KR20230078967A - 터치 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents
터치 패널 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230078967A KR20230078967A KR1020230065406A KR20230065406A KR20230078967A KR 20230078967 A KR20230078967 A KR 20230078967A KR 1020230065406 A KR1020230065406 A KR 1020230065406A KR 20230065406 A KR20230065406 A KR 20230065406A KR 20230078967 A KR20230078967 A KR 20230078967A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- sensing electrodes
- bridge
- patterns
- organic
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 226
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 64
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 21
- 101100123053 Arabidopsis thaliana GSH1 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100298888 Arabidopsis thaliana PAD2 gene Proteins 0.000 description 9
- 101000590281 Homo sapiens 26S proteasome non-ATPase regulatory subunit 14 Proteins 0.000 description 9
- 101001114059 Homo sapiens Protein-arginine deiminase type-1 Proteins 0.000 description 9
- 101710144127 Non-structural protein 1 Proteins 0.000 description 9
- 101710144128 Non-structural protein 2 Proteins 0.000 description 9
- 101150092599 Padi2 gene Proteins 0.000 description 9
- 102100023222 Protein-arginine deiminase type-1 Human genes 0.000 description 9
- 102100035735 Protein-arginine deiminase type-2 Human genes 0.000 description 9
- 102100022648 Reticulon-2 Human genes 0.000 description 9
- 102100031776 SH2 domain-containing protein 3A Human genes 0.000 description 9
- 102100031478 C-type natriuretic peptide Human genes 0.000 description 7
- 101500013677 Helix lucorum Peptide CNP2 Proteins 0.000 description 7
- 101000907912 Homo sapiens Pre-mRNA-splicing factor ATP-dependent RNA helicase DHX16 Proteins 0.000 description 7
- 101000798532 Homo sapiens Transmembrane protein 171 Proteins 0.000 description 7
- 102100023390 Pre-mRNA-splicing factor ATP-dependent RNA helicase DHX16 Human genes 0.000 description 7
- 101500013676 Helix lucorum Peptide CNP1 Proteins 0.000 description 6
- 101000610640 Homo sapiens U4/U6 small nuclear ribonucleoprotein Prp3 Proteins 0.000 description 6
- 101150101414 PRP1 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100368710 Rattus norvegicus Tacstd2 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100342406 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PRS1 gene Proteins 0.000 description 6
- 102100040374 U4/U6 small nuclear ribonucleoprotein Prp3 Human genes 0.000 description 6
- NREIOERVEJDBJP-KFDLCVIWSA-N [3)-beta-D-ribosyl-(1->1)-D-ribitol-5-P-(O->]3 Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)COP(O)(=O)O[C@@H]1[C@@H](CO)O[C@@H](OC[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)COP(O)(=O)O[C@@H]2[C@H](O[C@@H](OC[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)COP(O)(O)=O)[C@@H]2O)CO)[C@@H]1O NREIOERVEJDBJP-KFDLCVIWSA-N 0.000 description 6
- 101000610550 Homo sapiens Opiorphin prepropeptide Proteins 0.000 description 5
- 101001002066 Homo sapiens Pleiotropic regulator 1 Proteins 0.000 description 5
- 101000830696 Homo sapiens Protein tyrosine phosphatase type IVA 1 Proteins 0.000 description 5
- 101000830691 Homo sapiens Protein tyrosine phosphatase type IVA 2 Proteins 0.000 description 5
- 101000830689 Homo sapiens Protein tyrosine phosphatase type IVA 3 Proteins 0.000 description 5
- 101000835900 Homo sapiens Submaxillary gland androgen-regulated protein 3B Proteins 0.000 description 5
- 102100024599 Protein tyrosine phosphatase type IVA 1 Human genes 0.000 description 5
- 102100024602 Protein tyrosine phosphatase type IVA 2 Human genes 0.000 description 5
- 102100024601 Protein tyrosine phosphatase type IVA 3 Human genes 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 101000945093 Homo sapiens Ribosomal protein S6 kinase alpha-4 Proteins 0.000 description 3
- 101000945096 Homo sapiens Ribosomal protein S6 kinase alpha-5 Proteins 0.000 description 3
- 102100033644 Ribosomal protein S6 kinase alpha-4 Human genes 0.000 description 3
- 102100033645 Ribosomal protein S6 kinase alpha-5 Human genes 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
Abstract
터치패널의 제조방법은 은 나노 와이어층을 제공하는 단계, 상기 은 나노 와이어층 상에 제1 유기 패턴들 및 제2 유기 패턴들을 제공하는 단계, 상기 제1 유기 패턴들 및 상기 제2 유기 패턴들 상에 금속층을 제공하는 단계, 상기 금속층 및 상기 은 나노 와이어층을 식각하여 제1 브릿지층, 제1 감지 전극들 및 제2 감지 전극들을 형성하는 단계, 상기 제1 유기 패턴들, 상기 제2 유기 패턴들, 상기 제1 브릿지층, 상기 제1 감지 전극들 및 상기 제2 감지 전극들 상에 투명 도전성 산화물층을 제공하는 단계 및 상기 투명 도전성 산화물층을 식각하여 제2 브릿지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 터치 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정을 간소화할 수 있고, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 터치 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
터치 패널은 영상 표시 장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력 장치이다. 이를 위해, 터치 패널은 영상 표시 장치의 전면(front face)에 구비되어 사람 또는 물체에 직접 또는 간접 접촉된 접촉 위치를 전기적 신호로 변환한다. 접촉 위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다.
이와 같은 터치 패널은 키보드 및 마우스와 같이 영상 표시 장치에 연결되어 동작하는 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용범위가 점차 확장되고 있는 추세이다. 터치 패널을 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전 용량 방식 등이 알려져 있다. 정전 용량 방식의 터치 패널은 사람 또는 물체에 직접 또는 간접 접촉될 때 도전성 감지 전극이 주변의 다른 감지 전극 또는 접지 전극 등과 형성하는 정전 용량의 변화를 감지함으로써, 접촉 위치를 전기적 신호로 변환한다. 최근 정전 용량 방식의 터치 패널의 제조 공정을 간소화하고, 터치 패널의 신뢰성을 향상시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 공정을 간소화하여 제조할 수 있고, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 터치 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 공정을 간소화할 수 있고, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 터치 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법은 나노 와이어층을 제공하는 단계, 상기 은 나노 와이어층 상에 제1 유기 패턴들 및 제2 유기 패턴들을 제공하는 단계, 상기 제1 유기 패턴들 및 상기 제2 유기 패턴들 상에 금속층을 제공하는 단계, 상기 금속층 및 상기 은 나노 와이어층을 식각하여 제1 브릿지층, 제1 감지 전극들 및 제2 감지 전극들을 형성하는 단계, 상기 제1 유기 패턴들, 상기 제2 유기 패턴들, 상기 제1 브릿지층, 상기 제1 감지 전극들 및 상기 제2 감지 전극들 상에 투명 도전성 산화물층을 제공하는 단계 및 상기 투명 도전성 산화물층을 식각하여 제2 브릿지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 금속층 및 상기 은 나노 와이어층은 하나의 단계에서 식각되는 것일 수 있다.
상기 제1 유기 패턴들 및 상기 제2 유기 패턴들을 제공하는 단계는 유기층을 제공하는 단계, 상기 유기층 상에 제1 포토 레지스트층을 제공하는 단계, 제1 마스크를 사용하여, 상기 제1 포토 레지스트층을 식각하여 제1 포토 레지스트 패턴들을 형성하는 단계 및 상기 제1 포토 레지스트 패턴들을 마스크로 하여, 상기 유기층을 식각하여, 상기 제1 유기 패턴들 및 상기 제2 유기 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 제1 브릿지층, 상기 제1 감지 전극들 및 상기 제2 감지 전극들을 형성하는 단계는 상기 금속층 상에 제2 포토 레지스트층을 제공하는 단계, 제2 마스크를 사용하여, 상기 제2 포토 레지스트층을 식각하여 제2 포토 레지스트 패턴들을 형성하는 단계 및 상기 제2 포토 레지스트 패턴들을 마스크로 하여, 상기 금속층 및 상기 투명 도전성 산화물층을 식각하여 상기 제1 브릿지층, 상기 제1 감지 전극들 및 상기 제2 감지 전극들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2 브릿지층을 형성하는 단계는 상기 투명 도전성 산화물층 상에 제3 포토 레지스트층을 제공하는 단계, 제3 마스크를 사용하여, 상기 제3 포토 레지스트층을 식각하여 제3 포토 레지스트 패턴들을 형성하는 단계 및 상기 제3 포토 레지스트 패턴들을 마스크로 하여, 상기 투명 도전성 산화물층을 식각하여 상기 제2 브릿지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 브릿지층, 상기 제1 감지 전극들 및 상기 제2 감지 전극들을 형성하는 단계에서, 상기 제1 감지 전극들 각각은 상기 제1 유기 패턴들 각각과 대응하고, 상기 제2 감지 전극들 각각은 상기 제2 유기 패턴들 각각과 대응하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널에 의하면, 공정을 간소화하여 제조하고, 신뢰성이 향상된 터치 패널을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법에 의하면, 공정을 간소화할 수 있고, 신뢰성이 향상된 터치 패널을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 2b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 2c는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 감지 전극들의 개략적인 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 감지 전극들의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시에에 따른 터치 패널의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 5a 내지 도 5m은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 2a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 2b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 2c는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 감지 전극들의 개략적인 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 감지 전극들의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시에에 따른 터치 패널의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 5a 내지 도 5m은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 개략적인 단면도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널(10)은 사용자의 직접 터치, 사용자의 간접 터치, 물체의 직접 터치 또는 물체의 간접 터치를 인식할 수 있다. 직접 터치란 사용자 또는 물체가 터치 패널(10)을 직접적으로 접촉하는 것을 의미한다. 간접 터치란 사용자 또는 물체가 터치 패널(10)을 직접적으로 접촉하지 않아도, 터치 패널(10)이 사용자 또는 물체가 터치하는 것으로 인식할 수 있는 거리에 있어, 터치 패널(10)이 터치를 인식하는 것을 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널(10)은 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display Panel, LCD), 전계 방출 표시 패널(Field Emission Display Panel, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(10)(Plasma Display Panel, PDP), 유기 전계 발광 표시 패널(Organic Electroluminescence Device, EL), 전기 영동 표시 패널 등을 포함하는 표시 장치에 적용될 수 있다. 이 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널(10)은 표시 패널과 접착제 또는 점착제에 의해 연결될 수도 있고, 표시 패널의 최상부에 위치하는 층(예를 들어, 유기 전계 발광 표시 패널에서 발광층을 포함하는 유기층을 보호하기 위한 봉지층)을 기저층(BL)으로 하여, 연속적으로 연결되는 것일 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널(10)은 기저층(BL), 제1 센싱부들(미도시), 제2 센싱부들(미도시), 패드부(PAD) 및 외곽 배선(OL)을 포함한다. 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)은 감지 전극(TE)에 포함된다.
제1 센싱부들(미도시)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 서로 제2 방향(DR2)으로 이격된다. 제1 센싱부들(미도시)은 제1 감지 전극들(Tx) 및 브릿지들(BD)을 포함한다.
제2 센싱부들(미도시)은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 서로 제1 방향(DR1)으로 이격된다. 제2 센싱부들은 제2 감지 전극들(Rx) 및 연결부들(CN)을 포함한다.
기저층(BL)에는 외부에 의한 터치가 입력될 수 있다. 기저층(BL)은 투광성으로, 투명한 유전 필름 형태로 구성될 수 있다. 기저층(BL)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어 플라스틱, 유리, 세라믹, 폴리머, 유기 화합물, 무기 화합물 등으로 이루어질 수 있다. 기저층(BL)은 예를 들어, 판상으로 제공될 수 있다. 또한, 기저층(BL)은 유기 전계 발광 소자에서, 발광층을 포함하는 유기층을 보호하기 위한 박막 봉지층인 것일 수도 있고, 별도의 기판일 수 있다.
기저층(BL)은 터치 비인식 영역(NTA) 및 터치 인식 영역(TA)을 포함한다. 터치 비인식 영역(NTA)은 외부의 터치를 인식하지 않는다. 터치 비인식 영역(NTA)은 예를 들어, 터치 인식 영역(TA)을 둘러싸는 것일 수 있다. 터치 인식 영역(TA)은 외부의 터치를 인식한다. 터치 인식 영역(TA)은 대략 직사각형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
터치 비인식 영역(NTA)에는 패드부(PAD) 및 외곽 배선(OL)이 배치될 수 있다. 도 1에서는 패드부(PAD)가 평면상에서, 터치 인식 영역(TA)의 좌측에 배치되는 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 평면상에서, 터치 인식 영역(TA)의 우측, 상측, 하측 등 다양한 위치에 배치될 수 있다.
패드부(PAD)는 감지 전극(TE)과 전기적으로 연결된다. 패드부(PAD)는 기저층(BL) 상에 형성된다. 패드부(PAD)는 제1 패드부들(PAD1) 및 제2 패드부들(PAD2)을 포함할 수 있다.
제1 패드부들(PAD1)은 제1 감지 전극들(Tx)과 전기적으로 연결된다. 제1 패드부들(PAD1)은 제1 감지 전극들(Tx) 중에서 제1 방향(DR1)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 일단에 배치되는 제1 감지 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 1에서는 제1 패드부들(PAD1)가 제1 방향(DR1)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 일단에 배치되는 제1 감지 전극과 전기적으로 연결되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 제1 패드부들(PAD1)은 제1 방향(DR1)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 양단에 배치되는 제1 감지 전극들 각각과 전기적으로 연결될 수도 있다.
제2 패드부들(PAD2)은 제2 감지 전극들(Rx)과 전기적으로 연결된다. 제2 패드부들(PAD2)은 제2 감지 전극들(Rx) 중에서 제2 방향(DR2)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 일단에 배치되는 제2 감지 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 2에서는 제2 패드부들(PAD2)가 제2 방향(DR2)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 일단에 배치되는 제2 감지 전극과 전기적으로 연결되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 제2 패드부들(PAD2)은 제2 방향(DR2)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 양단에 배치되는 제2 감지 전극들 각각과 전기적으로 연결될 수도 있다.
외곽 배선(OL)은 감지 전극(TE)과 패드부(PAD)를 연결한다. 외곽 배선(OL)은 기저층(BL) 상에 형성된다. 외곽 배선(OL)은 제1 외곽 배선들(OL1) 및 제2 외곽 배선들(OL2)을 포함할 수 있다.
제1 외곽 배선들(OL1)은 제1 감지 전극들(Tx) 및 제1 패드부들(PAD1)을 연결한다. 제1 감지 전극들(Tx) 중에서 제1 방향(DR1)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 일단에 배치되는 제1 감지 전극은 제1 외곽 배선들(OL1)과 연결되어, 제1 패드부들(PAD1)와 전기적으로 연결된다. 도 1에서는 제1 방향(DR1)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 일단에 배치되는 제1 감지 전극이 제1 외곽 배선들(OL1)과 연결되어 제1 패드부들(PAD1)와 전기적으로 연결되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 제1 방향(DR1)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 양단에 배치되는 제1 감지 전극들 각각이 제1 외곽 배선들(OL1)과 연결되어, 제1 패드부들(PAD1)와 전기적으로 연결될 수도 있다.
제2 외곽 배선들(OL2)은 제2 감지 전극들(Rx) 및 제2 패드부들(PAD2)을 연결한다. 제2 감지 전극들(Rx) 중에서 제2 방향(DR2)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 일단에 배치되는 제2 감지 전극은 제2 외곽 배선들(OL2)과 연결되어, 제2 패드부들(PAD2)와 전기적으로 연결된다. 도 2에서는 제2 방향(DR2)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 일단에 배치되는 제2 감지 전극이 제2 외곽 배선들(OL2)과 연결되어 제2 패드부들(PAD2)와 전기적으로 연결되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 제2 방향(DR2)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 양단에 배치되는 제2 감지 전극들 각각이 제2 외곽 배선들(OL2)과 연결되어, 제2 패드부들(PAD2)와 전기적으로 연결될 수도 있다.
터치 인식 영역(TA)에는 감지 전극(TE)이 배치될 수 있다. 터치 인식 영역(TA)에는 제1 센싱부들(미도시) 및 제2 센싱부들(미도시)이 배치될 수 있다. 터치 인식 영역(TA)에서는 감지 전극(TE)에 의해 외부에 터치의 입력이 인식된다. 외부에 의한 터치와 관련하여, 외부에 의한 터치가 발생되면, 감지 전극(TE), 예를 들어 감지 전극(TE)에 포함되는 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 사이에 정전 용량의 변화가 발생된다. 정전 용량의 변화에 따라 제1 감지 전극들(Tx)에 인가되는 감지 신호는 딜레이되어 제2 감지 전극들(Rx)에 제공될 수 있다. 터치 패널(10)은 감지 신호의 딜레이 값으로부터 터치 좌표를 센싱할 수 있다.
도 2a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선에 대응하는 개략적인 단면도이다. 도 2b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하는 개략적인 단면도이다. 도 2c는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 감지 전극들의 개략적인 단면도이다. 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 감지 전극들의 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 감지 전극(TE)은 제1 방향(DR1)으로 연장되는 복수의 행들과 제2 방향(DR2)으로 연장되는 복수의 열들을 갖는 매트릭스 형태로 배치된다. 감지 전극(TE)은 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)을 포함한다. 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 서로 전기적으로 절연된다. 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 대략적으로 마름모, 정사각형, 직사각형, 원 또는 정형화되지 않은 모양(예를 들면, 덴드라이트(dendrite) 구조와 같이 나뭇가지들이 얽혀 있는 모양) 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.
제1 감지 전극들(Tx)은 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2) 각각으로 이격되어 배열된다. 제1 방향(DR1)으로 이격되는 제1 감지 전극들(Tx)은 브릿지들(BD)에 의해 연결된다.
제1 감지 전극들(Tx)은 수지층(RL) 및 수지층(RL)에 배치되는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 제1 감지 전극들(Tx) 각각은 제1 감지부(SP1) 및 제1 비감지부(NSP1)를 포함한다. 제1 감지부(SP1)는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 제1 비감지부(NSP1)는 제1 감지부(SP1)와 연결된다. 제1 비감지부(NSP1)는 은 나노 와이어(NW)를 포함하지 않는다. 즉, 제1 비감지부(NSP1)는 수지층(RL)으로 구성된다. 도 3a를 참조하면, 평면상에서, 제1 비감지부(NSP1)는 제1 감지부(SP1)를 둘러싸는 것일 수 있다. 도 3a를 참조하면, 평면상에서 제1 감지부(SP1)는 마름모 형상을 갖는 것일 수 있고, 평면상에서 제1 비감지부(NSP1)는 마름모 형태의 고리 형상을 갖는 것일 수 있다.
다시, 도 1 및 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 제2 감지 전극들(Rx)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배열된다. 제2 방향(DR2)으로 이격되는 제2 감지 전극들(Rx)은 연결부들(CN)에 의해 연결된다.
제2 감지 전극들(Rx)은 수지층(RL) 및 수지층(RL)에 배치되는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 제2 감지부(SP2) 및 제2 비감지부(NSP2)를 포함한다. 제2 감지부(SP2)는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 제2 비감지부(NSP2)는 제2 감지부(SP2)와 연결된다. 제2 비감지부(NSP2)는 은 나노 와이어(NW)를 포함하지 않는다. 즉, 제2 비감지부(NSP2)는 수지층(RL)으로 구성된다. 도 3b를 참조하면, 평면상에서, 제2 비감지부(NSP2)는 제2 감지부(SP2)를 둘러싸는 것일 수 있다. 도 3b를 참조하면, 평면상에서 제2 감지부(SP2)는 마름모 형상을 갖는 것일 수 있고, 평면상에서 제2 비감지부(NSP2)는 마름모 형태의 고리 형상을 갖는 것일 수 있다.
다시, 도 1 및 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 브릿지들(BD)은 제1 방향(DR1)으로 이격되는 제1 감지 전극들(Tx)을 연결한다. 브릿지들(BD)에 의해, 제1 방향(DR1)으로 이격되는 제1 감지 전극들(Tx)이 서로 신호를 주고받을 수 있다.
브릿지들(BD) 각각은 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되고, 제1 방향(DR1)으로 서로 인접한 두 개의 제1 감지 전극들(Tx)을 연결한다. "서로 인접한"이란 서로 이격된 거리가 최소인 것을 의미한다.
브릿지들(BD) 각각은 제1 브릿지층(BDL1) 및 제2 브릿지층(BDL2)을 포함한다. 제1 브릿지층(BDL1)은 컨택홀(CH)과 중첩한다. 제1 브릿지층(BDL1)은 금속을 포함한다. 금속은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Al, Cu, Ti, Ag, Au, Pt, Mo, 은 파라듐 구리 합금(APC) 및 은 파라듐 합금(AP) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 브릿지층(BDL1)은 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 각각과 동일한 공정에서 형성된다.
제1 브릿지층(BDL1)을 제2 브릿지층(BDL2)과 대응하여 제공할 경우, 제1 브릿지층(BDL1)이 금속을 포함하여, 불투명하므로 사용자에게 인식될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널은 저항이 낮은 금속을 포함하는 제1 브릿지층(BDL1)을 사용하여, 저항이 높은 제2 브릿지층(BDL2)만 사용하는 경우에 비해 저항 값을 낮출 수 있고, 또한, 최소한의 제1 브릿지층(BDL1)만을 사용하여, 사용자에게 브릿지들(BD)가 인식되는 것을 줄일 수 있다.
평면상에서, 제1 브릿지층(BDL1)은 제1 감지 전극들(Tx) 각각의 일부와 중첩한다. 평면상에서, 제1 브릿지층(BDL1)은 제2 감지 전극들(Rx) 각각과 이격된다. 평면상에서, 제1 브릿지층(BDL1)은 연결부들(CN)과 이격된다.
평면상에서, 제1 브릿지층(BDL1)은 제1 유기 패턴들(OP1) 각각의 일부와 중첩한다. 평면상에서, 제1 브릿지층(BDL1)은 제2 유기 패턴들(OP2)과 이격된다. 평면상에서, 제1 브릿지층(BDL1)은 제3 유기 패턴들(OP3)과 이격된다.
제2 브릿지층(BDL2)의 일부는 제1 브릿지층(BDL1)과 중첩한다. 제2 브릿지층(BDL2)은 제1 브릿지층(BDL1) 및 제1 유기 패턴들(OP1) 상에 제공된다. 제2 브릿지층(BDL2)은 제1 브릿지층(BDL1), 제1 유기 패턴들(OP1) 및 제3 유기 패턴들(OP3) 상에 제공된다. 제2 브릿지층(BDL2)은 제1 감지 전극들(Tx) 각각의 일부와 중첩한다. 평면상에서 제2 브릿지층(BDL2)은 제1 감지 전극들(Tx) 각각의 일부와 중첩한다. 제2 브릿지층(BDL2)은 제2 감지 전극들(Rx)과 이격된다. 평면상에서 제2 브릿지층(BDL2)은 제2 감지 전극들(Rx)과 이격된다. 제2 브릿지층(BDL2)은 연결부들(CN)과 중첩한다. 평면상에서 제2 브릿지층(BDL2)은 연결부들(CN)과 중첩한다.
제2 브릿지층(BDL2)은 투명 도전성 산화물을 포함한다. 투명 도전성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 브릿지층(BDL2)은 제1 브릿지부(BDLP1) 및 제2 브릿지부(BDLP2)를 포함한다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 브릿지층(BDL1)과 중첩한다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 브릿지층(BDL1)과 대응한다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 브릿지층(BDL1) 상에 제공된다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 유기 패턴들(OP1) 각각의 일부와 중첩한다. 평면상에서 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 유기 패턴들(OP1) 각각의 일부와 중첩한다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 감지 전극들(Tx) 각각의 일부와 중첩한다. 평면상에서 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 감지 전극들(Tx) 각각의 일부와 중첩한다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제2 유기 패턴들(OP2)과 이격된다. 평면상에서 제1 브릿지부(BDLP1)는 제2 유기 패턴들(OP2)과 이격된다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제2 감지 전극들(Rx)과 이격된다. 평면상에서 제1 브릿지부(BDLP1)는 제2 감지 전극들(Rx)과 이격된다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제3 유기 패턴들(OP3)과 이격된다. 평면상에서 제1 브릿지부(BDLP1)는 제3 유기 패턴들(OP3)과 이격된다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 연결부들(CN)과 이격된다. 평면상에서 제1 브릿지부(BDLP1)는 연결부들(CN)과 이격된다.
제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 브릿지부(BDLP1)와 연결된다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 브릿지부(BDLP1)와 일체이다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 브릿지층(BDL1)과 중첩하지 않는다. 평면상에서 제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 브릿지층(BDL1)과 중첩하지 않는다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 유기 패턴들(OP1) 각각의 일부와 중첩한다. 평면상에서 제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 유기 패턴들(OP1) 각각의 일부와 중첩한다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 감지 전극들(Tx) 각각의 일부와 중첩한다. 평면상에서 제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 감지 전극들(Tx) 각각의 일부와 중첩한다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제2 유기 패턴들(OP2)과 이격된다. 평면상에서 제2 브릿지부(BDLP2)는 제2 유기 패턴들(OP2)과 이격된다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제2 감지 전극들(Rx)과 이격된다. 평면상에서 제2 브릿지부(BDLP2)는 제2 감지 전극들(Rx)과 이격된다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제3 유기 패턴들(OP3)과 중첩한다. 평면상에서 제2 브릿지부(BDLP2)는 제3 유기 패턴들(OP3)과 중첩한다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 연결부들(CN)과 중첩한다. 평면상에서 제2 브릿지부(BDLP2)는 연결부들(CN)과 중첩한다.
연결부들(CN)은 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되는 제2 감지 전극들(Rx)을 서로 연결한다. 연결부들(CN)에 의해, 제2 방향(DR2)으로 이격되는 제2 감지 전극들(Rx)이 서로 신호를 주고받을 수 있다. 연결부들(CN) 각각은 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되고, 제2 방향(DR2)으로 서로 인접한 두 개의 제2 감지 전극들(Rx)을 연결한다. 연결부들(CN) 각각은 제2 감지 전극들(Rx)과 일체로 형성된다. 연결부들(CN)은 수지층(RL) 및 수지층(RL)에 배치되는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다.
연결부들(CN) 각각은 제1 서브 연결부(CNP1) 및 제2 서브 연결부(CNP2)를 포함한다. 제1 서브 연결부(CNP1)는 수지층(RL) 및 수지층(RL)에 배치되는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 제2 서브 연결부(CNP2)는 제1 서브 연결부(CNP1)와 연결된다. 제2 서브 연결부(CNP2)는 은 나노 와이어(NW)를 포함하지 않는다. 제2 서브 연결부(CNP2)는 수지층(RL)으로 구성된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널(10)은 제1 유기 패턴들(OP1), 제2 유기 패턴들(OP2) 및 제3 유기 패턴들(OP3)을 포함한다. 제1 유기 패턴들(OP1), 제2 유기 패턴들(OP2) 및 제3 유기 패턴들(OP3)은 동일한 공정에서 형성되는 것일 수 있다. 제1 유기 패턴들(OP1), 제2 유기 패턴들(OP2) 및 제3 유기 패턴들(OP3)은 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰 등을 포함할 수 있다.
제1 유기 패턴들(OP1) 각각은 제1 감지 전극들(Tx) 각각 상에 제공된다. 제1 유기 패턴들(OP1) 각각은 제1 감지 전극들(Tx) 각각과 대응한다. 제1 유기 패턴들(OP1) 각각은 적어도 하나의 컨택홀(CH)을 포함한다. 제1 유기 패턴들(OP1) 각각은 제1 감지 전극들(Tx) 각각과 중첩한다. 평면상에서 제1 유기 패턴들(OP1) 각각은 제1 감지 전극들(Tx) 각각과 중첩한다. 제1 유기 패턴들(OP1)은 제2 유기 패턴들(OP2)과 이격된다. 평면상에서 제1 유기 패턴들(OP1)은 제2 유기 패턴들(OP2)과 이격된다. 제1 유기 패턴들(OP1)은 제3 유기 패턴들(OP3)과 이격된다. 평면상에서 제1 유기 패턴들(OP1)은 제3 유기 패턴들(OP3)과 이격된다.
제2 유기 패턴들(OP2) 각각은 제2 감지 전극들(Rx) 각각 상에 제공된다. 제2 유기 패턴들(OP2) 각각은 제2 감지 전극들(Rx) 각각과 대응한다. 제2 유기 패턴들(OP2) 각각은 제2 감지 전극들(Rx) 각각과 중첩한다. 평면상에서 제2 유기 패턴들(OP2) 각각은 제2 감지 전극들(Rx) 각각과 중첩한다.
제3 유기 패턴들(OP3) 각각은 연결부들(CN) 상에 제공된다. 제3 유기 패턴들(OP3) 각각은 연결부들(CN) 각각과 대응한다. 제3 유기 패턴들(OP3) 각각은 제2 유기 패턴들(OP2)과 일체이다. 제3 유기 패턴들(OP3) 각각은 연결부들(CN) 각각과 중첩한다. 평면상에서 제3 유기 패턴들(OP3) 각각은 연결부들(CN) 각각과 중첩한다.
종래의 터치 패널은 일반적으로, 제1 유기 패턴들, 제2 유기 패턴들 및 제3 유기 패턴들을 포함하지 않았다. 제1 감지 전극들, 제2 감지 전극들 및 연결부들에 포함되는 은 나노 와이어는 제1 유기 패턴들, 제2 유기 패턴들 및 제3 유기 패턴들을 포함하지 않는 경우, 브릿지들에 포함되는 금속을 식각할 때 함께 식각될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널은 제1 감지 전극들 상에 배치되는 제1 유기 패턴들을 포함하고, 제2 감지 전극들 상에 배치되는 제2 유기 패턴들을 포함하고, 연결부들 상에 배치되는 제3 유기 패턴들을 포함한다. 이에 따라, 브릿지들을 형성하는 과정에서 제1 감지 전극들, 제2 감지 전극들 및 연결부들이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널은 종래의 터치 패널과 비교할 때 터치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법에 대하여 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널과의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널에 따른다.
도 4는 본 발명의 일 실시에에 따른 터치 패널의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다. 도 5a 내지 도 5m은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 1, 도 2a 내지 도 2c 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널(10)의 제조 방법은 은 나노 와이어층(NWL)을 제공하는 단계(S100), 은 나노 와이어층(NWL) 상에 제1 유기 패턴들(OP1) 및 제2 유기 패턴들(OP2)을 제공하는 단계(S200), 제1 유기 패턴들(OP1) 및 제2 유기 패턴들(OP2) 상에 금속층(ML)을 제공하는 단계(S300), 금속층(ML) 및 은 나노 와이어층(NWL)을 식각하여 제1 브릿지층(BDL1), 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)을 형성하는 단계(S400), 제1 유기 패턴들(OP1), 제2 유기 패턴들(OP2), 제1 브릿지층(BDL1), 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 상에 투명 도전성 산화물층(TCOL)을 제공하는 단계(S500) 및 투명 도전성 산화물층(TCOL)을 식각하여 제2 브릿지층(BDL2)을 형성하는 단계(S600)를 포함한다.
도 4 및 도 5a를 참조하면, 기저층(BL) 상에 은 나노 와이어층(NWL)을 제공한다(S100). 기저층(BL)은 투광성 기저층으로, 투명한 유전 필름 형태로 구성될 수 있다. 기저층(BL)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어 플라스틱, 유리, 세라믹, 폴리머, 유기 화합물, 무기 화합물 등으로 이루어질 수 있다. 기저층(BL)은 예를 들어, 판상으로 제공될 수 있다. 또한, 기저층(BL)은 유기 전계 발광 소자에서, 발광층을 포함하는 유기층을 보호하기 위한 박막 봉지층인 것일 수도 있고, 별도의 기판일 수 있다.
은 나노 와이어층(NWL)은 수지층(RL) 및 수지층(RL)에 배치되는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 은 나노 와이어층(NWL)은 기저층(BL) 상에 전면적으로 제공된다.
도 4 및 도 5b 내지 도 5e를 참조하면, 제1 유기 패턴들(OP1) 및 제2 유기 패턴들(OP2)을 제공하는 단계(S200)는 유기층(ORL)을 제공하는 단계, 유기층(ORL) 상에 제1 포토 레지스트층(PRL1)을 제공하는 단계, 제1 마스크(MSK1)를 사용하여, 제1 포토 레지스트층(PRL1)을 식각하여 제1 포토 레지스트 패턴들(PRP1)을 형성하는 단계 및 제1 포토 레지스트 패턴들(PRP1)을 마스크로 하여, 유기층(ORL)을 식각하여, 제1 유기 패턴들(OP1) 및 제2 유기 패턴들(OP2)을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
도 4 및 도 5b를 참조하면, 은 나노 와이어층(NWL) 상에 유기층(ORL)을 제공한다. 유기층(ORL)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 유기 절연 물질인 것일 수 있다. 유기층(ORL)은 예를 들어, PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰 등을 포함하는 것일 수 있다.
도 4 및 도 5c를 참조하면, 유기층(ORL) 상에 제1 포토 레지스트층(PRL1)을 제공한다. 제1 포토 레지스트층(PRL1)은 포토 레지스트를 도포하여 형성할 수 있다. 포토 레지스트층 상에 제1 마스크(MSK1)를 배치한다.
도 4 및 도 5d를 참조하면, 제1 마스크(MSK1)를 사용하여, 제1 포토 레지스트층(PRL1)을 노광 및 현상하여 제1 포토 레지스트 패턴들(PRP1)을 형성한다. 제1 포토 레지스트 패턴들(PRP1)은 유기층(ORL) 상에 제공된다.
도 4 및 도 5e를 참조하면, 제1 포토 레지스트 패턴들(PRP1)을 마스크로 하여, 제1 유기 패턴들(OP1), 제2 유기 패턴들(OP2) 및 제3 유기 패턴들(OP3)을 형성한다. 제1 유기 패턴들(OP1), 제2 유기 패턴들(OP2) 및 제3 유기 패턴들(OP3)을 형성하고, 제1 포토 레지스트 패턴들(PRP1)을 제거한다.
도 4 및 도 5f를 참조하면, 제1 유기 패턴들(OP1) 및 제2 유기 패턴들(OP2) 상에 금속층(ML)을 제공한다(S300). 제3 유기 패턴들(OP3) 상에도 금속층(ML)이 제공된다. 금속층(ML)은 전면적으로 제공된다. 금속층(ML)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Al, Cu, Ti, Ag, Au, Pt, Mo, 은 파라듐 구리 합금(APC) 및 은 파라듐 합금(AP) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 4 및 도 5g 내지 도 5i를 참조하면, 제1 브릿지층(BDL1), 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)을 형성하는 단계(S400)는 금속층(ML) 상에 제2 포토 레지스트층(PRL2)을 제공하는 단계, 제2 마스크(MSK2)를 사용하여, 제2 포토 레지스트층(PRL2)을 식각하여 제2 포토 레지스트 패턴들(PRP2)을 형성하는 단계 및 제2 포토 레지스트 패턴들(PRP2)을 마스크로 하여, 금속층(ML) 및 투명 도전성 산화물층(TCOL)을 식각하여 제1 브릿지층(BDL1), 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
도 4 및 도 5g를 참조하면, 금속층(ML) 상에 제2 포토 레지스트층(PRL2)을 제공한다. 제2 포토 레지스트층(PRL2)은 포토 레지스트를 도포하여 형성할 수 있다. 포토 레지스트층 상에 제2 마스크(MSK2)를 배치한다.
도 4 및 도 5h를 참조하면, 제2 마스크(MSK2)를 사용하여, 제2 포토 레지스트층(PRL2)을 노광 및 현상하여 제2 포토 레지스트 패턴들(PRP2)을 형성한다. 제2 포토 레지스트 패턴들(PRP2)은 금속층(ML) 상에 제공된다.
도 4 및 도 5i를 참조하면, 제2 포토 레지스트 패턴들(PRP2)을 마스크로 하여, 금속층(ML) 및 은 나노 와이어층(NWL)을 하나의 단계에서 식각하여, 제1 브릿지층(BDL1), 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)을 형성한다. 제2 포토 레지스트 패턴들(PRP2)을 마스크로 하여, 제1 브릿지층(BDL1), 제1 감지 전극들(Tx), 제2 감지 전극들(Rx) 및 연결부들(CN)를 형성한다. 제1 브릿지층(BDL1), 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)을 형성하고, 제2 포토 레지스트 패턴들(PRP2)을 제거한다.
제1 감지 전극들(Tx)은 수지층(RL) 및 수지층(RL)에 배치되는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 제1 감지 전극들(Tx) 각각은 제1 감지부(SP1) 및 제1 비감지부(NSP1)를 포함한다. 제1 감지부(SP1)는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 제1 비감지부(NSP1)는 제1 감지부(SP1)와 연결된다. 제1 비감지부(NSP1)는 은 나노 와이어(NW)를 포함하지 않는다.
제1 유기 패턴들(OP1) 각각은 제1 감지 전극들(Tx) 각각 상에 제공된다. 제1 유기 패턴들(OP1) 각각은 제1 감지 전극들(Tx) 각각과 대응한다. 제1 유기 패턴들(OP1) 각각은 적어도 하나의 컨택홀(CH)을 포함한다. 제1 유기 패턴들(OP1) 각각은 제1 감지 전극들(Tx) 각각과 중첩한다.
제2 감지 전극들(Rx)은 수지층(RL) 및 수지층(RL)에 배치되는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 제2 감지부(SP2) 및 제2 비감지부(NSP2)를 포함한다. 제2 감지부(SP2)는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 제2 비감지부(NSP2)는 제2 감지부(SP2)와 연결된다. 제2 비감지부(NSP2)는 은 나노 와이어(NW)를 포함하지 않는다.
제2 유기 패턴들(OP2) 각각은 제2 감지 전극들(Rx) 각각 상에 제공된다. 제2 유기 패턴들(OP2) 각각은 제2 감지 전극들(Rx) 각각과 대응한다. 제2 유기 패턴들(OP2) 각각은 제2 감지 전극들(Rx) 각각과 중첩한다.
연결부들(CN)은 제2 감지 전극들(Rx)과 일체로 형성된다. 연결부들(CN)은 수지층(RL) 및 수지층(RL)에 배치되는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 연결부들(CN) 각각은 제1 서브 연결부(CNP1) 및 제2 서브 연결부(CNP2)를 포함한다. 제1 서브 연결부(CNP1)는 수지층(RL) 및 수지층(RL)에 배치되는 은 나노 와이어(NW)를 포함한다. 제2 서브 연결부(CNP2)는 제1 서브 연결부(CNP1)와 연결된다. 제2 서브 연결부(CNP2)는 은 나노 와이어(NW)를 포함하지 않는다.
제3 유기 패턴들(OP3) 각각은 연결부들(CN) 각각상에 제공된다. 제3 유기 패턴들(OP3) 각각은 연결부들(CN) 각각과 대응한다. 제3 유기 패턴들(OP3)은 제2 유기 패턴들(OP2)과 일체이다. 제3 유기 패턴들(OP3) 각각은 연결부들(CN) 각각과 중첩한다.
제1 브릿지층(BDL1)은 제1 유기 패턴들(OP1)에 포함되는 컨택홀(CH)과 중첩한다. 제1 브릿지층(BDL1)은 제1 감지 전극들(Tx) 각각의 일부와 중첩한다. 제1 브릿지층(BDL1)은 제2 감지 전극들(Rx) 각각과 이격된다. 제1 브릿지층(BDL1)은 연결부들(CN)과 이격된다. 제1 브릿지층(BDL1)은 제1 유기 패턴들(OP1) 각각의 일부와 중첩한다. 제1 브릿지층(BDL1)은 제2 유기 패턴들(OP2)과 이격된다. 제1 브릿지층(BDL1)은 제3 유기 패턴들(OP3)과 이격된다.
도 4 및 도 5j를 참조하면, 제1 유기 패턴들(OP1), 제2 유기 패턴들(OP2), 제1 브릿지층(BDL1), 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 상에 투명 도전성 산화물층(TCOL)을 제공한다(S500). 투명 도전성 산화물층(TCOL)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 투명 도전성 산화물층(TCOL)은 전면적으로 제공된다.
도 4 및 도 5k 내지 도 5m을 참조하면, 제2 브릿지층(BDL2)을 형성하는 단계(S600)는 투명 도전성 산화물층(TCOL) 상에 제3 포토 레지스트층(PRL3)을 제공하는 단계, 제3 마스크(MSK3)를 사용하여, 제3 포토 레지스트층(PRL3)을 식각하여 제3 포토 레지스트 패턴들(PRP3)을 형성하는 단계, 및 제3 포토 레지스트 패턴들(PRP3)을 마스크로 하여, 투명 도전성 산화물층(TCOL)을 식각하여 제2 브릿지층(BDL2)을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
도 4 및 도 5k를 참조하면, 투명 도전성 산화물층(TCOL) 상에 제3 포토 레지스트층(PRL3)을 제공한다. 제3 포토 레지스트층(PRL3)은 포토 레지스트를 도포하여 형성할 수 있다. 포토 레지스트층 상에 제3 마스크(MSK3)를 배치한다.
도 4 및 도 5l를 참조하면, 제3 마스크(MSK3)를 사용하여, 제3 포토 레지스트층(PRL3)을 노광 및 현상하여 제3 포토 레지스트 패턴들(PRP3)을 형성한다. 제3 포토 레지스트 패턴들(PRP3)은 투명 도전성 산화물층(TCOL) 상에 제공된다.
도 4 및 도 5m을 참조하면, 제3 포토 레지스트 패턴들(PRP3)을 마스크로 하여, 투명 도전성 산화물층(TCOL)을 식각하여, 제2 브릿지층(BDL2)을 형성한다. 제2 브릿지층(BDL2)을 형성하고, 제3 포토 레지스트 패턴들(PRP3)을 제거한다.
브릿지들(BD) 각각은 제1 브릿지층(BDL1) 및 제2 브릿지층(BDL2)을 포함한다. 제2 브릿지층(BDL2)의 일부는 제1 브릿지층(BDL1)과 중첩한다. 제2 브릿지층(BDL2)은 제1 브릿지층(BDL1) 및 제1 유기 패턴들(OP1) 상에 제공된다. 제2 브릿지층(BDL2)은 제1 브릿지층(BDL1), 제1 유기 패턴들(OP1) 및 제3 유기 패턴들(OP3) 상에 제공된다. 제2 브릿지층(BDL2)은 제1 감지 전극들(Tx) 각각의 일부와 중첩한다. 제2 브릿지층(BDL2)은 제2 감지 전극들(Rx)과 이격된다. 제2 브릿지층(BDL2)은 연결부들(CN)과 중첩한다.
제2 브릿지층(BDL2)은 제1 브릿지부(BDLP1) 및 제2 브릿지부(BDLP2)를 포함한다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 브릿지층(BDL1)과 중첩한다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 브릿지층(BDL1)과 대응한다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 브릿지층(BDL1) 상에 제공된다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 유기 패턴들(OP1) 각각의 일부와 중첩한다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제1 감지 전극들(Tx) 각각의 일부와 중첩한다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제2 유기 패턴들(OP2)과 이격된다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제2 감지 전극들(Rx)과 이격된다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 제3 유기 패턴들(OP3)과 이격된다. 제1 브릿지부(BDLP1)는 연결부들(CN)과 이격된다.
제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 브릿지부(BDLP1)와 연결된다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 브릿지부(BDLP1)와 일체이다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 브릿지층(BDL1)과 중첩하지 않는다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 유기 패턴들(OP1) 각각의 일부와 중첩한다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제1 감지 전극들(Tx) 각각의 일부와 중첩한다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제2 유기 패턴들(OP2)과 이격된다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제2 감지 전극들(Rx)과 이격된다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 제3 유기 패턴들(OP3)과 중첩한다. 제2 브릿지부(BDLP2)는 연결부들(CN)과 중첩한다.
종래의 터치 패널의 제조 방법에 의해 제조된 터치 패널은 일반적으로, 제1 유기 패턴들, 제2 유기 패턴들 및 제3 유기 패턴들을 포함하지 않았다. 제1 감지 전극들, 제2 감지 전극들 및 연결부들에 포함되는 은 나노 와이어는 제1 유기 패턴들, 제2 유기 패턴들 및 제3 유기 패턴들을 포함하지 않는 경우, 브릿지들에 포함되는 금속을 식각할 때 함께 식각될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법에 의해 제조된 터치 패널은 제1 감지 전극들 상에 배치되는 제1 유기 패턴들을 포함하고, 제2 감지 전극들 상에 배치되는 제2 유기 패턴들을 포함하고, 연결부들 상에 배치되는 제3 유기 패턴들을 포함한다. 이에 따라, 브릿지들을 형성하는 과정에서 제1 감지 전극들, 제2 감지 전극들 및 연결부들이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법에 의해 제조된 터치 패널은 종래의 터치 패널의 제조 방법에 의해 제조된 터치 패널과 비교할 때 터치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법은 금속층 및 은 나노 와이어층을 하나의 단계에서 식각하여 공정을 간소화할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 터치 패널
SUB: 기저층
Tx: 제1 감지 전극들 Rx: 제2 감지 전극들
CN: 연결부들 PAD: 패드부
BD: 브릿지들 OP1: 제1 유기 패턴들
OP2: 제2 유기 패턴들 OP3: 제3 유기 패턴들
Tx: 제1 감지 전극들 Rx: 제2 감지 전극들
CN: 연결부들 PAD: 패드부
BD: 브릿지들 OP1: 제1 유기 패턴들
OP2: 제2 유기 패턴들 OP3: 제3 유기 패턴들
Claims (6)
- 은 나노 와이어층을 제공하는 단계;
상기 은 나노 와이어층 상에 제1 유기 패턴들 및 제2 유기 패턴들을 제공하는 단계;
상기 제1 유기 패턴들 및 상기 제2 유기 패턴들 상에 금속층을 제공하는 단계;
상기 금속층 및 상기 은 나노 와이어층을 식각하여 제1 브릿지층, 제1 감지 전극들 및 제2 감지 전극들을 형성하는 단계;
상기 제1 유기 패턴들, 상기 제2 유기 패턴들, 상기 제1 브릿지층, 상기 제1 감지 전극들 및 상기 제2 감지 전극들 상에 투명 도전성 산화물층을 제공하는 단계; 및
상기 투명 도전성 산화물층을 식각하여 제2 브릿지층을 형성하는 단계를 포함하는 터치 패널의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 금속층 및 상기 은 나노 와이어층은 하나의 단계에서 식각되는 것인 터치 패널의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 유기 패턴들 및 상기 제2 유기 패턴들을 제공하는 단계는
유기층을 제공하는 단계;
상기 유기층 상에 제1 포토 레지스트층을 제공하는 단계;
제1 마스크를 사용하여, 상기 제1 포토 레지스트층을 식각하여 제1 포토 레지스트 패턴들을 형성하는 단계; 및
상기 제1 포토 레지스트 패턴들을 마스크로 하여, 상기 유기층을 식각하여, 상기 제1 유기 패턴들 및 상기 제2 유기 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 것인 터치 패널의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 브릿지층, 상기 제1 감지 전극들 및 상기 제2 감지 전극들을 형성하는 단계는
상기 금속층 상에 제2 포토 레지스트층을 제공하는 단계;
제2 마스크를 사용하여, 상기 제2 포토 레지스트층을 식각하여 제2 포토 레지스트 패턴들을 형성하는 단계; 및
상기 제2 포토 레지스트 패턴들을 마스크로 하여, 상기 금속층 및 상기 투명 도전성 산화물층을 식각하여 상기 제1 브릿지층, 상기 제1 감지 전극들 및 상기 제2 감지 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 것인 터치 패널의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제2 브릿지층을 형성하는 단계는
상기 투명 도전성 산화물층 상에 제3 포토 레지스트층을 제공하는 단계;
제3 마스크를 사용하여, 상기 제3 포토 레지스트층을 식각하여 제3 포토 레지스트 패턴들을 형성하는 단계; 및
상기 제3 포토 레지스트 패턴들을 마스크로 하여, 상기 투명 도전성 산화물층을 식각하여 상기 제2 브릿지층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 터치 패널의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 브릿지층, 상기 제1 감지 전극들 및 상기 제2 감지 전극들을 형성하는 단계에서,
상기 제1 감지 전극들 각각은 상기 제1 유기 패턴들 각각과 대응하고, 상기 제2 감지 전극들 각각은 상기 제2 유기 패턴들 각각과 대응하는 것인 터치 패널의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020230065406A KR102598194B1 (ko) | 2016-03-24 | 2023-05-22 | 터치 패널 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160035466A KR102536532B1 (ko) | 2016-03-24 | 2016-03-24 | 터치 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR1020230065406A KR102598194B1 (ko) | 2016-03-24 | 2023-05-22 | 터치 패널 및 이의 제조 방법 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160035466A Division KR102536532B1 (ko) | 2016-03-24 | 2016-03-24 | 터치 패널 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230078967A true KR20230078967A (ko) | 2023-06-05 |
| KR102598194B1 KR102598194B1 (ko) | 2023-11-06 |
Family
ID=59896531
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160035466A KR102536532B1 (ko) | 2016-03-24 | 2016-03-24 | 터치 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR1020230065406A KR102598194B1 (ko) | 2016-03-24 | 2023-05-22 | 터치 패널 및 이의 제조 방법 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160035466A KR102536532B1 (ko) | 2016-03-24 | 2016-03-24 | 터치 패널 및 이의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10416819B2 (ko) |
| KR (2) | KR102536532B1 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101992916B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2019-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN108984027B (zh) * | 2018-06-30 | 2022-03-04 | 广州国显科技有限公司 | 导电层叠结构及其制作方法、显示装置 |
| CN109976578B (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-22 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 触控基板及其制作方法、触控显示装置 |
| CN110007804B (zh) * | 2019-04-16 | 2022-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控模组及显示装置 |
| CN111326563B (zh) * | 2020-03-05 | 2022-08-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
| US11740706B2 (en) * | 2020-05-11 | 2023-08-29 | Darfon Electronics Corp. | Keyboard touch electrode module and touch keyboard therewith |
| US11379085B2 (en) * | 2020-11-02 | 2022-07-05 | Tpk Advanced Solutions Inc. | Touch module |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140292963A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Ink jet device, ink circulating device, and ink jet printing apparatus |
| KR20150017270A (ko) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 터치 표시 패널 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5032687B2 (ja) | 2010-09-30 | 2012-09-26 | 株式会社神戸製鋼所 | Ａｌ合金膜、Ａｌ合金膜を有する配線構造、およびＡｌ合金膜の製造に用いられるスパッタリングターゲット |
| KR101303511B1 (ko) | 2010-12-06 | 2013-09-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 정전용량 방식 터치 스크린 패널 |
| KR101428006B1 (ko) | 2012-09-10 | 2014-08-07 | (주)티메이 | 터치 센서를 구비한 플라스틱 원도우 장치 및 제조 방법 |
| WO2014148521A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 株式会社村田製作所 | 変位センサ、押込量検出センサ、およびタッチ式入力装置 |
| KR102187138B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2020-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도전 패턴 형성 방법 및 도전 패턴을 포함하는 전자 장치 |
| US9354659B2 (en) * | 2014-03-07 | 2016-05-31 | Lg Innotek Co., Ltd. | Touch window |
| TWI607354B (zh) * | 2015-01-07 | 2017-12-01 | 群創光電股份有限公司 | 觸控感測裝置及其製造方法 |
| KR102367249B1 (ko) | 2015-07-28 | 2022-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 터치 패널 및 플렉서블 터치 패널의 제조 방법 |
-
2016
- 2016-03-24 KR KR1020160035466A patent/KR102536532B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-03-23 US US15/468,076 patent/US10416819B2/en active Active
-
2019
- 2019-08-16 US US16/542,438 patent/US10845929B2/en active Active
-
2023
- 2023-05-22 KR KR1020230065406A patent/KR102598194B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140292963A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Ink jet device, ink circulating device, and ink jet printing apparatus |
| KR20150017270A (ko) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 터치 표시 패널 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190369777A1 (en) | 2019-12-05 |
| US20170277302A1 (en) | 2017-09-28 |
| KR102536532B1 (ko) | 2023-05-26 |
| US10416819B2 (en) | 2019-09-17 |
| KR20170113747A (ko) | 2017-10-13 |
| US10845929B2 (en) | 2020-11-24 |
| KR102598194B1 (ko) | 2023-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102536532B1 (ko) | 터치 패널 및 이의 제조 방법 | |
| US20230376144A1 (en) | Display device including touch sensor and driving method thereof | |
| KR102261128B1 (ko) | 터치 스크린 패널 및 터치 스크린 패널의 제조 방법 | |
| KR102303214B1 (ko) | 터치 스크린 패널 및 그의 제조방법 | |
| KR102341436B1 (ko) | 터치 스크린 패널의 제조 방법 및 터치 스크린 패널 | |
| KR102262470B1 (ko) | 터치 스크린 패널 제조 방법 | |
| KR102116483B1 (ko) | 터치 스크린 패널 및 그 제조방법 | |
| KR102472895B1 (ko) | 입력 감지 유닛 및 이를 포함하는 전자 장치 | |
| KR101048918B1 (ko) | 터치 스크린 패널 및 이를 구비한 영상표시장치 | |
| KR102248460B1 (ko) | 터치 스크린 패널 및 그 제조 방법 | |
| KR102401556B1 (ko) | 터치 스크린 패널 및 이의 제조방법 | |
| KR102472641B1 (ko) | 터치 패널 | |
| KR102594615B1 (ko) | 입력감지유닛 및 이를 포함하는 표시장치 | |
| KR102606925B1 (ko) | 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| KR20220151150A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US11581515B2 (en) | Touch display device | |
| KR102544560B1 (ko) | 터치 스크린 패널 및 이의 형성 방법 | |
| KR20160096267A (ko) | 터치 스크린 패널 및 이의 제조 방법 | |
| KR102271113B1 (ko) | 표시 장치 및 터치 센서 | |
| KR102355326B1 (ko) | 터치 스크린 패널 및 그 제조방법 | |
| KR20230100709A (ko) | 터치 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20160133603A (ko) | 터치 스크린 패널 | |
| KR20160095314A (ko) | 터치 스크린 패널 | |
| KR20170010181A (ko) | 터치 패널 및 터치 패널의 제조 방법 | |
| KR102520103B1 (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |