DE102011113293A1

DE102011113293A1 - Vakuumbeschichtungsvorrichtung

Info

Publication number: DE102011113293A1
Application number: DE102011113293A
Authority: DE
Inventors: Andreas Geiss; Guido MAHNKE; Harald Rost; Michael Klosch-Trageser
Original assignee: SCHMID VACUUM TECHNOLOGY GmbH
Current assignee: SCHMID VACUUM TECHNOLOGY GmbH
Priority date: 2011-09-05
Filing date: 2011-09-05
Publication date: 2013-03-07
Also published as: TW201327618A; WO2013034411A2; WO2013034411A3

Abstract

Es wird eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung mit einem evakuierbarem Beschichtungsraum (12), angegeben, in dem ein Substratträger (28) zur Aufnahme eines zu beschichtenden Substrates (30) vorgesehen ist, mit einer Elektrode (24) oberhalb des zu beschichtenden Substrats (30) und mit einer Gegenelektrode (32) wobei der Substratträger (28) auf einer vorzugsweise aus Graphit bestehenden Platte (32) aufgenommen ist, die als Gegenelektrode geschaltet ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung mit einem evakuierbaren Beschichtungsraum, in dem ein Substratträger zur Aufnahme eines zu beschichtenden Substrats vorgesehen ist, mit einer Elektrode oberhalb des Substratträgers und mit einer Gegenelektrode.
Derartige Vakuumbeschichtungsvorrichtungen sind grundsätzlich bekannt (vgl. z. B. US 6,626,186 B1 ). Sie werden für zahlreiche Beschichtungsaufgaben verwendet. Es kann sich beispielsweise um ein CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition) oder ein PECVD-Verfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) handeln. Bei letzterem wird zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode eine HF-Spannung angelegt, wodurch ein Plasma erzeugt wird. Solche Verfahren werden beispielsweise bei der Herstellung von Solarzellen eingesetzt, etwa um eine Nitridbeschichtung zur Passivierung der Oberfläche von Solarzellen aufzubringen.
Problematisch bei derartigen Prozessen ist eine saubere Prozessführung, um eine möglichst gleichmäßige Beschichtung von konstanter Stärke ohne Verunreinigungen auf der Substratoberfläche aufzubringen. Das Beschichtungsergebnis wird hierbei von zahlreichen Prozessparametern, wie Gaszusammensetzung der Reaktionsgase, Temperatur des zu beschichtenden Substrates, Temperatur innerhalb der Beschichtungskammer, Abstand zwischen Elektrode und Gegenelektrode, angelegte Spannung und Frequenz, Strömungsverlauf der Prozessgase, sowie weiteren Parametern beeinflusst.
Vor diesem Hintergrund liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß der eingangs genannten Art derart zu verbessern, dass der Beschichtungsprozess möglichst gleichmäßig und mit hoher Stabilität durchgeführt werden kann. Ferner soll ein verbessertes Vakuumbeschichtungsverfahren unter Verwendung einer Spannung zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode angegeben werden, das eine möglichst gleichmäßige und stabile Prozessführung erlaubt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass der Substratträger auf einer Platte aufgenommen ist, die als Gegenelektrode geschaltet ist und vorzugsweise aus Graphit besteht.
Die Aufgabe der Erfindung wird auf diese Weise vollkommen gelöst.
Während bei herkömmlichen Vakuumbeschichtungsvorrichtungen ein zu beschichtendes Substrat, etwa ein Wafer, unmittelbar auf einem Substratträger aus Kohlefaser (CFC) aufliegt, der als Gegenelektrode geschaltet ist, ist der Substratträger erfindungsgemäß auf einer Platte aufgenommen, die als Gegenelektrode geschaltet ist. Somit ist das Substrat in einem homogeneren Feld gehalten, da sich das elektrische Feld bis zur Platte erstreckt. Auf diese Weise lässt sich ein homogeneres Beschichtungsergebnis erzielen.
In bevorzugter Weiterbildung der Erfindung besteht die Platte aus Graphit. Graphit ist ein deutlich besserer Wärmeleiter als ein metallischer Substratträger und trägt somit zu einer homogenen Temperaturverteilung und so zu einer verbesserten Beschichtung bei.
Wegen ihres Gewichtes und der großen Fläche ist die Platte vorzugsweise aus mehreren Einzelplatten zusammengesetzt.
Die Platte ist in bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung beheizt. Insbesondere dann, wenn die Platte aus Graphit besteht, wird durch die gute Wärmeleitfähigkeit eine besonders homogene Temperaturverteilung erreicht, wodurch ein homogeneres Beschichtungsergebnis erzielt werden kann.
Während bei herkömmlichen Anlagen der Substratträger indirekt beheizt wird, kann die Platte, auf dem der Substratträger aufgenommen ist, durchgehend beheizt werden. Dadurch wird eine deutlich gleichmäßigere Temperatur gewährleistet.
Zur Beheizung ist bevorzugt eine Mehrzahl von Heizelementen, etwa in Form von Widerstandsheizelementen, unterhalb der Platte angeordnet. Die Heizelemente sind vorzugsweise möglichst gleichmäßig über die gesamte Fläche der Platte verteilt, um eine besonders homogene Temperaturverteilung zu erzielen. Jedes Heizelement kann einzeln ansteuer- bzw. regelbar sein.
Die Elektrode ist vorzugsweise von einer Mehrzahl von Gasaustrittsbohrungen durchsetzt, die vorzugsweise möglichst gleichmäßig über die gesamte Fläche der Elektrode verteilt sind.
In weiter bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung ist an der Elektrode ein Strömungsleitelement vorzugsweise in Form eines Rahmens vorgesehen, der sich in Richtung auf den Substratträger erstreckt.
Durch diese Maßnahmen wird ein gleichmäßiger Fluss der Prozessgase in Richtung auf das Substrat unterstützt, wodurch das Beschichtungsergebnis verbessert wird.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist der Abstand zwischen Elektrode und Substratträger veränderbar.
Während dieser Abstand bei herkömmlichen Vakuumbeschichtungsvorrichtungen fest vorgegeben ist, kann der Abstand zwischen dem Substratträger, auf dem das Substrat aufgenommen ist, und der Elektrode verändert werden. Durch die Veränderung des Abstands zwischen Substratträger bzw. Gegenelektrode und Elektrode kann der Beschichtungsprozess gleichmäßiger gestaltet werden und es können wegdriftende Beschichtungsprozesse durch die Anpassung des Abstands zwischen Elektrode und Gegenelektrode stabilisiert werden.
Auf diese Weise kann eine verbesserte Prozessführung gegebenenfalls mit automatischer Steuerung des Abstands zwischen Elektrode und Gegenelektrode erreicht werden.
Der Abstand zwischen Elektrode und Substratträger kann hierbei vorzugsweise so eingestellt werden, dass ein Spalt von etwa 2 bis 20 mm, vorzugsweise etwa 2 bis 5 mm, zwischen einem Strömungsleitelement und dem Substratträger verbleibt.
Die erfindungsgemäße Vakuumbeschichtungsvorrichtung arbeitet vorzugsweise im Batchbetrieb.
Zwecks eines hohen Durchsatzes kann hierbei eine Vakuumbeschichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Beschichtungsvorrichtungen mit einer gemeinsamen Ladezelle gekoppelt sein, wobei mindestens eine der Beschichtungsvorrichtungen zu Wartungszwecken als Wartungszelle vom Betrieb der übrigen Beschichtungsvorrichtungen abkoppelbar ist und wobei die Kapazität der übrigen Beschichtungsvorrichtungen derart ausgelegt ist, dass die Nennkapazität der Vakuumbeschichtungsanlage ohne die Wartungszelle erreicht wird.
Auf diese Weise können Wartungsarbeiten während des laufenden Beschichtungsprozesses in der Wartungszelle durchgeführt werden, ohne dass die Anlage stillgesetzt werden muss. Auf diese Weise lässt sich eine Einsatzbereitschaft von durchschnittlich etwa 97% erzielen.
Die Aufgabe der Erfindung wird ferner durch ein Verfahren zur Vakuumbeschichtung eines Substrates unter Anlegung einer Spannung zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode unter Zuführung eines Prozessgases gelöst, bei dem das Substrat auf einem Substratträger zwischen der Elektrode und einer vorzugsweise aus Graphit bestehenden Platte angeordnet wird, die als Gegenelektrode geschaltet ist.
Wie bereits zuvor erwähnt, wird durch ein derartiges Verfahren eine gleichmäßigere Prozessführung mit besonders hoher Qualität ermöglicht.
In vorteilhafter Weiterbildung dieses Verfahrens wird hierbei das Prozessgas über eine Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen an der Elektrode zugeführt und durch mindestens ein Strömungsleitelement in Richtung auf das Substrat gelenkt, wobei eine Absaugung vorzugsweise im Bodenbereich des Beschichtungsraums erfolgt.
Hierdurch wird eine besonders gleichmäßige Zuführung der Prozessgase von oben in Richtung auf das Substrat ermöglicht, wodurch besonders gleichmäßige Beschichtungsergebnisse erzielt werden können.
Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale der Erfindung nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Zeichnung. Es zeigen:
1 einen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Vakuumbeschichtungsvorrichtung in stark vereinfachter, schematischer Darstellung; und
2a) bis c) eine schematische Darstellung einer Vakuumbeschichtungsanlage mit drei Beschichtungszellen, einer Servicezelle und einer Ladezelle, die fünfeckförmig um eine zentrale Verteilungszelle herum angeordnet sind, wobei in a) bis c) unterschiedliche Nutzungsarten dargestellt sind.
In 1 ist eine erfindungsgemäße Vakuumbeschichtungsvorrichtung insgesamt mit der Ziffer 10 bezeichnet.
Die Vakuumbeschichtungsvorrichtung 10 weist einen Beschichtungsraum 12 auf, der von einem Boden 16, Wänden 18 und einem Deckel 14 luftdicht umschlossen ist. Der Beschichtungsraum 12 weist eine obere Ebene 38 und darunter eine untere Ebene 40 auf. Sowohl in der oberen Ebene 38 als auch in der unteren Ebene 40 kann ein Substratträger 28 aufgenommen sein. Der Substratträger 28 kann über eine zugeordnete Tür 48 in der Wand 18 mittels einer Handlingeinrichtung 52 in die obere Ebene 38 ein- bzw. ausgefahren werden. Zur Aufnahme in der oberen Ebene dienen hierbei zugeordnete Rollen 36, die mittels Vakuumdurchführungen von außerhalb des Beschichtungsraums 12 betätigbar sind und die durch axiales Bewegen in der Wand 18 versenkt werden können.
Auch in der unteren Ebene sind Transportrollen 46 vorgesehen, die zur Aufnahme eines Substratträgers 28 dienen, der wiederum bei geöffneter Tür 50 mittels einer zugeordneten Handlingeinrichtung 54 in die untere Ebene 40 des Beschichtungsraums 12 ein- bzw. ausgefahren werden kann.
Ein im Beschichtungsraum 12 befindlicher Substratträger 28 liegt bei in die Wand 18 eingezogenen Transportrollen 36 auf einer Platte 32 auf, die vorzugsweise aus Graphit besteht und die mit Hilfe einer Hubeinrichtung 42 in Vertikalrichtung bewegt werden kann. Die Hubeinrichtung 42 umfasst einen Hubantrieb 64, wobei es sich beispielsweise um einen Elektrozylinder handeln kann, mit Hilfe dessen ein Kolben in Vertikalrichtung gesteuert verfahrbar ist.
Die aus Graphit bestehende Platte 32 ist beheizbar, wozu an ihrer Unterseite eine Mehrzahl von Heizelementen 34, z. B. Widerstandsheizelementen, vorgesehen sind, die über die gesamte Unterfläche der Platte 32 gleichmäßig verteilt angeordnet sind. Gemäß 1 ist auf dem Substratträger 28 ein ebenes Substrat 30 aufgenommen, das in der Beschichtungsvorrichtung 10 beschichtet werden kann. Die Platte 32 ist als Gegenelektrode geschaltet.
Oberhalb des Substrates 30 ist eine zugeordnete flächige Elektrode 24 in einem Abstand d vom Substratträger 28 angeordnet. Die Elektrode 24 ist von einer Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen 26 durchsetzt, die sich rasterartig verteilt über die gesamte Fläche der Elektrode 24 erstrecken. Die Gasaustrittsöffnungen 26 dienen zur Zuführung von Prozessgas für einen Vakuumbeschichtungsvorgang, das über eine angeschlossene Gaszufuhr 22 von außerhalb der Beschichtungskammer 12 zugeführt werden kann.
Zwischen der Platte 32 und der Elektrode 24 wird eine Spannung angelegt (nicht dargestellt), wobei es sich um eine HF-Spannung handeln kann, wenn im Beschichtungsraum ein PECVD-Verfahren unter Vakuum ausgeführt werden soll.
Während eines Beschichtungsprozesses tritt das Prozessgas, wie durch die Pfeile 74 angedeutet, gleichmäßig nach unten in Richtung auf das Substrat 30 aus. Um ein seitliches Entweichen des Prozessgases zu vermeiden und um einen gleichmäßigen Zutritt des Prozessgases auf die Substratoberfläche zu gewährleisten, ist ein Strömungsleitelement 70 vorgesehen. Es handelt sich hierbei um einen umfangsmäßig geschlossenen Rahmen, der an der Unterseite der Elektrode 24 befestigt ist und der sich nach unten bis kurz oberhalb des Substratträgers 28 erstreckt.
Zwischen dem unteren Ende des Strömungsleitelementes bzw. Rahmens 70 und dem Substratträger 28 verbleibt ein Spalt s, der vorzugsweise im Bereich von etwa 2 bis 20 mm, insbesondere 2 bis 5 mm, liegt und der vorzugsweise mit Hilfe der Hubeinrichtung 42 in Abhängigkeit von mindestens einem Prozessparameter variierbar ist. Die Hubeinrichtung 42 wird hierzu über eine zentrale Steuerung 60 gesteuert, wie über eine Steuerleitung 66 angedeutet ist. Rein schematisch ist in der Beschichtungskammer 12 ein Sensor 62 dargestellt, der über eine Leitung 68 mit der zentralen Steuerung 60 gekoppelt ist. Es kann sich hierbei beispielsweise um einen Temperatursensor, um einen Drucksensor, einen Sensor zur Erfassung eines bestimmten Gaspartialdrucks usw. handeln. Es versteht sich, dass der Sensor 28 lediglich rein schematisch angedeutet ist und als beliebiger Sensor ausgeführt sein kann bzw. dass eine Reihe von verschiedenen Sensoren vorgesehen sein kann, die mit der Steuerung 60 in Verbindung stehen. Jedenfalls kann mit Hilfe der Steuerung 60 der Abstand d zwischen Substratträger 28 und Elektrode 24 bzw. der Spalt s zwischen dem unteren Ende des Strömungsleitelementes bzw. Rahmens 70 und dem Substratträger 28 in Abhängigkeit von einem der Prozessparameter eingestellt werden, um eine optimierte Prozessführung zu gewährleisten.
Die Beschichtungskammer 12 kann mit Hilfe einer Vakuumpumpe 20 evakuiert werden. Die Vakuumpumpe 20 weist eine Vielzahl von Ansaugöffnungen 21 auf, die vorzugsweise im Bodenbereich des Beschichtungsraums 12 gleichmäßig verteilt angeordnet sind.
Durch das Strömungsleitelement bzw. den Rahmen 70 wird ein sehr gleichmäßiger Zutritt der über die Elektrode 24 zugeführten Prozessgase zur Oberfläche des Substrates 30 gewährleistet.
Die Graphitplatte 32, die als Gegenelektrode geschaltet ist, dient zu einer Homogenisierung des elektrischen Feldes. Außerdem ist Graphit ein sehr guter Wärmeleiter, der eine gleichmäßige Temperaturverteilung über die gesamte Fläche gewährleistet. Es ergibt sich somit eine besonders gleichmäßige Temperaturverteilung über die gesamte Graphitplatte 32 und damit auch über den Substratträger 28 und letztlich das Substrat 30, was zu einem entsprechend homogenen Beschichtungsergebnis führt.
Durch die Aufteilung des Beschichtungsraums 12 in eine obere Ebene 38 und eine untere Ebene 40 kann in Kombination mit zugeordneten Handlingeinrichtungen und zugeordneten Lade- und Verteileinrichtungen ein besonders schneller Durchsatz gewährleistet werden.
Wenn ein Beschichtungsprozess im oberen Bereich 38 des Beschichtungsraums 12 beendet ist, so kann der Substratträger 28 mit dem darauf liegenden Substrat 30 mittels der Hubeinrichtung 42 in die untere Ebene 40 verfahren werden. Es kann dann bei geöffneten Türen 48 bzw. 50 mittels der Handlingeinrichtung 52 ein neuer Substratträger mit einem zu beschichtenden Substrat eingefahren werden, wie durch den Pfeil 56 angedeutet ist. Gleichzeitig kann der Substratträger 28 mit dem darauf befindlichen, fertig beschichteten Substrat 30 aus der unteren Ebene 40 bei geöffneter Tür 50 über die Handlingeinrichtung 54 ausgefahren werden, wie durch den Pfeil 58 angedeutet ist.
Es versteht sich, dass anstelle zweier getrennter Türen 48, 50 gemäß 1 auch eine gemeinsam durchgehende Tür bzw. Schleuse vorgesehen sein kann.
Die Anlage arbeitet vorzugsweise getaktet im Batchbetrieb.
In 2 ist der grundsätzliche Aufbau einer Vakuumbeschichtungsanlage dargestellt und insgesamt mit Ziffer 80 bezeichnet. Die Vakuumbeschichtungsanlage 80 gemäß 2a) umfasst drei Beschichtungszellen P1, P2, P3 und eine identisch aufgebaute Servicezelle M, sowie eine Ladezelle 82, die außen um eine Verteilerzelle 84 herum angeordnet sind, die die Form eines regelmäßigen Fünfecks aufweist. Die Beschichtungszellen P1, P2, P3 und die Wartungszelle M sind jeweils über eine zugeordnete Schleuse bzw. Tür mit der Verteilerzelle 84 koppelbar.
Jede Beschichtungszelle P1, P2, P3 und die Wartungszelle M ist durch eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung 10 in der vorstehend beschriebenen Weise gebildet.
Im vorliegenden Fall wird in allen Beschichtungszellen P1, P2, P3 der gleiche Beschichtungsprozess durchgeführt. Durch das parallele Betreiben der Beschichtungszellen P1, P2, P3 wird ein erhöhter Durchsatz gewährleistet. Die Kapazität der Beschichtungszellen P1, P2, P3 ist nun so ausgelegt, dass drei Beschichtungszellen ausreichen, um den Nenndurchsatz zu gewährleisten. Die Wartungszelle M weist nun einen identischen Aufbau wie die Beschichtungszellen P1, P2, P3 auf und dient somit als Reservekapazität. Dies bedeutet, dass der Beschichtungsprozess mit Nenndurchsatz arbeitet, während gleichzeitig in einer Zelle, in der Wartungszelle M, Wartungsarbeiten, z. B. Reinigungsarbeiten und dergleichen durchgeführt werden können, ohne dass der Nenndurchsatz beeinträchtigt wird.
2b) zeigt einen anderen Zustand der Vakuumbeschichtungsanlage 80', bei dem die zuvor gemäß 2a) als Beschichtungszelle im Prozess eingesetzte Zelle P3 nunmehr als Wartungszelle M genutzt wird, und bei der die vorherige Wartungszelle M nunmehr als Beschichtungszelle P3 im Prozess betrieben wird.
Es steht somit die gleiche Anzahl von Beschichtungsmodulen wie zuvor zur Verfügung, während gleichzeitig ein anderes der Module nunmehr zur Wartung genutzt wird, wie bei M angedeutet.
2c) zeigt einen weiteren Zustand der Vakuumbeschichtungsanlage 80'', bei dem nunmehr die vorher gemäß 2b) als Beschichtungszelle P2 genutzte Zelle nunmehr als Wartungszelle M genutzt wird, während die vorherige Wartungszelle als Beschichtungszelle P2 genutzt wird.
Es kann also somit immer der Nenndurchsatz der gesamten Vakuumbeschichtungsanlage erreicht werden, während immer eine der Zellen zu Wartungszwecken offline ist. Insgesamt lässt sich mit einer derartigen Auslegung eine Einsatzbereitschaft (Uptime) von etwa 97% gewährleisten.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 6626186 B1 [0002]

Claims

Vakuumbeschichtungsvorrichtung mit einem evakuierbarem Beschichtungsraum (12), in dem ein Substratträger (28) zur Aufnahme eines zu beschichtenden Substrates (30) vorgesehen ist, mit einer Elektrode (24) oberhalb des zu beschichtenden Substrats (30) und mit einer Gegenelektrode (32), dadurch gekennzeichnet, dass der Substratträger (28) auf einer Platte (32) aufgenommen ist, die als Gegenelektrode geschaltet ist.
Vakuumbeschichtungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Platte (32) aus Graphit besteht.
Vakuumbeschichtungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Platte (32) aus mehreren Einzelplatten zusammengesetzt ist.
Vakuumbeschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Platte (32) beheizt ist.
Vakuumbeschichtungsvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb der Platte (32) eine Mehrzahl von Heizelementen (34) angeordnet ist.
Vakuumbeschichtungsvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizelemente (34) unterhalb der Oberfläche der Platte (32) weitgehend gleichmäßig verteilt angeordnet sind, wobei die Heizelemente (34) bevorzugt einzeln regelbar sind.
Vakuumbeschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode (24) von einer Mehrzahl von Gasaustrittsbohrungen (26) zur Zuführung von Prozessgasen durchsetzt ist.
Vakuumbeschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an der Elektrode (24) ein Strömungsleitelement (70) vorzugsweise in Form eines Rahmens vorgesehen ist, der sich in Richtung auf den Substratträger (28) erstreckt.
Vakuumbeschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (d) zwischen dem Substratträger (28) und der Elektrode (24) während eines Beschichtungsvorgangs veränderbar ist, vorzugsweise so dass zwischen dem Substratträger (28) und einem sich von der der Elektrode (24) aus erstreckenden Strömungsleitelement (70) ein Spalt von etwa 2 bis 15 Millimeter, bevorzugt von etwa 3 bis 7 Millimeter, besonders bevorzugt von etwa 4 bis 5 Millimeter verbleibt.
Vakuumbeschichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Beschichtungsvorrichtungen (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die mit einer gemeinsamen Ladezelle (82) gekoppelt sind, wobei mindestens eine der Beschichtungsvorrichtungen (10) zu Wartungszwecken als Wartungszelle (M) vom Betrieb der übrigen Beschichtungsvorrichtungen (10) abkoppelbar ist, wobei die Kapazität der übrigen Beschichtungsvorrichtungen (10) derart ausgelegt ist, dass die Nennkapazität der Vakuumbeschichtungsanlage ohne die Wartungszelle (M) erreicht wird.
Verfahren zur Vakuumbeschichtung eines Substrates (30) unter Anlegung einer Spannung zwischen einer Elektrode (24) und einer Gegenelektrode (32) unter Zuführung eines Prozessgases, bei dem das Substrat (30) auf einem Substratträger (28) zwischen der Elektrode (24) und einer vorzugsweise aus Graphit bestehende Platte (32) angeordnet wird, die als Gegenelektrode geschaltet ist.
Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das Prozessgas über eine Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen (26) an der Elektrode (24) zugeführt wird und durch mindestens ein Strömungsleitelement (70) in Richtung auf das Substrat (30) gelenkt wird, wobei eine Absaugung vorzugsweise im Bodenbereich des Beschichtungsraums (12) erfolgt.