KR20230070782A - 반도체 제조용 pvd 챔버 테스트 시스템 및 그의 테스트 방법 - Google Patents

반도체 제조용 pvd 챔버 테스트 시스템 및 그의 테스트 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 의한 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템은 테스트 하고자 하는 반도체 제조용 PVD 챔버에 연결되는 테스트 지그와 상기 테스트 지그에 연결된 테스트 컨트롤러와 상기 테스트 컨트롤러에 연결된 테스트 PC와 상기 테스트 PC에 설치된 테스트 프로그램을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템 및 그의 테스트 방법{PVD chamber test system for semiconductor manufacturing and test method}
본 발명은 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템 및 그의 테스트 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 PVD 장치 제조사의 운영체제 프로그램을 사용하지 않고, 산업현장의 범용 산업용 장비와 호환되도록 일반적인 운영체제 프로그램인 WINDOW체제를 사용하여 PVD 챔버에 지그를 연결한 후, PVD 챔버를 테스트 하여 PVD 챔버를 점검, 정비, 및 수리를 할 수 있기 위한 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템 및 그의 테스트 방법이다.
반도체 제조용 PVD 챔버는 반도체 제조공정을 원활하게 실시하기 위해 정밀하고 신속하게 구동되어야 하지만, 장기간 사용시 부품의 고장으로 부정확한 동작을 할 수 있기에 점검, 정비, 및 수리가 필수적이다.
그러나, 종래의 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템은 PVD 장치의 제조사 각각이 자체적인 운영체제 프로그램을 사용하여 로봇의 점검, 정비, 및 수리시 프로그램이 산업현장의 범용 산업용 장비와 호환되지 않아 어려움이 발생하는 문제점이 있다.
KR 10-0875356 B1 2008.12.22 KR 10-1968691 B1 2019.04.12
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로,
본 발명의 목적은 PVD 장치 제조사의 운영체제 프로그램을 사용하지 않고, 산업현장의 범용 산업용 장비와 호환되도록 일반적인 운영체제 프로그램인 WINDOW체제를 사용하여 PVD 챔버에 지그를 연결한 후, PVD 챔버를 테스트 하여 PVD 챔버를 점검, 정비, 및 수리를 할 수 있기 위한 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템 및 그의 테스트 방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 기술적인 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에 의한 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템은 테스트 하고자 하는 반도체 제조용 PVD 챔버에 연결되는 테스트 지그와 상기 테스트 지그에 연결된 테스트 컨트롤러와 상기 테스트 컨트롤러에 연결된 테스트 PC와 상기 테스트 PC에 설치된 테스트 프로그램을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 바람직하게는 상기 테스트 지그는 상기 PVD 챔버를 테스트할 수 있도록 상기 PVD 챔버와 연결되는 지그 몸체와 상기 PVD 챔버를 테스트할 수 있도록 설치되는 테스트 웨이퍼와 상기 테스트 웨이퍼를 상기 PVD 챔버에 삽입, 및 제거할 수 있도록 설치되는 웨이퍼 이송부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 바람직하게는 상기 지그 몸체는 상기 PVD 챔버 내부의 10-9 Torr의 압력을 측정할 수 있도록 설치되는 제1 센서와 상기 PVD 챔버 내부의 온도를 측정할 수 있도록 설치되는 제2 센서와 상기 PVD 챔버의 일측에 설치된 슬릿 밸브의 변위를 측정하는 제3 센서와 상기 PVD 챔버의 내부에 설치된 자석 회전부의 회전을 측정하는 제4 센서를 포함하여 구성되고, 상기 테스트 웨이퍼는 상기 테스트 웨이퍼의 수직방향 변위를 측정할 수 있도록 상기 테스트 웨이퍼 내부에 설치되는 제5 센서와 상기 테스트 웨이퍼에 작용하는 자기장을 측정할 수 있도록 상기 테스트 웨이퍼 내부에 설치되는 제6 센서를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 바람직하게는 상기 테스트 컨트롤러는 상기 PVD 챔버와 상기 웨이퍼 이송부의 구동을 제어하는 모션 보드와 상기 제1 센서 내지 상기 제6 센서를 디지털 입출력 제어하는 DIO(Digital I/O) 보드와 상기 제1 센서 내지 상기 제6 센서를 아날로그 입출력 제어하는 AIO(Analog I/O) 보드를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 바람직하게는 상기 테스트 PC는 상기 테스트 PC에 저장되어 상기 테스트 컨트롤러를 제어하고 상기 테스트 컨트롤러에서 수집한 상기 제1 센서 내지 상기 제6 센서 각각의 센싱 데이터를 전달 받는 테스트 프로그램과 상기 테스트 프로그램의 컨텐츠를 영상 데이터로 출력하는 화면 출력부를 포함하여 구성되고, 상기 테스트 프로그램은 작업자가 로그인 하는 LOGIN 화면과 작업 이미지 표시부, 작업 상태 표시부, 및 이벤트 표시부를 포함하여 구성되는 MAIN 화면과 테스트 진행횟수 표시부, 및 테스트 단계 설정부를 포함하여 구성되는 RECIPE 화면과 개별 설정부, 위치 설정부를 포함하여 구성되는 CONFIG 화면을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 바람직하게는 상기 테스트 프로그램은 상기 제1 센서 내지 상기 제6 센서 각각의 센싱 데이터가 정상 수치에서 1%의 오차가 발생할 때 상기 제1 센서 내지 상기 제6 센서는 각각 정비 신호를 발생하고, 상기 제1 센서의 정비 신호에 2의 가중치를 부여하고, 상기 제2 센서의 정비 신호에 2의 가중치를 부여하고, 상기 제3 센서의 정비 신호에 1의 가중치를 부여하고, 상기 제4 센서의 정비 신호에 1의 가중치를 부여하고, 상기 제5 센서의 정비 신호에 4의 가중치를 부여하고, 상기 제6 센서의 정비 신호에 3의 가중치를 부여하여 가중치의 총합이 10 이상인 경우 정비 상기 이벤트 표시부에 정비 알람을 출력하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 의한 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 테스트 방법은 테스트할 PVD 챔버에 상기 테스트 지그의 지그 몸체를 연결하는 제1 단계와 상기 지그 몸체의 제1 센서 내지 제4 센서를 상기 PVD 챔버에 설치하는 제2 단계와 상기 PVD 챔버의 슬릿 밸브에 웨이퍼 이송부를 설치하는 제3 단계와 상기 웨이퍼 이송부에 제5 센서, 및 제6 센서를 포함하는 테스트 웨이퍼를 장착하는 제4 단계와 상기 테스트 지그를 상기 테스트 컨트롤러에 연결하고, 상기 테스트 컨트롤러를 상기 테스트 PC에 연결하는 제5 단계와 상기 테스트 PC에 설치된 테스트 프로그램을 실행하고 상기 테스트 프로그램의 LOGIN 화면에서 작업자의 ID와 P/W를 입력하여 로그인 하는 제6 단계와 RECIPE 화면의 테스트 진행횟수 표시부에 진행할 테스트의 진행횟수를 입력하는 제7 단계와 상기 RECIPE 화면의 테스트 단계 설정부에서 상기 PVD 챔버가 PVD 공정에서 작동하는 것과 동일하게 상기 PVD 챔버와 상기 테스트 지그 각각의 작동을 설정하는 제8 단계와 CONFIG 화면의 개별 설정부에서 상기 PVD 챔버, 상기 테스트 지그, 상기 제1 센서 내지 상기 제6 센서 각각의 작동 범위를 설정하는 제9 단계와 상기 CONFIG 화면의 위치 설정부에서 상기 PVD 챔버, 상기 테스트 지그, 상기 제1 센서 내지 상기 제6 센서 각각의 위치 좌표를 설정하는 제10 단계와 상기 테스트 프로그램의 MAIN 화면의 작업 이미지 표시부와 작업 상태 표시부를 통해 상기 제7 단계 내지 상기 제10 단계에서 설정한 값으로 테스트를 진행하는 제11 단계와 상기 MAIN 화면의 이벤트 표시부를 통해 진행한 테스트에서 발생한 이벤트와 테스트의 결과를 확인 하는 제12 단계인 것을 특징으로 한다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템 및 그의 테스트 방법에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
PVD 장치 제조사의 운영체제 프로그램을 사용하지 않고, 산업현장의 범용 산업용 장비와 호환되도록 일반적인 운영체제 프로그램인 WINDOW 체제를 사용하여 PVD 챔버에 지그를 연결한 후, PVD 챔버를 테스트 하여 PVD 챔버를 점검, 정비, 및 수리를 할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 PVD 챔버를 도시한 평면도.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 PVD 챔버를 도시한 사시도.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 PVD 챔버를 도시한 상세도.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템을 도시한 블록도.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 MAIN 화면을 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 RECIPE 화면을 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 CONFIG 화면을 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 테스트 방법을 도시한 흐름도.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
그러나, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예에 불과한 것으로 이에 의해 본 발명의 권리범위가 축소되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 PVD 챔버를 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 PVD 챔버를 도시한 사시이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 PVD 챔버를 도시한 상세도이이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템을 도시한 블록도이다.
도 1 내지 도 4을 참조하면, 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템은 테스트 지그(200), 테스트 컨트롤러(300), 테스트 PC(400), 및 테스트 프로그램(500)을 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 상기 테스트 지그(200)는 PVD 챔버(100)를 테스트할 수 있도록 상기 PVD 챔버(100)에 연결되는 지그 몸체(210), 상기 PVD 챔버(100)를 테스트할 수 있도록 설치되는 테스트 웨이퍼(220), 및 상기 테스트 웨이퍼(220)를 상기 PVD 챔버(100)에 삽입, 및 제거할 수 있도록 설치되는 웨이퍼 이송부(230)를 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 PVD 챔버(100)는 상기 PVD 챔버(100)의 일측에 설치되어 웨이퍼가 통과될 수 있는 슬릿 밸브(110)와 상기 PVD 챔버(100)의 내부에 설치되어 PVD 공정에서 자기장을 발생하는 자석 회전부(120)를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 지그 몸체(210)는 상기 PVD 챔버(100) 내부의 10-9 Torr의 압력을 측정할 수 있도록 설치되는 제1 센서(211), 상기 PVD 챔버(100)내부의 온도를 측정할 수 있도록 설치되는 제2 센서(212), 상기 PVD 챔버(100)의 일측에 설치된 슬릿 밸브(110)의 변위를 측정하는 제3 센서(213), 및 상기 PVD 챔버(100)의 내부에 설치된 자석 회전부(120)의 회전을 측정하는 제4 센서(214)를 포함하여 구성될 수 있다.
그리고, 상기 테스트 웨이퍼(220)는 상기 테스트 웨이퍼(220)의 수직방향 변위를 측정할 수 있도록 상기 테스트 웨이퍼(220) 내부에 설치되는 제5 센서(221), 및 상기 테스트 웨이퍼(220)에 작용하는 자기장을 측정할 수 있도록 상기 테스트 웨이퍼(220) 내부에 설치되는 제6 센서(222)를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 테스트 컨트롤러(300)는 상기 PVD 챔버(100)와 상기 웨이퍼 이송부(230)의 구동을 제어하는 모션 보드(310), 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222)를 디지털 입출력 제어하는 DIO(Digital I/O) 보드(320), 및 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222)를 아날로그 입출력 제어하는 AIO(Analog I/O) 보드(330)를 포함하여 구성될 수 있다.
그리고, 상기 테스트 PC(400)는 상기 테스트 PC(400)에 저장되어 상기 테스트 컨트롤러(300)를 제어하고 상기 테스트 컨트롤러(300)에서 수집한 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222) 각각의 센싱 데이터를 전달 받는 테스트 프로그램(500), 및 상기 테스트 프로그램(500)의 컨텐츠를 영상 데이터로 출력하는 화면 출력부(410)를 포함하여 구성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 MAIN 화면을 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 RECIPE 화면을 도시한 도면이고, 도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 CONFIG 화면을 도시한 도면이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 상기 테스트 프로그램(500)은 작업자가 로그인 하는 LOGIN 화면(미도시)과 작업 이미지 표시부(511), 작업 상태 표시부(512), 및 이벤트 표시부(513)를 포함하여 구성되는 MAIN 화면(510)과 테스트 진행횟수 표시부(521), 및 테스트 단계 설정부(522)를 포함하여 구성되는 RECIPE 화면(520)과 개별 설정부(531), 및 위치 설정부(532)를 포함하여 구성되는 CONFIG 화면(530)을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 PVD 챔버(100)의 정비가 필요한 경우 상기 테스트 프로그램(500)의 상기 이벤트 표시부(513)에 정비 알람이 출력될 수 있다.
이때, 고정밀 작업을 필요로 하는 상기 PVD 챔버(100)의 상기 정비 알람은 정확도가 높아야 한다.
실험예 1: 가중치 설정에 따른 정비 알람의 정확도
일반적으로 반도체 장비 테스트 시스템에서 사용되는 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222)를 사용하여 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222) 각각의 센싱 데이터가 정상 수치에서 1% 오차가 발생할 때 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222)는 각각 정비 신호를 발생하고 이때 발생한 정비 신호 각각에 가중치를 부여하여 상기 PVD 챔버(100)의 상기 정비 알람의 정확도를 100회 측정하였다.
가중치 설정에 따른 가중치 합이 10 일 때 발생하는 누출 신호의 정확도
제1 센서 제2 센서 제3 센서 제4 센서 제5 센서 제6 센서 정확도 %
실시예1 2 2 2 2 2 2 91
실시예2 3 3 3 3 3 3 92
실시예3 2 2 2 2 4 4 93
실시예4 2 2 4 4 2 2 93
실시예5 2 2 3 3 4 3 93
실시예6 2 2 1 1 4 3 99
실시예7 3 3 2 2 3 3 92
따라서, 본 발명에 의한 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 상기 테스트 프로그램(500)은 실시예 6과 같이 상기 제1 센서(211)의 정비 신호에 2의 가중치를 부여하고, 상기 제2 센서(212)의 정비 신호에 2의 가중치를 부여하고, 상기 제3 센서(213)의 정비 신호에 1의 가중치를 부여하고, 상기 제4 센서(214)의 정비 신호에 1의 가중치를 부여하고, 상기 제5 센서(221)의 정비 신호에 4의 가중치를 부여하고, 상기 제6 센서(222)의 정비 신호에 3의 가중치를 부여하여 가중치의 총합이 10 이상인 경우 정비 상기 이벤트 표시부(513)에 정비 알람을 출력하는 것이 바람직 하다.
도 8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 테스트 방법을 도시한 흐름도이다.
도 8을 참조하면, 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 테스트 방법은 테스트할 PVD 챔버(100)에 상기 테스트 지그(200)의 지그 몸체(210)를 연결하는 제1 단계(S100), 상기 지그 몸체(210)의 제1 센서(211) 내지 제4 센서(214)를 상기 PVD 챔버(100)에 설치하는 제2 단계(S200), 상기 PVD 챔버(100)의 슬릿 밸브(110)에 웨이퍼 이송부(230)를 설치하는 제3 단계(S300), 상기 웨이퍼 이송부(230)에 제5 센서(221), 및 제6 센서(222)를 포함하는 테스트 웨이퍼(220)를 장착하는 제4 단계(S400), 상기 테스트 지그(200)를 상기 테스트 컨트롤러(300)에 연결하고, 상기 테스트 컨트롤러(300)를 상기 테스트 PC(400)에 연결하는 제5 단계(S500), 상기 테스트 PC(400)에 설치된 테스트 프로그램(500)을 실행하고 상기 테스트 프로그램(500)의 LOGIN 화면(미도시)에서 작업자의 ID와 P/W를 입력하여 로그인 하는 제6 단계(S600), RECIPE 화면(520)의 테스트 진행횟수 표시부(521)에 진행할 테스트의 진행횟수를 입력하는 제7 단계(S700), 상기 RECIPE 화면(520)의 테스트 단계 설정부(522)에서 상기 PVD 챔버(100)가 PVD 공정에서 작동하는 것과 동일하게 상기 PVD 챔버(100)와 상기 테스트 지그(200) 각각의 작동을 설정하는 제8 단계(S800), CONFIG 화면(530)의 개별 설정부(530)에서 상기 PVD 챔버(100), 상기 테스트 지그(200), 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222) 각각의 작동 범위를 설정하는 제9 단계(S900), 상기 CONFIG 화면(530)의 위치 설정부(532)에서 상기 PVD 챔버(100), 상기 테스트 지그(200), 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222) 각각의 위치 좌표를 설정하는 제10 단계(S1000), 상기 테스트 프로그램(500)의 MAIN 화면(510)의 작업 이미지 표시부(511)와 작업 상태 표시부(512)를 통해 상기 제7 단계(S700) 내지 상기 제10 단계(S1000)에서 설정한 값으로 테스트를 진행하는 제11 단계(S1100), 및 상기 MAIN 화면(510)의 이벤트 표시부(513)를 통해 진행한 테스트에서 발생한 이벤트와 테스트의 결과를 확인 하는 제12 단계(S1200)를 포함할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템 및 그의 테스트 방법을 주요한 기술적 사상으로 하고 있으며, 도면을 참고하여 상술한 실시예는 단지 하나의 실시예에 불과하고, 본 발명의 진정한 권리 범위는 특허 청구범위를 기준으로 하되, 다양하게 존재할 수 있는 균등한 실시예에도 미친다 할 것이다.
100: PVD 챔버 100_1: 제1 PVD 챔버
100_2: 제2 PVD 챔버 100_3: 제3 PVD 챔버
100_4: 제4 PVD 챔버 110: 슬릿 밸브
120: 자석 회전부 200: 테스트 지그
210: 지그 몸체 211: 제1 센서
212: 제2 센서 213: 제3 센서
214: 제4 센서 220: 테스트 웨이퍼
221: 제5 센서 222: 제6 센서
230: 웨이퍼 이송부 300: 테스트 컨트롤러
310: 모션 보드 320: DIO 보드
330: AIO 보드 400: 테스트 PC
410: 화면 출력부 500: 테스트 프로그램
510: MAIN 화면 511: 작업 이미지 표시부
512: 작업 상태 표시부 513: 이벤트 표시부
520: RECIPE 화면 521: 테스트 진행횟수 표시부
522: 테스트 단계 설정부 530: CONFIG 화면
531: 개별 설정부 532: 위치 설정부

Claims (7)

  1. 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템에 있어서,
    테스트 하고자 하는 반도체 제조용 PVD 챔버(100)에 연결되는 테스트 지그(200);
    상기 테스트 지그(200)에 연결된 테스트 컨트롤러(300);
    상기 테스트 컨트롤러(300)에 연결된 테스트 PC(400); 및
    상기 테스트 PC(400)에 설치된 테스트 프로그램(500)을 포함하여 구성되는 것을
    특징으로 하는 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 테스트 지그(200)는
    상기 PVD 챔버(100)를 테스트할 수 있도록 상기 PVD 챔버(100)와 연결되는 지그 몸체(210);
    상기 PVD 챔버(100)를 테스트할 수 있도록 설치되는 테스트 웨이퍼(220); 및
    상기 테스트 웨이퍼(220)를 상기 PVD 챔버(100)에 삽입, 및 제거할 수 있도록 설치되는 웨이퍼 이송부(230)를 포함하여 구성되는 것을
    특징으로 하는 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 지그 몸체(210)는
    상기 PVD 챔버(100) 내부의 10-9 Torr의 압력을 측정할 수 있도록 설치되는 제1 센서(211);
    상기 PVD 챔버(100) 내부의 온도를 측정할 수 있도록 설치되는 제2 센서(212);
    상기 PVD 챔버(100)의 일측에 설치된 슬릿 밸브(110)의 변위를 측정하는 제3 센서(213); 및
    상기 PVD 챔버(100)의 내부에 설치된 자석 회전부(120)의 회전을 측정하는 제4 센서(214)를 포함하여 구성되고,
    상기 테스트 웨이퍼(220)는
    상기 테스트 웨이퍼(220)의 수직방향 변위를 측정할 수 있도록 상기 테스트 웨이퍼(220) 내부에 설치되는 제5 센서(221); 및
    상기 테스트 웨이퍼(220)에 작용하는 자기장을 측정할 수 있도록 상기 테스트 웨이퍼(220) 내부에 설치되는 제6 센서(222)를 포함하여 구성되는 것을
    특징으로 하는 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 테스트 컨트롤러(300)는
    상기 PVD 챔버(100)와 상기 웨이퍼 이송부(230)의 구동을 제어하는 모션 보드(310);
    상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222)를 디지털 입출력 제어하는 DIO(Digital I/O) 보드(320); 및
    상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222)를 아날로그 입출력 제어하는 AIO(Analog I/O) 보드(330)를 포함하여 구성되는 것을
    특징으로 하는 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 테스트 PC(400)는
    상기 테스트 PC(400)에 저장되어 상기 테스트 컨트롤러(300)를 제어하고 상기 테스트 컨트롤러(300)에서 수집한 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222) 각각의 센싱 데이터를 전달받는 테스트 프로그램(500); 및
    상기 테스트 프로그램(500)의 컨텐츠를 영상 데이터로 출력하는 화면 출력부(410)를 포함하여 구성되고,
    상기 테스트 프로그램(500)은
    작업자가 로그인하는 LOGIN 화면;
    작업 이미지 표시부(511), 작업 상태 표시부(512), 및 이벤트 표시부(513)를 포함하여 구성되는 MAIN 화면(510);
    테스트 진행횟수 표시부(521), 및 테스트 단계 설정부(522)를 포함하여 구성되는 RECIPE 화면(520);
    개별 설정부(531), 및 위치 설정부(532)를 포함하여 구성되는 CONFIG 화면(530)을 포함하여 구성되는 것을
    특징으로 하는 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 테스트 프로그램(500)은
    상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222) 각각의 센싱 데이터가 정상 수치에서 1%의 오차가 발생할 때 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222)는 각각 정비 신호를 발생하고, 상기 제1 센서(211)의 정비 신호에 2의 가중치를 부여하고, 상기 제2 센서(212)의 정비 신호에 2의 가중치를 부여하고, 상기 제3 센서(213)의 정비 신호에 1의 가중치를 부여하고, 상기 제4 센서(214)의 정비 신호에 1의 가중치를 부여하고, 상기 제5 센서(221)의 정비 신호에 4의 가중치를 부여하고, 상기 제6 센서(222)의 정비 신호에 3의 가중치를 부여하여 가중치의 총합이 10 이상인 경우 상기 이벤트 표시부(513)에 정비 알람을 출력하는 것을
    특징으로 하는 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템.
  7. 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 테스트 방법에 있어서,
    테스트할 PVD 챔버(100)에 상기 테스트 지그(200)의 지그 몸체(210)를 연결하는 제1 단계(S100);
    상기 지그 몸체(210)의 제1 센서(211) 내지 제4 센서(214)를 상기 PVD 챔버(100)에 설치하는 제2 단계(S200);
    상기 PVD 챔버(100)의 슬릿 밸브(110)에 웨이퍼 이송부(230)를 설치하는 제3 단계(S300);
    상기 웨이퍼 이송부(230)에 제5 센서(221), 및 제6 센서(222)를 포함하는 테스트 웨이퍼(220)를 장착하는 제4 단계(S400);
    상기 테스트 지그(200)를 상기 테스트 컨트롤러(300)에 연결하고, 상기 테스트 컨트롤러(300)를 상기 테스트 PC(400)에 연결하는 제5 단계(S500);
    상기 테스트 PC(400)에 설치된 테스트 프로그램(500)을 실행하고 상기 테스트 프로그램(500)의 LOGIN 화면(미도시)에서 작업자의 ID와 P/W를 입력하여 로그인 하는 제6 단계(S600);
    RECIPE 화면(520)의 테스트 진행횟수 표시부(521)에 진행할 테스트의 진행횟수를 입력하는 제7 단계(S700);
    상기 RECIPE 화면(520)의 테스트 단계 설정부(522)에서 상기 PVD 챔버(100)가 PVD 공정에서 작동하는 것과 동일하게 상기 PVD 챔버(100)와 상기 테스트 지그(200) 각각의 작동을 설정하는 제8 단계(S800);
    CONFIG 화면(530)의 개별 설정부(530)에서 상기 PVD 챔버(100), 상기 테스트 지그(200), 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222) 각각의 작동 범위를 설정하는 제9 단계(S900);
    상기 CONFIG 화면(530)의 위치 설정부(532)에서 상기 PVD 챔버(100), 상기 테스트 지그(200), 상기 제1 센서(211) 내지 상기 제6 센서(222) 각각의 위치 좌표를 설정하는 제10 단계(S1000);
    상기 테스트 프로그램(500)의 MAIN 화면(510)의 작업 이미지 표시부(511)와 작업 상태 표시부(512)를 통해 상기 제7 단계(S700) 내지 상기 제10 단계(S1000)에서 설정한 값으로 테스트를 진행하는 제11 단계(S1100); 및
    상기 MAIN 화면(510)의 이벤트 표시부(513)를 통해 진행한 테스트에서 발생한 이벤트와 테스트의 결과를 확인 하는 제12 단계(S1200)인 것을
    특징으로 하는 반도체 제조용 PVD 챔버 테스트 시스템의 테스트 방법.
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060135926A (ko) * 2004-04-29 2006-12-29 센스어레이 코포레이션 집적 프로세스 상태 감지 웨이퍼 및 데이터 분석 시스템
KR100875356B1 (ko) 2007-07-05 2008-12-22 주식회사 동부하이텍 Pvd 공정 챔버 시스템
KR20140077026A (ko) * 2012-12-13 2014-06-23 삼성디스플레이 주식회사 증착율 측정센서의 교체 기구가 개선된 증착 장치 및 그것을 이용한 증착율 측정센서의 교체 방법
KR20180082185A (ko) * 2017-01-10 2018-07-18 명지대학교 산학협력단 종료점 검출 방법 및 그 장치
KR20190011617A (ko) * 2017-07-25 2019-02-07 (주)제이디 센서 장착 웨이퍼 및 그의 보관 장치
KR101968691B1 (ko) 2009-04-03 2019-04-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Pvd 챔버용 스퍼터링 타겟
KR20190076100A (ko) * 2017-12-22 2019-07-02 (주)에스엔텍 공정시작조건 검출이 가능한 센서 장착 웨이퍼와 그를 위한 장치
KR20200036631A (ko) * 2018-09-28 2020-04-07 세메스 주식회사 반도체 제조 설비 진단 시스템과 방법, 및 테스트용 웨이퍼
KR20210032623A (ko) * 2019-09-17 2021-03-25 (주)제이디 센서 장착 웨이퍼의 보관 및 정보 수집 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060135926A (ko) * 2004-04-29 2006-12-29 센스어레이 코포레이션 집적 프로세스 상태 감지 웨이퍼 및 데이터 분석 시스템
KR100875356B1 (ko) 2007-07-05 2008-12-22 주식회사 동부하이텍 Pvd 공정 챔버 시스템
KR101968691B1 (ko) 2009-04-03 2019-04-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Pvd 챔버용 스퍼터링 타겟
KR20140077026A (ko) * 2012-12-13 2014-06-23 삼성디스플레이 주식회사 증착율 측정센서의 교체 기구가 개선된 증착 장치 및 그것을 이용한 증착율 측정센서의 교체 방법
KR20180082185A (ko) * 2017-01-10 2018-07-18 명지대학교 산학협력단 종료점 검출 방법 및 그 장치
KR20190011617A (ko) * 2017-07-25 2019-02-07 (주)제이디 센서 장착 웨이퍼 및 그의 보관 장치
KR20190076100A (ko) * 2017-12-22 2019-07-02 (주)에스엔텍 공정시작조건 검출이 가능한 센서 장착 웨이퍼와 그를 위한 장치
KR20200036631A (ko) * 2018-09-28 2020-04-07 세메스 주식회사 반도체 제조 설비 진단 시스템과 방법, 및 테스트용 웨이퍼
KR20210032623A (ko) * 2019-09-17 2021-03-25 (주)제이디 센서 장착 웨이퍼의 보관 및 정보 수집 장치

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