KR20230094924A

KR20230094924A - Image processing method and image processing apparatus for inspecting wafer

Info

Publication number: KR20230094924A
Application number: KR1020220029371A
Authority: KR
Inventors: 이남희
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2021-12-21
Filing date: 2022-03-08
Publication date: 2023-06-28

Abstract

본 발명의 실시예는 웨이퍼 검사를 검사하는 과정에서 효과적으로 웨이퍼 영역을 구분할 수 있는 영상 처리 방법 및 영상 처리 장치를 제공하고자 한다. 본 발명에 따른 웨이퍼의 검사를 위한 영상 처리 방법은, 상기 웨이퍼를 포함하는 제1 영상을 획득하는 단계; 상기 제1 영상에 대한 극 좌표 변환을 적용하여 상기 웨이퍼에 대응하는 웨이퍼 영역이 사각형 형태로 변환된 제2 영상을 생성하는 단계; 및 상기 제2 영상에서 상기 웨이퍼 영역에 대한 검사를 수행하는 단계를 포함한다. An embodiment of the present invention is to provide an image processing method and an image processing apparatus capable of effectively distinguishing wafer areas in a wafer inspection process. An image processing method for inspecting a wafer according to the present invention includes acquiring a first image including the wafer; generating a second image in which a wafer area corresponding to the wafer is transformed into a rectangular shape by applying polar coordinate transformation to the first image; and performing inspection on the wafer area in the second image.

Description

Image processing method and image processing apparatus for wafer inspection

본 발명은 웨이퍼의 검사를 위한 영상 처리 방법 및 영상 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an image processing method and an image processing apparatus for inspecting a wafer.

반도체 제조 공정은 전기적 신호를 처리할 수 있는 반도체 제품을 제조하는 공정으로서, 웨이퍼 상에 산화, 노광, 식각, 이온 주입, 증착 등의 처리 과정을 통해 패턴을 형성하는 처리 공정(전 공정)과 패턴이 형성된 웨이퍼에 대한 다이싱, 다이 본딩, 배선, 몰딩, 마킹, 테스트 등과 같은 과정을 통해 완제품 형태의 반도체 패키지를 제조하는 패키징 공정(후 공정)을 포함한다. The semiconductor manufacturing process is a process of manufacturing semiconductor products capable of processing electrical signals, and includes processing processes (previous processes) and patterns forming patterns through processing processes such as oxidation, exposure, etching, ion implantation, and deposition on a wafer. A packaging process (post-process) of manufacturing a semiconductor package in the form of a finished product through processes such as dicing, die bonding, wiring, molding, marking, and testing of the formed wafer is included.

웨이퍼를 제조하는 과정에서 웨이퍼 상에 패턴이 의도한 대로 형성이 되었는지 또는 웨이퍼 상에 파티클이 어느 정도 분포되어 있는지 여부를 확인할 필요가 있다. 웨이퍼의 검사를 위하여 반도체 제조 공정의 중간에 웨이퍼를 검사하는 장비가 별도로 구비될 수도 있고 제조 설비의 내부에 모듈로 구성될 수도 있다. In the process of manufacturing a wafer, it is necessary to check whether a pattern is formed on the wafer as intended or whether particles are distributed on the wafer to some extent. In order to inspect the wafer, equipment for inspecting the wafer may be provided separately in the middle of the semiconductor manufacturing process or may be configured as a module inside the manufacturing facility.

웨이퍼의 검사는 상부에서 웨이퍼를 촬영하고, 촬영된 영상에서 웨이퍼의 패턴 또는 파티클을 검사함으로써 수행되는데, 일반적으로 촬영된 영상은 사각형이나 웨이퍼는 원형이기 때문에 웨이퍼 영역과 웨이퍼 영역 이외의 비관심 영역을 구분하기 위한 영상 처리가 필요하다. Wafer inspection is performed by photographing the wafer from the top and inspecting patterns or particles on the wafer in the photographed image. Generally, the photographed image is rectangular or the wafer is circular, so the wafer area and non-interest areas other than the wafer area are inspected. Image processing is required to distinguish them.

따라서, 본 발명의 실시예는 웨이퍼 검사를 검사하는 과정에서 효과적으로 웨이퍼 영역을 구분할 수 있는 영상 처리 방법 및 영상 처리 장치를 제공하고자 한다. Accordingly, embodiments of the present invention are intended to provide an image processing method and an image processing apparatus capable of effectively distinguishing wafer areas in a wafer inspection process.

본 발명의 해결과제는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다. The problems of the present invention are not limited to those mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명에 따른 웨이퍼의 검사를 위한 영상 처리 방법은, 상기 웨이퍼를 포함하는 제1 영상을 획득하는 단계; 상기 제1 영상에 대한 극 좌표 변환을 적용하여 상기 웨이퍼에 대응하는 웨이퍼 영역이 사각형 형태로 변환된 제2 영상을 생성하는 단계; 및 상기 제2 영상에서 상기 웨이퍼 영역에 대한 검사를 수행하는 단계를 포함한다. An image processing method for inspecting a wafer according to the present invention includes acquiring a first image including the wafer; generating a second image in which a wafer area corresponding to the wafer is transformed into a rectangular shape by applying polar coordinate transformation to the first image; and performing inspection on the wafer area in the second image.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 영상은 상기 웨이퍼에 대응하는 웨이퍼 영역 및 상기 웨이퍼 영역의 주변에 형성된 비관심 영역을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first image may include a wafer area corresponding to the wafer and a non-interest area formed around the wafer area.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 영상을 생성하는 단계는, 상기 제1 영상에 대하여 상기 극 좌표 변환을 위한 행렬을 적용하는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, generating the second image may include applying the matrix for polar coordinate transformation to the first image.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 영상에 대한 검사를 수행하는 단계는, 상기 제2 영상에서 상기 웨이퍼 영역을 제외한 비관심 영역을 제거하는 단계; 및 상기 웨이퍼 영역에 대한 검사를 수행하는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the performing of the inspection on the second image may include removing an uninteresting region except for the wafer region from the second image; and performing an inspection on the wafer area.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 영역에 대한 검사를 수행하는 단계는, 사각형 형태로 변환된 상기 웨이퍼 영역에 대한 직선 방향 스캔을 통해 검사를 수행하는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the performing of the inspection on the wafer area may include performing the inspection through linear scanning of the wafer area converted into a rectangular shape.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 영역에 대한 검사를 수행하는 단계는, 사각형 형태로 변환된 상기 웨이퍼 영역에 역(逆) 극 좌표 변환을 적용하여 원형의 웨이퍼 영역을 포함하는 복원 영상을 생성하는 단계; 이진화 처리를 통해 상기 복원 영상에서 상기 원형의 웨이퍼 영역을 추출하는 단계; 상기 원형의 웨이퍼 영역에서 중심점을 결정하는 단계; 및 상기 중심점을 이용하여 상기 원형의 웨이퍼 영역에 대한 검사를 수행하는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the performing of the inspection of the wafer area may include generating a reconstructed image including a circular wafer area by applying an inverse polar coordinate transformation to the wafer area converted into a rectangular shape. doing; extracting the circular wafer area from the reconstructed image through binarization; determining a center point in the circular wafer area; and performing an inspection on the circular wafer area using the center point.

본 발명에 따른 웨이퍼의 검사를 위한 영상 처리 장치는, 상기 웨이퍼를 촬상하는 카메라; 및 상기 웨이퍼에 대한 영상 처리를 통해 상기 웨이퍼를 검사하는 프로세서를 포함한다. 상기 프로세서는, 상기 웨이퍼를 포함하는 제1 영상을 획득하는 단계; 상기 제1 영상에 대한 극 좌표 변환을 적용하여 상기 웨이퍼에 대응하는 웨이퍼 영역이 사각형 형태로 변환된 제2 영상을 생성하는 단계; 및 상기 제2 영상에서 상기 웨이퍼 영역에 대한 검사를 수행하는 단계를 수행하도록 설정된다. An image processing apparatus for inspecting a wafer according to the present invention includes a camera for capturing an image of the wafer; and a processor inspecting the wafer through image processing of the wafer. Acquiring, by the processor, a first image including the wafer; generating a second image in which a wafer area corresponding to the wafer is transformed into a rectangular shape by applying polar coordinate transformation to the first image; and performing an inspection on the wafer area in the second image.

본 발명에 따르면, 극 좌표 변환을 통해 웨이퍼 영역을 사각형 형태로 변환하여 검사를 수행함으로써, 효과적으로 웨이퍼 영역과 비관심 영역을 구분하여 웨이퍼 검사를 수행할 수 있어 신속하면서 정밀한 검사가 가능하다.According to the present invention, by converting the wafer area into a rectangular shape through polar coordinate conversion and performing the inspection, the wafer inspection can be performed by effectively dividing the wafer area and the non-interest area, enabling rapid and precise inspection.

본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 웨이퍼 검사를 위해 촬영된 영상의 예를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 검사를 위한 영상 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3은 웨이퍼 검사를 수행하는 과정의 일 실시예를 나타내는 흐름도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 검사를 위한 영상 처리 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 역 극 좌표 변환을 적용하여 웨이퍼 영역에 대한 검사를 수행하는 과정의 일 실시예를 나타내는 흐름도이다.
도 9는 역 극 좌표 변환을 적용하여 웨이퍼 영역에 대한 검사를 수행하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 웨이퍼 검사를 위한 영상 처리 장치의 구성을 나타내는 블록도이다. 1 shows an example of an image taken for wafer inspection.
2 is a flowchart illustrating an image processing method for inspecting a wafer according to the present invention.
3 is a flowchart illustrating one embodiment of a process of performing wafer inspection.
4 to 7 are views for explaining an image processing process for inspecting a wafer according to an embodiment of the present invention.
8 is a flowchart illustrating an embodiment of a process of performing inspection on a wafer area by applying inverse polar coordinate transformation.
9 is a diagram for explaining a process of performing an inspection on a wafer area by applying inverse polar coordinate transformation.
10 is a block diagram showing the configuration of an image processing device for wafer inspection according to the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. This invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components throughout the specification.

또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, in various embodiments, components having the same configuration will be described only in representative embodiments using the same reference numerals, and in other embodiments, only configurations different from the representative embodiments will be described.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(또는 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결(또는 결합)"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결(또는 결합)"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected (or coupled)" to another part, this is not only the case where it is "directly connected (or coupled)", but also "indirectly connected (or coupled)" through another member. Combined)" is also included. In addition, when a part "includes" a certain component, it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't

웨이퍼상에 패턴을 형성함으로써 반도체 제품을 제조하는 반도체 제조 공정에 있어서, 웨이퍼의 패턴 또는 파티클을 검사하기 위한 웨이퍼 검사가 수차례 수행될 수 있다. 웨이퍼 검사에 있어서 웨이퍼의 표면을 촬영하여 생성된 영상을 분석하여 웨이퍼를 검사하는 기법이 사용되고 있다. In a semiconductor manufacturing process of manufacturing a semiconductor product by forming a pattern on a wafer, wafer inspection may be performed several times to inspect patterns or particles on the wafer. In wafer inspection, a technique of inspecting a wafer by analyzing an image generated by photographing the surface of the wafer is used.

도 1은 웨이퍼 검사를 위해 촬영된 영상의 예를 도시한다. 웨이퍼를 검사하기 위하여 웨이퍼를 상부에서 촬영함으로써 생성된 영상(10)이 도 1과 같이 생성될 수 있다. 도 1에서 웨이퍼의 영상(10)은 웨이퍼 영역(11)과 비관심 영역(12)으로 구성될 수 있다. 도 1에서 화살표로 표시된 것과 같이 수평 방향(또는 수직, 대각선 방향)으로 스캔하며 웨이퍼 검사를 수행하는 경우, 원형의 웨이퍼를 스캔함에 있어 비관심 영역이 함께 불필요하게 처리되므로 전반적인 검사 속도와 효율이 저하될 수 있다. 1 shows an example of an image taken for wafer inspection. In order to inspect the wafer, an image 10 generated by photographing the wafer from the top may be generated as shown in FIG. 1 . In FIG. 1 , an image 10 of a wafer may include a wafer region 11 and a non-interest region 12 . As indicated by the arrows in FIG. 1, when wafer inspection is performed while scanning in a horizontal direction (or vertical or diagonal direction), the overall inspection speed and efficiency are reduced because non-interest areas are unnecessarily processed together in scanning a circular wafer. It can be.

웨이퍼의 영상 검사 과정에 있어서, 직사각형의 이미지에서 원형의 웨이퍼를 검사하기 때문에 웨이퍼 영역 이외의 비관심 영역을 분리하여 제거함이 바람직하다. 본 발명은 직사각형의 영상에서 웨이퍼 영역을 별도로 분리 추출하기 위한 영상 처리 방법 및 영상 처리 장치를 제공한다. 이하, 본 발명에 따른 웨이퍼를 검사하기 위한 영상 처리 방법 및 영상 처리 장치에 대하여 설명하도록 한다. In the image inspection process of the wafer, since a circular wafer is inspected in a rectangular image, it is preferable to separate and remove non-interest areas other than the wafer area. The present invention provides an image processing method and an image processing apparatus for separately extracting a wafer area from a rectangular image. Hereinafter, an image processing method and an image processing apparatus for inspecting a wafer according to the present invention will be described.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 검사를 위한 영상 처리 방법을 나타내는 흐름도이다. 2 is a flowchart illustrating an image processing method for inspecting a wafer according to the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼의 검사를 위한 영상 처리 방법은, 웨이퍼를 포함하는 제1 영상(10)을 획득하는 단계(S210)와, 제1 영상(10)에 대한 극 좌표 변환을 적용하여 웨이퍼에 대응하는 웨이퍼 영역(11)이 사각형 형태로 변환된 웨이퍼 영역(11T)을 포함하는 제2 영상(10T)을 생성하는 단계(S220)와, 제2 영상(10T)에서 웨이퍼 영역(11T)에 대한 검사를 수행하는 단계(S230)를 포함한다. An image processing method for inspecting a wafer according to the present invention includes obtaining a first image 10 including a wafer (S210), and applying polar coordinate transformation to the first image 10 to correspond to the wafer. Generating a second image 10T including the wafer area 11T in which the wafer area 11 to be targeted is converted into a rectangular shape (S220), and inspecting the wafer area 11T in the second image 10T. and performing (S230).

본 발명의 실시예에 따르면, 도 4에 도시된 것과 같이 제1 영상(10)은 웨이퍼에 대응하는 웨이퍼 영역(11) 및 웨이퍼 영역(11)의 주변에 형성된 비관심 영역(12)을 포함할 수 있다. 본 발명에 따르면, 도 4와 같이 촬영된 영상에 대하여 직접 이진화를 통해 웨이퍼 영역(11)을 추출하여 검사하는 대신 극 좌표 변환을 통해 원형의 웨이퍼 영역(11)을 사각형의 형태로 변환한 후 검사를 수행한다. According to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4 , the first image 10 may include a wafer area 11 corresponding to the wafer and a non-interest area 12 formed around the wafer area 11. can According to the present invention, instead of extracting and inspecting the wafer area 11 through direct binarization with respect to the captured image as shown in FIG. 4, the circular wafer area 11 is converted into a rectangular shape through polar coordinate conversion and then inspected. do

본 발명의 실시예에 따르면, 제2 영상(10T)을 생성하는 단계는 제1 영상(10)에 대하여 극 좌표 변환을 위한 행렬을 적용하는 단계를 포함할 수 있다. 극 좌표 변환을 위한 행렬은 제1 영상(10)의 사이즈 및 영상의 특성에 따라 설계될 수 있다. 제1 영상(10)에 대하여 극 좌표 변환을 위한 행렬을 적용함으로써 도 5와 같은 형태의 제2 영상(10T)이 생성될 수 있다. 제2 영상(10T)에서 원형의 웨이퍼 영역(11)이 직사각형 형태의 웨이퍼 영역(11T)으로 변환될 수 있다. 제2 영상(10T)에서 직사각형 형태의 웨이퍼 영역(11T)이 구성되므로, 비관심 영역(12T)으로부터 분리시켜 처리하는 것이 용이하므로 보다 신속한 웨이퍼 검사가 가능하다. According to an embodiment of the present invention, generating the second image 10T may include applying a matrix for polar coordinate transformation to the first image 10 . A matrix for polar coordinate transformation may be designed according to the size and characteristics of the first image 10 . A second image 10T of the form shown in FIG. 5 may be generated by applying a matrix for polar coordinate transformation to the first image 10 . In the second image 10T, the circular wafer area 11 may be converted into a rectangular wafer area 11T. Since the rectangular wafer area 11T is formed in the second image 10T, it is easy to separate and process the wafer area 12T from the non-interest area 12T, so that more rapid wafer inspection is possible.

도 3에 도시된 것과 같이, 제2 영상(10T)에 대한 검사를 수행하는 단계(S230)는, 제2 영상(10T)에서 웨이퍼 영역(11T)을 제외한 비관심 영역(12T)을 제거하는 단계(S310)와, 웨이퍼 영역(11T)에 대한 검사를 수행하는 단계(S320)를 포함한다. 도 6에 도시된 것과 같이, 극 좌표 변환을 통해 사각형 형태로 변환된 웨이퍼 영역(11T)을 관심 영역(ROI)으로 설정하고 나머지의 비관심 영역(12T)에 대한 예외 처리를 수행함으로써 웨이퍼 영역(11T)에 대한 검사를 수행할 수 있다. As shown in FIG. 3 , in the step of inspecting the second image 10T (S230), the non-interest region 12T other than the wafer region 11T is removed from the second image 10T. (S310) and performing an inspection on the wafer area 11T (S320). As shown in FIG. 6, by setting the wafer region 11T converted into a rectangular shape through polar coordinate conversion as the region of interest ROI and performing exception processing on the remaining non-interest regions 12T, the wafer region ( 11T) can be tested.

웨이퍼 영역(11T)에 대한 검사를 수행하는 단계(S320)는, 사각형 형태로 변환된 웨이퍼 영역(11T)에 대한 직선 방향 스캔을 통해 검사를 수행하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 도 7과 같이 사각형 형태로 변환된 웨이퍼 영역(11T)을 관심 영역(ROI)으로 설정하고 수평 방향을 따라 스캔함으로써 웨이퍼 검사를 수행할 수 있다. 뿐만 아니라, 수직 방향 또는 대각선 방향을 따라 스캔을 수행함으로써 웨이퍼 검사를 수행할 수도 있다. Inspecting the wafer area 11T ( S320 ) includes performing the inspection by linearly scanning the wafer area 11T converted into a rectangular shape. For example, as shown in FIG. 7 , the wafer area 11T converted into a rectangular shape may be set as a region of interest (ROI), and wafer inspection may be performed by scanning in a horizontal direction. In addition, wafer inspection may be performed by performing a scan along a vertical or diagonal direction.

한편, 극 좌표 변환을 통해 직사각형의 형태로 변환된 웨이퍼 영역(11T)을 식별하여 나머지 비관심 영역(12T)을 제거한 후 역(逆) 극 좌표 변환을 적용하여 원형의 웨이퍼 영역(11R)을 복원한 후 검사를 수행할 수 있다. Meanwhile, the wafer area 11T transformed into a rectangular shape through polar coordinate transformation is identified, the remaining non-interest area 12T is removed, and then the circular wafer area 11R is restored by applying inverse polar coordinate transformation. After that, the inspection can be performed.

도 8에 도시된 것과 같이, 웨이퍼 영역(11T)에 대한 검사를 수행하는 단계(S320)는, 사각형 형태로 변환된 웨이퍼 영역(11T)에 역(逆) 극 좌표 변환을 적용하여 원형의 웨이퍼 영역(11R)을 포함하는 복원 영상(10R)을 생성하는 단계(S810)와, 이진화 처리를 통해 복원 영상(10R)에서 원형의 웨이퍼 영역(11R)을 추출하는 단계(S820)와, 원형의 웨이퍼 영역(11R)에서 중심점(CP)을 결정하는 단계(S830)와, 중심점(CP)을 이용하여 원형의 웨이퍼 영역(11R)에 대한 검사를 수행하는 단계(S840)를 포함한다. As shown in FIG. 8 , in the step of inspecting the wafer area 11T (S320), inverse polar coordinate transformation is applied to the wafer area 11T converted into a rectangular shape to form a circular wafer area. Generating a restored image 10R including (11R) (S810), extracting a circular wafer region 11R from the restored image 10R through binarization (S820), and a circular wafer region In operation 11R, a step of determining the center point CP (S830) and a step of performing inspection on the circular wafer area 11R using the center point CP (S840) are included.

도 9에 도시된 것과 같이, 극 좌표 변환을 통해 직사각형의 형태로 변환된 웨이퍼 영역(11T)을 식별하여 테두리를 다른 색상으로 표시하는 것과 같이 관심 영역(ROI)으로 설정한 후 역 극 좌표 변환을 적용하여 원형의 웨이퍼 영역(11R)이 복원된 관심 영역(ROI) 이외의 나머지 비관심 영역(12T)을 예외 처리할 수 있다. 이후, 웨이퍼 영역(11R)의 중심점(CP)을 탐색하여 설정한 후 웨이퍼 검사를 수행하고, 검사 결과를 웨이퍼 영역(11R)의 모든 위치를 중심점(CP)에 대한 거리 및 각도와 연관지어 출력할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼의 각 파티클 위치가 중심점(CP)에 대한 거리 및 각도와 연관되어 표시될 수 있다. As shown in FIG. 9, after identifying the wafer area 11T converted into a rectangular shape through polar coordinate transformation and setting it as a region of interest (ROI) such as displaying an edge in a different color, inverse polar coordinate transformation is performed. Exception processing may be applied to the remaining non-ROI 12T other than the ROI in which the circular wafer area 11R is restored. Then, after searching for and setting the center point CP of the wafer area 11R, wafer inspection is performed, and the inspection result is output in association with the distance and angle of all positions of the wafer area 11R to the center point CP. can For example, the position of each particle on the wafer may be displayed in association with the distance and angle to the center point CP.

앞서 설명한 웨이퍼를 검사하기 위한 영상 처리 방법이 영상 처리 장치(200)에 의해 구현될 수 있다. The image processing method for inspecting a wafer described above may be implemented by the image processing device 200 .

도 10에 도시된 것과 같이, 웨이퍼의 검사를 위한 영상 처리 장치(200)는, 웨이퍼를 촬상하는 카메라(210)와, 웨이퍼에 대한 영상 처리를 통해 상기 웨이퍼를 검사하는 프로세서(220)를 포함한다. 프로세서는, 상기 웨이퍼를 포함하는 제1 영상(10)을 획득하는 단계(S210)와, 제1 영상(10)에 대한 극 좌표 변환을 적용하여 웨이퍼에 대응하는 웨이퍼 영역(11)이 사각형 형태로 변환된 제2 영상(10T)을 생성하는 단계(S220)와, 제2 영상(10에서 웨이퍼 영역(11T)에 대한 검사를 수행하는 단계(S230)를 수행하도록 설정된다. As shown in FIG. 10 , the image processing apparatus 200 for inspecting a wafer includes a camera 210 for capturing an image of the wafer and a processor 220 for inspecting the wafer through image processing on the wafer. . The processor acquires a first image 10 including the wafer (S210), and applies polar coordinate transformation to the first image 10 so that the wafer area 11 corresponding to the wafer has a rectangular shape. It is set to perform the steps of generating the converted second image 10T (S220) and inspecting the wafer area 11T in the second image 10 (S230).

카메라(210)는 렌즈와 같은 광학계 및 이미지 센서를 포함하는 촬상 장치로서, 웨이퍼를 상부에서 촬영하여 웨이퍼 검사를 위한 영상을 생성할 수 있다. The camera 210 is an imaging device including an optical system such as a lens and an image sensor, and may generate an image for inspecting the wafer by photographing the wafer from the top.

프로세서(220)는 영상 처리 장치(200)의 각 모듈을 제어하고 모듈로부터 제공된 데이터에 대한 처리를 수행할 수 있다. 프로세서(220)는 하나 또는 그 이상의 프로세서 또는 마이크로프로세서로 구성될 수 있다. 예를 들어, 프로세서(220)는 영상 처리 장치(200)를 제어하기 위한 컨트롤러, 카메라(210)로부터 제공된 영상 신호를 처리(인코딩/디코딩)하는 비디오 코덱, 및 캐시 메모리 등를 포함할 수 있다.The processor 220 may control each module of the image processing device 200 and process data provided from the module. Processor 220 may consist of one or more processors or microprocessors. For example, the processor 220 may include a controller for controlling the image processing device 200, a video codec for processing (encoding/decoding) an image signal provided from the camera 210, and a cache memory.

뿐만 아니라, 영상 처리 장치(200)는 메모리, 하드디스크, SSD(Solid State Drive)와 같은 저장 장치와, 디스플레이, 키보드, 마우스와 같은 입출력 장치 뿐만 아니라 각종 통신 장치 등 웨이퍼를 검사하기 위한 영상 처리에 있어서 필요한 다른 구성을 포함할 수 있다. In addition, the image processing device 200 is used for image processing for inspecting wafers, such as storage devices such as memory, hard disks, solid state drives (SSDs), input/output devices such as displays, keyboards, and mice, as well as various communication devices. It can include other configurations as needed.

본 발명의 실시예에 따르면, 제1 영상(10)은 웨이퍼에 대응하는 웨이퍼 영역(11) 및 웨이퍼 영역(11)의 주변에 형성된 비관심 영역(12)을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first image 10 may include a wafer area 11 corresponding to the wafer and a non-interest area 12 formed around the wafer area 11 .

본 발명의 실시예에 따르면, 제2 영상(10T)을 생성하는 단계(S220)는, 제1 영상(10)에 대하여 극 좌표 변환을 위한 행렬을 적용하는 단계를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, generating the second image 10T ( S220 ) includes applying a matrix for polar coordinate transformation to the first image 10 .

본 발명의 실시예에 따르면, 제2 영상(10T)에 대한 검사를 수행하는 단계(S230)는, 제2 영상(10T)에서 웨이퍼 영역(11T)을 제외한 비관심 영역(12T)을 제거하는 단계(S310)와, 웨이퍼 영역(11T)에 대한 검사를 수행하는 단계(S320)를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, the step of inspecting the second image 10T (S230) includes removing the non-interest region 12T except for the wafer region 11T from the second image 10T. (S310) and performing an inspection on the wafer area 11T (S320).

본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼 영역(11T)에 대한 검사를 수행하는 단계(S320)는, 사각형 형태로 변환된 웨이퍼 영역(11T)에 대한 직선 방향 스캔을 통해 검사를 수행하는 단계를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, the step of inspecting the wafer area 11T (S320) includes performing the inspection through a straight-line scan of the wafer area 11T converted into a rectangular shape. .

본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼 영역(11T)에 대한 검사를 수행하는 단계(S320)는, 사각형 형태로 변환된 웨이퍼 영역(11T)에 역(逆) 극 좌표 변환을 적용하여 원형의 웨이퍼 영역(11R)을 포함하는 복원 영상(10R)을 생성하는 단계(S810)와, 이진화 처리를 통해 복원 영상(10R)에서 원형의 웨이퍼 영역(11R)을 추출하는 단계(S820)와, 원형의 웨이퍼 영역(11R)에서 중심점(CP)을 결정하는 단계(S830)와, 중심점(CP)을 이용하여 원형의 웨이퍼 영역(11R)에 대한 검사를 수행하는 단계(S840)를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, in the step of inspecting the wafer area 11T (S320), inverse polar coordinate transformation is applied to the wafer area 11T converted into a rectangular shape to form a circular wafer area. Generating a restored image 10R including (11R) (S810), extracting a circular wafer region 11R from the restored image 10R through binarization (S820), and a circular wafer region In operation 11R, a step of determining the center point CP (S830) and a step of performing inspection on the circular wafer area 11R using the center point CP (S840) are included.

본 실시예 및 본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타내고 있는 것에 불과하며, 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것이 자명하다고 할 것이다.The present embodiment and the drawings accompanying this specification clearly represent only a part of the technical idea included in the present invention, and can be easily inferred by those skilled in the art within the scope of the technical idea included in the specification and drawings of the present invention. It will be apparent that all possible modifications and specific embodiments are included in the scope of the present invention.

따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the described embodiments, and it will be said that not only the claims to be described later, but also all modifications equivalent or equivalent to these claims belong to the scope of the present invention. .

200: 영상 처리 장치
210: 카메라
220: 프로세서200: image processing device
210: camera
220: processor

Claims

In the image processing method for inspecting a wafer,
obtaining a first image including the wafer;
generating a second image in which a wafer area corresponding to the wafer is transformed into a rectangular shape by applying polar coordinate transformation to the first image; and
and performing an inspection on the wafer area in the second image.

According to claim 1,
The image processing method of claim 1 , wherein the first image includes a wafer area corresponding to the wafer and a non-interest area formed around the wafer area.

According to claim 1,
Generating the second image,
and applying a matrix for the polar coordinate transformation to the first image.

According to claim 1,
The step of inspecting the second image,
removing a region of interest except for the wafer region from the second image; and
And an image processing method comprising the step of performing an inspection on the wafer area.

According to claim 4,
The image processing method of claim 1 , wherein the performing of the inspection on the wafer area includes performing the inspection through a straight-line direction scan on the wafer area converted into a rectangular shape.

According to claim 4,
The step of performing the inspection on the wafer area,
generating a reconstructed image including a circular wafer area by applying inverse polar coordinate transformation to the wafer area converted into a rectangular shape;
extracting the circular wafer area from the reconstructed image through binarization;
determining a center point in the circular wafer area; and
and performing an inspection on the circular wafer area using the center point.

In the image processing device for inspecting a wafer,
a camera that captures an image of the wafer; and
A processor inspecting the wafer through image processing on the wafer;
the processor,
obtaining a first image including the wafer;
generating a second image in which a wafer area corresponding to the wafer is transformed into a rectangular shape by applying polar coordinate transformation to the first image; and
An image processing device configured to perform the step of performing an inspection on the wafer area in the second image.

According to claim 7,
The first image includes a wafer area corresponding to the wafer and a non-interest area formed around the wafer area.

According to claim 7,
Generating the second image,
and applying a matrix for the polar coordinate transformation to the first image.

According to claim 7,
The step of inspecting the second image,
removing a region of interest except for the wafer region from the second image; and
and performing an inspection on the wafer area.

According to claim 10,
The image processing apparatus of claim 1 , wherein the performing of the inspection on the wafer area includes performing the inspection through a straight-line direction scan on the wafer area converted into a rectangular shape.

According to claim 10,
The step of performing the inspection on the wafer area,
generating a reconstructed image including a circular wafer area by applying inverse polar coordinate transformation to the wafer area transformed into a rectangular shape; and
extracting the circular wafer area from the reconstructed image through binarization;
determining a center point in the circular wafer area; and
and performing an inspection on the circular wafer area using the center point.