KR20230066571A - Pecvd용 워크피스 홀더, 시스템 및 작동 방법 - Google Patents

Pecvd용 워크피스 홀더, 시스템 및 작동 방법 Download PDF

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KR20230066571A
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옌스-우베 후크스
미르코 트뢸러
랄프 라이제
롤란트 라이히틀러
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센트로테에름 인터내셔널 아게
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Abstract

본 발명은 플라즈마-강화 화학 기상 증착 시스템(50)용 워크피스 홀더(1), 이러한 종류의 시스템(50) 및 이러한 종류의 시스템(50)을 위한 작동 방법(100)에 관한 것이다. 상기 워크피스 홀더(1)는 상기 워크피스 홀더(1)를 둘러싸는 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하도록 설계된다. 본 발명에 따르면, 상기 워크피스 홀더(1)는 또한 기상 증착을 위해 예상되는 공정 온도로 상기 워크피스 홀더(1)의 주변을 가열하도록 설계된다.

Description

PECVD용 워크피스 홀더, 시스템 및 작동 방법
본 발명은 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템용 워크피스 홀더(workpiece holder), 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템, 및 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템의 작동 방법에 관한 것이다.
화학 기상 증착(CVD) 방법은 기판을 코팅하는 것으로 알려져 있다. 증착될 물질을 포함하는 적어도 하나의 가스가 제공된다. 상기 물질은 예를 들어 온도에 의해 구동 가능한 화학 반응을 실행하여 기판에 증착된다. 예를 들어, 화학 기상 증착의 도움으로, 마이크로 전자 부품 또는 광섬유를 생산할 수 있다.
증착 속도는 가스에서 플라즈마를 여기함으로써 더욱 증가될 수 있다. 또한, 증착 반응은 이미 이러한 방식으로 더 낮은 온도에서 효과적으로 구동될 수 있다. 이러한 화학 기상 증착의 변형은 일반적으로 플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD)이라고 한다.
필요한 공정 온도에 도달하기 위해, 예를 들어 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 고정하기 위한 워크피스 홀더는, 일반적으로 가열 가능한 벽을 갖는 반응 챔버에 삽입된다. 이러한 반응 챔버는 때때로 고온 벽 반응기라고도 한다. 가열은 일반적으로 공정 챔버 벽 상에 또는 벽에 설치된 저항 가열 요소를 통해 발생한다. 설명된 유형의 워크피스 홀더를 종종 보트(boat)라고 한다.
본 발명의 목적은 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 추가로 개선하는 것, 특히 이의 효율을 증가시키는 것이다.
이러한 목적은 독립항에 따른 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템용 워크피스 홀더, 이러한 워크피스 홀더를 갖는 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템, 및 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템의 작동 방법에 의해 달성된다.
바람직한 개선들은 각각의 종속적인 종속항의 요지이다.
플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템용의 본 발명의 제1 양태에 따른 워크피스 홀더는 상기 워크피스 홀더를 둘러싸는 공정 가스(process gas)로부터 플라즈마를 생성하도록 구성된다. 본 발명에 따르면, 상기 워크피스 홀더는 또한 기상 증착을 위해 제공되는 공정 온도로 상기 워크피스 홀더의 주변을 가열하도록 구성된다.
본 발명의 일 양태는 가스 상으로부터 적어도 하나의 물질을, 바람직하게 배타적으로 워크피스 홀더에 의해 증착하기 위해 제공되는 공정 온도를 설정하는 접근법에 기초한다. 상기 워크피스 홀더는 상기 워크피스 홀더의 주변, 예를 들어 상기 워크피스 홀더를 둘러싸는 공정 가스 및/또는 상기 워크피스 홀더에 의해 유지되는 워크피스를 공정 온도로 가열하도록 편리하게 구성된다. 상기 워크피스 홀더는 특히 예를 들어 다수의 가열 저항기(heating resistor) 형태의 가열 요소를 가질 수 있고, 따라서 가열 유닛으로서 작동되도록 구성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 가열 요소 또는 가열 카트리지의 형태로, PECVD 설비의 공정 챔버를 위한 공정 챔버의 영역에 배치되는 별도의 가열 시스템이 생략될 수 있다. 따라서 PECVD 설비는 더 간단하게 설계될 수 있고, 예를 들어 더욱 비용 효율적으로 생산될 수 있다.
또한, 설치 공간을 절약할 수 있으며 결과적으로 공정 챔버에서 워크피스 홀더를 가열 유닛으로 작동하기 때문에 PECVD 설비를 더 작게 설계될 수 있다. 결과적으로, 가열될 부피와 가열될 질량이 감소될 수 있다. 이를 통해 동일한 가열 전력에서 공정 온도에 도달하는 데 필요한 시간을 단축시킬 수 있다. 상응하는 PECVD 설비를 통한 처리량(throughput)이 차례로 증가될 수 있다.
상기 워크피스 홀더는 바람직하게 이의 주변을 가열하는 것 외에도, 상기 워크피스 홀더를 둘러싸는 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하도록 구성된다. 본 발명의 의미 내에서 공정 가스의 개념은 또한 다양한 공정 가스의 혼합물로서 이해되어야 한다. 언급된 목적을 위해, 상기 워크피스 홀더는 예를 들어 고주파 전기 AC 전압이 인가될 수 있는 병렬로 배치되는 다수 전극 형태의 전극 어셈블리를 가질 수 있다. 플라즈마 생성을 위해, 전극의 극성은 1 kHz 이상의 주파수, 예를 들어 약 40 kHz에서 변경될 수 있다. 상기 워크피스 홀더는 특히 바람직하게 전극 어셈블리의 도움으로, 즉 다수 전극의 도움으로 이의 주변을 가열하도록 구성된다.
따라서 상기 워크피스 홀더는 단 하나의 부품을 사용하여, 즉 예를 들어 상기 전극 어셈블리를 사용하여 플라즈마를 생성시키고 이의 주변을 가열하도록 유리하게 구성될 수 있다. 이는 워크피스 홀더의 부품 또는 어셈블리를 특히 효율적으로 사용할 수 있게 한다.
예를 들어, 상기 워크피스 홀더는 바람직하게 고주파 전기 AC 전압이 상기 워크피스 홀더에 인가될 때, 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하도록 제1 작동 모드(operation mode)로 구성될 수 있다. 상기 고주파 전기 AC 전압은 특히 이러한 목적을 위해 다수 전극에 적용될 수 있다. 또한, 상기 워크피스 홀더는 바람직하게 상기 워크피스 홀더에 저주파 AC 전압이 인가될 때 이의 주변을 공정 온도로 가열하기 위해 제2 작동 모드로 구성될 수 있다. 이러한 경우, 다수 전극의 극성은 1 kHz 미만, 예를 들어 50 Hz에서 변경될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태들 및 이의 개선은 이하에 설명되며, 이는 명시적으로 배제되지 않는 한, 각각은 서로 그리고 이하에 설명되는 본 발명의 양태와 조합될 수 있다.
바람직한 일 실시형태에서, 상기 워크피스 홀더, 특히 전극 어셈블리는 전기 가열 전류를 전도하도록 구성된다. 이러한 경우 가열 전류는 바람직하게 1 kHz 미만의 주파수, 예를 들어 50 Hz의 교류 전류일 수 있다. 바람직한 방식으로, 가열 전류는 90 A 이상, 예를 들어 120 A의 유효 암페어를 갖는다. 상기 워크피스 홀더는 편의상 이러한 목적을 위해 적어도 하나의 가열 회로를 포함한다. 상기 가열 회로는 예를 들어 상기 전극 어셈블리의 적어도 일부를 포함할 수 있으며, 즉 상기 전극 어셈블리의 적어도 일부로부터 적어도 부분적으로 형성될 수 있다. 특히, 상기 적어도 하나의 가열 회로는 상기 전극 어셈블리의 전극으로부터의 전극 그룹을 포함할 수 있다. 따라서 상기 워크피스 홀더 주변의 가열을 정밀하게 제어될 수 있다.
예를 들어, 상기 워크피스 홀더의 전극 어셈블리는 상기 워크피스 홀더에 145 V(유효 전압)의 저주파 AC 전압을 인가하면 전기 교류 전류가 상기 전극 어셈블리를 통해 가열 전류로 흐르도록 설계될 수 있다. 특히, 상기 전극 어셈블리의 다수의 전극은 저주파 AC 전압을 인가함으로써, 플라즈마가 동시에 점화되지 않고 전극의 가열이 일어나는 방식으로 상호 연결될 수 있다. 따라서 상기 전극 어셈블리는 플라즈마 생성을 위한 통상적인 방식으로 사용될 뿐만 아니라, 공정 온도에 도달하기 위해 사용될 수 있다. 따라서 전극 어셈블리는 특히 효율적으로 사용될 수 있고 상기 워크피스 홀더는 특히 적은 수의 부품으로 구현될 수 있으므로 비용 효율적으로 구현될 수 있다.
반대로, 기존의 워크피스 홀더는 가열 전류를 전도하는 데 적합하지 않다. 예를 들어, 전극 어셈블리를 통해 흐르는 저주파 교류 전류는 전극이 단지 리액턴스(reactance)로 작용하기 때문에, 전극을 가열하지 않을 것이다.
추가 바람직한 실시형태에서, 상기 워크피스 홀더는 특히 병렬로 다수의 회로에서 전기 교류 전류를 전도하도록 구성된다. 즉, 상기 워크피스 홀더는 다수, 즉 적어도 두개의 회로를 갖는다. 상기 회로는 편리하게 서로 분리된다. 각각의 회로는 여기에서 개별적으로 작동 가능한 가열 회로를 형성할 수 있다. 따라서 상기 회로는 가열 회로라고도 할 수 있다. 상기 회로는 바람직하게 상기 전극 어셈블리의 적어도 일부에 의해, 바람직하게 상이한 전극 그룹에 의해 적어도 부분적으로 형성된다. 상기 회로는 상기 워크피스 홀더를 전력 공급원(power supply), 예를 들어 PECVD 설비의 접촉 핀 형태로 대응하는 플러그 장치에 연결하기 위해 편리하게 연결 가능하도록 설계된다. 여러 회로에서 교류 전류의 전도로 인해, 공정 온도에 도달하는 데 필요한 전압 또는 전류를 더 작게 유지할 수 있다. 따라서 작동 안전의 수준을 높이는 것 외에도, 상기 워크피스 홀더의 수명도 연장시킬 수 있다. 동시에, 상기 워크피스 홀더 주변의 균일한 가열이 달성될 수 있다.
추가 바람직한 실시형태에서, 상기 워크피스 홀더는 병렬로 배치되는 다수의 전극을 가지며, 이는 전기 가열 저항기로 사용된다. 즉, 상기 전극 어셈블리의 전극은 가열 요소로 지정된 가열 저항기를 형성할 수도 있다. 상기 전극은 가열 전압 공급원에 연결되도록 편리하게 설계되었으며 제공된 저주파 교류 전류를 전극에 분배하도록 구성될 수 있다. 예를 들어 상기 워크피스 홀더의 다양한 작동 모드에서 상기 전극은 플라즈마를 생성하고 상기 워크피스를 가열하는 데 모두 사용될 수 있다.
상기 전극은 플레이트 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 따라서 특히 균일한 및/또는 대면적 열 생성이 달성될 수 있다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 다수 전극의 적어도 일부는 전기적으로 직렬로 연결된다. 따라서 효과적인 열 생성에 필요한 전기(전체) 저항을 보다 쉽게 달성할 수 있다.
상기 전극은 그룹별로 직렬로 연결될 수 있다. 즉, 여러 그룹의 전극이 제공될 수 있으며, 한 그룹의 모든 전극이 직렬로 연결된다. 바람직하게, 각각의 그룹은 서로 분리되는 상기 워크피스 홀더의 다수의 가열 회로 중 적어도 하나를 형성한다. 따라서 상기 전극은 예를 들어 다른 그룹의 전극들 사이에서 고주파 AC 전압을 인가함으로써, 적어도 부분적인 직렬 연결에도 불구하고 플라즈마를 생성하는 데 사용될 수 있다.
한 그룹의 전극은 바람직하게 서로 공간적으로 분리되어 배치된다. 한 그룹의 전극은 특히 바람직하게 다른 그룹의 전극에 의해 서로 분리된다. 즉, 한 그룹으로부터의 한 전극은 바람직하게 다른 그룹으로부터의 전극에 인접하게 배치되고; 특히 바람직하게 다른 그룹으로부터의 전극에 전적으로 인접하게 배치된다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 다수의 전극 중 인접한 전극은 서로 전기적으로 절연된다. 즉, 다수 전극 중 인접한 전극 사이에는 전기적 연결부(electric connection)가 존재하지 않는다. 따라서 인접한 전극을 다른 전위로 설정할 수 있다. 특히, 인접한 전극에 고주파 전기 AC 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
다른 바람직한 실시형태에서, 상기 워크피스 홀더는 상기 워크피스 홀더의 제1 단부에 배치되는 제1 분배기 어셈블리(distributor assembly) 및 상기 제1 단부에 대향하는 상기 워크피스 홀더의 제2 단부에 배치되는 제2 분배기 어셈블리를 갖는다. 상기 분배기 어셈블리는 상기 워크피스 홀더를 가열하거나 플라즈마를 생성하기 위해 저주파 및 고주파 전기 AC 전압을 분배하도록 구성되는 것이 바람직하다. 전기 AC 전압의 분포는 바람직하게 이러한 경우에서 다수의 병렬 가열 회로 상에 상기 워크피스 홀더에 제공되는 AC 전압의 전도이다. 이를 위해, 상기 분배기 어셈블리는 예를 들어, 전극의 해당하는 상호연결부(interconnection)를 포함할 수 있다. 상기 워크피스 홀더는 예를 들어 분배기 어셈블리를 통해 표준화된 전력 공급 장치에 쉽게 연결될 수 있다. 특히, 이러한 분배기 어셈블리를 갖는 워크피스 홀더는 필요한 경우, 즉 상기 워크피스 홀더에 의한 워크피스의 가열 없이 통상적으로 사용될 수도 있다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 2개의 분배기 어셈블리 중 적어도 하나는 전기 전도성 방식으로 병렬로 배치되는 다수 전극의 적어도 일부를 연결한다. 특히, 2개의 분배기 어셈블리 중 적어도 하나는 적어도 하나의 직렬 회로 형태로 전극의 적어도 일부를 연결할 수 있다. 이는 상기 워크피스 홀더를 전류 및/또는 전압 공급 장치에 쉽게 연결할 수 있게 한다.
다른 바람직한 실시형태에서, 상기 워크피스 홀더는 전력 연결부를 갖는다. 상기 전력 연결부는 상기 워크피스 홀더와 전기적으로 접촉하기 위한 적어도 4개의 접촉 지점(contact point)을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 접촉 지점은 바람직하게 서로 공간적으로 분리되어 배치되며, 예를 들어 상기 워크피스 홀더의 폭 및/또는 높이에 걸쳐 분포된다. 상기 접촉 지점은 여기에서 AC 전압 공급원의 극에 쌍으로 연결 가능하도록 각각 설계될 수 있다. 따라서 상기 워크피스 홀더의 적어도 두개의 가열 회로는 서로로부터 신뢰 가능하고 안전하게 별도로 공급될 수 있다.
상기 전력 연결부는 상기 워크피스 홀더의 제1 단부에 배치되는 것이 바람직하다. 상기 전력 연결부는 편의상 상기 제1 분배기 어셈블리의 부분이다. 특히, 상기 전력 연결부는 상기 제1 분배기 어셈블리에 의해 형성될 수 있다. 상기 워크피스 홀더의 제1 단부에 있는 전력 연결부의 배치로 인해, 상기 워크피스 홀더는 예를 들어 상기 워크피스 홀더를 PECVD 설비의 공정 챔버에 삽입할 때, 하나 이상의 회로에 특히 쉽게 통합될 수 있다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 상기 접촉 지점은 접촉 핀(contact pin)을 수용하기 위한 원추형 보어홀(conical borehole)을 갖는다. 때로는 전류 랜스(current lance)라고도 하는 접촉 핀은 예를 들어 PECVD 설비의 일부일 수 있고 상기 워크피스 홀더를 상기 PECVD 설비에 전기적으로 연결하기 위해 제공될 수 있다. 상기 핀은 여기서 원뿔 형상을 통해 보어홀로 쉽게 미끄러질 수 있으므로 각각의 제공된 위치로 안내될 수 있다. 이는 상기 워크피스 홀더가 상기 PECVD 설비의 공정 챔버로 삽입될 때 약간의 유격(play)이 있고 핀에 대한 상기 워크피스 홀더의 정확한 정렬이 항상 보장될 수 없는 경우에 특히 유리하다.
플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 본 발명의 제2 양태에 따른 시스템은 본 발명의 제1 양태에 따른 워크피스 홀더를 갖는다. 상기 시스템은 또한 바람직하게 공정 가스로 충전될 수 있고 상기 워크피스 홀더가 수용될 수 있는 공정 챔버를 포함한다. 또한, 상기 시스템은 상기 워크피스 홀더의 전류 또는 전압 공급 장치를 위한 적어도 하나의 전류 및/또는 전압 공급원을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 시스템은 상기 워크피스 홀더의 도움으로 상기 공정 챔버를 가열하도록 구성되는 것이 특히 바람직하다. 이러한 목적을 위해, 상기 시스템은 공정 챔버에 의해 수용된 상기 워크피스 홀더를 가열 유닛으로 작동하도록 구성될 수 있다. 이러한 시스템은 특히 별도의 가열 시스템을 제공할 필요가 없기 때문에 특히 소형이고 에너지 효율적으로 설계될 수 있다.
하나의 바람직한 실시형태에서, 상기 시스템은 먼저 상기 워크피스 홀더에 의해 유지되는 적어도 하나의 워크피스를 증기 증착을 위해 제공되는 공정 온도로 가열하기 위한 가열 유닛으로서 상기 워크피스 홀더를 작동시킨 다음 상기 워크피스 홀더를 둘러싸는 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 유닛으로서 작동하도록 구성되는 스위칭 디바이스(switching device)를 갖는다. 상기 스위칭 디바이스는 편의상 각각이 적어도 하나의 스위치로 구성된 2개의 스위치 어셈블리를 포함한다. 상기 워크피스 홀더를 플라즈마 유닛으로서 작동할 때, 2개의 스위치 어셈블리 중 제1 스위치의 적어도 하나의 스위치는 바람직하게 닫히고(closed) 2개의 스위치 어셈블리 중 제2 스위치의 적어도 하나의 스위치는 열린다(open). 따라서, 가열 유닛으로서 상기 워크피스 홀더의 작동에서, 바람직하게 상기 제1 스위치 어셈블리의 적어도 하나의 스위치는 열리고 상기 제2 스위치 어셈블리의 적어도 하나의 스위치는 닫힌다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 상기 시스템은 (i) 상기 워크피스 홀더를 플라즈마 유닛으로서 작동시키기 위한 고주파 전기 AC 전압을 제공하기 위한 플라즈마 전압 공급원 및 (ii) 상기 워크피스 홀더를 가열 유닛으로 작동하기 위한 저주파 전기 AC를 제공하기 위한 적어도 하나의 가열 전압 공급원을 갖는다. 상기 스위칭 디바이스는 상기 워크피스를 공정 온도로 가열한 후, 상기 워크피스 홀더로부터 가열 전압 공급원을 분리하고 상기 플라즈마 전압 공급원을 상기 워크피스 홀더에 연결하도록 구성되는 것이 바람직하다.
상기 스위칭 디바이스는 바람직하게 이러한 목적을 위한 제어 유닛(control unit)을 갖는다. 상기 제어 유닛은 예를 들어 2개의 스위치 어셈블리, 특히 스위치 어셈블리의 스위치를 열고 닫도록 구성될 수 있다. 상기 제어 유닛은 특히 스위칭 신호의 존재 시, 상기 워크피스 홀더로부터 상기 가열 전압 공급원을 분리하고 상기 스위치 어셈블리의 적절한 작동에 의해 플라즈마 전압 공급원을 상기 워크피스 홀더에 연결하도록 구성될 수 있다. 상기 스위칭 신호는 예를 들어, 사용자에 의해 생성되고 사용자 인터페이스를 통해 제공되는 스위칭 신호일 수 있다. 대안으로 또는 추가로, 상기 스위칭 신호는 예를 들어 상기 워크피스 홀더 또는 이의 주변의 온도가 공정 온도에 도달하거나 초과할 때, 상기 제어 유닛에 의해 생성될 수도 있다. 이를 위해, 상기 제어 유닛은 상기 워크피스 홀더 온도 또는 주변 온도를 결정하거나 적어도 추정하도록 구성되는 온도 센서에 연결될 수 있다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 상기 스위칭 디바이스는 상기 워크피스 홀더를 (i) 플라즈마 유닛으로서 작동하는 동안 플라즈마 회로에 통합하고 (ii) 가열 유닛으로서 작동하는 동안 적어도 하나의 가열 회로에 통합하도록 구성된다. 이를 위해, 상기 스위치 어셈블리는 플라즈마 전압 공급원의 제1 극을 전극에 연결하도록 구성되는 것이 바람직하며, 이는 가열 유닛으로서 상기 워크피스 홀더의 작동 동안 적어도 하나의 가열 회로의 일부이다. 상기 스위치 어셈블리는 상기 플라즈마 전압 공급원의 제2 극을 제1 가열 회로의 일부가 아니라, 바람직하게 별도의 제2 가열 회로의 일부인 전극에 연결하도록 구성되는 것이 바람직하다. 따라서 상기 전극은 두개의 서로 다른 전위가 될 수 있다.
플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템을 위한 본 발명의 제3 양태에 따른 작동 방법에서, 워크피스 홀더는 처음에 증기 증착을 위해 제공되는 공정 온도로 상기 워크피스 홀더에 의해 유지되는 적어도 하나의 워크피스를 가열하기 위한 가열 유닛으로서 작동하고, 그런 다음 상기 워크피스 홀더 주변의 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 유닛으로서 작동한다. 특히, 본 발명의 제2 양태에 따른 시스템은 이러한 작동 방법을 사용하여 유리하게 작동될 수 있다.
가열 유닛으로서 작동하는 동안, 1 kHz 미만, 예를 들어 145 V(유효 전압)의 저주파 AC 전압이 상기 워크피스 홀더에 인가되어, 90 A 이상 또는 특히 약 120 A의 유효 암페아를 갖는 교류 전류가 흐른다. 플라즈마 유닛으로서 작동하는 동안, 1 kHz 이상, 특히 약 40 kHz, 예를 들어 800 V 내지 1000 V(유효 전압)의 고주파 AC 전압이 상기 워크피스 홀더에 바람직하게 인가되어, 90 A 미만, 특히 약 75 A의 유효 암페어를 갖는 교류 전류가 흐른다.
본 발명은 이하에서 도면들에 기초하여 보다 상세하게 설명된다. 적절한 경우, 동일하게 작동하는 요소는 여기에서 동일한 참조 부호와 함께 제공된다. 본 발명은 도면들에 도시된 예시적인 실시형태들에 제한되지 않으며 기능적 특징들에 관한 것도 아니다. 위의 설명과 도면들의 다음 설명은 때때로 여러 개로 결합된 종속적인 종속항에서 재현되는 수많은 특징들을 포함한다. 상기 및 하기 도면의 설명에 개시된 이러한 특징들 및 모든 다른 특징들은 또한 당업자에 의해 개별적으로 고려될 것이며 합리적인 추가 조합을 형성하기 위해 조합될 것이다. 특히, 언급된 모든 특징들은 본 발명의 제1 양태에 따른 워크피스 홀더, 본 발명의 제2 양태에 따른 시스템, 및 본 발명의 제3 양태에 따른 작동 방법과 각각 개별적으로 그리고 임의의 적절한 조합으로 결합 가능하다.
적어도 부분적으로 개략적인 도면에서:
도 1은 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템용 워크피스 홀더의 일 실시예를 나타낸다.
도 2는 도 1의 워크피스 홀더의 제1 단부를 나타낸다.
도 3은 워크피스 홀더의 두 회로의 일 실시예를 나타낸다.
도 4는 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템의 일 실시예를 나타낸다.
도 5는 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템의 작동 방법의 일 실시예를 나타낸다.
도 1은 워크피스 홀더를 둘러싸는 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하고 증기 증착을 위해 제공되는 공정 온도로 워크피스 홀더(1)의 주변을 가열하도록 구성되는 플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD)을 위한 시스템용 워크피스 홀더(1)의 일 실시예를 나타낸다.
워크피스 홀더(1)는 바람직하게 플라즈마가 생성될 수 있고 워크피스 홀더(1)의 주변이 가열될 수 있게 도움이 되는 전극 어셈블리(2)를 갖는다. 따라서 워크피스 홀더(1)의 하나의 부품이 두 가지 기능을 가정하기 때문에, 해당하는 부품 또는 어셈블리가 PECVD 설비에서 생략될 수 있고 따라서 설비는 소형이고 비용-효율적으로 구현될 수 있다.
전극 어셈블리(2)는 바람직하게 다수의 전극(2a, 2b)을 포함하고, 명료함을 위해 그 중 두개에만 참조 부호가 제공된다. 전극(2a, 2b)은 도시된 실시예에서 서로 평행하고 길이 방향(L)으로 배치된다. 제1 작동 모드에서, 워크피스 홀더(1)는 워크피스 홀더(1) 주변을 공정 온도로 가열하기 위한 가열 유닛으로서 작동되고, 전극(2a, 2b)은 전기 가열 저항기로 사용될 수 있다. 워크피스 홀더(1)가 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위해 플라즈마 유닛으로서 작동되는 제2 작동 모드에서, 전극(2a, 2b)은 전기장, 특히 고주파수 전기 AC 필드를 생성하기 위해 사용될 수 있다.
워크피스 홀더(1)의 전극 어셈블리(2)는 바람직하게 제1 분배기 어셈블리(3a)를 통해 전류 및/또는 전압 공급원에 연결되도록 구성된다. 제1 분배기 어셈블리(3a)는 예를 들어 편의상 적어도 4개, 본 실시예에서는 워크피스 홀더(1)와 전기적으로 접촉하기 위한 6개의 접촉 지점(4)을 갖는 전력 연결부를 포함할 수 있다. 접촉 지점(4)은 예를 들어 PEDVD 설비의 공정 챔버로 워크피스 홀더(1)를 삽입할 시 공정 챔버의 후방 벽에 배치되는 전류 랜스로서 설계되는 접촉 핀과 접촉할 수 있다. 명료함을 위해, 접촉 지점(4) 중 하나만 참조 기호로 제공된다.
전극 어셈블리(2)에서 접점(4)을 통해 전극(2a, 2b)으로 제공되는 전류 또는 제공되는 전압의 분배는 제2 분배기 어셈블리(3b)의 도움으로 편리하게 구현된다. 이를 위해, 제1 분배기 어셈블리(3a)는 워크피스 홀더(1)의 제1 단부(1a)에 배치될 수 있고, 제2 분배기 어셈블리(3b)는 가공물 홀더(1)의 제2 단부(1b)에 배치될 수 있다. 제2 단부(1b)는 길이 방향(L)에서 제1 단부(1a)와 대향한다. 이는 그럼 다음 분배기 어셈블리(3a, 3b)에도 이에 따라 적용된다. 분배기 어셈블리(3a, 3b)의 이러한 배치는 인접한 전극이 서로 전기적으로 절연되고 동시에 전극(2a, 2b)의 적어도 일부, 특히 전극(2a, 2b)의 적어도 두개의 그룹이 도 3과 관련하여 상세히 설명되는 바와 같이 직렬로 연결되는 방식으로 전극 어셈블리(2)의 상호 연결을 허용한다.
특히, 전극(2a, 2b)은 워크피스 홀더(1)의 모든 전극(2a, 2b)이 저주파 교류 전류를 전도하기 위한 하나 이상의 가열 회로에 통합될 수 있는 방식으로 분배기 어셈블리(3a, 3b)에 의해 서로 전기적으로 상호 연결될 수 있다. 동시에, 전극(2a, 2b)은 또한 워크피스 홀더(1)의 모든 전극(2a, 2b)이 고주파 교류 전류를 전도하기 위한 플라즈마 회로에 통합될 수 있는 방식으로 분배기 어셈블리(3a, 3b)에 의해 서로 전기적으로 상호 연결된다.
워크피스 홀더(1)를 PECVD 설비의 공정 챔버로 삽입하기 위해, 워크피스 홀더(1)는 바람직하게 길이 방향(L)으로 정렬된 2개의 러닝 레일(running rail; 5)을 가지며, 이는 예를 들어 공정 챔버에서 해당하는 롤러 상에서 이동할 수 있다. 본 실시예에서, 주행 레일(5)은 무게를 줄이기 위해 튜브로 형성된다. 전극 어셈블리(2)는 주행 레일(5) 상의 피트(6)에 의해 지지되고, 피트(6)는 전극(2a, 2b)으로부터 전기적으로 절연되며 런닝 레일(5) 상에 고정된다. 본 실시예에서, 피트(6)는 주행 레일(5) 상의 클램핑에 의해 고정되고, 이는 주행 레일(5)의 교환을 용이하게 할 수 있다.
도 2는 도 1로부터의 워크피스 홀더(1)의 제1 단부(1a)를 나타낸다. 내부에서 제1 분배기 어셈블리(3a)에 의한 전극 어셈블리(2)의 전극(2a, 2b)의 상호 연결을 인지할 수 있다.
제1 분배기 어셈블리(3a)는 도시된 실시예에서 다수의 전기 전도성 전도 요소(7)를 가지며, 이는 도 1에 도시된 길이 방향에 대해 가로 방향으로, 즉 바람직하게 워크피스 홀더(1)의 전체 폭에 걸쳐, 특히 전극 어셈블리(2)의 2개의 열(8a, 8b)로 연장된다. 명료함을 위해, 몇몇 전도 요소(7)에만 참조 부호가 제공된다.
도시된 실시예에서, 상부 열(8a)로부터의 제1 그룹의 전도 요소(7)의 전극(2a)이 접촉되는 반면, 하부 열(8b)로부터의 제2 그룹의 전도 요소(7)의 전극(2b)이 접촉된다. 제1 그룹의 전극(2a)과 제2 그룹의 전극(2b)은 여기에서 길이 방향에 대해 가로 방향으로 교대로 배치된다(도 1 참조). 즉, 제1 그룹의 하나의 전극(2a)은 항상 제2 그룹의 전극(2b)에 인접하게 배치되고 그 반대도 마찬가지이다. 즉, 제1 그룹의 전극(2a)은 가장자리 전극을 제외하고, 항상 제2 그룹의 두개의 전극(2b) 사이에 배치되며, 그 반대도 마찬가지이다. 따라서 다양한 회로가 워크피스 홀더에 형성될 수 있고 전극(2a, 2b)은 플라즈마를 생성하기 위해 그리고 또한 회로의 활성화 또는 인가된 전압에 따라 워크피스 홀더를 가열하기 위해 사용될 수 있다.
전기 절연 요소(9)는 회로의 단락을 방지하기 위해 일부 전도 요소(7) 사이에 배치된다. 명료함을 위해, 절연 요소(9) 중 몇개에만 참조 부호가 제공된다.
전도 요소(7)는 예를 들어 흑연 블록(graphite block)으로 형성될 수 있다. 절연 요소(9)는 예를 들어 세라믹 플레이트로 형성될 수 있다. 전도 요소(7) 및 절연 요소(9) 각각은 제1 분배기 어셈블리(3a)를 고정하기 위해 바람직하게 절연 물질로 제조된 적어도 하나의 고정 수단(10)에 의해 관통되는 통로 형태로 적어도 하나의 고정 보어홀(미도시)을 편의상 갖는다. 고정 수단(10)은 예를 들어 나사 또는 나사산 로드로 설계될 수 있고, 도 2에 실시예로서 도시된 바와 같이 하나 이상의 너트의 도움으로 고정될 수 있다.
워크피스 홀더(1)의 제1 단부(1a)에 바람직하게 배치되는 전력 연결부의 접촉 지점(4)도 도 2에서 잘 볼 수 있다. 접촉 지점(4)은 특히 제1 분배기 어셈블리(3a)의 전도 요소(7)에 제공될 수 있다. 접촉 지점(4)은 바람직하게 원추형 보어홀(11)을 가지며, 예를 들어 공정 챔버에서의 접촉 핀이 맞물릴 수 있다. 특히, 접촉 지점(4)은 제1 분배기 어셈블리(3a)의 전도 요소(7)에 원추형 보어홀(11)로 형성될 수 있다. 모든 접촉 지점(4)과 보어홀(11)에 명확성을 위해 참조 부호가 제공되는 것은 아니다.
도 2에서 보이지 않는 워크피스 홀더의 제2 단부에 있는 제2 분배기 어셈블리는 바람직하게는 제1 분배기 어셈블리(3a)에 대응하여 구성된다. 제2 분배기 어셈블리는 편의상 또한 평행하게 연장되는 열로 배치되는 전도 요소(7) 및 절연 요소(9)를 갖는다. 전도 요소(7) 및 절연 요소(9)는 여기서 특히 이들이 이후 도 3에서 설명되는 회로를 형성하는 방식으로 배치될 수 있다.
도 3은 다수의 전극(2a, 2b)을 갖는 전극 어셈블리(2) 및 제1 단부(1a)와 워크피스 홀더의 제1 단부에 대향하는 제2 단부(1b)에 배치되는 2개의 분배기 어셈블리(3a, 3b)를 갖는 워크피스 홀더의 2개의 회로(12)의 일 실시예를 나타낸다(도 1 참조). 두 회로(12)는 이러한 경우 적어도 전극(2a)의 제1 그룹 및 워크피스 홀더의 분배기 어셈블리(3a, 3b)로부터 형성된다. 제1 그룹의 전극(2a)은 제1 및 제2 분배기 어셈블리(3a, 3b)의 전도 요소(7)를 통해 직렬로 전기적으로 연결된다.
각각의 회로(12)는 제1 분배기 어셈블리(3a)의 전력 연결부의 접촉 지점(4)으로부터 전력 연결부의 다른 접촉 지점(4)으로 연장된다. 여기에 도시된 실시예에서, 회로(12) 각각은 외부 접촉 지점(4)에서 중간 접촉 지점(4)으로 연장되며, 두 회로(12)는 여기에서 중간 접촉 지점(4)을 공유한다. 워크피스 홀더는 접촉 지점(4)을 통해 적어도 하나의 전류 및/또는 전압 공급원에 연결될 수 있다.
제1 그룹의 전극(2a)은 바람직하게 각각 제1 분배기 어셈블리(3a)의 전도 요소(7) 및 제2 분배기 어셈블리(3b)의 전도 요소(7)에 의해 접촉된다. 제1 그룹의 전극(2a)과 접촉하는 제1 및 제2 분배기 어셈블리(3a, 3b)의 전도 요소(7)는 여기에서 2개의 상부 열(8a)에 배치된다(도 2 참조). 따라서 접촉 지점(4)에 제공되는 전류는 워크피스 홀더, 특히 전극 어셈블리(2)를 통해 구불구불하게 흐른다. 즉, 제공된 전류는 워크피스 홀더의 제1 단부(1a)와 제2 단부(1b) 사이의 각각의 회로(12)에서 앞뒤로 흐른다.
제2 그룹의 전극(2b)은 바람직하게 제1 및 제2 분배기 어셈블리(3a, 3b)의 전도 요소(미도시)를 통해 제1 그룹의 전극(2a)과 유사하게, 즉 전기적으로 직렬로 상호 연결된다. 제2 그룹의 전극(2b)과 접촉하는 전도 요소는 여기에서 하부 열로 배치될 수 있어(도 2 참조), 제1 그룹과 제2 그룹이 서로 별도로 전기적으로 접촉될 수 있다. 제2 그룹의 전극(2b)은 바람직하게 2개의 분배기 어셈블리(3a, 3b)와 함께 두개의 추가 회로(미도시)를 형성한다. 가열 전압 공급원, 예를 들어 저주파 AC 전압을 제공하기 위한 AC 전압 공급원의 연결시, 총 4개의 회로에서 전극(2a, 2b)은 가열 저항기로 사용될 수 있다. 따라서 회로(12)는 또한 가열 회로로 지칭될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제1 그룹의 전극(2a)과 제2 그룹의 전극(2b)은 도시된 상부도에서 서로 인접하게 교대로 배치된다. 제1 그룹의 전극(2a)과 제2 그룹의 전극(2b)이 고주파에서 상이한 전위가 될 때, 고주파 전계 및 이에 따라 워크피스 홀더를 둘러싸는 공정 가스에서의 플라즈마도 전극(2a, 2b) 사이에서 생성될 수 있다. 이를 위해, 예를 들어, 상부 열(9a)으로부터 제1 분배기 어셈블리(3a)의 전도 요소(7)에 제공되는 접촉 지점(4)과, 하부 열로부터 제1 분배기 어셈블리의 전도 요소에 제공되는 접촉 지점 사이에서 고주파 AC 전압이 인가될 수 있다. 다수(가열) 회로(12)는 이러한 접촉으로 인해 플라즈마 회로의 일부가 될 수 있다.
도 4는 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템(50)의 일 실시예를 나타낸다. 시스템(50)은 다수 스위치 어셈블리(52a, 52b)를 갖는 스위칭 디바이스(51), 고주파 전기 AC 전압을 제공하기 위한 플라즈마 전압 공급원(53), 저주파 전기 AC 전압을 제공하기 위한 적어도 하나의 가열 전압 공급원(54), 및 워크피스(1)을 갖는다. 워크피스 홀더(1)는 바람직하게 워크피스 홀더(1)를 둘러싸는 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하고 기상 증착을 위해 제공되는 공정 온도로 워크피스 홀더(1)의 주변을 가열하도록 구성된다. 시스템(50)은 이러한 목적을 위해 워크피스 홀더(1)를 수용하기 위한 공정 챔버, 공정 가스를 공정 챔버로 도입하기 위한 가스 공급 시스템, 및 공정 챔버에서 진공을 생성하기 위한 가스 배출 시스템을 또한 갖는다. 명확성을 위해 마지막으로 언급한 부품은 도 4에 도시되지 않는다.
시스템(50)은 바람직하게 워크피스 홀더(1)가 공정 챔버에 수용될 때, 플라즈마 전압 공급원(53) 또는 적어도 하나의 가열 전압 공급원(54)과 워크피스 홀더(1) 사이에 전기 연결부가 바람직하게 스위칭 디바이스(51)를 통해 확립되는 방식으로 설계되는 것이 바람직하다. 워크피스 홀더(1)는 이러한 목적을 위해 예를 들어 공정 챔버에 배치되는 접촉 핀에 의해 접촉될 수 있는 다수의 접촉 지점(4)을 갖는 전력 연결부를 가질 수 있다. 명료함을 위해, 접촉 지점(4) 중 하나만 참조 부호로 제공된다.
스위칭 디바이스(51)는 바람직하게 예를 들어 제1 스위치 어셈블리(52a)를 닫음으로써 공정 챔버에 의해 수용되는 워크피스 홀더(1)에 적어도 하나의 전류 공급원(54)을 초기에 전기적으로 연결하도록 구성된다. 스위칭 디바이스(51)는 특히 이러한 전기 연결부를 확립함으로써, 저주파 교류 전류를 전도하기 위한 적어도 하나의 가열 회로로 워크피스 홀더(1)를 통합하도록 구성될 수 있다.
스위칭 디바이스(51)는 예를 들어 제1 스위치 어셈블리(52a)의 닫음시 (i) 저주파 전기 교류 전류가 적어도 하나의 가열 전압 공급원(54)의 2개의 극(54a, 54b) 사이에서 공정 챔버에 의해 수용되는 워크피스 홀더(1)의 전극 어셈블리의 제1 그룹의 전극(2a)을 통해 흐르고 (ii) 저주파 전기 교류 전류가 적어도 하나의 가열 전압 공급원(54)의 두개의 추가 극(54c, 54d) 사이에서 전극 어셈블리의 제2 그룹의 전극(2b)을 통해 흐르는 방식으로 설계될 수 있다. 도 4에서 잘 알 수 있는 바와 같이, 그룹의 전극(2a, 2b)은 각각 전기적으로 직렬로 연결된다. 본 경우에서, 4개의 가열 회로는 두개의 극(54a 및 54c)이 제공되는 도시된 실시예에 도시된 상호 연결을 사용하여 구현된다.
제1 스위치 어셈블리(52a)가 닫힐 때 전극(2a, 2b)은 가열 저항기로서 작용할 수 있기 때문에, 워크피스 홀더(1)는 제1 작동 모드에서 가열 유닛으로서 작동 가능하다.
스위칭 디바이스(51)는 바람직하게 공정 챔버에 의해 수용되는 워크피스 홀더(1)로부터 가열 전압 전류 공급원(54)을 분리하고 대신 예를 들어 제1 스위치 어셈블리(52a)를 열고 제2 스위치 어셈블리(52b)를 닫음으로써 플라즈마 전압 공급원(53)을 워크피스 홀더(1)에 전기적으로 연결하도록 추가로 구성된다. 스위칭 디바이스(51)는 특히 이러한 전기 연결부를 확립함으로써 워크피스 홀더(1)를 고주파 교류 전류를 전도하기 위한 플라즈마 회로에 통합하도록 구성될 수 있다.
스위칭 디바이스(51)는 예를 들어 제2 스위치 어셈블리(52b)의 닫음 시 고주파 전기 AC 전압이 제1 그룹의 전극(2a)과 제2 그룹의 전극(2b) 사이에 인가되는 방식으로 설계될 수 있다. 이를 위해, 스위칭 디바이스(51)는 특히 제2 스위치 어셈블리(52b)의 닫음시 플라즈마 전압 공급원(53)의 제1 극(53a)이 제1 그룹의 전극(2a)에 연결될 수 있고 제2 극(53b)이 제2 그룹의 전극(2b)에 연결될 수 있는 방식으로 설계될 수 있다.
제1 그룹의 전극(2a)과 제2 그룹의 전극(2b)은 도 4와 같이 교대로 배치되어 제2 스위치 어셈블리(52b)가 닫힐 때, 고주파 전기장을 발생시켜 플라즈마를 생성시킬 수 있으므로, 워크피스 홀더(1)는 따라서 제2 작동 모드에서 플라즈마 유닛으로 작동 가능하다.
도 5는 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템용 작동 방법(100)의 일 실시예를 나타낸다.
방법 단계 S1에서, 시스템의 워크피스 홀더는 초기에 가열 유닛으로서 가열되어 워크피스 홀더의 주변을 기상 증착을 위해 제공되는 공정 온도로 가열한다. 이를 위해, 예를 들어 스위칭 디바이스의 제1 스위치 어셈블리는 워크피스 홀더에 저주파 AC 전압을 제공하기 위한 적어도 하나의 가열 전압 공급원을 전기적으로 연결하기 위해 닫힐 수 있다. 특히, 워크피스 홀더는 적어도 하나의 가열 회로에 통합될 수 있어, 저주파 전기 교류 전류가 워크피스 홀더의 전극 어셈블리의 각각의 회로에서 직렬로 연결되는 다수의 전극을 통해 가열 전류로서 흐른다.
추가 방법 단계 S2에서, 워크피스 홀더 또는 이의 주변의 온도가 미리 결정된 공정 온도에 도달했거나 초과했는지 여부를 확인할 수 있다. 이를 위해, 온도 센서에 의해 생성된 온도 신호는 스위칭 디바이스의 제어 유닛에 의해 간단하게 처리된다. 검사 결과에 따라, 예를 들어 공정 온도에 도달하거나 초과하는 경우, 추가 방법 단계 S3에서, 워크피스 홀더는 바람직하게 워크피스 홀더를 둘러싸는 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 유닛으로서 작동된다. 공정 온도가 (아직) 도달하지 않았거나 초과하지 않은 경우, 방법 단계 S1에서 워크피스 홀더는 가열 유닛으로 추가로 사용될 수 있다.
방법 단계 S3에서, 예를 들어, 워크피스 홀더로부터 적어도 하나의 가열 전압 공급원을 분리하고 대신 고주파 AC 전압을 공급하기 위해 플라즈마 전압 공급원을 워크피스 홀더로 전기적으로 연결하기 위해 제1 스위치 어셈블리가 열릴 수 있고 스위칭 디바이스의 제2 스위치 어셈블리가 닫힐 수 있다. 특히, 워크피스 홀더는 플라즈마 회로에 통합될 수 있으므로, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 AC 전압이 두 전극 그룹 사이에서 인가된다.
1: 워크피스 홀더
1a, 2b: 단부
2: 전극 어셈블리
2a, 2b: 전극
3a, 3b: 분배기 어셈블리
4: 접촉점
5: 작동 레일
6: 발
7: 전도 요소
8a, 8b: 열
9: 절연 수단
10: 고정 수단
11: 보어홀
12: 회로
50: 시스템
51: 스위칭 디바이스
52a, 52b: 스위치 어셈블리
53: 플라즈마 전압 공급원
53a, b: 폴
54: 가열 전압 공급원
54a-d: 폴
100: 작동 방법
S1-S3: 방법 단계

Claims (15)

  1. 플라즈마-강화 화학 기상 증착을 위한 시스템(50)용 워크피스 홀더(1)로서, 상기 워크피스 홀더(1)는 상기 워크피스 홀더(1)를 둘러싸는 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하도록 구성되고,
    상기 워크피스 홀더(1)는 상기 워크피스 홀더(1)의 주변을 기상 증착을 위해 제공되는 공정 온도로 가열하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 워크피스 홀더(1).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 워크피스 홀더(1)는 전기 가열 전류를 전도하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 워크피스 홀더(1).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 워크피스 홀더(1)는 다수 회로(12)에서 전기 교류 전류를 전도하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 워크피스 홀더(1).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    전기 가열 저항기로 사용되는 다수의 전극(2a, 2b)을 병렬로 배치되는 것을 특징으로 하는 워크피스 홀더(1).
  5. 제4항에 있어서,
    상기 다수의 전극(2a, 2b) 중 적어도 일부는 전기적으로 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 워크피스 홀더(1).
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 다수의 전극(2a, 2b) 중 인접한 전극은 서로 전기적으로 절연되는 것을 특징으로 하는 워크피스 홀더(1).
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 분배기 어셈블리(3a)는 상기 워크피스 홀더(1)의 제1 단부(1a)에 배치되고 제2 분배기 어셈블리(3b)는 상기 제1 단부(1a) 반대쪽의 워크피스 홀더(1)의 제2 단부(1b)에 배치되며, 이는 상기 워크피스 홀더(1)의 주변을 가열하거나 플라즈마를 생성하기 위해 저주파 및 고주파 전기 AC 전압을 분배하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 워크피스 홀더(1).
  8. 제7항에 있어서,
    상기 두개의 분배기 어셈블리(3a, 3b) 중 적어도 하나는 서로에 대해 병렬로 배치되는 다수의 전극(2a, 2b) 중 적어도 일부를 전기 전도성으로 연결하는 것을 특징으로 하는 워크피스 홀더(1).
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    전력 연결부는 상기 워크피스 홀더(1)와 전기적으로 접촉하기 위해 적어도 4개의 공간적으로 분리된 접촉 지점(4)을 갖는 것을 특징으로 하는 워크피스 홀더(1).
  10. 제9항에 있어서,
    상기 접촉 지점(4)은 접촉 핀을 수용하기 위한 원추형 보어홀(11)을 갖는 것을 특징으로 하는 워크피스 홀더(1).
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 워크피스 홀더(1) 및 상기 워크피스 홀더를 수용하고 적어도 하나의 공정 가스로 충전될 수 있는 공정 챔버를 갖는 플라즈마-강화 화학 기상 증착용 시스템(50).
  12. 제11항에 있어서,
    스위칭 디바이스(51)는 초기에 워크피스 홀더(1)의 주변을 기상 증착을 위해 제공되는 공정 온도로 가열하기 위한 가열 유닛으로서 워크피스 홀더(1)를 작동시키고 그런 다음 상기 워크피스 홀더(1) 주변의 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 유닛으로서 작동하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템(50).
  13. 제12항에 있어서,
    - 워크피스 홀더(1)를 플라즈마 유닛으로 작동시키기 위한 고주파 전기 AC 전압을 제공하기 위한 플라즈마 전압 공급원(53) 및
    - 워크피스 홀더(1)를 가열 유닛으로서 작동시키기 위한 저주파 전기 AC 전압을 제공하기 위한 적어도 하나의 가열 전압 공급원(54)에 의해 특징되고,
    상기 스위칭 디바이스(51)는 상기 워크피스 홀더(1)의 주변을 공정 온도로 가열한 후, 상기 워크피스 홀더(1)로부터 상기 적어도 하나의 가열 전압 공급원(54)을 분리하고 상기 플라즈마 전압 공급원(53)을 상기 워크피스 홀더(1)로 연결하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템(50).
  14. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    스위칭 디바이스(51)는
    - 단일 회로에서 플라즈마 유닛으로서 작동하는 동안 및
    - 적어도 두 개의 병렬 회로(12)에서 가열 유닛으로서 작동하는 동안 상기 워크피스 홀더(1)를 통합하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템(50).
  15. 워크피스 홀더(1)가 처음에 가열 유닛으로 작동되어 상기 워크피스 홀더(1) 주위를 기상 증착을 위해 제공되는 공정 온도(S1)로 가열하고 그런 다음 상기 워크피스 홀더(1) 주변에서 공정 가스(S3)으로부터 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 유닛으로서 작동하는, 플라즈마-강화 화학 기상 증착용 시스템(50)을 위한 작동 방법(100).
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