KR20240080889A - 방열 특성이 향상된 도체 피복용 폴리이미드 바니쉬 및 이를 포함하는 폴리이미드 피복물 - Google Patents

방열 특성이 향상된 도체 피복용 폴리이미드 바니쉬 및 이를 포함하는 폴리이미드 피복물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디아민 단량체 및 이무수물 단량체를 중합단위로 포함하는 폴리아믹산 용액; 질화붕소(Boron nitride)를 포함하는 첨가제; 및 분산제;를 포함하는 폴리이미드 바니쉬를 제공한다.

Description

방열 특성이 향상된 도체 피복용 폴리이미드 바니쉬 및 이를 포함하는 폴리이미드 피복물 {POLYIMIDE VARNISH FOR COATING CONDUCTOR WITH IMPROVED HEAT DISSIPATION FOR COATING CONDUCTOR AND POLYIMIDE COATING MATERIAL COMPRISING THE SAME}
본 발명은 폴리이미드 바니쉬 및 이를 포함하는 폴리이미드 피복물에 관한 것이다. 상세하게는 방열 특성이 향상된 도체 피복용 폴리이미드 바니쉬 및 이를 포함하는 폴리이미드 피복물에 관한 것이다.
도체를 피복하는 절연층(절연 피복)에는, 우수한 절연성, 도체에 대한 밀착성, 내열성, 기계적 강도 등이 요구되고 있다. 또한 적용 전압이 높은 전기 기기, 예컨대 고전압에서 사용되는 모터 등에서는, 전기 기기를 구성하는 절연 전선에 고전압이 인가되어, 그 절연 피복 표면에서 부분 방전(코로나 방전)이 발생하기 쉽다. 코로나 방전의 발생에 의해 국부적인 온도 상승이나 오존 또는 이온의 발생이 야기될 수 있으며, 그 결과 절연 전선의 절연 피복에 열화가 생김으로써 조기에 절연 파괴를 일으키고, 전기 기기의 수명이 짧아질 수 있다. 고전압으로 사용되는 절연 전선에는 상기의 이유에 의해 코로나 방전 개시 전압의 향상이 요구되고 있으며, 이를 위해서는 절연층의 유전율을 낮추는 것이 유효하다고 알려져 있다.
절연층에 사용 가능한 수지는 폴리이미드 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리에스터이미드 수지 등을 예로 들수 있다. 이들 중, 특히 폴리이미드 수지는 내열성 및 절연성이 우수한 재료로서 도체의 피복용 물질로 사용하기에 우수한 성질을 가지고 있다.
폴리이미드 수지는 방향족 디안하이드라이드와 방향족 디아민 또는 방향족 디이소시아네이트를 용액중합하여 폴리아믹산 유도체를 제조한 후, 고온에서 폐환 탈수시켜 이미드화하여 제조되는 고내열 수지를 일컫는다. 이러한 폴리이미드 수지를 사용하여 절연 피복을 형성하는 방법으로는 예를 들어, 도체로 이루어진 전선 주위에 폴리이미드 수지의 전구체인 폴리이미드 바니쉬를 도포 또는 코팅하고, 이후 소정의 온도로 열처리가 가능한 경화로 내에서 상기 폴리이미드 바니쉬를 이미드화시키는 방법을 사용할 수 있다.
이러한 절연 피복을 형성하는 방법은 경화로의 온도, 폴리이미드 바니쉬의 코팅 횟수, 피복 속도 등의 조건에 따라 제조되는 절연 피복의 물성, 생산성 및 제조 비용에 차이가 발생할 수 있다. 즉, 높은 온도에서 절연 피복을 형성하는 것이 우수한 물성을 가지는 절연 피복을 생산하는데 유리할 수 있으며, 코팅 횟수가 적거나 피복 속도가 빠를수록 생산성이 올라갈 수 있다.
그러나, 상기 경화로의 온도가 지나치게 높은 경우, 제조되는 절연 피복 표면에 흠결이 발생하거나 폴리이미드 수지가 탄화되는 문제가 발생할 수 있으며, 상기 코팅 횟수가 지나치게 적거나 피복 속도가 지나치게 빠른 경우, 제조되는 폴리이미드 피복물의 물성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 일반적인 폴리이미드 수지는 우수한 물성에도 불구하고 도체와의 접착력이 뛰어나지는 않으므로, 절연 피복을 형성할 때 외관불량이 발생하는 문제가 발생할 수 있다.
이와 같이, 폴리이미드 바니쉬 및 이로부터 제조된 폴리이미드 수지에 요구되는 특성을 향상시키는 데에는 많은 어려움이 있으며, 특히 하나의 특성을 향상시키는 경우 다른 특성이 저하되는 것이 일반적이므로 여러 가지 특성을 동시에 만족시키는 것은 관련 기술분야에서 끊임없이 연구되고 있는 과제이다.
따라서, 앞서 설명한 생산성 및 공정 효율성이 우수하고, 폴리이미드의 내열성, 절연성 및 기계적 물성을 동시에 만족하면서 도체와의 접착력이 우수한 도체 피복용 폴리이미드 바니쉬의 필요성이 높은 실정이다.
본 발명의 목적은 첨가제 및 분산제를 포함함으로써, 경시변화에도 우수한 방열특성을 유지할 수 있고, 상기 첨가제의 분산성을 향상시킬 수 있는 폴리이미드 바니쉬를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 전기차(EV, Electric Vehicle)용 권선에 사용하기 위한 도체 피복용 폴리이미드 바니쉬 및 이를 포함하는 폴리이미드 피복물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 폴리이미드 바니쉬가 이미드화된 폴리이미드를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 양, 농도, 또는 다른 값 또는 파라미터가 범위, 바람직한 범위 또는 바람직한 상한 값 및 바람직한 하한 값의 열거로 주어지는 경우, 범위가 별도로 개시되는 지에 상관없이 임의의 한 쌍의 임의의 위쪽 범위 한계치 또는 바람직한 값 및 임의의 아래쪽 범위 한계치 또는 바람직한 값으로 형성된 모든 범위를 구체적으로 개시하는 것으로 이해되어야 한다.
수치 값의 범위가 본 명세서에서 언급될 경우, 달리 기술되지 않는다면, 그 범위는 그 종점 및 그 범위 내의 모본 발명의 범주는 범위를 정의할 때 언급되는 특정 값으로 한정되지 않는 것으로 의도된다.
본 명세서에서 "이무수물"은 그 전구체 또는 유도체를 포함하는 것으로 의도되는데, “이무수물산”, “디언하이드라이드(dianhydride)” 또는 “산 이무수물”이라고 칭하기도 한다. 이들은 기술적으로는 이무수물이 아닐 수 있지만, 그럼에도 불구하고 디아민과 반응하여 폴리아믹산을 형성할 것이며, 이 폴리아믹산은 다시 폴리이미드로 변환될 수 있다.
본 명세서에서 "디아민"은 그의 전구체 또는 유도체를 포함하는 것으로 의도되는데, 이들은 기술적으로는 디아민이 아닐 수 있지만, 그럼에도 불구하고 이무수물산과 반응하여 폴리아믹산을 형성할 것이며, 이 폴리아믹산은 다시 폴리이미드로 변환될 수 있다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. 상기 발명의 구현을 위한 구체적인 내용을 아래와 같이 설명한다.
본 발명은 첨가제 및 분산제를 포함함으로써, 경시변화에도 우수한 방열특성을 유지할 수 있고, 상기 첨가제의 분산성을 향상시킬 수 있는 폴리이미드 바니쉬 및 이를 포함하는 폴리이미드 피복물에 관한 것이다.
폴리이미드 바니쉬
본 발명은 디아민 단량체 및 이무수물 단량체를 중합단위로 포함하는 폴리아믹산 용액; 질화붕소(Boron nitride)를 포함하는 첨가제; 및 분산제;를 포함하는 폴리이미드 바니쉬를 제공한다.
폴리아믹산 용액
상기 디아민 단량체가 1,4-디아미노벤젠(PPD), 4,4'-디아미노디페닐에테르(ODA), 2,2-비스아미노페녹시페닐프로판(BAPP), 메타페닐렌디아민, 3,3'-디메틸벤지딘, 2,2'-디메틸벤지딘, 2,4-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 3,5-디아미노벤조익 애시드(DABA), 4,4'-디아미노 디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐메탄(메틸렌디아민), 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노바이페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노바이페닐(m-tolidine), 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-디아미노바이페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐 메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노 디페닐메탄, 비스(4-아미노페닐)설파이드, 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드, 3,3'-디메톡시벤지딘, 2,2'-디메톡시벤지딘, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐설파이드, 3,4'-디아미노디페닐설파이드, 4,4'-디아미노디페닐설파이드, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 3,4'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디메톡시벤조페논, 3,3'-디아미 노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 3,3'-디아미노디페닐설폭사이드, 3,4'-디아미노디페닐설폭사이드, 4,4'-디아미노디페닐설폭사이드, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-R), 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠(TPE-Q), 1,3-비스(3-아미노페녹시)-4-트라이플루오로메틸벤젠, 3,3'-디아미노-4-(4-페닐)페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디(4-페닐페녹시)벤조페논, 1,3-비스(3-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐설폰)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐설폰)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐설폰)벤젠, 1,3-비스〔2-(4-아미노페닐)아이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(3-아미노페닐)아이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(4-아미 노페닐)아이소프로필〕벤젠, 3,3'-비스(3-아미노페녹시)바이페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕케톤, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕케톤, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕케톤, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕케톤, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕메탄, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕메탄, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕메탄, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕메탄, 2,2-비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 및 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 4,4'-디아미노디페닐에테르(ODA)를 사용할 수 있다.
상기 이무수물 단량체가 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA), 비페닐 테트라카르복실릭 디안하이드라이드 (BPDA) 벤조페논 테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BTDA), 옥시디프탈릭 디안하이드라이드(ODPA), 디페닐설폰-3,4,3',4'-테트라카르복실릭 디안하이드라이드(DSDA), 비스(3,4-디카르복시페닐)설파이드 디안하이드라이드, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 디안하이드라이드, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 디안하이드라이드, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 디안하이드라이드, p-페닐렌비스(트라이멜리틱 모노에스터 애시드 안하이드라이드), p-바이페닐렌비스(트라이멜리틱 모노에스터 애시드 안하이드라이드), m-터페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실릭 디안하이드라이드, p-터페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실릭 디안하이드라이드, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 디안하이드라이드, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 디안하이드라이드, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)바이페닐 디안하이드라이드, 2,2-비스〔(3,4-디카르복시 페녹시)페닐〕프로판 디안하이드라이드(BPADA), 2,3,6,7-나프탈렌 테트라카복실산 디안하이드라이드, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드 및 4,4'-(2,2-헥사플루오로아이소프로필리덴)디프탈산 디안하이드라이드로으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA)를 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 전체 이무수물 단량체 중 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA)가 50 몰% 이상의 비율로 포함될 수 있으며, 구체적으로 60 몰% 이상, 70 몰% 이상, 75 몰% 이상, 80 몰% 이상, 85 몰% 이상, 90 몰% 이상, 95 몰% 이상,99 몰% 이상 또는 100 몰% 이상의 비율로 포함될 수 있다.
또한, 전체 디아민 단량체 중 4,4'-디아미노디페닐에테르(ODA)가 50 몰% 이상의 비율로 포함될 수 있으며, 구체적으로 60 몰% 이상, 70 몰% 이상, 75 몰% 이상, 80 몰% 이상, 85 몰% 이상, 90 몰% 이상, 95 몰% 이상, 99 몰% 이상 또는 100 몰% 이상의 비율로 포함될 수 있다.
상기 폴리아믹산 용액이 상기 디아민 단량체를 90 내지 110 몰% 포함할 수 있고, 바람직하게는 95 내지 105 몰%, 더욱 바람직하게는 98 내지 102 몰%, 더욱 더 바람직하게는 99 내지 101 몰% 포함할 수 있다.
상기 폴리아믹산 용액이 상기 이무수물 단량체를 90 내지 110 몰% 포함할 수 있고, 바람직하게는 95 내지 105 몰%, 더욱 바람직하게는 98 내지 102 몰%, 더욱 더 바람직하게는 100 몰% 포함할 수 있다.
상기 폴리아믹산 용액은 디아민 단량체 100 몰% 기준으로, 상기 이무수물 단량체가 95 내지 105 몰%일 수 있으며, 예를 들어, 하한은 95.5 몰% 이상, 96 몰% 이상, 96.5 몰% 이상, 97 몰% 이상, 97.5 몰% 이상, 98 몰% 이상, 98.5 몰% 이상, 99 몰% 이상 또는 99.5 몰% 이상일 수 있으며, 상한은 105 몰% 이하, 104 몰% 이하, 103몰% 이하, 102 몰% 이하, 101 몰% 이하 또는 100 몰% 이하일 수 있다.
상기 폴리아믹산 용액이 상기 이무수물 단량체와 상기 디아민 단량체를 6:4 내지 4:6의 몰비로 포함할 수 있다.
상기 폴리아믹산 용액이 유기용매를 추가로 포함할 수 있다.
상기 유기용매가 N-메틸-피롤리돈(NMP), N,N'-디메틸포름아미드(DMF), N,N'-디에틸포름아미드(DEF), N,N'-디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸프로판아미드(DMPA), 나프타(Naphtha), 디에틸프로피온아마이드(DEPA), N-에틸피롤리돈(NEP), 자일렌, 감마-부티로락톤, 감마-발레로락톤 및 N,N-디에틸아시트아마이드(DEAc)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 N,N'-디메틸아세트아미드(DMAc) 및 나프타(Naphtha)를 포함하는 혼합용매를 사용할 수 있다.
상기 혼합용매가 N,N'-디메틸아세트아미드(DMAc) 및 나프타(Naphtha)를 70:30 내지 100:0의 질량비(w/w)로 혼합될 수 있고, 바람직하게는 80:20 내지 90:10, 더욱 바람직하게는 85 : 15의 질량비로 혼합될 수 있다.
첨가제
본 발명의 폴리이미드 바니쉬는 방열특성을 개선하기 위해 첨가제를 포함할 수 있으며, 특히 질화붕소를 포함할 수 있다. 상기 질화붕소는 높은 열전도도 특성을 가지며, 높은 전기절연성, 고온 안정성 및 산에 뛰어난 내식성을 갖는 재료를 제조하기 위한 첨가제로서 바람직하다.
상기 첨가제는 상기 폴리아믹산 용액의 중량 대비 0.1 내지 20 중량%를 포함할 수 있다. 예를 들어 하한은 0.5 중량% 이상, 1.0 중량% 이상, 1.5 중량% 이상, 2.0 중량% 이상, 2.5 중량% 이상, 3.0 중량% 이상, 3.5 중량% 이상, 4.0 중량% 이상, 4.5 중량% 이상 또는 5.0 중량% 이상일 수 있고, 상한은 18 중량% 이하, 16 중량% 이하, 15 중량% 이하, 10 중량% 이하, 9.5 중량% 이하, 9.0 중량% 이하, 8.5 중량% 이하, 8.0 중량% 이하, 7.5 중량% 이하, 7.0 중량% 이하, 6.5 중량% 이하, 6.0 중량% 이하, 5.5 중량% 이하 또는 5.0 중량% 이하일 수 있다.
상기 첨가제의 함량이 20 중량%를 초과하는 경우, 제조되는 폴리이미드 피복물의 기계적 물성이 저하될 수 있고, 첨가제의 양이 너무 많아 고르게 분산시키는 것이 어려워 바람직하지 않다. 한편, 상기 첨가제의 함량이 0.1 중량% 미만 경우에는 방열특성 개선 효과를 나타내지 않으므로 바람직하지 않다.
상기 첨가제의 입자크기(D90)가 1 내지 10 ㎛일 수 있다. 예를 들어 하한은 1.5 ㎛, 1.7 ㎛, 1.9 ㎛, 2.0 ㎛, 2.2 ㎛, 2.4 ㎛, 2.6 ㎛, 2.8 ㎛, 3.0 ㎛, 3.1 ㎛, 3.2 ㎛, 3.3 ㎛, 3.4 ㎛ 또는 3.5 ㎛ 이상일 수 있고, 9.5 ㎛, 8 ㎛, 8.5 ㎛. 8.0 ㎛, 7.5 ㎛, 7.0 ㎛, 6.5 ㎛, 6.0 ㎛, 5.5 ㎛, 5.0 ㎛, 4.5 ㎛, 4.0 ㎛, 3.8 ㎛, 3.7 ㎛ 또는 3.6 ㎛ 이하일 수 있다.
상기 질화붕소가 입방정 질화붕소(cBN), 비정질 질화붕소(aBN) 및 육방정 질화붕소(hBN)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있고, 바람직하게는 육방정 질화붕소(hBN)일 수 있다.
분산제
한편 질화붕소(BN)는 폴리이미드(PI)와의 극성 차이로 인해 폴리이미드에 응집되기 쉬운 문제가 있을 수 있으며, 본 발명의 폴리이미드 바니쉬는 첨가제의 분산성을 개선하기 위해 분산제를 포함할 수 있다.
상기 분산제가 폴리비닐계 분산제, 폴리에틸렌계 분산제, 폴리에스테르계 분산제, 폴리카르본산에스테르계 분산제, 불포화 폴리아미드계 분산제, 폴리카르본산계 분산제, 폴리카르본산알킬염 분산제, 폴리아크릴계 분산제, 폴리에틸렌이민계 분산제 및 폴리우레탄계 분산제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 폴리우레탄계 분산제를 사용할 수 있다. 상기 폴리우레탄계 분산제의 강한 극성으로 인해 질화붕소의 분산력이 향상될 수 있다.
상기 분산제는 산가가 10 내지 200 mgKOH/g의 범위 내에 있거나, 또는 아민가가 5 내지 200 mgKOH/g의 범위 내에 있는 분산제를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것인 아니다.
일 실시예에서, 상기 분산제의 산가는 약 20mgKOH/g 이상, 30mgKOH/g 이상, 40 mgKOH/g 이상, 50 mgKOH/g 이상, 60 mgKOH/g 이상, 70mgKOH/g 이상, 80 mgKOH/g 이상 또는 90 mgKOH/g 이상이거나, 약 190mgKOH/g 이하, 180mgKOH/g 이하, 170mgKOH/g 이하, 160mgKOH/g 이하, 150mgKOH/g 이하, 140mgKOH/g 이하, 130mgKOH/g 이하, 120mgKOH/g 이하, 110 mgKOH/g 이하 또는 100 mgKOH/g 이하 정도일 수도 있다. 이때 산가는 분산제가 가지고 있는 산기(-COOH)를 KOH로 적정하여 KOH 소비량으로 나눈 수치(분산제 1g 당 적정된 KOH의 소비량을 mg로 나타낸 수치)를 의미한다.
일 실시예에서 상기 분산제의 아민가는 약 10 mgKOH/g 이상, 약 15 mgKOH/g 이상, 약 20mgKOH/g 이상, 30mgKOH/g 이상, 40mgKOH/g 이상, 50mgKOH/g 이상, 60mgKOH/g 이상, 70mgKOH/g 이상, 80 mgKOH/g 이상 또는 90 mgKOH/g 이상이거나, 약 190mgKOH/g 이하, 180mgKOH/g 이하, 170mgKOH/g 이하, 160mgKOH/g 이하, 150mgKOH/g 이하, 140mgKOH/g 이하, 130mgKOH/g 이하, 120mgKOH/g 이하, 110 mgKOH/g 이하 또는 100 mgKOH/g 이하 정도일 수도 있다. 이때 상기 아민가는, 분산제가 포함하는 아미노기(-NH2, -NHR 또는 -NR2)를 KOH로 적정하여 KOH 소비량으로 나눈 수치(분산제 1g 당 적정된 KOH의 소비량을 mg로 나타낸 수치)를 의미한다.
상기 분산제는 20℃에서 비중이 0.5 내지 1.5 g/ml일 수 있고, 예를 들어 하한은 0.6 g/ml, 0.7 g/ml, 0.8 g/ml, 0.9 g/ml 또는 1.00 g/ml 이상일 수 있다. 또한 상한은 1.4 g/ml, 1.3 g/ml, 1.2 g/ml, 1.1 g/ml, 1.07 g/ml 또는 1.05 g/ml 이하일 수 있다.
상기 분산제는 상기 폴리아믹산 용액의 중량 대비 0.01 내지 5.0 중량%를 포함할 수 있다. 예를 들어 하한은 0.05 중량% 이상, 0.1 중량% 이상, 0.2 중량% 이상, 0.3 중량% 이상, 0.4 중량% 이상, 0.5 중량% 이상, 0.6 중량% 이상, 0.7 중량% 이상, 0.8 중량% 이상, 0.9 중량% 이상 또는 1.0 중량% 이상일 수 있고, 상한은 4.0 중량% 이하, 3.0 중량% 이하, 2.0 중량% 이하, 1.5 중량% 이하, 1.4 중량% 이하, 1.3 중량% 이하, 1.2 중량% 이하, 1.1 중량% 이하 또는 1.0 중량% 이하일 수 있다.
상기 분산제의 함량이 5.0 중량%를 초과하는 경우, 열안정성이 낮아져 바람직하지 않다. 한편, 상기 첨가제의 함량이 0.01 중량% 미만 경우에는 첨가제의 분산성 개선 효과를 나타내지 않으므로 바람직하지 않다.
폴리이미드 바니쉬 및 그의 경화물
상기 폴리이미드 바니쉬의 고형분 함량이 5 내지 40 중량%일 수 있고, 바람직하게는 10 내지 35 중량%, 더욱 바람직하게는 15 내지 30 중량%, 더욱 더 바람직하게는 20 내지 30 중량%일 수 있고, 일 실시예에서는 25 중량%일 수 있다.
본 발명은 상기 폴리이미드 바니쉬가 이미드화된 필름 형태의 경화물을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 폴리이미드 바니쉬는 일 실시예에서, 경화 후의 두께가 10 내지 50㎛일 수 있고, 예를 들어 하한은 12㎛ 이상, 14 ㎛ 이상, 16 ㎛ 이상, 18 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이상, 21㎛ 이상, 22㎛ 이상, 23㎛ 이상 또는 24㎛ 이상일 수 있고, 상한은 50 ㎛ 이하, 48 ㎛ 이하, 46 ㎛ 이하, 44 ㎛ 이하, 42 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이하, 35 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이하, 29 ㎛ 이하, 28 ㎛ 이하 또는 27 ㎛ 이하일 수 있다.
본 발명에 따른 폴리이미드 바니쉬는 일 실시예에서, 경화 후의 열전도도가 0.2 내지 10.0 W/mK 일 수 있고, 예를 들어, 상기 열전도도의 하한은 0.3 W/mK 이상, 0.35 W/mK 이상, 0.4 W/mK 이상, 0.42 W/mK 이상, 0.45W/mK 이상, 0.47W/mK 이상, 0.49W/mK 이상 또는 0.5 W/mK 이상일 수 있다. 또한 상한은 9.0 W/mK 이하, 8.0 W/mK 이하, 7.0 W/mK 이하, 6.0 W/mK 이하, 5.0 W/mK 이하, 4.0 W/mK 이하, 3.0 W/mK 이하, 2.0 W/mK 이하, 0.9 W/mK 이하, 0.8 W/mK 이하, 0.7 W/mK 이하, 0.65 W/mK 이하, 0.63 W/mK 이하, 0.60 W/mK 이하, 5.8 W/mK 이하, 5.7 W/mK 이하, 5.6 W/mK 이하, 5.5 W/mK 이하 또는 5.4 W/mK 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 열전도도는 열확산율 측정 장비(모델명 LFA 447, Netsch 사)를 사용하여 laser flash 법으로 폴리이미드 바니쉬를 경화한 경화물의 두께 방향에 대한 열확산율을 측정하였으며, 상기 열확산율 측정값에 밀도(중량/부피) 및 비열(DSC를 사용한 비열 측정값)을 곱하여 열전도도를 산출하였다.
본 발명에 따른 폴리이미드 바니쉬는 일 실시예에서, 경화 후의 유리전이온도(Tg)가 200 내지 450℃의 범위를 가질 수 있으며 예를 들어, 상기 유리전이온도의 하한은 250℃ 이상, 300℃ 이상, 350℃ 이상, 355℃ 이상, 360℃ 이상, 365℃ 이상, 367℃ 이상 또는 370℃ 이상일 수 있다. 상한은 445℃ 이하, 440℃ 이하, 435℃ 이하, 430℃ 이하, 425℃ 이하, 420℃ 이하, 415℃ 이하, 410℃ 이하 또는 405℃ 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 유리전이온도는 폴리이미드 바니쉬를 경화한 경화물에 대하여 DMA를 이용하여 10℃/min의 속도로 450℃까지 승온하는 조건에서 탄젠트델타의 피크값을 측정하였다.
본 발명에 따른 폴리이미드 바니쉬는 일 실시예에서, 경화 후 5중량% 열분해온도(Td)가 400 내지 600℃일 수 있다. 상기 열분해온도의 하한은 예를 들어, 450℃ 이상, 470℃ 이상, 490℃ 이상, 500℃ 이상, 505℃ 이상, 510℃ 이상, 515℃ 이상 또는 520℃ 이상일 수 있다. 상한은 예를 들어, 590℃ 이하, 580℃ 이하, 570℃ 이하 또는 560℃ 이하일 수 있다. 상기 열분해온도는 TA사 열중량 분석(thermogravimetric analysis) Q50 모델을 사용하여 측정할 수 있다. 구체예에서, 상기 폴리이미드 바니쉬를 경화한 경화물을 질소 분위기하에서 10 ℃/분의 속도로 150℃까지 승온시킨 후 30 분간 등온을 유지하여 수분을 제거한다. 이후 10℃/분의 속도로 600℃까지 승온하여 5%의 중량 감소가 발생하는 온도를 측정할 수 있다.
본 발명에 따른 폴리이미드 바니쉬는 일 실시예에서, 경화 후의 절연파괴전압(BDV)이 50 내지 350 kV/mm일 수 있다. 예를 들어, 상기 절연파괴전압의 하한은 60 kV/mm 이상, 65 kV/mm 이상, 70 kV/mm 이상, 75 kV/mm 이상, 77 kV/mm 이상, 80 kV/mm 이상 또는 82 kV/mm 이상일 수 있고, 상한은 300 kV/mm 이하, 250 kV/mm 이하, 220 kV/mm 이하, 200 kV/mm 이하, 198 kV/mm 이하, 195 kV/mm 이하, 194 kV/mm 이하, 193 kV/mm 이하, 192 kV/mm 이하, 191 kV/mm 이하, 190 kV/mm 이하, 189 kV/mm 이하 또는 188 kV/mm 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 절연파괴전압(BDV)은 폴리이미드 바니쉬를 경화한 경화물을 ASTMD149 규격으로 BDV 값을 측정하였다.
본 발명의 다른 일 측면에서, 상기 폴리이미드 바니쉬의 경화물을 포함하는 폴리이미드 피복물을 제공한다.
일 실시예에서, 상기 폴리이미드 피복물의 제조 방법은 폴리이미드 바니쉬를 도체 표면에 코팅하는 단계; 및 상기 도체 표면에 코팅된 폴리이미드 바니쉬를 이미드화하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 도체는 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 동선일 수 있으나, 은선 등의 다른 금속 재료로 이루어진 도체나, 알루미늄, 주석 도금 도선 등의 각종 금속 도금선도 도체로 포함될 수 있다. 상기 도체와 피복물의 두께는 KS C3107 표준에 따를 수 있다. 상기 도체의 직경은 0.3 내지 3.2mm 범위 내일 수 있으며, 피복물의 표준 피막두께(최대 피막 두께와 최소 피막두께의 평균값)는 0종이 21 내지 194㎛, 1종이 14 내지 169㎛, 2종이 10 내지 31㎛일 수 있다. 도체의 단면 형상으로는, 환선, 평각선, 육각선 등일 수 있으나, 이것만으로 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 다른 일 측면에 있어서, 상기 폴리이미드 피복물을 포함하는 전선을 제공한다.
구체적으로 상기 폴리이미드 바니쉬를 전선 표면에 코팅하고 이미드화하여 제조된 폴리이미드 피복물을 포함하는 피복 전선일 수 있다. 일 구체예에서, 상기 피복 전선은 전선; 및 전술한 폴리이미드가 상기 전선의 표면에 코팅되어 이미드화된 피복물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 피복 전선을 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다. 상기 전자 장치는 예를 들어, 전기 모터가 예시될 수 있다.
본 발명의 폴리이미드 바니쉬 및 이를 포함하는 폴리이미드 피복물은 첨가제 및 분산제를 포함함으로써, 경시변화에도 우수한 방열특성을 유지하고, 상기 첨가제에 대한 분산성이 우수한 효과가 있다
또한 본 발명은 방열특성 향상을 통해 모터 수명 또한 향상시킬 수 있고, 전기차(EV, Electric Vehicle)용 권선에 사용하기 위한 도체 피복용으로 활용도가 우수한 효과가 있다.
도 1은 분산제 종류에 따른 질화붕소를 포함하는 첨가제의 분산성을 확인하기 위한 외관 모습을 나타낸 것이다.
본 발명의 이해를 돕기 위하여 실시예를 제시한다. 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 실시예에 의해 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.
<실시예>
실시예 1. 폴리이미드 바니쉬
실시예 1-1
이무수물 화합물인 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA) 99.5~100 mol%와 디아민 화합물인 4,4'-디아미노디페닐에테르(ODA) 100 mol%를 N,N'-디메틸아세트아미드(DMAc) 및 나프타(Naphtha)가 85 : 15(w/w)의 비율로 혼합된 혼합용매에 분산시켜 폴리아믹산 용액을 제조하였고, 이때 폴리이미드 고형분 25wt%를 목표로 제조하였다.
상기 폴리아믹산 용액에 대하여 입자 크기(D90)가 1~10㎛인 질화붕소(BN) 첨가제 5wt% 및 폴리우레탄계 분산제(아민가 48mgKOH/g, 비중(20℃) 1.05g/ml) 0.1wt%를 투입하여 폴리이미드 바니쉬를 제조하였다.
실시예 1-2
실시예 1-1에서 폴리우레탄계 분산제 0.1wt%를 투입하는 대신에 1wt%를 투입하는 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 폴리이미드 바니쉬를 제조하였다.
실시예 1-3
실시예 1-1에서 폴리우레탄계 분산제 0.1wt%를 투입하는 대신에 1.5wt%를 투입하는 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 폴리이미드 바니쉬를 제조하였다.
비교예 1-1
실시예 1-1에서 질화붕소(BN) 첨가제 5wt% 및 폴리우레탄계 분산제 0.1wt%를 투입하는 대신에 질화붕소(BN) 첨가제 5wt% 및 폴리우레탄계 분산제 0.1wt%를 투입하지 않는 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 폴리이미드 바니쉬를 제조하였다.
비교예 1-2
실시예 1-1에서 질화붕소(BN) 첨가제 5wt% 및 폴리우레탄계 분산제 0.1wt%를 투입하는 대신에 질화붕소(BN) 첨가제 5wt%만 투입하는 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 폴리이미드 바니쉬를 제조하였다.
하기 표 1에 실시예 1-1 내지 1-3, 비교예 1-1 및 1-2에 따른 폴리이미드 바니쉬의 조성 및 함량을 기재하였다. 이때 하기 표 1에서 첨가제의 중량%(wt%)는 폴리아믹산 용액의 총 중량에 대한 첨가제 전체의 함량을 나타낸 것이고, 분산제의 중량%(wt%)는 폴리아믹산 용액의 총 중량에 대한 분산제 전체의 함량을 나타낸 것이다.
구분 용액 첨가제 분산제
질화붕소(BN) PU계 분산제
실시예 1-1 폴리아믹산 용액
(PAA Varnish)		 5 wt% 0.1 wt%
실시예 1-2 5 wt% 1 wt%
실시예 1-3 5 wt% 1.5 wt%
비교예1-1 - -
비교예1-2 5 wt% -
실시예 2. 폴리이미드 경화물
실시예 2-1
상기 실시예 1-1에 따라 제조된 폴리이미드 바니쉬를 2,000 rpm의 고속 회전을 통해 기포를 제거하였다. 이후 스핀 코터를 이용하여 유리 기판(230mm x 230mm, 두께:0.55mmt) 상에 탈포된 폴리이미드 바니쉬를 도포하였다.
이어서, 질소 분위기 하에서 110℃(20분) → 150℃(20분) → 200℃(20분) → 300℃(20분)의 조건으로 경화하여 필름 형태의 폴리이미드 경화물을 수득하였다.
실시예 2-2
실시예 2-1에서 실시예 1-1에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 대신에 실시예 1-2에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 폴리이미드 경화물을 제조하였다.
실시예 2-3
실시예 2-1에서 실시예 1-1에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 대신에 실시예 1-3에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 폴리이미드 경화물을 제조하였다.
비교예 2-1
실시예 2-1에서 실시예 1-1에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 대신에 비교예 1-1에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 폴리이미드 경화물을 제조하였다.
비교예 2-2
실시예 2-1에서 실시예 1-1에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 대신에 비교예 1-2에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 폴리이미드 경화물을 제조하였다.
실시예 3. 폴리이미드 피복물
실시예 3-1
코팅 경화로 내에서 실시예 1-1에 따른 폴리이미드 바니쉬를 도체경 1 mm의 동선에 1회당 코팅 두께를 2 내지 6 ㎛ 사이로 조절하고, 코팅 경화로의 최저 온도와 최고온도를 350 내지 550℃로 조절하였으며, 동선의 피복 속도를 12~32 m/분으로 조절한 상태에서, 총 7회 코팅, 건조 및 경화하는 과정을 반복하여 피복물의 두께가 33~35㎛인 폴리이미드 피복물을 포함하는 전선(피복전선)을 제조하였다.
실시예 3-2
실시예 3-1에서 실시예 1-1에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 대신에 실시예 1-2에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 3-1과 동일한 방법으로 폴리이미드 피복물을 제조하였다.
실시예 3-3
실시예 3-1에서 실시예 1-1에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 대신에 실시예 1-3에 따른 폴리이미드 바니쉬를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 3-1과 동일한 방법으로 폴리이미드 피복물을 제조하였다.
<실험예>
실험예 1. 분산성 평가
1wt% 질화붕소(BN)를 포함하는 N,N'-디메틸아세트아미드(DMAc) 용매에 서로 다른 종류의 분산제 1wt%를 혼합 후 23℃에서 일정시간 이상 방치한 후 질화붕소(BN)의 분산성이 어떻게 다른지 외관을 비교하였다. 이때 분산제는 지방산(Fatty acid) A와 B, 하이퍼브랜치(Hyper branch) C와 D, 인산에스테르 (phosphoric acid ester) E 및 폴리우레탄계(Polyurethane) 분산제 F를 사용하였고, 상기 분산제에 따른 분산성을 확인하기 위한 외관 모습은 도 1에 기재하였다.
도 1에 따르면, 폴리우레탄계 분산제를 사용하였을 때, 질화붕소(BN)의 분산성이 우수함을 확인하였고, 상기 폴리우레탄계 분산제의 극성이 강하여 질화붕소의 분산력이 향상된 것으로 판단된다.
실험예 2. 물성 평가
실시예 1-1 내지 1-3 및 비교예 1-1 내지 1-2에 따라 제조된 폴리이미드 바니쉬를 경화한 실시예 2-1 내지 2-3, 비교예 2-1 및 2-2의 경화물을 사용하여 하기와 같은 방법으로 물성을 확인하였고, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
(1) 유리전이온도(Tg)
폴리이미드 바니쉬를 경화한 경화물에 대하여 DMA를 이용하여 10℃/min의 속도로 450℃까지 승온하는 조건에서 탄젠트델타의 피크값을 측정하였다.
(2) 5중량%의 열분해온도(Td 5%)
TA사 열중량 분석(thermogravimetric analysis) Q50 모델을 사용하였으며, 폴리이미드 바니쉬를 경화한 경화물을 질소 분위기하에서 10℃/분의 속도로 150℃까지 승온시킨 후 30 분간 등온을 유지하여 수분을 제거했다. 이후 10℃/분의 속도로 600℃까지 승온하여 5%의 중량 감소가 발생하는 온도를 측정하였다.
(3) 절연파괴전압(BDV)
폴리이미드 바니쉬를 경화한 경화물을 ASTMD149 규격으로 BDV 값을 측정하였다. 구체적으로 상기 경화물을 100℃의 오븐에서 전처리를 하여 수분을 제거한 뒤, 상온의 분위기로 설정된 PHENIX사(社)TECHNOLOGIES 6CCE50-5 장비에 상기 경화물을 고정하고 하부 시료대에 올린 후 상부 전극지그를 올려 10KVAc의 전압을 인가하여 0에서부터 일정한 속도로 증가시켜 BDV를 측정하였다.
(4) 열전도도
열확산율 측정 장비(모델명 LFA 447, Netsch 사)를 사용하여 laser flash 법으로 폴리이미드 바니쉬를 경화한 경화물의 두께 방향에 대한 열확산율을 측정하였으며, 상기 열확산율 측정값에 밀도(중량/부피) 및 비열(DSC를 사용한 비열 측정값)을 곱하여 열전도도를 산출하였다. 또한 경시변화를 확인하기 위해 6일 후의 열전도도도 확인하였다.
구분 단위 비교예
2-1		 비교예
2-2		 실시예
2-1		 실시예
2-2		 실시예
2-3
첨가제 함량 wt% - 5 5 5 5
분산제 함량 wt% - - 0.1 1 1.5
Thickness ㎛ 21 29 24 27 24
Tg ℃ 420 414 404 378 370
Td (5%) ㎛ 501 564 560 533 520
BDV kV/mm 206 203 82 188 103
열전도도 즉시 W/mK 0.28 0.38 0.54 0.54 0.51
After 6日 0.28 0.30 0.39 0.54 0.38
표 2에 따르면, 첨가제 및 분산제를 포함하지 않는 비교예 2-1의 열전도도(0.28 W/mK)에 비해 실시예 2-1 내지 2-3의 열전도도가 0.51~0.54 W/mK로 크게 향상된 것을 확인할 수 있었다. 또한 경시변화를 확인하기 위해 6일 후의 열전도도를 비교한 결과 실시예 2-2의 분산성과 물성이 유지됨을 확인할 수 있었다.
이러한 결과로부터, 분산제와 첨가제를 적절하게 조합함으로써, 경시변화에도 방열특성을 유지하고, 첨가제(BN)에 대한 분산성을 갖는 폴리이미드 바니쉬를 수득할 수 있었다.
명세서는 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자이면 충분히 인식하고 유추할 수 있는 내용은 그 상세한 기재를 생략하였으며, 본 명세서에 기재된 구체적인 예시들 이외에 본 발명의 기술적 사상이나 필수적 구성을 변경하지 않는 범위 내에서 보다 다양한 변형이 가능하다. 따라서 본 발명은 본 명세서에서 구체적으로 설명하고 예시한 것과 다른 방식으로도 실시될 수 있으며, 이는 본 발명의 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자이면 이해할 수 있는 사항이다.

Claims (20)

  1. 디아민 단량체 및 이무수물 단량체를 중합단위로 포함하는 폴리아믹산 용액;
    질화붕소(Boron nitride)를 포함하는 첨가제; 및
    분산제;를
    포함하는 폴리이미드 바니쉬.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 첨가제는 상기 폴리아믹산 용액의 중량 대비 0.1 내지 20 중량%를 포함하는 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 첨가제의 입자크기(D90)가 1 내지 10㎛인 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 질화붕소가 입방정 질화붕소(cBN), 비정질 질화붕소(aBN) 및 육방정 질화붕소(hBN)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 분산제가 폴리비닐계 분산제, 폴리에틸렌계 분산제, 폴리에스테르계 분산제, 폴리카르본산에스테르계 분산제, 불포화 폴리아미드계 분산제, 폴리카르본산계 분산제, 폴리카르본산알킬염 분산제, 폴리아크릴계 분산제, 폴리에틸렌이민계 분산제 및 폴리우레탄계 분산제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 분산제는 상기 폴리아믹산 용액의 중량 대비 0.01 내지 5.0 중량%를 포함하는 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 이무수물 단량체가 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA), 비페닐 테트라카르복실릭 디안하이드라이드 (BPDA) 벤조페논 테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BTDA), 옥시디프탈릭 디안하이드라이드(ODPA), 디페닐설폰-3,4,3',4'-테트라카르복실릭 디안하이드라이드(DSDA), 비스(3,4-디카르복시페닐)설파이드 디안하이드라이드, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 디안하이드라이드, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 디안하이드라이드, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 디안하이드라이드, p-페닐렌비스(트라이멜리틱 모노에스터 애시드 안하이드라이드), p-바이페닐렌비스(트라이멜리틱 모노에스터 애시드 안하이드라이드), m-터페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실릭 디안하이드라이드, p-터페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실릭 디안하이드라이드, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 디안하이드라이드, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 디안하이드라이드, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)바이페닐 디안하이드라이드, 2,2-비스〔(3,4-디카르복시 페녹시)페닐〕프로판 디안하이드라이드(BPADA), 2,3,6,7-나프탈렌 테트라카복실산 디안하이드라이드, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드 및 4,4'-(2,2-헥사플루오로아이소프로필리덴)디프탈산 디안하이드라이드로으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 디아민 단량체가 1,4-디아미노벤젠(PPD), 4,4'-디아미노디페닐에테르(ODA), 2,2-비스아미노페녹시페닐프로판(BAPP), 메타페닐렌디아민, 3,3'-디메틸벤지딘, 2,2'-디메틸벤지딘, 2,4-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 3,5-디아미노벤조익 애시드(DABA), 4,4'-디아미노 디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐메탄(메틸렌디아민), 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노바이페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노바이페닐(m-tolidine), 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-디아미노바이페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐 메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노 디페닐메탄, 비스(4-아미노페닐)설파이드, 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드, 3,3'-디메톡시벤지딘, 2,2'-디메톡시벤지딘, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐설파이드, 3,4'-디아미노디페닐설파이드, 4,4'-디아미노디페닐설파이드, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 3,4'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디메톡시벤조페논, 3,3'-디아미 노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 3,3'-디아미노디페닐설폭사이드, 3,4'-디아미노디페닐설폭사이드, 4,4'-디아미노디페닐설폭사이드, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-R), 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠(TPE-Q), 1,3-비스(3-아미노페녹시)-4-트라이플루오로메틸벤젠, 3,3'-디아미노-4-(4-페닐)페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디(4-페닐페녹시)벤조페논, 1,3-비스(3-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐설폰)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐설폰)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐설폰)벤젠, 1,3-비스〔2-(4-아미노페닐)아이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(3-아미노페닐)아이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(4-아미 노페닐)아이소프로필〕벤젠, 3,3'-비스(3-아미노페녹시)바이페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕케톤, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕케톤, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕케톤, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕케톤, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕메탄, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕메탄, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕메탄, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕메탄, 2,2-비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 및 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 폴리아믹산 용액이 상기 디아민 단량체를 90 내지 110 몰% 포함하는 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 폴리아믹산 용액이 상기 이무수물 단량체를 90 내지 110 몰% 포함하는 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 폴리아믹산 용액이 상기 이무수물 단량체와 상기 디아민 단량체를 6:4 내지 4:6의 몰비로 포함하는 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 폴리아믹산 용액이 유기용매를 추가로 포함하는 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 유기용매가 N-메틸-피롤리돈(NMP), N,N'-디메틸포름아미드(DMF), N,N'-디에틸포름아미드(DEF), N,N'-디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸프로판아미드(DMPA), 나프타(Naphtha), 디에틸프로피온아마이드(DEPA), N-에틸피롤리돈(NEP), 자일렌, 감마-부티로락톤, 감마-발레로락톤 및 N,N-디에틸아시트아마이드(DEAc)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 폴리이미드 바니쉬의 고형분 함량이 5 내지 40 중량%인 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 폴리이미드 바니쉬를 경화시킨 후의 열전도도가 0.2 내지 10.0 W/mK인 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 폴리이미드 바니쉬를 경화시킨 후의 유리전이온도(Tg)가 200 내지 450 ℃인 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 폴리이미드 바니쉬를 경화시킨 후의 5 중량% 열분해온도(Td)가 400 내지 600℃인 것인, 폴리이미드 바니쉬.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 폴리이미드 바니쉬의 경화물을 포함하는 폴리이미드 피복물.
  19. 제18항에 따른 폴리이미드 피복물을 포함하는 전선.
  20. 제19항에 따른 전선을 포함하는 전자 장치.
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