KR20230112062A - 표시장치용 박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents
표시장치용 박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230112062A KR20230112062A KR1020230004899A KR20230004899A KR20230112062A KR 20230112062 A KR20230112062 A KR 20230112062A KR 1020230004899 A KR1020230004899 A KR 1020230004899A KR 20230004899 A KR20230004899 A KR 20230004899A KR 20230112062 A KR20230112062 A KR 20230112062A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- display device
- manufacturing
- substrate
- sccm
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 37
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims abstract description 17
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 27
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 23
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 17
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 15
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 13
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 10
- -1 argon ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 34
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 33
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000873 Beta-alumina solid electrolyte Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical group [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005352 borofloat Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C21/00—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface
- C03C21/001—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in liquid phase, e.g. molten salts, solutions
- C03C21/002—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in liquid phase, e.g. molten salts, solutions to perform ion-exchange between alkali ions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/214—Al2O3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명의 일 구현예에 따르면, 스퍼터링(Sputturing) 증착 공정으로 기판 상에 박막을 형성하는 단계(S1)를 포함하는 표시장치용 박막 제조방법이 제공된다. 상기 스퍼터링 증착 공정은 산소(O2)를 포함하는 반응가스를 이용하여 박막의 광학 특성을 개선할 수 있다. 또한, 상술한 제조방법으로 제조된 박막은 알파-알루미나(α-Al2O3)를 포함하여 내구성, 광학 특성 등이 우수하고, 표시장치의 표면을 효과적으로 보호할 수 있다.
Description
본 발명은 표시장치용 박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알파-알루미나(α-Al2O3)을 포함하여 우수한 광학 특성, 내구성 등을 갖는 사파이어 박막을 제조할 수 있는 방법 및 이를 이용하여 제조된 표시장치용 박막에 관한 것이다.
최근 스마트폰의 급격한 보급으로 인하여, 빛의 흡수가 적은 유리(석영, 보로플로트(BOROFLOAT), 화학강화 유리 등)를 스마트폰의 커버 글라스(Cover glass) 또는 일체형 터치 스크린(Touch screen)으로 이용하고 있으나, 유리의 경우 상대적으로 경도가 낮아 스크래치가 쉽게 발생하는 문제가 존재한다. 이에 따라, 무정질 형태의 유리와 달리 결정 구조를 가져 표면 경도가 상대적으로 높은 사파이어(Sapphire)를 이용하는 것에 대한 연구가 진행되고 있으나, 높은 가공 단가 등으로 인해 이용에 제약이 있는 상황이다.
사파이어는 일반적으로 알루미나 분말을 2050℃ 이상의 온도에서 용융시킨 후 서서히 냉각시키는 방법으로 응고되는 과정에서 육각형 격자 형태의 결정구조를 가지고 한 방향으로 단결정화 된 물질을 의미한다. 흔히 사파이어로 알려진 청색, 적색 등의 유색의 사파이어는 Al3+ 이온이 Cr3+, Fe3+, V3+ 등 이종의 이온에 의해 치환되어 각기 다른 색을 띠게 된 소재로서, 순수한 사파이어는 상술한 결정 구조를 갖는 알파-알루미나(α-알루미나; α-Al2O3)를 포함하는 무색 투명한 소재이다.
상술한 알파-알루미나를 포함하는 사파이어 박막은 예시적으로, 유리 기판에 알루미나를 포함하는 유기 화합물을 솔-젤(Sol-Gel) 방식으로 코팅한 후 고온 열처리하여 유기물을 증발시키는 방법으로 제조할 수 있다(유럽 공개 특허 EP 0700879 A1 참고). 그러나, 솔-젤(Sol-gel) 방식으로 유기 화합물을 유리 기판에 코팅한 후 사파이어 결정 구조를 만들기 위해 별도의 고온 열처리를 해야 하는 공정 상의 불편함이 있으며, 유기 화합물 코팅 시 기판 크기 등에 제약이 있어 대형 기판의 제조 및 양산에 어려움이 있다. 또한, 빛의 무반사를 위해 카메라 렌즈, 터치스크린 등에 코팅되는 다층 구조의 광학 박막(일반적으로 SiO2, TiO2- 등을 포함) 상에 상술한 Sol-gel 방식대로 고온 열처리를 가할 경우, 열에 의한 확산 등에 의해 광학박막이 파손되는 문제점이 존재한다.
한편, 상기 사파이어 박막 제조 시 전자 빔(Electronic-beam; E-beam)을 이용하는 경우, 기판 크기에 제약이 있을 뿐만 아니라 박막 두께 균일성(Uniformity)이 상대적으로 부족하여 대형 기판의 제조 및 양산에 부적합한 문제점이 존재한다. 이에 따라, 표시장치를 효과적으로 보호할 수 있는 사파이어 박막을 적합하게 제조할 수 있는 방법에 대한 개발이 요구되고 있다.
본 발명의 일 측면은 스마트폰 등의 표시장치의 표면을 우수하게 보호할 수 있는 표시장치용 박막을 효과적으로 제조할 수 있는 방법을 제공하기 위함이다.
본 발명의 타 측면은 상술한 제조방법으로 제조되어 광학 특성, 내구성 등이 모두 우수한 표시장치용 박막 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하기 위함이다.
본 발명의 일 구현예에 따른 표시장치용 박막 제조방법은 스퍼터링(Sputturing) 증착 공정으로 투명 기판 상에 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 스퍼터링 증착 공정은 산소(O2)를 포함하는 반응가스를 이용하고, 상기 박막은 알파-알루미나(α-Al2O3)를 포함한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 표시장치용 박막은 상술한 방법으로 제조된다.
본 발명의 일 구현예에 따른 표시장치는 상술한 표시장치용 박막을 포함한다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 내충격성, 내스크래치성, 광학 특성 등이 모두 우수하여 표시장치를 효과적으로 보호할 수 있는 박막을 제조할 수 있다. 상기 박막은 사용 과정에서 반복적으로 벤딩(Bending) 혹은 폴딩(Folding)되더라도 들뜸 혹은 깨짐 현상이 실질적으로 발생하지 않아 플렉서블 표시장치의 보호 필름으로 우수하게 활용할 수 있다.
도 1은 RF-Magnetron 스퍼터링 증착 공정으로 기판 상에 박막을 제조할 수 있는 인라인 타입의 챔버(Chamber)의 형태를 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 박막의 형태 및 색상을 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 박막에 대한 광 투과율 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 4d는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 박막에 대한 SEM(위) 및 EDX 분석 결과(아래)를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 박막에 대하여 X선 반사율 장비를 통해 반사율을 측정한 결과를 나타낸 도면이다.
도 6a는 본 발명의 비교예 및 실시예에 적용된 기판에 대한 XRD 분석 결과를 나타낸 도면이다.
도 6b는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 박막에 대한 XRD 분석 결과를 나타낸 도면이다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 박막의 형태 및 색상을 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 박막에 대한 광 투과율 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 4d는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 박막에 대한 SEM(위) 및 EDX 분석 결과(아래)를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 박막에 대하여 X선 반사율 장비를 통해 반사율을 측정한 결과를 나타낸 도면이다.
도 6a는 본 발명의 비교예 및 실시예에 적용된 기판에 대한 XRD 분석 결과를 나타낸 도면이다.
도 6b는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 박막에 대한 XRD 분석 결과를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 스퍼터링(Sputturing) 증착 공정으로 투명 기판 상에 박막을 형성하는 단계(S1)를 포함하는 표시장치용 박막 제조방법이 제공된다. 상기 스퍼터링 증착 공정은 산소(O2)를 포함하는 반응가스를 이용하여 박막의 광학 특성을 개선할 수 있다. 또한, 상술한 제조방법으로 제조된 박막은 알파-알루미나(α-Al2O3)를 포함하여 내구성, 광학 특성 등이 우수하고, 표시장치의 표면을 효과적으로 보호할 수 있다.
상기 투명 기판의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 목적 및 용도에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 예시적으로, 상기 투명 기판은 화학강화 유리 등의 유리 기판일 수 있다. 상기 유리 기판은 사파이어 박막 대비 상대적으로 경도는 낮으나 강도가 높으며, 가공 단가 또한 상대적으로 낮다. 따라서, 이러한 유리 기판 상에 사파이어 박막을 형성한 적층체를 표시장치의 표면에 적용할 경우 경도 및 강도를 모두 확보하여 표시장치의 표면 내구성을 더욱 개선할 수 있으며, 사파이어 박막만을 적용하는 경우 대비 가공 단가 또한 효과적으로 낮춰 경제성을 확보할 수 있다.
상기 화학강화 유리는 예시적으로, 이온 교환 방법을 이용하여 통상적인 소다라임글라스(Soda-lime glass)의 소다(산화나트륨; Na2O)를 칼륨 이온으로 대체한 유리일 수 있다. 상기 소다보다 상대적으로 원자 크기가 큰 칼륨으로 소다를 대체할 경우, 유리 자체의 부피는 유지되면서 강도를 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 투명 기판은 유리 기판; 및 상기 유리 기판 상에 형성된 광학 박막을 포함하는 적층 구조일 수 있다. 이 경우, 상술한 표시장치용 박막은 상기 광학 박막 상에 형성된 구조일 수 있다. 상기 광학 박막은 빛의 무반사를 위해 표시장치의 표면에 형성되는 박막으로서, 그 조성 및 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예시적으로, 상기 광학 박막은 SiO2/TiO2 조성의 다층 구조일 수 있다.
상기 스퍼터링 증착 공정은 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하고, 스퍼터링 건에 고전압을 가하여 이온으로 변환된 아르곤 이온(Ar+)을 타겟(Target)에 충돌시켜 떨어져 나온 입자 형태의 증착 물질을 기판 상에 증착시키는 공정을 의미한다. 따라서, 상기 스퍼터링 증착 공정에 이용되는 타겟은 기판 상에 형성되는 박막과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 타겟은 알파-알루미나(α-Al2O3)를 포함하는 사파이어 타겟일 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 스퍼터링 증착 공정은 산소(O2)를 포함하는 반응가스를 이용한다. 기존 공정에서는 반응가스로 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 주로 이용하나, 이 경우 최종 제조된 박막에서 사파이어 결정 구조의 빈 공간(Vacancy)에 잔류가스 입자나 기판 금속 등의 불순물이 존재할 수 있으며, 아르곤 이온이 사파이어 타겟과 충돌함에 따라 타겟으로부터 이탈된 증착 물질(Al2O3)에서 산소가 분리되어 산소가 부족한 알루미늄 산화물이 생성될 수 있다. 이에 따라, 최종 제조된 박막이 무색 투명한 순수 사파이어와 달리 유색(갈색 톤)을 나타낼 수 있으며, 광학 특성이 열위일 수 있다.
반면, 상기 스퍼터링 증착 공정에서 산소(O2)를 포함하는 반응가스를 이용할 경우, 잔류가스 입자나 기판 금속 등의 불순물을 산소(O2)와 결합시켜 사파이어 결정 구조의 빈 공간(Vacancy)에 불순물이 존재하는 것을 방지할 수 있으며, 스퍼터링 과정에서 사파이어 타겟으로부터 이탈된 증착 물질이 산소가 부족한 알루미늄 산화물로 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 최종 제조된 박막이 유색으로 나타나는 것을 방지하고 투명도를 향상시켜 우수한 광학 특성을 갖도록 할 수 있다. 상기 반응가스에서 산소의 유량은 1 내지 20 sccm일 수 있고, 구체적으로, 5 내지 10 sccm일 수 있다.
한편, 상기 스퍼터링 증착 공정에서 타겟으로 알루미늄(Al)을 이용하고, 반응가스로 산소를 공급하여 증착하는 방식을 이용할 경우(한국 등록 특허 10-2244873 등 참고), 증착 과정에서 화학적으로 알루미늄 산화물을 생성할 수는 있으나, 사파이어 결정 구조로서 높은 경도를 갖는 알파-알루미나(α-Al2O3)와 다른 결정 구조를 갖는 베타-알루미나(β-Al2O3), 감마-알루미나(γ-Al2O3), 델타-알루미나(δ-Al2O3) 등이 함께 생성되어 사파이어 결정 구조를 갖는 박막이 실질적으로 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 타겟으로 알루미늄(Al)이 아닌 알파-알루미나(α-Al2O3)를 포함하는 사파이어 타겟을 적용하고, 산소(O2)를 포함하는 반응가스를 이용할 경우, 사파이어 결정 구조를 갖는 박막을 더욱 효과적으로 형성할 수 있다.
상기 반응가스는 산소(O2) 외에 불활성 가스를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 반응가스는 아르곤 가스를 더 포함할 수 있다. 상기 스퍼터링 증착 공정은 산소(O2)만으로 이루어진 반응가스를 이용할 수도 있고, 산소 및 불활성 가스가 혼합된 반응가스를 이용할 수도 있다. 상기 반응가스가 불활성 가스를 더 포함할 경우, 상기 불활성 가스의 유량은 1 내지 15 sccm, 구체적으로, 5 내지 10 sccm일 수 있다.
상기 반응가스가 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 더 포함할 경우, 전체 반응가스 부피를 기준으로 불활성 가스의 함량은 10 내지 90 부피%일 수 있고, 구체적으로, 30 내지 70 부피%일 수 있다. 상기 상기 불활성 가스가 상술한 범위를 초과하여 혼합되는 경우에는 최종 제조된 박막이 무색 투명한 순수 사파이어 박막과 달리 유색(갈색 톤)을 나타낼 수 있으며, 광학 특성이 상대적으로 열위일 수 있다.
상기 반응가스의 전체 유량은 5 내지 20 sccm, 구체적으로, 10 내지 15 sccm일 수 있다. 구체적으로, 상기 반응가스가 산소(O2)만을 포함할 시 산소(O2)의 유량이 상술한 바와 같을 수 있고, 상기 반응가스가 산소(O2) 외에 불활성 가스를 더 포함할 시 산소(O2) 및 불활성 가스의 유량을 합한 전체 유량이 상술한 바와 같을 수 있다. 상기 반응가스의 전체 유량이 상술한 바와 같을 경우, 전체적인 진공도 및 압력이 적절한 범위 내로 유지될 수 있다.
상기 표시장치용 박막 제조방법은 상기 박막에 대하여 이온 건으로 이온 빔(Ion-beam)을 조사하는 단계(S2)를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 표시장치용 박막 제조방법은 기판 상에 스퍼터링 증착 공정으로 형성된 박막에 대하여 이온 건으로 이온 빔을 추가로 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 이온 빔을 조사하는 단계(S2)는 아르곤 이온을 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 S2 단계에서 이온 소스는 아르곤 이온일 수 있다.
상기 S2 단계는 이온화된 불활성 기체 분자를 이온 건(Ion-gun)으로 박막에 조사하여 충돌된 이온의 운동 에너지를 열 에너지로 변환시킬 수 있다. 이에 따라, 증착된 사파이어 박막의 결정화 진행을 촉진할 수 있으며, 박막의 밀도를 증가시키고 표면 거칠기를 감소시켜 박막의 내구성, 광학 특성 등을 더욱 개선할 수 있다.
상기 이온 건의 출력 조건은 500 내지 1500 W일 수 있다. 구체적으로, 상기 이온 건의 출력 조건은 700 W 이상일 수 있고, 1000 W 이하일 수 있다. 이온 건의 출력이 지나치게 낮을 경우 이온 빔 조사를 통한 박막의 결정화 진행 촉진 등의 효과를 실질적으로 얻을 수 없으며, 출력이 지나치게 높을 경우 기판 등이 손상되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 상기 이온 건의 출력 조건을 상술한 범위 내로 조절할 경우, 기판 등이 손상되지 않는 범위 내에서 이온 빔을 효과적으로 조사할 수 있다.
상기 S1 단계 및 S2 단계는 교대로 반복하여 진행될 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 구현예에 따른 박막 제조방법은 스퍼터링 증착 공정으로 기판 상에 증착 물질을 소정의 두께로 증착하고, 증착된 물질에 대하여 이온 빔을 조사하고, 다시 스퍼터링 증착 공정으로 기판 상에 증착 물질을 소정의 두께로 증착하는 과정을 반복하여 진행될 수 있다. 상기 소정의 두께는 예시적으로 1 내지 2 nm일 수 있으며, 상술한 과정은 목표로 하는 두께 정도를 갖도록 박막이 형성되는 시점까지 반복하여 진행할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상술한 구현예들 중 어느 하나에 따른 방법으로 제조된 표시장치용 박막이 제공된다. 구체적으로, 상기 박막은 산소(O2)를 포함하는 반응가스를 이용하는 스퍼터링 공정에 의해 기판 상에 형성된다. 상기 박막은 알파-알루미나(α-Al2O3)를 포함하며, 내구성, 광학 특성 등이 모두 우수하여 표시장치의 표면을 보호할 수 있는 코팅 필름 등으로의 적합하게 활용할 수 있다. 상기 박막의 제조방법 등에 대한 자세한 설명은 상술한 내용과 중복되므로 기재를 생략한다.
상기 표시장치용 박막은 400 nm 파장에서 광 투과율이 70% 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 표시장치용 박막은 400 nm 파장에서 광 투과율이 80% 이상일 수 있고, 100% 미만 또는 90% 이하일 수 있다. 상기 박막의 광 투과율이 상술한 바와 같을 경우, 낮은 영역대의 파장광에 대하여 상대적으로 높은 투과율을 가져 박막의 광학 특성이 우수할 수 있다.
상기 표시장치용 박막은 SLD(Scattering length density) 값이 3.0(X 10-5 ) Å-2 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 표시장치용 박막은 SLD(Scattering length density) 값이 3.1(X 10-5 ) Å-2 이상일 수 있고, 4.0(X 10-5 ) Å-2 이하, 3.7(X 10-5 ) Å-2 이하 또는 3.4(X 10-5 ) Å-2 이하일 수 있다. X선 반사율 측정 시 각 물질마다 고유의 SLD 값 및 임계각(Critical angle)이 나타나며, 상기 SLD 값은 Scattering Length 에 Atomic Density를 곱한 값으로 나타난다. 순수한 사파이어(α-Al2O3)의 SLD 값은 3.45(X 10-5) Å-2 (BULK)로서 상기 표시장치용 박막의 SLD 값이 상술한 범위 내일 경우 사파이어 박막이 우수하게 형성된 것으로 판단할 수 있다.
상기 표시장치용 박막은 두께가 0.1 내지 100 nm일 수 있다. 구체적으로, 상기 표시장치용 박막은 두께가 1 nm 이상, 10 nm 이상 또는 20 nm 이상일 수 있고, 70 nm 이하, 50 nm 이하 또는 30 nm 이하일 수 있다. 상기 박막의 두께가 지나치게 두꺼울 경우 투명성이 저하되어 광학 특성이 부족할 수 있으며, 두께가 지나치게 얇을 경우 실질적으로 내구성을 확보하는데 어려움이 있을 수 있다. 따라서, 상기 박막의 두께가 상술한 범위 내일 경우, 광학 특성 및 내구성이 모두 우수할 수 있다. 상기 박막의 두께는 X선 반사율 측정 시 나타나는 피크들 간의 Q 값(Q = 4π/sinθ)의 차이로 계산될 수 있다.
상기 표시장치용 박막은 표면 거칠기가 6Å 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 박막의 표면 거칠기는 5Å 이하, 4Å 이하 또는 2.5Å 이하일 수 있고, 0Å 초과, 0.1Å 이상 또는 1Å 이상일 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 박막에 대하여 이온 빔을 조사하는 단계를 거칠 경우, 제조된 박막의 결정화가 촉진되며 밀도가 증가하고, 표면 거칠기가 더욱 감소할 수 있다. 따라서, 상기 박막의 표면 거칠기가 상술한 범위 내일 경우, 박막의 밀도 및 거칠기 특성이 우수한 것으로 판단할 수 있다. 상기 박막의 표면 거칠기 값은 X선 반사율 측정 시 나타나는 피크들 간의 Q 값(Q = 4π/sinθ)의 차이가 감소하는 정도(기울기)를 통해 계산할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상술한 구현예들 중 어느 하나에 따른 표시장치용 박막을 포함하는 표시장치가 제공된다. 상기 표시장치의 구조 등은 특별히 제한되지 않는다. 예시적으로, 상기 표시장치는 하부 기판, TFT층, 발광소자층, 상부 기판 및 상술한 표시장치용 박막이 기재 순서대로 적층된 구조일 수 있다. 이 때, 상기 상부 기판은 상술한 본 발명의 투명 기판에 해당할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 표시장치용 적층체는 상기 표시장치에서 투명 기판과 표시장치용 박막 사이에 광학 박막을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 구현예에 따른 표시장치용 적층체는 상부 기판; 상기 상부 기판 상에 형성된 광학 박막; 및 상기 광학 박막 상에 형성된 표시장치용 박막을 포함할 수 있다. 상기 광학 박막, 표시장치용 박막 등에 대한 자세한 설명은 상술한 설명과 중복되므로 기재를 생략한다.
상기 하부 기판은 표시장치의 기재층으로서 그 상부에 위치되는 구성들을 지지하기 위한 기판이다. 예시적으로, 상기 하부 기판은 유연성을 갖는 절연 물질로 형성될 수 있으며, 표시 영역 및 비표시 영역을 포함할 수 있다. 상기 표시 영역은 복수의 화소들이 배치되는 영역이고, 비표시 영역은 표시 영역을 제외한 나머지 영역이다. 상기 비표시 영역에는 배선 및 연결 패드들이 배치될 수 있다.
상기 TFT층은 픽셀들의 온/오프를 제어하기 위한 스위칭 소자들이 배치되는 층으로서, 액티브 매트릭스 방식의 스위칭 소자들이 배치될 수 있다. 상기 TFT층에는 게이트 전극 패턴, 게이트 절연막, 반도체층, 층간 절연막, 소스/드레인 전극 패턴들이 배치될 수 있으며, 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)으로 구획되는 픽셀(PXL)들이 형성될 수 있다.
상기 발광소자층은 예시적으로, 액정층, 유기발광소자층, 마이크로LED층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 액정층은 액정이 전계에 의해 그 방향성이 변경되는 층으로서, 하부에 배치되는 백라이트 유닛으로부터 발산하는 광량을 제어하는 층이다. 상기 유기발광소자층은 유기발광소자를 포함하는 층으로서, 유기발광소자에 흐르는 전류량에 따라서 자발광하는 층이다. 상기 마이크로LED층은 복수개의 초소형LED가 배치된 층으로서 각각의 초소형LED가 발광함으로써 영상을 구현하는 층이다. 상기 발광소자층에는 레드, 그린 및 블루에 대응하는 발광소자들(R,G,B)이 형성될 수 있다.
이하, 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예
1. 비교에 1 내지 4 및 실시예 1 내지 8
1) 박막 제조
박막의 제조를 위해 하기 도 1에 나타낸 바와 같은 인라인 타입의 챔버(Chamber)를 이용하여 RF-magnetron 스퍼터링 방식으로 유리 기판 및 실리콘 웨이퍼(Si-wafer) 상에 각각 알파-알루미나(α-Al2O3)를 증착시켜 사파이어 박막을 제조하였다. 실시예 및 비교예 별로 스퍼터링 가스의 조성 및 박막 두께를 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 달리 적용하였다.
| 구분 | 기판 종류 | 스퍼터링 조건 |
박막 두께
(nm) |
이온 건
(Ion-gun) 사용여부출력조건 |
||
| 가스 종류 | 가스 조성 | |||||
| 비교예 1 | Glass | Ar | 10 sccm | 20 | X | - |
| 비교예 2 | Glass | Ar | 10 sccm | 50 | X | - |
| 비교예 3 | Glass | Ar | 10 sccm | 100 | X | - |
| 비교예 4 | Si-wafer | Ar | 10 sccm | 50 | X | - |
| 실시예 1 | Glass | O2 | 10 sccm | 50 | X | - |
| 실시예 2 | Glass | Ar + O2 | 5 sccm + 5 sccm | 50 | X | - |
| 실시예 3 | Glass | Ar + O2 | 10 sccm + 5 sccm | 50 | X | - |
| 실시예 4 | Glass | O2 | 10 sccm | 20 | O | 1000 W |
| 실시예 5 | Glass | O2 | 10 sccm | 50 | O | 1000 W |
| 실시예 6 | Glass | O2 | 10 sccm | 100 | O | 1000 W |
| 실시예 7 | Si-wafer | Ar + O2 | 10 sccm + 5 sccm | 50 | X | - |
| 실시예 8 | Si-wafer | Ar + O2 | 10 sccm + 5 sccm | 50 | O | 1000 W |
2) 박막 평가
(1) 색상 평가
도 2a 및 도 2b를 참고하면, 스퍼터링 가스로 아르곤(Ar)을 적용한 비교예 1 내지 3의 경우 상대적으로 박막이 연한 갈색을 띄며, 박막의 두께가 증가할수록(상단 좌측부터 우측으로 각각 비교예 1 내지 3) 갈색 정도가 높아지는 것으로 나타났다(도 2a 참고). 이는 최종 제조된 박막에서 사파이어 결정 구조의 빈 공간(Vacancy)에 잔류 가스 입자나 기판 금속 등의 불순물이 존재하거나, 아르곤 이온이 사파이어 타겟과 충돌함에 따라 타겟으로부터 이탈된 증착 물질(Al2O3)에서 산소가 분리되어 산소가 부족한 알루미늄 산화물이 생성됨에 따른 것으로 판단된다.
반면, 스퍼터링 가스로 산소(O2)를 단독으로 사용하거나(실시예 1), 아르곤(Ar)과 혼합 사용한 경우(실시예 2 및 3) 상대적으로 박막이 투명한 것으로 나타났으며(상단 좌측부터 우측으로 각각 실시예 1 내지 3), 두께가 변화하더라도 박막의 투명도에 실질적으로 차이가 없는 것으로 나타났다(도 2b 참고). 이는 잔류가스 입자나 기판 금속 등의 불순물이 산소(O2)와 결합하여 사파이어 결정 구조의 빈 공간(Vacancy)에 불순물이 존재하는 것이 방지되고, 스퍼터링 과정에서 사파이어 타겟으로부터 이탈된 증착 물질이 산소가 부족한 알루미늄 산화물로 형성되는 것을 방지됨에 따른 것으로 판단된다.
(2) 투과율 평가
도 3a 내지 도 3c를 참고하면, 박막을 형성하지 않은 유리 기판의 투과율은 400 내지 800 nm의 파장에서 광 투과율이 약 90% 내외로 유지되는 것으로 나타났다. 이 때, 두께가 50 nm인 비교예 2 및 실시예 1에 따른 박막 중 스퍼터링 가스로 산소(O2)만을 적용한 실시예 1의 경우 400 내지 800 nm의 파장에서 광 투과율이 80% 이상으로 높게 유지되었으나, 스퍼터링 가스로 아르곤(Ar)만을 적용한 비교예 2의 경우 상대적으로 광 투과율이 열위인 것으로 나타났으며, 특히, 700 nm 이하의 파장에서 광 투과율이 크게 낮아지는 것을 확인하였다(도 3a 참고).
또한, 도 3b 및 도 3c를 참고하면, 스퍼터링 가스로 아르곤(Ar)만을 적용한 비교예 1 내지 3의 경우 박막의 광 투과율이 박막의 두께에 따라 점진적으로 감소하며, 500 nm 이하의 파장에서 광 투과율이 크게 감소하는 것으로 나타났다(도 3b 참고). 반면, 스퍼터링 가스로 산소(O2)만을 적용한 실시예 4 내지 6의 경우 박막의 광 투과율이 전 구간의 파장에서 실질적으로 큰 감소 없이 80% 이상으로 높게 유지되었으며, 박막의 두께에 따른 광 투과율 또한 실질적으로 큰 차이 없이 높게 유지되었다.
(3) SEM 및 EDX 분석
(111)결정면으로 절단된 Si-wafer을 기판으로 적용한 비교예 4, 실시예 7 및 8에 따른 박막에 대하여 SEM(Scanning electron microscopy) 및 EDX(Energy dispersive x-ray)를 이용하여 박막 특성을 분석하였다. 우선, 기판에 대한 EDX 측정 결과 기판 성분인 Si 외에 In, Sn 등이 검출되었다(도 4a 참고). 이는 웨이퍼 가공 시 폴리싱 파우더(Polishing powder)로 이용된 물질 중 In, Sn 등이 완전히 제거되지 못하고 기판에 잔류함에 따른 것으로 사료된다.
스퍼터링 가스로 아르곤(Ar)을 적용한 비교예 4의 경우, Al2O3 이외에 Cr, Fe 등이 불순물로 박막에 포함되어 있는 것으로 나타났다(도 4b 참고). 반면, 스퍼터링 가스로 산소(O2)를 적용한 실시예 7의 경우, 불순물인 Cr, Fe 등의 양이 감소하여 실질적으로 거의 검출되지 않는 것으로 나타났으나, SEM 분석 결과 박막 표면에 기공이 생성되는 등 매끄럽지 않은 표면을 갖는 것으로 나타났다(도 4c 참고).
한편, 실시예 8의 경우 스퍼터링 가스로 산소(O2)를 적용하며 매1~2nm 박막 증착 후 이온 건으로 Ar 분자를 조사하여 박막의 밀도를 높이는 동시에 박막의 결정화를 촉진하고 표면 거칠기를 낮게 하였다. 구체적으로, MFC(Mass flow controller)를 이용해 박막 증착 시에는 산소(O2)를 진공 챔버에 삽입하였으며, 이온 건 이용 시에는 산소(O2)를 차단하고 아르곤(Ar)을 주입하는 방법을 이용하였다. 최종 제조된 실시예 8의 박막의 경우, 불순물인 Cr, Fe 등의 양이 감소하여 실질적으로 거의 검출되지 않는 것은 물론 박막 표면에 기공이 제거되어 매끈한 표면을 갖는 것으로 나타났다(도 4d 참고).
2. 비교예 5 및 실시예 9 내지 11
1) 박막 제조
상술한 바와 동일한 방법으로 박막을 제조하되, 실시예 및 비교예 별로 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 제조공정을 달리하여 비교예 5 및 실시예 9 내지 11에 따른 박막을 제조하였다.
| 구분 | 기판 종류 | 스퍼터링 조건 |
이온 건 (Ion-gun)
|
||
| 가스 종류 | 가스 조성 | 사용여부 | 출력조건 | ||
| 비교예 5 | Si-wafer | Ar | 10 sccm | X | - |
| 실시예 9 | Si-wafer | Ar + O2 | 10 sccm + 5 sccm | X | - |
| 실시예 10 | Si-wafer | Ar + O2 | 10 sccm + 10 sccm | O | 700 W |
| 실시예 11 | Si-wafer | Ar + O2 | 5 ccm + 10 sccm | O | 1000 W |
2) 박막 평가
(1) X선 반사율 측정 및 분석
상술한 바에 따라 제조된 박막에 대하여 X선 반사율 장비를 통해 반사율을 측정하고(도 5 참고), 이를 분석한 결과를 하기 표 3에 나타냈다.
| 구분 |
박막 두께
(nm) |
표면 거칠기
(Å) |
SLD
(X 10 -5 Å -2 ) |
| 비교예 5 | 22.9 | 6.5 | 3.36 |
| 실시예 9 | 23.6 | 5.4 | 3.22 |
| 실시예 10 | 17.3 | 2.3 | 3.14 |
| 실시예 11 | 22.4 | 1.6 | 3.12 |
순수한 사파이어(α-Al2O3)의 SLD는 3.45(X 10-5) Å-2 (BULK)이며, 스퍼터링 가스로 아르곤(Ar)만을 적용한 비교예 5의 SLD 값이 순수한 Al2O3(사파이어)의 SLD 값에 근접하였으나 이는 비교예 5의 박막에 포함된 불순물인 Cr과 Fe의 SLD가 Al보다 상당히 높음에 따른 것으로 판단된다.
한편, 스퍼터링 가스로 산소(O2)를 포함하는 실시예 9 내지 11의 경우 표면 거칠기가 상대적으로 낮은 것으로 나타났으며, 이 중에서도 이온 건을 적용한 실시예 10 내지 11의 경우 표면 거칠기가 매우 감소하는 것으로 나타났다. 특히, 아르곤(Ar) 양을 5 sccm으로 하고 이온 건의 출력을 1000 W로 적용한 실시예 11의 경우 표면 거칠기가 가장 낮은 것으로 나타났으며, 이온 건의 출력을 700 W로 적용하며 아르곤(Ar) 양을 10 sccm으로 2배로 공급한 실시예 10의 경우 표면 거칠기는 실시예 11 대비 상대적으로 높으나 박막의 밀링 효과가 강해 두께는 상대적으로 얇게 나타났다.
3. 비교예 6 및 실시예 12
1) 박막 제조
이온 건을 이용한 경우의 박막에 포함된 사파이어의 결정화 정보를 위하여 Si(111)-wafer에 100 nm의 두께로 박막을 제조하였다. 이 때, 박막은 상술한 바와 동일한 방법으로 제조하였으며, 스퍼터링 가스로 아르곤(Ar; 10 sccm)만을 적용한 비교예 6의 박막; 및 스퍼터링 가스로 산소(O2; 10 sccm) 및 아르곤(Ar; 5 sccm)을 적용하고 이온 건(출력: 700 W)을 적용한 실시예 12의 박막을 각각 제조하였다.
2) 박막 평가
사용된 Si-Wafer 기판에 대한 XRD(x-ray powder diffraction)로 분석을 실시하였으며(도 6a 참고), 상술한 바에 따라 제조된 박막에 대해서도 XRD 분석을 실시하였다(도 6b 참고).
도 6a를 참고하면, 기판으로 이용한 Si-wafer(111)는 2q=20~60도로 측정했을 때 (111) 면과 (311) 면이 측정됨을 확인할 수 있다. 한편, 도 6b를 참고하면, 박막에 대한 XRD 분석 시 저각의 Si(111) 피크는 사라지고 Al2O3의 (104)결정면이 실시예 12에서 나타남을 확인할 수 있다. 반면, 비교예 6의 경우 (104) 결정면의 생성이 약함을 확인할 수 있으며, 이는 이온 건을 이용한 실시예 12보다 결정화 정도가 낮음에 따른 것으로 사료된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
Claims (11)
- 스퍼터링(Sputturing) 증착 공정으로 투명 기판 상에 박막을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치용 박막 제조방법으로서,
상기 스퍼터링 증착 공정은 산소(O2)를 포함하는 반응가스를 이용하고,
상기 박막은 알파-알루미나(α-Al2O3)를 포함하는,
표시장치용 박막 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 반응가스는 전체 반응가스 부피를 기준으로 10 내지 90 부피%의 아르곤 가스를 더 포함하는,
표시장치용 박막 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 박막에 대하여 이온 건으로 이온 빔(Ion-beam)을 조사하는 단계를 더 포함하는,
표시장치용 박막 제조방법.
- 제3항에 있어서,
상기 이온 빔을 조사하는 단계는 아르곤 이온을 이용하는,
표시장치용 박막 제조방법.
- 제3항에 있어서,
상기 이온 건의 출력 조건은 500 내지 1500 W인,
표시장치용 박막 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 투명 기판은 유리 기판; 및 상기 유리 기판 상에 형성된 광학 박막을 포함하는,
표시장치용 박막 제조방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 하나에 따른 방법으로 제조된,
표시장치용 박막.
- 제7항에 있어서,
400 nm 파장에서 광 투과율이 70% 이상인,
표시장치용 박막.
- 제7항에 있어서,
두께가 0.1 내지 100 nm인,
표시장치용 박막.
- 제7항에 있어서,
표면 거칠기가 6Å 이하인,
표시장치용 박막.
- 제7항에 따른 표시장치용 박막을 포함하는,
표시장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220007956 | 2022-01-19 | ||
| KR20220007956 | 2022-01-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230112062A true KR20230112062A (ko) | 2023-07-26 |
Family
ID=87427774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230004899A KR20230112062A (ko) | 2022-01-19 | 2023-01-12 | 표시장치용 박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20230112062A (ko) |
-
2023
- 2023-01-12 KR KR1020230004899A patent/KR20230112062A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5026786B2 (ja) | 金属酸化物、窒化物、酸化窒化物層をコートされた基板およびそれを製造するプロセスおよび装置 | |
| EP2639057B1 (en) | Transparent conductive film | |
| Jung et al. | Effects of thermal treatment on the electrical and optical properties of silver-based indium tin oxide/metal/indium tin oxide structures | |
| EP1597408B1 (en) | Method for forming dielectric barrier layers | |
| KR100669064B1 (ko) | 투명 도전 적층체, 그의 제조방법 및 그것을 사용한표시소자 | |
| JP4537434B2 (ja) | 酸化亜鉛薄膜、及びそれを用いた透明導電膜、及び表示素子 | |
| KR100743417B1 (ko) | 투명도전막 부착 투광성 기판 | |
| TW201430158A (zh) | 吸光層系統，彼之製法以及適合彼所用之濺射靶材 | |
| KR20010079850A (ko) | 알칼리 금속 확산 차단층 | |
| US20120287659A1 (en) | Reflective film laminate | |
| EP3022783B1 (en) | Laminate for light emitting device and process of preparing same | |
| KR20040088375A (ko) | 보호막 및 그의 제조 방법 | |
| TW201341551A (zh) | 反射電極用Ａｇ合金膜及反射電極 | |
| KR20050044568A (ko) | Ｅｌ 소자 | |
| JPH0931630A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| WO2022168457A1 (ja) | 光学製品及び光学製品の製造方法 | |
| KR20230112062A (ko) | 표시장치용 박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 | |
| US7331695B2 (en) | Visible light-reflecting member | |
| KR20060107941A (ko) | 반투과형 액정 표시 소자용 기판 및 상기 기판을 구비하는반투과형 액정 표시 소자 | |
| EP4202507A1 (en) | Optical filter, method for producing same and sterilization device | |
| KR101145362B1 (ko) | 투명전극용 기판의 제조방법 | |
| JP4114398B2 (ja) | Ｉｔｏ膜付き基体の製造方法 | |
| WO2023195498A1 (ja) | 反射防止膜付透明基体および画像表示装置 | |
| WO2022181371A1 (ja) | 多層膜付透明基体及び画像表示装置 | |
| JP2005325386A (ja) | 薄膜構造体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal |