KR20240031298A - 점착 테이프 - Google Patents

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KR20240031298A
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KR1020247000183A
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아키요시 마스다
히로카즈 사토
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맥셀 주식회사
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Abstract

발명의 과제는, 익스팬드에 의해 접착제층을 분단하는 공정에 적합한 인장 응력과 균일 확장성, 가열 수축 공정에서 익스팬드 시에 생긴 테이프의 늘어짐을 해소할 수 있는 높은 수축성을 겸비한 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 제공하는 것이다. 과제의 해결 수단은, 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율의 제 1 수지층과 제 2 수지층을 가지는 2층 이상의 기재 필름과 점착제층을 가지고, 상기 아이오노머 수지는, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 가지는 산기의 일부가 아연 이온으로 중화된 비카트 연화 온도가 50∼79℃인 수지로 이루어지며, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 불포화 카르본산 유래의 구성 단위의 함유 비율이, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 구성 단위의 전량을 100질량%로 했을 때, 6.9∼18.0질량%, 상기 아연 이온의 농도가, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당 0.38∼0.60mmol인 웨이퍼 가공용 점착 테이프이다.

Description

점착 테이프
본 발명은, 반도체 장치의 제조 공정에서 사용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 관한 것이며, 특히, 다이본딩 필름(접착제층)을 가지는 반도체칩을 얻기 위해 사용되는 익스팬드 가능한 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 관한 것이다.
IC 등의 반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 다이본딩용의 칩 상당 사이즈의 접착 필름을 수반하는 반도체칩을 얻기 위해, 기재(基材) 및 점착제층으로 이루어지는 다이싱 테이프와 다이본딩 필름(이하, 「접착제층」 또는 「접착 필름」이라고 하는 경우가 있음)이 일체화된 다이싱 다이본딩 필름이 사용되는 경우가 있다.
상기 다이싱 다이본딩 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층 상에 다이본딩 필름(이하, 「접착 필름」 또는 「접착제층」이라고 하는 경우가 있음)을 박리 가능하게 마련한 것이다. 구체적으로는, 반도체 장치의 제조에 있어서, 예를 들면, 다이싱 다이본딩 필름의 다이본딩 필름 상에 반도체 웨이퍼를 첩착(貼着)·배치하여, 반도체 웨이퍼를 다이본딩 필름과 함께 다이싱하여 개개의 접착 필름을 가지는 반도체칩을 얻기 위해 이용된다. 그 후, 반도체칩을 다이본딩 필름과 함께 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 다이본딩 필름을 가지는 반도체칩으로서 박리(픽업)하고, 다이본딩 필름을 개재하여 반도체칩을 리드 프레임이나 배선 기판, 또는 별도의 반도체칩 등의 피착체에 고착시킨다.
상기 다이싱 다이본딩 필름은, 생산성 향상의 관점에서 적합하게 이용되는데, 다이싱 다이본딩 필름을 사용하여 다이본딩 필름을 가지는 반도체칩을 얻는 방법으로서, 근래에는, 종래의 고속 회전하는 다이싱 블레이드에 의한 풀 커트 절단 방법을 대신하여, 박막화하는 반도체 웨이퍼를 칩으로 개편화할 때의 치핑이나 접착제층의 절삭 부스러기에 기인하는 픽업 불량을 억제할 수 있다고 하여, (1)DBG(Dicing Before Grinding)에 의한 방법, (2)스텔스 다이싱(등록상표)에 의한 방법 등이 제안되어 있다.
상기 (1)의 DBG에 의한 방법에서는, 먼저, 다이싱 블레이드를 이용하여 반도체 웨이퍼를 완전히 절단하지 않고, 반도체 웨이퍼의 표면에 소정의 깊이의 분할 홈을 형성하고, 그 후 이면 연삭을, 당해 연삭량을 적절히 조정하면서 소정의 두께까지 행하는 것에 의해, 복수의 반도체칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체 또는 복수의 반도체칩으로 개편화 가능한 박막화된 반도체 웨이퍼를 얻는다. 그 후, 당해 반도체 웨이퍼의 분할체 또는 당해 반도체칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 다이싱 다이본딩 필름에 첩부(貼付)하고, 다이싱 테이프를 저온 하(예를 들면, -30℃ 이상 0℃ 이하)에서 익스팬드(이하, 「쿨 익스팬드」라고 하는 경우가 있음)하는 것에 의해, 상기 분할 홈을 따라, 저온에서 취성화(脆性化)된 다이본딩 필름을 개개의 반도체칩에 상당하는 사이즈로 할단(이하, 「분단」이라고 하는 경우가 있음), 또는 반도체 웨이퍼와 함께 할단한다. 상기 다이싱 테이프의 익스팬드는, 다이싱 테이프의 아래에 마련한 확장 테이블을 밀어올림으로써 행한다. 마지막으로 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 픽업에 의해 박리하여, 개개의 다이본딩 필름을 가지는 반도체칩을 얻을 수 있다.
상기 (2)의 스텔스 다이싱에 의한 방법에서는, 먼저, 이면 연삭에 의해 소정의 두께로 박막화된 반도체 웨이퍼를 다이싱 다이본딩 필름에 첩부하고, 반도체 웨이퍼 내부에 레이저광을 조사하여 선택적으로 개질 영역(개질층)을 형성시키면서 다이싱 예정 라인을 형성한다. 그 후, 다이싱 테이프를 쿨 익스팬드하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼에 대하여 개질 영역으로부터 수직으로 균열을 진전시켜, 당해 반도체 웨이퍼를 상기 다이싱 예정 라인을 따라, 저온에서 취성화된 다이본딩 필름과 함께 각각 할단한다. 마지막으로 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 픽업에 의해 박리하여, 개개의 다이본딩 필름을 가지는 반도체칩을 얻을 수 있다. 이 때, 다이싱 테이프에는, 다이본딩 필름을 가지는 반도체 웨이퍼를 확실하게 할단하기 위해, 할단할 수 있을 만큼의 응력 및 균일하고 또한 등방적인 확장성이 요구되며, 지금까지 여러 가지 제안이 행해지고 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에는, 열경화 타입의 표면 보호 테이프를 사용하는 경우의 가열 처리에 있어서 과잉 연화하지 않고, 게다가, 접착제층을 분단하는 익스팬드 공정에 있어서 사용 가능한 균일하고 또한 등방적인 확장성을 가지는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것을 목적으로 하여, JIS K7206에서 규정되는 비카트(vicat) 연화점이 80℃ 이상인 열가소성 수지로 이루어지는 최하층과, JIS K7206에서 규정되는 비카트 연화점이 50℃ 이상 80℃ 미만인 열가소성 수지로 이루어지는 상기 최하층 이외의 다른 층을 가지는 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 기재 필름이 개시되어 있다.
또한, 상기 (1)의 DBG에 의한 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼 표면에 다이싱 블레이드에 의해 분단(할단) 홈을 형성하는 대신에 스텔스 다이싱에 의해 반도체 웨이퍼 내부에 선택적으로 개질 영역을 마련한 후, 이면 연삭하는 것에 의해 반도체 웨이퍼를 소정의 두께까지 박막화하여, 다이본딩 필름을 가지는 반도체 웨이퍼의 분할체 또는 개편화 가능한 다이본딩 필름을 가지는 반도체 웨이퍼를 얻을 수도 있다. 이것은, SDBG(Stealth Dicing Before Griding)라고 불리는 방법이다.
그런데, 상술한 다이본딩 필름을 가지는 반도체칩을 적절히 픽업하기 위해, 통상은 그 전공정으로서, 상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서 할단된 인접하는 개개의 다이본딩 필름을 가지는 반도체칩간의 간격(이하, 「커프폭」이라고 하는 경우가 있음)을 넓히는 것을 목적으로 다이싱 테이프를 상온 부근에서 익스팬드(이하, 「상온 익스팬드」라고 하는 경우가 있음)하는 공정이 실시된다. 당해 공정에 있어서, 다이싱 테이프의 아래에 마련한 확장 테이블을 밀어올릴 때, 익스팬드(확장) 테이블의 주연부에서 다이싱 테이프에 걸리는 응력은, 익스팬드 테이블의 중심부보다 큰 것이 된다. 그 때문에, 상온 익스팬드 후에 확장 테이블을 강하시켜 익스팬드 상태를 해제하면, 다이싱 테이프의 외주부에는, 익스팬드 테이블의 주연부에 대응한 늘어짐이 생긴다. 이와 같은 늘어짐은, 분할된 반도체칩의 간격을 불균일하게 하거나 좁혀, 픽업 공정에 있어서의 제품 불량의 원인이 된다. 구체적으로는, 픽업 공정에 있어서, 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 다이본딩 필름을 가지는 반도체칩을 적절히 픽업할 수 없는 경우가 있고, 예를 들면, 반도체칩의 픽업 시에, 당해 칩과 그에 인접하는 칩에 있어서 칩간 접촉에 기인하는 손상이나 접착제층끼리의 접촉에 기인하는 재유착 등이 생겨, 픽업 수율이 저하하는 경우가 있다.
이와 같은 다이싱 테이프의 늘어짐을 해소하는 수단으로서, 다이싱 테이프의 외주부의 늘어진 부분에, 예를 들면 당해 부분의 표면 온도가 약 80℃가 되도록 열풍을 분사하여 늘어진 부분을 가열함으로써 수축시켜 원래의 상태로 복원하는 히트 슈링크 공정(이하, 「가열 수축 공정」이라고 하는 경우가 있음)이 알려져 있다. 이 공정이 적절히 실시되기 위해서는, 다이싱 테이프는, 80℃ 정도의 온도에 있어서 높은 열수축성을 가질 필요가 있다. 이 적절한 히트 슈링크 공정에 의해, 다이싱 테이프의 외주부보다 내측의 영역(반도체 웨이퍼가 첩착된 영역)은 소정 정도의 장력이 작용하는 긴장 상태에 이른다. 그 결과, 개개의 반도체칩간의 간격(커프폭)을 넓힌 채 고정, 보지(保持)할 수 있으므로, 할단된 개개의 다이본딩 필름을 가지는 반도체칩을 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 적절히 픽업할 수 있다.
예를 들면, 특허문헌 2에는, 확대율의 증대에 의한 칩 간격의 확장에 대응할 수 있고, 익스팬드에 의해 생긴 늘어짐이 열풍 분사에 의해 충분히 제거할 수 있으며, 픽업 종료 후의 카세트 수납 시에 수납 미스가 발생하지 않는 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 하여, 기재 필름 상에 점착제층을 가지고 이루어지는 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프에 있어서, 상기 기재 필름이, 융점이 60∼80℃인 아이오노머 수지를 포함하는 층을 적어도 1층 가지고 이루어지는 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프가 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 3에는, 익스팬드에 의해 접착제층을 분단하는 공정에 적합한 균일 확장성을 가지고, 또한, 가열 수축 공정에 있어서 충분한 수축성을 나타내며, 가열 수축 공정 후에 늘어짐에 의한 문제를 일으키지 않는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것을 목적으로 하여, JIS K7206에서 규정되는 비카트 연화점이 50℃ 이상 90℃ 미만이고, 열수축에 의한 응력의 증대가 9MPa 이상인 열가소성 가교 수지로 이루어지는 기재 필름이 개시되어 있다.
일본공개특허 특개2009-231700 일본공개특허 특개평9-7976 일본공개특허 특개2011-216508
특허문헌 1에 있어서의 웨이퍼 가공용 테이프는, 비카트 연화점이 80℃ 이상인 열가소성 수지로 이루어지는 최하층을 가지는 기재 필름을 사용하고 있기 때문에, 척 테이블에의 첩부가 발생하지 않고, 접착제층을 양호하게 분단할 수 있다고 되어 있다. 그러나, 익스팬드 후의 다이싱 테이프의 늘어짐을 제거하여, 개개의 반도체칩간의 커프폭을 확보하기 위한 히트 슈링크 공정이나 웨이퍼 가공용 테이프의 열수축성에 관한 기재는 없으며, 본 발명자들의 검토에 의하면, 기재 필름에 사용하는 열가소성 수지의 비카트 연화점이 높으면, 예를 들면 늘어짐 부분의 표면 온도가 약 80℃가 되도록 열풍을 분사했을 때의 열수축성이 충분히 높다고는 할 수 없는 경우가 있어, 히트 슈링크 공정에 의해 늘어짐을 원래의 상태로 복원할 수 없고, 개개의 반도체칩간의 커프폭을 충분히 확보할 수 없을 우려가 있었다. 또한, 후술하는 와이어 매립형 다이본딩 필름과 같은 두께가 두껍고, 유동성이 높은 접착제층이 할단되는지의 여부는 불분명하다.
또한, 특허문헌 2에 있어서의 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프는, 기재 필름이, 융점이 60∼80℃인 아이오노머 수지를 포함하는 층을 적어도 1층 가지고 있기 때문에, 확대율의 증대에 의한 칩 간격의 확장에 대응할 수 있고, 익스팬드에 의해 생긴 늘어짐이 열풍 분사에 의해 충분히 제거할 수 있으며, 픽업 종료 후의 카세트 수납 시에 수납 미스의 발생을 방지할 수 있다고 되어 있다. 그러나, 상기 히트 슈링크 공정에 있어서, 예를 들면 늘어짐 부분의 표면 온도가 약 80℃가 되도록 열풍을 분사한 경우, 기재 필름에 사용하는 아이오노머 수지의 융점이 낮으면, 가열 수축 시에 수지가 과잉으로 연화하여, 유동화되어 버리기 때문에, 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프가 변형되거나 또는 최악은 용단되어 버릴 우려가 있었다. 또한, 접착제층에 관해서는 전혀 기재가 없어, 이 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프를 DBG나 스텔스 다이싱에 의한 방법에 적용한 경우, 반도체 웨이퍼를 다이본딩 필름(접착제층)과 함께 할단할 수 있는 응력을 가지는지는 불분명하고, 또한, 히트 슈링크 후에 익스팬드 상태를 개방하여 칩을 픽업하는 공정에 제공한 경우에 커프폭이 충분히 확보되는지도 불분명하다.
또한, 특허문헌 3에 있어서의 웨이퍼 가공용 테이프는, 비카트 연화점이 50℃ 이상 90℃ 미만이고, 열수축에 의한 응력의 증대가 9MPa 이상인 열가소성 가교 수지로 이루어지는 기재 필름을 사용하고 있기 때문에, 가열 수축 공정 후에 늘어짐이 매우 적고, 분단이 끝난 반도체칩 및 개편화된 접착제를 웨이퍼 가공용 테이프 상에 안정적으로 고정할 수 있어, 양호한 픽업성이 얻어진다고 되어 있다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 기재 필름에 사용하는 열가소성 가교 수지의 성능에 따라서는, 예를 들면 늘어짐 부분의 표면 온도가 약 80℃가 되도록 열풍을 분사했을 때의 열수축성이 충분히 높다고는 할 수 없는 경우가 있어, 히트 슈링크 공정에 의해 늘어짐을 원래의 상태로 복원할 수 없고, 개개의 반도체칩간의 커프폭을 충분히 확보할 수 없을 우려가 있었다. 또한, 후술하는 와이어 매립형 다이본딩 필름과 같은 두께가 두껍고, 유동성이 높은 접착제층이 할단될 수 있는지의 여부는 불분명하다.
상술한 바와 같이, 종래 기술에 있어서는, 익스팬드 후의 테이프의 늘어짐의 해소에 대하여, 일정한 효과는 얻어지지만, 사용하는 열가소성 가교 수지를 포함하는 기재 필름의 성능에 따라서는, 가열에 의한 수축이 충분하지 않아, 가열 수축 공정 후에 늘어짐이 남고, 분단이 끝난 반도체칩 및 개편화된 접착제층을 테이프 상에 커프폭을 넓힌 채 안정적으로 고정할 수 없어, 인접하는 반도체칩끼리가 접촉하여 파손되거나, 접착제층끼리가 접촉하여 재유착함으로써, 반도체 부품 제조 공정의 수율이 악화되어 버리는 경우가 있어, 아직 개선의 여지가 있었다.
게다가, 근래에는, 반도체 웨이퍼의 박형화에 따라, 반도체칩의 다단 적층 공정에 있어서의 와이어 본딩 시에 칩 균열이 발생하기 쉽게 되어 있고, 그 과제 대책으로서, 스페이서 기능을 겸비한 와이어 매립형 다이본딩 필름이 제안되어 있다. 이 와이어 매립형 다이본딩 필름은, 다이본딩 시에 와이어를 간극 없이 매립할 필요가 있고, 상술한 종래의 범용 다이본딩 필름과 비교하여, 두께가 두껍고, 유동성이 높은(고온 하에서의 용융 점도가 낮은) 경향이 있다. 그 때문에, 이와 같은 와이어 매립형 다이본딩 필름은, 종래의 와이어가 접착제층 중에 매립되지 않는 형태로 사용되는 범용 다이본딩 필름과 비교하여, 쿨 익스팬드 시에 할단되기 어렵고, 또한, 할단된 두께가 두꺼운 다이본딩 필름끼리의 재첩착이나 반도체칩끼리의 충돌이 생기기 쉬워, 픽업성이 뒤떨어지는 경향이 있다. 그 대책을 위해, 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 익스팬드량을 크게 하면, 늘어짐량도 커져, 가열 수축 공정에 의한 늘어짐의 해소가 곤란해지는 경우가 있었다. 따라서, 이와 같은 관점에서도, 와이어 매립형 다이본딩 필름으로 대표되는 할단하기 어려운 다이본딩 필름이라도 양호하게 할단할 수 있고, 추가로 분단이 끝난 반도체칩 및 개편화된 접착제층을 테이프 상에 커프폭을 충분히 넓힌 채 안정적으로 고정할 수 있는 웨이퍼 가공용 점착 테이프가 강하게 요망되고 있었다.
본 발명은, 이와 같은 종래 기술이 가지는 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 익스팬드에 의해 접착제층, 특히 와이어 매립형 다이본딩 필름으로 대표되는 할단하기 어려운 접착제층을 분단하는 공정에 적합한 인장 응력과 균일 확장성, 및 가열 수축 공정에 있어서 익스팬드 시에 생긴 테이프의 늘어짐을 해소할 수 있는 높은 수축성을 겸비한 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은, 이하의 실시형태를 제공한다.
[1] 익스팬드에 의해 접착제층을 칩을 따라 분단할 때에 이용하는, 익스팬드 가능한 웨이퍼 가공용 점착 테이프로서, 기재 필름과, 상기 기재 필름 상에 마련된 점착제층을 가지고,
상기 기재 필름은, 적어도, 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 제 1 수지층과, 상기 아이오노머 수지와 동일 또는 상이한 종류의 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 제 2 수지층을 가지는 2층 이상의 적층 구성으로 이루어지며,
상기 아이오노머 수지는, 모두 당해 수지의 베이스 폴리머인 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체와 아연 이온을 포함하고, JIS K7206에서 규정되는 비카트 연화 온도가, 50℃를 하한값, 79℃를 상한값으로 하는 범위 내의 값을 가지며,
상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 구성하는 구성 단위의 전량을 기준의 100질량%로 했을 때에, 6.9질량%를 하한값, 18.0질량%를 상한값으로 하는 범위 내의 값을 가지고,
상기 아연 이온의 농도는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당 0.38mmol을 하한값, 0.60mmol을 상한값으로 하는 범위 내의 값을 가지는, 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
[2] 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 구성하는 구성 단위의 전량을 기준의 100질량%로 했을 때에, 8.0질량% 이상 15.0질량% 이하의 범위인, 형태 [1]의 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
[3] 상기 아연 이온의 농도는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당 0.41mmol 이상 0.55mmol 이하의 범위인, 형태 [1] 또는 [2]의 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
[4] 상기 기재 필름의 총두께는, 60㎛ 이상 150㎛ 이하의 범위이고, 상기 기재 필름에 있어서의 상기 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층의 각각의 두께는, 10㎛ 이상 50㎛ 이하의 범위이며, 상기 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층 전부의 합계 두께는, 상기 기재 필름의 총두께의 65% 이상인, 형태 [1]∼[3] 중 어느 것의 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
[5] 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 에틸렌·(메타)아크릴산의 2원 공중합체 및 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르의 3원 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 공중합체로 이루어지는, 형태 [1]∼[4] 중 어느 것의 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
[6] 형태 [1]∼[5] 중 어느 것의 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 상기 점착제층 상에 박리 가능하게 마련된 접착제층을 가지는 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
[7] 상기 접착제층은, 수지 성분으로서 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 포함하는, 형태 [6]의 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
[8] 상기 접착제층은, 80℃에서의 전단 점도가, 200Pa·s 이상 11,000Pa·s 이하의 범위인, 형태 [6] 또는 [7]의 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
[9] 상기 접착제층은, 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, (a) 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 17질량부 이상 51질량% 이하의 범위, 상기 에폭시 수지를 30질량부 이상 64질량부의 범위, 상기 페놀 수지를 19질량부 이상 53질량부 이하의 범위에서, 수지 성분 전량이 100질량부가 되도록 조정되어 포함하고, (b) 경화 촉진제를 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 0.07질량부 이하의 범위로 포함하며, (c) 무기 필러를 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 10질량부 이상 80질량부 이하의 범위로 포함하는, 형태 [8]의 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
[10] 형태 [1]∼[9] 중 어느 것의 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 사용하는, 반도체칩 또는 반도체 장치의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 익스팬드에 의해 접착제층을 분단하는 공정에 적합한 인장 응력과 균일 확장성, 및 가열 수축 공정에 있어서 익스팬드 시에 생긴 테이프의 늘어짐을 해소할 수 있는 높은 수축성을 겸비한 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다. 즉, 접착제층을 양호하게 분단할 수 있고, 익스팬 시에 생긴 테이프의 늘어짐을 가열 수축 공정에 의해 제거할 수 있으며, 분단이 끝난 반도체칩 및 개편화된 접착제층을 웨이퍼 가공용 점착 테이프 상에 충분한 커프폭을 유지한 상태로 안정적으로 고정할 수 있다. 그 결과, 전술한 바와 같은 인접하는 반도체칩끼리의 접촉에 의한 파손이나, 접착제층끼리의 접촉에 의한 재유착 등의 발생이 억제되어, 픽업성이 보다 양호한 것이 된다. 그리고, 당해 접착제층으로서, 두께가 두껍고, 유동성이 높은 와이어 매립형 다이본딩 필름이 사용된 경우라도, 마찬가지의 효과를 가질 수 있다. 또한, 당해 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 사용하는, 반도체칩 또는 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 기재 필름의 2층 구성의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 2는, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 기재 필름의 3층 구성의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 3은, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 기재 필름의 다른 양태의 적층 구성의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 4는, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 5는, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)에 접착제층(다이본딩 필름)이 박리 가능하게 마련된 구성의 다이싱 다이본딩 필름의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 6은, 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다.
도 7은, 반도체칩의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다.
도 8은, 다이싱 다이본딩 필름의 외연부에 링 프레임(웨이퍼 링), 다이본딩 필름 중심부에 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼가 첩부된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 9의 (a)∼(f)는, 레이저광 조사에 의해 복수의 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼의 연삭 공정 및 당해 반도체 웨이퍼의 다이싱 다이본딩 필름에의 첩합(貼合) 공정의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 10의 (a)∼(f)는, 다이싱 다이본딩 필름이 첩합된 복수의 개질 영역을 가지는 박막 반도체 웨이퍼를 이용한 반도체칩의 제조예를 나타낸 단면도이다.
도 11은, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 다이본딩 필름을 이용하여 제조된 반도체칩을 이용한 적층 구성의 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다.
도 12는, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 다이본딩 필름을 이용하여 제조된 반도체칩을 이용한 다른 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다.
도 13은, 익스팬드 후에 있어서의 반도체칩간의 간격(커프폭)의 측정 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 14는, 도 13에 있어서의 반도체 웨이퍼의 중심부의 확대 평면도이다.
이하, 필요에 따라 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시형태에 관하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
(웨이퍼 가공용 점착 테이프의 구성)
도 1의 (a) 및 (b)는, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 기재 필름(1)의 2층 구성의 일례를 나타낸 단면도이다. 본 실시형태의 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 2층 구성의 기재 필름(1)은, 제 1 수지층과 제 2 수지층에 80질량% 이상의 함유 비율로 포함되는 아이오노머 수지가 동일한 아이오노머 수지(도 1의 (a) 1-A 참조, 1종 2층 타입)여도 되고, 제 1 수지층과 제 2 수지층에 80질량% 이상의 함유 비율로 포함되는 아이오노머 수지가 각각 상이한 종류의 아이오노머 수지(도 1의 (b) 1-B 참조, 2종 2층 타입)여도 된다.
도 2의 (c)∼(e)는, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 기재 필름(1)의 3층 구성의 일례를 나타낸 단면도이다. 본 실시형태의 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 3층 구성의 기재 필름(1)은, 제 1 수지층과 제 2 수지층과 제 3 수지층에 80질량% 이상의 함유 비율로 포함되는 아이오노머 수지가 모두 동일한 아이오노머 수지(도 2의 (c) 1-C 참조, 1종 3층 타입)여도 되고, 제 1 수지층과 제 2 수지층에 80질량% 이상의 함유 비율로 포함되는 아이오노머 수지가 동일한 아이오노머 수지이고, 제 3 수지층에 80질량% 이상의 함유 비율로 포함되는 아이오노머 수지가 상이한 종류의 아이오노머 수지(도 2의 (d) 1-D 참조, 2종 3층 타입)여도 되며, 제 1 수지층과 제 2 수지층과 제 3 수지층에 80질량% 이상의 함유 비율로 포함되는 아이오노머 수지가 모두 상이한 종류의 아이오노머 수지(도 2의 (e) 1-E 참조, 3종 3층 타입)여도 된다. 또한, 기재 필름 전체에 있어서, 제 1 수지층, 제 2 수지층 및 제 3 수지층의 층의 위치는, 특별히 한정되지는 않는다.
도 3의 (f) 및 (g)는, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 기재 필름(1)의 다른 양태의 적층 구성의 일례를 나타낸 단면도이다. 본 실시형태의 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 3층 구성의 기재 필름(1)은, 제 1 수지층과 제 2 수지층이, 동일한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지로 구성되고, 제 3 수지층이, 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 구성하는 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지 이외의 기타 수지로 구성(도 3의 (f) 1-F 참조, 2종 3층 타입)되어 있어도 되며, 제 1 수지층과 제 2 수지층이, 각각 상이한 종류의 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지로 구성되고, 제 3 수지층이, 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 구성하는 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지 이외의 기타 수지로 구성(도 3의 (g) 1-G 참조, 3종 3층 타입)되어 있어도 된다. 또한, 기재 필름 전체에 있어서, 제 1 수지층, 제 2 수지층 및 제 3 수지층의 층의 위치는, 특별히 한정되지는 않는다.
본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 기재 필름(1)은, 적어도, 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 제 1 수지층과, 상기 아이오노머 수지와 동일 또는 상이한 종류의 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 제 2 수지층을 가지는 2층 이상의 적층 구성으로 이루어지나, 그 층수는, 상기의 제 1 수지층과 제 2 수지층의 2층을 가지고, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 특별히 한정되는 것은 아니다. 상기 층수는, 기재 필름(1)의 기계적 특성 및 생산성의 관점 등에서, 2층 이상 5층 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 기재 필름 전체에 있어서, 제 1 수지층, 제 2 수지층의 층의 위치는, 특별히 한정되지는 않는다.
도 4는, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)는, 기재 필름(1)의 위에 점착제층(2)을 구비한 구성을 가지고 있다. 이와 같은 적층 구성의 전형적인 예는, 다이싱 테이프이다. 또한, 도시는 하지 않지만, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 점착제층(2)의 표면(기재 필름(1)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에는, 이형성을 가지는 기재 시트(박리 라이너)를 구비하고 있어도 된다. 기재 필름(1)은, 적어도, 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 제 1 수지층과, 상기 아이오노머 수지와 동일 또는 상이한 종류의 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 제 2 수지층을 가지는 2층 이상의 적층 구성으로 이루어진다. 점착제층(2)을 형성하는 점착제로서는, 예를 들면, 자외선(UV) 등의 활성 에너지선을 조사하는 것에 의해 경화·수축하여 피착체에 대한 점착력이 저하하는 활성 에너지선 경화성의 아크릴계 점착제 등이 사용된다.
도 5는, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)에 접착제층(3)이 박리 가능하게 마련된 구성의 일례를 나타낸 단면도이다. 접착제층(3)은, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 점착제층(2)의 위에 박리 가능하게 밀착, 적층되어 있다. 이와 같은 적층 구성의 전형적인 예는, 다이싱 다이본딩 필름(20)이다.
이러한 구성의 다이싱 다이본딩 필름(20)은, 반도체 제조 공정에 있어서는, 예를 들면, 이하와 같이 사용된다. 다이싱 다이본딩 필름(20)의, 다이본딩 필름(접착제층)(3) 상에, 블레이드에 의해 표면에 분할 홈이 형성된 박막의 반도체 웨이퍼나, 레이저에 의해 내부에 개질층이 형성된 박막의 반도체 웨이퍼를 첩부하여 보지(접착)하고, 쿨 익스팬드에 의해 당해 반도체 웨이퍼를 다이본딩 필름(3)과 함께 할단하여, 개개의 다이본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩을 얻는다. 또는, 다이싱 다이본딩 필름(20)의, 다이본딩 필름(3) 상에, 박막의 반도체 웨이퍼를 첩부하여 보지(접착)하고, 그 상태로 레이저에 의해 당해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성한 후, 쿨 익스팬드에 의해 반도체 웨이퍼를 다이본딩 필름(3)과 함께 할단하여, 개개의 다이본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩을 얻는다. 또는, 다이싱 다이본딩 필름(20)의, 다이본딩 필름(3) 상에, 복수의 반도체칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체를 백 그라인드 테이프로부터의 전사에 의해 첩부하여 보지한 후, 쿨 익스팬드에 의해 다이본딩 필름(3)을 반도체칩을 따라 할단하여, 개개의 다이본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩을 얻는다.
이어서, 상온 익스팬드에 의해 다이본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩간의 커프폭을 충분히 확장한 후, 픽업 공정에 의해, 개개의 다이본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩을 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 점착제층(2)으로부터 박리한다. 얻어진 다이본딩 필름(접착 필름)(3)을 가지는 반도체칩을, 다이본딩 필름(접착 필름)(3)을 개재하여 리드 프레임이나 배선 기판, 또는 별도의 반도체칩 등의 피착체에 고착시킨다. 또한, 도시는 하지 않지만, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 점착제층(2)의 표면(기재 필름(1)에 대향하는 면과는 반대측의 면) 및 다이본딩 필름(3)의 표면(점착제층(2)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에는, 각각 이형성을 가지는 기재 시트(박리 라이너)를 구비하고 있어도 된다.
(웨이퍼 가공용 점착 테이프)
<<기재 필름>>
본 발명의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 기재 필름(1)은, 적어도, 특정한 아이오노머 수지(상세는 후술함)를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 제 1 수지층과, 상기 아이오노머 수지와 동일 또는 상이한 종류의 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 제 2 수지층을 가지는 2층 이상의 적층 구성으로 이루어진다. 기재 필름(1)이 아이오노머 수지를 포함하는 수지층을 1층만 가지는 경우, 즉, 기재 필름(1)을, 아이오노머 수지를 포함하는 수지층의 단층으로 구성하는 경우, 특히 기재 필름(1)의 두께를 두껍게 할 때에 수지의 압출 유량을 증대시킬 필요가 있기 때문에, 제막(製膜) 시에 압출기 내의 수지 압력이나 모터 부하가 과도하게 커지는 경우가 있어, 기재 필름(1)의 제막 정밀도가 나빠지고, 안정적으로 장척(長尺) 제막하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 그 결과, 기재 필름(1)을 권취(卷取)했을 때에 불필요한 주름이 생겨, 외관 불량이나 픽업 수율의 저하라는 문제를 발생시키는 경우가 있다. 한편, 기재 필름을, 적어도 아이오노머 수지를 포함하는 제 1 수지층과 제 2 수지층을 포함하는 2층 이상의 적층으로 구성하는 경우, 단층 구성과 동일한 두께의 기재 필름(1)을 제막하는 경우와 비교하여, 압출기 내의 수지 압력이나 모터 부하를 과도하게 증대시키지 않고 압출 유량을 제어할 수 있으므로, 제막 정밀도나 안정 성막의 관점에서는 적합하여, 기재 필름(1)에 불필요한 주름을 발생시키는 일이 없다. 또한, 기재 필름(1)의 제막 속도를 높일 수도 있는 점이나 익스팬드 시에 있어서의 인장 응력과 균일 확장성 및 가열 수축 공정에 있어서의 수축성이라는 물성의 밸런스를 제어하기 쉬운 점에서도 적합하다.
여기서, 「∼를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함한다」란, 상기 제 1 수지층 및 제 2 수지층의 각각에 있어서의 수지 전체의 질량을 기준의 100질량%로 한 경우에, 상기 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율이, 80질량% 이상인 것을 의미한다. 상기 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율은, 85질량% 이상 100질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 90질량% 이상 100질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 즉, 상기 기재 필름(1)이 가지는 제 1 수지층 및 제 2 수지층은 상기 특정한 아이오노머 수지만으로부터 구성되어 있어도 된다. 상기 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율이 80질량% 미만인 경우, 당해 아이오노머 수지의 적절하고 또한 고도의 가교 구조에 의해 발현되는 기계적 특성, 즉, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 인장 응력과 균일 확장성, 및 가열 수축 공정에 있어서의 수축성이 불충분해지고, 그 결과, 다이본딩 필름(접착제층)(3)이 양호하게 할단되지 않을 우려나, 개개의 반도체칩간의 커프폭을 충분히 확보할 수 없어, 양호한 픽업성이 얻어지지 않을 우려가 있다.
상기 2층 이상의 적층 구성으로 이루어지는 기재 필름(1)의 수지층의 층수는, 특별히 한정되지 않지만, 기재 필름(1)의 특성 및 생산성의 관점 등에서, 2층 이상 5층 이하의 범위인 것이 바람직하고, 2층 이상 3층 이하의 범위인 것이 바람직하다. 상세는 후술하지만, 상기 기재 필름(1)에 있어서 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층 전부의 두께의 합계는, 상기 기재 필름(1)의 총두께의 65% 이상인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 80% 이상 100% 이하의 범위이고, 더 바람직하게는 90% 이상 100% 이하의 범위이다. 예를 들면, 상기 기재 필름(1)이, 상기 제 1 수지층 및 제 2 수지층 이외에 제 3 수지층을 가지는 3층의 적층 구성으로 이루어지는 경우에 관하여 설명하면, 먼저 상기 제 3 수지층은, 도 2에 나타낸 바와 같이 상기 제 1 수지층 및 제 2 수지층과 마찬가지로 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지 또는 상기 특정한 아이오노머 수지만으로 구성되어 있어도 된다. 또한, 상기 제 3 수지층은, 도 3에 나타낸 바와 같이 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 구성하는 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지 이외의 기타 수지로 구성되어 있어도 된다. 여기서, 전자의 구성(도 2에 나타낸 양태)의 기재 필름(1)의 경우, 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층 전부의 두께의 합계는, 상기 기재 필름(1)의 총두께의 100%에 상당하여, 본 실시형태로서 특히 바람직하다.
한편, 후자의 구성(도 3에 나타낸 양태)의 기재 필름(1)의 경우, 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 제 1 수지층 및 제 2 수지층의 각각의 두께의 합계는, 상기 기재 필름(1)의 총두께의 65% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 80% 이상 99% 이하의 범위이며, 더 바람직하게는 90% 이상 99% 이하의 범위이다. 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층의 각각의 두께의 합계가, 상기 기재 필름(1)의 총두께의 65% 미만인 경우, 당해 아이오노머 수지의 적절하고 또한 고도의 가교 구조에 의해 발현되는 기계적 특성, 즉, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 인장 응력과 균일 확장성, 및 가열 수축 공정에 있어서의 수축성이 불충분해지고, 그 결과, 다이본딩 필름(접착제층)(3)이 양호하게 할단되지 않을 우려나, 개개의 반도체칩간의 커프폭을 충분히 확보할 수 없어, 양호한 픽업성이 얻어지지 않을 우려가 있다.
<아이오노머 수지>
본 실시형태의 기재 필름(1)이 가지는 제 1 수지층 및 제 2 수지층에 80질량% 이상의 함유 비율로 포함되는 특정한 아이오노머 수지에 관하여 설명한다.
상기 특정한 아이오노머 수지는, 모두 당해 수지의 베이스 폴리머인 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체와 아연 이온을 포함하고, JIS K7206에서 규정되는 비카트 연화 온도가, 50℃를 하한값, 79℃를 상한값으로 하는 범위 내의 값을 가진다. 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 구성하는 구성 단위의 전량을 기준의 100질량%로 했을 때에, 6.9질량%를 하한값, 18.0질량%를 상한값으로 하는 범위 내의 값을 가진다. 또한, 상기 아연 이온의 농도는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당 0.38mmol을 하한값, 0.60mmol을 상한값으로 한 범위 내의 값을 가진다.
기재 필름(1)에 이용하는 아이오노머 수지에 있어서, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체에 포함되는, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율과 아연 이온의 농도를 상기의 범위로 하는 것에 의해, 상세는 후술하지만, 아연 이온에 의해 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 가지는 산기(酸基)가 적절히 중화되어, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 연속층에 있어서, 불포화 카르본산 유래의 산기의 카르복시레이트 이온과 아연 이온의 이온 결합의 집합체에 의해 형성되는 이온 응집체(클러스터)의 발달이 충분하고 또한 적절해져, 가교 형태가 최적화되기 때문에, 쿨 익스팬드 공정에 적합한 인장 응력과 균일 확장성, 및 가열 수축 공정에 있어서 익스팬드 시에 생긴 테이프의 늘어짐을 해소할 수 있는 높은 수축성을 겸비한 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 실현할 수 있다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 에틸렌과 불포화 카르본산이 공중합한 적어도 2원의 공중합체이며, 추가로 제 3, 제 4 등의 다른 공중합 성분이 공중합한 3원 이상의 다원 공중합체여도 된다. 또한, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 병용해도 된다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산 2원 공중합체를 구성하는 불포화 카르본산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 에타크릴산, 이타콘산, 무수 이타콘산, 푸마르산, 크로톤산, 말레산, 무수 말레산 등의 탄소수 4∼8의 불포화 카르본산 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 불포화 카르본산으로서는, 아크릴산 또는 메타크릴산이 바람직하다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 3원 이상의 다원 공중합체인 경우, 상기 2원 공중합체를 구성하는 에틸렌과 불포화 카르본산 이외에, 다원 공중합체를 형성하는 제 3, 제 4 등의 다른 공중합체 성분 등을 포함해도 된다. 제 3, 제 4 등의 다른 공중합 성분으로서는, 불포화 카르본산 에스테르, 불포화 탄화수소, 비닐에스테르, 비닐황산이나 비닐질산 등의 산화물, 할로겐 화합물, 비닐기 함유 1, 2급 아민 화합물, 일산화탄소, 이산화유황 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 다른 공중합 성분으로서는, 불포화 카르본이나 불포화 탄화수소가 바람직하다.
상기 불포화 카르본산 에스테르로서는, 불포화 카르본산 알킬에스테르가 바람직하고, 알킬에스테르의 알킬 부위의 탄소수는 1 이상 12 이하의 범위가 바람직하며, 1 이상 8 이하의 범위가 보다 바람직하고, 1 이상 4 이하의 범위가 더 바람직하다. 알킬 부위의 예로서는, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, 세컨더리 부틸, 2-에틸헥실, 이소옥틸 등을 들 수 있다.
상기 불포화 카르본산 알킬에스테르의 구체예로서는, 알킬 부위의 탄소수가 1 이상 12 이하의 범위인 불포화 카르본산 알킬에스테르(예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 이소부틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 이소옥틸 등의 아크릴산 알킬에스테르, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 이소부틸 등의 메타크릴산 알킬에스테르, 말레산 디메틸, 말레산 디에틸 등의 말레산 알킬에스테르) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 알킬 부위의 탄소수가 1 이상 4 이하의 범위인 (메타)아크릴산 알킬에스테르가 보다 바람직하다. 비카트 연화 온도의 제어 및 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 네킹 현상의 억제를 포함시킨 균일 확장성의 관점에서, 알킬 부위의 탄소수가 4인 메타크릴산 이소부틸이 특히 바람직하다.
상기 불포화 탄화수소로서는, 예를 들면, 프로필렌, 부텐, 1,3-부타디엔, 펜텐, 1,3-펜타디엔, 1-헥센 등을 들 수 있다.
또한, 상기 비닐에스테르로서는, 예를 들면, 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등을 들 수 있고, 할로겐 화합물로서는, 예를 들면, 염화비닐, 불화비닐 등을 들 수 있다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 형태는, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되고, 2원 공중합체, 3원 이상의 다원 공중합체의 어느 것이어도 된다. 그 중에서도, 공업적으로 입수 가능한 점에서, 2원 랜덤 공중합체, 3원 랜덤 공중합체, 2원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체 또는 3원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체가 바람직하고, 2원 랜덤 공중합체 또는 3원 랜덤 공중합체가 보다 바람직하며, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 균일 확장성의 관점에서, 3원 랜덤 공중합체가 더 바람직하다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 적합한 구체예로서는, 에틸렌·아크릴산 공중합체나 에틸렌·메타크릴산 공중합체 등의 에틸렌·(메타)아크릴산의 2원 공중합체, 에틸렌·메타크릴산·아크릴산 이소부틸 공중합체 등의 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르의 3원 공중합체를 들 수 있지만, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 균일 확장성의 관점에서는, 에틸렌·메타크릴산·아크릴산 이소부틸 공중합체 등의 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르의 3원 공중합체가 바람직하다. 또한, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체로서 출시되어 있는 시판품을 이용해도 되고, 예를 들면, 미츠이·듀폰폴리케미칼사제의 뉴크렐(등록상표) 시리즈 등을 사용할 수 있다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 구성하는 구성 단위의 전량을 기준의 100질량%로 했을 때에, 6.9질량%를 하한값, 18.0질량%를 상한값으로 하는 범위 내의 값을 가진다. 상기 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율의 하한값은, 8.0질량%가 바람직하고, 10.0질량%가 보다 바람직하다. 한편, 그 상한값은 15.0질량%가 바람직하고, 12.0질량%가 보다 바람직하다. 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 베이스 폴리머로 하는 상기 특정한 아이오노머 수지는, 당해 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 가지는 산기(카르복실기)가 아연 이온에 의해 임의의 비율로 중화, 즉, 고분자간이 의사(疑似) 가교된 구조를 형성하고 있지만, 상기 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 6.9질량% 미만인 경우, 아연 이온에 의한 가교 효과가 작고, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 연속층에 있어서, 불포화 카르본산 유래의 산기의 카르복시레이트 이온과 아연 이온의 이온 결합의 집합체에 의해 형성되는 이온 응집체(클러스터)의 발달도 불충분해지기 때문에, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 인장 응력과 균일 확장성, 및 가열 수축 공정에 있어서의 수축성이 불충분해질 우려가 있다.
그 결과, 다이본딩 필름(접착제층)(3)이 양호하게 할단되지 않을 우려나, 개개의 반도체칩간의 커프폭을 충분히 확보할 수 없어, 양호한 픽업성이 얻어지지 않을 우려가 있다. 또한, 비카트 연화 온도가 너무 높아지는 경우가 있다. 한편, 상기 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 18.0질량%를 넘는 경우, 상기 기재 필름(1)의 기계적 특성이 불충분해질 우려가 있다. 또한, 불포화 카르본산 에스테르의 함유 비율에 따라서는 후술하는 비카트 연화 온도가 너무 낮아질 우려가 있다. 상기 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 상기 범위 내이면, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 적당한 인장 응력과 균일 확장성, 및 가열 수축 공정에 있어서의 수축성을 양립시키기 쉬워진다.
또한, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 구성하는 구성 단위의 전량을 기준의 100질량%로 했을 때에, 불포화 카르본산 에스테르에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이, 0질량%를 하한값, 16.0질량%를 상한값으로 하는 범위 내의 값을 가지는 것이 바람직하다. 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 네킹 현상의 억제를 포함시킨 균일 확장성의 관점에서는, 불포화 카르본산 에스테르에 유래하는 구성 단위의 함유 비율의 하한값은, 1.5질량%가 보다 바람직하고, 5.0질량%가 더 바람직하다. 한편, 그 상한값은, 15.0질량%가 보다 바람직하고, 12.0질량%가 더 바람직하다. 상기 불포화 카르본산 에스테르에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 16.0질량%를 넘는 경우, 불포화 카르본산의 함유 비율에 따라서는 후술하는 비카트 연화 온도가 너무 낮아질 우려가 있다. 또한, 기재 필름(1)에 있어서 블로킹이나 융착이 발생할 우려가 있다.
본 발명에 있어서의 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 에틸렌·불포화 카르본산의 2원 공중합체인 경우의 바람직한 공중합 비율로서는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 구성하는 구성 단위의 전량을 기준의 100질량%로 했을 때에, 에틸렌에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 82.0질량% 이상 93.1질량% 이하의 범위이고, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 6.9질량% 이상 18.0질량% 이하의 범위이다. 보다 바람직하게는, 에틸렌에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 85.0질량% 이상 92.0질량% 이하의 범위이고, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 8.0질량% 이상 15.0질량% 이하의 범위이다.
또한, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 에스테르의 3원 공중합체인 경우의 바람직한 공중합 비율로서는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 구성하는 구성 단위의 전량을 기준의 100질량%로 했을 때에, 에틸렌에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 66.0질량% 이상 91.6질량% 이하의 범위이고, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 6.9질량% 이상 18.0질량% 이하의 범위이고, 불포화 카르본산 에스테르에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 1.5질량% 이상 16.0질량% 이하의 범위이며, 전량이 100질량%가 되도록 조정된다. 보다 바람직하게는, 에틸렌에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 70.0질량% 이상 87.0질량% 이하의 범위이고, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 8.0질량% 이상 15.0질량% 이하의 범위이고, 불포화 카르본산 에스테르에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 5.0질량% 이상 15.0질량% 이하의 범위이다.
통상 아이오노머 수지는, 당해 수지의 베이스 폴리머인 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 가지는 산기(카르복실기)가 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온, 루비듐 이온, 세슘 이온, 아연 이온, 마그네슘 이온, 망간 이온 등의 금속 이온에 의해 임의의 비율로 중화되어 있지만, 본 실시형태의 기재 필름(1)에 적용되는 상기 특정한 아이오노머 수지에는, 가교 구조의 안정화(강고한 가교 결합)의 관점에서, 당해 수지의 베이스 폴리머인 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체와 아연 이온을 포함하고, 당해 수지의 베이스 폴리머인 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 가지는 산기의 적어도 일부가 2가의 금속 이온인 아연 이온으로 중화된 아이오노머 수지를 이용한다.
상기 아연 이온의 공급원으로서는, 아연의 산화물, 수산화물, 탄산염, 중탄산염, 아세트산염, 포름산염, 유기산염 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 산화아연, 수산화아연, 아세트산 아연, 스테아르산 아연, 염기성 탄산아연 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 산화아연이나 스테아르산 아연이 바람직하다. 이들 아연 이온의 공급원은, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 특정한 아이오노머 수지는, 당해 수지의 베이스 폴리머인 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 6.9질량%를 하한값, 18.0질량%를 상한값으로 한 범위 내의 값이 되도록 조정된 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체에 대하여, 아연 이온의 공급원을 첨가하여, 아연 이온에 의해 당해 공중합체가 가지는 산기(카르복실기)를 임의의 비율로 중화(가교)하는 것에 의해 얻어진다. 여기서, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 균일 확장성과, 가열 수축 공정에 있어서의 수축성을 양립하기 위해서는, 어떠한 아이오노머 수지라도 된다는 것은 아니고, 상기 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이 특정된 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체에 대한 상기 아연 이온의 농도가 매우 중요해진다. 즉, 본 실시형태의 기재 필름(1)에 적용되는 상기 특정한 아이오노머 수지에 있어서, 상기 아연 이온의 농도는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당 0.38mmol을 하한값, 0.60mmol을 상한값으로 하는 범위 내의 값이 되도록 조정된다. 상기 아연 이온의 농도의 하한값은, 0.41mmol이 바람직하고, 0.46mmol이 보다 바람직하다. 한편, 그 상한값은, 0.55mmol이 바람직하고, 0.52mmol이 보다 바람직하다.
상기 아연 이온의 농도가 0.38mmol 미만인 경우, 아연 이온에 의한 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 가교 효과가 작고, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 연속층에 있어서, 불포화 카르본산 유래의 산기의 카르복시레이트 이온과 아연 이온의 이온 결합의 집합체에 의해 형성되는 이온 응집체(클러스터)의 발달도 불충분해지기 때문에, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 균일 확장성과, 가열 수축 공정에 있어서의 수축성이 불충분해지고, 그 결과, 개개의 반도체칩간의 커프폭을 충분히 확보할 수 없어, 양호한 픽업성이 얻어지지 않을 우려가 있다. 한편, 상기 아연 이온의 농도가 0.60mmol을 넘는 경우, 특정한 아이오노머 수지의 베이스 폴리머인 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체에 있어서의 불포화 카르본산의 함유 비율에 따라서는 수지의 용융 점도가 너무 높아져, 압출기 내의 수지 압력이 오르고, 또한, 모터 부하가 커져, 필름의 안정 제막이 곤란해질 우려가 있다.
상기 아연 이온의 농도가 상기 범위 내이면, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 연속층에 있어서, 불포화 카르본산 유래의 산기의 카르복시레이트 이온과 아연 이온의 이온 결합의 집합체에 의해 형성되는 이온 응집체(클러스터)의 발달이 충분하고 또한 적절해지기 때문에, 그 가교 효과에 의해, 기재 필름(1)이 익스팬드되어도 이온 응집체(클러스터)가 파괴되기 어려워지고, 익스팬드와 함께 이온 응집체간의 분자쇄의 긴장수가 증가하여 적당한 인장 응력이 발현한다. 한편, 익스팬드 후의 가열 수축 공정에 있어서는, 엔트로피 탄성이 강하게 작용하여, 연신·배향된 분자가 원래의 상태로 되돌아가기 쉬워진다. 즉, 기재 필름(1)의 신장 시의 인장 응력 및 신장 후의 변형에 대한 가열 시의 복원력이 충분한 것이 되어, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 적당한 인장 응력과 균일 확장성, 및 가열 수축 공정에 있어서의 수축성을 양립할 수 있다. 그 결과, 접착제층(3)의 할단이 양호하게 이루어지고, 추가로 개개의 반도체칩간의 커프폭을 충분히 확보할 수 있어, 양호한 픽업성이 얻어진다.
또한, 상기 특정한 아이오노머 수지는, JIS K7206에서 규정되는 비카트 연화 온도가, 50℃를 하한값, 79℃를 상한값으로 하는 범위 내의 값을 가진다. 상기 비카트 연화 온도의 하한값은, 54℃가 바람직하고, 57℃가 보다 바람직하다. 한편, 그 상한값은, 74℃가 바람직하고, 64℃가 보다 바람직하다. 상기 특정한 아이오노머 수지의 비카트 연화 온도가 50℃ 미만인 경우, 필름 제막 시나 점착 테이프 제조 시에 블로킹을 일으킬 우려가 있다. 또한, 가열 수축 공정에 있어서, 예를 들면 늘어짐 부분의 표면 온도가 약 80℃가 되도록 온풍을 분사한 경우, 가열 수축 시에 수지가 과잉으로 연화하여, 유동화되어 버리기 때문에, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)가 필요 이상으로 변형 또는 용단되어 버릴 우려가 있다. 한편, 상기 특정한 아이오노머 수지의 비카트 연화 온도가 80℃ 이상인 경우, 예를 들면 늘어짐 부분의 표면 온도가 약 80℃가 되도록 열풍을 분사했을 때의 열수축성이 불충분해지고, 그 결과, 개개의 반도체칩간의 커프폭을 충분히 확보할 수 없어, 양호한 픽업성이 얻어지지 않을 우려가 있다. 상기 특정한 아이오노머 수지의 비카트 연화 온도가 상기 범위 내이면, 상기 아연 이온에 의한 적절한 가교 효과와 더불어, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)에 있어서, 익스팬드에 의해 접착제층을 분단하는 공정(익스팬드 공정)에 적합한 인장 응력과 균일 확장성, 및 익스팬드 시에 생긴 테이프의 늘어짐을 해소·제거하는 공정(가열 수축 공정)에 적합한 높은 수축성(복원성)을 양립시킬 수 있다.
이상, 상기 기재 필름(1)이 가지는 제 1 수지층 및 제 2 수지층에 80질량% 이상의 함유 비율로 포함되는 특정한 아이오노머 수지에 관하여 설명했으나, 상기 기재 필름(1)이, 상기 제 1 수지층 및 제 2 수지층 이외에 당해 제 1 수지층, 제 2 수지층과 동등 구성의 다른 수지층을 가지는 3층 이상의 적층 구성으로 이루어지는 경우(예를 들면, 도 2에 나타낸 양태), 당연히 당해 다른 수지층에 80질량% 이상의 함유 비율로 포함되는 아이오노머 수지로서, 상술의 특정한 아이오노머 수지를 이용할 수 있다.
<기타 수지>
상기 기재 필름(1)이 가지는 제 1 수지층, 제 2 수지층은, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서, 즉, 상기 제 1 수지층 및 제 2 수지층에 있어서의 수지 전체의 질량을 각각 기준의 100질량%로 한 경우에, 상기 특정한 아이오노머 수지 이외의 기타 수지를 20질량% 이하의 함유 비율로 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 수지층 및 제 2 수지층에 적층되는 제 3, 제 4 등의 수지층이, 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함할 경우도, 마찬가지로 상기 특정한 아이오노머 수지 이외의 기타 수지를 20질량% 이하의 함유 비율로 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 수지층, 제 2 수지층에 다른 수지층이 적층되는 경우에 있어서는, 다른 수지층은, 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 구성하는 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지 이외의 기타 수지로 구성할 수도 있다.
상기 기타 수지로서는, 특별히 한정되지 않지만, 열가소성 수지가 바람직하다. 상기 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 상기 특정한 아이오노머 수지 이외의 아이오노머 수지, 열가소성 올레핀계 공중합체, 열가소성 폴리우레탄, 열가소성 폴리아미드, 열가소성 스티렌계 수지, 열가소성 폴리에스테르, 열가소성 아크릴계 수지, 열가소성 폴리올레핀, 열가소성 폴리디엔, 열가소성 폴리에테르, 열가소성 폴리에테르·폴리올레핀계 공중합체, 열가소성 폴리에테르·폴리아미드계 공중합체 등의 열가소성 수지(열가소성 엘라스토머도 포함함)를 들 수 있다. 또한, 열가소성 올레핀계 공중합체나 열가소성 폴리올레핀에 전자선을 조사하여 가교한 수지도 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 상기 열가소성 수지로서는, 에틸렌·프로필렌계 공중합체 엘라스토머나 에틸렌·1-부텐계 공중합체 엘라스토머 등의 열가소성 올레핀계 공중합체, 나일론 6이나 나일론 6/12 등의 열가소성 폴리아미드, 및 열가소성 폴리에테르·폴리올레핀계 공중합체가 바람직하고, 접착제층(3)의 분단성의 관점에서, 열가소성 폴리아미드가 보다 바람직하다. 이들 열가소성 수지는, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 제 1 수지층, 제 2 수지층 및 다른 수지층이 상기 특정한 아이오노머 수지 이외의 기타 수지를 20질량% 이하의 함유 비율로 포함하는 혼합 수지로 구성되는 경우, 기타 수지의 비카트 연화 온도로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 당해 혼합 수지의 비카트 연화 온도가 50℃ 이상 80℃ 미만의 범위가 되도록 적절히 선택되는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 수지층, 제 2 수지층에 적층되는 다른 수지층이, 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지 이외의 기타 수지로 구성되는 경우, 기타 수지의 비카트 연화 온도는 50℃ 이상 80℃ 미만의 범위인 것이 바람직하다.
<그 밖의 성분>
본 실시형태의 기재 필름(1)을 구성하는 각 수지층에 사용하는 수지에는, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에서, 본 실시형태에 관련되는 수지 이외의 그 밖의 성분을 함유시킬 수 있다. 그 밖의 성분으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 커플링제, 무기 필러, 유기 필러, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 광 안정화제, 노화 방지제, 광 확산제, 가소제, 유기 색소, 염료, 안료, 활제(滑劑), 내충격 개량제, 금속 불활성제, 난연제, 난연 조제, 슬립제, 강화제, 이형제 등을 들 수 있다. 그 밖의 성분은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 이들 그 밖의 성분의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 기재 필름(1)이 원하는 기능을 발휘하고, 익스팬드(확장)성, 열수축성을 잃지 않는 범위에 그쳐야 한다.
<기재 필름의 총두께 및 각 수지층의 두께>
본 실시형태의 기재 필름(1)의 총두께는, 특별히 한정되지 않지만, 그 하한값으로서는, 60㎛가 바람직하고, 70㎛가 보다 바람직하다. 한편, 그 상한값으로서는, 150㎛가 바람직하고, 120㎛가 보다 바람직하다. 상기 기재 필름(1)의 총두께가 60㎛ 미만인 경우, 예를 들면 다이싱 시의 링 프레임의 보지에 대하여 강도가 불충분해질 우려가 있다. 한편, 상기 기재 필름(1)의 총두께가 150㎛를 넘는 경우, 예를 들면, 익스팬드(확장)성이 뒤떨어질 우려가 있다. 또한, 기재 필름(1)이나 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)로서 롤 형상으로 장척 권취했을 때에, 권취 코어부에 단차 자국이 생길 우려가 있다.
또한, 상기 기재 필름(1)에 있어서의 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층의 각각의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 그 하한값으로서는, 10㎛가 바람직하고, 20㎛가 보다 바람직하다. 한편, 그 상한값으로서는, 50㎛가 바람직하고, 40㎛가 보다 바람직하다. 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층 전부의 합계 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 그 하한값으로서는, 상기 기재 필름(1)의 총두께의 65%인 것이 바람직하고, 80%인 것이 보다 바람직하며, 90%인 것이 더 바람직하고, 그 상한값은 100%이다. 이와 같이 조정된 기재 필름(1)에 있어서는, 상기 특정한 아이오노머 수지의 적절하고 또한 고도의 가교 구조에 의해 발현되는 기계적 특성이 충분히 반영되기 때문에, 기재 필름(1)의 신장 시의 인장 응력, 균일 확장성 및 신장 후의 변형에 대한 가열 시의 복원력이 충분한 것이 된다. 그 결과, 다이본딩 필름(접착제층)(3)이 양호하게 할단되고, 개개의 반도체칩간의 커프폭도 충분히 확보되므로, 양호한 픽업성이 얻어진다.
또한, 본 실시형태의 기재 필름(1)은, 상기 기재 필름(1)에 있어서의 상기 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층의 각각의 두께를, 10㎛ 이상 50㎛ 이하의 범위로 하고, 기재 필름(1)의 총두께가 60㎛ 이상 150㎛ 이하의 범위가 되도록 적층하여 제막·제조하는 것이 바람직하지만, 이 경우, 단층 구성으로 동일한 두께의 기재 필름(1)을 제막·제조하는 경우와 비교하여, 압출기 내의 수지 압력이나 모터 부하를 과도하게 증대시키지 않고 압출 유량을 제어할 수 있으므로, 제막 정밀도나 안정 성막의 관점에서 적합하다.
상기 기재 필름(1)이, 상기 제 1 수지층 및 제 2 수지층에 대하여, 추가로 다른 수지층이 적층되어 이루어지는 경우, 다른 수지층의 합계 두께는, 상기 기재 필름(1)의 총두께가 60㎛ 이상 150㎛ 이하의 범위가 되도록 적절히 조정하는 것이 바람직하다. 상기 다른 수지층의 합계 두께는, 예를 들면, 0.6㎛ 이상 52㎛ 이하의 범위에서 조정하는 것이 바람직하다.
<기재 필름의 제조 방법>
본 실시형태의 기재 필름(1)의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 상술한 제 1 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물과, 제 2 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물을 각각의 압출기에 공급, 용융시키고, 각각의 용융 수지 조성물을 1개의 다이스로부터 압출하는 T다이 공압출법이나 인플레이션 공압출법을 이용할 수 있다. 3층 이상의 구성의 기재 필름(1)을 제조하는 경우도, 층수에 알맞는 각각의 압출기를 사용하면 된다. 또한, 미리 제막된 제 1 수지층 상에 제 2 수지층을 압출 라미네이트하는 방법, 미리 제막된 2개의 제 1 수지층간에 제 2 수지층을 압출 라미네이트하는 방법 등도 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 기재 필름(1)의 균일 확장성과 생산 효율의 관점에서는, T다이 공압출법이 적합하다. 인플레이션 공압출법은, 수지가 배향하기 쉽기 때문에, 균일 확장성이 저하할 우려가 있다. 또한, 압출 라미네이트법은 미리 일방의 층을 필름 형상으로 제막할 필요가 있기 때문에, 생산 효율이 나빠진다.
또한, 상기 T다이 공압출법에 있어서는, 표면에 미세한 요철을 가지는 닙롤을 이용한, T다이 공압출-닙롤 성형법을 채용하는 것이 바람직하다. 수지 조성물을 T다이로부터 압출하고, 냉각롤과 미세한 요철을 가지는 닙롤에 의해 협지(挾持)하면(닙롤 성형하면), 예를 들면, 기재 필름(1)의 최외층으로서 비카트 연화점이 낮은 상기 특정한 아이오노머 수지를 포함하는 수지층이 배치되었다고 해도, 기재 필름(1)의 표면에 형성되는 요철에 의해, 기재 필름(1)의 제막 시 및 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 제조 시에 있어서의 당해 수지층의 롤로부터의 박리성이나, 제막 후의 기재 필름(1)이나 가공 후의 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 롤 형상 원반(原反)의 블로킹 방지성을 담보할 수 있다.
<<점착제층>>
본 발명의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)는, 상술한 기재 필름(1)의 일방의 면에, 반도체 웨이퍼를 보지(가고정(假固定))하기 위한 점착제층(2)을 구비한 구성을 가지고 있다. 또한, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 점착제층(2)의 표면(기재 필름(1)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에는, 이형성을 가지는 기재 시트(박리 라이너)를 구비하고 있어도 된다. 상기 점착제층(2)을 형성하는 점착제로서는, 예를 들면, 아크릴계, 실리콘계, 폴리에스테르계, 폴리아세트산 비닐계, 폴리우레탄계나 고무계 등의 종래 공지의 점착제 조성물을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 범용성 및 실용 신뢰성의 관점에서, 자외선(UV) 등의 활성 에너지선을 조사하는 것에 의해 경화·수축하여 피착체에 대한 점착력이 저하하는 활성 에너지선 경화성의 아크릴계 점착제 조성물이 적합하게 사용된다.
<활성 에너지선 경화성의 아크릴계 점착제 조성물>
활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물로서는, 전형적으로는, 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머(이하, 「활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머」라고 하는 경우가 있음), 광중합 개시제, 및, 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물 (A), 또는, 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 활성 에너지선 경화성 화합물, 광중합 개시제, 및, 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물 (B) 등을 들 수 있지만, 특별히 이들에 한정되는 것은 아니다. 그 중에서도, 접착제층(3)으로부터의 박리성의 향상이나 접착제층(3)에의 풀 잔류 억제의 관점에서는, 전자의 양태의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머, 광중합 개시제, 및, 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물 (A)가 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 관능기란, 탄소-탄소 이중 결합과 공존 가능한 열반응성 관능기를 말한다. 이러한 관능기의 예는, 히드록실기, 카르복실기 및 아미노기 등의 활성 수소기, 및 글리시딜기 등의 활성 수소기와 열반응하는 관능기이다. 활성 수소기란, 탄소 이외의 질소, 산소 또는 유황 등의 원소와 그에 직접 결합한 수소를 가지는 관능기를 말한다.
<점착제 조성물 (A)>
[탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머]
상기 점착제 조성물 (A)는, 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 광중합 개시제, 및, 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함한다. 상기 점착제 조성물 (A)의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머로서는, 분자 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합이 도입된 것을 사용한다. 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머를 제조하는 방법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상, (메타)아크릴산 에스테르와 관능기 함유 불포화 화합물을 공중합하여 공중합체를 얻고, 그 공중합체가 가지는 관능기에 대하여 부가 반응하는 것이 가능한 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물을 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
상기의 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물을 부가 반응시키기 전의 상기 공중합체(이하, 「관능기를 가지는 공중합체」라고 하는 경우가 있음)로서는, 구체적으로는, (메타)아크릴산 알킬에스테르 단량체와, 활성 수소기 함유 단량체 및 또는 글리시딜기 함유 단량체를 포함하는 공중합체를 들 수 있다.
상기 (메타)아크릴산 알킬에스테르 단량체로서는, 탄소수 6∼18의 헥실(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 이소노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, 운데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 트리데실(메타)아크릴레이트, 테트라데실(메타)아크릴레이트, 펜타데실(메타)아크릴레이트, 헥사데실(메타)아크릴레이트, 헵타데실(메타)아크릴레이트, 옥타데실(메타)아크릴레이트, 또는 탄소수 5 이하의 단량체인, 펜틸(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
또한, 상기 활성 수소기 함유 단량체로서는, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메타)아크릴레이트 등의 수산기 함유 단량체, (메타)아크릴산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이소크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물기 함유 단량체, (메타)아크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, N-부틸(메타)아크릴아미드, N-메틸올(메타)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메타)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메타)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메타)아크릴아미드 등의 아미드계 모노머; (메타)아크릴산 아미노에틸, (메타)아크릴산 N,N-디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산 t-부틸아미노에틸 등의 아미노기 함유 단량체 등을 들 수 있다. 이들 활성 수소기 함유 단량체 성분은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 또한, 글리시딜기 함유 단량체로서는, (메타)아크릴산 글리시딜 등을 들 수 있다.
상기 열반응성 관능기의 함유량은, 특별히 한정되지는 않지만, 공중합 단량체 성분 전량에 대하여 0.5질량% 이상 50질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기의 단량체를 공중합한 적합한 관능기를 가지는 공중합체로서는, 구체적으로는, 아크릴산 2-에틸헥실과 아크릴산의 2원 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 아크릴산 2-히드록시에틸의 2원 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 메타크릴산과 아크릴산 2-히드록시에틸의 3원 공중합체, 아크릴산 n-부틸과 아크릴산의 2원 공중합체, 아크릴산 n-부틸과 아크릴산 2-히드록시에틸의 2원 공중합체, 아크릴산 n-부틸과 메타크릴산과 아크릴산 2-히드록시에틸의 3원 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 메타크릴산 메틸과 아크릴산 2-히드록시에틸의 3원 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 아크릴산 n-부틸과 아크릴산 2-히드록시에틸과 메타크릴산의 4원 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 메타크릴산 메틸과 아크릴산 2-히드록시에틸과 메타크릴산의 4원 공중합체 등을 들 수 있지만, 특별히 이들에 한정되는 것은 아니다.
상기 관능기를 가지는 공중합체는, 응집력, 및 내열성 등을 목적으로 하여, 필요에 따라 다른 공중합 단량체 성분을 함유해도 된다. 이와 같은 다른 공중합 단량체 성분으로서는, 구체적으로는, 예를 들면, (메타)아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 단량체, 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 단량체, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 스티렌계 단량체, 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등의 비닐에스테르계 단량체, 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르 등의 비닐에테르계 단량체, 염화비닐, 염화비닐리덴 등의 할로겐 원자 함유 단량체, (메타)아크릴산 메톡시에틸, (메타)아크릴산 에톡시에틸 등의 알콕시기 함유 단량체, N-비닐-2-피롤리돈, N-메틸비닐피롤리든, N-비닐피리딘, N-비닐피페리돈, N-비닐피리미딘, N-비닐피페라진, N-비닐피라진, N-비닐피롤, N-비닐이미다졸, N-비닐옥사졸, N-비닐모르폴린, N-비닐카프로락탐, N-(메타)아크릴로일모르폴린 등의 질소 원자 함유환을 가지는 단량체를 들 수 있다. 이들 다른 공중합 단량체 성분은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 상기 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 유리 전이 온도(Tg)가 -70℃ 이상 15℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, -60℃ 이상 -10℃ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
상기 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 상술한 관능기를 가지는 공중합체를 이용하여, 당해 공중합체가 가지는 관능기에 대하여 부가 반응하는 것이 가능한 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물을 부가 반응시켜 얻을 수 있다. 이와 같은 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 상기 공중합체의 측쇄에 있는 히드록실기에 대하여 부가 반응을 행하는 경우에는, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 4-메타크릴로일옥시-n-부틸이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등의 (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 상기 공중합체의 측쇄에 있는 카르복실기에 대하여 부가 반응을 행하는 경우에는, (메타)아크릴산 글리시딜이나 2-(1-아지리딘일)에틸(메타)아크릴레이트 등을 당해 화합물로서 사용할 수 있다. 또한, 상기 공중합체의 측쇄에 있는 글리시딜기에 대하여 부가 반응을 행하는 경우에는, (메타)아크릴산 등을 당해 화합물로서 사용할 수 있다.
상기 부가 반응으로서는, 그 반응 추적의 용이함(제어의 안정성)이나 기술적 난이도의 관점에서, 공중합체가 측쇄에 가지는 수산기에 대하여 부가 반응하는 것이 가능한 이소시아네이트기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물((메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물)을 부가 반응시키는 방법이 가장 적합하다.
또한, 상기 부가 반응을 행할 때에는, 후술하는 폴리이소시아네이트계 가교제나 에폭시계 가교제 등의 가교제에 의해 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머를 가교시켜, 더 고분자량화하기 위해, 히드록실기, 카르복실기나 글리시딜기 등의 관능기가 잔존하도록 해 두는 것이 바람직하다. 예를 들면, 히드록실기를 측쇄에 가지는 공중합체에 대하여, (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물을 반응시키는 경우, 상기 공중합체의 측쇄에 있는 히드록실기(-OH)에 대한 (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기(-NCO)의 당량비[(NCO)/(OH)]가 1.0 미만이 되도록 양자의 배합비를 조정하면 된다. 이와 같이 하여, (메타)아크릴로일옥시기 등의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 즉 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머를 얻을 수 있다.
상기 부가 반응에 있어서는, 탄소-탄소 이중 결합의 활성 에너지선 반응성이 유지되도록, 중합 금지제를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 중합 금지제로서는, 히드로퀴논·모노메틸에테르 등의 퀴논계의 중합 금지제가 바람직하다. 중합 금지제의 양은, 특별히 제한되지 않지만, 관능기를 가지는 공중합체와 활성 에너지선 반응성 화합물의 합계량에 대하여, 통상, 0.01질량부 이상 0.1질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머는, 바람직하게는 10만 이상 200만 이하의 범위의 중량 평균 분자량(Mw)을 가진다. 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)이 10만 미만인 경우에는, 도공성 등을 고려하여, 수천 cP 이상 수만 cP 이하의 고점도의 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 용액을 얻는 것이 어려워 바람직하지 않다. 또한, 활성 에너지선 조사 전의 점착제층(2)의 응집력이 작아져, 예를 들면, 활성 에너지선 조사 후에 점착제층(2)으로부터 다이본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩을 탈리할 때, 다이본딩 필름(3)을 가지는 반도체 웨이퍼를 오염시킬 우려가 있다. 한편, 중량 평균 분자량(Mw)이 200만을 넘는 경우에는, 점착제로서의 특성상, 특별히 문제는 없지만, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머를 양산적으로 제조하는 것이 어려워, 예를 들면, 합성 시에 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머가 겔화하는 경우가 있어, 바람직하지 않다. 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)은, 보다 바람직하게는 30만 이상 150만 이하이다. 여기서, 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값을 의미한다.
상기 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 탄소-탄소 이중 결합 함유량은, 활성 에너지선 조사 후에 점착제층(2)에 있어서 충분한 점착력의 저감 효과가 얻어지는 양이면 되고, 활성 에너지선의 조사량 등의 사용 조건 등에 따라 상이하여 일의적이지 않지만, 당해 탄소-탄소 이중 결합 함유량으로서는, 예를 들면, 0.85meq/g 이상 1.60meq/g 이하의 범위인 것이 바람직하다. 탄소-탄소 이중 결합 함유량이 0.85meq/g 미만인 경우는 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)에 있어서의 점착력 저감 효과가 작아져, 접착제층(3)을 가지는 반도체칩의 픽업 불량이 증대할 우려가 있다. 한편, 탄소-탄소 이중 결합 함유량이 1.60meq/g을 넘는 경우는, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)에 있어서 점착제의 유동성이 불충분해져, 다이싱 다이본딩 필름(20)의 익스팬드 후의 반도체칩 간극이 충분히 넓어지지 않아, 픽업 시에 각 반도체칩의 화상 인식이 곤란해진다는 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 아크릴계 점착성 폴리머의 공중합 조성에 따라서는 합성할 때의 중합 또는 반응 시에 겔화하기 쉬워져, 합성이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 탄소-탄소 이중 결합 함유량을 확인하는 경우, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 요오드가를 측정함으로써, 탄소-탄소 이중 결합 함유량을 산출할 수 있다.
[광중합 개시제]
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A))은, 상술한 바와 같이, 활성 에너지선의 조사에 의해 라디칼을 발생하는 광중합 개시제를 포함한다. 광중합 개시제는, 피착물 탈착 시의 점착제층에 대한 활성 에너지선의 조사를 감수(感受)하여, 라디칼을 발생시키고, 점착제층(2) 중의 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 탄소-탄소 이중 결합의 가교 반응을 개시시킨다. 그 결과, 활성 에너지선의 조사 하에 있어서 점착제층이, 더 경화·수축하는 것에 의해 피착물에 대한 접착력이 저감된다. 광중합 개시제로서는, 자외선 등에 의해 라디칼 활성종을 발생시키는 화합물이 바람직하고, 예를 들면, 알킬페논계 라디칼 중합 개시제, 아실포스핀옥사이드계 라디칼 중합 개시제, 옥심에스테르계 라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다. 이들 광중합 개시제는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
상기 알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 벤질메틸케탈계 라디칼 중합 개시제, α-히드록시알킬페논계 라디칼 중합 개시제, α-아미노알킬페논계 라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다.
상기 벤질메틸케탈계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2,2'-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(예를 들면, 상품명:Omnirad651, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. 상기 α-히드록시알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온(상품명:Omnirad1173, IGM Resins B.V.사제), 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(상품명:Omnirad184, IGM Resins B.V.사제), 1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온(상품명:Omnirad2959, IGM Resins B.V.사제), 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸프로피오닐)벤질]페닐}-2-메틸프로판-1-온(상품명 Omnirad127, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. 상기 α-아미노알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(상품명:Omnirad907, IGM Resins B.V.사제), 2-벤질-2-(디메틸아미노)-4'-모르폴리노부티로페논(상품명:Omnirad369, IGM Resins B.V.사제), 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온(상품명:Omnirad379EG, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다.
상기 아실포스핀옥사이드계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥사이드(상품명:OmniradTPO, IGM Resins B.V.사제), 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(상품명:Omnirad819, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다.
상기 옥심에스테르계 라디칼 중합 개시제로서는, 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)페닐]-, 2-(O-벤조일옥심)(상품명:OmniradOXE-01, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다.
상기 광중합 개시제의 첨가량으로서는, 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 10.0질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다. 광중합 개시제의 첨가량이 0.1질량부 미만인 경우에는, 활성 에너지선에 대한 광반응성이 충분하지 않기 때문에 활성 에너지선을 조사해도 아크릴계 점착성 폴리머의 광 라디칼 가교 반응이 충분히 일어나지 않아, 점착제의 경화·수축이 불충분해지고, 그 결과, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)에 있어서의 점착력 저감 효과가 작아져, 반도체칩의 픽업 불량이 증대할 우려가 있다. 한편, 광중합 개시제의 첨가량이 10.0질량부를 넘는 경우에는, 그 효과는 포화하여, 경제성의 관점에서도 바람직하지 않다. 또한, 광중합 개시제의 종류에 따라서는, 점착제층(2)이 황변하여 외관 불량이 되는 경우가 있다.
또한, 이와 같은 광중합 개시제의 증감제로서, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 4-디메틸아미노벤조산 이소아밀 등의 화합물을 점착제에 첨가해도 된다.
[가교제]
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A))은, 상술한 바와 같이, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 고분자량화를 위해 추가로 가교제를 함유한다. 이와 같은 가교제로서는, 특별히 제한되지 않고, 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 관능기인 히드록실기, 카르복실기 및 글리시딜기 등과 반응 가능한 관능기를 가지는 공지의 가교제를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 폴리이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민 수지계 가교제, 요소 수지계 가교제, 산 무수 화합물계 가교제, 폴리아민계 가교제, 카르복실기 함유 폴리머계 가교제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 반응성, 범용성의 관점에서 폴리이소시아네이트계 가교제 또는 에폭시계 가교제를 이용하는 것이 바람직하다. 이들 가교제는, 단독으로 또는 2종 이상 병용해도 된다. 가교제의 배합량은, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 0.01질량부 이상 15질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 폴리이소시아네이트계 가교제로서는, 예를 들면, 이소시아누레이트환을 가지는 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 헥사메틸렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 톨릴렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 크실릴렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 이소포론디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 에폭시계 가교제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A·에피클로로히드린형의 에폭시 수지, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 글리세린디글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 펜타에리스리톨폴리글리시딜에리스리톨, 디글리세롤폴리글리시딜에테르, 1,3'-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(점착제 조성물 (A))에 의해 점착제층(2)을 형성한 후에, 상기 가교제와 상기 관능기를 가지는 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머를 반응시키기 위한 에이징의 조건으로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들면, 온도는 23℃ 이상 80℃ 이하의 범위, 시간은 24시간 이상 168시간 이하의 범위에서 적절히 설정하면 된다.
[기타]
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A))은, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 필요에 따라, 그 밖에, 다관능 아크릴 모노머, 다관능 아크릴 올리고머, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 계면 활성제, 실란 커플링제, 레벨링제 등의 첨가제를 첨가해도 된다.
<점착제 조성물 (B)>
[관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머]
상기 점착제 조성물 (B)는, 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 활성 에너지선 경화성 화합물, 광중합 개시제, 및, 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함한다. 상기 점착제 조성물 (B)의 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머로서는, 상술의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A))의 설명에 있어서 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머로서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다.
[활성 에너지선 경화성 화합물]
상기 점착제 조성물 (B)의 활성 에너지선 경화성 화합물로서는, 예를 들면, 활성 에너지선의 조사에 의해 3차원 망상화(網狀化)할 수 있는, 분자 내에 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 가지는 저분자량 화합물이 널리 이용된다. 이와 같은 저분자량 화합물로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산과 다가 알코올의 에스테르화물; 2-프로페닐-디-3-부테닐시아누레이트, 2-히드록시에틸비스(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트 또는 이소시아누레이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 활성 에너지선 경화성의 저분자량 화합물은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
또한, 활성 에너지선 경화성 화합물로서, 상기와 같은 저분자량 화합물 외에, 에폭시아크릴레이트계 올리고머, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 폴리에스테르아크릴레이트계 올리고머 등의 활성 에너지선 경화성 올리고머를 이용할 수도 있다. 에폭시아크릴레이트는, 에폭시 화합물과 (메타)아크릴산의 부가 반응에 의해 합성된다. 우레탄아크릴레이트는, 예를 들면, 폴리올과 폴리이소시아네이트의 부가 반응물에, 말단에 남는 이소시아네이트기를 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트와 반응시켜 (메타)아크릴기를 분자 말단에 도입하여 합성된다. 폴리에스테르아크릴레이트는, 폴리에스테르폴리올과 (메타)아크릴산의 반응에 의해 합성된다. 상기 활성 에너지선 경화성 올리고머는, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)의 점착력의 저감 효과의 관점에서, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지는 것이 바람직하다. 이들 활성 에너지선 경화성 올리고머는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
상기 활성 에너지선 경화성 올리고머의 중량 평균 분자량(Mw)은, 특별히 한정되지 않지만, 100 이상 30,000 이하의 범위인 것이 바람직하고, 반도체칩의 오염 억제 및 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)의 점착력의 저감 효과의 양 관점에서, 500 이상 6,000 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
상기 활성 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머 100질량부에 대하여, 5질량부 이상 500질량부 이하, 바람직하게는 50질량부 이상 180질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다. 상기 활성 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 상기 범위 내인 경우, 활성 에너지선 조사 후에 점착제층(2)의 점착력을 적정하게 저하시켜, 반도체칩을 파손시키지 않고, 픽업을 용이하게 할 수 있다.
[광중합 개시제]
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (B))은, 활성 에너지선의 조사에 의해 라디칼을 발생하는 광중합 개시제를 포함한다. 상기 광중합 개시제로서는, 상술의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A))의 설명에 있어서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다. 또한, 광중합 개시제의 첨가량에 관해서도 마찬가지로 하면 된다.
[가교제]
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (B))은, 상술한 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 고분자량화를 위해 추가로 가교제를 함유한다. 상기 가교제로서는, 상술의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A))의 설명에 있어서 가교제로서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다. 또한, 가교제의 배합량 및 가교제와 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머를 반응시키기 위한 에이징의 조건에 관해서도 마찬가지로 하면 된다.
[기타]
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (B))은, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 필요에 따라, 그 밖에, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 계면 활성제, 실란 커플링제, 레벨링제 등의 첨가제를 첨가해도 된다.
<점착제층의 두께>
본 발명의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 점착제층(2)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 이상 50㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 6㎛ 이상 20㎛ 이하의 범위가 보다 바람직하며, 7㎛ 이상 15㎛ 이하의 범위가 특히 바람직하다. 점착제층(2)의 두께가 5㎛ 미만인 경우에는, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 점착력이 과도하게 저하할 우려가 있다. 이 경우, 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 다이본딩 필름(3)의 점착제층(2)으로부터의 들뜸이 생기기 쉬워져, 반도체칩의 우량품 수율이 저하한다. 또한, 다이싱 다이본딩 필름으로서 사용할 때에, 점착제층(2)과 다이본딩 필름(3)의 밀착 불량이 생기는 경우가 있다. 한편, 점착제층(2)의 두께가 50㎛를 넘는 경우에는, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)를 쿨 익스팬드했을 때에 생기는 내부 응력이, 다이본딩 필름(3)을 가지는 반도체 웨이퍼에 외부 응력으로서 전달되기 어려워질 우려가 있고, 그 경우, 다이싱 공정에 있어서, 다이본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩의 할단 수율이 저하할 우려가 있다. 또한, 다이본딩 필름(3)과의 밀착성이 높아지고, 활성 에너지선 조사 후의 또한, 경제성의 관점에서도, 실용상 그다지 바람직하지 않다.
<<앵커 코트층>>
본 실시형태의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)에서는, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 제조 조건이나 제조 후의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 사용 조건 등에 따라, 기재 필름(1)과 점착제층(2)의 사이에, 기재 필름(1)의 조성에 맞춘 앵커 코트층을 마련해도 된다. 앵커 코트층을 마련하는 것에 의해, 기재 필름(1)과 점착제층(2)의 밀착력이 향상한다.
<<박리 라이너>>
또한 점착제층(2)의 기재 필름(1)과는 반대의 표면측(일방의 표면측)에는, 필요에 따라 박리 라이너를 마련해도 된다. 박리 라이너로서 사용할 수 있는 것은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지나, 종이류 등을 들 수 있다. 또한, 박리 라이너의 표면에는, 점착제층(2)의 박리성을 높이기 위해, 실리콘계 박리 처리제, 장쇄 알킬계 박리 처리제, 불소계 박리 처리제 등에 의한 박리 처리를 실시해도 된다. 박리 라이너의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 10㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위인 것을 적합하게 사용할 수 있다.
(웨이퍼 가공용 점착 테이프의 제조 방법)
도 6은, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다. 먼저, 박리 라이너를 준비한다(단계 S101:박리 라이너 준비 공정). 다음에, 점착제층(2)의 형성 재료인 점착제층(2)용의 도포 용액(점착제층 형성용 도포 용액)을 제조한다(단계 S102:도포 용액 제작 공정). 도포 용액은, 예를 들면, 점착제층(2)의 구성 성분인 아크릴계 점착성 폴리머와 가교제와 희석 용매를 균일하게 혼합 교반하는 것에 의해 제작할 수 있다. 용매로서는, 예를 들면, 톨루엔이나 아세트산 에틸 등의 범용의 유기 용제를 사용할 수 있다.
그리고, 단계 S102에서 제작한 점착제층(2)용의 도포 용액을 이용하여, 박리 라이너의 박리 처리면 상에 당해 도포 용액을 도포하여 건조하고, 소정 두께의 점착제층(2)을 형성한다(단계 S103:점착제층 형성 공정). 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 다이 코터, 콤마 코터(등록상표), 그라비아 코터, 롤 코터, 리버스 코터 등을 이용하여 도포할 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 건조 온도는 80℃ 이상 150℃ 이하의 범위 내, 건조 시간은 0.5분간 이상 5분간 이하의 범위 내에서 행하는 것이 바람직하다. 계속해서, 기재 필름(1)을 준비한다(단계 S104:기재 필름 준비 공정). 그리고, 박리 라이너의 위에 형성된 점착제층(2)의 위에, 기재 필름(1)을 첩합한다(단계 S105:기재 필름 첩합 공정). 마지막으로, 형성한 점착제층(2)을 예를 들면 40℃의 환경 하에서 72시간 에이징하여 아크릴계 점착성 폴리머와 가교제를 반응시키는 것에 의해 가교·경화시킨다(단계 S106:열경화 공정). 이상의 공정에 의해 기재 필름(1)의 위에 기재 필름측으로부터 순서대로 점착제층(2), 박리 라이너를 구비한 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 점착제층(2)의 위에 박리 라이너를 구비하고 있는 적층체도 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)라고 하는 경우가 있다.
또한, 상기 기재 필름(1) 상에 점착제층(2)을 형성하는 방법으로서, 박리 라이너의 위에 점착제층(2)용의 도포 용액을 도포하여 건조하고, 그 후, 점착제층(2)의 위에 기재 필름(1)을 첩합하는 방법을 예시했지만, 기재 필름(1) 상에 점착제층(2)용의 도포 용액을 직접 도포하여 건조시키는 방법을 이용해도 된다. 안정 생산의 관점에서는, 전자의 방법이 적합하게 이용된다.
본 실시형태의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)는, 롤 형상으로 감긴 형태나, 폭이 넓은 시트가 적층하고 있는 형태여도 된다. 또한, 이러한 형태의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)를 미리 정해진 크기로 절단하여 형성된 시트 형상 또는 테이프 형상의 형태여도 된다.
(다이싱 다이본딩 필름)
본 발명의 제 2 측면에 의하면, 본 실시형태의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)는, 반도체 제조 공정에 있어서, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 점착제층(2)의 위에 다이본딩 필름(접착제층)(3)이 박리 가능하게 밀착·적층된, 소위 다이싱 다이본딩 필름(20)의 형태로서 사용할 수도 있다. 다이본딩 필름(접착제층)(3)은, 쿨 익스팬드에 의해 할단, 개편화된 반도체칩을 리드 프레임이나 배선 기판(지지 기판)에 접착·접속하기 위한 것이다. 또한, 반도체칩을 적층하는 경우는, 반도체칩끼리의 접착제층의 역할도 한다. 이 경우, 1단째의 반도체칩은 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 의해, 단자가 형성된 반도체칩 탑재용 배선 기판에 접착되고, 1단째의 반도체칩의 위에, 추가로 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 의해 2단째의 반도체칩이 접착되어 있다. 1단째의 반도체칩 및 2단째의 반도체칩의 접속 단자는, 와이어를 개재하여 외부 접속 단자와 전기적으로 접속되지만, 1단째의 반도체칩용의 와이어는, 압착(다이본딩) 시에 다이본딩 필름(접착제층)(3), 즉, 전술한 와이어 매립형 다이본딩 필름(접착제층)(3) 안에 매립된다. 이하, 본 실시형태의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)를 다이싱 다이본딩 필름(20)의 형태로서 사용하는 경우의 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 관하여 일례를 나타내지만, 특별히 이 예에 한정되는 것은 아니다.
<<다이본딩 필름(접착제층)>>
상기 다이본딩 필름(접착제층)(3)은, 열에 의해 경화하는 열경화형의 접착제 조성물로 이루어지는 층이다. 상기 접착제 조성물로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 종래 공지의 재료를 사용할 수 있다. 상기 접착제 조성물의 바람직한 양태의 일례로서는, 예를 들면, 열가소성 수지로서 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 열경화성 수지로서 에폭시 수지, 및 당해 에폭시 수지에 대한 경화제로서 페놀 수지를 포함하는 수지 조성물에, 경화 촉진제, 무기 필러, 실란 커플링제 등이 첨가되어 이루어지는 열경화성 접착제 조성물을 들 수 있다. 이와 같은 열경화성 접착제 조성물로 이루어지는 다이본딩 필름(접착제층)(3)은, 반도체칩/지지 기판간, 반도체칩/반도체칩간의 접착성이 우수하고, 또한 전극 매립성 및/또는 와이어 매립성 등도 부여 가능하며, 또한 다이본딩 공정에서는 저온에서 접착할 수 있어, 단시간에 우수한 경화가 얻어지고, 밀봉제에 의해 몰드된 후에는 우수한 신뢰성을 가지는 등의 특징이 있어 바람직하다.
와이어가 접착제층 중에 매립되지 않는 형태로 사용되는 범용 다이본딩 필름과 와이어가 접착제층 중에 매립되는 형태로 사용되는 와이어 매립형 다이본딩 필름은, 그 접착제 조성물을 구성하는 재료의 종류에 관해서는, 거의 동일한 것이 많지만, 사용하는 재료의 배합 비율, 개개의 재료의 물성·특성 등을, 각각의 목적에 따라 변경하는 것에 의해, 범용 다이본딩 필름용 또는 와이어 매립형 다이본딩 필름용으로서 커스터마이즈된다. 또한, 최종적인 반도체 장치로서의 신뢰성에 문제가 없는 경우에는, 와이어 매립형 다이본딩 필름이 범용 다이본딩 필름으로서 사용되는 경우도 있다. 즉, 와이어 매립형 다이본딩 필름은, 와이어 매립 용도에 한정되지 않고, 배선 등에 기인하는 요철을 가지는 기판, 리드 프레임 등의 금속 기판 등에 반도체칩을 접착하는 용도에서도 마찬가지로 사용 가능하다.
<범용 다이본딩 필름용 접착제 조성물>
먼저, 범용 다이본딩 필름용 접착제 조성물의 일례에 관하여 설명하지만, 특별히 이 예에 한정되는 것은 아니다. 접착제 조성물로 형성되는 다이본딩 필름(3)의 다이본딩 시의 유동성의 지표로서, 예를 들면, 80℃에서의 전단 점도 특성을 들 수 있지만, 범용 다이본딩 필름의 경우, 일반적으로, 80℃에서의 전단 점도는, 20,000Pa·s 이상 40,000Pa·s 이하의 범위, 바람직하게는 25,000Pa·s 이상 35,000Pa·s 이하의 범위의 값을 나타낸다. 상기의 80℃에서의 전단 점도는 이하의 방법으로 측정되는 값이다. 다이본딩 필름(접착제층)(3)을 총두께가 200∼210㎛가 되도록 70℃에서 복수매 첩합하여 적층체를 제작한다. 이어서, 그 적층체를, 두께 방향으로 10㎜×10㎜의 크기로 타발하여 측정 샘플로 한다. 계속해서, 동적 점탄성 장치 ARES(레오메트릭스·사이언티픽·F·E사제)를 이용하여, 직경 8㎜의 원형 알루미늄 플레이트 지그를 장착한 후, 측정 샘플을 세팅한다. 측정 샘플에 35℃에서 5%의 변형을 부여하면서, 승온 속도 5℃/분의 조건으로 측정 샘플을 승온하면서 전단 점도를 측정하여, 80℃에서의 전단 점도의 값을 구한다.
상기 범용 다이본딩 필름용 접착제 조성물의 바람직한 양태의 일례로서는, 접착제 조성물의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, (a)상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 52질량부 이상 90질량부 이하의 범위, 상기 에폭시 수지를 5질량부 이상 25질량부 이하의 범위, 상기 페놀 수지의 5질량부 이상 23질량부 이하의 범위에서, 수지 성분 전량이 100질량부가 되도록 조정되어 포함하고, (b)경화 촉진제를 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 0.3질량부 이하의 범위로 포함하며, (c)무기 필러를 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 5질량부 이상 20질량부 이하의 범위로 포함하는 접착제 조성물을 들 수 있다.
[글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체]
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 공중합체 유닛으로서, 적어도, 탄소수 1∼8의 알킬기를 가지는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 및 (메타)아크릴산 글리시딜을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 (메타)아크릴산 글리시딜의 공중합체 유닛은, 적정한 접착력 확보의 관점에서, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전량 중에, 0.5질량% 이상 6.0질량% 이하의 범위로 포함하는 것이 바람직하고, 2.0질량% 이상 4.0질량% 이하의 범위로 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 필요에 따라, 유리 전이 온도(Tg)의 조정의 관점에서, 스티렌이나 아크릴로니트릴 등의 다른 단량체를 공중합체 유닛으로서 포함하고 있어도 된다.
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 유리 전이 온도(Tg)로서는, -50℃ 이상 30℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 다이본딩 필름으로서의 취급성의 향상(택성의 억제)의 관점에서, -10℃ 이상 30℃ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 이와 같은 유리 전이 온도로 하기 위해서는, 상기 탄소수 1∼8의 알킬기를 가지는 (메타)아크릴산 알킬에스테르로서, 에틸(메타)아크릴레이트 및/또는 부틸(메타)아크릴레이트를 이용하는 것이 적합하다.
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 50만 이상 200만 이하의 범위인 것이 바람직하고, 70만 이상 100만 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량(Mw)이 상기 범위 내이면, 접착력, 내열성, 플로우성을 적절한 것으로 하기 쉽다. 여기서, 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값을 의미한다.
상기 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 함유 비율은, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 당해 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 후술하는 에폭시 수지와 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 52질량% 이상 90질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 60질량% 이상 80질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
[에폭시 수지]
에폭시 수지로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비페놀의 디글리시딜에테르화물, 나프탈렌디올의 디글리시딜에테르화물, 페놀류의 디글리시딜에테르화물, 알코올류의 디글리시딜에테르화물, 및 이들의 알킬 치환체, 할로겐화물, 수소 첨가물 등의 2관능 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 다관능 에폭시 수지 및 복소환 함유 에폭시 수지 등, 일반적으로 알려져 있는 그 밖의 에폭시 수지를 사용해도 된다. 이들은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
상기 에폭시 수지의 연화점은, 접착력, 내열성의 관점에서는, 70℃ 이상 130℃ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 후술하는 페놀 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 100 이상 300 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 에폭시 수지의 함유 비율은, 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절히 발현시키킨다는 관점에서, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 당해 에폭시 수지와 후술하는 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 5질량% 이상 25질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 10질량% 이상 20질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
[페놀 수지:에폭시 수지에 대한 경화제]
에폭시 수지에 대한 경화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 페놀 화합물과 2가의 연결기인 크실릴렌 화합물을, 무촉매 또는 산촉매의 존재 하에 반응시켜 얻을 수 있는 페놀 수지를 들 수 있다. 상기 페놀 수지로서는, 예를 들면, 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸페놀 노볼락 수지, 및 노닐페놀 노볼락 수지 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들의 페놀 수지 중에서도, 페놀 노볼락 수지나 페놀아랄킬 수지는, 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 경향이 있기 때문에, 적합하게 이용된다.
상기 페놀 수지의 연화점은, 접착력, 내열성의 관점에서는, 70℃ 이상 90℃ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 상기 페놀 수지의 수산기 당량은, 에폭시 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 100 이상 200 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 열경화성 수지 조성물에 있어서의 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 페놀 수지는, 전체 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당, 당해 전체 페놀 수지 성분 중의 수산기가 바람직하게는 0.5당량 이상 2.0당량 이하, 보다 바람직하게는 0.8당량 이상 1.2당량 이하의 범위가 되는 양으로, 배합하는 것이 바람직하다. 각각의 수지의 관능기 당량에 따르므로, 일률적으로는 말할 수 없지만, 예를 들면, 페놀 수지의 함유 비율은, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 당해 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 5질량% 이상 23질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[경화 촉진제]
또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 제3급 아민, 이미다졸류, 제4급 암모늄염류 등의 경화 촉진제를 첨가할 수 있다. 이와 같은 경화 촉진제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트 등을 들 수 있고, 이들은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 상기 경화 촉진제의 첨가량은, 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 0.3질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[무기 필러]
또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 유동성을 제어하고, 탄성률을 향상시키는 관점에서, 필요에 따라 무기 필러를 첨가할 수 있다. 무기 필러로서는, 예를 들면, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등을 들 수 있고, 이들은, 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이들 중에서도, 범용성의 관점에서는, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등이 적합하게 이용된다. 구체적으로는, 예를 들면, 평균 입자경이 나노 사이즈인 에어로질(등록상표:초미립자 건식 실리카)이 적합하게 이용된다. 상기 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 무기 필러의 함유 비율은, 상술한 수지 성분인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 에폭시 수지와 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 5질량% 이상 20질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[실란 커플링제]
또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 피착체에 대한 접착력을 향상시키는 관점에서, 필요에 따라, 실란 커플링제를 첨가할 수 있다. 실란 커플링제로서는, 예를 들면, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란을 들 수 있고, 이들은, 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 상기 실란 커플링제의 첨가량은, 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계 100질량부에 대하여, 1.0질량부 이상 7.0질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[기타]
또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 다이본딩 필름으로서의 기능을 손상하지 않는 범위에서, 난연제나 이온 트랩제 등을 첨가해도 된다. 난연제로서는, 예를 들면, 3산화안티몬, 5산화안티몬, 및 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이온 트랩제로서는, 예를 들면, 하이드로탈사이트류, 수산화 비스무트, 함수산화 안티몬, 특정 구조의 인산 지르코늄, 규산 마그네슘, 규산 알루미늄, 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 및 비피리딜계 화합물 등을 들 수 있다.
<와이어 매립형 다이본딩 필름용 접착제 조성물>
계속해서, 와이어 매립형 다이본딩 필름용 접착제 조성물의 일례에 관하여 설명하지만, 특별히 이 예에 한정되는 것은 아니다. 접착제 조성물로 형성되는 다이본딩 필름(3)의 다이본딩 시의 유동성의 지표로서, 예를 들면, 80℃에서의 전단 점도 특성을 들 수 있지만, 와이어 매립형 다이본딩 필름의 경우, 일반적으로, 80℃에서의 전단 점도는, 200Pa·s 이상 11,000Pa·s 이하의 범위, 바람직하게는 2,000Pa·s 이상 7,000Pa·s 이하의 범위의 값을 나타낸다.
상기 와이어 매립형 다이본딩 필름용 접착제 조성물의 바람직한 양태의 일례로서는, 접착제 조성물의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, (a)상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 17질량부 이상 51질량부 이하의 범위, 상기 에폭시 수지를 30질량부 이상 64질량부 이하의 범위, 상기 페놀 수지를 19질량부 이상 53질량부 이하의 범위에서, 수지 성분 전량이 100질량부가 되도록 조정되어 포함하고, (b)경화 촉진제를 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 0.07질량부 이하의 범위로 포함하며, (c)무기 필러를 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 10질량부 이상 80질량부 이하의 범위로 포함하는 접착제 조성물을 들 수 있다.
[글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체]
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 공중합체 유닛으로서, 적어도, 탄소수 1∼8의 알킬기를 가지는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 및 (메타)아크릴산 글리시딜을 포함하는 것이 바람직하다. 와이어 매립형 다이본딩 필름의 경우, 다이본딩 시의 유동성 향상과 경화 후의 접착 강도 확보의 양립을 도모할 필요가 있기 때문에, (메타)아크릴산 글리시딜의 공중합체 유닛 비율이 높고, 분자량이 낮은 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 (A)와, (메타)아크릴산 글리시딜의 공중합체 유닛 비율이 낮고, 분자량이 높은 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 (B)의 병용이 바람직하고, 병용 중 전자의 (A)성분이 일정량 이상 포함되는 것이 바람직하다.
즉, 와이어 매립형 다이본딩 필름용 접착제 조성물에 있어서의 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 구체적으로는, 「(메타)아크릴산 글리시딜의 공중합체 유닛을, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전량 중에, 5.0질량% 이상 15.0질량% 이하의 범위로 포함하고, 유리 전이 온도(Tg)가 -50℃ 이상 30℃ 이하의 범위이며, 중량 평균 분자량(Mw)이 10만 이상 40만 이하의 범위인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 (A)」와, 「(메타)아크릴산 글리시딜의 공중합체 유닛을, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전량 중에, 1.0질량% 이상 7.0질량% 이하의 범위로 포함하고, 유리 전이 온도(Tg)가 -50℃ 이상 30℃ 이하의 범위이며, 중량 평균 분자량(Mw)이 50만 이상 90만 이하의 범위인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 (B)」의 혼합물로 이루어지는 것이 바람직하다. 여기서, 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값을 의미한다.
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 (A)의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전량((A)와 (B)의 합계) 중의 60질량% 이상 90질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 필요에 따라, 유리 전이 온도(Tg)의 조정의 관점에서, 스티렌이나 아크릴로니트릴 등의 다른 단량체를 공중합체 유닛으로서 포함하고 있어도 된다.
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전체의 유리 전이 온도(Tg)로서는, -50℃ 이상 30℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 다이본딩 필름으로서의 취급성의 향상(택성의 억제)의 관점에서, -10℃ 이상 30℃ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 이와 같은 유리 전이 온도로 하기 위해서는, 상기 탄소수 1∼8의 알킬기를 가지는 (메타)아크릴산 알킬에스테르로서는, 에틸(메타)아크릴레이트 및/또는 부틸(메타)아크릴레이트를 이용하는 것이 적합하다.
상기 와이어 매립형 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전량((A)와 (B)의 합계)의 함유 비율은, 다이본딩 시의 유동성 및 경화 후의 접착 강도의 관점에서, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 당해 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 후술하는 에폭시 수지와 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 17질량% 이상 51질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 20질량% 이상 45질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
[에폭시 수지]
에폭시 수지로서는, 특별히 한정되지 않지만, 상술의 범용 다이본딩 필름용 접착제 조성물용의 에폭시 수지로서 예시한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 이들은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 되지만, 와이어 매립형 다이본딩 필름의 경우, 접착 강도의 확보와 함께, 접착면에 있어서의 공극의 발생을 억제하면서, 와이어의 양호한 매립성을 부여할 필요가 있기 때문에, 그 유동성이나 탄성률을 제어하기 위해, 2종류 이상의 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.
와이어 매립형 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 이용하는 에폭시 수지의 바람직한 양태로서는, 상온에서 액상인 에폭시 수지 (C)와 연화점이 98℃ 이하, 바람직하게는 85℃ 이하인 에폭시 수지 (D)의 혼합물로 이루어지는 것을 들 수 있다. 상기의 상온에서 액상인 에폭시 수지 (C)의 함유 비율은, 에폭시 수지 전량((C)와 (D)의 합계) 중의 15질량% 이상 75질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 30질량% 이상 50질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 후술하는 페놀 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 100 이상 300 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 에폭시 수지의 함유 비율은, 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절히 발현시킨다는 관점에서, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 당해 에폭시 수지와 후술하는 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 30질량% 이상 64질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 35질량% 이상 50질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
[페놀 수지:에폭시 수지에 대한 경화제]
에폭시 수지에 대한 경화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 상술의 범용 다이본딩 필름용 접착제 조성물용의 페놀 수지로서 예시한 것과 동일한 것을 마찬가지로 사용할 수 있다. 상기 페놀 수지의 연화점은, 접착력, 유동성의 관점에서는, 70℃ 이상 115℃ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 상기 페놀 수지의 수산기 당량은, 에폭시 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 100 이상 200 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 열경화성 수지 조성물에 있어서의 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 페놀 수지는, 전체 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당, 당해 전체 페놀 수지 성분 중의 수산기가 바람직하게는 0.5당량 이상 2.0당량 이하, 다이본딩 시의 유동성과의 양립이라는 관점에서, 보다 바람직하게는 0.6당량 이상 1.0당량 이하의 범위가 되는 양으로, 배합하는 것이 바람직하다. 각각의 수지의 관능기 당량에 따르므로, 일률적으로는 말할 수 없지만, 예를 들면, 페놀 수지의 함유 비율은, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 당해 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 19질량% 이상 53질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[경화 촉진제]
또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 제3급 아민, 이미다졸류, 제4급 암모늄염류 등의 경화 촉진제를 첨가할 수 있다. 이와 같은 경화 촉진제로서는, 상술의 범용 다이본딩 필름용 접착제 조성물용의 경화 촉진제로서 예시한 것과 동일한 것을 마찬가지로 사용할 수 있다. 상기 경화 촉진제의 첨가량은, 접착면에 있어서의 공극의 발생을 억제하는 관점에서, 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계 100질량부에 대하여, 0.01질량부 이상 0.07질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[무기 필러]
또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 취급성의 향상, 다이본딩 시의 유동성의 조정, 틱소트로픽성의 부여, 접착 강도의 향상 등의 관점에서, 필요에 따라 무기 필러를 첨가할 수 있다. 무기 필러로서는, 상술의 범용 다이본딩 필름용 접착제 조성물용의 무기 필러로서 예시한 것과 동일한 것을 마찬가지로 사용할 수 있지만, 이들 중에서도, 범용성의 관점에서는, 실리카 필러가 적합하게 이용된다. 상기 다이본딩 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 무기 필러의 함유 비율은, 다이본딩 시의 유동성, 쿨 익스팬드 시의 할단성 및 접착 강도의 관점에서, 상술한 수지 성분인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 에폭시 수지와 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 10질량% 이상 80질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 15질량% 이상 50질량% 이하의 범위가 보다 바람직하다.
상기 무기 필러는, 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 쿨 익스팬드 시의 할단성을 향상하고, 경화 후의 접착력을 충분히 발현시키는 목적으로, 평균 입자경이 상이한 2종류 이상의 무기 필러를 혼합하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 평균 입자경이 0.1㎛ 이상 5㎛ 이하의 범위인 무기 필러를, 무기 필러의 전체 질량을 기준으로 하여 80질량% 이상의 비율을 차지하는 주된 무기 필러 성분으로서 사용하는 것이 바람직하다. 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 유동성이 과도하게 높아지는 것에 의한 반도체칩 제조 공정에서의 접착제층(3)의 발포의 억제나 경화 후의 접착 강도의 향상이 필요한 경우에는, 평균 입자경이 0.1㎛ 미만인 무기 필러를, 무기 필러의 전체 질량을 기준으로 하여 20질량% 이하의 배합량으로 상기의 주된 무기 필러 성분과 병용해도 된다.
[실란 커플링제]
또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 피착체에 대한 접착력을 향상시키는 관점에서, 필요에 따라, 실란 커플링제를 첨가할 수 있다. 실란 커플링제로서는, 상술의 범용 다이본딩 필름용 접착제 조성물용의 실란 커플링제로서 예시한 것과 동일한 것을 마찬가지로 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제의 첨가량은, 접착면에 있어서의 공극의 발생을 억제하는 관점에서, 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계 100질량부에 대하여, 0.5질량부 이상 2.0질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[기타]
또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 다이본딩 필름(3)으로서의 기능을 손상하지 않는 범위에서, 난연제나 이온 트랩제 등을 첨가해도 된다. 이들 난연제나 이온 트랩제로서는, 상술의 범용 다이본딩 필름용 접착제 조성물용의 난연제나 이온 트랩제로서 예시한 것과 동일한 것을 마찬가지로 사용할 수 있다.
<다이본딩 필름의 두께>
상기 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 접착 강도의 확보, 반도체칩 접속용의 와이어를 적절히 매립하기 위해, 또는 기판의 배선 회로 등의 요철을 충분히 충전하기 위해, 5㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 두께가 5㎛ 미만이면, 반도체칩과 리드 프레임이나 배선 기판 등과의 접착력이 불충분해질 우려가 있다. 한편, 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 두께가 200㎛를 넘으면 경제적이지 않게 되는 데다가, 반도체 장치의 소형 박막화에의 대응이 불충분해지기 쉽다. 또한, 접착성이 높고, 또한, 반도체 장치를 박형화할 수 있는 점에서, 필름 형상 접착제의 막두께는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위가 보다 바람직하고, 20㎛ 이상 75㎛ 이하의 범위가 특히 바람직하다.
보다 구체적으로는, 범용 다이본딩 필름(접착제층)으로서 사용하는 경우의 두께로서는, 예를 들면, 5㎛ 이상 30㎛ 미만의 범위, 특히 10㎛ 이상 25㎛ 이하의 범위가 바람직하고, 와이어 매립형 다이본딩 필름(접착제층)으로서 사용하는 경우의 두께로서는, 예를 들면, 30㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위, 특히 40㎛ 이상 80㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다.
(다이본딩 필름의 제조 방법)
상기 다이본딩 필름(접착제층)(3)은, 예를 들면, 다음과 같이 하여 제조된다. 먼저, 박리 라이너를 준비한다. 또한, 당해 박리 라이너로서는, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 점착제층(2)의 위에 배치하는 박리 라이너와 동일한 것을 사용할 수 있다. 다음에, 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 형성 재료인 다이본딩 필름(접착제층)(3)용의 도포 용액을 제작한다. 도포 용액은, 예를 들면, 상술한 바와 같은 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 구성 성분인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 에폭시 수지, 에폭시 수지에 대한 경화제, 무기 필러, 경화 촉진제, 및 실란 커플링 등을 포함하는 열경화성 수지 조성물과 희석 용매를 균일하게 혼합 분산하는 것에 의해 제작할 수 있다. 용매로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤이나 시클로헥사논 등의 범용의 유기 용제를 사용할 수 있다.
다음에, 다이본딩 필름(접착제층)(3)용의 도포 용액을 가지지체(假支持體)가 되는 상기 박리 라이너의 박리 처리면 상에 당해 도포 용액을 도포하여 건조하고, 소정 두께의 다이본딩 필름(접착제층)(3)을 형성한다. 그 후, 별도의 박리 라이너의 박리 처리면을 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 위에 첩합한다. 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 다이 코터, 콤마 코터(등록상표), 그라비아 코터, 롤 코터, 리버스 코터 등을 이용하여 도포할 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들면, 건조 온도는 60℃ 이상 200℃ 이하의 범위 내, 건조 시간은 1분간 이상 90분간 이하의 범위 내에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서는, 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 양면 또는 편면에 박리 라이너를 구비하고 있는 적층체도 다이본딩 필름(접착제층)(3)이라고 하는 경우가 있다.
(다이싱 다이본딩 필름의 제조 방법)
상기 다이싱 다이본딩 필름(20)의 제조 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 종래 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 다이싱 다이본딩 필름(20)은, 먼저 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10) 및 다이본딩 필름(20)을 개별적으로 각각 준비하고, 다음에, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 점착제층(2) 및 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 박리 라이너를 각각 박리하여, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 점착제층(2)과 다이본딩 필름(접착제층)(3)을, 예를 들면, 핫 롤 라미네이터 등의 압착 롤에 의해 압착하여 첩합하면 된다.
첩합 온도로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 10℃ 이상 100℃ 이하의 범위인 것이 바람직하며, 첩합 압력(선압)으로서는, 예를 들면 0.1kgf/㎝ 이상 100kgf/㎝ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서는, 다이싱 다이본딩 필름(20)은, 점착제층(2) 및 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 위에 박리 라이너가 구비된 적층체도 다이싱 다이본딩 필름(20)이라고 하는 경우가 있다. 다이싱 다이본딩 필름(20)에 있어서, 점착제층(2) 및 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 위에 구비된 박리 라이너는, 다이싱 다이본딩 필름(20)을 워크에 제공할 때에, 박리하면 된다.
상기 다이싱 다이본딩 필름(20)은, 롤 형상으로 감긴 형태나, 폭이 넓은 시트가 적층하고 있는 형태여도 된다. 또한, 이러한 형태의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)나 다이본딩 필름(3)을 미리 정해진 크기로 절단하여 형성된 시트 형상 또는 테이프 형상의 적층 형태여도 된다.
예를 들면, 일본공개특허 특개2011-159929호 공보에 개시되는 바와 같이, 박리 기재(박리 라이너) 상에 반도체 소자를 구성하는 웨이퍼의 형상으로 프리 커트 가공한 접착제층(다이본딩 필름(3)) 및 점착 필름(다이싱 테이프(10))을 다수, 섬 형상으로 형성시킨 필름 롤 형상의 형태로서 제조할 수도 있다. 이 경우, 다이싱 테이프(10)는, 다이본딩 필름(접착제층)(3)보다 대경의 원형으로 형성되고, 다이본딩 필름(접착제층)(3)은, 반도체 웨이퍼(30)보다 대경의 원형으로 형성되어 있다. 이와 같은 필름 롤 형상의 형태로서 프리 커트 가공이 실시될 때에, 여분의 다이싱 테이프(10)는 박리 제거된다.
(반도체칩의 제조 방법)
도 7은, 본 실시형태의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 점착제층(2)의 위에 다이본딩 필름(접착제층)(3)이 적층된 다이싱 다이본딩 필름(20)을 사용한 반도체칩의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다. 또한, 도 8은, 다이싱 다이본딩 필름(20)의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 외연부(점착제층(2) 노출부)에 링 프레임(웨이퍼 링)(40)이, 중심부의 다이본딩 필름(접착제층)(3) 상에 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼가 첩부된 상태를 나타낸 개략도이다. 또한, 도 9의 (a)∼(f)는, 레이저광 조사에 의해 복수의 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼의 연삭 공정 및 당해 반도체 웨이퍼의 다이싱 다이본딩 필름에의 첩합 공정의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 10의 (a)∼(f)는, 다이싱 다이본딩 필름이 첩합된 복수의 개질 영역을 가지는 박막 반도체 웨이퍼를 이용한 반도체칩의 제조예를 나타낸 단면도이다.
(다이싱 다이본딩 필름(20)을 사용한 반도체칩의 제조 방법)
다이싱 다이본딩 필름(20)을 사용한 반도체칩의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 전술한 방법 중 어느 방법에 따르면 되지만, 여기서는, SDBG(Stealth Dicing Before Griding)에 의한 제조 방법을 예로 들어 설명한다.
먼저, 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 실리콘을 주성분으로 하는 반도체 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa) 상에 복수의 집적 회로(도시하지 않음)를 탑재한 반도체 웨이퍼(W)를 준비한다(도 7의 단계 S201:준비 공정). 그리고, 점착면(Ta)을 가지는 백 그라인드 테이프(T)가 반도체 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)측에 첩합된다.
이어서, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 백 그라인드 테이프(T)에 반도체 웨이퍼(W)가 보지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 레이저광이 백 그라인드 테이프(T)와는 반대측, 즉 반도체 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)측으로부터 반도체 웨이퍼(W)에 대하여, 그 격자 형상의 분할 예정 라인(X)을 따라 조사되고, 다광자 흡수에 의한 어브레이전에에 의해 반도체 웨이퍼(W) 내에 개질 영역(30b)이 형성된다(도 7의 단계 S202:개질 영역 형성 공정). 개질 영역(30b)은, 반도체 웨이퍼(W)를 쿨 익스팬드 공정에 의해 반도체칩 단위로 할단·분리시키기 위한 취약화 영역이다. 반도체 웨이퍼(W)에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인을 따라 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 관해서는, 예를 들면, 일본특허 제3408805호 공보, 일본공개특허 특개2002-192370호 공보, 일본공개특허 특개2003-338567호 공보 등에 개시되어 있는 방법을 참조할 수 있다.
이어서, 도 9의 (c)에 나타내는 바와 같이, 백 그라인드 테이프(T)에 반도체 웨이퍼(W)가 보지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)가 미리 정해진 두께에 이를 때까지 제 2 면(Wb)으로부터의 연삭 가공에 의해 박막화된다. 여기서, 반도체 웨이퍼(30)의 두께는, 반도체 장치의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상 50㎛ 이하의 두께로 조절된다. 이에 의해, 후공정의 쿨 익스팬드에 의해, 복수의 반도체칩(30a)으로의 개편화를 용이하게 하는 개질 영역(30b)을 그 내부에 가지는 박막의 반도체 웨이퍼(30)가 얻어진다(도 7의 단계 S203:연삭·박막화 공정). 또한, 본 연삭·박막화 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(30)의 연삭 후의 최종 두께, 레이저광 조사의 주사 횟수(투입 파워), 백 그라인드 테이프(T)의 물성 등의 차이에 의해, 연삭 휠의 연삭 부하가 가했졌을 때에, 반도체 웨이퍼(30)가, 개질 영역(30b)을 기점으로 하여 수직 방향으로 균열이 성장하여, 이 단계에서 이미 개개의 반도체칩(30a)으로 할단되는 경우와, 균열이 성장하지 않아 할단되지 않는 경우가 있다.
이어서, 도 9의 (d), (e)에 나타내는 바와 같이, 백 그라인드 테이프(T)에 보지된 복수의 개질 영역(30b)을 그 내부에 가지는 박막의 반도체 웨이퍼(30)(반도체 웨이퍼(30)가 이미 반도체칩(30a)으로 할단되어 있는 경우는 복수의 반도체칩(30a))가 별도 준비한 다이싱 다이본딩 필름(20)의 다이본딩 필름(3)에 대하여 첩합된다(도 7의 단계 S204:첩합 공정). 본 공정에 있어서는, 원형으로 커트한 다이싱 다이본딩 필름(20)의 점착제층(2) 및 다이본딩 필름(접착제층)(3)으로부터 박리 라이너를 박리한 후, 도 8에 나타내는 바와 같이, 다이싱 다이본딩 필름(20)의 다이싱 테이프(10)의 외연부(점착제층(2) 노출부)에 링 프레임(웨이퍼 링)(40)을 첩부함과 함께, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 위 중앙부에 적층된 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 위에 개편화 가능하게 가공된 박막의 반도체 웨이퍼(30)(반도체 웨이퍼(30)가 이미 반도체칩(30a)으로 할단되어 있는 경우는 복수의 반도체칩(30a))를 첩부한다.
이 다음, 도 9의 (f)에 나타내는 바와 같이, 박막의 반도체 웨이퍼(30)(반도체 웨이퍼(30)가 이미 반도체칩(30a)으로 할단되어 있는 경우는 복수의 반도체칩(30a))로부터 백 그라인드 테이프(T)가 벗겨진다. 첩부는, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다. 첩부 온도는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 20℃ 이상 130℃ 이하의 범위인 것이 바람직하며, 반도체 웨이퍼(30)의 휨을 작게 하는 관점에서는, 40℃ 이상 100℃ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 첩부 압력은, 특별히 한정되지 않고, 0.1MPa 이상 10.0MPa 이하의 범위인 것이 바람직하다. 본 발명의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)는, 일정한 내열성을 가지기 때문에, 첩부 온도가 고온이라도, 그 취급에 있어서 특별히 문제가 되는 일은 없다.
계속해서, 다이싱 다이본딩 필름(20)에 있어서의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 점착제층(2) 상에 링 프레임(40)이 첩부된 후, 도 10의 (a)에 나타내는 바와 같이, 개편화 가능하게 가공된 박막의 반도체 웨이퍼(30)(반도체 웨이퍼(30)가 이미 반도체칩(30a)으로 할단되어 있는 경우는 복수의 반도체칩(30a))를 수반하는 당해 다이싱 다이본딩 필름(20)이 익스팬드 장치의 보지구(41)에 고정된다. 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이, 박막의 반도체 웨이퍼(30)는, 복수의 반도체칩(30a)으로 개편화 가능하게, 다이싱 예정 라인(X)을 따라, 그 내부에 복수의 개질 영역(30b)이 형성되어 있다.
이어서, 상대적으로 저온(예를 들면, -30℃ 이상 0℃ 이하)의 조건 하에서의 제 1 익스팬드 공정, 즉, 쿨 익스팬드 공정이, 도 10의 (c)에 나타내는 바와 같이 행해지고, 반도체 웨이퍼(30)가 복수의 반도체칩(30a)으로 개편화됨과 함께, 다이싱 다이본딩 필름(20)의 다이본딩 필름(접착제층)(3)이 반도체칩(30a)의 크기에 대응한 소편의 다이본딩 필름(접착제층)(3a)으로 할단되어, 다이본딩 필름(3a)을 가지는 반도체칩(30a)이 얻어진다(도 7의 단계 S205:쿨 익스팬드 공정). 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(도시하지 않음)가, 다이싱 다이본딩 필름(20)의 하측에 있어서 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)에 맞닿아 상승되고, 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼(30)가 첩합된 다이싱 다이본딩 필름(20)의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)가, 반도체 웨이퍼(30)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 2차원 방향으로 늘려지도록 익스팬드된다.
쿨 익스팬드에 의해 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 전방향에의 인장에 의해 생긴 내부 응력은, 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼(30) 및 당해 반도체 웨이퍼(30)에 첩부된 다이본딩 필름(3)에 외부 응력으로서 전달된다. 이 외부 응력에 의해, 반도체 웨이퍼(30)는, 그 내부에 형성된 격자 형상의 복수의 개질 영역(30b)을 기점으로 하여 수직 방향으로 균열이 성장하여, 개개의 반도체칩(30a)으로 할단됨과 함께, 저온에서 취성화된 다이본딩 필름(3)도 반도체칩(30a)과 동일한 사이즈의 소편의 다이본딩 필름(3a)으로 할단된다. 또한, 반도체 웨이퍼(30)가 연삭·박막화 공정에서 이미 개개의 반도체칩(30a)으로 할단되어 있는 경우는, 반도체칩(30a)에 밀착하고 있는 저온에서 취성화된 다이본딩 필름(3)만이, 쿨 익스팬드에 의해 반도체칩(30a)의 크기에 대응한 소편의 다이본딩 필름(3a)으로 할단되어, 다이본딩 필름(3a)을 가지는 반도체칩(30a)이 얻어진다.
상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들면, -30℃ 이상 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20℃ 이상 -5℃ 이하의 범위이며, 보다 바람직하게는 -15℃ 이상 -5℃ 이하의 범위이고, 특히 바람직하게는 -15℃이다. 상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도(중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재가 상승하는 속도)는, 바람직하게는 0.1㎜/초 이상 1000㎜/초 이하의 범위이고, 보다 바람직하게는 10㎜/초 이상 300㎜/초 이하의 범위이다. 또한, 상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드량(중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재의 밀어올림 높이)은, 바람직하게는 3㎜ 이상 16㎜ 이하의 범위이다.
여기서, 본 발명의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)는, 그 기재 필름(1)이, 전술한 바와 같이, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위를 특정한 함유 비율로 포함하는 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 특정한 농도의 아연 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 포함하는 수지층이 적층된 구성으로 이루어지므로, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 연속층에 있어서 이온 응집체(클러스터)의 발달이 충분하고 또한 적절해지기 때문에, 그 가교 효과에 의해, 기재 필름(1)이 익스팬드되어도 이온 응집체(클러스터)가 파괴되기 어려워져, 익스팬드와 함께 이온 응집체간의 분자쇄의 긴장수가 증가한다. 이에 의해, 쿨 익스팬드에 의해 다이싱 테이프(10)의 전방향에의 인장에 의해 생긴 내부 응력은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼(30)에 첩부된 다이본딩 필름(3)에 외부 응력으로서 효율적으로 전달되고, 그 결과, 다이본딩 필름(3)이 반도체칩(30a)의 크기에 대응한 소편의 다이본딩 필름(3a)으로 수율 좋게 할단되어, 다이본딩 필름(3a)을 가지는 반도체칩(30a)이 수율 좋게 얻어진다. 그리고, 다이본딩 필름(3)으로서, 두께가 두껍고, 유동성이 높은(고온 하에서의 용융 점도가 낮은) 와이어 매립형 다이본딩 필름을 이용했다고 해도, 수율 좋게 할단할 수 있다.
상기 쿨 익스팬드 공정 후, 익스팬드 장치의 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재가 하강되어, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)에 있어서의 익스팬드 상태가 해제된다.
이어서, 상대적으로 고온(예를 들면, 10℃ 이상 30℃ 이하)의 조건 하에서의 제 2 익스팬드 공정, 즉, 상온 익스팬드 공정이, 도 10의 (d)에 나타내는 바와 같이 행해져, 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a) 사이의 거리(커프폭)가 넓혀진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 원기둥 형상의 테이블(도시하지 않음)이, 다이싱 다이본딩 필름(20)의 하측에 있어서 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)에 맞닿아 상승되어, 다이싱 다이본딩 필름(20)의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)가 익스팬드된다(도 7의 단계 S206:상온 익스팬드 공정). 상온 익스팬드 공정에 의해 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a) 사이의 거리(커프폭)를 충분히 확보하는 것에 의해, CCD 카메라 등에 의한 반도체칩(30a)의 인식성을 높임과 함께, 픽업 시에 인접하는 반도체칩(30a)끼리가 접촉하는 것에 의해 생기는 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)끼리의 재접착을 방지할 수 있다. 그 결과, 후술하는 픽업 공정에 있어서, 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)의 픽업성이 향상한다.
상기 상온 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들면 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15℃ 이상 30℃ 이하의 범위이다. 상온 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도(원기둥 형상의 테이블이 상승하는 속도)는, 예를 들면 0.1㎜/초 이상 50㎜/초 이하의 범위이고, 바람직하게는 0.3㎜/초 이상 30㎜/초 이하의 범위이다. 또한, 상온 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드량은, 예를 들면 3㎜ 이상 20㎜ 이하의 범위이다.
테이블의 상승에 의해 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)가 상온 익스팬드된 후, 테이블은 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)를 진공 흡착한다. 그리고, 테이블에 의한 그 흡착을 유지한 상태에서, 테이블이 워크를 수반하여 하강되어, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)에 있어서의 익스팬드 상태가 해제된다. 익스팬드 상태 해제 후에 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10) 상의 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)의 커프폭이 좁아지는 것을 억제하기 위해서는, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)가 테이블에 진공 흡착된 상태에서, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)에 있어서의 반도체칩(30a) 보지 영역보다 외측의 원주 부분을 열풍 분사에 의해 가열 수축(히트 슈링크)시켜, 익스팬드로 생긴 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 늘어짐을 해소함으로써 긴장 상태를 유지하는 것이 바람직하다. 상기 가열 수축 후, 테이블에 의한 진공 흡착 상태가 해제된다.
상기 열풍의 온도는, 기재 필름(1)의 물성과, 열풍 분출구와 다이싱 테이프와의 거리, 및 풍량 등에 따라 조정하면 되지만, 예를 들면 200℃ 이상 250℃ 이하의 범위가 바람직하다. 또한, 열풍 분출구와 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 거리는, 예를 들면 15㎜ 이상 25㎜ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 풍량은, 예를 들면 35L/분 이상 45L/분 이하의 범위가 바람직하다. 또한, 히트 슈링크 공정을 행할 때, 익스팬드 장치의 스테이지를, 예를 들면 3°/초 이상 10°/초 이하의 범위의 회전 속도로 회전시키면서, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 반도체칩(30a) 보지 영역보다 외측의 원주 부분을 따라 열풍 분사를 행한다. 이와 같은 열풍 분사에 의해, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 표면의 온도는, 예를 들면 80℃ 전후로 조정된다.
본 발명의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)는, 그 기재 필름(1)으로서, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위를 특정한 함유 비율로 포함하는 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 특정한 농도의 아연 이온으로 가교되고, 또한 적절한 비카트 연화 온도를 가지는 아이오노머 수지를 포함하는 적층 수지층을 이용하고 있으므로, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 연속층에 있어서, 불포화 카르본산 유래의 산기의 카르복시레이트 이온과 아연 이온의 이온 결합의 집합체에 의해 형성되는 이온 응집체(클러스터)의 발달이 충분하고 또한 적절해지기 때문에, 그 가교 효과에 의해, 기재 필름(1)이 가열되어도 이온 응집체(클러스터)가 완전히는 파괴되지 않고 적절히 유지되기 때문에, 익스팬드 후의 가열 수축 공정에 있어서는, 엔트로피 탄성이 강하게 작용하여, 연신·배향된 분자가 원래의 상태로 되돌아가기 쉬워진다. 즉, 기재 필름(1)의 신장 후의 변형에 대한 가열 시의 복원력이 충분한 것이 되어, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(10)의 가열 수축 공정에 있어서, 열 주름 등이 발생하지 않고, 다이싱 테이프(10)의 원주 부분을 문제없이 가열 수축시켜, 늘어짐을 해소할 수 있다. 그 결과, 개개의 반도체칩간의 커프폭이 충분히 확보되어, 후술의 픽업 공정에 있어서, 양호한 픽업성이 얻어진다.
계속해서, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)에 대하여, 기재 필름(1)측으로부터 활성 에너지선을 조사하는 것에 의해, 점착제층(2)을 경화·수축시켜, 점착제층(2)의 다이본딩 필름(3a)에 대한 점착력을 저하시킨다(도 7의 단계 S207:활성 에너지선 조사 공정). 여기서, 상기 후조사에 이용하는 활성 에너지선으로서는, 자외선, 가시광선, 적외선, 전자선, β선, γ선 등을 들 수 있다. 이들 활성 에너지선 중에서도, 자외선(UV) 및 전자선(EB)이 바람직하고, 특히 자외선(UV)이 바람직하게 이용된다. 상기 자외선(UV)을 조사하기 위한 광원으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 블랙 라이트, 자외선 형광등, 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등 초고압 수은등, 카본아크등, 메탈할라이드 램프, 크세논 램프 등을 이용할 수 있다. 또한, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, 엑시머 램프 또는 싱크로트론 방사광 등도 이용할 수 있다. 상기 자외선(UV)의 조사 광량은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 100mJ/㎠ 이상 2,000mJ/㎠ 이하의 범위인 것이 바람직하며, 300mJ/㎠ 이상 1,000mJ/㎠ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
여기서, 본 발명의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)는, 점착제층(2)을 구성하는 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물에 있어서, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도를, 예를 들면, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당 0.85mmol 이상 1.60mmol 이하의 범위로 제어하고 있으므로, 자외선(UV) 조사 후의 점착제층(2)은, 탄소-탄소 이중 결합의 3차원 가교 반응에 의해 가교 밀도가 커지고, 즉, 저장 탄성률이 크게 상승함과 함께 유리 전이 온도도 상승하고, 체적 수축도 커지므로, 다이본딩 필름(3a)에 대한 점착력을 충분히 저하시킬 수 있다. 그 결과, 후술의 픽업 공정에 있어서, 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)의 픽업성이 양호해진다.
계속해서, 상술의 익스팬드 공정에 의해 할단, 개편화된 각각의 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)을, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 자외선(UV) 조사 후의 점착제층(2)으로부터 떼어내는 소위 픽업을 행한다(도 7의 단계 S208:박리(픽업) 공정).
상기 픽업의 방법으로서는, 예를 들면, 도 10의 (e)에 나타내는 바와 같이, 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)을 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 기재 필름(1)의 제 2 면을 밀어올림 핀(니들)(60)에 의해 밀어올림과 함께, 도 10의 (f)에 나타내는 바와 같이, 밀어올려진 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)을, 픽업 장치(도시하지 않음)의 흡착 콜렛트(50)에 의해 흡인하여 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 점착제층(2)으로부터 떼어내는 방법 등을 들 수 있다. 이에 의해, 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)이 얻어진다.
픽업 조건으로서는, 실용상, 허용할 수 있는 범위이면 특별히 한정되지 않고, 통상은, 밀어올림 핀(니들)(60)의 밀어올림 속도는, 1㎜/초 이상 100㎜/초 이하의 범위 내에서 설정되는 경우가 많지만, 반도체칩(30a)의 두께(반도체 웨이퍼의 두께)가 100㎛ 이하로 얇은 경우에는, 박막의 반도체칩(30a)의 손상 억제의 관점에서, 1㎜/초 이상 20㎜/초 이하의 범위 내에서 설정하는 것이 바람직하다. 생산성을 가미한 관점에서는, 5㎜/초 이상 20㎜/초 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 보다 바람직하다.
또한, 반도체칩(30a)이 손상하지 않고 픽업이 가능해지는 밀어올림 핀의 밀어올림 높이는, 예를 들면, 상기와 마찬가지의 관점에서, 100㎛ 이상 600㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 바람직하고, 반도체 박막칩에 대한 응력 경감의 관점에서, 100㎛ 이상 450㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 보다 바람직하다. 생산성을 가미한 관점에서는, 100㎛ 이상 350㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 특히 바람직하다. 이와 같은 밀어올림 높이를 보다 작게 할 수 있는 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)는 픽업성이 우수하다고 할 수 있다.
이상, 설명한 바와 같이, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위를 특정한 함유 비율로 포함하는 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 특정한 농도의 아연 이온으로 가교되고, 또한 적절한 비카트 연화 온도를 가지는 아이오노머 수지를 포함하는 적층 수지층으로 이루어지는 기재 필름(1)과 활성성 에너지선 경화성 점착제 조성물로 이루어지는 점착제층(2)으로 구성되는 본 발명의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)는, 반도체 제조 공정에 있어서, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 점착제층(2)의 위에 다이본딩 필름(접착제층)(3)이 박리 가능하게 밀착, 적층된 다이싱 다이본딩 필름(20)의 형태로서 사용한 경우, 예를 들면, 와이어 매립형 다이본딩 필름과 같은 유동성이 높고, 두께가 두꺼운 다이본딩 필름을 첩합하여 적용하는 경우라도, 쿨 익스팬드에 의해 다이본딩 필름(3)을 가지는 반도체 웨이퍼(30)가 양호하게 할단됨과 함께, 상온 익스팬드 및 히트 슈링크에 의해 커프폭을 충분히 확보할 수 있어, 할단 후의 다이본딩 필름(3a)에 있어서, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)의 점착제층(2)으로부터, 할단된 개개의 다이본딩 필름(3a)을 가지는 반도체칩(30a)을 양호하게 픽업할 수 있다.
또한, 도 10의 (a)∼(f)에서 설명한 제조 방법은, 다이싱 다이본딩 필름(20)을 이용한 반도체칩(30a)의 제조 방법의 일례(SDBG)이며, 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)를 다이싱 다이본딩 필름(20)의 형태로서 사용하는 방법은, 상기의 방법에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 9의 (b)에서 설명한 반도체 웨이퍼(W)에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인을 따라 개질 영역(30b)을 형성하는 방법 대신에, 회전 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)측에 소정의 깊이의 분할 홈을 형성하는 방법을 채용해도 된다. 이 경우, 도시는 하지 않지만, 점착면(T2a)을 가지는 백 그라인드 테이프(T2)가 반도체 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)측에 첩합된 후, 백 그라인드 테이프(T2)에 반도체 웨이퍼(W)가 보지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)측에 소정 깊이의 분할 홈이 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 형성된다. 이어서, 점착면(Ta)을 가지는 백 그라인드 테이프(T)의, 반도체 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)측에의 첩합과, 반도체 웨이퍼(W)로부터의 백 그라인드 테이프(T2)의 박리가 행해져, 도 9의 (b)의 상태가 된다. 도 9의 (c)에 나타내는 연삭·박화(薄化) 공정에서는, 분할 홈 그 자체가 제 2 면(Wb)측에 노출될 때까지 반도체 웨이퍼(W)를 연삭하는 방법을 채용해도 되고, 제 2 면(Wb)측으로부터 분할 홈에 이르기 전까지 반도체 웨이퍼(W)를 연삭하고, 그 후, 연삭 휠로부터 반도체 웨이퍼에(W)의 연삭 부하 압력의 작용에 의해 분할 홈과 제 2 면의 사이에 크랙을 발생시켜 반도체 웨이퍼(W)의 분할체(복수의 반도체칩(30a))를 형성하는 방법을 채용해도 된다. 채용되는 방법에 따라, 형성되는 분할 홈의 제 1 면(Wa)으로부터의 깊이는, 적절히 결정된다.
이와 같이, 본 실시형태의 다이싱 다이본딩 필름(20)은, 다이싱 시에, 반도체 웨이퍼(30)에 첩부되는 것이면, 상기의 방법에 한정되는 않고 사용할 수 있다.
그 중에서도, 본 발명의 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)는, DBG, 스텔스 다이싱, SDBG 등이라는 박막 반도체칩을 얻기 위한 제조 방법에 있어서, 특히, 와이어 매립형 다이본딩 필름과 일체화하여 다이싱 다이본딩 필름으로서 이용하기 위한 다이싱 테이프로서 적합한다. 물론, 범용 다이본딩 필름과 일체화하여 이용하는 것도 가능하다.
(반도체 장치의 제조 방법)
본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)와 다이본딩 필름(3)을 일체화한 다이싱 다이본딩 필름(20)을 이용하여 제조된 반도체칩이 탑재된 반도체 장치에 관하여, 이하, 구체적으로 설명한다.
반도체 장치(반도체 패키지)는, 예를 들면, 상술의 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)을 반도체칩 탑재용 지지 부재 또는 반도체칩에 가열 압착하여 접착시키고, 그 후, 와이어 본딩 공정과 밀봉재에 의한 밀봉 공정 등의 공정을 거치는 것에 의해 얻을 수 있다.
도 11은, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)와 와이어 매립형 다이본딩 필름(3)을 일체화한 다이싱 다이본딩 필름(20)을 이용하여 제조된 반도체칩이 탑재된 적층 구성의 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다. 도 11에 나타내는 반도체 장치(70)는, 반도체칩 탑재용 지지 기판(4)과, 경화된 다이본딩 필름(접착제층)(3a1, 3a2)과, 1단째의 반도체칩(30a1)과, 2단째의 반도체칩(30a2)과, 밀봉재(8)를 구비하고 있다. 반도체칩 탑재용 지지 기판(4), 경화된 다이본딩 필름(3a1) 및 반도체칩(30a1)은, 반도체칩(30a2)의 지지 부재(9)를 구성하고 있다.
반도체칩 탑재용 지지 기판(4)의 일방의 면에는, 외부 접속 단자(5)가 복수 배치되어 있고, 반도체칩 탑재용 지지 기판(4)의 타방의 면에는, 단자(6)가 복수 배치되어 있다. 반도체칩 탑재용 지지 기판(4)은, 반도체칩(30a1) 및 반도체칩(30a2)의 접속 단자(도시 생략)와, 외부 접속 단자(5)를 전기적으로 접속하기 위한 와이어(7)를 가지고 있다. 반도체칩(30a1)은, 경화된 다이본딩 필름(3a1)에 의해 반도체칩 탑재용 지지 기판(4)에 외부 접속 단자(5)에 유래하는 요철을 매립하는 형태로 접착되어 있다. 반도체칩(30a2)은, 경화된 다이본딩 필름(3a2)에 의해 반도체칩(30a1)에 접착되어 있다. 반도체칩(30a1), 반도체칩(30a2) 및 와이어(7)는, 밀봉재(8)에 의해 밀봉되어 있다. 이와 같이 와이어 매립형 다이본딩 필름(3a)은, 반도체칩(30a)을 복수 포개는 적층 구성의 반도체 장치에 적합하게 사용된다.
또한, 도 12는, 본 실시형태가 적용되는 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10)와 범용 다이본딩 필름(3)을 일체화한 다이싱 다이본딩 필름(20)을 이용하여 제조된 반도체칩이 탑재된 다른 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다. 도 12에 나타내는 반도체 장치(80)는, 반도체칩 탑재용 지지 기판(4)과, 경화된 다이본딩 필름(3a)과, 반도체칩(30a)과, 밀봉재(8)를 구비하고 있다. 반도체칩 탑재용 지지 기판(4)은, 반도체칩(30a)의 지지 부재이며, 반도체칩(30a)의 접속 단자(도시 생략)와 반도체소칩 탑재용 지지 기판(4)의 주면(主面)에 배치된 외부 접속 단자(도시 생략)를 전기적으로 접속하기 위한 와이어(7)를 가지고 있다. 반도체칩(30a)은, 경화된 다이본딩 필름(3a)에 의해 반도체칩 탑재용 지지 기판(4)에 접착되어 있다. 반도체칩(30a) 및 와이어(7)는, 밀봉재(8)에 의해 밀봉되어 있다.
실시예
이하의 실시예에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
1. 기재 필름(1)의 제작
기재 필름 1(a)∼(z)를 제작하기 위한 재료로서 하기의 수지를 각각 준비했다. 또한, 아이오노머 수지의 아연(Zn2+) 이온 공급원으로서는, 산화아연/스테아르산 아연=99/1의 질량 비율로 이루어지는 혼합물을 사용했다.
(에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지)
(1) 수지 (IO-1)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80/10/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.38mmol, 비카트 연화 온도:56℃
(2) 수지 (IO-2)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80/10/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.41mmol, 비카트 연화 온도:57℃
(3) 수지 (IO-3)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80/10/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.46mmol, 비카트 연화 온도:57℃
(4) 수지 (IO-4)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80/10/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.52mmol, 비카트 연화 온도:57℃
(5) 수지 (IO-5)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80/10/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.55mmol, 비카트 연화 온도:57℃
(6) 수지 (IO-6)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80/8/12의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.41mmol, 비카트 연화 온도:55℃
(7) 수지 (IO-7)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80/12/8의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.41mmol, 비카트 연화 온도:58℃
(8) 수지 (IO-8)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80/15/5의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.41mmol, 비카트 연화 온도:56℃
(9) 수지 (IO-9)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=91.6/6.9/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.38mmol, 비카트 연화 온도:64℃
(10) 수지 (IO-10)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=77.1/6.9/16의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.38mmol, 비카트 연화 온도:50℃
(11) 수지 (IO-12)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=88.1/6.9/5의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.38mmol, 비카트 연화 온도:74℃
(12) 수지 (IO-13)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80.5/18/1.5의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.41mmol, 비카트 연화 온도:51℃
(13) 수지 (IO-14)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80.5/18/1.5의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.60mmol, 비카트 연화 온도:51℃
(14) 수지 (IO-15)
에틸렌/메타크릴산=82/18의 질량 비율로 이루어지는 2원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.38mmol, 비카트 연화 온도:54℃
(15) 수지 (IO-16)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80/10/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.35mmol, 비카트 연화 온도:56℃
(16) 수지 (IO-17)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=85/5/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.29mmol, 비카트 연화 온도:70℃
(17) 수지 (IO-18)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=78/19/3의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.35mmol, 비카트 연화 온도:44℃
(18) 수지 (IO-19)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=93/4/3의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.22mmol, 비카트 연화 온도:87℃
(19) 수지 (IO-20)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=75/15/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지, 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도:0.83mmol, 비카트 연화 온도:57℃
(에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지와 기타 수지의 혼합 수지)
(20) 혼합 수지 (IO-2/PA)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80/10/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지 (IO-2)와, 도레이주식회사제의 폴리아미드 수지 “아밀란(등록상표) CM1017”(PA)을 90:10의 질량비로 드라이 블렌드한 혼합 수지, 단축 압출기 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련한 혼합 수지의 비카트 연화 온도:61℃
(21) 혼합 수지 (IO-2/TPO-1)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 이소부틸=80/10/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체의 아연 아이오노머 수지 (IO-2)와, 미츠비시화학주식회사제의 폴리프로필렌계 엘라스토머 “제라스(등록상표) 5053”(TPO-1)을 80:20의 질량비로 드라이 블렌드한 혼합 수지, 단축 압출기 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련한 혼합 수지의 비카트 연화 온도:55℃
(에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 수지)
(22) 수지 (EMAA)
에틸렌/메타크릴산=96/4의 질량비로 이루어지는 2원 공중합체, 비카트 연화 온도:92℃
(올레핀계 열가소성 엘라스토머)
(23) 수지 (TPO-1)
미츠비시화학주식회사제의 폴리프로필렌계 엘라스토머 “제라스(등록상표) 5053", 프로필렌/에틸렌=79/21의 질량 비율, 비카트 연화 온도:50℃
(24) 수지 (TPO-2)
라이온델바젤사제의 다단 중합 프로필렌/에틸렌계 공중합체[리액터 TPO] "카탈로이(등록상표)", 비카트 연화 온도:59℃
<기재 필름 1(a)>
아이오노머 수지 (IO-1)을, 1종(동일 수지) 3층 T다이 필름 성형기의 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(a)를 제작했다. 또한, 제 3 수지층측(제 2 수지층과 접하는 면과는 반대측의 면)에는 매트 가공을 실시했다. 각 수지층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 각 수지층에 있어서의 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율은 100질량%이다. 또한, 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층(제 1 수지층, 제 2 수지층 및 제 3 수지층)의 합계 두께는, 기재 필름 1(a)의 총두께의 100%이다.
<기재 필름 1(b)∼1(j), 1(l)∼1(n)>
아이오노머 수지 (IO-1)을, 아이오노머 수지 (IO-2)∼(IO-10), (IO-12)∼(IO-14)로 각각 변경한 것 이외는, 기재 필름 1(a)과 마찬가지로 하여, 기재 필름 1(b)∼1(j), 1(l)∼1(n)을 각각 제작했다. 기재 필름 1(b)∼1(j), 1(l)∼1(n)의 각 수지층에 있어서의 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율은 100질량%이다. 또한, 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층(제 1 수지층, 제 2 수지층 및 제 3 수지층)의 합계 두께는, 모두 기재 필름(1)의 총두께의 100%이다.
<기재 필름 1(o)>
제 1 수지층 및 제 3 수지층의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-15)를, 제 2 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-1)을 준비하여, 2종(수지) 3층 T다이 필름 성형기의 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 2종 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(o)를 제작했다. 또한, 제 3 수지층측(제 2 수지층과 접하는 면과는 반대측의 면)에는 매트 가공을 실시했다. 각 수지층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=20㎛/50㎛/20㎛로 했다. 각 수지층에 있어서의 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율은 100질량%이다. 또한, 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층(제 1 수지층, 제 2 수지층 및 제 3 수지층)의 합계 두께는, 기재 필름 1(o)의 총두께의 100%이다.
<기재 필름 1(p)>
제 1 수지층의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-2)를, 제 2 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-3)을, 제 3 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-4)를 준비하여, 3종(수지) 3층 T다이 필름 성형기의 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 3종 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(p)를 제작했다. 또한, 제 3 수지층측(제 2 수지층과 접하는 면과는 반대측의 면)에는 매트 가공을 실시했다. 각 수지층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 각 수지층에 있어서의 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율은 100질량%이다. 또한, 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층(제 1 수지층, 제 2 수지층 및 제 3 수지층)의 합계 두께는, 기재 필름 1(p)의 총두께의 100%이다.
<기재 필름 1(q)>
제 1 수지층 및 제 2 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-2)를, 제 3 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지와 폴리아미드 수지의 혼합 수지 (IO-2/PA)를 준비하여, 2종(수지) 3층 T다이 필름 성형기의 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 2종 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(q)를 제작했다. 또한, 제 3 수지층측(제 2 수지층과 접하는 면과는 반대측의 면)에는 매트 가공을 실시했다. 각 수지층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 제 1 수지층 및 제 2 수지층에 있어서의 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율은 100질량%이고, 제 3 수지층에 있어서의 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율은 90질량%이다. 또한, 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층(제 1 수지층, 제 2 수지층 및 제 3 수지층)의 합계 두께는, 기재 필름 1(q)의 총두께의 100%이다.
<기재 필름 1(r)>
제 1 수지층의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-2)를, 제 2 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지와 올레핀계 열가소성 엘라스토머 수지의 혼합 수지 (IO-2/TPO-1)을 준비하여, 2종(수지) 2층 T다이 필름 성형기의 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 2종 수지의 2층 구성의 두께 70㎛의 기재 필름 1(r)을 제작했다. 또한, 제 2 수지층측(제 1 수지층과 접하는 면과는 반대측의 면)에는 매트 가공을 실시했다. 각 수지층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층=50㎛/20㎛로 했다. 제 1 수지층에 있어서의 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율은 100질량%이고, 제 2 수지층에 있어서의 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율은 80질량%이다. 또한, 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층(제 1 수지층 및 제 2 수지층)의 합계 두께는, 기재 필름 1(r)의 총두께의 100%이다.
<기재 필름 1(s)>
제 1 수지층 및 제 3 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-2)를, 제 2 수지층용의 수지 조성물로서 올레핀계 열가소성 엘라스토머 수지 (TPO-1)을 준비하여, 2종(수지) 3층 T다이 필름 성형기의 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 2종 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(s)를 제작했다. 또한, 제 3 수지층측(제 2 수지층과 접하는 면과는 반대측의 면)에는 매트 가공을 실시했다. 각 수지층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=40㎛/10㎛/40㎛로 했다. 제 1 수지층 및 제 3 수지층에 있어서의 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율은 100질량%이다. 또한, 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층(제 1 수지층 및 제 3 수지층)의 합계 두께는, 기재 필름 1(s)의 총두께의 89%이다.
<기재 필름 1(t)>
제 1 수지층 및 제 2 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-2)를, 제 3 수지층용의 수지 조성물로서 올레핀계 열가소성 엘라스토머 수지 (TPO-2)를 준비하여, 2종(수지) 3층 T다이 필름 성형기의 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 2종 수지의 3층 구성의 두께 120㎛의 기재 필름 1(t)를 제작했다. 또한, 제 3 수지층측(제 2 수지층과 접하는 면과는 반대측의 면)에는 매트 가공을 실시했다. 각 수지층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=40㎛/40㎛/40㎛로 했다. 제 1 수지층 및 제 2 수지층에 있어서의 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율은 100질량%이다. 또한, 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층(제 1 수지층 및 제 2 수지층)의 합계 두께는, 기재 필름 1(t)의 총두께의 67%이다.
<기재 필름 1(u)∼1(y)>
아이오노머 수지 (IO-1)을, 아이오노머 수지 (IO-16)∼(IO-20)으로 각각 변경한 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 기재 필름 1(u)∼1(y)를 각각 제작했다. 또한, 아이오노머 수지 (IO-20)을 이용한 기재 필름 1(y)에 관해서는, 멜트 플로우 레이트(MFR)가 작아, 안정 제막을 할 수 없었다.
<기재 필름 1(z)>
제 1 수지층의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-16)을, 제 2 수지층용의 수지 조성물로서 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 수지 (EMAA)를 준비하여, 2종(수지) 2층 T다이 필름 성형기의 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 2종 수지의 2층 구성의 두께 100㎛의 기재 필름 1(z)를 제작했다. 각 수지층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층=40㎛/60㎛로 했다.
2. 점착제 조성물의 용액의 조정
다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)용의 점착제 조성물로서, 하기의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)의 용액을 조제했다.
(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)의 용액)
공중합 모노머 성분으로서, 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA), 아크릴산-2히드록시에틸(2-HEA), 메타크릴산 메틸(MMA)을 준비했다. 이들 공중합 모노머 성분을, 2-EHA/2-HEA/MMA=78.5질량부/21.0질량부/0.5질량부(=425.94mmol/180.85mmol/5.81mmol)의 공중합 비율이 되도록 혼합하고, 용매로서 아세트산 에틸, 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 이용하여 용액 라디칼 중합에 의해, 수산기를 가지는 베이스 폴리머(아크릴산 에스테르 공중합체)의 용액을 합성했다. 얻어진 베이스 폴리머의 Fox의 식으로부터 산출한 Tg는 -60℃이다.
다음에, 이 베이스 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 쇼와전공주식회사제의 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 쇼와전공주식회사제의 이소시아네이트기와 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트(상품명:카렌즈MOI, 분자량:155.15, 이소시아네이트기:1개/1분자, 이중 결합기:1개/1분자) 21.0질량부(135.35mmol:2-HEA에 대하여 74.8mol%)를 배합하고, 2-HEA의 수산기의 일부와 반응시켜, 탄소-탄소 이중 결합을 측쇄에 가지는 아크릴계 점착성 폴리머(A)의 용액(고형분 농도:50질량%, 중량 평균 분자량(Mw):38만, 고형분 수산기가:21.1mgKOH/g, 고형분 산가:2.7mgKOH/g, 탄소-탄소 이중 결합 함유량:1.12mmol/g)을 합성했다. 또한, 상기의 반응에 있어서는, 탄소-탄소 이중 결합의 반응성을 유지하기 위한 중합 금지제로서 히드로퀴논·모노메틸에테르를 0.05질량부 이용했다.
계속해서, 상기에서 합성한 아크릴계 점착성 폴리머 (A)의 용액 200질량부(고형분 환산 100질량부)에 대하여, IGM Resins B.V.사제의 α-히드록시알킬페논계 광중합 개시제(상품명:Omnirad184)를 2.0질량부, IGM Resins B.V.사제의 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제(상품명:Omnirad819)를 0.4질량부, 가교제로서 토소주식회사제의 TDI계의 폴리이소시아네이트계 가교제(상품명:코로네이트L-45E, 고형분 농도:45질량%)를 2.56질량부(고형분 환산 1.15질량부, 1.75mmol)의 비율로 배합하고, 아세트산 에틸로 희석, 교반하여, 고형분 농도 22질량%의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)의 용액을 조제했다.
3. 접착제 조성물의 용액의 조제
다이싱 다이본딩 필름(20)의 다이본딩 필름(접착제층)(3)용의 접착제 조성물로서, 하기의 접착제 조성물 3(a)∼3(d)의 용액을 조제했다.
(접착제 조성물 3(a)의 용액)
와이어 매립형 다이본딩 필름용으로서, 이하의 접착제 조성물 용액 3(a)의 용액을 조제, 준비했다. 먼저, 열경화성 수지로서 주식회사프린텍제의 비스페놀형 에폭시 수지(상품명:R2710, 에폭시 당량:170, 분자량:340, 상온에서 액상) 26질량부, 도토화성주식회사제의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명:YDCN-700-10, 에폭시 당량 210, 연화점 80℃) 36질량부, 가교제로서 미츠이화학주식회사제의 페놀 수지(상품명:미렉스XLC-LL, 수산기 당량:175, 연화점:77℃, 흡수율:1질량%, 가열 질량 감소율:4질량%) 1질량부, 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명:HE200C-10, 수산기 당량:200, 연화점:71℃, 흡수율:1질량%, 가열 질량 감소율:4질량%) 25질량부, 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명:HE910-10, 수산기 당량:101, 연화점:83℃, 흡수율:1질량%, 가열 질량 감소율:3질량%) 12질량부, 무기 필러로서 애드머텍스주식회사제의 실리카 필러 분산액(상품명:SC2050-HLG, 평균 입자경:0.50㎛) 15질량부, 애드머텍스주식회사제의 실리카 필러 분산액(상품명:SC1030-HJA, 평균 입자경:0.25㎛) 14질량부, 닛폰에어로질주식회사제의 실리카(상품명:에어로질R972, 평균 입자경:0.016㎛) 1질량부로 이루어지는 수지 조성물에, 용매로서 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하고, 추가로 비드밀을 이용하여 90분간 분산했다.
이어서, 상기 수지 조성물에, 열가소성 수지로서 나가세켐텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명:HTR-860P-30B-CHN, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량:8질량%, 중량 평균 분자량(Mw):23만, Tg:-7℃) 37질량부, 나가세켐텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명:HTR-860P-3CSP, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량:3질량%, 중량 평균 분자량(Mw):80만, Tg:-7℃) 9질량부, 실란 커플링제로서 GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUCA-1160) 0.7질량부, GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUCA-189) 0.3질량부, 및 경화 촉진제로서 시코쿠화성주식회사제의 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(상품명:큐아졸2PZ-CN) 0.03질량부 첨가하여, 교반 혼합하고, 100메시의 필터로 여과한 후, 진공 탈기하여, 고형분 농도 20질량%의 접착제 조성물 3(a)의 용액을 조제했다. 수지 성분 전량(열가소성 수지, 열경화성 수지 및 가교제의 합계 질량)에 있어서의 각 수지 성분의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체:에폭시 수지:페놀 수지=31.5질량%:42.5질량%:26.0질량%였다. 또한, 무기 필러의 함유량은 수지 성분 전량에 대하여 20.5질량%였다. 또한, 접착제 조성물 3(a)의 용액으로 형성된 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 80℃에서의 전단 점도는, 3,800Pa·s였다.
(접착제 조성물 3(b)의 용액)
와이어 매립형 다이본딩 필름용으로서, 이하의 접착제 조성물 용액 3(b)의 용액을 조제, 준비했다. 먼저, 열경화성 수지로서 도토화성주식회사제의 비스페놀 F형 에폭시 수지(상품명:YDF-8170C, 에폭시 당량:159, 분자량:310, 상온에서 액상) 21량부, 도토화성주식회사제의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명:YDCN-700-10, 에폭시 당량 210, 연화점 80℃) 33질량부, 가교제로서 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명:HE200C-10, 수산기 당량:200, 연화점:71℃, 흡수율:1질량%, 가열 질량 감소율:4질량%) 46질량부, 무기 필러로서 애드머텍스주식회사제의 실리카 필러 분산액(상품명:SC1030-HJA, 평균 입자경:0.25㎛) 18질량부로 이루어지는 수지 조성물에, 용매로서 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하고, 추가로 비드밀을 이용하여 90분간 분산했다.
이어서, 상기 수지 조성물에, 열가소성 수지로서 나가세켐텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명:HTR-860P-30B-CHN, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량:8질량%, 중량 평균 분자량(Mw):23만, Tg:-7℃) 16질량부, 나가세켐텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명:HTR-860P-3CSP, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량:3질량%, 중량 평균 분자량(Mw):80만, Tg:-7℃) 64질량부, 실란 커플링제로서 GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUCA-1160) 1.3질량부, GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUCA-189) 0.6질량부, 및 경화 촉진제로서 시코쿠화성주식회사제의 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(상품명:큐아졸2PZ-CN) 0.05질량부 첨가하여, 교반 혼합하고, 100메시의 필터로 여과한 후, 진공 탈기하여, 고형분 농도 20질량%의 접착제 조성물 3(b)의 용액을 조제했다. 수지 성분 전량(열가소성 수지, 열경화성 수지 및 가교제의 합계 질량)에 있어서의 각 수지 성분의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체:에폭시 수지:페놀 수지=44.4질량%:30.0질량%:25.6질량%였다. 또한, 무기 필러의 함유량은 수지 성분 전량에 대하여 10.0질량%였다. 또한, 접착제 조성물 3(b)의 용액으로 형성된 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 80℃에서의 전단 점도는, 9,700Pa·s였다.
(접착제 조성물 3(c)의 용액)
와이어 매립형 다이본딩 필름용으로서, 이하의 접착제 조성물 용액 3(c)의 용액을 조제, 준비했다. 먼저, 열경화성 수지로서 주식회사프린텍제의 비스페놀형 에폭시 수지(상품명:R2710, 에폭시 당량:170, 분자량:340, 상온에서 액상) 11질량부, DIC주식회사제의 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(상품명:HP-7200H, 에폭시 당량:280, 연화점;83℃) 40질량부, DIC주식회사제의 비스페놀 S형 에폭시 수지(상품명:EXA-1514, 에폭시 당량:300, 연화점:75℃) 18질량부, 가교제로서 미츠이화학주식회사제의 페놀 수지(상품명:미렉스XLC-LL, 수산기 당량:175, 연화점:77℃, 흡수율:1질량%, 가열 질량 감소율:4질량%) 1질량부, 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명:HE200C-10, 수산기 당량:200, 연화점:71℃, 흡수율:1질량%, 가열 질량 감소율:4질량%) 20질량부, 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명:HE910-10, 수산기 당량:101, 연화점:83℃, 흡수율:1질량%, 가열 질량 감소율:3질량%) 10질량부, 무기 필러로서 애드머텍스주식회사제의 실리카 필러 분산액(상품명:SC1030-HJA, 평균 입자경:0.25㎛) 24질량부, 닛폰에어로질주식회사제의 실리카(상품명:에어로질R972, 평균 입자경:0.016㎛) 0.8질량부로 이루어지는 수지 조성물에, 용매로서 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하고, 추가로 비드밀을 이용하여 90분간 분산했다.
이어서, 상기 수지 조성물에, 열가소성 수지로서 나가세켐텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명:HTR-860P-30B-CHN, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량:8질량%, 중량 평균 분자량(Mw):23만, Tg:-7℃) 30질량부, 나가세켐텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명:HTR-860P-3CSP, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량:3질량%, 중량 평균 분자량(Mw):80만, Tg:-7℃) 7.5질량부, 실란 커플링제로서 GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUCA-1160) 0.57질량부, GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUCA-189) 0.29질량부, 및 경화 촉진제로서 시코쿠화성주식회사제의 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(상품명:큐아졸2PZ-CN) 0.023질량부 첨가하여, 교반 혼합하고, 100메시의 필터로 여과한 후, 진공 탈기하여, 고형분 농도 20질량%의 접착제 조성물 3(c)의 용액을 조제했다. 수지 성분 전량(열가소성 수지, 열경화성 수지 및 가교제의 합계 질량)에 있어서의 각 수지 성분의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체:에폭시 수지:페놀 수지=27.3질량%:50.2질량%:22.5질량%였다. 또한, 무기 필러의 함유량은 수지 성분 전량에 대하여 18.0질량%였다. 또한, 접착제 조성물 3(c)의 용액으로 형성된 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 80℃에서의 전단 점도는, 3,600Pa·s였다.
(접착제 조성물 3(d)의 용액)
범용 다이본딩 필름용으로서, 이하의 접착제 조성물 3(d)의 용액을 조제, 준비했다. 먼저, 열경화성 수지로서 도토화성주식회사제의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명:YDCN-700-10, 에폭시 당량:210, 연화점:80℃) 54질량부, 가교제로서 미츠이화학주식회사제의 페놀 수지(상품명:미렉스XLC-LL, 수산기 당량:175, 흡수율:1.8%) 46질량부, 무기 필러로서 닛폰에어로질주식회사제의 실리카(상품명:에어로질R972, 평균 입자경:0.016㎛) 32질량부로 이루어지는 수지 조성물에, 용매로서 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하고, 추가로 비드밀을 이용하여 90분간 분산했다.
이어서, 상기 수지 조성물에, 열가소성 수지로서 나가세켐텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명:HTR-860P-3CSP, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량:3질량%, 중량 평균 분자량(Mw):80만, Tg:-7℃) 274질량부, 실란 커플링제로서 GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUCA-1160) 5.0질량부, GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUCA-189) 1.7질량부, 및 경화 촉진제로서 시코쿠화성주식회사제의 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(상품명:큐아졸2PZ-CN) 0.1질량부 첨가하여, 교반 혼합하고, 100메시의 필터로 여과한 후, 진공 탈기하여, 고형분 농도 20질량%의 접착제 조성물 3(d)의 용액을 조제했다. 수지 성분 전량(열가소성 수지, 열경화성 수지 및 가교제의 합계 질량)에 있어서의 각 수지 성분의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체:에폭시 수지:페놀 수지=73.3질량%:14.4질량%:12.3질량%였다. 또한, 무기 필러의 함유량은 수지 성분 전량에 대하여 8.6질량%였다. 또한, 접착제 조성물 3(d)의 용액으로 형성된 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 80℃에서의 전단 점도는, 30,300Pa·s였다.
4. 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)(10) 및 다이싱 다이본딩 필름(20)의 제작
(실시예 1)
박리 라이너(두께 38㎛, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름)의 박리 처리면측에 건조 후의 점착제층(2)의 두께가 10㎛가 되도록, 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 (a)의 용액을 도포하여 100℃의 온도에서 3분간 가열하는 것에 의해 용매를 건조시킨 후에, 점착제층(2) 상에 기재 필름 1(a)의 제 1 수지층측의 표면을 첩합하여, 다이싱 테이프(10)의 원반을 제작했다. 그 후, 다이싱 테이프(10)의 원반을 40℃의 온도에서 48시간 보존하여 점착제층(2)을 가교, 경화시켰다.
이어서, 다이본딩 필름(접착제층)(3) 형성용의 접착제 조성물 3(a)의 용액을 준비하여, 박리 라이너(두께 38㎛, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름)의 박리 처리면측에 건조 후의 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 두께가 30㎛가 되도록, 상기 접착제 조성물 3(a)의 용액을 도포하고, 먼저 90℃의 온도에서 5분간, 계속해서 140℃의 온도에서 5분간의 2단계로 가열하는 것에 의해 용매를 건조시켜, 박리 라이너를 구비한 다이본딩 필름(접착제층)(3)을 제작했다. 또한, 필요에 따라, 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 건조면측에는 보호 필름(예를 들면, 폴리에틸렌 필름 등)을 첩합해도 된다.
계속해서, 상기에서 제작한 박리 라이너를 구비한 다이본딩 필름(접착제층)(3)을, 박리 라이너마다 직경 335㎜의 원형으로 커트하고, 당해 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 접착제층 노출면(박리 라이너가 없는 면)을, 박리 라이너를 박리한 상기 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)면에 첩합했다. 첩합 조건은, 23℃, 10㎜/초, 선압 30kgf/㎝로 했다.
마지막으로, 직경 370㎜의 원형으로 다이싱 테이프(10)를 커트하는 것에 의해, 직경 370㎜의 원형의 다이싱 시트(10)의 점착제층(2)의 위 중심부에 직경 335㎜의 원형의 다이본딩 필름(접착제층)(3)이 적층된 다이싱 다이본딩 필름(20)(DDF(a))을 제작했다.
(실시예 2∼19)
기재 필름 1(a)를, 각각 표 1∼3에 나타낸 기재 필름 1(b)∼1(j), 1(l)∼1(t)로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이본딩 필름(20)(DDF(b)∼DDF(j), DDF(l)∼DDF(t))을 제작했다.
(실시예 20)
접착제 수지 조성물 3(a)의 용액을 접착제 조성물 3(b)의 용액으로 변경한 것 이외는 모두 실시예 2와 마찬가지로 하여 다이싱 다이본딩 필름(20)(DDF(u))을 제작했다.
(실시예 21)
접착제 수지 조성물 3(a)의 용액을 접착제 조성물 3(c)의 용액으로 변경한 것 이외는 모두 실시예 2와 마찬가지로 하여 다이싱 다이본딩 필름(20)(DDF(v))을 제작했다.
(실시예 22)
접착제 수지 조성물 3(a)의 용액을 접착제 조성물 3(d)의 용액으로 변경하고, 건조 후의 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 두께를 20㎛로 변경한 것 이외는 모두 실시예 2와 마찬가지로 하여 다이싱 다이본딩 필름(20)(DDF(w))을 제작했다.
(실시예 23)
건조 후의 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 두께를 50㎛로 변경한 것 이외는 모두 실시예 3과 마찬가지로 하여 다이싱 다이본딩 필름(20)(DDF(x))을 제작했다.
(비교예 1∼6)
기재 필름 1(a)를, 각각 표 4에 나타낸 기재 필름 1(u)∼1(z)로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이본딩 필름(20)(DDF(y)∼DDF(dd)을 제작했다. 또한, 비교예 5에 관해서는, 기재 필름 1(y)를 안정 제막할 수 없었기 때문에, 다이싱 다이본딩 필름(DDF(cc))의 제작은 행하지 않았다.
5. 다이싱 다이본딩 필름의 평가 방법
실시예 1∼23 및 비교예 1∼6에서 제작한 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이본딩 필름(20)(DDF(a)∼DDF(j), DDF(l)∼DDF(dd))에 관하여, 이하에 나타내는 방법으로 각종 측정 및 평가를 행했다.
5.1 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 80℃에서의 전단 점도의 측정
접착제 조성물 3(a)∼3(d)의 용액으로 형성한 각 다이본딩 필름(접착제층)(3) 필름에 관하여, 하기의 방법에 의해, 80℃에서의 전단 점도를 측정했다. 박리 라이너를 제거한 다이본딩 필름(접착제층)(3)을 총두께가 200∼210㎛가 되도록 70℃에서 복수매 첩합하여 적층체를 제작했다. 이어서, 그 적층체를, 두께 방향으로 10㎜×10㎜의 크기로 타발하여 측정 샘플로 했다. 계속해서, 동적 점탄성 장치 ARES(레오메트릭스·사이언티픽·F·E사제)를 이용하여, 직경 8㎜의 원형 알루미늄 플레이트 지그를 장착한 후, 측정 샘플을 세팅했다. 측정 샘플에 35℃에서 5%의 변형을 부여하면서, 승온 속도 5℃/분의 조건으로 측정 샘플을 승온하면서 전단 점도를 측정하여, 80℃에서의 전단 점도의 값을 구했다.
5.2 다이싱 다이본딩 필름(20)의 스텔스 다이싱성의 평가
5.2.1 다이본딩 필름(접착제층)(3)의 할단성
먼저, 반도체 웨이퍼(실리콘 미러 웨이퍼, 두께 750㎛, 외경 12인치)(W)를 준비하여, 일방의 면에 시판의 백 그라인드 테이프를 첩부했다. 이어서, 반도체 웨이퍼(W)의 백 그라인드 테이프를 첩부한 측과 반대면으로부터, 주식회사디스코제의 스텔스 다이싱 레이저쏘(장치명:DFL7361)를 사용하여, 할단 후의 반도체칩(30a)의 크기가 4.5㎜×7.0㎜의 사이즈가 되도록, 격자 형상의 분할 예정 라인을 따라, 이하의 조건에서, 레이저광을 조사하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(W)의 소정의 깊이의 위치에 개질 영역(30b)을 형성했다.
· 레이저 조사 조건
(1) 레이저 발진기 형식 : 반도체 레이저 여기(勵起) Q 스위치 고체 레이저
(2) 파장 : 1342㎚
(3) 발진 형식 : 펄스
(4) 주파수 : 90kHz
(5) 출력 : 1.7W
(6) 반도체 웨이퍼의 탑재대의 이동 속도:700㎜/초
이어서, 주식회사디스코제의 백 그라인드 장치(장치명:DGP8761)를 사용하여, 백 그라인드 테이프에 보지된 당해 개질 영역(30b)이 형성된 두께 750㎛의 반도체 웨이퍼(W)를 연삭, 박막화하는 것에 의해, 두께 30㎛의 반도체 웨이퍼(30)를 얻었다. 또한, 백 그라인드(연삭) 공정의 단계에 있어서, 반도체 웨이퍼(30)는, 백 그라인드 테이프 상에서, 분할 예정 라인 상에 형성된 개질 영역(30b)을 기점으로 수직 방향으로 균열이 진전된 것에 의해, 소정의 사이즈의 반도체칩(30a)으로 각각 분할되어 있었다. 계속해서, 이하의 방법에 의해 쿨 익스팬드 공정을 실시함으로써, 스텔스 다이싱성의 지표 항목의 하나인 접착제층(3)의 할단성을 평가했다. 구체적으로는, 상기 방법에 의해 얻어진 두께 30㎛의 복수의 반도체칩(30a)의 백 그라인드 테이프가 첩부된 측과는 반대면에, 각 실시예 및 비교예에서 제작한 다이싱 다이본딩 필름(20)으로부터 박리 라이너를 박리하는 것에 의해 노출시킨 접착제층(3)이 밀착하도록, 주식회사디스코제의 라미네이트 장치(장치명:DFM2800)를 사용하여, 복수의 반도체칩(30a)에 대하여 다이싱 다이본딩 필름(20)을 라미네이트 온도 70℃, 라미네이트 속도 10㎜/초의 조건에서 첩합함과 함께, 다이싱 테이프(10)의 외연부의 점착제층(2) 노출부에 링 프레임(웨이퍼 링)(40)을 첩부했다. 그리고, 백 그라인드 테이프를 박리하여, 복수의 반도체칩(30a)을 다이싱 다이본딩 필름(20)의 다이본딩 필름(3) 상에 전사 고정했다. 또한, 여기서, 다이싱 다이본딩 필름(20)은, 그 기재 필름(1)의 MD 방향과 반도체 웨이퍼(30)의 격자 형상의 분할 예정 라인의 세로 라인 방향(기재 필름(1)의 TD 방향과 반도체 웨이퍼(30)의 격자 형상의 분할 예정 라인의 가로 라인 방향)이 일치하도록, 반도체 웨이퍼(30)의 분할체인 복수의 반도체칩(30a)에 첩부되어 있다.
상기 링 프레임(웨이퍼 링)(40)에 보지된 복수의 반도체칩(30a)을 포함하는 적층체(복수의 반도체칩(30a)/접착제층(3)/점착제층(2)/기재 필름(1))를 주식회사디스코제의 익스팬드 장치(장치명:DDS2300 Fully Automatic Die Separator)에 고정했다. 이어서, 이하의 조건에서, 반도체 웨이퍼(30)를 수반하는 다이싱 다이본딩 필름(20)의 다이싱 테이프(10)(점착제층(2)/기재 필름(1))를 쿨 익스팬드하는 것에 의해, 접착제층(3)을 할단했다. 이에 의해, 다이본딩 필름(접착제층)(3)을 가지는 반도체칩(30a)을 얻었다. 또한, 본 실시예에서는, 하기의 조건에서 쿨 익스팬드 공정을 실시했지만, 기재 필름(1)의 물성 및 온도 조건 등에 따라 익스팬드 조건(「익스팬드 속도」 및 「익스팬드량」 등)을 적절히 조정한 다음에 쿨 익스팬드 공정을 실시하면 된다.
· 쿨 익스팬드 공정의 조건
(1) 온도 : -15℃, 냉각 시간 : 80초
(2) 익스팬드 속도 : 200㎜/초
(3) 익스팬드량 : 11㎜
(4) 대기 시간 : 0초
쿨 익스팬드 후의 접착제층(3)에 관하여, 반도체칩(30a)의 표면측으로부터, 주식회사기엔스제의 광학 현미경(형식:VHX-1000)을 이용하여, 배율 200배로 관찰하는 것에 의해, 할단 예정의 변 중, 할단되어 있지 않은 변의 수를 계측했다. 그리고, 접착제층(3)의 각각에 관하여, 할단 예정의 변의 총수와 미할단의 변의 총수로부터, 할단 예정의 변의 총수에서 차지하는, 할단된 변의 수의 비율을, 할단율(%)로서 산출했다. 상기 광학 현미경에 의한 관찰은, 반도체칩(30a)의 전수(全數)에 대하여 행했다. 이하의 기준에 따라, 접착제층(3)의 각각에 관하여 할단성을 평가하고, B 이상의 평가를 할단성이 양호하다고 판단했다.
A : 할단율이 95% 이상 100% 이하였다.
B : 할단율이 90% 이상 95% 미만이었다.
C : 할단율이 90% 미만이었다.
5.2.2 히트 슈링크 공정 후에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 늘어짐 해소의 확인
상기 쿨 익스팬드 상태를 해제한 후, 재차, 주식회사디스코제의 익스팬드 장치(장치명:DDS2300 Fully Automatic Die Separator)를 이용하여, 그 히트 익스팬더 유닛으로, 이하의 조건에서, 상온 익스팬드 공정을 실시했다.
· 상온 익스팬드 공정의 조건
(1) 온도 : 23℃
(2) 익스팬드 속도 : 30㎜/초
(3) 익스팬드량 : 9㎜
(4) 대기 시간 : 15초
이어서, 익스팬드 상태를 유지한 채, 다이싱 테이프(10)를 흡착 테이블로 흡착시키고, 흡착 테이블에 의한 그 흡착을 유지한 상태로 흡착 테이블을 워크와 함께 하강시켰다. 그리고, 이하의 조건에서, 히트 슈링크 공정을 실시하여, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체칩(30a) 보지 영역보다 외측의 원주 부분을 가열 수축(히트 슈링크)시켰다. 다이싱 테이프(10)의 가열 부분의 표면 온도는 80℃였다.
· 히트 슈링크 공정의 조건
(1) 열풍 온도 : 220℃
(2) 풍량 : 40L/min
(3) 열풍 분출구와 다이싱 테이프(10)의 거리 : 20㎜
(4) 스테이지의 회전 속도 : 7°/초
계속해서, 흡착 테이블에 의한 흡착으로부터 다이싱 테이프(10)를 해방한 후, 워크를 익스팬드 장치로부터 떼어내고, 평면 형상의 고무 매트의 위에 두어, 가열 수축(히트 슈링크) 후의 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체칩(30a) 보지 영역보다 외측의 원주 부분에 있어서의 늘어짐의 해소의 정도를, 삼파장 형광등의 아래에서, 육안으로 확인했다. 이하의 기준에 따라, 다이싱 테이프(10)의 각각에 관하여 늘어짐의 해소의 정도를 평가하고, B 이상의 평가를 열수축성이 양호하다고 판단했다.
A : 늘어짐이 확인되지 않았다.
B : 주름 형상의 늘어짐이 극히 일부에 확인되었지만 경미했다.
C : 주름 형상의 늘어짐, 또는 변형 주름이 명확하게 확인되었다.
5.2.3 히트 슈링크 공정 후에 있어서의 커프폭의 확인
상기의 히트 슈링크 공정 후에, 워크를 익스팬드 장치로부터 떼어내고, 이웃하는 반도체칩(30a) 사이의 거리(커프폭)를, 반도체 웨이퍼(30)의 표면측으로부터, 주식회사기엔스제의 광학 현미경(형식:VHX-1000)을 이용하여, 배율 200배로 관찰, 측정하는 것에 의해, 다이싱 다이본딩 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 확장성 및 열수축성에 관하여 평가했다.
구체적으로는, 도 13에 나타내는 반도체 웨이퍼(30)의 중심부(31)에 있어서의 인접하는 4개의 반도체칩(30a)으로 형성되는 하나의 할단 십자 라인부의 4개소(기재 필름(1)의 MD 방향:커프 MD1과 커프 MD2의 2개소, 기재 필름(1)의 TD 방향:커프 TD1과 커프 TD2의 2개소, 도 14 참조), 좌측부(32)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체칩(30a)으로 형성되는 2개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향:커프 MD3∼커프 MD5의 3개소, TD 방향:커프 TD3∼커프 TD6의 4개소, 도시 생략), 우측부(33)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체칩(30a)으로 형성되는 2개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향:커프 MD6∼커프 MD8의 3개소, TD 방향:커프 TD7∼커프 TD10의 4개소, 도시 생략), 상부(34)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체칩(30a)으로 형성되는 2개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향:커프 MD9∼커프 MD12의 4개소, TD 방향:커프 TD11∼커프 TD13의 3개소, 도시 생략), 및 하부(35)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체칩(30a)으로 형성되는 2개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향:커프 MD13∼커프 MD16의 4개소, TD 방향:커프 TD14∼커프 TD16의 3개소, 도시 생략)의 합계 32개소(MD 방향에 있어서 16개소, TD 방향에 있어서 16개소)에 관하여, 이웃하는 반도체칩(30a) 사이의 이간 거리를 각각 측정하고, MD 방향 16개소의 평균값을 MD 방향 커프폭, TD 방향 16개소의 평균값을 TD 방향 커프폭으로서 각각 산출했다. 이하의 기준에 따라, 다이싱 다이본딩 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 확장성 및 열수축성을 평가하고, B 이상의 평가를 확장성과 열수축성이 양호, 즉 픽업 공정에서 문제를 발생시키기 어려운 레벨로 커프폭이 확보되어 있다고 판단했다.
A : MD 방향 커프폭, TD 방향 커프폭의 어느 값이나 30㎛ 이상이었다.
B : MD 방향 커프폭의 값이 30㎛ 이상, TD 방향 커프폭의 값이 25㎛ 이상 30㎛ 미만이거나, 또는, TD 방향 커프폭의 값이 30㎛ 이상, MD 방향 커프폭의 값이 25㎛ 이상 30㎛ 미만이거나, 또는, MD 방향 커프폭, TD 방향 커프폭의 어느 값이나 25㎛ 이상 30㎛ 미만인 것 중 어느 것이었다.
C : MD 방향 커프폭, TD 방향 커프폭의 값의 적어도 일방의 값이 25㎛ 미만이었다.
5.2.4 다이싱 다이본딩 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 픽업성의 평가
상기 익스팬드 공정에 의해 할단, 개편화된 다이본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)을 보지하고 있는 다이싱 테이프(10)의 기재 필름(1)측으로부터, 조사 강도 70mW/㎠로 적산 광량이 150mJ/㎠가 되도록 중심 파장 365㎚의 자외선(UV)을 조사하여 점착제층(2)을 경화시키는 것에 의해, 픽업성의 평가 시료로 했다.
계속해서, 파스포드테크놀로지주식회사제(구주식회사히타치하이테크놀러지즈제)의 픽업 기구를 가지는 장치(장치명:다이본더DB-830P)를 이용하여, 픽업 시험을 행했다. 픽업용 콜렛트의 사이즈는 4.4×6.9㎜, 밀어올림 핀의 핀 개수는 12개로 하고, 픽업의 조건에 관해서는, 밀어올림 핀의 밀어올림 속도를 10㎜/초, 밀어올림 핀의 밀어올림 높이를 100㎛로 했다. 픽업의 트라이의 샘플수를 소정의 위치의 20개(칩)로 하여, 이하의 기준에 따라, 다이싱 다이본딩 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 픽업성을 평가하고, B 이상의 평가를 픽업성이 양호하다고 판단했다.
A : 20칩을 연속적으로 픽업하여, 칩 균열 또는 픽업 미스가 발생하지 않은 개수(픽업 성공 개수)가 20개였다. 픽업 성공율 100%.
B : 20칩을 연속적으로 픽업하여, 칩 균열 또는 픽업 미스가 발생하지 않은 개수(픽업 성공 개수)가 19개였다. 픽업 성공율 95%.
C : 20칩을 연속적으로 픽업하여, 칩 균열 또는 픽업 미스가 발생하지 않은 개수(픽업 성공 개수)가 18개 이하였다. 픽업 성공율 90% 이하.
6. 평가 결과
실시예 1∼23 및 비교예 1∼6에서 제작한 다이싱 다이본딩 필름(20)(DDF(a)∼DDF(j), DDF(l)∼DDF(dd))에 대한 각 평가 결과에 관하여, 다이싱 다이본딩 필름(20)의 구성(점착제 조성물의 종류, 접착제 조성물의 종류, 전단 점도 및 점착제층과 접착제층의 두께) 및 사용한 기재 필름(1)의 구성(각 수지층에 사용한 아이오노머 수지의 메타크릴산 및 아크릴산 이소부틸의 함유 비율 및 아연 이온 농도, 각 수지층에 사용한 수지 전체의 비카트 연화 온도, 두께)과 합하여 표 1∼5에 나타낸다.
먼저, 표 1∼4에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족시키는 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 이용한 실시예 1∼23의 다이싱 다이본딩 필름(DDF(a)∼DDF(j), DDF(l)∼DDF(x))은, 접착제층이 분단된 후, 당해 접착제층을 가지는 반도체칩을 웨이퍼 가공용 점착 테이프(다이싱 테이프)의 점착제층 상에 커프폭이 충분히 확보된 상태로 고정할 수 있고, 그 결과, 픽업성이 양호한 것이 확인되었다. 즉, 본 발명의 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 이용한 다이싱 다이본딩 필름은, 기재 필름으로서, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위를 특정한 함유 비율로 포함하는 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 특정한 농도의 아연 이온으로 가교되고, 또한 적절한 비카트 연화 온도를 가지는 아이오노머 수지를 포함하는 수지층이 적층된 수지 필름을 이용하고 있으므로, 익스팬드 시에 있어서의 적당한 인장 응력과 균일 확장성, 및 가열 수축 공정에 있어서의 수축성을 겸비하고 있어, 익스팬드에 의해 접착제층을 양호하게 분단할 수 있고, 열수축에 의해 익스팬드 시에 테이프에 생긴 늘어짐을 제거할 수 있다. 그 결과, 익스팬드에 의해 확보된 접착제층을 가지는 반도체칩간의 커프폭이 적절히 유지되고, 칩간 접촉에 기인하는 손상이나 접착제층끼리의 접촉에 기인하는 재유착이 발생하기 어려워지므로, 접착제층을 가지는 반도체칩을 양호하게 픽업할 수 있는 것을 알았다. 그리고, 접착제층으로서, 와이어 매립형 다이본딩 필름으로 대표되는 두께가 두껍고, 유동성이 높은 접착제층을 이용했다고 해도, 당해 접착제층을 통상의 범용 다이본딩 필름과 마찬가지로 양호하게 분단할 수 있고, 접착제층을 가지는 반도체칩을 양호하게 픽업할 수 있는 것을 알았다.
실시예에 관하여 상세하게 비교하면, 먼저, 각 수지층에 있어서의 특정한 아이오노머 수지의 함유 비율이 100질량%이고, 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층(제 1 수지층, 제 2 수지층 및 제 3 수지층)의 합계 두께가, 기재 필름의 총두께의 100%인 실시예 1∼15의 다이싱 다이본딩 필름을 비교한 경우, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도가 0.41mmol 이상 0.60mmol 이하의 범위인 실시예 2∼8, 실시예 12, 13, 실시예 15의 다이싱 다이본딩 필름은, 접착제층의 분단성, 히트 슈링크 후의 커프폭, 및 픽업성의 평가에 있어서, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도가 0.38mmol인 실시예 1, 실시예 9∼11, 실시예 14의 다이본딩 필름보다 우수한 것을 알았다. 또한, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도가 0.41mmol 이상 0.60mmol 이하의 범위이기는 하지만, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체에 있어서의 불포화 카르본산 에스테르에 유래하는 구성 단위(아크릴산 이소부틸)의 함유 비율이 1.5질량%로 낮은 실시예 12, 13의 다이싱 다이본딩 필름은, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체에 있어서의 아크릴산 이소부틸의 함유 비율 5질량% 이상인 실시예 2∼8, 실시예 15의 다이싱 다이 필름과 비교하여 약간 뒤떨어지는 결과였다.
또한, 다이싱 테이프(10)의 구성이 동일하고, 80℃에서의 전단 점도 특성이 상이한 다이본딩 필름을 이용한 실시예 2, 실시예 20∼22의 다이싱 다이본딩 필름 및 다이본딩 필름의 두께를 실시예 3의 30㎛에 비하여 50㎛로 두껍게 한 실시예 23의 다이싱 다이본딩 필름의 평가 결과로부터, 본 실시형태의 웨이퍼 가공용 점착 테이프는, 와이어 매립형 다이본딩 필름 및 범용 다이본딩 필름의 어느 다이본딩 필름(접착제층)을 이용해도, 접착제층의 분단성은 대체로 양호하고, 히트 슈링크 후의 커프폭은 충분히 확보되어, 픽업성도 양호한 것을 알았다.
또한, 제 1 수지층 및 제 2 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-2)를, 제 3 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지와 폴리아미드 수지를 90:1의 질량비로 혼합한 수지 (IO-2/PA)를 이용한 2종 수지 3층 구성의 기재 필름을 가지는 실시예 16의 다이싱 다이본딩 필름은, 아이오노머 수지 (IO-2)만을 이용한 1종 수지 3층 구성의 기재 필름을 가지는 실시예 2의 다이싱 다이본딩 필름과 마찬가지로 우수한 것을 알았지만, 제 1 수지층의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-2)를, 제 2 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지와 올레핀계 열가소성 엘라스토머 수지를 80:20의 질량비로 혼합한 수지 (IO-2/TPO-1)을 이용한 2종 수지 2층 구성의 기재 필름을 가지는 실시예 17의 다이싱 다이본딩 필름은, 실용상 문제없는 레벨이지만, 실시예 2의 다이싱 다이본딩 필름과 비교하여 약간 뒤떨어지는 결과였다.
또한, 제 1 수지층 및 제 3 수지층용의 수지 조성물로서 아이오노머 수지 (IO-2)를, 제 2 수지층용의 수지 조성물로서 올레핀계 열가소성 엘라스토머 수지 (TPO-1)을 이용한 2종 수지 3층 구성의 기재 필름을 가지고, 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층의 합계 두께가 기재 필름의 총두께의 89%인 실시예 18의 다이싱 다이본딩 필름, 제 1 수지층 및 제 2 수지층용의 수지 성물로서 아이오노머 수지 (IO-2)를, 제 3 수지층용의 수지 조성물로서 올레핀계 열가소성 엘라스토머 수지 (TPO-2)를 이용한 2종 수지 3층 구성의 기재 필름을 가지고, 특정한 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층의 합계 두께가 기재 필름의 총두께의 67%인 실시예 19의 다이싱 다이본딩 필름은, 각각 실용상 문제없는 레벨이지만, 실시예 2의 다이싱 다이본딩 필름과 비교하여 약간 뒤떨어지는 결과였다.
이에 비하여, 표 5에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족시키지 않는 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 이용한 비교예 1∼6의 다이싱 다이본딩 필름(DDF(y)∼DDF(dd))은, 모두 접착제층의 분단성, 히트 슈링크 후의 커프폭, 및 픽업성의 평가에 있어서, 실시예 1∼23의 다이싱 다이본딩 필름보다 뒤떨어지는 결과인 것이 확인되었다.
구체적으로는, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도가 0.38mmol 미만인 아이오노머 수지 (IO-16)만을 이용한 1종 수지 3층 구성의 기재 필름을 가지는 비교예 1의 다이싱 다이본딩 필름은, 인장 응력이 작아 접착제층의 분단성이 불충분하고, 또한 히트 슈링크 시의 수축성도 불충분하여 커프폭을 충분히 확보할 수 없었기 때문에, 실시예 1∼15의 다이싱 다이본딩 필름과 비교하여, 픽업성이 뒤떨어져 있었다.
또한, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체에 있어서의 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위(메타크릴산)의 함유 비율이 6.9질량% 미만이고, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도가 0.38mmol 미만인 아이오노머 수지 (IO-17)만을 이용한 1종 수지 3층 구성의 기재 필름을 가지는 비교예 2의 다이싱 다이본딩 필름도, 비교예 1의 다이싱 다이본딩 필름과 마찬가지로, 실시예 1∼15의 다이싱 다이본딩 필름과 비교하여, 픽업성이 뒤떨어져 있었다.
또한, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체에 있어서의 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위(메타크릴산)의 함유 비율이 18.0질량%를 넘고, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도가 0.38mmol 미만이며, 비카트 연화 온도가 50℃ 미만인 아이오노머 수지 (IO-18)만을 이용한 1종 수지 3층 구성의 기재 필름을 가지는 비교예 3의 다이싱 다이본딩 필름도, 비교예 1의 다이싱 다이본딩 필름과 마찬가지로, 실시예 1∼15의 다이싱 다이본딩 필름과 비교하여, 픽업성이 뒤떨어져 있었다. 다이싱 테이프 가공 중에 있어서, 원반 롤의 권취 코어부측에서 일부 블로킹이 발생했으므로, 평가는 블로킹이 없는 부분에서 행했다.
또한, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체에 있어서의 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위(메타크릴산)의 함유 비율이 6.9질량% 미만이고, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도가 0.38mmol 미만이며, 비카트 연화 온도가 80℃를 넘는 아이오노머 수지 (IO-19)만을 이용한 1종 수지 3층 구성의 기재 필름을 가지는 비교예 4의 다이싱 다이본딩 필름은, 익스팬드 시에 네킹 현상이 발생한 것이라고 추정되는데, 확장성이 불충분하고, 접착제층의 분단성과 커프폭의 확보가 불충분해지며, 또한, 히트 슈링크 시의 수축성도 불충분하여 커프폭을 충분히 확보할 수 없었기 때문에, 실시예 1∼15의 다이싱 다이본딩 필름과 비교하여, 픽업성이 뒤떨어져 있었다.
또한, 비카트 연화 온도가 80℃ 이상인 에틸렌·메타크릴산 공중합체(EMAA)로 이루어지는 수지층에, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당의 아연(Zn2+) 이온 농도가 0.38mmol 미만인 아이오노머 수지 (IO-16)으로 이루어지는 수지층을 적층한 2종 수지 2층 구성의 기재 필름을 가지는 비교예 6의 다이싱 다이본딩 필름도, 비교예 1의 다이싱 다이본딩 필름과 마찬가지로, 실시예 1∼23의 다이싱 다이본딩 필름과 비교하여, 픽업성이 뒤떨어져 있었다.
또한, 비교예 5에 관해서는, 기재 필름 1(y)의 안정 제막을 할 수 없었기 때문에, 다이싱 다이본딩 필름으로서 평가할 수 없었다.
1 : 기재 필름
2 : 점착제층
3, 3a1, 3a2 : 다이본딩 필름(접착제층, 접착 필름)
4 : 반도체칩 탑재용 지지 기판
5 : 외부 접속 단자
6 : 단자
7 : 와이어
8 : 밀봉재
9 : 지지 부재
10 : 다이싱 테이프
11 : OPP 필름 기재 편면 점착 테이프(백킹 테이프)
12 : 종이 양면 점착 테이프(고정 테이프)
13 : 평판 크로스 스테이지
14 : PET 필름 기재 편면 점착 테이프(백킹 테이프, 고정 테이프)
15 : SUS판
20 : 다이싱 다이본딩 필름
W, 30 : 반도체 웨이퍼
30a, 30a1, 30a2 : 반도체칩
30b : 개질 영역
31 : 반도체 웨이퍼 중심부
32 : 반도체 웨이퍼 좌측부
33 : 반도체 웨이퍼 우측부
34 : 반도체 웨이퍼 상부
35 : 반도체 웨이퍼 하부
40 : 링 프레임(웨이퍼 링)
41 : 보지구
50 : 흡착 콜렛트
60 : 밀어올림 핀(니들)
70, 80 : 반도체 장치

Claims (10)

  1. 익스팬드에 의해 접착제층을 칩을 따라 분단할 때에 이용하는, 익스팬드 가능한 웨이퍼 가공용 점착 테이프로서, 기재 필름과, 상기 기재 필름 상에 마련된 점착제층을 가지고,
    상기 기재 필름은, 적어도, 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 제 1 수지층과, 상기 아이오노머 수지와 동일 또는 상이한 종류의 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 제 2 수지층을 가지는 2층 이상의 적층 구성으로 이루어지며,
    상기 아이오노머 수지는, 모두 당해 수지의 베이스 폴리머인 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체와 아연 이온을 포함하고, JIS K7206에서 규정되는 비카트 연화 온도가, 50℃를 하한값, 79℃를 상한값으로 하는 범위 내의 값을 가지는 수지로 이루어지며,
    상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 구성하는 구성 단위의 전량을 기준의 100질량%로 했을 때에, 6.9질량%를 하한값, 18.0질량%를 상한값으로 하는 범위 내의 값을 가지고,
    상기 아연 이온의 농도는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당 0.38mmol을 하한값, 0.60mmol을 상한값으로 하는 범위 내의 값을 가지는, 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 함유 비율이, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 구성하는 구성 단위의 전량을 기준의 100질량%로 했을 때에, 8.0질량% 이상 15.0질량% 이하의 범위인, 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 아연 이온의 농도는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 1g당 0.41mmol 이상 0.55mmol 이하의 범위인, 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재 필름의 총두께는, 60㎛ 이상 150㎛ 이하의 범위이고, 상기 기재 필름에 있어서의 상기 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층의 각각의 두께는, 10㎛ 이상 50㎛ 이하의 범위이며, 상기 아이오노머 수지를 80질량% 이상의 함유 비율로 포함하는 수지층 전부의 합계 두께는, 상기 기재 필름의 총두께의 65% 이상인 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 에틸렌·(메타)아크릴산의 2원 공중합체 및 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르의 3원 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 공중합체로 이루어지는, 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 점착제층 상에 박리 가능하게 마련된 접착제층을 가지는 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 접착제층은, 수지 성분으로서 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 포함하는 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 접착제층은, 80℃에서의 전단 점도가, 200Pa·s 이상 11,000Pa·s 이하의 범위인, 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 접착제층은, 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우,
    (a) 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 17질량부 이상 51질량% 이하의 범위, 상기 에폭시 수지를 30질량부 이상 64질량부의 범위, 상기 페놀 수지를 19질량부 이상 53질량부 이하의 범위에서, 수지 성분 전량이 100질량부가 되도록 조정되어 포함하고,
    (b) 경화 촉진제를 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 0.07질량부 이하의 범위로 포함하며,
    (c) 무기 필러를 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 10질량부 이상 80질량부 이하의 범위로 포함하는, 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 사용하는, 반도체칩 또는 반도체 장치의 제조 방법.
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