KR20240076803A - 건식 에칭 후 포토레지스트 및 금속 함유 잔여물 제거 배합물 - Google Patents

건식 에칭 후 포토레지스트 및 금속 함유 잔여물 제거 배합물 Download PDF

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Abstract

개시 및 청구된 대상은, 제어된 산화물 에칭 및 ITO(인듐 주석 산화물) 에칭뿐만 아니라 측벽 폴리머 및 폴리머 에칭 잔여물 제거 능력을 갖는 스트리핑 조성물, 및 이 조성물을 사용하는 스트리핑 및 에칭 방법에 관한 것이다.

Description

건식 에칭 후 포토레지스트 및 금속 함유 잔여물 제거 배합물
개시 및 청구된 대상은, 제어된 산화물 에칭 및 ITO(인듐 주석 산화물) 에칭뿐만 아니라 측벽 폴리머 및 폴리머 에칭 잔여물 제거 능력을 갖는 스트리핑 조성물, 및 이 조성물을 사용하는 스트리핑 및 에칭 방법에 관한 것이다.
마이크로전자 필드에서 제조되는 동안, 포토레지스트 박막은 이후의 제조 공정을 위한 패턴을 형성하기 위해 기판 물질 상에 적용되는 마스크로서 기능한다. 레지스트 패턴은 다른 포토리소그래피 단계에 의해 형성될 수 있다. 일반적으로, 레지스트 막을 마스크로 사용하는 경우, 포토레지스트 마스크 아래의 다른 물질을 에칭하기 위해 건식 에칭 공정이 이어진다. 예를 들어, 에칭제 가스는 포토레지스트 막에 의해 덮이지 않은 기판의 비보호된 영역을 선택적으로 공격할 수 있다. 플라즈마 에칭 공정 동안, 포토레지스트 및 노출된 물질 관련 부산물은 노출된 포토레지스트 및 기판의 표면 상에 에칭 후 잔여물로 증착된다.
에칭 후 잔여물은 플라즈마 에칭 공정 동안 노출된 기판에 따라 상이한 물질을 함유할 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 및 티타늄 함유 잔여물은 알루미늄 패턴화된 기판을 프로세싱하는 것으로부터 생성될 수 있고, 규소 함유 잔여물은 산화규소 물질로부터 제조된 비아 패턴화된 구조로부터 생성될 수 있다. 이들 에칭 후 잔여물은 모두 최종 제품의 품질을 보장하기 위해 다음 단계 공정 전에 완전히 세정되어야 한다.
인듐 주석 산화물(ITO)은 이의 전기 전도도 및 광학적 투명성 때문에, 널리 사용되는 투명 전도성 산화물 중 하나이다. 평판 디스플레이, 폴리머 기반 전자장치, 박막 광전지, LCD 및 LED 디스플레이, 및 OLED 디스플레이와 같은 다양한 응용분야를 위해 유리, PET, 및 기타 기판 상에 박막으로 증착되는 것은 쉽다. ITO 박막은 다양한 스퍼터링 기술과 같은 물리적 기상 증착에 의해 기판 표면 상에 증착될 수 있다.
ITO 층이 산화규소 기판 상에 증착되는 첨단 패키징 기술을 위해 ITO 기판의 패터닝이 더 중요해지고 있다. 포지티브 포토레지스트는 일반적으로 ITO 기판 패터닝 공정에 사용된다. 패터닝 공정 후, 이어서 노출된 특정 물질을 제거하기 위해 플라즈마 에칭 공정이 수행된다. 그 후 포지티브 포토레지스트는 일반적으로 습식 화학 프로세싱에 의해 완전히 또는 부분적으로 제거되어야 한다.
포토레지스트 막을 완전히 또는 부분적으로 제거하기 위해 많은 포토레지스트 스트리퍼 및 잔여물 제거제가 제안되어 왔다. 그러나, ITO 패터닝 공정의 경우, 포토레지스트 및 금속 측벽 표면 상에 금속 함유 부산물이 형성되기 때문에, 전통적인 포토레지스트 뿐만 아니라 에칭 후 잔여물도 제거하고 세정하기 어렵다. 또한, 건식 에칭 공정 동안 포토레지스트 표면이 보호층으로서 더 단단해져 효과적인 제거를 막는다. 결과적으로, 일반적으로 사용되는 알칸올아민 용매 기반 용액은 포토레지스트 막을 효과적으로 및/또는 효율적으로 용해시킬 수 없다.
추가적으로, 많은 포토레지스트 스트리퍼 및 에칭 후 세정 용액은 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 및 디메틸설폭사이드(DMSO), 및 디메틸아세트아미드(DMAC)와 같은 환경 친화적이지 않은 유기 용매를 함유한다. 새로운 포토레지스트 스트리퍼 및 에칭 후 세정 용액의 개발에는, 이러한 유기 용매를 더 환경 친화적인 용매로 교체하는 것이 필요하다.
따라서, 에칭 후 잔여물에 의해 포토레지스트 및 ITO 금속 측벽 상에 형성된 보호층을 돌파하여 포토레지스트 층을 효과적으로 용해시키기 위해 NMP 및 DMAC가 없는 새로운 환경 친화적 화학을 개발할 필요가 있다. 또한, 화학은 노출된 ITO 및 SiO2 물질에 양립가능해야 한다. 화학은 노출된 물질에 대한 양립성을 가지면서 에칭 후 잔여물도 효율적으로 세정해야 한다.
개요
개시 및 청구된 대상은 제어된 산화규소 및 ITO 에칭 속도를 갖는 유기 물질, 유기금속 잔여물, 유기규소 잔여물, 측벽 폴리머(SWP) 및 무기 잔여물의 제거를 위한 수성 산성 스트리핑 및 세정 조성물을 제공한다. 세정 조성물은,
(i) 하나 이상의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
(ii) (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매 또는 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF), N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸프로피온아미드부터 선택되는 하나 이상의 아미드 약 50 중량% 내지 약 80 중량%;
(iii) 순수 암모늄 플루오라이드 및 순수 HF 중 하나 이상을 포함하는 플루오라이드 이온 공급원 약 0.1 중량% 내지 약 0.5 중량%;
(iv) 하나 이상의 완충제 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
(v) 물 약 10 중량% 내지 약 40 중량%; 및
(vi) 선택적으로 하나 이상의 부식 억제제
를 포함하고, 이들로 본질적으로 이루어지거나 또는 이들로 이루어진다.
한 실시양태에서, 세정 조성물은 약 3 초과 및 약 9 미만의 pH를 갖는다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 약 3 초과 및 약 6 미만의 pH를 갖는다. 다른 실시양태에서, 세정 조성물은 약 4 초과 및 약 6 미만의 pH를 갖는다. 다른 실시양태에서, 세정 조성물은 약 4 초과 및 약 7 미만의 pH를 갖는다. 한 실시양태에서, 암모늄 플루오라이드는 40 % 수용액으로 제공된다.
개시 및 청구된 조성물은 ITO 및 산화규소에 대한 양립성을 가지면서, 에칭 후 잔여물을 세정하고, 포토레지스트 막 및 ITO 및 산화규소의 표면 상에 존재하는 포토레지스트 막을 적어도 부분적으로 제거하는데 적합하다.
한 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 NMP, 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸 아세트아미드(DMAC), N-메틸피롤리돈(NMP), 감마 부틸락톤, 우레아, 과산화수소 등을 함유하지 않는다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 대상 조성물은 추가적으로 또는 대안적으로 아미드옥심 화합물을 함유하지 않는다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 대상 조성물은 추가적으로 또는 대안적으로 히드록실아민 및 이의 유도체를 함유하지 않는다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 대상 조성물은 추가적으로 또는 대안적으로 금속 함유 화합물을 함유하지 않는다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 대상 조성물은 추가적으로 또는 대안적으로 부식 억제제를 함유하지 않는다.
무엇보다도, 개시 및 청구된 조성물은 제어된 에칭 및 측벽 폴리머 제거 능력을 제공한다.
또한, 개시 및 청구된 조성물은 알루미늄 및 티타늄과 같은 노출된 기판에 대한 양립성을 가지면서, 우수한 세정 성능을 제공하여 Al 및 Ti 금속 함유 및 규소 함유 에칭 후 잔여물을 완전히 세정한다.
개시 및 청구된 대상은 개시 및 청구된 조성물을 이용하여 제어된 산화규소 및 ITO 에칭을 제공하는 스트리핑 방법을 추가로 포함한다.
본 개요 섹션은 개시 및 청구된 대상의 모든 실시양태 및/또는 점진적으로 신규한 양태를 특정하지는 않는다. 대신, 본 개요는 기존 기술 및 공지된 기술에 비해 상이한 실시양태 및 대응하는 신규한 점에 대한 예비 논의만을 제공한다. 개시 및 청구된 대상 및 실시양태의 추가적인 세부사항 및/또는 가능한 관점에 대해, 독자는 하기에 추가로 논의된 바와 같이 개시내용의 상세한 설명 섹션 및 대응하는 도면으로 유도된다.
본원에 기술된 상이한 단계에 대한 논의의 순서는 명확성을 위해 제시되었다. 일반적으로, 본원에 개시된 단계는 임의의 적합한 순서로 수행될 수 있다. 추가적으로, 본원에 개시된 각각의 상이한 특징, 기술, 구성 등은 본 개시내용의 상이한 위치에서 논의될 수 있지만, 각각의 개념은 적절한 대로 서로 독립적으로 또는 서로 조합되어 수행될 수 있는 것으로 의도된다. 따라서, 개시 및 청구된 대상은 많은 상이한 방식으로 구현되고 보여질 수 있다.
본원에 사용된 섹션 제목은 구성 목적을 위한 것이며 기술된 대상을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 특허, 특허 출원, 기사, 도서, 및 논문을 포함하지만 이에 한정되지 않고 본 출원에 인용된 모든 문서, 또는 문서의 일부는, 어떤 목적으로든 그 전체가 참조에 의해 본원에 명시적으로 포함된다. 임의의 포함된 문헌 및 유사한 자료가 용어를 본 출원에서의 그 용어의 정의와 모순되는 방식으로 정의하는 경우, 본 출원이 제어한다.
개시된 대상에 대한 추가적인 이해를 제공하기 위해 포함되며, 본 명세서에 포함되고 이의 일부를 구성하는 첨부된 도면은, 개시된 대상의 실시양태를 예시하고 설명과 함께 개시된 대상의 원리를 설명하는 역할을 한다. 도면에서, 도 1은 개시 및 청구된 대상의 패턴화된 ITO 표면에 대한 세정 공정의 실시양태를 도시한다.
본원에 인용된 공개문헌, 특허 출원, 및 특허를 포함하는 모든 참고문헌은, 각각의 참고문헌이 참조에 의해 포함되도록 독립적 및 구체적으로 지시되었고 그 전체로 본원에 기재되었을 경우와 동일한 정도로, 참조에 의해 본원에 포함된다.
뒤따르는 상세한 설명은 단지 바람직한 예시적 실시양태를 제공할 뿐이고, 개시 및 청구된 대상의 범위, 적용 가능성, 또는 구성을 제한하려는 의도는 아니다. 오히려, 바람직한 예시적 실시양태에 대한, 뒤따르는 상세한 설명은, 개시 및 청구된 대상의 바람직한 예시적 실시양태를 실행하기 위한 실시가능 요건을 당업자에게 제공할 것이다. 첨부된 청구범위에 기재된 바와 같이, 개시 및 청구된 대상의 취지 및 범위로부터 벗어나지 않으면서, 구성요소의 기능 및 배열에 다양한 변경이 이루어질 수 있다.
개시 및 청구된 대상을 설명하는 맥락에서 (특히 하기 청구범위의 맥락에서) 용어 "a" 및 "an" 및 "the" 및 유사한 지시어의 사용은, 본원에 달리 명시되거나 또는 문맥상 명확하게 모순되지 않는 한, 단수형 및 복수형을 둘 다 포괄하는 것으로 해석되어야 한다.
본원에 및 청구범위에 사용된 바와 같이, 용어 "포함하는", "포함하고", "포함하며" 및 "포함하다"는 포괄적이거나 또는 개방적이며, 추가적인 인용되지 않은 구성요소, 조성물 성분, 또는 방법 단계를 배제하지 않는다. 따라서, 이들 용어는 더 제한적인 용어 "~로 본질적으로 이루어진" 및 "~로 이루어진"을 포괄한다. 달리 명시하지 않는 한, 본원에 제공된 모든 값은 주어진 끝점 이하를 포함하고, 조성물의 구성성분 또는 성분의 값은 조성물 중 각각의 성분의 중량 백분율로 표현된다.
언급된 성분으로 "본질적으로 이루어진" 조성물에서, 이러한 성분은 합하여 조성물의 100 중량%일 수 있거나 또는 합하여 100 중량% 미만일 수 있다. 성분이 합하여 100 중량% 미만인 경우, 이러한 조성물은 소량의 비필수 오염물질 또는 불순물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 한 실시양태에서, 세정 조성물은 2 중량% 이하의 불순물을 함유할 수 있다. 다른 실시양태에서, 세정 조성물은 1 중량% 이하의 불순물을 함유할 수 있다. 추가 실시양태에서, 세정 조성물은 0.05 중량% 이하의 불순물을 함유할 수 있다. 다른 이러한 실시양태에서, 성분은 적어도 90 중량%, 더 바람직하게는 적어도 95 중량%, 더 바람직하게는 적어도 99 중량%, 더 바람직하게는 적어도 99.5 중량%, 가장 바람직하게는 적어도 99.9 중량%를 형성할 수 있고, 세정 조성물의 성능에 중대한 영향을 미치지 않는 다른 성분을 포함할 수 있다. 그렇지 않고, 유의미한 비필수 불순물 성분이 존재하지 않는 경우, 모든 필수 구성성분의 조합은 본질적으로 합하여 100 중량%일 것으로 이해된다.
일부 실시양태에서, 개시 및 청구된 대상은 아미드옥심 화합물을 함유하지 않는다. 일부 실시양태에서, 개시 및 청구된 대상은 금속 함유 화합물을 함유하지 않는다.
본원에 기술된 모든 방법은 본원에 달리 명시되지 않거나 또는 문맥상 명확하게 모순되지 않는 한 임의의 적합한 순서로 수행될 수 있다. 본원에 제공된 임의의 그리고 모든 예, 또는 예시적 언어(예를 들어, "와 같은")의 사용은, 단지 개시 및 청구된 대상을 더 잘 조명하기 위한 것이며 달리 청구하지 않는 한, 개시 및 청구된 대상의 범위를 제한하지 않는다. 본 명세서의 어떤 언어도, 임의의 청구되지 않은 구성요소를, 개시 및 청구된 대상의 실시에 필수적인 것으로 나타낸다고 해석되어서는 안 된다.
개시 및 청구된 대상을 수행하기 위해, 발명자들에게 공지된 최상의 모드를 포함하는, 개시 및 청구된 대상의 바람직한 실시양태가 본원에 기술된다. 이러한 바람직한 실시양태의 변형은, 전술한 설명을 읽음으로써 당업자에게 명백해질 수 있다. 발명자들은 당업자가 이러한 변형을 적절한 대로 사용할 것으로 기대하고, 발명자들은 개시 및 청구된 대상이 본원에 구체적으로 기술된 바와 다르게 실시되기를 의도한다. 따라서, 이 개시 및 청구된 대상은, 준거법에 의해 허용되는 대로 본원에 첨부된 청구범위에 인용된 대상의 모든 변경 및 등가물을 포함한다. 더욱이, 전술한 구성요소들의 모든 가능한 변형의 임의의 조합은 본원에 달리 명시되지 않거나 또는 문맥상 명확하게 모순되지 않는 한 개시 및 청구된 대상에 의해 포함된다.
개시 및 청구된 대상은 일반적으로 질화티타늄 및 몰리브데넘 금속을, 마이크로전자 디바이스가 제조되는 동안 그 위에 이러한 물질(들)을 갖는 마이크로전자 디바이스부터 선택적으로 제거하는데 유용한 조성물에 관한 것이다. 본원에 개시된 조성물은 특정한 필요에 따라 달라질 수 있는 속도로 질화티타늄 및 몰리브데넘 금속을 둘 다 제거할 수 있다.
참조의 편의를 위해, "마이크로전자 디바이스"는, 마이크로전자, 집적 회로, 에너지 수집, 또는 컴퓨터 칩 응용분야에 사용하기 위해 제조되는, 반도체 기판, 평판 디스플레이, 상변화 메모리 디바이스, 태양광 패널, 그리고 태양전지 디바이스, 광전지, 및 마이크로전자기계 시스템(MEMS)을 포함한 기타 제품에 해당한다. 용어 "마이크로전자 디바이스", "마이크로전자 기판" 및 "마이크로전자 디바이스 구조"는, 어떤 식으로든 제한하려는 의미가 아니며 결국 마이크로전자 디바이스 또는 마이크로전자 어셈블리가 될 임의의 기판 또는 구조를 포함한다는 것을 이해해야 한다. 마이크로전자 디바이스는 패턴화, 블랭킷화, 제어 및/또는 테스트 디바이스일 수 있다.
본원에 정의된 바와 같이, "저-k 유전체 물질"은 층상형 마이크로전자 디바이스에서 유전체 물질로서 사용되는 임의의 물질에 해당하며, 여기서 물질은 약 3.5 미만의 유전 상수를 갖는다. 바람직하게는, 저-k 유전체 물질은 규소 함유 유기 폴리머, 규소 함유 하이브리드 유/무기 물질, 유기실리케이트 유리(OSG), TEOS, 플루오린화 실리케이트 유리(FSG), 이산화규소, 및 탄소-도핑된 산화물(CDO) 유리와 같은 저극성 물질을 포함한다. 저-k 유전체 물질은 다양한 밀도 및 다양한 다공성을 가질 수 있다는 것이 인식되어야 한다.
"실질적으로 함유하지 않는"은 본원에서 2 중량% 미만, 바람직하게는 1 중량% 미만, 더 바람직하게는 0.5 중량% 미만, 및 가장 바람직하게는 0.1 중량% 미만으로 정의된다. "실질적으로 함유하지 않는"은 0.0 중량%도 포함한다. 용어 "함유하지 않는"은 필드에서 일반적으로 측정되는 바와 같이 0.0 중량%를 의미한다.
본원에 사용된 바와 같이, "약" 또는 "대략"은 제시된 값의 ±5%에 해당하는 것으로 의도된다.
본원에 사용된 바와 같이, "포토레지스트 에칭 잔여물"은 당업자가 쉽게 이해하는 바와 같이 포토레지스트 물질, 또는 에칭 또는 에싱 단계 이후 포토레지스트의 부산물인 물질을 포함하는 임의의 잔여물에 해당한다.
본원에 사용된 바와 같이, "플루오라이드" 종은 이온성 플루오라이드(F-) 또는 공유결합된 플루오린를 포함하는 종에 해당한다. 플루오라이드 종은 플루오라이드 종으로서 포함되거나 또는 동일계내 생성될 수 있다는 것이 인식되어야 한다.
개시 및 청구된 대상의 조성물은, 이하 더 완전하게 기술된 바와 같이 매우 다양한 특정 배합물에서 구현될 수 있다.
하한값 0을 포함하는 중량 백분율 범위를 참조하여 조성물의 특정 성분이 논의되는 이러한 모든 조성물에서, 이러한 성분은 조성물의 다양한 특정 실시양태에 존재 또는 부재할 수 있다는 것과, 이러한 성분이 존재하는 경우, 이들은 이러한 성분이 사용되는 조성물의 총 중량을 기준으로 0.001 중량 백분율만큼 낮은 농도로 존재할 수 있다는 것이 이해될 것이다.
본원에 개시된, 개시된 대상의 취지 및 범위로부터 벗어나지 않으면서, 명세서에 기술된 양태에 기초하여 개시된 대상이 어떻게 실시되는지에 있어서 다양한 변경이 이루어질 수 있다는 것도 당업자에게 명백할 것이다.
상기 기재된 바와 같이, 개시된 대상은 ITO 및 SiO2에 양립가능하면서 포토레지스트 막을 부분적으로 제거하고 에칭 후 잔여물을 세정하는데 적합한 세정 조성물에 관한 것이다.
한 실시양태에서, 세정 조성물은
(i) 하나 이상의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
(ii) (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매 또는 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF), N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸프로피온아미드부터 선택되는 하나 이상의 아미드 약 50 중량% 내지 약 80 중량%;
(iii) 순수 암모늄 플루오라이드 및 순수 HF 중 하나 이상을 포함하는 플루오라이드 이온 공급원 약 0.1 중량% 내지 약 0.5 중량%;
(iv) 하나 이상의 완충제 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
(v) 물 약 10 중량% 내지 약 40 중량%; 및
(vi) 선택적으로 하나 이상의 부식 억제제
를 포함한다.
이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF), N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸프로피온아미드부터 선택되는 하나 이상의 아미드를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF)를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (vi) 하나 이상의 부식 억제제를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 약 3 초과 및 약 9 미만의 pH를 갖는다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 약 3 초과 및 약 6 미만의 pH를 갖는다. 다른 실시양태에서, 세정 조성물은 약 4 초과 및 약 6 미만의 pH를 갖는다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 약 4 초과 및 약 7 미만의 pH를 갖는다.
한 실시양태에서, 세정 조성물은 본질직으로
(i) 하나 이상의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
(ii) (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매 또는 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF), N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸프로피온아미드부터 선택되는 하나 이상의 아미드 약 50 중량% 내지 약 80 중량%;
(iii) 순수 암모늄 플루오라이드 및 순수 HF 중 하나 이상을 포함하는 플루오라이드 이온 공급원 약 0.1 중량% 내지 약 0.5 중량%;
(iv) 하나 이상의 완충제 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
(v) 물 약 10 중량% 내지 약 40 중량%; 및
(vi) 선택적으로 하나 이상의 부식 억제제
로 이루어진다.
이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF), N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸프로피온아미드부터 선택되는 하나 이상의 아미드를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF)를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (vi) 하나 이상의 부식 억제제를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 약 3 초과 및 약 9 미만의 pH를 갖는다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 약 3 초과 및 약 6 미만의 pH를 갖는다. 다른 실시양태에서, 세정 조성물은 약 4 초과 및 약 6 미만의 pH를 갖는다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 약 4 초과 및 약 7 미만의 pH를 갖는다.
한 실시양태에서, 세정 조성물은
(i) 하나 이상의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
(ii) (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매 또는 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF), N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸프로피온아미드부터 선택되는 하나 이상의 아미드 약 50 중량% 내지 약 80 중량%;
(iii) 순수 암모늄 플루오라이드 및 순수 HF 중 하나 이상을 포함하는 플루오라이드 이온 공급원 약 0.1 중량% 내지 약 0.5 중량%;
(iv) 하나 이상의 완충제 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
(v) 물 약 10 중량% 내지 약 40 중량%; 및
(vi) 선택적으로 하나 이상의 부식 억제제
로 이루어진다.
이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF), N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸프로피온아미드부터 선택되는 하나 이상의 아미드를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF)를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 (vi) 하나 이상의 부식 억제제를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 약 3 초과 및 약 9 미만의 pH를 갖는다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 약 3 초과 및 약 6 미만의 pH를 갖는다. 다른 실시양태에서, 세정 조성물은 약 4 초과 및 약 6 미만의 pH를 갖는다. 이 실시양태의 한 양태에서, 세정 조성물은 약 4 초과 및 약 7 미만의 pH를 갖는다.
다른 실시양태에서, 본원에 개시된 조성물은 4-메틸모르폴린 N-산화물, 트리메틸아민 N-산화물, 과아세트산, 우레아, 과산화수소, 아미드옥심 화합물, 히드록실아민, 히드록실아민 유도체 및 금속 함유 화합물을 실질적으로 함유하지 않거나 또는 이들 중 적어도 하나를 함유하지 않는다. 이 실시양태의 한 양태에서, 본원에 개시된 조성물은 4-메틸모르폴린 N-산화물, 트리메틸아민 N-산화물, 과아세트산, 우레아, 과산화수소, 아미드옥심 화합물 및 금속 함유 화합물을 실질적으로 함유하지 않거나 또는 모두 함유하지 않는다.
조성 성분
(i) 다가 알코올
상기 언급한 바와 같이, 개시 및 청구된 세정 조성물은 (i) 하나 이상의 다가 알코올을 포함한다. 본원에 사용된 바와 같이, "다가 알코올"은 적어도 2개의 히드록실기를 함유하는 화합물을 의미한다. 본 발명에 사용되는 다가 알코올은 바람직하게는 디- 또는 트리-알코올, 예컨대 (C2-C20) 알칸디올 및 (C3-C20) 알칸트리올, 고리형 알코올 및 치환된 알코올이다. 예시적인 다가 알코올은 글리세롤, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜(PG), 디에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 헥실렌 글리콜, 1,2-부탄디올, 1,4-부탄디올 및 2,3-부탄디올을 포함하지만 이에 한정되지는 않는다. 바람직한 다가 알코올은 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 글리세롤 및 이들의 조합을 포함한다.
일부 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올의 양은 하기 중량 백분율의 리스트로부터 선택되는 시작점 및 끝점을 갖는 범위일 수 있다: 약 1, 약 1.5, 약 2, 약 2.5, 약 3, 약 3.5, 약 4, 약 4.5, 약 5, 약 5.5, 약 6, 약 6.5, 약 7, 약 7.5, 약 8, 약 8.5, 약 9, 약 9.5 및 약 10. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 약 1 중량% 내지 약 10 중량%이다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 약 1 중량% 내지 약 5 중량%이다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 약 1% 내지 약 7 중량%이다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 약 5 중량% 내지 약 10 중량%이다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 약 3 중량% 내지 약 7 중량%이다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 용액의 중량을 기준으로 약 4 중량% 내지 약 6 중량%이다.
(iia) 글리콜 에테르 용매
상기 언급한 바와 같이, 일부 실시양태에서 개시 및 청구된 세정 조성물은 (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매를 포함한다. 글리콜 에테르의 예는 부틸 디글리콜, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(BDG), 디에틸렌 글리콜 모노이소부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜, 모노프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(DPM), 디프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 디프로필렌 모노부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디이소프로필 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 1-메톡시-2-부탄올, 2-메톡시-1-부탄올, 2-메톡시-2-메틸부탄올, 1,1-디메톡시에탄 및 2-(2-부톡시에톡시) 에탄올을 포함한다. 바람직한 글리콜 에테르 용매는 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)를 포함한다.
일부 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물 중 (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매의 양은 하기 중량 백분율의 리스트로부터 선택되는 시작점 및 끝점을 갖는 범위일 수 있다: 50, 55, 59.5, 60, 65, 70, 75 및 80. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물 중 (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 50 중량% 내지 약 80 중량%이다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물 중 (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 50 중량% 내지 약 70 중량%이다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물 중 (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 50 중량% 내지 약 60 중량%이다.
한 실시양태에서, (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)를 포함한다.
한 실시양태에서, (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 본질적으로 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진다.
한 실시양태에서, (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 양태에서, (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 양태에서, (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 54 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 양태에서, (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 59 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 양태에서, (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 53.9 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 양태에서, (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 58.9 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진다.
(iib) 아미드
상기 언급한 바와 같이, 일부 실시양태에서 개시 및 청구된 세정 조성물은 (iib) 디에틸 포름아미드, N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸프로피온아미드로부터 선택되는 하나 이상의 아미드를 포함한다.
일부 실시양태에서, 세정 조성물은 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF)를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 55 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58 중량% 내지 약 59 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 51 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 52 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 53 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 54 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 55 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 56 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 57 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58.1 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58.2 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58.3 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58.4 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58.5 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58.6 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58.7 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58.8 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 58.9 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 59 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 60 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함한다.
일부 실시양태에서, 세정 조성물은 (iib) N-메틸포름아미드를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N-메틸포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 55 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N-메틸포름아미드를 포함한다.
일부 실시양태에서, 세정 조성물은 (iib) N-에틸포름아미드를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 50 중량% 내지 약 60% 중량%의 (iib) N-에틸포름아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 55 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N-에틸포름아미드를 포함한다.
일부 실시양태에서, 세정 조성물은 (iib) N,N-디메틸아세트아미드를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N,N-디메틸아세트아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 55 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N,N-디메틸아세트아미드를 포함한다.
일부 실시양태에서, 세정 조성물은 (iib) N,N-디메틸프로피온아미드를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N,N-디메틸프로피온아미드를 포함한다. 이들 실시양태의 한 양태에서, 조성물은 약 55 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N,N-디메틸프로피온아미드를 포함한다.
(iii) 플루오라이드 이온 공급원
상기 언급한 바와 같이, 개시 및 청구된 세정 조성물은 (iii) 순수 암모늄 플루오라이드 및 순수 HF 중 하나 이상을 포함하는 플루오라이드 이온 공급원을 포함한다. 플루오라이드 이온은 주로 포토레지스트 및 에칭 후 잔여물 제거를 돕는 기능을 한다. 개시 및 청구된 대상에 따라 플루오라이드 이온 공급원을 제공하는 일반적인 화합물은 플루오린화 수소산, 암모늄 플루오라이드, 4급 암모늄 플루오라이드, 플루오로보레이트, 플루오로붕산, 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트, 알루미늄 헥사플루오라이드, 그리고 하기 식을 갖는 지방족 1차, 2차 또는 3차 아민의 플루오라이드 염이고,
R1NR2R3R4F
상기 식에서 R1, R2, R3 및 R4는 독립적으로 H 또는 (C1-C4) 알킬기를 나타낸다. 일반적으로, R1, R2, R3 및 R4 기의 총 탄소 원자 수는 12개 이하의 탄소 원자이다. 지방족 1차, 2차 또는 3차 아민의 플루오라이드 염의 예로는, 예를 들어 테트라메틸암모늄 플루오라이드, 테트라에틸암모늄 플루오라이드, 메틸트리에틸암모늄 플루오라이드 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드가 있다.
플루오라이드 이온 공급원 선택 시, 공급원이 세정되는 표면에 악영향을 미칠 수 있는 이온을 방출하는지 여부를 고려해야 한다. 예를 들어, 반도체 구성요소 세정 시, 세정 용액 중 나트륨 또는 칼슘 이온의 존재는 구성요소의 표면에 악영향을 미칠 수 있다.
한 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 NH4F이다. 한 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 HF이다. 한 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 NH4F 및 HF의 조합이다. 일부 실시양태에서, NH4F가 플루오라이드 이온 공급원으로 포함되는 경우, 이는 40% 암모늄 플루오라이드를 포함하는 수용액으로 제공된다. HF가 플루오라이드 이온 공급원으로 포함되는 경우, 상용 등급의 플루오린화 수소산이 사용될 수 있다. 일반적으로, 시판되는 플루오린화 수소산은 5% 내지 70% 수용액으로 제공된다. 바람직한 실시양태에서, 전자급 HF 산 용액은, 이러한 전자급 용액이 일반적으로 100 입자/mL 미만의 입자 수를 갖고, 입자 크기가 0.5 마이크론 이하이고, 금속 이온이 산에 낮은 백만분율 내지 십억분율 수준(부피)으로 존재할 때 사용된다.
일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.01 중량% 내지 약 0.5 중량%의 순수 NH4F를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.01 중량% 내지 약 0.1 중량%의 순수 NH4F를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.01 중량% 내지 약 0.2 중량%의 순수 NH4F를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.01 중량% 내지 약 0.3 중량%의 순수 NH4F를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.01 중량% 내지 약 0.4 중량%의 순수 NH4F를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.05 중량%의 순수 NH4F를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.1 중량%의 순수 NH4F를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.2 중량%의 순수 NH4F를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.3 중량%의 순수 NH4F를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.4 중량%의 순수 NH4F를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.5 중량%의 순수 NH4F를 포함한다.
일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.01 중량% 내지 약 0.15 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.01 중량% 내지 약 0.12 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.01 중량% 내지 약 0.10 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.05 중량% 내지 약 0.15 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.05 중량% 내지 약 0.10 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.10 중량% 내지 약 0.15 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.025 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.03 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.035 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.04 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.045 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.05 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.06 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.07 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.08 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.09 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.10 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 불화물 이온 공급원은 약 0.12 중량%의 순수 HF를 포함한다. 일부 특정 실시양태에서, 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.15 중량%의 순수 HF를 포함한다.
(IV) 완충제
상기 언급한 바와 같이, 개시 및 청구된 세정 조성물은 (iv) 하나 이상의 완충제를 포함한다. 완충제는, 세정 조성물의 pH를, 가장 민감한 금속을 부식을 최소화하면서 세정될 수 있도록 하는 약 3 내지 약 9의 pH로 조정하기 위해 사용된다.
그러나 무기성이 높은 에칭 잔여물의 제거 및 산화물 스키밍은 미산성 pH를 필요로 한다. 이에 따라, 일부 실시양태에서 세정 조성물의 pH는 에칭 잔여물 세정에 대한 최적의 효능을 위해 약 3 내지 약 6으로 조정된다. 다른 실시양태에서, 세정 조성물의 pH는 에칭 잔여물 세정에 대한 최적의 효능을 위해 약 4 내지 약 6으로 조정된다. 다른 실시양태에서, 세정 조성물의 pH는 에칭 잔여물 세정에 대한 최적의 효능을 위해 약 4 내지 약 7로 조정된다.
바람직한 완충제는 카르복실산 및/또는 다염기산의 암모늄염을 함유한다. 이러한 암모늄염의 예로는 아세트산 또는 인산 및 시트르산의 암모늄염이 있다. 한 실시양태에서, 예를 들어 완충제는 아세트산암모늄 및 아세트산의 수용액이다. 완충 용액을 제조하는 방법은 당업계에 잘 공지되어 있다. 산성 완충 용액은, 개시 및 청구된 대상의 조성물에 첨가될 때, 알루미늄, 구리, 티타늄 등과 같은 민감한 금속의 부식을 최소화하도록 조정된 pH를 갖는 완충 조성물을 제공한다. 산성 완충 용액은 원하는 pH를 얻기 위해 필요한 양으로 첨가된다. 산성 완충 용액을 첨가하는 것은, 물에 의한 희석 또는 염기나 산에 의한 오염으로 인한 pH 스윙을 방지한다.
일부 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 조성물의 약 1 중량% 내지 약 10 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 1 중량% 내지 약 5 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 1 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 1.5 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 2 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 2.5 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 3 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 3.5 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 4 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 4.5 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 5 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 5.5 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 6 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 6.5 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 7 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 7.5 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 8 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 8.5 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 9 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 9.5 중량%의 완충제를 포함한다. 다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 약 10 중량%의 완충제를 포함한다.
상기 범위에 더하여, 세정 조성물은 하기 중량 백분율 리스트로부터의 시작점과 끝점을 갖는 범위에서 완충제(순수) 하나 이상을 일정량(총량) 포함할 수 있다: 1, 1.5 , 2, 2.5, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10.
한 실시양태에서, (iv) 완충제는 아세트산암모늄 및 아세트산의 수용액이다. 이 실시양태의 한 양태에서, (iv) 완충제는 아세트산암모늄 및 아세트산의 수용액 약 4.0 중량% 내지 약 5.0 중량%를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, (iv) 완충제는 아세트산암모늄 및 아세트산의 수용액 약 4.25 중량% 내지 약 4.75 중량%를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, (iv) 완충제는 아세트산암모늄 및 아세트산의 수용액 약 4.5 중량%를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, (iv) 완충제는 아세트산암모늄 및 아세트산의 수용액 약 4.6 중량%를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, (iv) 완충제는 아세트산암모늄 및 아세트산의 수용액 약 4.7 중량%를 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, (iv) 완충제는 약 1.5 중량% 내지 약 3.0 중량%의 아세트산암모늄 및 약 1.5 중량% 내지 약 3.0 중량%의 아세트산을 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, (iv) 완충제는 약 2.0 중량% 내지 약 3.0 중량%의 아세트산암모늄 및 약 1.5 중량% 내지 약 2.5 중량%의 아세트산을 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, (iv) 완충제는 약 2.5 중량%의 아세트산암모늄 및 약 2.0 중량%의 아세트산을 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, (iv) 완충제는 약 2.6 중량%의 아세트산암모늄 및 약 2.0 중량%의 아세트산을 포함한다.
(v) 물
개시 및 청구된 세정 조성물은 수성 기반이고, 따라서 물을 포함한다. 물은 다양한 방식으로, 예를 들어 조성물의 고체 성분 하나 이상을 용해시키기 위해, 성분의 담체로, 무기 염 및 착물의 제거를 촉진하기 위한 보조제로, 조성물의 점도 개질제로, 그리고 희석제로 기능한다. 바람직하게는, 세정 조성물에 사용되는 물은 탈이온수(DIW) 수이다.
한 실시양태에서, 세정 조성물은 약 10 중량% 내지 약 40 중량% 또는 약 20 중량% 내지 약 40 중량%의 물을 포함한다. 다른 실시양태에서, 세정 조성물은 약 25 중량% 내지 약 35 중량%의 물을 포함한다.
개시 및 청구된 조성물 중 (v) 물의 양은 세정 조성물의 10, 11, 13, 25, 26, 29, 30, 31, 32, 34, 36, 39, 40 중량%의 군으로부터 선택되는 임의의 하한 및 상한 끝점을 갖는 임의의 범위일 수 있다. 예를 들어, 물의 양은 약 10 중량% 내지 약 40 중량% 또는 약 15 중량% 내지 약 35 중량% 또는 약 20% 내지 약 35 중량% 또는 하한 및 상한 끝점의 임의의 다른 조합의 범위일 수 있다. 일부 실시양태에서, 예를 들어 물의 양은 약 10 중량% 내지 약 30 중량%, 약 20 중량% 내지 약 30 중량%, 약 25 중량% 내지 약 35 중량%, 약 20 중량% 내지 약 40 중량%, 약 20 중량% 내지 약 45 중량%, 약 25 중량% 내지 약 32 중량%, 약 30 중량% 내지 약 35 중량%, 약 28 중량% 내지 약 32 중량%, 약 29 중량% 내지 약 35 중량% 범위일 수 있다. 당업자는 물의 양이 이들 범위 내 및 주위에서 다양할 수 있고 여전히 개시 및 청구된 대상의 범위 내에 속할 수 있다는 것을 인식할 것이다.
(vi) 선택적 부식 억제제
개시 및 청구된 대상의 조성물은 선택적으로 하나 이상의 부식 억제제를 추가로 포함한다. 부식 억제제는 에칭되는 기판 표면 상에 노출된 임의의 금속, 특히 구리, 또는 비금속과 반응하여 표면을 패시베이팅하고 세정 중 과도한 에칭을 방지하는 역할을 한다. 부식 억제제의 예는 카르복실기 함유 유기 화합물 및 이의 무수물, 트리아졸 화합물, 및 이미다졸 화합물을 포함한다.
예시적인 카르복실기 함유 유기 화합물 및 이의 무수물은 포름산, 프로피온산, 부티르산, 이소부티르산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 말레산, 푸마르산, 벤조산, 프탈산, 1,2,3-벤젠트리카르복실산, 글리콜산, 젖산, 말레산, 아세트산 무수물 및 살리실산을 포함한다.
예시적인 트리아졸 화합물은 벤조트리아졸, o-톨릴트리아졸, m-톨릴트리아졸, p-톨릴트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 니트로벤조트리아졸 및 디히드록시프로필벤조트리아졸을 포함한다.
예시적인 이미다졸 화합물은 벤즈이미다졸 및 2-메르캅토벤즈이미다졸을 포함한다.
예시적인 실시양태에서, 개시 및 청구된 대상의 조성물 중 하나 이상의 부식 억제제는 벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 아미노-벤조트리아졸, D-프럭토스, t-부틸 카테콜, L-아스코르브산, 바닐린, 살리실산, 디에틸 히드록실아민, 및 폴리(에틸렌이민), 2-메르캅토벤즈이미다졸 중 하나 이상을 포함한다.
다른 실시양태에서, 하나 이상의 부식 억제제는 트리아졸이고 벤조트리아졸, o-톨릴트리아졸, m-톨릴트리아졸, 및 p-톨릴트리아졸 중 적어도 하나이며, 더 바람직하게는 부식 억제제는 벤조트리아졸을 포함한다.
존재하는 경우, 개시 및 청구된 조성물은 조성물의 약 0.1 내지 약 15 중량%의 부식 억제제(순수) 하나 이상을 포함할 것이고; 바람직하게는 이는 조성물의 약 0.1 내지 약 10 중량%, 바람직하게는 약 0.5 내지 약 5 중량%, 및 가장 바람직하게는 약 0.1 내지 약 1 중량%, 또는 약 0.1 내지 약 0.5 중량%를 포함한다. 상기 범위에 더하여, 개시 및 청구된 조성물은 하기 중량 백분율 리스트로부터의 시작점과 끝점을 갖는 범위에서 부식 억제제(순수) 하나 이상을 일정량(총량) 포함할 수 있다: 0.1, 0.2, 0.25, 0.4, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 및 15.
다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 부식 억제제를 실질적으로 함유하지 않는다.
다른 실시양태에서, 개시 및 청구된 조성물은 부식 억제제를 함유하지 않는다.
기타 선택적으로 배제되는 성분:
다른 실시양태에서, 조성물은 산화제, 계면활성제, 화학적 개질제, 염료 및/또는 살생물제 중 임의의 것 또는 전부를 포함하고, 실질적으로 함유하지 않거나 또는 함유하지 않을 수 있다.
일부 실시양태에서, 개시 및 청구된 대상의 조성물은, 황 함유 화합물, 브롬 함유 화합물, 염소 함유 화합물, 요오드 함유 화합물, 할로겐 함유 화합물, 인 함유 화합물, 금속 함유 화합물, 나트륨 함유 화합물, 칼슘 함유 화합물, 알킬 티올, 유기 실란, 리튬 함유 화합물, 규소 함유 화합물, 산화제, 과산화물, 완충 종, 폴리머, 무기산, 아미드, 금속 수산화물 및 연마제 중 적어도 하나, 또는 임의의 조합으로 하나 이상, 또는 전부를 함유하지 않거나 또는 실질적으로 함유하지 않거나, 또는 이미 조성물에 존재하는 경우 이들의 임의의 추가적인 것을 함유하지 않을 수 있다.
사용 방법
개시 및 청구된 대상은 개시 및 청구된 포토레지스트 스트리퍼 용액 중 하나 이상을 사용하여 기판으로부터 하나 이상의 포토레지스트 또는 유사한 물질을 전체적으로 또는 부분적으로 제거하는 방법을 추가로 포함한다. 상기 언급한 바와 같이, 개시 및 청구된 포토레지스트 스트리퍼 용액은 단일층 또는 특정 유형의 이중층 레지스트에 존재하는 폴리머 레지스트 물질을 제거하는 데 사용될 수 있다. 하기 교시된 방법을 활용하여, 폴리머 레지스트의 단일층이 단일 폴리머층을 갖는 표준 웨이퍼로부터 효과적으로 제거될 수 있다. 제1 무기층 및 제2 또는 외부 폴리머층으로 구성된 이중층을 갖는 웨이퍼로부터 단일 폴리머층을 제거하는 데에도 동일한 방법이 사용될 수 있다. 마지막으로, 2개의 폴리머층으로 구성된 이중층을 갖는 웨이퍼로부터 2개의 폴리머층이 효과적으로 제거될 수 있다.
이 실시양태의 한 양태에서, 기판으로부터 포토레지스트 또는 유사한 물질을 제거하기 위한 공정 또는 방법은
(i) 원하는 양의 포토레지스트 또는 유사한 물질을 제거하기에 충분한 시간 동안 기판을 하나 이상의 포토레지스트 스트리퍼 용액과 접촉시키는 단계,
(ii) 스트리핑 용액으로부터 기판을 꺼내는 단계,
(iii) DI수 또는 용매로 기판으로부터 스트리핑 용액을 헹구는 단계, 및
(iv) 선택적으로 기판을 건조시키는 단계
를 포함한다.
한 실시양태에서, 단계 (i)는 하나 이상의 포토레지스트 스트리퍼 용액에 기판을 침지시키고 선택적으로 기판을 교반하여 포토레지스트 제거를 촉진하는 것을 포함한다. 이러한 교반은 기계적 교반, 순환에 의해, 또는 불활성 가스를 조성물을 통과하여 버블링하는 것에 의해 영향을 받을 수 있다.
한 실시양태에서, 단계 (ii)는 물 또는 알코올로 헹구어진 기판을 헹구는 것을 포함한다. 이 실시양태의 한 양태에서, 탈이온("DI")수는 물의 바람직한 형태이다. 이 실시양태의 다른 양태에서, 이소프로판올(IPA)이 바람직한 용매이다. 이 실시양태의 다른 양태에서, 산화되는 성분은 불활성 분위기 하에 헹구어지거나 또는 헹구어질 수 있다.
상기 방법(및 이의 변형)을 활용하여, 개시 및 청구된 포토레지스트 스트리퍼 용액은 두껍고 얇은 포지티브 또는 네거티브 톤 포토레지스트의 제거에 사용될 수 있다. 두꺼운 포토레지스트는 반도체 디바이스용 첨단 패키징 응용분야에서 약 5 μm 내지 약 100 μm 이상, 또는 약 15 μm 내지 100 μm, 또는 약 20 μm 내지 약 100 μm의 레지스트일 수 있다. 다른 경우에서, 화학 용액은 약 1 μm 내지 약 100 μm 이상, 또는 약 2 μm 내지 100 μm, 또는 약 3 μm 내지 약 100 μm의 포토레지스트를 제거하는 데 사용될 수 있다.
실시예
이제 본 개시내용의 더 구체적인 실시양태 및 이러한 실시양태를 뒷받침하는 실험 결과에 대한 참조가 이루어질 것이다. 실시예는 개시된 대상을 더 완전하게 예시하기 위해 하기에 제공되고 어떤 방식으로든 개시된 대상을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
개시된 대상의 취지 또는 범위를 벗어나지 않으면서 개시된 대상 및 본원에 제공된 특정 실시예에서 다양한 변경 및 변형이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 하기 실시예에 의해 제공되는 설명을 포함하는 개시된 대상은, 임의의 청구범위 및 이의 등가물의 범위 내에 속하는 개시된 대상의 변경 및 변형을 포괄하는 것으로 의도된다.
실시예에 사용된 약어는 하기와 같다:
포토레지스트 제거 능력을 광학현미경으로 측정하였다. 산화규소 및 TEOS 막 에칭 속도를 에칭 전후의 두께 변화로부터 추정하였고 분광 엘립소메트리 SCI FilmTek SE2000으로 측정하였다. 산화규소의 경우 일반적인 시작층 두께는 1000A Å이었다. ITO, 알루미늄, 티타늄 에칭 속도를 에칭 전후의 두께 변화로부터 추정하였고 CDE Resmap으로 측정하였다. ITO, Al 및 Ti 기판의 경우 일반적인 시작층 두께는 1000 Å이었다. 모든 비커 테스트 및 에칭 속도 테스트는 주위 온도 내지 60℃에서 수행하였다. 데이터는 40℃ 및 35℃에서 보고되었다. 다양한 기판의 웨이퍼 쿠폰을 원하는 공정 온도 및 공정 시간으로 배합물에 침지시켰다. DIW 헹굼 후, 웨이퍼 쿠폰을 질소 가스에 의해 송풍 건조시켰다. 막 두께를 CDS Resmap(금속 기판) 또는 엘립소미터(유전체 기판)으로 측정하였다. 배합물 침지 전/후의 막 두께 차이를 계산하고 공정 시간을 사용하여 에칭 속도를 도출하였다. 세정 테스트는 패턴 웨이퍼 기판을 특정 시간 동안 배합물에 침지시킴으로써 수행하였다. 웨이퍼 헹굼 후, 기판을 N2 송풍에 의해 건조시켰다. 이어서 세정 성능을 SEM에 의해 평가하였다. 일반적으로, 세정 성능은 측벽을 따라 있는 에칭 후 잔여물이 효과적으로 제거될 때 허용가능했다. 더욱이, 기판 상에 눈에 띄는 손상이 관찰되어서는 안 된다. 이는 기판의 에칭 속도 데이터로도 확인할 수 있다. 배합물이 기판과 양립가능한 경우, 기판의 낮은 에칭 속도가 관찰되어야 한다.
표 1은 플루오라이드 이온을 함유하는 배합물 1이 포토레지스트 층의 12 μm 제거를 야기한 반면, 플루오라이드 이온을 배제하는 배합물 2는 어떠한 포토레지스트 에칭도 나타내지 않았음을 보여주며, 이는 플루오라이드 이온의 존재가 포토레지스트 제거를 위한 핵심 성분이었음을 시사한다.
표 2는 상이한 용매를 플루오라이드 이온과 조합하여 사용하는 경우의, 포토레지스트 제거량 및 세정 성능에 대한 영향을 보여준다. 이러한 용매 중에서, BDG 기반 배합물 5는 NMP 기반 배합물 1과 유사한 세정 성능을 보였지만, 더 높은 포토레지스트 제거량 및 SiO2 에칭 속도가 관찰되었다. PG 기반 배합물 3은 훨씬 적은 포토레지스트 제거량 및 더 낮은 SiO2 에칭 속도를 보였으나; 세정 성능은 불량하였다. 다른 용매는 ITO 에칭 속도에 유의미한 영향을 미치지 않았다. 모든 ITO 에칭 속도는 낮았고, 이는 모든 플루오라이드 배합물이 ITO 기판에 대해 우수한 양립성을 가졌음을 시사한다.
표 3은, BDG 기반 배합물 내로 20% 초과의 PG를 첨가함으로써 포토레지스트 에칭량 및 SiO2 에칭 속도가 둘 다 낮아졌지만, 세정 성능에 여전히 개선이 필요함을 보여준다.
표 4는 배합물 6 및 7을 비교하는 경우, PG 농도를 10% 미만으로 낮추면 세정 성능은 개선되더라도 SiO2 에칭 속도의 명백한 증가로 이어진다는 것을 보여준다. PG 및 BDG 혼합 용매 기반 배합물에서 플루오라이드 농도를 낮춤으로써, 세정 성능에 영향을 주지 않으면서 SiO2 에칭 속도를 감소시켰다.
표 5는 상이한 용매를 함유하는 배합물에서 알루미늄 함유 잔여물 및 규소 함유 잔여물인 에칭 후 잔여물에 대한 세정 성능을 예시한다. BDG 및 PG를 사용하는 배합물은 세정 후 기판 상에 약간의 잔여물을 보였다. 반면에, 오직 하나의 용매 DEF를 함유하는 배합물 13은 우수한 세정 성능을 보였다. 이들 결과는 DEF의 극성이 Al 함유 잔여물의 제거에 핵심적인 역할을 한다는 것을 보여주었다. 오직 DEF 용매만이 에칭 후 잔여물을 효과적으로 제거할 수 있으며, BDG 및 PG를 사용하는 배합물은 세정 후에도 여전히 에칭 후 잔여물을 일부 보였다.
개시 및 청구된 대상이 어느 정도 구체적으로 설명되고 예시되었지만, 본 개시내용은 단지 예로서 이루어진 것이고, 개시 및 청구된 대상의 취지와 범위로부터 벗어나지 않으면서 조건 및 단계의 순서에 대한 수많은 변경이 당업자에 의해 이루어질 수 있다는 점이 이해된다.

Claims (96)

  1. 조성물로서,
    (i) 하나 이상의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
    (ii) (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매 또는 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF), N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 또는 N,N-디메틸프로피온아미드로부터 선택되는 하나 이상의 아미드 약 50 중량% 내지 약 80 중량%;
    (iii) 순수 암모늄 플루오라이드 및 순수 HF 중 하나 이상을 포함하는 플루오라이드 이온 공급원 약 0.1 중량% 내지 약 0.5 중량%;
    (iv) 하나 이상의 완충제 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
    (v) 물 약 10 중량% 내지 약 40 중량%; 및
    (vi) 선택적으로 하나 이상의 부식 억제제
    를 포함하는 조성물.
  2. 조성물로서,
    (i) 하나 이상의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
    (ii) (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매 또는 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF), N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 또는 N,N-디메틸프로피온아미드부터 선택되는 하나 이상의 아미드 약 50 중량% 내지 약 80 중량%;
    (iii) 순수 암모늄 플루오라이드 및 순수 HF 중 하나 이상을 포함하는 플루오라이드 이온 공급원 약 0.1 중량% 내지 약 0.5 중량%;
    (iv) 하나 이상의 완충제 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
    (v) 물 약 10 중량% 내지 약 40 중량%; 및
    (vi) 선택적으로 하나 이상의 부식 억제제
    로 본질적으로 이루어진 조성물.
  3. 조성물로서,
    (i) 하나 이상의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
    (ii) (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매 또는 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF), N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 또는 N,N-디메틸프로피온아미드부터 선택되는 하나 이상의 아미드 약 50 중량% 내지 약 80 중량%;
    (iii) 순수 암모늄 플루오라이드 및 순수 HF 중 하나 이상을 포함하는 플루오라이드 이온 공급원 약 0.1 중량% 내지 약 0.5 중량%;
    (iv) 하나 이상의 완충제 약 1 중량% 내지 약 10 중량%;
    (v) 물 약 10 중량% 내지 약 40 중량%; 및
    (vi) 선택적으로 하나 이상의 부식 억제제
    로 이루어진 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 3 초과 및 약 6 미만의 pH를 갖는 것인 조성물.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 4 초과 및 약 6 미만의 pH를 갖는 것인 조성물.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 4 초과 및 약 7 미만의 pH를 갖는 것인 조성물.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 본원에 개시된 조성물은 4-메틸모르폴린 N-산화물, 트리메틸아민 N-산화물, 과아세트산, 우레아, 과산화수소, 아미드옥심 화합물, 히드록실아민, 히드록실아민 유도체 및 금속 함유 화합물 중 적어도 하나를 실질적으로 함유하지 않는 것인 조성물.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 본원에 개시된 조성물은 4-메틸모르폴린 N-산화물, 트리메틸아민 N-산화물, 과아세트산, 우레아, 과산화수소, 아미드옥심 화합물, 히드록실아민, 히드록실아민 유도체 및 금속 함유 화합물 중 적어도 하나를 함유하지 않는 것인 조성물.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (i) 하나 이상의 다가 알코올은 글리세롤, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 헥실렌 글리콜, 1,2-부탄디올, 1,4-부탄디올 및 2,3-부탄디올 중 하나 이상인 조성물.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 조성물의 약 1 중량% 내지 약 10 중량%인 조성물.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 조성물의 약 1 중량% 내지 약 5 중량%인 조성물.
  12. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 조성물의 약 1 중량% 내지 약 7 중량%인 조성물.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 조성물의 약 5 중량% 내지 약 10 중량%인 조성물.
  14. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 조성물의 약 3 중량% 내지 약 7 중량%인 조성물.
  15. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 개시 및 청구된 조성물 중 (i) 하나 이상의 다가 알코올은 조성물의 약 4 중량% 내지 약 6 중량%인 조성물.
  16. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (i) 하나 이상의 다가 알코올은 약 5 중량% 내지 약 10 중량%의 프로필렌 글리콜로 이루어진 것인 조성물.
  17. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (i) 하나 이상의 다가 알코올은 약 5 중량%의 프로필렌 글리콜로 이루어진 것인 조성물.
  18. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (i) 하나 이상의 다가 알코올은 약 10 중량%의 프로필렌 글리콜로 이루어진 것인 조성물.
  19. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)를 포함하는 것인 세정 조성물.
  20. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진 것인 조성물.
  21. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 54 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진 것인 조성물.
  22. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 59 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진 것인 조성물.
  23. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 53.9 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진 것인 조성물.
  24. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iia) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 58.9 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어진 것인 조성물.
  25. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 (iib) 디에틸 포름아미드(DEF), N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸프로피온아미드로부터 선택되는 하나 이상의 아미드를 포함하는 것인 조성물.
  26. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함하는 것인 조성물.
  27. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  28. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 55 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  29. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 58 중량% 내지 약 69 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  30. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 58 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  31. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 58.5 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  32. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 58.6 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  33. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 58.7 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  34. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 59 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  35. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 60 중량%의 (iib) 디에틸 포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  36. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 (iib) N-메틸포름아미드를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함하는 것인 조성물.
  37. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N-메틸포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  38. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 55 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N-메틸포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  39. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 (iib) N-에틸포름아미드를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함하는 것인 조성물.
  40. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N-에틸포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  41. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 55 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N-에틸포름아미드를 포함하는 것인 조성물.
  42. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 (iib) N,N-디메틸아세트아미드를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함하는 것인 조성물.
  43. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N,N-디메틸아세트아미드를 포함하는 것인 조성물.
  44. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 55 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N,N-디메틸아세트아미드를 포함하는 것인 조성물.
  45. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 (iib) N,N-디메틸프로피온아미드를 포함하는 하나 이상의 아미드를 포함하는 것인 조성물.
  46. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N,N-디메틸프로피온아미드를 포함하는 것인 조성물.
  47. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 약 55 중량% 내지 약 60 중량%의 (iib) N,N-디메틸프로피온아미드를 포함하는 것인 조성물.
  48. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 암모늄 플루오라이드를 포함하는 것인 세정 조성물.
  49. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 HF를 포함하는 것인 세정 조성물.
  50. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 암모늄 플루오라이드 및 순수 HF를 포함하는 것인 세정 조성물.
  51. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 암모늄 플루오라이드이고 조성물의 약 0.01 중량% 내지 약 0.5 중량%인 세정 조성물.
  52. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 암모늄 플루오라이드이고 조성물의 약 0.01 중량% 내지 약 0.4 중량%인 세정 조성물.
  53. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 암모늄 플루오라이드이고 조성물의 약 0.01 중량% 내지 약 0.3 중량%인 세정 조성물.
  54. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 암모늄 플루오라이드이고 조성물의 약 0.01 중량% 내지 약 0.2 중량%인 세정 조성물.
  55. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 암모늄 플루오라이드이고 조성물의 약 0.01 중량% 내지 약 0.1 중량%인 세정 조성물.
  56. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 HF이고 조성물의 약 0.01 중량% 내지 약 0.15 중량%인 세정 조성물.
  57. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 HF이고 조성물의 약 0.01 중량% 내지 약 0.12 중량%인 세정 조성물.
  58. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 HF이고 조성물의 약 0.01 중량% 내지 약 0.10 중량%인 세정 조성물.
  59. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 HF이고 조성물의 약 0.01 중량% 내지 약 0.15 중량%인 세정 조성물.
  60. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 HF이고 조성물의 약 0.05 중량% 내지 약 0.15 중량%인 세정 조성물.
  61. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 HF이고 조성물의 약 0.05 중량% 내지 약 0.10 중량%인 세정 조성물.
  62. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 순수 HF이고 조성물의 약 0.10 중량% 내지 약 0.15 중량%인 세정 조성물.
  63. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iv) 완충제는 조성물의 약 1 중량% 내지 약 10 중량%인 세정 조성물.
  64. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iv) 완충제는 조성물의 약 1 중량% 내지 약 5 중량%인 세정 조성물.
  65. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iv) 완충제는 아세트산암모늄 및 아세트산의 수용액인 세정 조성물.
  66. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iv) 완충제는 아세트산암모늄 및 아세트산의 수용액 약 4.0 중량% 내지 약 5.0 중량%를 포함하는 것인 세정 조성물.
  67. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iv) 완충제는 약 1.5 중량% 내지 약 3.0 중량%의 아세트산암모늄 및 약 1.5 중량% 내지 약 3.0 중량%의 아세트산을 포함하는 것인 세정 조성물.
  68. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iv) 완충제는 약 2.0 중량% 내지 약 3.0 중량%의 아세트산암모늄 및 약 1.5 중량% 내지 약 2.5 중량%의 아세트산을 포함하는 것인 세정 조성물.
  69. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iv) 완충제는 약 2.5 중량%의 아세트산암모늄 및 약 2.0 중량%의 아세트산을 포함하는 것인 세정 조성물.
  70. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (iv) 완충제는 약 2.6 중량%의 아세트산암모늄 및 약 2.0 중량%의 아세트산을 포함하는 것인 세정 조성물.
  71. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (v) 물은 조성물의 약 10 중량% 내지 약 40 중량%인 세정 조성물.
  72. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (v) 물은 조성물의 약 20 중량% 내지 약 40 중량%인 세정 조성물.
  73. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (v) 물은 조성물의 약 15 중량% 내지 약 35 중량%인 세정 조성물.
  74. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (v) 물은 조성물의 약 25 중량% 내지 약 35 중량%인 세정 조성물.
  75. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (v) 물은 조성물의 약 10 중량% 내지 약 30 중량%인 세정 조성물.
  76. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (vi) 하나 이상의 부식 억제제는 벤조트리아졸, o-톨릴트리아졸, m-톨릴트리아졸, 및 p-톨릴트리아졸 중 하나 이상을 포함하는 것인 세정 조성물.
  77. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (vi) 하나 이상의 부식 억제제는 벤조트리아졸을 포함하는 것인 세정 조성물.
  78. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (vi) 하나 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.1 중량% 내지 약 15 중량%인 세정 조성물.
  79. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (vi) 하나 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%인 세정 조성물.
  80. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (vi) 하나 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.5 중량% 내지 약 5 중량%인 세정 조성물.
  81. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (vi) 하나 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.1 중량% 내지 약 1 중량%인 세정 조성물.
  82. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (vi) 하나 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.1 중량% 내지 약 0.5 중량%인 세정 조성물.
  83. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 세정 조성물은 (vi) 하나 이상의 부식 억제제를 포함하는 것인 조성물.
  84. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물은 (vi) 하나 이상의 부식 억제제를 함유하지 않는 것인 조성물.
  85. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (i) 다가 알코올은 약 5 중량% 내지 약 10 중량%의 프로필렌 글리콜(PG)로 이루어지고, (ii) 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 50 중량% 내지 약 60 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어지는 것인 세정 조성물.
  86. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (i) 다가 알코올은 약 5 중량%의 프로필렌 글리콜(PG)로 이루어지고, (ii) 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 59 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어지는 것인 세정 조성물.
  87. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (i) 다가 알코올은 약 10 중량%의 프로필렌 글리콜(PG)로 이루어지고, (ii) 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 54 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어지는 것인 세정 조성물.
  88. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (i) 다가 알코올은 약 5 중량%의 프로필렌 글리콜(PG)로 이루어지고, (ii) 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 58.9 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어지는 것인 세정 조성물.
  89. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (i) 다가 알코올은 약 10 중량%의 프로필렌 글리콜(PG)로 이루어지고, (ii) 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 53.9 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어지는 것인 세정 조성물.
  90. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    (i) 하나 이상의 다가 알코올은 약 5 중량%의 프로필렌 글리콜(PG)로 이루어지고;
    (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 58.9 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어지고;
    (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.28 중량%의 순수 암모늄 플루오라이드로 이루어지고;
    (iv) 하나 이상의 완충제는 약 2.6 중량%의 아세트산암모늄 및 약 2.0 중량%의 아세트산으로 이루어지고;
    배합물의 나머지는 (v) 물인 세정 조성물.
  91. 제90항에 있어서, (vi) 선택적인 하나 이상의 부식 억제제가 존재하고 약 1 중량%의 벤조트리아졸로 이루어지는 것인 세정 조성물.
  92. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    (i) 하나 이상의 다가 알코올은 약 10 중량%의 프로필렌 글리콜(PG)로 이루어지고;
    (ii) 하나 이상의 유기 수용성 글리콜 에테르 용매는 약 53.9 중량%의 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(BDG)로 이루어지고;
    (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 약 0.28 중량%의 순수 암모늄 플루오라이드로 이루어지고;
    (iv) 하나 이상의 완충제는 약 2.6 중량%의 아세트산암모늄 및 약 2.0 중량%의 아세트산으로 이루어지고;
    배합물의 나머지는 (v) 물인 세정 조성물.
  93. 제92항에 있어서, (vi) 선택적인 하나 이상의 부식 억제제가 존재하고 약 1 중량%의 벤조트리아졸로 이루어지는 것인 세정 조성물.
  94. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    (i) 하나 이상의 다가 알코올은 약 4 중량%의 프로필렌 글리콜(PG)로 이루어지고;
    (iib) 디에틸 포름아미드는 약 58.6 중량%의 디에틸 포름아미드로 이루어지고;
    (iii) 플루오라이드 이온 공급원은 약 3.5 중량%의 순수 암모늄 플루오라이드로 이루어지고;
    (iv) 하나 이상의 완충제는 약 2.6 중량%의 아세트산암모늄 및 약 2.0 중량%의 아세트산으로 이루어지고;
    배합물의 나머지는 (v) 물인 세정 조성물.
  95. .
  96. 기판으로부터 포토레지스트 또는 유사한 물질을 제거하는 방법으로서,
    (i) 원하는 양의 포토레지스트 또는 유사한 물질을 제거하기에 충분한 시간 동안 기판을 제1항 내지 제94항 중 어느 한 항의 포토레지스트 스트리퍼 용액 중 하나 이상과 접촉시키는 단계,
    (ii) 스트리핑 용액으로부터 기판을 꺼내는 단계,
    (iii) DI수 또는 용매로 기판으로부터 스트리핑 용액을 헹구는 단계, 및
    (iv) 선택적으로 기판을 건조시키는 단계
    를 포함하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 유사한 물질을 제거하는 방법.
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US6828289B2 (en) * 1999-01-27 2004-12-07 Air Products And Chemicals, Inc. Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature
US20030022800A1 (en) * 2001-06-14 2003-01-30 Peters Darryl W. Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners
US6677286B1 (en) * 2002-07-10 2004-01-13 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions for removing etching residue and use thereof
US7166419B2 (en) * 2002-09-26 2007-01-23 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions substrate for removing etching residue and use thereof

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