JP2024501566A

JP2024501566A - 画素配列構造、マスクアセンブリ、及び表示パネル

Info

Publication number: JP2024501566A
Application number: JP2023540217A
Authority: JP
Inventors: 張浩瀚; 姚遠; 劉明星; 肖一鳴; 趙理
Original assignee: Hefei Visionox Technology Co Ltd
Current assignee: Hefei Visionox Technology Co Ltd
Priority date: 2021-06-17
Filing date: 2022-03-18
Publication date: 2024-01-12
Also published as: CN113437122A; KR20230107887A; US20230337478A1; CN113437122B; WO2022262343A1

Abstract

本願の実施例は、画素配列構造、マスクアセンブリ、及び表示パネルを提供し、画素配列構造は複数の画素ユニットを含み、画素ユニットは、第１の画素群と第２の画素群を含み、第１の画素群は、第１の方向に沿って分布される第１のサブ画素及び第２のサブ画素を含み、第１のサブ画素は複数の第１の開口辺を有し、第２のサブ画素は複数の第２の開口辺を有し、第２の画素群は第１の方向に沿って分布される２つの第３のサブ画素を含み、かつそのうちの１つの第３のサブ画素が第１のサブ画素と第２のサブ画素との間に対応して設置され、第３のサブ画素が対向して設置された２つの第３の開口辺及び対向して設置された２つの第４の開口辺を有し、そのうち、第２の方向に沿って隣接する２行の画素ユニットがずらして設置され、２本の第３の開口辺がそれぞれ２つの第１のサブ画素のうちの１つの第１の開口辺と重なって設置され、２本の第４の開口辺がそれぞれ２つの第２のサブ画素のうちの１つの第２の開口辺と重なって設置されている。【選択図】図２

Description

本願は、２０２１年６月１７日に提出された名称が「画素配列構造、マスクアセンブリ、及び表示パネル」である中国特許出願第２０２１１０６７５０４９．７号の優先権を主張し、該出願の全ての内容は引用により本明細書に組み込まれる。

本願は、表示技術分野に関し、特に画素配列構造、マスクアセンブリ、及び表示パネルに関する。

有機発光ダイオード（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔ－ＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）はアクティブ発光素子である。従来の液晶表示デバイス（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）の表示方式に比べて、ＯＬＥＤ表示技術はバックライトを必要とせず、自発光の特性を有する。ＯＬＥＤは、薄い有機材料膜層及びガラス基板を採用し、電流が流れると、有機材料が発光する。したがって、ＯＬＥＤ表示パネルは電気エネルギーを顕著に節約することが可能であり、より軽くかつ薄くさせることができ、ＬＣＤ表示パネルより広い範囲の温度変化に耐え、かつ可視角度がより大きい。ＯＬＥＤ表示パネルは、ＬＣＤに続く次世代のフラットパネル表示技術として期待され、現在のフラットパネル表示技術において最も注目される技術の１つである。

本願の実施例は、画素配列構造、マスクアセンブリ、及び表示パネルを提供し、画素配列構造の表示効果を向上させることを目的とする。

本願の第１の態様の実施例は、画素配列構造を提供し、画素配列構造は、第１の方向及び第２の方向に沿って行と列で配列された複数の画素ユニットを含み、画素ユニットは、第１の方向に沿って分布する第１のサブ画素と第２のサブ画素を含む第１の画素群であって、第１のサブ画素が複数の第１の開口辺を有し、第２のサブ画素が複数の第２の開口辺を有する第１の画素群と、第１の画素群の第２の方向における一方側に位置し、第１の方向に沿って分布する２つの第３のサブ画素を含む第２の画素群と、を含み、２つの第３のサブ画素における１つの第３のサブ画素が第１のサブ画素と第２のサブ画素の間に対応して設置され、第３のサブ画素が対向して設置された２本の第３の開口辺及び対向して設置された２本の第４の開口辺を有し、第２の方向に沿って隣接する２行の画素ユニットがずれて設置され、第１のサブ画素と第２のサブ画素が第２の方向に沿って交互に配列され、２つの第１のサブ画素と２つの第２のサブ画素が第３のサブ画素の外周側を囲んで交互に配列され、かつ２つの第３の開口辺がそれぞれ２つの第１のサブ画素のうちの１つの第１の開口辺と重なって設置され、２つの第４の開口辺がそれぞれ２つの第２のサブ画素のうちの１つの第２の開口辺と重なって設置されている。

本願の第２の態様はさらにマスクアセンブリを提供し、マスクアセンブリは上記いずれかの第１の態様の実施例の画素配列構造を蒸着形成するために用いられ、マスクアセンブリは、第１のサブ画素にマッチする第１のマスク開口を含む第１のマスク板と、第２のサブ画素にマッチする第２のマスク開口を含む第２のマスク板と、第３のサブ画素にマッチする第３のマスク開口を含む第３のマスク板と、を含む。

本願の第３の態様はさらに表示パネルを提供し、表示パネルは上記いずれかの第１の態様の実施例の画素配列構造を含む。

本願の画素配列構造において、画素配列構造は画素ユニットを含み、画素ユニットは第１の画素群及び第２の画素群を含む。２つの第１のサブ画素と２つの第２のサブ画素は第３のサブ画素の外周側を囲んで交互に配列されることで、第１のサブ画素、第２のサブ画素と第３のサブ画素との間のピッチを減少させることができ、それにより白色光を発生する第１のサブ画素、第２のサブ画素と第３のサブ画素との間のピッチがより近く、表示効果を向上させることができる。また、２つの第３の開口辺はそれぞれ２つの第１のサブ画素のうちの１つの第１の開口辺と重なって設置され、２つの第４の開口辺はそれぞれ２つの第２のサブ画素のうちの１つの第２の開口辺と重なって設置される。さらに、第１のサブ画素、第２のサブ画素と第３のサブ画素との間のピッチを減少させ、画素開口率及び表示効果を向上させることができる。

以下の図面を参照して非限定的な実施例に対して行われた詳細な説明を読むことにより、本願の他の特徴、目的及び利点はより明らかになる。ここで、同一又は類似の図面符号は同一又は類似の特徴を示す。
本願の第１の態様の実施例に係る画素配列構造における画素ユニットの構造模式図である。本願の第１の態様の実施例に係る画素配列構造の構造模式図である。本願の第１の態様の実施例に係る画素配列構造の第１のサブ画素の構造模式図である。本願の第１の態様の実施例に係る画素配列構造の第２のサブ画素の構造模式図である。本願の第１の態様の実施例に係る画素配列構造の第３のサブ画素の構造模式図である。本願の第１の態様の実施例に係る画素配列構造の一部構造模式図である。本願の第１の態様の別の実施例に係る画素配列構造における画素ユニットの構造模式図である。本願の第１の態様の別の実施例に係る画素配列構造の構造模式図である。本願の第４の態様の実施例に係るマスクアセンブリの第１のマスクプレートの構造模式図である。本願の第４の態様の実施例に係るマスクアセンブリの第２のマスクプレートの構造模式図である。本願の第４の態様の実施例に係るマスクアセンブリの第３のマスクプレートの構造模式図である。

以下、本願の各実施形態の特徴や実施例について詳細に説明する。以下の詳細な説明において、多くの具体的な詳細を提供することにより、本願の全面的な理解を提供する。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本願はこれらの具体的な詳細のうちのいくつかの詳細を必要としない場合でも実施することができる。以下の実施例の説明は本願の例を示すことにより本願をよりよく理解するために用いられる。本願に不必要にあいまいになることを回避するために、図面及び以下の説明において、少なくとも部分的な周知の構造及び技術は示されていない。また、明確にするために、一部の構造のサイズを誇張する可能性がある。また、以下に記載の特徴、構造又は特性は任意の適切な方式で１つ以上の実施例に結合することができる。

本願をよりよく理解するために、以下に図１～図１１を参照して本願の実施例に係る画素配列構造、マスクアセンブリ、表示パネル、及び電子装置を詳細に説明する。

図１及び図２に示すとおり、図１は、本願の実施例に係る画素配列構造における画素ユニット１００の構造模式図であり、図２は、本願の実施例に係る画素配列構造の構造模式図である。

本願の実施例に係る画素配列構造によれば、画素配列構造は複数のサブ画素を含み、複数のサブ画素が組み合わせられて画素ユニット１００を形成し、画素ユニット１００が平行に重複されて画素配列構造を形成する。サブ画素は、例えば、第１のサブ画素１１０と、第２のサブ画素１２０と、第３のサブ画素１３０とを含む。

いくつかの実施例において、画素配列構造は、第１の方向及び第２の方向に沿って行と列をなして配列された複数の画素ユニット１００を含み、画素ユニット１００は、第１の画素群１０１と第２の画素群１０２を含み、第１の画素群１０１は、第１の方向に沿って分布する第１のサブ画素１１０及び第２のサブ画素１２０を含み、第１のサブ画素１１０は複数の第１の開口辺１１１を有し、第２のサブ画素１２０は、複数の第２の開口辺１２１を有し、第２の画素群１０２は、第１の画素群１０１の第２の方向における一方側に位置し、第２の画素群１０２は、第１の方向に沿って分布される２つの第３のサブ画素１３０を含み、かつそのうちの１つの第３のサブ画素１３０は、第１のサブ画素１１０と第２のサブ画素１２０との間に対応して設置され、第３のサブ画素１３０は、対向して設置された２本の第３の開口辺１３１及び対向して設置された２本の第４の開口辺１３２を有し、そのうち、第２の方向に沿って隣接する２行の画素ユニット１００は、ずれて設置され、第１のサブ画素１１０と第２のサブ画素１２０は、第２の方向に沿って交互に配列され、２つの第１のサブ画素１１０と２つの第２のサブ画素１２０は、第３のサブ画素１３０の外周側を囲んで交互に配列され、かつ２つの第３の開口辺１３１は、それぞれ２つの第１のサブ画素１１０のうちの１つの第１の開口辺１１１と重なって設置され、２つの第４の開口辺１３２は、それぞれ２つの第２のサブ画素１２０のうちの１つの第２の開口辺１２１と重なって設置されている。

第１の方向と第２の方向の設置方式は様々であり、第１の方向と第２の方向は任意の所定の角度で交差して設置することができる。いくつかの選択可能的な実施例において、第１の方向と第２の方向との間の夾角は、９０度を成し、図１に示すようなＸ軸（第１の方向）及びＹ軸（第２の方向）であり、したがって各第１のサブ画素１１０、第２のサブ画素１２０、及び第３のサブ画素１３０は、水平及び垂直方向に沿ってそれぞれ行と列で配列することができ、構造が簡単であり、製造しやすい。

本願の画素配列構造において、画素配列構造は画素ユニット１００を含み、画素ユニット１００は第１の画素群１０１及び第２の画素群１０２を含む。２つの第１のサブ画素１１０と２つの第２のサブ画素１２０は、第３のサブ画素１３０の外周側を囲んで交互に配列されることで、第１のサブ画素１１０、第２のサブ画素１２０と第３のサブ画素１３０との間のピッチを減少させることができ、それにより白色光を発生する隣接する第１のサブ画素１１０、第２のサブ画素１２０と第３のサブ画素１３０との間のピッチがより近く、表示効果を向上させることができる。また、第１のサブ画素１１０、第２のサブ画素１２０及び第３のサブ画素１３０が第１の方向に明らかな縞模様を形成することを回避し、表示効果をさらに向上させることができる。

本願の実施例において、２つの第３の開口辺１３１は、それぞれ２つの第１のサブ画素１１０のうちの１つの第１の開口辺１１１と重なって設置され、２つの第４の開口辺１３２はそれぞれ２つの第２のサブ画素１２０のうちの１つの第２の開口辺１２１と重なって設置される。異なるマスク板を利用して順にそれぞれ第１のサブ画素１１０、第２のサブ画素１２０及び第３のサブ画素１３０を蒸着形成する場合、第１のサブ画素１１０を蒸着するためのマスク開口は、第３のサブ画素１３０を蒸着するためのマスク開口と縁部に重なる。一方で、蒸着により形成された第１のサブ画素１１０の発光材料の縁部と蒸着により形成された第３のサブ画素１３０の発光材料の縁部は重ならず、カラークロストークを引き起こさない。他方で、さらに第１のサブ画素１１０、第２のサブ画素１２０と第３のサブ画素１３０との間のピッチを減少させ、画素開口率及び表示効果を向上させることができる。

各サブ画素は、いずれも発光材料領域と発光材料領域内に位置する画素領域を含む。発光材料領域はマスクプレートを利用してサブ画素を蒸着形成する場合にマスクプレート上のマスク開口に対応する領域であり、すなわち発光材料領域のサイズはマスク開口のサイズに等しく、発光材料領域内に発光材料が蒸着される。画素領域は画素定義層上の画素開口のサイズであり、画素領域は表示パネルの画素電極に対応する。表示パネルが発光する過程において、画素電極は画素領域における発光材料が発光するように駆動され、すなわち発光材料領域と画素領域が重なる部位が発光する。発光材料領域と画素領域の形状が類似し、かつ発光材料領域と画素領域の中心が重なり、発光材料領域の縁部の異なる位置から画素領域の縁部の異なる位置までの最小距離が誤差範囲内で等しい。発光材料領域は開口辺を有し、画素領域は画素辺を有する。

２つの第３の開口辺１３１はそれぞれ２つの第１のサブ画素１１０のうちの１つの第１の開口辺１１１と重なるように設置される。ここでの「重なるようにて設置される」は数学的幾何学的意味で完全に重なることではなく、第３の開口辺１３１と第１のサブ画素１１０のうちの１つの第１の開口辺１１１との間の距離が誤差範囲内で重なればよい。例えば第３の開口辺１３１と第１のサブ画素１１０のうちの１つの第１の開口辺１１１との間の距離は十分に小さく、画素蒸着過程において、第１のサブ画素１１０を蒸着するマスク開口のうちの１つの側辺と、第３のサブ画素１３０を蒸着するマスク開口のうちの１つの側辺とは同じ線を参照とすればよい。例えば第３の開口辺１３１と第１のサブ画素１１０のうちの１本の第１の開口辺１１１との間の距離が０．１μｍ以下である場合、第３の開口辺１３１が該第１の開口辺１１１と重なると考えられる。

２つの第４の開口辺１３２は、それぞれ２つの第２のサブ画素１２０のうちの１つの第２の開口辺１２１と重なるように設置され、ここで「重なるようにて設置される」は上記と同じである。例えば第４の開口辺１３２と第２のサブ画素１２０のうちの１本の第２の開口辺１２１との間の距離が０．１μｍ以下である場合、第４の開口辺１３２が該第２の開口辺１２１と重なると考えられる。

図３～図５に示すとおり、図３は、本願の第１の実施形態に係る画素配列構造の第１のサブ画素１１０の構造模式図である。図４は、本願の第１の実施形態に係る画素配列構造の第２のサブ画素１２０の構造模式図である。図５は、本願の第１の実施形態に係る画素配列構造の第３のサブ画素１３０の構造模式図である。

第１のサブ画素１１０は、第１の発光材料領域１１２及び第１の画素領域１１３を有し、第１の発光材料領域１１２は複数の第１の開口辺１１１を有し、第１の開口辺１１１は第１のサブ開口辺１１１ａ及び第２のサブ開口辺１１１ｂを含む。選択可能的に、第１のサブ開口辺１１１ａと第２のサブ開口辺１１１ｂは所定の角度を成して接続されてもよく、又は第１のサブ開口辺１１１ａと第２のサブ開口辺１１１ｂは滑らかに接続されてもよい。第１の画素領域１１３の各縁部は所定の角度を成して接続されてもよく、又は第１の画素領域１１３の各縁部は滑らかに接続されてもよい。

第２のサブ画素１２０は第２の発光材料領域１２２及び第２の画素領域１２３を有し、第２の発光材料領域１２２は複数の第２の開口辺１２１を有し、第２の開口辺１２１は第３のサブ開口辺１２１ａ及び第４のサブ開口辺１２１ｂを含む。いくつかの選択可能的な実施例において、第２の開口辺１２１はさらに第１の面取り辺１２１ｃを含む。選択可能的に、第３のサブ開口辺１２１ａと第４のサブ開口辺１２１ｂは所定の角度を成して接続されてもよく、又は第３のサブ開口辺１２１ａと第４のサブ開口辺１２１ｂは滑らかに接続される。第２の画素領域１２３の各縁部は所定の角度を成して接続されてもよく、又は第２の画素領域１２３の各縁部は滑らかに遷移して接続されてもよい。

第３のサブ画素１３０は第３の発光材料領域１３４及び第３の画素領域１３５を有し、第３の発光材料領域１３４は第３の開口辺１３１及び第４の開口辺１３２を有する。いくつかの選択可能的な実施例において、第３の発光材料領域１３４はさらに第２の面取り辺１３３を有する。選択可能に、第３の開口辺１３１と第４の開口辺１３２は、所定の角度を成して接続されてもよく、又は第３の開口辺１３１と第４の開口辺１３２は滑らかに接続されてもよい。第３の画素領域１３５の各縁部は所定の角度を成して接続されてもよく、又は第３の画素領域１３５の各縁部は滑らかに遷移して接続されてもよい。

第２のサブ画素１２０の複数の第２の開口辺１２１は、第２のサブ画素１２０の発光材料領域の縁部である。第１のサブ画素１１０の複数の第１の開口辺１１１は、第１のサブ画素１１０の発光材料領域の縁部である。第３のサブ画素１３０の第３の開口辺１３１及び第４の開口辺１３２は、第３のサブ画素１３０の発光材料領域の縁部である。

第１のサブ画素１１０、第２のサブ画素１２０及び第３のサブ画素１３０は、白色光を表示可能な画素表示ユニット２００を構成する。図２において破線三角形で画素表示ユニット２００を示し、破線三角形は本願の実施例の画素配列構造の構造に対する限定ではない。

本願の画素配列構造において、画素ユニット１００内に、第１の画素群１０１及び第２の画素群１０２における第１のサブ画素１１０、第２のサブ画素１２０及び第３のサブ画素１３０の個数の比はいずれも１：１：２である。画素ユニット１００が第１の方向に沿って順に配列される場合、第１の画素群１０１における第１のサブ画素１１０及び第２のサブ画素１２０はいずれも第１の方向に隣接する２つの画素表示ユニットに共有されるため、画素配列構造で形成された画素表示ユニット２００の個数を向上させることができ、少ないサブ画素を使用すれば大きな画素解像度をシミュレーションして実現することができ、画素配列構造の表示効果を向上させることができる。

いくつかの選択可能的な実施例において、第１のサブ画素１１０は赤色サブ画素であり、第２のサブ画素１２０は青色サブ画素であり、第３のサブ画素１３０は緑色サブ画素である。或いは、第１のサブ画素１１０は青色サブ画素であり、第２のサブ画素１２０は赤色サブ画素であり、第３のサブ画素１３０は緑色サブ画素である。

人の目は緑色に敏感であり、これらの選択可能的な実施例において、緑色サブ画素の数が多く、緑色サブ画素が共有されず、各画素表示ユニット２００はいずれも完全な緑色サブ画素を含み、表示された緑色は歪みがないことを保証し、人の目で見る場合の快適さを向上させることができる。

第３のサブ画素１３０の形状の設置方式は様々であり、選択可能的に、図５に示すように、２本の第３の開口辺１３１が平行に設置され、２本の第４の開口辺１３２が平行に設置される。

これらの選択可能的な実施例において、２本の第３の開口辺１３１が平行に設置される場合に、該第３の開口辺１３１と重なる、該第３のサブ画素１３０の外周側に位置する２つの第１のサブ画素１１０の第１の開口辺１１１が平行に設置される。２本の第４の開口辺１３２が平行に設置される場合に、該第４の開口辺１３２と重なる、該第３のサブ画素１３０の外周側に位置する２つの第２のサブ画素１２０の第２の開口辺１２１が平行に設置される。第１のサブ画素１１０、第２のサブ画素１２０と第３のサブ画素１３０との間のピッチをさらに減少させ、画素開口率及び表示効果を向上させることができる。

選択可能的に、図５に示すように、第３の開口辺１３１と第４の開口辺１３２の夾角は９０度であることで、第１のサブ画素１１０、第２のサブ画素１２０と第３のサブ画素１３０との間の配列をより均一にさせる。

いくつかの選択可能的な実施例において、図５に示すように、第３のサブ画素１３０は五角形を成し、第３のサブ画素１３０は、１つの第３の開口辺１３１と１つの第４の開口辺１３２を接続する第２の面取り辺１３３をさらに含み、第２の面取り辺１３３は第２の方向に沿って延在して成形される。

これらの選択可能的な実施例において、第３のサブ画素１３０は第２の面取り辺１３３を有し、かつ第２の面取り辺１３３は第２の方向に沿って延在して成形されることで、第３のサブ画素１３０のサイズを減少させることができ、さらに画素ユニット１００における２つの第３のサブ画素１３０の間のピッチを増大させ、第３のサブ画素１３０を蒸着するためのマスク板のマスク開口の間のピッチを増大させ、第３のサブ画素１３０を蒸着するためのマスク板の構造強度を向上させ、第３のサブ画素１３０の蒸着精度を向上させることができる。

いくつかの選択可能的な実施例において、画素ユニット１００における２つの第３のサブ画素１３０は第２の方向に沿って延在する軸線に対して対称に分布される。従って、画素ユニット１００における２つの第３のサブ画素１３０の間のピッチをさらに増大させ、第３のサブ画素１３０を蒸着するためのマスク板の構造強度を向上させ、第３のサブ画素１３０の蒸着精度を向上させることができる。

選択可能的に、図１及び図５を参照して、画素ユニット１００内に、隣接する第３のサブ画素１３０の間、かつ第３のサブ画素１３０の第１の方向における一方側に位置する第１のサブ画素１１０及び／又は第２のサブ画素１２０を有し、軸線が該第２のサブ画素１２０及び／又は第１のサブ画素１１０の中心を通る。軸線が該第１のサブ画素１１０及び／又は第２のサブ画素１２０の中心を通る場合、画素配列構造における複数のサブ画素の配列がより均一になり、画素配列構造の発色がより均一になる。選択可能的に、軸線は該第１のサブ画素１１０及び第２のサブ画素１２０の中心を通る。

図６に示すとおり、図６は本願の第１の態様の実施例に係る画素配列構造の一部構造模式図である。

いくつかの選択可能的な実施例において、第３のサブ画素１３０は第３の発光材料領域１３４及び第３の発光材料領域１３４内に位置する第３の画素領域１３５を含み、第３の開口辺１３１及び第４の開口辺１３２は第３の発光材料領域１３４の縁部である。第３の画素領域１３５は第３の開口辺１３１に対して平行に設置された２本の第３の画素辺１３７、第４の開口辺１３２に対して平行に設置された２本の第４の画素辺１３８、及び第２の面取り辺１３３に対して平行に設置された第２の画素面取り辺１３６を含み、第２の画素面取り辺１３６の両端の第３の画素辺１３７及び第４の画素辺１３８の延長線は仮想画素夾角を成す。

図６に示すように、第２の画素面取り辺１３６から仮想画素夾角までの距離Ｑは以下の関係式を満たす。

ここで、Ｎは、隣接する２つの画素ユニット１００における２つの第３のサブ画素１３０の第３の発光材料領域１３４の第１の方向での第１のピッチｄ_１の半分と、同一の第３のサブ画素１３０における第３の発光材料領域１３４と第３の画素領域１３５の縁部との間の第２のピッチｄ_２との和に等しく、すなわちＮ＝ｄ_１／２＋ｄ_２である。

Ｇは以下の関係式を満たす。

Ｈは以下の関係式を満たす。

以上をまとめると、式（３）及び式（４）を式（１）に代入し、Ｑが以下の関係式を満たすことが得られる。

ここで、ｄ_１は、画素ユニット１００における２つの第３のサブ画素１３０の第３の発光材料領域１３４の第１の方向での第１のピッチであり、ｄ_２は、同一の第３のサブ画素１３０における第３の発光材料領域１３４と第３の画素領域１３５との縁部の間の第２のピッチであり、ｄ_３は、同一画素ユニット１００における２つの第３のサブ画素１３０の間に位置しかつ第２の方向に沿って配列された異なる画素ユニット１００における第１のサブ画素１１０と第２のサブ画素１２０との間の第３のピッチである。これらの選択可能的な実施例において、式（１）に基づいて第３のサブ画素１３０の面取りのサイズを決定することができる。

図７及び図８に示すとおり、図７は、本願の第１の態様の別の実施例に係る画素配列構造における画素ユニット１００の構造模式図である。図８は、本願の第１の態様の別の実施例に係る画素配列構造の構造模式図である。

第１のサブ画素１１０の形状設置方式は、様々であり、いくつかの選択可能的な実施例において、第１のサブ画素１１０は平行四辺形を成し、複数の第１の開口辺１１１は互いに平行な２本の第１のサブ開口辺１１１ａと互いに平行な２本の第２のサブ開口辺１１１ｂを含み、第１のサブ開口辺１１１ａと第２のサブ開口辺１１１ｂは互いに接続されて頂角を形成する。第２のサブ画素１２０は五角形を成し、複数の第２の開口辺１２１は、互いに平行な２本の第３のサブ開口辺１２１ａ、互いに平行な２本の第４のサブ開口辺１２１ｂ、及び１つの第３のサブ開口辺１２１ａと１つの第４のサブ開口辺１２１ｂを接続する第１の面取り辺１２１ｃを含む。そのうち、第ｉ行の第１のサブ画素１１０のうちの１つの頂角は第ｉ＋１行の第２のサブ画素１２０の第１の面取り辺１２１ｃに当接する。

これらの選択可能的な実施例において、第２のサブ画素１２０は五角形を成し、かつ第ｉ行の第１のサブ画素１１０のうちの１つの頂角は第ｉ＋１行の第２のサブ画素１２０の第１の面取り辺１２１ｃに当接することで、第ｉ行の第１のサブ画素１１０と第ｉ＋１行の第２のサブ画素１２０とのピッチを減少させることができ、かつ第ｉ行の第１のサブ画素１１０と第ｉ＋１行の第２のサブ画素１２０との重なりの発生を回避することができ、同時に画素開口率を向上させる。

選択可能的に、対応する、第１のサブ開口辺１１１ａと第２のサブ開口辺１１１ｂとの間の夾角と、第３のサブ開口辺１２１ａと第４のサブ開口辺１２１ｂとの間の夾角が等しい。

ここで、「対応する」は以下を指す。例えば、第１のサブ画素１１０の２本の第１のサブ開口辺１１１ａと２本の第２のサブ開口辺１１１ｂとの間は４つの頂角を成し、この４つの頂角は２つの第１の頂角及び２つの第２の頂角を含み、２つの第１の頂角は第２の方向に沿って分布され、２つの第２の頂角は第１の方向に沿って分布される。第２のサブ画素１２０の２本の第３のサブ開口辺１２１ａと２本の第４のサブ開口辺１２１ｂとの間は４つの頂角を成し、この４つの頂角は２つの第３の頂角及び２つの第４の頂角を含み、２つの第３の頂角は第２の方向に沿って分布され、２つの第４の頂角は第１の方向に沿って分布される。第１の頂角は第３の頂角に等しく、第２の頂角は第４の頂角に等しい。

選択可能的に、第１の頂角は第２の頂角より小さくてもよく、例えば第１の頂角は鋭角であり且つ第２の頂角は鈍角である、又は、第１の頂角は第２の頂角に等しく、第１の頂角と第２の頂角はいずれも直角である。

これらの選択可能的な実施例において、第１の頂角が第３の頂角に等しく、第２の頂角が第４の頂角に等しい場合、第１のサブ画素１１０及び第２のサブ画素１２０の第１の方向及び第２の方向での寸法が近接し、第１のサブ画素１１０及び第２のサブ画素１２０が第１の方向及び第２の方向に沿って配列される場合、第１のサブ画素１１０と第２のサブ画素１２０との間のピッチを減少させ、画素開口率を向上させることができる。

選択可能的に、第１のサブ開口辺１１１ａと第２のサブ開口辺１１１ｂとの間の夾角と、第３のサブ開口辺１２１ａと第４のサブ開口辺１２１ｂとの間の夾角、及び第３の開口辺１３１と第４の開口辺１３２との間の夾角は、等しい。

例えば、第３のサブ画素１３０は４つの頂角を含み、この４つの頂角は第２の方向に沿って分布される２つの第５の頂角と第１の方向に沿って分布される２つの第六頂角であり、第１の頂角、第３の頂角及び第５の頂角は等しく、第２の頂角、第４の頂角及び第六頂角は等しい。

これらの選択可能的な実施例において、各サブ画素の配列がより均一になり、かつ第１のサブ画素１１０、第２のサブ画素１２０と第３のサブ画素１３０との間のピッチを減少させ、画素開口率を向上させることができる。

選択可能的に、２本の第３の開口辺１３１の間のピッチは、２本の第４の開口辺１３２の間のピッチより大きく、第ｉ行の第２のサブ画素１２０と第ｉ＋１行の第１のサブ画素１１０は第２の方向に沿って間隔を空けて設置されている。

これらの選択可能的な実施例において、第ｉ行の第１のサブ画素１１０は第ｉ＋１行の第２のサブ画素１２０に当接し、第ｉ行の第２のサブ画素１２０は第ｉ＋１行の第１のサブ画素１１０と間隔を空けて分布されることにより、第３のサブ画素１３０の外周側を取り囲む２つの第１のサブ画素１１０の中心と、２つの第２のサブ画素１２０の中心との接続線は、台形を呈する。

いくつかの選択可能的な実施例において、図１に示すように、第１のサブ画素１１０は矩形を成し、かつ第２のサブ画素１２０における第３のサブ開口辺１２１ａと第４のサブ開口辺１２１ｂの夾角は９０度である。第１のサブ画素１１０及び第２のサブ画素１２０の面積を増大させることにより、第１のサブ画素１１０及び第２のサブ画素１２０は画素配列構造内でより均一に分布されている。

選択可能的に、図１～図５に示すように、第１のサブ画素１１０は正方形を成し、かつ第２のサブ画素１２０における互いに接続された第３のサブ開口辺１２１ａと第４のサブ開口辺１２１ｂの長さが等しい。第１のサブ画素１１０及び第２のサブ画素１２０の面積をさらに増大させることにより、第１のサブ画素１１０及び第２のサブ画素１２０は画素配列構造内でより均一に分布している。

選択可能的に、図１及び図４に示すように、第１の面取り辺１２１ｃは第１の方向に沿って延在し、第ｉ行の第１のサブ画素１１０のうちの１つの頂角は第ｉ＋１行の第２のサブ画素１２０の第１の面取り辺１２１ｃの中央部に対応する。第１のサブ画素１１０と第２のサブ画素１２０の第２の方向での配列をより対応させ、第１のサブ画素１１０と第２のサブ画素１２０の画素配列構造内での分布をより均一にさせることができる。

選択可能的に、第１のサブ画素１１０は第２の方向に沿って延在する第２の対角線を有し、第ｉ行の第１のサブ画素１１０の第２の対角線は第ｉ＋１行の第２のサブ画素１２０の第１の面取り辺１２１ｃに対して垂直に設置されている。

選択可能的に、第１のサブ開口辺１１１ａの長さは２つの互いに接続された第３のサブ開口辺１２１ａ及び第４のサブ開口辺１２１ｂの長さに等しく、第２のサブ開口辺１１１ｂの長さは２つの互いに接続された第３のサブ開口辺１２１ａ及び第４のサブ開口辺１２１ｂの長さに等しい。これらの選択可能的な実施例において、共有される第１のサブ画素１１０と第２のサブ画素１２０の面積が近く、画素配列構造の色表示が均一になることを保証することができる。

さらに、いくつかの選択可能的な実施例において、第１のサブ画素１１０の面積は単一の第３のサブ画素１３０の面積より大きく、及び／又は、第２のサブ画素１２０の面積は単一の第３のサブ画素１３０の面積より大きい。

これらの選択可能的な実施例において、共有されるサブ画素の面積は共有されないサブ画素の面積より大きく、画素配列構造の表示効果を保証することができる。共有されるサブ画素はその形成された２つの画素表示ユニット２００に表示する場合にいずれも表示する必要があるため、その表示回数は共有されないサブ画素より多く、共有されるサブ画素の面積が大きいことで、共有されるサブ画素の耐用年数を向上させることができ、さらに画素配列構造全体の耐用年数を向上させる。

選択可能的に、第１のサブ画素１１０は第２の方向に沿って延在する第１の軸線に対して対称に設置され、第１の軸線は第１のサブ画素１１０の中心を通し、及び／又は、第２のサブ画素１２０は第２の方向に沿って延在する第２の軸線に対して対称に設置され、第２の軸線は第２のサブ画素１２０の中心を通る。

いくつかの選択可能的な実施例において、第１のサブ画素１１０には、２つの互いに絶縁された第１の陽極ブロックが対応的に設置され、２つの第１の陽極ブロックは第１の方向に沿って並設されている。

これらの選択可能的な実施例において、２つの第１の陽極ブロックは互いに絶縁され、それにより２つの第１の陽極ブロックは独立して制御される。第１のサブ画素１１０は第１の方向に隣接する２つの画素表示ユニット２００に共有され、隣接する２つの画素表示ユニット２００のうちの１つだけを表示する必要がある場合、対応する第１の陽極ブロックの動作を制御することができ、さらに第１のサブ画素１１０上の対応する部位を発光させ、第１のサブ画素１１０の他の部分の表示する必要がない部位を発光させず、表示精度を向上させることができる。

いくつかの選択可能的な実施例において、第２のサブ画素１２０には、２つの互いに絶縁された第２の陽極ブロックが対応的に設置され、２つの第２の陽極ブロックは第１の方向に沿って並設されている。

これらの選択可能的な実施例において、第２のサブ画素１２０は、第１の方向に隣接する２つの画素表示ユニット２００に共有され、隣接する２つの画素表示ユニット２００のうちの１つだけを表示する必要がある場合、対応する第２の陽極ブロックの動作を制御することができ、さらに第２のサブ画素１２０上の対応する部位を発光させ、第２のサブ画素１２０の他の部分の表示する必要がない部位を発光させず、表示精度を向上させることができる。

本願の第２の実施例は、さらに表示パネルを提供し、上記いずれかの第１の実施例の画素配列構造を含む。本願の実施例の表示パネルは上記いずれかの第１の実施例の画素配列構造を含むため、本願の表示パネルは上記いずれかの第１の実施例の画素配列構造が有する有益な効果を有し、ここで説明を省略する。

いくつかの選択可能的な実施例において、表示パネルは表示領域ＡＡ及び表示領域ＡＡを囲まれて設置された非表示領域ＮＡを含む。他の実施例において、表示パネルはさらに表示領域ＡＡのみを含み、非表示領域ＮＡを含まないことができる。表示領域ＡＡの一部を拡大すると、表示パネルの画素配列構造は上記画素配列構造を選択したことが分かる。

本願の第３の態様の実施例は、さらに上記表示パネルを含む電子装置を提供している。本願の実施例の電子装置は上記表示パネルを含むため、上記表示パネルが有する有益な効果を有し、ここでは説明を省略する。

ここで、電子装置のタイプはここで限定されず、電子装置は、移動端末、ディスプレイ等であってもよい。

図９～図１１に示すように、図９は、本願の第４の態様の実施例に係るマスクアセンブリの第１のマスクプレート１０の構造模式図である。図１０は、本願の第４の態様の実施例に係るマスクアセンブリの第２のマスクプレート２０の構造模式図である。図１１は、本願の第４の態様の実施例に係るマスクアセンブリの第３のマスクプレートの構造模式図である。

本願の第４の態様の実施例はさらにマスクアセンブリを提供し、マスクアセンブリは第１のマスクプレート１０、第２のマスクプレート２０および第３のマスクプレート３０を含み、第１のマスクプレート１０は、第１のサブ画素１１０にマッチする第１のマスク開口１１を含み、第２のマスクプレート２０は、第２のサブ画素１２０にマッチする第２のマスク開口２１を含み、第３のマスクプレート３０は、第３のサブ画素１３０にマッチする第３のマスク開口３１を含む。本願のマスクアセンブリを用いて上記第１の態様の実施例の画素配列構造を蒸着して形成することができる。

本願は、その精神及び本質的特徴から逸脱しない場合に他の具体的な形式で実現することができる。例えば、特定の実施例に記載のアルゴリズムを修正する可能であり、システムアーキテクチャは本願の基本的な精神から逸脱しない。したがって、現在の実施例は全ての態様において限定的ではなく例示的なものと見なされ、本願の範囲は上記説明ではなく添付の特許請求の範囲によって定義され、かつ、特許請求の範囲の意味及び均等物の範囲内にある全ての変更はいずれも本願の範囲内に含まれる。

Claims

画素配列構造であって、
前記画素配列構造は、第１の方向及び第２の方向に沿って行と列で配列された複数の画素ユニットを含み、
前記画素ユニットは、
前記第１の方向に沿って分布する第１のサブ画素及び第２のサブ画素を含む第１の画素群であって、前記第１のサブ画素が複数の第１の開口辺を有し、前記第２のサブ画素が複数の第２の開口辺を有する第１の画素群と、
前記第１の画素群の前記第２の方向における一方側に位置し、前記第１の方向に沿って分布する２つの第３のサブ画素を含む第２の画素群と、
を含み、
２つの前記第３のサブ画素における１つの前記第３のサブ画素が前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素の間に対応して設置され、前記第３のサブ画素が対向して設置された２本の第３の開口辺及び対向して設置された２本の第４の開口辺を有し、
前記第２の方向に沿って隣接する２行の前記画素ユニットがずれて設置され、前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素が前記第２の方向に沿って交互に配列され、２つの前記第１のサブ画素と２つの前記第２のサブ画素が前記第３のサブ画素の外周側を囲んで交互に配列され、かつ２つの前記第３の開口辺がそれぞれ２つの前記第１のサブ画素のうちの１つの前記第１の開口辺と重なって設置され、２つの前記第４の開口辺がそれぞれ２つの前記第２のサブ画素のうちの１つの前記第２の開口辺と重なって設置されている、
画素配列構造。
前記第１のサブ画素は、平行四辺形を成し、複数の前記第１の開口辺は互いに平行な２本の第１のサブ開口辺及び互いに平行な２本の第２のサブ開口辺を含み、前記第１のサブ開口辺と前記第２のサブ開口辺は互いに接続されて頂角を形成し、
前記第２のサブ画素は五角形を成し、複数の前記第２の開口辺は互いに平行な２本の第３のサブ開口辺、互いに平行な２本の第４のサブ開口辺、及び１つの前記第３のサブ開口辺と１つの前記第４のサブ開口辺を接続する第１の面取り辺を含み、
第ｉ行の前記第１のサブ画素のうちの１つの前記頂角は、第ｉ＋１行の前記第２のサブ画素の前記第１の面取り辺に当接する、
請求項１に記載の画素配列構造。
２本の前記第３の開口辺の間のピッチは２本の前記第４の開口辺の間のピッチより大きく、第ｉ行の前記第２のサブ画素と第ｉ＋１行の前記第１のサブ画素は前記第２の方向に沿って間隔を空けて設置されている、
請求項２に記載の画素配列構造。
前記第１のサブ画素は矩形を成し、前記第３のサブ開口辺と前記第４のサブ開口辺との夾角は９０度である、
請求項２に記載の画素配列構造。
前記第１のサブ画素は正方形を成し、互いに接続された前記第３のサブ開口辺と前記第４のサブ開口辺の長さが等しい、
請求項４に記載の画素配列構造。
前記第１の面取り辺は、前記第１の方向に沿って延在し、第ｉ行の前記第１のサブ画素のうちの１つの前記頂角は第ｉ＋１行の前記第２のサブ画素の前記第１の面取り辺の中央部に対応している、
請求項２に記載の画素配列構造。
前記第１のサブ画素は、前記第２の方向に沿って延在する第２の対角線を有し、第ｉ行の前記第１のサブ画素の前記第２の対角線は第ｉ＋１行の前記第２のサブ画素の前記第１の面取り辺に対して垂直に設置されている、
請求項２に記載の画素配列構造。
２本の前記第３の開口辺が平行に設置され、２本の前記第４の開口辺が平行に設置されている、
請求項１に記載の画素配列構造。
前記第３のサブ画素は五角形を成し、前記第３のサブ画素は、１つの前記第３の開口辺と１つの前記第４の開口辺を接続する第２の面取り辺をさらに含み、前記第２の面取り辺は前記第２の方向に沿って延在して成形されている、
請求項８に記載の画素配列構造。
前記画素ユニットにおける２つの前記第３のサブ画素は、前記第２の方向に沿って延在する軸線に対して対称に分布している、
請求項９に記載の画素配列構造。
前記画素配列構造に仮想四角形が形成され、２つの前記第１のサブ画素の中心と２つの前記第２のサブ画素の中心はそれぞれ前記仮想四角形の４つの頂点に位置し、前記第３のサブ画素は前記仮想四角形内に位置し、前記仮想四角形の対角線を対角線として仮想正方形を形成し、前記画素サイズは前記仮想正方形の辺長である、
請求項１１に記載の画素配列構造。
前記仮想四角形は等脚台形である、
請求項１２に記載の画素配列構造。
前記画素配列構造は仮想四角形を有し、前記仮想四角形の４つの頂点はそれぞれ２つの前記第１のサブ画素の中心と２つの前記第２のサブ画素の中心に位置し、前記第３のサブ画素は前記仮想四角形内に位置し、前記仮想四角形の対角線を対角線として仮想正方形を形成し、前記画素サイズは前記仮想正方形の辺長である、
請求項１４に記載の画素配列構造。
前記仮想四角形は等脚台形である、
請求項１５に記載の画素配列構造。
マスクアセンブリであって、
前記マスクアセンブリは請求項１～１６のいずれか一項に記載の画素配列構造を蒸着形成するために用いられ、
前記マスクアセンブリは、
前記第１のサブ画素にマッチする第１のマスク開口を含む第１のマスク板と、
前記第２のサブ画素にマッチする第２のマスク開口を含む第２のマスク板と、
前記第３のサブ画素にマッチする第３のマスク開口を含む第３のマスク板と、
を含む、
マスクアセンブリ。
請求項１～１６のいずれか一項に記載の画素配列構造を含む表示パネル。