KR20230123867A - 고주파전원, 레이저장치 - Google Patents

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KR20230123867A
KR20230123867A KR1020220154980A KR20220154980A KR20230123867A KR 20230123867 A KR20230123867 A KR 20230123867A KR 1020220154980 A KR1020220154980 A KR 1020220154980A KR 20220154980 A KR20220154980 A KR 20220154980A KR 20230123867 A KR20230123867 A KR 20230123867A
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코이치 미야자키
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스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤
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Abstract

간헐동작하는 부하의 동작주파수를 높이는 것이 가능한 전원장치를 제공한다.
고주파전원(200A)은, 풀브리지회로(210), 트랜스(T1), 필터(220A)를 구비한다. 트랜스(T1)의 1차 권선(W1)은, 풀브리지회로(210)와 접속된다. 필터(220A)는, 적어도 시리즈인덕터를 포함하고, 풀브리지회로(210)에서 부하를 본 임피던스(Zin)가, 스위칭주파수(Fsw) 및 3차 고조파(3Fsw) 및 5차 고조파(5Fsw)에 있어서 유도성이 되도록, 풀브리지회로(210)와 부하의 사이에 배치된다.

Description

고주파전원, 레이저장치{HIGH FREQUENCY POWER SUPPLY, LASER APPARATUS}
본 출원은 2022년 2월 17일에 출원된 일본 특허출원 제2022-023215호에 근거하여 우선권을 주장한다. 그 출원의 전체 내용은 이 명세서 중에 참고로 원용되어 있다.
본 개시는, 고주파전원에 관한 것이다.
산업용의 가공툴로서, 레이저가공장치가 널리 보급되어 있다. 도 1은, 레이저가공장치(1r)의 블록도이다. 레이저가공장치(1r)는, CO2 레이저 등의 레이저광원(2)과, 레이저광원(2)에 교류전력을 공급하고, 여진시키는 레이저구동장치(4r)를 구비한다. 레이저구동장치(4r)는, 직류전원(6) 및 고주파전원(8)을 구비한다. 직류전원(6)은 정전압원이며, PID(Proportional-Integral-Differential) 제어나 PI 제어 등을 이용한 피드백 제어에 의하여 그 출력인 직류전압(VDC)을 목푯값으로 안정화시킨다.
고주파전원(8)은, 직류전압(VDC)을 받아, 직류전력을 원하는 고주파전력으로 변환한다. 교류전력은, 부하인 레이저광원(2)에 공급된다.
도 2는, 고주파전원(8) 및 레이저광원(2)의 등가회로도이다. 고주파전원(8)은, 풀브리지회로(H브리지회로)(20)와, 트랜스(T1)를 포함한다. 풀브리지회로(20)는, 하이사이드 트랜지스터(MH1) 및 로사이드 트랜지스터(ML1)를 포함하는 레그와, 하이사이드 트랜지스터(MH2) 및 로사이드 트랜지스터(ML2)를 포함하는 레그를 구비한다. 트랜스(T1)의 1차 권선은, 풀브리지회로(20)와 접속된다.
레이저광원(2)은, 레이저공진기(24)와, 인덕터(L1, L2)를 구비한다. 레이저공진기(24)는, 대향하는 방전전극대를 포함하고, 방전전극대가 정전용량을 형성한다. 트랜스(T1)의 2차 권선과 레이저공진기(24)의 사이에는, 인덕터(L1, L2)가 삽입된다. 인덕터(L1, L2)에 의하여, 부하(22)의 공진주파수가, 고주파전원(8)의 스위칭주파수와 일치하도록 조절된다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 특개1997-129953호
본 발명자는, 도 2의 고주파전원(8) 및 레이저광원(2)에 대하여 검토한 결과, 이하의 과제를 인식하기에 이르렀다.
도 3은, 도 2의 풀브리지회로(20)의 등가회로도이다. 도 3에는, 하이사이드 트랜지스터(MH1) 및 로사이드 트랜지스터(ML1)를 포함하는 1개의 레그가 나타난다. 하이사이드 트랜지스터(MH1)의 게이트에는 하이전압이 인가되어 있고, 온 상태이며, 로사이드 트랜지스터(ML1)의 게이트에는 로전압이 인가되어 있고, 오프 상태이다. 이 상태에서는, 풀브리지회로(20)의 출력전압(Vout)은 하이(Vcc)이며, 하이사이드 트랜지스터(MH1)의 드레인전류(Ids)가, 부하(22)에 공급된다.
상술한 바와 같이, 부하(22)의 공진주파수는, 고주파전원(8)의 스위칭주파수와 일치하도록 설계된다. 그런데, 트랜스(T1)나 배선은, 기생용량을 포함하고 있고, 이 기생용량의 영향으로, 부하(22)의 임피던스가, 용량성이 되는 경우가 있다. 부하임피던스가 용량성일 때, 하이사이드 트랜지스터(MH1)에 흐르는 변위전류(시간변동성분)(di/dt), 즉 교류성분이 증대된다.
하이사이드 트랜지스터(MH1) 및 로사이드 트랜지스터(ML1)는, 게이트소스간, 게이트드레인간에 기생용량을 갖는다. 전류(Ids)의 시간변동성분은, 로사이드 트랜지스터(ML1)의 게이트드레인간 용량(Cgd)을 경유하여, 로사이드 트랜지스터(ML1)의 게이트용량을 충전한다. 그 결과, 로사이드 트랜지스터(ML1)의 게이트소스간 전압(Vgs)이 상승하고, 임계값전압을 초과하면 로사이드 트랜지스터(ML1)가 턴온(게이트오점호(誤點弧)라고 한다)한다. 그 결과, 하이사이드 트랜지스터(MH1)와 로사이드 트랜지스터(ML1)가 동시에 온이 되어 관통전류가 흐른다. 특히, 레이저전원 등의 대용량, 고주파스위칭이 요구되는 애플리케이션에서는, 인버터의 파워트랜지스터에, 고속동작이 가능한 SiC 디바이스가 채용되고 있다. SiC 디바이스를 MHz대에서 스위칭시키면, 게이트드레인간의 기생용량(Cgd) 등의 파라미터에 따라, 게이트오점호가 발생할 가능성이 있다.
도 4는, 도 2의 풀브리지회로(20)의 동작파형도이다. 도 4의 상단은 출력전압(Vout)을 나타내고 있고, 하단은, 로사이드 트랜지스터(ML1)의 게이트전압(Vgs)을 나타내고 있다. 시각 t0~t1은, 로출력기간이며, 하이사이드 트랜지스터(MH1)가 오프, 로사이드 트랜지스터(ML1)가 온이다. 로출력기간에 있어서, 로사이드 트랜지스터(ML1)의 게이트전압(Vgs)은, 하이전압으로 되어 있다.
시각 t1에, 로출력기간으로부터 하이출력기간으로 천이한다. 하이출력기간에서는, 하이사이드 트랜지스터(MH1)가 온, 로사이드 트랜지스터(ML1)가 오프이다. 시각 t1에, 로사이드 트랜지스터(ML1)의 게이트에는, 로(0V)의 게이트전압(Vgs)이 인가된다. 시각 t2에, 게이트오점호가 발생하면, 게이트전압(Vgs)이 진동한다. 만약, 게이트전압(Vgs)이, 트랜지스터의 게이트 부(負)측의 허용전압(내압)을 초과하면, 트랜지스터의 신뢰성에 악영향을 미쳐 버린다. 특히, SiC 디바이스는, 부측의 내압(耐壓)이 낮기 때문에, 부전압의 인가를 억제할 필요가 있다.
본 개시는 이러한 상황에 있어서 이루어진 것이며, 그 일 양태의 예시적인 목적의 하나는, 트랜지스터의 오점호를 억제 가능한 고주파전원의 제공에 있다.
본 개시의 일 양태의 고주파전원은, 풀브리지회로와, 1차 권선이 풀브리지회로와 접속되는 트랜스와, 적어도 시리즈인덕터를 포함하고, 풀브리지회로에서 부하를 본 임피던스가 스위칭주파수 및 3차 고조파 및 5차 고조파에 있어서 유도성이 되도록, 풀브리지회로와 부하의 사이에 배치되는 필터회로를 구비한다.
다만, 이상의 구성요소를 임의로 조합한 것, 구성요소나 표현을, 방법, 장치, 시스템 등의 사이에서 서로 치환한 것도 또한, 본 발명의 양태로서 유효하다.
본 개시의 일 양태에 의하면, 트랜지스터의 오점호를 억제할 수 있다.
도 1은 레이저가공장치의 블록도이다.
도 2는 고주파전원 및 레이저광원의 등가회로도이다.
도 3은 도 2의 인버터의 등가회로도이다.
도 4는 도 2의 인버터의 동작파형도이다.
도 5는 실시형태 1에 관한 레이저장치의 블록도이다.
도 6의 (a)~(d)는, 필터의 구성예를 나타내는 회로도이다.
도 7은 풀브리지회로에서 부하를 본 임피던스(Zin)를 나타내는 스미스차트이다.
도 8은 실시형태 2에 관한 레이저장치의 블록도이다.
도 9의 (a)~(d)는, 필터의 구성예를 나타내는 회로도이다.
도 10은 레이저장치를 구비하는 레이저가공장치를 나타내는 도이다.
본 개시의 몇 개의 예시적인 실시형태의 개요를 설명한다. 이 개요는, 후술하는 상세한 설명의 서론으로서, 실시형태의 기본적인 이해를 목적으로 하여, 1개 또는 복수의 실시형태의 몇 개의 개념을 간략화하여 설명하는 것이며, 발명 혹은 개시의 넓이를 한정하는 것은 아니다. 이 개요는, 생각할 수 있는 모든 실시형태의 포괄적인 개요가 아니며, 모든 실시형태의 중요한 요소를 특정하는 것도, 일부 또는 모든 양태의 범위를 구분하는 것도 의도하고 있지 않다. 편의상, "일 실시형태"는, 본 명세서에 개시하는 하나의 실시형태(실시예나 변형예) 또는 복수의 실시형태(실시예나 변형예)를 가리키는 것으로서 이용하는 경우가 있다.
일 실시형태에 관한 고주파전원은, 풀브리지회로와, 1차 권선이 풀브리지회로와 접속되는 트랜스와, 적어도 시리즈인덕터를 포함하고, 풀브리지회로에서 부하를 본 임피던스가 스위칭주파수 및 3차 고조파 및 5차 고조파에 있어서 유도성이 되도록, 풀브리지회로와 부하의 사이에 배치되는 필터회로를 구비한다.
이 구성에 의하면, 풀브리지회로의 부하임피던스가, 기본파 및 고조파의 주파수에 있어서 유도성이 됨으로써, 하이사이드 트랜지스터의 드레인전류의 시간미분성분이 억제된다. 이로써, 로사이드 트랜지스터의 게이트드레인간 용량을 개재한 게이트용량의 충전을 억제하고, 로사이드 트랜지스터의 게이트오점호를 방지할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 필터회로는, 트랜스의 2차 권선과 부하의 사이에 마련되어도 된다.
일 실시형태에 있어서, 필터회로는, 풀브리지회로와 트랜스의 1차 권선의 사이에 마련되어도 된다.
일 실시형태에 있어서, 필터회로는, LC 필터여도 된다.
일 실시형태에 있어서, 필터회로는, T형 필터여도 된다.
일 실시형태에 있어서, 필터회로는, π형 필터여도 된다.
일 실시형태에 있어서, 필터회로는, 시리즈인덕터만을 포함해도 된다.
일 실시형태에 있어서, 부하는, 레이저공진기를 포함해도 된다.
일 실시형태에 있어서, 풀브리지회로는, SiC 트랜지스터로 구성되어도 된다.
(실시형태)
이하, 적합한 실시형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 각 도면에 나타나는 동일 또는 동등의 구성요소, 부재, 처리에는, 동일한 부호를 붙이는 것으로 하고, 적절히 중복된 설명은 생략한다. 또, 실시형태는, 개시 및 발명을 한정하는 것이 아니라 예시이며, 실시형태에 기술되는 모든 특징이나 그 조합은, 반드시 개시 및 발명의 본질적인 것에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, "부재 A가, 부재 B와 접속된 상태"란, 부재 A와 부재 B가 물리적으로 직접적으로 접속되는 경우 외에, 부재 A와 부재 B가, 그들의 전기적인 접속상태에 실질적인 영향을 미치지 않거나, 혹은 그들의 결합에 의하여 나타나는 기능이나 효과를 저해하지 않는, 그 외의 부재를 개재하여 간접적으로 접속되는 경우도 포함한다.
동일하게, "부재 C가, 부재 A와 부재 B의 사이에 접속된(마련된) 상태"란, 부재 A와 부재 C, 혹은 부재 B와 부재 C가 직접적으로 접속되는 경우 외에, 그들의 전기적인 접속상태에 실질적인 영향을 미치지 않거나, 혹은 그들의 결합에 의하여 나타나는 기능이나 효과를 저해하지 않는, 그 외의 부재를 개재하여 간접적으로 접속되는 경우도 포함한다.
또 본 명세서에 있어서, 전압신호, 전류신호 등의 전기신호, 혹은 저항, 커패시터, 인덕터 등의 회로소자에 붙여진 부호는, 필요에 따라 각각의 전압값, 전륫값, 혹은 회로상수(저항값, 용량값, 인덕턴스)를 나타내는 것으로 한다.
도 5는, 실시형태 1에 관한 레이저장치(100A)의 블록도이다. 레이저장치(100A)는, 레이저광원(110) 및 고주파전원(200A)을 구비한다. 레이저광원(110)은, 예를 들어 CO2 레이저이며, 레이저공진기(112) 및 인덕터(L1, L2)를 포함한다. 인덕터(L1, L2)의 인덕턴스는, 고주파전원(200A)의 스위칭주파수(Fsw)에 있어서, 인덕터(L1, L2) 및 레이저공진기(112)를 포함하는 레이저광원(110)의 임피던스가 실수(實數)가 되도록, 바꾸어 말하면, 레이저광원(110)의 공진주파수(f0)가, 고주파전원(200A)의 스위칭주파수(Fsw)와 일치하도록 조정되어 있다.
고주파전원(200A)에는, 도시하지 않은 전원회로로부터, 직류전압(Vdc)이 공급된다. 고주파전원(200A)의 출력은 레이저광원(110)에 접속되어 있다. 고주파전원(200A)은, 여진신호에 따라, 레이저광원(110)에 교류의 구동전압을 간헐적으로 공급한다. 즉 고주파전원(200A)은, 여진신호가 여진을 지시하는 기간(예를 들면 하이), 액티브가 되고, 레이저광원(110)에 교류의 구동전압(VDRV)을 공급한다. 고주파전원(200A)은, 여진신호가 정지를 지시하는 기간(예를 들면 로), 비액티브가 되고, 레이저광원(110)으로의 전력공급이 정지한다. 고주파전원(200A)의 스위칭주파수(Fsw)는, 1MHz 이상이다. 또 고주파전원(200A)의 출력전력은, 1kW 이상이 된다.
고주파전원(200A)은, 풀브리지회로(210), 트랜스(T1) 및 필터(220A)를 구비한다.
풀브리지회로(210)는, 하이사이드 트랜지스터(MH1, MH2), 로사이드 트랜지스터(ML1, ML2)를 포함한다. 이들 트랜지스터(MH1, MH2, ML1, ML2)는, 고속스위칭이 가능한 SiC를 이용할 수 있다. 트랜스(T1)는, 1차 권선(W1), 2차 권선(W2)을 포함한다. 1차 권선(W1)은, 풀브리지회로(210)와 접속된다.
필터(220A)는, 트랜스(T1)의 2차 권선(W2)과 레이저광원(110)의 사이에 접속된다. 필터(220A)는, 적어도 시리즈인덕터를 포함한다. 필터(220A)의 회로형식 및 회로상수는, 풀브리지회로(210)에서 부하(114)측을 본 임피던스(Zin)가, 스위칭주파수(Fsw) 및 3차 고조파(3Fsw) 및 5차 고조파(5Fsw)에 있어서 유도성이 되도록 설계된다.
도 6의 (a)~(d)는, 필터(220A)의 구성예를 나타내는 회로도이다. 상술한 바와 같이, 필터(220)는, 시리즈인덕터(L3)를 포함한다. 도 6의 (a)의 필터(220A)는, LC 필터이며, 시리즈인덕터(L3)에 더하여, 션트커패시터(C3)를 포함한다. 도 6의 (b)의 필터(220A)는, π형 필터이며, 시리즈인덕터(L3)에 더하여, 2개의 션트커패시터(C3, C4)를 포함한다. 도 6의 (c)의 필터(220A)는, T형 필터이며, 2개의 시리즈인덕터(L3, L4)와, 션트커패시터(C3)를 포함한다. 도 6의 (d)의 필터(220A)는, 시리즈인덕터(L3)만을 포함한다.
도 6의 (a)~(d)에서는, 필터(220A)는, 도 5의 인덕터(L1)에 대하여 직렬로 마련되어 있지만, 인덕터(L2)에 대하여 직렬로 마련해도 된다. 혹은 도 6의 (a)~(d)의 필터(220A)를, 인덕터(L1, L2) 각각에 대하여 직렬로 마련해도 된다.
이상이 레이저장치(100A)의 구성이다.
도 7은, 풀브리지회로(210)에서 부하(114)측을 본 임피던스(Zin)를 나타내는 스미스차트이다. 스위칭주파수(Fsw)의 기본파, 3차 고조파(3Fsw), 5차 고조파(5Fsw)의 모두에 있어서, 임피던스(Zin)의 허수부(虛部)는 정(正)이며, 즉 유도성으로 되어 있다.
고주파전원(200A)의 동작을 설명한다. 풀브리지회로(210)에서 부하(114)측을 본 임피던스가 유도성으로 됨으로써, 전류지연모드에서의 동작이 되고, 소프트스위칭이 가능해져, 하이사이드 트랜지스터(MH1)의 드레인전류(Ids)의 시간변동성분(dIds/dt)이 작아진다. 이로써, 로사이드 트랜지스터(ML1)의 게이트드레인간 용량(Cgd)을 개재한, 로사이드 트랜지스터(ML1)의 게이트용량의 충전이 억제되어, 게이트전압(Vgs)의 상승을 억제할 수 있다. 이로써, 로사이드 트랜지스터(ML1)의 게이트오점호를 억제할 수 있다.
로사이드 트랜지스터(ML1)의 게이트오점호를 억제함으로써, 관통전류를 방지할 수 있다. 또한, 게이트오점호에 기인하는 게이트전압(Vgs)의 진동을 억제할 수 있고, 나아가서는 게이트소스간 전압이 내압을 초과하는 것을 방지할 수 있어, 신뢰성을 개선할 수 있다.
도 8은, 실시형태 2에 관한 레이저장치(100B)의 블록도이다. 레이저장치(100B)는, 레이저광원(110) 및 고주파전원(200B)을 구비한다.
필터(220B)는, 풀브리지회로(210)와 트랜스(T1)의 1차 권선(W1)의 사이에 삽입된다. 그 외는, 도 5와 동일하다.
도 9의 (a)~(d)는, 필터(220B)의 구성예를 나타내는 회로도이다. 도 9의 (a)~(c)의 필터(220B)는 각각, LC형, π형, T형이다. 도 6의 (a)~(c)의 필터(220A)가, 대접지(對接地)로 구성되어 있던 것에 대하여, 도 9의 (a)~(c)의 필터(220B)의 션트커패시터는, 플로팅으로 접속된다.
실시형태 2에 관한 고주파전원(200B)에 의해서도, 실시형태 1과 동일한 효과가 얻어진다.
(용도)
계속해서 레이저장치(100)의 용도를 설명한다. 도 10은, 레이저장치(100)를 구비하는 레이저가공장치(300)를 나타내는 도이다. 레이저가공장치(300)는, 대상물(302)에 레이저펄스(304)를 조사하고, 대상물(302)을 가공한다. 대상물(302)의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 또 가공의 종류도, 펀칭(드릴), 절단 등이 예시되지만, 그에 한정되지는 않는다.
레이저가공장치(300)는, 레이저장치(100), 광학계(310), 제어장치(320), 스테이지(330)를 구비한다. 대상물(302)은 스테이지(330) 상에 재치되며, 필요에 따라 고정된다. 스테이지(330)는, 제어장치(320)로부터의 위치제어신호(S2)에 따라, 대상물(302)을 위치결정하고, 대상물(302)과 레이저펄스빔(304)의 조사위치를 상대적으로 스캔한다. 스테이지(330)는, 1축, 2축(XY) 혹은 3축(XYZ)일 수 있다.
레이저장치(100)는, 제어장치(320)로부터의 트리거신호(여진신호)(S1)에 따라 발진하여, 레이저펄스(306)을 발생한다. 광학계(310)는, 레이저펄스(306)를 대상물(302)에 조사한다. 광학계(310)의 구성은 특별히 한정되지 않으며, 빔을 대상물(302)로 유도하기 위한 미러군, 빔정형을 위한 렌즈나 애퍼처 등을 포함할 수 있다.
제어장치(320)는, 레이저가공장치(300)를 통괄적으로 제어한다. 구체적으로는 제어장치(320)는, 레이저장치(100)에 대하여 간헐적으로 트리거신호(S1)를 출력한다. 또 제어장치(320)는, 가공처리를 기술하는 데이터(레시피)에 따라 스테이지(330)를 제어하기 위한 위치제어신호(S2)를 생성한다.
이상, 본 발명에 대하여, 몇 개의 실시형태를 기초로 설명했다. 이들 실시형태는 예시이며, 그들의 각 구성요소나 각 처리프로세스의 조합에 다양한 변형예가 가능한 것, 또 그러한 변형예도 본 발명의 범위에 있는 것은 당업자에게 이해되는 바이다. 이하, 이러한 변형예에 대하여 설명한다.
(변형예 1)
도 5의 고주파전원(200A)에 있어서, 필터(220A)와 인덕터(L1, L2)를 일체로 구성해도 된다.
(변형예 2)
고주파전원(200)의 용도는, 레이저장치에 한정되지 않는다. 예를 들어 1MHz 이상의 스위칭주파수(Fsw)로 동작하는 풀브리지회로는, 이온주입장치 등에도 이용할 수 있다.
(변형예 3)
실시형태에서는, 풀브리지회로(210)를 SiC로 구성했지만 그에 한정되지 않으며, 그 외의 파워트랜지스터로 구성해도 된다.
실시형태는, 본 발명의 원리, 응용의 일측면을 나타내고 있는 것에 지나지 않고, 실시형태에는, 청구범위에 규정된 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위에 있어서, 많은 변형예나 배치의 변경이 인정된다.
100 레이저장치
200 고주파전원
210 풀브리지회로
220 필터
T1 트랜스
W1 1차 권선
W2 2차 권선
MH 하이사이드 트랜지스터
ML 로사이드 트랜지스터
110 레이저광원
112 레이저공진기
114 부하

Claims (10)

  1. 풀브리지회로와,
    1차 권선이 상기 풀브리지회로와 접속되는 트랜스와,
    적어도 시리즈인덕터를 포함하고, 상기 풀브리지회로에서 부하를 본 임피던스가 스위칭주파수 및 3차 고조파 및 5차 고조파에 있어서 유도성이 되도록, 상기 풀브리지회로와 상기 부하의 사이에 배치되는 필터회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파전원.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 필터회로는, 상기 트랜스의 2차 권선과 상기 부하의 사이에 마련되는 것을 특징으로 하는 고주파전원.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 필터회로는, 상기 풀브리지회로와 상기 트랜스의 상기 1차 권선의 사이에 마련되는 것을 특징으로 하는 고주파전원.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필터회로는, LC 필터인 것을 특징으로 하는 고주파전원.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필터회로는, T형 필터인 것을 특징으로 하는 고주파전원.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필터회로는, π형 필터인 것을 특징으로 하는 고주파전원.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필터회로는, 상기 시리즈인덕터만을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파전원.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부하는, 레이저공진기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파전원.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 풀브리지회로는, SiC 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 고주파전원.
  10. 레이저광원과,
    상기 레이저광원에, 교류전압을 공급하는 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 고주파전원을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저장치.
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