KR20240003436A - 웨이퍼 적재대 - Google Patents

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KR20240003436A
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다츠야 구노
마사키 이시카와
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엔지케이 인슐레이터 엘티디
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Abstract

웨이퍼 적재대(10)는, 상면에 웨이퍼 적재면(21a)을 갖고, 전극(22)을 내장하는 세라믹 기재(21)와, 금속과 세라믹의 복합 재료제 또는 저열팽창 금속 재료제의 제1 냉각 기재(23)와, 세라믹 기재(21)의 하면과 제1 냉각 기재(23)의 상면을 접합하는 금속 접합층(25)과, 내부에 냉매 유로(35)가 형성된 제2 냉각 기재(30)와, 제1 냉각 기재(23)의 하면과 제2 냉각 기재(30)의 상면 사이에 배치된 방열 시트(40)와, 제1 냉각 기재(23)의 하면에 개구된 나사 구멍(24)과, 나사 구멍(24)에 대향하는 위치에 마련되어 제2 냉각 기재(30)를 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍(36)과, 관통 구멍(36)에 제2 냉각 기재(30)의 하면으로부터 삽입되어, 나사 구멍(24)에 나사 결합된 나사 부재(50)를 구비한다.

Description

웨이퍼 적재대
본 발명은, 웨이퍼 적재대에 관한 것이다.
종래, 정전 전극을 매설한 알루미나 등의 세라믹 기재와, 알루미늄 등의 금속으로 이루어지는 냉각 기재를, 수지층을 개재하여 접합한 웨이퍼 적재대가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이러한 웨이퍼 적재대에 의하면, 수지층에 의해 세라믹 기재와 냉각 기재의 열팽창차의 영향을 완화할 수 있다. 수지층 대신에 금속 접합층을 사용하여 세라믹 기재와 내부에 냉매 유로를 구비한 냉각 기재를 접합한 웨이퍼 적재대도 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 2, 3). 금속 접합층은, 수지층에 비해 열전도율이 높기 때문에, 하이파워 플라스마로 웨이퍼를 처리하는 경우에 요구되는 방열 능력을 실현할 수 있다. 한편, 금속 접합층은, 수지층에 비해 영률이 크고 응력 완화성이 낮기 때문에, 세라믹 기재와 냉각 기재의 열팽창차의 영향을 완화하는 것을 거의 할 수 없다. 그 때문에, 특허문헌 2, 3에서는, 냉각 기재의 재료로서, 세라믹 기재와 열팽창 계수차가 작은, 금속과 세라믹의 복합 재료를 사용하고 있다.
일본 특허 공개 평4-287344호 공보 일본 특허 제5666748호 공보 일본 특허 제5666749호 공보
그러나, 금속과 세라믹의 복합 재료는 알루미늄 등의 금속보다도, 고가이고, 난가공성이고 냉매 유로의 형성 비용도 높기 때문에, 웨이퍼 적재대의 제조 비용이 높아지는 경우가 있었다. 또한, 금속과 세라믹의 복합 재료 대신에, 세라믹 기재와 열팽창 계수차가 작은 저열팽창 금속 재료를 사용하는 것도 생각할 수 있지만, 저열팽창 금속 재료도 고가이고, 난가공성이고 냉매 유로의 형성 비용도 높기 때문에, 웨이퍼 적재대의 제조 비용이 높아지는 경우가 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이고, 웨이퍼를 냉각하는 효율이 높은 웨이퍼 적재대의 제조 비용을 저감하는 것을 주목적으로 한다.
[1] 본 발명의 웨이퍼 적재대는,
상면에 웨이퍼 적재면을 갖고, 전극을 내장하는 세라믹 기재와,
금속과 세라믹의 복합 재료제 또는 저열팽창 금속 재료제의 제1 냉각 기재와,
상기 세라믹 기재의 하면과 상기 제1 냉각 기재의 상면을 접합하는 금속 접합층과,
내부에 냉매 유로가 형성된 제2 냉각 기재와,
상기 제1 냉각 기재의 하면과 상기 제2 냉각 기재의 상면 사이에 배치된 방열 시트와,
상기 제1 냉각 기재의 하면에 개구된 나사 구멍과,
상기 나사 구멍에 대향하는 위치에 마련되어 상기 제2 냉각 기재를 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍과,
상기 관통 구멍에 상기 제2 냉각 기재의 하면으로부터 삽입되어, 상기 나사 구멍에 나사 결합된 나사 부재
를 구비한 것이다.
이 웨이퍼 적재대에서는, 세라믹 기재에 제1 냉각 기재가 금속 접합층으로 접합되어 있어 웨이퍼를 냉각하는 효율이 높은 데다가, 제1 냉각 기재와 제2 냉각 기재가 나사 부재로 체결되고, 제1 냉각 기재와 제2 냉각 기재 사이에는 방열 시트가 배치되어 있다. 방열 시트는 제1 냉각 기재와 제2 냉각 기재가 나사 부재에 의해 체결됨으로써 제1 냉각 기재와 제2 냉각 기재에 확실히 밀착하기 때문에, 제1 냉각 기재의 열은 제2 냉각 기재로 빠르게 전도된다. 따라서, 웨이퍼를 냉각하는 효율이 높다. 또한, 제1 냉각 기재와 제2 냉각 기재는 나사 부재로 접합되어 있기 때문에, 웨이퍼 적재대의 사용에 수반하여 세라믹 기재가 열화되었을 때, 세라믹 기재와 제1 냉각 기재가 금속 접합된 부재만을 교환하고, 내부에 냉매 유로가 형성된 제2 냉각 기재를 그대로 재이용할 수 있다. 그 때문에, 웨이퍼 적재대의 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 본 명세서에서는, 상하, 좌우, 전후 등을 사용하여 본 발명을 설명하는 경우가 있지만, 상하, 좌우, 전후는 상대적인 위치 관계에 지나지 않는다. 그 때문에, 웨이퍼 적재대의 방향을 바꾼 경우에는 상하가 좌우로 되거나 좌우가 상하로 되거나 하는 경우가 있지만, 그러한 경우도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
[2] 상술한 웨이퍼 적재대(상기 [1]에 기재된 웨이퍼 적재대)에 있어서, 상기 방열 시트의 열저항은 0.35K·㎠/W 이하인 것으로 해도 된다. 이렇게 하면, 제1 냉각 기재의 열이 제2 냉각 기재로 더 빠르게 전도되기 때문에 웨이퍼를 냉각하는 효율이 더 높아진다.
[3] 상술한 웨이퍼 적재대(상기 [1] 또는 [2]에 기재된 웨이퍼 적재대)에 있어서, 상기 방열 시트의 영률은 100㎫ 이하인 것으로 해도 된다. 방열 시트의 영률이 작을수록, 나사 부재의 체결력이 방열 시트의 전체면에 걸쳐 균등하게 전해진다. 그것에 의해, 방열 시트는 제1 냉각 기재와 제2 냉각 기재에 확실히 밀착하기 때문에, 웨이퍼를 냉각하는 효율이 더 높아진다.
[4] 상술한 웨이퍼 적재대(상기 [1] 내지 [3]의 어느 것에 기재된 웨이퍼 적재대)에 있어서, 상기 나사 구멍을 복수 구비하고, 인접하는 2개의 나사 구멍의 중심간 간격이 100㎜ 이하인 것으로 해도 된다. 이렇게 하면, 제1 냉각 기재와 제2 냉각 기재를 더 긴밀히 체결할 수 있어, 방열 시트는 제1 냉각 기재와 제2 냉각 기재에 확실히 밀착하기 때문에, 웨이퍼를 냉각하는 효율이 더 높아진다.
[5] 상술한 웨이퍼 적재대(상기 [1] 내지 [4]의 어느 것에 기재된 웨이퍼 적재대)에 있어서, 상기 나사 구멍의 깊이는, 상기 나사 부재의 호칭 직경의 1.5배 이하인 것으로 해도 된다. 이렇게 하면, 제1 냉각 기재의 두께를 얇게 할 수 있다. 그것에 의해, 세라믹 기재의 하면으로부터 제2 냉각 기재의 상면까지의 전열 거리를 짧게 하는 것이 가능해, 웨이퍼를 냉각하는 효율을 더 높일 수 있다.
[6] 상술한 웨이퍼 적재대(상기 [1] 내지 [5]의 어느 것에 기재된 웨이퍼 적재대)에 있어서, 상기 제1 냉각 기재의 두께는 4㎜ 이상 8㎜ 이하인 것으로 해도 된다. 제1 냉각 기재의 두께가 4㎜ 이상이면, 제1 냉각 기재의 휨이 억제되어, 방열 시트는 제1 냉각 기재와 제2 기재에 확실히 밀착하기 때문에, 웨이퍼를 냉각하는 효율이 더 높아진다. 또한, 제1 냉각 기재의 두께가 8㎜ 이하이면, 세라믹 기재의 하면으로부터 제1 냉각 기재의 상면까지의 전열 거리가 짧기 때문에, 웨이퍼를 냉각하는 효율을 더 높일 수 있다.
[7] 상술한 웨이퍼 적재대(상기 [1] 내지 [6]의 어느 것에 기재된 웨이퍼 적재대)에 있어서, 상기 제2 냉각 기재는 가공 용이성 재료제인 것으로 해도 된다. 이렇게 하면, 제2 냉각 기재에 냉매 유로를 용이하게 형성할 수 있기 때문에, 가공 비용을 저감할 수 있다.
도 1은 챔버(94)에 설치된 웨이퍼 적재대(10)의 종단면도.
도 2는 웨이퍼 적재대(10)의 평면도.
도 3은 냉매 유로(35)를 지나는 수평면에서 웨이퍼 적재대(10)를 절단한 단면을 위에서부터 본 단면도.
도 4는 웨이퍼 적재대(10)의 제조 공정도(상부 기재(20)의 제조 공정).
도 5는 웨이퍼 적재대(10)의 제조 공정도(제2 냉각 기재(30)의 제조 공정).
도 6은 웨이퍼 적재대(10)의 제조 공정도(웨이퍼 적재대(10)의 조립 공정).
도 7은 챔버(94)에 설치된 웨이퍼 적재대(110)의 종단면도.
본 발명의 적합한 실시 형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 챔버(94)에 설치된 웨이퍼 적재대(10)의 종단면도(웨이퍼 적재대(10)의 중심축을 포함하는 면에서 절단했을 때의 단면도), 도 2는 웨이퍼 적재대(10)의 평면도, 도 3은 냉매 유로(35)를 지나는 수평면에서 웨이퍼 적재대(10)를 절단한 단면을 위에서부터 본 단면도이다. 본 명세서에 있어서 수치 범위를 나타내는 「내지(∼)」는, 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로서 사용된다.
웨이퍼 적재대(10)는, 웨이퍼(W)에 플라스마를 이용하여 CVD나 에칭 등을 행하기 위해 사용되는 것이고, 반도체 프로세스용의 챔버(94)의 내부에 마련된 설치판(96)에 고정되어 있다. 웨이퍼 적재대(10)는, 세라믹 기재(21)와, 제1 냉각 기재(23)와, 금속 접합층(25)과, 제2 냉각 기재(30)와, 방열 시트(40)와, 나사 부재(50)를 구비하고 있다. 또한, 이하에는, 세라믹 기재(21)와 제1 냉각 기재(23)가 금속 접합층(25)으로 접합된 부재를, 상부 기재(20)라고도 칭한다.
상부 기재(20)는, 세라믹 기재(21)와, 제1 냉각 기재(23)와, 세라믹 기재(21)의 하면과 제1 냉각 기재(23)의 상면을 접합하는 금속 접합층(25)을 구비하고 있다. 상부 기재(20)의 두께는, 강도를 고려하면 8㎜ 이상이나 10㎜ 이상인 것이 바람직하고, 냉각 효율을 고려하면 25㎜ 이하인 것이 바람직하다.
세라믹 기재(21)는, 원형의 웨이퍼 적재면(21a)을 구비하고 있다. 웨이퍼 적재면(21a)에는 웨이퍼(W)가 적재된다. 세라믹 기재(21)는, 알루미나, 질화알루미늄 등으로 대표되는 세라믹 재료로 형성되어 있다.
세라믹 기재(21)는, 웨이퍼 적재면(21a)에 가까운 측에, 웨이퍼 흡착용 전극(22)을 내장하고 있다. 웨이퍼 흡착용 전극(22)은, 예를 들어 W, Mo, WC, MoC 등을 함유하는 재료에 의해 형성되어 있다. 웨이퍼 흡착용 전극(22)은, 원판 형상 또는 메쉬 형상의 단극형의 정전 전극이다. 세라믹 기재(21) 중 웨이퍼 흡착용 전극(22)보다도 상측의 층은 유전체층으로서 기능한다. 웨이퍼 흡착용 전극(22)에는, 웨이퍼 흡착용 직류 전원(52)이 급전 단자(54)를 통해 접속되어 있다. 급전 단자(54)는, 제2 냉각 기재(30), 방열 시트(40), 제1 냉각 기재(23) 및 금속 접합층(25)을 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍에 배치된 절연관(55)을 통과하여, 세라믹 기재(21)의 하면으로부터 웨이퍼 흡착용 전극(22)에 이르도록 마련되어 있다. 웨이퍼 흡착용 직류 전원(52)과 웨이퍼 흡착용 전극(22) 사이에는, 저역 통과 필터(LPF)(53)가 마련되어 있다.
제1 냉각 기재(23)는, 세라믹 기재(21)보다도 한 단계 큰 원판이고, 금속과 세라믹의 복합 재료(이하, 금속-세라믹 복합 재료라고도 칭함) 또는 저열팽창 금속 재료로 제작되어 있다. 금속-세라믹 복합 재료로서는, 금속 매트릭스 복합 재료(메탈·매트릭스·컴포지트(MMC))나 세라믹 매트릭스 복합 재료(세라믹·매트릭스·컴포지트(CMC)) 등을 들 수 있다. 이러한 금속-세라믹 복합 재료의 구체예로서는, Si, SiC 및 Ti을 포함하는 재료나 SiC 다공질체에 Al 및/또는 Si를 함침시킨 재료 등을 들 수 있다. Si, SiC 및 Ti을 포함하는 재료를 SiSiCTi이라고 하고, SiC 다공질체에 Al을 함침시킨 재료를 AlSiC라고 하고, SiC 다공질체에 Si를 함침시킨 재료를 SiSiC라고 한다. 저열팽창 금속 재료의 구체예로서는, Mo 등을 들 수 있다. 제1 냉각 기재(23)에 사용하는 재료는, 세라믹 기재(21)에 사용하는 세라믹 재료와의 40∼400℃의 선열팽창 계수차의 절댓값이 1.5×10-6/K 이하인 것이 바람직하고, 1.0×10-6/K 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.5×10-6/K 이하인 것이 더욱 바람직하다. 제1 냉각 기재(23)에 사용하는 재료는, 웨이퍼(W)를 냉각하는 효율을 높이는 관점에서는, 열전도율이 높은 것이 바람직하다. 제1 냉각 기재(23)에 사용하는 재료의 열전도율은, 예를 들어 50W/(m·K) 이상인 것이 바람직하고, 70W/(m·K) 이상인 것이 보다 바람직하고, 80W/(m·K) 이상인 것이 보다 바람직하다. 제1 냉각 기재(23)의 두께는, 냉각 기재로서의 기능을 발휘시키는 관점 및 강도나 강성의 관점에서는, 예를 들어 3㎜ 이상이 바람직하고, 4㎜ 이상이 보다 바람직하다. 또한, 제1 냉각 기재(23)의 두께는, 세라믹 기재(21)의 하면과 제2 냉각 기재(30)의 상면 사이의 전열 거리를 짧게 하는 관점에서는, 20㎜ 이하가 바람직하고, 10㎜ 이하가 보다 바람직하고, 8㎜ 이하가 더욱 바람직하다.
제1 냉각 기재(23)의 하면에는, 복수의 나사 구멍(24)이 개구되어 있다. 여기서는, 나사 구멍(24)은, 제1 냉각 기재(23)의 중앙에 1군데, 그것보다도 외주에 제1 냉각 기재(23)의 원주 방향을 따라 등간격으로 6군데, 또한 외주에 제1 냉각 기재(23)의 원주 방향을 따라 등간격으로 6군데 마련되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 또한, 여기서는, 나사 구멍(24)은, 제1 냉각 기재(23)의 하면에 원기둥 구멍을 마련하여 그 원기둥 구멍에 직접 나사 홈(도시는 생략)을 절삭하는 것에 의해 형성되어 있지만, 특별히 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 나사 구멍(24)을, 원기둥 구멍에 나선상의 나사 인서트를 삽입함으로써 형성해도 되고, 원기둥 구멍에 암나사를 갖는 단자(예를 들어, 캡너트 등)를 삽입하여 납접해도 된다. 나사 구멍(24)의 깊이는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 나사 부재(50)의 호칭 직경의 2배 이하로 해도 되고, 1.5배 이하로 해도 된다. 이렇게 하면, 제1 냉각 기재(23)의 두께를 얇게 할 수 있다. 나사 구멍(24)의 깊이는, 나사 부재(50)의 축력을 충분히 발생시키는 관점에서는, 나사 부재(50)의 호칭 직경의 1배 이상이 바람직하다. 인접하는 2개의 나사 구멍(24)의 중심간 간격은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 100㎜ 이하인 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 나사 부재(50)에 의해 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30)를 긴밀히 체결할 수 있고, 나아가서는 방열 시트(40)의 열전도성이 향상된다. 인접하는 2개의 나사 구멍(24)의 중심간 간격은, 예를 들어 50㎜ 이상으로 해도 된다. 나사 구멍(24)은, 제1 냉각 기재(23)의 하면에 150개/㎡ 이상의 비율로 배치되어 있는 것이 바람직하고, 200개/㎡ 이상의 비율로 배치되어 있는 것이 보다 바람직하다. 이렇게 하면, 나사 부재(50)에 의해 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30)를 더 긴밀히 체결할 수 있고, 나아가서는 방열 시트(40)의 열전도성이 향상된다. 또한, 나사 구멍(24)은, 제1 냉각 기재(23)의 하면에 개구되어 있으면 되고, 도 1에 나타낸 바와 같은 블라인드 홀이어도 되고, 제1 냉각 기재(23)의 하면으로부터 상면까지를 관통하는 관통 구멍이어도 된다.
금속 접합층(25)은, 세라믹 기재(21)의 하면과 제1 냉각 기재(23)의 상면을 접합한다. 금속 접합층(25)은, 예를 들어 땜납이나 금속 납재로 형성된 층이어도 된다. 금속 접합층(25)은, 예를 들어 TCB(Thermal compression bonding)에 의해 형성된다. TCB란, 접합 대상의 2개의 부재 사이에 금속 접합재를 끼워 넣고, 금속 접합재의 고상선 온도 이하의 온도로 가열한 상태에서 2개의 부재를 가압 접합하는 공지의 방법을 말한다.
제2 냉각 기재(30)는, 가공 용이성 재료제의 원판 부재이다. 제2 냉각 기재(30)의 외경은 제1 냉각 기재(23)의 외경과 동일하다. 제2 냉각 기재(30)의 내부에는, 냉매 유로(35)가 마련되어 있다. 냉매 유로(35)는, 세라믹 기재(20)가 배치된 전역에 골고루 퍼지도록, 입구(35a)로부터 출구(35b)까지 일필 쓰기의 요령으로 와권 형상으로 마련되어 있다(도 3). 냉매 유로(35)의 입구(35a) 및 출구(35b)는, 제2 냉각 기재(30)의 하면과 냉매 유로(35)의 저면을 관통하고 있다. 냉매 유로(35)의 입구(35a) 및 출구(35b)는, 도시하지 않은 냉매 냉각 장치에 접속되어 있고, 출구(35b)로부터 배출된 냉매는, 냉매 냉각 장치에서 온도 조정된 후 다시 입구(35a)로 복귀되어 냉매 유로(35) 내에 공급된다. 냉매 유로(35)를 흐르는 냉매는, 액체가 바람직하고, 전기 절연성인 것이 바람직하다. 전기 절연성의 액체로서는, 예를 들어 불소계 불활성 액체 등을 들 수 있다. 제2 냉각 기재(30)에 있어서, 냉매 유로(35)보다도 상측의 부분의 두께는, 당해 부분의 강도를 높이는 관점에서 예를 들어 1㎜ 이상이나 2㎜ 이상으로 해도 되고, 제2 냉각 기재(30)의 상면으로부터 냉매 유로(35)까지의 전열 거리를 짧게 하는 관점에서 예를 들어 10㎜ 이하나 5㎜ 이하로 해도 된다.
제2 냉각 기재(30)에 사용하는 가공 용이성 재료는, 제1 냉각 기재(23)보다도 가공이 용이한 것이 바람직하다. 가공성의 지표로서는, 예를 들어 JIS B 0170(2020)에 나타난 피삭성 지수를 사용할 수 있다. 가공 용이성 재료로서는, 피삭성 지수가 40 이상인 재료가 바람직하고, 100 이상인 재료가 보다 바람직하고, 140 이상인 재료가 더욱 바람직하다. 가공 용이성 재료로서는, 예를 들어 알루미늄, 알루미늄 합금, 스테인리스강(SUS재) 등을 들 수 있다. 제2 냉각 기재(30)에 사용하는 재료는, 웨이퍼(W)를 냉각하는 효율을 높이는 관점에서는, 열전도율이 높은 것이 바람직하다. 제2 냉각 기재(30)에 사용하는 재료의 열전도율은, 예를 들어 80W/(m·K) 이상인 것이 바람직하고, 100W/(m·K) 이상인 것이 보다 바람직하고, 150W/(m·K) 이상인 것이 바람직하다.
제2 냉각 기재(30)는, RF 전원(62)에 급전 단자(64)를 통해 접속되어 있다. 그 때문에, 제2 냉각 기재(30)는, 플라스마 발생용의 고주파(RF) 전극으로서도 기능한다. 제2 냉각 기재(30)와 RF 전원(62) 사이에는, 고역 통과 필터(HPF)(63)가 배치되어 있다.
제2 냉각 기재(30)는 복수의 관통 구멍(36)을 갖는다. 관통 구멍(36)은, 나사 구멍(24)에 대향하는 위치에 마련되어, 제2 냉각 기재(30)를 상하 방향으로 관통하고 있다. 관통 구멍(36)은, 하측이 대경이고 상측이 소경인 단차 구멍이다. 관통 구멍(36)은, 나사 부재(50)의 헤드부(50a)를 수용하는 대경부(36a)와, 나사 부재(50)의 풋부(50b)는 통과하지만 헤드부(50a)는 통과 불능인 소경부(36b)를 갖는다.
방열 시트(40)는, 제1 냉각 기재(23)의 하면과 제2 냉각 기재(30)의 상면 사이에 배치된 원형의 시트이다. 방열 시트(40)는, 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30) 사이에 끼워져 상하 방향으로 압축되어 있다. 이렇게 함으로써, 방열 시트(40)는 제1 냉각 기재(23)의 하면과 제2 냉각 기재(30)의 상면에 확실히 밀착하기 때문에, 제1 냉각 기재(23)의 열이 하부 기재(30)로 빠르게 전달된다. 방열 시트(40)의 열저항은, 0.35K·㎠/W 이하가 보다 바람직하고, 0.1K·㎠/W 이하인 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 웨이퍼(W)를 냉각하는 효율을 더 높일 수 있다. 또한, 방열 시트(40)의 열전도율은, 3W/(m·K) 이상인 것이 바람직하고, 10W/(m·K) 이상인 것이 보다 바람직하다. 이렇게 하면, 웨이퍼(W)를 냉각하는 효율을 더 높일 수 있다. 방열 시트(40)의 열저항 및 열전도율은, 방열 시트(40)가 조립된 상태(즉 방열 시트(40)가 소정 압력으로 상하 방향으로 압축된 상태)에 있어서의, 상하 방향의 열저항 및 열전도율이고, ASTM-D5470에 준하여 측정할 수 있다. 방열 시트(40)의 영률은, 100㎫ 이하가 바람직하고, 20㎫ 이하가 보다 바람직하고, 5㎫ 이하가 더욱 바람직하다. 방열 시트(40)의 영률이 작을수록, 나사 부재(50)의 체결력이 방열 시트(40)의 전체면에 걸쳐 균등하게 전해지기 때문에, 방열 시트(40)는 그 전체면에 걸쳐 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30)에 확실히 밀착한다. 그 때문에, 웨이퍼(W)를 더 균일하게 냉각할 수 있다. 방열 시트(40)의 푸아송비는, 0.4 이하가 바람직하고, 0.3 이하가 보다 바람직하고, 0.2 이하가 더욱 바람직하다. 방열 시트(40)의 푸아송비가 작을수록, 나사 부재(50)의 체결력이 방열 시트(40)의 전체면에 걸쳐 균등하게 전해져, 가로 방향으로 벗어나기 어렵기 때문에, 방열 시트(40)는 그 전체면에 걸쳐 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30)에 확실히 밀착한다. 그 때문에, 웨이퍼(W)를 더 균일하게 냉각할 수 있다. 방열 시트(40)의 쇼어 경도(ShoreOO)는, 50 이상 80 이하로 해도 된다. 방열 시트(40)의 두께는, 예를 들어 0.05㎜ 이상 1㎜ 이하가 바람직하고, 0.1㎜ 이상 0.3㎜ 이하가 보다 바람직하다.
방열 시트(40)는, 구체적으로는, 카본 및 수지를 포함하는 시트인 것이 바람직하다. 카본으로서는, 그래파이트나 카본파이버, 카본 나노튜브 등을 들 수 있고, 수지로서는, 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 카본이 그래파이트인 경우, 그래파이트를 구성하는 그래핀의 면 방향이 상하 방향을 따르도록 배치하는 것이 바람직하고, 카본파이버나 카본 나노튜브인 경우, 축방향이 상하 방향을 따르도록 배치하는 것이 바람직하다. 방열 시트(40)의 재료로서는, 예를 들어 서멀·인터페이스·머티리얼(TIM)을 사용할 수 있다. 방열 시트(40)의 구체예로서는, EX20000C9 시리즈나 EX20000C4S 시리즈(모두 덱세리얼즈사제), GraphitePAD나 GraphiteTIM(등록 상표)(모두 파나소닉사제) 등을 들 수 있다.
나사 부재(50)는, 대경의 헤드부(50a)와 소경의 풋부(50b)를 갖는다. 나사 부재(50)는, 관통 구멍(36)에 제2 냉각 기재(30)의 하면으로부터 삽입되고, 제1 냉각 기재(23)의 나사 구멍(24)에 나사 결합된다. 나사 부재(50)의 헤드부(50a)는, 제2 냉각 기재(30)의 하면보다도 하방으로 튀어나오지 않도록 대경부(36a)에 수납된다. 나사 부재(50)를 나사 구멍(24)에 나사 결합함으로써, 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30)는 방열 시트(40)를 끼워 넣은 상태로 체결된다. 이에 의해, 방열 시트(40)는 상하 방향으로 압축된다. 나사 부재(50)의 재료는, 도전성 및 열전도성이 양호한 재료가 바람직하고, 예를 들어 스테인리스강이 바람직하다. 나사 부재(50)의 호칭 직경은, 예를 들어 3㎜ 이상 10㎜ 이하로 해도 되고, 4㎜ 이상 8㎜ 이하로 해도 되고, 4㎜ 이상 5㎜ 이하로 해도 된다.
또한, 금속 접합층(25)의 측면(외주면), 제1 냉각 기재(23)의 상면 및 측면, 제2 냉각 기재(30)의 측면은, 필요에 따라 절연막으로 피복해도 된다. 절연막으로서는, 예를 들어 알루미나나 이트리아 등의 용사막을 들 수 있다.
이어서, 웨이퍼 적재대(10)의 제조예를 도 4 내지 6을 사용하여 설명한다. 도 4 내지 6은 웨이퍼 적재대(10)의 제조 공정도이고, 도 4는 상부 기재(20)의 제조 공정을 나타내고, 도 5는 제2 냉각 기재(30)의 제조 공정을 나타내고, 도 6은 웨이퍼 적재대(10)의 조립 공정을 나타낸다.
상부 기재(20)는, 예를 들어 이하와 같이 제작한다. 먼저, 세라믹 기재(21)를, 세라믹 분말의 성형체를 핫 프레스 소성함으로써 제작한다(도 4a). 세라믹 기재(21)는, 웨이퍼 흡착용 전극(22)을 내장하고 있다. 이어서, 세라믹 기재(21)의 하면으로부터 웨이퍼 흡착용 전극(22)까지 구멍(21b)을 뚫고(도 4b), 그 구멍(21b)에 급전 단자(54)를 삽입하여 급전 단자(54)와 웨이퍼 흡착용 전극(22)을 접합한다(도 4c).
이것과 병행하여, 원판 형상의 제1 냉각 기재(23)를 제작하고(도 4d), 제1 냉각 기재(23)에 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍(23b)을 형성함과 함께 제1 냉각 기재(23)의 하면의 소정 위치에 나사 구멍(24)을 형성한다(도 4e). 세라믹 기재(21)가 알루미나제인 경우, 제1 냉각 기재(23)는 SiSiCTi제이거나 AlSiC제인 것이 바람직하다. SiSiCTi이나 AlSiC라면, 알루미나의 열팽창 계수와 대략 동일하게 할 수 있기 때문이다.
SiSiCTi제의 제1 냉각 기재(23)는, 예를 들어 이하와 같이 제작할 수 있다. 먼저, 탄화 규소와 금속 Si와 금속 Ti을 혼합하여 분체 혼합물을 제작한다. 이어서, 얻어진 분체 혼합물을 1축 가압 성형에 의해 원판 형상의 성형체를 제작하고, 그 성형체를 불활성 분위기 하에서 핫 프레스 소결시킴으로써, SiSiCTi제의 제1 냉각 기재(23)를 얻는다.
이어서, 제1 냉각 기재(23)의 상면에 금속 접합재를 배치한다. 금속 접합재에는, 제1 냉각 기재(23)의 관통 구멍(23b)에 연통하는 관통 구멍을 형성해 둔다. 그리고, 세라믹 기재(21)의 급전 단자(54)를 제1 냉각 기재(23)의 관통 구멍(23b)에 삽입하면서, 세라믹 기재(21)를 금속 접합재 상에 얹는다. 이에 의해, 제1 냉각 기재(23)와 금속 접합재와 세라믹 기재(21)를 아래에서부터 이 순으로 적층한 적층체를 얻는다. 이 적층체를 가열하면서 가압함으로써(TCB), 상부 기재(20)를 얻는다(도 4f). 상부 기재(20)는, 제1 냉각 기재(23)의 상면에, 금속 접합층(25)을 개재하여 세라믹 기재(21)가 접합된 것이다.
TCB는, 예를 들어 이하와 같이 행해진다. 즉, 금속 접합재의 고상선 온도 이하(예를 들어, 고상선 온도로부터 20℃ 뺀 온도 이상 고상선 온도 이하)의 온도로 적층체를 가압하여 접합하고, 그 후 실온으로 복귀시킨다. 이에 의해, 금속 접합재는 금속 접합층(혹은 도전 접합층)이 된다. 이때의 금속 접합재로서는, Al-Mg계 접합재나 Al-Si-Mg계 접합재를 사용할 수 있다. 예를 들어, Al-Si-Mg계 접합재를 사용하여 TCB를 행하는 경우, 진공 분위기 하에서 가열한 상태에서 적층체를 가압한다. 금속 접합재는, 두께가 100㎛ 전후인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
제2 냉각 기재(30)는, 예를 들어 이하와 같이 제작한다. 먼저, 제2 냉각 기재(30)의 근원이 되는 원판 형상이고 가공 용이성 재료제의 2개의 원판 부재(31, 32)를 준비한다(도 5a). 원판 부재(31, 32)는, 알루미늄제, 알루미늄 합금제 또는 스테인리스강제인 것이 바람직하다. 이어서, 상측의 원판 부재(31)의 하면에 최종적으로 냉매 유로(35)가 되는 홈(35c)을 형성한다(도 5b). 그 후, 상측의 원판 부재(31)의 하면과 하측의 원판 부재(32)의 상면을, 도시하지 않은 접합재(예를 들어, 납재 등)로 접합하여 제2 냉각 기재(30)를 제작한다(도 5c). 그리고, 제2 냉각 기재(30)의 하면으로부터 냉매 유로(35)의 저면까지를 상하 방향으로 관통하는 입구(35a) 및 출구(35b)를 형성함과 함께, 제2 냉각 기재(30)를 상하 방향으로 관통하는 단자 구멍(30b)을 형성한다. 또한, 제2 냉각 기재(30)의 소정의 위치에 대경부(36a)와 소경부(36b)를 갖는 관통 구멍(36)을 형성한다(도 5d).
웨이퍼 적재대(10)는, 상술한 바와 같이 제작한 상부 기재(20) 및 제2 냉각 기재(30)를 나사 부재(50)로 체결함으로써 제작한다. 구체적으로는, 먼저, 도 6a에 나타낸 바와 같이, 제2 냉각 기재(30)의 상면에, 방열 시트(40)를 배치한다. 방열 시트(40)는, 제1 냉각 기재(23)와 동일한 직경의 원형 시트이다. 이어서, 상부 기재(20)의 급전 단자(54)를 단자 구멍(30b)에 삽입하면서, 제2 냉각 기재의 상면에 배치된 방열 시트(40) 상에 상부 기재(20)를 얹는다. 이어서, 각 관통 구멍(36)에 대하여, 나사 부재(50)를 제2 냉각 기재(30)의 하면으로부터 삽입하여 제1 냉각 기재(23)의 나사 구멍(24)에 나사 결합한다. 이에 의해, 방열 시트(40)는 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30) 사이에서 압축되어 높은 열전도 성능을 발휘한다. 그 후, 단자 구멍(30b)에, 급전 단자(54)를 삽입 관통하는 절연관(55)을 배치한다(도 6b). 이상과 같이 하여, 웨이퍼 적재대(10)를 얻을 수 있다.
이어서, 웨이퍼 적재대(10)의 사용예에 대하여 도 1을 사용하여 설명한다. 먼저, 웨이퍼 적재대(10)를 챔버(94)의 설치판(96)에 설치한다. 이어서, 나사 부재(70)를, 설치판(96)의 하면으로부터 나사 삽입 관통 구멍(97)을 통해 제2 냉각 기재(30)의 하면에 마련된 나사 구멍(38)에 나사 결합한다. 이렇게 하여, 웨이퍼 적재대(10)가 나사 부재(70)에 의해 설치판(96)에 고정된다.
설치판(96)에 설치된 웨이퍼 적재대(10)의 웨이퍼 적재면(21a)에는, 원판 형상의 웨이퍼(W)가 적재된다. 이 상태에서, 웨이퍼 흡착용 전극(22)에 웨이퍼 흡착용 직류 전원(52)의 직류 전압을 인가하여 웨이퍼(W)를 웨이퍼 적재면(21a)에 흡착시킨다. 또한, 온도 조절한 냉매를 냉매 유로(35)의 입구(35a)에 공급하고, 출구(35b)로부터 냉매를 배출한다. 그리고, 챔버(94)의 내부를 소정의 진공 분위기(또는 감압 분위기)가 되도록 설정하고, 샤워 헤드(98)로부터 프로세스 가스를 공급하면서, 제2 냉각 기재(30)에 RF 전원(62)으로부터의 RF 전압을 인가한다. 그러면, 웨이퍼(W)와 샤워 헤드(98) 사이에서 플라스마가 발생한다. 그리고, 그 플라스마를 이용하여 웨이퍼(W)에 CVD 성막을 실시하거나 에칭을 실시하거나 한다.
이상 설명한 웨이퍼 적재대(10)에서는, 세라믹 기재(21)에 제1 냉각 기재(23)가 금속 접합층(25)으로 접합되어 있어 웨이퍼(W)를 냉각하는 효율이 높은 데다가, 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30)가 나사 부재(50)로 체결되고, 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30) 사이에는 방열 시트(40)가 배치되어 있다. 방열 시트(40)는 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30)가 나사 부재(50)에 의해 체결됨으로써 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30)에 확실히 밀착하기 때문에, 제1 냉각 기재(23)의 열은 제2 냉각 기재(30)로 빠르게 전도된다. 따라서, 웨이퍼(W)를 냉각하는 효율이 높다. 또한, 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30)는 나사 부재(50)로 접합되어 있기 때문에, 웨이퍼 적재대(10)의 사용에 수반하여 세라믹 기재(21)가 열화되었을 때, 세라믹 기재(21)와 제1 냉각 기재(23)가 금속 접합된 부재인 상부 기재(20)만을 교환하고, 내부에 냉매 유로(35)가 형성된 제2 냉각 기재(30)를 그대로 재이용할 수 있다. 그 때문에, 웨이퍼 적재대의 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 방열 시트(40)의 열저항은 0.35K·㎠/W 이하인 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 제1 냉각 기재(23)의 열이 제2 냉각 기재(30)로 더 빠르게 전도되기 때문에, 웨이퍼(W)를 냉각하는 효율이 더 높아진다. 이러한 열저항을 실현하는 데 있어서, 방열 시트(40)를 상하 방향으로 압축하는 압력을, 예를 들어 0.05㎫ 이상이나 0.2㎫ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 방열 시트(40)가 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30)에 확실히 밀착하기 때문에, 방열 시트(40)의 열저항을 저감할 수 있다. 방열 시트(40)를 상하 방향으로 압축하는 압력은, 방열 시트(40)의 파손을 억제하는 관점에서, 예를 들어 0.6㎫ 이하나 0.55㎫ 이하가 바람직하다. 그런데, 방열 시트(40)를 상하 방향으로 압축하는 압력은, 나사 부재(50)로부터의 거리가 멀수록 작아지는 경향이 있고, 면내 방향에서 압력에 폭이 있다. 이 압력의 폭[㎫]을, 나사 부재(50)의 축력이 방열 시트(40)에 균등하게 가해졌다고 가정했을 때 방열 시트(40)에 가해지는 면압[㎫]으로 나눈 값을, 압력 변동[-]으로서 평가했을 때, 압력 변동은, 2.0 이하인 것이 바람직하고, 1.7 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.0 이하인 것이 더욱 바람직하다. 압력 변동은, 방열 시트(40)의 영률이 작을수록 작고, 나사 구멍(24)의 중심간 간격이 작을수록 작게 할 수 있다. 한편, 압력 변동을 작게 하기 위해 나사 구멍(24)의 중심간 간격을 작게 하고자 하면, 나사 구멍(24)이 다수 필요해져 나사 구멍(24)의 배치가 곤란해지는 경우가 있다. 시뮬레이션에 의하면, 방열 시트(40)의 영률이 80㎫ 이하인 경우, 나사 구멍(24)의 중심간 거리를 70㎜ 이하로 하면 압력 변동이 2.0 이하로 되고, 나사 구멍(24)의 중심간 거리를 55㎜ 이하로 하면 압력 변동이 1.0 이하로 된다. 또한, 방열 시트(40)의 영률이 10㎫ 이하인 경우, 나사 구멍(24)의 중심간 거리가 100㎜라도 압력 변동이 거의 1로 된다. 이와 같이, 나사 구멍(24)의 중심간 거리를 너무 작게 하지 않고 압력 변동을 저감하는 관점에서, 방열 시트(40)의 영률은 80㎫ 이하가 바람직하고, 10㎫ 이하가 보다 바람직하다. 나사 구멍(24)의 개수나 배치는, 방열 시트(40)를 압축하는 데 필요한 압력에, 압력 변동을 가미하여 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 제2 냉각 기재(30)가 가공 용이성 재료제이다. 이렇게 하면, 제2 냉각 기재(30)에 냉매 유로(35)를 용이하게 형성할 수 있기 때문에, 가공 비용을 저감할 수 있다. 또한, 제2 냉각 기재(30)를 금속과 세라믹의 복합 재료(예를 들어, MMC나 CMC)로 형성한 경우에 비해, 재료 비용을 낮게 억제할 수 있다.
그리고, 방열 시트(40)는 도전성을 갖고 있다. 이에 의해, 제2 냉각 기재(30)는 제1 냉각 기재(23)나 금속 접합층(25)과 동전위가 되기 때문에, 제1 냉각 기재(23)나 금속 접합층(25)을 RF 전극으로서 사용할 수 있어, 웨이퍼(W)의 상방에서 플라스마를 생성하기 쉬워진다. 또한, 도전성의 나사 부재(50)를 사용하여, 제2 냉각 기재(30)와 제1 냉각 기재(23)를 나사 부재(50)를 통해 동전위가 되도록 해도 된다.
또한, 본 발명은 상술한 실시 형태에 전혀 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 다양한 형태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
상술한 실시 형태에서는, 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30)를 나사 부재(50)로 체결한 웨이퍼 적재대(10)를 챔버(94)의 설치판(96)에 설치했지만, 특별히 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 도 7에 나타내는 웨이퍼 적재대(110)와 같이, 제2 냉각 기재(30)를 챔버(94)의 설치판(96)과 겸용해도 된다. 또한, 도 7에서는, 상술한 실시 형태와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙였다.
상술한 실시 형태에서는, 방열 시트(40)는 도전성을 갖는 것을 예시했지만, 방열 시트(40)는 절연성이어도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 세라믹 기재(21)에 웨이퍼 흡착용 전극(22)을 내장했지만, 이것 대신에 또는 추가하여, 플라스마 발생용의 RF 전극을 내장해도 된다. 이 경우, 제2 냉각 기재(30)가 아니라 RF 전극에 고주파 전원을 접속한다. 또한, 세라믹 기재(21)는, 히터 전극(저항 발열체)을 내장해도 된다. 이 경우, 히터 전극에 히터 전원을 접속한다. 이와 같이, 세라믹 기재(21)는, 전극을 1층 내장하고 있어도 되고, 2층 이상 내장하고 있어도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 냉매 유로(35)는 입구(35a)부터 출구(35b)까지 와권 형상으로 마련되어 있는 것으로 했지만, 유로 홈(35)의 형상은 특별히 한정되지는 않는다. 또한, 상술한 실시 형태에서는, 하나의 냉매 유로(35)를 마련했지만, 냉매 유로(35)를 복수개 마련해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 제1 냉각 기재(23)는, 세라믹 기재(21)보다도 대경으로 했지만, 세라믹 기재(21)와 동일한 직경으로 해도 된다. 또한, 제2 냉각 기재(30)는, 제1 냉각 기재(23)와 동일한 직경으로 했지만, 제1 냉각 기재(23)보다도 대경으로 해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 세라믹 기재(21)는 세라믹 분말의 성형체를 핫 프레스 소성함으로써 제작했지만, 그때의 성형체는, 테이프 성형체를 복수매 적층하여 제작해도 되고, 몰드 캐스트법에 의해 제작해도 되고, 세라믹 분말을 눌러 굳힘으로써 제작해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 제2 냉각 기재(30)는 가공 용이성 재료제로 했지만, 하부 기재(80)는, 금속과 세라믹의 복합 재료제로 해도 되고, 몰리브덴 등의 저열팽창 금속 재료제로 해도 된다. 이렇게 하면, 제2 냉각 기재(30)와 상부 기재(20)의 열팽창 계수차가 작기 때문에, 열응력에 의한 상부 기재(20)나 제2 냉각 기재(30)의 휨이나 파손을 억제할 수 있다.
상술한 실시 형태에 있어서, 제2 냉각 기재(30)의 하면으로부터 웨이퍼 적재면(21a)에 이르도록 웨이퍼 적재대(10)를 관통하는 구멍을 마련해도 된다. 이러한 구멍으로서는, 웨이퍼(W)의 이면에 열전도 가스(예를 들어, He 가스)를 공급하기 위한 가스 공급 구멍이나, 웨이퍼 적재면(22a)에 대하여 웨이퍼(W)를 상하 이동시키는 리프트 핀을 삽입 관통하기 위한 리프트 핀 구멍 등을 들 수 있다. 열전도 가스는, 웨이퍼 적재면(21a)에 마련된 도시하지 않은 다수의 소돌기(웨이퍼(W)를 지지함)와 웨이퍼(W)에 의해 형성되는 공간에 공급된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 제1 냉각 기재(23)의 하면과 제2 냉각 기재(30)의 상면 사이에는, 방열 시트(40) 외에, 시일 부재를 구비하고 있어도 된다. 시일 부재는, 예를 들어 상술한 가스 공급 구멍에 공급된 가스가, 제1 냉각 기재(23)와 제2 냉각 기재(30) 사이를 통해 외부로 누출되는 것을 방지하는 것이고, 상하 방향으로 압축됨으로써, 시일성을 발휘한다. 시일 부재는, 예를 들어 금속제 또는 수지제의 링이고, 가스 공급 구멍의 외측, 리프트 핀 구멍의 외측, 절연관(55)의 외측, 제1 냉각 기재(23)의 외주의 약간 내측 등에 배치된다. 시일 부재는, 도전성으로 해도 되고, 절연성으로 해도 된다.
본 발명은, 예를 들어 웨이퍼에 CVD나 에칭 등을 행하기 위해 사용되는 웨이퍼 적재 장치에 이용 가능하다.
10: 웨이퍼 적재대
20: 상부 기재
21: 세라믹 기재
21a: 웨이퍼 적재면
21b: 구멍
22: 웨이퍼 흡착용 전극
23: 제1 냉각 기재
23b: 관통 구멍
24: 나사 구멍
25: 금속 접합층
30: 제2 냉각 기재
30b: 단자 구멍
31: 원판 부재
32: 원판 부재
35: 냉매 유로
35a: 입구
35b: 출구
35c: 홈
36: 관통 구멍
36a: 대경부
36b: 소경부
38: 나사 구멍
40: 방열 시트
50: 나사 부재
50a: 헤드부
50b: 풋부
52: 웨이퍼 흡착용 직류 전원
53: 저역 통과 필터
54: 급전 단자
55: 절연관
62: RF 전원
63: 고역 통과 필터
64: 급전 단자
94: 챔버
96: 설치판
98: 샤워 헤드
110: 웨이퍼 적재대

Claims (7)

  1. 상면에 웨이퍼 적재면을 갖고, 전극을 내장하는 세라믹 기재와,
    금속과 세라믹의 복합 재료제 또는 저열팽창 금속 재료제의 제1 냉각 기재와,
    상기 세라믹 기재의 하면과 상기 제1 냉각 기재의 상면을 접합하는 금속 접합층과,
    내부에 냉매 유로가 형성된 제2 냉각 기재와,
    상기 제1 냉각 기재의 하면과 상기 제2 냉각 기재의 상면 사이에 배치된 방열 시트와,
    상기 제1 냉각 기재의 하면에 개구된 나사 구멍과,
    상기 나사 구멍에 대향하는 위치에 마련되어 상기 제2 냉각 기재를 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍과,
    상기 관통 구멍에 상기 제2 냉각 기재의 하면으로부터 삽입되어, 상기 나사 구멍에 나사 결합된 나사 부재
    를 구비한, 웨이퍼 적재대.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방열 시트의 열저항은 0.35K·㎠/W 이하인,
    웨이퍼 적재대.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 방열 시트의 영률은 100㎫ 이하인,
    웨이퍼 적재대.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나사 구멍을 복수 구비하고, 인접하는 2개의 나사 구멍의 중심간 간격이 100㎜ 이하인,
    웨이퍼 적재대.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나사 구멍의 깊이는, 상기 나사 부재의 호칭 직경의 1.5배 이하인,
    웨이퍼 적재대.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 냉각 기재의 두께는 4㎜ 이상 8㎜ 이하인,
    웨이퍼 적재대.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 냉각 기재는 가공 용이성 재료제인,
    웨이퍼 적재대.
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