KR20230151732A - 반도체 패키지용 몰딩 장치 및 반도체 패키지의 제조 방법 - Google Patents

반도체 패키지용 몰딩 장치 및 반도체 패키지의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230151732A
KR20230151732A KR1020220051442A KR20220051442A KR20230151732A KR 20230151732 A KR20230151732 A KR 20230151732A KR 1020220051442 A KR1020220051442 A KR 1020220051442A KR 20220051442 A KR20220051442 A KR 20220051442A KR 20230151732 A KR20230151732 A KR 20230151732A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
release film
holes
lower mold
vacuum
Prior art date
Application number
KR1020220051442A
Other languages
English (en)
Inventor
박민규
서희주
조원순
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020220051442A priority Critical patent/KR20230151732A/ko
Priority to US18/117,869 priority patent/US20230343612A1/en
Publication of KR20230151732A publication Critical patent/KR20230151732A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Abstract

반도체 패키지용 몰딩 장치는 적어도 하나의 기판이 안착되는 안착면을 갖는 하부 금형, 상기 하부 금형의 상부에 위치하며 상기 하부 금형과 클램핑되어 상기 기판 상의 적어도 하나의 반도체 칩을 몰딩하기 위한 성형 공간을 형성하기 위한 상부 금형, 상기 하부 금형의 상기 안착면에 적어도 일방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 기판 흡착 홈, 상기 기판 흡착 홈에 각각 연통되도록 상기 하부 금형을 통해 연장하며 적어도 부분 진공이 형성되는 복수 개의 제1 진공홀들, 상기 안착면에 개방되도록 상기 하부 금형을 통해 연장하며 적어도 부분 진공이 형성되는 복수 개의 제2 진공홀들, 및 상기 하부 금형의 상기 안착면 상에 복수 개의 관통홀을 갖는 이형 필름을 공급하되 상기 관통홀들이 상기 기판 흡착 홈에 연통되도록 배치시키기 위한 이형 필름 공급 기구를 포함한다. 상기 제2 진공홀들로부터 공기를 흡인함으로써 상기 이형 필름은 상기 안착면 상에 흡착된다. 상기 이형 필름의 상기 관통홀들을 통해 상기 제1 진공홀들로부터 공기를 흡인함으로써 상기 기판은 상기 이형 필름 상에 흡착된다.

Description

반도체 패키지용 몰딩 장치 및 반도체 패키지의 제조 방법{MOLDING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE}
본 발명은 반도체 패키지용 몰딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판 상의 반도체 칩들을 몰딩하기 위한 반도체 패키지용 몰딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 패키지의 제조 공정에 있어서, 웨이퍼로부터 개별화된 복수 개의 반도체 칩들은 기판 상에 실장된 후, 몰딩 장치에 의해 상기 기판 상에 상기 반도체 칩들을 외부 환경으로 보호하기 위한 몰딩 부재를 형성할 수 있다. 이 때, 상기 기판의 하부면 상에 형성된 몰딩 부재가 하부 금형에 달라붙는 경우가 발생하므로, 세정제를 이용하여 상기 금형을 세정할 수 있다. 이러한 세정 공정을 생략하고 상기 하부 금형의 이물질을 최소화하기 위하여, 상기 기판과 상기 하부 금형 사이에 이형 필름을 개재시킬 수 있으나, 상기 기판을 상기 하부 금형 상에 흡착시키가 어렵고, 상기 기판의 휨으로 인한 불량이 발생하는 문제점이 있다.
본 발명의 일 과제는 이형 필름 상에 기판의 흡착 안정성을 확보하고수지 성형품의 생산 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 패키지용 몰딩 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 과제는 상술한 반도체 패키지용 몰딩 장치를 이용하여 반도체 패키지를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치는 적어도 하나의 기판이 안착되는 안착면을 갖는 하부 금형, 상기 하부 금형의 상부에 위치하며 상기 하부 금형과 클램핑되어 상기 기판 상의 적어도 하나의 반도체 칩을 몰딩하기 위한 성형 공간을 형성하기 위한 상부 금형, 상기 하부 금형의 상기 안착면에 적어도 일방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 기판 흡착 홈, 상기 기판 흡착 홈에 각각 연통되도록 상기 하부 금형을 통해 연장하며 적어도 부분 진공이 형성되는 복수 개의 제1 진공홀들, 상기 안착면에 개방되도록 상기 하부 금형을 통해 연장하며 적어도 부분 진공이 형성되는 복수 개의 제2 진공홀들, 및 상기 하부 금형의 상기 안착면 상에 복수 개의 관통홀을 갖는 이형 필름을 공급하되 상기 관통홀들이 상기 기판 흡착 홈에 연통되도록 배치시키기 위한 이형 필름 공급 기구를 포함한다. 상기 제2 진공홀들로부터 공기를 흡인함으로써 상기 이형 필름은 상기 안착면 상에 흡착된다. 상기 이형 필름의 상기 관통홀들을 통해 상기 제1 진공홀들로부터 공기를 흡인함으로써 상기 기판은 상기 이형 필름 상에 흡착된다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치는 적어도 하나의 기판이 안착되는 안착면을 갖는 제1 금형, 상기 제1 금형과 대향하도록 배치되며 상기 제1 금형과 클램핑되어 상기 기판 상에 적어도 하나의 반도체 칩을 몰딩하기 위한 성형 공간을 형성하기 위한 제2 금형, 상기 제1 금형의 안착면 상에 제1 방향으로 이격 형성된 복수 개의 관통홀들을 갖는 이형 필름을 제공하기 위한 이형 필름 공급 기구, 상기 제1 금형의 상기 안착면에 상기 제1 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 제1 공기 흡인 라인, 상기 제1 금형을 통해 연장하며 상기 제1 공기 흡인 라인에 각각 연통되는 복수 개의 제1 진공홀들 및 상기 제1 진공홀들에 적어도 부분 진공을 형성하기 위한 제1 진공 펌프를 포함하고 상기 제1 공기 흡인 라인에 연통되도록 배치된 상기 관통홀들을 통해 상기 제1 진공홀들로부터 공기를 흡인하여 상기 기판을 상기 이형 필름 상에 흡착시키기 위한 제1 흡착 지지 기구, 및 상기 제1 금형을 통해 연장하며 상기 안착면에 개방되는 복수 개의 제2 진공홀들 및 상기 제2 진공홀들에 적어도 부분 진공을 형성하기 위한 제2 진공 펌프를 포함하고 상기 제2 진공홀들로부터 공기를 흡인하여 상기 이형 필름을 상기 안착면에 흡착시키기 위한 제2 흡착 지지 기구를 포함한다.
상기 본 발명의 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서, 적어도 하나의 기판이 안착되는 안착면을 가지며 상기 안착면에 적어도 일방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 기판 흡착 홈, 상기 기판 흡착 홈에 각각 연통되도록 관통 형성된 복수 개의 제1 진공홀들 및 상기 안착면에 개방되도록 관통 형성된 복수 개의 제2 진공홀들을 갖는 하부 금형을 제공한다. 상기 하부 금형의 상기 안착면에 복수 개의 관통홀들을 갖는 이형 필름을 공급하되, 상기 관통홀들이 상기 기판 흡착 홈에 연통되도록 배치시킨다. 상기 제2 진공홀들로부터 공기를 흡인하여 상기 이형 필름을 상기 하부 금형의 상기 안착면 상에 흡착시킨다. 상기 안착면 상의 상기 이형 필름 상에 상기 적어도 하나의 기판을 배치시킨다. 상기 이형 필름의 상기 관통홀들을 통해 상기 제1 진공홀들로부터 공기를 흡인하여 상기 기판을 상기 이형 필름 상에 흡착시킨다. 상기 하부 금형 상에 상부 금형을 클램핑하여 상기 기판 상의 적어도 하나의 반도체 칩을 몰딩하기 위한 성형 공간을 형성한다. 상기 성형 공간 내에 밀봉재를 주입하여 상기 기판 상에 상기 적어도 하나의 반도체 칩을 커버하는 몰딩 부재를 형성한다.
예시적인 실시예들에 따르면, 반도체 패키지용 몰딩 장치는 하부 금형의 안착면 상에 일 방향으로 이격 형성된 복수 개의 관통홀들을 갖는 이형 필름을 제공하기 위한 이형 필름 공급 기구, 상기 이형 필름의 관통홀들을 통해 상기 하부 금형에 형성된 제1 진공홀들로부터 공기를 흡인함으로써 기판을 상기 이형 필름 상에 흡착시키기 위한 제1 흡착 지지 기구, 및 상기 안착면에 개방되도록 상기 하부 금형에 형성된 제2 진공홀들로부터 공기를 흡인함으로써 상기 이형 필름을 상기 안착면 상에 흡착시키기 위한 제2 흡착 지지 기구를 포함할 수 있다.
따라서, 상기 이형 필름이 상기 하부 금형의 안착면과 상기 기판 사이에 개재된 상태에서, 상기 기판 상에 몰딩 부재를 형성하더라도, 상기 기판은 상기 제1 흡착 지지 기구에 의해 상기 이형 필름 상에 안정적으로 흡착 지지될 수 있다.
이에 따라, 상기 금형 내에서 상기 기판 상에 몰딩 부재를 성형할 때, 상기 이형 필름 상의 상기 기판이 휘어지거나 오정렬되는 것을 방지하여 성형품의 불량을 방지하고, 상기 이형 필름을 이용함으로써 금형의 세정 공정을 생략함으로써 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1 내지 도 4는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 5는 도 1 내지 도 4의 몰딩 장치의 하부 금형을 나타내는 평면도이다.
도 6 및 도 7은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 8은 도 6 및 도 7의 몰딩 장치의 하부 금형을 나타내는 평면도이다.
도 9 내지 도 13은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1 내지 도 4는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치를 나타내는 단면도들이다. 도 5는 도 1 내지 도 4의 몰딩 장치의 하부 금형을 나타내는 평면도이다. 도 6 및 도 7은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치를 나타내는 단면도들이다. 도 8은 도 6 및 도 7의 몰딩 장치의 하부 금형을 나타내는 평면도이다. 도 1 내지 도 5는 설명의 편의를 위하여 이형 필름이 하부 금형 상에 로딩되기 전의 상태를 나타내는 도면들이다. 도 1은 도 5의 A-A' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 2는 도 5의 B-B' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 5의 C-C' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 4는 도 5의 D-D' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 6은 도 8의 E-E' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 7은 도 8의 F-F' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 8을 참조하면, 반도체 패키지용 몰딩 장치(10)는 서로 클램핑되어 기판 상의 적어도 하나의 반도체 칩을 몰딩하기 위한 성형 공간을 형성하기 위한 하부 금형(100) 및 상부 금형(110)을 구비하는 금형을 포함할 수 있다. 몰딩 장치(10)는 상기 성형 공간 내부로 액상의 밀봉재를 유동시켜 상기 반도체 칩을 몰딩하는 트랜스터 몰딩 장치일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 반도체 패키지의 제조 공정에 있어서, 웨이퍼로부터 개별화된 복수 개의 반도체 칩들은 스트립 형태의 기판 상에 실장된 후, 상기 반도체 칩들을 외부 환경으로 보호하기 위한 몰딩 공정을 수행하기 위하여 몰딩 장치(10)로 로딩될 수 있다. 예를 들면, 수십 내지 수백 개의 반도체 칩들이 상기 기판 상에 배치될 수 있다.
몰딩 장치(10)는 몰디드 언더필(molded underfill, MUF) 공정을 수행할 수 있다. 상기 성형 공간 내에는 상기 기판이 배치되고, 하부 금형(100)과 상부 금형(110)이 클램핑된 상태에서 밀봉재(122)를 고온 고압으로 유동시켜 액상의 밀봉재가 상기 성형 공간 내부를 흐른 후 고형화되어 상기 반도체 칩을 커버하는 몰딩 부재를 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 밀봉재는 에폭시 몰드 컴파운드(EMC)를 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 하부 금형(100)의 상부면에는 상기 반도체 칩이 본딩된 기판을 수용하기 위한 제1 캐비티(C1)가 구비될 수 있다. 제1 캐비티(C1)의 하부면은 상기 기판이 안착되는 안착면(102)을 포함할 수 있다. 상부 금형(110)의 하부면에는 제1 캐비티(C1)와 함께 상기 형성 공간을 형성하기 위한 제2 캐비티(C2)가 구비될 수 있다. 제2 캐비티(C2)의 하부면은 하부 금형(100)의 안착면(102)과 대향하는 흡착면(112)을 포함할 수 있다. 상기 하부 금형 및 상기 상부 금형 중 하나는 상기 기판이 안착되는 제1 금형으로서 제공되고 다른 하나는 상기 제1 금형과 클램핑되어 상기 성형 공간을 형성하는 제2 금형으로서 제공될 수 있다.
상기 금형 내의 상기 성형 공간은 상기 기판 상의 상기 반도체 칩이 배치되는 상기 제1 및 제2 캐비티들, 밀봉재(122)가 제공되는 컬(cull)(130)을 포함할 수 있다. 도면에 도시되는 않았지만, 상기 컬로부터 상기 제1 및 제2 캐비티들 내로 밀봉재(122)를 도입시키는 경로가 되는 복수 개의 게이트 런너들(gate runners), 밀봉재(122)가 도입됨에 따라 상기 성형 공간 내의 가스를 배기하기 위한 벤트부 등이 구비될 수 있다.
상기 제1 및 제2 캐비티들을 포함한 상기 성형 공간의 각 구성요소들의 치수들은 예시적이고, 상기 기판의 면적, 상기 반도체 칩들의 개수, 상기 밀봉재의 물성 등을 고려하여 결정될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
밀봉재 공급부(도시되지 않음)로부터의 태블릿 상태의 밀봉재(122)가 플런저(120) 상으로 제공되고, 가열되어 유동성을 가질 수 있다. 이어서, 플런저(120)가 상승함에 따라, 액상의 밀봉재(122)는 플런저(120)의 가압에 의해 상기 성형 공간 내부로 흘러 들어간 후 고화되어 상기 기판 상에 상기 몰딩 부재를 형성하게 된다.
예시적인 실시예들에 있어서, 몰딩 장치(10)는 하부 금형(100)의 안착면(102) 상에 이형 필름(release film)(F1)을 제공하기 위한 이형 필름 공급 기구(300), 상기 기판을 이형 필름(F1) 상에 흡착시키기 위한 제1 흡착 지지 기구(200), 및 이형 필름(F1)을 안착면(102) 상에 흡착시키기 위한 제2 흡착 지지 기구(210)를 포함할 수 있다. 또한, 몰딩 장치(10)는 상부 금형(110)의 흡착면(112) 상에 상부 이형 필름(F2)을 제공하기 위한 상부 이형 필름 공급 기구(310)를 더 포함할 수 있다. 또한, 몰딩 장치(10)는 상부 이형 필름(F2)을 상부 금형(110)의 흡착면(112) 상에 흡착시키기 위한 제3 흡착 지지 기구를 더 포함할 수 있다.
기판 흡착 기구로서의 제1 흡착 지지 기구(200)는 하부 금형(100)의 안착면(102)에 적어도 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 제1 공기 흡인 라인(기판 흡착 홈)(204), 하부 금형(100)을 통해 연장 형성되며 제1 공기 흡인 라인(204)에 각각 연통되는 복수 개의 제1 진공홀들(202) 및 제1 진공홀들(202)에 적어도 부분 진공을 형성하기 위한 제1 진공 펌프(208)를 포함할 수 있다.
필름 흡착 기구로서의 제2 흡착 지지 기구(210)는 하부 금형(100)의 안착면(102)에 개방되도록 하부 금형(100)을 통해 연장 형성되는 복수 개의 제2 진공홀들(212) 및 제2 진공홀들(212)에 적어도 부분 진공을 형성하기 위한 제2 진공 펌프(218)를 포함할 수 있다. 또한, 제2 흡착 지지 기구(210)는 하부 금형(100의 안착면(102)에 적어도 일방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 제2 공기 흡인 라인(필름 흡착 홈)(214)를 더 포함할 수 있다. 제2 진공홀들(212)은 제2 공기 흡인 라인(214)에 각각 연통될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제1 공기 흡인 라인(204)은 제1 방향(X 방향)으로 기 설정된 길이만큼 연장할 수 있다. 제1 공기 흡인 라인(204)은 안착면(102)으로부터 기 설정된 깊이를 갖는 리세스 형상을 가질 수 있다. 제1 진공홀들(202)은 제1 공기 흡인 라인(204)의 저면으로부터 수직 방향(Z 방향)으로 연장할 수 있다. 제1 공기 흡인 라인(204)은 제1 진공홀들(202)의 상단부들을 서로 연결시키도록 일 방향으로 연장하는 기판 흡착 라인용 홈일 수 있다. 예를 들면, 수개 내지 수십개의 제1 진공홀들(202)이 제1 공기 흡인 라인(204)에 각각 연통될 수 있다. 2개의 제1 공기 흡인 라인들(204)이 안착면(102)의 양측부를 따라 각각 연장할 수 있다. 상기 제1 진공홀의 직경은 0.5mm 내지 1.5mm의 범위 이내에 있을 수 있다. 제1 공기 흡인 라인(204)의 깊이는 0.5mm 내지 1.5mm의 범위 이내에 있을 수 있다.
제2 공기 흡인 라인(214)은 제1 방향(X 방향)으로 기 설정된 길이만큼 연장할 수 있다. 제2 공기 흡인 라인(214)은 안착면(102)으로부터 기 설정된 깊이를 갖는 리세스 형상을 가질 수 있다. 제2 진공홀들(212)은 제2 공기 흡인 라인(214)의 저면으로부터 수직 방향(Z 방향)으로 연장할 수 있다. 제2 공기 흡인 라인(214)은 제2 진공홀들(212)의 상단부들을 서로 연결시키도록 일 방향으로 연장하는 필름 흡착 라인용 홈일 수 있다. 예를 들면, 2개의 제2 진공홀들(212)이 하나의 제2 공기 흡인 라인(214)에 각각 연통될 수 있다. 이와 다르게, 하나의 제2 진공홀이 하나의 제2 공기 흡인 라인(214)에 연통될 수 있다. 4개의 제2 공기 흡인 라인들(214)이 안착면(102)의 일측부를 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. 4개의 제2 공기 흡인 라인들(214)은 제1 공기 흡인 라인(204)과 인접하게 배열될 수 있다. 4개의 제2 공기 흡인 라인들(214)은 제1 공기 흡인 라인(204)보다 내측에 위치할 수 있다. 상기 제2 진공홀의 직경은 0.5mm 내지 2.5mm의 범위 이내에 있을 수 있다. 제2 공기 흡인 라인(214)의 깊이는 0.5mm 내지 2.5mm의 범위 이내에 있을 수 있다.
제2 공기 흡인 라인(214)은 제1 방향(X 방향)과 직교하는 제2 방향(Y 방향)으로 기 설정된 길이만큼 연장할 수 있다. 예를 들면, 2개의 제2 공기 흡인 라인들(214)이 안착면(102)의 양측부를 따라 제2 방향(Y 방향)으로 각각 연장할 수 있다. 제1 공기 흡인 라인(204)의 길이는 제2 공기 흡인 라인(214)의 길이보다 클 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 하부 금형(100)은 안착면(102)에 적어도 일방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 밀봉재 수용 라인(220)을 더 포함할 수 있다. 밀봉재 수용 라인(220)은 후술하는 바와 같이, 상기 기판에 관통 형성된 적어도 하나의 밀봉재 통과홀에 대응하도록 구비될 수 있다.
예를 들면, 밀봉재 수용 라인(220)은 제2 방향(Y 방향)으로 기 설정된 길이만큼 연장할 수 있다. 밀봉재 수용 라인(220)은 안착면(102)으로부터 기 설정된 깊이를 갖는 리세스 형상을 가질 수 있다. 복수 개의 밀봉재 수용 라인들(220)은 제1 방향(X 방향)으로 이격 배열될 수 있다. 복수 개의 밀봉재 수용 라인들(220)은 안착면(102)의 중심 영역에 배열될 수 있다.
도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 이형 필름 공급 기구(300)는 이형 필름(F1)을 제1 방향(X 방향)으로 공급할 수 있다. 이형 필름 공급 기구(300)는 하부 금형(100)의 양측에 각각 배치되는 송출 롤러(302) 및 권취 롤러(304)를 포함할 수 있다. 이형 필름(F1)은 권치 롤러(304)에 의해 권치되어 감에 따라 송출 롤러(302)로부터 하부 금형(100)의 안착면(102) 상에 로딩될 수 있다.
이형 필름(F1)은 내열성, 비접착성 및 연성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 이형 필름은 　폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)(테프론)와 같은 수지를 포함할 수 있다. 따라서, 이형 필름(F1)이 안착면(102)과 상기 기판 사이에 개재된 상태에서 상기 기판 상에 상기 몰딩 부재가 형성된 후, 상기 몰딩 부재가 형성된 기판은 이형 필름(F1)에 의해 안착면(102)으로부터 쉽게 분리되어 상기 기판의 하부면 상에 형성된 몰딩 부재가 하부 금형(100)에 달라붙는 것을 방지할 수 있다.
이형 필름(F1)에는 복수 개의 관통홀들(H)이 형성될 수 있다. 제1 공기 흡인 라인(204)이 제1 방향(X 방향)으로 연장할 때, 관통홀들(H)은 제1 방향(X 방향)을 따라 이격 배열될 수 있다. 이형 필름(F1)이 하부 금형(100)의 안착면(102)에 배치될 때, 관통홀들(H) 중 적어도 일부는 제1 공기 흡인 라인(204)에 연통되도록 제1 공기 흡인 라인(204) 상에 배치될 수 있다. 이 때, 제1 공기 흡인 라인(204)에 연통된 제1 진공홀들(202) 사이의 이격 거리는 관통홀들(H) 사이의 이격 거리보다 작을 수 있다. 예를 들면, 상기 관통홀의 직경은 0.5mm 내지 1.5mm의 범위 이내에 있을 수 있다. 상기 제1 진공홀들의 이격 거리는 10mm 내지 20mm의 범위 이내에 있을 수 있다. 상기 관통홀들 사이의 이격 거리는 20mm 내지 30mm의 범위 이내에 있을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 진공 펌프(208)는 제1 배기 라인(206)에 의해 제1 진공홀들(202)에 연결되어 제1 진공홀들(202) 내에 적어도 부분 진공을 형성할 수 있다. 제1 진공 펌프(208)가 제1 진공홀들(202)로부터 공기를 흡인할 때, 제1 진공홀들(202)에 연통된 제1 공기 흡인 라인(204) 및 제1 공기 흡인 라인(204)에 연통된 이형 필름(F1)의 관통홀들(H)을 통해 공기가 흡인될 수 있다. 따라서, 관통홀들(H) 내에 형성된 적어도 부분 진공에 의해 상기 기판은 이형 필름(F1) 상에 흡착 지지될 수 있다.
제2 진공 펌프(218)는 제2 배기 라인(216)에 의해 제2 진공홀들(212)에 연결되어 제2 진공홀들(212) 내에 적어도 부분 진공을 형성할 수 있다. 제2 진공 펌프(218)가 제2 진공홀들(212)로부터 공기를 흡인할 때, 제2 진공홀들(212)에 연통된 제2 공기 흡인 라인(214)을 통해 공기가 흡인될 수 있다. 따라서, 제2 공기 흡인 라인(214) 내에 형성된 적어도 부분 진공에 의해 이형 필름(F1)은 안착면(102) 상에 흡착 지지될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상부 이형 필름 공급 기구(310)는 상부 이형 필름(F2)을 제1 방향(X 방향)으로 공급할 수 있다. 상부 이형 필름 공급 기구(310)는 상부 금형(110)의 양측에 각각 배치되는 상부 송출 롤러(312) 및 상부 권취 롤러(314)를 포함할 수 있다. 상부 이형 필름(F2)은 상부 권치 롤러(314)에 의해 권치되어 감에 따라 상부 송출 롤러(312)로부터 상부 금형(110)의 흡착면(112) 상에 로딩될 수 있다.
상기 제2 흡착 지지 기구와 유사하게, 상부 필름 흡착 기구로서의 제3 흡착 지지 기구는 상부 금형(110)의 흡착면(112)에 개방되도록 상부 금형(110)을 통해 연장 형성되는 복수 개의 제3 진공홀들(도시되지 않음) 및 상기 제3 진공홀들에 적어도 부분 진공을 형성하기 위한 제3 진공 펌프(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제3 흡착 지지 기구는 상부 금형(110)의 흡착면(112)에 적어도 일방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 제3 공기 흡인 라인(상부 필름 흡착 홈)를 더 포함할 수 있다. 상기 제3 진공홀들은 상기 제3 공기 흡인 라인에 각각 연통될 수 있다.
제3 진공 펌프(도시되지 않음)는 제3 배기 라인에 의해 상기 제3 진공홀들에 연결되어 상기 제3 진공홀들 내에 적어도 부분 진공을 형성할 수 있다. 상기 제3 진공 펌프가 상기 제3 진공홀들로부터 공기를 흡인할 때, 상기 제3 진공홀들에 연통된 상기 제3 공기 흡인 라인을 통해 공기가 흡인될 수 있다. 따라서, 상기 제3 공기 흡인 라인 내에 형성된 적어도 부분 진공에 의해 상부 이형 필름(F2)은 상부 금형(110)의 흡착면(112) 상에 흡착 지지될 수 있다.
상술한 바와 같이, 반도체 패키지용 몰딩 장치(10)는 하부 금형(100)의 안착면(102) 상에 일 방향으로 이격 형성된 복수 개의 관통홀들(H)을 갖는 이형 필름(F1)을 제공하기 위한 이형 필름 공급 기구(300), 이형 필름(F1)의 관통홀들(H)을 통해 하부 금형(100)에 형성된 제1 진공홀들(202)로부터 공기를 흡인함으로써 상기 기판을 이형 필름(F1) 상에 흡착시키기 위한 제1 흡착 지지 기구(200), 및 안착면(102)에 개방되도록 하부 금형(100)에 형성된 제2 진공홀들(212)로부터 공기를 흡인함으로써 이형 필름(F1)을 안착면(102) 상에 흡착시키기 위한 제2 흡착 지지 기구(210)를 포함할 수 있다.
따라서, 이형 필름(F1)이 하부 금형(100)의 안착면(102)과 상기 기판 사이에 개재된 상태에서, 상기 기판 상에 몰딩 부재를 형성하더라도, 상기 기판은 제1 흡착 지지 기구(200)에 의해 이형 필름(F1) 상에 안정적으로 흡착 지지될 수 있다.
이에 따라, 상기 금형 내에서 상기 기판 상에 몰딩 부재를 성형할 때, 이형 필름(F1) 상의 상기 기판이 휘어지거나 오정렬되는 것을 방지하여 성형품의 불량을 방지하고, 이형 필름(F1)을 이용함으로써 세정 공정을 생략하여 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
이하에서는, 상기 반도체 패키지용 몰딩 장치를 이용하여 반도체 패키지를 제조하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 9 내지 도 13은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타내는 도면들이다. 도 9는 반도체 칩들이 실장된 기판을 나타내는 평면도이다. 도 10a 내지 도 10c는 이형 필름 및 상부 이형 필름을 제공하는 단계를 나타내는 단면도들이다. 도 11a 내지 도 11c는 하부 금형의 안착면 상에 기판을 로딩하는 단계를 나타내는 단면도들이다. 도 12a 내지 도 12c는 기판을 흡착 지지하는 단계를 나타내는 단면도들이다. 도 13은 도 1의 몰딩 장치에 의해 상기 기판 상에 형성된 몰딩 부재를 포함하는 수지 성형품을 나타내는 단면도이다.
도 9를 참조하면, 먼저, 기판(30) 상에 복수 개의 반도체 칩들(40)을 실장하여 반도체 스트립 기판(20)을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 반도체 패키지를 제조하기 위하여, 웨이퍼로부터 분리된 복수 개의 반도체 칩들(40)을 기판(30) 상에 실장시키고, 반도체 칩들(40)을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 몰딩 공정을 수행할 수 있다.
예를 들면, 기판(30)은 서로 마주보는 상부면 및 하부면을 갖는 패키지 기판으로서의 다층 회로 기판일 수 있다. 기판(30)은 인쇄회로기판(PCB)와 같은 반도체 스트립 제조를 위한 스트립 기판일 수 있다.
기판(30)은 복수 개의 반도체 칩들(40)을 실장하기 위한 복수 개의 칩 실장 영역들을 포함하고, 반도체 칩들(40)은 상기 칩 실장 영역들 상에 각각 배치될 수 있다. 예를 들면, 수십 내지 수백개의 반도체 칩들(40)이 기판(30) 상에 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
기판(30)은 상기 칩 실장 영역 내에 적어도 하나의 밀봉재 통과홀(32)을 가질 수 있다. 밀봉재 통과홀(32)은 기판(30)을 관통하여 형성될 수 있다. 복수 개의 밀봉재 통과홀들(32)은 하나의 칩 실장 영역 내에서 제2 방향(Y 방향)을 따라 서로 이격 배치될 수 있다.
또한, 기판(30)은 기판(30)의 하부면에 그루브 형상으로 형성되어 밀봉재 통과홀들(32)을 서로 연결시키는 밀봉재 수용홈(34)을 가질 수 있다. 복수 개의 밀봉재 수용홈들(34)은 제1 방향(X 방향)을 따라 서로 이격 배치될 수 있다. 밀봉재 수용홈(34)은 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향(Y 방향)으로 기 설정된 길이만큼 연장하여 하나의 칩 실장 영역 내의 복수 개의 밀봉재 통과홀들(32)을 서로 연통시킬 수 있다.
반도체 칩(40)의 하부면 상의 칩 패드들 상에 도전성 범프들(50)을 형성한 후, 도전성 범프들(50)을 매개로 하여 복수 개의 반도체 칩들(40)을 기판(30) 상에 매트릭스 형태로 배치할 수 있다. 이 때, 도전성 범프들(50)은 기판(30) 상의 접속 패드들 상에 각각 배치될 수 있다. 이후, 리플로우 공정에 의해 도전성 범프들(50)을 상기 접속 패드들에 부착시켜 반도체 칩(40)을 기판(30) 상에 실장시킬 수 있다.
도 10a 내지 도 10c를 참조하면, 하부 금형(100)의 안착면(102)에 복수 개의 관통홀들(H)을 갖는 이형 필름(F1)을 공급할 수 있다. 또한, 상부 금형(110)의 흡착면(112) 상에 상부 이형 필름(F2)을 공급할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 이형 필름 공급 기구(300)는 이형 필름(F1)을 하부 금형(100)의 안착면(102) 상에 제1 방향(X 방향)으로 공급할 수 있다. 이형 필름(F1)에는 복수 개의 관통홀들(H)이 형성될 수 있다. 제1 공기 흡인 라인(204)이 제1 방향(X 방향)으로 연장할 수 있다. 이형 필름(F1)이 하부 금형(100)의 안착면(102)에 배치될 때, 관통홀들(H) 중 적어도 일부는 제1 공기 흡인 라인(204)에 연통되도록 제1 공기 흡인 라인(204) 상에 배치될 수 있다.
상부 이형 필름 공급 기구(310)는 상부 이형 필름(F2)을 상부 금형(110)의 흡착면(112) 상에 제1 방향(X 방향)으로 공급할 수 있다.
이어서, 제2 진공홀들(212)로부터 공기를 흡인하여 이형 필름(F1)을 하부 금형(100)의 안착면(102) 상에 흡착시킬 수 있다. 또한, 상부 이형 필름(F2)을 상부 금형(110)의 흡착면(112) 상에 흡착시킬 수 있다.
제2 진공 펌프(218)는 제2 배기 라인(216)에 의해 제2 진공홀들(212)에 연결되어 제2 진공홀들(212) 내에 적어도 부분 진공을 형성할 수 있다. 제2 진공 펌프(218)가 제2 진공홀들(212)로부터 공기를 흡인할 때, 제2 진공홀들(212)에 연통된 제2 공기 흡인 라인(214)을 통해 공기가 흡인될 수 있다. 따라서, 제2 공기 흡인 라인(214) 내에 형성된 적어도 부분 진공에 의해 이형 필름(F1)은 안착면(102) 상에 흡착 지지될 수 있다.
유사하게, 제3 진공 펌프(도시되지 않음)는 제3 배기 라인에 의해 상부 금형(110)에 형성된 제3 진공홀들에 연결되어 상기 제3 진공홀들 내에 적어도 부분 진공을 형성할 수 있다. 상기 제3 진공 펌프가 상기 제3 진공홀들로부터 공기를 흡인할 때, 상기 제3 진공홀들에 연통되도록 흡착면(112)에 형성된 제3 공기 흡인 라인을 통해 공기가 흡인될 수 있다. 따라서, 상기 제3 공기 흡인 라인 내에 형성된 적어도 부분 진공에 의해 상부 이형 필름(F2)은 상부 금형(110)의 흡착면(112) 상에 흡착 지지될 수 있다.
도 11a 내지 도 11c를 참조하면, 안착면(102) 상의 이형 필름(F1) 상에 반도체 스트립 기판(20)을 배치시키고, 이형 필름(F1)의 관통홀들(H)을 통해 제1 진공홀들(202)로부터 공기를 흡인하여 반도체 스트립 기판(20)을 이형 필름(F1) 상에 흡착시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판 핸들러(400)를 이용하여 반도체 스트립 기판(20)을 안착면(102) 상의 이형 필름(F1) 상에 로딩시킬 수 있다. 이어서, 제1 진공홀들(202)로부터 공기를 흡인하여 기판(30)을 이형 필름(F1) 상에 흡착시킬 수 있다. 이 때, 이형 필름(F1)은 제2 공기 흡인 라인(214) 내에 형성된 적어도 부분 진공에 의해 안착면(102) 상에 흡착 지지될 수 있다.
제1 진공 펌프(208)는 제1 배기 라인(206)에 의해 제1 진공홀들(202)에 연결되어 제1 진공홀들(202) 내에 적어도 부분 진공을 형성할 수 있다. 제1 진공 펌프(208)가 제1 진공홀들(202)로부터 공기를 흡인할 때, 제1 진공홀들(202)에 연통된 제1 공기 흡인 라인(204) 및 제1 공기 흡인 라인(204)에 연통된 이형 필름(F1)의 관통홀들(H)을 통해 공기가 흡인될 수 있다. 따라서, 관통홀들(H) 내에 형성된 적어도 부분 진공에 의해 상기 기판은 이형 필름(F1) 상에 흡착 지지될 수 있다.
기판(30)이 안착면(102) 상의 이형 필름(F1) 상에 배치될 때, 기판(30)에 형성된 밀봉재 통과홀들(32)은 하부 금형(100)의 안착면(102)에 형성된 밀봉재 수용 라인(220)에 대응하도록 배치될 수 있다. 기판(30)의 하부면에 형성된 밀봉재 수용홈들(34)은 안착면(102)에 형성된 밀봉재 수용 라인들(220)에 각각 중첩되도록 배치될 수 있다.
도 12a 내지 도 12c 및 도 13을 참조하면, 기판 핸들러(400)를 복귀시키고, 하부 금형(100)과 상부 금형(110)이 클램핑된 상태에서 밀봉재를 고온 고압으로 유동시켜 액상의 밀봉재가 성형 공간 내부를 흐른 후 고형화되어 반도체 칩들(40)을 커버하는 몰딩 부재(60)를 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 밀봉재는 에폭시 몰드 컴파운드(EMC)를 포함할 수 있다.
반도체 스트립용 성형품(M)은 기판(30) 상에 형성된 몰딩 부재(60)를 포함할 수 있다. 몰딩 부재(60)는 상기 액상의 수지가 상기 성형 공간의 제1 및 제2 캐비티 내에 고형화되어 기판(30) 상에서 복수 개의 반도체 칩들(40)을 커버하는 수지의 일부일 수 있다.
상기 밀봉재가 상기 제1 및 제2 캐비티들 내로 주입될 때, 밀봉재 통과홀(32) 및 밀봉재 수용홈(34) 내로 흘러 고형화되어 기판(30)의 하부면 상에는 밀봉재 하부 패턴(62)이 형성될 수 있다. 이와 같이, 몰디드 언더필(molded underfill, MUF) 공정을 진행할 때, 기판(30)의 상부면과 반도체 칩(40) 사이의 밀봉재는 밀봉재 통과홀(32)을 통해 밀봉재 수용홈(34)을 채울 수 있다. 이 때, 밀봉재 수용홈(34)은 상기 제1 및 제2 캐비티들 내부 공기가 외부로 빠져나가는 통로가 될 수 있다.
이어서, 상기 몰드 수지를 일정 시간 경화시킨 후, 기판(30)을 개별적으로 분리함으로써, 복수 개의 플립칩 반도체 패키지들을 제조할 수 있다.
전술한 반도체 패키지의 제조 방법은 로직 소자나 메모리 소자와 같은 반도체 소자를 포함하는 반도체 패키지를 제조하는 데 사용될 수 있다. 상기 반도체 패키지는, 예를 들어 중앙처리장치(CPU, MPU), 애플리케이션 프로세서(AP) 등과 같은 로직 소자, 예를 들어 에스램(SRAM) 장치, 디램(DRAM) 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치, 및 예를 들어 플래시 메모리 장치, 피램(PRAM) 장치, 엠램(MRAM) 장치, 알램(RRAM) 장치 등과 같은 불휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 반도체 패키지용 몰딩 장치
20: 반도체 스트립 기판 30: 기판
32: 밀봉재 통과홀 34: 밀봉재 수용홈
40: 반도체 칩 50: 도전성 범프
60: 몰딩 부재 62: 밀봉재 하부 패턴
100: 하부 금형 102: 안착면
110: 상부 금형 112: 흡착면
120: 플런저 122: 밀봉재
124: 플런저 지지부 130: 컬
200: 제1 흡착 지지 기구 202: 제1 진공홀
204: 제1 공기 흡인 라인 206: 제1 배기 라인
208: 제1 진공 펌프 210: 제2 흡착 지지 기구
212: 제2 진공홀 214: 제2 공기 흡인 라인
216: 제1 배기 라인 218: 제2 진공 펌프
220; 밀봉재 수용 라인 300: 이형 필름 공급 기구
302: 송출 롤러 303: 송출 지지 롤러
304: 권취 롤러 305: 권취 지지 롤러
310: 상부 이형 필름 공급 기구 302: 상부 송출 롤러
303: 상부 송출 지지 롤러 304: 상부 권취 롤러
305: 상부 권취 지지 롤러

Claims (10)

  1. 적어도 하나의 기판이 안착되는 안착면을 갖는 하부 금형;
    상기 하부 금형의 상부에 위치하며, 상기 하부 금형과 클램핑되어 상기 기판 상의 적어도 하나의 반도체 칩을 몰딩하기 위한 성형 공간을 형성하기 위한 상부 금형;
    상기 하부 금형의 상기 안착면에 적어도 일방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 기판 흡착 홈;
    상기 기판 흡착 홈에 각각 연통되도록 상기 하부 금형을 통해 연장하며 적어도 부분 진공이 형성되는 복수 개의 제1 진공홀들;
    상기 안착면에 개방되도록 상기 하부 금형을 통해 연장하며 적어도 부분 진공이 형성되는 복수 개의 제2 진공홀들; 및
    상기 하부 금형의 상기 안착면 상에 복수 개의 관통홀을 갖는 이형 필름을 공급하되, 상기 관통홀들이 상기 기판 흡착 홈에 연통되도록 배치시키기 위한 이형 필름 공급 기구를 포함하고,
    상기 제2 진공홀들로부터 공기를 흡인함으로써 상기 이형 필름은 상기 안착면 상에 흡착되고,
    상기 이형 필름의 상기 관통홀들을 통해 상기 제1 진공홀들로부터 공기를 흡인함으로써 상기 기판은 상기 이형 필름 상에 흡착되는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 금형의 상기 안착면에 적어도 일방향으로 연장 형성되며 상기 제2 진공홀들 중에서 적어도 하나가 연통되는 적어도 하나의 필름 흡착 홈을 더 포함하는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 기판 흡착 홈의 연장 길이는 상기 필름 흡착 홈의 연장 길이보다 큰 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 필름 흡착 홈은 상기 기판 흡착 홈보다 내측에 위치하는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 기판 흡착 홈은 제1 방향으로 연장하고, 상기 관통홀들은 상기 제1 방향을 따라 이격 배치되는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 이형 필름 공급 기구는 상기 하부 금형의 양측에 각각 배치되며 상기 이형 필름을 상기 제1 방향으로 공급하기 위한 송출 롤러 및 권취 롤러를 포함하는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 안착면과 대향하는 상기 상부 금형의 흡착면 상에 상부 이형 필름을 공급하기 위한 상부 이형 필름 공급 기구를 더 포함하는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 적어도 일방향으로 연장하며 관통 형성되는 적어도 하나의 밀봉재 통과홀을 포함하고,
    상기 하부 금형은 상기 밀봉재 통과홀에 대응하도록 상기 안착면에 적어도 일방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 밀봉재 수용 라인을 더 포함하는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 진공홀들에 적어도 부분 진공을 형성하기 위한 제1 진공 펌프; 및
    상기 제2 진공홀들에 적어도 부분 진공을 형성하기 위한 제2 진공 펌프를 더 포함하는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 진공홀들 사이의 이격 거리는 상기 관통홀들 사이의 이격 거리보다 작은 반도체 패키지용 몰딩 장치.
KR1020220051442A 2022-04-26 2022-04-26 반도체 패키지용 몰딩 장치 및 반도체 패키지의 제조 방법 KR20230151732A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220051442A KR20230151732A (ko) 2022-04-26 2022-04-26 반도체 패키지용 몰딩 장치 및 반도체 패키지의 제조 방법
US18/117,869 US20230343612A1 (en) 2022-04-26 2023-03-06 Molding apparatus for semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220051442A KR20230151732A (ko) 2022-04-26 2022-04-26 반도체 패키지용 몰딩 장치 및 반도체 패키지의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230151732A true KR20230151732A (ko) 2023-11-02

Family

ID=88415956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220051442A KR20230151732A (ko) 2022-04-26 2022-04-26 반도체 패키지용 몰딩 장치 및 반도체 패키지의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230343612A1 (ko)
KR (1) KR20230151732A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
US20230343612A1 (en) 2023-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6521480B1 (en) Method for making a semiconductor chip package
US7618573B2 (en) Resin sealing method for electronic part and mold used for the method
JP4326786B2 (ja) 樹脂封止装置
KR102455987B1 (ko) 성형 금형, 성형 장치, 성형품의 제조 방법 및 수지 몰드 방법
JP2004179284A (ja) 樹脂封止方法、半導体装置の製造方法、及び樹脂材料
KR102059738B1 (ko) 성형 다이, 수지 성형 장치, 수지 성형 방법 및 수지 성형품의 제조 방법
JP5697919B2 (ja) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
KR100417182B1 (ko) 수지몰드방법, 몰드성형용금형 및 배선기재
JP6430342B2 (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形方法並びに成形型
JP2020026088A (ja) ワーク搬送装置、樹脂搬送装置及び樹脂モールド装置
JP2017092478A (ja) 半導体パッケージ製造用モールディング装置及びそれを利用した半導体パッケージのモールディング方法
TWI726230B (zh) 保持構件、保持構件的製造方法、保持機構以及製品的製造裝置
WO1998037580A1 (en) Area matched package
JP7312421B2 (ja) モールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法並びに搬送具
JP2001267345A (ja) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
KR20230151732A (ko) 반도체 패키지용 몰딩 장치 및 반도체 패키지의 제조 방법
JP7029342B2 (ja) モールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
JP5816399B2 (ja) 成形型、基板吸着型、樹脂封止装置および樹脂封止電子部品の製造方法
JP5975085B2 (ja) 樹脂封止用金型、樹脂封止装置および成形品の製造方法
JP4162720B2 (ja) 半導体装置をカプセル化するシステムおよび方法
TWI718447B (zh) 成型模、樹脂成型裝置及樹脂成型品的製造方法
JP2010221430A (ja) モールド樹脂及び樹脂モールド方法
KR100818530B1 (ko) 반도체 패키지 금형 및 반도체 칩 패키지의 제조 방법
JP7203778B2 (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
US11508598B2 (en) Frame jig for manufacturing semiconductor package, apparatus including same, and method using same