KR20230148316A - 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230148316A
KR20230148316A KR1020230140221A KR20230140221A KR20230148316A KR 20230148316 A KR20230148316 A KR 20230148316A KR 1020230140221 A KR1020230140221 A KR 1020230140221A KR 20230140221 A KR20230140221 A KR 20230140221A KR 20230148316 A KR20230148316 A KR 20230148316A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
layer
multilayer
organic light
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020230140221A
Other languages
English (en)
Inventor
정한규
김태영
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020230140221A priority Critical patent/KR20230148316A/ko
Publication of KR20230148316A publication Critical patent/KR20230148316A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 발광층을 전면 증착하면서도, 보조 전극과 캐소드 전극을 연결시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법을 제공하는 것으로, 제1 기판 상에 배치된 보조 전극, 보조 전극과 이격되어 배치된 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함한다. 또한, 본 발명은 보조 전극과 전기적으로 연결되는 다중층 전극, 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광층 및 다중층 전극과 연결되는 제2 전극을 포함하고, 유기 발광층은 다중층 전극에 의해서 분리된다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 자발광 소자로서, 소비전력이 낮고, 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 높은 휘도 및 광시야각을 가지고 있다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 유기 발광 소자를 통해 발광된 빛의 투과 방향에 따라 상부 발광 방식(top emission type)과 하부 발광 방식(bottom emission type)으로 나뉜다. 상기 하부 발광 방식은 개구율이 저하되는 문제가 발생되기 때문에, 최근에는 상부 발광 방식이 주로 이용되고 있다.
이와 같은, 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 박막 트랜지스터가 구비되고, 박막 트랜지스터 상에 패시베이션층, 평탄화층, 애노드 전극, 보조 전극, 뱅크, 유기 발광층, 및 캐소드 전극이 구비된다.
이때, 종래의 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층을 전면 증착하기 어려운 단점이 있다. 종래의 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층을 전면 증착할 경우, 캐소드 전극과 보조 전극을 연결시키기 위한 공간이 유기 발광층에 의해 가려지면서, 보조 전극과 캐소드 전극을 연결시킬 수 없게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 본 발명은 유기 발광층을 전면 증착하면서도, 보조 전극과 캐소드 전극을 연결시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 제1 기판 상에 배치된 보조 전극, 보조 전극과 이격되어 배치된 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함한다. 또한, 본 발명은 보조 전극과 전기적으로 연결되는 다중층 전극, 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광층 및 다중층 전극과 연결되는 제2 전극을 포함하고, 유기 발광층은 다중층 전극에 의해서 분리된 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 다중층 전극이 언더컷 형태를 가짐으로써, 유기 발광층이 분리되어 화소간의 불량구동을 방지하는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 다중층 전극의 언더컷 형태에 의해서 추가 공정 없이 유기 발광층을 액티브 영역에 전면 증착하면서도, 다중층 전극을 노출시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 노출된 다중층 전극의 일측과 제2 전극이 연결됨으로써, 다중층 전극의 타측이 보조 전극과 전기적으로 연결되어, 보조 전극에 의해서 제2 전극의 저항을 감소시키는 효과가 있다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 2 내지 도 9는 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다. "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
이하에서는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 액티브 영역(Active Area; AA) 및 패드 영역(Pad Area; PA)을 포함한다.
상기 액티브 영역(AA)에는 제1 기판(100), 보조 전극(110), 버퍼층(120), 박막 트랜지스터(T), 연결 전극(175), 패시베이션층(180), 평탄화층(190), 제1 전극(200), 다중층 전극(210), 뱅크(220), 유기 발광층(230), 제2 전극(240), 및 제2 기판(300)을 포함한다.
상기 제1 기판(100)은 유리가 주로 이용되지만, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드가 이용될 수 있다. 폴리이미드를 상기 제1 기판(100)의 재료로 이용할 경우에는, 상기 제1 기판(100) 상에서 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다.
상기 보조 전극(110)은 제1 기판(100) 상의 액티브 영역(AA)에 배치된다. 보조 전극(110)은 후술되는 연결 전극(175) 및 다중층 전극(210)을 통해서 제2 전극(240)과 연결된다. 이러한 보조 전극(110)은 제2 전극(240)과 연결되어 제2 전극(240)의 저항을 감소시키는 역할을 한다. 이때, 보조 전극(110)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있다.
상기 버퍼층(120)은 제1 기판(100) 상부 전면에 배치될 수 있다. 이러한 버퍼층(120)은 투습에 취약한 제1 기판(100)으로부터 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하는 기능을 한다. 또한, 버퍼층(120)은 제1 기판(100)으로부터 금속 이온 등의 불순물이 확산되어 박막 트랜지스터(T)의 액티브층(130)에 침투하는 것을 방지하는 기능을 한다. 이때, 버퍼층(120)은 무기절연물질 예를 들어, SiO2(silicon dioxide), SiNx(silicon nitride), SiON(silicon oxynitride) 또는 이들의 다중층으로 이루어 질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 박막 트랜지스터(T)는 버퍼층(120) 상에 배치된다. 이러한 박막 트랜지스터(T)는 액티브층(130), 게이트 절연층(140), 게이트 전극(150), 층간 절연층(160), 소스 전극(171) 및 드레인 전극(173)을 포함한다.
상기 액티브층(130)은 액티브 영역(AA)에 배치된 제1 기판(100) 상에 배치된다. 액티브층(130)은 게이트 전극(150)과 중첩되도록 배치된다. 액티브층(130)은 소스 전극(171) 측에 위치한 일단 영역, 드레인 전극(173) 측에 위치한 타단 영역, 및 일단 영역과 타단 영역 사이에 위치한 중심 영역으로 구성될 수 있다. 중심 영역은 도펀트가 도핑되지 않은 반도체 물질로 이루어지고, 일단 영역과 타단 영역은 도펀트가 도핑된 반도체 물질로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 절연층(140)은 액티브층(130) 상에 배치된다. 이러한 게이트 절연층(140)은 액티브층(130)과 게이트 전극(150)을 절연시키는 기능을 한다. 이때, 게이트 절연층(140)은 무기절연물질 예를 들어, SiO2(silicon dioxide), SiNx(silicon nitride), SiON(silicon oxynitride) 또는 이들의 다중층으로 이루어 질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 게이트 전극(150)은 게이트 절연층(140) 상에 배치된다. 게이트 전극(150)은 게이트 절연층(140)을 사이에 두고, 액티브층(130)의 중심 영역과 중첩된다. 이때, 게이트 전극(150)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 층간 절연층(160)은 게이트 전극(150) 상에 배치된다. 층간 절연층(160)은 게이트 전극(150)을 포함한 액티브 영역(AA) 전면에 배치된다. 이때, 층간 절연층(160)은 게이트 절연층(140)과 동일한 무기절연물질 예를 들어, SiO2(silicon dioxide), SiNx(silicon nitride), SiON(silicon oxynitride) 또는 이들의 다중층으로 이루어 질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 소스 전극(171) 및 드레인 전극(173)은 층간 절연층(160)상에서 서로 이격되어 배치된다. 층간 절연층(160)에는 액티브층(130)의 일단 영역 일부를 노출시키는 제1 콘택홀 및 액티브층(130)의 타단 영역 일부를 노출시키는 제2 콘택홀이 구비된다. 소스 전극(171)은 제1 콘택홀을 통해서 액티브층(130)의 일단 영역과 연결되고, 드레인 전극(173)은 제2 콘택홀을 통해서 액티브층(130)의 타단 영역과 연결된다. 이때, 소스 및 드레인 전극(171, 173)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있다. 특히, 본 발명의 일 예에 따른 소스 및 드레인 전극(171, 173)은 예를 들어, 차례로 적층된 MoTi/Cu/MoTi로 구성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다.
상술한 박막 트랜지스터(T)의 구성은 앞서 설명한 예에 한정되지 않고, 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다.
상기 연결 전극(175)은 층간 절연층(160) 상에 배치된다. 연결 전극(175)은 소스 및 드레인 전극(171, 173)과 동일한 층에 이격되어 배치되며, 소스 및 드레인 전극(171, 173)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이러한 연결 전극(175)의 일측은 보조 전극(110)과 연결되고 타측은 다중층 전극(210)과 연결되어, 보조 전극(110)과 제2 전극(240)을 연결시키는 기능을 한다. 연결 전극(175)은 패시베이션층(180)에 구성된 홈에 의해서 일부가 노출되어 있으며, 노출된 연결 전극(175)을 통해서 다중층 전극(210)과 연결된다. 이때, 연결 전극(175)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있다. 특히, 본 발명의 일 예에 따른 연결 전극(175)은 예를 들어, 차례로 적층된 MoTi/Cu/MoTi로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 패시베이션층(180)은 박막 트랜지스터(T) 및 연결 전극(175) 상에 배치된다. 패시베이션층(180)은 제1 기판(100) 상의 액티브 영역(AA)에 배치되며, 일부 패드 영역(PA)에도 배치될 수 있다. 이러한 패시베이션층(180)은 박막 트랜지스터(T)를 보호하는 역할을 한다. 이때, 패시베이션층(180)은 무기절연물질 SiO2(silicon dioxide), SiNx(silicon nitride), SiON(silicon oxynitride) 또는 이들의 다중층으로 이루어 질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 평탄화층(190)은 박막 트랜지스터(T) 및 패시베이션층(180) 상에 배치되며, 보다 구체적으로, 패시베이션층(180)과 제1 전극(200) 사이에 배치된다. 이러한 평탄화층(190)은 박막 트랜지스터(T) 및 패시베이션층(180) 상부를 평탄하게 해주는 역할을 한다. 평탄화층(190)은 유기절연물질 예를 들어, 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 패시베이션층(180)과 평탄화층(190)에는 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(173)을 노출시키는 제3 콘택홀이 구비되어 있다. 제3 콘택홀을 통하여 드레인 전극(173)과 제1 전극(200)이 전기적으로 연결된다.
상기 제1 전극(200)은 평탄화층(190) 상에 배치된다. 제1 전극(200)은 패시베이션층(180)과 평탄화층(190)에 구비된 제3 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(173)에 연결된다. 이러한 제1 전극(200)은 일 예로 애노드 전극의 역할을 할 수 있다. 이때, 제1 전극(200)은 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 전극(200)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), APC(Ag;Pb;Cu) 등을 포함하는 적어도 둘 이상의 층으로 구성될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 예에 따른 제1 전극(200)은 차례로 적층된 ITO/Ag/ITO로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 다중층 전극(210)은 패시베이션층(180) 상에 배치된다. 다중층 전극(210)은 패시베이션층(180)에 구비된 홈에 의해서 노출된 연결 전극(175)과 연결된다. 이러한 다중층 전극(210)의 일측은 연결 전극(175)과 연결되고, 타측은 제2 전극(240)과 연결 되어, 제2 전극(240)과 보조 전극(110)을 연결시키는 기능을 한다. 이때, 다중층 전극(210)은 제1 전극(200)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 다중충 배선(210)은 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어질 수 있다. 또한, 본 발명의 일 예에 따른 다중충 배선(210)은 알루미늄(Al), 은(Ag), APC(Ag;Pb;Cu) 등을 포함하는 적어도 둘 이상의 층으로 구성될 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 다중충 배선(210)은 차례로 적층된 제1 다중층 전극(211), 제2 다중층 전극(213), 및 제3 다중층 전극(215)를 포함할 수 있다.
상기 제1 다중층 전극(211)은 연결 전극(175) 상에 배치된다. 이러한 제1 다중층 전극(211)의 일측은 연결 전극(175)과 연결되고 타측은 제2 전극(240)과 연결되어, 제2 전극(240)과 보조 전극(110)을 연결하는 역할을 한다. 이때, 본 발명의 일 예에 따른 제1 다중층 전극(211)은 열을 가하면 습식 에칭이 되지 않는 재질로 구성될 수 있으며, 일 예로 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 제2 다중층 전극(213)은 제1 다중층 전극(211)과 제3 다중층 전극(215) 사이에 배치된다. 제2 다중층 전극(213)은 제1 및 제3 다중층 전극(211, 215) 보다 길이가 짧아, 다중층 전극(210)이 파여있는 형태를 구성한다. 즉, 다중층 전극(210)은 제1 및 제3 다중층 전극(211, 215) 보다 길이가 짧은 제2 다중층 전극(213)에 의해서 언더컷(undercut) 형태를 가진다. 다중층 전극(210)은 이러한 언더컷 형태에 의해서 다중층 전극(210) 상에 배치되는 유기 발광층(230)을 화소별로 분리한다. 유기 발광층(230)은 증발법(Evaporation)과 같은 증착 물질의 직진성이 우수한 증착 공정을 통해 구성됨으로써 다중층 전극(210)의 언더컷 형태에 의해 분리된다. 따라서, 본 발명의 일 예에 따른 다중층 전극(210)은 안쪽까지 유기 발광층(230)이 침투하지 않고 노출될 수 있으며, 유기 발광층(230)이 분리되어 화소간의 불량구동을 방지하는 효과가 있다. 이때, 제2 다중층 전극(213)은 은(Ag)으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 제3 다중층 전극(215)은 제2 다중층 전극(213) 상에 배치된다. 이때, 본 발명의 일 예에 따른 제3 다중층 전극(215)은 열을 가하면 습식 에칭이 되지 않는 재질로 구성될 수 있으며, 일 예로 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이와 같은 본 발명의 일 예에 따른 다중층 전극(210)은 언더컷 형태를 가짐으로써, 유기 발광층(230)이 분리되고 다중층 전극(210)이 노출되어 제2 전극(240)과 다중층 전극(210)이 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명의 일 예에 따른 다중층 전극(210)은 언더컷 형태에 의해 노출된 제1 다중층 전극(211)의 일측과 제2 전극(240)이 연결됨으로써, 제1 다중층 전극(211)의 타측과 연결된 연결 전극(175) 및 보조 전극(110)과 전기적으로 연결되고, 보조 전극(110)에 의해서 제2 전극(240)의 저항을 감소시키는 효과가 있다.
다중층 전극(210)을 언더컷 형태로 구성하지 않는 경우에는, 보조 전극(110)과 연결되는 연결 전극(175)을 노출시키기 위해서, 유기 발광층(240)을 증착할 때 연결 전극(175)의 상면을 가리는 마스크 패턴이 필요하게 되고, 이에 따른 추가 공정이 발생하게 된다. 그러나, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층(230)을 액티브 영역(AA)에 전면 증착 하면서도, 다중층 전극(210)의 언더컷 형태에 의해서 유기 발광층(240)을 분리시킬 수 있으며, 노출된 다중층 전극(210)에 제2 전극(240)을 연결시킬 수 있다.
상기 뱅크(220)는 패시베이션층(180)과 평탄화층(190)의 측면을 감싸며 제1 전극(200) 상에 배치된다. 뱅크(220)는 제1 전극(200)의 일측 및 타측과 중첩될 수 있다. 이러한 뱅크(220)는 제1 전극(200)을 구획한다. 이때, 뱅크(220)는 유기절연물질 예를 들어, 폴리이미드계 수지(polyimides resin), 아크릴계 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 유기 발광층(230)은 제1 전극(200) 상에 배치된다. 유기 발광층(230)은 액티브 영역(AA)의 제1 기판(100) 상에 전면 증착되며, 다중층 전극(210)에 의해서 분리된다. 이러한, 유기 발광층(230)은 정공 주입층(Hole Injecting Layer), 정공 수송층(Hole Transporting Layer), 발광층(Emitting Layer), 전자 수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer)의 조합으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 당업계에 공지된 다양한 구조로 변경될 수 있다.
상기 제2 전극(240)은 유기 발광층(230) 상에 배치된다. 제2 전극(240)은 유기 발광층(230)에서부터 연장되어 제1 기판(100) 상에 전체적으로 배치되고, 다중층 전극(210)에 의해서 보조 전극(110)과 전기적으로 연결된다. 이러한 제2 전극(240)은 제1 전극(200)과 함께 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층(230)으로 이동되며, 상기 유기 발광층(230)에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 이때, 제2 전극(240)은 매우 얇은 두께의 일함수가 낮은 금속성 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(240)은 은(Ag), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등과 같은 금속성 물질이 사용될 수 있다.
상기 제2 기판(300)은 제1 기판(100)과 마주보도록 제2 전극(240) 상에 배치된다. 제2 기판(300)과 제1 기판(100) 사이에는 봉지층이 배치될 수 있으며, 봉지층은 유기 발광 표시 장치 내부로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 봉지층은 접착 물질이 포함되어, 제1 기판(100)과 제2 기판(300)을 합착할 수 있다. 봉지층은 당업계에 공지된 다양한 재료가 이용될 수 있다. 이때, 제2 기판(300)에는 컬러 필터(310)가 배치될 수 있다.
상기 컬러 필터(310)는 각각의 화소 영역에 대응되도록 제2 기판(300) 상에 배치된다. 컬러 필터(310)는 각 화소 영역에 대응되는 적색, 녹색, 및 청색의 컬러 필터로 이루어질 수 있으며, 상기 적색, 녹색, 및 청색의 컬러 필터 사이에 색의 혼합을 방지하는 차광층(320)이 포함될 수 있다.
상기 패드 영역(PA)은 제1 기판(100) 및 버퍼층(120) 상에 제1 신호 패드(135), 제2 신호 패드(155), 및 제3 신호 패드(177)를 포함한다.
상기 제1 신호 패드(135)는 버퍼층(120) 상에 배치된다. 제1 신호 패드(135)는 액티브층(130)과 동일한 층에 이격되어 배치되며, 액티브층(130)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제2 신호 패드(155)는 제1 신호 패드(135) 상에 배치된다. 제2 신호 패드(155)는 게이트 전극(150)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 신호 패드(155)는 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 제3 신호 패드(177)는 층간 절연층(160) 상에 배치되며, 층간 절연층(160)에 구비된 컨택홀에 의해서 제2 신호 패드(155)와 연결된다. 이때, 제3 신호 패드(177)는 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있다. 특히, 본 발명의 일 예에 따른 연결 전극(175)은 예를 들어, 차례로 적층된 MoTi/Cu/MoTi로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이와 같은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 액티브 영역(AA)에 배치된 다중층 전극(210)이 언더컷 형태를 가짐으로써, 유기 발광층(230)이 분리되어 화소간의 불량구동을 방지하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 다중층 전극(210)의 언더컷 형태에 의해서 추가 공정 없이 유기 발광층(240)을 액티브 영역(AA)에 전면 증착하면서도, 다중층 전극(210)을 노출시킬 수 있는 효과가 있다. 따라서, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 노출된 제1 다중층 전극(211)의 일측과 제2 전극(240)이 연결됨으로써, 제1 다중층 전극(211)의 타측과 연결된 연결 전극(175) 및 보조 전극(110)과 전기적으로 연결되고, 보조 전극(110)에 의해서 제2 전극(240)의 저항을 감소시키는 효과가 있다.
도 2 내지 도 9는 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. 이는 전술한 도 1에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.
우선, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 기판(100) 상에 보조 전극(110)을 형성하고, 버퍼층(120)을 형성한다. 그런 다음, 버퍼층(120) 상에 박막 트랜지스터(T), 연결 전극(175), 및 신호 패드(135, 155, 177)를 형성한다.
상기 박막 트랜지스터(T)를 형성하는 공정은 제1 기판(100) 상에 액티브층(130)을 형성하고, 액티브층(130) 상에 게이트 절연층(140)을 형성하고, 게이트 절연층(140) 상에 게이트 전극(150)을 형성하고, 게이트 전극(150) 상에 층간 절연층(160)을 형성하고, 층간 절연층(160)에 컨택홀을 형성하여 층간 절연층(160) 상에 소스 및 드레인 전극(171, 173)이 컨택홀을 통해서 액티브층(130)과 연결되도록 형성하는 공정을 포함한다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)의 형성 공정은 당업계에 공지된 다양한 방법을 이용할 수 있다.
상기 연결 전극(175)을 형성하는 공정은 버퍼층(120) 및 층간 절연층(160)에 컨택홀을 형성하고, 층간 절연층(160) 상에 연결 전극(175)이 컨택홀을 통해서 보조 전극(110)과 연결되도록 형성하는 공정을 포함한다.
상기 신호 패드(135, 155, 177)를 형성하는 공정은 버퍼층(120) 상에 제1 신호 패드(135)를 형성하고, 제1 신호 패드(135) 상에 제2 신호 패드(155)를 형성하고, 제2 신호 패드(155) 상에 층간 절연층(160)을 형성하고, 층간 절연층(160)에 컨택홀을 형성하고, 층간 절연층(160) 상에 제3 신호 패드(177)가 컨택홀을 통해서 제2 신호 패드(155)와 연결되도록 형성하는 공정을 포함한다. 이때, 제1 신호 패드(135)를 형성하는 공정은 박막 트랜지스터(T)의 액티브층(130)을 형성하는 공정과 동일한 공정으로 동시에 이루어질 수 있다. 또한, 제2 신호 패드(155)를 형성하는 공정은 박막 트랜지스터(T)의 게이트 전극(150)을 형성하는 공정과 동일한 공정으로 동시에 이루어질 수 있다. 또한, 제3 신호 패드(177)를 형성하는 공정은 연결 전극(175), 소스 전극(171), 및 드레인 전극(173)을 형성하는 공정과 동일한 공정으로 동시에 이루어질 수 있다.
버퍼층(120) 상에 박막 트랜지스터(T), 연결 전극(175), 및 신호 패드(135, 155, 177)를 형성한 다음, 제1 기판(100) 상부 전면에 패시베이션층(180)을 형성하고, 패시베이션층(180) 상에 평탄화층(190)을 형성하고, 연결 전극(175), 드레인 전극(173), 및 신호 패드(135, 155, 177)를 노출시킨 후, 제1 기판(100) 상부 전면에 다중층 배선(210a)을 형성한다. 다중층 배선(210a)은 차례로 적층된 제1 다중층 배선(211a), 제2 다중층 배선(213a), 및 제3 다중층 배선(215a)으로 구성될 수 있다.
그런 다음, 도 3에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(T) 상부와 연결 전극(175) 상부에 하프톤(half tone) 마스크를 이용하여 뱅크(220)를 패턴 형성한다.
그런 다음, 도 4에 도시된 바와 같이, 뱅크(220)를 마스크로 다중층 배선(210a)을 패터닝(patterning)하여 제1 전극(200) 및 다중층 전극(210)을 형성한다.
그런 다음, 도 5에 도시된 바와 같이, 애싱(ashig) 공정으로 제1 전극(200) 및 다중층 전극(210) 상에 형성된 뱅크(220)의 일부를 식각하여 제거한다.
그런 다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 큐어링(curing) 공정으로 뱅크(220)에 열을 가하여 퍼짐성을 증가시켜 뱅크(220)가 제1 전극(200)의 양측을 덮도록 유동시킨다.
그런 다음, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 전극(200) 및 다중층 전극(210)을 열처리한 뒤, 습식 에칭(wet etching) 공정으로 다중층 전극(210)을 언더컷 형태로 형성한다. 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 다중층 전극(210)은 차례로 적층된 제1 다중층 전극(211), 제2 다중층 전극(213), 및 제3 다중층 전극(215)을 포함하며, 제1 다중층 전극(211) 및 제3 다중층 전극(215)은 일 예로 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 구성될 수 있다. 인듐-틴-옥사이드(ITO)는 도전성 물질로, 비정질 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 열처리 하면, 결정화 인듐-틴-옥사이드(ITO)가 되어 저항이 낮아지고, 습식 에칭(wet etching) 공정을 하더라도 깎이지 않는다. 따라서, 열처리된 제1 전극(200)의 노출된 부분과 제1 및 제3 다중층 전극(213)은 습식 에칭 공정을 하더라도 깎이지 않는다. 그러나, 외부로 노출된 제2 다중층 전극(213)은 습식 에칭 공정에 의해서 안쪽으로 파이게 된다. 따라서, 본 발명의 일 예에 따른 다중층 전극(210)은 제1 및 제3 다중층 전극(211, 215) 보다 길이가 짧은 제2 다중층 전극(213)에 의해서 언더컷(undercut) 형태를 가진다.
그런 다음, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 기판(100) 액티브 영역(AA) 전면에 유기 발광층(230) 및 제2 전극(240)을 형성한다. 유기 발광층(230)은 증발법(Evaporation)과 같은 증착 물질의 직진성이 우수한 증착 공정으로 형성됨으로써 다중층 전극(210)의 언더컷 형태에 의해 분리된다. 제2 전극(240)은 분리된 유기 발광층(230)에 의해 노출된 제1 다중층 전극(211)과 연결된다.
그런 다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 컬러 필터(310)와 차광층(320)이 형성된 제2 기판(300)을 제1 기판(100)과 합착한다.
이와 같은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 보조 전극(110)과 연결되는 연결 전극(175)을 노출시키기 위한 별도의 마스크 패턴 없이, 언더컷 형태의 다중층 전극(210)을 형성함으로써, 제2 전극(240)을 전면 증착하면서도 보조 전극(110)과 전기적으로 연결시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 제1 기판 110: 보조 전극
120: 버퍼층 130: 액티브층
140: 게이트 절연층 150: 게이트 전극
160: 층간 절연층 171, 173: 소스 및 드레인 전극
175: 연결 전극 180: 패시베이션층
190: 평탄화층 200: 제1 전극
210: 다중층 전극 220: 뱅크
230: 유기 발광층 240: 제2 전극
300: 제2 기판 310: 컬러 필터
320: 차광층

Claims (15)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판 위에 있는 보조 전극;
    상기 제1 기판 위에서 상기 보조 전극의 일단 및 타단을 덮는 버퍼층;
    상기 버퍼층 위에 있는 액티브층;
    상기 액티브층과 중첩된 게이트 전극;
    상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연층;
    상기 층간 절연층 위에서 상기 액티브층과 연결된 소스 전극 및 드레인 전극;
    상기 층간 절연층 위에서 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 이격된 연결 전극;
    상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 연결 전극 위에 있는 패시베이션층;
    상기 드레인 전극과 연결된 제1 전극; 및
    상기 연결 전극을 통해 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 다중층 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극과 상기 다중층 전극은 동일한 적층 구조를 갖는, 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다중층 전극은 차례로 적층된 제1 다중층 전극, 제2 다중층 전극, 및 제3 다중층 전극을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 다중층 전극과 상기 제1 전극은 동일한 물질을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 패시베이션층과 상기 제1 전극 사이에 구성된 평탄화층을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상기 제1 기판과 접촉된, 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 연결 전극은 상기 보조 전극의 상면을 노출시키도록 상기 버퍼층 및 상기 층간 절연층에 구성된 컨택홀을 통해 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된, 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 연결 전극은 상기 컨택홀이 구성된 상기 버퍼층 및 상기 층간 절연층의 측면에 배치된, 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 전극의 일측 및 타측을 덮고, 상기 다중층 전극 위에 구성된 뱅크;
    상기 제1 전극 위에 있는 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 위에 있는 제2 전극;
    상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판;
    상기 제2 전극과 마주보도록 상기 제2 기판에 구성된 컬러 필터; 및
    상기 뱅크와 중첩되도록 상기 컬러 필터 사이에 구성된 차광층을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 연결 전극 및 상기 다중층 전극을 통해 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된, 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 다중층 전극은 언더컷 형태를 갖는, 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 다중층 전극 및 상기 제3 다중층 전극은 상기 다중층 전극 위에 구성된 뱅크보다 상기 제1 전극 방향으로 돌출되고,
    상기 제2 전극은 상기 제1 다중층 전극과 연결되며, 상기 제2 다중층 전극과 이격된, 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 유기 발광층은 상기 다중층 전극에 의해서 각 화소 별로 서로 분리된, 유기 발광 표시 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 및 제3 다중층 전극은 열을 가하면 습식 에칭이 되지 않는 재질로 구성된, 유기 발광 표시 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 다중층 전극은 상기 컬러 필터와 비중첩된, 유기 발광 표시 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 다중층 전극은 상기 패시베이션층과 비중첩된, 유기 발광 표시 장치.
KR1020230140221A 2016-06-10 2023-10-19 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 KR20230148316A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020230140221A KR20230148316A (ko) 2016-06-10 2023-10-19 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160072620A KR102593335B1 (ko) 2016-06-10 2016-06-10 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
KR1020230140221A KR20230148316A (ko) 2016-06-10 2023-10-19 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160072620A Division KR102593335B1 (ko) 2016-06-10 2016-06-10 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230148316A true KR20230148316A (ko) 2023-10-24

Family

ID=60931680

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160072620A KR102593335B1 (ko) 2016-06-10 2016-06-10 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
KR1020230140221A KR20230148316A (ko) 2016-06-10 2023-10-19 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
KR1020230140220A KR20230150920A (ko) 2016-06-10 2023-10-19 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160072620A KR102593335B1 (ko) 2016-06-10 2016-06-10 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230140220A KR20230150920A (ko) 2016-06-10 2023-10-19 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (3) KR102593335B1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102537760B1 (ko) * 2017-12-22 2023-05-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR102482990B1 (ko) * 2017-12-27 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치
KR102482991B1 (ko) * 2017-12-28 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치
KR102248402B1 (ko) 2018-04-19 2021-05-04 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102596361B1 (ko) * 2018-11-26 2023-10-30 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210079615A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN112310306B (zh) * 2020-10-19 2022-04-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN112289946B (zh) * 2020-10-21 2022-04-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN112310310A (zh) * 2020-10-23 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示器及其制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100579198B1 (ko) * 2004-09-08 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
EP2475226B1 (en) * 2009-08-31 2017-08-02 Joled Inc. Light emitting element and method for producing the same, and light emitting device
KR102553212B1 (ko) * 2014-07-08 2023-07-10 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20160033571A (ko) * 2014-09-17 2016-03-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
KR102320591B1 (ko) * 2014-10-30 2021-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR102178471B1 (ko) * 2014-11-11 2020-11-16 엘지디스플레이 주식회사 대면적 투명 유기발광 다이오드 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170139957A (ko) 2017-12-20
KR20230150920A (ko) 2023-10-31
KR102593335B1 (ko) 2023-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102593335B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
US11818924B2 (en) Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US11189814B2 (en) Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR101879180B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP3182458B1 (en) Organic light emitting diode display device
KR102506532B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9287531B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR101927334B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US11056509B2 (en) Display device having a plurality of thin-film transistors with different semiconductors
KR102575459B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
US20190123300A1 (en) Thin film transistor element substrate, method of producing the substrate, and organic el display device including the thin film transistor element substrate
US10854845B2 (en) Display device
KR102381901B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102595445B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20160093679A1 (en) Organic light-emitting diode display
KR20130138615A (ko) 평판 표시장치 및 그 제조방법
JP6837410B2 (ja) 発光領域を含むディスプレイ装置
TW201611263A (zh) 顯示裝置及其製造方法
KR20160091529A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20170065069A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20150040668A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2005056846A (ja) 有機電界発光素子及びその製造方法
KR20160141315A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102340734B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
JP2007179914A (ja) Ｅｌ装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent