JP7356620B1 - 半導体製造装置用部材 - Google Patents
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Abstract
ウエハ載置台１０は、半導体製造装置用部材の一例であり、セラミックプレート２０と、セラミックプレート貫通穴２４と、ベースプレート３０と、ベースプレート貫通穴３４と、絶縁スリーブ５０と、スリーブ貫通穴５４とを備える。スリーブ貫通穴５４は、絶縁スリーブ５０を上下方向に貫通し、セラミックプレート貫通穴２４と連通している。絶縁スリーブ５０は、ベースプレート貫通穴３４に挿入されて外周面５０ｃがベースプレート貫通穴３４の内周面に接着層６０を介して接着されている。絶縁スリーブ５０は、絶縁スリーブ５０の上端部５６を除く絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃに少なくとも１つの円環状の外周溝５２を有する。
Description
本発明は、半導体製造装置用部材に関する。
従来、電極を内蔵するセラミックプレートと、セラミックプレートの下面側に設けられた導電性のベースプレートとを備えた半導体製造装置用部材が知られている。例えば、特許文献１には、こうした半導体製造装置用部材において、セラミックプレートを厚さ方向に貫通するセラミックプレート貫通穴と、ベースプレートを厚さ方向に貫通するベースプレート貫通穴と、ベースプレート貫通穴に挿入されて外周面がベースプレート貫通穴の内周面に接着層を介して接着された絶縁スリーブとを備えたものが開示されている。絶縁スリーブは、セラミックプレートとは反対側の太径部と、セラミックプレート側の細径部とを有し、細径部とベースプレート貫通穴との隙間に接着剤が充填される。そのため、絶縁スリーブをベースプレート貫通穴にしっかりと固着することができると説明されている。
しかしながら、絶縁スリーブの細径部の周囲に接着剤を塗布した状態でベースプレート貫通穴に挿入する際、細径部の中心軸がベースプレート貫通穴の中心軸に対して大きく傾きやすいため、細径部の周囲の接着剤がベースプレート貫通穴によってこそぎ落とされやすいという問題があった。そのため、接着剤が絶縁スリーブとベースプレート貫通穴との隙間に十分充填されず、しっかりと接着できないことがあった。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、絶縁スリーブとベースプレート貫通穴との隙間に接着剤を高い充填率で充填できるようにすることを主目的とする。
［１］本発明の半導体製造装置用部材は、
上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートを上下方向に貫通するセラミックプレート貫通穴と、
前記セラミックプレートの下面側に設けられた導電性のベースプレートと、
前記ベースプレートを上下方向に貫通するベースプレート貫通穴と、
前記ベースプレート貫通穴に挿入されて外周面が前記ベースプレート貫通穴の内周面に接着層を介して接着された絶縁スリーブと、
前記絶縁スリーブを上下方向に貫通し、前記セラミックプレート貫通穴と連通するスリーブ貫通穴と、
を備えた半導体製造装置用部材であって、
前記絶縁スリーブは、前記絶縁スリーブの上端部を除く前記絶縁スリーブの外周面に少なくとも１つの円環状又は螺旋状の外周溝を有する、
ものである。
上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートを上下方向に貫通するセラミックプレート貫通穴と、
前記セラミックプレートの下面側に設けられた導電性のベースプレートと、
前記ベースプレートを上下方向に貫通するベースプレート貫通穴と、
前記ベースプレート貫通穴に挿入されて外周面が前記ベースプレート貫通穴の内周面に接着層を介して接着された絶縁スリーブと、
前記絶縁スリーブを上下方向に貫通し、前記セラミックプレート貫通穴と連通するスリーブ貫通穴と、
を備えた半導体製造装置用部材であって、
前記絶縁スリーブは、前記絶縁スリーブの上端部を除く前記絶縁スリーブの外周面に少なくとも１つの円環状又は螺旋状の外周溝を有する、
ものである。
この半導体製造装置用部材では、絶縁スリーブは、上端部を除く外周面に少なくとも１つの円環状又は螺旋状の外周溝を有する。絶縁スリーブをベースプレート貫通穴に挿入して接着する際、絶縁スリーブの外周面に接着剤を塗布し、その状態でベースプレート貫通穴に挿入し、その後接着剤を固化させて接着層とする。絶縁スリーブは上端部からベースプレート貫通穴に挿入されるが、この上端部には外周溝が設けられていないため、上端部の外径は細くなっていない。そのため、ベースプレート貫通穴に絶縁スリーブの上端部を挿入し始めるときに、絶縁スリーブの中心軸がベースプレート貫通穴の中心軸に対して大きく傾くことはなく、絶縁スリーブの外周面に塗布された接着剤がベースプレート貫通穴によってこそぎ落とされにくい。また、こそぎ落とされた接着剤は外周溝にとどまることができるため、絶縁スリーブとベースプレート貫通穴との隙間には、高い充填率で接着剤が充填される。その結果、絶縁スリーブをベースプレート貫通穴にしっかりと接着することができる。
［２］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記外周溝は、円環状の溝であってもよく、前記絶縁スリーブの外周面に複数設けられていてもよい。円環状の外周溝を複数設けた場合、そうした外周溝を１つだけ設けた場合に比べて、絶縁スリーブとベースプレート貫通穴との隙間に充填される接着剤の充填率が高くなりやすい。
［３］本発明の半導体製造装置用部材（前記［２］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記外周溝の数は、２以上４以下であってもよい。こうすれば、外周溝の数が適正なため、外周溝の数が過剰な場合に比べて、絶縁スリーブを比較的容易に作製することができる。
［４］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］～［３］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記外周溝は、前記絶縁スリーブの下端部には設けられていなくてもよい。絶縁スリーブの下端部は、外周溝が存在しなくてもベースプレート貫通穴との間で接着剤が充填されやすい。そのため、下端部に外周溝を設けることを省略しても、絶縁スリーブとベースプレート貫通穴との接着性は維持できる。
［５］本発明の半導体製造装置用部材（前記［４］に記載の半導体製造装置用部材）であって、前記絶縁スリーブの下端部は、前記絶縁スリーブの下端面から所定高さまでの領域であってもよく、前記所定高さは、前記絶縁スリーブの高さの１／３以上１／２以下であってもよい。
［６］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］～［５］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記絶縁スリーブの上端部は、前記絶縁スリーブの上端面から所定長さまでの領域であってもよく、前記所定長さは、１ｍｍ以上３ｍｍ以下であってもよい。
次に、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて説明する。図１はウエハ載置台１０の平面図、図２は図１のＡ－Ａ断面図、図３は図２の部分拡大図（一点鎖線の枠内の拡大図）、図４は絶縁スリーブ５０の斜視図である。なお、本明細書において、「上」「下」は、絶対的な位置関係を表すものではなく、相対的な位置関係を表すものである。そのため、ウエハ載置台１０の向きによって「上」「下」は「下」「上」になったり「左」「右」になったり「前」「後」になったりする。
ウエハ載置台１０は、本発明の半導体製造装置用部材の一例であり、図２に示すように、セラミックプレート２０と、ベースプレート３０と、ボンディング層４０と、絶縁スリーブ５０と、ガス穴７０とを備えている。
セラミックプレート２０は、アルミナ焼結体や窒化アルミニウム焼結体などのセラミック製の円板（例えば直径３００ｍｍ、厚さ５ｍｍ）である。セラミックプレート２０の上面は、ウエハＷを載置するウエハ載置面２１となっている。セラミックプレート２０は、ウエハ載置面２１から近い順に、静電電極２２及びヒータ電極２３を内蔵している。セラミックプレート２０のウエハ載置面２１には、図１に示すように、外縁に沿って環状のシールバンド２１ａが形成され、シールバンド２１ａの内側の全面に複数の円形小突起２１ｂが形成されている。シールバンド２１ａ及び円形小突起２１ｂは同じ高さであり、その高さは例えば数μｍ～数１０μｍである。ウエハ載置面２１のうちシールバンド２１ａや円形小突起２１ｂの設けられていない部分を、基準面２１ｃと称する。
静電電極２２は、平面状のメッシュ電極であり、図示しない給電部材を介して外部の直流電源に接続されている。給電部材は、ベースプレート３０と電気的に絶縁されている。静電電極２２に直流電圧が印加されるとウエハＷは静電吸着力によりウエハ載置面２１（具体的にはシールバンド２１ａの上面及び円形小突起２１ｂの上面）に吸着固定され、直流電圧の印加を解除するとウエハＷのウエハ載置面２１への吸着固定が解除される。
ヒータ電極２３は、平面視でセラミックプレート２０の全体にわたって一端から他端まで一筆書きの要領で配線された抵抗発熱体である。ヒータ電極２３の一端と他端には、図示しない給電部材を介してヒータ電源が接続されている。給電部材は、ベースプレート３０と電気的に絶縁されている。ヒータ電極２３は、通電されると発熱してウエハ載置面２１、ひいてはウエハＷを加熱する。
ベースプレート３０は、導電率及び熱伝導率の良好な円板（例えば、セラミックプレート２０と同じ直径かそれよりも大きな直径の円板、厚さ２５ｍｍ）である。ベースプレート３０の内部には、冷媒が循環する冷媒流路３２が形成されている。冷媒流路３２を流れる冷媒は、液体が好ましく、電気絶縁性であることが好ましい。電気絶縁性の液体としては、例えばフッ素系不活性液体などが挙げられる。冷媒流路３２は、平面視でベースプレート３０の全体にわたって一端（入口）から他端（出口）まで一筆書きの要領で形成されている。冷媒流路３２の一端及び他端には、図示しない外部冷媒装置の供給口及び回収口がそれぞれ接続される。外部冷媒装置の供給口から冷媒流路３２の一端に供給された冷媒は、冷媒流路３２を通過したあと冷媒流路３２の他端から外部冷媒装置の回収口に戻り、温度調整されたあと再び供給口から冷媒流路３２の一端に供給される。ベースプレート３０は、高周波（ＲＦ）電源に接続され、ＲＦ電極としても用いられる。
ベースプレート３０の材料は、例えば、金属材料や金属とセラミックとの複合材料などが挙げられる。金属材料としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ又はそれらの合金などが挙げられる。金属とセラミックとの複合材料としては、金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）やセラミックマトリックス複合材料（ＣＭＣ）などが挙げられる。こうした複合材料の具体例としては、Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料（ＳｉＳｉＣＴｉともいう）、ＳｉＣ多孔質体にＡｌ及び／又はＳｉを含浸させた材料、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＣとの複合材料などが挙げられる。ベースプレート３０の材料としては、セラミックプレート２０の材料と熱膨張係数の近いものを選択するのが好ましい。
ボンディング層４０は、ここでは樹脂接着層であり、セラミックプレート２０の下面とベースプレート３０の上面とを接合している。樹脂接着層の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの絶縁性樹脂が挙げられる。
絶縁スリーブ５０は、ベースプレート貫通穴３４に収納されている。ベースプレート貫通穴３４は、ベースプレート３０を上下方向に貫通する穴であり、冷媒流路３２を貫通しないように設けられている。絶縁スリーブ５０は、電気絶縁性材料（例えばセラミックプレート２０と同じ材料）で作製された略円柱状の部材であり、絶縁スリーブ５０の中心軸に沿って絶縁スリーブ５０を上下方向に貫通するスリーブ貫通穴５４を有する。絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃは、ベースプレート貫通穴３４の内周面に接着層６０を介して接着されている。接着層６０の材料として、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの絶縁性樹脂が挙げられる。図２及び図３では、接着層６０は、絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃとベースプレート貫通穴３４の内周面との間に隙間なく充填されている様子を示したが、若干隙間が生じていてもよい。絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃには、複数（ここでは２つ）の円環状の外周溝５２が設けられている。各外周溝５２は、絶縁スリーブ５０の上端部（セラミックプレート側の端部）５６を除く絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃに設けられている。上端部５６は、絶縁スリーブ５０の上端面（セラミックプレート側の端面）５０ａから所定長さまでの領域である。所定長さは、１ｍｍ以上３ｍｍ以下が好ましく、１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下がより好ましい。外周溝５２は、絶縁スリーブ５０の下端部５８には設けられていない。下端部５８は、絶縁スリーブ５０の下端面（セラミックプレート２０とは反対側の端面）５０ｂから所定高さまでの領域である。所定高さは、絶縁スリーブ５０の高さの１／３以上１／２以下が好ましい。
隣接する外周溝５２，５２の間隔ｄ（図３参照）は、短い方が好ましいが、例えば３ｍｍ以下が好ましく、２．５ｍｍ以下がより好ましく、２ｍｍ以下が更に好ましい。外周溝５２の深さは、深い方が好ましく、例えば０．２５ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましく、０．７ｍｍ以上が更に好ましい。但し、外周溝５２の深さは、絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃに設けられる外周溝５２の数が多ければ浅くてもよい。外周溝５２の数は、多い方が好ましいが、あまり多すぎると絶縁スリーブ５０を製造しにくくなることから、２以上４以下であることが好ましい。
ガス穴７０は、セラミックプレート貫通穴２４、ボンディング層貫通穴４４及びスリーブ貫通穴５４で構成される。セラミックプレート貫通穴２４は、セラミックプレート２０を上下方向（厚さ方向）に貫通する。セラミックプレート貫通穴２４は、ウエハ載置面２１の基準面２１ｃに開口している。セラミックプレート貫通穴２４の内周面には、静電電極２２やヒータ電極２３が露出していない。つまり、セラミックプレート貫通穴２４の内周面は、セラミックで覆われている。ボンディング層貫通穴４４は、ボンディング層４０を上下方向（厚さ方向）に貫通し、セラミックプレート貫通穴２４と連通している。ボンディング層貫通穴４４の内径は、セラミックプレート貫通穴２４の内径よりも大きい。ボンディング層貫通穴４４の縁は、絶縁スリーブ５０の上端面５０ａに位置している。スリーブ貫通穴５４は、セラミックプレート貫通穴２４及びボンディング層貫通穴４４に連通している。スリーブ貫通穴５４の内径は、セラミックプレート貫通穴２４の内径よりも大きく、ボンディング層貫通穴４４の内径よりも小さい。ガス穴７０は、ウエハ載置面２１に熱伝導ガスを供給するのに用いられる。
次に、ウエハ載置台１０の製造方法の一例について図５に基づいて説明する。図５はウエハ載置台１０の製造工程図である。
まず、ベースプレート３０と絶縁スリーブ５０を用意する。そして、絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃに粘度の高い接着剤６５を塗布し、絶縁スリーブ５０の上端部５６からベースプレート貫通穴３４に差し込む（図５Ａ）。
絶縁スリーブ５０の上端部５６は、外周溝５２が形成されている部分よりも外径が大きい。そのため、ベースプレート貫通穴３４に絶縁スリーブ５０の上端部５６を挿入し始めるときに、上端部５６の中心軸がベースプレート貫通穴３４の中心軸に対して大きく傾くことはない。また、絶縁スリーブ５０がベースプレート貫通穴３４に挿入されるにつれて、接着剤６５の一部はベースプレート貫通穴３４によってこそぎ落とされるが、こそぎ落とされた接着剤６５は、外周溝５２に入り込んでとどまる。そのため、絶縁スリーブ５０の上端面５０ａがベースプレート３０の上面と一致する位置に達したとき、絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃとベースプレート貫通穴３４の内周面との隙間には、高い充填率で接着剤６５によって充填される。接着剤６５が硬化すると接着層６０となる（図５Ｂ）。なお、図５Ａではベースプレート３０の下から絶縁スリーブ５０を差し込む様子を示したが、図５Ａの上下をひっくり返して、ベースプレート３０の上から絶縁スリーブ５０を差し込んでもよい。
続いて、セラミックプレート２０とボンディングシート８０を用意する（図５Ｂ）。ボンディングシート８０は、上下両面に接着剤（例えば熱硬化性樹脂接着剤）の層を有している。ボンディングシート８０には、最終的にボンディング層貫通穴４４となるシート貫通穴８４を設けておく。そして、ベースプレート３０の上面にボンディングシート８０を介してセラミックプレート２０を積層する。このとき、スリーブ貫通穴５４とシート貫通穴８４とセラミックプレート貫通穴２４とが連通するように配置する。続いて、その積層体を加熱した状態で加圧し、その後冷却する。これにより、セラミックプレート２０とベースプレート３０とはボンディング層４０によって接合される。また、セラミックプレート貫通穴２４、ボンディング層貫通穴４４及びスリーブ貫通穴５４が連通することによってガス穴７０が形成される。その結果、ウエハ載置台１０が得られる（図５Ｃ）。
次に、こうして構成されたウエハ載置台１０の使用例について説明する。まず、図示しないチャンバー内にウエハ載置台１０を設置した状態で、ウエハＷをウエハ載置面２１に載置する。そして、チャンバー内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、セラミックプレート２０の静電電極２２に直流電圧をかけて静電吸着力を発生させ、ウエハＷをウエハ載置面２１（具体的にはシールバンド２１ａの上面や円形小突起２１ｂの上面）に吸着固定する。また、ヒータ電極２３に通電してセラミックプレート２０を発熱させ、ウエハＷを所定温度に加熱する。更に、ガス穴７０を構成するスリーブ貫通穴５４には、図示しないガスボンベからバックサイドガスが導入される。バックサイドガスとしては、熱伝導ガス（例えばＨｅガス等）を用いる。ガス穴７０に導入されたバックサイドガスは、ウエハＷの裏面とウエハ載置面２１の基準面２１ｃとの間の空間（ウエハＷの裏面とウエハ載置面２１のシールバンド２１ａ、円形小突起２１ｂ及び基準面２１ｃとで囲まれた空間）に充填され封入される。このバックサイドガスの存在により、ウエハＷとセラミックプレート２０との熱伝導が効率よく行われる。次に、チャンバー内を所定圧力（例えば数１０～数１００Ｐａ）の反応ガス雰囲気とし、この状態で、チャンバー内の天井部分に設けた図示しない上部電極とウエハ載置台１０のベースプレート３０との間にＲＦ電圧を印加させてプラズマを発生させる。ウエハＷの表面は、発生したプラズマによって処理される。ベースプレート３０の冷媒流路３２には、適時、冷媒が循環される。
以上詳述したウエハ載置台１０では、絶縁スリーブ５０は、上端部５６を除く外周面５０ｃに円環状の外周溝５２を有する。絶縁スリーブ５０をベースプレート貫通穴３４に挿入して接着する際、絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃに接着剤を塗布し、その状態でベースプレート貫通穴３４に挿入し、その後接着剤を固化させて接着層６０とする。絶縁スリーブ５０は上端部５６からベースプレート貫通穴３４に挿入されるが、この上端部５６には外周溝５２が設けられていないため、上端部５６の外径は細くなっていない。そのため、ベースプレート貫通穴３４に絶縁スリーブ５０の上端部５６を挿入し始めるときに、絶縁スリーブ５０の中心軸がベースプレート貫通穴３４の中心軸に対して大きく傾くことはなく、外周面５０ｃの接着剤がベースプレート貫通穴３４によってこそぎ落とされにくい。また、こそぎ落とされた接着剤は外周溝５２にとどまることができるため、絶縁スリーブ５０とベースプレート貫通穴３４との隙間には、高い充填率で接着剤が充填される。その結果、絶縁スリーブ５０をベースプレート貫通穴３４にしっかりと接着することができる。
なお、絶縁スリーブ５０とベースプレート貫通穴３４との隙間に充填される接着剤の充填率の代わりに、その隙間に充填されている接着剤の上下方向の長さ（充填長さ）を指標としてもよい。
また、外周溝５２は、絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃに２つ設けられているため、そうした外周溝５２を１つだけ設けた場合に比べて、絶縁スリーブ５０とベースプレート貫通穴３４との隙間に充填される接着剤の充填率が高くなりやすい。
更に、外周溝５２の数は２つのため、外周溝５２の数が過剰な場合に比べて、絶縁スリーブ５０を比較的容易に作製することができる。
更にまた、外周溝５２は、絶縁スリーブ５０の下端部５８には設けられていない。絶縁スリーブ５０の下端部５８は、外周溝５２が存在しなくてもベースプレート貫通穴３４との間で接着剤が充填されやすい。そのため、下端部５８に外周溝５２を設けることを省略しても、絶縁スリーブ５０とベースプレート貫通穴３４との接着性は維持できる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
上述した実施形態では、２つの外周溝５２を備えた絶縁スリーブ５０を例示したが、特にこれに限定されない。例えば、絶縁スリーブ５０は、図６に示すように外周面５０ｃに１つの円環状の外周溝５２を備えていてもよいし、図７に示すように外周面５０ｃに３つの円環状の外周溝５２を備えていてもよいし、図８に示すように外周面５０ｃに４つの円環状の外周溝５２を備えていてもよい。図６～図８では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。このようにしても、上述した実施形態と同様の効果が得られる。なお、外周溝５２の数が多いほど、絶縁スリーブ５０とベースプレート貫通穴３４との隙間に充填される接着剤の充填率は高くなる傾向にある。また、外周溝５２の数が同じ場合、外周溝５２の深さが深いほど、絶縁スリーブ５０とベースプレート貫通穴３４との隙間に充填される接着剤の充填率は高くなる傾向にある。
上述した実施形態では、絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃに円環状の外周溝５２を設けたが、螺旋状の外周溝を設けてもよい。螺旋状の外周溝は、絶縁スリーブ５０の外周面５０ｃのうち上端部５６及び下端部５８を除く領域に設けてもよい。このようにしても、上述した実施形態とほぼ同様の効果が得られる。
上述した実施形態では、ウエハ載置台１０の製造方法として、ベースプレート３０のベースプレート貫通穴３４に絶縁スリーブ５０を接着したあと、そのベースプレート３０をセラミックプレート２０と接着したが、特にこれに限定されない。例えば、ベースプレート３０をセラミックプレート２０と接着したあと、ベースプレート３０のベースプレート貫通穴３４に絶縁スリーブ５０を接着してもよい。
上述した実施形態では、ボンディング層４０として樹脂接着層を例示したが、特にこれに限定されない。例えば、ボンディング層４０として金属接合層を採用してもよい。金属接合層は、金属接合材（例えばＡｌ－Ｍｇ系接合材やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材）を使用して周知のＴＣＢ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ）により形成することができる。
上述した実施形態では、セラミックプレート２０に静電電極２２及びヒータ電極２３を内蔵したが、特にこれに限定されない。例えば、セラミックプレート２０に静電電極２２及びヒータ電極２３のいずれか一方のみを内蔵してもよい。あるいは、ヒータ電極２３を厚さ方向に二段又はそれ以上となるように内蔵してもよい。
上述した実施形態では、セラミックプレート貫通穴２４、ボンディング層貫通穴４４及びスリーブ貫通穴５４をガス穴７０として利用したが、特にこれに限定されない。例えば、セラミックプレート貫通穴２４、ボンディング層貫通穴４４及びスリーブ貫通穴５４をリフトピン穴として利用してもよい。リフトピン穴は、ウエハ載置面２１に対してウエハＷを上下させるリフトピンを挿通するための穴である。リフトピン穴は、ウエハＷを例えば３本のリフトピンで支持する場合には３箇所に設けられる。
本発明の半導体製造装置用部材は、例えばウエハをプラズマなどで処理する分野に利用可能である。
１０ ウエハ載置台、２０ セラミックプレート、２１ ウエハ載置面、２１ａ シールバンド、２１ｂ 円形小突起、２１ｃ 基準面、２２ 静電電極、２３ ヒータ電極、２４ セラミックプレート貫通穴、３０ ベースプレート、３２ 冷媒流路、３４ ベースプレート貫通穴、４０ ボンディング層、４４ ボンディング層貫通穴、５０ 絶縁スリーブ、５０ａ 上端面、５０ｂ 下端面、５０ｃ 外周面、５２ 外周溝、５４ スリーブ貫通穴、５６ 上端部、５８ 下端部、６０ 接着層、６５ 接着剤、７０ ガス穴、８０ ボンディングシート、８４ シート貫通穴。
Claims (6)
- 上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートを上下方向に貫通するセラミックプレート貫通穴と、
前記セラミックプレートの下面側に設けられた導電性のベースプレートと、
前記ベースプレートを上下方向に貫通するベースプレート貫通穴と、
前記ベースプレート貫通穴に挿入されて外周面が前記ベースプレート貫通穴の内周面に接着層を介して接着された絶縁スリーブと、
前記絶縁スリーブを上下方向に貫通し、前記セラミックプレート貫通穴と連通するスリーブ貫通穴と、
を備えた半導体製造装置用部材であって、
前記絶縁スリーブは、前記絶縁スリーブの上端部を除く前記絶縁スリーブの外周面に少なくとも１つの円環状又は螺旋状の外周溝を有し、前記外周溝には前記接着層が入り込んでいる、
半導体製造装置用部材。 - 前記外周溝は、円環状の溝であり、前記絶縁スリーブの外周面に複数設けられている、
請求項１に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記外周溝の数は、２以上４以下である、
請求項２に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記外周溝は、前記絶縁スリーブの下端部には設けられていない、
請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記絶縁スリーブの下端部は、前記絶縁スリーブの下端面から所定高さまでの領域であり、前記所定高さは、前記絶縁スリーブの高さの１／３以上１／２以下である、
請求項４に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記絶縁スリーブの上端部は、前記絶縁スリーブの上端面から所定長さまでの領域であり、前記所定長さは、１ｍｍ以上３ｍｍ以下である、
請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
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