KR20230156623A

KR20230156623A - 그립 센서를 포함하는 전자 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20230156623A
Application number: KR1020220087211A
Authority: KR
Inventors: 박대희; 이종원; 한장훈; 권희준; 박서현
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2022-05-06
Filing date: 2022-07-14
Publication date: 2023-11-14

Abstract

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(electronic device)는, 그립 센서로부터 출력되는 전압을 변경하기 위한, 상기 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절할 수 있다. 상기 전자 장치는, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 이후, 상기 커패시터에 의해 변경된 상기 전압을 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 상기 전자 장치는, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제3 커패시턴스로 변경할 수 있다. 상기 전자 장치는, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를 상기 제2 커패시턴스로 변경할 수 있다.

Description

그립 센서를 포함하는 전자 장치 및 방법{ELECTRONIC DEVICE AND METHOD COMPRISING GRIP SENSOR}

아래 설명들은, 그립 센서를 포함하는 전자 장치 및 방법에 관한 것이다.

전자 장치의 그립 센서는, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 전자 장치는, 그립 센서에 포함된 커패시터의 커패시턴스 및 그립 센서로부터 출력되는 전압에 기반하여 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 외부 객체의 접근에 기반하여 야기된 커패시턴스 및 그립 센서로부터 출력되는 전압에 기반하여 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

SAR(specific absorption rate, 전자파 인체 흡수율) 규격을 만족하기 위해, 전자 장치는, 전자 장치 상의 그립이 탐지되는 것에 기반하여, 전자 장치로부터 방사되는 무선 신호의 세기를 조절할 수 있다. 전자 장치는, 그립 센서가 리셋에 응답하여, 전자 장치 상의 그립을 식별하기 위한 방안이 요구될 수 있다.

본 문서에서 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(electronic device)는, 그립 센서, 인스트럭션들을 저장하기 위한 메모리, 및 상기 그립 센서 및 상기 메모리와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 그립 센서로부터 출력되는 전압을 변경하기 위한, 상기 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 상기 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 이후, 상기 커패시터에 의해 변경된 상기 전압을 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제3 커패시턴스로 변경할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제2 커패시턴스로 변경할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 커패시터, 및 컨트롤러를 포함하는, 그립 센서, 및 상기 그립 센서와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 그립 센서의 상기 컨트롤러는, 상기 그립 센서로부터 출력되는 전압을 변경하기 위한, 상기 커패시터의 커패시턴스를, 상기 컨트롤러 내에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 이후, 상기 커패시터에 의해 변경된 상기 전압을 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 컨트롤러 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제3 커패시턴스로 변경할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수에 기반하여, 상기 컨트롤러 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제2 커패시턴스로 변경할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치의 방법은, 그립 센서로부터 출력되는 전압을 변경하기 위한, 상기 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 이후, 상기 커패시터에 의해 변경된 상기 전압을 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제3 커패시턴스로 변경하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제2 커패시턴스로 변경하는 동작을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 그립 센서, 인스트럭션들을 저장하기 위한 메모리, 및 상기 그립 센서 및 상기 메모리와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 상기 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스에 의해 나타나는 범위 내에서 조절할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 그립 센서로부터 출력되는 전압이 상기 범위 내 제2 커패시턴스에 의하여 지정된 전압을 유지하는지 여부에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스와 독립적으로 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 기반하여 조절되는 동안, 상기 제1 커패시턴스, 및 상기 전압에 기반하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 커패시터, 및 컨트롤러를 포함하는, 그립 센서, 및 상기 그립 센서와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서의 상기 컨트롤러는, 상기 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 상기 컨트롤러 내에 저장된 제1 커패시턴스에 의해 나타나는 범위 내에서 조절할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 그립 센서로부터 출력되는 전압이 상기 범위 내 제2 커패시턴스에 의하여 지정된 전압을 유지하는지 여부에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스와 독립적으로 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 기반하여 조절되는 동안, 상기 제1 커패시턴스, 및 상기 전압에 기반하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치의 방법은, 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스에 의해 나타나는 범위 내에서 조절하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 그립 센서로부터 출력되는 전압이 상기 범위 내 제2 커패시턴스에 의하여 지정된 전압을 유지하는지 여부에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스와 독립적으로 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 기반하여 조절되는 동안, 상기 제1 커패시턴스 및 상기 전압에 기반하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지하는 동작을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 메모리에 저장된 커패시턴스 및 그립 센서로부터 출력되는 전압에 기반하여 전자 장치 상의 그립을 탐지하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

본 개시에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은, 일 실시 예에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 2는, 일 실시 예에 따른, 전자 장치가 그립 센서를 이용하여 전자 장치 상의 그립을 탐지하는 동작을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 3은, 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 간소화된 블록도(simplified block diagram)를 도시한다.
도 4는, 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 그립 센서에 포함된 회로의 적어도 일부를 도시한다.
도 5는, 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 동작에 관한 흐름도를 도시한다.
도 6은, 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 동작에 관한 흐름도를 도시한다.
도 7은, 일 실시 예에 따른, 제1 커패시터의 커패시턴스, 메모리에 또는 컨트롤러 내에 저장된 커패시턴스에 의해 나타나는 범위를 도시한다.
도 8은, 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 동작에 관한 흐름도를 도시한다.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.

도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

도 2는, 일 실시 예에 따른, 전자 장치가 그립 센서를 이용하여 전자 장치 상의 그립을 탐지하는 동작을 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 2의 전자 장치(101)는, 도 1의 전자 장치(101)를 포함할 수 있다.

도 2를 참조하면, 전자 장치(101)에 포함된 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(310))는, 전계(electric field)(210)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)에 포함된 그립 센서의 커패시터는, 전계(210)를 형성할 수 있다. 전자 장치(101)는, 상기 그립 센서에 의해 측정되는 전계(210)에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지할 수 있다. 전자 장치(101)는, 전계(210)의 변화량에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 식별할 수 있다. 전자 장치(101)는, 이벤트의 발생 전, 이벤트의 발생 동안, 및/또는 이벤트의 발생 후에, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)의 부팅이 개시된 이후에, 전자 장치(101)상의 그립을 식별할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는, 이벤트가 발생된 동안, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지할 수 있다. 전자 장치(101)는, 이벤트가 발생된 동안, 전자 장치(101) 상의 그립을 식별할 수 있다. 상기 이벤트는, 그립 센서의 리셋을 야기할 수 있다. 그립 센서의 리셋은, 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))에 의해 제1 커패시터(예: 도 4의 제1 커패시터(314))의 커패시턴스를, 제3 커패시터(예: 도 4의 제3 커패시터(405))의 커패시턴스, 및 제4 커패시터(예: 도 4의 제4 커패시터(407))의 커패시턴스에 기반하여 획득된 커패시턴스에 매칭되는 것을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 이벤트는, 전자 장치(101)의 포트(220)(예: 도 1의 연결단자(178))에 의한 연결의 수립, 전자 장치(101)의 부팅, 또는 전자 장치(101)에 접촉된 외부 객체(240)의 식별 중 적어도 하나에 기반하여 발생될 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)의 포트(220)(예: USB 포트, USB-C 포트, 라이트닝 포트 등)에 의한 외부 전자 장치(예: 충전기, USB 장치 등)와 연결이 수립될 수 있다. 그립 센서의 리셋을 야기하는 이벤트는, 상기 연결의 수립을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 포트(220)에 의한 외부 전자 장치와의 연결의 수립은, 그립 센서의 리셋을 야기할 수 있다. 전자 장치(101)의 포트(220)에 의한 연결의 수립은, 그립 센서에 의해 형성된 전계(210)를 변화시킬 수 있다. 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)의 포트(220)에 의한 외부 전자 장치와 연결이 수립된 동안, 변화된 전계(210)에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 식별할 수 있다. 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)의 포트(220)에 의한 연결이 수립된 후에, 메모리(130)에 저장된 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 식별할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(101)는, 버튼(230)(예: 도 1의 입력 모듈(150))을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는, 버튼(230)에 대한 입력에 기반하여, 전자 장치(101)를 부팅할 수 있다. 상기 버튼(230)에 대한 입력은, 버튼(230)을 지정된 시간을 초과하여 누르는 제스쳐를 포함할 수 있다. 그립 센서의 리셋을 야기하는 이벤트는, 상기 버튼(230)에 대한 입력에 기반하여, 전자 장치(101)가 부팅되는 것을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 부팅은, 그립 센서에 의해 형성된 전계(210)를 변화시킬 수 있다. 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)의 부팅에 응답하여(in response to), 변화된 전계(210)에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)의 부팅의 완료에 기반하여 변화된 전계(210)에 의해, 전자 장치(101) 상의 그립을 식별할 수 있다. 전자 장치(101)의 부팅의 완료에 응답하는 것은, 전자 장치(101)의 부팅이 완료된 직후(immediately after)를 의미할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)의 부팅의 완료에 응답하여, 제1 커패시터의 커패시턴스가 유지되는 것에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립의 릴리즈를 탐지할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)에 접촉된 홀 센서를 포함하는 외부 객체(240)(예: 전자 장치(101)의 커버 케이스)를 식별할 수 있다. 그립 센서의 리셋을 야기하는 이벤트는, 전자 장치(101)에 접촉된 홀 센서를 포함하는 외부 객체(240)의 식별을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)에 접촉된 외부 객체(240)는, 그립 센서에 의해 형성된 전계(210)를 변화시킬 수 있다. 외부 객체(240)의 전자 장치(101)와의 접촉은, 그립 센서의 리셋을 야기할 수 있다. 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)에 접촉된 외부 객체(240)를 식별하는 동안, 변화된 전계(210)에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 식별할 수 있다.

상술한 이벤트들에 기반하여, 전자 장치(101)의 그립 센서에 포함된 커패시터에 의해 형성된 전계(210)의 변화에 의해, 전자 장치(101)는, 전자 장치(101) 상의 그립을 부정확하게(incorrectly) 탐지할 수 있다. 후술하는 실시 예들에 따르면, 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)의 메모리에 저장된 커패시턴스를 이용하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지함으로써, 전자 장치(101)에 이벤트가 발생에 응답하여, 정확하게(correctly) 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지할 수 있다. 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)의 메모리에 저장된 커패시턴스를 이용하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지함으로써, 전자 장치(101)에 이벤트가 발생된 후, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지할 수 있다.

도 3은, 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 간소화된 블록도(simplified block diagram)를 도시한다. 도 3의 전자 장치(101)는, 도 1 내지 도 2의 전자 장치(101)를 포함할 수 있다.

도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는, 프로세서(120), 그립 센서(310), 메모리(130), 온도 센서(320), 통신 프로세서(330), 안테나(340) 또는 통신 버스(a communication bus)(350)와 같은 전자 소자(electronical component)에 의해 서로 전기적으로 및/또는 작동적으로 연결될 수 있다(electronically and/or operably coupled with each other). 일 실시 예에 따르면, 그립 센서(310)는, 컨트롤러(312), 및/또는 제1 커패시터(314)를 포함할 수 있다. 상이한 블록들에 기반하여 도시되었으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 3의 도시된 하드웨어 컴포넌트 중 일부분(예: 프로세서(120), 그립 센서(310), 메모리(130), 및/또는 온도 센서(320)의 적어도 일부분)이 SoC(system on a chip)와 같이 단일 집적 회로(single integrated circuit)에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)에 포함된 하드웨어 컴포넌트의 타입 및/또는 개수는, 도 3에 도시된 바에 제한되지 않는다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 도 3에 도시된 하드웨어 컴포넌트 중 일부만 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는, 통신 프로세서(330), 및 안테나(340)를 생략할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 하나 이상의 인스트럭션들에 기반하여 데이터를 처리하기 위한 하드웨어 컴포넌트를 포함할 수 있다. 데이터를 처리하기 위한 하드웨어 컴포넌트는, 예를 들어, ALU(arithmetic and logic unit), FPU(floating point unit), FPGA(field programmable gate array), AP(application processor), 및/또는 CPU(central processing unit)을 포함할 수 있다. 프로세서(120)의 개수는 하나 이상일 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 듀얼 코어(dual core), 쿼드 코어(quad core) 또는 헥사 코어(hexa core)와 같은 멀티-코어 프로세서의 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는, 싱글 코어(single core)와 같은 단일-코어 프로세서의 구조를 가질 수 있다. 도 2의 프로세서(120)는, 도 1의 프로세서(120)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는, 그립 센서(310)로부터 송신된 신호에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)의 메모리(130)는, 프로세서(120)에 입력 및/또는 출력되는 데이터 및/또는 인스트럭션을 저장하기 위한 하드웨어 컴포넌트를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 예를 들어, RAM(random-access memory)와 같은 휘발성 메모리(volatile memory) 및/또는 ROM(read-only memory)와 같은 비휘발성 메모리(non-volatile memory)를 포함할 수 있다. 휘발성 메모리는, 예를 들어, DRAM(dynamic RAM), SRAM(static RAM), Cache RAM, PSRAM(pseudo SRAM) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 비휘발성 메모리는, 예를 들어, PROM(programmable ROM), EPROM(erasable PROM), EEPROM(electrically erasable PROM), 플래시 메모리, 하드 디스크, 컴팩트 디스크, eMMC(embedded multi media card) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도 3의 메모리(130)는, 도 1의 메모리(130)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리(130)는, 제1 커패시터(314)의 커패시턴스를 저장할 수 있다.

메모리(130) 내에서, 프로세서(120)가 데이터에 수행할 연산, 및/또는 동작을 나타내는 하나 이상의 인스트럭션들이 저장될 수 있다. 하나 이상의 인스트럭션들의 집합은, 펌 웨어, 운영 체제, 프로세서, 루틴, 서브-루틴 및/또는 어플리케이션으로 참조될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101), 및/또는 프로세서(120)는, 운영체제, 펌웨어, 드라이버, 및/또는 어플리케이션 형태로 배포된 복수의 인스트럭션의 집합(set of a plurality of instructions)이 실행될 때에, 도 5, 도 6, 또는 도 8의 동작들 중 적어도 하나를 수행할 수 있다. 이하에서, 어플리케이션이 전자 장치(101)에 설치되었다는 것은, 어플리케이션의 형태로 제공된 하나 이상의 인스트럭션들이 전자 장치(101)의 메모리(130) 내에 저장된 것으로써, 상기 하나 이상의 어플리케이션들이 전자 장치(101)의 프로세서(120)에 의해 실행 가능한(executable) 포맷(예: 전자 장치(101)의 운영 체제에 의해 지정된 확장자를 가지는 파일)으로 저장된 것을 의미할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)의 그립 센서(310)는, 전자 장치(101)의 하우징 상의 그립(grip on a housing)을 탐지할 수 있다. 상기 하우징 상의 그립은, 신체 부위(예: 사용자의 손)의 움직임(예: 전자 장치(101)를 움켜쥐는 제스쳐)에 의하여 발생될 수 있다. 그립 센서(310)는, 하우징의 적어도 일부분(예: 하우징의 일면) 상에 형성된 전계(예: 도 2의 전계(210)), 및/또는 커패시턴스의 변화를 이용하여, 상기 그립을 탐지할 수 있다. 그립 센서(310)에 포함된 제1 커패시터(314)는, 전계(210)를 형성할 수 있다. 그립 센서(310)의 제1 커패시터(314)는, 전계(210)를 형성할 수 있다. 상기 전계(210), 및/또는 상기 커패시턴스는, 전자 장치(101)에 인접한 상기 신체 부위의 움직임에 의하여 변경될 수 있다. 그립 센서(310)로부터 획득된 상기 전계(210), 및/또는 상기 커패시턴스를 나타내는 전기 신호에 기반하여, 프로세서(120), 통신 프로세서(330) 및/또는 그립 센서(310)에 포함된 컨트롤러(312)는, 상기 그립을 식별할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는, 그립 센서(310)에 의하여 탐지되는 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 식별할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는, 그립 센서(310)에 의해 탐지되는 그립 센서(310)에 포함된 제1 커패시터(314)의 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 식별할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120), 통신 프로세서(330), 및/또는 컨트롤러(312)는, 상기 전기 신호에 의해 나타나는 상기 전계(210), 및/또는 상기 커패시턴스에 기반하여, 상기 그립을 식별할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)가 그립 센서(310)와 상이한 센서(예: 온도 센서(320))의 센서 데이터에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지하는 동작은 후술된다.

일 실시 예에 따르면, 통신 프로세서(330)는, 도 1의 통신 모듈(190)의 적어도 일부에 상응할 수 있다. 예를 들어, 통신 프로세서(330)는, 다양한 RAT(radio access technology)을 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 통신 프로세서(330)는, 블루투스(bluetooth) 통신 또는 무선 랜(wireless local area network, WLAN) 통신을 수행하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 통신 프로세서(330)는, 셀룰러 통신을 수행하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는, 통신 프로세서(330)를 통해 외부 전자 장치와 연결을 수립할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는, 통신 프로세서(330)를 통해, 서버와 연결을 수립할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 안테나(340)는, 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나(340)는, 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나(340)는, 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 도 3의 안테나(340)는, 도 1의 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는, 전자 장치(101) 상의 그립을 식별할 수 있다. 프로세서(120)는, 전자 장치(101) 상의 그립이 탐지되는 것에 기반하여, 통신 프로세서(330)를 통해 외부에 방사하는 무선 신호의 세기를 조절할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는, 메모리(130) 내에 저장된 커패시턴스 및 그립 센서(310)에 포함된 지정된 노드에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 전자 장치(101)는, 상기 커패시턴스 및 상기 지정된 노드에 기반하여 탐지된 전자 장치(101) 상의 그립에 기반하여, 통신 프로세서(330)를 통해 외부에 방사하는 무선 신호의 세기를 줄일 수 있다. 전자 장치(101)는, 그립이 탐지된 것에 기반하여, 상기 무선 신호의 세기를 줄임으로써, SAR을 만족하는 효과를 제공할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(101)는, 메모리(130) 내에 저장된 커패시턴스를 이용하지 않고, 전자 장치(101)의 그립을 탐지하는 경우, 그립 센서(310)의 리셋의 수행(예: 전자 장치(101)의 부팅)에 응답하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 부정확하게 탐지할 수 있다. 상술한 바에 따른, 전자 장치(101)는, 전자 장치에 발생된 지정된 이벤트에 의해 그립 센서(310)의 리셋이 수행된 경우에도, 메모리(130) 내에 저장된 커패시턴스 및 그립 센서(310)에 포함된 지정된 노드의 전압에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지함으로써, 그립 센서(310)의 리셋이 수행에 응답하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지할 수 있다.

도 4는, 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 그립 센서에 포함된 회로의 적어도 일부를 도시한다. 도 4의 전자 장치는, 도 1내지 도 3의 전자 장치(101)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4의 프로세서(120)는, 도 1의 프로세서(120) 내지 도 3의 프로세서(120)를 포함할 수 있다. 도 4의 그립 센서(310)는, 도 3의 그립 센서(310)를 포함할 수 있다. 도 4의 컨트롤러(312)는, 도 3의 컨트롤러(312)를 포함할 수 있다. 도 4를 참조하면, 일 실시 예에 따르면, 그립 센서(310)는, 증폭기(420), 제1 커패시터(314), 제2 커패시터(403), 제3 커패시터(405) 및/또는 적분 회로(411)를 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 그립 센서(310)는, 접지된 비반전 입력(420-2), 제1 커패시터(314)의 일 단(401-1)과 연결된 반전 입력(420-1), 및 지정된 노드(409)에 연결된 출력 노드(420-3)를 포함하는 증폭기(420)를 포함할 수 있다. 증폭기(420)의 비반전 입력(420-2)은, 접지될 수 있다. 증폭기(420)의 출력 노드(420-3)는 지정된 노드(409)에 연결될 수 있다.

제1 커패시터(314)의 일 단(401-1)은, 증폭기(420)의 반전 입력(420-1)에 연결될 수 있다. 제1 커패시터(314)의 일 단(401-2)은, 컨트롤러(312)에 연결될 수 있다. 컨트롤러(312)는, 제1 커패시터(314)를 충전할 수 있다.

제2 커패시터(403)의 일 단(403-1)은, 증폭기(420)의 반전 입력(420-1)에 연결될 수 있다. 제2 커패시터(403)의 일 단(403-2)은, 증폭기(420)의 출력 노드(420-3) 및/또는 지정된 노드(409)에 연결될 수 있다. 제2 커패시터(403)의 일 단(403-2)은, 적분 회로(411)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 커패시터(403)은, 그립 센서의 민감도를 조절할 수 있다.

제3 커패시터(405)의 일 단(405-1)은, 증폭기(420)의 반전 입력(420-1)에 연결될 수 있다. 제3 커패시터(405)의 일 단(405-1)은, 제1 커패시터(314)의 일 단(401-1) 및/또는 제2 커패시터(403)의 일 단(403-1)에 연결될 수 있다. 커패시터(405)의 일 단(405-2)은 접지될 수 있다. 제3 커패시터(405)의 커패시턴스는, 온도에 따라 변화할 수 있다. 제3 커패시터(405)의 커패시턴스는, 습도에 따라 변화할 수 있다. 제3 커패시터(405)의 커패시턴스는, 시간에 따라 동일한 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 커패시터(405)의 커패시턴스는, 온도, 및/또는 습도가 동일한 상태 내에서, 동일한 값을 가질 수 있다. 일 실시 예에 따른, 제3 커패시터(405)의 커패시턴스는, 전자 장치(101)와 실질적으로 동일한 외부 전자 장치의 제3 커패시터의 커패시턴스와 상이할 수 있다.

제4 커패시터(407)는, 제3 커패시터(405)에 의해 형성된 전계(예: 도 2의 전계(210)) 내 외부 객체(예: 사용자의 손가락 등)에 의해 조절되는 커패시턴스를 설명하기 위한, 상기 외부 객체의 등가 회로이다. 제4 커패시터(407)는, 증폭기(420)의 반전 입력(420-1)에 연결된 일 단, 및 접지된 타 단(407-2)를 포함할 수 있다. 제4 커패시터(407)의 커패시턴스는, 외부 객체에 의해 발생할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는, 외부 객체에 기반하여 발생한 상기 제4 커패시터(407)의 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지할 수 있다.

지정된 노드(409)는, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지하기 위한 전압의 출력을 위한 노드를 포함할 수 있다. 지정된 노드(409)는, 증폭기(420)의 출력 노드(420-3)와 연결될 수 있다. 지정된 노드(409)는, 적분 회로(411)에 연결될 수 있다. 지정된 노드(409)는, 디지털 신호 발생기를 포함하는 적분 회로(411)에 연결될 수 있다. 지정된 노드(409)는, 출력 노드(420-3)에 연결될 수 있다.

지정된 노드(409)의 전압은, 제3 커패시터(405)의 커패시턴스 및/또는 제4 커패시터(407)의 커패시턴스의 변화에 기반하여, 변경될 수 있다. 전자 장치는, 제3 커패시터(405)의 커패시턴스, 제4 커패시터(407)의 커패시턴스 및/또는 제2 커패시터(403)의 커패시턴스에 기반하여 지정된 노드(409)에 출력되는 전압을 식별할 수 있다. 전자 장치는, 출력된 상기 전압에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 지정된 노드(409)의 전압이 미리 지정된 전압으로 유지하는 것에 기반하여, 상기 지정된 노드(409)의 전압 및 제1 커패시터(314)의 커패시턴스를 저장할 수 있다. 전자 장치는, 외부 객체에 의해 야기된 제4 커패시터(407)의 커패시턴스에 기반하여 변화된 지정된 노드(409)의 전압이, 지정된 범위 이상으로 식별되는 것에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

적분 회로(411)는, 출력 노드(420-3) 및/또는 지정된 노드(409)에 연결될 수 있다. 적분 회로(411)는, 프로세서(120)에 연결될 수 있다. 적분 회로(411)는, 컨트롤러(312)에 연결될 수 있다. 적분 회로(411)는, 디지털 신호 발생기(digital signal generator)를 포함할 수 있다. 적분 회로(411)는, 증폭기(420)로부터 송신된 전기 신호를, 디지털 신호로 변환하여 출력할 수 있다. 적분 회로(411)는, 출력된 디지털 신호를, 프로세서(120) 및/또는 컨트롤러(312)에 송신할 수 있다. 적분 회로(411)는, 지정된 노드의 전압에 기반하여, 디지털 값을 획득할 수 있다. 상기 디지털 값은, 지정된 노드의 전압의 조절에 기반하여 변경될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 상기 디지털 값이 0으로 식별되는 것에 기반하여, 전자 장치 상의 그립의 릴리즈를 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 상기 디지털 값이 양수로 식별되는 것에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 상기 디지털 값이 음수로 식별되는 것에 기반하여, 그립 센서의 리셋을 수행하기 위한 신호를, 그립 센서에게 송신할 수 있다. 일 예로, 프로세서는, 상기 디지털 값이 음수로 식별됨에 기반하여, 그립 센서의 컨트롤러에게, 그립 센서의 리셋을 수행하기 위한 신호를 송신할 수 있다. 전자 장치는, 그립 센서의 리셋을 수행하는 것에 기반하여, 제1 커패시터(314)의 커패시턴스를, 제3 커패시터(405) 및 제4 커패시터(407)의 합성 커패시턴스에 일치하게 조절할 수 있다. 합성 커패시턴스는, 제3 커패시터(405)의 커패시턴스, 및 제4 커패시터(407)의 커패시턴스의 합일 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제3 커패시터(405), 및 제4 커패시터(407)의 합성 커패시턴스가 제1 커패시터(314)의 커패시턴스를 초과하는 경우, 제1 커패시터(314)로부터 제2 커패시터(403) 방향으로 전류가 흐를 수 있다. 예를 들어, 상기 전류는, 제1 방향(450)으로 제1 커패시터(314)로부터 제2 커패시터(403)를 통해, 지정된 노드(409)로 흐를 수 있다. 상기 전류가 제1 방향(450)으로 흐르는 경우, 상기 전류는 제1 커패시터(314)의 방전을 야기할 수 있다. 상기 전류는, 지정된 노드(409)의 전압의 증가를 야기할 수 있다. 전자 장치는, 상기 전압이 증가된 것에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 식별할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 합성 커패시턴스가 제1 커패시터(314)의 커패시턴스보다 미만인 경우, 제2 커패시터(403)로부터 제1 커패시터(314) 방향으로 전류가 흐를 수 있다. 예를 들어, 상기 전류는, 제2 방향(460)으로 지정된 노드(409)로부터 제2 커패시터(403)를 통해 제1 커패시터(314)로 흐를 수 있다. 상기 전류가 제2 방향(460)으로 흐르는 경우, 상기 전류는, 제1 커패시터(314)의 충전을 야기할 수 있다. 상기 전류는, 지정된 노드(409)의 전압의 감소를 야기할 수 있다. 전자 장치는, 상기 전압이 감소된 것에 기반하여, 그립 센서(310)의 리셋을 수행하기 위한 신호를 송신할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 합성 커패시턴스가 제1 커패시터(314)의 커패시턴스와 일치하는 경우, 지정된 노드(409)에 전류가 흐르지 않는 상태를 유지할 수 있다. 상기 상태에 기반하여, 지정된 노드(409)의 전압은 일정한 전압을 유지할 수 있다. 전자 장치는, 상기 일정한 전압이 유지되는 상태에 기반하여, 전자 장치 상의 그립이 릴리즈되었음을 식별할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 그립 센서(310) 내 제1 커패시터(314)의 커패시턴스를, 메모리 및/또는 레지스터 내에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절할 수 있다. 전자 장치는, 그립 센서의 리셋이 수행되는 동안, 상기 제1 커패시턴스로 조절된 제1 커패시터(314)의 커패시턴스 및 지정된 노드(409)의 전압(또는 전압의 변화)에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

도 5는, 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 동작에 관한 흐름도를 도시한다. 도 5의 전자 장치는, 도 1의 전자 장치(101) 내지 도 3의 전자 장치(101)를 포함할 수 있다. 도 5의 프로세서는, 도 1의 프로세서(120), 도 3의 프로세서(120) 내지 도 4의 프로세서(120)를 포함할 수 있다. 도 5의 그립 센서는, 도 3의 그립 센서(310) 내지 도 4의 그립 센서(310)를 포함할 수 있다. 도 5의 컨트롤러는, 도 3의 컨트롤러(312) 내지 도 4의 컨트롤러(312)를 포함할 수 있다. 도 5의 제1 커패시터는, 도 3의 제1 커패시터(314) 내지 도 4의 제1 커패시터(314)를 포함할 수 있다. 도 5의 동작들은, 도 3의 전자 장치(101)(예: 프로세서(120), 또는 그립 센서(310)의 컨트롤러(312) 중 적어도 하나)에 의해 수행될 수 있다.

도 5를 참조하면, 동작 501에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(310)) 내 제1 커패시터(예: 도 3의 제1 커패시터(314))를 제1 커패시턴스에 기반하여 조절할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 그립 센서로부터 출력되는 전압을 변경하기 위한, 그립 센서 내 제1 커패시터의 커패시턴스를, 전자 장치에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절할 수 있다. 상기 제1 커패시턴스는, 전자 장치의 메모리(예: 도 3의 메모리(130)), 및/또는 레지스터(예: 도 3의 컨트롤러(312) 내 레지스터) 내에 저장될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 프로세서는, 그립 센서의 컨트롤러를 제어하여, 그립 센서 내 제1 커패시터의 커패시턴스를 조절할 수 있다. 그립 센서의 컨트롤러는, 프로세서로부터, 그립 센서 내 제1 커패시터의 커패시턴스를 조절하기 위한 신호를 수신할 수 있다. 그립 센서의 컨트롤러는, 상기 신호의 수신에 기반하여, 제1 커패시터의 커패시턴스를 조절할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스를 조절하는 동안, 지정된 노드의 전압을 식별할 수 있다. 전자 장치는, 상기 지정된 노드의 전압이 지정된 시간동안 유지되는 때에, 제1 커패시터의 커패시턴스, 지정된 노드의 전압, 및/또는 적분 회로를 통해 송신된 디지털 값을 저장할 수 있다.

동작 503에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 조절된 이후, 전압을 이용하여 그립을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스를, 제1 커패시턴스에서 제2 커패시턴스로 조절할 수 있다. 제2 커패시턴스는, 제1 커패시터(예: 도 4의 제1 커패시터(314))의 커패시턴스를 포함할 수 있다. 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 이후, 제1 커패시터에 의해 변경된 전압을 이용할 수 있다. 전자 장치는, 제1 커패시터에 의해 변경된 상기 전압에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

동작 505에서, 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소되었는지 여부를 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 제1 커패시턴스 및/또는 제3 커패시턴스를 메모리에 저장할 수 있다. 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소되었는지 여부를 식별할 수 있다.

제1 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소된 경우(505-예), 동작 507에서, 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소된 때에, 전자 장치의 메모리 및/또는 레지스터(예: 도 3의 컨트롤러(312) 내 레지스터) 내에 저장된 제1 커패시턴스를, 제3 커패시턴스로 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 제1 커패시터의 방전에 기반하여, 제1 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소된 것을 식별할 수 있다. 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 제3 커패시턴스로 감소된 것에 기반하여, 제1 커패시턴스를 제3 커패시턴스로 조절할 수 있다. 전자 장치는, 조절된 제3 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

제1 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소되지 않은 경우(505-아니오), 동작 509에서, 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수가 지정된 횟수인지 여부를 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 커패시터의 충전 및 방전에 기반하여 제1 커패시터의 커패시턴스가 변화하는 동안, 상기 제1 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수가 지정된 횟수와 일치하는 것을 식별할 수 있다.

제1 커패시터의 커패시턴스가 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수가 지정된 횟수 미만인 경우(509-아니오), 동작 511에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스를 유지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수가 지정된 횟수 미만임에 기반하여, 메모리 및/또는 레지스터 내에 저장된 제1 커패시턴스를 유지할 수 있다.

제1 커패시터의 커패시턴스가 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수가 지정된 횟수 이상인 경우(509-예), 동작 513에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 전자 장치의 메모리(예: 도 3의 메모리(130)) 및/또는 레지스터(예: 도 3의 컨트롤러(312) 내 레지스터) 내에 저장된 제1 커패시턴스를, 제2 커패시턴스로 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수가 지정된 횟수에 일치하는 것에 기반하여, 메모리 및/또는 레지스터 내에 저장된 제1 커패시턴스를, 제2 커패시턴스로 조절할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 제1 커패시터의 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 응답하여, 메모리 및/또는 레지스터 내에 저장된 제1 커패시턴스, 및 그립 센서로부터 출력되는 전압에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 지정된 이벤트의 발생을 식별할 수 있다. 일 예로, 지정된 이벤트는, 전자 장치의 포트(예: 도 2의 포트(220))에 의한 외부 장치와의 연결이 수립되는 것을 포함할 수 있다. 일 예로, 지정된 이벤트는, 전자 장치의 버튼(예: 도 2의 버튼(230))에 대한 지정된 시간을 초과하는 입력에 기반하여, 전자 장치가 부팅하는 것을 포함할 수 있다. 전자 장치는, 전자 장치의 부팅에 기반하여, 제1 커패시턴스를 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 식별할 수 있다. 일 예로, 지정된 이벤트는, 전자 장치에 홀 센서를 포함하는 외부 객체(예: 도 2의 외부 객체(240))의 접촉을 식별하는 것을 포함할 수 있다. 일 예로, 전자 장치는, 전자 장치의 포트에 의한 연결의 수립에 기반하여, 제2 커패시턴스로 제1 커패시터의 커패시턴스가 조절된 동안, 메모리 및/또는 레지스터 내에 저장된 제1 커패시턴스, 및 그립 센서로부터 출력되는 전압에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

도 6은, 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 동작에 관한 흐름도를 도시한다. 도 6의 전자 장치는, 도 1의 전자 장치(101) 내지 도 3의 전자 장치(101)를 포함할 수 있다. 도 6의 프로세서는, 도 1의 프로세서(120), 도 3의 프로세서(120) 내지 도 4의 프로세서(120)를 포함할 수 있다. 도 6의 그립 센서는, 도 3의 그립 센서(310) 내지 도 4의 그립 센서(310)를 포함할 수 있다. 도 6의 컨트롤러는, 도 3의 컨트롤러(312) 내지 도 4의 컨트롤러(312)를 포함할 수 있다. 도 6의 제1 커패시터는, 도 3의 제1 커패시터(314) 내지 도 4의 제1 커패시터(314)를 포함할 수 있다. 도 6의 동작들은, 도 3의 전자 장치(101)(예: 프로세서(120), 또는 그립 센서(310)의 컨트롤러(312) 중 적어도 하나)에 의해 수행될 수 있다.

도 6을 참조하면, 동작 601에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 그립 센서로부터 출력되는 전압을 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 지정된 노드(예: 도 4의 지정된 노드(409))의 전압을 식별할 수 있다. 전자 장치는, 제1 커패시터(예: 도4의 제1 커패시터(314))의 충전 및/또는 상기 제1 커패시터의 방전에 기반하여 변경되는 지정된 노드의 전압을 식별할 수 있다.

동작 603에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 식별된 전압이, 그립 센서 내 제1 커패시터에 의해 조절된 지정된 전압을 초과하는지 여부를 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 제1 커패시터의 충전 및/또는 제1 커패시터의 방전에 기반하여 변화된 지정된 노드의 전압이 지정된 전압을 초과하는지 여부를 식별할 수 있다.

식별된 전압이 그립 센서 내 제1 커패시터에 의해 조절된 지정된 전압을 초과하는 경우(603-예), 동작 605에서, 전자 장치는, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 제1 커패시터의 충전 및/또는 제1 커패시터의 방전에 기반하여 획득된, 지정된 노드의 전압이 지정된 전압을 초과하는 것에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

식별된 전압이 그립 센서 내 제1 커패시터에 의해 조절된 지정된 전압을 초과하지 않는 경우(603-아니오), 동작 607에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 식별된 전압이, 지정된 전압 미만으로 감소하는지 여부를 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 제1 커패시터의 충전 및/또는 커패시터의 방전에 기반하여 지정된 노드의 전압이 변경되는 동안, 지정된 노드의 전압을 식별할 수 있다.

식별된 전압이 지정된 전압 미만으로 감소하지 않는 경우(607-아니오), 동작 609에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 전자 장치 상의 그립의 해제를 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 지정된 노드의 전압에 기반하여, 전자 장치 상의 그립의 해제를 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 제1 커패시터의 충전 및/또는 제1 커패시터의 방전에 기반하여 획득된 지정된 노드의 전압이 지정된 전압에 일치하는 경우, 전자 장치 상의 그립의 해제를 탐지할 수 있다. 전자 장치는, 지정된 노드의 전압이 지정된 전압으로 줄어듦을 식별하는 것에 기반하여, 전자 장치 상의 그립의 릴리즈를 탐지할 수 있다.

식별된 전압이 지정된 전압 미만으로 감소한 경우(607-예), 동작 611에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 그립 센서 내 제1 커패시터의 커패시턴스를 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 지정된 노드의 전압이 지정된 전압 미만으로 식별되는 것에 기반하여, 그립 센서 내 제1 커패시터의 커패시턴스를 변경할 수 있다. 예를 들어, 프로세서는, 식별된 전압이 지정된 전압 미만으로 식별됨에 기반하여, 그립 센서의 컨트롤러로, 그립 센서의 리셋을 수행하기 위한 신호를 송신할 수 있다. 전자 장치는, 그립 센서의 리셋에 응답하여, 메모리 및/또는 레지스터에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여, 제1 커패시터의 커패시턴스를 제1 커패시턴스에 기반하여 조절할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 그립 센서의 리셋에 응답하여, 제1 커패시턴스로 조절된 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

도 7은, 일 실시 예에 따른, 제1 커패시터의 커패시턴스, 메모리 또는 컨트롤러 내에 저장된 커패시턴스에 의해 나타나는 범위를 도시한다. 도 7의 전자 장치는, 도 1의 전자 장치(101) 내지 도 3의 전자 장치(101)를 포함할 수 있다. 도 7의 프로세서는, 도 1의 프로세서(120), 도 3의 프로세서(120) 내지 도 4의 프로세서(120)를 포함할 수 있다. 도 7의 그립 센서는, 도 3의 그립 센서(310) 내지 도 4의 그립 센서(310)를 포함할 수 있다. 도 7의 컨트롤러는, 도 3의 컨트롤러(312) 내지 도 4의 컨트롤러(312)를 포함할 수 있다. 도 7의 증폭기는, 도 4의 증폭기(420)를 포함할 수 있다. 도 7의 지정된 노드는, 도 4의 지정된 노드(409)를 포함할 수 있다. 도 7의 동작들은, 도 3의 전자 장치(101)(예: 프로세서(120), 또는 그립 센서(310)의 컨트롤러(312) 중 적어도 하나)에 의해 수행될 수 있다. 도 7의 제1 커패시터는, 도 3의 제1 커패시터(314) 내지 도 4의 제1 커패시터(314)를 포함할 수 있다. 도 7의 제2 커패시터는, 도 4의 제3 커패시터(405)를 포함할 수 있다. 도 7의 제3 커패시터는, 도 4의 제4 커패시터(407)를 포함할 수 있다. 도 7은, 제2 커패시터의 커패시턴스 및 제3 커패시터의 커패시턴스에 기반하여 획득된 합성 커패시턴스(710)를 도시한다. 도 7은, 메모리 또는 컨트롤러 중 하나 내에 저장된 커패시턴스(730)를 도시한다. 도 7은, 메모리에 저장된 커패시턴스(730)에 의해 나타나는 범위(750)를 도시한다. 예를 들어, 커패시턴스(730)는, 100[pF] 내지 160[pF] 내에서 조절될 수 있다. 예를 들어, 커패시턴스(730)는, 후술되는 표 2의 제1 커패시턴스에 관련될 수 있다. 커패시턴스(730)는, 온도에 따라 변화할 수 있다.

도 7을 참조하면, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 제2 커패시터의 커패시턴스 및 제3 커패시터의 커패시턴스에 기반하여, 합성 커패시턴스(710)를 획득할 수 있다. 전자 장치는, 합성 커패시턴스(710)에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스를, 이벤트가 발생한 경우의 커패시턴스들(720)로 조절할 수 있다. 예를 들어, 커패시턴스들(720)은, 그립 센서가 리셋되는 시점에, 전자 장치에 의하여 조절될 수 있다. 예를 들어, 커패시턴스(720-1)는, 전자 장치에 포함된 버튼(예: 도 2의 버튼(230))에 대한 지정된 시간을 초과하는 입력에 기반하여, 전자 장치의 부팅에 응답하여 식별된 커패시턴스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 커패시턴스(720-2)는, 전자 장치에 포함된 포트(예: 도 2의 포트(220))에 대한 외부 장치의 연결이 수립되는 때에 식별된 커패시턴스를 포함할 수 있다. 전자 장치는, 전자 장치의 포트에 의한 연결의 수립의 해제에 기반하여, 메모리 및/또는 레지스터(예: 도 3의 컨트롤러(312) 내 레지스터) 내에 저장된 제1 커패시턴스 및/또는 제3 커패시턴스를 유지할 수 있다. 예를 들어, 커패시턴스(720-3)는, 전자 장치(101)의 재부팅된 상태에서 획득된 제1 커패시터의 커패시턴스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 커패시턴스(720-4)는, 전자 장치에 홀 센서가 포함된 외부 객체(예: 도 2의 외부 객체(240))의 접촉이 식별되는 때에 식별된 커패시턴스를 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 지정된 횟수만큼 일치된 극소값들(local minimum value)을 가지는 경우, 제1 커패시터의 커패시턴스를 식별된 극소값들에 일치하게 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 지정된 횟수의 일치된 극소값들(710-a)을 가지는 경우, 제1 커패시터의 커패시턴스를 극소값들(710-a)에 매칭되는 커패시턴스로 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 제1 커패시터의 커패시턴스가 일치된 극소값들(710-a)과 상이한 극소값들(710-c)을 가지는 경우, 극소값들(710-a)에 매칭되는 커패시턴스로 조절된 제1 커패시터의 커패시턴스를 극소값들(710-c)에 매칭되는 커패시턴스로 변경할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 합성 커패시턴스(710)가 제1 커패시터의 커패시턴스보다 작게 식별된 때에, 커패시턴스(730)를 제1 커패시터의 커패시턴스에 일치하게 조절할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 극소값들(710-a)에 매칭되는 제1 커패시터의 커패시턴스가 극소값들(710-a)에 매칭되는 커패시턴스보다 낮은 커패시턴스(710-b)로 식별된 때에, 메모리/및또는 레지스터 내에 저장된 커패시턴스(730)를 커패시턴스(710-b)에 일치하게 조절할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 커패시턴스(730) 및 그립 센서 (310)로부터 출력되는 전압에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지할 수 있다. 전자 장치는, 커패시턴스(730) 및 지정된 노드의 전압에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 전자 장치는, 커패시턴스(730) 및 적분 회로로부터 송신된 신호에 기반하여, 전자 장치(101) 상의 그립을 탐지할 수 있다. 전자 장치는, 커패시턴스(730) 및 적분 회로에 포함된 디지털 신호 발생기로부터 송신된 신호에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

상기 표 1은, 제2 커패시터의 커패시턴스 및 제3 커패시터의 커패시턴스에 기반하여, 획득된 합성 커패시턴스(710)를 포함할 수 있다. 상기 표 1의 n은, 도 7에 도시된 그래프에 표시된 값들에 매칭될 수 있다. 상기 표 1의 n = 1 내지 n = 13 인 경우는, 그립 센서(310)가 리셋을 수행하는 상황을 포함할 수 있다. 상기 표 1의 Cap 값은, 제1 커패시터의 커패시턴스를 포함할 수 있다. 상기 표 1의 Cap 값은, 그립 센서가 리셋된 때에, 제1 커패시터의 커패시턴스를 포함할 수 있다. 상기 표 1의 n은, 제1 커패시터의 커패시턴스를 조절하기 위한 지정됫 횟수와 관련될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 그립 센서의 리셋을 수행할 수 있다. 전자 장치는, 그립 센서의 리셋에 기반하여 커패시턴스를 획득할 수 있다. 전자 장치는, 상기 획득된 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치는, 상기 표 1의 n = 2/3/4 인 경우와 같이, 연속하여 동일한 Cap 값을 식별하는 때에, 메모리 및/또는 레지스터 내에 저장된 커패시턴스(730)를 유지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 그립 센서의 리셋에 기반하여, Cap 값을 식별할 수 있다. 전자 장치는, 지정된 시간 내에서 동일한 Cap 값을 연속으로 식별하는 것에 기반하여, 지정된 횟수 중 1회의 횟수로 식별할 수 있다. 상기 지정된 시간은, 극소값들(710-c)에 매칭되는 커패시턴스들이 식별되는 시간에 비해 상대적으로 짧은 시간일 수 있다.

예를 들어, 상기 표 1의 n = 2/3/4 인 경우는, 전자 장치가 반복된 Cap 값을 획득하는 경우를 포함할 수 있다. 예를 들어, 반복된 Cap 값을 획득하는 경우는, 전자 장치가 테이블 위에 고정된 상태 내에서, 전자 장치의 사용자에 의해 디스플레이를 반복하여 터치하는 상황을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 표 1의 n = 2/3/4 인 경우는, 전자 장치가 Cap 값을 식별하는 때에, 1회의 횟수로 식별될 수 있다. 상기 횟수는, 지정된 횟수에 포함될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 상기 표 1의 n =2/3/4 인 경우, n = 6 인 경우, 및 n = 8 인 경우와 같이 동일한 Cap 값을 지정된 횟수 이상 식별하는 때에, 커패시턴스(730)를, 상기 Cap 값에 일치하게 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 커패시턴스(730)를 100[pF]으로 조절된 상태 내에서, 지정된 횟수만큼 동일한 Cap 값(예: n = 2/3/4, n = 6, 및 n = 8 인 경우의 125.6[pF])을 식별한 것에 기반하여, 125.6[pF]으로 커패시턴스(730)를 조절할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 메모리 및/또는 레지스터 내에 저장된 커패시턴스(730)보다 미만으로 커패시터의 커패시턴스를 식별한 때에, 저장된 커패시턴스(730)를, 식별된 커패시턴스로 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 상기 표 1의 n = 8 인 경우의 Cap 값인 125.6[pF]보다 미만으로 식별된 상기 표 1의 n = 9 인 경우의 Cap 값인 112.5[pF]를 식별하는 것에 기반하여, 커패시턴스(730)를 상기 표 1의 n = 9 인 경우에 식별된 Cap 값에 일치하게 변경할 수 있다. 일 실시 예에 따른, 전자 장치는, n = 11 인 경우 내지 n = 13 인 경우와 같이, 지정된 횟수(예: 3회) 이상 일치된 Cap 값을 식별하는 것에 기반하여, 커패시턴스(730)를, 상기 Cap 값에 일치하게 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 커패시턴스(730)가 125.6[pF]로 조절된 상태 내에서, 합성 커패시턴스(710)가 130[pF]으로 지정된 횟수(예: 3회)만큼 식별된 것에 기반하여, 커패시턴스(730)를 130[pF]으로 변경할 수 있다.

상기 표 2는, 메모리 및/또는 레지스터 내에 상이한 온도들에 매핑된 파라미터들에 대한 예시이다. 상기 표 2에 표시된 상이한 온도들에 매핑된 파라미터들은, 예시이며, 상술된 예에 한정되지 않는다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 그립 센서의 온도를 측정하기 위한 온도 센서(예: 도 3의 온도 센서(320))를 포함할 수 있다. 전자 장치는, 온도 센서를 통해, 그립 센서의 온도를 획득할 수 있다. 전자 장치는, 메모리 및/또는 레지스터 내에, 상이한 온도들에 매핑된 파라미터들을 저장할 수 있다. 전자 장치는, 메모리 및/또는 레지스터 내에 저장되고, 상이한 온도들에 매핑된 파라미터들 중에서, 상기 획득된 온도에 매칭되는 파라미터에 기반하여 제1 커패시턴스를 식별할 수 있다. 전자 장치는, 커패시터의 커패시턴스가 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소됨을 식별할 수 있다. 전자 장치는, 커패시터의 커패시턴스가 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 제1 커패시턴스를, 상기 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 매칭되는 파라미터로 변경할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치는, 그립 센서의 온도를 10℃로 식별한 때에, 제1 커패시터의 커패시턴스를, 10℃에 매칭되는 Cap 값인 100[pF]으로 조절할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 그립 센서의 온도를 15℃로 식별한 때에, 10℃에 매칭되는 Cap 값과 20℃에 매칭되는 Cap 값의 중간 값인 102.5[pF]으로 제1 커패시터의 커패시턴스를 조절할 수 있다. 전자 장치는, 상기 조절된 커패시턴스에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

도 8은, 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 동작에 관한 흐름도를 도시한다. 도 8의 전자 장치는, 도 1의 전자 장치(101) 내지 도 3의 전자 장치(101)를 포함할 수 있다. 도 8의 프로세서는, 도 1의 프로세서(120), 도 3의 프로세서(120) 및/또는 도 4의 프로세서(120)를 포함할 수 있다. 도 8의 그립 센서는, 도 3의 그립 센서(310) 내지 도 4의 그립 센서(310)를 포함할 수 있다. 도 8의 컨트롤러는, 도 3의 컨트롤러(312) 내지 도 4의 컨트롤러(312)를 포함할 수 있다. 도 8의 커패시터는, 도 3의 커패시터(314) 내지 도 4의 커패시터(314)를 포함할 수 있다. 도 8의 증폭기는, 도 4의 증폭기(420)를 포함할 수 있다. 도 8의 지정된 노드는, 도 4의 지정된 노드(409)를 포함할 수 있다. 도 8의 동작들은, 도 3의 전자 장치(101)(예: 프로세서(120), 또는 그립 센서(310)의 컨트롤러(312) 중 적어도 하나)에 의해 수행될 수 있다. 도 8의 전자 장치(101)는, 도 3의 전자 장치(101) 내지 도 4의 전자 장치(101)를 포함할 수 있다. 도 8의 제1 커패시턴스에 의해 나타나는 범위는, 도 7의 메모리에 저장된 커패시턴스(730)에 의해 나타나는 범위(750)를 포함할 수 있다.

도 8을 참조하면, 동작 801에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 커패시터(예: 도 4의 커패시터(314))의 커패시턴스를, 저장된 제1 커패시턴스에 의해 나타나는 범위(이하, 범위) 내에서 조절할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 범위를 저장할 수 있다. 전자 장치는, 상기 저장된 범위에 기반하여, 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 조절할 수 있다.

동작 803에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 그립 센서로부터 출력되는 전압이 범위 내 제2 커패시턴스에 의하여 지정된 전압(예: 1.5V)을 유지하는지 여부를 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 지정된 노드(예: 도 4의 지정된 노드(409))의 전압이, 지정된 전압을 유지하는지 여부를 식별할 수 있다.

그립 센서로부터 출력되는 전압이 범위 내 제2 커패시턴스에 의하여 지정된 전압을 유지하는 경우(803-예), 동작 805에서, 전자 장치는, 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스와 독립적으로 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 그립 센서로부터 출력되는 전압이 상기 범위 내 제2 커패시턴스에 의하여 지정된 전압을 유지하는지 여부에 기반하여, 메모리 및/또는 레지스터(예: 도 3의 컨트롤러(312) 내 레지스터) 내에 저장된 제1 커패시턴스와 독립적으로 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 지정된 노드의 전압이 상기 지정된 전압을 초과한 것으로 식별되는 때에, 전자 장치 상의 그립을 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 상기 지정된 노드의 전압이 상기 지정된 전압에 일치하게 식별되는 때에, 전자 장치 상의 그립의 릴리즈를 탐지할 수 있다.

그립 센서로부터 출력되는 전압이 범위 내 제2 커패시턴스에 의하여 지정된 전압을 유지하지 않는 경우(803-아니오), 동작 807에서, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스 및 그립 센서로부터 출력되는 전압을 이용하여 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 커패시터의 커패시턴스를 지정된 이벤트의 발생에 기반하여 조절할 수 있다. 전자 장치는 상기 이벤트의 발생에 기반하여 커패시터의 커패시턴스가 조절되는 동안, 제1 커패시턴스 및 그립 센서로부터 출력되는 전압에 기반하여, 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 상기 이벤트는, 도 2에 예시된 이벤트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 이벤트는, 전자 장치의 포트에 의한 외부 객체와의 연결의 수립을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 이벤트는, 전자 장치의 적어도 하나의 프로세서가 부팅되는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 이벤트는, 전자 장치가 전자 장치에 접촉된, 홀 센서를 포함하는 외부 객체를 식별하는 것을 포함할 수 있다.

상술한 바와 같은, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(electronic device)(예: 도 3의 전자 장치(101))는, 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(310)), 인스트럭션들을 저장하기 위한 메모리(예: 도 3의 메모리(130)), 및 상기 그립 센서 및 상기 메모리와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 적어도 하나의 프로세서(예: 도 3의 프로세서(120))를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 그립 센서로부터 출력되는 전압을 변경하기 위한, 상기 그립 센서 내 커패시터(예: 도 4의 제1 커패시터(314))의 커패시턴스를, 상기 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 이후, 상기 커패시터에 의해 변경된 상기 전압을 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제3 커패시턴스로 변경할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제2 커패시턴스로 변경할 수 있다.

예를 들어, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 제2 커패시턴스로 조절된 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 응답하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스, 및 상기 그립 센서로부터 출력되는 상기 전압에 기반하여, 상기 그립을 탐지할 수 있다.

예를 들어, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 지정된 전압을 초과하는 상기 전압의 식별에 기반하여, 상기 그립을 탐지할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 그립을 탐지한 상태 내에서, 상기 전압이 상기 지정된 전압으로 줄어듦을 식별하는 것에 기반하여, 상기 그립의 릴리즈를 탐지할 수 있다.

예를 들어, 상기 지정된 이벤트는, 상기 전자 장치의 포트(예: 도 2의 포트(220))에 의한 연결의 수립, 상기 전자 장치의 부팅, 또는 상기 전자 장치에 접촉된 외부 객체(예: 도 2의 외부 객체(240))의 식별 중 적어도 하나에 기반하여 발생될 수 있다.

예를 들어, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 전자 장치의 포트에 의한 연결의 수립이 해제(disconnected)되는 것에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스 또는 상기 제3 커패시턴스 중 하나를 유지할 수 있다.

예를 들어, 상기 전자 장치는, 상기 그립 센서의 온도를 측정하기 위한 온도 센서(예: 도 3의 온도 센서(320))를 더 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 온도 센서로부터, 상기 그립 센서의 온도를 식별할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 메모리 내에 저장되고, 상이한 온도들에 매핑된 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스를 식별할 수 있다.

예를 들어, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터를, 상기 제3 커패시턴스에 기반하여 변경할 수 있다.

예를 들어, 상기 그립 센서는, 접지된 비반전 입력(예: 도 4의 비반전 입력(420-2), 제1 커패시터인 상기 커패시터의 일 단(예: 도 4의 제1 커패시터(314)의 일 단(401-1))과 연결된 반전 입력(예: 도 4의 반전 입력(420-1)), 및 상기 지정된 노드에 연결된 출력 노드(예: 도 4의 출력 노드(420-3))를 포함하는 증폭기(예: 도 4의 증폭기(420))를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 반전 입력에 연결된 일 단(예: 도 4의 제2 커패시터(403)의 일 단(403-1)), 및 상기 지정된 노드에 연결된 타 단(예: 도 4의 제2 커패시터(403)의 일 단(403-2))을 포함하는 제2 커패시터(예: 도 4의 제2 커패시터(403))를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 반전 입력에 연결된 일 단(예: 도 4의 제3 커패시터(405)의 일 단(405-1)), 접지된 타 단(예: 도 4의 제3 커패시터(405)의 일 단(405-2))을 포함하는 제3 커패시터(예: 도 4의 제4 커패시터(407))를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 지정된 노드에 연결된 일 단, 및 상기 적어도 하나의 프로세서와 연결된 타 단을 포함하는 적분 회로(예: 도 4의 적분 회로(411))를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서는, 상기 제1 커패시터를 충전하기 위한 컨트롤러(예: 도 3의 컨트롤러(312))를 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 지정된 노드는, 상기 전자 장치 상의 상기 그립을 탐지하기 위한 상기 전압의 출력을 위한 노드이고, 상기 적분 회로는, 상기 전압을 나타내는 디지털 값을 출력하는, 디지털 신호 발생기(digital signal generator)를 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 디지털 신호 발생기를 통해 획득된 상기 디지털 신호를 이용하여, 상기 전자 장치 상의 상기 그립을 탐지할 수 있다.

상술한 바와 같은, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(예: 도 3의 전자 장치(101))는, 커패시터(예: 도 3의 커패시터(314)), 및 컨트롤러(예: 도 3의 컨트롤러(312))를 포함하는, 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(310)); 및 상기 그립 센서와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 적어도 하나의 프로세서(예: 도 3의 프로세서(120))를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서의 상기 컨트롤러는, 상기 그립 센서로부터 출력되는 전압을 변경하기 위한, 상기 커패시터의 커패시턴스를, 상기 컨트롤러 내에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절할 수 있다. 상기 컨트롤러는, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 이후, 상기 커패시터에 의해 변경된 상기 전압을 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 상기 컨트롤러는, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 컨트롤러 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제3 커패시턴스로 변경할 수 있다. 상기 컨트롤러는, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수에 기반하여, 상기 컨트롤러 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제2 커패시턴스로 변경할 수 있다.

예를 들어, 상기 컨트롤러는, 상기 제2 커패시턴스로 조절된 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 응답하여, 상기 컨트롤러 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스, 및 상기 그립 센서로부터 출력되는 상기 전압에 기반하여, 상기 그립을 탐지할 수 있다.

예를 들어, 상기 컨트롤러는, 지정된 전압을 초과하는 상기 전압의 식별에 기반하여, 상기 그립을 탐지할 수 있다. 상기 컨트롤러는, 상기 그립을 탐지한 상태 내에서, 상기 전압이 상기 지정된 전압으로 줄어듦을 식별하는 것에 기반하여, 상기 그립의 릴리즈를 탐지할 수 있다.

예를 들어, 상기 지정된 이벤트는, 상기 전자 장치의 포트에 의한 연결의 수립, 상기 전자 장치의 부팅, 또는 상기 전자 장치에 접촉된 외부 객체의 식별 중 적어도 하나에 기반하여 발생될 수 있다.

예를 들어, 상기 컨트롤러는, 상기 전자 장치의 포트에 의한 연결의 수립이 해제되는 것에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스 또는 상기 제3 커패시턴스 중 하나를 유지할 수 있다.

예를 들어, 상기 전자 장치는, 상기 그립 센서의 온도를 측정하기 위한 온도 센서를 더 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 컨트롤러는, 상기 온도 센서로부터, 상기 그립 센서의 온도를 식별할 수 있다. 상기 컨트롤러는, 상기 컨트롤러 내에 저장되고, 상이한 온도들에 매핑된 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스를 식별할 수 있다.

예를 들어, 상기 컨트롤러는, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터를, 상기 제3 커패시턴스에 기반하여 변경할 수 있다.

상술한 바와 같은, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(예: 도 3의 전자 장치(101))의 방법은, 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(310))로부터 출력되는 전압을 변경하기 위한, 상기 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 메모리(예: 도 3의 메모리(130)) 내에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 이후, 상기 커패시터에 의해 변경된 상기 전압을 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제3 커패시턴스로 변경하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제2 커패시턴스로 변경하는 동작을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 제2 커패시턴스로 조절된 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 기반하여 변경되는 동안, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스, 및 상기 그립 센서로부터 출력되는 상기 전압에 기반하여, 상기 그립을 탐지하는 동작을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 전자 장치의 상기 방법은, 지정된 전압을 초과하는 상기 전압의 식별에 기반하여, 상기 그립을 탐지하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 그립을 탐지한 상태 내에서, 상기 전압이 상기 지정된 전압으로 줄어듦을 식별하는 것에 기반하여, 상기 그립의 릴리즈를 탐지하는 동작을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 전자 장치의 상기 방법은, 온도 센서로부터, 상기 그립 센서의 온도를 식별하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 메모리 내에 저장되고, 상이한 온도들에 매핑된 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스를 식별하는 동작을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터를, 상기 제3 커패시턴스에 기반하여 변경하는 동작을 포함할 수 있다.

상술한 바와 같은, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(예: 도 3의 전자 장치(101))는, 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(310)), 인스트럭션들을 저장하기 위한 메모리(예: 도 3의 메모리(130)), 및 상기 그립 센서 및 상기 메모리와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 적어도 하나의 프로세서(예: 도 3의 프로세서(120))를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 상기 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스에 의해 나타나는 범위 내에서 조절할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 그립 센서로부터 출력되는 전압이 상기 범위 내 제2 커패시턴스에 의하여 지정된 전압을 유지하는지 여부에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스와 독립적으로 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 기반하여 조절되는 동안, 상기 제1 커패시턴스, 및 상기 전압에 기반하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

예를 들어, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에, 상기 온도 센서로부터, 상기 그립 센서의 온도를 식별하고, 및 상기 메모리 내에 저장되고, 상이한 온도들에 매핑된 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스를 식별할 수 있다.

상술한 바와 같은, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(예: 도 3의 전자 장치(101))는, 커패시터(예: 도 3의 커패시터(314)), 및 컨트롤러(예: 도 3의 컨트롤러(312))를 포함하는 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(310)) 및 상기 그립 센서와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 적어도 하나의 프로세서(예: 도 3의 프로세서(120))를 포함할 수 있다. 상기 그립 센서의 상기 컨트롤러는, 상기 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 상기 컨트롤러 내에 저장된 제1 커패시턴스에 의해 나타나는 범위 내에서 조절할 수 있다. 상기 컨트롤러는, 상기 그립 센서로부터 출력되는 전압이 상기 범위 내 제2 커패시턴스에 의하여 지정된 전압을 유지하는지 여부에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스와 독립적으로 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다. 상기 컨트롤러는, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 기반하여 조절되는 동안, 상기 제1 커패시턴스, 및 상기 전압에 기반하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지할 수 있다.

예를 들어, 상기 지정된 이벤트는, 상기 전자 장치의 포트(예: 도2의 포트(220))에 의한 연결의 수립, 상기 전자 장치의 부팅, 또는 상기 전자 장치에 접촉된 외부 객체(예: 도 2의 외부 객체(240))의 식별 중 적어도 하나에 기반하여 발생될 수 있다.

예를 들어, 상기 컨트롤러는, 상기 온도 센서로부터, 상기 그립 센서의 온도를 식별하고, 및 상기 컨트롤러 내에 저장되고, 상이한 온도들에 매핑된 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스를 식별할 수 있다.

상술한 바와 같은, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(예: 도 3의 전자 장치(101))의 방법은, 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(310)) 내 커패시터(예: 도 3의 커패시터(314))의 커패시턴스를, 메모리(예: 도 3의 메모리(130)) 내에 저장된 제1 커패시턴스에 의해 나타나는 범위(예: 도 7의 제1 커패시턴스에 의해 나타나는 범위(750)) 내에서 조절하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 그립 센서로부터 출력되는 전압이 상기 범위 내 제2 커패시턴스에 의하여 지정된 전압을 유지하는지 여부에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스와 독립적으로 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 상기 방법은, 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 기반하여 조절되는 동안, 상기 제1 커패시턴스 및 상기 전압에 기반하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지하는 동작을 포함할 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 전자 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일 실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어™)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims

전자 장치(electronic device)에 있어서,
그립 센서;
인스트럭션들을 저장하기 위한 메모리; 및
상기 그립 센서 및 상기 메모리와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 적어도 하나의 프로세서를 포함하고,
상기 적어도 하나의 프로세서 중 하나는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에,
상기 그립 센서로부터 출력되는 전압을 변경하기 위한, 상기 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 상기 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절하고;
상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 이후, 상기 커패시터에 의해 변경된 상기 전압을 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지하고;
상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제3 커패시턴스로 변경하고; 및
상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제2 커패시턴스로 변경하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에,
상기 제2 커패시턴스로 조절된 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 응답하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스, 및 상기 그립 센서로부터 출력되는 상기 전압에 기반하여, 상기 그립을 탐지하는,
전자 장치.
제2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에,
지정된 전압을 초과하는 상기 전압의 식별에 기반하여, 상기 그립을 탐지하고; 및
상기 그립을 탐지한 상태 내에서, 상기 전압이 상기 지정된 전압으로 줄어듦을 식별하는 것에 기반하여, 상기 그립의 릴리즈를 탐지하는,
전자 장치.
제3 항에 있어서,
상기 지정된 이벤트는,
상기 전자 장치의 포트에 의한 연결의 수립, 상기 전자 장치의 부팅, 또는 상기 전자 장치에 접촉된 외부 객체의 식별 중 적어도 하나에 기반하여 발생되는,
전자 장치.
제4 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에,
상기 전자 장치의 포트에 의한 연결의 수립이 해제(disconnected)되는 것에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스 또는 상기 제3 커패시턴스 중 하나를 유지하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 전자 장치는,
상기 그립 센서의 온도를 측정하기 위한 온도 센서를 더 포함하는,
전자 장치.
제6 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에,
상기 온도 센서로부터, 상기 그립 센서의 온도를 식별하고; 및
상기 메모리 내에 저장되고, 상이한 온도들에 매핑된 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스를 식별하는,
전자 장치.
제7 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에,
상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터를, 상기 제3 커패시턴스에 기반하여 변경하는,
전자 장치.
제2 항에 있어서,
상기 그립 센서는,
접지된 비반전 입력, 제1 커패시터인 상기 커패시터의 일 단과 연결된 반전 입력, 및 상기 지정된 노드에 연결된 출력 노드를 포함하는 증폭기;
상기 반전 입력에 연결된 일 단, 및 상기 지정된 노드에 연결된 타 단을 포함하는 제2 커패시터;
상기 반전 입력에 연결된 일 단, 및 접지된 타 단을 포함하는 제3 커패시터;
상기 지정된 노드에 연결된 일 단, 및 상기 적어도 하나의 프로세서와 연결된 타 단을 포함하는 적분 회로; 및
상기 제1 커패시터를 충전하기 위한 컨트롤러를 포함하는,
전자 장치.
제9 항에 있어서,
상기 지정된 노드는, 상기 전자 장치 상의 상기 그립을 탐지하기 위한 상기 전압의 출력을 위한 노드이고,
상기 적분 회로는, 상기 전압을 나타내는 디지털 값을 출력하는, 디지털 신호 발생기(digital signal generator)를 포함하는,
전자 장치.
제10 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 인스트럭션들이 실행될 때에,
상기 디지털 신호 발생기를 통해 획득된 상기 디지털 신호를 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지하는,
전자 장치.
전자 장치에 있어서,
커패시터, 및 컨트롤러를 포함하는, 그립 센서; 및
상기 그립 센서와 작동적으로 결합된(operably coupled to) 적어도 하나의 프로세서를 포함하고,
상기 그립 센서의 상기 컨트롤러는,
상기 그립 센서로부터 출력되는 전압을 변경하기 위한, 상기 커패시터의 커패시턴스를, 상기 컨트롤러 내에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절하고;
상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 이후, 상기 커패시터에 의해 변경된 상기 전압을 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지하고;
상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 컨트롤러 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제3 커패시턴스로 변경하고; 및
상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수에 기반하여, 상기 컨트롤러 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제2 커패시턴스로 변경하는,
전자 장치.
제12 항에 있어서,
상기 컨트롤러는,
상기 제2 커패시턴스로 조절된 상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 지정된 이벤트의 발생에 응답하여, 상기 컨트롤러 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스, 및 상기 그립 센서로부터 출력되는 상기 전압에 기반하여, 상기 그립을 탐지하는,
전자 장치.
제13 항에 있어서,
상기 컨트롤러는,
지정된 전압을 초과하는 상기 전압의 식별에 기반하여, 상기 그립을 탐지하고; 및
상기 그립을 탐지한 상태 내에서, 상기 전압이 상기 지정된 전압으로 줄어듦을 식별하는 것에 기반하여, 상기 그립의 릴리즈를 탐지하는,
전자 장치.
제13 항에 있어서,
상기 지정된 이벤트는,
상기 전자 장치의 포트에 의한 연결의 수립, 상기 전자 장치의 부팅, 또는 상기 전자 장치에 접촉된 외부 객체의 식별 중 적어도 하나에 기반하여 발생되는,
전자 장치.
제15 항에 있어서,
상기 컨트롤러는,
상기 전자 장치의 포트에 의한 연결의 수립이 해제되는 것에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스 또는 상기 제3 커패시턴스 중 하나를 유지하는,
전자 장치.
제12 항에 있어서,
상기 전자 장치는,
상기 그립 센서의 온도를 측정하기 위한 온도 센서를 더 포함하는,
전자 장치.
제17 항에 있어서,
상기 컨트롤러는,
상기 온도 센서로부터, 상기 그립 센서의 온도를 식별하고; 및
상기 컨트롤러 내에 저장되고, 상이한 온도들에 매핑된 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터에 기반하여, 상기 제1 커패시턴스를 식별하는,
전자 장치.
제18 항에 있어서,
상기 컨트롤러는,
상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 파라미터들 중에서, 상기 식별된 온도에 대응하는 파라미터를, 상기 제3 커패시턴스에 기반하여 변경하는,
전자 장치.
전자 장치의 방법에 있어서,
그립 센서로부터 출력되는 전압을 변경하기 위한, 상기 그립 센서 내 커패시터의 커패시턴스를, 메모리 내에 저장된 제1 커패시턴스에 기반하여 조절하는 동작;
상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스를 초과하는 제2 커패시턴스로 조절된 이후, 상기 커패시터에 의해 변경된 상기 전압을 이용하여, 상기 전자 장치 상의 그립을 탐지하는 동작;
상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제1 커패시턴스 이하의 제3 커패시턴스로 감소됨의 식별에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제3 커패시턴스로 변경하는 동작; 및
상기 커패시터의 상기 커패시턴스가 상기 제2 커패시턴스 이하로 조절된 횟수에 기반하여, 상기 메모리 내에 저장된 상기 제1 커패시턴스를, 상기 제2 커패시턴스로 변경하는 동작을 포함하는,
방법.