KR20190101796A - Partial shield processing method for semiconductor member - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a partial electromagnetic wave shielding method of a semiconductor material, capable of maximizing the efficiency of a process of removing a sputtering layer on upper and side surfaces of some regions of a sputtered semiconductor material.

Description

반도체 자재의 부분 차폐방법{PARTIAL SHIELD PROCESSING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMBER}Partial Shielding Method for Semiconductor Materials {PARTIAL SHIELD PROCESSING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMBER}

본 발명은 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 스퍼터링된 반도체 자재의 일부 영역의 상면과 측면의 스퍼터링층을 제거하는 공정의 효율을 극대화할 수 있는 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 관한 것이다.The present invention relates to a partial electromagnetic shielding method of a semiconductor material. More particularly, the present invention relates to a partial electromagnetic shielding method of a semiconductor material capable of maximizing the efficiency of the process of removing the sputtering layers on the upper and side surfaces of some regions of the sputtered semiconductor material.

반도체 자재는 기판에 회로부를 형성한 후 회로부를 보호하기 위하여 회로부 상부에 몰딩재를 이용하여 몰딩부를 형성한다.After forming the circuit portion on the substrate, the semiconductor material forms the molding portion by using a molding material on the circuit portion to protect the circuit portion.

또한, 각각의 반도체 자재의 전극이 구비되는 하면을 제외한 상면과 측면은 전자파(EMI) 실드를 위한 스퍼터링 공정이 수행될 수 있다.In addition, the sputtering process for the electromagnetic shield (EMI) shielding may be performed on the upper surface and the side surface except for the lower surface provided with the electrode of each semiconductor material.

또한, 최근에는 하나의 반도체 자재가 복수 개의 기능을 제공하기 위하여 하나의 몰딩부 내에 복수 개의 회로부가 수용되는 경우가 있다.Also, in recent years, a plurality of circuit parts are accommodated in one molding part in order to provide a plurality of functions for one semiconductor material.

그러나, 하나의 몰딩부에 몰딩되는 회로부가 복수 개이고, 그 중 어느 하나의 회로부의 종류 또는 기능에 따라 하나의 반도체 자재의 일부는 전자파 차폐를 위한 스퍼터링층이 형성되면 안되는 경우가 있다.However, there are a plurality of circuit parts molded into one molding part, and a part of one semiconductor material may not be formed with a sputtering layer for shielding electromagnetic waves depending on the kind or function of any one of the circuit parts.

예를 들면, 반도체 자재의 하나의 몰딩부 내에 몰딩된 회로부가 복수 개이고 그 중 하나의 회로부가 무선 통신 등을 위한 몰딩부인 경우 그 기능 구현을 위하여 해당 회로부 영역의 몰딩부의 상면과 측면의 스퍼터링층은 증착이 방지되거나 제거되어야 한다.For example, when a plurality of circuit parts molded in one molding part of a semiconductor material and one of the circuit parts is a molding part for wireless communication or the like, the sputtering layers on the top and side surfaces of the molding part of the circuit part area may be implemented to realize the function. Deposition should be prevented or removed.

그러나 반도체 자재의 크기가 소형화됨에 따라 하나의 반도체 자재의 몰딩부 표면을 영역별로 스퍼터링 공정을 수행하는 것은 쉽지 않다.However, as the size of the semiconductor material becomes smaller, it is not easy to perform the sputtering process for each region of the molding part surface of one semiconductor material.

이에 하나의 반도체 자재를 영역별로 스퍼터링하기 위해 반도체 자재의 몰딩부의 일부 영역에 열경화성 테이프로 테이핑한 후 스퍼터링 공정이 완료된 후 일부 영역에 부착된 테이프를 제거하는 방법이 사용되고 있다.In order to sputter one semiconductor material for each region, a method of taping a portion of the molding portion of the semiconductor material with a thermosetting tape and then removing the tape attached to the region after the sputtering process is completed is used.

그러나, 열경화성 테이프로 반도체 자재의 몰딩부를 테이핑 하더라도 작은 입자를 이용하여 증착하는 스퍼터링의 특성에 의해 열경화성 테이프와 반도체 자재의 몰딩부 사이에 작은 틈새가 있을 경우 스퍼터링 입자가 내부로 침투하여 스퍼터링층이 형성되면 안되는 부분까지 스퍼터링층이 형성되는 문제가 있다.However, even if the molding portion of the semiconductor material is taped with the thermosetting tape, sputtering particles penetrate into the inside and form a sputtering layer when there is a small gap between the thermosetting tape and the molding portion of the semiconductor material due to the sputtering property deposited using small particles. There is a problem in that a sputtering layer is formed to a portion that should not be.

또한, 내부 침투를 방지하기 위해 열경화성 테이프를 강하게 접착할 경우 개별 자재의 일부 영역을 테이핑하는 작업과 스퍼터링을 완료한 반도체 자재를 오프로딩할 때 열경화성 테이프를 제거하기 위한 자동화 장비를 제작하기 어려워 작업자가 일일히 수작업으로 테이프를 제거해야 하므로 제거하는 작업이 힘들 뿐만 아니라, 가공면의 품질 반복 재현성을 확보하기 어렵고 작업성과 UPH 등이 크게 저하되는 문제가 있다.In addition, if the thermosetting tape is strongly adhered to prevent internal penetration, it is difficult for the worker to build an automated equipment for taping some areas of the individual materials and for removing the thermosetting tape when offloading the sputtered semiconductor material. Since the tape must be removed by hand, it is difficult to remove the tape, and it is difficult to secure the repeatability of the quality of the processed surface, and workability and UPH are greatly reduced.

본 발명은 스퍼터링된 반도체 자재의 일부 영역의 상면과 측면의 스퍼터링층을 제거하여 반도체 자재의 일부분만 EMI 차폐가 되는 EMI 부분 차폐 공정의 효율을 극대화할 수 있는 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.The present invention provides a partial electromagnetic shielding method of a semiconductor material capable of maximizing the efficiency of the EMI partial shielding process in which only a part of the semiconductor material is EMI shielded by removing the upper and side sputtering layers of the partial region of the sputtered semiconductor material. Let's solve the problem.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법으로서, 반도체 자재의 상면 및 4개의 측면이 EMI 스퍼터링 처리되어 몰딩층 상부에 스퍼터링층이 형성된 반도체 자재를 레이저 조사장치의 하부에 위치시키는 단계; 및 상기 스퍼터링층이 형성된 반도체 자재 중 전자파 차폐가 불필요한 소정 영역에 대해 상면과 상기 상면과 연결된 3개의 측면에 레이저를 수직방향으로 조사하여 스퍼터링층을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 스퍼터링층을 제거하는 단계는, 수직방향으로 조사되는 레이저를 상기 반도체 자재 상면의 길이방향을 따라 폭방향으로 왕복이동하면서 조사하여 전자파 차폐가 불필요한 상기 반도체 자재의 상면에 형성된 스퍼터링층을 제거하고, 수직 방향으로 조사되는 레이저를 폭방향으로 왕복이동하면서 조사하여 전자파 차폐가 불필요한 상기 반도체 자재의 측면에 형성된 스퍼터링층을 두께 방향으로 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 차폐방법을 제공할 수 있다.In order to solve the above problems, the present invention is a partial electromagnetic shielding method of a semiconductor material, the semiconductor material having a sputtering layer formed on top of the molding layer and the upper surface and four side surfaces of the semiconductor material is formed in the lower portion of the laser irradiation apparatus Making a step; And removing the sputtering layer by irradiating a laser beam vertically to an upper surface and three side surfaces connected to the upper surface to a predetermined region of the semiconductor material on which the sputtering layer is formed, where electromagnetic shielding is unnecessary. In the step, the laser irradiated in the vertical direction is irradiated while reciprocating in the width direction along the longitudinal direction of the upper surface of the semiconductor material to remove the sputtering layer formed on the upper surface of the semiconductor material which does not need electromagnetic shielding, and the laser irradiated in the vertical direction. Irradiating while reciprocating in the width direction can provide a partial shielding method of a semiconductor material, characterized in that to remove in the thickness direction the sputtering layer formed on the side surface of the semiconductor material is unnecessary electromagnetic shielding.

또한, 상기 반도체 자재의 측면에 형성된 스퍼터링층의 제거는 상기 수직 조사되는 레이저를 상기 측면과 평행한 폭방향으로 왕복조사하면 상기 레이저가 흡수된 측면에 형성된 스퍼터링 층이 상기 반도체 자재의 두께 방향으로 일부 기화되고, 기화되고 남은 측면 스퍼터링 층에 상기 레이저가 흡수 및 기화가 반복적으로 일어나면서 상기 반도체 자재의 측면 바닥부까지 점진적으로 스퍼터링층이 제거될 수 있다.In addition, the removal of the sputtering layer formed on the side surface of the semiconductor material is performed by reciprocating irradiation of the vertically irradiated laser in the width direction parallel to the side surface, the sputtering layer formed on the side where the laser is absorbed is partially in the thickness direction of the semiconductor material. As the laser is repeatedly absorbed and vaporized in the vaporized, vaporized and remaining side sputtering layer, the sputtering layer may be gradually removed to the side bottom of the semiconductor material.

이 경우, 상기 스퍼터링층을 제거시에, 레이저를 발진하는 레이저 발진부; 상기 발진된 레이저를 각각 반사시키기 위한 제1 및 제2 갈바노미러; 상기 제1 및 제2 갈바노미러의 X축 방향 Y축 방향 반사각을 조절하여 X-Y 평면 상의 초점 위치를 결정하기 위한 제1 및 제2 갈바노 미러 모터; 및 상기 제1 및 제2 갈바노 미러에 의해 X축 및 Y축 평면 상에서 위치 결정된 레이저를 수직방향으로 조사하는 텔레센트릭 렌즈를 구비하는 레이저 조사장치를 사용하며, 상기 텔레센트릭 렌즈를 이용하여 미리 결정된 동일한 초점거리를 유지한 상태에서 상기 반도체 자재의 상면과 측면에 레이저를 수직 조사하여 상기 스퍼터링층을 제거될 수 있다.In this case, a laser oscillation unit for oscillating a laser when removing the sputtering layer; First and second galvano mirrors for reflecting the oscillated lasers, respectively; First and second galvano mirror motors for determining a focal position on an X-Y plane by adjusting reflection angles in the X-axis direction and Y-axis direction of the first and second galvano mirrors; And a telecentric lens for vertically irradiating a laser positioned on the X and Y axis planes by the first and second galvano mirrors, and using the telecentric lens. The sputtering layer may be removed by vertically irradiating a laser onto the top and side surfaces of the semiconductor material while maintaining the same predetermined focal length.

그리고, 반도체 자재의 상면가공시 레이저의 초점거리와 및 반도체 자재의 측면가공시 레이저의초점거리가 동일하게 셋팅될 수 있다.In addition, the focal length of the laser when processing the upper surface of the semiconductor material and the focal length of the laser when the side processing of the semiconductor material may be set to be the same.

여기서, 상기 미리 결정된 레이저의 초점은 상기 반도체 자재의 스퍼터링층의 하부에 구비된 몰딩층의 상부면일 수 있다.Here, the focus of the predetermined laser may be an upper surface of the molding layer provided under the sputtering layer of the semiconductor material.

또한, 상기 스퍼터링층을 제거시에, 레이저를 발진하는 레이저 발진부; 상기 발진된 레이저를 각각 반사시키기 위한 제1 및 제2 갈바노미러; 상기 제1 및 제2 갈바노미러의 X축 방향 Y축 방향 반사각을 조절하여 X-Y 평면 상의 초점 위치를 결정하기 위한 제1 및 제2 갈바노 미러 모터; 상기 제1 및 제2 갈바노미러에 의해 X축 및 Y축 평면 상에서 위치 결정된 레이저를 수직방향으로 조사하는 텔레센트릭 렌즈; 및 레이저의 수직방향 초점 위치 또는 가공심도를 결정하는 포커싱 유닛을 구비하는 레이저 조사장치를 사용하며, 상기 포커싱 유닛을 이용하여 상기 반도체 자재의 측면가공시 측면 높이에 따라 레이저 조사시 초점 위치를 조절할 수 있다.In addition, a laser oscillation unit for oscillating a laser when removing the sputtering layer; First and second galvano mirrors for reflecting the oscillated lasers, respectively; First and second galvano mirror motors for determining a focal position on an X-Y plane by adjusting reflection angles in the X-axis direction and Y-axis direction of the first and second galvano mirrors; A telecentric lens for vertically irradiating a laser positioned on X and Y axis planes by the first and second galvano mirrors; And a focusing unit for determining a vertical focusing position or depth of processing of the laser, wherein the focusing unit can adjust the focusing position during laser irradiation according to the side height during side processing of the semiconductor material. have.

이 경우, 상기 스퍼터링층을 제거시에, 레이저를 발진하는 레이저 발진부; 상기 발진된 레이저를 각각 반사시키기 위한 제1 및 제2 갈바노미러; 상기 제1 및 제2 갈바노미러의 X축 방향 Y축 방향 반사각을 조절하여 X-Y 평면 상의 초점 위치를 결정하기 위한 제1 및 제2 갈바노 미러 모터; 상기 제1 및 제2 갈바노미러에 의해 X축 및 Y축 평면 상에서 위치 결정된 레이저를 수직방향으로 조사하는 텔레센트릭 렌즈; 및 레이저의 수직방향 초점 위치 또는 가공심도를 결정하는 포커싱 유닛을 구비하는 레이저 조사장치를 사용하며, 상기 포커싱 유닛을 이용하여 상기 반도체 자재의 종류 및 두께에 따라 레이저 조사 전에 레이저 초점 위치를 초기 셋팅할 수 있다.In this case, a laser oscillation unit for oscillating a laser when removing the sputtering layer; First and second galvano mirrors for reflecting the oscillated lasers, respectively; First and second galvano mirror motors for determining a focal position on an X-Y plane by adjusting reflection angles in the X-axis direction and Y-axis direction of the first and second galvano mirrors; A telecentric lens for vertically irradiating a laser positioned on X and Y axis planes by the first and second galvano mirrors; And a focusing unit for determining a vertical focusing position or depth of processing of the laser, wherein the focusing unit is used to initially set the laser focusing position before laser irradiation according to the type and thickness of the semiconductor material. Can be.

그리고, 상기 스퍼터링층을 제거시에, 레이저를 발진하는 레이저 발진부; 상기 발진된 레이저를 각각 반사시키기 위한 제1 및 제2 갈바노미러; 상기 제1 및 제2 갈바노미러의 X축 방향 Y축 방향 반사각을 조절하여 X-Y 평면 상의 초점 위치를 결정하기 위한 제1 및 제2 갈바노 미러 모터; 상기 제1 및 제2 갈바노미러에 의해 X축 및 Y축 평면 상에서 위치 결정된 레이저를 수직방향으로 조사하는 텔레센트릭 렌즈; 및 레이저의 수직방향 초점 위치 또는 가공심도를 결정하는 포커싱 유닛을 구비하는 레이저 조사장치를 사용하며, 상기 포커싱 유닛을 이용하여 상기 반도체 자재의 레이저 조사 중에 가공심도를 벗어나는 경우 레이저 초점 위치를 변경하기 위해 조절할 수 있다.And, when removing the sputtering layer, the laser oscillator for oscillating the laser; First and second galvano mirrors for reflecting the oscillated lasers, respectively; First and second galvano mirror motors for determining a focal position on an X-Y plane by adjusting reflection angles in the X-axis direction and Y-axis direction of the first and second galvano mirrors; A telecentric lens for vertically irradiating a laser positioned on X and Y axis planes by the first and second galvano mirrors; And a focusing unit for determining a vertical focusing position or depth of processing of the laser, wherein the focusing unit is used to change the laser focusing position when the depth of processing is out of the processing depth during laser irradiation of the semiconductor material. I can regulate it.

여기서, 상기 스퍼터링층을 제거하는 단계에서 석션유닛 또는 블로워 유닛으로 발생된 기체 또는 버를 제거할 수 있다.Here, the gas or burr generated by the suction unit or the blower unit in the step of removing the sputtering layer may be removed.

또한, 상기 반도체 자재의 몰딩층 상부에 형성된 스퍼터링층은 구리(Cu) 성분을 포함하며, 상기 몰딩층 상부에 형성된 스퍼터링층의 두께는 2 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있다.The sputtering layer formed on the molding layer of the semiconductor material may include a copper (Cu) component, and the thickness of the sputtering layer formed on the molding layer may be 2 μm to 100 μm.

이 경우, 상기 스퍼터링층 제거단계에서 조사되는 레이저는 펄스 레이저(Pulsed Laser)이고, 상기 레이저의 파장은 355 nm 내지 1064 nm일 수 있다.In this case, the laser irradiated in the sputtering layer removing step may be a pulsed laser, and the wavelength of the laser may be 355 nm to 1064 nm.

그리고, 복수개의 반도체 자재가 스퍼터링 테이프 또는 지그에 부착된 상태로 공급되어 부착면을 제외한 반도체 자재의 상면 및 4개의 측면이 스퍼터링된 상태로 레이저 조사장치의 하부에 위치되며, 하나의 반도체 자재의 일부 상면과 상기 상면과 연결된 3개의 측면에 대해 스퍼터링층의 제거가 완료된 후, 순차적으로 다음 반도체 자재의 일부 상면과 상기 상면과 연결된 3개의 측면에 대해 스퍼터링층을 제거하는 단계를 수행할 수 있다.Then, a plurality of semiconductor materials are supplied in a state of being attached to a sputtering tape or a jig so that the upper surface and four side surfaces of the semiconductor material except for the attachment surface are sputtered and positioned under the laser irradiation apparatus, and a part of one semiconductor material After the removal of the sputtering layer is completed on the upper surface and the three side surfaces connected to the upper surface, the step of sequentially removing the sputtering layer on the upper portion of the next semiconductor material and the three side surfaces connected to the upper surface.

여기서, 상기 스퍼터링층을 제거하는 단계에서 상기 레이저의 조사시간, 상기 조사되는 레이저의 파장, 왕복 횟수 및 상면의 길이방향 조사 간격 중 하나 이상을 결정할 수 있다.Here, in the step of removing the sputtering layer, one or more of the irradiation time of the laser, the wavelength of the irradiated laser, the number of round trips and the longitudinal irradiation interval of the upper surface may be determined.

본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 의하면, 스퍼터링 완료된 반도체 자재의 일부 영역의 스퍼터링층을 선택적으로 제거함에 있어서 반도체 자재 또는 레이저의 방향 변경이 불요하므로 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.According to the partial electromagnetic wave shielding method of the semiconductor material according to the present invention, in order to selectively remove the sputtering layer of the partial region of the sputtered semiconductor material is not necessary to change the direction of the semiconductor material or the laser can improve the efficiency of the process.

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 의하면, 스퍼터링 완료된 반도체 자재의 일부 영역의 스퍼터링층을 선택적으로 제거하는 과정에서 반도체 자재별로 순차적으로 작업이 수행되므로 레이저 초점 위치 이동을 최소화하여 작업 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the method for shielding a partial electromagnetic wave of a semiconductor material according to the present invention, since the operations are sequentially performed for each semiconductor material in the process of selectively removing the sputtering layer of the partial region of the sputtered semiconductor material, the operation by minimizing the laser focal position shift The efficiency can be improved.

또한, 레이저 가공영역(FOV) 내에서 레이저의 이동 없이 상면 및 그 상면과 연결된 3개의 측면에 증착된 스퍼터링층을 제거 할 수 있어 생산성을 향상 시킬 수 있다.In addition, it is possible to remove the sputtering layer deposited on the upper surface and three side surfaces connected to the upper surface without moving the laser in the laser processing region (FOV), thereby improving productivity.

또한, 레이저를 수직으로 조사하여 상면과 연결된 3개의 측면에 증착된 스퍼터링층을 제거할 수 있어 스퍼터링층의 제거 품질을 향상시킬 수 있다.In addition, by irradiating the laser vertically to remove the sputtering layer deposited on the three sides connected to the upper surface can improve the removal quality of the sputtering layer.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 의한 반도체 자재의 처리과정의 개략도를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 의한 반도체 자재의 처리과정 중 반도체 자재의 일부 영역의 상면의 처리과정을 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 의한 반도체 자재의 처리과정 중 반도체 자재의 일부 영역의 측면의 처리과정을 도시한다.1 shows a schematic diagram of a process of processing a semiconductor material by the partial electromagnetic wave shielding method of the semiconductor material according to the present invention.
2 illustrates a process of treating a top surface of a portion of a semiconductor material during a process of processing a semiconductor material by the method of shielding partial electromagnetic waves of the semiconductor material according to the present invention.
Figure 3 shows the processing of the side surface of a portion of the semiconductor material during the processing of the semiconductor material by the partial electromagnetic shielding method of the semiconductor material according to the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. Like numbers refer to like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 의한 반도체 자재(300)의 처리과정의 개략도를 도시한다.1 shows a schematic diagram of a process of processing a semiconductor material 300 by a partial electromagnetic shielding method of a semiconductor material according to the present invention.

본 발명은 스퍼터링된 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)의 상면(us)과 측면(ss)의 스퍼터링층을 제거하기 위한 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 관한 것이다.The present invention relates to a partial electromagnetic shielding method of a semiconductor material for removing the sputtering layer of the upper surface (us) and the side surface (ss) of the partial region 330 of the sputtered semiconductor material 300.

구체적으로, 본 발명은 상면(us)과 측면(ss)의 스퍼터링 공정이 완료된 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)의 스퍼터링층을 선택적으로 제거하기 위하여 레이저(l)(Laser, Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)를 사용한다.Specifically, in order to selectively remove the sputtering layer of the partial region 330 of the semiconductor material 300 where the sputtering process of the upper surface (us) and the side surface (ss) is completed, the laser (L) (Laser, Light Amplification by Use Stimulated Emission of Radiation.

스퍼터링이란 이온화된 원자가 가속화되어 물질에 충돌할 때 물질 표면의 결합에너지보다 충돌에너지가 더 클 경우 표면으로부터 원자가 튀어나오는 현상을 말한다. 스퍼터링 증착은 이 원리를 이용하여 진공상태에서 이온화된 입자를 스퍼터링재에 충돌시켜 튀어나온 원자를 반도체 자재(300)에 증착하는 방법을 의미하며, 일반적으로 반도체 자재의 전자파 차폐를 위하여 반도체 자재(300)의 몰딩부 표면에 전자파 차폐를 위하여 구리 계열 또는 구리 합금을 포함하는 스퍼터링재를 사용하여 스퍼터링 증착을 수행한다.Sputtering refers to a phenomenon in which atoms are ejected from the surface when the ionized atoms accelerate and collide with the material when the collision energy is greater than the binding energy of the material surface. Sputtering deposition refers to a method of depositing the protruding atoms to the semiconductor material 300 by colliding the ionized particles in the vacuum state with the sputtering material by using this principle, and in general, the semiconductor material (300) Sputtering deposition is performed by using a sputtering material containing a copper-based or a copper alloy to shield the electromagnetic wave on the surface of the molding part.

또한, 스퍼터링층은 복수의 재료로 이루어 질 수 있으며 예를 들어 기초층(SUS)/차폐층(CU)/보호층(SUS)구조로 이루어질 수 있다.In addition, the sputtering layer may be made of a plurality of materials, for example, may be formed of a base layer (SUS) / shielding layer (CU) / protective layer (SUS) structure.

스퍼터링 증착을 통해 형성된 수 마이크론 두께의 얇은 스퍼터링층으로 메탈 캔을 이용한 전자파 차폐 구조와 동일한 효과를 낼 수 있다는 장점이 있다.The thin sputtering layer having a thickness of several microns formed through sputtering deposition has an advantage that it can have the same effect as the electromagnetic shielding structure using a metal can.

이러한 스퍼터링층이 형성된 반도체 자재 내에 수용된 회로부가 복수 개이고 일부의 회로부가 무선통신 등의 기능적 필요에 따라 스퍼터링층이 제거되어야 하는 경우가 있으며, 본 발명은 하나의 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)의 스퍼터링층을 레이저(l)를 조사하여 제거하는 방법에 관한 것이다.There are a plurality of circuit parts accommodated in the semiconductor material in which the sputtering layer is formed, and some of the circuit parts need to be removed in accordance with a functional need such as wireless communication, and the present invention provides a partial region 330 of one semiconductor material 300. It relates to a method of removing the sputtering layer of) by irradiation with a laser (1).

반도체 자재의 일부 영역의 스퍼터링층을 제거시 레이저를 조사한다고 한다면, 스퍼터링층의 제거가 필요한 반도체 자재의 일부 영역의 상면과 측면의 스퍼터링층을 제거하기 위해 반도체 자재를 회전시키거나 반도체 자재의 회전 없이 레이저가 반도체 자재의 상면 또는 측면으로 각각 이동하여 스퍼터링층을 가공하는 방법이 고려될 수 있겠지만, 스퍼터링된 반도체 자재는 스퍼터링 테이프 또는 프레임에 협소한 간격으로 배열되기 때문에 레이저의 이동없이 작업이 불가능할 뿐만 아니라 반도체 자재를 하나씩 분리하여 별도의 작업 공간에서 고정 및 회전 한 상태에서 가공하기에는 작업성이 문제가 되었다. 따라서, 본 발명은 레이저로 스퍼터링층을 제거하되, 이러한 한계를 극복한 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 관한 것이다.If the laser is irradiated to remove the sputtering layer of a part of the semiconductor material, the semiconductor material is rotated or the semiconductor material is rotated to remove the sputtering layer on the upper and side surfaces of the part of the semiconductor material which needs to be removed. Although a method of processing the sputtering layer by moving the laser to the top or side of the semiconductor material, respectively, may be considered, the sputtered semiconductor material is arranged at a narrow interval on the sputtering tape or frame, so that it is not possible to work without moving the laser. Workability became a problem when the semiconductor materials were separated one by one and processed while being fixed and rotated in separate working spaces. Accordingly, the present invention relates to a method for shielding a partial electromagnetic wave of a semiconductor material which removes the sputtering layer with a laser but overcomes these limitations.

구체적으로, 본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법은 반도체 자재의 상면 및 4개의 측면이 EMI 스퍼터링 처리되어 몰딩층 상부에 스퍼터링층이 형성된 반도체 자재를 레이저 조사장치의 하부에 위치시키는 단계; 및 상기 스퍼터링층이 형성된 반도체 자재 중 전자파 차폐가 불필요한 소정 영역에 대해 상면과 상기 상면과 연결된 3개의 측면에 레이저를 수직방향으로 조사하여 스퍼터링층을 제거하는 단계를 포함한다. 여기서 상기 스퍼터링층을 제거하는 단계는, 수직방향으로 조사되는 레이저를 상기 반도체 자재 상면의 길이방향을 따라 폭방향으로 왕복이동하면서 조사하여 전자파 차폐가 불필요한 상기 반도체 자재의 상면에 형성된 스퍼터링을 제거하고, 수직 방향으로 조사되는 레이저를 폭방향으로 왕복이동하면서 조사하여 전자파 차폐가 불필요한 상기 반도체 자재의 측면에 형성된 스퍼터링 층을 두께 방향으로　 제거할 수 있다.Specifically, the method for shielding the partial electromagnetic wave of the semiconductor material according to the present invention comprises the steps of placing the semiconductor material, the upper surface and the four sides of the semiconductor material is sputtered by EMI sputtering layer formed on the lower portion of the laser irradiation apparatus; And removing a sputtering layer by irradiating a laser beam vertically to three surfaces connected to the upper surface and the upper surface of a predetermined region of the semiconductor material on which the sputtering layer is not required. Wherein the step of removing the sputtering layer, by irradiating the laser irradiated in the vertical direction in the width direction along the longitudinal direction of the upper surface of the semiconductor material to remove the sputtering formed on the upper surface of the semiconductor material is unnecessary electromagnetic shielding, By irradiating the laser irradiated in the vertical direction while reciprocating in the width direction, the sputtering layer formed on the side surface of the semiconductor material which does not need electromagnetic shielding can be removed in the thickness direction.

바람직하게는, 반도체 자재의 측면에 형성된 스퍼터링층의 제거는 상기 수직 조사되는 레이저를 상기 측면과 평행한 폭방향으로 왕복조사하면 상기 레이저가 흡수된 측면에 형성된 스퍼터링 층이 상기 반도체 자재의 두께 방향으로 일부 기화되고, 기화되고 남은 측면 스퍼터링 층에 상기 레이저가 흡수 및 기화가 반복적으로 일어나면서 상기 반도체 자재의 측면 바닥부까지 점진적으로 스퍼터링층을 제거할 수 있다.Preferably, the removal of the sputtering layer formed on the side surface of the semiconductor material is such that the reciprocating irradiation of the vertically irradiated laser in the width direction parallel to the side surface causes the sputtering layer formed on the side where the laser is absorbed in the thickness direction of the semiconductor material. As the laser is repeatedly absorbed and vaporized in the partially vaporized, vaporized and remaining side sputtering layer, the sputtering layer may be gradually removed to the side bottom of the semiconductor material.

여기서, 스퍼터링 공정이 완료된 N 개의 반도체 자재(300)는 스퍼터링 테이프(tp)에 부착된 상태로 공급되거나 트레이 또는 지그 등에 안착된 상태로 레이저 조사장치로 공급될 수 있다. 즉 레이저 조사장치로 공급되는 반도체 자재는 스퍼터링 테이프 또는 지그에 부착된 상태로 공급되어 부착면을 제외한 반도체 자재의 상면 및 4개의 측면이 스퍼터링된 상태이다.Here, the N semiconductor materials 300 having completed the sputtering process may be supplied in a state of being attached to the sputtering tape tp or may be supplied to the laser irradiation apparatus in a state of being mounted on a tray or a jig. In other words, the semiconductor material supplied to the laser irradiation apparatus is supplied in a state of being attached to a sputtering tape or a jig so that the upper surface and four side surfaces of the semiconductor material excluding the attachment surface are sputtered.

본 발명에서 사용되는 레이저 조사장치는 레이저를 발진하는 레이저 발진부(100); 상기 발진된 레이저를 각각 반사시키기 위한 제1 및 제2 갈바노미러(110,130); 상기 제1 및 제2 갈바노미러의 X축 방향 Y축 방향 반사각을 조절하여 X-Y 평면 상의 초점 위치를 결정하기 위한 제1 및 제2 갈바노 미러 모터(120,140); 및 상기 제1 및 제2 갈바노 미러에 의해 X축 및 Y축 평면 상에서 위치 결정된 레이저를 수직방향으로 조사하는 텔레센트릭 렌즈(200)를 구비할 수 있으며, 텔레센트릭 렌즈를 이용하여 미리 결정된 동일한 초점거리를 유지한 상태에서 상기 반도체 자재의 상면과 측면에 레이저를 수직 조사하여 상기 스퍼터링층을 제거할 수 있다.Laser irradiation apparatus used in the present invention includes a laser oscillation unit 100 for oscillating a laser; First and second galvano mirrors 110 and 130 for reflecting the oscillated laser, respectively; First and second galvano mirror motors 120 and 140 for determining a focal position on the X-Y plane by adjusting the reflection angles in the X-axis and Y-axis directions of the first and second galvano mirrors; And a telecentric lens 200 for vertically irradiating a laser positioned on the X and Y axis planes by the first and second galvano mirrors, and predetermined using a telecentric lens. The sputtering layer may be removed by vertically irradiating a laser onto the upper and side surfaces of the semiconductor material while maintaining the same focal length.

이에 대해 보다 자세히 설명하면 도 1에 도시된 바와 같이, 복수(N) 개의 반도체 자재는 스퍼터링 테이프(tp)에 부착된 상태로 증착공정이 수행될 수 있으며, 증착공정이 완료된 상태에서 반도체 자재(300)의 상부에 배치된 레이저 조사장치(1)에서 수직방향으로 레이저(l)를 조사하여 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)의 상면(us)및 그 상면(us)과 연결된 3개의 측면(ss)에 증착된 스퍼터링층을 제거한다.In more detail, as illustrated in FIG. 1, a plurality of N materials may be deposited in a state in which a plurality of N materials are attached to a sputtering tape tp. 3 is connected to the upper surface (us) and the upper surface (us) of the upper surface (us) of the partial region 330 of the semiconductor material 300 by irradiating the laser (1) in the vertical direction from the laser irradiation device (1) disposed above the The sputtering layer deposited at (ss) is removed.

또한, 본 발명은 반도체 자재를 픽업유닛 등으로 픽업하지 않고 스퍼터링 테이프(tp)에 복수(N) 개의 반도체 자재가 부착된 상태에서 수직 레이저(l)를 조사하여 복수(N) 개의 반도체 자재를 자재별로 순차적으로 하나씩 스퍼터링층을 제거할 수 있다.In addition, the present invention provides a plurality of (N) semiconductor materials by irradiating the vertical laser (l) in a state where a plurality of (N) semiconductor materials are attached to the sputtering tape (tp) without picking up the semiconductor materials with a pickup unit or the like. The sputtering layer can be removed one by one sequentially.

또한, 스퍼터링 테이프(tp)에 부착된 상태로 증착공정이 수행된 복수(N) 개의 반도체 자재는 트레이 또는 지그 등에 안착된 상태로 수직 레이저(l)를 조사하여 복수(N) 개의 반도체 자재를 자재별로 순차적으로 하나씩 스퍼터링층을 제거할 수 있다.Further, the plurality of N semiconductor materials subjected to the deposition process in a state of being attached to the sputtering tape tp is irradiated with the vertical laser 1 while seated on a tray or a jig, and thus a plurality of (N) semiconductor materials are applied. The sputtering layer can be removed one by one sequentially.

트레이, 지그, 스퍼터링 테이프 등을 이용하여 공급되는 복수(N) 개의 반도체 자재는 일정한 간격으로 이격 배치되며 픽업유닛 등으로 반도체 자재를 재배열하지 않고 스퍼터링 공정에서 곧바로 레이저 조사장치(1)에 공급할 경우 그 간격은 스퍼터링 공정의 생산성을 향상시키기 위해 매우 좁게 형성된다. 따라서 레이저 조사장치가 반도체 자재의 측면에 형성된 스퍼터링층을 제거할 수 있으려면 측면 방향으로 이동하거나, 반도체 자재의 측면 끝단까지 레이저가 조사되기 위해 소정 방향과 각도를 확보해야하지만 반도체 자재의 간섭 때문에 현실적으로 불가능하다.When a plurality of (N) semiconductor materials supplied using a tray, a jig, a sputtering tape, or the like are spaced at regular intervals and are supplied directly to the laser irradiation apparatus 1 in the sputtering process without rearranging the semiconductor materials by a pickup unit or the like. The spacing is very narrow in order to improve the productivity of the sputtering process. Therefore, in order to be able to remove the sputtering layer formed on the side of the semiconductor material, the laser irradiation apparatus must secure a certain direction and angle in order to move laterally or to irradiate the laser to the side end of the semiconductor material. impossible.

이에, 본 발명에서는 텔레센트릭 렌즈를 이용하여 미리 결정된 동일한 초점거리를 유지한 상태에서 반도체 자재의 상면과 측면에 레이저를 수직 조사하여 스퍼터링층을 제거하는 것이다.Accordingly, in the present invention, the sputtering layer is removed by vertically irradiating a laser onto the upper and side surfaces of the semiconductor material while maintaining the same predetermined focal length by using the telecentric lens.

즉, 도 1에 도시된 레이저 조사장치(1)는 발진된 레이저(l)를 각각 반사시키기 위한 제1 갈바노 미러(110) 및 제2 갈바노 미러(130)가 구비되고, 각각의 미러의 x축 방향 또는 y축 방향 반사각을 조절하기 위한 제1 갈바노 미러 모터(120) 및 제2 갈바노 미러 모터(140)가 구비되어 레이저(l)의 x-y 평면상의 초점 위치를 결정할 수 있다.That is, the laser irradiation apparatus 1 shown in FIG. 1 is provided with a first galvano mirror 110 and a second galvano mirror 130 for reflecting the oscillated laser l, respectively, of each mirror. The first galvano mirror motor 120 and the second galvano mirror motor 140 for adjusting the x-axis or y-axis reflection angle may be provided to determine a focal position on the xy plane of the laser 1.

상기 제1 갈바노 미러(110) 및 상기 제2 갈바노 미러(130)에 의하여 레이저(l) 초점의 x-y 평면상의 위치가 결정된 레이저(l)는 텔레센트릭 렌즈(200)를 통해 하방으로 조사된다.The laser l whose position on the xy plane of the laser l focal point is determined by the first galvano mirror 110 and the second galvano mirror 130 is irradiated downward through the telecentric lens 200. do.

상기 텔레센트릭 렌즈(200)에 의하여 수직 방향(z 축 방향) 초점 위치 및 가공 심도 등이 결정될 수 있으며 텔레센트릭 렌즈(200)는 렌즈를 통과하는 레이저들이 동일한 높이의 반도체 자재(300)에 수직으로 조사되도록 한다. 따라서, 본 발명에서는 반도체 자재의 상면 가공시 레이저의 초점거리와 및 반도체 자재의 측면가공시 레이저의초점거리가 동일하게 셋팅되는 것이 바람직하다.The telecentric lens 200 may determine a vertical position (z-axis direction), a focal position, a depth of processing, and the like, and the telecentric lens 200 includes lasers passing through the lens on the semiconductor material 300 having the same height. Allow it to be irradiated vertically. Therefore, in the present invention, it is preferable that the focal length of the laser when processing the upper surface of the semiconductor material and the focal length of the laser during the side processing of the semiconductor material are set equally.

즉, 상기 제1 갈바노 미러(110) 및 상기 제2 갈바노 미러(130)에 의하여 레이저(l) 초점이 x-y 평면상에 다른 위치에 위치하더라도 레이저(l)들의 초점 높이는 모두 동일하며 조사 각도 또한 수직으로 조사되게 된다.That is, even if the laser l focus is located at different positions on the xy plane by the first galvano mirror 110 and the second galvano mirror 130, the focal heights of the lasers 1 are the same and the irradiation angle is the same. It will also be irradiated vertically.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이 레이저의 가공영역(FOV)는 반도체 자재(300) 보다 크며 레이저의 가공영역(FOV) 내의 반도체 자재(300)는 제1 갈바노 미러(110) 및 제2 갈바노 미러(130)와 텔레센트릭 렌즈(200)를 이용하여 레이저의 이동 없이 가공이 가능하다.In addition, as shown in FIG. 1, the processing area FOV of the laser is larger than the semiconductor material 300, and the semiconductor material 300 in the processing area FOV of the laser is the first galvano mirror 110 and the second galvan. The furnace mirror 130 and the telecentric lens 200 can be used without the laser movement.

즉, 레이저의 가공영역(FOV) 내에서 레이저(l)들은 동일한 초점 높이로 수직으로 조사되며 이러한 특성을 이용하여 개별 반도체 자재(300)를 레이저 이동 없이 제1 갈바노 미러(110) 및 제2 갈바노 미러(130)를 이동하여 스퍼터링층을 제거할 수 있다. That is, within the processing area FOV of the laser, the lasers 1 are irradiated vertically at the same focal height, and by using this characteristic, the first galvano mirror 110 and the second galvano mirror 110 are moved without laser movement. The galvano mirror 130 may be moved to remove the sputtering layer.

레이저의 수직 방향(z 축 방향) 초점 위치 및 가공 심도 등을 결정할 수 있는 구성으로 상기 텔레센트릭 렌즈(200)를 예로 들었지만, 독일 Scanlab사의 VarioScan과 같은 포커싱 유닛을 사용할 수 있다.Although the telecentric lens 200 has been exemplified as a configuration capable of determining the vertical focusing position (z-axis direction) of the laser and the depth of processing, a focusing unit such as VarioScan of Scanlab of Germany can be used.

포커싱 유닛은 레이저의 수직방향 초점위치 또는 가공심도를 결정할 수 있기 때문에 포커싱 유닛을 사용함으로써 반도체 자재의 측면가공시 측면 높이에 따라 레이저 조사시 초점 위치를 조절하거나, 반도체 자재의 레이저 조사 중에 가공심도를 벗어나는 경우 레이저 초점위치를 변경하기 위해 초점위치를 조절할 수 있다. 뿐만 아니라, 포커싱 유닛을 사용하면 반도체 자재의 종류 및 두께에 따라 레이저 조사 전에 레이저 초점위치를 초기 셋팅하는 셋팅 설정용으로도 사용할 수 있다.Since the focusing unit can determine the vertical focusing position or depth of processing of the laser, the focusing unit can be used to adjust the focusing position during laser irradiation according to the side height during side processing of the semiconductor material, or to adjust the processing depth during laser irradiation of the semiconductor material. If it does, you can adjust the focus position to change the laser focus position. In addition, the focusing unit can be used for setting the initial setting of the laser focus position before laser irradiation according to the type and thickness of the semiconductor material.

한편, 하나의 반도체 자재(300) 중 전자파 차폐가 불필요한 소정 영역을 반도체 자재의 일부 영역(330)이라 칭할 수 있으며, 이는 반도체 자재(300)의 어느 하나의 측면(ss)과 평행한 가상의 평면으로 반도체 자재를 구획하여 결정되는 영역일 수 있다.Meanwhile, a predetermined region in which one electromagnetic material shielding is not necessary may be referred to as a partial region 330 of the semiconductor material, which is a virtual plane parallel to any one side ss of the semiconductor material 300. It may be an area determined by partitioning the semiconductor material.

즉, 도 1에 도시된 반도체 자재는 몰딩부의 형상에 따라 납작한 직육면체 형상을 가질 수 있으며, 이러한 직육면체의 일부 영역(330)이란 어느 하나의 측면(ss)과 평행한 가상의 분할면으로 반도체 자재를 분할한 경우, 분할된 일부 영역(330)의 상면(us)과 그 상면(us)과 연결된 'ㄷ'자 형태의 3개의 측면(ss)으로 구성될 수 있다.That is, the semiconductor material illustrated in FIG. 1 may have a flat rectangular parallelepiped shape according to the shape of the molding part, and the partial region 330 of the rectangular parallelepiped may be a virtual divided surface parallel to any one side ss. When divided, it may be composed of the upper surface (us) of the divided partial region 330 and three sides (ss) of the 'c' shape connected to the upper surface (us).

예를 들면, 본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법은 반도체 자재가 가상의 수직 분할면(어느 하나의 측면(ss)과 평행)을 기준으로 상면(us)을 분할하고 그 분할된 상면(us)중 스퍼터링층의 제거가 필요한 일부 영역의 상면(us)과 그 분할된 상면(us)과 연결된 3개의 측면(ss) 상의 스퍼터링층을 반도체 자재(300)의 상면(us)에 구비된 레이저 조사장치(1)에서 조사되는 수직 레이저(l)를 사용하여 제거하는 방법을 사용한다. 도 2 및 도 3을 참조하여 구체적으로 설명한다.For example, the partial electromagnetic shielding method of the semiconductor material according to the present invention divides the upper surface (us) on the basis of the virtual vertical dividing surface (parallel with any one side (ss)) and the divided upper surface ( A laser provided on the upper surface (us) of the semiconductor material 300 with a sputtering layer on the upper surface (us) of some regions requiring us to remove the sputtering layer and three side surfaces (ss) connected to the divided upper surface (us). The method of removing using the vertical laser 1 irradiated from the irradiation device 1 is used. This will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 의한 반도체 자재(300)의 처리과정 중 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)의 상면(us)의 처리과정을 도시하며, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 의한 반도체 자재(300)의 처리과정 중 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)의 측면(ss)의 처리과정을 도시한다.2 illustrates a process of treating the upper surface (us) of the partial region 330 of the semiconductor material 300 during the process of processing the semiconductor material 300 by the partial electromagnetic wave shielding method of the semiconductor material according to the present invention. 9 illustrates a process of the side surface ss of the partial region 330 of the semiconductor material 300 during the processing of the semiconductor material 300 by the partial electromagnetic wave shielding method of the semiconductor material according to the present invention.

본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법은 스퍼터링 공정이 수행된 개별 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)의 상면(us)및 그 상면(us)과 연결된 측면(ss) 상의 증착된 스퍼터링층을 레이저(l)를 사용하여 제거한다.The partial electromagnetic shielding method of the semiconductor material according to the present invention is the sputtering deposited on the upper surface (us) of the partial region 330 of the individual semiconductor material 300 on which the sputtering process is performed and the side surface (ss) connected to the upper surface (us) The layer is removed using a laser 1.

구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 미리 결정된 일부 영역(330)의 상면(us)에 증착된 스퍼터링층은 수직방향 레이저(l)를 상면(us)의 폭방향으로 왕복 조사(왕복 속도는 약 100mm/s ~ 8000mm/s)하며 상면(us)의 길이방향으로 스퍼터링층을 제거하는 방법을 사용한다.Specifically, as shown in FIG. 2, the sputtering layer deposited on the upper surface (us) of the predetermined partial region 330 has a vertical laser (1) reciprocating irradiation (return speed in the width direction of the upper surface (us)). Is about 100 mm / s to 8000 mm / s) and a method of removing the sputtering layer in the longitudinal direction of the upper surface (us) is used.

즉, 레이저(l)를 일부 영역(330)의 상면(us)의 길이방향을 따라 폭방향으로 왕복하며 스퍼터링층을 제거할 수 있다.That is, the sputtering layer may be removed by reciprocating the laser 1 in the width direction along the longitudinal direction of the upper surface Us of the partial region 330.

본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법을 구성하는 스퍼터링층 제거단계에서 레이저(l)에 의하여 제거되는 반도체 자재(300)의 스퍼터링층은 일반적으로 전자파 차폐 성능이 좋은 금속 재질을 포함하며, 구체적으로 구리(Cu) 성분을 포함할 수 있고, 상기 스퍼터링층의 두께는 2 마이크로미터(㎛) 내지 100 마이크로미터(㎛)일 수 있다.The sputtering layer of the semiconductor material 300 removed by the laser in the step of removing the sputtering layer constituting the partial electromagnetic shielding method of the semiconductor material according to the present invention generally includes a metal material having good electromagnetic shielding performance, specifically The copper (Cu) component may be included, and the thickness of the sputtering layer may be 2 micrometers (μm) to 100 micrometers (μm).

도 1에 도시된 레이저 조사장치(1)의 텔레센트릭 렌즈(200)에 의하여 결정되는 레이저(l)의 초점은 반도체 자재(300)의 스퍼터링층 내측의 몰딩부의 상면(us)으로 결정될 수 있다.The focal point of the laser l determined by the telecentric lens 200 of the laser irradiation apparatus 1 shown in FIG. 1 may be determined by the upper surface us of the molding part inside the sputtering layer of the semiconductor material 300. .

상기 스퍼터링층 제거단계에서 조사되는 레이저(l)는 주기적으로 조사되는 펄스 레이저(Pulsed Laser)이며, 레이저(l)는 UV, 적외선 및 그린 레이저 등이 적용될 수 있다. 이 경우, 레이저(l)의 파장은 355 나노미터(nm) 내지 1064 나노미터(nm) 일 수 있다.The laser (1) irradiated in the sputtering layer removal step is a pulsed laser (Pulsed Laser) that is periodically irradiated, the laser (1) may be applied to UV, infrared and green lasers. In this case, the wavelength of the laser 1 may be 355 nanometers (nm) to 1064 nanometers (nm).

즉, 반도체 자재(300)의 스퍼터링층을 제거하기 위하여 수직방향으로 조사되는 레이저(l)의 초점은 반도체 자재(300)의 몰딩부를 기준으로 하고, 스퍼터링층의 두께는 2 마이크로미터(㎛) 내지 100 마이크로미터(㎛)인 경우에도 레이저(l)를 흡수한 스퍼터링층은 기화되어 제거될 수 있다.That is, the focal point of the laser 1 irradiated in the vertical direction to remove the sputtering layer of the semiconductor material 300 is based on the molding part of the semiconductor material 300, and the thickness of the sputtering layer is 2 micrometer (μm) to Even in the case of 100 micrometers (µm), the sputtering layer absorbing the laser 1 can be vaporized and removed.

레이저(l)의 초점을 반도체 자재(300)의 몰딩부 상면(us)높이로 고정한 상태에서 스퍼터링층의 두께가 2 마이크로미터(㎛) 내지 100 마이크로미터(㎛) 범위 내라면 레이저(l)의 가공 심도 내의 두께이므로 레이저(l)에 의한 스퍼터링의 제거가 가능할 수 있으며, 이와 같은 방법으로 레이저 조사장치(1)의 초점을 변경하는 등의 조절과정을 생략하여 반도체 자재 처리공정의 효율을 제거할 수 있다.When the thickness of the sputtering layer is in the range of 2 micrometers (µm) to 100 micrometers (µm) while the focus of the laser l is fixed at the height of the upper surface of the molding part of the semiconductor material 300, the laser l Since the thickness within the processing depth may be possible to remove the sputtering by the laser (1), in this way it is possible to eliminate the efficiency of the semiconductor material processing process by eliminating the adjustment process, such as changing the focus of the laser irradiation apparatus (1). Can be.

여기서, 가공 심도란 레이저(l)의 초점의 깊이방향으로 레이저(l)의 에너지가 미리 결정된 크기, 예를 들면 80% 이상으로 유지되어 피조사물에 레이저(l)가 흡수되어 제거될 수 있는 깊이를 의미한다. 이러한 가공 심도는 초점의 크기, 초점 거리, 출력 레이저(l)의 파장 등에 따라 영향을 받는다.Here, the processing depth is a depth at which the energy of the laser 1 is maintained at a predetermined size, for example, 80% or more in the depth direction of the focal point of the laser 1 so that the laser 1 is absorbed and removed from the irradiated object. Means. This depth of processing is affected by the size of the focal point, the focal length, the wavelength of the output laser 1 and the like.

상기 스퍼터링층의 두께가 2 마이크로미터(㎛) 내지 100 마이크로미터(㎛)라면, 파장이 355 나노미터(nm) 내지 1064 나노미터(nm)인 펄스 방식의 레이저(l)의 초점을 스퍼터링층 하부의 몰딩부 상면(us)으로 설정하여도 반도체 자재(300)의 상면(us)의 스퍼터링층을 충분히 제거할 수 있게 된다.If the thickness of the sputtering layer is 2 micrometers (μm) to 100 micrometers (μm), the focus of the pulsed laser (1) having a wavelength of 355 nanometers (nm) to 1064 nanometers (nm) to the bottom of the sputtering layer The sputtering layer on the upper surface (us) of the semiconductor material 300 can be sufficiently removed even if it is set to the upper surface (us) of the molding part.

여기서, 레이저 조사장치(1)의 초점을 스퍼터링층의 상면(us)이 아닌 스퍼터링층 하부에 위치한 몰딩부의 상면(us)으로 결정하는 이유는 스퍼터링층의 굴곡이 존재할 수 있고, 후술하는 반도체 자재(300)의 측면(ss) 처리의 경우, 몰딩부의 상면(us)기준으로 하부까지 스퍼터링층이 충분히 효과적으로 제거될 수 있어야 하기 때문이다.Here, the reason for determining the focus of the laser irradiation apparatus 1 as the upper surface (us) of the molding part located below the sputtering layer rather than the upper surface (us) of the sputtering layer may be due to the curvature of the sputtering layer. In the case of the ss treatment of 300, the sputtering layer should be sufficiently effective to be lowered to the lower side based on the upper surface (us) of the molding part.

본 발명은 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 자재(300)의 상면(us)의 일부 영역(330)만 스퍼터링을 제거하는 경우, 스퍼터링층의 두께를 고려하여 결정하는 것이 스퍼터링 층 제거 효율을 증대시킬 수 있으나, 도 3에 도시된 바와 같이 일부 영역(330)의 측면(ss)의 스퍼터링층을 제거하는 경우에는 불리할 수 있다.As shown in FIG. 2, when only the partial region 330 of the upper surface (us) of the semiconductor material 300 is sputtered, the sputtering layer removal efficiency may be determined by considering the thickness of the sputtering layer. 3 may be disadvantageous when the sputtering layer of the side surface ss of the partial region 330 is removed.

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법에 의하면, 상기 스퍼터링층 제거단계에서 조사되는 레이저(l)는 스퍼터링층과 함께 10 마이크로미터(㎛) 내지 100 마이크로미터(㎛) 두께의 몰딩부를 함께 제거하도록 레이저(l)의 조사시간, 왕복 횟수, 상면(us)의 길이방향 조사 간격을 결정할 수 있다.In addition, according to the partial electromagnetic shielding method of the semiconductor material according to the present invention, the laser (1) irradiated in the step of removing the sputtering layer is a molding portion of 10 micrometers (μm) to 100 micrometers (μm) thickness with the sputtering layer The irradiation time, the number of round trips, and the longitudinal irradiation interval of the upper surface us can be determined to remove together.

즉, 스퍼터링층의 제거가 필요한 일부 영역(330)의 경우 스퍼터링층이 일부 잔류하는 경우 그 내부의 회로부의 기능 또는 작동에 영향을 미칠 수 있으므로 몰딩부를 일정범위, 예를 들면 10 마이크로미터(㎛) 내지 100 마이크로미터(㎛) 두께로 함께 제거하여 스퍼터링층의 제거 품질을 향상시킬 수 있다.In other words, in the case of some regions 330 that require removal of the sputtering layer, the remaining part of the sputtering layer may affect the function or operation of the circuit part therein, so that the molding part may be in a certain range, for example, 10 micrometers (μm). The removal quality of the sputtering layer can be improved by removing them together to a thickness of about 100 micrometers (μm).

마찬가지로, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 미리 결정된 일부 영역(330)의 각각의 측면(ss)에 증착된 스퍼터링층은 수직방향 레이저(l)를 반도체 자재(300)의 측면(ss)과 평행하게 반도체 자재(300)의 폭방향으로 왕복 조사하여 반도체 자재(300)의 두께에 대응되는 깊이로 제거될 수 있다.Similarly, as shown in FIG. 3, the sputtering layer deposited on each side ss of the predetermined partial region 330 parallels the vertical laser l with the side ss of the semiconductor material 300. The reciprocating irradiation in the width direction of the semiconductor material 300 can be removed to a depth corresponding to the thickness of the semiconductor material (300).

즉, 반도체 자재(300)의 3개의 측면(ss)은 레이저(l)를 각각의 측면(ss)과 평행하게 반도체 자재(300)의 폭방향으로 왕복 조사하여 반도체 자재(300)의 두께에 대응되는 깊이로 제거하여 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)의 각각의 측면(ss) 스퍼터링층을 제거할 수 있고, 더 나아가 몰딩부를 10 마이크로미터(㎛) 내지 100 마이크로미터(㎛) 두께로 함께 제거할 수 있다.That is, the three side surfaces ss of the semiconductor material 300 correspond to the thickness of the semiconductor material 300 by irradiating the laser 1 back and forth in the width direction of the semiconductor material 300 in parallel with the respective side surfaces ss. To remove each side sputtering layer of the partial region 330 of the semiconductor material 300, and furthermore, the molding part is 10 micrometer (μm) to 100 micrometer (μm) thick. Can be removed together.

여기서 반도체 자재(300)의 3개의 측면(ss)을 상면(us)과 동일하게 레이저(l)를 길이방향을 따라 폭방향으로 왕복하며 가공하는 방법이 고려될 수 있으나, 전술한 바와 같이 스퍼터링 공정 특성상 반도체 자재(300) 간격이 협소하여 상면(us)와 동일하게 레이저(l)를 길이방향을 따라 폭방향으로 왕복하며 가공할 경우 인접한 반도체 자재(300)의 간섭 및 공간적 제약으로 원활한 레이저(l)가공이 안되는 문제가 있다.Here, a method of processing the three side surfaces ss of the semiconductor material 300 by reciprocating the laser l along the longitudinal direction in the width direction in the same manner as the upper surface us may be considered, but as described above, a sputtering process When the semiconductor material 300 is narrow in nature, the laser 1 is reciprocated in the width direction along the longitudinal direction in the same way as the upper surface (us), and the laser is smooth due to the interference and spatial constraints of the adjacent semiconductor material 300. There is a problem that can not be processed.

그리고, 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)의 각각의 측면(ss) 스퍼터링층을 제거하는 과정에서도 레이저(l)의 초점은 반도체 자재(300)의 몰딩층의 상면(us)을 기준으로 하고, 상기 반도체 자재(300)의 두께는 5 밀리미터(mm) 이하로 구성하는 경우 레이저(l)를 측면(ss)과 평행하게 왕복 조사하여 반도체 자재(300)의 바닥면까지 스퍼터링층을 제거할 수 있다. Also, in the process of removing each side sputtering layer of the partial region 330 of the semiconductor material 300, the focus of the laser l is based on the upper surface us of the molding layer of the semiconductor material 300. When the thickness of the semiconductor material 300 is 5 millimeters (mm) or less, the laser l may be reciprocated in parallel with the side surface ss to remove the sputtering layer to the bottom surface of the semiconductor material 300. Can be.

구체적으로 설명하면, 반도체 자재 상면(us)상부에 구비된 레이저 조사장치(1)에서 측면(ss)과 평행한 수직 방향 레이저(l)를 폭방향으로 왕복 이동하면서 조사하면 레이저(l)가 흡수된 측면(ss) 스퍼터링층이 반도체 자재(300)의 두께방향으로 일부 기화되고 기화되고 남은 측면(ss) 스퍼터링층에 레이저(l)가 흡수되면 다시 기화가 일어나게 되며 이러한 레이저(l) 간섭 요소 제거 과정을 반복하면서 레이저(l)는 반도체 자재(300)의 바닥면까지 점진적으로 스퍼터링층을 제거한다. Specifically, in the laser irradiation apparatus 1 provided on the upper surface of the semiconductor material (us), the laser (1) is absorbed when the vertical laser (1) parallel to the side surface (ss) is irradiated while reciprocating in the width direction. When the side (ss) sputtering layer is partially vaporized and vaporized in the thickness direction of the semiconductor material 300 and the laser (1) is absorbed by the remaining side (ss) sputtering layer, vaporization occurs again. Repeating the process, the laser 1 gradually removes the sputtering layer to the bottom surface of the semiconductor material 300.

이때, 초점의 수직 방향(z 축 방향) 위치는 반도체 자재(300)의 몰딩층의 상면(us)에 머물러 있고 레이저의 초점을 벗어난 높이에 있는 측면(ss) 스퍼터링층도 레이저 가공 심도 범위에 있으므로 제거된다.At this time, the vertical direction (z-axis direction) position of the focus stays on the upper surface (us) of the molding layer of the semiconductor material 300, and the side sputtering layer at a height out of focus of the laser is also in the laser processing depth range. Removed.

또한, 스퍼터링 테이프에 부착된 상태로 공급되는 반도체 자재(300)의 스퍼터링층을 제거할 경우 스퍼터링 테이프의 점착액의 영향으로 공급되는 복수(N) 개의 반도체 자재에 높이차가 있거나 지그 또는 트레이 등에 공급될 경우 반도체 자재(300)의 솔더볼의 크기 등 자재 자체의 영향으로 공급되는 복수(N) 개의 반도체 자재에 높이차가 발생할 수 있고 높이차가 클 경우 레이저 가공 심도 범위를 벗어 날 수 있으나 이러한 경우에도 간섭 요소가 제거되어 레이저(l)의 에너지가 스퍼터링층을 제거할 수 있다.In addition, when the sputtering layer of the semiconductor material 300 supplied while being attached to the sputtering tape is removed, a plurality of (N) semiconductor materials supplied under the influence of the adhesive liquid of the sputtering tape may have a height difference or may be supplied to a jig or a tray. In this case, a height difference may occur in a plurality of semiconductor materials supplied due to the influence of the material itself, such as the size of the solder ball of the semiconductor material 300. When the height difference is large, the laser processing depth range may be exceeded, but even in this case, the interference factor The energy of the laser 1 can be removed to remove the sputtering layer.

구체적인 실험에서 반도체 자재(300)의 두께가 1.4 밀리미터(m)이고, 초점의 위치를 반도체 자재(300)의 상면(us)에 배치되도록 하고 가공 심도가 0.7 밀리미터(mm) 정도인 레이저(l)를 조사하는 경우, 반도체 자재(300)의 스퍼터링층을 모두 제거되었고 최대 5밀리미터(mm) 정도까지는 측면(ss) 스퍼터링층의 제거에 문제가 없음을 확인하였다.In a specific experiment, the thickness of the semiconductor material 300 is 1.4 millimeters (m), the position of the focal point is placed on the upper surface (us) of the semiconductor material 300, and the laser depth of about 0.7 millimeters (mm) (l). In the case of investigation, it was confirmed that all of the sputtering layers of the semiconductor material 300 were removed and there was no problem in removing the side sputtering layers up to about 5 millimeters (mm).

결과 적으로, 가공 심도가 반도체 자재(300)의 두께보다 작은 경우에도 레이저(l)의 가공 심도 범위 외의 에너지를 이용하여 자재(300)의 측면(ss)을 가공할 수 있다.As a result, even when the processing depth is smaller than the thickness of the semiconductor material 300, the side surface ss of the material 300 may be processed using energy outside the processing depth range of the laser 1.

즉, 반도체 자재(300)의 상면(us)과 3개의 측면(ss)을 가공하는 동안에 초점을 반도체 자재(300)의 상면(us) 높이로 고정한 상태로 스퍼터링 층을 제거할 수 있으며 이를 통해 가공시간을 단축할 수 있고 스퍼터링 테이프의 점착액 및 반도체 자재 자체의 높이차에 의해 레이저(l) 초점의 높이 방향 위치가 변경되더라도 가공면의 품질 반복 재현성을 확보할 수 있다.That is, the sputtering layer can be removed while the focus is fixed at the height of the upper surface (us) of the semiconductor material 300 while the upper surface (us) and the three side surfaces (ss) of the semiconductor material 300 are processed. Time can be shortened, and even if the height direction position of the laser (1) focus is changed by the height difference of the adhesive liquid of a sputtering tape, and the semiconductor material itself, the quality repeatability of a process surface can be ensured.

또한, 반도체 자재(300)가 스퍼터링 테이프에 부착된 상태로 공급될 경우 바람직하게는 IR 레이저를 사용할 수 있으며 IR 레이저를 이용할 경우 스퍼터링 테이프의 손상이 최소화되어 선택적인 스퍼터링층 제거가 완료된 반도체 자재(300)의 오프로딩을 원활히 할 수 있다.In addition, when the semiconductor material 300 is supplied attached to the sputtering tape, it is preferable to use an IR laser, and when using the IR laser, the damage of the sputtering tape is minimized, and thus the semiconductor material 300 for which the selective sputtering layer is removed is completed. ) Can be smoothly offloaded.

한편, 스퍼터링층을 가공하는 레이저의 초점은 포커싱 유닛을 사용하여 변경될 수 있다.On the other hand, the focus of the laser processing the sputtering layer can be changed using the focusing unit.

다만, 전술한 바와 같이 초점을 반도체 자재(300)의 상면(us) 높이로 고정한 상태로 스퍼터링층을 가공할 경우 가공시간이 단축되고 품질 반복 재현성이 뛰어나며 세팅 편의성이 높다는 장점이 있어 초점을 반도체 자재(300)의 상면(us) 높이로 고정한 상태로 스퍼터링층을 가공하는 것이 더 바람직하다.However, as described above, when the sputtering layer is processed while the focus is fixed at the upper surface (us) height of the semiconductor material 300, the processing time is shortened, the quality repeatability is excellent, and the setting convenience is high. It is more preferable to process a sputtering layer in the state fixed to the upper surface (us) height of 300. As shown in FIG.

그리고, 본 발명에 따른 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법을 구성하는 스퍼터링층 제거단계에서 발생된 기체 또는 버 등을 제거하기 위하여 석션유닛 및 블로워 유닛 중 적어도 하나를 구비하여 레이저(l)와 오염물질의 간섭을 최소화할 수 있다.In addition, at least one of a suction unit and a blower unit is provided to remove the gas or burr generated in the sputtering layer removing step of the partial electromagnetic wave shielding method of the semiconductor material according to the present invention. Interference can be minimized.

도 3에 도시된 실시예에서, 상기 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)이 반도체 자재를 2분할 하는 것으로 도시되었으나, 스퍼터링층이 제거되어야 하는 영역의 크기는 가변 될 수 있다.In the embodiment illustrated in FIG. 3, although the partial region 330 of the semiconductor material 300 is illustrated as dividing the semiconductor material into two, the size of the region where the sputtering layer is to be removed may vary.

또한, 도 3에 도시된 반도체 자재(300)의 측면(ss) 가공이 완료되면 공정 효율을 위하여 스퍼터링층의 제거가 완료된 반도체 자재(300)의 측면(ss)과 연결된 측면(ss)의 스퍼터링 제거 작업이 수행되는 것이 바람직하다. 즉, 반도체 자재(300)의 측면(ss) 처리는 수평면 기준 “ㄷ”자 형태로 배치된 측면(ss)을 순차 가공 처리하도록 설정할 수 있다.In addition, when the side (ss) processing of the semiconductor material 300 shown in FIG. 3 is completed, sputtering removal of the side (ss) connected to the side (ss) of the semiconductor material 300 is completed, the removal of the sputtering layer for process efficiency It is preferred that the work is performed. That is, the side surface ss processing of the semiconductor material 300 may be set so as to sequentially process the side surface ss arranged in the horizontal plane reference letter “c”.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)의 상면(us)과 상면(us)과 연결된 3개의 측면(ss)의 스퍼터링층을 제거하면 하나의 반도체 자재(300)의 일부 영역(330)의 스퍼터링층의 제거가 완료된다.As shown in FIG. 2 and FIG. 3, when the upper surface (us) and the three side surfaces (ss) connected to the upper surface (us) of the partial region 330 of one semiconductor material 300 are removed, one Removal of the sputtering layer of the partial region 330 of the semiconductor material 300 is completed.

도 1에 도시된 바와 같이, N개의 반도체 자재가 스퍼터링 테이프(tp)에 부착된 상태에서 N개의 반도체 자재(300)의 상면(us)가공을 연속적으로 수행하고, 다시 동일한 방향의 측면(ss) 가공을 연속적으로 수행하는 방법을 고려할 수도 있으나, 이는 반도체 자재 사이로 도 1의 갈바노 미러(110, 130)를 이용하여 레이저(l)의 초점을 이동시켜야 함을 의미하며, 이는 동일한 개수의 반도체 자재(300)의 처리를 위하여 초점의 이동 거리가 더 길어짐을 의미하므로 UPH 등의 작업효율을 저하시키는 요인이 된다.As shown in Fig. 1, in the state where the N semiconductor materials are attached to the sputtering tape tp, the upper surface (us) processing of the N semiconductor materials 300 is successively performed, and again the side surfaces ss in the same direction. Although a method of continuously performing the machining may be considered, this means that the focus of the laser 1 must be moved between the semiconductor materials by using the galvano mirrors 110 and 130 of FIG. 1, which is the same number of semiconductor materials. Since the moving distance of the focal point is longer for the processing of 300, it becomes a factor that lowers work efficiency such as UPH.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 자재 처리벙법은, 스퍼터링 공정이 완료된 복수(N) 개의 반도체 자재들 중 K 번째 (K는 1부터 N까지 자연수) 반도체 자재(300)의 스퍼터링층 제거작업이 완료된 후 차순위 반도체 자재를 처리하도록 하여 순차적으로 N번째 반도체 자재(300)의 스퍼터링층 제거작업을 수행할 수 있으므로, 반도체 자재별로 스퍼터링 제거작업을 수행하여 반도체 자재(300)의 처리공정의 효율을 향상시킬 수 있다.Therefore, the semiconductor material processing method according to the present invention is the second order after the sputtering layer removal operation of the K th (K is a natural number from 1 to N) semiconductor material 300 among the plurality (N) of the sputtering process is completed Since the semiconductor material may be processed to sequentially remove the sputtering layer of the N-th semiconductor material 300, the sputtering removal may be performed for each semiconductor material to improve the efficiency of the processing process of the semiconductor material 300. .

본 명세서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.Although the present specification has been described with reference to preferred embodiments of the invention, those skilled in the art may variously modify and change the invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims set forth below. Could be done. Therefore, it should be seen that all modifications included in the technical scope of the present invention are basically included in the scope of the claims of the present invention.

1 : 레이저 조사장치
L : 레이저
300 : 반도체 자재
330 : 반도체 자재의 일부 영역 1: laser irradiation device
L: laser
300: semiconductor material
330: some areas of semiconductor materials

Claims (13)

반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법으로서,
반도체 자재의 상면 및 4개의 측면이 EMI 스퍼터링 처리되어 몰딩층 상부에 스퍼터링층이 형성된 반도체 자재를 레이저 조사장치의 하부에 위치시키는 단계; 및
상기 스퍼터링층이 형성된 반도체 자재 중 전자파 차폐가 불필요한 소정 영역에 대해 상면과 상기 상면과 연결된 3개의 측면에 레이저를 수직방향으로 조사하여 스퍼터링층을 제거하는 단계를 포함하며,
상기 스퍼터링층을 제거하는 단계는,
수직방향으로 조사되는 레이저를 상기 반도체 자재 상면의 길이방향을 따라 폭방향으로 왕복이동하면서 조사하여 전자파 차폐가 불필요한 상기 반도체 자재의 상면에 형성된 스퍼터링층을 제거하고,
수직 방향으로 조사되는 레이저를 폭방향으로 왕복이동하면서 조사하여 전자파 차폐가 불필요한 상기 반도체 자재의 측면에 형성된 스퍼터링층을 두께 방향으로 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 차폐방법.As a partial electromagnetic shielding method of a semiconductor material,
Placing a semiconductor material having a sputtering layer formed on top of the molding layer by EMI sputtering of the upper surface and four side surfaces of the semiconductor material under the laser irradiation apparatus; And
Irradiating a laser beam in a vertical direction on the upper surface and three side surfaces connected to the upper surface of a predetermined region of the semiconductor material on which the sputtering layer is not required, and removing the sputtering layer,
Removing the sputtering layer,
Irradiating the laser irradiated in the vertical direction while reciprocating in the width direction along the longitudinal direction of the upper surface of the semiconductor material to remove the sputtering layer formed on the upper surface of the semiconductor material unnecessary electromagnetic shielding,
A method of partially shielding a semiconductor material, comprising: irradiating a laser irradiated in a vertical direction while reciprocating in a width direction to remove a sputtering layer formed on a side surface of the semiconductor material that does not require electromagnetic shielding in a thickness direction. 제1항에 있어서,
상기 반도체 자재의 측면에 형성된 스퍼터링층의 제거는 상기 수직 조사되는 레이저를 상기 측면과 평행한 폭방향으로 왕복조사하면 상기 레이저가 흡수된 측면에 형성된 스퍼터링 층이 상기 반도체 자재의 두께 방향으로 일부 기화되고, 기화되고 남은 측면 스퍼터링 층에 상기 레이저가 흡수 및 기화가 반복적으로 일어나면서 상기 반도체 자재의 측면 바닥부까지 점진적으로 스퍼터링층이 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 차폐방법. The method of claim 1,
The removal of the sputtering layer formed on the side surface of the semiconductor material is such that when the vertically irradiated laser reciprocates in the width direction parallel to the side surface, the sputtering layer formed on the side where the laser is absorbed is partially vaporized in the thickness direction of the semiconductor material. And the sputtering layer is gradually removed to the side bottom of the semiconductor material while the laser is repeatedly absorbed and vaporized in the vaporized side sputtering layer. 제1항에 있어서,
상기 스퍼터링층을 제거시에,
레이저를 발진하는 레이저 발진부;
상기 발진된 레이저를 각각 반사시키기 위한 제1 및 제2 갈바노미러;
상기 제1 및 제2 갈바노미러의 X축 방향 Y축 방향 반사각을 조절하여 X-Y 평면 상의 초점 위치를 결정하기 위한 제1 및 제2 갈바노 미러 모터; 및
상기 제1 및 제2 갈바노 미러에 의해 X축 및 Y축 평면 상에서 위치 결정된 레이저를 수직방향으로 조사하는 텔레센트릭 렌즈를 구비하는 레이저 조사장치를 사용하며,
상기 텔레센트릭 렌즈를 이용하여 미리 결정된 동일한 초점거리를 유지한 상태에서 상기 반도체 자재의 상면과 측면에 레이저를 수직 조사하여 상기 스퍼터링층을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 차폐방법.The method of claim 1,
Upon removing the sputtering layer,
A laser oscillator for oscillating a laser;
First and second galvano mirrors for reflecting the oscillated lasers, respectively;
First and second galvano mirror motors for determining a focal position on an XY plane by adjusting reflection angles in the X-axis direction and Y-axis direction of the first and second galvano mirrors; And
Using a laser irradiation apparatus having a telecentric lens for irradiating the laser positioned on the X and Y axis planes in the vertical direction by the first and second galvano mirrors,
The method of partially shielding a semiconductor material according to claim 1, wherein the sputtering layer is removed by vertically irradiating a laser onto an upper surface and a side surface of the semiconductor material while maintaining the same predetermined focal length using the telecentric lens. 제1항에 있어서,
반도체 자재의 상면가공시 레이저의 초점거리와 및 반도체 자재의 측면가공시 레이저의초점거리가 동일하게 셋팅되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 차폐방법.The method of claim 1,
Partial shielding method of a semiconductor material, characterized in that the focal length of the laser during the upper surface processing of the semiconductor material and the focal length of the laser during the side processing of the semiconductor material are set equal. 제1항에 있어서,
상기 미리 결정된 레이저의 초점은 상기 반도체 자재의 스퍼터링층의 하부에 구비된 몰딩층의 상부면인 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 차폐방법.The method of claim 1,
And the focal point of the predetermined laser is an upper surface of a molding layer provided under the sputtering layer of the semiconductor material. 제1항에 있어서,
상기 스퍼터링층을 제거시에,
레이저를 발진하는 레이저 발진부;
상기 발진된 레이저를 각각 반사시키기 위한 제1 및 제2 갈바노미러;
상기 제1 및 제2 갈바노미러의 X축 방향 Y축 방향 반사각을 조절하여 X-Y 평면 상의 초점 위치를 결정하기 위한 제1 및 제2 갈바노 미러 모터;
상기 제1 및 제2 갈바노미러에 의해 X축 및 Y축 평면 상에서 위치 결정된 레이저를 수직방향으로 조사하는 텔레센트릭 렌즈; 및
레이저의 수직방향 초점 위치 또는 가공심도를 결정하는 포커싱 유닛을 구비하는 레이저 조사장치를 사용하며,
상기 포커싱 유닛을 이용하여 상기 반도체 자재의 측면가공시 측면 높이에 따라 레이저 조사시 초점 위치를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 차폐방법.The method of claim 1,
Upon removing the sputtering layer,
A laser oscillator for oscillating a laser;
First and second galvano mirrors for reflecting the oscillated lasers, respectively;
First and second galvano mirror motors for determining a focal position on an XY plane by adjusting reflection angles in the X-axis direction and Y-axis direction of the first and second galvano mirrors;
A telecentric lens for vertically irradiating a laser positioned on X and Y axis planes by the first and second galvano mirrors; And
Using a laser irradiation apparatus having a focusing unit for determining the vertical focusing position or depth of processing of the laser,
The method of partially shielding a semiconductor material, characterized in that for adjusting the focus position during laser irradiation according to the side height during side processing of the semiconductor material using the focusing unit. 제1항에 있어서,
상기 스퍼터링층을 제거시에,
레이저를 발진하는 레이저 발진부;
상기 발진된 레이저를 각각 반사시키기 위한 제1 및 제2 갈바노미러;
상기 제1 및 제2 갈바노미러의 X축 방향 Y축 방향 반사각을 조절하여 X-Y 평면 상의 초점 위치를 결정하기 위한 제1 및 제2 갈바노 미러 모터;
상기 제1 및 제2 갈바노미러에 의해 X축 및 Y축 평면 상에서 위치 결정된 레이저를 수직방향으로 조사하는 텔레센트릭 렌즈; 및
레이저의 수직방향 초점 위치 또는 가공심도를 결정하는 포커싱 유닛을 구비하는 레이저 조사장치를 사용하며,
상기 포커싱 유닛을 이용하여 상기 반도체 자재의 종류 및 두께에 따라 레이저 조사 전에 레이저 초점 위치를 초기 셋팅하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법.The method of claim 1,
Upon removing the sputtering layer,
A laser oscillator for oscillating a laser;
First and second galvano mirrors for reflecting the oscillated lasers, respectively;
First and second galvano mirror motors for determining a focal position on an XY plane by adjusting reflection angles in the X-axis direction and Y-axis direction of the first and second galvano mirrors;
A telecentric lens for vertically irradiating a laser positioned on X and Y axis planes by the first and second galvano mirrors; And
Using a laser irradiation apparatus having a focusing unit for determining the vertical focusing position or depth of processing of the laser,
And partially setting a laser focus position before laser irradiation according to the type and thickness of the semiconductor material by using the focusing unit. 제1항에 있어서,
상기 스퍼터링층을 제거시에,
레이저를 발진하는 레이저 발진부;
상기 발진된 레이저를 각각 반사시키기 위한 제1 및 제2 갈바노미러;
상기 제1 및 제2 갈바노미러의 X축 방향 Y축 방향 반사각을 조절하여 X-Y 평면 상의 초점 위치를 결정하기 위한 제1 및 제2 갈바노 미러 모터;
상기 제1 및 제2 갈바노미러에 의해 X축 및 Y축 평면 상에서 위치 결정된 레이저를 수직방향으로 조사하는 텔레센트릭 렌즈; 및
레이저의 수직방향 초점 위치 또는 가공심도를 결정하는 포커싱 유닛을 구비하는 레이저 조사장치를 사용하며,
상기 포커싱 유닛을 이용하여 상기 반도체 자재의 레이저 조사 중에 가공심도를 벗어나는 경우 레이저 초점 위치를 변경하기 위해 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 전자파 차폐방법.The method of claim 1,
Upon removing the sputtering layer,
A laser oscillator for oscillating a laser;
First and second galvano mirrors for reflecting the oscillated lasers, respectively;
First and second galvano mirror motors for determining a focal position on an XY plane by adjusting reflection angles in the X-axis direction and Y-axis direction of the first and second galvano mirrors;
A telecentric lens for vertically irradiating a laser positioned on X and Y axis planes by the first and second galvano mirrors; And
Using a laser irradiation apparatus having a focusing unit for determining the vertical focusing position or depth of processing of the laser,
And using the focusing unit to adjust the laser focusing position when the processing depth is out of the processing depth during laser irradiation of the semiconductor material. 제1항에 있어서,
상기 스퍼터링층을 제거하는 단계에서 석션유닛 또는 블로워 유닛으로 발생된 기체 또는 버를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 차폐방법.The method of claim 1,
And removing the gas or burr generated by the suction unit or the blower unit in the step of removing the sputtering layer. 제1항에 있어서,
상기 반도체 자재의 몰딩층 상부에 형성된 스퍼터링층은 구리(Cu) 성분을 포함하며,
상기 몰딩층 상부에 형성된 스퍼터링층의 두께는 2 ㎛ 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 반도체 자재의 부분 차폐방법.The method of claim 1,
The sputtering layer formed on the molding layer of the semiconductor material includes a copper (Cu) component,
And a thickness of the sputtering layer formed on the molding layer is 2 μm to 100 μm. 제1항에 있어서,
상기 스퍼터링층 제거단계에서 조사되는 레이저는 펄스 레이저(Pulsed Laser)이고,
상기 레이저의 파장은 355 nm 내지 1064 nm인 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 차폐방법.The method of claim 1,
The laser irradiated in the sputtering layer removal step is a pulsed laser (Pulsed Laser),
And the wavelength of the laser is 355 nm to 1064 nm. 제1항에 있어서,
복수개의 반도체 자재가 스퍼터링 테이프 또는 지그에 부착된 상태로 공급되어 부착면을 제외한 반도체 자재의 상면 및 4개의 측면이 스퍼터링된 상태로 레이저 조사장치의 하부에 위치되며,
하나의 반도체 자재의 일부 상면과 상기 상면과 연결된 3개의 측면에 대해 스퍼터링층의 제거가 완료된 후, 순차적으로 다음 반도체 자재의 일부 상면과 상기 상면과 연결된 3개의 측면에 대해 스퍼터링층을 제거하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 차폐방법.The method of claim 1,
A plurality of semiconductor materials are supplied in a state of being attached to a sputtering tape or a jig so that the upper surface and four side surfaces of the semiconductor material except for the attachment surface are sputtered and positioned under the laser irradiation apparatus.
After the removal of the sputtering layer is completed for some upper surfaces of one semiconductor material and three sides connected to the upper surface, sequentially removing the sputtering layer for some upper surfaces of the next semiconductor material and three sides connected to the upper surface. Partial shielding method of a semiconductor material, characterized in that performed. 제1항에 있어서,
상기 스퍼터링층을 제거하는 단계에서 상기 레이저의 조사시간, 상기 조사되는 레이저의 파장, 왕복 횟수 및 상면의 길이방향 조사 간격 중 하나 이상을 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재의 부분 차폐방법.The method of claim 1,
Removing at least one of the irradiation time of the laser, the wavelength of the irradiated laser, the number of round trips, and the longitudinal irradiation interval of the upper surface in the removing of the sputtering layer.
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