KR102369457B1 - Processing substrate method and processing substrate apparatus for the same - Google Patents

Processing substrate method and processing substrate apparatus for the same Download PDF

Info

Publication number
KR102369457B1
KR102369457B1 KR1020210066158A KR20210066158A KR102369457B1 KR 102369457 B1 KR102369457 B1 KR 102369457B1 KR 1020210066158 A KR1020210066158 A KR 1020210066158A KR 20210066158 A KR20210066158 A KR 20210066158A KR 102369457 B1 KR102369457 B1 KR 102369457B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electromagnetic wave
shielding film
wave shielding
burr
laser
Prior art date
Application number
KR1020210066158A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
한복우
최원용
김민욱
Original Assignee
제너셈(주)
한복우
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제너셈(주), 한복우 filed Critical 제너셈(주)
Priority to KR1020210066158A priority Critical patent/KR102369457B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102369457B1 publication Critical patent/KR102369457B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/6006—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting with temporary supporting member not part of an apparatus, e.g. removable coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

Disclosed is a substrate processing method. The substrate processing method comprises the steps of: (a) preparing a substrate on which an electromagnetic wave shielding film is formed; (b) emitting a laser beam to form a portion of the electromagnetic wave shielding film covering the target area of the substrate as a burr and removing it; and (c) selectively removing a portion in the target region of the uppermost layer of the substrate by emitting the laser. In step (b), a light transmitting member is positioned on the upper side of the substrate, and the laser passes through the light transmitting member to reach the electromagnetic wave shielding film.

Description

대상체 기판 가공 방법 및 이에 사용되는 대상체 기판 가공 장치{PROCESSING SUBSTRATE METHOD AND PROCESSING SUBSTRATE APPARATUS FOR THE SAME}Object substrate processing method and object substrate processing apparatus used therefor

본원은 대상체 기판 가공 방법 및 이에 사용되는 대상체 기판 가공 장치에 관한 것이다.The present application relates to a method for processing an object substrate and an apparatus for processing an object substrate used therein.

전자제품에 사용되는 칩 구조체는 기판, 기판 상에 구비되는 칩 및 기판 상에 구비되는 트랜지스터를 포함하는데, 기판은 인체에 미치는 전자파 차단 또는 인접한 전자 부품 간에 발생되는 전기전자적인 간섭을 최소화하기 위하여 EMI shield 처리될 수 있다. EMI shield 처리는 칩 구조체에 메탈(metal)을 포함하는 재질인 전자파 차폐막(EMI 차폐막)을 형성하는 것일 수 있다.A chip structure used for electronic products includes a substrate, a chip provided on the substrate, and a transistor provided on the substrate. It can be shielded. The EMI shield process may be to form an electromagnetic wave shielding film (EMI shielding film), which is a material including metal, on the chip structure.

그런데, 일반적으로, 칩의 하면에는 칩과 기판(substrate)을 전기적으로 연결하는 솔더볼이 구비될 수 있는데, 기판의 솔더볼이 구비될 부분에 전자파 차폐막이 형성되어 있으면, 전자파 차폐막으로 인해 솔더볼과 기판사이에 전기적 쇼트가 일어날 수 있기 때문에, 기판은 기판에 형성된 전자파 차폐막 중 솔더볼이 구비될 부분은 제거될 필요가 있었다.However, in general, solder balls for electrically connecting the chip and the substrate may be provided on the lower surface of the chip. Since an electrical short may occur in the substrate, it is necessary to remove the portion where the solder ball is to be provided among the electromagnetic wave shielding film formed on the substrate.

본원의 배경이 되는 기술은 한국공개특허공보 제 10-1899239호에 개시되어 있다.The background technology of the present application is disclosed in Korean Patent Application Laid-Open No. 10-1899239.

본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 칩 구조체의 제조 과정에서 기판의 전자파 차폐막 중 솔더볼이 구비될 부분을 제거할 수 있는 대상체 기판 가공 방법 및 이에 사용되는 대상체 기판 가공 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present application is to solve the problems of the prior art described above, and to provide an object substrate processing method capable of removing a portion to be provided with a solder ball in an electromagnetic wave shielding film of a substrate during the manufacturing process of a chip structure, and an object substrate processing apparatus used therein aim to

다만, 본원의 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들도 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.However, the technical problems to be achieved by the embodiment of the present application are not limited to the technical problems as described above, and other technical problems may exist.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제1 측면에 따른 대상체 기판 가공 방법은, (a) 전자파 차폐막이 형성된 대상체 기판을 준비하는 단계; (b) 전자파 차폐막의 상기 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분을 제거하는 단계; 및 (c) 상기 대상체 기판의 최상층의 상기 타겟 영역 내의 일 부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다.As a technical means for achieving the above technical problem, a method for processing an object substrate according to a first aspect of the present application includes the steps of: (a) preparing an object substrate on which an electromagnetic wave shielding film is formed; (b) removing a portion of the electromagnetic wave shielding film covering the target area of the target substrate; and (c) selectively removing a portion in the target region of the uppermost layer of the object substrate.

또한, 본원의 일 구현예에 따른 대상체 기판 가공 방법에 있어서, 상기 대상체 기판은 cu를 포함하는 재질로 이루어지는 제1 층 및 sr(Solder resists)인 제2 층을 포함하는 본체 적층체 및 상기 본체 적층체의 적어도 일부를 상하로 가로지르며 금속을 포함하는 재질로 이루어지는 패드를 포함할 수 있다.In addition, in the object substrate processing method according to the exemplary embodiment of the present application, the object substrate includes a first layer made of a material containing cu and a second layer that is sr (Solder resists), and the body laminated body At least a portion of the sieve may include a pad made of a material including a metal and traversing up and down.

또한, 본원의 일 구현예에 따른 대상체 기판 가공 방법에 있어서, 상기 본체 적층체의 최상층은 상기 제1 층과 상기 패드의 상면이 상측으로 노출되지 않도록 형성되는 제2 층이며, 상기 본체 적층체의 최상층인 제2 층은, 상기 제1 층 상 또는 상기 패드 상에 상기 전자파 차폐막이 형성되는 경우 대비 상기 (b) 단계에서의 전자파 차폐막 제거가 용이하도록 형성될 수 있다.In addition, in the object substrate processing method according to the exemplary embodiment of the present application, the uppermost layer of the body laminate is a second layer formed so that upper surfaces of the first layer and the pad are not exposed upward, and The second layer, which is the uppermost layer, may be formed to facilitate removal of the electromagnetic wave shielding film in step (b) compared to the case where the electromagnetic wave shielding film is formed on the first layer or on the pad.

또한, 본원의 일 구현예에 따른 대상체 기판 가공 방법에 있어서, 상기 (c) 단계에서, 상기 일 부분은, 상기 본체 적층체의 최상층인 제2 층의 상기 패드를 덮는 부분을 포함할 수 있다.Also, in the method for processing an object substrate according to an exemplary embodiment of the present application, in step (c), the one portion may include a portion covering the pad of the second layer, which is the uppermost layer of the main body laminate.

또한, 본원의 일 구현예에 따른 대상체 기판 가공 방법에 있어서, 상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계는, 레이저를 조사하여 수행할 수 있다.In addition, in the method for processing an object substrate according to an exemplary embodiment of the present application, the steps (b) and (c) may be performed by irradiating a laser.

본원의 제2 측면에 따른 대상체 기판 가공 방법은, (a) 전자파 차폐막이 형성된 대상체 기판을 준비하는 단계; (b) 레이저를 조사하여 상기 전자파 차폐막의 상기 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분을 버(burr)로 형성하여 제거하는 단계; 및 (c) 레이저를 조사하여 상기 대상체 기판의 최상층의 상기 타겟 영역 내의 일 부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하되, 상기 (b) 단계는, 상기 대상체 기판의 상측에 광 투과부재를 위치시키고, 레이저가 상기 광 투과부재를 통과하여 상기 전자파 차폐막에 도달하게 할 수 있다.A method of processing an object substrate according to a second aspect of the present application includes the steps of: (a) preparing an object substrate on which an electromagnetic wave shielding film is formed; (b) removing a portion of the electromagnetic wave shielding film covering the target area of the target substrate by irradiating a laser beam to form a burr; and (c) selectively removing a portion in the target area of the uppermost layer of the target substrate by irradiating a laser, wherein the step (b) includes positioning a light transmitting member on the upper side of the target substrate, The laser may pass through the light transmitting member to reach the electromagnetic wave shielding layer.

또한, 본원의 일 구현예에 따른 대상체 기판 가공 방법에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 광 투과부재와 상기 전자파 차폐막 사이의 거리는 상기 (b) 단계에서 발생하는 상기 버의 끝단의 높이가 미리 설정된 높이 이하로 제한되도록 설정될 수 있다.In addition, in the object substrate processing method according to an embodiment of the present application, in the step (b), the distance between the light transmitting member and the electromagnetic wave shielding film is the height of the tip of the burr generated in the step (b) in advance. It may be set to be limited to a set height or less.

또한, 본원의 일 구현예에 따른 대상체 기판 가공 방법에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 광 투과부재와 상기 전자파 차폐막 사이의 거리는, 상기 버가 말리며 상기 버의 적어도 일부가 다른 일부를 덮는 것을 방지하도록 설정될 수 있다.In addition, in the object substrate processing method according to an embodiment of the present application, in the step (b), the distance between the light transmitting member and the electromagnetic wave shielding film is that the burr is dried and at least a part of the burr covers the other part. can be set to prevent it.

본원의 제1 측면에 따른 대상체 기판 가공 장치는, 상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계에서 레이저를 조사하는 레이저 조사부; 및 상기 대상체 기판과 상기 레이저 조사부 사이에 배치되는 광 투과부재를 포함한다.The apparatus for processing an object substrate according to a first aspect of the present application includes: a laser irradiator for irradiating a laser in the steps (b) and (c); and a light transmitting member disposed between the target substrate and the laser irradiation unit.

본원의 제3 측면에 따른 대상체 기판 가공 방법은, (a) 전자파 차폐막이 형성된 대상체 기판을 준비하는 단계; (b) 레이저를 조사하여 상기 전자파 차폐막의 상기 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분을 버(burr)로 형성하여 제거하는 단계; 및 (c) 상기 대상체 기판의 최상층의 상기 타겟 영역 내의 일 부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하되, 상기 (b) 단계는, 상기 버를 형성하며 기체를 분사할 수 있다.A method of processing an object substrate according to a third aspect of the present application includes the steps of: (a) preparing an object substrate on which an electromagnetic wave shielding film is formed; (b) removing a portion of the electromagnetic wave shielding film covering the target area of the target substrate by irradiating a laser beam to form a burr; and (c) selectively removing a portion in the target region of the uppermost layer of the object substrate, wherein the step (b) may include spraying the gas while forming the burr.

또한, 본원의 일 구현예에 따른 대상체 기판 가공 방법에 있어서, 상기 (b) 단계는, 상기 (b) 단계에서 형성되는 상기 버가 말리며 상기 버의 적어도 일부가 다른 일부를 덮는 것을 방지하도록, 상기 버가 말리는 방향의 역 방향으로 기체를 분사할 수 있다.In addition, in the object substrate processing method according to the exemplary embodiment of the present application, the step (b) includes preventing the burr formed in the step (b) from drying out and at least a part of the burr from covering the other part, The gas can be sprayed in a direction opposite to the direction in which the burr is rolled.

본원의 제2 측면에 따른 대상체 기판 가공 장치는, 상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계에서 레이저를 조사하는 레이저 조사부; 및 상기 (b) 단계에서 기체를 분사하는 기체 분사부를 포함할 수 있다.The apparatus for processing an object substrate according to a second aspect of the present application includes: a laser irradiator for irradiating a laser in the steps (b) and (c); And it may include a gas injection unit for injecting the gas in step (b).

상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본원을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.The above-described problem solving means are merely exemplary, and should not be construed as limiting the present application. In addition to the exemplary embodiments described above, additional embodiments may exist in the drawings and detailed description.

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 대상체 기판에 형성된 전자파 차폐막 및 대상체 기판을 가공하여 대상체 기판의 타겟 영역 내의 하나 이상의 패드의 상면을 상측으로 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 타겟 영역의 상측에 구비되는 트랜지스터와 대상체 기판을 연결해줄 볼이 구비될 영역(site, 자리)가 형성될 수 있다.According to the above-described means for solving the problems of the present application, the electromagnetic wave shielding film formed on the object substrate and the object substrate may be processed to expose the upper surface of the one or more pads in the target area of the object substrate upward. Accordingly, a region (site) in which a ball to connect a transistor provided on an upper side of the target region and a target substrate is provided may be formed.

또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 본체 적층체의 최상층이 sr인 제2층이므로, 최상층이 구리를 포함하는 재질인 제1층인 경우 대비 금속을 포함하는 재질로 이루어지는 전자파 차폐막의 제거가 용이할 수 있다.In addition, according to the above-described problem solving means of the present application, since the uppermost layer of the main body laminate is the second layer of sr, the removal of the electromagnetic wave shielding film made of a material containing a metal is compared to the case where the uppermost layer is the first layer containing a material containing copper It can be easy.

또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 광 투과부재가 레이저를 통과시켜 레이저가 버를 형성하게 하면서, 발생되는 버의 끝단이 미리 설정된 높이 이상으로 높아지지 않게 할 수 있어, 버 형성 과정에서 버의 일부가 버의 다른 일부 또는 전자파 차폐막을 덮어 레이저가 버의 일부를 투과하지 못해 버의 다른 일부 또는 전자파 차폐막의 조사 예정 부분에 도달하지 못하는 것을 방지하여 버의 용이한 형성이 가능하게 할 수 있다.In addition, according to the above-described problem solving means of the present application, it is possible to prevent the end of the generated bur from rising above a preset height while allowing the laser to pass through the light transmitting member to form the burr, and in the process of forming the burr A part of the burr covers the other part of the burr or the electromagnetic wave shielding film to prevent the laser from penetrating the part of the burr and not reaching the other part of the burr or the part to be irradiated with the electromagnetic wave shielding film, thereby enabling easy formation of the burr. there is.

또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 버가 말리는 방향의 반대 방향으로 기체를 분사하여 버의 일부가 버의 다른 일부 또는 전자파 차폐막을 덮는 것을 방지함으로써, 레이저가 버의 일부를 투과하지 못해 버의 다른 일부 또는 전자파 차폐막의 조사 예정 부분에 도달하지 못하는 것을 방지하여 버의 용이한 형성이 가능하게 할 수 있다.In addition, according to the above-described problem solving means of the present application, by injecting gas in the opposite direction to the direction in which the burr is rolled to prevent a part of the bur from covering the other part of the bur or the electromagnetic wave shielding film, the laser cannot penetrate a part of the bur It is possible to prevent the burr from reaching the other portion of the burr or the portion to be irradiated of the electromagnetic wave shielding film, thereby enabling easy formation of the burr.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법의 대상체 기판의 개념 측면도이다.
도 2는 본원의 일 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법의 대상체 기판의 개념 평면도이다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법의 전자파 차폐막이 형성된 대상체 기판의 타겟 영역의 일부의 개략적인 개념 단면도이다.
도 4는 본원의 일 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법의 전자파 차폐막의 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분을 제거하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념 단면도이다.
도 5는 본원의 일 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법의 대상체 기판의 최상층의 타겟 영역 내의 일 부분을 선택적으로 제거하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념 단면도이다.
도 6은 본원의 다른 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법의 전자파 차폐막의 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분을 제거하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념 단면도이다.
도 7은 본원의 다른 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법의 전자파 차폐막의 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분을 제거하는 단계에서 광 투과부재를 설명하기 위한 개략적인 개념 단면도이다.
도 8은 본원의 다른 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법의 전자파 차폐막의 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분을 제거하는 단계에서 광 투과부재가 구비되지 않을 경우 발생하는 문제점을 설명하기 위한 개략적인 개념 단면도이다.
도 9는 본원의 다른 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법의 전자파 차폐막의 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분을 제거하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념 단면도이다.
도 10은 본원의 또 다른 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법의 전자파 차폐막의 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분을 제거하는 단계에서 기체 분사부에 의한 기체 분사를 설명하기 위한 개략적인 개념 단면도이다.1 is a conceptual side view of an object substrate of a method for processing an object substrate according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
2 is a conceptual plan view of an object substrate of a method for processing an object substrate according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
3 is a schematic conceptual cross-sectional view of a portion of a target area of an object substrate on which an electromagnetic wave shielding film is formed in the method for processing the object substrate according to an embodiment of the present application.
4 is a schematic conceptual cross-sectional view for explaining a step of removing a portion of an electromagnetic wave shielding film covering a target area of an object substrate of the object substrate processing method according to an embodiment of the present application.
5 is a schematic conceptual cross-sectional view for explaining a step of selectively removing a portion in a target area of an uppermost layer of an object substrate of the object substrate processing method according to an embodiment of the present application.
6 is a schematic conceptual cross-sectional view for explaining a step of removing a portion of an electromagnetic wave shielding film covering a target region of an object substrate in a method for processing an object substrate according to another embodiment of the present disclosure.
7 is a schematic conceptual cross-sectional view illustrating a light transmitting member in a step of removing a portion of an electromagnetic wave shielding film covering a target area of an object substrate of a method for processing an object substrate according to another embodiment of the present application.
8 is a schematic conceptual cross-sectional view for explaining a problem that occurs when a light transmitting member is not provided in the step of removing the portion covering the target region of the target substrate of the electromagnetic wave shielding film of the target substrate processing method according to another embodiment of the present application; am.
9 is a schematic conceptual cross-sectional view for explaining a step of removing a portion of an electromagnetic wave shielding film covering a target area of an object substrate of a method for processing an object substrate according to another exemplary embodiment of the present disclosure.
10 is a schematic conceptual cross-sectional view for explaining gas injection by a gas injection unit in a step of removing a portion covering a target area of an object substrate of an electromagnetic wave shielding film of a method for processing an object substrate according to another embodiment of the present application.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art to which the present application pertains can easily carry out. However, the present application may be implemented in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present application in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is "connected" with another part, this includes not only the case where it is "directly connected" but also the case where it is "electrically connected" with another element interposed therebetween. do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에", "상부에", "상단에", "하에", "하부에", "하단에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is positioned “on”, “on”, “on”, “on”, “under”, “under”, or “under” another member, this means that a member is positioned on the other member. It includes not only the case where they are in contact, but also the case where another member exists between two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout this specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

또한, 본원의 실시예에 관한 설명 중 방향이나 위치와 관련된 용어(상측, 상부, 상면 등)는 도면에 나타나 있는 각 구성의 배치 상태를 기준으로 설정한 것이다. 예를 들면, 도 1 및 도 3을 보았을 때, 전반적으로 12시 방향이 상측, 전반적으로 12시 방향을 향하는 부분이 상부, 전반적으로 12시 방향을 향하는 면이 상면 등이 될 수 있다.In addition, terms (upper side, upper side, upper surface, etc.) related to the direction or position in the description of the embodiment of the present application are set based on the arrangement state of each component shown in the drawings. For example, referring to FIGS. 1 and 3 , the overall 12 o'clock direction may be the upper side, the overall 12 o'clock direction may be the upper portion, and the overall surface facing the 12 o'clock direction may be the upper surface.

본원은 대상체 기판 가공 방법 및 이에 사용되는 대상체 기판 가공 장치에 관한 것이다.The present application relates to a method for processing an object substrate and an apparatus for processing an object substrate used therein.

먼저, 본원의 제1 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법(이하 '본 제1 가공 방법'이라 함)에 대해 설명한다. 다만, 본 제1 가공 방법은 후술할 본 제2 및 본 제3 가공 방법과 내용을 공유할 수 있다. 이에 따라, 본 제1 가공 방법의 설명과 관련하여 후술할 본 제2 및 본 제3 가공 방법에서 설명할 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.First, a method for processing an object substrate (hereinafter, referred to as 'this first processing method') according to a first embodiment of the present application will be described. However, the first processing method may share the contents with the second and third processing methods to be described later. Accordingly, in relation to the description of the first processing method, the same reference numerals are used for the same or similar components as those to be described in the second and third processing methods to be described later, and the overlapping description will be simplified or omitted. do it with

본원은 칩 구조체의 제조 과정에서 기판의 전자파 차폐막 중 솔더볼이 구비될 부분을 제거할 수 있는, 다시 말해, 기판에 솔더볼이 구비될 부분을 형성하는데 적용될 수 있다.The present disclosure can be applied to removing a portion to be provided with a solder ball in an electromagnetic wave shielding film of a substrate during the manufacturing process of a chip structure, that is, to forming a portion in which a solder ball is to be provided on a substrate.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 제1 가공 방법은 전자파 차폐막(2)이 형성된 대상체 기판(1)을 준비하는 단계(제1 단계)를 포함한다. 도 1을 참조하면, 본원에 있어서 대상체 기판은 PCB 기판일 수 있다. 또한, 도 1 및 도 2를 참조하면, 대상체 기판(1)은 상면에 패키지(3)가 구비된 것일 수 있다. 또는, 도면에는 도시되지 않았지만, 대상체 기판(1)은 패키지(3)가 구비되지 않은 상태의, 이를 테면 패키지(3)가 구비될 예정인 것일 수 있다.1 to 3 , the first processing method includes a step (first step) of preparing an object substrate 1 on which an electromagnetic wave shielding film 2 is formed. Referring to FIG. 1 , in the present application, an object substrate may be a PCB substrate. Also, referring to FIGS. 1 and 2 , the object substrate 1 may have a package 3 provided on its upper surface. Alternatively, although not shown in the drawings, the object substrate 1 may be in a state in which the package 3 is not provided, for example, the package 3 is scheduled to be provided.

또한, 도 3을 참조하면, 대상체 기판(1)의 외면에는 전자파 차폐막(2)이 형성될 수 있는데, 도 1 및 도 3을 함께 참조하면, 전자파 차폐막(2)이 형성되는 영역은 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 타겟 영역(1a)에는 전자파 차폐막(2)이 형성될 수 있다. 참고로, 타겟 영역(1a)이라 함은 대상체 기판(1)의 트랜지스터가 구비될 부분을 의미할 수 있다. 또한, 전자파 차폐막(2)이 형성되는 영역은 타겟 영역(1a)외에도 대상체 기판(1)의 외면 중 다른 부분을 포함할 수 있다.In addition, referring to FIG. 3 , an electromagnetic wave shielding film 2 may be formed on the outer surface of the object substrate 1 . Referring to FIGS. 1 and 3 together, the region where the electromagnetic wave shielding film 2 is formed is the object substrate ( 1) of the target area 1a may be included. In other words, the electromagnetic wave shielding film 2 may be formed in the target region 1a. For reference, the target region 1a may mean a portion of the object substrate 1 in which the transistor is to be provided. In addition, the region in which the electromagnetic wave shielding film 2 is formed may include other portions of the outer surface of the object substrate 1 in addition to the target region 1a.

또한, 도 3을 참조하면, 대상체 기판(1)은 cu를 포함하는 재질로 이루어지는 제1 층(112) 및 sr(Solder resists)인 제2 층(111)을 포함하는 본체 적층체(11)를 포함할 수 있다. 본체 적층체(11)는 제1 층(112) 하나 이상 및 제2 층(111) 하나 이상이 상하로 적층된 것일 수 있다. 이 때, 제1 층(112) 및 제2 층(111)은 서로 교번하여 적층될 수 있다. 또한, 제1 층(112) 및 제2 층(111) 사이에 다른 재질로 이루어지는 층이 배치될 수 있다.In addition, referring to FIG. 3 , the object substrate 1 includes a body laminate 11 including a first layer 112 made of a material containing cu and a second layer 111 made of sr (Solder resists). may include The body laminate 11 may be one in which one or more first layers 112 and one or more second layers 111 are stacked vertically. In this case, the first layer 112 and the second layer 111 may be alternately stacked. In addition, a layer made of a different material may be disposed between the first layer 112 and the second layer 111 .

또한, 도 3을 참조하면, 대상체 기판(1)은 본체 적층체(11)의 적어도 일부를 상하로 가로지르며 금속을 포함하는 재질로 이루어지는 패드(12)를 포함할 수 있다. 패드(12)는 cu, ag, 금 등 중 하나 이상의 다양한 종류의 금속을 포함할 수 있다. 패드(12)는 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다. 패드(12)는 본체 적층체(11)의 최상층부터 최하층까지 연장 형성될 수 있다. 다만, 패드(12)는 본체 적층체(11)의 복수의 층(111, 112) 중 최하층으로부터 최상층까지 연장 형성되되, 다만, 패드(12)는 상측으로 노출되지 않도록 최상층(111)의 상면의 하측에 위치, 다시 말해, 최상단이 최상층의 상면보다 낮은 높이를 갖도록 구비될 수 있다. 솔더볼은 트랜지스터와 패드(12)를 연결할 수 있다. 따라서, 본 가공 방법은 전자파 차폐막(2)의 일부를 제거하여 패드(12)를 상측으로 노출시켜 솔더볼이 구비될 영역을 형성하는 것일 수 있다. In addition, referring to FIG. 3 , the object substrate 1 may include a pad 12 made of a material including a metal while traversing at least a portion of the body stack 11 up and down. The pad 12 may include various types of metals such as one or more of cu, ag, gold, and the like. Since the pad 12 is obvious to those skilled in the art, a detailed description thereof will be omitted. The pad 12 may be formed to extend from the uppermost layer to the lowermost layer of the body laminate 11 . However, the pad 12 is formed extending from the lowermost layer to the uppermost layer among the plurality of layers 111 and 112 of the body stack 11, provided that the pad 12 is not exposed to the upper side of the upper surface of the uppermost layer 111. It may be located on the lower side, that is, the uppermost end may be provided to have a lower height than the upper surface of the uppermost layer. The solder ball may connect the transistor and the pad 12 . Accordingly, the present processing method may be to remove a portion of the electromagnetic wave shielding film 2 to expose the pad 12 upward to form a region in which the solder ball is to be provided.

또한, 도 3을 참조하면, 본체 적층체(11)의 최상층은 제2 층(111)일 수 있다. 제2층(111)은 제1 층(112)과 패드(12)의 상면이 상측으로 노출되지 않도록 형성될 수 있다. 제2 층(111)은 제1 층 상에 또는 패드(12) 상에 전자파 차폐막(2)이 형성되는 경우 대비 후술하는 제2 단계에서의 전자파 차폐막의 제거가 용이하도록 본체 적층체(11)의 최상층이될 수 있다. 다시 말해, 만약 본체 적층체(11)의 최상층이 제1층(112)이 되거나, 패드(12)가 상측으로 노출되는 경우, 대상체 기판(1)에 전자파 차폐막(2)이 형성되었을 때, 전자파 차폐막(2)의 적어도 일부는 제1 층(112) 또는 패드(12)와 접촉될 수 있고, 이러한 경우, 후술하는 제2 단계에서 금속을 포함하는 재질인 제1 층(112) 또는 금속을 포함하는 재질인 패드(12)로부터 금속을 포함하는 재질로 이루어지는 전자파 차폐막(2)을 제거하는 것이 어려울 수 있다. 반면에 본원에 의하면 최상층이 sr인 제2층(111)이고, 패드(12)가 상측으로 노출되지 않을 수 있어, 전자파 차폐막(2)이 제1 층(112) 또는 패드(12)에 접촉되지 않게 형성되어 후술하는 제2 단계에서 전자파 차폐막(2) 제거가 용이할 수 있다.Also, referring to FIG. 3 , the uppermost layer of the body stack 11 may be the second layer 111 . The second layer 111 may be formed so that the top surfaces of the first layer 112 and the pad 12 are not exposed upward. The second layer 111 is formed of the main body laminate 11 to facilitate removal of the electromagnetic wave shielding film in a second step to be described later compared to the case where the electromagnetic wave shielding film 2 is formed on the first layer or on the pad 12 . It could be the top floor. In other words, if the uppermost layer of the body stack 11 becomes the first layer 112 or the pad 12 is exposed upward, when the electromagnetic wave shielding film 2 is formed on the object substrate 1 , the electromagnetic wave At least a portion of the shielding film 2 may be in contact with the first layer 112 or the pad 12 . In this case, in the second step to be described later, the first layer 112 , which is a material containing a metal, or a metal is included. It may be difficult to remove the electromagnetic wave shielding film 2 made of a material including a metal from the pad 12 , which is a material used to do this. On the other hand, according to the present application, the uppermost layer is the second layer 111 of sr, and the pad 12 may not be exposed upward, so that the electromagnetic wave shielding film 2 does not contact the first layer 112 or the pad 12 . Since it is not formed, it may be easy to remove the electromagnetic wave shielding film 2 in a second step to be described later.

또한, 도 4를 참조하면, 본 가공 방법은 전자파 차폐막(2)의 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분을 제거하는 단계(제2 단계)를 포함한다. 예를 들어, 제2 단계는 전자파 차폐막(2)의 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분을 버(burr)로 형성하여 제거할 수 있다.Also, referring to FIG. 4 , the present processing method includes removing a portion of the electromagnetic wave shielding film 2 covering the target area 1a of the object substrate 1 (a second step). For example, in the second step, a portion of the electromagnetic wave shielding film 2 covering the target region 1a of the object substrate 1 may be removed by forming a burr.

이를 테면, 제2 단계는 전자파 차폐막(2)의 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분의 경계 라인을 따라 레이저를 조사하여 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분이 버가 되게 할 수 있는데, 구체적으로, 레이저의 조사에 따라 레이저가 조사되는 부분은 변형되고, 이에따라, 주변의 레이저가 조사되지 않은 부분과 끊어지게 될 수 있으며, 이에 따라, 끊어진 부분(끝단)은 다른 부분과 끊어지며 버가 될 수 있고, 전자파 차폐막(2)의 제거해야할 부분을 상기와 같이 버로 형성한 후, 버를 제거함으로써, 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분을 제거할 수 있다.For example, in the second step, the electromagnetic wave shielding film 2 is irradiated with a laser along the boundary line of the portion covering the target area 1a of the object substrate 1 to cover the target area 1a of the object substrate 1 . You can make this burr, specifically, the part irradiated with the laser is deformed according to the irradiation of the laser, and accordingly, the part that is not irradiated with the surrounding laser may be cut off, and accordingly, the broken part (end) can become a burr by breaking with other parts, and after forming the part to be removed of the electromagnetic wave shielding film 2 with a burr as described above, by removing the burr, the part covering the target area 1a of the object substrate 1 is removed. can be removed

또한, 도 5를 참조하면, 본 가공 방법은 대상체 기판(1)의 최상층의 타겟 영역(1a) 내의 일 부분을 선택적으로 제거하는 단계(제3 단계)를 포함한다. 제3 단계에서, 일 부분은 본체 적층체(11)의 최상층인 제2 층(111)의 패드(12)를 덮는 부분을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제3 단계는 전자파 차폐막(2)의 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분을 제거하여 타겟 영역(1a) 내의 본체 적층체(11)의 최상층이 상측으로 노출될 수 있는데, 노출된 최상층의 패드(12)를 덮는 부분을 제거할 수 있다. 이러한 제3 단계에 따라, 패드(12)의 상면이 상측으로 노출될 수 있다.Also, referring to FIG. 5 , the processing method includes a step (third step) of selectively removing a portion in the target area 1a of the uppermost layer of the object substrate 1 . In the third step, one portion may include a portion covering the pad 12 of the second layer 111 , which is the uppermost layer of the body laminate 11 . Accordingly, in the third step, the uppermost layer of the body stack 11 in the target area 1a may be exposed upward by removing the portion of the electromagnetic wave shielding film 2 covering the target area 1a of the object substrate 1 . However, the portion covering the exposed uppermost pad 12 may be removed. According to this third step, the upper surface of the pad 12 may be exposed upward.

또한, 제3 단계는 레이저를 조사하여 수행할 수 있다. 예를 들어, 제3 단계는 최상층인 제2 층(111)의 패드(12)를 덮는 부분에 레이저를 조사할 수 있는데, 이는 패드(12)를 덮는 부분 전체 영역에 레이저를 조사하여 최상층인 제2 층(111)의 패드(12)를 덮는 부분을 제거하는 것, 패드(12)를 덮는 부분과 안덮는 부분 사이의 경계 라인을 따라 레이저를 조사하여 최상층인 제2 층(111)의 패드(12)를 덮는 부분을 제거하는 것 등을 모두 포함하는 개념일 수 있다. 이는 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.In addition, the third step may be performed by irradiating a laser. For example, in the third step, a laser may be irradiated to a portion covering the pad 12 of the second layer 111, which is the uppermost layer, which is irradiated with laser to the entire area of the portion covering the pad 12 to form the uppermost layer, the first layer. Removing the portion covering the pad 12 of the second layer 111, irradiating a laser along the boundary line between the portion covering the pad 12 and the portion not covering the pad 12 to the pad ( 12) may be a concept including all of the removal of the covering part. Since this is obvious to those skilled in the art, a detailed description thereof will be omitted.

참고로, 도 3 내지 도 5를 참조하면, 타겟 영역(1a) 내에는 패드(12)가 하나 이상 구비될 수 있다. 이에 따라, 제3 단계는 복수의 부분 각각에 대하여 제거할 수 있다. 이에 따라 타겟 영역(1a) 내의 하나 이상의 패드(12) 중 하나 이상의 패드(12)의 상면이 상측으로 노출될 수 있다.For reference, referring to FIGS. 3 to 5 , one or more pads 12 may be provided in the target area 1a. Accordingly, the third step may be eliminated for each of the plurality of parts. Accordingly, the top surface of the one or more pads 12 among the one or more pads 12 in the target region 1a may be exposed upwardly.

전술한 바에 따르면, 대상체 기판(1)에 형성된 전자파 차폐막(2) 및 대상체 기판(1)을 가공하여 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a) 내의 하나 이상의 패드(12)의 상면을 상측으로 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 타겟 영역(1a)의 상측에 구비되는 트랜지스터와 대상체 기판(1)을 연결해줄 볼이 구비될 영역(site, 자리)가 형성될 수 있다. 볼은 패드(12) 상에 구비되어 패드(12)와 트랜지스터를 연결해줄 수 있다.As described above, the electromagnetic wave shielding film 2 formed on the object substrate 1 and the object substrate 1 are processed to expose the upper surface of the one or more pads 12 in the target area 1a of the object substrate 1 upward. can do it Accordingly, a region (site) in which a ball to connect the transistor provided on the upper side of the target region 1a and the target substrate 1 is provided may be formed. The ball may be provided on the pad 12 to connect the pad 12 and the transistor.

또한, 전술한 바에 따르면, 본체 적층체(11)의 최상층이 sr인 제2층(111)일 수 있어, 전자파 차폐막(2)이 제1 층(112)에 접촉되지 않게 형성되어 제2 단계에서 전자파 차폐막(2) 제거가 용이할 수 있다.In addition, as described above, the uppermost layer of the main body stack 11 may be the second layer 111 of sr, so that the electromagnetic wave shielding film 2 is formed so as not to contact the first layer 112 in the second step. The electromagnetic wave shielding film 2 may be easily removed.

이하에서는, 본원의 제2 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법(이하 '본 제2 가공 방법'이라 함)에 대해 설명한다. 다만, 본 제2 가공 방법은 본 제1 가공 방법을 이용할 수 있다. 이에 따라, 본 제2 가공 방법의 설명과 관련하여 앞서 살핀 본 제1 가공 방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.Hereinafter, a method for processing an object substrate (hereinafter referred to as 'this second processing method') according to a second exemplary embodiment of the present application will be described. However, this 2nd processing method can use this 1st processing method. Accordingly, in relation to the description of the second processing method, the same reference numerals are used for the same or similar configurations as those described in the first processing method salpin above, and the overlapping description will be simplified or omitted.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 제2 가공 방법은 전자파 차폐막(2)이 형성된 대상체 기판(1)을 준비하는 단계(제1 단계)를 포함한다. 제1 단계는 전술한 본 제1 가공 방법의 제1 단계와 대응되므로 상세한 설명은 생략한다.1 to 3 , the second processing method includes a step (first step) of preparing an object substrate 1 on which an electromagnetic wave shielding film 2 is formed. Since the first step corresponds to the first step of the first processing method described above, a detailed description thereof will be omitted.

또한, 도 6을 참조하면, 본 제2 가공 방법은 레이저를 조사하여 전자파 차폐막(2)의 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분을 버(burr)로 형성하여 제거하는 단계(제2 단계)를 포함한다. 이를 테면, 제2 단계는 전자파 차폐막(2)의 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분의 경계 라인을 따라 레이저를 조사하여 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분이 버가 되게 할 수 있고, 버를 제거함으로써, 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분을 제거할 수 있다. 레이저 조사는 레이저 조사부(91)에 의해 이루어질 수 있다. 참고로, 제2 단계는 전술한 본 제1 가공 방법의 제2 단계와 대응될 수 있다. 이에 따라, 본 제1 가공 방법의 제2 단계에서 설명한 내용은 생략한다.In addition, referring to FIG. 6 , the second processing method includes a step of forming a burr to form a portion covering the target region 1a of the target substrate 1 of the electromagnetic wave shielding film 2 by irradiating a laser ( second step). For example, in the second step, the electromagnetic wave shielding film 2 is irradiated with a laser along the boundary line of the portion covering the target area 1a of the object substrate 1 to cover the target area 1a of the object substrate 1 . This burr can be made, and by removing the burr, a portion covering the target area 1a of the object substrate 1 can be removed. The laser irradiation may be performed by the laser irradiation unit 91 . For reference, the second step may correspond to the second step of the first processing method described above. Accordingly, the contents described in the second step of the first processing method will be omitted.

도 6을 참조하면, 제2 단계는 타겟 영역(1a)의 상측에 광 투과부재(92)를 위치시키고, 레이저가 광 투과부재(92)를 통과하여 전자파 차폐막(2)에 도달하게 할 수 있다. 예를 들어, 제2 단계에서, 레이저를 조사하는 레이저 조사부(91)는 대상체 기판(1)의 상측에 위치하고, 광 투과부재(92)는 레이저 조사부(91)와 대상체 기판(1)(전자파 차폐막의 타겟 영역(1a)에 형성된 부분)의 상면 사이에 위치할 수 있다. 광 투과부재(92)는 플라스틱, 유리 등 다양한 재질로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 6 , in the second step, the light transmitting member 92 is positioned on the upper side of the target area 1a, and the laser passes through the light transmitting member 92 to reach the electromagnetic wave shielding film 2 . . For example, in the second step, the laser irradiator 91 irradiating a laser is located above the target substrate 1 , and the light transmitting member 92 includes the laser irradiator 91 and the target substrate 1 (electromagnetic wave shielding film). It can be located between the upper surface of the target area (1a)). The light transmitting member 92 may be made of various materials such as plastic and glass.

도 6 및 도 7을 참조하면, 제2 단계에서, 광 투과부재(92)와 전자파 차폐막(2) 사이의 거리(t)는 제2 단계에서 발생하는 버의 끝 단의 높이가 미리 설정된 높이 이하로 제한되게 설정될 수 있다. 레이저의 조사에 따라 레이저가 조사되는 부분은 변형되고, 이에따라, 주변의 레이저가 조사되지 않은 부분과 끊어지게 될 수 있으며, 이에 따라, 끊어진 부분(끝단)은 다른 부분과 끊어지며 버가 될 수 있는데, 이때, 광 투과부재(92)는 버의 끝단이 미리 설정된 높이 이상으로 높아지지 않도록 눌러줄수 있다(가압).6 and 7, in the second step, the distance t between the light transmitting member 92 and the electromagnetic wave shielding film 2 is equal to or less than a preset height at which the height of the tip of the burr generated in the second step is set in advance. can be set to be limited. According to the irradiation of the laser, the part irradiated with the laser is deformed, and accordingly, the part that is not irradiated with the surrounding laser may be cut off. , At this time, the light transmitting member 92 can be pressed so that the tip of the burr does not rise above a preset height (pressurization).

구체적으로, 제2 단계에서 광 투과부재(92)와 전자파 차폐막(2) 사이의 거리(t), 다시 말해, 미리 설정된 높이는 버가 말리며 버의 적어도 일부가 다른 일부를 덮는 것을 방지하도록 설정될 수 있다. 도 8을 참조하면, 버는 형성되며 말릴 수 있는데, 말아지며, 버의 일 부분은 버의 다른 부분 또는 전자파 차폐막(2)의 버가 아직 되지 않은 부분을 덮게 될 수 있다. 이러한 경우, 상측에서 조사되는 레이저가 버의 말려진 부분 일부분을 투과하지 못해 버의 다른 부분 또는 전자파 차폐막(2)의 버가 아직 되지 않은 부분의 조사 예정 지점에 도달하지 못하게될 수 있고, 이러한 경우, 레이저가 조사되어야 하는 부분에 대한 레이저 조사가 이루어지지 못하게될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 광 투과부재(92)와 전자파 차폐막(2) 사이의 미리 설정된 거리(t)는 버가 말리며 버의 적어도 일부가 버의 다른 일부 또는 전자파 차폐막의 다른 부분을 덮는 것을 방지하도록 설정될 수 있다.Specifically, in the second step, the distance t between the light transmitting member 92 and the electromagnetic wave shielding film 2, that is, the preset height may be set to prevent the burrs from curling and at least one part of the burrs covering the other part. there is. Referring to FIG. 8 , the burr may be formed and rolled up, and one part of the burr may cover another part of the burr or an unburred part of the electromagnetic wave shielding film 2 . In this case, the laser irradiated from the upper side may not penetrate a part of the curled part of the burr, and thus it may not be able to reach the irradiation scheduled point of the other part of the burr or the part where the burr of the electromagnetic wave shielding film 2 has not yet been formed. , it may be impossible to irradiate the laser on the part to be irradiated with the laser. In order to prevent this, the preset distance t between the light transmitting member 92 and the electromagnetic wave shielding film 2 is set to prevent the burrs from curling and at least a part of the burrs from covering another part of the burrs or other parts of the electromagnetic wave shielding film can be

또한, 도 9를 참조하면, 제2 단계는, 제2 단계에서 형성되는 버가 말리며 버의 적어도 일부가 다른 일부를 덮는 것을 방지하도록, 버가 말리는 방향의 역 방향으로 기체를 분사할 수 있다. 이에 따라, 버가 말리는 현상이 기체를 분사하지 않는 경우 대비 줄어들 수 있고, 버의 일부가 버의 다른 일부 또는 전자파 차폐막(2)의 다른 부분을 덮는 현상이 방지되어 레이저 조사가 방해되지 않고 잘 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기체는 기체의 흐름이 대상체 기판(1)(전자파 차폐막2))과 광 투과 부재(92) 사이에서 버가 말아지는 방향의 역 방향으로 형성되도록 분사될 수 있다.Also, referring to FIG. 9 , in the second step, the gas may be sprayed in a direction opposite to the direction in which the burr is rolled in order to prevent the burr formed in the second step from being rolled up and at least a part of the burr covering the other part. Accordingly, the phenomenon of curling of the burr can be reduced compared to the case where the gas is not sprayed, and the phenomenon that a part of the burr covers the other part of the burr or the other part of the electromagnetic wave shielding film 2 is prevented, so that the laser irradiation is not disturbed. can For example, the gas may be sprayed so that the flow of the gas is formed between the target substrate 1 (the electromagnetic wave shielding film 2 ) and the light transmitting member 92 in a direction opposite to the direction in which the burr is rolled.

또한, 도 5를 참조하면, 본 제2 가공 방법은 레이저를 조사하여 대상체 기판(1)의 최상층의 타겟 영역(1a) 내의 일 부분을 선택적으로 제거하는 단계(제3 단계)를 포함한다. 제3 단계는 전술한 본 제1 가공 방법의 제3 단계와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상세한 설명은 생략한다.Also, referring to FIG. 5 , the second processing method includes a step (third step) of selectively removing a portion in the target area 1a of the uppermost layer of the object substrate 1 by irradiating a laser. The third step may correspond to the third step of the first processing method described above. Accordingly, detailed description is omitted.

또한, 이하에서는, 본원의 제1 실시예에 따른 대상체 기판 가공 장치(이하 '본 제1 가공 장치'라 함)에 대해 설명한다. 다만, 본 제1 가공 장치는 본 제1 가공 방법 및 본 제2 가공 방법에 사용될 수 있다. 이에 따라, 본 제1 가공 장치의 설명과 관련하여 앞서 살핀 본의 제1 가공 방법 및 본 제2 가공 방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.Also, a description will be given of an object substrate processing apparatus (hereinafter referred to as 'this first processing apparatus') according to a first embodiment of the present application. However, this 1st processing apparatus can be used for this 1st processing method and this 2nd processing method. Accordingly, in relation to the description of the first processing apparatus, the same reference numerals are used for the same or similar configurations as those described in the first processing method and this second processing method of the salpin bone above, and the overlapping description is simplified or to be omitted.

본 제1 가공 장치는 전술한 본 제2 방법의 제2 단계 및 제3 단계에서 레이저를 조사하는 레이저 조사부(91)를 포함한다. 레이저 조사부(91)는 대상체 기판(1)의 상면에 형성된 전자파 차폐막(2)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분이 버가 되도록 레이저를 조사할 수 있다. 참고로, 레이저 조사부(91)는 전술한 본 제1 가공 방법의 제2 단계 및 제3 단계에서도 사용 가능하다. The first processing apparatus includes a laser irradiation unit 91 for irradiating a laser in the second and third steps of the second method described above. The laser irradiator 91 may irradiate the laser so that the portion covering the target region 1a of the electromagnetic wave shielding film 2 formed on the upper surface of the object substrate 1 becomes a burr. For reference, the laser irradiation unit 91 can be used in the second and third steps of the first processing method described above.

또한, 본 제1 가공 장치는 전술한 본 제2 방법의 제2 단계(또는 전술한 본 제1 방법의 제2 단계)에서 타겟 영역(1a)과 레이저 조사부(91) 사이에 배치되는 광 투과부재(92)를 포함한다. 광 투과부재(92)는 레이저 조사부(91)와 전자파 차폐막(2)의 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a) 상에 형성된 부분의 상면 사이에 배치될 수 있다. 이에 따르면, 레이저 조사부(91)에서 조사된 레이저는 광 투과부재(92)를 통과하여 전자파 차폐막(2)의 조사 예정 부분에 도달할 수 있다.In addition, this first processing apparatus is a light transmitting member disposed between the target area 1a and the laser irradiation unit 91 in the second step of the second method described above (or the second step of the first method described above). (92). The light transmitting member 92 may be disposed between the laser irradiator 91 and the upper surface of the portion of the electromagnetic wave shielding film 2 formed on the target region 1a of the target substrate 1 . According to this, the laser irradiated from the laser irradiator 91 may pass through the light transmitting member 92 to reach the irradiated portion of the electromagnetic wave shielding film 2 .

광 투과부재(92)와 전자파 차폐막(2) 사이의 거리(t)는 제2 단계에서 발생하는 버의 끝 단의 높이가 미리 설정된 높이 이하로 제한되게 설정될 수 있다. 구체적으로, 제2 단계에서 광 투과부재(92)와 전자파 차폐막(2) 사이의 거리(t), 다시 말해, 미리 설정된 높이는 버가 말리며 버의 적어도 일부가 다른 일부를 덮는 것을 방지하도록 설정될 수 있다.The distance t between the light transmitting member 92 and the electromagnetic wave shielding film 2 may be set such that the height of the tip of the burr generated in the second step is limited to a predetermined height or less. Specifically, in the second step, the distance t between the light transmitting member 92 and the electromagnetic wave shielding film 2, that is, the preset height may be set to prevent the burrs from curling and at least one part of the burrs covering the other part. there is.

또한, 본 제1 가공 장치는 전술한 본 제2 방법의 제2 단계(또는 전술한 본 제1 방법의 제2 단계)에서 기체를 분사하는 기체 븐사부(93)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기체 분사부(93)는 기체의 흐름이 대상체 기판(1)(전자파 차폐막2))과 광 투과 부재(92) 사이에서 버가 말아지는 방향의 역 방향으로 형성되도록 기체를 분사할 수 있다.In addition, the first processing apparatus may include a gas blasting unit 93 for spraying gas in the second step of the second method described above (or the second step of the first method described above). For example, the gas injection unit 93 may inject the gas so that the flow of the gas is formed between the object substrate 1 (electromagnetic wave shielding film 2 ) and the light transmitting member 92 in a direction opposite to the direction in which the burr is rolled. can

이하에서는, 본원의 제3 실시예에 따른 대상체 기판 가공 방법(이하 '본 제3 가공 방법'이라 함)에 대해 설명한다. 다만, 본 제3 가공 방법은 본 제1 가공 방법을 이용할 수 있다. 이에 따라, 본 제3 가공 방법의 설명과 관련하여 앞서 살핀 본 제1 가공 방법 및 본 제2 가공 방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.Hereinafter, a method for processing an object substrate (hereinafter referred to as 'this third processing method') according to a third exemplary embodiment of the present application will be described. However, this 3rd processing method can use this 1st processing method. Accordingly, in relation to the description of the third processing method, the same reference numerals are used for the same or similar configurations as those described in the first processing method and this second processing method salpin above, and the overlapping description is simplified or omitted. decide to do

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 제3 가공 방법은 전자파 차폐막(2)이 형성된 대상체 기판(1)을 준비하는 단계(제1 단계)를 포함한다. 제1 단계는 전술한 본 제1 가공 방법의 제1 단계와 대응되므로 상세한 설명은 생략한다.1 to 3 , the third processing method includes a step (first step) of preparing an object substrate 1 on which an electromagnetic wave shielding film 2 is formed. Since the first step corresponds to the first step of the first processing method described above, a detailed description thereof will be omitted.

또한, 도 6을 참조하면, 본 제3 가공 방법은 레이저를 조사하여 전자파 차폐막(2)의 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분을 버(burr)로 형성하여 제거하는 단계(제2 단계)를 포함한다. 참고로, 제2 단계는 전술한 본 제1 가공 방법 및 본 제2 가공 방법의 제2 단계와 대응될 수 있다. 이에 따라, 본 제1 가공 방법 및 본 제2 가공 방법 각각의 제2 단계에서 설명한 내용은 생략한다.In addition, referring to FIG. 6 , the third processing method includes a step of removing the electromagnetic wave shielding film 2 by forming a burr to cover the target area 1a of the target substrate 1 by irradiating a laser ( second step). For reference, the second step may correspond to the second step of the first processing method and the second processing method described above. Accordingly, the contents described in the second step of each of the first processing method and the present second processing method will be omitted.

도 10을 참조하면, 제2 단계는, 버를 형성하며 기체를 분사한다.Referring to FIG. 10 , in the second step, a burr is formed and gas is sprayed.

구체적으로, 도 10을 참조하면, 제2 단계는, 제2 단계에서 형성되는 버가 말리며 버의 적어도 일부가 다른 일부를 덮는 것을 방지하도록, 버가 말리는 방향의 역 방향으로 기체를 분사할 수 있다. 이에 따라, 버가 말리는 현상이 기체를 분사하지 않는 경우 대비 줄어들 수 있고, 버의 일부가 버의 다른 일부 또는 전자파 차폐막(2)의 다른 부분을 덮는 현상이 방지되어 레이저 조사가 방해되지 않고 잘 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기체는 기체의 흐름이 대상체 기판(1)(전자파 차폐막2))과 광 투과 부재(92) 사이에서 버가 말아지는 방향의 역 방향으로 형성되도록 분사될 수 있다.Specifically, referring to FIG. 10 , in the second step, the gas may be sprayed in the reverse direction to the rolling direction of the burr so that the burr formed in the second step is dried and at least a portion of the burr is prevented from covering the other portion. . Accordingly, the phenomenon of curling of the burr can be reduced compared to the case where the gas is not sprayed, and the phenomenon that a part of the burr covers the other part of the burr or the other part of the electromagnetic wave shielding film 2 is prevented, so that the laser irradiation is not disturbed. can For example, the gas may be sprayed so that the flow of the gas is formed between the target substrate 1 (the electromagnetic wave shielding film 2 ) and the light transmitting member 92 in a direction opposite to the direction in which the burr is rolled.

또한, 도 6을 참조하면, 제2 단계는 타겟 영역(1a)의 상측에 광 투과부재(92)를 위치시키고, 레이저가 광 투과부재(92)를 통과하여 전자파 차폐막(2)에 도달하게 할 수 있다. 또한, 도 6 및 도 7을 참조하면, 제2 단계에서, 광 투과부재(92)와 전자파 차폐막(2) 사이의 거리(t)는 제2 단계에서 발생하는 버의 끝 단의 높이가 미리 설정된 높이 이하로 제한되게 설정될 수 있다. 구체적으로, 광 투과부재(92)와 전자파 차폐막(2) 사이의 거리(t)는 버가 말리며 버의 적어도 일부가 다른 일부를 덮는 것을 방지하도록 설정될 수 있다. 광 투과부재(92)와 관련하여서는 앞서 본 제2 가공 방법에서 상세하게 설명하였으므로 상세한 설명은 생략한다.In addition, referring to FIG. 6 , in the second step, the light transmitting member 92 is positioned on the upper side of the target area 1a , and the laser passes through the light transmitting member 92 to reach the electromagnetic wave shielding film 2 . can In addition, referring to FIGS. 6 and 7 , in the second step, the distance t between the light transmitting member 92 and the electromagnetic wave shielding film 2 is the height of the tip of the burr generated in the second step is preset. It can be set to be limited to a height or less. Specifically, the distance t between the light transmitting member 92 and the electromagnetic wave shielding film 2 may be set to prevent the burrs from being curled and at least one part of the burrs covering the other part. Since the light transmitting member 92 has been described in detail in the second processing method above, a detailed description thereof will be omitted.

또한, 본 제2 가공 방법은 레이저를 조사하여 대상체 기판(1)의 최상층의 타겟 영역(1a) 내의 일 부분을 선택적으로 제거하는 단계(제3 단계)를 포함한다. 제3 단계는 전술한 본 제1 가공 방법 및 본 제2 가공 방법 각각의 제3 단계와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상세한 설명은 생략한다.In addition, the second processing method includes a step (third step) of selectively removing a portion in the target area 1a of the uppermost layer of the object substrate 1 by irradiating a laser. The third step may correspond to the third step of each of the first processing method and the second processing method described above. Accordingly, detailed description is omitted.

또한, 이하에서는, 본원의 제2 실시예에 따른 대상체 기판 가공 장치(이하 '본 제2 가공 장치'라 함)에 대해 설명한다. 다만, 본 제2 가공 장치는 본 제1 가공 방법 및 본 제3 가공 방법에 사용될 수 있다. 이에 따라, 본 제2 가공 장치의 설명과 관련하여 앞서 살핀 본의 제1 가공 방법 및 본 제3 가공 방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.Also, a description will be given of an object substrate processing apparatus (hereinafter referred to as 'this second processing apparatus') according to a second exemplary embodiment of the present application. However, this 2nd processing apparatus can be used for this 1st processing method and this 3rd processing method. Accordingly, in relation to the description of the second processing apparatus, the same reference numerals are used for the same or similar configurations as those described in the first processing method and this third processing method of the salpin bone above, and the overlapping description is simplified or to be omitted.

본 제2 가공 장치는 전술한 본 제3 방법의 제2 단계 및 제3 단계에서 레이저를 조사하는 레이저 조사부(91)를 포함한다. 레이저 조사부(91)는 대상체 기판(1)의 상면에 형성된 전자파 차폐막(2)의 타겟 영역(1a)을 덮는 부분이 버가 되도록 레이저를 조사할 수 있다. 참고로, 레이저 조사부(91)는 전술한The second processing apparatus includes a laser irradiation unit 91 for irradiating a laser in the second and third steps of the third method described above. The laser irradiator 91 may irradiate the laser so that the portion covering the target region 1a of the electromagnetic wave shielding film 2 formed on the upper surface of the object substrate 1 becomes a burr. For reference, the laser irradiation unit 91 is

또한, 본 제2 가공 장치는 제2 단계에서 기체를 분사하는 기체 분사부(93)를 포함한다. 예를 들어, 기체 분사부(93)는 기체의 흐름이 대상체 기판(1)(전자파 차폐막2))과 광 투과 부재(92) 사이에서 버가 말아지는 방향의 역 방향으로 형성되도록 기체를 분사할 수 있다.In addition, the second processing apparatus includes a gas injection unit 93 that injects gas in the second step. For example, the gas injection unit 93 may inject the gas so that the flow of the gas is formed between the object substrate 1 (electromagnetic wave shielding film 2 ) and the light transmitting member 92 in a direction opposite to the direction in which the burr is rolled. can

또한, 본 제2 가공 장치는 제2 단계에서 타겟 영역(1a)과 레이저 조사부(91) 사이에 배치되는 상기 광 투과부재(92)를 포함할 수 있다. 광 투과부재(92)는 레이저 조사부(91)와 전자파 차폐막(2)의 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a) 상에 형성된 부분의 상면 사이에 배치될 수 있다. 이에 따르면, 레이저 조사부(91)에서 조사된 레이저는 광 투과부재(92)를 통과하여 전자파 차폐막(2)의 조사 예정 부분에 도달할 수 있다.In addition, the second processing apparatus may include the light transmitting member 92 disposed between the target area 1a and the laser irradiation unit 91 in the second step. The light transmitting member 92 may be disposed between the laser irradiator 91 and the upper surface of the portion of the electromagnetic wave shielding film 2 formed on the target region 1a of the target substrate 1 . According to this, the laser irradiated from the laser irradiator 91 may pass through the light transmitting member 92 to reach the irradiated portion of the electromagnetic wave shielding film 2 .

광 투과부재(92)와 전자파 차폐막(2) 사이의 거리(t)는 제2 단계에서 발생하는 버의 끝 단의 높이가 미리 설정된 높이 이하로 제한되게 설정될 수 있다. 구체적으로, 제2 단계에서 광 투과부재(92)와 전자파 차폐막(2) 사이의 거리(t), 다시 말해, 미리 설정된 높이는 버가 말리며 버의 적어도 일부가 다른 일부를 덮는 것을 방지하도록 설정될 수 있다.The distance t between the light transmitting member 92 and the electromagnetic wave shielding film 2 may be set such that the height of the tip of the burr generated in the second step is limited to a predetermined height or less. Specifically, in the second step, the distance t between the light transmitting member 92 and the electromagnetic wave shielding film 2, that is, the preset height may be set to prevent the burrs from curling and at least one part of the burrs covering the other part. there is.

전술한 본 제1 내지 제3 가공 방법에 의하면, 대상체 기판(1)에 형성된 전자파 차폐막(2) 및 대상체 기판(1)을 가공하여 대상체 기판(1)의 타겟 영역(1a) 내의 하나 이상의 패드(12)의 상면을 상측으로 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 타겟 영역(1a)의 상측에 구비되는 트랜지스터와 대상체 기판(1)을 연결해줄 볼이 구비될 영역(자리)가 형성될 수 있다. 볼은 패드(12) 상에 구비되어 패드(12)와 트랜지스터를 연결해줄 수 있다.According to the first to third processing methods described above, the electromagnetic wave shielding film 2 formed on the object substrate 1 and the object substrate 1 are processed to form one or more pads ( 12) can be exposed upwards. Accordingly, a region (seat) in which a ball to connect the transistor provided above the target region 1a and the target substrate 1 may be formed. The ball may be provided on the pad 12 to connect the pad 12 and the transistor.

또한, 전술한 본 제1 내지 제3 가공 방법에 의하면, 광 투과부재(92)가 레이저를 통과시켜 레이저가 버를 형성하게 하면서, 발생되는 버의 끝단이 미리 설정된 높이 이상으로 높아지지 않게 할 수 있어, 버 형성 과정에서 버의 일부가 버의 다른 일부 또는 전자파 차폐막을 덮어 레이저가 버의 일부를 투과하지 못해 버의 다른 일부 또는 전자파 차폐막(2)의 조사 예정 부분에 도달하지 못하는 것을 방지하여 버의 용이한 형성이 가능하게 할 수 있다.In addition, according to the first to third processing methods described above, the light transmitting member 92 allows the laser to pass through the laser to form the burr, and the tip of the generated burr cannot be raised above a preset height. In the process of forming the burr, a part of the burr covers the other part of the burr or the electromagnetic wave shielding film to prevent the laser from penetrating the part of the burr and not reaching the other part of the burr or the part to be irradiated with the electromagnetic wave shielding film 2 can enable the easy formation of

또한, 전술한 본 제1 내지 제3 가공 방법에 의하면, 버가 말리는 방향의 반대 방향으로 기체가 분사되어, 버의 말리는 정독가 기체가 분사되지 않는 경우 대비 줄어들 수 있다. 이와 같이, 버의 일부가 버의 다른 일부 또는 전자파 차폐막을 덮는 것을 방지함으로써, 레이저가 버의 일부를 투과하지 못해 버의 다른 일부 또는 전자파 차폐막(2)의 조사 예정 부분에 도달하지 못하는 것을 방지하여 버의 용이한 형성이 가능하게 할 수 있다.In addition, according to the first to third processing methods described above, the gas is sprayed in the opposite direction to the direction in which the burr is rolled, so that the drying of the burr can be reduced compared to the case where the gas is not sprayed. In this way, by preventing a part of the burr from covering the other part of the bur or the electromagnetic wave shielding film, it is prevented that the laser does not penetrate a part of the burr and does not reach the other part of the burr or the part to be irradiated with the electromagnetic wave shielding film 2 Easy formation of burrs may be possible.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present application is for illustration, and those of ordinary skill in the art to which the present application pertains will understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a dispersed form, and likewise components described as distributed may be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present application.

1: 대상체 기판
1a: 타겟 영역
11: 본체 적층체
111: 제2 층
112: 제1 층
12: 패드
2: 전자파 차폐막
3: 칩
91: 레이저 조사부
92: 광 투과부재
93: 기체 분사부1: object substrate
1a: target area
11: body laminate
111: second floor
112: first floor
12: pad
2: electromagnetic shielding film
3: Chip
91: laser irradiation unit
92: light transmitting member
93: gas injection unit

Claims (7)

전자파 차폐막이 형성된 대상체 기판의 가공 방법에 있어서,
(a) 전자파 차폐막이 형성된 대상체 기판을 준비하는 단계;
(b) 레이저를 조사하여 상기 전자파 차폐막의 상기 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분을 버(burr)로 형성하여 제거하는 단계; 및
(c) 레이저를 조사하여 상기 대상체 기판의 최상층의 상기 타겟 영역 내의 일 부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하되,
상기 (b) 단계는, 상기 대상체 기판의 상측에 광 투과부재를 위치시키고, 레이저가 상기 광 투과부재를 통과하여 상기 전자파 차폐막에 도달하게 하는 것인, 대상체 기판 가공 방법.A method of processing an object substrate on which an electromagnetic wave shielding film is formed, the method comprising:
(a) preparing an object substrate on which an electromagnetic wave shielding film is formed;
(b) removing a portion of the electromagnetic wave shielding film covering the target area of the target substrate by irradiating a laser beam to form a burr; and
(c) selectively removing a portion in the target area of the uppermost layer of the object substrate by irradiating a laser,
In the step (b), a light-transmitting member is positioned on the upper side of the object substrate, and the laser passes through the light-transmitting member to reach the electromagnetic wave shielding film. 제1항에 있어서,
상기 (b) 단계에서,
상기 광 투과부재와 상기 전자파 차폐막 사이의 거리는 상기 (b) 단계에서 발생하는 상기 버의 끝단의 높이가 미리 설정된 높이 이하로 제한되도록 설정되는 것인, 대상체 기판 가공 방법.The method of claim 1,
In step (b),
The distance between the light-transmitting member and the electromagnetic wave shielding film is set so that the height of the tip of the burr generated in step (b) is limited to a predetermined height or less. 제2항에 있어서,
상기 (b) 단계에서,
상기 광 투과부재와 상기 전자파 차폐막 사이의 거리는, 상기 버가 말리며 상기 버의 적어도 일부가 다른 일부를 덮는 것을 방지하도록 설정되는 것인, 대상체 기판 가공 방법.3. The method of claim 2,
In step (b),
The distance between the light transmitting member and the electromagnetic wave shielding film is set to prevent the burr from being rolled up and at least a part of the burr covering another part. 제1항에 따른 대상체 기판 가공 방법에 적용되는 가공 장치에 있어서,
상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계에서 레이저를 조사하는 레이저 조사부; 및
상기 대상체 기판과 상기 레이저 조사부 사이에 배치되는 광 투과부재를 포함하는, 대상체 가공 장치.In the processing apparatus applied to the object substrate processing method according to claim 1,
a laser irradiator for irradiating the laser in the steps (b) and (c); and
and a light transmitting member disposed between the target substrate and the laser irradiation unit. 전자파 차폐막이 형성된 대상체 기판의 가공 방법에 있어서,
(a) 전자파 차폐막이 형성된 대상체 기판을 준비하는 단계;
(b) 레이저를 조사하여 상기 전자파 차폐막의 상기 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분을 버(burr)로 형성하여 제거하는 단계; 및
(c) 상기 대상체 기판의 최상층의 상기 타겟 영역 내의 일 부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하되,
상기 (b) 단계는, 상기 대상체 기판의 상측에 광 투과부재를 위치시키고, 레이저가 상기 광 투과부재를 통과하여 상기 전자파 차폐막에 도달하게 하며 상기 버를 형성하고, 기체를 분사하며,
상기 (b) 단계는, 형성되는 상기 버가 말리며 상기 버의 적어도 일부가 상기 타겟 영역을 덮는 부분을 덮어 레이저가 상기 전자파 차폐막의 상기 대상체 기판의 타겟 영역을 덮는 부분 중 버가 아직 되지 않은 부분에 조사되지 못하는 것을 방지하도록, 상기 레이저 조사시에 상기 버가 말리는 방향의 역 방향으로 기체를 분사하는 것인, 대상체 기판 가공 방법.A method of processing an object substrate on which an electromagnetic wave shielding film is formed, the method comprising:
(a) preparing an object substrate on which an electromagnetic wave shielding film is formed;
(b) removing a portion of the electromagnetic wave shielding film covering the target area of the target substrate by irradiating a laser beam to form a burr; and
(c) selectively removing a portion in the target region of the uppermost layer of the object substrate;
In the step (b), a light transmitting member is placed on the upper side of the object substrate, a laser passes through the light transmitting member to reach the electromagnetic wave shielding film, the burr is formed, and a gas is sprayed,
In step (b), the formed burr is rolled up and at least a portion of the burr covers a portion covering the target area, so that the laser is applied to the portion of the electromagnetic wave shielding film covering the target area of the target substrate that is not yet burr. In order to prevent irradiation, the gas is sprayed in a direction opposite to the direction in which the burr is rolled during the laser irradiation, the object substrate processing method. 삭제delete 제5항에 따른 대상체 기판 가공 방법에 적용되는 가공 장치에 있어서,
상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계에서 레이저를 조사하는 레이저 조사부;
상기 대상체 기판과 상기 레이저 조사부 사이에 배치되는 광 투과부재; 및
상기 (b) 단계에서 기체를 분사하는 기체 분사부를 포함하는, 대상체 가공 장치.In the processing apparatus applied to the object substrate processing method according to claim 5,
a laser irradiator for irradiating the laser in the steps (b) and (c);
a light transmitting member disposed between the target substrate and the laser irradiation unit; and
Including a gas spraying unit for spraying the gas in step (b), the object processing apparatus.
KR1020210066158A 2021-05-24 2021-05-24 Processing substrate method and processing substrate apparatus for the same KR102369457B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210066158A KR102369457B1 (en) 2021-05-24 2021-05-24 Processing substrate method and processing substrate apparatus for the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210066158A KR102369457B1 (en) 2021-05-24 2021-05-24 Processing substrate method and processing substrate apparatus for the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102369457B1 true KR102369457B1 (en) 2022-03-04

Family

ID=80813716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210066158A KR102369457B1 (en) 2021-05-24 2021-05-24 Processing substrate method and processing substrate apparatus for the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102369457B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170055937A (en) * 2017-02-23 2017-05-22 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Package of semiconductor and method for manufacturing the same
KR20190101796A (en) * 2018-02-23 2019-09-02 한미반도체 주식회사 Partial shield processing method for semiconductor member
KR20190116887A (en) * 2018-04-05 2019-10-15 삼성전기주식회사 Electronic component module and manufacturing mehthod therof
KR102108974B1 (en) * 2018-11-27 2020-05-28 제너셈(주) Method for removing electromagnetic interference

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170055937A (en) * 2017-02-23 2017-05-22 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Package of semiconductor and method for manufacturing the same
KR20190101796A (en) * 2018-02-23 2019-09-02 한미반도체 주식회사 Partial shield processing method for semiconductor member
KR20190116887A (en) * 2018-04-05 2019-10-15 삼성전기주식회사 Electronic component module and manufacturing mehthod therof
KR102108974B1 (en) * 2018-11-27 2020-05-28 제너셈(주) Method for removing electromagnetic interference

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI407543B (en) Chip package and manufacturing method thereof
KR100791662B1 (en) Support with solder globule elements and a method for assembly of substrates with globule contacts
JP7093210B2 (en) How to process plate-shaped objects
TWI520667B (en) Wiring substrate and manufacturing method thereof
US8097965B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP6958300B2 (en) Multilayer circuit board
US20130170148A1 (en) Package carrier and manufacturing method thereof
US9679835B2 (en) Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame
US10211071B2 (en) IC packaging method and a packaged IC device
KR102369457B1 (en) Processing substrate method and processing substrate apparatus for the same
KR102369456B1 (en) Processing substrate method and processing substrate apparatus for the same
JP5381052B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor integrated circuit chip
JP2018067600A (en) Electronic device and method for manufacturing the same
JP2014192205A (en) Wiring board and method for manufacturing the same
US20150001718A1 (en) Semiconductor device
JP2006261447A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP7075791B2 (en) Semiconductor package manufacturing method
US10864698B2 (en) Treated liquid crystal polymer resin sheet and resin multilayer substrate
JP2020087941A (en) Circuit board and manufacturing method thereof
KR102333481B1 (en) Manufacturing method for electromagnetic interference shielding film on object of one side
KR102543832B1 (en) Apparatus for electromagnetic interference shielding film
KR102333482B1 (en) Apparatus for electromagnetic interference shielding film
KR102510080B1 (en) Manufacturing method for electromagnetic interference shielding film on object of one side
EP4401132A1 (en) Semiconductor device manufacturing method and lead frame
JP7397347B2 (en) Wiring board, planar light emitting device, and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant