CN114182233A - 用于pecvd的工件载体、系统和操作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于等离子体辅助的化学气相沉积系统(50)的工件载体(1)、一种这样的系统(50)以及一种用于此类系统(50)的操作方法(100)。该工件载体(1)被配置为用于从包围该工件载体(1)的处理气体来产生等离子体。根据本发明，该工件载体(1)还被配置为用于将该工件载体(1)的环境加热到为了气相沉积所设置的处理温度。

Description

用于PECVD的工件载体、系统和操作方法
技术领域
本发明涉及一种用于等离子体辅助的化学气相沉积系统的工件载体、一种用于等离子体辅助的化学气相沉积的系统以及一种用于等离子体辅助的化学气相沉积系统的操作方法。
背景技术
已知化学气相沉积(chemical vapour deposition，CVD)用于涂覆基底。在此提供至少一种包含待沉积物质的气体。通过进行化学反应(例如可以通过温度驱动)将物质沉积在基底上。借助于化学气相沉积例如可以制备微电子构件或光波导。
沉积速率可以通过从气体激发出等离子体而进一步提高。另外，由此还可以在更低温度下已经有效地驱动沉积反应。化学气相沉积的这种变体通常被称为等离子体辅助的化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapour deposition，PECVD)。
为了实现必要的处理温度，通常将用于承载基底(例如半导体晶片)的工件载体引入到具有可加热的壁的反应室中。这样的反应室有时也被称为热壁反应器。在此，加热典型地经由安装在处理室壁中的电阻加热元件来进行。所描述类型的工件载体通常被称为舟。
发明内容
本发明的目的是进一步改进等离子体辅助的化学气相沉积，尤其提高其效率。
这个目的通过根据本发明的一个实施例的的一种用于等离子体辅助的化学气相沉积系统的工件载体、一种带有此类工件载体的用于等离子体辅助的化学气相沉积的系统以及一种用于等离子体辅助的化学气相沉积系统的操作方法来实现。
优选的改进方案分别是本发明的其他实施例的主题。
根据本发明第一方面的用于等离子体辅助的化学气相沉积系统的工件载体被配置为用于从该工件载体周围的处理气体产生等离子体。根据本发明，该工件载体还被配置为用于将该工件载体的环境加热到为了气相沉积所设置的处理温度。
本发明的一个方面是基于以下方案：优选仅仅借助于工件载体来设定为了从气相中沉积至少一种物质而设置的处理温度。便利地，工件载体在此被配置为用于将工件载体的环境、例如包围工件载体的处理气体和/或被工件载体承载的工件加热到处理温度。工件载体尤其可以具有加热元件(如呈多个加热电阻形式)并且因而被配置为用于作为加热装置而被操作。由此例如可以省掉布置在处理室区域中的、用于PECVD设施的处理室的、分开的加热系统(例如呈加热元件或加热箱的形式)。因此可以更简单地设计并且例如成本更低廉地制造PECVD设施。
此外，通过将工件载体作为加热装置来操作可以节省处理室中的构造空间并且因此将PECVD设施设计得更小。因此可以减小待加热的体积和待加热的质量。在相同的加热功率下，这能够实现缩短用于达到处理温度所需的时间。由此可以再次提高通过对应的PECVD设施的通过量。
再次，工件载体除了加热其环境之外优选还被配置为用于从包围工件载体的处理气体产生等离子体。在本发明的意义上术语处理气体还应理解为不同处理气体的混合物。为了所述的目的，工件载体可以具有电极组件(例如呈多个平行布置的电极形式)，在这些电极组件处可以施加高频交流电压。为了产生等离子体，可以以1kHz或更大的频率、例如以约40kHz来交换电极的极性。特别优选的是工件载体被配置为用于借助于电极组件(也就是说借助于多个电极)来加热工件载体的环境。
因此，工件载体有利地可以被配置为用于仅使用一个部件(即例如使用电极组件)来产生等离子体并且加热其环境。这允许特别高效地利用工件载体的构件或构件组。
例如工件载体可以被配置为用于在第一操作模式中从处理气体产生等离子体，优选在向工件载体施加高频交流电压的情况下。高频交流电压在此尤其可以施加在该多个电极上。另外，工件载体可以被配置为用于在第二操作模式中将其环境加热到处理温度，优选在向工件载体施加低频交流电压的情况下。在此，可以以小于1kHz、例如以50Hz来交换该多个电极的极性。
下文将说明本发明的优选实施方式及其改进方案，只要没有明确排除在外，这些实施方式和改进方案就可以分别任意地彼此组合以及与在下文中说明的本发明方面组合。
在一个优选的实施方式中，该工件载体、尤其该电极组件被配置为用于引导加热电流。加热电流在此优选为具有小于1kHz频率、例如具有50Hz的交流电流。以优选的方式，加热电流具有90A或更大、例如120A的有效电流强度。便利地，工件载体为此包括至少一个加热电路。加热电路例如可以包括电极组件的至少一部分，也就是说至少部分地由电极组件的至少一部分构成。该至少一个加热电路尤其可以具有来自电极组件的电极中的一组电极。由此可以精确控制对工件载体的环境的加热。
工件载体的电极组件例如可以被形成为，当向工件载体施加145V(有效电压)的低频交流电压时，交流电流作为加热电流流过电极组件。电极组件的该多个电极尤其可以被连接为使得通过施加低频交流电压而出现电极升温，而同时没有点燃等离子体。电极组件由此不仅可以以常规方式用于产生等离子体，而且还可以用于实现处理温度。可以如此特别高效地使用电极组件并且以构件特别少的方式(且由此成本低廉地)实现工件载体。
相反，常规的工件载体不适合用于引导加热电流。例如其中流过电极组件的低频交流电流可能不会实现电极的升温，因为电极可能仅仅用作电抗。
在另一个优选的实施方式中，该工件载体被配置为用于尤其并行地在多个电路中引导交流电流。换言之，工件载体具有多个、也就是说至少两个电路。这些电路便利地是彼此分离的。在此，这些电路中的每一个可以构成可分开操控的加热回路。因此，这些电路还可以被称为加热电路。这些电路以优选的方式至少部分由电极组件的至少一部分构成、优选由不同的电极组构成。便利地，这些电路被形成为可连接的，以便将工件载体连接到电流供应装置，例如连接到呈PECVD设施的接触插针形式的对应的插接组件。通过在多个电路中引导交流电流，可以将实现处理温度所需的电压或电流保持得较小。除了提高操作安全性以外，这样还可以延长工件载体的使用寿命。同时，这样可以实现工件载体的环境的均匀升温。
在另一个优选的实施方式中，该工件载体具有用作加热电阻的多个并行布置的电极。换言之，电极组件的电极还可以构成被称为加热元件的加热电阻。便利地，这些电极在此被形成为用于连接到加热电压源并且可以被配置为用于将所提供的低频交流电流分配到电极上。由此例如在工件载体的不同操作模式中，这些电极既可以用于产生等离子体也可以用于加热工件。
这些电极优选被形成为板状。由此可以实现特别均匀和/或大面积的发热。
在另一个优选的实施方式中，该多个电极中的至少一部分电极串联电连接。由此更容易实现有效发热所需的(总)电阻。
这些电极可以分组地串联连接。换言之，可以设置多组电极，其中一个组的所有电极串联连接。这些组中的每个组优选构成工件载体的多个彼此分离的加热电路中的至少一个加热电路。由此，这些电极虽然至少部分串联连接，但仍可以用于产生等离子体，例如通过在不同组的电极之间施加高频交流电压。
一个组的电极优选在空间上彼此分离地布置。特别优选地，一个组的电极被另一个组的电极相互分离。换言之，来自一个组的电极优选被布置为与来自另一个组的电极相邻；特别优选的是来自一个组的电极被布置为仅与来自另一个组的电极相邻。
在另一个优选的实施方式中，该多个电极中相邻的电极彼此电绝缘。换言之，该多个电极中的相邻的电极之间不存在电连接。由此可以将相邻的电极置于不同的电势。尤其可以将高频交流电压施加在相连的电极上，从而产生等离子体。
在另一个优选的实施方式中，该工件载体具有在该工件载体的第一末端处布置的第一分配器组件和在该工件载体的与该第一末端相反的第二末端处布置的第二分配器组件。这些分配器组件优选被配置为用于分配低频和高频的交流电压，以便加热该工件载体的环境或用于产生等离子体。分配交流电压在此优选为将在工件载体处提供的交流电压引导到多个并联的加热电路。为此目的，分配器组件例如可以包括对应的电极连接方式。通过分配器组件例如可以将工件载体容易地连接到标准化的电流供应装置。尤其还可以根据需要以常规方式(也就是说在没有通过工件载体加热工件的情况下)使用带有此类分配器组件的工件载体。
在另一个优选的实施方式中，这两个分配器组件中的至少一个分配最近将多个平行布置的电极中的至少一部分电极导电连接。这两个分配器组件中的至少一个分配器组件尤其可以将这些电极中的至少一部分电极以至少一个串联电路的形式连接。这简化了工件载体对电流供应装置和/或电压供应装置的连接。
在另一个优选的实施方式中，该工件载体具有电流接口。电流接口优选包括用于电接触工件载体的至少四个接触点位。这些接触点位优选在空间上彼此分开地布置，例如分布在工件载体的宽度和/或高度上。在此，接触点位可以被形成为可以分别成对地与交流电压源的极连接。由此可以可靠且安全地彼此分离地对工件载体的至少两个加热电路进行馈送。
电流接口优选布置在工件载体的第一末端。便利地，电流接口为第一分配器组件的一部分。电流接口可以由第一分配器组件构成。通过将电流接口布置在工件载体的第一末端处，例如可以特别容易地在将工件载体引入到PECVD设施的处理室中时将工件载体结合到一个或多个电路中。
在另一个优选的实施方式中，这些接触点位具有锥形孔，以便接纳接触插针。有时也被称为电流引脚(Stromlanzen)的接触插针例如可以为PECVD设施的一部分并且被设置为用于将工件载体与PECVD设施电连接。通过锥形形状，在此可以容易地将插针滑入孔中并且由此被引导到相应设置的位置。当在引入到PECVD设施的处理室中时工件载体具有一定的空隙并且并不总是能确保工件载体相对于插针的精确对齐时，这是尤其有利的。
根据本发明第二方面的用于等离子体辅助的化学气相沉积的系统具有根据本发明第一方面的工件载体。该系统以优选方式还包括能够用处理气体填充的处理室，该工件载体可以被该处理室接纳。另外该系统优选包括用于对工件载体进行电流供应或电压供应的至少一个电流源和/或电压源。在此该系统以特别优选的方式被配置为用于借助该工件载体来加热该处理室。另外该系统被配置为用于将被处理室接纳的工件载体作为加热装置来操作。这样的系统可以被布局为特别紧凑且具有高能量效率的，尤其因为无须设置分开的加热系统。
在一个优选的实施方式中，该系统具有开关设备，该开关设备被配置为用于首先将该工件载体作为加热装置操作，以便将由该工件载体承载的至少一个工件加热到为了气相沉积所设置的处理温度，并且随后将该工件载体作为等离子体装置操作，以便从包围该工件载体的处理气体来产生等离子体。该开关设备便利地包括分别由至少一个开关形成的两个开关组件。优选在工件载体作为等离子体装置操作时，这两个开关组件中的第一开关组件的该至少一个开关被闭合并且这两个开关组件中的第二开关组件的该至少一个开关被断开。对应地，在工件载体作为加热装置操作时，优选这两个开关组件中的第一开关组件的该至少一个开关被断开并且这两个开关组件中的第二开关组件的该至少一个开关被闭合。
在另一个优选的实施方式中，该系统具有(i)等离子体电压源，该等离子体电压源用于提供高频交流电压，以便将该工件载体作为等离子体装置操作，以及(ii)至少一个加热电压源，该加热电压源用于提供低频交流电压，以便将该工件载体作为加热装置操作。在此该开关设备优选被配置为：在将该工件加热到该处理温度之后，将该加热电压源与该工件载体断开并且将该等离子体电压源与该工件载体连接。
该开关设备为此优选具有控制装置。该控制装置例如可以被配置为将这两个开关组件、尤其这些开关组件的开关断开和闭合。该控制装置尤其可以被配置为用于当存在开关信号时通过对应地操控开关组件来将加热电压源与工件载体断开并且将等离子体电压源与工件载体连接。开关信号例如可以为由用户产生的、经由用户界面提供的开关信号。替代地或附加地，开关信号还可以由控制装置产生，例如当工件载体的温度或其周围环境达到或超过处理温度时。为此目的，控制装置可以与温度传感器连接，该温度传感器被配置为用于估计工件载体温度或环境温度。
在另一个优选的实施方式中，该开关设备被配置为：将该工件载体(i)在作为等离子体装置操作时整合到单一的等离子体电路中，并且(ii)在作为加热装置操作时整合到至少一个加热电路中。为此目的，该开关组件优选被配置为将该等离子体电压源的第一极与如下电极相连，该电极为在该工件载体作为加热装置操作时该至少一个加热电路的一部分。该开关组件优选被配置为将该等离子体电压源的第二极与如下电极相连，该电极不是第一加热电路的一部分而优选是分离的第二加热电路的一部分。由此可以使这些电极处于两个不同的电势。
在根据本发明第三方面的用于等离子体辅助的化学气相沉积系统的操作方法中，首先将该工件载体作为加热装置操作，以便将由该工件载体承载的至少一个工件加热到为了气相沉积所设置的处理温度，并且随后将该工件载体作为等离子体装置操作，以便从包围该工件载体的处理气体来产生等离子体。利用这种操作方法尤其可以有利地操作根据本发明第二方面的系统。
在作为加热装置操作时，优选在工件载体上施加具有小于1kHz、例如在145V(有效电压)下的低频交流电压，使得具有90A或更大、尤其约120A的有效电流强度的交流电流流过。在作为等离子体装置操作时，优选在工件载体上施加具有1kHz或更大、尤其约40kHz、例如在800V至1000V(有效电压)下的高频交流电压，使得具有小于90A、尤其约75A的有效电流强度的交流电流流过。
下文将借助于附图详细阐释本发明。只要是适当的，图中相同作用的元件就设有相同的附图标记。本发明并不限于附图中所示的实施例，在功能性特征方面也不受其限制。此前的说明以及下文的附图说明包含许多特征，这些特征在单独的其他实施例中以部分地归纳成多个特征的方式展现。然而，本领域技术人员可以单独考虑这些特征以及上文或下文附图说明中公开的所有其余特征并将其结合成有意义的其他组合。所有所提及的组合尤其分别单独地且可以以任意适合的组合方式与根据本发明第一方面的工件载体、根据本发明第二方面的系统和根据本发明第三方面的操作方法进行组合。
附图说明
图1示出用于等离子体辅助的化学气相沉积系统的工件载体的实例；
图2示出来自图1的工件载体的第一末端；
图3示出工件载体的两个电路的实例；
图4示出用于等离子体辅助的化学气相沉积的系统的实例；以及
图5示出用于等离子体辅助的化学气相沉积系统的操作方法的实例。
具体实施方式
图1示出用于等离子体辅助的化学气相沉积(PECVD)系统的工件载体1的实例，该工件载体被配置为用于从包围工件载体的处理气体产生等离子体以及用于将工件载体1的环境加热到为了气相沉积而设置的处理温度。
工件载体1优选具有电极组件2，借助于该电极组件可以产生等离子体并且可以加热工件载体1的环境。因为由此工件载体1的一个部件承担了两个功能，所以在PECVD设施中可以省去对应的构件或构件组并且因此紧凑且成本低廉地实现该设施。
电极组件2优选包括多个电极2a、2b，出于清晰的原因仅其中两个电极设有附图标记。电极2a、2b在所示实例中彼此平行且在纵向方向L中布置。在第一操作模式(其中将工件载体1作为加热装置操作，以便将工件载体1的环境加热到处理温度)中电极2a、2b可以用作加热电阻。在第二操作模式(其中将工件载体1作为等离子体装置操作，以便从处理气体产生等离子体)中电极2a、2b可以用于产生电场、尤其高频交变电场。
工件载体1的电极组件2优选被配置为经由第一分配器组件3a连接到电流源和/或电压源。第一分配器组件3a例如可以包括电流接口，该电流接口便利地具有用于电接触工件载体1的至少四个(在当前实例中为六个)接触点位4。接触点位4例如可以在将工件载体1引入到PECVD设施的处理室中时与还被称为电流引脚的接触插针进行接触，这些接触插针布置在处理室的后壁处。出于清晰的原因，接触点位4中的仅一个接触点位设有附图标记。
经由在电极组件2处的接触点位4所提供的电流或所提供的电压向电极2a、2b上的分配便利地借助于第二分配器组件3b来实现。为此，第一分配器组件3a可以布置在工件载体1的第一末端1a处并且第二分配器组件3b可以布置在工件载体1的第二末端1b处。在纵向方向L上第二末端1b与第一末端1a相反。然后同样的内容还对应地适用于分配器组件3a、3b。分配器组件3a、3b的这种布置允许以如下方式连接电极组件2，使得相邻电极彼此电绝缘并且同时电极2a、2b的至少一部分、尤其至少两组电极2a、2b串联连接，如将结合图3详细阐释的。
电极2a、2b尤其可以通过分配器组件3a、3b彼此电连接，使得工件载体1的所有电极2a、2b可以被整合到一个或多个加热电路中，以便引导低频交流电流。电极2a、2b同时还通过分配器组件3a、3b彼此电连接，使得工件载体1的所有电极2a、2b可以被整合到等离子体电路中，以便引导高频交流电流。
为了将工件载体1引导到PECVD设施的处理室中，工件载体1以优选的方式具有两个在纵向方向L中定向的运行轨道5，这些运行轨道例如可以在对应的运行轮上在处理室中运行。在当前实例中，运行轨道5以节省重量的方式被形成为管。电极组件2在此被支脚6支撑在运行轨道5上，其中支脚6相对于电极2a、2b电绝缘并且被固定在运行轨道5处。在当前实例中，支脚6夹持式固定在运行轨道5处，这可以简化运行轨道5的更换。
图2示出来自图1的工件载体1的第一末端1a。其中可以看到电极组件2的电极2a、2b通过第一分配器组件3a的连接。
第一分配器组件3a在所示实例中具有多个导电的引导元件7，这些引导元件横向于图1中所示的纵向方向、即优选在工件载体1(尤其电极组件2)的整个宽度上以两行8a、8b延伸。出于清晰的原因，引导元件7中的仅一个引导元件设有附图标记。
在所示实例中，第一组的电极2a被来自上行8a的引导元件7接触，而第二组的电极2b被来自下行8b的引导元件7接触。第一组的电极2a和第二组的电极2b在此横向于纵向方向(见图1)交替布置。也就是说，第一组的电极2a总是与第二组的电极2b相邻布置，反之亦然。换言之，第一组的电极2a除了边缘电极以外总是布置在第二组的两个电极2b之间，反之亦然。由此可以形成在工件载体中的不同电路，并且电极2a、2b可以依据电路的流向和所施加的电压用于产生等离子体以及加热工件载体。
在若干引导元件7之间布置有电绝缘的绝缘元件9，以避免电路短路。出于清晰的原因，绝缘元件9中的仅若干个绝缘元件设有附图标记。
引导元件7例如可以形成为石墨块。绝缘元件9例如可以形成为陶瓷板。引导元件7和绝缘元件9便利地分别具有呈穿透孔(Durchgriffs)形式的至少一个紧固孔(未示出)，这些紧固孔被至少一个优选由绝缘材料制成的紧固器件10穿透，以紧固第一分配器组件3a。紧固器件10例如可以形成为螺钉或螺纹杆，并且如示例性地在图2中示出地借助于一个或多个螺母来固定。
电流接口的接触点位4同样可以在图2中很好地看到，这些接触点位优选布置在工件载体1的第一末端1a处。接触点位4尤其可以设置在第一分配器组件3a的引导元件7处。接触点位4优选具有锥形孔11，例如处理室中的接触插针可以接合到这些锥形孔中。接触点位4尤其可以形成为在第一分配器组件3a的引导元件7中的锥形孔11。出于清晰的原因，在此也没有用附图标记标示全部的接触点位4和孔11。
在图2中不可见的在工件载体的第二末端处的第二分配器组件优选与第一分配器组件3a对应地构造。第二分配器组件便利地同样具有引导元件7和绝缘元件9，这些元件被布置在平行延伸的行中。引导元件7和绝缘元件9在此尤其可以布置为用于形成后续在图3中描述的电路。
图3示出工件载体的两个电路12的实例，该工件载体具有电极组件2，该电极组件带有多个电极2a、2b和两个分配器组件3a、3b，这些分配器组件布置在工件载体的第一末端1a处和与第一末端相反的第二末端1b(见图1)。这两个电路12在此至少由工件载体的第一组电极2a和分配器组件3a、3b形成。第一组的电极2a在此经由第一和第二分配器组件3a、3b的引导元件7串联电连接。
电路12中的每一个电路从第一分配器组件3a的电流接口的一个接触点位4延伸到电流接口的另一个接触点位4。在此处所示的实例中，电路12分别从外部的接触点位4延伸到中部的接触点位4，其中这两个电路12在此共享中部的接触点位4。经由接触点位4，可以将工件载体与至少一个电流源和/或电压源连接。
第一组的电极2a优选分别被第一分配器组件3a的引导元件7和第二分配器组件3b的引导元件7接触。第一分配器组件3a和第二分配器组件3b的接触第一组的电极2a的引导元件7在此布置在两个上行8a中(见图2)。在接触点位4处提供的电流由此曲折地流过工件载体，尤其流过电极组件2。换言之，所提供的电流在这些电路12中的每个电路中在工件载体的第一末端1a与第二末端1b之间往返流动。
第二组的电极2b优选与第一组的电极2a类似地经由第一分配器组件3a和第二分配器组件3b的引导元件(未示出)连接，即串联电连接。接触第二组的电极2b的引导元件在此可以布置在下行中(见图2)，从而可以彼此分开地电接触第一组和第二组。第二组的电极2b与这两个分配器组件3a、3b一起优选形成另外的两个电路(未示出)。在连接加热电压源、例如连接交流电压源以提供低频交流电压的情况下，电极2a、2b可以在所有四个电路中用作加热电阻。电路12因此还可以被称为加热电路。
如在图3中所示，第一组的电极2a和第二组的电极2b在所示的俯视图中彼此并排交替地布置。当以高频将第一组的电极2a和第二组的电极2b置于不同电势时，在电极2a、2b之间产生高频电场并且由此还在包围工件载体的处理气体中产生等离子体。为此例如可以在设置于来自上行9a的第一分配器组件3a的引导元件7处的接触点位4与设置于来自下行的第一分配器组件的引导元件处的接触点位之间施加高频交流电压。通过这种接触可以使该多个(加热)电路12变为等离子体电路的一部分。
图4示出用于等离子体辅助的化学气相沉积的系统50的实例。系统50具有开关设备51，该开关设备带有多个开关组件52a、52b、用于提供高频交流电压的等离子体电压源53、用于提供低频交流电压的至少一个加热电压源54以及工件载体1。工件载体1优选被配置为既用于从包围工件载体1的处理气体产生等离子体也用于将工件载体1的环境加热到为了气相沉积而设置的处理温度。系统50为此便利地还具有用于接纳工件载体1的处理室、用于将处理气体引入处理室中的气体馈入系统以及用于在处理室中产生真空的气体导出系统。出于清晰的原因，最后提及的部件在图4中未展示。
系统50以优选的方式被形成为，使得在将工件载体1接纳在处理室中时等离子体电压源53或该至少一个加热电压源54与工件载体1之间(确切地说优选经由开关设备51)产生电连接。工件载体1为此目的例如可以具有电流接口，该电流接口多个接触点位4，这些接触点位可以被布置在处理室中的接触插针接触。出于清晰的原因，接触点位4中的仅一个接触点位设有附图标记。
开关设备51优选被配置为用于首先将该至少一个电流源54与被处理室接纳的工件载体1电连接，例如通过闭合第一开关组件52a。开关设备51尤其可以被配置为用于通过产生这个电连接来将工件载体1整合到用于引导低频交流电流的至少一个加热电路中。
开关设备51例如可以被形成为在第一开关组件52a关闭的情况下(i)使得低频交流电流通过被处理室接纳的工件载体1的电极组件的第一组电极2a在该至少一个加热电压源54的极54a、54b之间流动，并且(ii)使得低频交流电流通过电极组件的第二组电极2b在该至少一个加热电压源54的极54c、54d之间流动。如图4中可以很好地看出的，一个组的电极2a、2b分别串联电连接。通过所示实例中展示的连接方式并且通过设置两个极54a和54c，在当前情况下实现了四个加热电路。
因为在第一开关组件52a闭合时电极2a、2b可以作为加热电阻起作用，所以工件载体1在第一工作模式中可以作为加热装置运行。
开关设备51另外优选被配置为将加热电压电流源54与被处理室接纳的工件载体1分离并且为此将等离子体电压源53与工件载体1电连接，例如通过断开第一开关组件52a并且闭合第二开关组件52b。开关设备51尤其可以被配置为用于通过产生这个电连接来将工件载体1整合到用于引导高频交流电流的等离子体电路中。
开关设备51例如可以被形成为在第二开关组件52b闭合的情况下使得高频交流电压施加在第一组的电极2a与第二组的电极2b之间。为此目的，开关设备51尤其可以被形成为，在第二开关组件52b闭合的情况下可以将等离子体电压源53的第一极53a与第一组的电极2a并且将第二极53b与第二组的电极2b连接。
因为第一组的电极2a和第二组的电极2b如在图4中所示地交替布置并且因而在第二开关组件52b闭合的情况下可以产生高频电场以便产生等离子体，所以工件载体1在第二工作模式中可以作为等离子体装置运行。
图5示出用于等离子体辅助的化学气相沉积系统的操作方法100的实例。
在方法步骤S1中，首先将该系统的工件载体作为加热装置加热，以便将工件载体的环境加热到为了气相沉积而设置的处理温度。为此目的例如可以将开关设备的第一开关组件闭合，以便将至少一个加热电压源与工件载体电连接，以提供低频交流电压。由此尤其可以将工件载体整合到至少一个加热电路中，使得低频交流电流作为加热电流流过在工件载体的电极组件的每个电路中串联连接的多个电极。
在另一个方法步骤S2中可以检查工件载体的温度或其环境的温度是否已经达到或超过预定的处理温度。便利地，为此由开关设备的控制装置来处理由温度传感器产生的温度信号。取决于检查的结果，例如当已经达到或超过处理温度时，在另一个方法步骤S3中优选将工件载体作为等离子体装置操作，以便从包围工件载体的处理气体来产生等离子体。如果(尚)未达到或超过处理温度，则可以继续在方法步骤S1中作为加热装置使用工件载体。
在方法步骤S3中例如可以将开关设备的第一开关组件断开并且将第二开关组件闭合，以便将该至少一个加热电压源与工件载体断开并且为此将等离子体电压源与工件载体电连接以提供高频交流电压。由此尤其可以将工件载体整合到等离子体电路中，从而在两个电极组之间施加用于产生等离子体的高频交流电压。
附图标记清单
1 工件载体
1a，2b 末端
2 电极组件
2a，2b 电极
3a，3b 分配器组件
4 接触点位
5 运行轨道
6 支脚
7 引导元件
8a，8b 行
9 绝缘元件
10 紧固器件
11 孔
12 电路
50 系统
51 开关设备
52a，52b 开关组件
53 等离子体电压源
53a，b 极
54 加热电压源
54a-d 极
100 操作方法
S1-S3 方法步骤

Claims (15)

1.一种用于等离子体辅助的气相沉积系统(50)的工件载体(1)，其中该工件载体(1)被配置为用于从包围该工件载体(1)的处理气体来产生等离子体，
其特征在于，
该工件载体(1)被配置为用于将该工件载体(1)的环境加热到为了气相沉积所设置的处理温度。
2.根据权利要求1所述的工件载体(1)，
其特征在于，
该工件载体(1)被配置为用于引导加热电流。
3.根据权利要求1或2之一所述的工件载体(1)，
其特征在于，
该工件载体(1)被配置为用于在多个电路(12)中引导交流电流。
4.根据以上权利要求之一所述的工件载体(1)，
其特征在于
用作加热电阻的多个平行布置的电极(2a，2b)。
5.根据权利要求4所述的工件载体(1)，
其特征在于，
该多个电极(2a，2b)中的至少一部分电极串联电连接。
6.根据权利要求4或5之一所述的工件载体(1)，
其特征在于，
该多个电极(2a，2b)中相邻的电极彼此电绝缘。
7.根据以上权利要求之一所述的工件载体(1)，
其特征在于
在该工件载体(1)的第一末端(1a)处布置的第一分配器组件(3a)和在该工件载体(1)的与该第一末端(1a)相反的第二末端(1b)处布置的第二分配器组件(3b)，这些分配器组件被配置为用于分配低频和高频的交流电压，以便加热该工件载体(1)的环境或用于产生等离子体。
8.根据权利要求7所述的工件载体(1)，
其特征在于，
这两个分配器组件(3a，3b)中的至少一个分配器组件将多个平行布置的电极(2a，2b)中的至少一部分电极彼此导电连接。
9.根据以上权利要求之一所述的工件载体(1)，
其特征在于
电流接口，该电流接口具有在空间上分开的至少四个接触点位(4)，以便电接触该工件载体(1)。
10.根据权利要求9所述的工件载体(1)，
其特征在于，
这些接触点位(4)具有锥形孔(11)，以便接纳接触插针。
11.一种用于等离子体辅助的化学气相沉积的系统(50)，具有根据以上权利要求之一所述的工件载体(1)以及用于接纳该工件载体的、能够用至少一种处理气体填充的处理室。
12.根据权利要求11所述的系统(50)，
其特征在于
开关设备(51)，该开关设备被配置为用于首先将该工件载体(1)作为加热装置操作，以便将该工件载体(1)的环境加热到为了气相沉积所设置的处理温度，并且随后将该工件载体作为等离子体装置操作，以便从包围该工件载体(1)的处理气体来产生等离子体。
13.根据权利要求12所述的系统(50)，
其特征在于
-等离子体电压源(53)，该等离子体电压源用于提供高频交流电压，以便将该工件载体(1)作为等离子体装置操作，以及
-至少一个加热电压源(54)，该至少一个加热电压源用于提供低频交流电压，以便将该工件载体(1)作为加热装置操作，
其中该开关设备(51)被配置为：在将该工件载体(1)的环境加热到该处理温度之后，将该至少一个加热电压源(54)与该工件载体(1)断开并且将该等离子体电压源(53)与该工件载体(1)连接。
14.根据权利要求11或12之一所述的系统(50)，
其特征在于，
该开关设备(51)被配置为：将该工件载体(1)
-在作为等离子体装置操作时整合到单一的电路中，并且
-在作为加热装置操作时整合到至少两个并联电路(12)中。
15.一种用于等离子体辅助的化学气相沉积系统(50)的操作方法(100)，其中用于首先将工件载体(1)作为加热装置操作，以便将该工件载体(1)的环境加热到为了气相沉积所设置的处理温度(S1)，并且随后将该工件载体作为等离子体装置操作，以便从包围该工件载体(1)的处理气体来产生等离子体(S3)。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022124811B3 (de) 2022-06-08 2023-12-07 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Substrat-Tragevorrichtung, ein Verwenden dieser, ein Vakuumprozess-System und ein Verfahren
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Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19631333A1 (de) 1996-08-02 1998-02-05 Linde Ag Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von elektronischen Funktionsschichten im Niederdruckplasma
DE102011113293A1 (de) 2011-09-05 2013-03-07 Schmid Vacuum Technology Gmbh Vakuumbeschichtungsvorrichtung
SG11201608771WA (en) 2014-05-09 2016-11-29 Ev Group E Thallner Gmbh Method and device for plasma treatment of substrates
DE102015004352A1 (de) 2015-04-02 2016-10-06 Centrotherm Photovoltaics Ag Waferboot und Behandlungsvorrichtung für Wafer
HUE055522T2 (hu) 2017-06-28 2021-11-29 Meyer Burger Germany Gmbh Szerkezet szubsztrátum szállítására, ilyen szerkezet szubsztrátumhordozójához hozzáillesztett felvevõlemezzel ellátott kezelõszerkezet és eljárás szubsztrátum processzálására ilyen szerkezetet használva a szubsztrátum szállítására, valamint kezelõberen...
DE102017223592B4 (de) 2017-12-21 2023-11-09 Meyer Burger (Germany) Gmbh System zur elektrisch entkoppelten, homogenen Temperierung einer Elektrode mittels Wärmeleitrohren sowie Bearbeitungsanlage mit einem solchen System

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