KR20240062171A - 전자 장치 및 전자 장치 구동 방법 - Google Patents

전자 장치 및 전자 장치 구동 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 각각이 구동 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들을 포함하고, 영상을 표시하는 액티브 영역 및 주변 영역이 정의된 표시층, 복수의 맵들이 저장된 메모리, 및 상기 메모리와 연결되고, 제어부를 포함하는 구동 컨트롤러를 포함하고, 상기 복수의 맵들은 제1 맵, 상기 제2 맵, 및 제3 맵을 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 맵을 근거로 데이터 전압에 대응되는 상기 제1 전류값을 출력하는 제1 전류 출력부, 상기 제2 맵을 근거로 전압을 출력하는 전압 출력부, 및 상기 제3 맵을 근거로 전력을 출력하고, 상기 전력을 근거로 상기 액티브 영역 내 위치별 발열 특성을 출력하는 발열 특성 출력부를 포함할 수 있다.

Description

전자 장치 및 전자 장치 구동 방법{ELECTRONIC DEVICE AND DRIVING METHODS OF ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 표시 품질이 향상된 전자 장치 및 전자 장치 구동 방법에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시 장치들이 개발되고 있다.
이러한 표시 장치들의 사용 분야가 다양해짐에 따라 표시 장치들에 표시되는 영상을 표시하기 위한 표시층의 종류도 다양해지고 있다.
최근 들어, 표시층은 발광형 표시층을 포함하고, 발광형 표시층은 유기발광 표시층 또는 퀀텀닷 발광 표시층 등을 포함할 수 있다.
본 발명은 표시 품질이 향상된 전자 장치 및 전자 장치 구동 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 각각이 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들을 포함하고, 영상을 표시하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역과 인접한 주변 영역이 정의된 표시층, 복수의 맵들이 저장된 메모리, 및 상기 메모리와 연결되고, 상기 표시층을 구동하며, 제어부를 포함하는 구동 컨트롤러를 포함하고, 상기 복수의 맵들은 데이터 전압에 따른 상기 구동 트랜지스터의 상기 액티브 영역 내 위치별 제1 전류값이 저장된 제1 맵, 상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 상기 액티브 영역 내 위치별 전압이 저장된 제2 맵, 및 상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 전류 및 상기 전압을 근거로 산출된 전력이 저장된 제3 맵을 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 맵을 근거로 상기 데이터 전압에 대응되는 상기 제1 전류값을 출력하는 제1 전류 출력부, 상기 제2 맵을 근거로 상기 전압을 출력하는 전압 출력부, 및 상기 제3 맵을 근거로 상기 전력을 출력하고, 상기 전력을 근거로 상기 액티브 영역 내 위치별 발열 특성을 출력하는 발열 특성 출력부를 포함할 수 있다.
상기 제어부는 상기 제1 전류 출력부와 연결되고, 위치별 입력 그레이에 따라 상기 데이터 전압을 출력하는 데이터 전압 출력부를 더 포함할 수 있다.
상기 입력 그레이는 상기 표시층의 위치별 휘도가 보상될 수 있다.
상기 복수의 맵들은 상기 제1 전류값에 따른 상기 발광 소자의 위치별 제2 전류값이 저장된 제4 맵을 더 포함하고, 상기 제어부는 제4 맵을 근거로 상기 제2 전류값을 출력하는 제2 전류 출력부를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 전류 출력부는 상기 제1 전류 출력부와 연결되고, 상기 발열 특성 출력부는 상기 제3 맵을 근거로 상기 제2 전류값 및 상기 전압에 대응되는 상기 전력을 출력할 수 있다.
상기 표시층에 제1 구동 전압 및 상기 제1 구동 전압보다 낮은 전압 레벨을 갖는 제2 구동 전압을 제공하는 전압 발생부를 더 포함하고, 상기 전압은 상기 제1 구동 전압에서 상기 제2 구동 전압을 뺀 값일 수 있다.
상기 복수의 맵들은 상기 액티브 영역의 위치별 상기 제1 구동 전압이 저장된 제5 맵 및 위치별 상기 제2 구동 전압이 저장된 제6 맵을 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 제5 맵을 근거로 상기 제1 구동 전압을 상기 전압 출력부에 제공하는 제1 전압 제공부 및 상기 제6 맵을 근거로 상기 제2 구동 전압을 상기 전압 출력부에 제공하는 제2 전압 제공부를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 맵들은 상기 제1 전류값에 따른 상기 표시층의 위치별 휘도를 근거로 보상된 제2-1 전류값이 저장된 제4-1 맵을 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 전류 출력부 및 상기 발열 특성 출력부 사이에 연결되고, 상기 제4-1 맵을 근거로 상기 제2-1 전류값을 출력하는 제2-1 전류 출력부를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 맵들은 상기 제1 전류값에 따른 상기 액티브 영역의 위치별 상기 발광 소자의 커패시턴스를 근거로 보상된 제2-2 전류값이 저장된 제4-2 맵을 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 전류 출력부 및 상기 발열 특성 출력부 사이에 연결되고, 상기 제4-2 맵을 근거로 상기 제2-2 전류값을 출력하는 제2-2 전류 출력부를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 화소들은 복수의 데이터 라인들과 복수의 스캔 라인들에 각각 연결되며, 상기 복수의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 구동 회로 및 상기 복수의 스캔 라인들을 구동하는 스캔 구동 회로를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 데이터 구동 회로 및 상기 스캔 구동 회로를 제어할 수 있다.
상기 구동 컨트롤러는 영상 신호를 수신하여 위치별 상기 발열 특성을 근거로 영상 데이터를 생성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 구동 방법은 각각이 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들에 제공되는 상기 복수의 화소들의 위치별 입력 그레이에 따라 데이터 전압을 출력하는 단계, 상기 데이터 전압에 따른 상기 구동 트랜지스터의 위치별 제1 전류값을 출력하는 단계, 상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 상기 복수의 화소들의 위치별 전압을 출력하는 단계, 및 상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 전류 및 상기 전압을 근거로 산출된 전력을 출력하고, 상기 전력을 근거로 상기 복수의 화소들의 위치별 발열 특성을 출력하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 전류값에 따른 상기 발광 소자의 위치별 제2 전류값을 출력하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 전류값을 출력하는 단계는 상기 제1 전류값을 출력하는 단계 및 상기 위치별 전압을 출력하는 단계 사이에 배치될 수 있다.
상기 위치별 발열 특성을 출력하는 단계는 상기 제2 전류값 및 상기 전압을 근거로 상기 전력을 산출할 수 있다.
상기 복수의 화소들에는 제1 구동 전압 및 상기 제1 구동 전압보다 낮은 전압 레벨을 갖는 제2 구동 전압이 제공되고, 상기 전압을 출력하는 단계는 상기 복수의 화소들의 위치별 상기 제1 구동 전압을 출력하는 단계 및 상기 복수의 화소들의 위치별 상기 제2 구동 전압을 출력하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 전압은 상기 제1 구동 전압에서 상기 제2 구동 전압을 뺀 값일 수 있다.
영상 신호를 수신하여 상기 위치별 발열 특성을 근거로 영상 데이터를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전류값에 따른 상기 복수의 화소들의 위치별 휘도를 근거로 보상된 제2-1 전류값을 출력하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2-1 전류값을 출력하는 단계는 상기 제1 전류값을 출력하는 단계 및 상기 위치별 전압을 출력하는 단계 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 복수의 데이터 라인들과 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 데이터 라인들 각각에 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동 회로, 복수의 맵들이 저장된 메모리, 상기 메모리와 연결되고, 제어부를 포함하는 구동 컨트롤러, 및 복수의 화소들을 포함하는 표시 패널을 포함하고, 상기 복수의 맵들은 상기 데이터 전압에 따른 상기 복수의 화소들 각각의 구동 트랜지스터의 위치별 제1 전류값이 저장된 제1 맵, 상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 위치별 전압이 저장된 제2 맵, 및 상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 전류 및 상기 전압을 근거로 산출된 전력이 저장된 제3 맵을 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 맵을 근거로 상기 데이터 전압에 대응되는 상기 제1 전류값을 출력하는 제1 전류 출력부, 상기 제2 맵을 근거로 상기 전압을 출력하는 전압 출력부, 및 상기 제3 맵을 근거로 상기 전력을 출력하고, 상기 전력을 근거로 상기 복수의 화소들의 위치별 발열 특성을 출력하는 발열 특성 출력부를 포함할 수 있다.
상술된 바에 따르면, 제어부는 메모리에 저장된 복수의 맵들을 통해 액티브 영역 내의 위치 별 발열 특성을 산출할 수 있다. 구동 컨트롤러는 영상 신호를 수신하여 발열 특성을 고려하여 영상 데이터를 생성할 수 있다. 복수의 화소들의 위치 별 휘도가 균일하게 보정될 수 있다. 따라서, 표시 품질이 향상된 전자 장치 및 전자 장치 구동 방법을 제공할 수 있다.
또한, 상술된 바에 따르면, 표시층에서 구동 전류를 결정짓는 요소들의 맵을 저장하여 위치 별로 상기 전력을 산출하고, 상기 전력을 근거로 발열 특성을 산출할 수 있다. 위치 별로 산출된 발열 특성의 정확성이 향상될 수 있고, 이를 통해 전자 장치의 온도에 대한 보상의 정확성이 향상될 수 있다. 따라서, 신뢰성이 향상된 전자 장치 및 전자 장치 구동 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 I-I'를 따라 절단한 전자 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 발광 소자들 및 전원 라인들을 개략적으로 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 트랜지스터의 특성 곡선과 발광 소자의 특성 곡선을 도시한 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부를 도시한 블록도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 구동 방법을 도시한 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부를 도시한 블록도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부를 도시한 블록도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부를 도시한 블록도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성 요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성 요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성 요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성 요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성 요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성 요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성 요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 전자 장치(1000)는 텔레비전, 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자 장치들을 포함할 수 있다. 또한, 전자 장치(1000)는 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 내비게이션, 게임기, 스마트폰, 태블릿, 또는 카메라와 같은 중소형 전자 장치들을 포함할 수도 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 개념에서 벗어나지 않는 이상 다른 전자 장치들을 포함할 수도 있다. 도 1에서는 전자 장치(1000)가 휴대폰인 것을 예시적으로 도시하였다.
액티브 영역(1000A)에는 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 면과 평행한 제1 표시면(1000A1) 및 제1 표시면(1000A1)으로부터 연장된 제2 표시면(1000A2)이 정의될 수 있다.
전자 장치(1000)는 액티브 영역(1000A)에 제3 방향(DR3)을 향해 영상(IM)을 표시할 수 있다. 제3 방향(DR3)은 두께 방향으로 지칭될 수 있다. 영상(IM)은 동적인 영상은 물론 정지 영상을 포함할 수 있다. 도 1에서는 영상(IM)의 일 예로 시계창 및 아이콘들이 도시되었다. 영상(IM)이 표시되는 액티브 영역(1000A)은 전자 장치(1000)의 전면(front surface)과 대응될 수 있다.
본 실시예에서는 영상(IM)이 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)이 정의될 수 있다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향되고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 제3 방향(DR3)과 평행할 수 있다. 본 명세서에서 "평면 상에서 보았을 때"는 제3 방향(DR3)에서 보았을 때를 의미할 수 있다.
제2 표시면(1000A2)은 제1 표시면(1000A1)의 일 측으로부터 벤딩되어 제공될 수 있다. 또한, 제2 표시면(1000A2)은 복수로 제공될 수 있다. 이 경우, 제2 표시면들(1000A2)은 제1 표시면(1000A1)의 적어도 2 개의 축으로부터 벤딩되어 제공될 수 있다. 액티브 영역(1000A)에는 하나의 제1 표시면(1000A1) 및 한 개 이상 네 개 이하의 제2 표시면들(1000A2)이 정의될 수 있다. 다만, 액티브 영역(1000A)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니며, 액티브 영역(1000A)에는 제1 표시면(1000A1)만이 정의될 수도 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 전자 장치(1000)는 표시층(100) 및 센서층(200)을 포함할 수 있다.
표시층(100)은 영상(IM, 도 1 참조)을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시층(100)은 발광형 표시층일 수 있으며, 예를 들어, 표시층(100)은 유기발광 표시층, 퀀텀닷 표시층, 마이크로 엘이디 표시층, 또는 나노 엘이디 표시층일 수 있다. 표시층(100)은 베이스층(110), 회로층(120), 발광 소자층(130), 및 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 회로층(120)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층, 또는 복합 재료층일 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 상기 제1 합성 수지층 위에 배치된 실리콘 옥사이드(SiOx)층, 상기 실리콘 옥사이드층 위에 배치된 아모퍼스 실리콘(a-Si)층, 및 상기 아모퍼스 실리콘층 위에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 옥사이드층 및 상기 아모퍼스 실리콘층은 베이스 배리어층이라 지칭될 수 있다.
상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "~~" 계 수지는 "~~" 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
회로층(120)은 베이스층(110) 위에 배치될 수 있다. 회로층(120)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스층(110) 위에 형성되고, 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이 후, 회로층(120)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인이 형성될 수 있다.
발광 소자층(130)은 회로층(120) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자층(130)은 발광 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(130)은 유기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다. 본 발명에서는 예시적으로 발광 소자층(130)이 유기 발광 물질을 포함하는 것으로 설명되었다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 수분, 산소, 및 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다.
센서층(200)은 표시층(100) 위에 배치될 수 있다. 센서층(200)은 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다.
센서층(200)은 연속된 공정을 통해 표시층(100) 위에 형성될 수 있다. 이 경우, 센서층(200)은 표시층(100) 위에 직접 배치된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 센서층(200)과 표시층(100) 사이의 제3 의 구성 요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 센서층(200)과 표시층(100) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다. 또는, 센서층(200)은 표시층(100)과 접착 부재를 통해 서로 결합될 수 있다. 접착 부재는 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 2b를 참조하면, 전자 장치(1000-1)는 표시층(100-1) 및 센서층(200-1)을 포함할 수 있다.
표시층(100-1)은 베이스 기판(110-1), 회로층(120-1), 발광 소자층(130-1), 봉지 기판(140-1), 및 결합 부재(150-1)를 포함할 수 있다.
베이스 기판(110-1) 및 봉지 기판(140-1) 각각은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
결합 부재(150-1)는 베이스 기판(110-1)과 봉지 기판(140-1) 사이에 배치될 수 있다. 결합 부재(150-1)는 봉지 기판(140-1)을 베이스 기판(110-1) 또는 회로층(120-1)에 결합시킬 수 있다. 결합 부재(150-1)는 무기물 또는 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 무기물은 프릿 실(frit seal)을 포함할 수 있고, 유기물을 광 경화성 수지 또는 광 가소성 수지를 포함할 수 있다. 다만, 결합 부재(150-1)를 구성하는 물질이 상기 예에 제한되는 것은 아니다.
센서층(200-1)은 봉지 기판(140-1) 위에 직접 배치될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 센서층(200-1)과 봉지 기판(140-1) 사이에 제3 의 구성 요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 센서층(200-1)과 표시층(100-1) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 센서층(200-1)과 봉지 기판(140-1) 사이에는 접착층이 더 배치될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 I-I'를 따라 절단한 전자 장치의 단면도이다. 도 3을 설명함에 있어서 도 2a를 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 3을 참조하면, 베이스층(110)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성될 수 있다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 표시층(100)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(110)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있으며, 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층은 교대로 적층될 수 있다.
반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘, 저온다결정실리콘, 또는 산화물 반도체를 포함할 수도 있다.
도 3은 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도펀트 또는 P형 도펀트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도펀트로 도핑된 도핑 영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도펀트로 도핑된 도핑 영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비도핑 영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑될 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역보다 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호 라인일 수 있다.
화소들 각각은 3개의 트랜지스터들, 하나의 커패시터, 및 발광 소자를 포함하는 등가회로를 가질 수 있으며, 화소의 등가회로는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 예를 들어, 화소들 각각은 4개의 트랜지스터들을 더 포함할 수도 있다. 상기 화소들에 대해서는 후술된다. 도 3에서는 화소에 포함되는 하나의 트랜지스터(100PC) 및 발광 소자(OLED)를 예시적으로 도시하였다.
트랜지스터(100PC)는 소스(SC1), 액티브(A1), 드레인(D1), 및 게이트(G1)를 포함할 수 있다. 소스(SC1), 액티브(A1), 및 드레인(D1)은 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스(SC1) 및 드레인(D1)은 단면 상에서 액티브(A1)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 도 3에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 라인(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 연결 신호 라인(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(100PC)의 드레인(D1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
게이트(G1)는 제1 절연층(10) 위에 배치된다. 게이트(G1)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(G1)는 액티브(A1)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(G1)는 마스크로 기능할 수 있다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 위에 배치되며, 게이트(G1)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 위에 배치될 수 있다. 제3 절연층(30)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(30)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1, 제2, 및 제3 절연층(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 라인(SCL)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 위에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다.
발광 소자층(130)은 회로층(120) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자층(130)은 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(130)은 유기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다. 이하에서, 발광 소자(OLED)가 유기 발광 소자인 것을 예로 들어 설명하나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
발광 소자(OLED)는 제1 전극(AND), 발광층(EM), 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다. 제1 전극(AND)은 제6 절연층(60) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(AND)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 접속될 수 있다.
화소 정의막(70)은 제6 절연층(60) 위에 배치되며, 제1 전극(AND)의 일부분을 커버할 수 있다. 화소 정의막(70)에는 개구부(70-OP)가 정의된다. 화소 정의막(70)의 개구부(70-OP)는 제1 전극(AND)의 적어도 일부분을 노출시킨다.
액티브 영역(1000A, 도 1 참조)은 발광 영역(PXA)과 발광 영역(PXA)에 인접한 비발광 영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 발광 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다. 본 실시예에서 발광 영역(PXA)은 개구부(70-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AND)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다.
발광층(EM)은 제1 전극(AND) 위에 배치될 수 있다. 발광층(EM)은 개구부(70-OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EM)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EM)이 화소들 각각에 분리되어 형성된 경우, 발광층들(EM) 각각은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(EM)은 화소들에 연결되어 공통으로 제공될 수도 있다. 이 경우, 발광층(EM)은 청색 광을 제공하거나, 백색 광을 제공할 수도 있다.
제2 전극(CE)은 발광층(EM) 위에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수의 화소들에 공통적으로 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 공통 전극(CE)으로 지칭될 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 전극(AND)과 발광층(EM) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EM)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 무기층, 유기층, 및 무기층을 포함할 수 있으나, 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(130)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
센서층(200)은 연속된 공정을 통해 표시층(100) 위에 형성될 수 있다. 이 경우, 센서층(200)은 표시층(100) 위에 직접 배치된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 센서층(200)과 표시층(100) 사이에 제3 의 구성 요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 센서층(200)과 표시층(100) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다. 또는, 센서층(200)은 접착 부재를 통해 표시층(100)에 결합될 수 있다. 접착 부재는 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다.
센서층(200)은 베이스 절연층(201), 제1 도전층(202), 감지 절연층(203), 제2 도전층(204), 및 커버 절연층(205)을 포함할 수 있다.
베이스 절연층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 베이스 절연층(201)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 베이스 절연층(201)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 또는 인듐아연주석산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 4를 참조하면, 전자 장치(1000)는 표시층(100), 전압 발생부(PIC), 스캔 구동 회로(SDV), 데이터 구동 회로(DDV), 구동 컨트롤러(100C), 및 메모리(MM)를 포함할 수 있다.
표시층(100)에는 액티브 영역(AA) 및 액티브 영역(AA)과 인접한 주변 영역(NA)이 정의될 수 있다. 표시층(100)은 복수의 화소들(PX), 복수의 주사 라인들(S1~Sm), 및 복수의 데이터 라인들(DL1~DLn)을 포함할 수 있다. m 및 n 각각은 자연수이다.
복수의 주사 라인들(S1~Sm)은 복수의 화소들(PX) 및 스캔 구동 회로(SDV)에 연결될 수 있다. 복수의 주사 라인들(S1~Sm) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 복수의 주사 라인들(S1~Sm)은 제2 방향으로 서로 이격될 수 있다.
복수의 데이터 라인들(DL1~DLn)은 복수의 화소들(PX) 및 데이터 구동 회로(DDV)에 연결될 수 있다. 복수의 데이터 라인들(DL1~DLn) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 복수의 데이터 라인들(DL1~DLn)은 제1 방향(DR1)으로 서로 이격될 수 있다.
전압 발생부(PIC)는 표시층(100)에 제공되는 전원 및/또는 공통 전원을 생성하고, 제어할 수 있다. 전압 발생부(PIC)는 제1 구동 전압(ELVDD), 제2 구동 전압(ELVSS), 및 초기화 전압(Vinit)을 생성 및 제어할 수 있다.
표시층(100)에는 제1 구동 전압(ELVDD), 제2 구동 전압(ELVSS), 및 초기화 전압(Vinit)이 인가될 수 있다. 제2 구동 전압(ELVSS)은 제1 구동 전압(ELVDD)보다 낮은 전압 레벨을 가질 수 있다. 제1 구동 전압(ELVDD), 제2 구동 전압(ELVSS), 및 초기화 전압(Vinit)은 복수의 화소들(PX)에 인가될 수 있다.
구동 컨트롤러(100C)는 외부(예를 들어, 시스템 보드)로부터 영상 신호(RGB) 및 제어 신호(CS)를 수신할 수 있다. 구동 컨트롤러(100C)는 데이터 구동 회로(DDV)와 인터페이스 사양에 맞도록 영상 신호(RGB)의 데이터 포맷을 변환하여 영상 데이터(DATA)를 생성할 수 있다. 구동 컨트롤러(100C)는 데이터 포맷이 변환된 영상 데이터(DATA)를 데이터 구동 회로(DDV)에 제공할 수 있다.
구동 컨트롤러(100C)는 외부로부터 제공된 제어 신호(CS)에 응답하여 제1 제어 신호(CS1) 및 제2 제어 신호(CS2)를 생성하여 출력할 수 있다. 제1 제어 신호(CS1)는 주사 제어 신호로 정의되고, 제2 제어 신호(CS2)는 데이터 제어 신호로 정의될 수 있다. 제1 제어 신호(CS1)는 스캔 구동 회로(SDV)에 제공될 수 있다. 제2 제어 신호(CS2)는 데이터 구동 회로(DDV)에 제공될 수 있다.
구동 컨트롤러(100C)는 제어부(CC)를 포함할 수 있다. 제어부(CC)는 표시층(100)의 발열 특성을 산출할 수 있다. 이에 대해서는 후술된다.
스캔 구동 회로(SDV)는 제1 제어 신호(CS1)에 응답하여 복수의 신호들을 생성할 수 있다. 복수의 신호들은 복수의 주사 라인들(S1~Sm)을 통해 복수의 화소들(PX)에 인가될 수 있다. 스캔 구동 회로(SDV)는 주변 영역(NA)에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시층(100)은 발광 구동 회로를 더 포함할 수도 있다. 상기 발광 구동 회로는 구동 컨트롤러(100C)로부터의 발광 구동 제어 신호에 응답하여 발광 제어 신호들을 표시층(100)에 출력할 수 있다.
데이터 구동 회로(DDV)는 제2 제어 신호(CS2)에 응답하여 영상 데이터(DATA)에 대응하는 복수의 데이터 전압들을 생성할 수 있다. 복수의 데이터 전압들은 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 복수의 화소들(PX)에 인가될 수 있다. 데이터 구동 회로(DDV)는 복수의 화소들(PX)에 화소행 단위로 생성된 상기 데이터 전압들을 데이터 라인들(DL1~DLn)에 동시에 제공할 수 있다.
복수의 화소들(PX)은 액티브 영역(AA)에 배치될 수 있다. 복수의 화소들(PX)은 복수의 주사 신호들에 응답하여 복수의 데이터 전압들을 제공받을 수 있다. 복수의 화소들(PX)은 복수의 데이터 전압들에 대응하는 휘도의 광을 발광함으로써 영상을 표시할 수 있다. 복수의 화소들(PX)은 동시에 발광하여 상기 영상을 표시할 수 있다.
메모리(MM)는 구동 컨트롤러(100C)의 제어부(CC)와 연결될 수 있다. 메모리(MM)에는 복수의 맵들(MAP)이 저장될 수 있다. 메모리(MM)는 제어부(CC)에 복수의 맵들(MAP)을 제공할 수 있다. 복수의 맵들(MAP)에 대해서는 후술된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도이다. 도 5는 예시적으로 도 4의 복수의 화소들(PX) 중 하나의 등가회로도를 도시하였다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 화소(PX)는 화소 구동 회로(PDC) 및 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다.
화소 구동 회로(PDC)는 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 센싱 트랜지스터(T3), 커패시터(Cst), 데이터 라인(DL), 및 기준 전압 라인(VL)을 포함할 수 있다. 데이터 라인(DL)은 복수의 데이터 라인들(DL1~DLn) 중 하나일 수 있다.
발광 소자(OLED)는 온 상태 또는 오프 상태로 동작할 수 있다. 발광 소자(OLED)는 제1 전극(AND), 발광층(EM), 및 제2 전극을 포함할 수 있다. 제1 전극(AND)는 애노드(AND)로 지칭될 수 있다. 상기 제2 전극은 캐소드로 지칭될 수 있다. 제1 전극(AND) 및 상기 제2 전극은 일종의 커패시터(Col)처럼 작용할 수 있다. 커패시터(Col)는 소정의 커패시턴스를 가질 수 있다. 상기 커패시턴스는 발광 소자(OLED)의 커패시턴스로 지칭될 수 있다.
제1 전극(AND)은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드가 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 전극은 제2 전원 라인(PL2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전원 라인(PL2)에는 제2 구동 전압(ELVSS)이 제공될 수 있다.
구동 트랜지스터(T1)는 발광 소자(OLED)로 구동 전류(Id)를 공급해주어 발광 소자(OLED)를 구동할 수 있다. 구동 전류(Id)에 의해 발광 소자(OLED)의 커패시터(Col)가 충전되고, 발광 소자(OLED)가 발광할 수 있다. 구동 트랜지스터(T1)는 제1 트랜지스터(T1)로 지칭될 수도 있다.
구동 트랜지스터(T1)는 소스 노드 또는 드레인 노드에 해당하는 제1 노드(N1), 게이트 노드에 해당하는 제2 노드(N2)와, 드레인 노드 또는 소스 노드에 해당하는 제3 노드(N3)를 가질 수 있다. 도 5에서는 제1 노드(N1)가 소스 노드, 제2 노드(N2)가 게이트 노드, 및 제3 노드(N3)가 드레인 노드인 구동 트랜지스터(T1)를 예시적으로 도시하였다.
제1 노드(N1)는 발광 소자(OLED)의 제1 전극(AND)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 노드(N3)에는 제1 전원 라인(PL1)이 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전원 라인(PL1)에는 제1 구동 전압(ELVDD)이 제공될 수 있다.
복수의 주사 라인들(S1~Sm)을 통해 복수의 화소들(PX)에 인가되는 복수의 신호들은 스캔 신호(SC) 및 센싱 신호(SS)를 포함할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T2)는 제2 노드(N2)로 데이터 전압(Vd)을 전달해주기 위한 트랜지스터일 수 있다. 스위칭 트랜지스터(T2)는 게이트 노드에 제공되는 스캔 신호(SC)에 의해 제어되고, 제2 노드(N2)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(T2)는 제2 트랜지스터(T2)로 지칭될 수도 있다.
커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 커패시터(Cst)는 스토리지 커패시터(Cst)로 지칭될 수 있다. 커패시터(Cst)는 한 프레임 시간 동안 일정한 전압을 유시하는 역할을 할 수 있다.
센싱 트랜지스터(T3)는 게이트 노드에 제공되는 센싱 신호(SS)에 의해 제어되고, 기준 전압 라인(VL)과 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(T3)는 제3 트랜지스터(T3)로 지칭될 수도 있다.
센싱 트랜지스터(T3)는 턴 온되어 기준 전압 라인(VL)을 통해 공급된 초기화 전압(Vinit)을 구동 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1)에 제공할 수 있다.
제1 내지 제3 트랜지스터(T1, T2, T3) 각각은 LTPS(low-temperature polycrystalline silicon) 반도체층을 갖는 P-타입 트랜지스터일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 내지 제3 트랜지스터(T1, T2, T3) 전체가 N-타입 트랜지스터일 수도 있고, 다른 실시예에서, 제1 내지 제3 트랜지스터(T1, T2, T3) 중 적어도 하나가 P-타입 트랜지스터이고, 나머지는 N-타입 트랜지스터일 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화소 구동 회로(PDC)는 일 예로 3개의 트랜지스터 및 1개의 커패시터로 구성될 수 있다. 이와 같이 3개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함하여 구성된 화소(PX)는 "3T1C 구조를 갖는다"라고 지칭될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 구동 회로(PDC)의 트랜지스터 및 커패시터 각각의 개수는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제2 노드(N2)에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터(T2) 및 커패시터(Cst) 등은 구동 트랜지스터(T1) 제어부로 지칭될 수 있다. 또한, 화소 구동 회로(PDC)는 제1 노드(N1) 또는 제3 노드(N3)에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. 이 때, 제1 노드(N1) 또는 제3 노드(N3)에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 트랜지스터는 발광 제어부로 지칭될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 발광 소자들 및 전원 라인들을 개략적으로 도시한 것이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 전압 발생부(PIC)는 제1 구동 전압(ELVDD) 및 제2 구동 전압(ELVSS)을 생성할 수 있다. 전압 발생부(PIC)는 제1 구동 전압(ELVDD)을 제1 전원 라인(PL1)에 제공하고, 제2 구동 전압(ELVSS)을 제2 전원 라인(PL2)에 제공할 수 있다.
제1 전원 라인(PL1) 및 제2 전원 라인(PL2) 사이에는 복수의 발광 소자들(OLED)이 병렬로 연결될 수 있다.
제1 구동 전압(ELVDD) 및 제2 구동 전압(ELVSS)은 제1 전원 라인(PL1) 및 제2 전원 라인(PL2) 각각의 저항(R)에 의해 복수의 발광 소자들(OLED)의 위치 별로 편차가 발생될 수 있다.
메모리(MM)에 저장된 복수의 맵들(MAP)은 액티브 영역(AA)의 위치별 제1 구동 전압(ELVDD) 및/또는 제2 구동 전압(ELVSS)이 저장된 맵들(M3-1, M3-2, 도 8 참조)을 포함할 수 있다.
제어부(CC)는 메모리(MM)로부터 맵들(M3-1, M3-2, 도 8 참조)을 수신하고, 이를 이용하여 상기 편차를 반영한 발열 특성을 산출할 수 있다. 이에 대해서는 후술된다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 트랜지스터의 특성 곡선과 발광 소자의 특성 곡선을 도시한 그래프이다.
도 7에서는 예시적으로 서로 다른 위치에 배치된 2개의 화소들(PX, 도 4 참조) 각각에서 측정된 고계조에 대응하는 제1 데이터 전압이 전달될 때의 구동 트랜지스터(T1, 도 5 참조)의 제1 특성 곡선(G11, G21), 저계조에 대응하는 제2 데이터 전압이 전달될 때 구동 트랜지스터(T1, 도 5 참조)의 제2 특성 곡선(G12, G22), 및 발광 소자(OLED, 도 5 참조)의 특성 곡선(G13, G23)을 도시하였다.
도 4, 도 5, 및 도 7을 참조하면, 그래프의 가로축은 구동 트랜지스터(T1) 및 발광 소자(OLED)에 인가되는 전압(Vd)을 도시하고, 세로축은 구동 트랜지스터(T1) 및 발광 소자(OLED)에서 측정되는 전류(Id)를 도시한 것이다.
액티브 영역(AA, 도 4 참조) 내에서 위치가 서로 상이한 화소들(PX)은 제1 화소 및 제2 화소로 지칭될 수 있다.
제1 그래프(G13)는 상기 제1 화소의 발광 소자(OLED)의 특성 곡선을 도시한 것일 수 있다. 제2 그래프(G23)는 상기 제2 화소의 발광 소자(OLED)의 특성 곡선을 도시한 것일 수 있다.
발광 소자(OLED)의 특성 곡선은 공정 편차에 의해 복수의 화소들(PX)의 위치 별로 편차가 발생될 수 있다. 예를 들어, 제1 그래프(G13) 및 제2 그래프(G23)를 참조하면, 상기 제1 화소의 발광 소자(OLED) 및 상기 제2 화소의 발광 소자(OLED)는 제1 차이(DF1)만큼 특성 편차가 발생될 수 있다.
메모리(MM)에 저장된 복수의 맵들(MAP)은 액티브 영역(AA)의 위치 별 발광 소자(OLED)의 편차를 보정한 전류값이 저장된 맵(M2, 도 8 참조)을 포함할 수 있다.
제3 그래프(G12)는 상기 제1 화소의 저계조에서의 구동 트랜지스터(T1)의 제1 특성 곡선을 도시한 것일 수 있다. 제4 그래프(G22)는 상기 제2 화소의 저계조에서의 구동 트랜지스터(T1)의 제1 특성 곡선을 도시한 것일 수 있다.
제5 그래프(G11)는 상기 제1 화소의 고계조에서의 구동 트랜지스터(T1)의 제2 특성 곡선을 도시한 것일 수 있다. 제6 그래프(G21)는 상기 제2 화소의 고계조에서의 구동 트랜지스터(T1)의 제2 특성 곡선을 도시한 것일 수 있다.
구동 트랜지스터(T1)의 특성 곡선은 공정 편차에 의해 복수의 화소들(PX)의 위치 별로 편차가 발생될 수 있다. 예를 들어, 제5 그래프(G11) 및 제6 그래프(G21)를 참조하면, 상기 제1 화소의 구동 트랜지스터(T1) 및 상기 제2 화소의 구동 트랜지스터(T1)는 제2 차이(DF2)만큼 특성 편차가 발생될 수 있다.
메모리(MM)에 저장된 복수의 맵들(MAP)은 액티브 영역(AA)의 위치 별 구동 트랜지스터(T1)의 편차를 보정한 전류값이 저장된 맵(M1, 도 8 참조)을 포함할 수 있다.
고계조에 대응하는 제1 데이터 신호가 상기 제1 화소에 제공될 때, 구동 트랜지스터(T1)의 제2 특성 곡선인 제5 그래프(G11)와 발광 소자(OLED)의 특성 곡선인 제1 그래프(G13)이 만나는 점에서 흐르는 전류는 제1 구동 전류(Id1)로 지칭될 수 있다.
상기 제1 데이터 신호가 상기 제2 화소에 제공될 때, 구동 트랜지스터(T1)의 제2 특성 곡선인 제6 그래프(G21)와 발광 소자(OLED)의 특성 곡선인 제2 그래프(G23)이 만나는 점에서 흐르는 전류는 제2 구동 전류(Id2)로 지칭될 수 있다.
상기 제1 화소 및 상기 제2 화소의 구동 트랜지스터들(T1) 사이의 특성 산포 및 발광 소자들(OLED) 사이의 특성 산포에 의해 제1 구동 전류(Id1) 제2 구동 전류(Id2) 사이에 제3 차이(DF3)만큼 전류 편차가 발생될 수 있다. 상기 전류 편차에 의해 표시층(100)의 액티브 영역(AA)에는 위치 별로 발열 특성이 상이할 수 있고, 발열 산포가 발생될 수 있다.
제어부(CC)는 메모리(MM)로부터 맵들(M1, M2, 도 8 참조)을 수신하고, 이를 이용하여 상기 편차를 반영한 발열 특성을 산출할 수 있다. 이에 대해서는 후술된다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부를 도시한 블록도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 구동 방법을 도시한 흐름도이다.
도 4, 도 5, 도 8, 및 도 9를 참조하면, 메모리(MM)는 복수의 맵들(MAP)을 저장할 수 있다. 복수의 맵들(MAP)은 제1 맵(M1), 제2 맵(M2), 제3 맵(M3), 제4 맵(M4), 제5 맵(M3-1), 및 제6 맵(M3-2)을 포함할 수 있다.
제1 맵(M1)에는 데이터 전압(Vdata)에 따른 구동 트랜지스터(T1)의 액티브 영역(AA) 내 위치 별 제1 전류값(I1)이 저장될 수 있다.
제2 맵(M2)에는 제1 전류값(I1)에 따른 발광 소자(OLED)의 위치 별 제2 전류값(I2)이 저장될 수 있다.
제3 맵(M3)에는 복수의 화소들(PX) 각각에 인가되는 액티브 영역(AA) 내 위치 별 전압(V1)이 저장될 수 있다.
제4 맵(M4)에는 복수의 화소들(PX) 각각에 인가되는 전류 및 전압(V1)을 근거로 산출된 전력이 저장될 수 있다.
제5 맵(M3-1)에는 액티브 영역(AA)의 위치 별 제1 구동 전압(ELVDD)이 저장될 수 있다.
제6 맵(M3-2)에는 액티브 영역(AA)의 위치 별 제2 구동 전압(ELVSS)이 저장될 수 있다.
다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 맵들(MAP) 중 적어도 하나는 2차원 배열 구조를 가지는 맵 형식이 아닌 1차원 배열 구조를 갖는 룩업 테이블 형식 또는 a 또는 b의 값을 갖는 레지스터(register) 형식을 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1 구동 전압(ELVDD)의 위치 별 공정 산포가 크지 않아 제5 맵(M3-1)의 형식을 행 또는 열 별로 제1 구동 전압(ELVDD)을 저장하여 룩업 테이블의 형식으로 저장할 수도 있다. 이 경우, 메모리(MM)에 저장되는 용량이 감소될 수 있다.
제어부(CC)는 데이터 전압 출력부(C1), 제1 전류 출력부(C2), 제2 전류 출력부(C3), 전압 출력부(C4), 제1 전압 제공부(C4-1), 제2 전압 제공부(C4-2), 및 발열 특성 출력부(C5)를 포함할 수 있다.
데이터 전압 출력부(C1)는 입력 그레이(IG)를 수신할 수 있다. 영상 신호(RGB)는 입력 그레이(IG)를 포함할 수 있다. 데이터 전압 출력부(C1)는 위치 별 입력 그레이(IG)에 따라 그에 대응하는 데이터 전압(Vdata)을 출력할 수 있다(S100).
제1 전류 출력부(C2)는 데이터 전압 출력부(C1) 및 제2 전류 출력부(C3) 사이에 배치될 수 있다. 제1 전류 출력부(C2)는 데이터 전압 출력부(C1)로부터 데이터 전압(Vdata)을 수신할 수 있다. 제1 전류 출력부(C2)는 제1 맵(M1)을 근거로 데이터 전압(Vdata)에 대응되는 제1 전류값(I1)을 출력할 수 있다(S200).
본 발명에 따르면, 제1 전류 출력부(C2)에 의해 구동 트랜지스터(T1)의 위치 별 공정 산포에 의해 발생되는 제2 차이(DF2, 도 7 참조)에 의한 영향이 개선될 수 있다.
제2 전류 출력부(C3)는 제1 전류 출력부(C2), 전압 출력부(C4), 및 발열 특성 출력부(C5)와 연결될 수 있다. 제2 전류 출력부(C3)는 제1 전류 출력부(C2)로부터 제1 전류값(I1)을 수신할 수 있다. 제2 전류 출력부(C3)는 제2 맵(M2)을 근거로 제1 전류값(I1)에 대응되는 제2 전류값(I2)을 출력할 수 있다(S300).
본 발명에 따르면, 제2 전류 출력부(C3)에 의해 발광 소자(OLED)의 위치 별 공정 산포에 의해 발생되는 제1 차이(DF1, 도 7 참조)에 의한 영향이 개선될 수 있다.
제1 전압 제공부(C4-1)는 제5 맵(M3-1)을 근거로 위치 별 제1 구동 전압(ELVDD)을 전압 출력부(C4)에 제공할 수 있다.
제2 전압 제공부(C4-2)는 제6 맵(M3-2)을 근거로 위치 별 제2 구동 전압(ELVSS)을 전압 출력부(C4)에 제공할 수 있다.
전압 출력부(C4)는 제2 전류 출력부(C3), 발열 특성 출력부(C5), 제1 전압 제공부(C4-1), 및 제2 전압 제공부(C4-2)와 연결될 수 있다. 전압 출력부(C4)는 제2 전류 출력부(C3)로부터 제2 전류값(I2)을 수신할 수 있다. 전압 출력부(C4)는 제1 전압 제공부(C4-1)로부터 제1 구동 전압(ELVDD)을 수신할 수 있다. 전압 출력부(C4)는 제2 전압 제공부(C4-2)로부터 제2 구동 전압(ELVSS)을 수신할 수 있다.
전압 출력부(C4)는 제3 맵(M3)을 근거로 복수의 화소들(PX)의 위치 별 전압(V1)을 출력할 수 있다(S400). 전압(V1)은 제1 구동 전압(ELVDD)에서 제2 구동 전압(ELVSS)을 뺀 값일 수 있다.
본 발명에 따르면, 전압 출력부(C4)에 의해 제1 전원 라인(PL1) 및 제2 전원 라인(PL2) 각각의 저항(R)에 의해 복수의 발광 소자들(OLED)의 위치 별로 발생된 제1 구동 전압(ELVDD) 및 제2 구동 전압(ELVSS) 각각의 편차에 의한 영향이 개선될 수 있다.
발열 특성 출력부(C5)는 제2 전류 출력부(C3), 전압 출력부(C4)와 연결될 수 있다. 발열 특성 출력부(C5)는 제2 전류 출력부(C3)로부터 제2 전류값(I2)을 수신할 수 있다. 발열 특성 출력부(C5)는 전압 출력부(C4)로부터 전압(V1)을 수신할 수 있다.
발열 특성 출력부(C5)는 제4 맵(M4)을 근거로 제2 전류값(I2) 및 전압(V1)에 대응되는 전력을 출력할 수 있다(S500).
발열 특성 출력부(C5)는 상기 전력을 근거로 복수의 화소들(PX)의 위치 별 발열 특성(HC)을 출력할 수 있다(S600). 발열 특성(HC)은 상기 전력에 비례할 수 있다.
본 발명에 따르면, 발열 특성 출력부(C5)에 의해 복수의 화소들(PX)의 위치 별 공정 산포에 의해 발생되는 제3 차이(DF3, 도 7 참조)에 의한 영향이 개선될 수 있다.
본 발명과 달리, 복수의 화소들(PX) 각각에 인가되는 구동 전류(Id)는 온도에 민감하여 표시층(100)의 구동 시 발생되는 발열 산포의 영향을 받을 수 있다. 액티브 영역(AA) 내 위치 별로 복수의 화소들(PX) 각각의 공정 산포에 따라 발열 특성이 서로 상이할 수 있다. 하지만, 본 발명에 따르면, 제어부(CC)는 메모리(MM)에 저장된 제1 내지 제6 맵들(M1, M2, M3, M4, M3-1, M3-2)을 통해 액티브 영역(AA) 내의 위치 별 발열 특성(HC)을 산출할 수 있다. 구동 컨트롤러(100C)는 영상 신호(RGB)를 수신하여 발열 특성(HC)을 고려하여 영상 데이터(DATA)를 생성할 수 있다. 복수의 화소들(PX)의 위치 별 휘도가 균일하게 보정될 수 있다. 따라서, 표시 품질이 향상된 전자 장치(1000) 및 전자 장치(1000) 구동 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 표시층(100)에서 구동 전류(Id)를 결정짓는 요소들의 맵(MAP)을 저장하여 위치 별로 상기 전력을 산출하고, 상기 전력을 근거로 발열 특성(HC)을 산출할 수 있다. 위치 별로 산출된 발열 특성(HC)의 정확성이 향상될 수 있고, 이를 통해 전자 장치(1000)의 온도에 대한 보상의 정확성이 향상될 수 있다. 따라서, 신뢰성이 향상된 전자 장치(1000) 및 전자 장치(1000) 구동 방법을 제공할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부를 도시한 블록도이다. 도 10을 설명함에 있어서 도 8을 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 4, 도 5, 및 도 10을 참조하면, 복수의 맵들(MAP)은 제2-1 맵(M2-1)을 더 포함할 수 있다. 이 때, 제2 맵(M2)은 생략될 수 있다.
제2-1 맵(M2-1)은 제1 전류값(I1)에 따른 표시층(100)의 위치별 발광 소자(OLED)의 휘도를 근거로 제1 광학 보상된 제2-1 전류값(I2-1)이 저장될 수 있다.
상기 제1 광학 보상은 표시층(100) 전체를 소정의 휘도로 발광시킨 후, 이를 촬영하여 상기 소정의 휘도를 기준으로 상기 소정의 휘도보다 높은 휘도로 발광하는 화소(PX)에는 상대적으로 낮은 구동 전류를 인가하고, 상기 소정의 휘도보다 낮은 휘도로 발광하는 화소(PX)에는 상대적으로 높은 구동 전류를 인가하도록 보상하는 것을 의미할 수 있다.
제어부(CC-1)는 데이터 전압 출력부(C1), 제1 전류 출력부(C2), 제2-1 전류 출력부(C3-1), 전압 출력부(C4), 제1 전압 제공부(C4-1), 제2 전압 제공부(C4-2), 및 발열 특성 출력부(C5)를 포함할 수 있다.
제2-1 전류 출력부(C3-1)는 제1 전류 출력부(C2), 전압 출력부(C4), 및 발열 특성 출력부(C5)와 연결될 수 있다. 제2-1 전류 출력부(C3-1)는 제1 전류 출력부(C2)로부터 제1 전류값(I1)을 수신할 수 있다. 제2-1 전류 출력부(C3-1)는 제2-1 맵(M2-1)을 근거로 제1 전류값(I1)에 대응되는 제2-1 전류값(I2-1)을 출력할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제2-1 전류 출력부(C3-1)에 의해 발광 소자(OLED)의 위치 별 공정 산포에 의해 발생되는 제1 차이(DF1, 도 7 참조)에 의한 영향이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 표시층(100)에서 구동 전류(Id)를 결정짓는 요소들의 맵(MAP)을 저장하여 위치 별로 상기 전력을 산출하고, 상기 전력을 근거로 발열 특성(HC)을 산출할 수 있다. 위치 별로 산출된 발열 특성(HC)의 정확성이 향상될 수 있고, 이를 통해 전자 장치(1000)의 온도에 대한 보상의 정확성이 향상될 수 있다. 따라서, 신뢰성이 향상된 전자 장치(1000) 및 전자 장치(1000) 구동 방법을 제공할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부를 도시한 블록도이다. 도 11을 설명함에 있어서 도 8을 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 4, 도 5, 및 도 11을 참조하면, 복수의 맵들(MAP)에서 제2 맵(M2)은 생략될 수 있다.
제어부(CC-2)는 데이터 전압 출력부(C1), 제1 전류 출력부(C2), 전압 출력부(C4), 제1 전압 제공부(C4-1), 제2 전압 제공부(C4-2), 및 발열 특성 출력부(C5)를 포함할 수 있다.
데이터 전압 출력부(C1-2)는 입력 그레이(IG-2)를 수신할 수 있다. 영상 신호(RGB)는 입력 그레이(IG-2)를 포함할 수 있다. 입력 그레이(IG-2)는 제2 광학 보상이 적용된 값일 수 있다. 즉, 입력 그레이(IG-2)는 표시층(100)의 위치별 발광 소자(OLED)의 휘도가 보상된 값일 수 있다. 데이터 전압 출력부(C1-2)는 위치 별 입력 그레이(IG-2)에 따라 그에 대응하는 데이터 전압(Vdata)을 출력할 수 있다.
상기 제2 광학 보상은 표시층(100) 전체를 소정의 휘도로 발광시킨 후, 이를 촬영하여 상기 소정의 휘도를 기준으로 화소(PX)에 인가되는 입력 그레이(IG-2)를 보상하는 것을 의미할 수 있다.
본 발명에 따르면, 데이터 전압 출력부(C1-2)에 의해 발광 소자(OLED)의 위치 별 공정 산포에 의해 발생되는 제1 차이(DF1, 도 7 참조)에 의한 영향이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 표시층(100)에서 구동 전류(Id)를 결정짓는 요소들의 맵(MAP)을 저장하여 위치 별로 상기 전력을 산출하고, 상기 전력을 근거로 발열 특성(HC)을 산출할 수 있다. 위치 별로 산출된 발열 특성(HC)의 정확성이 향상될 수 있고, 이를 통해 전자 장치(1000)의 온도에 대한 보상의 정확성이 향상될 수 있다. 따라서, 신뢰성이 향상된 전자 장치(1000) 및 전자 장치(1000) 구동 방법을 제공할 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부를 도시한 블록도이다. 도 12를 설명함에 있어서 도 8을 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 4, 도 5, 및 도 12를 참조하면, 복수의 맵들(MAP)은 제2-3 맵(M2-3)을 더 포함할 수 있다. 이 때, 제2 맵(M2)은 생략될 수 있다.
제2-3 맵(M2-3)은 제1 전류값(I1)에 따른 표시층(100)의 위치별 발광 소자(OLED)의 커패시터(Col)의 커패시턴스를 근거로 보상된 제2-3 전류값(I2-3)이 저장될 수 있다.
제어부(CC-1)는 데이터 전압 출력부(C1), 제1 전류 출력부(C2), 제2-3 전류 출력부(C3-3), 전압 출력부(C4), 제1 전압 제공부(C4-1), 제2 전압 제공부(C4-2), 및 발열 특성 출력부(C5)를 포함할 수 있다.
제2-3 전류 출력부(C3-3)는 제1 전류 출력부(C2), 전압 출력부(C4), 및 발열 특성 출력부(C5)와 연결될 수 있다. 제2-3 전류 출력부(C3-3)는 제1 전류 출력부(C2)로부터 제1 전류값(I1)을 수신할 수 있다. 제2-3 전류 출력부(C3-3)는 제2-3 맵(M2-3)을 근거로 제1 전류값(I1)에 대응되는 제2-3 전류값(I2-3)을 출력할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제2-3 전류 출력부(C3-3)에 의해 발광 소자(OLED)의 위치 별 공정 산포에 의해 발생되는 제1 차이(DF1, 도 7 참조)에 의한 영향이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 표시층(100)에서 구동 전류(Id)를 결정짓는 요소들의 맵(MAP)을 저장하여 위치 별로 상기 전력을 산출하고, 상기 전력을 근거로 발열 특성(HC)을 산출할 수 있다. 위치 별로 산출된 발열 특성(HC)의 정확성이 향상될 수 있고, 이를 통해 전자 장치(1000)의 온도에 대한 보상의 정확성이 향상될 수 있다. 따라서, 신뢰성이 향상된 전자 장치(1000) 및 전자 장치(1000) 구동 방법을 제공할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
1000: 전자 장치 100: 표시층
PX: 복수의 화소들 T1: 구동 트랜지스터
OLED: 발광 소자 CC: 제어부
MAP: 복수의 맵들 C2: 제1 전류 출력부
C3: 제2 전류 출력부 C4: 전압 출력부
C5: 발열 특성 출력부

Claims (20)

  1. 각각이 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들을 포함하고, 영상을 표시하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역과 인접한 주변 영역이 정의된 표시층;
    복수의 맵들이 저장된 메모리; 및
    상기 메모리와 연결되고, 상기 표시층을 구동하며, 제어부를 포함하는 구동 컨트롤러를 포함하고,
    상기 복수의 맵들은,
    데이터 전압에 따른 상기 구동 트랜지스터의 상기 액티브 영역 내 위치별 제1 전류값이 저장된 제1 맵;
    상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 상기 액티브 영역 내 위치별 전압이 저장된 제2 맵; 및
    상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 전류 및 상기 전압을 근거로 산출된 전력이 저장된 제3 맵을 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 제1 맵을 근거로 상기 데이터 전압에 대응되는 상기 제1 전류값을 출력하는 제1 전류 출력부;
    상기 제2 맵을 근거로 상기 전압을 출력하는 전압 출력부; 및
    상기 제3 맵을 근거로 상기 전력을 출력하고, 상기 전력을 근거로 상기 액티브 영역 내 위치별 발열 특성을 출력하는 발열 특성 출력부를 포함하는 전자 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 제1 전류 출력부와 연결되고, 위치별 입력 그레이에 따라 상기 데이터 전압을 출력하는 데이터 전압 출력부를 더 포함하는 전자 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 입력 그레이는 상기 표시층의 위치별 휘도가 보상된 전자 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 맵들은 상기 제1 전류값에 따른 상기 발광 소자의 위치별 제2 전류값이 저장된 제4 맵을 더 포함하고,
    상기 제어부는 제4 맵을 근거로 상기 제2 전류값을 출력하는 제2 전류 출력부를 더 포함하고,
    상기 전압 출력부는 상기 제2 전류값을 수신하는 전자 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 전류 출력부는 상기 제1 전류 출력부와 연결되고,
    상기 발열 특성 출력부는 상기 제3 맵을 근거로 상기 제2 전류값 및 상기 전압에 대응되는 상기 전력을 출력하는 전자 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 표시층에 제1 구동 전압 및 상기 제1 구동 전압보다 낮은 전압 레벨을 갖는 제2 구동 전압을 제공하는 전압 발생부를 더 포함하고,
    상기 전압은 상기 제1 구동 전압에서 상기 제2 구동 전압을 뺀 값인 전자 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 복수의 맵들은 상기 액티브 영역의 위치별 상기 제1 구동 전압이 저장된 제5 맵 및 위치별 상기 제2 구동 전압이 저장된 제6 맵을 더 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 제5 맵을 근거로 상기 제1 구동 전압을 상기 전압 출력부에 제공하는 제1 전압 제공부; 및
    상기 제6 맵을 근거로 상기 제2 구동 전압을 상기 전압 출력부에 제공하는 제2 전압 제공부를 더 포함하는 전자 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 맵들은 상기 제1 전류값에 따른 상기 표시층의 위치별 휘도를 근거로 보상된 제2-1 전류값이 저장된 제4-1 맵을 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 제1 전류 출력부 및 상기 발열 특성 출력부 사이에 연결되고, 상기 제4-1 맵을 근거로 상기 제2-1 전류값을 출력하는 제2-1 전류 출력부를 더 포함하는 전자 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 맵들은 상기 제1 전류값에 따른 상기 액티브 영역의 위치별 상기 발광 소자의 커패시턴스를 근거로 보상된 제2-2 전류값이 저장된 제4-2 맵을 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 제1 전류 출력부 및 상기 발열 특성 출력부 사이에 연결되고, 상기 제4-2 맵을 근거로 상기 제2-2 전류값을 출력하는 제2-2 전류 출력부를 더 포함하는 전자 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 화소들은 복수의 데이터 라인들과 복수의 스캔 라인들에 각각 연결되며,
    상기 복수의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 구동 회로 및 상기 복수의 스캔 라인들을 구동하는 스캔 구동 회로를 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 데이터 구동 회로 및 상기 스캔 구동 회로를 제어하는 전자 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 구동 컨트롤러는 영상 신호를 수신하여 위치별 상기 발열 특성을 근거로 영상 데이터를 생성하는 전자 장치.
  12. 각각이 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들에 제공되는 상기 복수의 화소들의 위치별 입력 그레이에 따른 데이터 전압을 출력하는 단계;
    상기 데이터 전압에 따른 상기 구동 트랜지스터의 위치별 제1 전류값을 출력하는 단계;
    상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 상기 복수의 화소들의 위치별 전압을 출력하는 단계; 및
    상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 전류 및 상기 전압을 근거로 산출된 전력을 출력하고, 상기 전력을 근거로 상기 복수의 화소들의 위치별 발열 특성을 출력하는 단계를 포함하는 전자 장치 구동 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 전류값에 따른 상기 발광 소자의 위치별 제2 전류값을 출력하는 단계를 더 포함하는 전자 장치 구동 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 전류값을 출력하는 단계는 상기 제1 전류값을 출력하는 단계 및 상기 위치별 전압을 출력하는 단계 사이에 배치되는 전자 장치 구동 방법.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 위치별 발열 특성을 출력하는 단계는 상기 제2 전류값 및 상기 전압을 근거로 상기 전력을 산출하는 전자 장치 구동 방법.
  16. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 화소들에는 제1 구동 전압 및 상기 제1 구동 전압보다 낮은 전압 레벨을 갖는 제2 구동 전압이 제공되고,
    상기 전압을 출력하는 단계는,
    상기 복수의 화소들의 위치별 상기 제1 구동 전압을 출력하는 단계; 및
    상기 복수의 화소들의 위치별 상기 제2 구동 전압을 출력하는 단계를 포함하는 전자 장치 구동 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 전압은 상기 제1 구동 전압에서 상기 제2 구동 전압을 뺀 값인 전자 장치 구동 방법.
  18. 제12 항에 있어서,
    영상 신호를 수신하여 상기 위치별 발열 특성을 근거로 영상 데이터를 생성하는 단계를 더 포함하는 전자 장치 구동 방법.
  19. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 전류값에 따른 상기 복수의 화소들의 위치별 휘도를 근거로 보상된 제2-1 전류값을 출력하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2-1 전류값을 출력하는 단계는 상기 제1 전류값을 출력하는 단계 및 상기 위치별 전압을 출력하는 단계 사이에 배치되는 전자 장치 구동 방법.
  20. 복수의 데이터 라인들과 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 데이터 라인들 각각에 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동 회로;
    복수의 맵들이 저장된 메모리;
    상기 메모리와 연결되고, 제어부를 포함하는 구동 컨트롤러; 및
    복수의 화소들을 포함하는 표시 패널을 포함하고,
    상기 복수의 맵들은,
    상기 데이터 전압에 따른 상기 복수의 화소들 각각의 구동 트랜지스터의 위치별 제1 전류값이 저장된 제1 맵;
    상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 위치별 전압이 저장된 제2 맵; 및
    상기 복수의 화소들 각각에 인가되는 전류 및 상기 전압을 근거로 산출된 전력이 저장된 제3 맵을 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 제1 맵을 근거로 상기 데이터 전압에 대응되는 상기 제1 전류값을 출력하는 제1 전류 출력부;
    상기 제2 맵을 근거로 상기 전압을 출력하는 전압 출력부; 및
    상기 제3 맵을 근거로 상기 전력을 출력하고, 상기 전력을 근거로 상기 복수의 화소들의 위치별 발열 특성을 출력하는 발열 특성 출력부를 포함하는 전자 장치.
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