KR20230100496A - 터치 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20230100496A
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김상진
고인태
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 표시 화소가 배치된 표시 영역 및 표시 영역 주위의 비표시 영역을 구비한 기판을 포함할 수 있다. 비표시 영역에 배치되며, 표시 영역을 둘러싸도록 구성된 차단 구조물을 포함할 수 있다. 표시 영역 및 비표시 영역을 덮는 봉지층을 포함할 수 있다. 표시 영역의 봉지층 상에 배치되며 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 터치 전극 및 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 터치 전극을 포함할 수 있다. 비표시 영역의 봉지층 상에 배치되며, 복수의 제1 터치 전극과 연결되는 제1 터치 라인 및 제1 터치 라인의 상부에 배치되며, 복수의 제1 터치 전극과 연결되는 제2 터치 라인을 포함할 수 있다. 제1 터치 라인 및 제2 터치 라인 사이에 위치하는 터치 절연막을 포함할 수 있다. 터치 절연막은 차단 구조물 상부에 컨택홀을 포함할 수 있다. 제1 터치 라인 및 제2 터치 라인은 컨택홀을 통해 연결될 수 있다.

Description

터치 디스플레이 장치 {TOUCH DISPLAY DEVICE}
본 명세서는 터치 디스플레이 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라, 화상을 표시하는 디스플레이 장치에 대한 요구가 증가하고 있으며, 액정 디스플레이 장치, 유기발광 디스플레이 장치 등과 같은 다양한 유형의 디스플레이 장치가 활용된다.
디스플레이 장치는 사용자에게 보다 다양한 기능을 제공하기 위하여 디스플레이 패널에 대한 사용자의 터치를 인식하고 인식된 터치를 기반으로 입력 처리를 수행할 수 있다. 일 예로, 디스플레이 패널의 액티브 영역에 다수의 터치 전극이 배치될 수 있다. 그리고, 디스플레이 장치는 사용자의 터치로 인해 발생하는 터치 전극의 캐패시턴스의 변화를 감지하여 터치를 센싱할 수 있다. 특히, 유기발광 디스플레이 장치에 적용될 경우, 터치소자를 구성하는 소자들은 유기발광 디스플레이 장치의 발광부를 보호하기 위한 봉지층(Encapsulation film)의 상부 또는 하부에 형성될 수 있다. 즉, 터치 구동신호 송신채널을 구성하는 터치 구동 전극들과, 터치 인식신호 수신채널을 구성하는 터치 센싱 전극들이 전계발광 표시장치의 표시소자들을 커버하는 봉지층의 상부 표면 및/또는 하부 표면에 형성된다.
표시장치의 표시 영역에 화소들을 보호하기 위하여 봉지층(Encapsulation film)이 배치되는데, 봉지층(Encapsulation film)을 구성하는 막의 적어도 일부는 비표시 영역까지 연장되며 봉지층(Encapsulation film)의 넘침을 방지하기 위한 용도 등으로 비표시 영역에 형성되는 댐 상에 적어도 일부가 배치될 수 있다. 봉지층(Encapsulation film)의 상부에 터치 전극 및 터치 배선들을 형성하기 위해 봉지층(Encapsulation film) 상부에 포토레지스트(PR)를 도포 후 패터닝을 진행하는데 댐의 높이로 인해 다른 영역에 비해 포토레지스트(PR)가 얇게 도포될 수 있다. 마스크 공정 진행 시, 터치 배선의 일부분까지 애칭이 되어 패턴 불량이 발생하는 문제가 있었다.
본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같이 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치는, 복수의 표시 화소가 배치된 표시 영역 및 표시 영역 주위의 비표시 영역을 구비한 기판을 포함할 수 있다. 비표시 영역에 배치되며, 표시 영역을 둘러싸도록 구성된 차단 구조물을 포함할 수 있다. 표시 영역 및 비표시 영역을 덮는 봉지층을 포함할 수 있다. 표시 영역의 봉지층 상에 배치되며 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 터치 전극 및 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 터치 전극을 포함할 수 있다. 비표시 영역의 봉지층 상에 배치되며, 복수의 제1 터치 전극과 연결되는 제1 터치 라인 및 제1 터치 라인의 상부에 배치되며, 복수의 제1 터치 전극과 연결되는 제2 터치 라인을 포함할 수 있다. 제1 터치 라인 및 제2 터치 라인 사이에 위치하는 층간 절연막을 포함할 수 있다. 층간 절연막은 차단 구조물 상부에 컨택홀을 포함할 수 있다. 제1 터치 라인 및 제2 터치 라인은 컨택홀을 통해 연결될 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는, 비표시 영역에서 터치 라인과 중첩하는 댐의 상부에 제1 터치 라인 및 제2 터치 라인 사이에 위치하는 터치 절연막에 컨택홀을 형성하여 터치 라인 형성을 위한 마스크 공정 시, 댐 상부의 터치 라인이 의도하지 않게 애칭이 되어 패턴불량이 발생하는 현상을 방지하여 터치 성능이 저하되는 현상을 최소화할 수 있는 표시장치를 제공할 수 있다.
이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시 예에 따른 표시 장치에서 디스플레이 패널에 터치 스크린 패널이 내장되는 구조를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 명세서의 일 실시 예에 따른 표시 장치에서 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 구조를 예시로 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 터치 센싱 구조의 구현 예시 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널의 부분적인 단면도로서, 도 4에 도시된 X-X' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 디스플레이 패널의 부분적인 단면도로서, 도 4에 도시된 Y-Y' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들면, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '후에', '에 이어서', '다음에', '전에' 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
그리고 후술되는 용어들은 본 명세서의 실시에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
'제1', '제2', '제3'과 같은 표현은 실시 예 별로 구성을 구분하기 위해 사용되는 용어로서 이러한 용어에 실시 예가 제한되는 것은 아니다. 따라서 동일한 용어라도 실시 예에 따라 다른 구성을 지칭할 수도 있음을 밝혀둔다.
본 명세서의 실시 예들은 유기 발광 표시 장치를 중심으로 설명된다. 하지만, 본 발명의 실시 예들은 유기 발광 표시 장치에 제한되지 않고, 무기 발광 물질을 포함한 무기 발광 표시 장치를 포함하여 다양한 표시 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예들은 양자점(quantum dot) 표시장치에도 적용될 수 있다. 또한 표시 장치가 아니더라도 검사 장치를 이용한 검사를 수행할 수 있는 다양한 장치에 적용될 수도 있다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 패널(110)과, 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130), 타이밍 컨트롤러(140), 및 디스플레이 패널(110)에 대한 터치를 센싱하는 터치 구동 회로(150)를 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(110)에는, 다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)이 배치되고, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 다수의 서브픽셀(SP)이 배치된다.
또한, 디스플레이 패널(110)에는 다수의 터치 전극이 배치되거나 내장될 수 있으며, 터치 전극과 터치 구동 회로(150)를 서로 전기적으로 연결하는 복수의 터치 라인(TL)이 배치될 수 있다.
이러한 디스플레이 장치(100)에서 디스플레이 구동을 위한 구성을 먼저 설명하면, 게이트 구동 회로(120)가 디스플레이 패널(110)에 배치된 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 제어한다. 그리고, 데이터 구동 회로(130)가 서브픽셀(SP)로 영상 데이터에 대응하는 데이터 전압을 공급한다. 그 결과, 서브픽셀(SP)은 영상 데이터의 계조에 해당하는 밝기로 발광되어 영상을 표시한다.
구체적으로, 게이트 구동 회로(120)는 타이밍 컨트롤러(140)에 의해 제어되며, 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 출력하여 다수의 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 제어한다.
게이트 구동 회로(120)는 하나 이상의 게이트 구동 집적 회로(GDIC, Gate Driving Integrated Circuit)를 포함할 수 있으며, 구동 방식에 따라 디스플레이 패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고 양 측에 위치할 수도 있다. 또는, 게이트 구동 회로(120)는 디스플레이 패널(110)의 베젤 영역에 직접 내장되어 GIP(Gate In Panel) 형태로 구현될 수도 있다.
데이터 구동 회로(130)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 디지털 형태의 영상 데이터(DATA)를 수신하고, 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환한다. 그리고, 게이트 라인(GL)을 통해 스캔 신호가 인가되는 타이밍에 맞춰 데이터 전압을 각각의 데이터 라인(DL)으로 출력함으로써 각각의 서브픽셀(SP)이 데이터 전압에 따른 밝기를 표현하도록 한다.
데이터 구동 회로(130)는 하나 이상의 소스 구동 집적 회로(SDIC, Source Driving Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(140)는 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)로 각종 제어 신호를 공급하며, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)의 동작을 제어한다.
타이밍 컨트롤러(140)는 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 게이트 구동 회로(120)가 스캔 신호를 출력하도록 하며, 외부에서 수신한 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 변환하여 변환된 영상 데이터(DATA)를 데이터 구동 회로(130)로 출력한다.
타이밍 컨트롤러(140)는 영상 데이터(DATA)와 함께 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 입력 데이터 인에이블 신호, 클럭 신호 등을 포함하는 각종 타이밍 신호를 외부(예, 호스트 시스템)로부터 수신한다.
타이밍 컨트롤러(140)는 외부로부터 수신한 각종 타이밍 신호를 이용하여 데이터 제어 신호(DCS) 및 게이트 제어 신호(GCS)를 생성하고, 각각 데이터 구동 회로(130) 및 게이트 구동 회로(120)로 출력할 수 있다.
일 예로, 타이밍 컨트롤러(140)는 게이트 구동 회로(120)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse), 게이트 시프트 클럭(Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS)를 출력한다.
여기서, 게이트 스타트 펄스는 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 구동 집적 회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 시프트 클럭은 하나 이상의 게이트 구동 집적 회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호의 시프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호는 하나 이상의 게이트 구동 집적 회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다.
또한, 타이밍 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS)를 출력한다.
여기서, 소스 스타트 펄스는 데이터 구동 회로(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 구동 집적 회로의 데이터 샘플링 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭은 소스 구동 집적 회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호는 데이터 구동 회로(130)의 출력 타이밍을 제어한다.
이러한 터치 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 패널(110), 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 및 터치 구동 회로(150) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나, 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 관리 집적 회로를 더 포함할 수 있다.
이 때, 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 구동 회로(150)와 다른 장치들 간의 회로적인 연결을 위해서, 적어도 하나의 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board; PCB)을 포함할 수 있다.
이 때, 적어도 하나의 인쇄 회로 기판(PCB)에는 터치 구동 회로(150)가 실장된 필름의 타측이 연결될 수 있다. 즉, 터치 구동 회로(150)가 실장된 필름은 일측이 디스플레이 패널(110)과 전기적으로 연결되고, 타측이 인쇄 회로 기판(PCB)과 전기적으로 연결될 수 있을 것이다.
한편, 디스플레이 패널(110)의 상부에 봉지층을 형성하고, 그 상부에 터치 전극을 배치하는 경우, 터치 전극을 구동하기 위한 커패시턴스 용량이 증가할 수 있다. 이로 인해, 터치 전극을 구동하기 위한 터치 구동 신호의 레벨을 증가시킬 필요가 있는데, 이를 위해서 터치 구동 회로(150)와 디스플레이 패널(110) 사이에 레벨 시프터(도시되지 않음)를 추가하여 터치 구동 신호의 레벨을 제어할 수도 있을 것이다.
각각의 서브픽셀(SP)은 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차에 의해 정의되며, 터치 디스플레이 장치(100)의 유형에 따라 액정이 배치되거나 발광 소자가 배치될 수 있다.
일 예로, 디스플레이 장치(100)가 액정 디스플레이 장치인 경우, 디스플레이 패널(110)로 광을 조사하는 백라이트 유닛과 같은 광원 장치를 포함하고, 디스플레이 패널(110)의 서브픽셀(SP)에는 액정이 배치된다. 그리고, 각각의 서브픽셀(SP)로 데이터 전압이 인가됨에 따라 형성되는 전계에 의해 액정의 배열을 조정함으로써, 데이터 전압에 따른 밝기를 나타내며 영상을 표시할 수 있다.
액정 디스플레이 장치의 경우, 디스플레이 패널(110)은 두 장의 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하며, TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 등 공지된 어떠한 모드로도 동작될 수 있을 것이다. 반면, 전계 발광 디스플레이 장치의 경우, 디스플레이 패널(110)은 전면 발광(Top Emission) 방식, 배면 발광(Bottom Emission) 방식 또는 양면 발광(Dual Emission) 방식 등으로 구현될 수 있을 것이다.
한편, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 패널(110)에 포함된 터치 전극과 터치 구동 회로(150)를 이용하여 디스플레이 패널(110)에 대한 사용자의 터치를 검출할 수 있다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널에 터치 스크린 패널이 내장되는 구조를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 디스플레이 패널(110)의 표시 영역(AA)에는 기판(SUB) 상에 다수의 서브픽셀(SP)이 배열된다.
각 서브픽셀(SP)은 발광 소자(ED)와, 발광 소자드(ED)를 구동하기 위한 제 1 트랜지스터(T1)와, 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 노드(N1)로 데이터 전압(Vdata)을 전달해주기 위한 제 2 트랜지스터(T2)와, 한 프레임 동안 일정 전압을 유지해주기 위한 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다.
제 1 트랜지스터(T1)는 제 2 트랜지스터(T2)를 통해 데이터 전압(Vdata)이 인가될 수 있는 제 1 노드(N1), 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결되는 제 2 노드(N2), 및 구동 전압 라인(DVL)으로부터 구동 전압(VDD)이 인가되는 제 3 노드(N3)를 포함할 수 있다. 제 1 노드(N1)는 게이트 노드이고, 제 2 노드(N2)는 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있고, 제 3 노드(N3)는 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. 이러한 제 1 트랜지스터(T1)는 발광 소자(ED)를 구동하는 구동 트랜지스터라고 한다.
발광 소자(ED)는 제 1 전극(예: 애노드 전극), 발광층 및 제 2 전극(예: 캐소드 전극)을 포함할 수 있다. 제 1 전극은 제 1 트랜지스터(T1)의 제 2 노드(N2)와 전기적으로 연결되고, 제 2 전극은 기저 전압(VSS)이 인가될 수 있다.
이러한 발광 소자(ED)에서 발광층은 유기물을 포함하는 유기 발광층일 수 있다. 이 경우, 발광 소자(ED)는 유기 발광 다이오드일 수 있다.
제 2 트랜지스터(T2)는 게이트 라인(GL)을 통해 인가되는 스캔 신호(SCAN)에 의해 온-오프가 제어되며, 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 제 2 트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터라고 할 수 있다.
제 2 트랜지스터(T2)가 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되면, 데이터 라인(DL)을 통해 공급된 데이터 전압(Vdata)이 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 노드(N1)에 전달된다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.
각 서브픽셀(SP)은 2개의 트랜지스터(T1, T2)와 1개의 커패시터(Cst)를 포함하는 2T1C 구조를 가질 수 있으며, 경우에 따라서, 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함하거나, 1개 이상의 커패시터를 더 포함할 수도 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 존재할 수 있는 기생 커패시터가 아니라, 제 1 트랜지스터(T1)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 커패시터(External Capacitor)일 수 있다.
제 1 트랜지스터(T1) 및 제 2 트랜지스터(T2)는 각각 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다.
한편, 디스플레이 패널(110)에는 발광 소자(ED), 2개 이상의 트랜지스터(T1, T2) 및 1개 이상의 커패시터(Cst) 등의 회로 소자가 배치된다. 이러한 회로 소자는 외부의 수분이나 산소 등에 취약하기 때문에, 외부의 수분이나 산소가 회로 소자로 침투되는 것을 방지하기 위한 봉지층(ENCAP)이 디스플레이 패널(110)에 배치될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 스크린 패널(TSP)이 봉지층(ENCAP) 상에 형성되어 디스플레이 패널(110)에 내장될 수 있다. 즉, 터치 디스플레이 장치(100)에서, 터치 스크린 패널(TSP)을 이루는 다수의 터치 전극(TE)이 봉지층(ENCAP) 상에 배치되어 디스플레이 패널(110)을 구성할 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로서, 뮤추얼 커패시턴스(Mutual capacitance) 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프 커패시턴스(Self capacitance) 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.
뮤추얼 커패시턴스(Mutual capacitance) 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 다수의 터치 전극들(TE)은 터치 구동 라인을 통해 터치 구동 신호가 인가되는 터치 구동 전극과, 터치 센싱 라인을 통해 터치 센싱 신호가 센싱되며 터치 구동 전극과 커패시턴스를 형성하는 터치 센싱 전극으로 분류될 수 있다. 이 때, 터치 구동 라인과 터치 센싱 라인을 포함하여 터치 라인으로 지칭하고, 터치 구동 신호와 터치 센싱 신호를 포함하여 터치 신호로 지칭할 수 있을 것이다.
이 때, 터치 구동 신호가 인가되는 터치 구동 전극의 면적과 터치 센싱 신호가 전달되는 터치 센싱 전극의 면적은 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.
예를 들어, 터치 센싱 신호가 전달되는 터치 센싱 전극에 의한 기생 커패시턴스를 상대적으로 감소시키고자 하는 경우에는 터치 센싱 전극의 면적을 터치 구동 전극의 면적보다 작게 형성할 수 있다. 이 경우, 터치 구동 신호가 인가되는 터치 구동 전극의 면적과 터치 센싱 신호가 전달되는 터치 센싱 전극의 면적은 5:1 내지 2:1의 비율로 이루어질 수 있다. 한가지 예로써, 터치 구동 전극의 면적과 터치 센싱 전극의 면적은 4:1 의 비율로 이루어질 수 있다.
이러한 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 손가락, 펜 등의 포인터 유무에 따라, 터치 구동 전극과 터치 센싱 전극 사이에 발생하는 뮤추얼 커패시턴스의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출한다.
셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 각 터치 전극(TE)은 터치 구동 전극의 역할과 터치 센싱 전극의 역할을 모두 하게 된다. 즉, 하나의 터치 라인을 통해 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호가 인가되고, 터치 구동 신호가 인가된 터치 전극(TE)으로부터 전달되는 터치 센싱 신호를 동일한 터치 라인을 통해 수신한다. 따라서, 셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식에서는, 터치 구동 전극과 터치 센싱 전극의 구분 및 터치 구동 라인과 터치 센싱 라인의 구분이 없게 된다.
이러한 셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 손가락, 펜 등의 포인터와 터치 전극(TE) 사이에 발생하는 커패시턴스의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출한다.
이와 같이, 터치 디스플레이 장치(100)는 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.
도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 구조를 예시로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 구조는 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 포함할 수 있다. 여기서, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 봉지층(ENCAP) 상에 위치할 수 있다.
복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)은 제 1 방향으로 배치되고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 제 1 방향과 다른 제 2 방향으로 배치될 수 있다.
본 명세서에서, 제 1 방향 및 제 2 방향은 상대적으로 서로 다른 방향일 수 있으며, 일 예로, 제 1 방향은 x축 방향이고 제 2 방향은 y축 방향일 수 있다. 이와 반대로, 제 1 방향은 y축 방향이고 제 2 방향은 x축 방향일 수도 있다.
또한, 제 1 방향 및 제 2 방향은 서로 직교할 수도 있지만 직교하지 않을 수도 있다.
복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)은 전기적으로 연결된 여러 개의 X-터치 전극으로 구성될 수 있고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 전기적으로 연결된 여러 개의 Y-터치 전극으로 구성될 수 있다.
여기에서, 복수의 X-터치 전극과 복수의 Y-터치 전극은 복수의 터치 전극(TE)에 포함되며 역할(기능)이 구분되는 전극들이다. 예를 들어, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구성하는 복수의 X-터치 전극이 터치 구동 전극이고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구성하는 복수의 Y-터치 전극이 터치 센싱 전극일 수 있다. 이 경우, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)은 터치 구동 전극 라인에 해당하고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 터치 센싱 전극 라인에 해당한다.
이와 반대로, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구성하는 복수의 X-터치 전극은 터치 센싱 전극이고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구성하는 복수의 Y-터치 전극은 터치 구동 전극일 수 있다. 이 경우, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)은 터치 센싱 전극 라인에 해당하고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 터치 구동 전극 라인에 해당한다.
터치 센싱을 위한 터치 센서 메탈은 복수의 X-터치 전극 라인(XTEL)과 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 이외에도, 복수의 터치 라인(TL)을 포함할 수 있다.
복수의 터치 라인(TL)은 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)에 연결되는 하나 이상의 X-터치 라인(X-TL)과, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 연결되는 하나 이상의 Y-터치 라인(Y-TL)을 포함할 수 있다.
복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은, 동일한 행(또는 열)에 배치되는 복수의 X-터치 전극과, 이들을 전기적으로 연결해주는 하나 이상의 X-터치 전극 연결 라인을 포함할 수 있다. 여기서, 인접한 2개의 X-터치 전극을 연결해주는 X-터치 전극 연결 라인은 인접한 2개의 X-터치 전극과 일체화 된 금속일 수도 있고, 컨택홀을 통해 인접한 2개의 X-터치 전극과 연결되는 금속일 수도 있다.
복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 동일한 열(또는 행)에 배치되는 복수의 Y-터치 전극과, 이들을 전기적으로 연결해주는 하나 이상의 Y-터치 전극 연결 라인을 포함할 수 있다. 여기서, 인접한 2개의 Y-터치 전극을 연결해 주는 Y-터치 전극 연결 라인은 인접한 2개의 Y-터치 전극과 일체화 된 금속일 수도 있고, 컨택홀을 통해 인접한 2개의 Y-터치 전극과 연결되는 금속일 수도 있다.
X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 교차되는 영역(터치 전극 라인 교차 영역)에서는, X-터치 전극 연결 라인과 Y-터치 전극 연결 라인이 교차될 수 있다.
이와 같이, 터치 전극 라인 교차 영역에서, X-터치 전극 연결 라인과 Y-터치 전극 연결 라인이 교차되는 경우, X-터치 전극 연결 라인과 Y-터치 전극 연결 라인은 서로 다른 층에 위치하는 것이 바람직하다. 따라서, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 교차되도록 배치되기 위해서, 복수의 X-터치 전극, 복수의 X-터치 전극 연결 라인, 복수의 Y-터치 전극, 및 복수의 Y-터치 전극 연결 라인은 둘 이상의 층에 위치할 수 있다.
복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)은 하나 이상의 X-터치 라인(XTL)을 통해 해당하는 X-터치 패널과 전기적으로 연결된다. 즉, 하나의 X-터치 전극 라인(X-TEL)에 포함된 복수의 X-터치 전극 중 가장 외곽에 배치된 X-터치 전극은 X-터치 라인(X-TL)을 통해 해당하는 X-터치 패드와 전기적으로 연결된다.
복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 하나 이상의 Y-터치 라인(YTL)을 통해 해당하는 Y-터치 패드와 전기적으로 연결된다. 즉, 하나의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 포함된 복수의 Y-터치 전극 중 가장 외곽에 배치된 Y-터치 전극은 Y-터치 라인(Y-TL)을 통해 해당하는 Y-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결된다.
여기에서, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구성하는 복수의 X-터치 전극이 터치 구동 전극인 경우, 복수의 X-터치 라인(X-TL)을 통해 터치 구동 신호가 복수의 X-터치 전극에 공급된다. 또한, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구성하는 복수의 Y-터치 전극이 터치 센싱 전극인 경우, 복수의 Y-터치 전극에 생성된 터치 센싱 신호는 Y-터치 라인(Y-TL)을 통해 터치 구동 회로(150)에 전달될 것이다.
이 때, 복수의 X-터치 라인(X-TL)과 복수의 Y-터치 라인(Y-TL)은 표시 영역(AA)의 외곽에 위치하는 비표시 영역을 따라 연장될 수 있으며, 비표시 영역에서 복수의 X-터치 라인(X-TL)과 복수의 Y-터치 라인(Y-TL)이 일부 중첩될 수 있다.
예를 들어, 비표시 영역에서 복수의 X-터치 라인(X-TL)과 복수의 Y-터치 라인(Y-TL)이 서로 다른 층에 형성되는 경우, 복수의 X-터치 라인(X-TL)과 복수의 Y-터치 라인(Y-TL)은 표시 영역(AA)의 외곽 중 일부 구간에서 중첩될 수 있다.
이 때, 터치 패드에 인접한 영역에서 터치 라인(TL)은 터치 신호를 전달하기 위한 단일 전극 구조로 이루어질 수도 있고, 터치 신호에 대한 전기적 저항을 줄이거나 단선의 경우를 대비하여 적어도 하나의 컨택홀로 연결되는 이중 적층 구조로 이루어질 수도 있다.
터치 라인(TL)을 이중 적층 구조로 구성하는 경우에는 터치 라인(TL)의 수직 상부 또는 수직 하부 위치에서 터치 라인(TL)과 동일한 방향으로 연장되는 터치 브릿지 라인이 위치할 수 있으며, 터치 라인(TL)과 터치 브릿지 라인은 전기적 연결을 위한 하나 이상의 컨택홀이 일정한 간격을 두고 형성될 수 있다.
반면, 복수의 X-터치 라인(X-TL)과 복수의 Y-터치 라인(Y-TL)이 동일 층에 형성되는 경우에는 서로 중첩되는 영역이 없을 수도 있을 것이다.
이러한 터치 디스플레이 장치(100)는 스마트폰, 태블릿 PC과 같은 모바일 장치에 사용될 수도 있고, 자동차용 디스플레이 및 전시용 디스플레이 등 대화면의 디스플레이 장치에 사용될 수도 있다.
특히, 대화면의 터치 디스플레이 장치(100)의 경우, 디스플레이 패널(110)의 크기가 증가함에 따라 복수의 터치 전극으로 이루어지는 터치 전극 라인(TEL)의 길이가 증가하게 되고, 터치 전극의 위치에 따라 터치 신호(터치 구동 신호 또는 터치 센싱 신호)가 전달되는 시간 지연에 차이가 발생할 수 있다. 그 결과, 디스플레이 패널(110)을 통해 표시되는 영상의 균일성이 저하될 수 있다.
이러한 터치 신호의 시간 지연을 감소시키기 위해서, 동일한 터치 전극 라인(TEL)을 구성하는 복수의 터치 전극에 터치 신호가 동시에 인가될 수 있도록 터치 라인을 멀티 피딩(Multi-feeding) 구조로 구성할 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 신호의 시간 지연을 감소시키기 위해서, 동일한 터치 전극 라인(TEL)을 구성하는 복수의 터치 전극에 터치 신호가 동시에 인가될 수 있도록 터치 라인을 멀티 피딩(Multi-feeding) 구조로 구성할 수 있다.
이 때, X 축 방향으로 배열된 복수의 X-터치 전극이 하나의 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구성하는 경우, 하나의 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구성하는 복수의 X-터치 전극에 터치 신호가 동시에 인가되도록 동일한 라인에 위치하는 복수의 X-터치 전극을 동일한 X-터치 라인(X-TL)으로 연결할 수 있을 것이다.
또는, Y 축 방향으로 배열된 복수의 Y-터치 전극이 하나의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구성하는 경우에는, 하나의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구성하는 복수의 Y-터치 전극에 터치 신호가 동시에 인가되도록 동일한 라인에 위치하는 복수의 Y-터치 전극을 동일한 Y-터치 라인(Y-TL)으로 연결할 수 있을 것이다.
여기에서는 X 축 방향의 X-터치 전극 라인(X-TEL)이 각각 복수의 X-터치 전극으로 이루어지고, Y 축 방향의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 각각 하나의 Y-터치 전극으로 이루어진 경우를 예로 들어서 도시하였다. 따라서, X 축 방향으로 같은 행에 배열된 복수의 X-터치 전극이 동일한 X-터치 라인(X-TL)으로 연결될 수 있다.
예를 들어, 1번째 행의 X-터치 전극 라인(X-TEL1)은 1번째 행에 배치된 복수의 X-터치 전극으로 구성되며, 1번째 행에 위치하는 복수의 X-터치 전극은 각각 분기된 1번째 X-터치 라인(X-TL1)과 전기적으로 연결되어 1번째 터치 신호가 동시에 전달될 수 있다.
따라서, X-축 방향으로 배치되는 복수의 X-터치 전극에 터치 신호가 동시에 인가됨으로써, 복수의 X-터치 전극에 대한 터치 신호의 지연이 줄어들어서 디스플레이 패널(110)의 화면 전체에 대한 터치 성능이 균일하게 될 수 있다.
예컨대, X-축 방향으로 배치되는 복수의 X-터치 전극이 터치 구동 전극인 경우, 하나의 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구성하는 복수의 X-터치 전극은 동일한 X-터치 라인(X-TL)에 의해서 전기적으로 연결되고, 동일한 타이밍에 동일한 터치 구동 신호가 인가될 수 있다.
복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL1, ... , X-TELn)은 각각 X-터치 라인(X-TL1, ... , X-TLn)을 통해 해당하는 X-터치 패드(X-TP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 1번째 X-터치 전극 라인(X-TEL1)에 포함된 복수의 X-터치 전극은 1번째 X-터치 라인(X-TL1)을 통해 해당하는 X-터치 패드(X-TP)와 전기적으로 연결될 수 있다.
반면, Y-터치 전극 라인(Y-TEL1, ... , Y-TELm)은 각각 하나의 Y-터치 전극으로 이루어지기 때문에, Y-터치 전극 라인(Y-TEL1, ... , Y-TELm) 각각은 하나의 Y-터치 라인(Y-TL)을 통해 해당하는 Y-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결될 수 있다.
이 때, 동일한 터치 전극 라인(TEL)을 구성하는 복수의 터치 전극에 하나의 터치 라인을 연결하기 위하여, 하나의 터치 라인을 분기하는 구조는 다양하게 변경될 수 있다.
다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)에 전기적으로 연결된 다수의 X-터치 라인(X-TL) 각각은 봉지층(ENCAP) 상에 배치되면서 봉지층(ENCAP)이 없는 곳까지 연장되어 다수의 X-터치 패드(X-TP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 전기적으로 연결된 다수의 Y-터치 라인(Y-TL) 각각은 봉지층(ENCAP) 상에 배치되면서 봉지층(ENCAP)이 없는 곳까지 연장되어 다수의 Y-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 봉지층(ENCAP)은 액티브 영역(AA) 내에 위치할 수 있으며, 경우에 따라서, 논-액티브 영역(NA)까지 확장될 수도 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 액티브 영역(AA) 내 어떠한 층(Layer, 예: 유기 발광 디스플레이 패널에서의 봉지층)이 무너지는 것을 방지하기 위하여, 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 경계 영역 또는 액티브 영역(AA)의 외곽 영역인 논-액티브 영역(NA)에 댐 영역이 존재할 수 있다. 즉, 댐(DAM)은 봉지층(ENCAP)에 포함된 유기물층이 외곽으로 흘러 넘치는 것을 방지하는 기능을 할 수 있다. 그러므로 댐(DAM)은 차단구조물로 지칭할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 일 예로, 댐 영역에는 1차 댐(DAM1)과 2차 댐(DAM2)이 배치될 수 있다. 여기서, 2차 댐(DAM2)은 1차 댐(DAM1)보다 더 외곽에 위치할 수 있다.
도 4의 예시와 다르게, 댐 영역에 1차 댐(DAM1)만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서, 댐 영역에 1차 댐(DAM1)과 2차 댐(DAM2)뿐만 아니라 1개 이상의 추가적인 댐이 더 배치될 수도 있다.
한편, 도 4를 참조하면, 봉지층(ENCAP)이 1차 댐(DAM1)의 측면에 위치하거나, 봉지층(ENCAP)이 1차 댐(DAM1)의 측면은 물론 상부에도 위치할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널의 부분적인 단면도로서, 도 4에 도시된 X-X' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다. 단, 도 4에서는, 터치 전극(TE)이 판 형상으로 도시되었으며, 이는 예시일 뿐, 메쉬 타입으로 되어 있을 수도 있다. 그리고, 터치 전극(TE)이 메쉬 타입인 경우 터치 전극(TE)의 홀(hole)은 서브픽셀(SP)의 발광 영역 상에 위치할 수 있다.
기판(SUB) 상에는 단층 또는 다층구조의 버퍼층(BUF)이 배치될 수 있다. 기판(SUB)은 플렉서블한 물질로 형성될 수 있다. 버퍼층(BUF)은 기판(SUB)이 폴리이미드와 같은 물질로 형성될 경우, 후속 공정에서 기판(SUB)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 발광소자가 손상되는 것을 방지하기 위해 무기물질 및 유기물질 중의 어느 하나로 구성된 단일층으로 형성될 수 있다. 이와 달리 버퍼층(BUF)은 서로 다른 무기물질로 형성된 다중층으로 형성될 수 있다. 또한, 버퍼층(BUF)은 유기물질층과 무기물질층으로 형성된 다중층으로도 형성될 수 있다. 무기물질층은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화질화막(SiON) 중의 어느 하나를 포함할 수 있다. 유기물질은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 중의 어느 하나를 포함할 수 있다. 폴리아크릴레이트의 예로는 포토 아크릴(Photoacryl)을 포함할 수 있다. 기판(SUB) 상의 액티브 영역(AA) 내 각 서브픽셀(SP)에서의 구동 트랜지스터인 제1 트랜지스터(T1)가 배치된다.
제1 트랜지스터(T1)는, 게이트 전극에 해당하는 제1 노드 전극(NE1), 소스 전극 또는 드레인 전극에 해당하는 제2 노드 전극(NE2), 드레인 전극 또는 소스 전극에 해당하는 제3 노드 전극(NE3) 및 반도체층(SEMI) 등을 포함한다.
제1 노드 전극(NE1)과 반도체층(SEMI)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 중첩될 수 있다. 제2 노드 전극(NE2)은 층간절연층(ILD) 상에 형성되어 반도체층(SEMI)의 일 측과 접촉하고, 제3 노드 전극(NE3)은 층간절연층(ILD) 상에 형성되어 반도체층(SEMI)의 타 측과 접촉할 수 있다.
제2 노드 전극(NE2), 제3 노드 전극(NE3), 및 데이터 라인을 커버하는 절연층(INS)이 배치될 수 있다. 절연층(INS)은 무기물질로 이루어진 단일층 또는 서로 다른 무기물질로 이루어진 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 절연층(INS)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화질화막(SiON) 중의 어느 하나의 단일층 또는 이들의 다중층으로 이루어질 수 있다.
그리고, 절연층(INS) 상에는 평탄화막(PLN)이 배치될 수 있다. 평탄화막(PLN)은 하부 구조의 단차를 완화시키면서 하부 구조를 보호하기 위한 것으로, 유기물질층으로 형성될 수 있다. 유기물질은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 중의 어느 하나를 포함할 수 있다. 폴리아크릴레이트의 예로는 포토 아크릴(Photoacryl)을 포함할 수 있다.
발광 소자(ED)는 애노드 전극(또는 캐소드 전극)에 해당하는 제1 전극(E1)과, 제1 전극(E1) 상에 형성되는 발광층(EL)과, 발광층(EL) 위에 형성된 캐소드 전극(또는 애노드 전극)에 해당하는 제2 전극(E2) 등을 포함할 수 있다.
제1 전극(E1)은 평탄화막(PLN)을 관통하는 화소 컨택홀을 통해 노출된 제1 트랜지스터(T1)의 제2 노드 전극(NE2)과 전기적으로 접속된다.
평탄화막(PLN) 상에는 제1 전극(E1)을 노출시키는 개구부를 갖는 뱅크(BANK)가 형성될 수 있다. 뱅크(BANK)의 개구부는 발광영역을 정의하는 영역일 수 있다. 뱅크(BANK)는 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 뱅크(BANK) 상에는 스페이서(SPC)가 형성될 수 있다. 스페이서(SPC)는 후속하는 발광 적층물(EL)의 제조를 위한 마스크(mask)가 스페이서(SPC) 하부의 적층물에 접촉하는 것을 방지하는 역할을 한다. 스페이서(SPC)는 뱅크(BANK) 제조 시 하프톤 마스크(half-tone mask)를 이용하여 뱅크(BANK)와 동시에 제조될 수 있다. 따라서, 스페이서(SPC)는 뱅크(BANK) 물질과 동일하게 이루어질 수 있으며, 뱅크(BANK)와 일체(one body)로 이루어질 수 있다.
전술한 스페이서(SPC)는 뱅크(BANK) 상부라면 어디에도 배치될 수 있다. 예를 들어, 스페이서(SPC)는 뱅크(BANK) 전체 상부에 배치될 수 있으며, 이 경우 스페이서(SPC)는 뱅크(BANK)의 폭보다 좁게 형성될 수 있다. 또한, 스페이서(SPC)는 뱅크(BANK) 상부에 배치되되 뱅크(BANK)의 폭보다 넓게 형성될 수도 있으며, 이 경우 스페이서(SPC)는 발광영역과 일부 중첩될 수도 있다. 또한, 스페이서(SPC)는 일부 뱅크(BANK) 상부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 스페이서(SPC)는 하나의 서브픽셀을 둘러싸는 뱅크(BANK) 전체에 배치될 수도 있고, 하나의 서브픽셀을 사이에 두고 서로 이웃하여 배치될 수도 있다. 또한, 스페이서(SPC)는 적어도 둘 이상의 서브픽셀을 사이에 두고 서로 이웃하여 배치될 수도 있다.
발광층(EL)은 뱅크(BANK)에 의해 마련된 발광 영역의 제1 전극(E1) 상에 형성된다. 발광층(EL)은 제1 전극(E1) 상에 정공 관련층, 발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 적층되어 형성된다. 제2 전극(E2)은 발광층(EL)을 사이에 두고 제1 전극(E1)과 대향하도록 형성된다.
봉지층(ENCAP)는 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자(ED)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단한다.
이러한 봉지층(ENCAP)는 하나의 층으로 되어 있을 수도 있지만, 도 9에 도시된 바와 같이 다수의 층(PAS1, PCL, PAS2)으로 되어 있을 수도 있다.
예를 들어, 봉지층(ENCAP)가 다수의 층(PAS1, PCL, PAS2)으로 이루어진 경우, 봉지층(ENCAP)는 하나 이상의 무기 봉지층(PAS1, PAS2)와 하나 이상의 유기 봉지층(PCL)을 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 봉지층(ENCAP)는 제1 무기 봉지층(PAS1), 유기 봉지층(PCL) 및 제2 무기 봉지층(PAS2)이 순서대로 적층된 구조로 되어 있을 수 있다.
여기서, 유기 봉지층(PCL)은, 적어도 하나의 유기 봉지층 또는 적어도 하나의 무기 봉지층을 더 포함할 수도 있다.
제1 무기 봉지층(PAS1)은 발광 소자(ED)와 가장 인접하도록 캐소드 전극에 해당하는 제2 전극(E2)이 형성된 기판(SUB) 상에 형성된다. 이러한 제1 무기 봉지층(PAS1)은, 일 예로, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성된다. 제1 무기 봉지층(PAS1)이 저온 분위기에서 증착되므로, 제1 무기 봉지층(PAS1)은 증착 공정 시 고온 분위기에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
유기 봉지층(PCL)은 제1 무기 봉지층(PAS1)보다 작은 면적으로 형성될 수 있으며, 이 경우, 유기 봉지층(PCL)은 제1 무기 봉지층(PAS1)의 양끝단을 노출시키도록 형성될 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 유기발광 디스플레이 장치인 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치 장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충 역할을 하며, 평탄화 성능을 강화하는 역할을 할 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은, 일 예로, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성될 수 있다.
이러한 봉지층(ENCAP) 상에는 터치 버퍼막(T-BUF)이 배치될 수 있다. 터치 버퍼막(T-BUF)은 X, Y-터치 전극들(X-TE, Y-TE) 및 X, Y-터치 전극 연결 배선(X-CL, Y-CL)을 포함하는 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2) 사이에 위치할 수 있다.
터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2) 사이의 이격 거리가 미리 정해진 최소 이격 거리(예: 1㎛)를 유지하도록 설계될 수 있다. 이에 따라, 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 줄여주거나 방지해줄 수 있고, 이를 통해, 기생 캐패시턴스에 의한 터치 감도 저하를 방지해줄 수 있다.
이러한 터치 버퍼막(T-BUF) 없이, 봉지층(ENCAP) 상에 X, Y-터치 전극들(X-TE, Y-TE) 및 X, Y-터치 전극 연결 배선(X-CL, Y-CL)을 포함하는 터치 센서 메탈이 배치될 수도 있다.
또한, 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 배치되는 터치 센서 메탈의 제조 공정 시 이용되는 약액(현상액 또는 식각액 등등) 또는 외부로부터의 수분 등이 유기물을 포함하는 발광층(EL)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 터치 버퍼막(T-BUF)은 약액 또는 수분에 취약한 발광층(EL)의 손상을 방지할 수 있다.
터치 버퍼막(T-BUF)은 고온에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)의 손상을 방지하기 위해 일정 온도(예: 100도(℃이하의 저온에서 형성 가능하고 1~3의 저유전율을 가지는 유기 절연 재질로 형성된다. 예를 들어, 터치 버퍼막(T-BUF)은 아크릴 계열, 에폭시 계열 또는 실록산(Siloxan) 계열의 재질로 형성될 수 있다. 유기 절연 재질로 평탄화 성능을 가지는 터치 버퍼막(T-BUF)은 유기 발광 디스플레이 장치의 휘어짐에 따른 봉지층(ENCAP)를 구성하는 각각의 봉지층(PAS1, PCL, PAS2)의 손상 및 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 형성되는 터치 센서 메탈의 깨짐 현상을 방지할 수 있다.
뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센서 구조에 따르면, 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 X-터치 전극 라인(X-TEL) 및 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 배치되며, X-터치 전극 라인(X-TEL) 및 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 교차되게 배치될 수 있다.
X-터치 전극 라인(X-TEL)은, 다수의 X-터치 전극(X-TE)과, 다수의 X-터치 전극(X-TE) 사이를 전기적으로 연결해주는 다수의 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)을 포함할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 다수의 X-터치 전극(X-TE)과 다수의 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은 터치 절연막(T-ILD)을 사이에 두고 서로 다른 층에 위치할 수 있다.
다수의 X-터치 전극(X-TE)은 x축 방향을 따라 일정한 간격으로 이격될 수 있다. 이러한 다수의 X-터치 전극(X-TE) 각각은 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)을 통해 x축 방향으로 인접한 다른 X-터치 전극(X-TE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 형성되며 터치 절연막(T-ILD)을 관통하는 터치 컨택홀을 통해 노출되어 x축 방향으로 인접한 2개의 X-터치 전극(X-TE)과 전기적으로 접속될 수 있다.
X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은 뱅크(BANK)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, X-터치 전극 연결 배선(X-CL)에 의해 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은, 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)과, 다수의 Y-터치 전극(Y-TE) 사이를 전기적으로 연결해주는 다수의 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)을 포함할 수 있다.
다수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 터치 절연막(T-ILD) 상에서 y축 방향을 따라 일정한 간격으로 이격될 수 있다. 이러한 다수의 Y-터치 전극(Y-TE) 각각은 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)을 통해 y축 방향으로 인접한 다른 Y-터치 전극(Y-TE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 Y-터치 전극(Y-TE)과 동일 평면 상에 배치되어 별도의 컨택홀 없이 y축 방향으로 인접한 2개의 Y-터치 전극(Y-TE)과 전기적으로 접속되거나, y축 방향으로 인접한 2개의 Y-터치 전극(Y-TE)과 일체로 되어 있을 수 있다.
Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 뱅크(BANK)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)에 의해 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
커버 유기층(C-PAC)은 터치 센서 메탈을 덮도록 형성되어 터치 센서 메탈이 외부의 수분 등에 의해 부식되는 것을 방지할 수 있다. 일 예로, 커버 유기층(C-PAC)은 유기 절연 재질로 형성되거나, 원편광판 또는 에폭시 또는 아크릴 재질의 필름 형태로 형성될 수 있다. 이러한 커버 유기층(C-PAC)이 봉지층(ENCAP) 상에 없을 수도 있다. 즉, 커버 유기층(C-PAC)은 필수적인 구성이 아닐 수도 있다.
한편, 도 5의 단면도는 개념적으로 구조를 도시한 것으로서, 보는 방향이나 위치 등에 따라 각 패턴들(각종 층들이나 각종 전극들)의 위치, 두께, 또는 폭이 달라질 수도 있고, 각종 패턴들의 연결 구조도 변경될 수 있으며, 도시된 여러 층들 이외에도 추가적인 층이 더 존재할 수도 있고, 도시된 여러 층들 중 일부는 생략되거나 통합되어 있을 수도 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 디스플레이 패널의 부분적인 단면도로서, 도 4에 도시된 Y-Y' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다. 도 6에서 도 5와 동일한 도면 부호로 표시된 구성요소는 도 5에서 설명된 것과 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 도 4의 비표시 영역에 배치되며, 표시 영역을 둘러싸도록 구성된 차단 구조물(댐)을 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, 액티브 영역(AA) 내 어떠한 층(Layer, 예: 유기 발광 디스플레이 패널에서의 봉지층)이 무너지는 것을 방지하기 위하여, 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 경계 영역 또는 액티브 영역(AA)의 외곽 영역인 논-액티브 영역(NA)에 댐 영역이 존재할 수 있다. 즉, 댐(DAM)은 봉지층(ENCAP)에 포함된 유기물층이 외곽으로 흘러 넘치는 것을 방지하는 기능을 할 수 있다. 일 예로, 댐 영역에는 1차 댐(DAM1)과 2차 댐(DAM2)이 배치될 수 있다. 여기서, 2차 댐(DAM2)은 1차 댐(DAM1)보다 더 외곽에 위치할 수 있다.
1차 댐(DAM1) 및/또는 2차 댐(DAM2)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 1차 댐(DAM1) 및/또는 2차 댐(DAM2)은 평탄화막(PLN), 뱅크(BANK) 및 스페이서(SPC) 등 중 적어도 어느 하나와 동일 재질로 동시에 형성될 수 있다. 이 경우, 마스크 추가 공정 및 비용 상승 없이 댐 구조를 형성할 수 있다.
또한, 유기물을 포함하는 유기 봉지층(PCL)은, 도 6에 도시된 바와 같이, 1차 댐(DAM1)의 내 측면에만 위치할 수 있다.
봉지층(ENCAP) 상에 배치되며, 복수의 X-터치 전극(X-TE)과 연결되는 X-터치 라인(X-TL)을 포함할 수 있다. X-터치 라인(X-TL1)은 제1 터치 라인(X-TL1) 및 제1 터치 라인(X-TL1)의 상부에 배치되며, 복수의 X-터치 전극(X-TE)과 연결되는 제2 터치 라인(X-TL2)을 포함할 수 있다. X-터치 라인(X-TL)은 X-터치 패드(X-TP)를 통해 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 마찬가지로, 봉지층(ENCAP) 상에 배치되며, 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)과 연결되는 Y-터치 라인(미도시)을 포함할 수 있다. Y-터치 라인은 제3 터치 라인(미도시) 및 제3 터치 라인의 상부에 배치되며, 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)과 연결되는 제4 터치 라인을 포함할 수 있다. 제3 터치 라인은 제1 터치라인(X-TL1)과 동일한 평면에 위치할 수 있으며, 제4 터치라인은 제2 터치라인(X-TL2)과 동일한 평면에 위치할 수 있다. Y-터치 라인(Y-TL)은 Y-터치 패드(Y-TP)를 통해 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결될 수 있다
제1 터치 라인(X-TL1) 및 제2 터치 라인(X-TL2) 사이에는 터치 절연막(T-ILD)이 위치할 수 있다. 터치 절연막(T-ILD)은 차단 구조물(DAM) 상부에 컨택홀(CH)을 포함할 수 있다. 제1 터치 라인(X-TL1) 및 제2 터치 라인(X-TL2)은 컨택홀(CH)을 통해 연결될 수 있다. 제3 터치라인과 제4 터치라인은 차단 구조물(DAM)의 상부에서 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 영역의 복수의 X-터치 전극(X-TE)의 하부에 배치되며, 복수의 X-터치 전극(X-TE)를 연결하는 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)을 더 포함할 수 있다.
X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은 제1 터치 라인(X-TL1)과 동일한 평면에 배치되고 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
X-터치 전극 연결 배선(X-CL)과 봉지층(ENCAP) 사이에 터치 버퍼막(T-BUF)을 더 포함할 수 있다. 터치 버퍼막(T-BUF)은 X, Y-터치 전극들(X-TE, Y-TE) 및 X, Y-터치 전극 연결 배선(X-CL, Y-CL)을 포함하는 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2) 사이에 위치할 수 있다.
터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2) 사이의 이격 거리가 미리 정해진 최소 이격 거리(예: 1㎛)를 유지하도록 설계될 수 있다. 이에 따라, 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 줄여주거나 방지해줄 수 있고, 이를 통해, 기생 캐패시턴스에 의한 터치 감도 저하를 방지해줄 수 있다.
이러한 터치 버퍼막(T-BUF) 없이, 봉지층(ENCAP) 상에 X, Y-터치 전극들(X-TE, Y-TE) 및 X, Y-터치 전극 연결 배선(X-CL, Y-CL)을 포함하는 터치 센서 메탈이 배치될 수도 있다.
또한, 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 배치되는 터치 센서 메탈의 제조 공정 시 이용되는 약액(현상액 또는 식각액 등등) 또는 외부로부터의 수분 등이 유기물을 포함하는 발광층(EL)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 터치 버퍼막(T-BUF)은 약액 또는 수분에 취약한 발광층(EL)의 손상을 방지할 수 있다.
터치 버퍼막(T-BUF)은 고온에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)의 손상을 방지하기 위해 일정 온도(예: 100도(℃이하의 저온에서 형성 가능하고 1~3의 저유전율을 가지는 유기 절연 재질로 형성된다. 예를 들어, 터치 버퍼막(T-BUF)은 아크릴 계열, 에폭시 계열 또는 실록산(Siloxan) 계열의 재질로 형성될 수 있다. 유기 절연 재질로 평탄화 성능을 가지는 터치 버퍼막(T-BUF)은 유기 발광 디스플레이 장치의 휘어짐에 따른 봉지층(ENCAP)를 구성하는 각각의 봉지층(PAS1, PCL, PAS2)의 손상 및 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 형성되는 터치 센서 메탈의 깨짐 현상을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 댐(DAM)은 봉지층(ENCAP)에 포함된 유기 봉지층(PCL)이 외곽으로 흘러 넘치는 것을 방지하는 기능을 하기 때문에 댐(DAM)의 높이가 높을수록 유기 봉지층(PCL)의 넘침을 제어하는데 용이할 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예와 같이 터치 패널이 디스플레이 패널(DISP)의 내부에 일체로 형성되는 표시 장치에서는 제1 터치 라인(X-TL1) 상부에 제2 터치 라인(X-TL2) 형성 시 하부층의 댐(DAM)이 배치된 영역과 같은 고단차 영역에서 배선의 두께가 얇아지거나 끊어지는 불량이 발생할 가능성이 높아진다. 즉, 제2 터치 라인(X-TL2) 형성을 위한 패터닝 시, 제2 터치 라인(X-TL2) 메탈의 상부에 포토레지스터(PR)를 도포하는데 하부층의 단차로 인해 포토레지스터가 얇게 도포되어 댐(DAM) 상부에 형성되는 제2 터치 라인(X-TL2)이 식각액에 의해 식각이 되어 두께가 얇아지거나 끊어질 수 있다.
복수의 X-터치 전극(X-TE)과 X-터치 패드(X-TP)를 연결하는 X-터치 라인(X-TL)을 제1 터치 라인(X-TL1) 및 제2 터치 라인(X-TL2)의 이중배선으로 연결하는 경우, 터치 구동 신호 또는 터치 센싱 신호의 전달 과정에서 전기적 저항을 감소시킬 수 있다. 제2 터치 라인(X-TL2)이 패턴 불량으로 인해 끊어지는 경우 전기적 저항이 증가하여 터치 구동 신호 또는 터치 센싱 신호의 전달에 문제가 발생할 수 있다.
본 명세서의 실시예와 같이, 고단차 영역인 댐(DAM) 상부에 대응하는 터치 절연막(T-ILD)에 컨택홀(CH)을 형성함으로써 제2 터치 라인(X-TL2) 형성을 위한 패터닝 시, 제2 터치 라인(X-TL2) 메탈의 상부에 포토레지스터(PR)가 흘러내리는 현상을 최소화하여 제2 터치 라인(Y-TL2)이 식각액에 의해 손상되는 문제를 방지할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 표시 화소가 배치된 표시 영역 및 표시 영역 주위의 비표시 영역을 구비한 기판을 포함할 수 있다. 비표시 영역에 배치되며, 표시 영역을 둘러싸도록 구성된 차단 구조물을 포함할 수 있다. 표시 영역 및 비표시 영역을 덮는 봉지층을 포함할 수 있다. 표시 영역의 봉지층 상에 배치되며 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 터치 전극 및 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 터치 전극을 포함할 수 있다. 비표시 영역의 봉지층 상에 배치되며, 복수의 제1 터치 전극과 연결되는 제1 터치 라인 및 제1 터치 라인의 상부에 배치되며, 복수의 제1 터치 전극과 연결되는 제2 터치 라인을 포함할 수 있다. 제1 터치 라인 및 제2 터치 라인 사이에 위치하는 터치 절연막을 포함할 수 있다. 터치 절연막은 차단 구조물 상부에 컨택홀을 포함할 수 있다. 제1 터치 라인 및 제2 터치 라인은 컨택홀을 통해 연결될 수 있다.
실시 예에서, 복수의 제1 터치 전극의 하부에 배치되며, 복수의 제1 터치 전극을 연결하는 제1 터치 전극 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
실시 예에서, 제1 터치 전극 연결 배선과 봉지층 사이에 위치하는 터치 버퍼막을 더 포함할 수 있다.
실시 예에서, 비표시 영역의 봉지층 상에 배치되며, 복수의 제2 터치 전극과 연결되는 제3 터치 라인 및 제3 터치 라인의 상부에 배치되며, 복수의 제2 터치 전극과 연결되는 제4 터치 라인을 더 포함할 수 있다.
실시 예에서, 제3 터치 라인은 제1 터치 라인과 동일한 평면에 위치할 수 있다.
실시 예에서, 제4 터치 라인은 제2 터치 라인과 동일한 평면에 위치할 수 있다.
실시 예에서, 제3 터치 라인과 제4 터치 라인은 차단 구조물 상부에서 전기적으로 연결될 수 있다.
실시 예에서, 제1 터치 라인은 제1 터치 전극 연결 배선과 동일한 평면에 배치되고 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
실시 예에서, 제2 터치 라인은 제1 터치 전극과 동일한 평면에 배치되고 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
실시 예에서, 컨택홀은 상기 차단 구조물과 중첩할 수 있다.
실시 예에서, 차단 구조물은 제1 차단 구조물 및 제1 차단 구조물보다 표시 영역에서 먼 곳에 위치하는 제2 차단 구조물을 포함할 수 있다.
실시 예에서, 컨택홀은 제1 차단 구조물 및 제2 차단 구조물 중 적어도 하나와 중첩할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 명세서의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다.
따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 명세서의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 명세서의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 명세서의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 명세서의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 터치 디스플레이 장치
110: 디스플레이 패널
120: 게이트 구동 회로
130: 데이터 구동 회로
140: 타이밍 컨트롤러
150: 터치 구동 회로

Claims (12)

  1. 복수의 표시 화소가 배치된 표시 영역 및 상기 표시 영역 주위의 비표시 영역을 구비한 기판;
    상기 비표시 영역에 배치되며, 상기 표시 영역을 둘러싸도록 구성된 차단 구조물;
    상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역을 덮는 봉지층;
    상기 표시 영역의 상기 봉지층 상에 배치되며 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 터치 전극 및 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 터치 전극;
    상기 비표시 영역의 상기 봉지층 상에 배치되며, 상기 복수의 제1 터치 전극과 연결되는 제1 터치 라인 및 상기 제1 터치 라인의 상부에 배치되며, 상기 복수의 제1 터치 전극과 연결되는 제2 터치 라인;
    상기 제1 터치 라인 및 상기 제2 터치 라인 사이에 위치하는 터치 절연막;
    상기 터치 절연막은 상기 차단 구조물 상부에 컨택홀을 포함하며,
    제1 터치 라인 및 상기 제2 터치 라인은 상기 컨택홀을 통해 연결되는 터치 디스플레이 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 터치 전극의 하부에 배치되며, 상기 복수의 제1 터치 전극을 연결하는 제1 터치 전극 연결 배선을 더 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 터치 전극 연결 배선과 상기 봉지층 사이에 위치하는 터치 버퍼막을 더 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 비표시 영역의 상기 봉지층 상에 배치되며, 상기 복수의 제2 터치 전극과 연결되는 제3 터치 라인 및 상기 제3 터치 라인의 상부에 배치되며, 상기 복수의 제2 터치 전극과 연결되는 제4 터치 라인을 더 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제3 터치 라인은 상기 제1 터치 라인과 동일한 평면에 위치하는 터치 디스플레이 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제4 터치 라인은 상기 제2 터치 라인과 동일한 평면에 위치하는 터치 디스플레이 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제3 터치 라인과 상기 제4 터치 라인은 상기 차단 구조물 상부에서 전기적으로 연결되는 터치 디스플레이 장치.
  8. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 터치 라인은 상기 제1 터치 전극 연결 배선과 동일한 평면에 배치되고 동일한 재질로 이루어진 터치 디스플레이 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 터치 라인은 상기 제1 터치 전극과 동일한 평면에 배치되고 동일한 재질로 이루어진 터치 디스플레이 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 컨택홀은 상기 차단 구조물과 중첩하는 터치 디스플레이 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 차단 구조물은 제1 차단 구조물 및 제1 차단 구조물보다 상기 표시 영역에서 먼 곳에 위치하는 제2 차단 구조물을 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 컨택홀은 상기 제1 차단 구조물 및 제2 차단 구조물 중 적어도 하나와 중첩하는 터치 디스플레이 장치.
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