KR20230171833A

KR20230171833A - 그립 센서의 구동을 위한 파라미터를 조절하기 위한 전자 장치 및 그 방법

Info

Publication number: KR20230171833A
Application number: KR1020220084040A
Authority: KR
Inventors: 류완상; 정호섭
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2022-06-14
Filing date: 2022-07-07
Publication date: 2023-12-21

Abstract

일 실시예에 따른, 전자 장치(electronic device)는, 상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 근접한 외부 객체를 탐지하기 위한 그립 센서, 및 상기 그립 센서와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 통신 회로를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 외부 객체를 탐지하기 위한 제1 상태 내에서 상기 통신 회로로, 상기 그립에 의하여 변경되는 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스(reference capacitance)에 기반하여, 상기 외부 객체가 탐지되었는지 여부를 나타내는 신호를 송신하도록, 구성될 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 제1 상태와 상이하고, 상기 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태 내에서, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성될 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 참조 커패시턴스가 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절하도록, 구성될 수 있다.

Description

그립 센서의 구동을 위한 파라미터를 조절하기 위한 전자 장치 및 그 방법{ELECTRONIC DEVICE FOR ADJUSTING PARAMETER FOR DRIVING OF GRIP SENSOR AND METHOD THEREOF}

아래의 설명들은 그립 센서의 구동을 위한 파라미터를 조절하기 위한 전자 장치 및 그 방법에 관한 것이다.

무선 통신을 지원하는 전자 장치가 개발되고 있다. 전자 장치는 무선 통신을 수행하는 동안, 상기 전자 장치로부터 무선으로 송신되는 신호의 세기를, SAR(specific absorption rate)과 관련된 규격에 기반하여, 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 상기 전자 장치, 및 사용자 사이의 거리에 기반하여, 상기 신호의 세기를 변경할 수 있다. 전자 장치는, 상기 거리를 측정하거나, 또는 상기 사용자를 식별하기 위한 하나 이상의 센서들을 포함할 수 있다.

전자 장치가, 상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 전자 장치에 근접한 외부 객체를 탐지하기 위한 그립 센서를 포함함에 따라, 상기 그립 센서를 이용하여 상기 외부 객체를 보다 정확하게 탐지하기 위한 방안이 요구될 수 있다.

본 문서에서 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

일 실시예(an embodiment)에 따른 전자 장치는, 상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 근접한 외부 객체를 탐지하기 위한 그립 센서, 및 상기 그립 센서와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 통신 회로를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 외부 객체를 탐지하기 위한 제1 상태 내에서 상기 통신 회로로, 상기 그립에 의하여 변경되는 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스(reference capacitance)에 기반하여, 상기 외부 객체가 탐지되었는지 여부를 나타내는 신호를 송신하도록, 구성될 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 제1 상태와 상이하고, 상기 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태 내에서, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성될 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 참조 커패시턴스가 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절하도록, 구성될 수 있다.

일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서를 제어하기 위한 방법은, 상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 근접한 외부 객체를 탐지하기 위한 제1 상태 내에서, 상기 외부 객체에 의하여 변경되는 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스에 기반하여, 상기 외부 객체를 탐지하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 제1 상태와 상이하고, 상기 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태 내에서, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 참조 커패시턴스가 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절하는 동작을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따른, 전자 장치(electronic device)는, 상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 근접한 외부 객체를 탐지하기 위한 그립 센서, 안테나, 상기 그립 센서에 의하여 탐지된 상기 외부 객체에 기반하여, 상기 안테나에 의하여 송신되는 무선 신호의 세기를 조절하기 위한 통신 회로를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 전자 장치와 상이한 외부 객체에 의하여 변경되는 커패시턴스를, 지정된 주기에 기반하여 조절되는 참조 커패시턴스와 비교하여, 상기 외부 객체에 의한 상기 외부 객체를 탐지하도록, 구성될 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 지정된 주기에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동안, 상기 참조 커패시턴스와 관련된 지정된 범위 내에서, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성될 수 있다.

일 실시예에 따른, 전자 장치는, 상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 상기 전자 장치에 근접한 외부 객체를 탐지하기 위한 그립 센서를 이용하여, 상기 외부 객체를 보다 정확하게 탐지할 수 있다.

본 개시에서 얻을 수 있는 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 2는, 일 실시예에 따른, 전자 장치가, 그립 센서에 기반하여 외부 객체를 식별하는 예시적인 동작을 도시한다.
도 3은, 그립 센서를 포함하는 전자 장치의 일 실시예를 도시한다.
도 4는, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서의 동작을 설명하기 위한 예시적인 그래프를 도시한다.
도 5는, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서의 동작을 설명하기 위한 예시적인 그래프를 도시한다.
도 6은, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서의 동작을 설명하기 위한 예시적인 그래프를 도시한다.
도 7은, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서의 동작을 설명하기 위한 예시적인 그래프를 도시한다.
도 8은, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서의 예시적인 회로를 도시한다.
도 9는, 일 실시예에 따른, 전자 장치가 그립 센서를 제어하는 흐름도의 일 예를 도시한다.
도 10은, 일 실시예에 따른, 전자 장치가 그립 센서를 제어하는 흐름도의 일 예를 도시한다.
도 11은, 일 실시예에 따른, 전자 장치가 그립 센서를 제어하는 흐름도의 일 예를 도시한다.

이하, 본 문서의 다양한 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 설명된다.

본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및/또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C" 또는 "A, B 및/또는 C 중 적어도 하나" 등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", "첫째" 또는 "둘째" 등의 표현들은 해당 구성요소들을, 순서 또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제 3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다.

본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구성된 유닛을 포함하며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 등의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)으로 구성될 수 있다.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나 와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어??)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

도 2는, 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)가, 그립 센서에 기반하여 외부 객체(220)를 식별하는 예시적인 동작을 도시한다. 도 2의 전자 장치(101)는 도 1의 전자 장치(101)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는 사용자에 의해 소유되는(be owned by) 단말일 수 있다. 단말은, 예를 들어, 랩톱 및 데스크톱과 같은 개인용 컴퓨터(personal computer, PC), 스마트폰(smartphone), 스마트패드(smartpad), 태블릿 PC, 스마트워치(smartwatch) 및 HMD(head-mounted device)와 같은 스마트액세서리를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는, 무선으로 신호를 송신하거나, 또는 수신하기 위한 안테나를 포함할 수 있다. 도 2를 참고하면, 디스플레이가 배치된 전자 장치(101)의 일 면(예, 전 면)과 상이한, 다른 면(예, 측 면)의 적어도 일부분 상에 형성된 안테나 패턴(210)을 포함하는 전자 장치(101)의 일 실시예가 도시된다. 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는 안테나 패턴(210)과 같은 안테나를 이용하여, 무선으로 신호를 송신할 수 있다. 전자 장치(101)가 무선으로 신호를 송신하는 것은, 전자 장치(101)가 외부 공간으로 전자기파(electromagnetic wave)를 출력하는 동작을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)로부터 출력된 전자기파(또는 신호)는, 상기 외부 공간 내에 존재하는 외부 객체(220)로 전파될(propagated) 수 있다.

도 2를 참고하면, 사용자의 손과 같은 외부 객체(220)가 도시된다. 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는 손과 같은 외부 객체(220)에 의하여 흡수되는 전자기파를 줄이기 위하여, 전자기파, 및/또는 신호의 세기를 줄일 수 있다. 상기 세기는, 전자 장치(101)가 무선으로 송신하는 신호의 파워(power)로 참조될 수 있다. 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)에 인접한 외부 객체(220)가 탐지되는지 여부에 기반하여, 안테나 패턴(210)을 통해 무선으로 출력되는 신호의 세기를 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101) 상에 접촉되거나, 또는 전자 장치(101)로부터 지정된 거리 이내에 존재하는 외부 객체(220)를 식별하는 것에 응답하여, 전자 장치(101)는 안테나로부터 출력되는 신호의 세기를, SAR(specific absorption rate)과 관련된 규격에 기반하여 줄일 수 있다. 상기 예시 내에서, 전자 장치(101)에 인접한 외부 객체(220)를 식별하지 못하는 것에 기반하여, 전자 장치(101)는 안테나로부터 출력되는 신호의 세기를, 상기 규격과 독립적으로 증가시킬 수 있다.

일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는 외부 객체(220)를 탐지하기 위한 센서를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 안테나 패턴(210)과 같은 전자 장치(101)의 안테나를 향하여 접근하는, 외부 객체(220)를 탐지하기 위한 센서를 포함할 수 있다. 센서에 기반하여 안테나를 향하여 접근하는 외부 객체(220)를 탐지하는 것에 기반하여, 전자 장치(101)는 안테나를 통해 무선으로 출력되는 신호의 세기를, SAR에 의하여 정의된 지정된 세기 미만으로 줄일지 여부를 결정할 수 있다.

일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는, 외부 객체(220)를 탐지하기 위한 센서로써, 전자 장치(101)에 인접한 외부 공간에 형성된 전계(electric field)에 기반하여 외부 객체(220)를 탐지하는 그립 센서를 포함할 수 있다. 상기 전계를 형성하기 위하여, 그립 센서는 커패시터와 같은 용량성 소자를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는 그립 센서내에서, 상기 전계에 의해 야기되는 상기 커패시터의 커패시턴스의 변화에 기반하여, 외부 객체(220)를 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 그립 센서를 이용하여, 전자 장치(101) 상에 접촉되거나, 또는 전자 장치(101)에 근접한 외부 객체(220)를 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 그립 센서를 이용하여, 외부 객체(220)에 의한 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지(detect a grip)할 수 있다. 전자 장치(101) 상에 접촉되거나, 또는 전자 장치(101)에 근접한 외부 객체(220)를 탐지하는 것에 기반하여, 전자 장치(101)는 무선으로 송신되는 신호의 세기를, 임계 세기(예, SAR에 의하여 설정된 임계 세기) 이하로 줄일 수 있다. 상기 그립의 릴리즈(또는, 외부 객체(220)가 전자 장치(101)로부터 지정된 거리를 초과하여 멀어짐)를 탐지하는 것에 기반하여, 전자 장치(101)는 상기 신호의 세기를, 상기 임계 세기 이상으로 증가시킬 수 있다. 그립 센서에 연결된 전자 장치(101) 내 하드웨어의 예시적인 구조가 도 3을 참고하여 설명된다.

일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 그립 센서는, 외부 공간 내에 형성된 전계에 의해 변화되는 커패시턴스를, 상기 그립 센서에 의하여 조절되는 파라미터인 참조 커패시턴스와 비교할 수 있다. 비록, 외부 공간에 손과 같은 외부 객체(220)가 배치된 일 실시예가 도시되었지만, 외부 공간의 외부 객체의 개수, 및/또는 타입은 실시예에 제한되지 않는다. 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는 외부 객체(220)를 포함하는 외부 공간에 의해 변경되는 커패시턴스에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 예를 들어, 외부 공간의 다양한 요인(factor)에 의한 커패시턴스의 변화 중에서, 전자 장치(101)와 접촉된 외부 객체(220)에 의한 상기 커패시턴스의 변화를 보다 정확하게 식별하기 위하여, 전자 장치(101)는 상기 참조 커패시턴스를 변경할 수 있다. 커패시턴스에 기반하여 참조 커패시턴스를 조절하는 동안, 전자 장치(101)는, 전자 장치(101), 및 외부 객체(220) 사이의 접촉에 의한 커패시턴스 변화를 제외하기 위하여, 참조 커패시턴스가 조절되는 범위를 조절하거나, 또는 참조 커패시턴스의 최대 값을 제한할 수 있다. 전자 장치(101)가 그립 센서의 파라미터인 참조 커패시턴스를 제한적으로 조절하기 때문에, 전자 장치(101)는 그립 센서에 의해 측정되는 커패시턴스에 기반하여, 상기 전자 장치(101)에 근접한 외부 객체(220)를 보다 정확하게 식별할 수 있다.

상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는 안테나 패턴(210)과 같은 안테나를 이용하여 무선으로 신호를 송신할 수 있다. 전자 장치(101)는 외부 객체(220)에 기반하여, 무선으로 송신되는 신호의 세기, 및/또는 파워를 조절할 수 있다. 전자 장치(101)는 외부 객체(220)를 식별하기 위한 센서(예, 그립 센서)를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 그립 센서에 기반하여 형성된 전계와 관련되고, 외부 객체(220)에 의하여 변경되는, 커패시턴스를 획득할 수 있다. 전자 장치(101)는 그립 센서에 저장된 참조 커패시턴스를, 상기 커패시턴스와 비교하여, 외부 객체(220)를 탐지할 수 있다. 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는 외부 객체(220)를 포함하는 외부 공간의 변화에 따른 커패시턴스의 변화에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 전자 장치(101)는 참조 커패시턴스를 조절하는 동안, 상기 참조 커패시턴스의 급격한 변화를 방지하여, 참조 커패시턴스, 및 커패시턴스의 비교에 의한 외부 객체(220)의 식별의 정확도를 개선할 수 있다.

이하에서는, 도 3을 참고하여, 그립 센서를 이용하여 외부 객체(220)를 보다 정확하게 식별하기 위한 전자 장치(101)의 일 실시예가 설명된다.

도 3은, 그립 센서(330)를 포함하는 전자 장치(101)의 일 실시예를 도시한다. 도 3의 전자 장치(101)는, 도 1 내지 도 2의 전자 장치(101)를 포함할 수 있다.

도 3을 참고하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 통신 회로(310), 안테나(320), 그립 센서(330), 또는 온도 센서(340) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 프로세서(120), 메모리(130), 통신 회로(310), 안테나(320), 그립 센서(330), 및 온도 센서(340)는 통신 버스(a communication bus)(305)와 같은 전자 소자(electronical component)에 의해 서로 전기적으로 및/또는 작동적으로 연결될 수 있다(electronically and/or operably coupled with each other). 상이한 블록들에 기반하여 도시되었으나, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니며, 도 3에 도시된 하드웨어 컴포넌트 중 일부분(예, 프로세서(120), 메모리(130) 및 통신 회로(310)의 적어도 일부분)이 SoC(system on a chip)와 같이 단일 집적 회로(single integrated circuit)에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)에 포함된 하드웨어 컴포넌트의 타입 및/또는 개수는 도 3에 도시된 바에 제한되지 않는다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 도 3에 도시된 하드웨어 컴포넌트 중 일부만 포함할 수 있다.

일 실시예에 따른 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 하나 이상의 인스트럭션들에 기반하여 데이터를 처리하기 위한 하드웨어 컴포넌트를 포함할 수 있다. 데이터를 처리하기 위한 하드웨어 컴포넌트는, 예를 들어, ALU(arithmetic and logic unit), FPU(floating point unit), FPGA(field programmable gate array), 및/또는 CPU(central processing unit)를 포함할 수 있다. 프로세서(120)의 개수는 하나 이상일 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 듀얼 코어(dual core), 쿼드 코어(quad core), 또는 헥사 코어(hexa core)와 같은 멀티-코어 프로세서의 구조를 가질 수 있다. 도 3의 프로세서(120)는 도 1의 프로세서(120)를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 메모리(130)는 프로세서(120)에 입력 및/또는 출력되는 데이터 및/또는 인스트럭션을 저장하기 위한 하드웨어 컴포넌트를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 예를 들어, RAM(random-access memory)와 같은 휘발성 메모리(volatile memory) 및/또는 ROM(read-only memory)와 같은 비휘발성 메모리(non-volatile memory)를 포함할 수 있다. 휘발성 메모리는, 예를 들어, DRAM(dynamic RAM), SRAM(static RAM), Cache RAM, PSRAM (pseudo SRAM) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 비휘발성 메모리는, 예를 들어, PROM(programmable ROM), EPROM (erasable PROM), EEPROM (electrically erasable PROM), 플래시 메모리, 하드디스크, 컴팩트 디스크, eMMC(embedded multi-media card) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도 3의 메모리(130)는 도 1의 메모리(130)를 포함할 수 있다.

메모리(130) 내에서, 프로세서(120)가 데이터에 수행할 연산, 및/또는 동작을 나타내는 하나 이상의 인스트럭션들이 저장될 수 있다. 하나 이상의 인스트럭션들의 집합은, 펌웨어, 운영 체제, 프로세스, 루틴, 서브-루틴 및/또는 어플리케이션으로 참조될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101), 및/또는 프로세서(120)는, 메모리(130) 내에 저장된, 운영체제, 펌웨어, 드라이버, 및/또는 어플리케이션 형태로 배포된 복수의 인스트럭션의 집합(set of a plurality of instructions)을 실행할 수 있다.

일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 통신 회로(310)는, 전자 장치(101), 및 외부 전자 장치 사이의 전기 신호의 송신 및/또는 수신을 지원하기 위한 하드웨어 컴포넌트를 포함할 수 있다. 통신 회로(310)는, 예를 들어, 모뎀(MODEM), 안테나, O/E(optic/electronic) 변환기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 통신 회로(310)는, 이더넷(ethernet), LAN(local area network), WAN(wide area network), WiFi(wireless fidelity), Bluetooth, BLE(bluetooth low energy), ZigBee, LTE(long term evolution), 5G NR(new radio), 및/또는 6G 이동통신과 같은 다양한 타입의 프로토콜에 기반하여 전기 신호의 송신 및/또는 수신을 지원할 수 있다. 도 3의 통신 회로(310)는 도 1의 통신 모듈(190)의 적어도 일부분을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 안테나(320)는, 전자 장치(101) 및 외부 전자 장치 사이의 무선 통신을 지원하도록, 통신 회로(310)에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 안테나(320)는, 도 2의 안테나 패턴(210)과 같이, 전자 장치(101)의 하우징의 일 면 상에 형성된 도전성 패턴을 포함할 수 있다. 상기 예시 내에서, 전자 장치(101)가 통신 회로(310)에 기반하여 접근 가능한(accessible) 주파수 대역이, 상기 도전성 패턴의 길이, 및/또는 형태에 의하여 조절될 수 있다. 전자 장치(101) 내에 포함된 안테나(320)는, 상기 예시에 제한되지 않으며, 예를 들어, 전자 장치(101) 내에 포함된 PCB(printed circuit board) 상에 형성된 도전성 패턴을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)에 포함된 안테나(320)의 개수는, 도 3의 일 실시예에 제한되지 않는다.

일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)와 관련된 비-전기적 정보(non-electronic information)로부터, 프로세서(120), 및/또는 메모리(130)에 의해 처리될 수 있는 전기적 정보를 생성하기 위한 센서를 포함할 수 있다. 도 3을 참고하면, 전자 장치(101) 내에 포함된 센서의 일 예로, 그립 센서(330), 및 온도 센서(340)가 도시된다. 비록 그립 센서(330), 및 온도 센서(340)를 포함하는 전자 장치(101)의 일 실시예가 도시되지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 그립 센서(330), 및 온도 센서(340) 중 그립 센서(330)를 포함할 수 있다. 비록, 그립 센서(330), 및 온도 센서(340)가 분리되어 도시되지만, 실시예에 따라, 온도 센서(340)가 그립 센서(330) 내에 집적될(integrated) 수 있다.

일 실시예에 따른, 전자 장치(101) 내 그립 센서(330)는, 전자 장치(101)에 접촉되거나, 또는 전자 장치(101)에 인접한 외부 객체를 식별할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서(330)는 상기 외부 객체에 의한 전자 장치(101)의 하우징 상의 그립, 및 상기 그립의 릴리즈를 탐지할 수 있다. 상기 그립은, 상기 하우징 상에 접촉된 외부 객체(예, 도 2의 외부 객체(220))에 의해 발생될 수 있다. 도 2를 참고하여 상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른, 전자 장치(101) 내 그립 센서(330)는, 커패시터와 같은 용량성 소자에 기반하여 형성된 전계에 기반하여, 상기 그립, 및/또는 상기 그립의 릴리즈를 식별할 수 있다. 일 실시예에 따른, 그립 센서(330)는, 상기 전계에 종속되는(depend on) 커패시턴스를 식별할 수 있다. 상기 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치(101) 내 그립 센서(330)는, 전자 장치(101) 상의 그립, 또는 상기 외부 객체의 접근을 식별할 수 있다.

일 실시예에 따른, 그립 센서(330)는, 전자 장치(101)의 외부 공간에 형성된 전계에 종속되는 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치(101) 상에 접촉되거나, 또는 인접한 외부 객체를 식별할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서(330)는, 상기 커패시턴스, 및 상기 참조 커패시턴스 사이의 차이에 기반하여, 외부 객체에 의한 전자 장치(101) 상의 그립, 또는 외부 객체의 접근을 식별할 수 있다. 참조 커패시턴스는, 전자 장치(101), 및/또는 그립 센서(330) 내에 저장된 파라미터일 수 있다. 참조 커패시턴스는, 그립 센서(330)와 관련된 지정된 이벤트에 기반하여, 조절될 수 있다. 상기 지정된 이벤트는, 그립 센서(330)의 리셋으로 참조될 수 있다. 그립 센서(330)가, 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스에 기반하여, 외부 객체에 의한 전자 장치(101) 상의 그립을 식별하거나, 또는 상기 외부 객체의 접근을 식별하는 상태가, 제1 상태로 참조될 수 있다. 그립 센서(330)의 리셋에 기반하여, 참조 커패시턴스가 조절되는 상태가, 제2 상태로 참조될 수 있다.

참조 커패시턴스가 지정된 이벤트에 기반하여 조절되는 상기 제2 상태 내에서, 그립 센서(330)에 기반하는 외부 객체의 탐지가 적어도 일시적으로 중단될 수 있다. 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 지정된 이벤트는, 지정된 주기를 따라 주기적으로 발생될 수 있다. 상기 지정된 이벤트는, 상기 예시에 제한되지 않는다. 일 실시예에 따른, 그립 센서(330)가 참조 커패시턴스를 조절하는 동작이, 도 4 내지 도 7을 참고하여 설명된다. 일 실시예에 따른, 그립 센서(330) 내에 포함된 회로의 일 예가 도 8을 참고하여 설명된다.

일 실시예에 따른, 전자 장치(101) 내 온도 센서(340)는, 그립 센서(330)로, 온도 센서(340)에 의하여 측정된 온도를 포함하는 센서 데이터를 송신할 수 있다. 온도 센서(340)는, 그립 센서(330), 및/또는 안테나(320)가 배치된 전자 장치(101)의 하우징 상의 일부분의 온도를 획득할 수 있다. 상기 획득된 온도에 기반하여, 그립 센서(330)는, 참조 커패시턴스를 변경할 수 있다. 일 실시예에 따른, 전자 장치(101) 내 그립 센서(330)가 온도 센서(340)에 기반하여, 참조 커패시턴스를 변경하는 동작이, 도 4, 및/또는 도 7을 참고하여 설명된다.

일 실시예에 따른, 그립 센서(330)는, 프로세서(120), 및/또는 통신 회로(310)로, 전자 장치(101) 상에 접촉되거나, 또는 전자 장치(101)로 접근하는 외부 객체가 탐지되었는지 여부를 나타내는 신호를 송신할 수 있다. 그립 센서(330)가 상기 신호를 송신하는 것은, 그립 센서(330)의 상태가 제1 상태인 동안, 그립 센서(330)에 의해 측정된 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스에 기반하여 수행될 수 있다. 상기 신호에 기반하여 외부 객체에 의한 그립, 또는 전자 장치(101)로 접근하는 상기 외부 객체를 식별하는 것에 응답하여, 통신 회로(310)는 안테나(320)를 통하여 무선으로 송신되는 신호의 세기를, 지정된 임계치 이하로 줄일 수 있다. 상기 신호에 기반하여 그립의 릴리즈, 또는 전자 장치(101)로부터 지정된 거리 미만에 외부 객체가 존재하지 않음을 식별하는 것에 응답하여, 통신 회로(310)는 안테나(320)를 통하여 무선으로 송신되는 신호의 세기를, 상기 지정된 임계치 이상으로 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 통신 회로(310)는, 그립 센서(330)로부터 송신되고, 전자 장치(101) 상에 접촉되거나, 또는 전자 장치(101)로 접근하는 외부 객체가 탐지되었는지 여부를 나타내는 신호에 기반하여, 안테나(320)에 의해 방사되는 무선 신호의 세기를 조절할 수 있다.

상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른, 전자 장치(101) 내 그립 센서(330)는, 전자 장치(101)와 상이한 외부 객체에 의하여 변경되는 커패시턴스를, 지정된 주기에 기반하여 조절되는 참조 커패시턴스와 비교할 수 있다. 상기 커패시턴스, 및 상기 참조 커패시턴스의 비교에 기반하여, 그립 센서(330)는, 상기 외부 객체에 의한 전자 장치(101)의 그립, 또는 접근을 탐지할 수 있다. 그립 센서(330)는, 지정된 주기에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동안, 상기 참조 커패시턴스와 관련된 지정된 범위 내에서, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 그립 센서(330)가, 전자 장치(101)의 외부 공간에 형성된 전계와 관련된 커패시턴스와 함께, 다른 요인(예, 상기 지정된 범위)에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하기 때문에, 참조 커패시턴스가 급격히 변화하는 것이 방지될 수 있다. 참조 커패시턴스가 급격히 변화하는 것이 방지되기 때문에, 전자 장치(101)는 그립 센서(330)를 이용하여 전자 장치(101)의 그립, 또는 외부 객체의 접근을 보다 정확하게 탐지할 수 있다.

이하에서는, 도 4 내지 도 7을 참고하여, 그립 센서(330)의 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스의 예시적인 변화에 기반하여, 그립 센서(330)가 참조 커패시턴스를 조절하는 동작이 설명된다.

도 4는, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서의 동작을 설명하기 위한 예시적인 그래프를 도시한다. 도 4의 전자 장치는, 도 1 내지 도 3의 전자 장치(101)의 일 예일 수 있다. 예를 들어, 도 3의 그립 센서(330)는, 도 4의 그립 센서를 포함할 수 있다.

도 4의 그래프(410)는 그립 센서에 의해 이용되는 파라미터인 참조 커패시턴스를 나타낼 수 있다. 참조 커패시턴스는, 상기 그립 센서를 포함하는 전자 장치 상의 그립을 탐지하거나, 또는 외부 객체의 접근을 탐지하기 위하여, 그립 센서에 의하여 이용될 수 있다. 도 4의 그래프(420)는, 그래프(410)와 일치된 시간 축을 따라, 그립 센서에 의하여 측정된 커패시턴스를 예시적으로 나타낼 수 있다. 그래프(420)에 의해 나타나는 커패시턴스는, 상기 그립 센서를 포함하는 전자 장치의 외부 공간 내에 형성된 전계와 관련될 수 있다.

도 4를 참고하면, 그래프(420)에 의해 나타나는 커패시턴스는, 전자 장치 상에 접촉된 외부 객체에 의해 조절될 수 있다. 예를 들어, 커패시턴스는, 상기 외부 객체의 접촉에 의하여 증가될 수 있다. 그립 센서에 의해 측정되는 커패시턴스는, 외부 객체에 의해 급격하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 사용자가 전자 장치를 반복적으로 잡는 경우, 커패시턴스는 반복적으로 급격히 증가, 또는 감소될 수 있다. 외부 객체에 접촉된 동안, 그래프(420)에 의해 나타나는 커패시턴스는 최대 값(예, CDC_MAX)까지 증가될 수 있다. 외부 객체가 전자 장치로부터 이격된 동안, 그래프(420)에 의해 나타나는 커패시턴스는 다시 감소될 수 있다. 예를 들어, 커패시턴스는 상기 최대 값으로부터 참조 커패시턴스까지 감소될 수 있다. 예를 들어, 참조 커패시턴스는, 전자 장치에 접촉된 외부 객체가 존재하지 않는 동안의 커패시턴스에 대응할 수 있다. 커패시턴스가 감소되는 하한(lower bound)이라는 점에서, 참조 커패시턴스를 나타내는 그래프(410)가 베이스라인(baseline)으로 참조될 수 있다. 참조 커패시턴스는, 베이스라인 값으로 참조될 수 있다.

일 실시예에 따른, 그립 센서는, 그래프(410)와 같이 변경되는 참조 커패시턴스, 및 그래프(420)와 같이 변경되는 커패시턴스에 기반하여, 외부 객체에 의한 전자 장치(101) 상의 그립, 또는 상기 외부 객체의 접근을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는, 참조 커패시턴스를 초과하는 커패시턴스를 식별하는 것에 응답하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지하거나, 또는 외부 객체의 접근을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는, 참조 커패시턴스에 매칭되는 커패시턴스를 식별하는 것에 응답하여, 전자 장치(101) 상의 그립의 릴리즈를 탐지하거나, 또는 외부 객체가 전자 장치(101)로부터 지정된 거리 이내에 존재하지 않는 것으로 결정할 수 있다. 예를 들어, 그래프들(410, 420)이 일치된 시점에서, 그립 센서는 상기 그립의 릴리즈를 나타내는 신호를 송신할 수 있다. 그립 센서가 참조 커패시턴스, 및 커패시턴스에 기반하여 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지하는 상태가, 제1 상태로 참조될 수 있다.

일 실시예에 따른, 그립 센서는 제1 상태로부터, 상기 제1 상태와 상이하고, 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태로 진입할 수 있다. 그립 센서는, 지정된 주기에 기반하여, 상기 제1 상태로부터 상기 제2 상태로 전환할 수 있다. 도 4를 참고하면, 시점 t1, 및 시점 t2에서, 그립 센서는, 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태로 진입할 수 있다. 시점 t1, 및 시점 t2 사이의 간격(interval)은, 상기 지정된 주기에 매칭될 수 있다. 그립 센서는, 전자 장치를 포함하는 환경의 변화에 따른 커패시턴스의 변화를 보상하여, 전자 장치에 인접한 외부 객체를 보다 정확하게 탐지하기 위하여, 참조 커패시턴스를 주기적으로 변경할 수 있다. 그립 센서가 참조 커패시턴스를 조절하기 위해 진입하는 제2 상태 내에서, 그립 센서는 리셋될 수 있다.

그립 센서가 참조 커패시턴스를 조절하는 상기 제2 상태 내에서, 참조 커패시턴스가 상기 그립(또는, 전자 장치에 접근한 외부 객체)에 의해 조절된 커패시턴스와 일치되는 경우, 그립 센서가 참조 커패시턴스에 기반하여 전자 장치 상의 그립을 탐지하는 정확도가 감소될 수 있다. 일 실시예에 따른 그립 센서는, 그립에 의해 급격하게 변화된 커패시턴스와 독립적으로 참조 커패시턴스를 변경할 수 있다. 참조 커패시턴스가 그립에 의해 급격하게 변화된 커패시턴스와 독립적으로 변경되기 때문에, 그립 센서는 전자 장치 상의 그립을 보다 정확하게 식별할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는, 제2 상태 내에서, 지정된 주기, 그래프(420)에 의해 나타나는 커패시턴스, 지정된 임계치(예, 도 4 내 BL_MAX), 또는 온도 중 적어도 하나에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다.

도 4를 참고하면, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 시점 t1 이후의 제2 상태 내에서, 그래프(420)에 의해 나타나는 커패시턴스에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 참조 커패시턴스가 상기 커패시턴스에 기반하여 조절되고, 시점 t1 이후, 그래프(410)에 의해 나타나는 참조 커패시턴스가 그래프(420)에 의해 나타나는 커패시턴스 미만이기 때문에, 참조 커패시턴스는 적어도 일시적으로 증가될 수 있다. 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 참조 커패시턴스가 지정된 임계치(예, 도 4의 BL_MAX)와 일치되거나, 또는 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절할 수 있다. 도 4를 참고하면, 시점 t1 이후, BL_MAX로 나타나는 지정된 임계치와 일치되는 참조 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 그립 센서는 참조 커패시턴스를, 상기 지정된 임계치 미만으로 줄일 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는, 제2 상태로 진입하는 시점 t1 내 참조 커패시턴스에 기반하여, 지정된 임계치 이상으로 증가된 참조 커패시턴스를 줄일 수 있다.

일 실시예에 따른, 그립 센서는 제2 상태 내에서, 참조 커패시턴스를 지정된 임계치(예, BL_MAX) 미만으로 조절한 이후, 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 전환할 수 있다. 예를 들어, 시점 t1에서 제2 상태로 진입한 이후, 지정된 임계치(예, BL_MAX)까지 증가된 참조 커패시턴스를 식별하는 것에 응답하여, 그립 센서는 참조 커패시턴스를, 제2 상태로 전환되는 시점(예, 시점 t1) 내 참조 커패시턴스로 조절할 수 있다. 그립 센서는 제2 상태로 진입하기 이전의 참조 커패시턴스로 조절된 참조 커패시턴스에 기반하여, 제2 상태로부터 제1 상태로 전환할 수 있다. 그립 센서가 시점 t1에서, 전자 장치 상의 그립에 의해 최대 값(CDC_MAX)으로 조절된 커패시턴스와 독립적으로 참조 커패시턴스를 변경하기 때문에, 시점 t1 이후, 그립 센서는, 전자 장치 상의 그립을 보다 정확하게 탐지할 수 있다.

일 실시예에 따른, 그립 센서는, 그래프(410)에 의해 나타나는 참조 커패시턴스를, 온도에 기반하여, 조절할 수 있다. 예를 들어, 시간 구간(402)과 상이한 시간 구간(404) 내에서, 온도 센서(예, 도 3의 온도 센서(340))에 의해 탐지되는 온도의 점진적인 증가에 기반하여, 그립 센서는 참조 커패시턴스를 점진적으로 증가시킬 수 있다. 시간 구간(404) 내 시점 t2에서, 그립 센서는, 제1 상태로부터 제2 상태로 진입할 수 있다. 제2 상태 내에서, 그립 센서는, 지정된 임계치(예, BL_MAX) 이상으로 조절되는 참조 커패시턴스에 기반하여, 참조 커패시턴스를 시점 t2의 참조 커패시턴스(예, 제2 상태로 진입하기 직전(immediately before)의 참조 커패시턴스)로 줄일 수 있다. 시점 t2의 참조 커패시턴스가 온도 센서에 의하여 탐지된 온도에 의해 조절된 참조 커패시턴스이므로, 그립 센서는, 참조 커패시턴스가 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 응답하여, 제2 상태로 전환되는 시점(예, 시점 t2) 내 참조 커패시턴스, 및 온도에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다.

상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른, 그립 센서는 참조 커패시턴스를 변경하는 지정된 상태(예, 제2 상태) 내에서, 지정된 임계치(예, 도 4의 BL_MAX)에 기반하여 참조 커패시턴스를 조건부로(conditionally) 조절할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서에 의하여 측정되는 커패시턴스의 최대 값(예, 도 4의 CDC_MAX)이 상기 지정된 임계치 이하인 경우, 참조 커패시턴스는 상기 최대 값으로 변경될 수 있다. 예를 들어, 그립 센서에 의하여 측정되는 커패시턴스의 최대 값(예, 도 4의 CDC_MAX)이 상기 지정된 임계치를 초과하는 경우, 참조 커패시턴스는 상기 지정된 임계치 미만으로 변경될 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는, 상기 지정된 임계치 이상으로 조절되는 참조 커패시턴스의 식별에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절하는 것을 중단할 수 있다. 그립 센서가 참조 커패시턴스를 조절하는 것을 중단하기 때문에, 참조 커패시턴스는 상기 지정된 상태 이전의 참조 커패시턴스로 복원될 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는 복원된 참조 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치 상의 그립(또는 전자 장치에 접근한 외부 객체)을 탐지할 수 있다. 그립 센서는 참조 커패시턴스를, 지정된 주기 동안, 복원된 참조 커패시턴스로 유지할 수 있다. 전자 장치 상에 접촉된 외부 객체에 의해 급격하게 증가된 커패시턴스에 의한 참조 커패시턴스의 변화가 보상되기 때문에, 전자 장치는 그립 센서를 이용하여 외부 객체에 의한 전자 장치 상의 그립, 또는 상기 전자 장치에 접근하는 상기 외부 객체를 보다 정확하게 탐지할 수 있다.

도 5는, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서의 동작을 설명하기 위한 예시적인 그래프를 도시한다. 도 5의 전자 장치는, 도 1 내지 도 3의 전자 장치(101), 및/또는 도 4의 전자 장치의 일 예일 수 있다. 예를 들어, 도 3의 그립 센서(330)는, 도 5의 그립 센서를 포함할 수 있다.

도 5의 그래프(510)는 그립 센서에 의해 측정되는 커패시턴스와 비교되는 참조 커패시턴스를 나타낼 수 있다. 도 5의 그래프(520)는, 그래프(510)의 시간 축에 기반하여, 상기 커패시턴스의 예시적인 변화를 나타낼 수 있다. 일 실시예에 따른, 그립 센서는 그래프(520)에 의해 나타나는 커패시턴스, 및 그래프(510)에 의해 나타나는 참조 커패시턴스 사이의 차이에 기반하여, 상기 그립 센서를 포함하는 전자 장치 상의 그립을 식별하거나, 또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체를 식별할 수 있다. 도 5의 그래프들(510, 520)은 도 4의 그래프들(410, 420) 각각과 관련될 수 있다.

일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서는, 참조 커패시턴스의 급격한 증가(예, 커패시턴스에 의한 참조 커패시턴스의 급격한 증가)를 방지하기 위하여, 지정된 임계치(BL_MAX)를 이용할 수 있다. 도 4를 참고하면, 지정된 임계치(BL_MAX)는, 그립 센서에 의해 측정되는 커패시턴스의 최대 값(예, CDC_MAX) 미만의 커패시턴스로 선택될 수 있다. 상기 지정된 임계치는, 전자 장치 상에 접촉된 외부 객체가 존재하지 않는 상태 내에서 그립 센서에 의하여 탐지 가능한(detectable) 참조 커패시턴스의 범위의 상한과 관련될 수 있다.

일 실시예에 따른, 그립 센서는 참조 커패시턴스를 반복적으로 변경할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는 지정된 주기에 기반하여 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 도 5를 참고하면, 그립 센서가 시점들 t1, t2에서 참조 커패시턴스를 변경하는 일 예가 도시된다. 시점들 t1, t2에서, 그립 센서는 그래프(520)에 의하여 나타나는 커패시턴스에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 예를 들어, 참조 커패시턴스를 초과하는 커패시턴스에 기반하여, 그립 센서는 참조 커패시턴스를 증가시킬 수 있다.

일 실시예에 따른, 그립 센서가 참조 커패시턴스를 증가시키는 것은, 지정된 임계치(BL_MAX)에 의해 제한된 범위 내에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 지정된 임계치(BL_MAX) 이상으로 증가되는 참조 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 그립 센서는 참조 커패시턴스를 증가시키는 것을 중단할 수 있다. 참조 커패시턴스를 증가시키는 것을 중단한 이후, 그립 센서는 참조 커패시턴스를, 지정된 임계치(BL_MAX) 미만으로 줄일 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는 참조 커패시턴스를 조절하기 이전의 참조 커패시턴스에 기반하여, 참조 커패시턴스를 줄일 수 있다. 상기 예시 내에서, 참조 커패시턴스는, 그립 센서에 의해 조절되기 이전의 참조 커패시턴스로 복원될 수 있다.

상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서는, 커패시턴스에 기반하는 전자 장치 상의 그립(또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체)을 보다 정확하게 탐지하기 위하여, 상기 커패시턴스와 비교될 참조 커패시턴스를 주기적으로 조절할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는 지정된 임계치(BL_MAX)에 기반하는 지정된 범위 내에서 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는 상기 지정된 범위 내에서, 그립 센서에 의해 탐지되는 커패시턴스에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 참조 커패시턴스가 상기 커패시턴스, 및 상기 지정된 범위에 기반하여 조절되기 때문에, 그립 센서는, 전자 장치 상의 그립에 의해 변경된 상기 커패시턴스에 의하여 상기 참조 커패시턴스가 조절되는 것을 방지할 수 있다. 참조 커패시턴스가 상기 그립에 의해 변경된 커패시턴스에 의하여 조절되는 것이 방지되기 때문에, 그립 센서는 상기 참조 커패시턴스, 및 상기 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 접근하는 외부 객체를 보다 정확하게 식별할 수 있다. 그립 센서가 상기 외부 객체를 보다 정확하게 식별하기 때문에, 그립 센서의 부정확한(incorrect) 동작에 의한 SAR의 증가가 방지될 수 있다.

도 6은, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서의 동작을 설명하기 위한 예시적인 그래프를 도시한다. 도 6의 전자 장치는, 도 1 내지 도 3의 전자 장치(101), 도 4 내지 도 5의 전자 장치의 일 예일 수 있다. 예를 들어, 도 3의 그립 센서(330)는, 도 6의 그립 센서를 포함할 수 있다.

도 6의 그래프(610)는, 그립 센서의 구동을 위해 이용되는 파라미터인 참조 커패시턴스를 나타낼 수 있다. 도 6의 그래프(620)는, 그래프(610)의 시간 축에 기반하여, 그립 센서에 의해 측정되는 커패시턴스를 예시적으로 나타낼 수 있다. 도 6의 그래프들(610, 620)은 도 4의 그래프들(410, 420) 각각과, 또는 도 5의 그래프들(510, 520) 각각과 관련될 수 있다. 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 상기 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX), 및 참조 커패시턴스를 조절하기 위해 이용되는 지정된 임계치(BL_MAX)를 비교하여, 참조 커패시턴스가 조절되는 범위의 상한을 변경할 수 있다. 도 4 내지 도 5의 일 예와 같이, 상기 최대 값(CDC_MAX)이 상기 지정된 임계치(BL_MAX)를 초과하는 경우, 그립 센서는 상기 지정된 임계치(BL_MAX)에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 상기 최대 값(CDC_MAX)이 상기 지정된 임계치(BL_MAX) 미만인 경우, 그립 센서는 상기 최대 값(CDC_MAX) 미만의 지정된 범위에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다.

도 6의 그래프(620)를 참고하면, 그립 센서에 의해 측정되는 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX)은, 상기 전자 장치로 접근하는 외부 객체의 특성에 기반하여, 지정된 임계치(BL_MAX) 미만으로 줄어들 수 있다. 예를 들어, 장갑이 착용된 손이 그립 센서를 포함하는 전자 장치로 접근하는 경우, 상기 그립 센서에 의해 측정되는 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX)은, 장갑이 착용되지 않은 손에 의해 측정되는 커패시턴스의 최대 값 보다 작을 수 있다. 상기 예시 내에서, 상기 그립 센서에 의해 측정되는 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX)은 지정된 임계치(BL_MAX) 미만일 수 있다. 상기 예시 내에서, 장갑이 착용된 손이 전자 장치에 접촉된 시점에서 그립 센서에 의해 측정되는, 커패시턴스는 지정된 임계치(BL_MAX) 미만일 수 있다.

일 실시예에 따른, 그립 센서는, 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX)이 지정된 임계치(BL_MAX) 미만임을 식별하는 것에 기반하여, 참조 커패시턴스를 상기 최대 값(CDC_MAX) 미만의 상한을 가지는 지정된 범위(630) 내에서 조절하여, 상기 참조 커패시턴스가 상기 최대 값(CDC_MAX)으로 조절되는 것을 방지할 수 있다. 도 6을 참고하면, 지정된 주기에 기반하는 시점들 t1, t2, t3 각각에서, 그립 센서는 지정된 범위(630)에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 지정된 범위(630)는, 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX) 미만의 상한을 가질 수 있다. 지정된 범위(630)의 상기 상한은, 예를 들어, 상기 최대 값(CDC_MAX)에 지정된 비율을 적용한 수치 값(numeric value)일 수 있다. 지정된 범위(630)의 하한은, 그립 센서가 커패시턴스에 기반하여 참조 커패시턴스를 조절하기 직전의 참조 커패시턴스일 수 있다.

도 6을 참고하면, 참조 커패시턴스가 지정된 범위(630)의 상한으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 참조 커패시턴스를 조절하는 것을 중단할 수 있다. 일 실시예에 따른, 그립 센서는 지정된 범위(630)의 상한까지 증가된 참조 커패시턴스를 식별하는 것에 응답하여, 참조 커패시턴스를 지정된 범위(630)의 상기 상한 미만으로 줄일 수 있다. 예를 들어, 시점 t1 부터 참조 커패시턴스를 증가시킨 이후, 참조 커패시턴스가 지정된 범위(630)의 상한까지 증가됨을 식별하는 것에 기반하여, 그립 센서는 참조 커패시턴스를 시점 t1 이전의 참조 커패시턴스로 복원할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는 지정된 범위(620)의 하한으로, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 참조 커패시턴스를 복원한 이후, 그립 센서는, 커패시턴스, 및 상기 복원된 참조 커패시턴스를 비교하여, 전자 장치 상의 그립(또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체)을 식별할 수 있다. 그립 센서가 상기 복원된 참조 커패시턴스에 기반하여 전자 장치 상의 그립을 식별하는 것은, 지정된 주기에 기반하여 참조 커패시턴스를 다시 조절하는 시점까지 수행될 수 있다.

상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서는, 커패시턴스와 비교될 참조 커패시턴스를, 상기 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX) 미만의 범위 내에서 조절할 수 있다. 참조 커패시턴스가 조절되는 범위는, 지정된 임계치(BL_MAX), 및/또는 상기 최대 값(CDC_MAX) 미만의 상한을 가지는 지정된 범위(630)에 의하여 조절될 수 있다. 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 상기 지정된 임계치(BL_MAX), 및/또는 상기 지정된 범위(630)의 상한까지 증가되는 참조 커패시턴스를 식별하는 경우, 상기 참조 커패시턴스를 증가시키는 것을 중단할 수 있다. 상기 참조 커패시턴스를 증가시키는 것을 중단함과 함께, 그립 센서는, 상기 참조 커패시턴스가 증가되기 이전의 참조 커패시턴스에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 복원할 수 있다. 복원된 참조 커패시턴스에 기반하여 외부 객체의 접근, 또는 상기 외부 객체에 의한 전자 장치 상의 그립을 탐지하기 때문에, 그립 센서는, 참조 커패시턴스의 급격한 증가에 의한 외부 객체의 부정확한 탐지를 방지할 수 있다.

그립 센서가 탐지하는 커패시턴스(예, 그래프(620)에 의해 나타나는 커패시턴스)는, 상기 그립 센서의 온도를 포함하는 다양한 요인에 의해 변경될 수 있다. 이하에서는, 도 7을 참고하여, 일 실시예에 따른, 그립 센서가 상기 온도에 의한 상기 커패시턴스의 변화에 기반하여 참조 커패시턴스를 조절하는 동작이 설명된다.

도 7은, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서의 동작을 설명하기 위한 예시적인 그래프를 도시한다. 도 7의 전자 장치는, 도 1 내지 도 3의 전자 장치(101), 도 4 내지 도 6의 전자 장치의 일 예일 수 있다. 예를 들어, 도 3의 그립 센서(330)는, 도 7의 그립 센서를 포함할 수 있다.

도 7의 그래프(710)는, 참조 커패시턴스의 예시적인 변화를 나타낼 수 있다. 도 7의 그래프(720)는, 일 실시예에 따른, 그립 센서에 의하여 측정되고, 상기 참조 커패시턴스와 비교될, 커패시턴스의 예시적인 변화를 나타낼 수 있다. 도 7의 그래프(710)는, 도 4의 그래프(410), 도 5의 그래프(510), 및/또는 도 6의 그래프(610)와 관련될 수 있다. 도 7의 그래프(720)는, 도 4의 그래프(420), 도 5의 그래프(520), 및/또는 도 6의 그래프(620)와 관련될 수 있다.

일 실시예에 따른, 그립 센서는, 온도 센서(예, 도 3의 온도 센서(340))에 의하여 탐지된 온도에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 상기 온도는, 상기 그립 센서의 온도와 관련될 수 있다. 그립 센서가 온도에 기반하여 참조 커패시턴스를 조절하는 것은, 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스에 기반하여 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 근접한 외부 객체를 탐지하는 제1 상태 내에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 상태, 및 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 제2 상태와 독립적으로, 그립 센서는 온도에 기반하여 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서는 상기 온도에 비례하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 도 7의 그래프(710)를 참고하면, 온도 센서에 의하여 탐지되는 온도가 증가됨에 따라, 그립 센서는 참조 커패시턴스를 점진적으로 증가시킬 수 있다.

온도를 이용하여 참조 커패시턴스를 조절하는 일 실시예에서, 그립 센서는, 커패시턴스에 기반하여 전자 장치 상의 그립(또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체)을 탐지하기 위한 제1 상태로부터, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태로 전환할 수 있다. 도 7을 참고하면, 시점 t1 내에서, 그립 센서는 제2 상태로 전환할 수 있다. 시점 t1 이후, 제2 상태로 진입한 그립 센서는, 커패시턴스, 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX)과 관련된 지정된 범위(630), 및/또는 참조 커패시턴스와 관련된 지정된 임계치(BL_MAX) 중 적어도 하나에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 예를 들어, 시점 t1 이후, 지정된 임계치(BL_MAX) 미만의 최대 값(CDC_MAX)을 가지는 커패시턴스에 기반하여, 그립 센서는, 참조 커패시턴스를, 상기 최대 값(CDC_MAX) 미만의 상한을 가지는 지정된 범위(630) 내에서 조절할 수 있다. 도 7을 참고하면, 참조 커패시턴스가 지정된 범위(630)의 상기 상한 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 그립 센서는 참조 커패시턴스를, 시점 t1 이전의 참조 커패시턴스로 복원할 수 있다.

참조 커패시턴스를 복원한 이후, 그립 센서는 시점 t1 이후의 시점 t3까지, 상기 복원된 참조 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체를 탐지할 수 있다. 시점 t3, 및 시점 t1 사이의 간격은, 그립 센서가 제2 상태로 주기적으로 전환하기 위한 지정된 주기일 수 있다. 예를 들어, 시점 t1 이후, 시점 t3 이전의 시간 구간 내에서, 참조 커패시턴스 이상의 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 그립 센서는 외부 객체를 탐지하였음을 알리는 신호를 송신할 수 있다. 상기 시간 구간 내에서, 참조 커패시턴스와 일치된 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 그립 센서는 상기 외부 객체를 탐지하지 못하였음을 알리는 신호(예, 그립의 릴리즈를 알리는 신호)를 송신할 수 있다. 상기 신호는, 전자 장치 내 통신 회로(예, 도 3의 통신 회로(310)), 및/또는 프로세서(예, 도 3의 프로세서(120))로 송신될 수 있다. 예를 들어, 통신 회로는 그립 센서로부터 송신된 상기 신호에 기반하여, 무선으로 송신되는 신호의 세기, 및/또는 파워를 조절할 수 있다.

시점 t3에서, 그립 센서는, 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태로 다시 진입할 수 있다. 도 7을 참고하면, 시점 t3 이전의 시점 t2 내에서, 그래프(720)에 의해 나타나는 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX)이, 지정된 임계치(BL_MAX)를 초과하여 증가된 것으로 가정한다. 시점 t3 내에서, 제2 상태의 그립 센서는, 지정된 임계치(BL_MAX)를 초과하는 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX)을 식별하는 것에 기반하여, 참조 커패시턴스를, 지정된 임계치(BL_MAX)와 일치되는 상한을 가지고, 상기 시점 t3 내에서의 참조 커패시턴스를 하한으로 가지는 범위 내에서 조절할 수 있다. 예를 들어, 참조 커패시턴스는, 지정된 범위(630)를 초과하고, 지정된 임계치(BL_MAX) 미만의 참조 커패시턴스까지 증가될 수 있다.

도 7을 참고하면, 시점 t3 이후, 제2 상태에 기반하여 조절되는 참조 커패시턴스가 지정된 임계치(BL_MAX)까지 증가됨을 식별하는 것에 기반하여, 일 실시예에 따른, 그립 센서는 참조 커패시턴스를, 시점 t3 이전의 참조 커패시턴스로 복원할 수 있다. 참조 커패시턴스를, 시점 t3 이전의 참조 커패시턴스로 복원한 이후, 그립 센서는 상기 제2 상태로부터 제1 상태로 진입할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는 시점 t3 이전의 참조 커패시턴스에 기반하여 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체를 탐지하는 것을, 시점 t4까지 유지할 수 있다. 시점 t4, 및 시점 t3 사이의 간격은, 지정된 주기에 매칭될 수 있다.

시점 t3 이후 지정된 주기의 만료에 기반하여, 그립 센서는 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태로 진입할 수 있다. 도 7을 참고하면, 시점 t4 내에서, 그립 센서는 참조 커패시턴스를 조절하는 것을 개시(initiate)할 수 있다. 시점 t4 내에서, 지정된 임계치(BL_MAX)를 초과하는 최대 값(CDC_MAX)을 가지는 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 그립 센서는 참조 커패시턴스를, 지정된 임계치(BL_MAX) 이하의 범위 내에서 조절할 수 있다. 시점 t4의 참조 커패시턴스를 하한으로 가지는 지정된 범위(630)와 독립적으로, 그립 센서는 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 시점 t4 이후, 제2 상태 내 그립 센서는 지정된 임계치(BL_MAX) 이하의 범위 내에서, 상기 그립 센서에 의해 탐지되는 커패시턴스에 기반하여 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 예를 들어, 시점 t4 이후, 지정된 기간 동안 지정된 임계치(BL_MAX) 미만으로 유지되는 커패시턴스를 식별하는 경우, 그립 센서는 참조 커패시턴스를, 식별된 커패시턴스로 조절할 수 있다. 도 7을 참고하면, 참조 커패시턴스가 그립 센서에 의해 탐지된 커패시턴스에 의하여 지정된 임계치(BL_MAX)를 초과하여 증가되는 경우, 그립 센서는 참조 커패시턴스를, 시점 t4 이전의 참조 커패시턴스로 복원할 수 있다.

도 7을 참고하면, 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태로 전환된 시점들 t1, t3, t4의 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX)에 기반하여, 일 실시예에 따른, 그립 센서는 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 상한을 조절할 수 있다. 예를 들어, 시점 t1과 같이, 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX)이 지정된 임계치(BL_MAX) 미만인 경우, 그립 센서는 참조 커패시턴스의 상한을, 상기 참조 커패시턴스에 기반하는 지정된 범위(630)의 상한으로 제한할 수 있다. 예를 들어, 시점 t3, 및/또는 시점 t4와 같이, 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX)이 지정된 임계치(BL_MAX) 이상인 경우, 그립 센서는 참조 커패시턴스의 상한을, 지정된 임계치(BL_MAX)로 제한할 수 있다.

그립 센서가 상한에 도달한 참조 커패시턴스에 기반하여, 참조 커패시턴스를 줄이는 동작이 설명되었으나, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 그립 센서는, 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태 내에서, 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX) 미만의 범위 내에서 증가되는 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 식별된 커패시턴스에 기반하여 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다.

상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서는, 온도, 참조 커패시턴스의 지정된 임계치(BL_MAX), 상기 그립 센서에 의해 탐지되는 커패시턴스의 최대 값(CDC_MAX), 또는 상기 최대 값(CDC_MAX) 미만의 상한을 가지고, 특정 시점(예, 제2 상태로 전환하기 이전의 시점)의 참조 커패시턴스를 하한으로 가지는 지정된 범위(630) 중 적어도 하나에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 그립 센서가 커패시턴스와 함께, 상기 온도, 상기 지정된 임계치(BL_MAX), 상기 최대 값(CDC_MAX), 또는 상기 지정된 범위(630) 중 적어도 하나를 추가로(additionally) 이용하기 때문에, 그립 센서는, 외부 객체에 의한 전자 장치 상의 그립, 또는 상기 전자 장치에 접근하는 상기 외부 객체를 보다 정확하게 탐지할 수 있다.

이하에서는, 도 8을 참고하여, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서의 예시적인 회로가 도시된다.

도 8은, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서(330)의 예시적인 회로를 도시한다. 도 8의 전자 장치는, 도 1 내지 도 3의 전자 장치(101), 도 4 내지 도 5의 전자 장치의 일 예일 수 있다. 예를 들어, 도 3의 그립 센서(330)는, 도 6의 그립 센서를 포함할 수 있다.

도 8을 참고하면, 일 실시예에 따른, 그립 센서(330)는, 노드(820)에 연결된 컨트롤러(810)를 포함할 수 있다. 그립 센서(330)는, 노드(820)에 연결된 출력 단(830-3), 접지된 비반전 입력 단(830-2), 및 노드(880)에 연결된 반전 입력 단(830-1)을 포함하는 비교기(830)를 포함할 수 있다. 그립 센서(330)는, 컨트롤러(810)에 연결된 일 단, 및 노드(880)에 연결된 타 단을 포함하는 커패시터(840)를 포함할 수 있다. 그립 센서(330)는, 노드(820)에 연결된 일 단, 및 노드(880)에 연결된 타 단을 포함하는 커패시터(850)를 포함할 수 있다. 그립 센서(330)는, 노드(880)에 연결된 일 단, 및 접지된 타 단을 포함하는 커패시터(860)를 포함할 수 있다.

도 8을 참고하면, 그립 센서(330)에 의해 탐지되는 외부 객체(예, 도 2의 외부 객체(220))에 의해 변경되는 커패시턴스가, 접지된 일 단, 및 노드(880)에 연결된 타 단을 포함하는 커패시터(870)에 기반하여 모델링될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치 상에 접촉된 외부 객체가 존재하지 않는 경우, 커패시터(870)는, 노드(880)로부터 분리될 수 있다. 예를 들어, 외부 객체가 전자 장치 상에 접촉되는 경우, 커패시터(870)가 노드(880)에 연결되거나, 또는 커패시터(870)의 커패시턴스가 상기 외부 객체의 특성, 및/또는 상기 외부 객체, 및 상기 전자 장치 사이의 거리에 따라 조절될 수 있다.

일 실시예에 따른, 커패시터(850)의 커패시턴스는, 그립 센서(330)의 민감도(sensitivity), 및/또는 SNR(signal-to-noise ratio)와 관련될 수 있다. 그립 센서(330)의 컨트롤러(810)는, 커패시터(840)를, 참조 커패시턴스에 기반하여 충전할 수 있다. 참조 커패시턴스에 의해 충전된 커패시터(840) 내 전하는, 커패시터(860)로 송신되어, 커패시터(860)를 충전할 수 있다. 전자 장치 상에 접촉된 외부 객체가 존재하지 않는 경우, 커패시터(860)의 충전이 완료됨에 따라, 커패시터들(840, 850, 860) 사이의 전하의 교환이 중단될 수 있다. 상기 전하의 교환이 중단되기 때문에, 컨트롤러(810)에 의해 탐지되는 노드(820)의 전압이 일정하게 유지될 수 있다. 일정하게 유지되는 노드(820)의 전압에 기반하여, 그립 센서(330)의 컨트롤러(810)는, 상기 외부 객체에 의한 그립이 릴리즈되었음을 식별할 수 있다. 예를 들어, 컨트롤러(810)는 노드(820)의 전압, 및/또는 전류에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지하거나, 또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체를 탐지할 수 있다.

상기 예시 내에서, 외부 객체가 전자 장치 상에 접촉되는 것은, 커패시터(870), 및 노드(880)의 연결로 모델링될 수 있다. 노드(880)에 연결된 커패시터(870)에 의하여, 커패시터(870)를 충전하기 위한 전류의 흐름이 발생될 수 있다. 상기 전류의 흐름은, 커패시터(850)를 통하여 노드(820)로부터 노드(880)로 흐르는 전류의 흐름을 야기할 수 있다. 도 8을 참고하면, 외부 객체가 전자 장치 상에 접촉된 이후, 방향(892)을 따라 흐르는 전류가 발생될 수 있다. 그립 센서(330) 내 컨트롤러(810)는, 방향(892)을 따라 흐르는 전류에 의해 증가되는, 노드(820)의 전압을 식별할 수 있다. 상기 증가된 전압에 기반하여, 컨트롤러(810)는 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 상기 전자 장치에 접근한 외부 객체를 탐지할 수 있다.

일 실시예에 따른, 그립 센서(330) 내 컨트롤러(810)는, 노드(820)의 전압을 나타내는 디지털 값(예, CDC(capacitance digital code))을 획득할 수 있다. 상기 디지털 값은, 도 4의 그래프(420), 도 5의 그래프(520), 도 6의 그래프(620), 및/또는 도 7의 그래프(720)와 같이, 전자 장치의 외부 공간 내에 형성된 전계에 의해 조절되는 커패시턴스를 나타낼 수 있다. 일 실시예에 따른, 그립 센서(330)는, 참조 커패시턴스에 기반하여, 상기 디지털 값을 조절할 수 있다. 조절된 디지털 값은, 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체를 탐지하는데 이용될 수 있다. 예를 들어, 상기 디지털 값은, 상기 커패시턴스, 및 상기 참조 커패시턴스 사이의 차이를 나타낼 수 있다. 컨트롤러(810)는, 상기 디지털 값에 기반하여, 상기 외부 객체를 탐지하였는지 여부를 나타내는 신호를 생성할 수 있다. 일 실시예에 따른, 그립 센서(330) 내 컨트롤러(810)는 도 2 내지 도 7을 참고하여 상술된 동작에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하여, 상기 외부 객체를 보다 정확하게 탐지할 수 있다.

이하에서는, 도 9 내지 도 11을 참고하여, 일 실시예에 따른, 그립 센서(330), 및/또는 컨트롤러(810)의 동작이 설명된다.

도 9는, 일 실시예에 따른, 전자 장치가 그립 센서를 제어하는 흐름도의 일 예를 도시한다. 도 9의 전자 장치는, 도 1 내지 도 3의 전자 장치(101), 도 4 내지 도 8의 전자 장치의 일 예일 수 있다. 예를 들어, 도 3의 그립 센서(330)는, 도 9의 그립 센서를 포함할 수 있다. 도 9의 동작들 중 적어도 하나는 도 3, 또는 도 8의 그립 센서(330), 및/또는 도 8의 컨트롤러(810)에 의해 수행될 수 있다.

도 9를 참고하면, 동작(910) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 전자 장치에 근접된 외부 객체를 식별할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는, 커패시턴스 및 참조 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 식별할 수 있다. 그립 센서는, 상기 그립을 식별한 결과를 나타내는 신호를 출력할 수 있다. 상기 신호는, 그립 센서에 연결된 다른 회로(예, 도 3의 통신 회로(310), 프로세서(120), 및/또는 메모리(130))로 송신될 수 있다. 그립 센서는, 제1 상태 내에서 동작(910)을 수행할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는, 상기 제1 상태 내에서, 참조 커패시턴스를 초과하는 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 식별하거나, 또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체를 식별할 수 있다. 그립 센서는, 제1 상태 내에서, 참조 커패시턴스에 매칭되는 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 그립이 릴리즈됨을 식별하거나, 또는 상기 외부 객체를 탐지하지 못한것으로 결정할 수 있다. 전자 장치가 동작(910)에 기반하여, 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체를 식별하는 동작은 도 10을 참고하여 설명된다.

도 9를 참고하면, 동작(920) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 참조 커패시턴스를 변경하기 위한 이벤트가 발생되었는지 여부를 판단할 수 있다. 상기 이벤트는, 동작(910)을 수행하기 위한 제1 상태로부터, 참조 커패시턴스를 변경하기 위한 제2 상태로 진입을 야기할 수 있다. 상기 이벤트는, 지정된 주기에 기반하여 반복적으로 발생될 수 있다. 이벤트가 발생되기 이전에(920-아니오), 그립 센서는 제1 상태에 기반하여 동작(910)을 수행할 수 있다.

참조 커패시턴스를 변경하기 위한 이벤트가 발생된 경우(920-예), 동작(930) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 임계치, 참조 커패시턴스에 의해 형성되는 범위, 또는 커패시턴스 중 적어도 하나에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 그립 센서는 상기 이벤트의 발생에 기반하여, 동작(910)을 수행하는 제1 상태로부터, 동작(930)을 수행하는 제2 상태로 전환할 수 있다. 상기 임계치는, 도 4 내지 도 7의 지정된 임계치(BL_MAX)와 같이, 참조 커패시턴스를 조절하는 상한을 포함할 수 있다. 참조 커패시턴스에 의해 형성되는 상기 범위는, 도 6 내지 도 7의 지정된 범위(630)와 같이, 그립 센서에 의하여 탐지되는 커패시턴스의 최대 값(예, 도 4 내지 도 7의 최대 값(CDC_MAX)) 미만으로 참조 커패시턴스를 유지하기 위한 범위를 포함할 수 있다. 동작(930) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 상기 범위 내에서 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 지정된 범위의 상한까지 증가되는 참조 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 그립 센서는 참조 커패시턴스를, 상기 상한 미만으로 줄일 수 있다. 전자 장치가 동작(930)에 기반하여, 참조 커패시턴스를 조절하는 동작이 도 11을 참고하여 설명된다.

동작(930) 이후, 그립 센서는 동작(910)을 다시 수행하여, 동작(930)에 의해 조절된 참조 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 식별하거나, 또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체를 식별할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서가 활성화된 동안, 그립 센서는 도 9의 동작들(910, 920, 930)을 반복적으로 수행할 수 있다.

도 10은, 일 실시예에 따른, 전자 장치가 그립 센서를 제어하는 흐름도의 일 예를 도시한다. 도 10의 전자 장치는, 도 1 내지 도 3의 전자 장치(101), 도 4 내지 도 9의 전자 장치의 일 예일 수 있다. 예를 들어, 도 3의 그립 센서(330)는, 도 10의 그립 센서를 포함할 수 있다. 도 10의 동작들 중 적어도 하나는 도 3, 또는 도 8의 그립 센서(330), 및/또는 도 8의 컨트롤러(810)에 의해 수행될 수 있다. 도 10의 동작들 중 적어도 하나는, 도 9의 동작(910)과 관련될 수 있다.

도 10을 참고하면, 동작(1010) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 커패시턴스를 나타내는 제1 값을 획득할 수 있다. 상기 제1 값은, 도 4의 그래프(420), 도 5의 그래프(520), 도 6의 그래프(620), 및/또는 도 7의 그래프(720) 상의 커패시턴스를 나타낼 수 있다. 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 도 8의 노드(820)의 전압, 및/또는 전류에 기반하여, 상기 제1 값을 획득할 수 있다.

도 10을 참고하면, 동작(1020) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 참조 커패시턴스에 기반하는 제2 값을 획득할 수 있다. 상기 제2 값은, 동작(1010)의 제1 값을 획득한 시점의 그립 센서의 온도에 의하여 조절될 수 있다. 상기 제2 값은, 도 4의 그래프(410), 도 5의 그래프(510), 도 6의 그래프(610), 및/또는 도 7의 그래프(710) 상의 참조 커패시턴스에 대응할 수 있다. 동작(1020)의 제2 값은, 그립 센서에 의해 주기적으로 수행되는, 도 9의 동작(930)에 기반하여 주기적으로 조절될 수 있다.

도 10을 참고하면, 동작(1030) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 제1 값이 제2 값을 초과하는지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는, 동작(1010)의 제1 값, 및 동작(1020)의 제2 값을 비교하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 제1 값이 제2 값을 초과하는 경우(1030-예), 동작(1040) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 전자 장치에 근접한 외부 객체를 식별할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 동작(1040) 내에서, 전자 장치 상의 그립을 탐지하는 것에 기반하여, 그립 센서는 그립의 탐지를 알리는 신호를 송신할 수 있다. 동작(1040) 내에서, 전자 장치에 근접한 외부 객체를 식별하는 것에 기반하여, 그립 센서는 상기 외부 객체의 식별을 알리는 신호를 송신할 수 있다. 예를 들어, 제1 값이 제2 값 이하인 경우(1030-아니오), 동작(1050) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 전자 장치 및 외부 객체의 접촉의 릴리즈(예, 그립의 릴리즈), 또는 외부 객체의 멀어짐을 탐지할 수 있다. 상기 릴리즈, 또는 상기 외부 객체의 멀어짐을 탐지하는 것에 기반하여, 그립 센서는 그립의 릴리즈를 알리는 신호를 송신할 수 있다. 예를 들어, 외부 객체의 멀어짐을 탐지하는 것에 기반하여, 그립 센서는 외부 객체의 멀어짐을 알리는 신호를 송신할 수 있다.

도 11은, 일 실시예에 따른, 전자 장치가 그립 센서를 제어하는 흐름도의 일 예를 도시한다. 도 11의 전자 장치는, 도 1 내지 도 3의 전자 장치(101), 도 4 내지 도 10의 전자 장치의 일 예일 수 있다. 예를 들어, 도 3의 그립 센서(330)는, 도 9의 그립 센서를 포함할 수 있다. 도 11의 동작들 중 적어도 하나는 도 3, 또는 도 8의 그립 센서(330), 및/또는 도 8의 컨트롤러(810)에 의해 수행될 수 있다. 도 11의 동작들 중 적어도 하나는 도 9의 동작들(920, 930) 중 적어도 하나와 관련될 수 있다.

도 11을 참고하면, 동작(1110) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 제1 값의 참조 커패시턴스를 변경하기 위한 이벤트를 식별할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는 도 9의 동작(920)과 유사하게, 동작(1110)을 수행할 수 있다.

동작(1110)의 이벤트를 식별하는 것에 기반하여, 동작(1120) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 참조 커패시턴스의 지정된 임계치가, 커패시턴스의 최대 값 이하인지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서는, 상기 지정된 임계치, 및 상기 최대 값을 비교할 수 있다. 참조 커패시턴스의 지정된 임계치는, 도 4 내지 도 7의 지정된 임계치(BL_MAX)를 포함할 수 있다. 커패시턴스의 최대 값은, 동작(1120)을 수행하는 그립 센서에 의해 식별된 커패시턴스의 최대 값(예, 도 4 내지 도 7의 최대 값(CDC_MAX))을 포함할 수 있다.

지정된 임계치가 커패시턴스의 최대 값 이하인 경우(1120-예), 동작(1130) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 참조 커패시턴스를, 지정된 임계치 미만의 범위 내에서 변경할 수 있다. 예를 들어, 참조 커패시턴스는 동작(1130)에 기반하여, 상기 제1 값으로부터, 상기 지정된 임계치 미만의 제2 값으로 변경될 수 있다. 동작(1130) 내에서, 그립 센서는 참조 커패시턴스를, 상기 지정된 임계치 미만의 범위 내에서, 상기 그립 센서에 의해 탐지되는 커패시턴스에 기반하여 조절할 수 있다. 상기 참조 커패시턴스가 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 지정된 임계치 미만의 범위 이상으로 조절되는 경우, 그립 센서는 상기 참조 커패시턴스를, 상기 제1 값으로 복원할 수 있다. 예를 들어, 도 11의 동작(1130)을 수행하는 그립 센서에 의해 조절되는 참조 커패시턴스는, 도 4의 그래프(410), 및/또는 도 5의 그래프(510)와 같이 조절될 수 있다.

지정된 임계치가 커패시턴스의 최대 값을 초과하는 경우(1120-아니오), 동작(1140) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 참조 커패시턴스의 제1 값, 및 커패시턴스의 최대 값 사이의 차이가 지정된 범위를 초과하는지 여부를 판단할 수 있다. 상기 지정된 범위의 상한은, 상기 최대 값 미만일 수 있다. 동작(1140) 내에서, 그립 센서는, 동작(1110)의 이벤트를 식별한 시점의 참조 커패시턴스의 제1 값, 및 커패시턴스의 최대 값을 비교할 수 있다.

상기 제1 값, 및 상기 최대 값 사이의 차이가 지정된 범위를 초과하는 경우(1140-예), 동작(1150) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 참조 커패시턴스를, 지정된 범위 내에서 변경할 수 있다. 지정된 범위의 상한이 커패시턴스의 최대 값 미만이므로, 동작(1150) 내에서, 참조 커패시턴스는 커패시턴스의 최대 값 미만의 상기 지정된 범위 내에서 조절될 수 있다. 동작(1150) 내에서, 참조 커패시턴스가 상기 지정된 범위의 상한까지 증가되는 경우, 그립 센서는 동작(1110)의 제1 값으로, 참조 커패시턴스를 조절할 수 있다. 예를 들어, 도 11의 동작(1150)을 수행하는 그립 센서에 의해 조절되는 참조 커패시턴스는, 도 6의 그래프(610)와 같이 조절될 수 있다.

상기 제1 값, 및 상기 최대 값 사이의 차이가 지정된 범위 이하인 경우(1140-아니오), 동작(1160) 내에서, 일 실시예에 따른, 그립 센서는, 참조 커패시턴스를, 커패시턴스의 최대 값으로 변경할 수 있다. 예를 들어, 동작(1160) 내에서, 참조 커패시턴스는, 지정된 임계치 미만의 지정된 범위 내에 포함된 커패시턴스의 최대 값으로 조절될 수 있다. 도 11을 참고하면, 그립 센서가 참조 커패시턴스를, 상기 그립 센서에 의하여 탐지되는 커패시턴스의 최대 값으로 조절하는 것은, 동작(1160)과 같이, 상기 최대 값이, 참조 커패시턴스와 관련된 지정된 임계치 미만의 지정된 범위 내에 포함된 케이스로 제한될 수 있다. 상기 케이스와 상이한 케이스 내에서, 그립 센서는, 상기 지정된 임계치, 및/또는 상기 지정된 범위에 기반하여, 참조 커패시턴스가 상기 커패시턴스의 최대 값까지 증가되는 것을 방지할 수 있다.

상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서는, 외부 공간에 형성된 전계에 종속되는 커패시턴스를, 참조 커패시턴스와 비교하여, 상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 상기 전자 장치에 접근하는 외부 객체를 탐지할 수 있다. 그립 센서는, 참조 커패시턴스를 조절하는 상태(예, 상기 제2 상태) 내에서, 참조 커패시턴스가, 상기 커패시턴스의 최대 값에 기반하여, 급격하게 증가되는 것을 방지할 수 있다. 그립 센서가 참조 커패시턴스의 급격한 증가를 방지하기 때문에, 그립 센서는 상기 참조 커패시턴스에 기반하여, 상기 외부 객체를 보다 정확하게 탐지할 수 있다.

상술한 바와 같은, 일 실시예에 따른, 전자 장치(electronic device)는, 상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 근접한 외부 객체를 탐지하기 위한 그립 센서, 및 상기 그립 센서와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 통신 회로를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 외부 객체를 탐지하기 위한 제1 상태 내에서 상기 통신 회로로, 상기 그립에 의하여 변경되는 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스(reference capacitance)에 기반하여, 상기 외부 객체가 탐지되었는지 여부를 나타내는 신호를 송신하도록, 구성될 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 제1 상태와 상이하고, 상기 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태 내에서, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성될 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 참조 커패시턴스가 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절하도록, 구성될 수 있다.

예를 들어, 상기 그립 센서는, 상기 참조 커패시턴스가 상기 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 그립 센서의 상태가 상기 제2 상태로 전환되는 시점 내 참조 커패시턴스에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성될 수 있다.

예를 들어, 상기 그립 센서는, 상기 제2 상태 내에서, 상기 지정된 임계치 미만의 최대 값을 가지는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 지정된 임계치 미만의 지정된 범위에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성될 수 있다.

예를 들어, 상기 전자 장치는, 온도 센서를 더 포함할 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 온도 센서에 의하여 탐지된 온도에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성될 수 있다.

예를 들어, 상기 그립 센서는, 상기 참조 커패시턴스가 상기 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 그립 센서의 상태가 상기 제2 상태로 전환되는 시점 내 참조 커패시턴스, 및 상기 온도에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성될 수 있다.

예를 들어, 상기 그립 센서는, 지정된 주기에 기반하여, 상기 제1 상태로부터 상기 제2 상태로 전환하도록, 구성될 수 있다.

예를 들어, 상기 그립 센서는, 상기 제2 상태 내에서, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절한 이후, 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 전환하도록, 구성될 수 있다.

예를 들어, 상기 그립 센서는, 상기 제1 상태 내에서, 상기 참조 커패시턴스를 초과하는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 외부 객체가 탐지되었음을 나타내는 상기 신호를 송신하도록, 구성될 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 참조 커패시턴스에 매칭되는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 외부 객체가 탐지되지 않았음을 나타내는 상기 신호를 송신하도록, 구성될 수 있다.

예를 들어, 상기 전자 장치는, 안테나를 더 포함할 수 있다. 상기 전자 장치 내 상기 통신 회로는, 상기 그립 센서로부터 송신된 상기 신호에 기반하여, 상기 안테나에 의해 방사되는(emitted) 무선 신호의 세기를 조절하도록, 구성될 수 있다.

예를 들어, 상기 그립 센서는, 상기 커패시턴스, 및 상기 참조 커패시턴스 사이의 차이에 기반하여, 상기 외부 객체를 탐지하도록, 구성될 수 있다.

상술한 바와 같은, 일 실시예에 따른, 전자 장치 내 그립 센서를 제어하기 위한 방법은, 상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 근접한 외부 객체를 탐지하기 위한 제1 상태 내에서, 상기 외부 객체에 의하여 변경되는 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스에 기반하여, 상기 외부 객체를 탐지하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 제1 상태와 상이하고, 상기 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태 내에서, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 참조 커패시턴스가 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절하는 동작을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절하는 동작은, 상기 그립 센서의 상태가 상기 제2 상태로 전환되는 시점 내 참조 커패시턴스에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동작을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 방법은, 상기 제2 상태 내에서, 상기 지정된 임계치 미만의 최대 값을 가지는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 지정된 임계치 미만의 지정된 범위에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동작을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 방법은, 상기 전자 장치 내 온도 센서에 의하여 탐지된 온도에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동작을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 방법은, 지정된 주기에 기반하여, 상기 제1 상태로부터 상기 제2 상태로 전환하는 동작을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절하는 동작은, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절한 이후, 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 전환하는 동작을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 그립을 탐지하는 동작은, 상기 참조 커패시턴스를 초과하는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 외부 객체를 탐지하는 동작을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 방법은, 상기 참조 커패시턴스에 매칭되는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 외부 객체의 릴리즈를 탐지하는 동작을 포함할 수 있다.

상술한 바와 같은, 일 실시예에 따른, 전자 장치(electronic device)는, 상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 근접한 외부 객체를 탐지하기 위한 그립 센서, 안테나, 상기 그립 센서에 의하여 탐지된 상기 외부 객체에 기반하여, 상기 안테나에 의하여 송신되는 무선 신호의 세기를 조절하기 위한 통신 회로를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 전자 장치와 상이한 외부 객체에 의하여 변경되는 커패시턴스를, 지정된 주기에 기반하여 조절되는 참조 커패시턴스와 비교하여, 상기 외부 객체를 탐지하도록, 구성될 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 지정된 주기에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동안, 상기 참조 커패시턴스와 관련된 지정된 범위 내에서, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성될 수 있다.

예를 들어, 그립 센서는, 상기 커패시턴스가 증가됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 증가된 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 증가시키도록, 구성될 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 참조 커패시턴스가 상기 지정된 범위 이상으로 증가됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 증가시키는 것을 중단하도록, 구성될 수 있다.

예를 들어, 상기 그립 센서는, 지정된 임계치, 또는 온도 중 적어도 하나에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성될 수 있다.

이상에서 설명된 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 프로세서, 콘트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPGA(field programmable gate array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 상기 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 어플리케이션을 수행할 수 있다. 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 콘트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.

소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다. 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 컴퓨터 저장 매체 또는 장치에 구체화(embody)될 수 있다. 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.

실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 이때, 매체는 컴퓨터로 실행 가능한 프로그램을 계속 저장하거나, 실행 또는 다운로드를 위해 임시 저장하는 것일 수도 있다. 또한, 매체는 단일 또는 수 개의 하드웨어가 결합된 형태의 다양한 기록수단 또는 저장수단일 수 있는데, 어떤 컴퓨터 시스템에 직접 접속되는 매체에 한정되지 않고, 네트워크 상에 분산 존재하는 것일 수도 있다. 매체의 예시로는, 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체, CD-ROM 및 DVD와 같은 광기록 매체, 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical medium), 및 ROM, RAM, 플래시 메모리 등을 포함하여 프로그램 명령어가 저장되도록 구성된 것이 있을 수 있다. 또한, 다른 매체의 예시로, 어플리케이션을 유통하는 앱 스토어나 기타 다양한 소프트웨어를 공급 내지 유통하는 사이트, 서버 등에서 관리하는 기록매체 내지 저장매체도 들 수 있다.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.

Claims

전자 장치(electronic device)에 있어서,
상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 근접한(adjacent to) 외부 객체를 탐지하기 위한 그립 센서; 및
상기 그립 센서와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 통신 회로를 포함하고,
상기 그립 센서는,
상기 외부 객체를 탐지하기 위한 제1 상태 내에서 상기 통신 회로로, 상기 그립에 의하여 변경되는 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스(reference capacitance)에 기반하여, 상기 외부 객체가 탐지되었는지 여부를 나타내는 신호를 송신하고;
상기 제1 상태와 상이하고, 상기 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태 내에서, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하고; 및
상기 참조 커패시턴스가 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절하도록, 구성되는,
전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 그립 센서는,
상기 참조 커패시턴스가 상기 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 그립 센서의 상태가 상기 제2 상태로 전환되는 시점 내 참조 커패시턴스에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성되는,
전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 그립 센서는,
상기 제2 상태 내에서, 상기 지정된 임계치 미만의 최대 값을 가지는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 지정된 임계치 미만의 지정된 범위에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성되는,
전자 장치.
제1항에 있어서, 온도 센서를 더 포함하고,
상기 그립 센서는, 상기 온도 센서에 의하여 탐지된 온도에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성되는,
전자 장치.
제4항에 있어서, 상기 그립 센서는,
상기 참조 커패시턴스가 상기 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 그립 센서의 상태가 상기 제2 상태로 전환되는 시점 내 참조 커패시턴스, 및 상기 온도에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성되는,
전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 그립 센서는,
지정된 주기에 기반하여, 상기 제1 상태로부터 상기 제2 상태로 전환하도록, 구성되는,
전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 그립 센서는,
상기 제2 상태 내에서, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절한 이후, 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 전환하도록, 구성되는,
전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 그립 센서는,
상기 제1 상태 내에서, 상기 참조 커패시턴스를 초과하는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 외부 객체가 탐지되었음을 나타내는 상기 신호를 송신하고; 및
상기 참조 커패시턴스에 매칭되는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 외부 객체가 탐지되지 않았음을 나타내는 상기 신호를 송신하도록, 구성되는,
전자 장치.
제8항에 있어서, 안테나를 더 포함하고,
상기 통신 회로는, 상기 그립 센서로부터 송신된 상기 신호에 기반하여, 상기 안테나에 의해 방사되는(emitted) 무선 신호의 세기를 조절하도록, 구성되는,
전자 장치.
제8항에 있어서, 상기 그립 센서는,
상기 커패시턴스, 및 상기 참조 커패시턴스 사이의 차이에 기반하여, 상기 외부 객체를 탐지하도록, 구성되는,
전자 장치.
전자 장치 내 그립 센서를 제어하기 위한 방법에 있어서,
상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 근접한 외부 객체를 탐지하기 위한 제1 상태 내에서, 상기 외부 객체에 의하여 변경되는 커패시턴스, 및 참조 커패시턴스에 기반하여, 상기 외부 객체를 탐지하는 동작;
상기 제1 상태와 상이하고, 상기 참조 커패시턴스를 조절하기 위한 제2 상태 내에서, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동작; 및
상기 참조 커패시턴스가 지정된 임계치 이상으로 조절됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절하는 동작을 포함하는,
방법.
제11항에 있어서, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절하는 동작은,
상기 그립 센서의 상태가 상기 제2 상태로 전환되는 시점 내 참조 커패시턴스에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동작을 포함하는,
방법.
제11항에 있어서,
상기 제2 상태 내에서, 상기 지정된 임계치 미만의 최대 값을 가지는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 지정된 임계치 미만의 지정된 범위에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동작을 포함하는,
방법.
제11항에 있어서,
상기 전자 장치 내 온도 센서에 의하여 탐지된 온도에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동작을 포함하는,
방법.
제11항에 있어서,
지정된 주기에 기반하여, 상기 제1 상태로부터 상기 제2 상태로 전환하는 동작을 포함하는,
방법.
제11항에 있어서, 상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절하는 동작은,
상기 참조 커패시턴스를 상기 지정된 임계치 미만으로 조절한 이후, 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 전환하는 동작을 포함하는,
방법.
제11항에 있어서, 상기 그립을 탐지하는 동작은,
상기 참조 커패시턴스를 초과하는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 외부 객체를 탐지하는 동작; 및
상기 참조 커패시턴스에 매칭되는 상기 커패시턴스를 식별하는 것에 기반하여, 상기 외부 객체의 릴리즈를 탐지하는 동작을 포함하는,
방법.
전자 장치(electronic device)에 있어서,
상기 전자 장치 상에 접촉되거나, 또는 근접한 외부 객체를 탐지하기 위한 그립 센서;
안테나;
상기 그립 센서에 의하여 탐지된 상기 외부 객체에 기반하여, 상기 안테나에 의하여 송신되는 무선 신호의 세기를 조절하기 위한 통신 회로를 포함하고,
상기 그립 센서는,
상기 전자 장치와 상이한 외부 객체에 의하여 변경되는 커패시턴스를, 지정된 주기에 기반하여 조절되는 참조 커패시턴스와 비교하여, 상기 외부 객체를 탐지하고;
상기 지정된 주기에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하는 동안, 상기 참조 커패시턴스와 관련된 지정된 범위 내에서, 상기 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성되는,
전자 장치.
제18항에 있어서, 상기 그립 센서는,
상기 커패시턴스가 증가됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 증가된 커패시턴스에 기반하여 상기 참조 커패시턴스를 증가시키고; 및
상기 참조 커패시턴스가 상기 지정된 범위 이상으로 증가됨을 식별하는 것에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 증가시키는 것을 중단하도록, 구성되는,
전자 장치.
제18항에 있어서, 상기 그립 센서는,
지정된 임계치, 또는 온도 중 적어도 하나에 기반하여, 상기 참조 커패시턴스를 조절하도록, 구성되는,
전자 장치.