40°C for 10 minutes.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020130100A1 (en) 2018-12-20 2020-06-25 日立化成株式会社 Wiring board and method for manufacturing the same
JP2020193365A (en) 2019-05-28 2020-12-03 上村工業株式会社 Method for manufacturing printed circuit board

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003221456A (en) 2002-01-29 2003-08-05 Japan Gore Tex Inc Highly adhesive liquid crystal polymer film
JP2008291168A (en) 2007-05-28 2008-12-04 Sumitomo Chemical Co Ltd Method for producing liquid crystal polymer film and substrate for printed circuit board
JP2009231790A (en) 2008-02-27 2009-10-08 Ajinomoto Co Inc Manufacturing method of multilayer printed wiring board
JP2010229313A (en) 2009-03-27 2010-10-14 Sekisui Chem Co Ltd Epoxy resin composition, sheet-formed molded article, prepreg, cured product, laminated plate and multilayer laminated plate
JP2013023666A (en) 2011-07-25 2013-02-04 Sekisui Chem Co Ltd Epoxy resin material, cured product, and plasma-roughened cured product
JP6098988B2 (en) 2012-09-28 2017-03-22 味の素株式会社 Support-containing prepolymer sheet
JP6408847B2 (en) 2014-09-30 2018-10-17 積水化学工業株式会社 Resin composition
JPWO2021079819A1 (en) 2019-10-25 2021-04-29
JP7367664B2 (en) 2020-12-16 2023-10-24 味の素株式会社 Resin compositions, cured products, resin sheets, circuit boards, semiconductor chip packages, semiconductor devices, and structures
JP7550721B2 (en) 2021-06-04 2024-09-13 信越ポリマー株式会社 Printing material and its manufacturing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020130100A1 (en) 2018-12-20 2020-06-25 日立化成株式会社 Wiring board and method for manufacturing the same
JP2020193365A (en) 2019-05-28 2020-12-03 上村工業株式会社 Method for manufacturing printed circuit board

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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