KR20230173942A - 신규한 이트륨 화합물, 상기 이트륨 화합물을 함유하는 전구체, 상기 이트륨 전구체를 이용한 이트륨 함유 박막 및 이의 제조방법. - Google Patents

신규한 이트륨 화합물, 상기 이트륨 화합물을 함유하는 전구체, 상기 이트륨 전구체를 이용한 이트륨 함유 박막 및 이의 제조방법. Download PDF

Info

Publication number
KR20230173942A
KR20230173942A KR1020220074783A KR20220074783A KR20230173942A KR 20230173942 A KR20230173942 A KR 20230173942A KR 1020220074783 A KR1020220074783 A KR 1020220074783A KR 20220074783 A KR20220074783 A KR 20220074783A KR 20230173942 A KR20230173942 A KR 20230173942A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
yttrium
thin film
oxide
precursor
compound
Prior art date
Application number
KR1020220074783A
Other languages
English (en)
Inventor
김현창
Original Assignee
주식회사 아이켐스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이켐스 filed Critical 주식회사 아이켐스
Priority to KR1020220074783A priority Critical patent/KR20230173942A/ko
Publication of KR20230173942A publication Critical patent/KR20230173942A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 다양한 이트륨 함유 박막의 형성에 사용될 수 있는 이트륨 화합물, 상기 화합물을 함유하는 이트륨 함유 전구체, 상기 이트륨 화합물 또는 이트륨 전구체를 이용한 이트륨 함유 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 이트륨 화합물 또는 이트륨 함유 전구체는 상온에서 액체이고 높은 휘발성과 높은 열적 안정성을 나타내므로 고품질의 이트륨 함유 박막 및 이의 제조방법에 사용될 수 있다.

Description

신규한 이트륨 화합물, 상기 이트륨 화합물을 함유하는 전구체, 상기 이트륨 전구체를 이용한 이트륨 함유 박막 및 이의 제조방법.{NOVEL YTTRIUM COMPOUND, PRECURSOR COMPRISING THE SAME, THIN FILM COMPRISING THE SAME AND DEPOSITION METHOD OF THE SAME}
본 발명은 신규한 이트륨 화합물, 상기 이트륨 화합물을 함유하는 전구체 및 상기 전구체를 이용하여 제조되는 이트륨 함유 박막 및 상기 이트륨 함유 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 상온에서 액체이며, 매우 높은 증기압 특성과 열적 안정성을 나타내며 박막 형성 공정에서 원자층 증착 공정 온도 범위(ALD Window)의 구간이 현저히 넓은 효과를 나타내는 신규한 이트륨 화합물, 상기 이트륨 화합물을 함유하는 전구체 및 상기 전구체를 이용하여 제조되는 이트륨 함유 박막 및 상기 이트륨 함유 박막의 제조방법에 관한 것이다.
트랜지스터는 채널 간의 거리를 줄이고 게이트 산화물(gate oxide)의 두께를 감소시켜 고속화를 달성하고 있다. 그러나 채널 간의 간격이 줄어들면서 트랜지스터의 온/오프 동작이 불완전하게 되는 소위 쇼트 채널 효과(short channel effect)가 발생하게 된다.
종래에는 게이트 산화물로 산화 실리콘(SiO2)가 주로 사용되어 왔다. 상기 산화 실리콘은 전기적 특성이 우수하고, 양질의 계면특성을 가지며, 뛰어난 절연특성을 유지할 수 있는 장점이 있다. 그러나 최근에는 반도체 소자의 초미세화 공정 변화로 인하여 게이트 산화물의 두께가 미세화 되고 있다. 이로 인하여 직접 터널링(direct tunneling)이 증가하게 되어 심각한 누설전류의 문제점이 발생하게 된다. 누설전류가 클수록 소자의 소비전력이 커지고, 트랜지스터의 수명이 짧아지는 등의 많은 문제가 발생하게 된다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 현재는 산화 실리콘에 비하여 상대적으로 두꺼운 두께로 동일한 특성을 유지할 수 있고, 직접 터널링을 줄일 수 있어 EOT(Equivalent Oxide Thickness)룰 더욱 축소시킬 수 있는 장점이 있는 고 유전율(high-K) 물질을 게이트 유전체(gate dielectric)로 사용하고 있다. 게이트 유전체로 사용되기 위해서는 높은 유전율, 열역학적 안정성, 낮은 계면 전하밀도, 전극 물질과의 양립성 등의 특성이 요구된다. 그러나 유전율이 너무 높아도 CBO(conduction band offset)이 감소하여 누설전류가 증가하는 단점이 있기 때문에 너무 큰 유전율을 가진 물질은 사용되기 어렵다.
이트륨 산화물(Y2O3)의 유전율은 약 10-15 정도로 알려져 있고, 넓은 밴드갭(~5.5eV)을 가지며, 1.8의 굴절률 및 우수한 열적 안정성과 기판과의 CBO(~2.3eV) 과 VBO(valence band offset)(~2.2eV)이 커서 누설전류가 적은 장점이 있다고 보고되어 지고 있다.
상기 이트륨 산화물의 증착을 위한 이트륨 전구체의 요구 물성은 상온에서 액체이고, 점도가 낮으며 증기압이 높고 산화제와의 반응성이 높으며 열적 안정성이 높아야 하는 특성을 나타내어야 한다. 이러한 이트륨 전구체의 후보로서는 예컨대 공지화합물로 bis(methylcyclopentadienyl)(N'-isopropyl-N-n-propylacetamidinate)Yttrium [이하, Y(MeCp)2(iPr-nPrAMD)]을 들 수 있다. 상기 화합물은 이트륨 전구체에 있어 증기압이 매우 높고, 열적 안정성이 우수하며, 상온에서 액체이고 낮은 점도의 특징이 있으며, 산화제와의 반응성도 매우 뛰어나 원자층 증착(이하, ALD) 원료로서 매우 바람직하며, Y(MeCp)2(iPr-nPrAMD)을 이용하여 ALD를 통한 Y2O3 박막 증착 결과 또한 매우 우수한 결과를 확인할 수 있었다.
관련하여 유사한 종래의 기술을 살펴보면, 대한민국 등록특허공보 10-16660052호에서 시클로펜타디에닐기 및 아세트아미디네이트기를 포함하는 다양한 희토류 착화합물을 전구체로 포함하는 기술이 공지되어 있다. 또한, 상기 공지의 화합물과 유사한 구조를 포함하는 이트륨 전구체인 bis(methylcyclopentadienyl)(N,N'-Diisopropylpropylacetamidinate)yttrium [이하, Y(MeCp)2(iPrAMD)]의 제조기술이 공지되어 있다.
그러나 Y(MeCp)2(iPrAMD)은 융점온도가 30℃인 화합물로 고체 화합물은 ALD 공정을 진행할 시 전구체의 균일한 기화특성이 부족하여 단차피복성(step coverage)이 불량해지는 원인이 되며, 고체 화합물 특성상 공정 중 파티클 이슈 등에 의하여 필름의 순도가 매우 떨어지는 요인이 되기도 한다. 또한, Y(MeCp)2(iPrAMD)를 이용한 구체적인 박막 증착 실시예 및 그에 따른 효과에 대해서도 전혀 기재되어 있지 않아 박막 형성 공정에서의 유효성 및 우수성 또한 확인할 수 없다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술을 감안하여 안출된 것으로서, 이트륨을 함유한 박막 형성을 위한 전구체로 사용하기에 적합한 신규한 이트륨 화합물 및 이를 함유하는 전구체를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 상기 전구체를 이용하여 제조되는 이트륨 함유 박막과 이의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이트륨 화합물은 이트륨 함유 박막을 형성하기 위한 전구체로 사용될 수 있으며, 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
또한, 본 발명의 이트륨 함유 전구체는 상기 이트륨 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막은 상기 이트륨 화합물 또는 이트륨 함유 전구체를 사용하여 제조될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막의 제조방법은 상기 이트륨 화합물 또는 이트륨 함유 전구체를 사용하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막의 제조방법은 상기 이트륨 화합물의 혼합물을 사용하여 제조될 수 있다.
또한, 상기 이트륨 함유 박막 및 상기 박막의 제조방법은 상기 이트륨 화합물 또는 이트륨 함유 전구체를 기판상에 증착하는 단계를 포함하여 제조될 수 있다. 이때, 상기 증착은 플라즈마강화 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition)공정, 열화학기상증착(thermal chemical vapor deposition), 플라즈마강화 원자층증착(plasma-enhanced atomic layer deposition), 열 원자층 증착(thermal atomic layer deposition) 중 어느 하나의 방법으로 수행될 수 있다.
또한, 상기 이트륨 화합물 또는 상기 이트륨 함유 전구체와는 상이한 금속 전구체를 기판상에 증착하는 공정을 추가적으로 포함할 수 있다.
또한, 상기 증착 공정에서 기판의 가열온도는 100 내지 800℃일 수 있다.
또한, 상기 이트륨 함유 박막을 형성하기 위한 상기 기판으로는 질화 티타늄, 티타늄, 질화 붕소, 황화 몰리브데넘, 몰리브데넘, 산화 아연, 텅스텐, 구리, 산화 알루미늄, 질화 탄탈럼, 질화 니오븀, 실리콘, 산화 실리콘, 산화 티타늄, 산화 지르코늄, 산화 하프늄, 산화 지르코늄, 산화 스트론튬, 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.
또한, 상기 반응물은 O2, O3, H2O, NO, NO2, N2O, H2O2, H2, NH3, 알킬아민, 히드라진 유도체, SiH4, Si2H6, BH3, B2H6, amine-borane complex, GeH4, PH3 중 어느 하나 또는 이들의 혼합 가스일 수 있다.
본 발명에 따른 신규한 이트륨 화합물 및 이를 함유하는 이트륨 전구체는 상온에서 액체이고, 휘발성 및 열적 안정성이 매우 우수하여 고순도 이트륨 함유 박막을 제조할 수 있는 효과를 나타낸다.
또한, 높은 열적 안정성으로 인하여 넓은 원자층 증착 공정온도범위(ALD Window)를 구현할 수 있으므로, 순도가 높은 결정질의 이트륨 함유 박막을 제조할 수 있는 효과를 나타낸다.
도 1은 실시예 1에서 제조된 Y(MeCp)2(iPr-nPrAMD)의 1H-NMR 분석 결과이다.
도 2는 실시예 1에서 제조된 Y(MeCp)2(iPr-nPrAMD)의 증기압(Vapor pressure)을 측정한 결과이다.
도 3은 실시예 1에서 제조된 Y(MeCp)2(iPr-nPrAMD)의 열중량(TGA) 분석 결과이다.
도 4는 실시예 1에서 제조된 Y(MeCp)2(iPr-nPrAMD)의 시차주사열량계(DSC) 분석 결과이다.
도 5는 실시예 2에서 제조된 Y(MeCp)2(iPr-nPrAMD) 박막의 원자층 증착 공정온도범위(ALD Window) 그래프이다.
도 6은 실시예 2에서 제조된 Y(MeCp)2(iPr-nPrAMD) 박막의 두께를 관찰한 주사 전자 현미경(SEM) 이미지이다.
이하 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 따른 이트륨 함유 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 이트륨 화합물 또는 상기 이트륨 화합물을 포함하는 것으로서, 상온에서 액체이고, 증기압 및 열적 안정성이 매우 우수하여 높은 증착 속도로 고순도 이트륨 함유 박막의 제조에 매우 효과적이다.
또한, 높은 열적 안정성으로 인하여 넓은 원자층 증착 공정온도 범위를 구현하여 순도가 높은 결정질의 이트륨 함유 박막을 제조하는 효과를 달성할 수 있다.
[화학식 1]
또한, 상기 이트륨 화합물을 함유하는 전구체는 상온에서 액체이고, 높은 휘발성 및 열적 안정성을 가져 이트륨 함유 박막 형성에 매우 유용한 전구체로 사용될 수 있다.
Y(MeCp)2(iPrAMD)에서는 아세트아미딘기가 대칭 구조인데 반하여 본 발명의 이트륨 화합물은 시클로펜타디에닐기에 작용기로 메틸기와 아세트아미딘 구조의 작용기에 비대칭 알킬 그룹이 존재함으로서 작용기의 자유 회전(free rotation) 효과에 따른 분자간 또는 분자내 상호작용을 최대한 억제할 수 있다.
이로 인하여, ALD 공정용 전구체의 요구조건 중 하나인 상온에서 액체인 화합물 특성을 가짐으로써 종래의 고체화합물인 Y(MeCp)2(iPrAMD) 대비 파티클 이슈를 미연에 방지할 수 있고, 균일한 기화 특성으로 인하여 우수한 단차 피복성의 결과 또한 기대할 수 있다. 결과적으로 박막 형성 속도나 박막의 균일성이 향상되어 종래의 Y(MeCp)2(iPrAMD) 화합물에 비해 고품질의 이트륨 함유 박막을 형성할 수 있을 것으로 판단된다.
상기 이트륨 화합물은 그 자체로 이트륨 함유 박막 형성용 전구체로서 사용될 수 있으나, 용매와 혼합한 이트륨 함유 전구체의 형태로도 사용될 수 있다. 전구체의 경우 조성물 전체에 대하여 0.1 내지 99.9 중량%의 용매를 함유하여 조성물을 형성할 수 있다. 상기 용매는 상기 이트륨 화합물을 용해할 수 있는 것이라면 어떠한 것이라도 사용할 수 있으나, 바람직하게는 포화 또는 불포화 탄화수소류, 고리계 에테르류, 비고리계 에테르류, 불화에테르, 에스테르류, 알콜류, 고리계 아민류, 비고리계 아민류, 고리계설파이드류, 비고리계 설파이드류, 포스핀류, 베타-디키톤류, 베타-키토에스테르류에서 선택되는 하나 또는 그 이상의 유기용매를 사용할 수 있다. 상기 유기용매는 이트륨 화합물의 화학구조와 용해도를 고려하여 적절한 성분 및 함량으로 조합하여 부가할 수 있다.
본 발명에 따른 이트륨 함유 박막은 통상적인 방법으로 제조될 수 있으며, 일례로 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 증착법(ALD), 저압기상 증착법(LPCVD), 플라즈마 강화 기상 증착법(PECVD) 또는 플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 이트륨 화합물 또는 이트륨 함유 전구체와 상이한 금속 함유 전구체를 기판상에 증착하는 단계를 추가적으로 포함하여 이트륨을 포함하는 복합 금속 함유 박막을 형성할 수도 있다. 이때, 상기 금속 함유 전구체의 적어도 일부를 하나 이상의 기판 상에 증착시킴으로써 부분적으로 복합 금속 함유 박막(복합 라미네이트 구조)을 포함하는 이트륨 함유 박막을 형성할 수도 있다.
또한, 상기 이트륨 함유 박막을 형성하기 위한 상기 기판으로는 질화 티타늄, 티타늄, 질화 붕소, 황화 몰리브데넘, 몰리브데넘, 산화 아연, 텅스텐, 구리, 산화 알루미늄, 질화 탄탈럼, 질화 니오븀, 실리콘, 산화 실리콘, 산화 티타늄, 산화 지르코늄, 산화 하프늄, 산화 지르코늄, 산화 스트론튬, 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.
이때, 기판의 증착 온도는 100 내지 800℃인 것이 바람직하며, 반응가스로 O2, O3, H2O, NO, NO2, N2O, H2O2, H2, NH3, 알킬아민, 히드라진 유도체, SiH4, Si2H6, BH3, B2H6, amine-borane complex, GeH4, PH3 중 어느 하나 또는 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더 구체적으로 설명한다.
[실시예 1]
불꽃 건조된 2,000㎖ 슐렝크 플라스크에 질소 분위기 하에서 n-펜탄 1,300㎖ 와 트리스(메틸시클로펜타디에닐)이트륨 163.14g(0.5mol)을 넣고 혼합하였다. 그 후 강렬한 교반 하에 혼합용액을 0℃로 냉각 후 N'iPr-NnPr-amd-H 71.2g(0.5mol)을 약 1시간에 걸쳐 서서히 첨가하였다. 첨가 완료 후 반응 혼합물을 서서히 상온으로 승온하여 추가로 14시간 교반 하였다. 반응 종결 후 감압하여 용매를 완전 제거하였다. 순도를 높이기 위해 감압 하에서 증류(140℃/0.3Torr)하여 노란색 액체의 표제 화합물 194.2g (수율, 80%)을 수득하였다.
수득된 화합물을 1H-NMR로 분석한 결과는 도 1과 같으며 이는 Y(MeCp)2(iPr-nPrAMD)인 것으로 확인되었다. 또한, 상기 실시예 1에서 확보된 이트륨 화합물 증기압을 측정한 결과는 도 2에서와 같으며, 열중량 분석(TGA) 결과는 도3에 표시하였다. 또한 시차 주사 열량계(DSC) 분석 결과 450℃이상에서 분해가 일어나는 것으로 확인되어 이는 실시예 1 화합물의 매우 높은 열적 안정성을 가지고 있음을 보여주고 있다.
[실시예 2]
원자층 증착법(Atomic layer deposition)에 의해 실리콘 기판온도 280℃ 내지 370℃에서 증기상태(전구체 캐니스터 온도 140℃)의 이트륨 전구체로서 실시예 1의 화합물 Y(MeCp)2(iPr-nPrAMD)을 기판 위에 증착 하여 이트륨 함유 박막을 형성하였다. 반응 가스로 오존(O3)을 사용하였고, 불활성 기체인 아르곤(Ar)은 퍼지 목적으로 사용하였다. 이하 표 1에 구체적인 이트륨 함유 박막 증착 방법을 나타내었다.
공정
압력
(mmHg)		 캐니스터온도
(℃)		 기판
온도
(℃)		 전구체
주입
시간
(sec)		 퍼지(Ar) 반응가스
주입(O3)		 퍼지(Ar) 증착
횟수
(cycle)
유량
(sccm)		 시간
(sec)		 유량
(sccm)		 시간
(sec)		 유량
(sccm)		 시간
(sec)
0.8 140 280-370 18 1,200 30 500 6 1,200 15 100
실시예 2에서 증착된 이트륨 함유 박막은 도 5에서 보듯이 280 내지 370℃ 사이에서 안정적인 원자층 증착 공정온도범위(ALD Window)를 나타내었다. 따라서 실시예 1의 화합물은 매우 높은 열적 안정성 및 높은 반응성을 보여주고 있음을 증명하고 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시 형태를 들어 설명하였으나, 상기 실시형태들에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형 예 및 변경 예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 이트륨 화합물.
    [화학식 1]

  2. 청구항 1의 이트륨 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이트륨 함유 전구체.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 이트륨 함유 전구체는 0.1 내지 99.9 중량%의 용매를 포함하며,
    상기 용매는 불포화 탄화수소류, 고리계 에테르류, 비고리계 에테르류, 불화에테르, 에스테르류, 알콜류, 고리계 아민류, 비고리계 아민류, 고리계설파이드류, 비고리계 설파이드류, 포스핀류, 베타-디키톤류, 베타-키토에스테르류에서 선택된 하나 또는 그 이상의 유기용매인 것을 특징으로 하는 이트륨 함유 전구체.
  4. 청구항 1의 이트륨 화합물 또는 청구항 2의 이트륨 함유 전구체를 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 이트륨 함유 박막.
  5. 청구항 1의 이트륨 화합물 또는 청구항 2의 이트륨 함유 전구체를 사용하는 것을 특징으로 하는 이트륨 함유 박막의 제조방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 박막의 제조방법은 상기 이트륨 화합물 또는 이트륨 함유 전구체를 기판상에 증착하는 공정을 포함하며,
    상기 증착은 플라즈마강화 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition)공정, 열화학기상증착(thermal chemical vapor deposition), 플라즈마강화 원자층증착(plasma-enhanced atomic layer deposition), 열 원자층 증착(thermal atomic layer deposition) 중 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 이트륨 함유 박막의 제조방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 이트륨 화합물 또는 이트륨 함유 전구체와 상이한 금속 함유 전구체를 기판상에 증착하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 이트륨 함유 박막의 제조방법.
  8. 청구항 7항에 있어서,
    상기 상이한 금속 함유 전구체는 산화 지르코늄, 산화 하프늄, 산화 티타늄 중 어느 하나 또는 그 이상을 함유하여 복합 라미네이트 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 이트륨 함유 박막의 제조방법.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 기판은 질화 티타늄, 티타늄, 질화 붕소, 황화 몰리브데넘, 몰리브데넘, 산화 아연, 텅스텐, 구리, 산화 알루미늄, 질화 탄탈럼, 질화 니오븀, 산화 탄탈럼, 산화 니오븀, 실리콘, 산화 실리콘, 산화 티타늄, 산화 지르코늄. 산화 하프늄, 산화 스트론튬, 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 이트륨 함유 박막의 제조방법.
  10. 청구항 6에 있어서,
    상기 기판의 증착 온도는 100 내지 800℃인 것을 특징으로 하는 이트륨 함유 박막의 제조방법.
  11. 청구항 6에 있어서,
    상기 증착하는 공정에서 O2, O3, H2O, NO, NO2, N2O, H2O2, H2, NH3, 알킬아민, 히드라진 유도체, SiH4, Si2H6, BH3, B2H6, amine-borane complex, GeH4, PH3 중 어느 하나 또는 이들의 혼합가스를 반응가스로 사용하는 것을 특징으로 하는 이트륨 함유 박막의 제조방법.
KR1020220074783A 2022-06-20 2022-06-20 신규한 이트륨 화합물, 상기 이트륨 화합물을 함유하는 전구체, 상기 이트륨 전구체를 이용한 이트륨 함유 박막 및 이의 제조방법. KR20230173942A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220074783A KR20230173942A (ko) 2022-06-20 2022-06-20 신규한 이트륨 화합물, 상기 이트륨 화합물을 함유하는 전구체, 상기 이트륨 전구체를 이용한 이트륨 함유 박막 및 이의 제조방법.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220074783A KR20230173942A (ko) 2022-06-20 2022-06-20 신규한 이트륨 화합물, 상기 이트륨 화합물을 함유하는 전구체, 상기 이트륨 전구체를 이용한 이트륨 함유 박막 및 이의 제조방법.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230173942A true KR20230173942A (ko) 2023-12-27

Family

ID=89377863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220074783A KR20230173942A (ko) 2022-06-20 2022-06-20 신규한 이트륨 화합물, 상기 이트륨 화합물을 함유하는 전구체, 상기 이트륨 전구체를 이용한 이트륨 함유 박막 및 이의 제조방법.

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230173942A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012156491A (ja) 金属含有膜を被着させるための金属エノラート前駆体
KR101684660B1 (ko) 지르코늄 박막 형성용 전구체 조성물 및 이를 이용한 지르코늄 박막의 형성 방법
CN117263995A (zh) 有机金属化合物及利用其的薄膜
TW202026452A (zh) 原子層堆積法用薄膜形成用原料、薄膜形成用原料、薄膜之製造方法及化合物
KR20210156444A (ko) 몰리브데넘 함유 전구체, 이를 이용한 몰리브데넘 함유 박막 및 이의 제조 방법.
TW202140500A (zh) 鋅化合物、薄膜形成用原料、薄膜及其製造方法
KR102286114B1 (ko) 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여　박막을 형성하는 방법
KR20220014227A (ko) 코발트 화합물, 이를 포함하는 전구체 조성물, 및 이를 이용한 박막의 제조방법
TW201821431A (zh) 化合物、薄膜形成用原料、原子層堆積法用之薄膜形成用原料及薄膜之製造方法
KR20230173942A (ko) 신규한 이트륨 화합물, 상기 이트륨 화합물을 함유하는 전구체, 상기 이트륨 전구체를 이용한 이트륨 함유 박막 및 이의 제조방법.
JP2024519132A (ja) 新規なハフニウム含有化合物、これを含有するハフニウム前駆体組成物、前記ハフニウム前駆体組成物を用いたハフニウム含有薄膜及びその製造方法
KR20210114890A (ko) 금속막 형성용 전구체 조성물 및 이를 이용한 박막 형성 방법
KR20210058289A (ko) 텅스텐 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 텅스텐 함유 박막 및 이의 제조방법
KR102514278B1 (ko) 마그네슘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 마그네슘 함유 박막 형성 방법 및 상기 마그네슘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR20200082778A (ko) 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여　박막을 형성하는 방법
KR102666160B1 (ko) 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성 방법 및 상기 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR102472597B1 (ko) η6 보라타 벤젠 리간드가 도입된 4족 유기금속 전구체 화합물, 그 제조방법 및 상기 전구체 화합물을 이용한 박막 형성 방법
WO2024058624A1 (ko) 란탄족 금속 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 란탄족 금속 함유 박막 형성 방법 및 상기 란탄족 금속 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR102661498B1 (ko) 유기 금속 화합물을 이용하여 박막을 형성하는 방법 및 이로부터 제조된 박막
KR20230167657A (ko) 신규한 지르코늄 화합물, 이를 함유하는 지르코늄 전구체, 상기 지르코늄 전구체를 이용한 지르코늄 함유 박막 및 이의 제조방법.
KR20240095097A (ko) 신규한 하프늄 함유 화합물, 이를 함유하는 하프늄 전구체 조성물, 상기 하프늄 전구체 조성물을 이용한 하프늄 함유 박막 및 이의 제조방법.
KR102365249B1 (ko) 유기 실리콘 아민 화합물을 포함하는 막 증착용 전구체 조성물 및 이를 이용한 막의 증착 방법
WO2023182336A1 (ja) 化学気相堆積用化合物および金属含有膜の形成方法
KR102614467B1 (ko) 스칸듐 또는 이트륨 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 스칸듐 또는 이트륨 함유 박막 형성 방법 및 상기 스칸듐 또는 이트륨 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR102428276B1 (ko) 4족 금속 원소-함유 화합물, 이를 포함하는 전구체 조성물, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법