KR20230065560A - Apparatus for electromagnetic interference shielding film - Google Patents

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KR20230065560A
KR20230065560A KR1020210151250A KR20210151250A KR20230065560A KR 20230065560 A KR20230065560 A KR 20230065560A KR 1020210151250 A KR1020210151250 A KR 1020210151250A KR 20210151250 A KR20210151250 A KR 20210151250A KR 20230065560 A KR20230065560 A KR 20230065560A
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Abstract

EMI 차폐막 형성 장치가 개시되며, 상기 EMI 차폐막 형성 장치는, 대상체의 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 차폐막 형성부; 상기 대상체의 상기 일면에 형성된 EMI 차폐막의 대상부재가 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 레이저를 조사하는 레이저 조사부; 상기 레이저 조사부와 상기 대상체의 일면 사이에 배치되는 광 투과부재; 및 버를 제거하는 버 제거부를 포함한다.An EMI shielding film forming apparatus is disclosed, and the EMI shielding film forming apparatus includes: a shielding film forming unit for forming an EMI shielding film on one surface of an object; a laser irradiation unit for irradiating a laser to generate a burr on a portion of the EMI shielding film formed on the one surface of the object, which is located on a portion to be provided with a target member; a light transmitting member disposed between the laser irradiation unit and one surface of the object; and a deburring unit for removing deburrs.

Description

EMI 차폐막 형성 장치{APPARATUS FOR ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING FILM}EMI shielding film forming device {APPARATUS FOR ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING FILM}

본원은 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법 및 EMI 차폐막 형성 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of forming an EMI shielding film on one surface of an object and an apparatus for forming an EMI shielding film.

전자제품에 사용되는 칩은 인체에 미치는 전자파 차단 또는 인접한 전자 부품 간에 발생되는 전기전자적인 간섭을 최소화하기 위하여 EMI shield 처리될 수 있다. EMI shield 처리는 칩에 메탈(metal)을 포함하는 재질인 전자파 차폐막(EMI 차폐막)을 형성하는 것일 수 있다.Chips used in electronic products can be treated with EMI shield to block electromagnetic waves affecting the human body or to minimize electrical and electronic interference generated between adjacent electronic parts. The EMI shield treatment may be to form an electromagnetic wave shielding film (EMI shielding film), which is a material containing metal, on the chip.

그런데, 일반적으로, 칩의 하면에는 칩과 기판(substrate)을 전기적으로 연결하는 솔더볼이 구비될 수 있는데, 하면에 솔더볼이 구비되는 칩은 하면에 EMI 차폐막을 형성할 수 없었다. 그 이유는, 칩의 하면에 EMI 차폐막을 형성하면, 솔더볼의 표면에까지 EMI 차폐막이 형성되고, 이러한 경우, 칩을 기판 상에 장착시키면 솔더볼 표면에 형성된 EMI 차폐막으로 인해 솔더볼과 기판사이에 전기적 쇼트가 일어나기 때문이다. 이에 따라, 칩의 솔더볼이 구비되는 하면에도 EMI 차폐막을 용이하게 형성할 수 있는 방안이 제안될 필요가 있었다.However, generally, a solder ball may be provided on the lower surface of a chip to electrically connect the chip and a substrate, but the EMI shielding film cannot be formed on the lower surface of the chip having the solder ball on the lower surface. The reason is that when the EMI shielding film is formed on the lower surface of the chip, the EMI shielding film is formed even on the surface of the solder ball. In this case, when the chip is mounted on the board, an electrical short occurs between the solder ball and the board due to the EMI shielding film formed on the surface of the solder ball. because it happens Accordingly, it was necessary to propose a method for easily forming an EMI shielding film on the lower surface where the solder balls of the chip are provided.

본원의 배경이 되는 기술은 한국공개특허공보 제 10-1899239호에 개시되어 있다.The background technology of the present application is disclosed in Korean Patent Publication No. 10-1899239.

본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 칩의 솔더볼이 구비되는 일면에도 EMI 차폐막을 용이하게 형성할 수 있는 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법 및 EMI 차폐막 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the problems of the prior art described above, and an object of the present invention is to provide an EMI shielding film forming method and an EMI shielding film forming device for one side of an object that can easily form an EMI shielding film on one side of a chip on which a solder ball is provided. to be

다만, 본원의 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들도 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.However, the technical problems to be achieved by the embodiments of the present application are not limited to the technical problems as described above, and other technical problems may exist.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제 1 측면에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법은, (a) 솔더볼이 구비될 일면에 솔더볼이 구비되지 않은 상태의 대상체를 준비하는 단계; (b) 상기 대상체의 상기 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 단계; (c) 상기 일면에 형성된 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분을 부분적으로 제거하는 단계; 및 (d) 상기 일면의 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분이 부분적으로 제거되어 노출된 솔더볼이 구비될 부분에 솔더볼을 구비하는 단계를 포함할 수 있다.As a technical means for achieving the above technical problem, a method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to the first aspect of the present application is to prepare an object in a state in which solder balls are not provided on one surface to be provided with solder balls step; (b) forming an EMI shielding film on the one surface of the object; (c) partially removing a portion of the EMI shielding film formed on the one surface located on a portion where solder balls are to be provided; and (d) providing solder balls to the exposed portion of the EMI shielding film on the portion where the solder balls are to be provided by partially removing a portion located on the portion where the solder balls are to be provided.

또한, 본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 (c) 단계는, (c1) 상기 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 상기 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 레이저를 조사하는 단계; 및 (c2) 상기 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 발생한 버를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, in the method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application, the step (c) is performed by forming a burr on a portion of the EMI shielding film located on a portion where solder balls are to be provided. irradiating a laser to a portion located on a portion of the EMI shielding film where solder balls are to be provided so that a ? and (c2) removing burrs generated in a portion of the EMI shielding film located on a portion where solder balls are to be provided.

본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 (c1) 단계는, 상기 대상체의 상기 일면 상에 광 투과부재를 위치시키고, 레이저가 상기 광 투과부재를 통과하게 하되, 상기 광 투과부재와 상기 EMI 차폐막 사이의 거리는 상기 (c1) 단계에서 발생하는 버의 끝단의 높이가 미리 설정된 높이 이하로 제한되도록 설정될 수 있다.In the method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application, the step (c1) is to position a light transmitting member on the one surface of the object, and to pass a laser through the light transmitting member , The distance between the light transmitting member and the EMI shielding film may be set so that the height of the tip of the burr generated in the step (c1) is limited to a preset height or less.

본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 흡입하는 흡입 홀이 형성되고, 상기 (c1) 단계에서, 상기 흡입 홀은 상기 레이저 조사시 발생되는 연기의 적어도 일부를 흡입할 수 있다.In the method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application, a suction hole for sucking gas is formed on the surface of the light transmitting member facing the object, and in step (c1), the suction hole may inhale at least a part of the smoke generated during the laser irradiation.

본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 배출하는 배출 홀이 형성되고, 상기 (c) 단계에서, 상기 배출 홀은 버의 끝단의 높이가 낮아지도록 기체를 배출할 수 있다.In the EMI shielding film forming method for one surface of an object according to an embodiment of the present application, a discharge hole for discharging gas is formed on the surface of the light transmitting member facing the object, and in step (c), the discharge hole The gas can be discharged so that the height of the tip of the silver burr is lowered.

본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 EMI 차폐막은 metal을 포함하는 소재로 이루어지고, 상기 (c2) 단계는, 자석부의 자력으로 상기 버를 제거할 수 있다.In the method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application, the EMI shielding film is made of a material containing metal, and in step (c2), the burr can be removed by the magnetic force of the magnet part. .

본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 대상체는, PCB, package, chip 중 하나일 수 있다.In the method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application, the object may be one of a PCB, a package, and a chip.

본원의 제1 측면에 따른 EMI 차폐막 형성 장치는, 대상체의 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 차폐막 형성부; 상기 대상체의 상기 일면에 형성된 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 레이저를 조사하는 레이저 조사부; 상기 레이저 조사부와 상기 대상체의 일면 사이에 배치되는 광 투과부재; 및 버를 제거하는 버 제거부를 포함할 수 있다. An EMI shielding film forming apparatus according to a first aspect of the present application includes a shielding film forming unit for forming an EMI shielding film on one surface of an object; A laser irradiation unit for irradiating a laser to generate a burr in a portion located on a portion of the EMI shielding film formed on the one surface of the object, where a solder ball is to be provided; a light transmitting member disposed between the laser irradiation unit and one surface of the object; And it may include a burr removal unit for removing burrs.

본원의 일 구현예에 따른 EMI 차폐막 형성 장치에 있어서, 상기 광 투과부재와 상기 대상체의 일면 사이의 거리는 버의 끝단의 높이를 미리 설정된 높이 이하로 제한하도록 설정될 수 있다.In the EMI shielding film forming apparatus according to one embodiment of the present application, the distance between the light transmitting member and one surface of the object may be set to limit the height of the tip of the burr to a predetermined height or less.

본원의 일 구현예에 따른 EMI 차폐막 형성 장치에 있어서, 상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 흡입하는 흡입 홀이 형성되고, 상기 흡입 홀은 상기 레이저 조사부의 레이저 조사시 발생되는 연기를 흡입할 수 있다.In the EMI shielding film forming apparatus according to an embodiment of the present application, a suction hole for sucking gas is formed on a surface of the light transmitting member facing the object, and the suction hole removes smoke generated during laser irradiation of the laser irradiator. can be inhaled.

본원의 일 구현예에 따른 EMI 차폐막 형성 장치에 있어서, 상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 배출하는 배출 홀이 형성되고, 상기 배출 홀은 버의 끝단의 높이가 낮아지도록 기체를 배출할 수 있다.In the EMI shielding film forming apparatus according to an embodiment of the present application, a discharge hole for discharging gas is formed on a surface of the light transmitting member facing the object, and the discharge hole discharges gas so that the height of the tip of the burr is lowered. can do.

본원의 일 구현예에 따른 EMI 차폐막 형성 장치에 있어서, 상기 EMI 차폐막은 metal을 포함하는 소재로 이루어지고, 상기 버 제거부는, 자력으로 상기 버를 제거하는 자석부를 포함할 수 있다.In the EMI shielding film forming apparatus according to one embodiment of the present application, the EMI shielding film may be made of a material containing metal, and the deburring unit may include a magnet unit for removing the burr with a magnetic force.

상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본원을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.The above-described problem solving means are merely exemplary and should not be construed as intended to limit the present disclosure. In addition to the exemplary embodiments described above, additional embodiments may exist in the drawings and detailed description of the invention.

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 솔더볼이 구비되지 않은 상태의 일면에 EMI 차폐막을 형성한 후, EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분과 대응하는 부분을 제거하고 솔더볼을 구비할 수 있으므로, 솔더볼에 EMI 차폐막을 형성하지 않으면서 솔더볼이 구비되는 대상체의 일면에 대해서도 용이하게 EMI 차폐막을 형성할 수 있다.According to the above-described problem solving means of the present application, after forming the EMI shielding film on one surface in a state where the solder balls are not provided, the part corresponding to the part to be provided with the solder balls of the EMI shielding film can be removed and the solder balls can be provided, so that the solder balls Without forming the EMI shielding film, it is possible to easily form an EMI shielding film on one surface of the target object on which the solder balls are provided.

또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 광 투과 부재가 레이저를 통과시켜 레이저가 버를 발생시키게 허용하면서도, 발생되는 버의 끝단이 미리 설정된 높이 이상으로 높아지지 않게 할 수 있어, 버가 최대한 대상체의 일면에 가까운 상태를 갖게할 수 있고, 이에 따라, 자석부를 이용한 버 제거시 자석부의 버에 대한 자력 작용이 용이해져 자석부의 자력을 이용한 버 제거가 용이할 수 있다.In addition, according to the above-described means for solving the problems of the present application, the light transmitting member allows the laser to pass through and allows the laser to generate burrs, but the tip of the generated burrs can not be raised above a preset height, so that the burrs can be maximized. It is possible to have a state close to one surface of the target object, and thus, when deburring using the magnet part, the action of the magnetic force on the burr of the magnet part becomes easy, so that the deburring using the magnetic force of the magnet part can be easily removed.

또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 레이저 조사시, EMI 차폐막에 열이 가해짐으로써 연기가 발생할 수 있는데, 이 연기가 광 투과부재의 흡입 홀에 의해 제거될 수 있으므로, 공정의 안전성이 증가되고, 유해물질이 퍼지는 현상이 줄어들 수 있다.In addition, according to the above-described problem solving means of the present application, heat is applied to the EMI shielding film during laser irradiation, so smoke may be generated. Since this smoke can be removed by the suction hole of the light transmitting member, the safety of the process is improved. increased, and the spread of harmful substances can be reduced.

또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 광 투과부재의 배출 홀이 기체를 분사하여 버에 타측으로의 외력을 작용하여 버의 끝단의 높이가 높아지는 것을 방지하거나, 높아진 버의 끝단의 높이가 낮아지게 할 수 있다.In addition, according to the above-described problem solving means of the present application, the discharge hole of the light transmitting member sprays gas to apply an external force to the burr to the other side to prevent the height of the tip of the burr from increasing, or to prevent the height of the tip of the increased burr from increasing. can be lowered

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 자석부의 자력에 의해 버가 제거될 수 있으므로, 용이한 버 제거 작업이 수행될 수 있다.According to the above-described problem solving means of the present application, since the burr can be removed by the magnetic force of the magnet part, an easy burr removal operation can be performed.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법을 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.
도 2는본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 일면에 솔더볼이 구비되지 않은 상태의 대상체의 일부의 개략적인 개념 확대도이다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 솔더볼이 구비되지 않은 상태의 대상체의 일면의 개념도이다.
도 4는 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 일면에 EMI 차폐막이 형성된 대상체의 일부의 개략적인 개념 확대도이다.
도 5는 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 EMI 차폐막이 형성된 대상체의 일면의 개념도이다.
도 6은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 형성된 부분이 부분적으로 제거된 대상체의 일면의 개념도이다.
도 7은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 레이저 조사부의 레이저 조사를 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 8은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 광 투과부재의 역할을 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 9는 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 광 투과부재의 개략적인 개념 단면도이다.
도 10 및 도 11은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 자석부의 자력에 의해 버가 제거되는 것을 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 12는 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 일면에 대한 솔더볼이 구비되는 것을 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 13은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 솔더볼이 구비된 일면의 개략적인 개념도이다.
도 14는 본원의 일 실시예에 따른 EMI 차폐막 형성 장치를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram for explaining a method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present disclosure.
2 is a schematic conceptual enlarged view of a portion of an object in a state in which solder balls are not provided on one surface of a method of forming an EMI shield film on one surface of the object according to an embodiment of the present disclosure.
3 is a conceptual diagram of one surface of an object in a state in which solder balls are not provided in a method of forming an EMI shield film on one surface of the object according to an embodiment of the present disclosure.
4 is a schematic conceptual enlarged view of a portion of an object having an EMI shielding film formed on one surface of a method of forming an EMI shielding film on one surface of the object according to an embodiment of the present disclosure.
5 is a conceptual diagram of one surface of an object on which an EMI shielding film is formed in a method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present disclosure.
6 is a conceptual diagram of one surface of an object from which a portion formed on a portion where solder balls are to be provided in an EMI shielding film of a method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present disclosure is partially removed.
7 is a schematic conceptual diagram for explaining laser irradiation of a laser irradiation unit in a method of forming an EMI shield film on one surface of an object according to an embodiment of the present disclosure.
8 is a schematic conceptual diagram for explaining a role of a light transmitting member in a method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present disclosure.
9 is a schematic conceptual cross-sectional view of a light transmitting member of a method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present disclosure.
10 and 11 are schematic conceptual views for explaining that burrs are removed by the magnetic force of a magnet part of a method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present disclosure.
12 is a schematic conceptual diagram for explaining that a solder ball for one side of a method of forming an EMI shield film for one side of an object according to an embodiment of the present disclosure is provided.
13 is a schematic conceptual diagram of one surface provided with a solder ball of a method for forming an EMI shield film on one surface of an object according to an embodiment of the present disclosure.
14 is a schematic block diagram for explaining an EMI shielding film forming apparatus according to an embodiment of the present disclosure.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present application will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice with reference to the accompanying drawings. However, the present disclosure may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly describe the present application in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is said to be "connected" to another part, this includes not only the case of being "directly connected" but also the case of being "electrically connected" with another element in between. do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에", "상부에", "상단에", "하에", "하부에", "하단에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the present specification, when a member is referred to as being “on,” “above,” “on top of,” “below,” “below,” or “below” another member, this means that a member is located in relation to another member. This includes not only the case of contact but also the case of another member between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.

또한, 본원의 실시예에 관한 설명 중 방향이나 위치와 관련된 용어(일측, 일면, 타측 등)는 도면에 나타나 있는 각 구성의 배치 상태를 기준으로 설정한 것이다. 예를 들면, 도 2 및 도 4를 보았을 때, 전반적으로 12시 방향이 일측, 전반적으로 12시 방향을 향하는 면이 일면, 전반적으로 6시 방향이 타측 등이 될 수 있다.In addition, terms (one side, one side, the other side, etc.) related to directions or positions in the description of the embodiments of the present application are set based on the arrangement state of each component shown in the drawings. For example, when looking at FIGS. 2 and 4, the 12 o'clock direction may be one side, the 12 o'clock direction may be one side, and the 6 o'clock direction may be the other side.

본원은 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of forming an EMI shielding film on one side of an object.

참고로, 본원에서 대상체는 PCB, package, chip 등 다양한 종류의 전자제품의 대상부재(예를 들어, 솔더볼, 리드 등)이 구비되는 것을 의미할 수 있다. 이에 따르면, 대상체는 PCB, package, chip 등 중 하나일 수 있다.For reference, in the present application, a target object may mean that a target member (eg, a solder ball, a lead, etc.) of various types of electronic products such as a PCB, a package, and a chip is provided. According to this, the target object may be one of a PCB, a package, a chip, and the like.

이하에서는, 용이한 이해를 위해, 먼저, 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법(이하 '본 방법'라 함)에 대해 설명한다.Hereinafter, for easy understanding, a method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present disclosure (hereinafter referred to as 'this method') will be described.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 방법은 솔더볼(대상부재)이 구비될 일면에 솔더볼이 구비되지 않은 상태의 대상체(9)를 준비하는 단계(S100)를 포함한다.1 to 3, the method includes a step (S100) of preparing an object 9 in a state in which solder balls are not provided on one surface on which solder balls (target members) are to be provided.

또한, 도 1, 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 방법은 대상체(9)의 일면에 EMI 차폐막(91)을 형성하는 단계(S300)를 포함한다. S300 단계는 스퍼터링을 이용해 EMI 차폐막(91)을 형성할 수 있다. 이에 따라 형성되는 EMI 차폐막(91)은 metal을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. EMI 차폐막 형성하는 방법은 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.In addition, referring to FIGS. 1, 4 and 5, the method includes forming an EMI shielding film 91 on one surface of the object 9 (S300). In step S300, the EMI shielding film 91 may be formed using sputtering. Accordingly, the EMI shielding film 91 formed may be made of a material including metal. Since a method of forming the EMI shielding film is obvious to those skilled in the art, a detailed description thereof will be omitted.

또한, 도 1 및 도 6을 참조하면, 본 방법은 대상체(9)의 일면에 형성된 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분(911)을 부분적으로 제거하는 단계(S500)를 포함한다.In addition, referring to FIGS. 1 and 6, the method includes a step (S500) of partially removing a portion 911 located on a portion where a solder ball of the EMI shielding film formed on one surface of the object 9 is to be provided. .

구체적으로, 도 7 및 도 8을 참조하면, S500 단계는, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일면에 수비될 솔더볼은 복수 개일 수 있고, 이에 따라, 솔더볼이 구비될 부분도 일면 상에 복수 개 일 수 있으며, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분(레이저 조사 예정 부분)도 복수 개 일 수 있다. 레이저를 조사하는 단계는, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분 복수 개 각각에 레이저를 조사할 수 있다. 레이저를 조사 받은 부분은 열에 의해 가열되어 다른 부분 대비 변형될 수 있고, 이에 따라, 레이저가 조사된 부분에서는 버가 발생할 수 있다. 이를 고려하여, 레이저를 조사하는 단계는 레이저 조사에 의해 EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버가 발생할 수 있는 스펙(파장, 강도 등)을 갖는 레이저를 조사할 수 있다.Specifically, referring to FIGS. 7 and 8 , in step S500, the solder balls of the EMI shielding film 91 are provided so that burrs occur in a portion located on the part where the solder balls of the EMI shielding film 91 are to be provided. A step of irradiating a laser to a portion located on the portion may be included. For example, there may be a plurality of solder balls to be stored on one side, and accordingly, a portion to be provided with solder balls may be plural on one side, and a portion located on the portion to be provided with solder balls of the EMI shielding film 91 ( portion to be irradiated with the laser) may also be plural. In the irradiating of the laser, the laser may be irradiated to each of a plurality of portions located on the portion of the EMI shielding film 91 where the solder balls are to be provided. The portion irradiated with the laser may be heated by heat and deformed compared to other portions, and thus, burrs may occur in the portion irradiated with the laser. In consideration of this, the step of irradiating the laser may irradiate a laser having a specification (wavelength, intensity, etc.) at which a burr may occur in a portion located on a portion of the EMI shielding film 91 where solder balls are to be provided by laser irradiation. there is.

레이저를 조사하는 단계에 의해, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분 복수 개 중 하나 이상에는 버가 발생할 수 있다.By the step of irradiating the laser, burrs may occur in at least one of a plurality of portions located on the portion where the solder balls are to be provided in the EMI shielding film 91 .

또한, 도 7 및 도 8을 참조하면, 레이저를 조사하는 단계는 대상체(9)의 일면 상에 광 투과부재(3)를 위치시키고 레이저가 광 투과부재(3)를 통과하여 EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 도달하게 할 수 있다. 예를 들어, 레이저를 조사하는 레이저 조사부(2)는 대상체(9)의 일면 상, 즉, 일측에 위치하고, 광 투과부재(3)는 레이저 조사부(2)와 대상체(9)의 일면 사이에 위치할 수 있다. 광 투과부재(3)는 플라스틱, 유리 등 다양한 재질로 이루어질 수 있다.In addition, referring to FIGS. 7 and 8, in the step of irradiating the laser, the light transmitting member 3 is positioned on one surface of the object 9 and the laser passes through the light transmitting member 3 to form an EMI shielding film 91. The solder balls of can reach the part located on the part to be provided. For example, the laser irradiation unit 2 for irradiating a laser is positioned on one surface of the object 9, that is, on one side, and the light transmitting member 3 is positioned between the laser irradiation unit 2 and the one surface of the object 9. can do. The light transmitting member 3 may be made of various materials such as plastic and glass.

이때, 광 투과부재(3)와 EMI 차폐막(91) 사이의 거리(t)는 레이저 조사 단계에서 발생하는 버의 끝단의 높이를 미리 설정된 높이 이하로 제한하도록 설정될 수 있다. 레이저의 조사에 따라 레이저가 조사되는 부분은 변형되고, 이에 따라, 주변의 레이저가 조사되지 않은 부분과 끊어지게 될 수 있으며, 이에 따라, 끊어진 부분(끝단)이 상향 이동되며 이에 따라 버가 발생할 수 있는데, 이때, 광 투과부재(3)는 버의 끝단이 미리 설정된 높이 이상으로 높아지지 않도록 눌러줄수 있다(가압). 예를 들어, 미리 설정된 높이는 광 투과부재(3)가 구비되지 않았을 때, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분 복수 개 에 레이저가 조사되어 발생되는 버의 끝단의 평균 높이보다 작게 설정될 수 있다. 이에 따르면, 광 투과부재(3)와 EMI 차폐막(91) 사이의 거리(t)는 광 투과부재(3)가 구비되지 않았을 때, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분 복수 개 에 레이저가 조사되어 발생되는 버의 끝단의 평균 높이 미만으로 설정됨이 바람직하다. At this time, the distance t between the light transmitting member 3 and the EMI shielding film 91 may be set to limit the height of the tip of the burr generated in the laser irradiation step to a preset height or less. According to the irradiation of the laser, the part irradiated with the laser is deformed, and accordingly, it may be cut off from the part where the laser is not irradiated, and accordingly, the cut part (end) moves upward, and thus a burr may occur. At this time, the light transmitting member 3 may press (pressurize) the tip of the bur so that it does not rise above a preset height. For example, when the light transmitting member 3 is not provided, the preset height is the average height of the tip of the burr generated by irradiating a plurality of portions of the EMI shielding film 91 on which the solder balls are to be provided. can be set smaller. According to this, the distance t between the light transmitting member 3 and the EMI shielding film 91 is the portion located on the part of the EMI shielding film 91 where the solder balls are to be provided when the light transmitting member 3 is not provided. It is preferable to set it to less than the average height of the tip of the burr generated by irradiating a plurality of lasers.

또한, 도 9를 참조하면, 광 투과부재(3)의 대상체(9)를 향하는 면(이를 테면, 타면)에는 기체를 흡입하는 흡입 홀(31)이 형성될 수 있다. 흡입 홀(31)은 흡입부(43)와 연결(연통)될 수 있다. 이에 따라, 흡입부(43)에 의해 흡입 홀(31) 내로 기체가 흡입될 수 있다.Also, referring to FIG. 9 , a suction hole 31 for sucking gas may be formed on a surface (eg, the other surface) of the light transmitting member 3 facing the target object 9 . The suction hole 31 may be connected (communicated) with the suction part 43 . Accordingly, gas may be sucked into the suction hole 31 by the suction part 43 .

레이저를 조사하는 단계에서, 흡입 홀(31)은 레이저 조시사 발생되는 연기의 적어도 일부를 흡입할 수 있다. 레이저 조사시, EMI 차폐막에 열이 가해짐으로써 연기가 발생할 수 있다. 이에 대하여, 본 방법에 의하면, 대상체(9)와 레이저 조사부(2) 사이에 위치하는 광 투과부재(3)가 대상체(9)의 일측에서 연기를 흡입하므로 연기의 적어도 일부가 제거될 수 있다. In the step of irradiating the laser, the suction hole 31 may inhale at least a part of the smoke generated by the laser irradiation. During laser irradiation, smoke may be generated as heat is applied to the EMI shielding film. In contrast, according to the present method, since the light transmitting member 3 positioned between the object 9 and the laser irradiation unit 2 sucks smoke from one side of the object 9, at least a portion of the smoke can be removed.

또한, 도 9를 참조하면, 광 투과부재(3)의 대상체(9)를 향하는 면(타면)에는 기체를 배출하는 배출 홀(32)이 형성될 수 있다. S500 단계에서, 배출 홀(32)은 버의 끝단의 높이가 낮아지도록 기체를 배출할 수 있다. 즉, 배출 홀(32)은 EMI 차폐막 측(타측)으로 기체를 배출할 수 있고, 배출된 기체는 버에 일측으로 외력을 작용할 수 있으며, 이에 따라, 버의 끝단은 높이가 낮아질 수 있다.In addition, referring to FIG. 9 , a discharge hole 32 for discharging gas may be formed on the surface (other surface) of the light transmitting member 3 facing the target object 9 . In step S500, the discharge hole 32 may discharge gas so that the height of the tip of the burr is lowered. That is, the discharge hole 32 may discharge gas toward the EMI shielding film side (the other side), and the discharged gas may act as an external force on the burr to one side, and accordingly, the tip of the burr may be lowered in height.

또한, 도 1을 참조하면, S500 단계는, EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 발생한 버를 제거하는 단계(S700)를 포함할 수 있다. S700 단계는, 자석부(41)의 자력으로 버를 제거할 수 있다. 자석부(41)는 자석을 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, EMI 차폐막은 metal을 포함하는 소재로 이루어질 수 있으므로, 자석의 자력에 반응할 수 있다.Also, referring to FIG. 1 , step S500 may include removing burrs generated in a portion of the EMI shielding film located on a portion where solder balls are to be provided (S700). In step S700, the burr may be removed by the magnetic force of the magnet part 41. The magnet part 41 may include a magnet. As described above, since the EMI shielding film may be made of a material containing metal, it may respond to the magnetic force of the magnet.

예를 들어, 도 10 및 도 11을 참조하면, S700 단계는, 자석부(41)를 대상체(9)의 일면(EMI 차폐막)을 향해 근접시킬 수 있고, 이에 따라, 버의 적어도 일부는 자석부(41)에 달라붙을 수 있으며, 이 후, 자석부(41)은 대상체(9)의 일면으로부터 멀어질 수 있고, 이 과정에서 버가 EMI 차폐막(91)으로부터 탈락되어 제거될 수 있다.For example, referring to FIGS. 10 and 11 , in step S700, the magnet part 41 may be brought closer to one surface (EMI shielding film) of the target object 9, and thus, at least a portion of the burr may move toward the magnet part. (41), and then, the magnet part (41) can be moved away from one surface of the target object (9), and in this process, the burr can be detached from the EMI shielding film (91) and removed.

또한, 전술한 바에 따르면, 광 투과 부재(3)가 버의 끝단의 높이가 미리 설정된 높이 이상으로 높아지지 않게 할 수 있고, 거기에 더해 배출 홀(32)로부터 배출되는 기체에 의해 버의 끝단의 높이가 낮아질 수 있으므로, 버의 상태가 버의 끝단이 최대한 대상체(9)의 일면에 가까운 수평 상태에 가까울 수 있어, 자석부(41)의 자력 작용시 자석부(41)의 자력이 버의 전면에 균일하게 작용될 수 있다. 이에 따라, 버의 최대한 많은 부분이 자석부(41)에 달라붙게 될 수 있다. In addition, according to the foregoing, the light transmitting member 3 can prevent the height of the tip of the burr from rising higher than a predetermined height, and in addition, the gas discharged from the discharge hole 32 can prevent the tip of the burr from rising. Since the height may be lowered, the state of the burr may be close to a horizontal state in which the end of the burr is as close to one surface of the object 9 as possible, so that the magnetic force of the magnet part 41 when the magnetic force of the magnet part 41 is applied to the front of the burr can be applied uniformly. Accordingly, as many parts of the burr as possible may stick to the magnet part 41 .

또한, 도 1, 도 12 및 도 13을 참조하면, 본 방법은 대상체(9)의 일면의 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분이 부분적으로 제거되어 노출된 솔더볼이 구비될 부분에 솔더볼을 구비하는 단계(S900)를 포함한다. 솔더볼(92)을 구비하는 것은 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.In addition, referring to FIGS. 1, 12 and 13, the method is to partially remove the portion located on the portion to be provided with solder balls of the EMI shielding film on one side of the object 9, and place the exposed solder balls on the portion to be provided. A step of providing a solder ball (S900) is included. Having the solder balls 92 is obvious to those skilled in the art, so detailed descriptions are omitted.

또한, 본원의 다른 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막을 형성하는 EMI 차폐막 형성 방법은, 솔더볼이 구비될 일면에 솔더볼이 구비되지 않고, EMI 차폐막이 형성된 상태의 대상체를 준비하는 단계; 및 상기 대상체의 상기 EMI 차폐막 중 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분을 부분적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 솔더볼이 구비될 일면에 솔더볼이 구비되지 않고, EMI 차폐막이 형성된 상태의 대상체를 준비하는 단계는 앞서 설명한 본원의 일 실시예에 따른 방법에 있어서, 솔더볼이 구비될 일면에 솔더볼이 구비되지 않은 상태의 대상체를 준비하고, 상기 대상체의 상기 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 단계를 통해 솔더볼이 구비될 일면에 솔더볼이 구비되지 않고, EMI 차폐막이 형성된 상태의 대상체가 준비될 수 있다.In addition, a method of forming an EMI shielding film for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to another embodiment of the present application includes preparing an object in a state where the solder ball is not provided on the surface on which the solder ball is to be provided and the EMI shielding film is formed; and partially removing a portion of the EMI shielding film of the object located on a portion where a solder ball is to be provided. In the method according to an embodiment of the present invention, the step of preparing the object in a state in which the solder balls are not provided on one surface on which the solder balls are to be provided and the EMI shielding film is formed, in a state where the solder balls are not provided on the surface on which the solder balls are to be provided. Through the step of preparing an object and forming an EMI shielding film on one surface of the object, an object in a state in which the EMI shielding film is formed without the solder balls being provided on the surface on which the solder balls are to be provided can be prepared.

또한, 본원의 다른 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막을 형성하는 EMI 차폐막 형성 방법은, 대상부재가 구비될 일면에 대상부재가 구비되지 않고, EMI 차폐막이 형성된 상태의 대상체를 준비하는 단계; 및 상기 일면에 형성된 EMI 차폐막의 대상부재가 구비될 부분 상에 위치하는 부분을 부분적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 대상부재가 구비될 일면에 대상부재가 구비되지 않고, EMI 차폐막이 형성된 상태의 대상체를 준비하는 단계는 앞서 설명한 본원의 일 실시예에 따른 방법에 있어서, 대상부재(솔더볼)이 구비될 일면에 대상부재가 구비되지 않은 상태의 대상체를 준비하고, 상기 대상체의 상기 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 단계를 통해 대상체가 준비될 수 있다.In addition, in the EMI shielding film forming method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to another embodiment of the present application, the target member is not provided on the surface on which the target member is to be provided, and the object in which the EMI shielding film is formed is prepared. step; and partially removing a portion of the EMI shielding film formed on the one surface located on a portion where the target member is to be provided. In the method according to one embodiment of the present invention, the step of preparing the target member in a state where the target member is not provided on one side on which the target member is to be provided and the EMI shielding film is formed, the target member (solder ball) is provided on one side of the target member. The object may be prepared by preparing an object in a state in which no member is provided and forming an EMI shielding film on the one surface of the object.

한편, 이하에서는, 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막을 형성하는 EMI 차폐막 형성 장치(이하 '본 장치'라 함)(1000)에 대해 설명한다. 다만, 전술한 본 방법은 본 장치에 의해 수행될 수 있는 것이므로, 앞서 살핀 본 방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다. 참고로, 본 장치는 전술한 본 방법의 수행시 적용될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니며, 본 장치는 전술한 본 방법외에도 대상체의 다양한 부분에 대한 EMI 차폐막 형성에 적용될 수 있다. 즉, 본 장치는 전술한 본 방법 외에도 종래의 통상적 EMI 차폐막 형성 방법(EMI 차폐막을 부분적으로 형성하는 방법)에 적용될 수 있다.Meanwhile, hereinafter, an EMI shielding film forming apparatus (hereinafter referred to as 'this apparatus') 1000 for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present disclosure will be described. However, since the present method described above can be performed by the present device, the same reference numerals are used for components identical or similar to those described in the present method described above, and overlapping descriptions will be simplified or omitted. For reference, this device may be applied when performing the method described above, but is not limited thereto, and the device may be applied to forming an EMI shielding film for various parts of an object in addition to the method described above. That is, the present device can be applied to a conventional EMI shielding film forming method (a method of partially forming an EMI shielding film) in addition to the above-described present method.

이에 따라, 본 장치(1000)는 대상체의 일면에 대하여 EMI 차폐막을 형성할 수 있는데, 이때, 대상체의 일면은 전술한 솔더볼이 구비될 일면을 의미할 수도 있고, 또는 그 외의 다른 면을 지칭하는 것일 수도 있다.Accordingly, the apparatus 1000 may form an EMI shielding film on one surface of the object. At this time, one surface of the object may mean one surface on which the above-described solder balls are to be provided, or may refer to another surface. may be

본 장치(1000)는 대상체(9)의 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 차폐막 형성부(1)를 포함한다.The apparatus 1000 includes a shielding film forming unit 1 for forming an EMI shielding film on one surface of an object 9 .

또한, 본 장치(1000)는 레이저 조사부(2)를 포함한다. 레이저 조사부(2)는 대상체(9)의 일면에 형성된 EMI 차폐막(91)의 솔더볼(대상부재)이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 레이저를 조사한다.In addition, the apparatus 1000 includes a laser irradiation unit 2 . The laser irradiation unit 2 irradiates the laser so that a burr is generated in a portion of the EMI shielding film 91 formed on one surface of the target object 9 located on a portion where solder balls (target member) are to be provided.

또한, 본 장치(1000)는 광 투과부재(3)를 포함한다. 광 투과부재(3)는 레이저 조사부(2)와 대상체(9)의 일면 사이에 배치된다. 이에 따르면, 레이저 조사부(2)에서 조사된 레이저는 광 투과부재(3)를 통과하여 EMI 차폐막에 도달할 수 있다.In addition, the apparatus 1000 includes a light transmitting member 3 . The light transmitting member 3 is disposed between the laser irradiation unit 2 and one surface of the object 9 . According to this, the laser irradiated from the laser irradiation unit 2 may pass through the light transmitting member 3 and reach the EMI shielding film.

또한, 광 투과부재(3)와 대상체(9)의 일면 사이의 거리는 버의 끝단의 높이를 미리 설정된 높이 이하로 제한하도록 설정될 수 있다.In addition, the distance between the light transmitting member 3 and one surface of the object 9 may be set to limit the height of the tip of the burr to a preset height or less.

또한, 광 투과부재(3)의 대상체(9)를 향하는 면(이를 테면, 타면)에는 기체를 흡입하는 흡입 홀(31)이 형성될 수 있다. 흡입 홀(31)은 레이저 조사부(2)의 레이저 조사시 발생되는 연기를 흡입할 수 있다.In addition, a suction hole 31 for sucking gas may be formed on a surface (ie, the other surface) of the light transmitting member 3 facing the object 9 . The suction hole 31 may suck in smoke generated during laser irradiation of the laser irradiator 2 .

또한, 광 투과부재(3)의 대상체(9)를 향하는 면(타면)에는 기체를 배출하는 배출 홀(32)이 형성될 수 있다. 배출 홀(32)은 버의 끝단의 높이가 낮아지도록 기체를 배출(분사)할 수 있다.In addition, a discharge hole 32 for discharging gas may be formed on the surface (other surface) of the light transmitting member 3 facing the object 9 . The discharge hole 32 may discharge (inject) gas so that the height of the tip of the burr is lowered.

또한, 본 장치(1000)는 버를 제거하는 버 제거부(4)를 포함한다. EMI 차폐막은 metal을 포함하는 소재로 이루어질 수 있다. 버 제거부(4)는 자력으로 버를 제거하는 자석부(41)를 포함할 수 있다. 또한, 버 제거부(4)는 자석부(41)를 일측 및 타측 방향으로 이동시키는 이동부를 포함할 수 있다. 이에 따라, 자석부(41)는 타측으로 이동되어 대상체(9)의 일면(EMI 차폐막)을 향해 근접할 수 있고, 일측으로 이동되어 대상체(9)의 일면으로부터 멀어질 수 있다. 버 제거부(4)는 버의 적어도 일부가 자력에 의해 자석부(41)에 붙도록 자석부(41)를 대상체(9)의 일면(EMI 차폐막)을 향해 근접시킬 수 있고, 이 후, 자석부(41)를 대상체(9)의 일면으로부터 멀어지게 할 수 있다. 이 과정에서 버가 EMI 차폐막(91)으로부터 탈락되어 제거될 수 있다.In addition, the apparatus 1000 includes a deburring unit 4 for removing deburrs. The EMI shielding film may be made of a material containing metal. The deburring unit 4 may include a magnet unit 41 that removes deburring with magnetic force. In addition, the deburring unit 4 may include a moving unit for moving the magnet unit 41 in one direction and the other direction. Accordingly, the magnet unit 41 may be moved to the other side to approach one surface (EMI shielding film) of the object 9 and may be moved to one side to move away from the one surface of the object 9 . The deburring unit 4 may bring the magnet unit 41 close to one surface (EMI shielding film) of the object 9 so that at least a portion of the burr is attached to the magnet unit 41 by magnetic force, and then, the magnet unit 41 is attached to the magnet unit 41. The part 41 can be moved away from one side of the object 9 . In this process, the burrs may fall off from the EMI shielding film 91 and be removed.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present application is for illustrative purposes, and those skilled in the art will understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the detailed description above, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof should be construed as being included in the scope of the present application.

1: 차폐막 형성부
2: 레이저 조사부
3: 광 투과부재
4: 버 제거부
9: 대상체
91: EMI 차폐막
911: EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분
92: 솔더볼1: shielding film forming unit
2: laser irradiation unit
3: light transmission member
4: deburring unit
9: object
91: EMI shield
911: A portion located on a portion where solder balls of the EMI shielding film are to be provided
92: solder ball

Claims (8)

대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막을 형성하는 장치에 있어서,
대상체의 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 차폐막 형성부;
상기 대상체의 상기 일면에 형성된 EMI 차폐막의 대상부재가 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 레이저를 조사하는 레이저 조사부;
상기 레이저 조사부와 상기 대상체의 일면 사이에 배치되는 광 투과부재; 및
버를 제거하는 버 제거부를 포함하는, EMI 차폐막 형성 장치.An apparatus for forming an EMI shielding film on one side of an object,
A shielding film forming unit for forming an EMI shielding film on one surface of the object;
a laser irradiation unit for irradiating a laser to generate a burr on a portion of the EMI shielding film formed on the one surface of the object, which is located on a portion to be provided with a target member;
a light transmitting member disposed between the laser irradiation unit and one surface of the object; and
An EMI shielding film forming apparatus comprising a deburring unit for removing deburrs. 제1항에 있어서,
상기 광 투과부재와 상기 대상체의 일면 사이의 거리는 버의 끝단의 높이를 미리 설정된 높이 이하로 제한하도록 설정되는 것인, EMI 차폐막 형성 장치.According to claim 1,
The distance between the light transmitting member and one surface of the object is set to limit the height of the tip of the burr to a preset height or less, the EMI shielding film forming apparatus. 제2항에 있어서,
상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 흡입하는 흡입 홀이 형성되고,
상기 흡입 홀은 상기 레이저 조사부의 레이저 조사시 발생되는 연기를 흡입하는 것인, EMI 차폐막 형성 장치.According to claim 2,
A suction hole for sucking gas is formed on a surface of the light transmitting member facing the object,
The suction hole is to suck the smoke generated during laser irradiation of the laser irradiation unit, EMI shielding film forming apparatus. 제2항에 있어서,
상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 배출하는 배출 홀이 형성되고,
상기 배출 홀은 버의 끝단의 높이가 낮아지도록 기체를 배출하는 것인, EMI 차폐막 형성 장치.According to claim 2,
A discharge hole for discharging gas is formed on a surface of the light transmitting member facing the object,
The discharge hole is to discharge the gas so that the height of the tip of the burr is lowered, the EMI shielding film forming apparatus. 제2항에 있어서,
상기 EMI 차폐막은 metal을 포함하는 소재로 이루어지고,
상기 버 제거부는, 자력으로 상기 버를 제거하는 자석부를 포함하는 것인, EMI 차폐막 형성 장치.According to claim 2,
The EMI shielding film is made of a material containing metal,
The burr removal unit includes a magnet unit for removing the burr with a magnetic force, the EMI shielding film forming apparatus. 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막을 형성하는 장치에 있어서,
대상체의 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 차폐막 형성부;
상기 대상체의 상기 일면에 형성된 EMI 차폐막의 대상부재가 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 레이저를 조사하는 레이저 조사부; 및
버를 제거하는 버 제거부를 포함하는, EMI 차폐막 형성 장치.An apparatus for forming an EMI shielding film on one side of an object,
A shielding film forming unit for forming an EMI shielding film on one surface of the object;
a laser irradiation unit for irradiating a laser to generate a burr on a portion of the EMI shielding film formed on the one surface of the object, which is located on a portion to be provided with a target member; and
An EMI shielding film forming apparatus comprising a deburring unit for removing deburrs. 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막을 형성하는 장치에 있어서,
상기 대상체의 일면에 EMI 차폐막이 형성된 상태에서 상기 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 레이저를 조사하는 레이저 조사부; 및
버를 제거하는 버 제거부를 포함하는, EMI 차폐막 형성 장치.An apparatus for forming an EMI shielding film on one side of an object,
A laser irradiation unit for irradiating a laser to generate a burr on a portion of the EMI shielding film in a state where the EMI shielding film is formed on one surface of the object, which is located on a portion of the EMI shielding film to be provided with; and
An EMI shielding film forming apparatus comprising a deburring unit for removing deburrs. 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막을 형성하는 장치에 있어서,
상기 대상체의 일면에 EMI 차폐막이 형성된 상태에서 상기 EMI 차폐막의 대상부재가 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 레이저를 조사하는 레이저 조사부; 및
버를 제거하는 버 제거부를 포함하는, EMI 차폐막 형성 장치.An apparatus for forming an EMI shielding film on one side of an object,
a laser irradiation unit for irradiating a laser to generate a burr on a portion of the EMI shielding film in a state where a target member of the EMI shielding film is to be provided, in a state where the EMI shielding film is formed on one surface of the target object; and
An EMI shielding film forming apparatus comprising a deburring unit for removing deburrs.
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