JP2002217253A - Method and device for inspecting solid-state image pickup element - Google Patents

Method and device for inspecting solid-state image pickup element

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JP2002217253A
JP2002217253A JP2001006316A JP2001006316A JP2002217253A JP 2002217253 A JP2002217253 A JP 2002217253A JP 2001006316 A JP2001006316 A JP 2001006316A JP 2001006316 A JP2001006316 A JP 2001006316A JP 2002217253 A JP2002217253 A JP 2002217253A
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Japan
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solid
state imaging
unit
imaging device
inspection
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JP2001006316A
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Japanese (ja)
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Daisuke Morimoto
大介 森本
Masanori Omae
昌軌 大前
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for inspecting solid-state image pickup element by which inspection efficiency can be improved far by increasing the number of inspections while an inspection time is shortened at the time of inspecting a composite element. SOLUTION: The chip 11 to be measured of a CMOS sensor is composed of two chips (A and B) arranged in the longitudinal and probes 14 for inspection are put on the chips A and B, respectively. For the chip A on the other side, the probes 14 are arranged so that the sensor section 12 of the chip A is irradiated with light, and the probes 14 does not cover any area above the sensor section 12 in the vertical direction. When the probes 14 are arranged in this way, the image processing section 15 of the chip B can be inspected while the sensor section 12 of the chip A is inspected by irradiating the chip A with the light. Therefore, the inspection efficiency can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ビデオカメラなど
に利用することができる固体撮像素子の検査方法及び検
査装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for inspecting a solid-state image sensor which can be used for a video camera or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体技術の高度な発展に伴って
固体撮像素子の高性能化が進み、固体撮像素子は、画像
入力のキーデバイスとして社会の様々な分野に浸透し、
ディジタル化の流れと相まって今日のマルチメディア社
会を支えるものとなった。そして、固体撮像素子の応用
分野は、従来用いられてきたビデオカメラやビデオムー
ビー等にとどまらず、指紋検出器、医療用器具、テレビ
電話など、多岐にわたっている。従来の固体撮像素子で
は、画像を忠実に電気信号に変換する撮像機能が主であ
ったが、近年、C−MOS設計・プロセス技術の発展に
より、撮像機能と信号処理機能とを1枚のシリコンチッ
プ上に集積・融合したものに注目が集まっている。
2. Description of the Related Art In recent years, the performance of solid-state imaging devices has advanced with the advancement of semiconductor technology, and solid-state imaging devices have penetrated various fields of society as key devices for image input.
Together with the trend of digitalization, it has supported today's multimedia society. The application fields of solid-state imaging devices are not limited to video cameras, video movies, and the like that have been conventionally used, but also cover a wide variety of fields, such as fingerprint detectors, medical devices, and videophones. Conventional solid-state imaging devices mainly have an imaging function of faithfully converting an image into an electric signal. However, in recent years, with the development of C-MOS design and process technology, an imaging function and a signal processing function have been integrated into one silicon sheet. Attention is focused on those integrated and fused on a chip.

【0003】以下、このような固体撮像素子の代表例で
あるCMOSセンサーについて、その検査方法を、添付
の図面を参照しながら説明する。図6は、CMOSセン
サーの一例を機能的に表したブロック図である。図6に
おいて、31は撮像部であり、32はノイズ除去部であ
り、33はDCクランプ部であり、34は駆動部であ
る。以下、これらの各部31〜34をまとめてセンサー
部41と称することにする。そして、センサー部41の
駆動部34には同期信号入力端子45が接続され、DC
クランプ部33にはセンサー部出力端子43が接続され
ている。
Hereinafter, a method of inspecting a CMOS sensor, which is a typical example of such a solid-state imaging device, will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 6 is a block diagram functionally illustrating an example of the CMOS sensor. In FIG. 6, 31 is an imaging unit, 32 is a noise removing unit, 33 is a DC clamp unit, and 34 is a driving unit. Hereinafter, these units 31 to 34 will be collectively referred to as a sensor unit 41. Then, a synchronization signal input terminal 45 is connected to the drive unit 34 of the sensor unit 41,
A sensor section output terminal 43 is connected to the clamp section 33.

【0004】また、35はA/D変換部であり、36は
信号処理部であり、37は同期信号発生部である。以
下、これらの各部35〜37をまとめて画像処理部42
と称することにする。そして、画像処理部42のA/D
変換部35には、A/D入力端子44が接続されてい
る。また、信号処理部36には最終映像信号出力端子4
7が接続され、同期信号発生部37には同期信号出力端
子46と発振器38とが接続されている。
Reference numeral 35 denotes an A / D converter, 36 denotes a signal processor, and 37 denotes a synchronization signal generator. Hereinafter, these units 35 to 37 are collectively referred to as an image processing unit 42.
I will call it. The A / D of the image processing unit 42
An A / D input terminal 44 is connected to the converter 35. The signal processing unit 36 has a final video signal output terminal 4
7 is connected, and a synchronization signal output terminal 46 and an oscillator 38 are connected to the synchronization signal generator 37.

【0005】次に、CMOSセンサーの動作を説明す
る。このCMOSセンサーにおいて、撮像部31に光が
入射されると、撮像部31から映像信号が出力される。
そして、撮像部31から出力された映像信号は、ノイズ
除去部32によりノイズが除去された後、DCクランプ
部33で直流再生され、センサー部出力端子43からア
ナログ信号として出力される。ここで、センサー部出力
端子43とA/D入力端子44とは、通常、CMOSセ
ンサーの外部で接続されている。そして、直流再生され
た映像信号は、A/D入力端子44を経由して、A/D
変換部35に入力される。この映像信号は、A/D変換
部35でディジタル信号に変換された後、信号処理部3
6に送られ、そこで必要な信号処理が施され、最終映像
信号出力端子47から最終映像信号として出力される。
Next, the operation of the CMOS sensor will be described. In this CMOS sensor, when light is incident on the imaging unit 31, a video signal is output from the imaging unit 31.
Then, the video signal output from the imaging unit 31 is subjected to DC reproduction by the DC clamp unit 33 after noise is removed by the noise removal unit 32, and is output as an analog signal from the sensor unit output terminal 43. Here, the sensor unit output terminal 43 and the A / D input terminal 44 are usually connected outside the CMOS sensor. Then, the DC-reproduced video signal is supplied to the A / D input terminal 44 via the A / D input terminal 44.
It is input to the converter 35. This video signal is converted into a digital signal by the A / D converter 35 and then converted into a digital signal.
6 and subjected to necessary signal processing there, and output from the final video signal output terminal 47 as a final video signal.

【0006】また、発振器38で生成された基本クロッ
クが同期信号発生部37に入力されると、同期信号発生
部37で同期信号が発生し、この同期信号がA/D変換
部35や信号処理部36等に供給される。ここで、基本
周波数同期信号出力端子46と同期信号入力端子45と
は、通常、CMOSセンサーの外部で接続される。この
ため、同期信号発生部37で発生した同期信号は、駆動
部34と、ノイズ除去部32と、DCクランプ部33と
に送られる。そして、駆動部34は、駆動パルスを生成
し、この駆動パルスを撮像部31に供給することにより
撮像部31を動作させる。
When the basic clock generated by the oscillator 38 is input to the synchronizing signal generator 37, a synchronizing signal is generated by the synchronizing signal generator 37, and the synchronizing signal is supplied to the A / D converter 35 and the signal processor. It is supplied to the unit 36 and the like. Here, the fundamental frequency synchronizing signal output terminal 46 and the synchronizing signal input terminal 45 are usually connected outside the CMOS sensor. Therefore, the synchronization signal generated by the synchronization signal generation unit 37 is sent to the drive unit 34, the noise removal unit 32, and the DC clamp unit 33. Then, the driving unit 34 generates a driving pulse, and supplies the driving pulse to the imaging unit 31 to operate the imaging unit 31.

【0007】そして、CMOSセンサーを検査する際に
は、同期信号入力端子45からセンサー部41に同期信
号を入力するとともに、撮像部31にある規定量の光を
入射することにより、センサー部出力端子43から映像
信号を出力させ、この映像信号をテスターに入力するこ
とによりセンサー部41の検査を行う。また、A/D入
力端子44から画像処理部42に規定の試験用信号を入
力し、最終映像信号出力端子47から出力される映像信
号、同期信号出力端子46から出力される同期信号等を
テスターに入力することにより、画像処理部42の検査
を行う。
When a CMOS sensor is inspected, a synchronization signal is input from the synchronization signal input terminal 45 to the sensor unit 41, and a predetermined amount of light is incident on the image pickup unit 31. An image signal is output from the device 43, and the sensor unit 41 is inspected by inputting the image signal to a tester. Also, a prescribed test signal is input to the image processing unit 42 from the A / D input terminal 44, and the video signal output from the final video signal output terminal 47, the synchronization signal output from the synchronization signal output terminal 46, and the like are tested. , The image processing unit 42 is inspected.

【0008】上述のように、CMOSセンサーは光学セ
ンサーであるので、その検査の際には、撮像部31に対
して光を照射しなければならない。以下、CMOSセン
サーの検査装置を、図面を参照しながら説明する。図8
は、従来のCMOSセンサーの検査装置の模式図であ
る。図8において、11はCMOSセンサーの被測定チ
ップであり、14は検査用プローブであり、21は光源
であり、22はレンズであり、23は絞り装置であり、
25はプローブを固定しているプローブカードである。
As described above, since the CMOS sensor is an optical sensor, it is necessary to irradiate the imaging unit 31 with light at the time of inspection. Hereinafter, a CMOS sensor inspection apparatus will be described with reference to the drawings. FIG.
1 is a schematic view of a conventional CMOS sensor inspection device. In FIG. 8, 11 is a chip to be measured of a CMOS sensor, 14 is an inspection probe, 21 is a light source, 22 is a lens, 23 is a diaphragm device,
Reference numeral 25 denotes a probe card on which a probe is fixed.

【0009】また、図7は、CMOSセンサーの被測定
チップにプローブを当てた(当接させた)状態を説明す
るための図である。図7において、11はシリコン基板
上に形成したCMOSセンサーの被測定チップであり、
12はセンサー部であり、13は入出力パッドであり、
14は検査用プローブであり、15は画像処理部であ
る。
FIG. 7 is a view for explaining a state in which a probe is applied (contacted) to a chip to be measured of a CMOS sensor. In FIG. 7, reference numeral 11 denotes a chip to be measured of a CMOS sensor formed on a silicon substrate,
12 is a sensor unit, 13 is an input / output pad,
14 is an inspection probe, and 15 is an image processing unit.

【0010】以下、図7および図8を参照しながら、C
MOSセンサーの検査装置の動作を説明する。光源21
から放射された光は、レンズ22及び絞り装置23によ
り、規定の光量となるように制御され、被測定チップ1
1上のセンサー部12に入力される。そして、センサー
部12から出力された映像信号は、入出力パッド13か
らプローブ14を介して外部に取り出される。この映像
信号をテスターに入力することにより、センサー部12
の検査を行う。画像処理部15についても、同様にして
検査を行う。
Hereinafter, referring to FIG. 7 and FIG.
The operation of the inspection device for the MOS sensor will be described. Light source 21
Is controlled by the lens 22 and the aperture device 23 so as to have a prescribed light amount.
1 is input to the sensor unit 12 above. Then, the video signal output from the sensor unit 12 is extracted from the input / output pad 13 to the outside via the probe 14. By inputting this video signal to the tester, the sensor unit 12
Inspection. The inspection is similarly performed for the image processing unit 15.

【0011】ここで、上記検査のタイミングにつき、図
面を参照しながら説明する。図9は、CMOSセンサー
検査の検査タイミングを説明するための図である。前述
のように、CMOSセンサーでは、センサー部と画像処
理部とが1つのシリコンチップに複合・形成されている
ので、センサー部の検査と画像処理部の検査とを行う必
要がある。検査は、まずセンサー部の検査のための画像
データの蓄積を行い、次にセンサー部の検査を行うとい
った順序で行われる。この後、画像処理部の検査を行っ
て、1つのチップの検査を終了し、次のチップの検査に
移る。図9に示す例では、チップA、チップB、チップ
C……の順に検査を行う際の、各処理の順序を示してい
る。
Here, the timing of the inspection will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a diagram for explaining the inspection timing of the CMOS sensor inspection. As described above, in the CMOS sensor, since the sensor unit and the image processing unit are combined and formed on one silicon chip, it is necessary to perform the inspection of the sensor unit and the inspection of the image processing unit. The inspection is performed in the order of storing image data for inspection of the sensor unit, and then inspecting the sensor unit. Thereafter, the inspection of the image processing unit is performed, the inspection of one chip is completed, and the inspection proceeds to the next chip. In the example shown in FIG. 9, the order of each processing when the inspection is performed in the order of chip A, chip B, chip C,...

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】前述のように、撮像機
能と信号処理機能の両方を備えた固体撮像素子の従来の
検査では、同一チップのセンサー部の検査と画像処理部
の検査とを、時間的に直列させて行っている。この場
合、画像データを蓄積する間、テスターにおける検査が
停止されるので、テスターの能力を100%発揮させる
ことができない。このため、検査時間が著しく長くなる
という問題があった。
As described above, in the conventional inspection of the solid-state imaging device having both the imaging function and the signal processing function, the inspection of the sensor unit and the inspection of the image processing unit of the same chip are performed by a conventional method. It goes in time series. In this case, the test in the tester is stopped while the image data is stored, so that the tester cannot exhibit 100% of its capabilities. For this reason, there is a problem that the inspection time becomes extremely long.

【0013】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、CMOSセンサーの検査において、検査時
間を短縮しつつ検査個数を増大させ、検査効率を飛躍的
に高めることができる固体撮像素子の検査方法および検
査装置を提供することを解決すべき課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a problem, and in a CMOS sensor inspection, a solid-state image sensor capable of increasing the number of inspections while shortening the inspection time and dramatically improving the inspection efficiency. It is an object of the present invention to provide an inspection method and an inspection apparatus.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされた本発明にかかる固体撮像素子の検査方法は、
(i)撮像部および該撮像部を駆動する駆動パルス発生
部を有するセンサー部と、センサー部から出力された画
像データを処理する画像処理部とを同一半導体チップ上
に具備している固体撮像素子が、半導体ウエハ上に2次
元的(平面的)に複数個配置されてなる固体撮像素子集
合体における固体撮像素子の検査方法であって、(ii)
互いに隣り合う(ないしは、隣接する)第1および第2
の固体撮像素子を(任意に)選択した上で、第1の固体
撮像素子検査用のプローブを、該第1の固体撮像素子の
センサー部の鉛直方向上側の領域にかからないように配
置する一方、第2の固体撮像素子検査用のプローブを、
第1の固体撮像素子のような制限を設けずに配置し、
(iii)第1の固体撮像素子のセンサー部に光を照射し
つつ該センサー部を動作させてその性能判定を行う一
方、これと同期(並行)して第2の固体撮像素子の画像
処理部を動作させてその性能判定を行うことを特徴とす
るものである。
Means for Solving the Problems A method for inspecting a solid-state image pickup device according to the present invention, which has been made to solve the above problems, comprises:
(I) A solid-state imaging device including, on the same semiconductor chip, a sensor unit having an imaging unit and a driving pulse generation unit that drives the imaging unit, and an image processing unit that processes image data output from the sensor unit Is a method of inspecting a solid-state imaging device in a solid-state imaging device assembly in which a plurality of two-dimensionally (planarly) are arranged on a semiconductor wafer, and (ii)
First and second adjacent (or adjacent) to each other
After selecting the solid-state imaging device (arbitrarily), the first solid-state imaging device inspection probe is arranged so as not to cover a vertically upper region of the sensor unit of the first solid-state imaging device, A second solid-state imaging device inspection probe,
Arranged without the restriction as in the first solid-state imaging device,
(Iii) While irradiating light to the sensor section of the first solid-state imaging device, the sensor section is operated to determine its performance, and in synchronization with (in parallel with) the image processing section of the second solid-state imaging element Is operated to determine the performance.

【0015】この固体撮像装置の検査方法では、第1の
固体撮像素子のセンサー部に光を照射しつつ検査を行う
と同時に、第2の固体撮像素子の画像処理部の検査を行
うことができるので、2つの固体撮像素子(チップ)
を、同時に検査することができる。
In this method of inspecting a solid-state imaging device, the inspection can be performed while irradiating the sensor section of the first solid-state imaging element with light, and at the same time, the inspection of the image processing section of the second solid-state imaging element can be performed. So two solid-state imaging devices (chips)
Can be inspected simultaneously.

【0016】本発明にかかるもう1つの固体撮像素子の
検査方法は、(i)撮像部および該撮像部を駆動する駆
動パルス発生部を有するセンサー部と、センサー部から
出力された画像データを処理する画像処理部とを同一半
導体チップ上に具備している固体撮像素子が、半導体ウ
エハ上に2次元的(平面的)に複数個配置されてなる固
体撮像素子集合体における固体撮像素子の検査方法であ
って、(ii)田の字状に隣り合う(ないしは、隣接す
る)第1〜第4の固体撮像素子を(任意に)選択した上
で、これら4つの固体撮像素子群の周縁(外周)をなす
四角形の一方の対角線方向に位置する第1および第3の
固体撮像素子に対して、これらの検査用のプローブを、
第1および第3の固体撮像素子の各センサー部の鉛直方
向上側の領域にかからないように配置する一方、四角形
の他方の対角線方向に位置する第2および第4の固体撮
像素子に対して、これらの検査用のプローブを、第1ま
たは第3の固体撮像素子のような制限を設けずに配置
し、(iii)第1および第3の固体撮像素子の各センサ
ー部に光を照射しつつ該センサー部を動作させてその性
能判定を行う一方、これと同期(並行)して第2および
第4の固体撮像素子の各画像処理部を動作させてその性
能判定を行うことを特徴とするものである。
Another method for inspecting a solid-state image pickup device according to the present invention comprises: (i) a sensor unit having an image pickup unit and a drive pulse generating unit for driving the image pickup unit; and processing image data output from the sensor unit. For inspecting a solid-state imaging device in a solid-state imaging device assembly in which a plurality of solid-state imaging devices having an image processing unit on a single semiconductor chip are two-dimensionally (planarly) arranged on a semiconductor wafer. (Ii) After selecting (arbitrarily) the first to fourth solid-state imaging devices adjacent (or adjacent) in a cross shape, the periphery (outer periphery) of these four solid-state imaging devices is selected. )), The first and third solid-state imaging devices located in one diagonal direction of the square,
While the first and third solid-state imaging devices are arranged so as not to cover the upper region in the vertical direction of each sensor unit, the second and fourth solid-state imaging devices located in the other diagonal direction of the quadrangle are arranged in the same manner. (Iii) irradiating light to each sensor unit of the first and third solid-state imaging devices while irradiating light to the sensor units of the first and third solid-state imaging devices. While the performance of the sensor unit is determined by operating the sensor unit, the image processing units of the second and fourth solid-state imaging devices are operated and the performance determination is performed in synchronization (parallel) with the sensor unit. It is.

【0017】この固体撮像装置の検査方法では、第1の
固体撮像素子および第3の固体撮像素子の各センサー部
にそれぞれ光を照射しつつ検査を行うと同時に、第2の
固体撮像素子および第4の固体撮像素子の各画像処理部
の検査を行うことができるので、4つの固体撮像素子
(チップ)を、同時に検査することができる。
In this method of inspecting a solid-state imaging device, the inspection is performed while irradiating light to each sensor section of the first solid-state imaging device and the third solid-state imaging device, and at the same time, the second solid-state imaging device and the third solid-state imaging device are inspected. Since the image processing units of the four solid-state imaging devices can be inspected, the four solid-state imaging devices (chips) can be inspected simultaneously.

【0018】本発明にかかる固体撮像装置の検査装置
は、(i)撮像部および該撮像部を駆動する駆動パルス
発生部を有するセンサー部と、センサー部から出力され
た画像データを処理する画像処理部とを同一半導体チッ
プ上に具備している固体撮像素子が、半導体ウエハ上に
2次元的(平面的)に複数個配置されてなる固体撮像素
子集合体用の固体撮像素子の検査装置であって、(ii)
互いに隣り合う(ないしは、隣接する)第1および第2
の固体撮像素子のうち、第1の固体撮像素子のセンサー
部の鉛直方向上側の領域にかからないように配置される
第1の固体撮像素子検査用のプローブと、(iii)第1
の固体撮像素子のような制限を設けずに配置される第2
の固体撮像素子検査用のプローブと、(iv)各単位検査
期間(一単位期間)内に、光が照射されている第1の固
体撮像素子のセンサー部から出力される画像データを記
憶(保持、蓄積)する記憶装置と、(v)この単位検査
期間内に、前回の単位検査期間内において記憶装置に記
憶された第2の固体撮像素子のセンサー部の画像データ
を用いて第2の固体撮像素子のセンサー部の性能判定を
行う一方、これと同期(並行)して第2の固体撮像素子
の画像処理部を動作させてその性能判定を行う判定手段
とを備えていることを特徴とするものである。前記検査
装置は、各単位検査期間が終了するたびに、各固定撮像
素子を、第1の固定撮像素子側から第2の固定撮像素子
側に1素子分ずつ移動させる固定撮像素子移動手段を備
えているのが好ましい。なお、各固定撮像素子を固定し
て、プローブを移動させてもよい。
An inspection apparatus for a solid-state imaging device according to the present invention comprises: (i) a sensor unit having an imaging unit and a driving pulse generating unit for driving the imaging unit; and an image processing unit for processing image data output from the sensor unit. A solid-state imaging device for a solid-state imaging device assembly in which a plurality of solid-state imaging devices each having a unit on the same semiconductor chip are arranged two-dimensionally (in a plane) on a semiconductor wafer. And (ii)
First and second adjacent (or adjacent) to each other
(Iii) a first solid-state imaging device inspection probe, which is arranged so as not to cover a vertically upper region of the sensor unit of the first solid-state imaging device.
The second arrangement, which is provided without any restrictions as in the solid-state imaging device of
And (iv) storing (holding) image data output from the sensor unit of the first solid-state imaging device irradiated with light during each unit inspection period (one unit period). And (v) during the unit inspection period, the second solid-state image data of the sensor unit of the second solid-state imaging device stored in the storage device during the previous unit inspection period. A determination unit that determines the performance of the sensor unit of the imaging device while operating the image processing unit of the second solid-state imaging device in synchronization with (in parallel with) the performance determination of the sensor unit of the imaging device. Is what you do. The inspection apparatus includes a fixed imaging device moving unit that moves each fixed imaging device from the first fixed imaging device side to the second fixed imaging device side by one device each time each unit inspection period ends. Is preferred. Note that each fixed imaging element may be fixed and the probe may be moved.

【0019】この固体撮像装置の検査装置では、第1の
固体撮像素子のセンサー部に所定の光を照射しながらそ
の出力信号が記憶される。そして、今回の単位検査期間
の1回前の単位検査基間で記憶された画像データを用い
て、今回のセンサー部の検査が行われる。これと同期
(並行)して、第2の固体撮像素子の画像処理部の検査
が行われる。これにより、従来は長時間を費やしていた
画像データの取り込み処理を、検査工程と並列に処理す
ることが可能となる。
In this inspection apparatus for a solid-state imaging device, the output signal is stored while irradiating the sensor section of the first solid-state imaging element with predetermined light. Then, the current sensor unit is inspected using the image data stored between the unit inspection bases one time before the current unit inspection period. In synchronization with (in parallel with) this, the inspection of the image processing unit of the second solid-state imaging device is performed. As a result, it is possible to perform the image data fetching process, which has conventionally taken a long time, in parallel with the inspection process.

【0020】本発明にかかるもう1つの固体撮像装置の
検査装置は、(i)撮像部および該撮像部を駆動する駆
動パルス発生部を有するセンサー部と、センサー部から
出力された画像データを処理する画像処理部とを同一半
導体チップ上に具備している固体撮像素子が、半導体ウ
エハ上に2次元的(平面的)に複数個配置されてなる固
体撮像素子集合体用の固体撮像素子の検査装置であっ
て、(ii)田の字状に隣り合う(ないしは、隣接する)
第1〜第4の固体撮像素子のうち、これら4つの固体撮
像素子群の周縁(外周)をなす四角形の一方の対角線方
向に位置する第1および第3の固体撮像素子の各センサ
ー部の鉛直方向上側の領域にかからないように配置され
る第1および第3の固体撮像素子検査用のプローブと、
(iii)第1または第3の固体撮像素子のような制限を
設けずに配置される、上記四角形の他方の対角線方向に
位置する第2および第4の固体撮像素子検査用のプロー
ブと、(iv)各単位検査期間(一単位期間)内に、光が
照射されている第1および第3の固体撮像素子の各セン
サー部から出力される画像データをそれぞれ記憶(保
持、蓄積)する記憶装置と、(v)前記単位検査期間内
に、前回の単位検査期間内において記憶装置に記憶され
た第2および第4の固体撮像素子の画像データを用いて
第2および第4の固体撮像素子の各センサー部の性能判
定を行う一方、これと同期(並行)して第2および第4
の固体撮像素子の各画像処理部を動作させてその性能判
定を行う判定手段とを備えていることを特徴とするもの
である。前記検査装置は、各単位検査期間が終了するた
びに、各固定撮像素子を、第1または第2の固定撮像素
子側から第3または第4の固定撮像素子側に1素子分ず
つ移動させる固定撮像素子移動手段を備えているのが好
ましい。
Another inspection apparatus for a solid-state image pickup device according to the present invention comprises: (i) a sensor unit having an image pickup unit and a drive pulse generating unit for driving the image pickup unit, and processing image data output from the sensor unit. Inspection of a solid-state imaging device for a solid-state imaging device assembly in which a plurality of solid-state imaging devices having an image processing unit to be mounted on the same semiconductor chip are arranged two-dimensionally (in a plane) on a semiconductor wafer. Device (ii) adjacent (or adjacent) in a cross-shaped
Of the first to fourth solid-state imaging devices, the vertical direction of each sensor unit of the first and third solid-state imaging devices located in one diagonal direction of one of the quadrangles forming the periphery (outer periphery) of these four solid-state imaging devices. First and third solid-state imaging device inspection probes arranged so as not to cover the upper region in the direction,
(Iii) second and fourth probes for inspecting the solid-state imaging device, which are arranged without restrictions as in the first or third solid-state imaging device and are located in the other diagonal direction of the square, iv) A storage device that stores (holds and accumulates) image data output from each sensor unit of the first and third solid-state imaging elements to which light is irradiated during each unit inspection period (one unit period). And (v) using the image data of the second and fourth solid-state imaging devices stored in the storage device during the previous unit inspection period during the unit inspection period, While the performance of each sensor section is determined, the second and fourth sections are synchronized (in parallel) with this.
And a judgment means for operating each image processing unit of the solid-state imaging device to judge its performance. The inspection apparatus is configured to move each fixed imaging device from the first or second fixed imaging device side to the third or fourth fixed imaging device side by one device each time each unit inspection period ends. It is preferable that an image pickup device moving means is provided.

【0021】この固体撮像装置の検査装置では、第1お
よび第3の固体撮像素子の各センサー部に所定の光を照
射しながらその出力信号が記憶される。そして、今回の
単位検査期間の1回前の単位検査基間で記憶された画像
データを用いて、今回のセンサー部の検査が行われる。
これと同期(並行)して、第2および第4の固体撮像素
子の画像処理部の検査が行われる。これにより、従来は
長時間を費やしていた画像データの取り込み処理を、検
査工程と並列に処理することが可能となる。以上いずれ
の場合でも、複数のチップを同時に検査することが可能
となり、単位時間あたりの測定個数を増加させて検査の
効率を大幅に上げることができる。
In this inspection apparatus for a solid-state imaging device, the output signal is stored while irradiating each sensor section of the first and third solid-state imaging elements with predetermined light. Then, the current sensor unit is inspected using the image data stored between the unit inspection bases one time before the current unit inspection period.
In synchronization with (in parallel with) this, inspection of the image processing units of the second and fourth solid-state imaging devices is performed. As a result, it is possible to perform the image data fetching process, which has conventionally taken a long time, in parallel with the inspection process. In any of the above cases, a plurality of chips can be inspected at the same time, and the number of measurements per unit time can be increased to greatly increase the inspection efficiency.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
的に説明する。 (第1の実施の形態)まず、本発明の第1の実施の形態
を、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発
明の第1の実施の形態における複数のCMOSセンサー
の被測定チップにプローブを当てた状態を示す図であ
る。図1において、11はシリコン基板上に形成された
CMOSセンサーの被測定チップであり、12はセンサ
ー部であり、13は入出力パッドであり、14は検査用
プローブであり、15は画像処理部である。これらの各
部材11〜15は、図7に示す従来例の場合と同様の動
作を行う。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below. (First Embodiment) First, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a state in which probes are applied to chips to be measured of a plurality of CMOS sensors according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a chip to be measured of a CMOS sensor formed on a silicon substrate, 12 denotes a sensor unit, 13 denotes an input / output pad, 14 denotes an inspection probe, and 15 denotes an image processing unit. It is. These members 11 to 15 perform the same operation as in the conventional example shown in FIG.

【0023】図1は、CMOSセンサーの被測定チップ
11が縦方向(図1上において左右方向と直交する方
向)に2つ並んで配置され(チップA、チップB)、各
被測定チップ11に対してそれぞれ検査用プローブ14
(プローブ1、プローブ2)が当てられた状態を示して
いる。向こう側のチップAについては、センサー部12
に光を照射できるよう、検査用プローブ14(プローブ
1)は、センサー部12の上側(鉛直方向上側)の領域
にかからないように配置されている。また、こちら側の
チップBについては、検査用プローブ14(プローブ
2)は、チップAの場合のような制限をとくには設けず
に配置されている。検査用プローブ14をこのように配
置することにより、チップAに対して測定用の光を照射
してセンサー部12の検査を行いながら、チップBの画
像処理部15の検査を行うことが可能となり、検査効率
の向上を図ることができる。
FIG. 1 shows that two chips 11 to be measured of a CMOS sensor are arranged side by side in a vertical direction (a direction orthogonal to the horizontal direction in FIG. 1) (chip A, chip B). Inspection probe 14 for each
(Probe 1, Probe 2) is shown. For the chip A on the other side, the sensor unit 12
The inspection probe 14 (probe 1) is arranged so as not to cover the area above the sensor unit 12 (vertical direction upper side) so that light can be irradiated to the light. In addition, with respect to the chip B on this side, the inspection probe 14 (probe 2) is arranged without providing a restriction as in the case of the chip A. By arranging the inspection probe 14 in this way, it is possible to inspect the image processing unit 15 of the chip B while irradiating the chip A with light for measurement and inspecting the sensor unit 12. In addition, the inspection efficiency can be improved.

【0024】図2は、図1に示す2つの被測定チップ1
1(チップA、チップB)に接続されるCMOSセンサ
ーの検査システムの概略構成を示すブロック図である。
図2において、51は一方の被測定チップ11(チップ
A)のセンサー部(12)であり、52は他方の被測定
チップ11(チップB)の画像処理部(15)であり、
53は画像取り込み装置であり、54は切り替えスイッ
チであり、55はテスターであり、61はチップAのセ
ンサー部51から出力される映像信号であり、62はチ
ップBの画像処理部52の出力信号である。
FIG. 2 shows two chips 1 to be measured shown in FIG.
FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of a CMOS sensor inspection system connected to the first (chip A, chip B).
In FIG. 2, reference numeral 51 denotes a sensor unit (12) of one chip under test 11 (chip A); 52, an image processing unit (15) of the other chip under test 11 (chip B);
53 is an image capturing device, 54 is a changeover switch, 55 is a tester, 61 is a video signal output from the sensor unit 51 of the chip A, and 62 is an output signal of the image processing unit 52 of the chip B. It is.

【0025】次に、この検査システムの動作について説
明する。チップAのセンサー部51から出力される映像
信号61は、いったん画像取り込み装置53に記憶され
る。そして、チップBの画像処理部52の出力信号62
と画像取り込み装置53の出力信号とを、切り替えスイ
ッチ54を介してテスター55に入力することにより各
種検査を行う。
Next, the operation of the inspection system will be described. The video signal 61 output from the sensor unit 51 of the chip A is temporarily stored in the image capturing device 53. Then, the output signal 62 of the image processing unit 52 of the chip B
Various tests are performed by inputting the output signal of the image capturing device 53 to the tester 55 via the changeover switch 54.

【0026】以下、CMOSセンサーの検査タイミング
について、図面を参照しながら説明する。図3(a)
は、従来例のCMOSセンサー検査(CMOSセンサー
試験)の検査タイミングであり、図9と同一内容のもの
である。図3(b)は、本発明の第1の実施の形態にお
ける固体撮像素子検査の検査タイミングを示すものであ
る。図3(b)において、上側の図はプローブ1により
検査されるチップAの検査タイミングであり、画像デー
タの蓄積を行う。また、下側の図はプローブ2により検
査されるチップBのタイミングであり、センサー部検査
と画像処理部検査とが直列に処理される。
Hereinafter, the inspection timing of the CMOS sensor will be described with reference to the drawings. FIG. 3 (a)
Is the inspection timing of the conventional CMOS sensor inspection (CMOS sensor test), which has the same contents as FIG. FIG. 3B shows the inspection timing of the solid-state imaging device inspection according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 3B, the upper diagram shows the inspection timing of the chip A inspected by the probe 1, and the image data is accumulated. The lower diagram shows the timing of the chip B inspected by the probe 2, and the sensor unit inspection and the image processing unit inspection are processed in series.

【0027】ここで、ある1つのチップ(例えば、チッ
プB)についてのプローブ1を介しての画像データの蓄
積(記憶)は、該チップ(例えば、チップB)のプロー
ブ2を介してのセンサー部検査および画像処理検査より
も、時間的に1チップ分前(例えば、チップAのセンサ
ー部検査時)に実施され、かつセンサー部検査および画
像処理部検査と並行して処理される。これにより、従
来、検査時間を長びかせる大きな要因であった画像デー
タの蓄積をあらかじめ行っておくことが可能となり、画
像データ蓄積のための時間を見かけ上削除することが可
能となる。このため、全体の検査時間を大幅に短縮する
ことができる。
Here, the accumulation (storage) of image data of a certain chip (for example, chip B) via the probe 1 is performed by the sensor unit via the probe 2 of the chip (for example, chip B). The inspection is performed one chip before the inspection and the image processing inspection (for example, at the time of the sensor unit inspection of the chip A), and is performed in parallel with the sensor unit inspection and the image processing unit inspection. This makes it possible to previously store image data, which has been a major factor in extending the inspection time, and it is possible to apparently delete the time for storing image data. For this reason, the entire inspection time can be significantly reduced.

【0028】(第2の実施の形態)以下、本発明の第2
の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図4は、本発明の第2の実施の形態におけるCMOSセ
ンサーの被測定チップにプローブを当てた状態を説明す
るための図である。図4において、11はシリコン基板
上に形成したCMOSセンサーの被測定チップであり、
12はセンサー部であり、13は入出力パッドであり、
14は検査用プローブであり、15は画像処理部であ
る。これらの各部材11〜15は、それぞれ、実施の形
態1における各部材11〜15と同様の動作を行う。
(Second Embodiment) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described.
Will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 4 is a diagram for explaining a state in which a probe is applied to a chip to be measured of the CMOS sensor according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4, reference numeral 11 denotes a chip to be measured of a CMOS sensor formed on a silicon substrate,
12 is a sensor unit, 13 is an input / output pad,
14 is an inspection probe, and 15 is an image processing unit. These members 11 to 15 perform the same operations as the members 11 to 15 in the first embodiment, respectively.

【0029】図4は、CMOSセンサーの被測定チップ
11が「田」の字型に4つ並んで配置され(チップA〜
D)、各チップA〜Dに対してそれぞれ検査用プローブ
14が当てられた状態を示している。縦方向(図4上に
おいて左右方向と直交する方向)向こう側において左側
に位置するチップAと、縦方向こちら側において右側に
位置するチップDについては、それぞれ、センサー部1
2に対し光が照射できるように、検査用プローブ14
は、センサー部12の鉛直方向上側の領域にかからない
ように配置されている。また、チップBおよびチップC
については、検査用プローブ14は、とくにチップA、
Dの場合のような制限を設けず配置されている。なお、
図4では、チップBおよびチップCに当てられているプ
ローブについては記載を省略しているが、実際にはチッ
プAおよびチップDの場合と同様に(ただし、上記制限
はない)プローブが当てられている。
FIG. 4 shows that four chips 11 to be measured of a CMOS sensor are arranged side by side in the shape of a "field" (chips A to A).
D) shows a state in which the inspection probe 14 is applied to each of the chips A to D. For the chip A located on the left side in the vertical direction (the direction orthogonal to the horizontal direction in FIG. 4) and the chip D located on the right side in the vertical direction, the sensor unit 1
2 so that the light can be irradiated to the inspection probe 14.
Are arranged so as not to cover the region above the sensor unit 12 in the vertical direction. In addition, chip B and chip C
With respect to the inspection probe 14, the chip A,
They are arranged without any restrictions as in the case of D. In addition,
In FIG. 4, the probes applied to the chips B and C are not described, but the probes are actually applied in the same manner as the chips A and D (but not limited to the above). ing.

【0030】図5は、図4に示すチップA〜Dに接続さ
れる複合素子の検査システムを示すブロック図である。
図5において、71はチップAのセンサー部であり、7
2はチップDのセンサー部であり、73はチップBの画
像処理部であり、74はチップCの画像処理部であり、
75は第1画像取り込み装置であり、76は第2画像取
り込み装置であり、77は切り替えスイッチであり、7
8はテスターであり、81はチップAのセンサー部71
から出力される映像信号であり、82はチップDのセン
サー部72から出力される映像信号であり、83はチッ
プBの画像処理部73の出力信号であり、84はチップ
Cの画像処理部74の出力信号である。
FIG. 5 is a block diagram showing an inspection system for a composite device connected to the chips A to D shown in FIG.
In FIG. 5, reference numeral 71 denotes a sensor section of the chip A;
2 is a sensor unit of the chip D, 73 is an image processing unit of the chip B, 74 is an image processing unit of the chip C,
75 is a first image capturing device, 76 is a second image capturing device, 77 is a changeover switch, and 7
8 is a tester, 81 is a sensor part 71 of chip A
Is an image signal output from the sensor unit 72 of the chip D, 83 is an output signal of the image processing unit 73 of the chip B, and 84 is an image signal of the image processing unit 74 of the chip C. Is the output signal.

【0031】次に、この検査システムの動作について説
明する。チップAのセンサー部71から出力される映像
信号81は、いったん第1画像取り込み装置75に記憶
される。また、チップDのセンサー部72から出力され
る映像信号82も、いったん第2画像取り込み装置76
に記憶される。そして、チップBの画像処理部73から
の出力信号83と、チップCの画像処理部74からの出
力信号84と、第1画像取り込み装置75からの出力信
号と、第2画像取り込み装置76からの出力信号とを、
切り替えスイッチ77を介してテスター78に入力する
ことにより、各種検査を行う。
Next, the operation of the inspection system will be described. The video signal 81 output from the sensor unit 71 of the chip A is temporarily stored in the first image capturing device 75. Further, the video signal 82 output from the sensor unit 72 of the chip D is also temporarily stored in the second image capturing device 76.
Is stored. Then, an output signal 83 from the image processing unit 73 of the chip B, an output signal 84 from the image processing unit 74 of the chip C, an output signal from the first image capturing device 75, and a signal from the second image capturing device 76. Output signal
Various inspections are performed by inputting to the tester 78 via the changeover switch 77.

【0032】図5に示す検査システムを用いることによ
り、図4に示すように被測定チップ11(チップA〜
D)が田の字型に4つ並んで配置されている複合素子の
同時検査を行うことが可能となる。すなわち、各チップ
A〜Dに対してそれぞれ検査用プローブ14が当てら
れ、かつチップAおよびチップDについてはセンサー部
12(71、72)に対して光が照射できるようセンサ
ー部12の鉛直方向上側の領域に検査用プローブ14が
かからないように配置されている複合素子の同時検査を
行うことが可能となる。これにより、さらに複合素子の
検査時間を大幅に短縮することができる。したがって、
この第2の実施の形態は、コストダウンの観点から、産
業的に非常に有用であるといえる。
By using the inspection system shown in FIG. 5, as shown in FIG.
It is possible to perform a simultaneous inspection of a composite device in which four D) are arranged side by side in a cross. That is, the inspection probe 14 is applied to each of the chips A to D, and the chips A and D are vertically positioned above the sensor unit 12 so that light can be emitted to the sensor units 12 (71, 72). It is possible to perform a simultaneous inspection of the composite device arranged so that the inspection probe 14 does not cover the region. As a result, the inspection time of the composite device can be significantly reduced. Therefore,
The second embodiment is industrially very useful from the viewpoint of cost reduction.

【0033】なお、前記第1および第2の実施の形態で
は、本発明にかかる検査方法が適用される固体撮像素子
として、CMOSセンサーを例にとって説明したが、固
体撮像素子はCMOSセンサーに限定されるものではな
い。例えば、CCDなどの撮像素子等でも、入出力パッ
ドのリークテスタなどのDC検査と撮像検査とを分離す
ることにより、同様の効果が得られることは言うまでも
ない。また、本発明の検査方法が適用されるイメージセ
ンサは2次元のものでも、1次元のものでもよい。
In the first and second embodiments, a CMOS sensor has been described as an example of a solid-state imaging device to which the inspection method according to the present invention is applied. However, the solid-state imaging device is limited to a CMOS sensor. Not something. For example, it is needless to say that the same effect can be obtained even in an image pickup device such as a CCD by separating a DC inspection such as a leak tester of an input / output pad and an imaging inspection. The image sensor to which the inspection method of the present invention is applied may be a two-dimensional image sensor or a one-dimensional image sensor.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上、本発明によれば、複数個の固体撮
像素子を同時に検査することができ、検査の高速化、効
率化を図ることができる。
As described above, according to the present invention, a plurality of solid-state imaging devices can be inspected at the same time, and the speed and efficiency of the inspection can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施の形態における、固体撮
像素子の検査を行う際の検査用プローブの配置形態を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an arrangement of an inspection probe when inspecting a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第1の実施の形態における、固体撮
像素子の検査システムの構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a solid-state imaging device inspection system according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 (a)は、従来の固体撮像素子の検査の手順
を示す図であり、(b)は、図1に示す固体撮像素子の
検査の手順を示す図である。
FIG. 3A is a diagram showing a procedure for testing a conventional solid-state imaging device, and FIG. 3B is a diagram showing a procedure for testing the solid-state imaging device shown in FIG.

【図4】 本発明の第2の実施の形態における、固体撮
像素子の検査を行う際の検査用プローブの配置形態を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an arrangement of an inspection probe when inspecting a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第2の実施の形態における、固体撮
像素子の検査システムの構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration of a solid-state imaging device inspection system according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 従来例および本発明の実施の形態における、
CMOSセンサーのシステム構成を説明するブロック図
である。
FIG. 6 shows a conventional example and an embodiment of the present invention.
It is a block diagram explaining the system configuration of a CMOS sensor.

【図7】 従来例における、CMOSセンサーの検査を
行う際の検査用プローブの配置形態を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an arrangement of test probes when testing a CMOS sensor in a conventional example.

【図8】 従来例および本発明の実施の形態における、
CMOSセンサーを検査する際のプローブ、チップおよ
び光源の配置形態を示す図である。
FIG. 8 shows a conventional example and an embodiment of the present invention.
It is a figure which shows the arrangement form of a probe, a chip, and a light source when testing a CMOS sensor.

【図9】 従来のCMOSセンサーの検査の手順を示す
図である。
FIG. 9 is a diagram showing a procedure for testing a conventional CMOS sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…被測定チップ、12…センサー部、13…入出力
パッド、14…検査用プローブ、15…画像処理部、2
1…光源、22…レンズ、23…絞り装置、25…プロ
ーブカード、31…撮像部、32…ノイズ除去部、33
…DCクランプ部、34…駆動部、35…A/D変換
部、36…信号処理部、37…同期信号発生部、38…
発振器、41…センサー部、42…画像処理部、43…
センサー部出力端子、44…A/D入力端子、45…同
期信号入力端子、46…同期信号出力端子、47…最終
映像信号出力端子、51…センサー部、52…画像処理
部、53…画像取り込み装置、54…切り替えスイッ
チ、55…テスター、61…映像信号、62…出力信
号、71…センサー部、72…センサー部、73…画像
処理部、74…画像処理部、75…第1画像取り込み装
置、76…第2画像取り込み装置、77…切り替えスイ
ッチ、78…テスター、81…映像信号、82…映像信
号、83…出力信号、84…出力信号。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Measurement chip, 12 ... Sensor part, 13 ... Input / output pad, 14 ... Inspection probe, 15 ... Image processing part, 2
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light source, 22 ... Lens, 23 ... Diaphragm device, 25 ... Probe card, 31 ... Imaging part, 32 ... Noise removal part, 33
... DC clamp section, 34 ... drive section, 35 ... A / D conversion section, 36 ... signal processing section, 37 ... sync signal generation section, 38 ...
Oscillator 41 sensor unit 42 image processing unit 43
Sensor output terminal, 44 A / D input terminal, 45 Synchronization signal input terminal, 46 Synchronization signal output terminal, 47 Final video signal output terminal, 51 Sensor part, 52 Image processing part, 53 Image capture Device, 54, changeover switch, 55, tester, 61, video signal, 62, output signal, 71, sensor unit, 72, sensor unit, 73, image processing unit, 74, image processing unit, 75, first image capturing device , 76: second image capturing device, 77: switch, 78: tester, 81: video signal, 82: video signal, 83: output signal, 84: output signal.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 27/146 G01R 31/28 K 5C061 H04N 5/335 H01L 27/14 Z 17/00 A Fターム(参考) 2G003 AA09 AF02 AF03 AG03 AH01 AH04 2G132 AF14 AG08 AL09 AL25 4M106 AA01 AA02 AA07 AB09 BA01 BA04 BA14 CA70 DD13 DD30 DJ04 DJ21 4M118 AA09 AA10 AB01 BA14 FA06 FA50 5C024 CY44 GY31 HX23 HX50 5C061 BB01 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 27/146 G01R 31/28 K 5C061 H04N 5/335 H01L 27/14 Z 17/00 A F-term (Reference) ) 2G003 AA09 AF02 AF03 AG03 AH01 AH04 2G132 AF14 AG08 AL09 AL25 4M106 AA01 AA02 AA07 AB09 BA01 BA04 BA14 CA70 DD13 DD30 DJ04 DJ21 4M118 AA09 AA10 AB01 BA14 FA06 FA50 5C024 CY44 GY31 HX23 HX50 5C06

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 撮像部および前記撮像部を駆動する駆動
パルス発生部を有するセンサー部と、前記センサー部か
ら出力された画像データを処理する画像処理部とを同一
半導体チップ上に具備している固体撮像素子が、半導体
ウエハ上に2次元的に複数個配置されてなる固体撮像素
子集合体における固体撮像素子の検査方法であって、 互いに隣り合う第1および第2の固体撮像素子を選択し
た上で、第1の固体撮像素子検査用のプローブを、該第
1の固体撮像素子のセンサー部の鉛直方向上側の領域に
かからないように配置する一方、第2の固体撮像素子検
査用のプローブを、第1の固体撮像素子のような制限を
設けずに配置し、 第1の固体撮像素子のセンサー部に光を照射しつつ該セ
ンサー部を動作させてその性能判定を行う一方、これと
同期して第2の固体撮像素子の画像処理部を動作させて
その性能判定を行うことを特徴とする固体撮像素子の検
査方法。
1. A semiconductor device comprising: a sensor unit having an image pickup unit and a drive pulse generating unit for driving the image pickup unit; and an image processing unit for processing image data output from the sensor unit on the same semiconductor chip. A method for testing a solid-state imaging device in a solid-state imaging device assembly in which a plurality of solid-state imaging devices are two-dimensionally arranged on a semiconductor wafer, wherein a first and a second solid-state imaging device adjacent to each other are selected. Above, the first solid-state imaging device inspection probe is arranged so as not to cover the vertically upper region of the sensor section of the first solid-state imaging device, while the second solid-state imaging device inspection probe is The first solid-state imaging device is arranged without any limitation, and the performance of the first solid-state imaging device is determined by operating the sensor unit while irradiating the sensor unit with light. Inspection method of a solid-state imaging device and performing the second performance determination image processing unit by operation of the solid-state imaging device with.
【請求項2】 撮像部および前記撮像部を駆動する駆動
パルス発生部を有するセンサー部と、前記センサー部か
ら出力された画像データを処理する画像処理部とを同一
半導体チップ上に具備している固体撮像素子が、半導体
ウエハ上に2次元的に複数個配置されてなる固体撮像素
子集合体における固体撮像素子の検査方法であって、 田の字状に隣り合う第1〜第4の固体撮像素子を選択し
た上で、これら4つの固体撮像素子群の周縁をなす四角
形の一方の対角線方向に位置する第1および第3の固体
撮像素子に対して、これらの検査用のプローブを、第1
および第3の固体撮像素子の各センサー部の鉛直方向上
側の領域にかからないように配置する一方、前記四角形
の他方の対角線方向に位置する第2および第4の固体撮
像素子に対して、これらの検査用のプローブを、第1ま
たは第3の固体撮像素子のような制限を設けずに配置
し、 第1および第3の固体撮像素子の各センサー部に光を照
射しつつ該センサー部を動作させてその性能判定を行う
一方、これと同期して第2および第4の固体撮像素子の
各画像処理部を動作させてその性能判定を行うことを特
徴とする固体撮像素子の検査方法。
2. A semiconductor device comprising: a sensor unit having an imaging unit and a driving pulse generation unit that drives the imaging unit; and an image processing unit that processes image data output from the sensor unit on the same semiconductor chip. A method for inspecting a solid-state imaging device in a solid-state imaging device assembly in which a plurality of solid-state imaging devices are two-dimensionally arranged on a semiconductor wafer, comprising: first to fourth solid-state imaging devices adjacent in a cross shape After selecting the devices, the first and third solid-state imaging devices located in one diagonal direction of one of the squares forming the periphery of the four solid-state imaging devices are connected to the first and third solid-state imaging devices by the first and third solid-state imaging devices, respectively.
And the third solid-state imaging device is arranged so as not to cover the vertically upper region of each sensor unit, while the second and fourth solid-state imaging devices located in the other diagonal direction of the square are arranged in the same manner. An inspection probe is arranged without any restrictions such as the first or third solid-state imaging device, and the sensor unit is operated while irradiating light to each sensor unit of the first and third solid-state imaging devices. A method for inspecting a solid-state imaging device, wherein the performance is determined by operating each image processing unit of the second and fourth solid-state imaging devices in synchronization with the performance determination.
【請求項3】 撮像部および前記撮像部を駆動する駆動
パルス発生部を有するセンサー部と、前記センサー部か
ら出力された画像データを処理する画像処理部とを同一
半導体チップ上に具備している固体撮像素子が、半導体
ウエハ上に2次元的に複数個配置されてなる固体撮像素
子集合体用の固体撮像素子の検査装置であって、 互いに隣り合う第1および第2の固体撮像素子のうち、
第1の固体撮像素子のセンサー部の鉛直方向上側の領域
にかからないように配置される第1の固体撮像素子検査
用のプローブと、 第1の固体撮像素子のような制限を設けずに配置される
第2の固体撮像素子検査用のプローブと、 各単位検査期間内に、光が照射されている第1の固体撮
像素子のセンサー部から出力される画像データを記憶す
る記憶装置と、 前記単位検査期間内に、前回の単位検査期間内において
記憶装置に記憶された第2の固体撮像素子のセンサー部
の画像データを用いて第2の固体撮像素子のセンサー部
の性能判定を行う一方、これと同期して第2の固体撮像
素子の画像処理部を動作させてその性能判定を行う判定
手段とを備えていることを特徴とする固体撮像素子の検
査装置。
3. A sensor unit having an imaging unit and a driving pulse generating unit for driving the imaging unit, and an image processing unit for processing image data output from the sensor unit are provided on the same semiconductor chip. An apparatus for inspecting a solid-state image sensor for a solid-state image sensor assembly in which a plurality of solid-state image sensors are two-dimensionally arranged on a semiconductor wafer, wherein the first and second solid-state image sensors are adjacent to each other. ,
A first solid-state imaging device inspection probe that is arranged so as not to extend over a vertically upper region of the sensor unit of the first solid-state imaging device; and a first solid-state imaging device that is arranged without restrictions as in the first solid-state imaging device. A second solid-state imaging device inspection probe, a storage device for storing image data output from a sensor unit of the first solid-state imaging device irradiated with light during each unit inspection period, During the inspection period, the performance of the sensor unit of the second solid-state imaging device is determined using the image data of the sensor unit of the second solid-state imaging device stored in the storage device during the previous unit inspection period. A device for operating the image processing unit of the second solid-state imaging device in synchronization with the determination unit to determine the performance of the second solid-state imaging device.
【請求項4】 各単位検査期間が終了するたびに、各固
定撮像素子を、第1の固定撮像素子側から第2の固定撮
像素子側に1素子分ずつ移動させる固定撮像素子移動手
段を備えていることを特徴とする請求項3に記載の固体
撮像素子の検査装置。
4. A fixed image pickup device moving means for moving each fixed image pickup device by one element from the first fixed image pickup device side to the second fixed image pickup device side each time each unit inspection period ends. The inspection apparatus for a solid-state imaging device according to claim 3, wherein:
【請求項5】 撮像部および前記撮像部を駆動する駆動
パルス発生部を有するセンサー部と、前記センサー部か
ら出力された画像データを処理する画像処理部とを同一
半導体チップ上に具備している固体撮像素子が、半導体
ウエハ上に2次元的に複数個配置されてなる固体撮像素
子集合体用の固体撮像素子の検査装置であって、 田の字状に隣り合う第1〜第4の固体撮像素子のうち、
これら4つの固体撮像素子群の周縁をなす四角形の一方
の対角線方向に位置する第1および第3の固体撮像素子
の各センサー部の鉛直方向上側の領域にかからないよう
に配置される第1および第3の固体撮像素子検査用のプ
ローブと、 第1または第3の固体撮像素子のような制限を設けずに
配置される、上記四角形の他方の対角線方向に位置する
第2および第4の固体撮像素子検査用のプローブと、 各単位検査期間内に、光が照射されている第1および第
3の固体撮像素子の各センサー部から出力される画像デ
ータをそれぞれ記憶する記憶装置と、 前記単位検査期間内に、前回の単位検査期間内において
記憶装置に記憶された第2および第4の固体撮像素子の
画像データを用いて第2および第4の固体撮像素子の各
センサー部の性能判定を行う一方、これと同期して第2
および第4の固体撮像素子の各画像処理部を動作させて
その性能判定を行う判定手段とを備えていることを特徴
とする固体撮像素子の検査装置。
5. A sensor unit having an imaging unit and a driving pulse generating unit for driving the imaging unit, and an image processing unit for processing image data output from the sensor unit are provided on the same semiconductor chip. An inspection apparatus for a solid-state imaging device for a solid-state imaging device assembly comprising a plurality of solid-state imaging devices arranged two-dimensionally on a semiconductor wafer, comprising: first to fourth solids adjacent in a cross shape Of the image sensor,
The first and third solid-state imaging devices are arranged so as not to extend over the vertically upper regions of the sensor units of the first and third solid-state imaging devices located in one diagonal direction of one of the quadrangles forming the periphery of the four solid-state imaging devices. A third solid-state imaging device inspection probe, and second and fourth solid-state imaging devices which are arranged without providing restrictions such as the first or third solid-state imaging device and are located in the other diagonal direction of the square. A probe for element inspection, a storage device for storing image data output from each sensor unit of the first and third solid-state imaging elements irradiated with light during each unit inspection period, and the unit inspection During the period, the performance determination of each sensor unit of the second and fourth solid-state imaging devices is performed using the image data of the second and fourth solid-state imaging devices stored in the storage device during the previous unit inspection period. Cormorants On the other hand, the second in synchronization with this 2
And a determination means for operating each image processing unit of the fourth solid-state imaging device to determine the performance thereof, the inspection apparatus for a solid-state imaging device.
【請求項6】 各単位検査期間が終了するたびに、各固
定撮像素子を、第1または第2の固定撮像素子側から第
3または第4の固定撮像素子側に1素子分ずつ移動させ
る固定撮像素子移動手段を備えていることを特徴とする
請求項5に記載の固体撮像素子の検査装置。
6. A fixed device in which each fixed imaging device is moved from the first or second fixed imaging device to the third or fourth fixed imaging device by one device each time each unit inspection period is completed. The inspection apparatus for a solid-state imaging device according to claim 5, further comprising an imaging device moving unit.
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