KR20230107887A - 화소 배열 구조, 마스크 어셈블리 및 표시 패널 - Google Patents

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KR20230107887A KR1020237021974A KR20237021974A KR20230107887A KR 20230107887 A KR20230107887 A KR 20230107887A KR 1020237021974 A KR1020237021974 A KR 1020237021974A KR 20237021974 A KR20237021974 A KR 20237021974A KR 20230107887 A KR20230107887 A KR 20230107887A
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이밍 샤오
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Abstract

본 출원의 실시예는 화소 배열 구조, 마스크 어셈블리 및 표시 패널을 제공하며, 화소 배열 구조는 복수의 화소 유닛을 포함하고, 화소 유닛은 제1 방향을 따라 분포되며 복수의 제1 개구변을 갖는 제1 서브 화소 및 복수의 제2 개구변을 갖는 제2 서브 화소를 포함하는 제1 화소군; 및 제1 방향을 따라 분포되는 2개의 제3 서브 화소를 포함하고, 그 중 하나의 제3 서브 화소는 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 사이에 대응하여 배치되는 제2 화소군으로서, 제3 서브 화소는 대향하여 배치되는 2개의 제3 개구변 및 대향하여 배치되는 2개의 제4 개구변을 가지는 제2 화소군을 포함하고, 여기서, 제2 방향을 따라 인접한 2행의 화소 유닛은 엇갈리게 배치되고, 2개의 제3 개구변은 각각 2개의 제1 서브 화소의 하나의 제1 개구변과 중첩되도록 배치되고, 2개의 제4 개구변은 각각 2개의 제2 서브 화소의 하나의 제2 개구변과 중첩되도록 배치된다.

Description

화소 배열 구조, 마스크 어셈블리 및 표시 패널
본 출원은 2021년 06 월 17일에 제출된 발명의 명칭이 "화소 배열 구조, 마스크 어셈블리 및 표시 패널"인 중국 특허 출원 제202110675049.7 호의 우선권을 주장하는 바, 해당 출원의 모든 내용은 본 출원에 원용된다.
본 출원은 표시 기술 분야에 관한 것으로, 특히 화소 배열 구조, 마스크 어셈블리 및 표시 패널에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode; OLED)는 능동 발광 소자이다. 종래의 액정 표시(Liquid Crystal Display; LCD)의 표시 방식과 비교해, OLED 표시 기술은 백라이트가 필요하지 않고 자체 발광 특성을 갖고 있다. OLED는 얇은 유기 재료 필름층 및 유리 기판을 사용하며, 전류가 흐를 때 유기 재료는 발광한다. 따라서, OLED 표시 패널은 전기 에너지를 현저하게 절약할 수 있고, 더 가볍고 더 얇게 할 수 있으며, LCD 표시 패널보다 더 넓은 범위의 온도 변화에 견딜 수 있고, 시야각이 더 크다. OLED 표시 패널은 LCD에 이어 차세대 평판 표시 기술로 기대되고 있으며, 현재 평판 표시 기술 중 가장 많은 관심을 받고 있는 기술 중 하나이다.
본 출원의 실시예는 화소 배열 구조의 표시 효과를 향상시키기 위한 화소 배열 구조, 마스크 어셈블리 및 표시 패널을 제공한다.
본 출원의 제1 양태의 실시예는 화소 배열 구조를 제공하는 바, 화소 배열 구조는 제1 방향 및 제2 방향을 따라 행 및 열로 배열되는 복수의 화소 유닛을 포함하고, 화소 유닛은, 제1 방향을 따라 분포되며 복수의 제1 개구변을 갖는 제1 서브 화소 및 복수의 제2 개구변을 갖는 제2 서브 화소를 포함하는 제1 화소군; 및 제2 방향에서 제1 화소군의 일측에 위치하고, 제1 방향을 따라 분포되는 2개의 제3 서브 화소를 포함하는 제2 화소군으로서, 하나의 제3 서브 화소는 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 사이에 대응하여 배치되고, 제3 서브 화소는 대향하여 배치되는 2개의 제3 개구변과 대향하여 배치되는 2개의 제4 개구변을 가지는 제2 화소군을 포함하며, 여기서, 제2 방향을 따라 인접한 2행의 화소 유닛은 엇갈리게 배치되고, 제1 서브 화소와 제2 서브 화소는 제2 방향을 따라 교대로 배열되고, 2개의 제1 서브 화소와 2개의 제2 서브 화소는 제3 서브 화소의 주변을 둘러싸면서 교대로 배열되고, 2개의 제3 개구변은 각각 2개의 제1 서브 화소의 하나의 제1 개구변과 중첩되도록 배치되고, 2개의 제4 개구변은 각각 2개의 제2 서브 화소의 하나의 제2 개구변과 중첩되도록 배치된다.
본 출원의 제2 양태는 마스크 어셈블리를 더 제공하는 바, 마스크 어셈블리는 상술한 임의의 제1 양태의 실시예의 화소 배열 구조를 증착하여 형성하기 위한 것이고, 마스크 어셈블리는,
제1 서브 화소에 적합하는 제1 마스크 개구를 포함하는 제1 마스크 플레이트;
제2 서브 화소에 적합하는 제2 마스크 개구를 포함하는 제2 마스크 플레이트; 및
제3 서브 화소에 적합하는 제3 마스크 개구를 포함하는 제3 마스크 플레이트를 포함한다.
본 출원의 제3 양태는 표시 패널을 더 제공하는 바, 표시 패널은 상술한 임의의 제1 양태의 실시예의 화소 배열 구조를 포함한다.
본 출원의 화소 배열 구조에 있어서, 화소 배열 구조는 화소 유닛을 포함하고, 화소 유닛은 제1 화소군 및 제2 화소군을 포함한다. 2개의 제1 서브 화소와 2개의 제2 서브 화소는 제3 서브 화소의 주변을 둘러싸면서 교대로 배열되므로, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 사이의 간격을 감소시킬 수 있고, 하나의 백색광을 형성하는 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 사이의 간격을 더 가깝게 하여, 표시 효과를 향상시킬 수 있다. 또한, 2개의 제3 개구변은 각각 2개의 제1 서브 화소의 제1 개구변 중 하나와 중첩되도록 배치되고, 2개의 제4 개구변은 각각 2개의 제2 서브 화소의 제2 개구변 중 하나와 중첩되도록 배치된다. 따라서, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 사이의 간격을 더욱 감소시켜, 화소 개구율 및 표시 효과를 향상시킬 수 있다.
본 출원의 기타 특징, 목적 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 비제한적인 실시예에 대한 상세히 설명을 열독함으로써 더욱 명백해질 것이며, 여기서, 동일하거나 유사한 참조 부호는 동일하거나 유사한 특징을 나타낸다.
도 1은 본 출원의 제1 양태의 실시예에 따른 화소 배열 구조 중 화소 유닛의 구조 모식도이다.
도 2는 본 출원의 제1 양태의 실시예에 따른 화소 배열 구조의 구조 모식도이다.
도 3은 본 출원의 제1 양태의 실시예에 따른 화소 배열 구조의 제1 서브 화소의 구조 모식도이다.
도 4는 본 출원의 제1 양태의 실시예에 따른 화소 배열 구조의 제2 서브 화소의 구조 모식도이다.
도 5는 본 출원의 제1 양태의 실시예에 따른 화소 배열 구조의 제3 서브 화소의 구조 모식도이다.
도 6은 본 출원의 제1 양태의 실시예에 따른 화소 배열 구조의 일부 구조 모식도이다.
도 7은 본 출원의 제1 양태의 다른 실시예에 따른 화소 배열 구조 중 화소 유닛의 구조 모식도이다.
도 8은 본 출원의 제1 양태의 다른 실시예에 따른 화소 배열 구조의 구조 모식도이다.
도 9는 본 출원의 제4 양태의 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 제1 마스크의 구조 모식도이다.
도 10은 본 출원의 제4 양태의 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 제2 마스크의 구조 모식도이다.
도 11은 본 출원의 제4 양태의 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 제3 마스크의 구조 모식도이다.
이하, 본 출원의 다양한 양태의 특징 및 예시적인 실시예를 상세하게 설명한다. 이하의 상세한 설명에서, 본 출원의 전반적인 이해를 제공하기 위해, 수많은 특정 세부사항들이 제시된다. 그러나, 당업자에게 있어서 본 출원은 이러한 특정 세부사항 중 일부 세부사항 없이도 구현될 수 있다는 것은 명백할 것이다. 아래 실시예에 대한 설명은 단지 본 출원의 예를 보여줌으로써 본 출원에 대한 더 나은 이해를 제공하기 위한 것이다. 도면 및 이하의 설명에서, 본 출원을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해, 공지된 구조 및 기술의 적어도 일부는 도시되지 않는다. 또한, 구조의 일부 치수는 명확성을 위하여 과장될 수 있다. 또한, 아래에 설명되는 특징, 구조 또는 특성은 임의의 적절한 방식으로 하나 이상의 실시예에서 결합될 수 있다.
본 출원을 더 잘 이해하기 위하여, 이하, 도 1 내지 도 11을 결합하여 본 출원의 실시예에 따른 화소 배열 구조, 마스크 어셈블리, 표시 패널 및 전자 장치를 상세하게 설명한다.
도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 도 1은 본 출원의 실시예에 따른 화소 배열 구조 중 화소 유닛(100)의 구조 모식도이고, 도 2는 본 출원의 실시예에 따른 화소 배열 구조의 구조 모식도이다.
본 출원의 실시예에 의해 제공되는 화소 배열 구조에 따르면, 화소 배열 구조는 복수의 서브 화소를 포함하고, 복수의 서브 화소가 조합되어 화소 유닛(100)을 형성하며, 화소 유닛(100)은 평행하게 중복되어 화소 배열 구조를 형성한다. 서브 화소는 예를 들어 제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130)를 포함한다.
일부 실시예에서, 화소 배열 구조는 제1 방향 및 제2 방향을 따라 행과 열로 배열되는 복수의 화소 유닛(100)을 포함하고, 화소 유닛(100)은 제1 화소군(101) 및 제2 화소군(102)을 포함하고, 제1 화소군(101)은 제1 방향을 따라 분포되는 제1 서브 화소(110) 및 제2 서브 화소(120)를 포함하며, 제1 서브 화소(110)는 복수의 제1 개구변(111)을 갖고, 제2 서브 화소(120)는 복수의 제2 개구변(121)을 가지며; 제2 화소군(102)은 제1 화소군(101)의 제2 방향의 일측에 위치하고, 제2 화소군(102)은 제1 방향을 따라 분포되는 2개의 제3 서브 화소(130)를 포함하며, 그 중 하나의 제3 서브 화소(130)는 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120) 사이에 대응하여 배치되고, 제3 서브 화소(130)는 대향하여 배치된 2개의 제3 개구변(131) 및 대향하여 배치된 2개의 제4 개구변(132)을 포함하며, 여기서, 제2 방향을 따라 서로 인접한 두 행의 화소 유닛(100)은 어긋나게 배치되고, 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120)는 제2 방향을 따라 교대로 배열되며, 2개의 제1 서브 화소(110)와 2개의 제2 서브 화소(120)는 제3 서브 화소(130)의 주변을 둘러싸면서 교대로 배열되며, 2개의 제3 개구변(131)은 각각 2개의 제1 서브 화소(110)의 하나의 제1 개구변(111)과 중첩되도록 배치되고, 2개의 제4 개구변(132)은 각각 2개의 제2 서브 화소(120)의 하나의 제2 개구변(121)과 중첩되도록 배치된다.
제1 방향과 제2 방향의 배치 방식에는 여러 가지가 있으며, 제1 방향과 제2 방향은 임의의 미리 설정된 각도로 교차하여 배치될 수 있다. 일부 선택적인 실시예에서, 제1 방향과 제2 방향 사이의 협각은 도 1에 도시된 X축(제1 방향) 및 Y축(제2 방향)과 같이 90°이고, 따라서, 제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130)는 수평 방향 및 수직 방향으로 수평 및 수직으로 배열될 수 있어, 구조가 간단하고 제조하기에 편리하다.
본 출원의 화소 배열 구조에 있어서, 화소 배열 구조는 화소 유닛(100)을 포함하고, 화소 유닛(100)은 제1 화소군(101) 및 제2 화소군(102)을 포함한다. 2개의 제1 서브 화소(110)와 2개의 제2 서브 화소(120)는 제3 서브 화소(130)의 주변을 둘러싸면서 교대로 배열되므로, 제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130) 사이의 간격을 감소시킬 수 있어, 백색광을 형성하는 서로 인접한 제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130) 사이의 간격이 더 가까워져, 표시 효과를 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130)가 제1 방향에서 선명한 표시 줄무늬를 형성하는 것을 방지할 수 있어, 표시 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.
본 출원의 실시예에서, 2개의 제3 개구변(131)은 각각 2개의 제1 서브 화소(110)의 하나의 제1 개구변(111)과 중첩되도록 배치되고, 2개의 제4 개구변(132)은 각각 2개의 제2 서브 화소(120)의 하나의 제2 개구변(121)과 중첩되도록 배치된다. 제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130)가 서로 다른 마스크 플레이트에 의해 순차적으로 증착되어 형성될 때, 제1 서브 화소(110)를 증착하기 위한 마스크 개구는 제3 서브 화소(130)를 증착하기 위한 마스크 개구의 가장자리와 중첩된다. 한편으로, 증착되어 형성된 제1 서브 화소(110)의 발광 재료의 가장자리는 증착되어 형성된 제3 서브 화소(130)의 발광 재료의 가장자리와 중첩되지 않고, 컬러 크로스 토크를 일으키지 않는다. 다른 한편으로는, 제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130) 사이의 간격을 더욱 감소시킬 수 있어, 화소 개구율 및 표시 효과를 향상시킬 수 있다.
각 서브 화소는 발광 재료 영역 및 발광 재료 영역 내에 위치하는 화소 영역을 포함한다. 발광 재료 영역은 서브 화소를 형성하기 위해 마스크 플레이트를 이용하여 증착할 때 마스크 플레이트 상의 마스크 개구에 대응하는 영역이고, 즉, 발광 재료 영역의 크기는 마스크 개구의 크기와 동일하며, 발광 재료 영역 내에 발광 재료가 증착된다. 화소 영역은 화소 정의층의 화소 개구의 크기이고, 화소 영역은 표시 패널의 화소 전극에 대응된다. 표시 패널의 발광 과정에서, 화소 전극은 화소 영역 내의 발광 재료를 발광하도록 구동하는 바, 즉 발광 재료 영역과 화소 영역이 중첩되는 부위를 발광시킨다. 발광 재료 영역과 화소 영역의 형상은 유사하고, 발광 재료 영역과 화소 영역의 중심은 중첩되며, 발광 재료 영역의 가장자리의 상이한 위치로부터 화소 영역의 가장자리의 상이한 위치까지의 최소 거리는 오차 범위 내에서 동일하다. 발광 재료 영역은 개구변을 구비하고, 화소 영역은 화소 변을 구비한다.
2개의 제3 개구변(131)은 각각 2개의 제1 서브 화소(110)의 하나의 제1 개구변(111)과 중첩되도록 배치된다. 여기서 "중첩되도록 배치" 는 수학 기하학적 의미에서 완전히 중첩된다는 것이 아니라, 제3 개구변(131)과 제1 서브 화소(110)의 하나의 제1 개구변(111) 사이의 거리가 오차 범위 내에서 중첩되면 된다. 예를 들어, 제3 개구변(131)과 제1 서브 화소(110)의 하나의 제1 개구변(111) 사이의 거리가 충분히 작고, 화소 증착 과정에서, 제1 서브 화소(110)를 증착하기 위한 마스크 개구의 하나의 측변과 제3 서브 화소(130)를 증착하기 위한 마스크 개구의 하나의 측변이 동일한 라인을 기준으로 할 수 있으면 된다. 예를 들어, 제3 개구변(131)과 제1 서브 화소(110)의 하나의 제1 개구변(111) 사이의 거리가 0.1μm 이하인 경우, 제3 개구변(131)이 제1 개구변(111)과 중첩되는 것으로 간주할 수 있다.
2개의 제4 개구변(132)은 각각 2개의 제2 서브 화소(120)의 하나의 제2 개구변(121)과 중첩되도록 배치되며, 여기서 "중첩되도록 배치"는 상술한 것과 동일하다. 예를 들어, 제4 개구변(132)과 제2 서브 화소(120)의 하나의 제2 개구변(121) 사이의 거리가 0.1μm 이하인 경우, 제4 개구변(132)이 제2 개구변(121)과 중첩되는 것으로 간주할 수 있다.
도 3 내지 도 5를 함께 참조하면, 도 3은 본 출원의 제1 양태의 실시예에 따른 화소 배열 구조의 제1 서브 화소(110)의 구조 모식도이다. 도 4는 본 출원의 제1 양태의 실시예에 따른 화소 배열 구조의 제2 서브 화소(120)의 구조 모식도이다. 도 5는 본 출원의 제1 양태의 실시예에 따른 화소 배열 구조의 제3 서브 화소(130)의 구조 모식도이다.
제1 서브 화소(110)는 제1 발광 재료 영역(112) 및 제1 화소 영역(113)을 구비하고, 제1 발광 재료 영역(112)은 복수의 제1 개구변(111)을 구비하며, 제1 개구변(111)은 제1 서브 개구변(111a) 및 제2 서브 개구변(111b)을 포함한다. 선택적으로, 제1 서브 개구변(111a)과 제2 서브 개구변(111b)은 미리 설정된 각도로 연결되거나, 제1 서브 개구변(111a)과 제2 서브 개구변(111b)은 원활하게 연결될 수도 있다. 제1 화소 영역(113)의 각 가장자리는 미리 설정된 각도로 연결되거나, 또는 제1 화소 영역(113)의 각 가장자리는 원활하게 연결될 수도 있다.
제2 서브 화소(120)는 제2 발광 재료 영역(122) 및 제2 화소 영역(123)을 구비하고, 제2 발광 재료 영역(122)은 복수의 제2 개구변(121)을 구비하며, 제2 개구변(121)은 제3 서브 개구변(121a) 및 제4 서브 개구변(121b)을 포함한다. 일부 선택적인 실시예에서, 제2 개구변(121)은 제1 모따기변(121c)을 더 포함한다. 선택적으로, 제3 서브 개구변(121a)과 제4 서브 개구변(121b)은 미리 설정된 각도로 연결되거나, 제3 서브 개구변(121a)과 제4 서브 개구변(121b)은 원활하게 연결될 수도 있다. 제2 화소 영역(123)의 각 가장자리는 미리 설정된 각도로 연결되거나, 또는 제2 화소 영역(123)의 각 가장자리는 원활하게 연결될 수도 있다.
제3 서브 화소(130)는 제3 발광 재료 영역(134) 및 제3 화소 영역(135)을 구비하고, 제3 발광 재료 영역(134)은 제3 개구변(131)과 제4 개구변(132)을 구비한다. 일부 선택적인 실시예에서, 제3 발광 재료 영역(134)은 제2 모따기변(133)을 더 구비한다. 선택적으로, 제3 개구변(131)과 제4 개구변(132)은 미리 설정된 각도로 연결되거나, 또는 제3 개구변(131)과 제4 개구변(132)은 원활하게 연결될 수도 있다. 제3 화소 영역(135)의 각 가장자리는 미리 설정된 각도로 연결되거나, 또는 제3 화소 영역(135)의 각 가장자리는 원활하게 연결될 수도 있다.
제2 서브 화소(120)의 복수의 제2 개구변(121)은 제2 서브 화소(120)의 발광 재료 영역의 가장자리이다. 제1 서브 화소(110)의 복수의 제1 개구변(111)은 제1 서브 화소(110)의 발광 재료 영역의 가장자리이다. 제3 서브 화소(130)의 제3 개구변(131)과 제4 개구변(132)은 제3 서브 화소(130)의 발광 재료 영역의 가장자리이다.
제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130)는 백색광을 표시할 수 있는 하나의 화소 표시 유닛(200)을 형성한다. 도 2에서 화소 표시 유닛(200)은 점선 삼각형으로 도시하였지만, 점선 삼각형은 본 출원 실시예의 화소 배열 구조에 대한 구조적 한정을 구성하지 않는다.
본 출원의 화소 배열 구조에 있어서, 화소 유닛(100) 내에서 제1 화소군(101) 및 제2 화소군(102) 중 제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130)의 개수의 비는 모두 1:1:2 이다. 화소 유닛(100)이 제1 방향을 따라 순차적으로 배열될 경우, 제1 화소군(101) 중의 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120)는 모두 제1 방향에서 인접한 2개의 화소 표시 유닛에 의해 공유될 수 있고, 화소 배열 구조에 형성된 화소 표시 유닛(200)의 개수를 증가시킬 수 있고, 보다 적은 서브 화소를 사용하여 큰 화소 해상도를 시뮬레이션하여 구현할 수 있어, 화소 배열 구조의 표시 효과를 향상시킬 수 있다.
일부 선택적인 실시예에서, 제1 서브 화소(110)는 적색 서브 화소이고, 제2 서브 화소(120)는 청색 서브 화소이며, 제3 서브 화소(130)는 녹색 서브 화소이다. 또는, 제1 서브 화소(110)는 청색 서브 화소이고, 제2 서브 화소(120)는 적색 서브 화소이며, 제3 서브 화소(130)는 녹색 서브 화소이다.
인간의 눈은 녹색에 비교적 민감하므로, 이러한 선택적인 실시예에서, 녹색 서브 화소의 수는 많고, 녹색 서브 화소는 공유되지 않으며, 각 화소 표시 유닛(200)은 모두 하나의 완전한 녹색 서브 화소를 포함하여, 표시된 녹색이 왜곡되지 않도록 보장하여, 볼 때 사람의 눈의 편안함을 향상시킬 수 있다.
제3 서브 화소(130)의 형상의 배치 방식에는 여러 가지가 있고, 선택적으로 도 5에 도시된 바와 같이, 2개의 제3 개구변(131)은 평행되게 배치되고, 2개의 제4 개구변(132)은 평행되게 배치된다.
이러한 선택적인 실시예에서, 2개의 제3 개구변(131)이 평행되게 배치될 경우, 해당 제3 개구변(131)과 중첩되고 해당 제3 서브 화소(130)의 주변 측에 위치하는 2개의 제1 서브 화소(110)의 제1 개구변(111)은 평행되게 배치된다. 2개의 제4 개구변(132)이 평행되게 배치될 경우, 해당 제4 개구변(132)과 중첩되고 해당 제3 서브 화소(130)의 주변 측에 위치하는 2개의 제2 서브 화소(120)의 제2 개구변(121)은 평행되게 배치된다. 제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130) 사이의 간격을 더욱 감소시켜, 화소 개구율 및 표시 효과를 향상시킬 수 있다.
선택적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 제3 개구변(131)과 제4 개구변(132) 사이의 협각은 90°이므로, 제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130) 사이의 배열은 더욱 균일하게 된다.
일부 선택적인 실시예에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 제3 서브 화소(130)는 오각형이고, 제3 서브 화소(130)는 그 중 하나의 제3 개구변(131)과 그 중 하나의 제4 개구변(132)을 연결하는 제2 모따기변(133)을 더 포함하고, 제2 모따기변(133)은 제2 방향을 따라 연장되어 형성된다.
이러한 선택적인 실시예에서, 제3 서브 화소(130)는 제2 모따기변(133)을 구비하고, 제2 모따기변(133)은 제2 방향을 따라 연장되어 형성되므로, 제3 서브 화소(130)의 크기가 감소시킬 수 있고, 나아가 화소 유닛(100) 내의 2개의 제3 서브 화소(130) 사이의 간격을 증가시킬 수 있어, 제3 서브 화소(130)를 증착하기 위한 마스크 플레이트의 마스크의 개구 사이의 간격을 증가시킬 수 있으며, 제3 서브 화소(130)를 증착하기 위한 마스크 플레이트의 구조적 강도를 향상시킬 수 있고, 제3 서브 화소(130)의 증착 정밀도를 향상시킬 수 있다.
일부 선택적인 실시예에서, 화소 유닛(100) 내의 2개의 제3 서브 화소(130)는 제2 방향을 따라 연장되는 축에 대해 대칭적으로 분포된다. 따라서 화소 유닛(100) 내의 2개의 제3 서브 화소(130) 사이의 간격을 더 증가시킬 수 있으며, 제3 서브 화소(130)를 증착하기 위한 마스크 플레이트의 구조적 강도를 향상시킬 수 있고, 제3 서브 화소(130)의 증착 정밀도를 향상시킬 수 있다.
선택적으로, 도 1 및 도 5를 참조하면, 화소 유닛(100) 내에서, 서로 인접한 제3 서브 화소(130) 사이, 그리고 제3 서브 화소(130)의 제1 방향에서의 일측에는 제1 서브 화소(110) 및/또는 제2 서브 화소(120)를 구비하고, 축은 제2 서브 화소(120) 및/또는 제1 서브 화소(110)의 중심을 통과한다. 축이 해당 제1 서브 화소(110) 및/또는 제2 서브 화소(120)의 중심을 통과할 때, 화소 배열 구조 내의 복수의 서브 화소의 배열이 더욱 균일하게 되고, 화소 배열 구조의 발색이 더욱 균일하게 된다. 선택적으로, 축은 해당 제1 서브 화소(110) 및 제2 서브 화소(120)의 중심을 통과한다.
도 6을 참조하면, 도 6은 본 출원의 제1 양태의 실시예에 따른 화소 배열 구조의 일부 구조 모식도이다.
일부 선택적인 실시예에서, 제3 서브 화소(130)는 제3 발광 재료 영역(134) 및 제3 발광 재료 영역(134) 내에 위치하는 제3 화소 영역(135)을 포함하고, 제3 개구변(131)과 제4 개구변(132)은 제3 발광 재료 영역(134)의 가장자리이다. 제3 화소 영역(135)은 제3 개구변(131)과 평행되게 배치되는 2개의 제3 화소변(137), 제4 개구변(132)과 평행되게 배치되는 2개의 제4 화소변(138) 및 제2 모따기변(133)과 평행되게 배치되는 제2 화소 모따기변(136)을 포함하고, 제2 화소 모따기변(136)의 양단의 제3 화소변(137)과 제4 화소변(138)의 연장선은 가상 화소 협각을 형성한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제2 화소 모따기변(136)으로부터 가상 화소 협각까지의 거리(Q)는 다음 관계식을 만족시킨다.
여기서, N은 서로 인접한 2개의 화소 유닛(100) 내의 2개의 제3 서브 화소(130)의 제3 발광 재료 영역(134)의 제1 방향에서의 제1 간격(d1)의 절반과 동일한 제3 서브 화소(130) 내의 제3 발광 재료 영역(134)의 가장자리와 제3 화소 영역(135)의 가장자리 사이의 제2 간격(d2)의 합과 같은 바, 즉 N=d1/2+d2 이다.
G는 다음 관계식을 만족시킨다.
H는 다음 관계식을 만족시킨다.
요약하자면, 식 (3)과 식 (4)를 식 (1)에 대입하면 Q은 다음 관계식을 만족시키는 것을 얻을 수 있다.
여기서, d1은 화소 유닛(100) 내의 2개의 제3 서브 화소(130)의 제3 발광 재료 영역(134)의 제1 방향에서의 제1 간격이고, d2는 동일한 제3 서브 화소(130) 내의 제3 발광 재료 영역(134) 의 가장자리와 제3 화소 영역(135)의 가장자리 사이의 제2 간격이며, d3은 동일한 화소 유닛(100) 내의 2개의 제3 서브 화소(130) 사이에 위치하고, 제2 방향을 따라 배열되는 서로 다른 화소 유닛(100) 내의 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120) 사이의 제3 간격이다. 이러한 선택적인 실시예에서, 식 (1)에 따라 제3 서브 화소(130)의 모따기의 크기를 결정할 수 있다.
일부 선택적인 실시예에서, 도 2를 계속하여 참조하면, 화소 배열 구조에는 가상 사각형이 형성되어 있고, 2개의 제1 서브 화소(110)의 중심 및 2개의 제2 서브 화소(120)의 중심은 각각 가상 사각형의 네 개의 꼭지점에 위치하며, 하나의 제3 서브 화소(130)는 가상 사각형 내에 위치한다. 도 2에는 가상 사각형의 배치 위치 및 사이즈를 일점 쇄선으로 나타내지만, 일점 쇄선은 본 발명의 실시예의 화소 배열 구조에 대한 구조적 한정을 구성하지 않는다. 본 실시예에서, 가상 사각형은 이등변 사다리꼴이고, 다른 실시예에서, 가상 사각형은 다른 형상의 사각형일 수 있다. 본 실시예에서, 가상 사각형은 대각선을 가지며, 가상 사각형의 대각선을 대각선으로 하여 가상 정사각형을 형성하고, 가상 정사각형의 변의 길이를 Pi라고 가정하면, 가상 정사각형의 대각선의 길이는 이고, 즉 본 실시예에서의 가상 사각형의 대각선의 길이는 이다. 본 실시예에서, Pi는 화소 사이즈, 즉 화소 사이즈는 상기 가상 정사각형의 변의 길이이다. 그러면 제3 서브 화소(130)의 사이즈는 제1 서브 화소(110)의 사이즈, 제2 서브 화소(120)의 사이즈 및 화소 사이즈에 기초하여 결정될 수 있다.
구체적으로, 동일한 제3 서브 화소(130)에서, 2개의 제3 개구변(131) 사이의 간격은 이고, 여기서, Pi는 화소 사이즈인 바, 즉 Pi는 가상 정사각형의 변의 길이이고, a는 제1 서브 화소(110)의 제4 개구변(132)의 연장 방향에서의 사이즈이며, 및/또는 2개의 제4 개구변(132) 사이의 간격은 이고, 여기서, Pi는 화소 사이즈인 바, 즉 Pi는 가상 정사각형의 변의 길이이고, b는 제3 개구변(131)의 연장 방향에서의 제2 서브 화소(120)의 사이즈이다.
2개의 제3 개구변(131) 사이의 간격(H1)이 인 경우, 제3 서브 화소(130)의 주변에 위치하는 2개의 제1 서브 화소(110)는 제3 서브 화소(130)에 대해 대칭적으로 배치되고, 제3 서브 화소(130)의 주변에 위치하는 2개의 제1 서브 화소(110)로부터 제3 서브 화소(130)까지의 거리는 동일하므로, 복수의 제1 서브 화소(110)의 배열이 보다 균일하게 된다.
2개의 제4 개구변(132) 사이의 간격(H2)이 인 경우, 제3 서브 화소(130)의 주변에 위치하는 2개의 제2 서브 화소(120)는 제3 서브 화소(130)에 대해 대칭적으로 배치되고, 제3 서브 화소(130)의 주변에 위치하는 2개의 제2 서브 화소(120)로부터 제3 서브 화소(130)까지의 거리는 동일하므로, 복수의 제2 서브 화소(120)의 배열이 보다 균일하게 된다.
도 7 및 도 8을 함께 참조하면, 도 7은 본 출원의 제1 양태의 다른 실시예에 따른 화소 배열 구조 중 화소 유닛(100)의 구조 모식도이다. 도 8은 본 출원의 제1 양태의 다른 실시예에 따른 화소 배열 구조의 구조 모식도이다.
제1 서브 화소(110)의 형상의 배치 방식에는 여러 가지가 있는 바, 일부 선택적인 실시예에서, 제1 서브 화소(110)는 평행사변형을 나타내고, 복수의 제1 개구변(111)은 서로 평행되는 2개의 제1 서브 개구변(111a) 및 서로 평행되는 2개의 제2 서브 개구변(111b)을 포함하고, 제1 서브 개구변(111a)과 제2 서브 개구변(111b)은 서로 연결되어 꼭지각을 형성한다. 제2 서브 화소(120)는 오각형으로 형성되고, 복수의 제2 개구변(121)은 서로 평행되는 2개의 제3 서브 개구변(121a), 서로 평행되는 2개의 제4 서브 개구변(121b), 및 제3 서브 개구변(121a) 중 하나의 제3 서브 개구변(121a)과 제4 서브 개구변(121b) 중 하나의 제4 서브 개구변(121b)을 연결하는 제1 모따기변(121c)을 포함한다. 여기서, 제i행의 제1 서브 화소(110)의 하나의 꼭지각은 제i+1행의 제2 서브 화소(120)의 제1 모따기변(121c)과 맞닿는다.
이러한 선택적인 실시예에서, 제2 서브 화소(120)들은 오각형을 이루고, 제i행의 제1 서브 화소(110)의 하나의 꼭지각은 제i+1행의 제2 서브 화소(120)의 제1 모따기변(121c)과 맞닿음으로써, 제i행의 제1 서브 화소(110)와 제i+1행의 제2 서브 화소(120) 사이의 간격을 감소시킬 수 있고, 제i행의 제1 서브 화소(110)와 제i+1행의 제2 서브 화소(120)의 중첩을 방지할 수 있으며, 동시에 화소 개구율을 향상시킬 수 있다.
선택적으로, 대응하는 제1 서브 개구변(111a)과 제2 서브 개구변(111b) 사이의 협각은 제3 서브 개구변(121a)과 제4 서브 개구변(121b) 사이의 협각과 동일하다.
여기서, "대응하는" 것은, 예를 들어, 제1 서브 화소(110)의 2개의 제1 서브 개구변(111a)과 2개의 제2 서브 개구변(111b) 사이에는 네 개의 꼭지각이 형성되고, 이 네 개의 꼭지각은 2개의 제1 꼭지각 및 2개의 제2 꼭지각을 포함하며, 2개의 제1 꼭지각은 제2 방향을 따라 분포되고, 2개의 제2 꼭지각은 제1 방향을 따라 분포된다는 것을 의미한다. 그러면, 제2 서브 화소(120)의 2개의 제3 서브 개구변(121a)과 2개의 제4 서브 개구변(121b) 사이에는 4 개의 꼭지각이 형성되고, 이 네 개의 꼭지각은 2개의 제3 꼭지각 및 2개의 제4 꼭지각을 포함하며, 2개의 제3 꼭지각은 제2 방향을 따라 분포되며, 2개의 제4 꼭지각은 제1 방향을 따라 분포된다. 또한 제1 꼭지각은 제3 꼭지각과 동일하고, 제2 꼭지각은 제4 꼭지각과 동일하다.
선택적으로, 제1 꼭지각은 제2 꼭지각보다 작을 수 있으며, 예를 들어 제1 꼭지각은 예각이고 제2 꼭지각은 둔각이다. 또는, 제1 꼭지각은 제2 꼭지각과 동일할 수 있고, 제1 꼭지각과 제2 꼭지각은 모두 직각이다.
이러한 선택적인 실시예에서, 제1 꼭지각과 제3 꼭지각이 동일하고, 제2 꼭지각과 제4 꼭지각이 동일할 경우, 제1 방향 및 제2 방향에서의 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120)의 사이즈가 거의 같게 되고, 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120)가 제1 방향 및 제2 방향을 따라 어레이로 배열될 때, 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120) 사이의 간격을 감소시켜, 화소 개구율을 향상시킬 수 있다.
선택적으로, 대응하는 제1 서브 개구변(111a)과 제2 서브 개구변(111b) 사이의 협각, 제3 서브 개구변(121a)과 제4 서브 개구변(121b) 사이의 협각 및 제3 개구변(131)과 제4 개구변(132) 사이의 협각은 동일하다.
예를 들어, 제3 서브 화소(130)는 제2 방향을 따라 분포된 2개의 제5 꼭지각 및 제1 방향을 따라 분포된 2개의 제6 꼭지각인 네 개의 꼭지각을 포함하고, 제1 꼭지각, 제3 꼭지각 및 제5 꼭지각은 동일하고, 제2 꼭지각, 제4 꼭지각 및 제6 꼭지각은 동일하다.
이러한 선택적인 실시예에서, 각 서브 화소는 더 균일하게 배열되고, 제1 서브 화소(110), 제2 서브 화소(120) 및 제3 서브 화소(130) 사이의 간격을 감소시켜, 화소 개구율을 향상시킬 수 있다.
선택적으로, 2개의 제3 개구변(131) 사이의 간격은 2개의 제4 개구변(132) 사이의 간격보다 크고, 제i행의 제2 서브 화소(120)와 제i+1행의 제1 서브 화소(110)는 제2 방향을 따라 간격을 두고 배치된다.
이러한 선택적인 실시예에서, 제i행의 제1 서브 화소(110)는 제i+1행의 제2 서브 화소(120)와 맞닿고, 제i행의 제2 서브 화소(120)는 제i+1행의 제1 서브 화소(110)와 이격되어 분포되어, 제3 서브 화소(130)의 주변을 둘러싸는 2개의 제1 서브 화소(110)의 중심과 2개의 제2 서브 화소(120)의 중심의 연결선이 사다리꼴 형상을 이루도록 한다.
일부 선택적인 실시예에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 서브 화소(110)는 직사각형이고, 제2 서브 화소(120)에서 제3 서브 개구변(121a)과 제4 서브 개구변(121b) 사이의 협각은 90°이다. 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120)의 면적을 증가시킬 수 있어, 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120)가 화소 배열 구조 내에서 더욱 균일하게 분포되도록 할 수 있다.
선택적으로, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 서브 화소(110)는 정사각형이고, 제2 서브 화소(120)에서 서로 연결되는 제3 서브 개구변(121a)과 제4 서브 개구변(121b)의 길이는 동일하다. 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120)의 면적을 더 증가시킬 수 있어, 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120)가 화소 배열 구조 내에서 더욱 균일하게 분포되도록 할 수 있다.
선택적으로, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 모따기변(121c)은 제1 방향을 따라 연장되고, 제i행의 제1 서브 화소(110)의 하나의 꼭지각은 제i+1행의 제2 서브 화소(120)의 제1 모따기변(121c)의 중간 부분에 대응된다. 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120)의 제2 방향에서의 배열이 더욱 대응되도록 하고, 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120)가 화소 배열 구조 내에서 더욱 균일하게 분포되도록 할 수 있다.
선택적으로, 제1 서브 화소(110)는 제2 방향을 따라 연장되는 제2 대각선을 구비하고, 제i행의 제1 서브 화소(110)의 제2 대각선은 제i+1행의 제2 서브 화소(120)의 제1 모따기변(121c)에 수직되게 배치된다.
선택적으로, 제1 서브 개구변(111a)의 길이는 2개의 서로 연결되는 제3 서브 개구변(121a)과 제4 서브 개구변(121b)의 길이와 같고, 제2 서브 개구변(111b)의 길이는 2개의 서로 연결되는 제3 서브 개구변(121a)과 제4 서브 개구변(121b)의 길이와 같다. 이러한 선택적인 실시예에서, 공유되는 제1 서브 화소(110)와 제2 서브 화소(120)의 면적이 거의 같으므로, 화소 배열 구조의 균일한 색상 표시를 확보할 수 있다.
또한, 일부 선택적인 실시예에서, 제1 서브 화소(110)의 면적은 단일 제3 서브 화소(130)의 면적보다 크고, 및/또는 제2 서브 화소(120)의 면적은 단일 제3 서브 화소(130)의 면적보다 크다.
이러한 선택적인 실시예에 있어서, 공유되는 서브 화소의 면적은 공유되지 않은 서브 화소의 면적보다 크므로, 화소 배열 구조의 표시 효과를 확보할 수 있다. 공유되는 서브 화소는 그에 의해 형성된 2개의 화소 표시 유닛(200)이 표시할 때 모두 표시 해야 하고, 그 표시 횟수가 공유되지 않은 서브 화소보다 크므로, 공유되는 서브 화소의 면적이 크면, 공유되는 서브 화소의 사용 수명을 향상시킬 수 있으며, 나아가 전체 화소 배열 구조의 사용 수명을 향상시킬 수 있다.
선택적으로, 제1 서브 화소(110)는 제2 방향을 따라 연장되는 제1 축에 대해 대칭적으로 배치되고, 제1 축은 제1 서브 화소(110)의 중심을 지나며, 및/또는 제2 서브 화소(120)는 제2 방향을 따라 연장되는 제2 축에 대해 대칭적으로 배치되고, 제2 축은 제2 서브 화소(120)의 중심을 지난다.
일부 선택적인 실시예에서, 제1 서브 화소(110)에는 2개의 서로 절연된 제1 애노드 블록이 대응하여 배치되고, 2개의 제1 애노드 블록은 제1 방향을 따라 나란히 배치된다.
이러한 선택적인 실시예에서, 2개의 제1 애노드 블록은 서로 절연되어, 2개의 제1 애노드 블록은 독립적으로 제어될 수 있다. 제1 서브 화소(110)는 제1 방향에서 인접한 2개의 화소 표시 유닛(200)에 의해 공유되며, 인접한 2개의 화소 표시 유닛(200) 중 하나만이 표시될 필요가 있을 경우, 대응하는 제1 애노드 블록이 동작하도록 제어하여, 제1 서브 화소(110)의 대응되는 부분이 발광하도록 할 수 있고, 제1 서브 화소(110)의 표시할 필요가 없는 다른 부분은 발광하지 않도록 함으로써, 표시 정밀도를 향상시킬 수 있다.
일부 선택적인 실시예에서, 제2 서브 화소(120)에는 2개의 서로 절연된 제2 애노드 블록이 대응하여 배치되고, 2개의 제2 애노드 블록은 제1 방향을 따라 나란히 배치된다.
이러한 선택적인 실시예에서, 제2 서브 화소(120)는 제1 방향에서 인접한 2개의 화소 표시 유닛(200)에 의해 공유되며, 인접한 2개의 화소 표시 유닛(200) 중 하나만이 표시될 필요가 있을 경우, 대응하는 제2 애노드 블록이 동작하도록 제어하여, 제2 서브 화소(120)의 대응되는 부분이 발광하도록 할 수 있고, 제2 서브 화소(120)의 표시할 필요가 없는 다른 부분은 발광하지 않도록 함으로써, 표시 정밀도를 향상시킬 수 있다.
본 출원의 제2 실시예는 상술한 임의의 제1 실시예의 화소 배열 구조를 포함하는 표시 패널을 더 제공한다. 본 출원의 실시예의 표시 패널은 상술 임의의 제1 실시예의 화소 배열 구조를 포함하므로, 본 출원의 표시 패널은 상술한 임의의 제1 실시예의 화소 배열 구조가 갖는 유익한 효과를 가지며, 여기서 더 이상 반복하여 설명하지 않는다.
일부 선택적인 실시예에서, 표시 패널은 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA) 주위에 배치된 비표시 영역(NA)을 포함한다. 다른 실시예에서, 표시 패널은 비표시 영역(NA)을 포함하지 않고 표시 영역(AA)만을 포함 할 수도 있다. 표시 영역(AA)을 부분적으로 확대하면 알 수 있듯이, 표시 패널의 화소 배열 구조는 상술한 화소 배열 구조를 선택하여 사용하였다.
본 출원의 제3 양태의 실시예는 상술한 표시 패널을 포함하는 전자 장치를 더 제공한다. 본 출원의 실시예의 전자 장치는 상술한 표시 패널을 포함하므로, 상술한 표시 패널이 갖는 유리한 효과를 가지며, 여기서 더 이상 반복하여 설명하지 않는다.
전자 장치의 유형은 여기에서 한정하지 않으며, 전자 장치는 이동 단말기, 디스플레이 등일 수 있다.
도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 도 9 는 본 출원의 제4 양태의 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 제1 마스크 플레이트(10)의 구조 모식도이다. 도 10은 본 출원의 제4 양태의 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 제2 마스크 플레이트(20)의 구조 모식도이다. 도 11은 본 출원의 제4 양태의 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 제3 마스크 플레이트의 구조 모식도이다.
본 출원의 제4 양태의 실시예는 마스크 어셈블리를 더 제공하는 바, 해당 마스크 어셈블리는 제1 서브 화소(110)에 적합하는 제1 마스크 개구(11)를 포함하는 제1 마스크 플레이트(10); 제2 서브 화소(120)에 적합하는 제2 마스크 개구(21)를 포함하는 제2 마스크 플레이트(20); 및 제3 서브 화소(130)에 적합하는 제3 마스크 개구(31)를 포함하는 제3 마스크 플레이트(30) 를 포함한다. 본 출원의 마스크 어셈블리를 이용하여 상술한 임의의 제1 양태의 실시예의 화소 배열 구조를 증착하여 형성할 수 있다.
본 출원은 그 정신 및 본질적인 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 구체적인 형태로 구현될 수 있다. 예를 들어, 특정 실시예에서 설명된 알고리즘은 수정될 수 있으나, 시스템 체계 구조는 본 출원의 기본 사상을 벗어나지 않는다. 따라서, 현재 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 간주되어야 하며, 본 출원의 범위는 상기 설명이 아니라 후술하는 특허청구범위에 의하여 정의되며, 특허청구범위의 의미 및 균등물의 범위 내의 모든 변경은 본 출원의 범위에 포함된다.

Claims (19)

  1. 화소 배열 구조에 있어서,
    상기 화소 배열 구조는 제1 방향과 제2 방향을 따라 행 및 열로 배열되는 복수의 화소 유닛을 포함하고, 상기 화소 유닛은,
    상기 제1 방향을 따라 분포되며 복수의 제1 개구변을 갖는 제1 서브 화소 및 복수의 제2 개구변을 갖는 제2 서브 화소를 포함하는 제1 화소군; 및
    상기 제2 방향에서 상기 제1 화소군의 일측에 위치하고, 상기 제1 방향을 따라 분포되는 2개의 제3 서브 화소를 포함하는 제2 화소군으로서, 하나의 상기 제3 서브 화소는 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이에 대응하여 배치되고, 상기 제3 서브 화소는 대향하여 배치되는 2개의 제3 개구변과 대향하여 배치된 2개의 제4 개구변을 가지는 제2 화소군;을 포함하며,
    여기서, 상기 제2 방향을 따라 인접한 2행의 화소 유닛은 엇갈리게 배치되고, 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소는 상기 제2 방향을 따라 교대로 배열되며, 2개의 상기 제1 서브 화소와 2개의 상기 제2 서브 화소는 상기 제3 서브 화소의 주변을 둘러싸면서 교대로 배열되고, 2개의 상기 제3 개구변은 각각 2개의 상기 제1 서브 화소의 하나의 상기 제1 개구변과 중첩되도록 배치되며, 2개의 상기 제4 개구변은 각각 2개의 상기 제2 서브 화소의 하나의 상기 제2 개구변과 중첩되도록 배치되는,
    화소 배열 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소는 평행사변형이고, 복수의 상기 제1 개구변은 서로 평행되는 2개의 제1 서브 개구변과 서로 평행되는 2개의 제2 서브 개구변을 포함하며, 상기 제1 서브 개구변과 상기 제2 서브 개구변은 서로 연결되어 꼭지각을 형성하고，
    상기 제2 서브 화소는 오각형이며, 복수의 상기 제2 개구변은 서로 평행되는 2개의 제3 서브 개구변, 서로 평행되는 2개의 제4 서브 개구변, 및 상기 제3 서브 개구변 중 하나와 상기 제4 서브 개구변 중 하나를 연결하는 제1 모따기변을 포함하고,
    여기서, 제i행의 상기 제1 서브 화소의 하나의 상기 꼭지각은 제i+1행의 상기 제2 서브 화소의 상기 제1 모따기변에 맞닿는,
    화소 배열 구조.
  3. 제2항에 있어서,
    2개의 상기 제3 개구변 사이의 간격은 2개의 상기 제4 개구변 사이의 간격보다 크고, 제i행의 상기 제2 서브 화소와 제i+1행의 상기 제1 서브 화소는 상기 제2 방향을 따라 이격되어 배치되는,
    화소 배열 구조.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소는 직사각형이고, 상기 제3 서브 개구변과 상기 제4 서브 개구변의 협각은 90°인,
    화소 배열 구조.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소는 정사각형이고, 서로 연결된 상기 제3 서브 개구변과 상기 제4 서브 개구변의 길이가 동일한,
    화소 배열 구조.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1 모따기변은 상기 제1 방향에 따라 연장되고, 제i행의 상기 제1 서브 화소의 꼭지각 중 하나는 제i+1행의 상기 제2 서브 화소의 상기 제1 모따기변의 중간 부분에 대응되는,
    화소 배열 구조.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소는 상기 제2 방향으로 연장되는 제2 대각선을 갖고, 제i행의 상기 제1 서브 화소의 상기 제2 대각선은 제i+1행의 상기 제2 서브 화소의 상기 제1 모따기변과 수직되게 배치되는,
    화소 배열 구조.
  8. 제1항에 있어서,
    2개의 상기 제3 개구변은 평행되게 배치되고, 2개의 상기 제4 개구변은 평행되게 배치되는,
    화소 배열 구조.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 서브 화소는 오각형이고, 상기 제3 서브 화소는 하나의 상기 제3 개구변과 하나의 상기 제4 개구변을 연결하는 제2 모따기변을 더 포함하며, 상기 제2 모따기변은 상기 제2 방향에 따라 연장되어 형성되는,
    화소 배열 구조.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 화소 유닛 내의 2개의 상기 제3 서브 화소는 상기 제2 방향을 따라 연장되는 축을 중심으로 대칭적으로 분포되는,
    화소 배열 구조.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제3 서브 화소는 제3 발광 재료 영역 및 상기 제3 발광 재료 영역 내에 위치하는 제3 화소 영역을 포함하고, 상기 제3 개구변과 상기 제4 개구변은 상기 제3 발광 재료 영역의 가장자리이며,
    상기 제3 화소 영역은 상기 제3 개구변에 평행되게 배치되는 2개의 제3 화소변, 상기 제4 개구변에 평행되게 배치되는 2개의 제4 화소변, 및 상기 제2 화소 모따기변에 평행되게 배치되는 제2 화소 모따기변을 포함하고,
    상기 제2 화소 모따기변의 양단의 상기 제3 화소변과 상기 제4 화소변의 연장선은 가상 화소 협각을 형성하며,
    상기 제2 화소 모따기변으로부터 상기 가상 화소 협각까지의 거리(Q)는 다음 관계식을 만족시키는 바,

    여기서, d1은 상기 화소 유닛 내의 2개의 상기 제3 서브 화소의 상기 제3 발광 재료 영역의 상기 제1 방향에서의 제1 간격이고, d2는 동일한 상기 제3 서브 화소 내의 상기 제3 발광 재료 영역의 가장자리와 상기 제3 화소 영역의 가장자리 사이의 제2 간격이며, d3은 동일한 상기 화소 유닛 내의 2개의 상기 제3 서브 화소 사이에 위치하고 상기 제2 방향을 따라 배열되는 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이의 제3 간격인,
    화소 배열 구조.
  12. 제8항에 있어서,
    2개의 상기 제3 개구변 사이의 간격은 이고, 여기서, Pi는 화소 사이즈이고, a는 상기 제4 개구변의 연장 방향에서의 상기 제1 서브 화소의 사이즈인,
    화소 배열 구조.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 화소 배열 구조에는 가상 사각형이 형성되어 있고, 2개의 상기 제1 서브 화소의 중심 및 2개의 상기 제2 서브 화소의 중심은 각각 상기 가상 사각형의 네 개의 꼭지점에 위치하며, 상기 제3 서브 화소는 상기 가상 사각형 내에 위치하고, 상기 가상 사각형의 대각선을 대각선으로 하여 가상 정사각형을 형성하며, 상기 화소 사이즈는 상기 가상 정사각형의 변의 길이인,
    화소 배열 구조.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 가상 사각형은 이등변 사다리꼴인,
    화소 배열 구조.
  15. 제8항에 있어서,
    2개의 상기 제4 개구변 사이의 간격은 이고, 여기서, Pi는 화소 사이즈 이며, b는 상기 제3 개구변의 연장 방향에서의 상기 제2 서브 화소의 사이즈인,
    화소 배열 구조.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 화소 배열 구조는 가상 사각형을 가지고, 상기 가상 사각형의 네 개의 꼭지점은 각각 2개의 상기 제1 서브 화소의 중심 및 2개의 상기 제2 서브 화소의 중심에 위치하며, 상기 제3 서브 화소는 상기 가상 사각형 내에 위치하고, 상기 가상 사각형의 대각선을 대각선으로 하여 가상 정사각형을 형성하며, 상기 화소 사이즈는 상기 가상 정사각형의 변의 길이인,
    화소 배열 구조.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 가상 사각형은 이등변 사다리꼴인,
    화소 배열 구조.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 화소 배열 구조를 증착하여 형성하기 위한 마스크 어셈블리에 있어서,
    상기 제1 서브 화소에 적합하는 제1 마스크 개구를 포함하는 제1 마스크 플레이트;
    상기 제2 서브 화소에 적합하는 제2 마스크 개구를 포함하는 제2 마스크 플레이트; 및
    상기 제3 서브 화소에 적합하는 제3 마스크 개구를 포함하는 제3 마스크 플레이트,
    를 포함하는, 마스크 어셈블리.
  19. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 화소 배열 구조를 포함하는 표시 패널.
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