KR20240001611A

KR20240001611A - 유기 발광 표시장치

Info

Publication number: KR20240001611A
Application number: KR1020220078494A
Authority: KR
Inventors: 박영주; 오상훈
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2022-06-27
Filing date: 2022-06-27
Publication date: 2024-01-03

Abstract

본 명세서는 유기 발광 표시장치에 관한 것이다. 본 명세서에 따른 유기 발광 표시장치는, 기판 상에 배치되는 복수의 박막 트랜지스터와, 복수의 박막 트랜지스터 상에 배치되며 박막 트랜지스터 각각에 전기적으로 연결되는 복수의 제 1 전극과, 복수의 제 1 전극과 마주 보도록 배치되는 제 2 전극 및 그 사이에 구비되는 적어도 하나의 유기 발광층을 포함하는 복수의 유기 발광소자, 유기 발광소자 상에 유기 발광소자를 덮도록 배치되는 봉지층, 봉지층 상에 배치되며 유기 발광소자 각각에 대응되는 복수의 컬러필터를 포함하는 컬러필터층 및 복수의 컬러필터 사이에 배치되는 블랙 매트릭스, 컬러필터층 상에 배치되며 제 1 기판과 마주 보는 제 2 기판을 포함하며, 유기 발광소자와 컬러필터층 사이에 광 변환층이 배치되고, 유기 발광층은 자외선(Ultra Violet)을 방출한다. 이를 통해 편광 필름을 적용하지 않고도 외부 광의 반사를 개선할 수 있다.

Description

유기 발광 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 명세서는 유기 발광 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 편광 필름을 적용하지 않고도 외부 광의 반사를 개선할 수 있는 감소된 유기 발광 표시장치에 관한 것이다.

현재 본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러 가지 표시장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.

대표적인 표시장치로 액정 표시장치(Liquid Crystal Display device; LCD), 전기 습윤 표시장치(Electro-Wetting Display device; EWD) 및 유기 발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device; OLED) 등이 있다.

한편, 최근 들어 유기 발광 표시장치에서는 비용 절감 및 투과율 개선 측면에서 유기 발광 소자 상에 배치되는 편광 필름(Polarizer)을 적용하지 않기 위한 노력이 진행 중에 있다. 이를 위해서는 편광 필름을 제거함에 따라 발생되는 black 시감 저하 및 외부 광의 반사 등의 문제를 해결해야 하는데 이 중, black 시감의 경우 블랙 매트릭스(Black Matrix) 적용 등을 통해 개선이 가능하나 외부 광의 반사에 따른 문제는 해결이 불가능하다. 따라서, 편광 필름을 사용하지 않고도 외부 광의 반사에 따른 기술적 이슈를 해결할 수 있는 요구가 존재한다.

본 명세서에서 해결하고자 하는 과제는 외부 광의 반사를 개선하기 위한 유기 발광 표시장치를 제공하는 것이다. 다만, 본 명세서의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치는 제 1 기판, 제 1 기판 상에 배치되는 복수의 박막 트랜지스터, 복수의 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 박막 트랜지스터 각각에 전기적으로 연결되는 복수의 제 1 전극과, 복수의 제 1 전극과 마주 보도록 배치되는 제 2 전극 및 그 사이에 구비되는 적어도 하나의 유기 발광층을 포함하는 복수의 유기 발광소자, 유기 발광소자 상에 배치되며 유기 발광소자를 덮는 봉지층, 봉지층 상에 배치되며 유기 발광소자 각각에 대응되는 복수의 컬러필터를 포함하는 컬러필터층 및 복수의 컬러필터 사이에 배치되는 블랙 매트릭스, 컬러필터층 상에 배치되며 제 1 기판과 마주 보는 제 2 기판을 포함하며, 유기 발광소자와 컬러필터층 사이에 광 변환층이 배치되며 유기 발광층은 자외선(Ultra Violet)을 방출하여 편광 필름을 사용하지 않고도 외부 광의 반사를 개선할 수 있다.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 명세서는 자외선 광을 방출하는 유기 발광소자 및 자외선 광을 흡수하여 가시광선을 방출하는 광 변환층을 통해 편광 필름을 사용하지 않고도 외부 광의 반사를 개선할 수 있다.

도 1은 본 명세서에 따른 유기 발광 표시장치의 개략적인 구조를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 명세서에 따른 유기 발광 표시장치를 구성하는 한 화소의 회로 구성을 나타낸 등가회로도이다.
도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 단면도이다.
도 4는 본 명세서에 따른 유기 발광소자(OLE)의 단면구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 명세서에 따른 광 변환층에서 광이 방출되는 원리에 대한 개략적인 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 명세서의 일실시예에 따른 광 변환층(150)의 구성에 대한 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 단면도이다.
도 8은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 컬러필터층의 확대도이다.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 명세서가 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.

본 명세서의 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.

도 1은 본 명세서에 의한 유기발광 표시장치의 개략적인 구조를 나타내는 평면도이다. 도 1에서 X축은 스캔 배선과 나란한 방향을 나타내고, Y축은 데이터 배선과 나란한 방향을 나타내며, Z축은 표시장치의 높이 방향을 나타낸다.

도 1을 참조하면, 본 명세서에 의한 유기 발광 표시장치는 기판(100), 게이트(혹은 스캔) 구동부(GD), 데이터 패드부(DP), 소스 구동 집적회로(DD), 연성 배선 필름(FF), 회로 보드(CB), 및 타이밍 제어부(TC)를 포함한다.

기판(100)은 절연 물질, 또는 유연성(flexibility)을 가지는 재료를 포함할 수 있다. 기판(100)은 유리, 금속, 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유기발광 표시장치가 플렉서블(flexible) 표시장치인 경우, 기판(100)은 플라스틱 등과 같은 유연한 재질로 이루어질 수도 있다. 예를 들어 투명 폴리이미드(polyimide) 재질을 포함할 수 있다.

기판(100)은 표시 영역(AA), 및 비-표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(AA)은 영상이 표시되는 영역으로서, 기판(100)의 중앙부를 포함한 대부분 영역에 정의될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 표시 영역(AA)에는 스캔 배선들(혹은 게이트 배선들), 데이터 배선들 및 화소들이 형성된다. 화소들은 복수의 서브 화소들을 포함하며, 복수의 서브 화소들은 각각 스캔 배선들과 데이터 배선들을 포함한다.

비-표시 영역(NDA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로서, 표시 영역(AA)의 전체 또는 일부를 둘러싸도록 기판(100)의 가장자리 부분에 정의될 수 있다. 비-표시 영역(NDA)에는 게이트 구동부(GD)와 데이터 패드부(DP)가 형성될 수 있다.

게이트 구동부(GD)는 타이밍 제어부(TC)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 스캔 배선들에 스캔(혹은 게이트) 신호들을 공급한다. 게이트 구동부(GD)는 베이스 기판(100)의 표시 영역(AA)의 일측 바깥쪽의 비-표시 영역(NDA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. GIP 방식은 게이트 구동부(GD)가 기판(100) 상에 직접 형성되어 있는 구조를 일컫는다.

데이터 패드부(DP)는 타이밍 제어부(TC)로부터 입력되는 데이터 제어신호에 따라 데이터 배선들에 데이터 신호들을 공급한다. 다른 예로, 데이터 구동 소자는 구동 칩으로 제작되어 연성 배선 필름(FF)에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 기판(100)의 표시 영역(AA)의 일측 바깥쪽의 비-표시 영역(NDA)에 마련된 데이터 패드부(DP)에 부착될 수 있다.

소스 구동 집적 회로(DD)는 타이밍 제어부(TC)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 구동 집적 회로(DD)는 소스 제어 신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압들로 변환하여 데이터 배선들에 공급한다. 소스 구동 집적 회로(DD)가 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성 배선 필름(FF)에 실장될 수 있다.

연성 배선 필름(FF)에는 데이터 패드부(DP)와 소스 구동 집적 회로(DD)를 연결하는 배선들, 데이터 패드부(DP)와 회로 보드(CB)를 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성 배선 필름(FF)은 이방성 도전 필름(anisotropic conducting film)을 이용하여 데이터 패드부(DP) 상에 부착되며, 이로 인해 데이터 패드부(DP)와 연성 필름(FF)의 배선들이 연결될 수 있다.

회로 보드(CB)는 연성 배선 필름(FF)들에 부착될 수 있다. 회로 보드(CB)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로 보드(CB)에는 타이밍 제어부(TC)가 실장될 수 있다. 회로 보드(CB)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.

타이밍 제어부(TC)는 회로 보드(CB)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력 받는다. 타이밍 제어부(TC)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(GD)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 구동 집적 회로(DD)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(TC)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부(GD)에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 구동 집적 회로(DD)들에 공급한다. 제품에 따라 타이밍 제어부(TC)는 소스 구동 집적 회로(DD)와 한 개의 구동 칩으로 형성되어 기판(100) 상에 실장될 수도 있다.

도 2는 본 명세서에 따른 유기 발광 표시장치를 구성하는 한 화소의 회로 구성을 나타낸 등가회로도이다.

도 2를 참조하면, 유기 발광 표시장치의 각 화소는 스캔 배선(SL), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)을 포함한다. 데이터 배선(DL)의 끝 단에는 데이터 패드(DP)가 배치되어 있다. 도면으로 도시하지 않았지만, 스캔 배선(SL)의 끝 단에는 스캔 패드가 배치될 수 있다.

발광 표시장치의 한 화소 내부에는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT), 유기 발광소자(OLE) 그리고 보조 용량(Cst)을 포함한다. 구동 전류 배선(VDD)에는 유기 발광소자(OLE)를 구동하기 위한 고 전위 전압이 인가된다.

예를 들어, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부분에 배치될 수 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스위칭 게이트 전극(SG), 스위칭 소스 전극(SS) 및 스위칭 드레인 전극(SD)을 포함한다. 스위칭 게이트 전극(SG)은 스캔 배선(SL)에서 분기되거나, 스캔 배선(SL)의 일부일 수 있다. 스위칭 소스 전극(SS)은 데이터 배선(DL)에 연결되며, 스위칭 드레인 전극(SD)은 구동 박막 트랜지스터(DT)에 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 구동 박막 트랜지스터(DT)에 데이터 신호를 인가함으로써 구동시킬 화소를 선택하는 기능을 한다.

구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)에 의해 선택된 화소의 유기 발광소자(OLE)를 구동하는 기능을 한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 구동 게이트 전극(DG), 구동 소스 전극(DS) 및 구동 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 게이트 전극(DG)은 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 스위칭 드레인 전극(SD)에 연결된다. 구동 소스 전극(DS)은 구동 전류 배선(VDD)에 연결되며, 구동 드레인 전극(DD)은 유기 발광소자(OLE)의 애노드 전극(ANO)에 연결된다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 스위칭 드레인 전극(SD)과 유기 발광소자(OLE)의 애노드 전극(ANO) 사이에는 보조 용량(Cst)이 형성될 수 있다.

구동 박막 트랜지스터(DT)는 구동 전류 배선(VDD)과 유기 발광소자(OLE) 사이에 배치된다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)에 연결된 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)의 전압의 크기에 따라 구동 전류 배선(VDD)으로부터 유기 발광소자(OLE)로 흐르는 전류량을 조정한다.

도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 단면도이다.

도 3에서는 본 명세서의 실시예를 설명하기 위해 구동 박막 트랜지스터(DT)와 화소부 영역을 중심으로 개략적인 단면을 도시하였다. 이에 따라 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 보조용량(Cst) 영역 등은 별도로 도시하지 않았으며, 그 외 유기 발광 표시장치의 보상 기술에 따라 다양한 구조로 구현될 수 있다.

또한, 도 3에서는 탑-게이트 구조의 박막 트랜지스터들이 형성된 구조를 기준으로 도시하였다. 본 명세서에 있어 박막 트랜지스터의 구조는 특정 구조에 한정되지 않으며, 다른 예로, 바텀-게이트 구조의 박막 트랜지스터를 구비할 수도 있다. 바텀-게이트 구조는, 게이트 전극이 먼저 형성되고, 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막 위에 반도체 층이 형성된 구조이다. 하지만, 본 명세서에 의한 유기 발광 표시장치는, 초 고밀도 해상도를 구현함에 있어, 발광 영역이 화소 영역에서 차지하는 비율인 개구율을 높이기 위해서 탑-게이트 구조의 박막 트랜지스터를 구비하는 것이 바람직하다

본 명세서의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 구조는 기판(100) 상에 반도체 층(110)이 배치되고 그 위에 게이트 전극(113)이 배치된 구조이다.

기판(100)과 반도체층(110) 사이에는 버퍼층이 배치될 수 있으며, 반도체층(110)과 게이트 전극(113) 사이에는 게이트 절연막(112)이 배치될 수 있다. 반도체 층(110)의 양측에는 도체화 공정을 거쳐 드레인 영역(111-1)과 소스 영역(111-2)을 가질 수 있으며, 그 사이에는 반도체층이 배치되어 채널이 형성될 수 있다. 이 때, 반도체층은 저온 다결정실리콘 박막 트랜지스터(LTPS) 또는 산화물 박막 트랜지스터(Oxide TFT)가 사용될 수 있으며, 산화물 박막 트랜지스터의 경우 인듐-갈륨-아연-산화물(IGZO) 등을 비롯한 다양한 산화물 반도체가 사용될 수 있다. 아울러, 복수의 산화물 반도체층이 연속적으로 적층되어 반도체층을 구성할 수 있다. 또한, 산화물 반도체층 상에 오믹 접촉 특성을 향상시키기 위해 몰리브덴-티타늄(MoTi) 등의 물질을 추가로 배치할 수 있다.

게이트 전극(113)의 경우 스캔 배선에 연결되어 해당 박막 트랜지스터에 스캔 신호가 인가될 수 있게 배치될 수 있으며, 도면에는 도시되지 않았으나, 박막 트랜지스터의 하부에 배치되는 별도의 금속층과 서로 전기적으로 연결되어 이중 게이트 구조로 배치될 수도 있다. 게이트 전극(113)은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi) 등의 물질 중에서 선택될 수 있으며, 구리(Cu)가 추가적으로 적층되어 배치될 수 있다.

게이트 전극(113)의 상부에는 보호막(114)이 배치될 수 있으며, 실리콘 산화물(SiO2)이나 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 무기 절연층을 배치할 수 있다. 또한, 보호막(114)는 표시 영역(AA)에만 도포되고, 데이터 패드부(300)가 배치된 비-표시 영역(NDA)에는 적층되지 않을 수 있다.

보호막(114) 상부에는 드레인 전극 및 소스 전극(115)이 배치될 수 있다. 소스 전극은 데이터 배선과 해당 박막 트랜지스터의 소스 영역(111-2)에 전기적으로 연결되어 해당 박막 트랜지스터에 데이터 신호가 인가될 수 있게 배치될 수 있으며, 드레인 전극은 해당 박막 트랜지스터의 드레인 영역(111-1)과 애노드 전극(121)에 전기적으로 연결되어 유기 발광 소자에 전류를 공급할 수 있다. 드레인 전극 및 소스 전극(115)는 보호막(114) 및 게이트 절연막(112)의 일부를 제거하여 컨택홀 영역을 형성한 뒤, 해당 영역을 채움으로써 드레인 영역(111-1)과 소스 영역(111-2)과 전기적으로 연결되도록 할 수 있다.

드레인 전극 및 소스 전극(115) 상에는 평탄화막(116)이 배치될 수 있다. 박막트랜지스터 및 배선이 배치될 경우 형성 과정에서 단차가 발생함에 따라, 평탄화막(116)이 배치될 수 있으며, 일반적으로 폴리이미드(PI) 또는 폴리아크릴(PAC)과 같은 유기막이 사용될 수 있다. 또한, 요구되는 평탄화의 정도에 따라 이중으로 적층하여 평탄화막(116)을 구성할 수도 있다.

평탄화막(116) 상에는 유기 발광소자(OLE)가 배치될 수 있다. 유기 발광소자(OLE)는 다이오드를 구성하기 위한 애노드 전극(121), 발광층(122) 및 캐소드 전극(123)을 포함할 수 있다.

유기 발광소자(OLE)는 구동 박막 트랜지스터(DT)에 의해 조절되는 전류에 따라 발광한다. 다시 설명하면, 유기 발광소자(OLE)는 구동 박막 트랜지스터(DT)에 의해 조절되는 전류에 따라 발광량이 조절되므로, 유기발광 표시장치의 휘도를 조절할 수 있다. 유기 발광소자(OLE)의 애노드 전극(121)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 드레인 전극(DD)에 접속되고, 캐소드 전극(123)은 저 전위 전압이 공급되는 저-전원 배선(미도시)에 접속된다. 즉, 유기 발광소자(OLE)는 저 전위 전압과 구동 박막 트랜지스터(DT)에 의해 조절된 고 전위 전압에 의해 구동된다.

기판(100)과 대향하는 상부 방향으로 발광하는 경우, 애노드 전극(121)은 광 반사율이 우수한 금속 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 애노드 전극(ANO)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 합금 물질 및 대기 중에서의 반응에 따른 반사도의 저하를 고려하여 팔라디움(Pd)과 구리(Cu) 등을 추가로 혼합한 합금 물질로 구성될 수 있다.

본 명세서의 일 실시예의 경우, 초고 해상도 구현에 적합하도록 상부 발광형(Top Emission) 구조를 갖는다. 상부 발광형 구조에서는 애노드 전극(121)이 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 스캔 배선(SL)으로 정의되는 화소 영역에서 최대 면적을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 따라서, 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 애노드 전극(121) 아래에서 애노드 전극(121)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 또한, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 스캔 배선(SL)도 일부가 애노드 전극(ANO)과 중첩하여 배치될 수 있다.

애노드 전극(121) 상에는 뱅크(117)가 형성되어 있다. 뱅크(117)는 애노드 전극(121)의 가장자리 영역을 덮으며, 중앙 영역 대부분을 노출하도록 배치된다. 애노드 전극(121)에서 뱅크(117)에 의해 노출된 중앙 영역 대부분은 발광 영역으로 정의된다.

애노드 전극(121)과 뱅크(117) 상에는, 발광층(122)이 적층되어 있다. 발광층(122)은 애노드 전극(121)과 뱅크(117)를 덮도록 기판(100)의 표시 영역(AA) 전체에 형성될 수 있다.

본 명세서의 실시예에 따른 발광층(122)은 자외선(UV) 영역의 광을 방출하기 위한 물질로 구성될 수 있으며, 복수의 층으로 배치될 수 있다.

발광층(122)은 다양한 물질 중에 선택할 수 있다. 예를 들면, 2-(4-Biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole, 3-(4-Biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole,1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]- benzene, 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole, methyl 2-amino-9-benzyl-6-(N,N0 - dimethylamino)-9H-purine-8-carboxylate, diphenyl-[30 -(1-phenyl-1H-phenanthro[9,10-d]- imidazol-2-yl)-biphenyl-4-yl]-amine, 1,2-di-p-tolyl-1H-phenanthro[9,10-d]- imidazole, Poly[bis(p-n-butylphenyl)silane], poly(n-butylphenylsilane), N,N0 -Bis(3-methylphenyl)-N,N0 -bis(phenyl)-benzidine, Dimer of 6,6-dimethyl-dibenzo-[d,f][1,3]dioxepin, Ter(9,9-diarylfluorene)s, 1,3,5-tris(9,90 -spirobifluoren-2-yl)benzene, 1,3-bis(9,90 -spirobifluoren-2-yl)benzene, 2-(1-naphthyl)- 9,90 -spirobifluorene, 2-(2-naphthyl)-9,90 -spirobiflouorene, N,N-Bis(9,9-dimethylfluorene-2-yl)aniline, 4,40 -Bis(carbazol-9-yl)biphenyl, 9-(40 -(4,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazol-3-yl)-[1,10 -biphenyl]- 4-yl)-9H-carbazole, 2,7-Di(9-carbazolyl)-9-(2-ethylhexyl)carbazole. 2,7-Di(9-carbazolyl)-9-(2-ethylhexyl)carbazole, 2,7-bis(3,6-di-tert-butyl-9H-carbazol-9-yl)-9,9-dimethyl-9H-thioxanthene 10,10-dioxide, 1,6-bis[2-(3,5-diphenylphenyl)phenyl]pyrene, 9-(o-benzofuryl)phenanthrene, 9,10-bis(o-benzofuryl)phenanthrene, 9-(o-dibenzofuryl)phenanthrene, 9-(o-benzothienyl)- phenanthrene, cerium-dicyclohexano-18-crown-6 complex 중 어느 한 물질을 선택하여 사용할 수 있다.

본 명세서의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치에서 발광층으로부터 방출되는 자외선(UV) 광의 경우, 그 파장이 약 400nm 이하일 수 있다. 300nm 미만의 파장을 갖는 자외선의 경우 에너지 전달 과정에서 대부분이 열로 손실됨에 따라 본 명세서의 실시예에 따른 광원으로 사용하는데 있어 부적합할 수 있으며, 따라서, 300nm 내지 400nm의 파장을 갖는 자외선을 방출하는 물질을 사용하는 것이 더욱 바람직하다.

나아가 발광층(122)은 수직 적층된 둘 이상의 발광부를 포함하는 탠덤(Tandem) 구조로 배치될 수 있다. 탠덤 구조로 배치된 발광층(122)를 포함하는 유기 발광소자 구조를 통해 구동 전압을 낮추고 발광 효율을 향상시키며 소자의 수명을 더욱 개선할 수 있다.

도 4는 본 명세서에 따른 유기 발광소자(OLE)의 단면구조를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 4에서는 두 개의 발광부가 수직으로 적층된 구조를 개시하고 있지만, 이에 한정되지 않으며, 한 개의 발광부만 포함하거나 세 개 이상의 발광부가 수직으로 적층된 구조일 수도 있다.

도 4에 개시된 바와 같이, 애노드 전극(121)과 캐소드 전극(123) 사이에 제1 및 제2 발광부(EMI1, EMI2)가 수직으로 적층되어 있다. 도 4에서는 두 개의 발광부가 수직으로 적층된 구조를 개시하고 있지만 본 명세서에 따른 유기 발광소자(OLE)의 경우 이에 한정되지 않으며, 한 개의 발광부만 포함하거나 세 개 이상의 발광부가 수직으로 적층된 구조일 수도 있다.

제1 및 제2 발광부(EMI1, EMI2)는 적어도 하나의 발광층(122)을 포함하고 있으며, 각 발광층(122-1, 122-2)과 애노드 전극(121) 사이에 정공 주입층 (Hole Injection Layer, HIL) 및 정공 수송층 (Hole Transport Layer, HTL)을 포함할 수 있다. 또한, 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)은 복수의 유기 발광소자에 걸쳐 공통적으로 배치될 수 있다.

제1 및 제2 발광부(EMI1, EMI2)는 각 발광층(122-1, 122-2)과 캐소드 전극(123) 사이에 전자 수송층 (Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층 (Electron Injection Layer, EIL)을 포함할 수 있다. 또한, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)은 복수의 유기 발광소자(OLE)에 걸쳐 공통적으로 배치될 수 있다.

아울러, 수직 적층된 두 개 이상의 발광부를 포함할 경우, 그 사이에 전하 생성층(Charge Generation Layer, CGL)층이 추가로 배치될 수 있다. 또한, 전하 생성층(CGL)은 복수의 유기 발광소자(OLE)에 걸쳐 공통적으로 배치될 수 있다.

제1 발광부(EMI1)과 제2 발광부(EMI2) 사이에는 전하 생성층(CGL)을 배치하여 제1 발광부(EMI1) 및 제2 발광부(EMI2)의 발광층(122)에서 발생하는 전류 효율을 증가시키고, 전하를 원활하게 분배할 수 있다. 또한, 전하 생성층(CGL)은 N형 전하 생성층(CGL:N)과 P형 전하 생성층(CGL:P)이 인접하게 위치하면서 접합된 PN-접합 형태의 전하 생성층(CGL)일 수 있다. N형 전하 생성층(CGL:N)의 경우, 제1 발광부(EMI1)의 전자 수송층(ETL)으로 전자를 공급하고 P형 전하 생성층(CGL:P)의 경우, 제2 발광부(EMI2)의 정공 수송층(HTL)으로 정공을 공급할 수 있다. 전하 생성층(CGL)을 배치함에 따라 제1 발광부(EMI1)의 전자 주입층(EIL)과 제2 발광부(EMI2)의 정공 주입층(HIL)을 삭제할 수 있다.

발광층(122) 상에는 캐소드 전극(123)가 배치될 수 있다. 캐소드 전극(123)은 발광층(122)과 면 접촉을 이루도록 적층될 수 있다. 캐소드 전극(123)은 모든 화소들에 형성된 발광층(EL)과 공통적으로 연결되도록 기판(100) 전체에 걸쳐 형성될 수 있다. 상부 발광형의 경우, 캐소드 전극(CAT)은 인듐-주석-산화물 (Indium-Tin-Oxide; ITO) 혹은 인듐-아연-산화물 (Indium-Zinc-Oxide: IZO)와 같은 투명 도전 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 또는 마그네슘-은 합금(MgAg) 등의 불투명 도전 물질로 형성할 경우에는 그 두께를 얇게 하여 캐소드 전극(123)을 구성하는 것이 바람직하다.

캐소드 전극(CAT) 상에 봉지층(130)을 배치할 수 있다. 봉지층(130)은 습기 또는 이물질과 같은 외부 환경으로부터 유기 발광소자(OLE)를 보호하기 위해 배치되며, 발광표시 영역(AA)을 둘러싸도록, 표시 영역(AA)과 비-표시 영역(NDA) 사이에 배치될 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에서의 봉지층(130)은 캐소드 전극(CAT) 상에 제1 무기 봉지층(131), 유기 봉지층(132) 및 제2 무기 봉지층(133)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다. 제1 무기 봉지층(131)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al₂O₃)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기 봉지층(131)이 저온 분위기에서 증착되므로, 제1 무기 봉지층(131)의 증착 공정시 고온 분위기에 취약한 발광층(122)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.

유기 봉지층(132)은 유기 발광 표시장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 평탄화 성능을 강화한다. 이 유기 봉지층(132)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성될 수 있다.

제 2 무기 봉지층(133)는 유기 봉지층(132)이 형성된 기판(100) 상에 유기 봉지층(132) 및 제1 무기 봉지층(131) 각각의 상부면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 무기 봉지층(133)은 외부의 수분이나 산소가 제1 무기 봉지층(131) 및 유기 봉지층(132)으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단한다. 이러한 제2 무기 봉지층(132)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 무기 절연 재질로 형성될 수 있다.

아울러 도면에는 도시되지 않았으나, 유기 봉지층(132)이 비표시 영역(NDA)로 유동하는 것을 방지 하기 위해 봉지층(130)의 외곽 영역에 별도의 구조물을 배치할 수 있으며 제1 무기 봉지층(131) 및 제2 무기 봉지층(133)은 유기 봉지층(132)을 감싸면서 구조물과 접하거나 구조물을 덮도록 배치될 수 있다.

봉지층(130) 상에는 터치 센서(140)가 배치될 수 있다. 터치센서(140)는 터치 버퍼층(141), 터치 절연막(142), 터치 전극(143) 및 터치 평탄화막(144)를 포함할 수 있다.

터치 센서(140)는 터치 제1 기판(100) 상에 적층되어 배치될 수 있고, 별도의 기판에서 형성된 후 접착층을 이용하여 제1 기판 상에 부착될 수도 있다. 본 명세서의 일 실시예에서는 제1 기판(100) 상에 적층되는 구조를 기준으로 설명한다.

봉지층(130) 상에는 터치 버퍼층(141)이 배치될 수 있다. 터치 버퍼층(141)은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 방식으로 형성되는 무기물층, 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성될 수 있다.

터치 버퍼층(141) 상에는 터치 절연막(142)이 배치될 수 있다. 터치 절연막(142)으로 유기막이 이용되는 경우, 유기막은 기판 상에 코팅된 후, 100도 이하의 온도에서 경화(curing)됨으로써 터치 절연막(142)이 형성될 수 있다. 터치 절연막(142)으로 무기막이 이용되는 경우, 저온 CVD 증착 공정과 세정 공정을 적어도 2회 반복함으로써 다층 구조의 터치 절연막(142)이 형성될 수 있다.

도면에는 도시되지 않았으나, 터치 절연막(142)과 터치 버퍼층(141) 사이에는 금속층이 별도로 배치될 수 있으며, 금속층은 이후 설명될 복수의 터치전극을 서로 전기적으로 연결하는 브릿지(Bridge) 전극으로 배치될 수 있다.

터치 절연막(142) 상에는 터치 전극(143)이 배치될 수 있다. 터치 전극(143)은 제1 방향으로 배치되는 복수의 제1 터치 전극과 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배치되는 복수의 제2 터치 전극으로 배치될 수 있다. 다시 말해, 터치 전극은 복수의 제1 터치 전극과 복수의 제2 터치 전극으로 정의되는 매쉬(Mesh) 형태의 구조로 배치될 수 있다.

복수의 제1 터치 전극 사이 및 복수의 제2 터치 전극 사이는 브릿지 전극을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 터치 전극의 브릿지 전극 및 제2 터치 전극의 브릿지 전극은 서로 다른 층에 배치될 수 있다.

제1 터치 전극의 브릿지 전극이 터치 전극(143)과 동일층에 형성될 경우, 제2 터치 전극의 브릿지 전극은 터치 버퍼층(141)과 터치 절연막(142) 사이에 배치될 수 있으며, 이 경우 터치 절연막(142)에 별도의 컨택홀을 형성하여 제2 터치 전극과 제2 터치 전극의 브릿지 전극을 전기적으로 연결할 수 있다.

복수의 제1 터치 전극 및 제1 터치 전극의 브릿지 전극과 복수의 제2 터치 전극 및 제2 터치 전극의 브릿지 전극은 각각 터치 구동라인 및 터치 센싱라인으로 배치될 수 있으며, 터치 구동라인과 터치 센싱라인이 서로 교차함으로써 교차부에는 상호 정전 용량이 형성되어 터치 구동라인에 공급되는 터치 구동 신호에 의해 전하를 충전하고 충전된 전하를 터치 센싱라인으로 방전함으로써 터치센서(140)의 역할을 할 수 있다.

터치 전극(143) 상에는 터치 평탄화막(144)이 배치될 수 있다. 터치 전극(143) 형성으로 인해 터치 전극(143)이 배치되는 영역과 배치되지 않는 영역 사이에 단차가 발생할 수 있으며, 터치 평탄화막(144)를 추가로 배치함으로써 단차 발생에 따른 문제점을 해결할 수 있다.

터치센서(140) 상에는 광 변환층(150)을 배치할 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에 따른 광 변환층(150)은 흑색 광(Black-light) 물질과 발광 물질을 포함할 수 있다.

흑색 광 물질은 가시광선 영역의 빛은 흡수함과 동시에 외부로부터 에너지를 흡수하여 자외선 영역의 빛을 방출하는 물질로, 발광 물질은 자외선 영역의 빛을 흡수하여 가시광선 영역의 빛을 방출하는 물질로 정의될 수 있다. 흑색 광 물질은 다양한 물질로 구현할 수 있으며, 발광층(122)에서 방출되는 자외선의 파장보다 가시광선 영역에 가까운 근자외선을 방출하는 물질일 수 있다. 예를 들면, SrP₂O₇:Eu, SrB₄O₇:Eu, BaSi₂O₅:Pb, SrAl₁₁O₁₈:Ce, MgSrAl₁₀O₁₇:Ce 중 어느 한 물질을 사용할 수도 있다. 흑색 광 물질은 가시광선 영역의 빛은 전부 흡수하기 때문에 외부로부터 입사되는 가시광선이 통과하지 못해 별도의 편광 필름을 사용하지 않고도 외부 광의 반사를 방지할 수 있으며, 자외선 영역의 빛을 방출하여 발광 물질이 이를 흡수하여 발광할 수 있도록 함으로써 본 명세서에 따른 유기 발광 표시장치를 구현할 수 있도록 한다.

도 5는 광 변환층(150)에 포함된 흑색 광 물질로부터 에너지를 전달받아 발광 물질이 발광하는 과정을 개략적으로 도시한 도면이다. 이하, 그 과정에 대해 설명하도록 한다.

도 5에 도시된 바와 같이, 각각의 발광 물질은 고유의 밴드 갭(Band Gap) 에너지를 가지고 있으며 밴드 갭 에너지는 가전도대(Valence Band) 영역에 있는 전자가 전도대(Conduction Band) 영역으로 이동하는데 필요한 에너지의 크기로 정의할 수 있다. 본 명세서의 일실시예에 따른 발광 물질의 경우, 유기 발광소자(OLE)로부터 입사되는 자외선을 흑색 광 물질이 흡수하여 가시광선 영역에 가까운 근자외선을 방출하게 되고, 발광 물질이 이를 흡수할 수 있다. 이 때, 흡수된 에너지를 각각의 발광 물질의 가전도대에 있던 전자들이 흡수하여 여기 상태로 이동한 후 열, 진동 등으로 인해 발생되는 비복사 전이를 거쳐 전도대에서 가전도대로 떨어지면서 해당 에너지 차이만큼의 에너지를 광으로 방출할 수 있다. 다시 말하면, 발광층(122) → 흑색 광 물질(BLM) → 발광 물질(EM_R, EM_G, EM_B)으로의 에너지 전달과정을 통해 외부로 빛이 출광하게 된다.

이하에는 본 명세서의 일실시예에 따른 광 변환층(150)의 구성에 대해 몇가지 예를 통하여 설명하도록 한다.

도 6a 및 도 6b는 본 명세서의 일실시예에 따른 광 변환층(150)의 구성에 대한 개략적인 단면도이다.

도 6a에 개시된 바와 같이, 광 변환층(150)은 모체(Matix)가 되는 흑색 광 물질 (BLM)에 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 물질(EM_R, EM_G, EM_B)을 혼합할 수 있다. 유기 발광소자(OLE)로부터 출광된 자외선이 흑색 광 물질(BLM)로 입사되면, 각각의 발광 물질이 발광하고, 서로 혼색되어 전체적으로 백색 광을 구현할 수 있다. 동일한 원리로 황녹색(Yellowish Green), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 물질을 조합하여 백색 광을 구현할 수도 있다.

다른 경우로는 도 6b에 개시된 바와 같이, 모체가 되는 흑색 광 물질(BLM)에 청색 광을 방출하는 발광 물질(EM_B)만 포함하는 광 변환층(150)을 배치할 수도 있다. 이러한 경우, 추후 설명할 컬러필터층(152)을 배치하는 과정에서 녹색 컬러필터(152G) 및 적색 컬러필터(152R)에 청색 광을 흡수하여 녹색 및 적색 빛을 방출하는 별도의 물질, 예를 들어 양자점(Quantum Dot) 발광 재료 등을 컬러필터에 혼합하여 배치할 수 있다. 아울러, 청색(Blue) 또는 백색(White)를 방출하는 영역 상에는 별도의 컬러필터층을 배치하지 않을 수 있다.

광 변환층(150)은 다양한 방법으로 구현할 수 있다. 도 6a 및 도 6b에 개시된 바와 같이 흑색 광 물질에 각각의 발광 물질을 혼합(Mixing)하여 광 변환층(150)을 구현할 수 있으며, 도 6c에 개시된 바와 같이 코팅(Coating) 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정 등을 이용하여 흑색 광 물질 및 각각의 발광 물질을 적층하여 구현 할 수도 있다.

광 변환층(150) 상에는 복수의 컬러필터(152R,152G,152B)를 포함하는 컬러필터층(152)이 배치될 수 있다. 각각의 컬러필터를 통해 광 변환층(150)에서 방출된 빛 중 특정 파장 영역의 빛만 통과시킴으로써 특정 색을 표현할 수 있다.

복수의 컬러필터(152R,152G,152B) 사이에는 색의 섞임을 방지하기 위해 블랙 매트리스(151)가 배치될 수 있다. 블랙 매트릭스(151)는 일반적으로 가시광선을 흡수하는 흑색 수지 조성물을 사용할 수 있으나, 컬러필터 물질을 수직으로 적층하여 구현할 수도 있다.

또한, 컬러필터(152R,152G,152B) 상에는 블랙 매트릭스(151)로 인해 생기는 단차를 없애기 위해 유기물로 구성되는 오버코트층(153)을 배치할 수 있다.

오버코트층(153) 상에는 자외선 차단층(160)이 배치될 수 있다. 외부 광에 포함되어 있는 자외선이 표시장치의 내부로 입사될 경우, 광 변환층(150)에 포함된 흑색 광 물질을 통과하여 발광 물질에 도달할 경우 의도하지 않은 발광 현상이 발생할 가능성이 있으며, 이를 방지하기 위해 별도의 자외선 차단층(160)을 배치하여 표시장치 내부로 자외선이 입사되는 것을 차단할 수 있다.

본 명세서의 일 실시예에서는 자외선 차단층(160)이 컬러필터층(152) 상에 배치되나 이에 한정되지 않는다. 즉, 광 변환층(150)과 제2 기판(170) 사이의 어느 영역에 배치할 수 있다. 또는 광 변환층(150)과 제2 기판(170)을 일체형으로 배치할 수도 있다.

제1 기판(100)과 대응하도록 제2 기판(170)이 배치될 수 있고, 도면에는 도시하지 않았으나 제2 기판은 접착층을 사이에 두고 자외선 차단층(160) 또는 제1 기판(100) 상의 어느 한 영역에 결합될 수 있다.

도 7은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 단면도이다.

도 7에 따른 실시예는 도 3에 따른 실시예와 컬러필터층(252)을 제외하고 실질적으로 동일한 구조 및 기술적 특징을 개시하고 있어, 중복된 구성 및 기술적 특징에 대한 설명은 생략하고 차이점을 갖는 특징에 대해서만 설명을 하도록 한다.

도 7에 따른 실시예에서는 컬러필터층(252)이 종래의 컬러필터로서의 기능과 도 3에 따른 본 명세서의 실시예에서 설명한 광 변환의 기능을 동시에 구현하도록 배치될 수 있다. 다시 말하면, 별도의 광 변환층을 배치할 필요 없이 유기 발광소자(OLE) 상에 컬러필터층(252)을 배치하면서 각각의 컬러필터(252R, 252G, 252B) 내에 흑색 광 물질 및 발광 물질을 혼합하여 배치할 수 있다.

도 8은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 컬러필터층(252)의 확대도이다.

도 8에 개시된 바와 같이, 각각의 컬러필터(252R, 252G, 252B)는 블랙 광 물질(BLM)에 블랙 광 물질(BLM)로부터 자외선을 흡수하여 각각의 컬러필터(252R, 252G, 252B)에 대응되는 색을 발광하는 발광 물질(BLM_R, BLM_G, BLM_B)들이 혼합되어 배치될 수 있다. 이를 통해 컬러필터의 특성을 더욱 향상시킬 수 있으며, 이를 통해 별도의 공정을 추가할 필요 없이 컬러필터(252) 공정 단계에서 광 변환층 및 컬러필터를 동시에 형성할 수 있어 공정을 단순화할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100 제1 기판 121 애노드 전극
122, 122-1, 122-2 발광층 123 캐소드 전극
OLE 유기 발광소자 130 봉지층
131 제1 무기 봉지층 132 유기 봉지층
133 제2 무기 봉지층 150 광 변환층
151 블랙 매트릭스 152, 252 컬러필터층
152R, 152G, 152B, 252R, 252G, 252B 컬러필터
153 오버코트층 160 자외선 차단층
170 제2 기판

Claims

제 1 기판;
상기 제 1 기판 상에 배치되는 복수의 박막 트랜지스터;
상기 복수의 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 상기 박막 트랜지스터 각각에 전기적으로 연결되는 복수의 제 1 전극과, 상기 복수의 제 1 전극과 마주 보도록 배치되는 제 2 전극 및 그 사이에 구비되는 적어도 하나의 유기 발광층을 포함하는 복수의 유기 발광소자;
상기 유기 발광소자 상에 상기 유기 발광소자를 덮도록 배치되는 봉지층;
상기 봉지층 상에 배치되며, 상기 유기 발광소자 각각에 대응되는 복수의 컬러필터를 포함하는 컬러필터층 및 상기 복수의 컬러필터 사이에 배치되는 블랙 매트릭스;
상기 컬러필터층 상에 배치되며, 상기 제 1 기판과 마주 보는 제 2 기판을 포함하며,
상기 유기 발광소자와 상기 컬러필터층 사이에 광 변환층이 배치되며, 상기 유기 발광층은 자외선(Ultra Violet)을 방출하는 유기 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 유기 발광소자와 상기 컬러필터층 사이에 광 변환층이 배치되는 유기 발광 표시장치.
제 2 항에 있어서,
상기 광 변환층은 자외선을 흡수하고 가시광선을 방출하는 흑색 광(Black-Light) 물질을 포함하며, 백색 광을 방출하는 유기 발광 표시장치.
제 3 항에 있어서,
상기 광 변환층은 SrP₂O₇:Eu, SrB₄O₇:Eu, BaSi₂O₅:Pb, SrAl₁₁O₁₈:Ce, MgSrAl₁₀O₁₇:Ce 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시장치.
제 3 항에 있어서,
상기 광 변환층은 자외선을 흡수하여 서로 다른 색의 빛을 방출하는 복수의 발광 물질을 더 포함하는 유기 발광 표시장치.
제 3 항에 있어서,
상기 광 변환층은 자외선을 흡수하여 청색 광을 방출하는 발광 물질을 포함하는 유기 발광 표시장치.
제 2 항에 있어서,
상기 광 변환층은 적어도 서로 다른 두 개의 유기 발광소자 상에 걸쳐 배치되는 유기 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 유기 발광층은 300 내지 400 nm의 파장을 갖는 자외선을 방출하는 유기 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 유기 발광층은 탠덤(Tandem) 구조로 배치되는 유기 발광 표시장치.
제 2 항에 있어서,
상기 광 변환층과 상기 제 2 기판 사이에 자외선 차단층이 추가로 배치되는 유기 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 컬러필터 각각은 자외선을 흡수하고 가시광선을 방출하는 흑색 광(Black-Light) 물질을 포함하는 유기 발광 표시장치.
제 11 항에 있어서,
상기 복수의 컬러필터 각각은 자외선을 흡수하여 각 컬러필터와 동일 색의 빛을 발광하는 발광 물질을 더 포함하는 유기 발광 표시장치.
제 11 항에 있어서,
상기 컬러필터층과 상기 제 2 기판 사이에 자외선 차단층이 추가로 배치되는 유기 발광 표시장치.