KR20240007274A - 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료 및 촬상 소자용 광전 변환 소자 - Google Patents

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KR20240007274A
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도모히로 쇼노
야스히로 다카하시
게이스케 노무라
다케시 오카다
요우헤이 오노
츠요시 다나카
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Abstract

암전류 및 외부 양자 효율이 우수한 촬상 소자용 광전 변환 소자의 제작에 이바지하는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 제공한다.
분자 구조 중에 코브 (cove) 영역을 갖는 골격을 포함하고, 그 골격이 치환되어 있어도 되는 화합물을 포함하고,
단, 그 화합물로서 무치환의 디벤조[g,p]크리센을 포함하지 않는,
촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 사용한다.
상기 재료로는, 하기 식 (1) 로 나타내는 특정한 구조를 갖는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료가 바람직하다.
Figure pct00039

Description

촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료 및 촬상 소자용 광전 변환 소자
본 발명은, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료 및 촬상 소자용 광전 변환 소자에 관한 것이다.
촬상 소자용 광전 변환 소자는, 휴대 전화나 카메라 등의 용도로 사용되고 있고, 그 개발이 정력적으로 행해지고 있다.
최근의 촬상 소자용 광전 변환 소자에 대한 시장으로부터의 요구는 더욱더 높아져, 암전류, 외부 양자 효율, 응답 속도 중 어느 것에 있어서나 우수한 재료가 요구되고 있다. 그 상황 하, 새로운 재료의 모핵으로서 각종 다고리형의 화합물의 가능성에 대해, 탐색, 검토가 계속되고 있다. 다고리형 화합물로서 특허문헌 1 에는, 벤조티에노벤조티오펜을 모핵으로 한 유도체가 개시되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는, 벤조티에노벤조티오펜에 더해, 다양한 모핵이 개시되어 있다. 특허문헌 3 에는, 무치환의 디벤조[g,p]크리센이 개시되어 있다.
국제 공개 제2015/163349호 국제 공개 제2020/022421호 일본 공개특허공보 2010-258438호
본 발명의 일 양태의 목적은, 새로운 재료의 모핵으로서 각종 다고리형의 화합물의 가능성에 대해, 탐색, 검토가 계속되고 있는 가운데, 그 새로운 모핵을 갖는 화합물을 사용한 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료 및 촬상 소자용 광전 변환 소자를 제안하는 데에 있다.
본 발명 다른 일 양태의 목적은, 암전류가 낮고, 외부 양자 효율이 높은 촬상 소자용 광전 변환 소자의 제작에 이바지하는 촬상 소자용 광전 변환 소자 재료, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 수송 재료, 및 촬상 소자용 광전 변환 소자용 정공 수송 재료를 제공하는 것이다. 또, 본 발명의 다른 양태의 목적은, 암전류가 낮고, 외부 양자 효율이 높은 촬상 소자용 광전 변환 소자를 제공하는 것이다.
그런데, 특허문헌 3 에는, 광전 변환층과 상부 전극의 사이에 무치환의 디벤조[g,p]크리센을 결정층으로서 사용한다고 기재되어 있다. 그러나, 특허문헌 3 에서는 디벤조[g,p]크리센의 분자 구조 상의 특징이나, 디벤조[g,p]크리센을 포함하는 아모르퍼스막에 관해서 일절 언급하고 있지 않다. 더불어, 특허문헌 3 에 기재된 디벤조[g,p]크리센은, 촬상 소자용 광전 변환 소자의 성능을 향상시키는 지견을 전혀 제공하고 있지 않다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 분자 구조 중에 코브 (cove) 영역을 갖는 골격을 포함하고, 그 골격이 치환되어 있어도 되는 화합물을 포함하고, 단, 그 화합물로서, 디벤조[g,p]크리센을 포함하지 않는, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료가 제공된다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 상기 골격이 하기 식 (1) 로 나타내어지는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료가 제공된다.
[화학식 1]
Figure pct00001
식 (1) 중,
X1 ∼ X4 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고 ;
X1 ∼ X4 는, 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우는 없고 ;
복수의 X1 ∼ X4 는, 동일해도 상이해도 되고 ;
Z1 ∼ Z8 은, 각각 독립적으로, 질소 원자, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자를 나타내고 ;
Z1 ∼ Z8 중, 적어도 6 개는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자이며 ;
복수의 Z1 ∼ Z8 은, 동일해도 상이해도 되고 ;
Z1 ∼ Z8 중 어느 것이, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자인 경우, 그 탄소 원자에 인접하는 1 개 혹은 2 개의 Z1 ∼ Z8 중 어느 것의 탄소 원자 상의 치환기와 결합하여, 고리를 형성해도 된다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 수송 재료 또는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 전하 블로킹 재료인, 상기 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료가 제공된다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 정공 수송 재료 또는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 전자 블로킹 재료인, 상기 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료가 제공된다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 상기 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함하는 촬상 소자용 광전 변환 소자가 제공된다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 암전류 및 외부 양자 효율이 우수한 촬상 소자용 광전 변환 소자의 제작에 이바지하는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 정공 수송 재료 및 촬상 소자용 광전 변환 소자용 전자 블로킹 재료를 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 암전류 및 외부 양자 효율이 우수한 촬상 소자용 광전 변환 소자를 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함하는 촬상 소자용 광전 변환 소자의 적층 구성의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2 는, 소자 실시예 A-1 의 적층 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3 은, 소자 실시예 B-1 의 적층 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료에 대해 상세하게 설명한다.
＜촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료＞
본 발명의 일 양태는, 분자 구조 중에 코브 (cove) 영역을 갖는 골격을 포함하고, 그 골격이 치환되어 있어도 되는 화합물을 포함하고, 단, 그 화합물로서, 무치환의 디벤조[g,p]크리센을 포함하지 않는, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료이다. 코브 영역이란, 다고리형 화합물에 있어서의 특정한 분자 구조 영역을 가리키는 호칭이며, 예를 들어, 비특허문헌 (Chemical Science, 2019, 10, 4025.) 에 개시된 영역을 가리킨다. 또한, 본 명세서에 있어서,「재료」에는, 화합물도 포함된다.
코브 영역이란, 4 개의 벤젠 고리가 축환한 [4]헤리센 골격에 있어서, 각 벤젠 고리의 1 변씩을 합한 4 변으로 형성되는 만 (灣) 형상으로 절입된 영역을 말한다. 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 코브 영역을 갖는 상기 [4]헤리센 골격 중의 수소 원자, 및 탄소 원자 중, 적어도 1 개가 치환되어 있어도 된다. 또, [4]헤리센 골격에는, 벤젠 고리의 일부가 헤테로 고리로 치환된 헤테로헤리센 골격도 포함된다. 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료가 코브 영역을 갖는 헤테로헤리센 골격을 포함하는 경우, 그 헤테로헤리센 골격 중의 수소 원자, 탄소 원자, 산소 원자, 황 원자, 및 질소 원자 중, 적어도 1 개가 치환되어 있어도 된다.
상기 코브 영역을 갖는 골격이 치환된 양태에 있어서, 그 골격이 갖는 치환기는, 전하 수송성 치환기인 것이 바람직하다. 전하 수송성 치환기의 상세한 것에 대해서는, 후술하고 있고, 본 태양에 있어서도, 후술한 구체적인 치환기를 그대로 사용할 수 있다.
또한, 5 개의 벤젠 고리가 축환한 [5]헤리센 골격 또는 6 개의 벤젠 고리가 축환한 [6]헤리센 골격에도, 부분적으로 코브 영역이 포함되어 있다고 볼 수도 있지만, 이들은 피오르드 (fjord) 영역이라고 호칭되는 영역으로서, 코브 영역에는 해당되지 않는다.
본 발명에 있어서의 코브 영역이란, 식 (1) 로 나타내는 화합물이 갖는 영역으로서, 보다 구체적으로는, 식 (1') 중의 굵은 선으로 나타내는 영역을 가리킨다. 즉, 본 발명의 일 양태는, 식 (1) 로 나타내는 골격을 포함하고, 그 골격이 치환되어 있어도 되는 화합물을 포함하고, 단, 그 화합물로서 무치환의 디벤조[g,p]크리센을 포함하지 않는, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료인 것이 바람직하다.
[화학식 2]
Figure pct00002
식 (1) 중,
X1 ∼ X4 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고 ;
X1 ∼ X4 는, 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우는 없고 ;
복수의 X1 ∼ X4 는, 동일해도 상이해도 되고 ;
Z1 ∼ Z8 은, 각각 독립적으로, 질소 원자, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자를 나타내고 ;
Z1 ∼ Z8 중, 적어도 6 개는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자이며 ;
복수의 Z1 ∼ Z8 은, 동일해도 상이해도 되고 ;
Z1 ∼ Z8 중 어느 것이, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자인 경우, 그 탄소 원자에 인접하는 1 개 혹은 2 개의 Z1 ∼ Z8 중 어느 것의 탄소 원자 상의 치환기와 결합하여, 고리를 형성해도 된다.
상기 식 (1) 에 있어서의 정의, 및 그 바람직한 구체예는, 각각 이하와 같다.
＜X1 ∼ X4 에 대해＞
X1 ∼ X4 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. X1 ∼ X4 는, 서로 고리를 형성하는 경우는 없고, 고리 형성을 하지 않음으로써 상기 코브 영역을 분자 구조 중에 갖는다. 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 수량 좋게 제조하는 관점에서, X1 및 X2 는, 모두 수소 원자인 것이 바람직하다.
＜Z1 ∼ Z8 에 대해＞
Z1 ∼ Z8 은, 각각 독립적으로, 질소 원자, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자를 나타낸다. Z1 ∼ Z8 중, 적어도 6 개는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자인 것이 바람직하고, 적어도 7 개는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자인 것이 보다 바람직하고, 모두 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자인 것이 특히 바람직하다. 더불어, Z3 및 Z4 가 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자이며, Z3 및 Z4 의 치환기가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태인 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 보다 구체적으로는, 하기 식 (2A) ∼ (5B) 의 어느 것으로 나타내는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pct00003
[화학식 4]
Figure pct00004
식 (2A) ∼ (5B) 중,
A 는 전하 수송성 치환기를 나타내고 ;
Ar2 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기, 및 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기를 나타내고 ;
R1 및 R2 는, 각각 독립적으로,
수소 원자 ;
중수소 원자 ;
치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기 ;
치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기 ;
탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기 ;
또는, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기를 나타내고 ;
R1 및 R2 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.
k 는 1 ∼ 4 의 정수를 나타내고 ;
복수의 A 는 동일해도 상이해도 된다.
촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료 (2A) ∼ (5B) 에 있어서의 전하 수송성 치환기의 정의, 및 그 바람직한 구체예는, 각각 이하와 같다.
＜전하 수송성 치환기에 대해＞
전하 수송성 치환기란, 전하를 수송하는 기능을 갖는 치환기이다. 전하란, 정공, 전자, 또는 그 양방이다.
상기 전하 수송성 치환기로는, 예를 들어, 하기 (a-1) ∼ (a-16) 으로 나타나는 치환기를 들 수 있다.
(a-1) 중수소 원자,
(a-2) 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자,
(a-3) 트리플루오로메틸기,
(a-4) 펜타플루오로에틸기,
(a-5) 시아노기,
(a-6) 니트로기,
(a-7) 하이드록실기,
(a-8) 티올기,
(a-9) 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기,
(a-10) 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기,
(a-11) 치환기를 갖고 있어도 되는 포스핀옥사이드기,
(a-12) 치환기를 갖고 있어도 되는 실릴기,
(a-13) 탄소수 2 ∼ 10 의 포화 탄화수소기를 갖고 있어도 되는 보로닐기,
(a-14) 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기,
(a-15) 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기,
(a-16) 트리플루오로메틸술포닐옥시기, 또는
(a-17) 하기 식 (6) 혹은 (6') 로 나타내는 기 :
[화학식 5]
Figure pct00005
식 중,
R100 ∼ R300 은, 각각 독립적으로,
(r-1) 수소 원자, (r-2) 중수소 원자,
(r-3) 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기,
(r-4) 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기, 또는,
(r-5) 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기를 나타내고 ;
L 은, 각각 독립적으로,
메틸기 혹은 페닐기로 치환되어 있어도 되는 페닐렌기,
메틸기 혹은 페닐기로 치환되어 있어도 되는 나프틸렌기,
메틸기 혹은 페닐기로 치환되어 있어도 되는 비페닐렌기,
또는,
단결합을 나타내고 ;
n 은, 1 또는 2 를 나타내고,
L 이 단결합인 경우, n 은 1 이며,
L 이 단결합이 아닌 경우, n 은 1 또는 2 이며 ;
n 이 2 인 경우, 복수의 R100 ∼ R200 은, 동일해도 상이해도 된다.
＜(a-9) 에 대해＞
(a-9) 인, 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기로는, 예를 들어, 페닐기, 비페닐릴기, 터페닐릴기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트릴기, 페난트릴기, 벤조플루오레닐기, 트리페닐레닐기, 스피로비플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 디벤조[g,p]크리세닐기 등을 들 수 있다. 또, 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기는, 탄소수 6 ∼ 18 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
또한, (a-9) 의 방향족 탄화수소기가 치환기를 갖는 경우, 그 치환기는, 각각 독립적으로, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 시아노기, 니트로기, 하이드록실기, 티올기, 치환기를 갖고 있어도 되는 포스핀옥사이드기, 치환기를 갖고 있어도 되는 실릴기, 탄소수 2 ∼ 10 의 포화 탄화수소기를 갖고 있어도 되는 보로닐기, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기, 또는 트리플루오로메틸술포닐옥시기인 것이 바람직하다.
포스핀옥사이드기로는, 무치환의 포스핀옥사이드기, 치환기를 갖는 포스핀옥사이드기를 들 수 있다. 치환기를 갖는 포스핀옥사이드기인 것이 바람직하다.
치환기를 갖는 포스핀옥사이드기로는, 탄소수 6 ∼ 18 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기, 또는, 축환의 헤테로 방향족기를 갖는 포스핀옥사이드기가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 디페닐포스핀옥사이드 등, 2 개의 아릴기로 치환된 기를 들 수 있다.
실릴기로는, 무치환의 실릴기, 치환기를 갖는 실릴기를 들 수 있다. 치환기를 갖는 실릴기인 것이 바람직하다.
치환기를 갖는 실릴기로는, 탄소수 6 ∼ 18 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기, 또는, 축환의 헤테로 방향족기를 갖는 실릴기가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 트리페닐실릴기 등, 3 개의 아릴기로 치환된 기를 들 수 있다.
탄소수 2 ∼ 10 의 포화 탄화수소기를 갖고 있어도 되는 보로닐기로는, 예를 들어, 디하이드록시보릴기 (-B(OH)2), 4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]-디옥사보로라닐기, 5,5-디메틸-[1,3,2]-디옥사보리난기 등을 들 수 있다.
탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, n-헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, 데실기, 도데실기, 옥타데실기 등을 들 수 있다.
탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기로는, 예를 들어, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기, 펜틸옥시기, n-헥실옥시기, 시클로헥실옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 도데실옥시기, 옥타데실옥시기 등을 들 수 있다.
＜(a-10) 에 대해＞
(a-10) 인, 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기로는, 산소 원자, 질소 원자, 및 황 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 원자를 방향 고리 상에 함유하는 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기이다.
그 헤테로 방향족기로는, 예를 들어, 피롤릴기, 티에닐기, 푸릴기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 티아졸릴기, 이소티아졸릴기, 옥사졸릴기, 이소옥사졸릴기, 피리딜기, 페닐피리딜기, 피리딜페닐기, 피리미딜기, 피라질기, 1,3,5-트리아질기, 1,3,5-트리아질페닐기, 1,3,5-트리아질비페닐릴기, 4,6-디페닐-1,3,5-트리아질기, 인돌릴기, 벤조티에닐기, 벤조푸라닐기, 벤조이미다졸릴기, 인다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조이소티아졸릴기, 2,1,3-벤조티아디아졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조이소옥사졸릴기, 2,1,3-벤조옥사디아졸릴기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴녹살릴기, 퀴나졸릴기, 카르바졸릴기, 9-페닐카르바졸릴기, 9-(4-비페닐릴)카르바졸릴기, 디벤조티에닐기, 디벤조푸라닐기, 페녹사디닐기, 페노티아지닐기, 페나진기, 티안트레닐기 등을 들 수 있다.
또한, (a-10) 의 헤테로 방향족기가 치환기를 갖는 경우, 그 치환기는, 각각 독립적으로, 시아노기, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기, 또는 트리플루오로메틸술포닐옥시기인 것이 바람직하다.
탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기로는, 전술한 (a-9) 에서 예시한 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다. 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기로는, 전술한 (a-9) 에서 예시한 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기와 동일한 것을 들 수 있다.
＜(a-11) 에 대해＞
(a-11) 인, 포스핀옥사이드기로는, 무치환의 포스핀옥사이드기, 치환기를 갖는 포스핀옥사이드기를 들 수 있다. 치환기를 갖는 포스핀옥사이드기인 것이 바람직하다.
치환기를 갖는 포스핀옥사이드기로는, 예를 들어, 전술한 (a-9) 에서 예시한 포스핀옥사이드기와 동일한 것을 들 수 있다.
＜(a-12) 에 대해＞
(a-12) 인, 실릴기로는, 무치환의 실릴기, 치환기를 갖는 실릴기를 들 수 있다. 치환기를 갖는 실릴기인 것이 바람직하다. 치환기를 갖는 실릴기로는, 예를 들어, 전술한 (a-9) 에서 예시한 실릴기와 동일한 것을 들 수 있다.
＜(a-13) 에 대해＞
(a-13) 인, 탄소수 2 ∼ 10 의 포화 탄화수소기를 갖고 있어도 되는 보로닐기, 탄소수 2 ∼ 10 의 포화 탄화수소기를 갖고 있어도 되는 보로닐기로는, 예를 들어, 전술한 (a-9) 에서 예시한 보로닐기와 동일한 것을 들 수 있다.
＜(a-14) 에 대해＞
(a-14) 인, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬의 알킬기로는, 예를 들어, 전술한 (a-9) 에서 예시한 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
＜(a-15) 에 대해＞
(a-15) 인, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기로는, 예를 들어, 전술한 (a-9) 에서 예시한 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기와 동일한 것을 들 수 있다.
＜(a-17) 에 대해＞
(a-17) 은, 식 (6) 및 (6') 로 나타내는 기이며, 상기 서술한 바와 같이, 전하 수송성기는, 상기 식 (6) 또는 (6') 로 나타내는 기여도 된다. 식 (6) 및 (6') 에 있어서, L, R100 ∼ R300, n 의 정의는 다음과 같다.
＜식 (6) 및 (6') 에 대해＞
식 (6) 및 (6') 에 있어서, R100 ∼ R300 은, 각각 독립적으로, (r-1) 수소 원자, (r-2) 중수소 원자, (r-3) 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기, (r-4) 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기, 또는, (r-5) 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기를 나타낸다.
R100 ∼ R300 이 치환기를 갖는 경우, R100 ∼ R300 은, 1 개의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 2 개 이상의 치환기로 치환되어 있어도 된다.
상기 (r-3) 인, 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기의 정의는, 그 치환기의 정의를 제외하고, 상기 (a-9) 에 있어서 기재한 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기의 정의와 동일하다.
또한, (r-3) 의 방향족 탄화수소기가 치환기를 갖는 경우, 그 치환기는, 중수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기, 9-카르바졸릴기, 디벤조티에닐기, 디벤조푸라닐기, N,N-디페닐아미노기, 또는 N,N-비스(4-비페닐일)-아미노기인 것이 바람직하다.
또한, 상기 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기로는, 전술한 (a-9) 에서 예시한 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
상기 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기로는, 전술한 (a-9) 에서 예시한 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기와 동일한 것을 들 수 있다.
상기 (r-4) 인, 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기의 정의는, 그 치환기의 정의를 제외하고, 전술한 (a-10) 에서 예시한 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기와 동일한 것을 들 수 있다. 또, 탄소수 3 ∼ 20 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기인 것이 보다 바람직하다.
또한, (r-4) 의 헤테로 방향족기가 치환기를 갖는 경우, 그 치환기는, 중수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기, 9-카르바졸릴기, 디벤조티에닐기, 디벤조푸라닐기, N,N-디페닐아미노기, 또는 N,N-비스(4-비페닐일)-아미노기인 것이 바람직하다. 이들 치환기는, 예를 들어, 전술한 (r-3) 의 치환기와 동일한 정의이다.
상기 (r-5) 인, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기의 정의는, 상기 (a-9) 에 있어서 나타낸 정의와 동일하다.
식 (6) 및 (6') 에 있어서, L 은, 메틸기 혹은 페닐기로 치환되어 있어도 되는 페닐렌기 ; 메틸기 혹은 페닐기로 치환되어 있어도 되는 나프틸렌기 ; 메틸기, 혹은 페닐기로 치환되어 있어도 되는 비페닐렌기 ; 또는 단결합을 나타낸다.
상기 페닐렌기로는, 예를 들어, 1,2-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 1,4-페닐렌기 등을 들 수 있다.
상기 나프틸렌기로는, 예를 들어, 나프탈렌-1,2-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 나프탈렌-1,8-디일기, 나프탈렌-2,3-디일기 등을 들 수 있다.
상기 비페닐렌기로는, 예를 들어, 비페닐-4,4'-디일기, 비페닐-4,3'-디일기, 비페닐-4,2'-디일기, 비페닐-3,3'-디일기, 비페닐-3,2'-디일기, 비페닐-2,2'-디일기 등을 들 수 있다.
식 (6) 및 (6') 에 있어서, n 은 1 또는 2 의 정수를 나타낸다. L 이 단결합인 경우, n 은 1 의 정수이다. L 이 단결합이 아닌 경우, n 은 1 또는 2 의 정수이다.
또한, n 이 2 인 경우, R100 및 R200 은 2 개씩 존재하지만, 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다.
＜R1, R2 에 대해＞
R1 및 R2 가, (b-3) 치환기를 갖는 방향족 탄화수소기, 또는, (b-4) 치환기를 갖는 헤테로 방향족기인 경우, 그 치환기는, 각각 독립적으로, 중수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기, 또는, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기인 것이 바람직하다. 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기, 및, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기의 구체예로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 각각 전술한 (a-9) 에서 예시한 것 것과 동일한 것을 들 수 있다.
R1 및 R2 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. 예를 들어, R1 및 R2 가 페닐인 경우, 서로 연결하여 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.
(b-3) : 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기
식 (4A) ∼ (4C) 의 R1 및 R2 에 있어서, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 페닐기, 및 비페닐릴기 등을 들 수 있다.
(b-4) : 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기
식 (4A) ∼ (4C) 의 R1 및 R2 에 있어서, 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 피리딜기 등을 들 수 있다.
(b-5) : 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기
식 (4A) ∼ (4C) 에 있어서, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기로는, 상기 (a-9) 에서 예시한 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
(b-6) : 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기
식 (4A) ∼ (4C) 에 있어서, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기로는, 상기 (a-9) 에서 예시한 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기와 동일한 것을 들 수 있다.
식 (4A) ∼ (4C) 로 나타내는 축합 고리 화합물에 있어서, R1 및 R2 는, 원료 입수의 용이성의 점에서, 각각 독립적으로,
페닐기, 비페닐릴기, 피리딜기, 피리미딜기, 또는, 이들 기가, 메틸기, 혹은 메톡시기로 치환된 기 ;
메틸기, n-부틸기, 또는 n-헥실기인 것이 바람직하다.
또, R1 및 R2 는, 각각 독립적으로,
페닐기, 또는, 페닐기가, 메틸기, 혹은 메톡시기로 치환된 기 ; 또는
메틸기인 것이 보다 바람직하다.
＜k 에 대해＞
k 는, 각각 독립적으로, 0 이상 4 이하의 정수이다. 또한, k 가 2 이상인 경우, Ar 은 복수 존재하지만, 복수의 Ar 은 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다.
k 가, 3 이하인 것이 바람직하고, 2 이하인 것이 보다 바람직하다. k 가 3 이하이면, k 가 4 이상의 화합물과 비교하여 분자량이 작아진다. 그 결과, 화합물의 승화 온도가 낮아져, 승화시의 내열 안정성이 향상되기 때문에 바람직하다.
A 의 구체예로는, 이하에 나타내는 (1) ∼ (24) 의 기 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.
(1) : 메틸기, 에틸기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 시아노기, 니트로기, 하이드록실기, 티올기, 중수소 원자, 메톡시기, 트리플루오로메틸술포닐옥시기
(2) : 페닐기, 4-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 2-메틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 2,5-디메틸페닐기, 3,4-디메틸페닐기, 3,5-디메틸페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 2,3,5-트리메틸페닐기, 2,3,6-트리메틸페닐기, 2,4,6-트리메틸페닐기, 3,4,5-트리메틸페닐기, 4-하이드록시페닐기, 3-하이드록시기, 2-하이드록시페닐기, 3,5-디하이드록시페닐기, 3,4-디하이드록시페닐기, 4-메톡시페닐기, 3-메톡시페닐기, 2-메톡시페닐기, 3,5-디메톡시페닐기, 3,4-디메톡시페닐기, 4-트리플루오로메틸술포닐옥시페닐기, 3-트리플루오로메틸술포닐옥시페닐기, 2-트리플루오로메틸술포닐옥시페닐기, 3,5-비스(트리플루오로메틸술포닐옥시)페닐기, 3,4-비스(트리플루오로메틸술포닐옥시)페닐기,
(3) : 4-비페닐기, 3-비페닐기, 2-비페닐기, 2-메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 3-메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 2'-메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 3'-메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 4'-메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 2,6-디메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 2,2'-디메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 2,3'-디메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 2,4'-디메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 3,2'-디메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 2',3'-디메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 2',4'-디메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 2',5'-디메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 2',6'-디메틸-1,1'-비페닐-4-일기, 4-페닐비페닐기, 2-페닐비페닐기
(4) : 1-나프틸기, 2-나프틸기, 2-메틸나프탈렌-1-일기, 4-메틸나프탈렌-1-일기, 6-메틸나프탈렌-2-일기, 4-(1-나프틸)페닐기, 4-(2-나프틸)페닐기, 3-(1-나프틸)페닐기, 3-(2-나프틸)페닐기, 3-메틸-4-(1-나프틸)페닐기, 3-메틸-4-(2-나프틸)페닐기, 4-(2-메틸나프탈렌-1-일)페닐기, 3-(2-메틸나프탈렌-1-일)페닐기, 4-페닐나프탈렌-1-일기, 4-(2-메틸페닐)나프탈렌-1-일기, 4-(3-메틸페닐)나프탈렌-1-일기, 4-(4-메틸페닐)나프탈렌-1-일기, 6-페닐나프탈렌-2-일기, 4-(2-메틸페닐)나프탈렌-2-일기, 4-(3-메틸페닐)나프탈렌-2-일기, 4-(4-메틸페닐)나프탈렌-2-일기
(5) : 2-플루오레닐기, 9,9-디메틸-2-플루오레닐기, 9,9'-스피로비플루오레닐기, 9-페난트릴기, 2-페난트릴기, 11,11'-디메틸벤조[a]플루오렌-9-일기, 11,11'-디메틸벤조[a]플루오렌-3-일기, 11,11'-디메틸벤조[b]플루오렌-9-일기, 11,11'-디메틸벤조[b]플루오렌-3-일기, 11,11'-디메틸벤조[c]플루오렌-9-일기, 11,11'-디메틸벤조[c]플루오렌-2-일기, 3-플루오란테닐기, 8-플루오란테닐기
(6) : 1-이미다졸릴기, 2-페닐-1-이미다졸릴기, 2-페닐-3,4-디메틸-1-이미다졸릴기, 2,3,4-트리페닐-1-이미다졸릴기, 2-(2-나프틸)-3,4-디메틸-1-이미다졸릴기, 2-(2-나프틸)-3,4-디페닐-1-이미다졸릴기, 1-메틸-2-이미다졸릴기, 1-에틸-2-이미다졸릴기, 1-페닐-2-이미다졸릴기, 1-메틸-4-페닐-2-이미다졸릴기, 1-메틸-4,5-디메틸-2-이미다졸릴기, 1-메틸-4,5-디페닐-2-이미다졸릴기, 1-페닐-4,5-디메틸-2-이미다졸릴기, 1-페닐-4,5-디페닐-2-이미다졸릴기, 1-페닐-4,5-디비페닐릴-2-이미다졸릴기
(7) : 1-메틸-3-피라졸릴기, 1-페닐-3-피라졸릴기, 1-메틸-4-피라졸릴기, 1-페닐-4-피라졸릴기, 1-메틸-5-피라졸릴기, 1-페닐-5-피라졸릴기
(8) : 2-티아졸릴기, 4-티아졸릴기, 5-티아졸릴기, 3-이소티아졸릴기, 4-이소티아졸릴기, 5-이소티아졸릴기
(9) : 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 3-이소옥사졸릴기, 4-이소옥사졸릴기, 5-이소옥사졸릴기
(10) : 2-피리딜기, 3-메틸-2-피리딜기, 4-메틸-2-피리딜기, 5-메틸-2-피리딜기, 6-메틸-2-피리딜기, 3-피리딜기, 4-메틸-3-피리딜기, 4-피리딜기, 2-피리미딜기, 2,2'-비피리딘-3-일기, 2,2'-비피리딘-4-일기, 2,2'-비피리딘-5-일기, 2,3'-비피리딘-3-일기, 2,3'-비피리딘-4-일기, 2,3'-비피리딘-5-일기, 5-피리미딜기, 피라질기, 1,3,5-트리아질기, 4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일기
(11) : 1-벤조이미다졸릴기, 2-메틸-1-벤조이미다졸릴기, 2-페닐-1-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-2-벤조이미다졸릴기, 1-페닐-2-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-5-벤조이미다졸릴기, 1,2-디메틸-5-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-2-페닐-5-벤조이미다졸릴기, 1-페닐-5-벤조이미다졸릴기, 1,2-디페닐-5-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-6-벤조이미다졸릴기, 1,2-디메틸-6-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-2-페닐-6-벤조이미다졸릴기, 1-페닐-6-벤조이미다졸릴기, 1,2-디페닐-6-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-3-인다졸릴기, 1-페닐-3-인다졸릴기
(12) : 2-벤조티아졸릴기, 4-벤조티아졸릴기, 5-벤조티아졸릴기, 6-벤조티아졸릴기, 7-벤조티아졸릴기, 3-벤조이소티아졸릴기, 4-벤조이소티아졸릴기, 5-벤조이소티아졸릴기, 6-벤조이소티아졸릴기, 7-벤조이소티아졸릴기, 2,1,3-벤조티아디아졸-4-일기, 2,1,3-벤조티아디아졸-5-일기
(13) : 2-벤조옥사졸릴기, 4-벤조옥사졸릴기, 5-벤조옥사졸릴기, 6-벤조옥사졸릴기, 7-벤조옥사졸릴기, 3-벤조이소옥사졸릴기, 4-벤조이소옥사졸릴기, 5-벤조이소옥사졸릴기, 6-벤조이소옥사졸릴기, 7-벤조이소옥사졸릴기, 2,1,3-벤조옥사디아졸릴-4-일기, 2,1,3-벤조옥사디아졸릴-5-일기
(14) : 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 1-이소퀴놀릴기, 4-이소퀴놀릴기, 5-이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살릴기, 3-페닐-2-퀴녹살릴기, 6-퀴녹살릴기, 2,3-디메틸-6-퀴녹살릴기, 2,3-디페닐-6-퀴녹살릴기, 2-퀴나졸릴기, 4-퀴나졸릴기, 2-아크리디닐기, 9-아크리디닐기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기
(15) : 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-벤조티에닐기, 3-벤조티에닐기, 2-디벤조티에닐기, 4-디벤조티에닐기
(16) : 2-푸라닐기, 3-푸라닐기, 2-벤조푸라닐기, 3-벤조푸라닐기, 2-디벤조푸라닐기, 4-디벤조푸라닐기
(17) : 9-메틸카르바졸-2-일기, 9-메틸카르바졸-3-일기, 9-메틸카르바졸-4-일기, 9-페닐카르바졸-2-일기, 9-페닐카르바졸-3-일기, 9-페닐카르바졸-4-일기, 9-비페닐카르바졸-2-일기, 9-비페닐카르바졸-3-일기, 9-비페닐카르바졸-4-일기
(18) : 2-티안트릴기, 10-페닐페노티아진-3-일기, 10-페닐페노티아진-2-일기, 10-페닐페녹사진-3-일기, 10-페닐페녹사진-2-일기
(19) : 1-메틸인돌-2-일기, 1-페닐인돌-2-일기, 9-페닐카르바졸-4-일기
(20) : 4-(2-피리딜)페닐기, 4-(3-피리딜)페닐기, 4-(4-피리딜)페닐기, 3-(2-피리딜)페닐기, 3-(3-피리딜)페닐기, 3-(4-피리딜)페닐기
(21) : 4-(2-페닐이미다졸-1-일)페닐기, 4-(1-페닐이미다졸-2-일)페닐기, 4-(2,3,4-트리페닐이미다졸-1-일)페닐기, 4-(1-메틸-4,5-디페닐이미다졸-2-일)페닐기, 4-(2-메틸벤조이미다졸-1-일)페닐기, 4-(2-페닐벤조이미다졸-1-일)페닐기, 4-(1-메틸벤조이미다졸-2-일)페닐기, 4-(2-페닐벤조이미다졸-1-일)페닐기, 3-(2-메틸벤조이미다졸-1-일)페닐기, 3-(2-페닐벤조이미다졸-1-일)페닐기, 3-(1-메틸벤조이미다졸-2-일)페닐기, 3-(1-페닐벤조이미다졸-1-일)페닐기
(22) : 4-(3,5-디페닐트리아진-1-일)페닐기, 4-(2-티에닐)페닐기, 4-(2-푸라닐)페닐기, 5-페닐티오펜-2-일기, 5-페닐푸란-2-일기, 4-(5-페닐티오펜-2-일)페닐기, 4-(5-페닐푸란-2-일)페닐기, 3-(5-페닐티오펜-2-일)페닐기, 3-(5-페닐푸란-2-일)페닐기, 4-(2-벤조티에닐)페닐기, 4-(3-벤조티에닐)페닐기, 3-(2-벤조티에닐)페닐기, 3-(3-벤조티에닐)페닐기, 4-(2-디벤조티에닐)페닐기, 4-(4-디벤조티에닐)페닐기, 3-(2-디벤조티에닐)페닐기, 3-(4-디벤조티에닐)페닐기, 4-(2-디벤조푸라닐)페닐기, 4-(4-디벤조푸라닐)페닐기, 3-(2-디벤조푸라닐)페닐기, 3-(4-디벤조푸라닐)페닐기, 5-페닐피리딘-2-일기, 4-페닐피리딘-2-일기, 5-페닐피리딘-3-일기, 4-(9-카르바졸릴)페닐기, 3-(9-카르바졸릴)페닐기
(23) : 2-디벤조[g,p]크리세닐기, 3-디벤조[g,p]크리세닐기, 2-(7-페닐)디벤조[g,p]크리세닐기, 3-(7-페닐)디벤조[g,p]크리세닐기
(24) : N,N-디페닐아미노기, N,N-비스(4-비페닐일)-아미노기, N,N-비스(3-비페닐일)-아미노기, N-페닐-4-비페닐아미노기, N-페닐-3-비페닐아미노기, N-(4-비페닐)-4-p-터페닐아미노기, N-[4-(카르바졸-9-일)페닐]-4-비페닐아미노기, N3-[1,1'-비페닐]-4-일-N1,N1-디페닐-1,3-벤젠디아미노기, 4-트리페닐아미노기, 3-트리페닐아미노기, 4-(4',4''-디페닐)트리페닐아미노기, 3-(4',4''-디페닐)트리페닐아미노기, N1,N1,N3,N3-테트라페닐-1,3-벤젠디아미노기, 4-(페닐아미노)트리페닐아미노기
식 (2A) ∼ (5A) 로 나타내는 축합 고리 화합물에 있어서, A 는, 원료 입수의 용이성의 점에서, 각각 독립적으로, 페닐기, 비페닐릴기, 피리딜페닐기, 터페닐릴기, 나프틸기, 페난트릴기, 피레닐기, 9,9-스피로비[9H-플루오레닐]기, 트리페닐레닐기, 디벤조티에닐기, 디벤조푸라닐기, 피리딜기, 피리미딜기, 또는, 이들 기가, 시아노기, 니트로기, 하이드록실기, 티올기, 불소 원자, 염소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 메틸기, 메톡시기, 혹은 트리플루오로메틸술포닐옥시기로 치환된 기 ; 플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 안트릴기, 디벤조[g,p]크리세닐기, 카르바졸릴기, 또는, 이들 기가, 시아노기, 니트로기, 하이드록실기, 티올기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 메틸기, 메톡시기, 혹은 페닐기로 치환된 기 ; 4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일기, (4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)페닐기, 4,6-비스(4-비페닐릴)-1,3,5-트리아진-2-일기, 4,6-비스(3-비페닐릴)-1,3,5-트리아진-2-일기, 시아노기, 니트로기, 하이드록실기, 티올기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 디페닐포스핀옥사이드, 트리페닐실릴기, 디하이드록시보릴기(-B(OH)2), 4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]-디옥사보로라닐기, 5,5-디메틸-[1,3,2]-디옥사보리난기, 메틸기, N,N-디페닐아미노기, N,N-비스(4-비페닐릴)아미노기, N3-[1,1'-비페닐]-4-일-N1,N1-디페닐-1,3-벤젠디아미노기, N-페닐-3-비페닐릴아미노기, 4-트리페닐아미노기, 3-트리페닐아미노기, 4-(4',4''-디페닐)트리페닐아미노기, 3-(4',4''-디페닐)트리페닐아미노기, N1,N1,N3,N3-테트라페닐-1,3-벤젠디아미노기, 또는 4-(페닐아미노)트리페닐아미노기인 것이 바람직하다.
＜촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료의 바람직한 구체예＞
이하에, 식 (1) 로 나타내는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료에 대해, 바람직한 구체예를 나타내지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
표 B-1 ∼ B-7 은, 표 A-1 ∼ A-3 에 나타낸 (3Aa) ∼ (4Cd) 의 골격 및 치환 위치를 갖고, 또한, 그 치환 위치의 치환기 A 가, 표 B-1 ∼ B-7 에 나타낸 기인, (N-1) ∼ (N-275) 의 화합물을 나타내고 있다. 여기서, N 은 3 Aa ∼ 4Cd 의 임의의 기호를 나타낸다. 따라서, 예를 들어, (3Aa-3) 이라는 화합물의 경우, N=3Aa 일 때에는, (3Aa) 의 골격을 갖고, 그 골격이 갖는 치환기 A 가 Cl 원자인 (3Aa-3) 의 화합물을 나타내고 있다.
[표 A-1]
Figure pct00006
[표 A-2]
Figure pct00007
[표 A-3]
Figure pct00008
[표 B-1]
Figure pct00009
[표 B-2]
Figure pct00010
[표 B-3]
Figure pct00011
[표 B-4]
Figure pct00012
[표 B-5]
Figure pct00013
[표 B-6]
Figure pct00014
[표 B-7]
Figure pct00015
식 (1) 로 나타내는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료의 바람직한 구체예에 대해서는, 하기로 나타내는 화합물도 포함된다.
[화학식 6]
Figure pct00016
[화학식 7]
Figure pct00017
[화학식 8]
Figure pct00018
[화학식 9]
Figure pct00019
[화학식 10]
Figure pct00020
[화학식 11]
Figure pct00021
[화학식 12]
Figure pct00022
[화학식 13]
Figure pct00023
[화학식 14]
Figure pct00024
[화학식 15]
Figure pct00025
[화학식 16]
Figure pct00026
[화학식 17]
Figure pct00027
[화학식 18]
Figure pct00028
[화학식 19]
Figure pct00029
[화학식 20]
Figure pct00030
식 (1) 로 나타내는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료의 바람직한 구체예에 대해서는, 하기로 나타내는 화합물도 포함된다.
[화학식 21]
Figure pct00031
본 발명의 실시양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 공지된 방법에 의해 합성할 수 있다. 예를 들어, 일본 공개특허공보 2018-193371호, 일본 공개특허공보 2019-34939호, 일본 공개특허공보 2019-116472호, 일본 공개특허공보 2019-34933호, 일본 공개특허공보 2020-33332호, 일본 공개특허공보 2020-15691호, 일본 공개특허공보 2011-6397호, 일본 특허공보 제4968333호, US 공보 2019/0198781호, 국제 공개 제2017/109722호에 개시된 공지된 방법에 의해 합성할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료의 용도에 대해 설명한다.
＜촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 수송 재료＞
본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 공지된 재료를 사용할 수 있다.
촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 예를 들어, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 수송 재료, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 전하 블로킹 재료로서 사용할 수 있다.
본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 상기 식 (1) 로 나타내는 골격을 포함하는 화합물을 포함한다. 또, 본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 수송 재료, 및 촬상 소자용 광전 변환 소자용 전하 블로킹 재료는, 식 (1) 로 나타내는 골격을 포함하는 화합물을 포함한다. 식 (1) 로 나타내는 골격을 포함하는 화합물을 포함하는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 수송 재료, 및 촬상 소자용 광전 변환 소자용 전하 블로킹 재료는, 암전류 및 외부 양자 효율 특성이 우수한 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료의 제작에 이바지하는 것이다.
＜분자량에 대해＞
본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료 또는 식 (1) 로 나타내는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 승화시의 내열 안정성의 관점에서, 분자량이 1500 이하인 것이 바람직하고, 1000 이하인 것이 더욱 바람직하다.
＜HOMO 준위에 대해＞
본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료 또는 식 (1) 로 나타내는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료의 HOMO 준위는, 특별히 한정되지 않지만, 촬상 소자용 광전 변환 소자에 대한 적합성의 관점에서, HOMO 가 5.0 ∼ 6.5 eV 인 것이 바람직하다. 또한, 이 HOMO 값은, 증착막에 대해, 대기중 광전자 수량 분광 장치에 의한 측정으로부터 얻어진 값이다.
＜밴드 갭에 대해＞
본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료 또는 식 (1) 로 나타내는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료의 밴드 갭은, 특별히 한정되지 않지만, 촬상 소자용 광전 변환 소자에 대한 적합성의 관점에서, 밴드 갭이 2.5 ∼ 4.0 eV 인 것이 바람직하다. 또한, 이 밴드 갭은, 증착막의 흡수 스펙트럼의 파장단으로부터 얻어진 값이다.
＜LUMO 준위에 대해＞
본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료 또는 식 (1) 로 나타내는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료의 LUMO 준위는, 특별히 한정되지 않지만, 촬상 소자용 광전 변환 소자에 대한 적합성의 관점에서, LUMO 가 2.0 ∼ 3.5 eV 인 것이 바람직하다. 또한, 이 LUMO 값은, 상기 HOMO 값 및 밴드 갭으로부터 얻어진 값이다.
＜유리 전이 온도에 대해＞
본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료 또는 식 (1) 로 나타내는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료의 유리 전이 온도는, 특별히 한정되지 않지만, 촬상 소자용 광전 변환 소자에 대한 적합성의 관점에서, 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 110 ℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 130 ℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 이 유리 전이 온도는, 시차 주사 열량 측정으로부터 얻어진 값이다.
＜아모르퍼스성에 대해＞
본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료 또는 식 (1) 로 나타내는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 그 재료의 증착막이 아모르퍼스층을 형성하는 것이 바람직하다. 증착막이 결정층이면, 인접층과의 계면이 균일해지지 않기 때문에, 소자의 결함 요인이 된다.
증착막이 아모르퍼스층인지의 확인 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 육안에 의한 결정화의 유무에 의한 판단, 또는 증착막의 XRD 측정에 의해, 샤프한 회절 피크가 관측되지 않는 것 등으로 확인할 수 있다.
＜코브 (cove) 영역에 대해＞
본 발명의 일 양태는, 코브 영역을 갖는 화합물이 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료로서 유망한 것을 알아낸 데에 있다. 식 (1) 로 나타내는 골격에 있어서는, 코브 영역의 존재에 의해, X1 과 X2 의 입체 반발을 해소하기 위해서 공액계에 비틀림이 발생하는 것이 알려져 있다. 이 효과에 의해, 본 발명의 일 양태인 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 종래의 평면성의 다고리형의 화합물을 모핵으로 한 재료와 비교하여, 증착막에서의 아모르퍼스 안정성이 우수하다. 더불어, 본 발명의 일 양태인 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 공액계의 비틀림에 기인하여, 모핵끼리가 중첩되는 형태로 칼럼상으로 스태킹하는 효과를 기대할 수 있다.
본 발명의 일 양태인 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 코브 영역을 갖는 비틀린 다고리형 화합물을 모핵으로 함으로써, 증착막의 아모르퍼스막이 안정되고, 또한 증착막 중에 있어서도 모핵끼리가 어느 정도 규칙적으로 배열되어, 양호한 전하 수송 경로를 확보함으로써, 촬상 소자용 광전 변환 소자에 있어서의 우수한 암전류를 실현할 수 있었다고 추찰하고 있다. 또한, 본 발명의 일 양태는, 그 골격이 치환됨으로써, HOMO 준위의 조정, 유리 전이 온도의 향상, 아모르퍼스 성의 향상, 전하 수송성의 향상, 및 역전하에 대한 블로킹성의 향상 등, 필요에 따른 특성을 부여할 수도 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 양태인 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를, 후술하는 촬상 소자용 광전 변환 소자의 정공 수송층으로서 사용한 경우, 양호하게 정공을 수송함과 동시에, 역전하인 전자를 블록하는 효과를 기대할 수 있다. 역전하를 블록함으로써, 촬상 소자용 광전 변환 소자에 있어서의 암전류를 억제할 수 있다.
이들 구조적인 특성이, 하기에 설명하는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료로서의 기능을 발휘하고 있는 것으로 추측하고 있다.
＜촬상 소자용 광전 변환 소자＞
본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자는, 본 발명의 실시양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함한다.
촬상 소자용 광전 변환 소자의 구성에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 이하에 나타내는 (i) ∼ (vi) 의 구성을 들 수 있다.
(i) : 하부 전극/광전 변환층/상부 전극
(ii) : 하부 전극/정공 수송층 (전자 블로킹층)/광전 변환층/상부 전극
(iii) : 하부 전극/광전 변환층/전자 수송층 (정공 블로킹층)/상부 전극
(iv) : 하부 전극/정공 수송층 (전자 블로킹층)/광전 변환층/전자 수송층 (정공 블로킹층)/상부 전극
(v) : 하부 전극/버퍼층/정공 수송층 (전자 블로킹층)/광전 변환층/전자 수송층 (정공 블로킹층)/상부 전극
(vi) : 하부 전극/정공 수송층/전자 블로킹층/광전 변환층/정공 블로킹층/전자 수송층/상부 전극
또한, 버퍼층은, 필요에 따라, 다른 명칭 또는 기능을 갖는 층으로 치환해도 된다. 다른 명칭 또는 기능을 갖는 층으로는, 예를 들어, 일함수 조정층 등을 들 수 있다.
이하, 본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자를, 상기 (v) 의 구성을 예로 들어, 도 1 을 참조하면서 보다 상세하게 설명한다. 도 1 은, 본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함하는 촬상 소자용 광전 변환 소자의 적층 구성의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
촬상 소자용 광전 변환 소자 (100) 는, 기판 (1), 하부 전극 (2), 버퍼층 (3), 정공 수송층 (4), 광전 변환층 (5), 전자 수송층 (6), 및 상부 전극 (7) 을 이 순서로 구비한다. 여기서, 정공 수송층 (4) 및 전자 수송층 (6) 은, 각각, 전자 블로킹층 및 정공 블로킹층의 명칭이어도 된다. 단, 이들 층 중 일부의 층이 생략되어 있어도 되고, 또 반대로 다른 층이 추가되어 있어도 된다.
도 1 에 나타내는 촬상 소자용 광전 변환 소자에서는, 투명한 하부 전극 (2) 의 하방으로부터 광이 입사한다. 또, 촬상 소자용 광전 변환 소자는, 광전 변환층 (5) 에서 발생한 전하 (정공 및 전자) 중, 정공을 하부 전극 (2) 에 이동시키고, 전자를 상부 전극 (7) 에 이동시키도록 전압이 인가된다. 즉, 하부 전극 (2) 을 정공 포집 전극으로 하고, 상부 전극 (7) 을 전자 포집 전극으로 하고 있다.
[촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함하는 층]
촬상 소자용 광전 변환 소자는, 광전 변환층, 및, 그 광전 변환층과 하부 전극의 사이의 층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 층 이상에 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함한다. 따라서, 도 1 에 나타나는 구성예에 있어서 촬상 소자용 광전 변환 소자 (100) 는, 광전 변환층 (5) 및 정공 수송층 (4) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 층에 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함한다. 특히, 정공 수송층 (4) 이 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 촬상 소자용 광전 변환 소자가 구비하는 복수의 층에 포함되어 있어도 되고, 광전 변환층과 정공 수송층의 사이에 전자 블로킹층이 형성되어 있는 경우, 전자 블로킹층이 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함하고 있어도 된다.
이하, 정공 수송층 (4) 이 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함하는 촬상 소자용 광전 변환 소자 (100) 에 대해 설명한다.
[기판 (1)]
기판으로서 특별히 한정은 없고, 예를 들어 유리판, 석영판, 플라스틱판 등을 들 수 있다. 또, 기판 (1) 측으로부터 광이 입사하는 구성인 경우, 기판 (1) 은 광의 파장에 대해 투명하다.
[하부 전극 (2)]
기판 (1) 상에는 하부 전극 (2) 이 형성되어 있다.
광이 하부 전극을 통과하여, 광전 변환층에 입사하는 구성의 촬상 소자용 광전 변환 소자인 경우, 하부 전극은 당해 광을 통과시키거나 또는 실질적으로 통과시키는 투명 재료로 형성된다.
하부 전극 (2) 에 사용되는 투명 재료로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 인듐-주석 산화물 (ITO ; Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물 (IZO ; Indium Zinc Oxide), 산화주석, 알루미늄·도프형 산화주석, 마그네슘-인듐 산화물, 니켈-텅스텐 산화물, 그 밖의 금속 산화물, 질화갈륨 등의 금속 질화물, 셀렌화아연 등의 금속 셀렌화물, 및 황화아연 등의 금속 황화물 등을 들 수 있다.
또한, 상부 전극측만으로부터 광이 광전 변환층에 입사하는 구성의 촬상 소자용 광전 변환 소자인 경우, 하부 전극의 투과 특성은 중요하지 않다. 따라서, 이 경우의 하부 전극에 사용되는 재료의 일례로는, 이리듐, 몰리브덴, 팔라듐, 백금 등을 들 수 있다.
[버퍼층 (3)]
하부 전극 (2) 과 후술하는 정공 수송층 (4) 의 사이에는, 버퍼층 (3) 이 형성되어 있다. 버퍼층 (3) 은, 일함수를 조정함으로써, 정공 수송층 (전자 블로킹층) (4) 으로부터 정공을 효율적으로 수용하는 역할도 있고, 정공 주입층 혹은 일함수 조정층이라고도 불린다. 종래 공지된 버퍼층 (3) 의 구체예로는, 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 2 무수물 (NTCDA), 2,3,6,7,10,11-헥사시아노-1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌 (HATCN) 등을 들 수 있다.
[정공 수송층 (전자 블로킹층) (4)]
버퍼층 (3) 과 광전 변환층 (5) 의 사이에는, 정공 수송층 (전자 블로킹층이라고도 불린다) (4) 이 형성되어 있다.
정공 수송층 (4) 은, 광전 변환층 (5) 에서 발생한 정공을 광전 변환층 (5) 으로부터 하부 전극 (2) 측으로 수송하는 역할과, 광전 변환층 (5) 에서 발생한 전자가 하부 전극 (2) 측으로 이동하는 것을 블록하는 역할을 갖는다. 정공 수송층 (4) 은, 전술한 바와 같이, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함하는 것이 바람직하다.
정공 수송층 (4) 은, 1 종 또는 2 종 이상의 재료로 이루어지는 단층 구조여도 되고, 동일 조성 또는 이종 조성의 복수층으로 이루어지는 적층 구조여도 된다. 즉, 정공 수송성과 전자 블로킹성을 겸비하는 재료를, 정공 수송층으로서 단층 구조로 형성해도 되고, 정공 수송성에 특화된 재료를 정공 수송층으로서 형성한 후, 전자 블로킹성에 특화된 재료를 전자 블로킹층으로서 정공 수송층 상에 형성하여, 적층 구조로 해도 된다.
정공 수송층 (4) 은 상기 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료에 더해 추가로 종래 공지된 정공 수송 재료를 포함하고 있어도 된다. 종래 공지된 정공 수송 재료로는, 방향족 제 3 급 아민 화합물, 나프탈렌 화합물, 안트라센 화합물, 테트라센 화합물, 펜타센 화합물, 페난트렌 화합물, 피렌 화합물, 페릴렌 화합물, 플루오렌 화합물, 카르바졸 화합물, 인돌 화합물, 피롤 화합물, 피센 화합물, 티오펜 화합물, 벤조트리푸란 화합물, 벤조트리티오펜 화합물, 나프토디티오펜 화합물, 나프토티에노티오펜 화합물, 벤조디푸란 화합물, 벤조디티오펜 화합물, 벤조티오펜 화합물, 나프토비스벤조티오펜 화합물, 크리세노디티오펜 화합물, 벤조티에노벤조티오펜 화합물, 인돌로카르바졸 화합물 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 플루오렌 화합물, 나프토디티오펜 화합물, 나프토티에노티오펜 화합물, 벤조디푸란 화합물, 벤조티오펜 화합물, 나프토비스벤조티오펜 화합물, 크리세노디티오펜 화합물, 벤조티에노벤조티오펜 화합물, 인돌로카르바졸 화합물 등이 바람직하고, 특히 플루오렌 화합물, 크리세노디티오펜 화합물, 벤조티에노벤조티오펜 화합물, 인돌로카르바졸 화합물이 바람직하다.
종래 공지된 정공 수송 재료의 구체예로는, 9,9'-(9,9'-스피로비[9H-플루오렌]-2,7'-디일)비스[9H-카르바졸], 2,7-디페닐[1]벤조티에노[3,2-b][1]벤조티오펜 (DiPh-BTBT), 벤조[1,2-b:3,4-b':5,6-b'']트리푸란 화합물, 벤조[1,2-b:3,4-b':5,6-b'']트리티오펜 화합물, 나프토[1,2-b:5,6-b']디티오펜, 나프토[2,3-b]나프토[2',3':4,5]티에노[2,3-d]티오펜, 벤조[1,2-b:4,5-b']디푸란, 벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜, 벤조[1,2-b:4,5-b']비스[1]벤조티오펜, 나프토[1,2-b:5,6-b']비스[1]벤조티오펜, 크리세노[1,2-b:8,7-b']디티오펜, [1]벤조티에노[3,2-b][1]벤조티오펜, 이하에 나타내는 화합물 (ic-1), 및 (ic-2) 등을 들 수 있다.
[화학식 22]
Figure pct00032
[광전 변환층 (5)]
정공 수송층 (4) 과 후술하는 전자 수송층 (6) 의 사이에는, 광전 변환층 (5) 이 형성되어 있다.
광전 변환층 (5) 의 재료로는, 광전 변환 기능을 갖는 재료를 들 수 있다.
광전 변환층 (5) 은, 1 종 또는 2 종 이상의 재료로 이루어지는 단층 구조여도 되고, 동일 조성 또는 이종 조성의 복수층으로 이루어지는 적층 구조여도 된다.
1 종의 재료로 이루어지는 단층 구조인 광전 변환층 (5) 에 사용되는 재료로는, 예를 들어, (1) 쿠마린 및 그 유도체, 퀴나크리돈 및 그 유도체, 프탈로시아닌 및 그 유도체 등을 들 수 있다.
2 종의 재료로 이루어지는 단층 구조인 광전 변환층 (5) 에 사용되는 재료로는, 예를 들어, 전술한 (i) 쿠마린 및 그 유도체, 퀴나크리돈 및 그 유도체, 프탈로시아닌 및 그 유도체와, (ii) 풀러렌 및 그 유도체의 조합을 들 수 있다. 이들 재료로 이루어지는 광전 변환층 (5) 의 제작은, 미리 분말을 혼합한 상태에서 증착시켜 형성해도 되고, 임의의 비율로 공증착함으로써 형성해도 된다.
3 종의 재료로 이루어지는 단층 구조인 광전 변환층 (5) 에 사용되는 재료로는, 전술한 (i) 쿠마린 및 그 유도체, 퀴나크리돈 및 그 유도체, 프탈로시아닌 및 그 유도체, (ii) 풀러렌 및 그 유도체, 및 (iii) 정공 수송 재료와의 조합을 들 수 있다. 이들 재료로 이루어지는 광전 변환층 (5) 의 제작은, 미리 분말을 혼합한 상태에서 증착시켜 형성해도 되고, 임의의 비율로 공증착함으로써 형성해도 된다.
(i) 쿠마린 유도체의 구체예로는, 쿠마린 6, 쿠마린 30 을 들 수 있다. 퀴나크리돈 유도체의 구체예로는, N,N-디메틸퀴나크리돈을 들 수 있다. 프탈로시아닌 유도체의 구체예로는, 붕소 서브프탈로시아닌클로라이드, 붕소 서브나프탈로시아닌클로라이드 (SubNC) 를 들 수 있다.
(ii) 풀러렌 및 그 유도체의 구체예로는, [60]풀러렌, [70]풀러렌, [6,6]-페닐-C61-부티르산메틸 ([60]PCBM) 을 들 수 있다.
(iii) 정공 수송 재료의 바람직한 화합물 및 구체예로는, 전술한 정공 수송층 (4) 에서 기재한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
또, 광전 변환 기능을 갖는 재료는 광전 변환층에만 함유되는 것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 광전 변환 기능을 갖는 재료는, 광전 변환층 (5) 에 인접한 층 (정공 수송층 (4), 또는 전자 수송층 (6)) 이 함유되어 있어도 된다.
[전자 수송층 (정공 블로킹층) (6)]
광전 변환층 (5) 과 후술하는 상부 전극 (7) 의 사이에는, 전자 수송층 (정공 블로킹층이라고도 불린다) (6) 이 형성되어 있다.
전자 수송층 (6) 은, 광전 변환층 (5) 에서 발생한 전자를 상부 전극 (7) 측에 수송하는 역할과, 광전 변환층 (5) 에서 발생한 정공이 상부 전극 (7) 측으로 이동하는 것을 블록하는 역할을 갖는다.
또, 전자 수송층 (6) 에는, 종래 공지된 전자 수송 재료를 함유시킬 수 있다. 종래 공지된 전자 수송 재료로는, 예를 들어, 비스(8-하이드록시퀴놀리네이트)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리네이트)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리네이트)알루미늄, BCP(2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), BAlq(비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)-4-(페닐페놀레이트)알루미늄), 4,6-비스(3,5-디(피리딘-4-일)페닐)-2-메틸피리미딘, N,N'-디페닐-1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산디이미드, 및 N,N'-디(4-피리딜)-1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산디이미드 등을 들 수 있다.
전자 수송층 (6) 은, 1 종 또는 2 종 이상의 재료로 이루어지는 단층 구조여도 되고, 동일 조성 또는 이종 조성의 복수층으로 이루어지는 적층 구조여도 된다.
[상부 전극 (7)]
전자 수송층 (6) 상에는 상부 전극 (7) 이 형성되어 있다.
상부 전극 (7) 의 재료로는, 나트륨, 나트륨-칼륨 합금, 마그네슘, 리튬, 마그네슘/구리 혼합물, 은, 마그네슘/은 혼합물, 마그네슘/알루미늄 혼합물, 마그네슘/인듐 혼합물, 알루미늄/산화알루미늄 (Al2O3) 혼합물, 인듐, 리튬/알루미늄 혼합물, 희토류 금속 등을 들 수 있다.
[각 층의 형성 방법]
이상 설명한 하부 전극 (2), 상부 전극 (7) 을 제외한 각 층은, 각각의 층의 재료 (필요에 따라 결착 수지 등의 재료, 용제와 함께) 를, 예를 들어 진공 증착법, 스핀 코트법, 캐스트법, LB (Langmuir-Blodgett method) 법 등의 공지된 방법에 의해 박막화함으로써, 형성할 수 있다.
이와 같이 하여 형성된 각 층의 막두께에 대해서는 특별히 제한은 없고, 상황에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 통상은 5 ㎚ 이상 5 ㎛ 이하의 범위이다.
하부 전극 (2) 및 상부 전극 (7) 은, 전극 재료를 증착이나 스퍼터링 등의 방법에 의해 박막화함으로써, 형성할 수 있다. 증착이나 스퍼터링시에 원하는 형상의 마스크를 개재하여 패턴을 형성해도 되고, 증착이나 스퍼터링 등에 의해 박막을 형성한 후, 포토리소그래피로 원하는 형상의 패턴을 형성해도 된다.
하부 전극 (2) 및 상부 전극 (7) 의 막두께는, 1 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 10 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다.
하부 전극 (2) 및 상부 전극 (7) 은, 필요에 따라 각각을 구성하는 재료를 교체해도 되고, 동일한 재료를 사용해도 된다 (역형 구조라고도 불린다).
동일한 재료를 사용하는 구체예로는, 예를 들어, 하부 전극 (2) 이 ITO 시, 스퍼터링법을 사용하여, 상부 전극 (7) 을 ITO 층으로서 형성했을 경우 등을 들 수 있다. 이와 같은 구조인 경우, 광은 상부 전극 (7) 을 통과하여, 광전 변환층 (5) 에 입사하는 구성의 촬상 소자용 광전 변환 소자가 된다.
또, 하부 전극 (2) 및 상부 전극 (7) 을 구성하는 재료를 교체하는 경우, 상기 (v) 의 구성과 반대의 순서로 층을 적층해도 된다. 예를 들어, 하기 (I) ∼ (IV) 에 나타내는 구성을 들 수 있다.
(I) : 하부 전극/전자 수송층 (정공 블로킹층)/광전 변환층/상부 전극
(II) : 하부 전극/광전 변환층/정공 수송층 (전자 블로킹층)/상부 전극
(III) : 하부 전극/전자 수송층 (정공 블로킹층)/광전 변환층/정공 수송층 (전자 블로킹층)/상부 전극
(IV) : 하부 전극/전자 수송층 (정공 블로킹층)/광전 변환층/정공 수송층 (전자 블로킹층)/버퍼층/상부 전극
상기 (IV) 의 구성에 있어서, 하부 전극 및 상부 전극이 (v) 의 구성과 마찬가지로, 각각, 투명 재료 및 투명성이 없는 재료인 경우, 광은 하부 전극을 통과하여, 광전 변환층에 입사하는 구성의 촬상 소자용 광전 변환 소자가 되지만, 인가하는 전압은 전술한 (v) 의 구성과는 역방향이 된다 (역바이어스라고도 불린다). 즉, 광전 변환층에서 발생한 정공 및 전자를, 각각, 상부 전극측 및 하부 전극측에 수송하도록 전압을 인가한다. 또, 상기 구성에 있어서, 버퍼층은 상부 전극을 스퍼터링법에 의해 형성할 때의, 유기막에 대한 대미지를 저감하는 역할이 있다.
본 발명의 일 양태에 관련된 광전 변환 소자를 구비한 촬상 소자는, 예를 들어, 디지털 카메라나 디지털 비디오 카메라의 촬상 소자, 및, 휴대 전화 등에 내장된 촬상 소자에 적용할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 한정하여 해석되는 것은 아니다.
(소자 실시예 A-1 : 화합물 (2C-7) 을 사용한 촬상 소자용 광전 변환 소자의 제작)
도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1), 하부 전극 (2), 정공 수송층 (4), 광전 변환층 (5), 전자 수송층 (6), 상부 전극 (7) 으로 이루어지는 적층 구성을 갖는 촬상 소자용 광전 변환 소자 (101) 를 제작하고, 그 광전 변환 소자의 암전류를 평가하였다.
(기판 (1), 하부 전극 (2) 의 준비)
하부 전극을 그 표면에 구비한 기판으로 하여, 2 ㎜ 폭의 산화인듐-주석 (ITO) 막 (막두께 110 ㎚) 이 스트라이프상으로 패턴된 ITO 투명 전극 부착 유리 기판을 준비하였다. 이어서, 이 기판을 이소프로필알코올로 세정한 후, 오존 자외선 세정으로 표면 처리를 실시하였다.
(진공 증착의 준비)
세정 후의 표면 처리가 실시된 기판 상에, 진공 증착법으로 각 층의 진공 증착을 실시하여, 각 층을 적층 형성하였다.
먼저, 진공 증착조 내에 상기 유리 기판을 도입하고, 7.0 × 10-5 Pa 까지 감압하였다. 그리고, 이하의 순서로, 각층의 성막 조건에 따라서 각각 제작하였다.
(정공 수송층 (4) 의 제작)
승화 정제한 화합물 (2C-7) 을 0.15 ㎚/초의 속도로 30 ㎚ 성막하고, 정공 수송층 (4) 을 제작하였다. 또한, 본 구성에 있어서는, 하부 전극 (2) 과 정공 수송층 (4) 의 사이의 버퍼층은 제작하지 않았다.
(광전 변환층 (5) 의 제작)
N,N-디메틸퀴나크리돈을 0.30 ㎚/초의 속도로 100 ㎚ 성막하고, 광전 변환층 (5) 을 제작하였다.
(전자 수송층 (6) 의 제작)
트리스(8-하이드록시퀴놀리네이트)알루미늄을 0.15 ㎚/초의 속도로 30 ㎚ 성막하고, 전자 수송층 (6) 을 제작하였다.
(상부 전극 (7) 의 제작)
마지막으로, 기판 상의 ITO 스트라이프와 직행하도록 메탈 마스크를 배치하고, 상부 전극 (7) 을 성막하였다. 상부 전극은, 알루미늄을 100 ㎚ 성막하였다. 알루미늄의 성막 속도는 3 ㎚/초였다.
이상에 의해, 도 2 에 나타내는 바와 같은 면적 4 ㎟ 의 촬상 소자용 광전 변환 소자 (101) 를 제작하였다. 또한, 각각의 막두께는, 촉침식 막두께 측정계 (DEKTAK, Bruker 사 제조) 로 측정하였다.
또한, 이 소자를 산소 및 수분 농도 1 ppm 이하의 질소 분위기 글로브 박스 내에서 봉지하였다. 봉지는, 유리제의 봉지 캡과 성막 기판 (소자) 을, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (나가세켐텍스사 제조) 를 사용하여 실시하였다.
상기와 같이 하여 제작한 촬상 소자용 광전 변환 소자에, 하부 전극 (2) 측에 정공이, 상부 전극 (7) 측에 전자가 수송되도록, 절대치로서 2.5 V 의 전압을 인가했을 때의, 암소에서의 전류 (암전류) 를 평가하였다. 암전류의 측정은, 키슬리사 제조의 소스·메이저·유닛 2636B 를 사용하여 평가하였다.
또한, 암전류는, 소자 비교예 A-1 에 있어서의 결과를 기준치 (1.0) 로 한 상대치이다. 얻어진 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.
(소자 실시예 A-2 ∼ A-3, 소자 비교예 A-1)
소자 실시예 A-1 에 있어서, 화합물 (2C-7) 대신에, 각각, 차례로, 화합물 (2C-25), (3Ja-186), 2,7-디페닐[1]벤조티에노[3,2-b][1]벤조티오펜 (DiPh-BTBT) 을 사용한 것 이외에는, 소자 실시예 A-1 과 동일한 방법으로 촬상 소자용 광전 변환 소자를 제작하고, 평가하였다. 얻어진 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00033
표 1 로부터, 본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 비교예 화합물보다 2, 3 자리수 낮은 오더에서의 암전류를 제공할 수 있다.
(소자 실시예 B-1 : : 화합물 (2C-1) 을 사용한 촬상 소자용 광전 변환 소자의 제작)
도 3 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1), 하부 전극 (2), 전자 수송층 (6), 광전 변환층 (5), 정공 수송층 (4), 버퍼층 (3), 상부 전극 (7) 으로 이루어지는 적층 구성을 갖는 촬상 소자용 광전 변환 소자 (102) 를 제작하고, 그 광전 변환 소자의 암전류와 외부 양자 효율을 평가하였다.
(기판 (1), 하부 전극 (2) 의 준비)
기판 (1) 및 하부 전극 (2) 의 준비에 대해서는, 소자 실시예 A-1 과 동일한 순서로 실시하였다.
(전자 수송층 (6) 의 제작)
승화 정제한 화합물 4,6-비스(3,5-디(피리딘-4-일)페닐)-2-메틸피리미딘을 0.10 ㎚/초의 속도로 10 ㎚ 성막하고, 전자 수송층 (6) 을 제작하였다.
(광전 변환층 (5) 의 제작)
N,N-디메틸퀴나크리돈 및 C60 을 4 : 1 (질량비) 의 비율로 120 ㎚ 성막하고, 광전 변환층 (5) 을 제작하였다. 성막 속도는 0.15 ㎚/초였다.
(정공 수송층 (4) 의 제작)
승화 정제한 화합물 (2C-1) 을 0.10 ㎚/초의 속도로 10 ㎚ 성막하고, 정공 수송층 (4) 을 제작하였다.
(버퍼층 (3) 의 제작)
승화 정제한 화합물 2,3,6,7,10,11-헥사시아노-1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌 (HATCN) 을 0.10 ㎚/초의 속도로 10 ㎚ 성막하고, 버퍼층 (3) 을 제작하였다.
(상부 전극 (7) 의 제작)
마지막으로, 기판상의 ITO 스트라이프와 직행하도록 메탈 마스크를 배치하고, 상부 전극 (7) 을 성막하였다. 상부 전극은, 은을 80 ㎚ 성막하였다. 은의 성막 속도는 0.1 ㎚/초였다.
이상에 의해, 도 3 에 나타내는 바와 같은 면적 4 ㎟ 의 촬상 소자용 광전 변환 소자 (102) 를 제작하였다. 또한, 각각의 막두께는, 촉침식 막두께 측정계 (DEKTAK, Bruker 사 제조) 로 측정하였다.
또한, 이 소자를 산소 및 수분 농도 1 ppm 이하의 질소 분위기 글로브 박스 내에서 봉지하였다. 봉지는, 유리제의 봉지 캡과 성막 기판 (소자) 을, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (나가세켐텍스사 제조) 를 사용하여 실시하였다.
상기와 같이 하여 제작한 촬상 소자용 광전 변환 소자에 소자 실시예 A-1 과는 역방향, 즉 하부 전극 (2) 측에 전자가, 상부 전극 (7) 측에 정공이 수송되도록, 절대치로서 2.5 V 의 전압을 인가했을 때의, 암소에서의 전류 (암전류) 및 외부 양자 효율을 평가하였다. 암전류의 측정은, 키슬리사 제조의 소스·메이저·유닛 2636B 를 사용하여 평가하였다. 외부 양자 효율의 측정에는 태양 전지 분광 감도 측정 장치 (소마광학사 제조) 를 사용하였다. 조사 광의 파장은 560 ㎚ 이고, 강도 50μW/㎠ 로 측정을 실시하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
또한, 암전류 및 외부 양자 효율은, 각각, 소자 비교예 B-1 에 있어서의 결과를 기준치 (1.0) 및 (100) 으로 한 상대치이다. 얻어진 측정 결과를 표 2 에 나타낸다.
(소자 실시예 B-2 ∼ B-19 및 소자 비교예 B-1)
소자 실시예 B-1 의 정공 수송층 (전자 블로킹층) (4) 의 제작에 있어서, 화합물 (2C-1) 대신에, 각각 화합물 (2C-2), 화합물 (2C-3), 화합물 (2C-7), 화합물 (2C-8), 화합물 (2C-12), 화합물 (2C-13), 화합물 (2C-26), 화합물 (2C-32), 화합물 (2C-61), 화합물 (2C-107), 화합물 (2C-108), 화합물 (3Eb-194), 화합물 (3Ia-91), 화합물 (3Ia-194), 화합물 (3Oa-88), 화합물 (4Ac-192), 화합물 (4Bb-192), 화합물 (5A-0), 또는 2,7-디페닐[1]벤조티에노[3,2-b][1]벤조티오펜 (DiPh-BTBT) 을 사용한 것 이외에는, 소자 실시예 B-1 과 동일한 방법에 의해, 각각 소자 실시예 B-2 ∼ B-19 및 소자 비교예 B-1 의 촬상 소자용 광전 변환 소자를 제작하고, 소자 실시예 B-1 과 동일한 방법에 의해 암전류 및 외부 양자 효율을 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
[표 2]
Figure pct00034
표 2 로부터, 본 발명의 일 양태에 관련된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료는, 비교예 화합물보다 높은 외부 양자 효율을 제공할 수 있다.
실시예 및 비교예에서 사용한 화합물 (2C-1), 화합물 (2C-2), 화합물 (2C-3), 화합물 (2C-7), 화합물 (2C-8), 화합물 (2C-12), 화합물 (2C-13), 화합물 (2C-25), 화합물 (2C-26), 화합물 (2C-32), 화합물 (2C-61), 화합물 (2C-107), 화합물 (2C-108), 화합물 (3Eb-194), 화합물 (3Ia-91), 화합물 (3Ia-194), 화합물 (3Ja-186), 화합물 (3Oa-88), 화합물 (4Ac-192), 화합물 (4Bb-192), 화합물 (5a-0) 은, 일본 공개특허공보 2019-34939호, 일본 공개특허공보 2018-193371호, 일본 공개특허공보 2020-15691호, 일본 공개특허공보 2011-6397호, 일본 공개특허공보 2019-34933호, 일본 공개특허공보 2020-33332호, 및 국제 공개 제2017/109722호에 개시된 방법에 의해 합성하였다. 화합물 (DiPh-BTBT) 은, 도쿄 화성 공업사의 승화 그레이드품을 사용하였다.
본 발명을 상세하게, 또 특정한 실시양태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 본질과 범위를 일탈하지 않고 다양한 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은 당업자에게 있어서 명확하다.
또한, 2021년 6월 11일에 출원된 일본 특허출원 2021-098353호, 및 2022년 1월 7일에 출원된 일본 특허출원 2022-001855호의 명세서, 특허 청구의 범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.
1 : 기판
2 : 하부 전극
3 : 버퍼층
4 : 정공 수송층 (전자 블로킹층)
5 : 광전 변환층
6 : 전자 수송층 (정공 블로킹층)
7 : 상부 전극
100 : 촬상 소자용 광전 변환 소자
101 : 촬상 소자용 광전 변환 소자
102 : 촬상 소자용 광전 변환 소자

Claims (20)

  1. 분자 구조 중에 코브 (cove) 영역을 갖는 골격을 포함하고, 그 골격이 치환되어 있어도 되는 화합물을 포함하고,
    단, 그 화합물로서, 무치환의 디벤조[g,p]크리센을 포함하지 않는, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 골격이 하기 식 (1) 로 나타내어지는, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
    Figure pct00035

    (식 (1) 중,
    X1 ∼ X4 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고 ;
    X1 ∼ X4 는, 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우는 없고 ;
    복수의 X1 ∼ X4 는, 동일해도 상이해도 되고 ;
    Z1 ∼ Z8 은, 각각 독립적으로, 질소 원자, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자를 나타내고 ;
    Z1 ∼ Z8 중, 적어도 6 개는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자이며 ;
    복수의 Z1 ∼ Z8 은, 동일해도 상이해도 되고 ;
    Z1 ∼ Z8 중 어느 것이, 치환기를 갖는 탄소 원자인 경우, 그 탄소 원자에 인접하는 1 개 혹은 2 개의 Z1 ∼ Z8 중 어느 것의 탄소 원자 상의 치환기와 결합하여, 고리를 형성해도 된다.)
  3. 제 2 항에 있어서,
    Z1 ∼ Z8 중, 적어도 7 개가 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  4. 제 2 항에 있어서,
    Z1 ∼ Z8 이 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    X1 및 X2 가 수소 원자인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Z3 및 Z4 가 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자이며, Z3 및 Z4 의 치환기가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있는, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  7. 하기 식 (2A) ∼ (5B) 의 어느 것으로 나타내는 화합물을 포함하는, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
    Figure pct00036

    Figure pct00037

    (식 (2A) ∼ (5B) 중,
    A 는 전하 수송성 치환기를 나타내고 ;
    Ar2 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기, 및 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기를 나타내고 ;
    R1 및 R2 는, 각각 독립적으로,
    수소 원자 ;
    중수소 원자 ;
    치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기 ;
    치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기 ;
    탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기 ;
    또는, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기를 나타내고 ;
    R1 및 R2 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.
    k 는 1 ∼ 4 의 정수를 나타내고 ;
    복수의 A 는 동일해도 상이해도 된다.)
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 전하 수송성 치환기가, 각각 독립적으로,
    중수소 원자 ;
    불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 ;
    트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기 ;
    시아노기 ;
    니트로기 ;
    하이드록실기 ;
    티올기 ;
    치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기 ;
    치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기 ;
    치환기를 갖고 있어도 되는 포스핀옥사이드기 ;
    치환기를 갖고 있어도 되는 실릴기 ;
    탄소수 2 ∼ 10 의 포화 탄화수소기를 갖고 있어도 되는 보로닐기 ;
    탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기 ;
    탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알콕시기 ;
    트리플루오로메틸술포닐옥시기 ; 또는,
    하기 식 (6) 혹은 (6') 로 나타내어지는 기인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
    Figure pct00038

    (식 중,
    R100 ∼ R300 은, 각각 독립적으로,
    수소 원자, 중수소 원자 ;
    치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 방향족 탄화수소기 ;
    치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 36 의 단고리, 연결, 혹은 축환의 헤테로 방향족기 ; 또는,
    탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기를 나타내고 ;
    L 은, 각각 독립적으로,
    메틸기 혹은 페닐기로 치환되어 있어도 되는 페닐렌기,
    메틸기 혹은 페닐기로 치환되어 있어도 되는 나프틸렌기,
    메틸기 혹은 페닐기로 치환되어 있어도 되는 비페닐렌기, 또는
    단결합을 나타내고 ;
    n 은, 1 또는 2 를 나타내고 ;
    L 이 단결합인 경우, n 은 1 이며 ;
    L 이 단결합이 아닌 경우, n 은 1 또는 2 이며 ;
    n 이 2 인 경우, 복수의 R100 또는 R200 은, 동일해도 상이해도 된다.)
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    분자량이 1500 이하인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    분자량이 1000 이하인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    HOMO 값이 5.0 ∼ 6.5 eV 인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    밴드 갭이 2.5 ∼ 4.0 eV 인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    LUMO 값이 2.0 ∼ 3.5 eV 인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유리 전이 온도가 100 ℃ 이상인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유리 전이 온도가 110 ℃ 이상인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유리 전이 온도가 130 ℃ 이상인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    촬상 소자용 광전 변환 소자용 수송 재료 또는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 전하 블로킹 재료인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    촬상 소자용 광전 변환 소자용 정공 수송 재료 또는 촬상 소자용 광전 변환 소자용 전자 블로킹 재료인, 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료.
  19. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료를 포함하는, 촬상 소자용 광전 변환 소자.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 촬상 소자용 광전 변환 소자용 재료의 증착막이 아모르퍼스층인, 촬상 소자용 광전 변환 소자.
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