KR20230122591A - 연마용 조성물 - Google Patents

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KR20230122591A
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요시유키 다나베
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가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드
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Abstract

본 발명은, 실리콘 웨이퍼의 연마에 있어서, 높은 연마 속도를 실현할 수 있는 수단을 제공한다. 본 발명은, 실리콘 웨이퍼를 연마하기 위해 사용되는 연마용 조성물이며, 최고 피점 궤도(HOMO)의 에너지 준위가 -9.50eV 이상인 질소 함유 유기 화합물과, 물을 포함하는, 연마용 조성물에 관한 것이다.

Description

연마용 조성물
본 발명은, 연마용 조성물에 관한 것이다.
실리콘, 알루미늄, 니켈, 텅스텐, 구리, 탄탈, 티타늄, 스테인리스강 등의 금속 혹은 반도체, 또는 이들의 합금; 탄화규소, 질화갈륨, 비소화갈륨 등의 화합물 반도체 웨이퍼 재료 등은, 평탄화 등의 각종 요구에 의해 연마가 이루어지고, 각종 분야에서 응용되고 있다.
고평탄이며 흠집이나 불순물이 없는 고품질의 경면을 갖는 미러 웨이퍼는, 집적 회로 등의 반도체 소자에 사용되지만, 이 미러 웨이퍼를 제작하기 위한 단결정 실리콘 기판(실리콘 웨이퍼)을 연마하는 기술에 대해서는, 각종 연구가 이루어져 있다.
예를 들어, 국제 공개 제2015/102101호에서는, 콜로이달 실리카, 약산염 및 제4급 암모늄 화합물을 포함하는 연마용 조성물이며, 약산염 및 제4급 암모늄 화합물의 함유량이 특정의 범위인 연마용 조성물이 제안되어 있다.
그러나, 국제 공개 제2015/102101호에 기재된 기술에서는, 더 한층의 연마 속도의 향상이 요구되고 있었다.
따라서, 본 발명은, 실리콘 웨이퍼의 연마에 있어서, 높은 연마 속도를 실현할 수 있는 수단을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제는, 실리콘 웨이퍼를 연마하기 위해 사용되는 연마용 조성물이며, 최고 피점 궤도(HOMO)의 에너지 준위가 -9.50eV 이상인 질소 함유 유기 화합물과, 물을 포함하는, 연마용 조성물에 의해 해결된다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시 형태에만 한정되지는 않는다. 또한, 특기하지 않는 한, 조작 및 물성 등의 측정은 실온(20℃ 이상 25℃ 이하의 범위)/상대 습도 40％RH 이상 50％RH 이하의 조건에서 측정한다.
이하, 본 발명의 연마용 조성물에 대해서, 상세를 설명한다.
[연마용 조성물]
본 발명의 일 형태는, 실리콘 웨이퍼를 연마하기 위해 사용되는 연마용 조성물이며, 최고 피점 궤도(HOMO)의 에너지 준위(이하, 간단히 「HOMO 준위」라고도 칭함)가 -9.50eV 이상인 질소 함유 유기 화합물과, 물을 포함하는, 연마용 조성물이다. 이러한 본 발명의 연마용 조성물에 의하면, 실리콘 웨이퍼를 높은 연마 속도로 연마할 수 있다.
본 발명의 연마용 조성물에 의해 상기 효과가 얻어지는 작용 기서는 불분명하지만, 이하와 같이 생각된다. 본 발명에 관한 질소 함유 유기 화합물은, HOMO 준위가 -9.50eV 이상이며, 질소 원자의 비공유 전자쌍은 높은 친핵성을 갖는다. 이 비공유 전자쌍이 실리콘 웨이퍼 표면에 친핵 공격을 함으로써, 실리콘 웨이퍼의 규소-규소 결합은 약해진다. 이에 의해, 실리콘 웨이퍼의 막 표면(즉, 연마면)이 취화되기 때문에, 실리콘 웨이퍼의 연마 속도가 향상된다고 생각된다.
또한, 상기 메커니즘은 추측에 기초하는 것이고, 그 정오(正誤)가 본원의 기술적 범위에 영향을 미치는 것은 아니다.
[연마 대상물]
본 발명에 관한 연마용 조성물은, 실리콘 웨이퍼를 연마하는 용도에 사용된다. 여기서, 실리콘 웨이퍼는 단결정 실리콘 기판이나, 다결정 실리콘 기판과 같이 단체 실리콘을 포함하는 것이어도 되고, 단체 실리콘을 포함하는 층과 그 이외의 층으로 구성되는 것이어도 된다. 또한 실리콘 웨이퍼는 불순물 정도의 함유량으로 실리콘 이외의 원소가 포함되는 것은 허용된다. 따라서, 상기 실리콘 웨이퍼는 붕소 등의 p형 도펀트나, 인 등의 n형 도펀트를 포함하고 있어도 된다. 실리콘 웨이퍼의 결정 방위도 특별히 제한되지 않고, <100>, <110>, <111> 중 어느 것이어도 된다. 또한, 실리콘 웨이퍼의 저항률에도 특별히 제한은 없다. 실리콘 웨이퍼의 두께는, 예를 들어 600 내지 1000㎛이지만, 특별히 한정되는 것은 아니다. 실리콘 웨이퍼의 구경도 제한되지 않고, 어떤 구경의 웨이퍼에도 적응 가능하다.
이어서, 본 발명의 연마용 조성물의 구성 성분에 대하여 설명한다.
[질소 함유 유기 화합물]
본 발명에 관한 연마용 조성물은, HOMO 준위가 -9.50eV 이상인 질소 함유 유기 화합물을 포함한다. 당해 질소 함유 유기 화합물은 실리콘 웨이퍼 표면에 친핵 공격을 행하여, 실리콘 웨이퍼의 규소-규소 결합은 약해진다. 이에 의해, 실리콘 웨이퍼의 막 표면(즉, 연마면)이 취화되기 때문에, 실리콘 웨이퍼의 연마 속도가 향상된다고 생각된다.
본 명세서에 있어서, HOMO 준위는 반경험적 분자 궤도법 프로그램 MOPAC의 해밀토니안인 PM7법(Parametric Method 7)을 사용하여 산출되는 값을 채용한다.
질소 함유 유기 화합물의 HOMO 준위가 -9.50eV 미만인 경우, 실리콘 웨이퍼의 연마 속도가 저하된다. 당해 HOMO 준위는 바람직하게는 -9.30eV 이상, 보다 바람직하게는 -9.20eV 이상이다. HOMO 준위의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 통상 0eV 이하이다.
상기 질소 함유 유기 화합물에 포함되는 질소 원자의 수는 1 이상이면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 여기에 개시되는 기술에 있어서, 상기 질소 함유 유기 화합물로서는, 분자 중에 질소 원자를 1 이상 10 이하 포함하는 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 질소 함유 유기 화합물에 포함되는 질소 원자의 수의 하한은, 1 이상이어도 되고, 2 이상이어도 되고, 3 이상이어도 되고, 4 이상이어도 된다. 상기 질소 함유 유기 화합물에 포함되는 질소 원자의 수의 상한은, 10 이하여도 되고, 8 이하여도 되고, 6 이하여도 되고, 5 이하여도 되고, 4 이하여도 된다.
여기서, 질소 함유 유기 화합물에 포함되는 질소 원자는 포화 복소환 내에 있어도 되고, 포화 복소환 외에 있어도 된다. 포화 복소환 내에 포함되는 질소 원자의 수의 하한은 1 이상이어도 되고, 2 이상이어도 되고, 3 이상이어도 되고, 4 이상이어도 된다. 포화 복소환 내에 포함되는 질소 원자의 수의 상한은 5 이하여도 되고, 4 이하여도 되고, 3 이하여도 되고, 2 이하여도 된다. 포화 복소환 외에 포함되는 질소 원자의 수의 하한은 1 이상이어도 되고, 2 이상이어도 되고, 3 이상이어도 되고, 4 이상이어도 된다. 포화 복소환 외에 포함되는 질소 원자의 수의 상한은 5 이하여도 되고, 4 이하여도 되고, 3 이하여도 되고, 2 이하여도 된다.
본 발명에 있어서 사용되는 질소 함유 유기 화합물의 예를 이하에 나타낸다. 또한, 괄호 내의 수치는 HOMO 준위의 값이다.
디에틸아민(-8.91eV), 에틸렌디아민(-9.45eV), 1-(3-아미노프로필)이미다졸(-9.42eV), 피페라진(-8.96eV), N-(2-아미노에틸)피페라진(-8.90eV), 1,4-비스(3-아미노프로필)피페라진(-8.59eV), 4-아미노피페리딘(-9.17eV), 시스-1,2-시클로헥산디아민(-9.13eV), 1,4-디아자비시클로[2,2,2]옥탄(DABCO)(-8.65eV), 트리에틸렌테트라민(-8.87eV), 1,8-디아자비시클로[5,4,0]운데카-7-엔(DBU)(-8.55eV), 1,5-디아자비시클로[4,3,0]논-5-엔(DBN)(-8.70eV), 퀴누클리딘(1-아자비시클로[2,2,2]옥탄)(-8.91eV), 호모퀴누클리딘(1-아자비시클로[3,2,2]노난)(-8.57eV), 그라나탄(9-메틸-9-아자비시클로[3,3,1]노난)(-8.50eV) 등을 들 수 있다.
상기 질소 함유 유기 화합물은 1종 단독으로도 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 상기 질소 함유 유기 화합물은 시판품을 사용해도 되고, 합성품을 사용해도 된다.
이들 질소 함유 유기 화합물 중에서도, 포화 탄화수소환기 또는 질소 원자를 1개 포함하는 포화 복소환기를 갖는 화합물이 바람직하다. 이러한 화합물은, 불포화 결합을 갖지 않음으로써 질소 원자 상의 고립 전자쌍의 전자 국재화에 의해, 실리콘 웨이퍼 표면에의 친핵 공격이 보다 효율적으로 일어난다고 생각된다. 따라서, 실리콘 웨이퍼의 연마 속도가 더욱 높아진다고 생각된다.
포화 탄화수소환기 또는 질소 원자를 1개 포함하는 포화 복소환기를 갖는 화합물은, 단환식 화합물이어도 되고, 다환식 화합물이어도 된다. 다환식 화합물의 환끼리의 결합의 형식은 환 집합, 가교, 축합, 스피로 축합 등, 특별히 제한되지 않는다.
상기 포화 탄화수소환의 예로서는, 예를 들어 시클로프로판환, 시클로부탄환, 시클로펜탄환, 시클로헥산환, 시클로헵탄환, 시클로옥탄환, 노르보르난환, 보르난환, 아다만탄환, 테트라히드로나프탈렌환, 비시클로[2.2.2]옥탄환 등을 들 수 있다.
상기 질소 원자를 1개 포함하는 포화 복소환의 예로서는, 예를 들어 아제티딘환, 피롤리딘환, 모르폴린환, 티오모르폴린환, 피페리딘환, 헥사히드로아제핀환, 아자비시클로[3.2.1]옥탄환, 1,4-헥사히드로옥사제핀환, 옥타히드로아조신환, 옥타히드로인돌환, 3-아자비시클로[3.1.0]헥산환, 1-아자비시클로[2,2,2]옥탄환, 1-아자비시클로[3,2,2]노난환, 9-아자비시클로[3,3,1]노난환 등을 들 수 있다.
포화 탄화수소환기 또는 질소 원자를 1개 포함하는 포화 복소환기를 갖는 질소 함유 유기 화합물의 보다 구체적인 예로서는, 예를 들어 4-아미노피페리딘(-9.17eV), 시스-1,2-시클로헥산디아민(-9.13eV), 퀴누클리딘(1-아자비시클로[2,2,2]옥탄)(-8.91eV), 호모퀴누클리딘(1-아자비시클로[3,2,2]노난)(-8.57eV), 그라나탄(9-메틸-9-아자비시클로[3,3,1]노난)(-8.50eV) 등을 들 수 있다.
연마용 조성물이 그대로 연마액으로서 사용되는 경우, 상기 질소 함유 유기 화합물의 함유량(농도)의 하한은, 연마용 조성물 전량에 대하여 0.20mM(M은 mol/L) 이상인 것이 바람직하고, 0.50mM 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.00mM 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 연마용 조성물이 그대로 연마액으로서 사용되는 경우, 상기 질소 함유 유기 화합물의 함유량(농도)의 상한은, 연마용 조성물 전량에 대하여 10.0mM 이하인 것이 바람직하고, 5.0mM 이하인 것이 보다 바람직하고, 3.0mM 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 함유량의 범위라면, 실리콘 웨이퍼를 높은 연마 속도로 연마할 수 있다.
또한, 연마용 조성물이 희석되어 연마에 사용되는 경우, 즉 해당 연마용 조성물이 농축액인 경우, 질소 함유 유기 화합물의 함유량의 상한은, 보존 안정성 등의 관점에서, 연마용 조성물 전량에 대하여 100mM 이하인 것이 바람직하고, 50mM 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 농축액으로 하는 것의 이점을 살리는 관점에서, 질소 함유 유기 화합물의 함유량의 하한은, 연마용 조성물 전량에 대하여 10mM 이상인 것이 바람직하고, 20mM 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 질소 함유 유기 화합물을 2종 이상 조합하여 사용하는 경우에는, 상기 함유량은 2종 이상의 질소 함유 유기 화합물의 합계 함유량을 가리킨다.
질소 함유 유기 화합물의 함유량은, 연마용 조성물에 포함되는 지립과의 상대적 관계에 의해서도 특정될 수 있다. 구체적으로는, 연마용 조성물에 있어서의 질소 함유 유기 화합물의 함유량은, 지립 100질량부에 대하여 대략 0.01질량부 이상으로 하는 것이 적당하고, 연마 속도 향상의 관점에서, 바람직하게는 대략 0.1질량부 이상, 보다 바람직하게는 대략 0.5질량부 이상(예를 들어 대략 0.6질량부 이상)이다. 또한, 연마면의 품질 향상의 관점에서, 질소 함유 유기 화합물의 함유량은, 지립 100질량부에 대하여 대략 10질량부 이하로 하는 것이 적당하고, 바람직하게는 대략 5질량부 이하, 보다 바람직하게는 대략 3질량부 이하(예를 들어 대략 2.5질량부 이하)이다.
또한, 질소 함유 유기 화합물의 함유량은, 연마용 조성물에 포함되는 염기성 화합물의 함유량과의 상대적 관계에 의해서도 특정될 수 있다. 구체적으로는, 염기성 화합물의 함유량(CB)에 대한 질소 함유 유기 화합물의 함유량(CN)의 비(CN/CB)는, 0.001 이상으로 하는 것이 적당하고, 연마 속도 향상의 관점에서, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.05 이상(예를 들어 0.1 이상)이다. 또한, 연마면의 품질 향상의 관점에서, 상기 비(CN/CB)는 1000 이하로 하는 것이 적당하고, 바람직하게는 200 이하, 보다 바람직하게는 100 이하이며, 20 이하(예를 들어 10 이하)여도 된다.
[물]
본 발명에 관한 연마용 조성물은, 각 성분을 분산 또는 용해시키기 위해 분산매로서 물을 포함한다. 물은, 실리콘 웨이퍼의 오염이나 다른 성분의 작용을 저해하는 것을 방지하는 관점에서, 불순물을 가능한 한 함유하지 않는 것이 바람직하다. 이러한 물로서는, 예를 들어 전이 금속 이온의 합계 함유량이 100ppb 이하인 물이 바람직하다. 여기서, 물의 순도는, 예를 들어 이온 교환 수지를 사용하는 불순물 이온의 제거, 필터에 의한 이물의 제거, 증류 등의 조작에 의해 높일 수 있다. 구체적으로는, 물로서는, 예를 들어 탈이온수(이온 교환수), 순수, 초순수, 증류수 등을 사용하는 것이 바람직하다.
각 성분의 분산 또는 용해를 위해서, 물과 유기 용매를 병용해도 되고, 유기 용매는 단독으로도 또는 2종 이상 조합으로도 사용할 수 있다. 이 경우, 사용되는 유기 용매로서는, 물과 혼화되는 유기 용매인 아세톤, 아세토니트릴, 에탄올, 메탄올, 이소프로판올, 글리세린, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등을 들 수 있다. 또한, 이들 유기 용매를 물과 혼합하지 않고 사용하여, 각 성분을 분산 또는 용해시킨 후에, 물과 혼합해도 된다.
[지립]
본 발명의 연마용 조성물은 지립을 포함하는 것이 바람직하다. 연마용 조성물 중에 포함되는 지립은, 실리콘 웨이퍼를 기계적으로 연마하는 작용을 갖는다.
본 발명에 사용되는 지립은 1종 단독으로도 또는 2종 이상 조합으로도 사용할 수 있다. 지립으로서는, 무기 입자, 유기 입자 및 유기 무기 복합 입자 중 어느 것이어도 된다. 무기 입자의 구체예로서는, 예를 들어 실리카, 알루미나, 세리아, 티타니아 등의 금속 산화물을 포함하는 입자, 질화규소 입자, 탄화규소 입자, 질화붕소 입자를 들 수 있다. 유기 입자의 구체예로서는, 예를 들어 폴리메타크릴산메틸(PMMA) 입자를 들 수 있다. 또한, 해당 지립은 시판품을 사용해도 되고 합성품을 사용해도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서 특별히 언급이 없는 한, 지립은 표면 수식되지 않은 것을 가리킨다.
이들 지립 중에서도, 실리카가 바람직하고, 특히 바람직한 것은 콜로이달 실리카이다.
지립의 평균 1차 입자경의 하한은 10nm 이상인 것이 바람직하고, 15nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 20nm 이상인 것이 더욱 바람직하고, 30nm 이상인 것이 더욱 바람직하고, 40nm 이상인 것이 보다 더욱 바람직하고, 50nm 이상인 것이 특히 바람직하다. 이러한 범위라면, 높은 연마 속도를 유지할 수 있기 때문에, 조연마 공정에 있어서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 지립의 평균 1차 입자경의 상한은 200nm 이하인 것이 바람직하고, 150nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 100nm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 몇 가지의 양태에 있어서, 평균 1차 입자경은 75nm 이하여도 되고, 60nm 이하여도 된다. 이러한 범위라면, 연마 후의 실리콘 웨이퍼의 표면에 결함이 발생하는 것을 보다 억제할 수 있다. 또한, 지립의 평균 1차 입자경은, 예를 들어 BET법으로 측정되는 지립의 비표면적에 기초하여 산출된다.
지립의 평균 2차 입자경의 하한은 15nm 이상인 것이 바람직하고, 30nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 40nm 이상인 것이 더욱 바람직하고, 50nm 이상인 것이 보다 더욱 바람직하고, 60nm 이상(예를 들어 80nm 이상)인 것이 특히 바람직하다. 이러한 범위라면, 높은 연마 속도를 유지할 수 있다. 또한, 지립의 평균 2차 입자경의 상한은 300nm 이하인 것이 바람직하고, 260nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 220nm 이하인 것이 더욱 바람직하고, 150nm 이하(예를 들어 130nm 이하)인 것이 특히 바람직하다. 이러한 범위라면, 연마 후의 실리콘 웨이퍼의 표면에 결함이 발생하는 것을 보다 억제할 수 있다. 지립의 평균 2차 입자경은 동적 광산란법에 의해 측정할 수 있다. 예를 들어, 오츠카 덴시 가부시키가이샤제의 형식 「FPAR-1000」 또는 그 상당품을 사용하여 측정할 수 있다.
지립의 평균 회합도는 1.2 이상인 것이 바람직하고, 1.4 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.5 이상인 것이 더욱 바람직하다. 여기서 평균 회합도란 지립의 평균 2차 입자경의 값을 평균 1차 입자경의 값으로 제산함으로써 얻어진다. 지립의 평균 회합도는 1.2 이상이면, 연마 속도가 향상되는 유리한 효과가 있어, 바람직하다. 또한, 지립의 평균 회합도는 4 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3.5 이하, 더욱 바람직하게는 3 이하이다. 지립의 평균 회합도가 작아짐에 따라서, 연마용 조성물을 사용하여 연마 대상물을 연마하는 것에 의한 표면 결함이 적은 연마면이 얻어지기 쉽다.
연마용 조성물이 그대로 연마액으로서 사용되는 경우, 지립의 함유량은 연마용 조성물에 대하여 0.1질량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.4질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.0질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 지립의 함유량의 증대에 의해, 연마 속도가 향상된다. 또한, 연마용 조성물이 그대로 연마액으로서 사용되는 경우, 스크래치 방지 등의 관점에서, 지립의 함유량은 통상은 10질량％ 이하가 적당하고, 5질량％ 이하가 바람직하고, 3질량％ 이하가 보다 바람직하고, 2질량％ 이하가 더욱 바람직하다. 지립의 함유량을 적게 하는 것은, 경제성의 관점에서도 바람직하다.
또한, 연마용 조성물이 희석되어 연마에 사용되는 경우, 즉 해당 연마용 조성물이 농축액인 경우, 지립의 함유량은, 보존 안정성이나 여과성 등의 관점에서, 통상은 연마용 조성물에 대하여 50질량％ 이하인 것이 바람직하고, 40질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 농축액으로 하는 것의 이점을 살리는 관점에서, 지립의 함유량은 1질량％ 이상인 것이 바람직하고, 5질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 지립을 2종 이상 조합하여 사용하는 경우에는, 상기 함유량은 2종 이상의 지립 합계 함유량을 가리킨다.
[염기성 화합물]
본 발명에 관한 연마용 조성물은 염기성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 염기성 화합물이란, 연마용 조성물에 첨가됨으로써 해당 조성물의 pH를 상승시키는 기능을 갖는 화합물이며, 상기 HOMO 준위가 -9.50eV 이상인 질소 함유 유기 화합물 이외의 화합물을 가리킨다. 염기성 화합물은 연마 대상이 되는 면을 화학적으로 연마하는 작용을 하고, 연마 속도의 향상에 기여할 수 있다. 또한, 염기성 화합물은 연마용 조성물의 분산 안정성의 향상에 도움이 될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 염기성 화합물은 단독으로도 또는 2종 이상 조합으로도 사용할 수 있다. 염기성 화합물로서는, 질소를 포함하는 무기의 염기성 화합물, 알칼리 금속 또는 제2족 금속의 수산화물, 각종 탄산염이나 탄산수소염; 수산화 제4급 암모늄 또는 그의 염; 암모니아, 아민 등을 들 수 있다. 알칼리 금속의 수산화물의 구체예로서는, 수산화칼륨, 수산화나트륨 등을 들 수 있다. 탄산염 또는 탄산수소염의 구체예로서는, 탄산수소암모늄, 탄산암모늄, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨 등을 들 수 있다. 수산화 제4급 암모늄 또는 그의 염의 구체예로서는, 수산화테트라메틸암모늄(TMAH), 수산화테트라에틸암모늄, 수산화테트라부틸암모늄 등을 들 수 있다. 아민의 구체예로서는, 헥사메틸렌테트라민; 이미다졸이나 트리아졸 등의 아졸류; 피리딘 등을 들 수 있다.
연마 속도 향상 등의 관점에서, 바람직한 염기성 화합물로서, 암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산암모늄, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨 및 탄산나트륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종를 들 수 있다. 그 중에서도 보다 바람직한 것으로서, 암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄 및 탄산칼륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 예시된다.
연마용 조성물이 그대로 연마액으로서 사용되는 경우, 연마용 조성물 중의 염기성 화합물의 함유량(농도)의 하한은 3mM 이상인 것이 바람직하고, 5mM 이상인 것이 보다 바람직하다. 이러한 범위라면, 높은 연마 속도를 유지할 수 있다. 또한, 염기성 화합물의 농도 증가에 의해, 안정성도 향상시킬 수 있다. 또한, 연마용 조성물이 그대로 연마액으로서 사용되는 경우, 상기 염기성 화합물의 함유량(농도)의 상한은 50mM 이하인 것이 바람직하고, 30mM 이하인 것이 보다 바람직하고, 10mM 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 연마용 조성물이 희석되어 연마에 사용되는 경우, 즉 해당 연마용 조성물이 농축액인 경우, 염기성 화합물의 함유량(농도)의 상한은, 보존 안정성이나 여과성 등의 관점에서, 400mM 이하인 것이 바람직하고, 350mM 이하인 것이 보다 바람직하고, 300mM 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 농축액으로 하는 것의 이점을 살리는 관점에서, 염기성 화합물의 함유량(농도)의 하한은 50mM 이상인 것이 바람직하고, 100mM 이상인 것이 보다 바람직하고, 150mM 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 염기성 화합물을 2종 이상 조합하여 사용하는 경우, 상기 함유량은 2종 이상의 염기성 화합물의 합계 함유량을 가리킨다.
[기타 성분]
본 발명에 관한 연마용 조성물은, 본 발명의효과를 현저하게 방해할 수 없는 범위에서, 수용성 고분자, 계면 활성제, 킬레이트제, 방부제, 곰팡이 방지제 등의, 연마용 조성물에 사용될 수 있는 공지된 첨가제를, 필요에 따라서 더 함유해도 된다.
상기 수용성 고분자의 예로서는, 셀룰로오스 유도체, 전분 유도체, 옥시알킬렌 단위를 포함하는 폴리머, 질소 원자를 함유하는 폴리머, 비닐알코올계 폴리머 등을 들 수 있다. 구체예로서는, 히드록시에틸셀룰로오스, 풀루란, 에틸렌옥사이드와 프로필렌옥사이드의 랜덤 공중합체나 블록 공중합체, 폴리비닐알코올, 아세탈화폴리비닐알코올, 비닐알코올과 알킬렌옥사이드의 공중합체, 폴리이소프렌술폰산, 폴리비닐술폰산, 폴리알릴술폰산, 폴리이소아밀렌술폰산, 폴리스티렌술폰산염, 폴리아크릴산염, 폴리아세트산비닐, 폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐이미다졸, 폴리비닐카르바졸, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐카프로락탐, 폴리비닐피페리딘, 폴리아크릴로일모르폴린, 폴리히드록시아크릴아미드 등을 들 수 있다. 수용성 고분자는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 여기에 개시되는 연마용 조성물은, 수용성 고분자를 실질적으로 포함하지 않는 양태, 즉, 적어도 의도적으로는 수용성 고분자를 함유시키지 않는 양태에서도 바람직하게 실시될 수 있다.
(계면 활성제)
본 발명의 연마용 조성물은, 필요에 따라서 비이온성 계면 활성제, 양이온성 계면 활성제, 음이온성 계면 활성제 등의 계면 활성제를 더 포함해도 된다.
본 발명에 사용할 수 있는 비이온성 계면 활성제는, 단독으로도 또는 2종 이상 조합으로도 사용할 수 있다. 비이온성 계면 활성제의 예로서는, 알킬베타인, 알킬아민옥시드, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시알킬렌알킬에테르, 소르비탄지방산에스테르, 글리세린지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민 및 알킬알칸올아미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 연마용 조성물의 분산 안정성 향상의 관점에서, 폴리옥시알킬렌알킬에테르가 바람직하고, 폴리옥시에틸렌알킬에테르가 보다 바람직하다.
연마용 조성물이 그대로 연마액으로서 사용되는 경우, 비이온성 계면 활성제의 함유량은, 연마용 조성물에 대하여 바람직하게는 0.00001질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.00002질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 0.00003질량％ 이상이다. 이러한 범위라면, 연마용 조성물의 분산 안정성이 향상된다. 연마용 조성물이 그대로 연마액으로서 사용되는 경우, 비이온성 계면 활성제의 함유량의 상한은 0.002질량％ 이하로 하는 것이 적당하고, 높은 연마 속도를 유지하는 관점에서, 바람직하게는 0.001질량％ 이하이다.
또한, 연마용 조성물이 희석되어 연마에 사용되는 경우, 즉 해당 연마용 조성물이 농축액인 경우, 비이온성 계면 활성제의 함유량은, 보존 안정성이나 여과성 등의 관점에서, 통상은 0.1질량％ 이하인 것이 적당하고, 0.05질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 농축액으로 하는 것의 이점을 살리는 관점에서, 비이온성 계면 활성제의 함유량은 0.0001질량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.0002질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.0005질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 비이온성 계면 활성제를 2종 이상 조합하여 사용하는 경우에는, 상기 함유량은 2종 이상의 비이온성 계면 활성제의 합계 함유량을 가리킨다.
(킬레이트제)
연마용 조성물에 포함될 수 있는 킬레이트제는, 단독으로도 또는 2종 이상을 조합해도 사용할 수 있다. 킬레이트제로서는, 아미노카르복실산계 킬레이트제 및 유기 포스폰산계 킬레이트제를 들 수 있다. 아미노카르복실산계 킬레이트제의 예에는, 에틸렌디아민사아세트산, 에틸렌디아민사아세트산나트륨, 니트릴로삼아세트산, 니트릴로삼아세트산나트륨, 니트릴로삼아세트산암모늄, 히드록시에틸에틸렌디아민삼아세트산, 히드록시에틸에틸렌디아민삼아세트산나트륨, 디에틸렌트리아민오아세트산, 디에틸렌트리아민오아세트산나트륨, 트리에틸렌테트라민육아세트산 및 트리에틸렌테트라민육아세트산나트륨이 포함된다. 유기 포스폰산계 킬레이트제의 예에는, 2-아미노에틸포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산)(EDTPO), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 에탄-1,1-디포스폰산, 에탄-1,1,2-트리포스폰산, 에탄-1-히드록시-1,1-디포스폰산, 에탄-1-히드록시-1,1,2-트리포스폰산, 에탄-1,2-디카르복시-1,2-디포스폰산, 메탄히드록시포스폰산, 2-포스포노부탄-1,2-디카르복실산, 1-포스포노부탄-2,3,4-트리카르복실산 및 α-메틸포스포노숙신산이 포함된다. 이들 중, 유기 포스폰산계 킬레이트제가 보다 바람직하다. 그 중에서도 바람직한 것으로서, 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산) 및 디에틸렌트리아민오아세트산을 들 수 있다. 특히 바람직한 킬레이트제로서, 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산) 및 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)을 들 수 있다.
연마용 조성물이 그대로 연마액으로서 사용되는 경우, 킬레이트제의 함유량의 하한은, 연마용 조성물에 대하여 0.0001질량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.001질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.002질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 킬레이트제의 함유량의 상한은 1질량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.5질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.3질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.15질량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.
또한, 연마용 조성물이 희석되어 연마에 사용되는 경우, 즉 해당 연마용 조성물이 농축액인 경우, 킬레이트제의 함유량은, 보존 안정성이나 여과성 등의 관점에서, 통상은 5질량％ 이하인 것이 적당하고, 3질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.5질량％ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 농축액으로 하는 것의 이점을 살리는 관점에서, 킬레이트제의 함유량은 0.001질량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.01질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.05질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 킬레이트제를 2종 이상 조합하여 사용하는 경우에는, 상기 함유량은 2종 이상의 킬레이트제 합계 함유량을 가리킨다.
연마용 조성물에 포함될 수 있는 방부제 및 곰팡이 방지제는, 단독으로도 또는 2종 이상 조합으로도 사용할 수 있다. 방부제 및 곰팡이 방지제로서는, 예를 들어 2-메틸-4-이소티아졸린-3-온이나 5-클로로-2-메틸-4-이소티아졸린-3-온 등의 이소티아졸린계 방부제, 파라옥시벤조산에스테르류 및 페녹시에탄올 등을 들 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 산화제를 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다. 연마용 조성물 중에 산화제가 포함되어 있으면, 당해 조성물이 공급됨으로써 실리콘 웨이퍼의 표면이 산화되어 산화막이 발생하고, 이에 의해 연마 레이트가 저하되어버릴 수 있기 때문이다. 여기서, 연마용 조성물이 산화제를 실질적으로 함유하지 않는다는 것은, 적어도 의도적으로는 산화제를 배합하지 않는 것을 말하고, 원료나 제법 등에서 유래하여 미량의 산화제가 불가피하게 포함되는 것은 허용될 수 있다. 상기 미량이란, 연마용 조성물에 있어서의 산화제의 몰 농도가 0.0005몰/L 이하(바람직하게는 0.0001몰/L 이하, 보다 바람직하게는 0.00001몰/L 이하, 특히 바람직하게는 0.000001몰/L 이하)인 것을 말한다. 바람직한 일 형태에 관한 연마용 조성물은, 산화제를 함유하지 않는다. 여기에 개시되는 연마용 조성물은, 예를 들어 과산화수소, 과황산나트륨, 과황산암모늄 및 디클로로이소시아누르산나트륨을 모두 함유하지 않는 양태에서 바람직하게 실시될 수 있다.
[연마용 조성물의 특성]
본 발명에 관한 연마용 조성물은, 전형적으로는 해당 연마용 조성물을 포함하는 연마액의 형태로 상기 실리콘 웨이퍼에 공급되어, 그 실리콘 웨이퍼의 조연마에 사용된다. 본 발명에 관한 연마용 조성물은, 예를 들어 희석하여 연마액으로서 사용되는 것이어도 되고, 그대로 연마액으로서 사용되는 것이어도 된다. 여기서 희석이란, 전형적으로는 물에 의한 희석이다. 본 발명에 관한 기술에 있어서의 연마용 조성물의 개념에는, 실리콘 웨이퍼에 공급되어 연마에 사용되는 연마액(워킹 슬러리)과, 희석하여 연마에 사용되는 농축액(워킹 슬러리의 원액)의 양쪽이 포함된다. 상기 농축액의 농축 배율은, 예를 들어 체적 기준으로 2배 이상 140배 이하 정도로 할 수 있으며, 통상은 4배 이상 80배 이하 정도(예를 들어 5배 이상 50배 이하 정도)가 적당하다.
연마용 조성물이 그대로 연마액으로서 사용되는 경우, 연마용 조성물의 pH는 바람직하게는 8.0 이상이며, 보다 바람직하게는 8.5 이상이며, 보다 더욱 바람직하게는 9.5 이상이며, 특히 바람직하게는 10.0 이상(예를 들어 10.2 이상)이다. 연마용 조성물의 pH가 높아지면 연마 속도가 상승한다. 한편, 연마용 조성물이 그대로 연마액으로서 사용되는 경우, 연마용 조성물의 pH는 바람직하게는 12.0 이하이며, 보다 바람직하게는 11.5 이하이다. 연마용 조성물의 pH가 12.0 이하이면, 지립의 용해를 억제하여, 해당 지립에 의한 기계적인 연마 작용의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 연마용 조성물이 희석되어 연마에 사용되는 경우, 즉 해당 연마용 조성물이 농축액인 경우, 연마용 조성물의 pH는 바람직하게는 9.5 이상이며, 보다 바람직하게는 10.0 이상이며, 보다 더욱 바람직하게는 10.5 이상이다. 또한, 연마용 조성물의 pH는 12.0 이하인 것이 적당하고, 11.5 이하인 것이 바람직하다.
또한, 연마용 조성물의 pH는 pH 미터를 사용하여 측정할 수 있다. 표준 완충액을 사용하여 pH 미터를 3점 교정한 후에, 유리 전극을 연마용 조성물에 넣는다. 그리고, 2분 이상 경과하여 안정된 후의 값을 측정함으로써 연마용 조성물의 pH를 파악할 수 있다. pH 미터는, 예를 들어 가부시키가이샤 호리바 세이사꾸쇼제의 유리 전극식 수소 이온 농도 지시계(형식 번호 F-72)를 사용할 수 있다. 또한, 표준 완충액은, 예를 들어 프탈산염 pH 완충액 pH: 4.01, 중성 인산염 pH 완충액 pH: 6.86, 탄산염 pH 완충액 pH: 10.01이다. 여기서 pH는 25℃의 값이다.
본 발명에 관한 연마용 조성물은 일액형이어도 되고, 이액형을 비롯한 다액형이어도 된다. 다액형은 연마용 조성물의 일부 또는 전부를 임의의 혼합 비율로 혼합한 액의 조합이다. 또한, 연마용 조성물의 공급 경로를 복수 갖는 연마 장치를 사용한 경우, 연마 장치 상에서 연마용 조성물이 혼합되도록, 미리 조정된 2개 이상의 연마용 조성물을 사용해도 된다.
[연마용 조성물의 제조 방법]
본 발명의 연마용 조성물은, 예를 들어 각 성분을 수 중에서 교반 혼합함으로써 얻을 수 있다. 단, 이 방법에 제한되지 않는다. 또한, 각 성분을 혼합할 때의 온도는 특별히 제한되지 않지만, 10℃ 이상 40℃ 이하가 바람직하고, 용해 속도를 높이기 위해 가열해도 된다. 또한, 혼합 시간도 특별히 제한되지 않는다.
[연마 방법]
본 발명에 관한 연마용 조성물은, 예를 들어 이하의 조작을 포함하는 양태에서, 실리콘 웨이퍼의 연마 공정에 사용할 수 있다. 따라서, 본 발명은, 상기 연마용 조성물을 사용하여 실리콘 웨이퍼를 연마하는 연마 방법도 제공한다.
먼저, 본 발명에 관한 연마용 조성물을 준비한다. 이어서, 그 연마용 조성물을 실리콘 웨이퍼에 공급하고, 통상의 방법에 의해 연마를 행한다. 예를 들어, 일반적인 연마 장치에 실리콘 웨이퍼를 세팅하고, 해당 연마 장치의 연마 패드를 통하여 해당 실리콘 웨이퍼의 표면(연마 대상면)에 연마용 조성물을 공급한다. 전형적으로는, 상기 연마용 조성물을 연속적으로 공급하면서, 실리콘 웨이퍼의 표면에 연마 패드를 압박하여 양자를 상대적으로 이동(예를 들어 회전 이동)시킨다. 이러한 연마 공정을 거쳐서 실리콘 웨이퍼의 연마가 완료된다.
상기 공정에서 사용되는 연마 패드는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 폴리우레탄 타입, 부직포 타입, 스웨이드 타입, 지립을 포함하는 것, 지립을 포함하지 않는 것 등 중 어느 것을 사용해도 된다. 또한, 상기 연마 장치로서는, 실리콘 웨이퍼의 양면을 동시에 연마하는 양면 연마 장치를 사용해도 되고, 실리콘 웨이퍼의 편면만을 연마하는 편면 연마 장치를 사용해도 된다.
연마 조건도 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 연마 정반의 회전 속도는 10rpm 이상 500rpm 이하가 바람직하고, 실리콘 웨이퍼에 곱하는 압력(연마 압력)은 3kPa 이상 70kPa 이하, 예를 들어 3.45kPa 이상 69kPa 이하가 바람직하다. 연마 패드에 연마용 조성물을 공급하는 방법도 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 펌프 등으로 연속적으로 공급하는 방법이 채용된다. 이 공급량에 제한은 없지만, 연마 패드의 표면이 항상 본 발명의 연마용 조성물로 덮여 있는 것이 바람직하다.
상기 연마용 조성물은 소위 「흘려 보냄식」으로 사용되어도 되고, 순환하여 반복 사용되어도 된다. 여기서 흘려 보냄식이란, 일단 연마에 사용하면 1회용으로 하는 양태를 말한다. 연마용 조성물을 순환 사용하는 방법으로서 이하의 예를 들 수 있다. 연마 장치로부터 배출되는 사용 완료 연마용 조성물을 탱크 내에 회수하고, 회수한 연마용 조성물을 다시 연마 장치에 공급하는 방법이다. 연마용 조성물을 순환 사용하는 경우에는, 환경 부하를 저감시킬 수 있다. 흘려 보냄식으로 연마용 조성물을 사용하는 경우에 비해, 폐액으로서 처리되는 사용 완료 연마용 조성물의 양이 줄어들기 때문이다. 또한, 연마용 조성물의 사용량이 줄어듦으로써 비용을 억제할 수 있다.
[용도]
상술한 바와 같이, 본 발명의 연마용 조성물은 높은 연마 속도로 실리콘 웨이퍼를 연마할 수 있다. 이러한 특장을 살려, 여기에 개시되는 연마용 조성물은, 예비 연마 공정, 즉 폴리싱 공정에서의 최초의 연마 공정(1차 연마 공정) 혹은 그 다음의 중간 연마 공정(2차 연마 공정)에 있어서 특히 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 예비 연마 공정은 전형적으로는, 실리콘 웨이퍼의 양면을 동시에 연마하는 양면 연마 공정으로서 실시된다. 여기에 개시되는 연마용 조성물은 이러한 양면 연마 공정에 있어서 바람직하게 사용될 수 있다.
실시예
본 발명을, 이하의 실시예 및 비교예를 사용하여 더욱 상세하게 설명한다. 단, 본 발명의 기술적 범위가 이하의 실시예에만 제한되는 것은 아니다.
또한, 질소 함유 유기 화합물의 HOMO의 에너지 준위는, 반경험적 분자 궤도법 프로그램 MOPAC의 해밀토니안인 PM7법(Parametric Method 7)을 사용하여 계산하였다.
연마용 조성물의 pH는, 가부시키가이샤 호리바 세이사꾸쇼제의 pH 유리 전극식 수소 이온 농도 지시계(형식 번호 F-72)를 사용하여 측정하였다.
[연마용 조성물의 농축액 조제]
(실시예 1)
지립으로서 콜로이달 실리카(평균 1차 입자경 55nm) 33질량％, 염기성 화합물로서 수산화테트라메틸암모늄(TMAH)을 200mM, 및 질소 함유 유기 화합물로서 4-아미노피페리신을 40mM의 농도가 되도록, 상기 성분 및 이온 교환수를 실온(25℃)에서 30분 교반 혼합하여, 연마용 조성물의 농축액을 조제하였다. 각 예에 관한 연마용 조성물의 농축액 pH는 11.6이었다.
연마용 조성물의 농축액 각 성분의 함유량은, 이하와 같다:
콜로이달 실리카 33질량％
TMAH 200mM
4-아미노피페리신 40mM.
(실시예 2 내지 10)
4-아미노피페리신 대신에, 하기 표 1에 기재된 질소 함유 유기 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 연마용 조성물의 농축액을 조제하였다.
(비교예 1)
질소 함유 유기 화합물을 사용하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 연마용 조성물의 농축액을 조제하였다.
(비교예 2 내지 4)
4-아미노피페리신 대신에, 하기 표 1에 기재된 질소 함유 유기 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 연마용 조성물의 농축액을 조제하였다.
(연마 속도의 평가)
조제된 연마용 조성물의 농축액을, 이온 교환수를 사용하여 체적 기준으로 30배 희석하였다. 이 희석되어 조제된 연마용 조성물을 사용하여, 베어의 실리콘 웨이퍼(60mm×60mm, 전도형: P형, 결정 방위: <100>)를 이하의 연마 조건에서 편면 연마를 행하여, 연마 완료의 실리콘 웨이퍼를 얻었다. 또한, 희석 후의 연마용 조성물의 pH는 10.4였다:
<연마 조건>
연마기: 니혼 엔기스 가부시키가이샤제 탁상 연마기, EJ-380IN
패드: 폴리우레탄 패드 니타·듀퐁 가부시키가이샤제 SUBA800
연마 압력: 16kPa
연마용 조성물의 유량: 100L/min
정반 회전수: +50rpm(연마기 상방으로부터 보아, 반시계 방향을 정으로 함)
헤드 회전수: +45rpm(연마기 상방으로부터 보아, 반시계 방향을 정으로 함)
연마용 조성물의 유지 온도: 25℃
연마량: 4㎛
연마 시간: 14 내지 18분.
[연마 속도의 평가]
각 실시예 및 각 비교예의 연마용 조성물을 사용하여 실리콘 웨이퍼를 연마한 후, 하기 수식 (1) 내지 (3)을 따라서 연마 속도를 산출하였다.
Figure pct00001
또한, 하기 표 1의 연마 속도는, 비교예 1의 연마용 조성물을 사용한 경우의 연마 속도를 100％로 했을 때의 비율을 나타내고 있고, 수치가 클수록 연마 속도가 높은 것을 나타낸다.
평가 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
Figure pct00002
상기 표 1로부터 명백한 바와 같이, 실시예의 연마용 조성물을 사용한 경우, 실리콘 웨이퍼를 높은 연마 속도로 연마할 수 있는 것을 알았다.
또한, 본 출원은, 2020년 12월 22일에 출원된 일본 특허 출원 제2020-212274호에 기초하고 있으며, 그 개시 내용은, 참조에 의해 전체로서 인용되고 있다.

Claims (7)

  1. 실리콘 웨이퍼를 연마하기 위해 사용되는 연마용 조성물이며,
    최고 피점 궤도(HOMO)의 에너지 준위가 -9.50eV 이상인 질소 함유 유기 화합물과,
    물
    을 포함하는, 연마용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 질소 함유 유기 화합물은, 포화 탄화수소환기 또는 질소 원자를 1개 포함하는 포화 복소환기를 갖는 화합물인, 연마용 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 지립을 더 포함하는, 연마용 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 지립은 콜로이달 실리카인, 연마용 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 질소 함유 유기 화합물 이외의 염기성 화합물을 더 포함하는, 연마용 조성물.
  6. 실리콘 웨이퍼의 연마 방법이며, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여 연마하는 연마 방법.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물의 농축액.
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