KR102333482B1 - Apparatus for electromagnetic interference shielding film - Google Patents

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KR102333482B1
KR102333482B1 KR1020200158033A KR20200158033A KR102333482B1 KR 102333482 B1 KR102333482 B1 KR 102333482B1 KR 1020200158033 A KR1020200158033 A KR 1020200158033A KR 20200158033 A KR20200158033 A KR 20200158033A KR 102333482 B1 KR102333482 B1 KR 102333482B1
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shielding film
emi shielding
burr
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light transmitting
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한복우
최원용
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제너셈(주)
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Abstract

An EMI shielding film forming device is disclosed. The EMI shielding film forming device comprises: a shielding film forming unit for forming an EMI shielding film on one surface of an object; a laser irradiating unit for irradiating a laser so as to generate a burr on a portion where a solder ball of an EMI shielding film, formed on the one surface of the object, is to be installed; a light transmitting member disposed between the laser irradiating unit and the one surface of the object; and a burr removing unit configured to remove a burr.

Description

EMI 차폐막 형성 장치{APPARATUS FOR ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING FILM}EMI shielding film forming apparatus {APPARATUS FOR ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING FILM}

본원은 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법 및 EMI 차폐막 형성 장치에 관한 것이다.The present application relates to a method for forming an EMI shielding film on one surface of an object and an apparatus for forming an EMI shielding film.

전자제품에 사용되는 칩은 인체에 미치는 전자파 차단 또는 인접한 전자 부품 간에 발생되는 전기전자적인 간섭을 최소화하기 위하여 EMI shield 처리될 수 있다. EMI shield 처리는 칩에 메탈(metal)을 포함하는 재질인 전자파 차폐막(EMI 차폐막)을 형성하는 것일 수 있다.Chips used in electronic products can be EMI shielded to block electromagnetic waves on the human body or to minimize electrical and electronic interference between adjacent electronic components. The EMI shield process may be to form an electromagnetic wave shielding film (EMI shielding film), which is a material including metal, on the chip.

그런데, 일반적으로, 칩의 하면에는 칩과 기판(substrate)을 전기적으로 연결하는 솔더볼이 구비될 수 있는데, 하면에 솔더볼이 구비되는 칩은 하면에 EMI 차폐막을 형성할 수 없었다. 그 이유는, 칩의 하면에 EMI 차폐막을 형성하면, 솔더볼의 표면에 까지 EMI 차폐막이 형성되고, 이러한 경우, 칩을 기판 상에 장착시키면 솔더볼 표면에 형성된 EMI 차폐막으로 인해 솔더볼과 기판사이에 전기적 쇼트가 일어나기 때문이다. 이에 따라, 칩의 솔더볼이 구비되는 하면에도 EMI 차폐막을 용이하게 형성할 수 있는 방안이 제안될 필요가 있었다.However, in general, a solder ball for electrically connecting the chip and a substrate may be provided on the lower surface of the chip, but the EMI shielding layer could not be formed on the lower surface of the chip having the solder ball on the lower surface. The reason is that when an EMI shielding film is formed on the lower surface of the chip, an EMI shielding film is formed up to the surface of the solder ball. because it happens Accordingly, there was a need to propose a method for easily forming an EMI shielding film even on the lower surface where the solder balls of the chip are provided.

본원의 배경이 되는 기술은 한국공개특허공보 제 10-1899239호에 개시되어 있다.The background technology of the present application is disclosed in Korean Patent Application Laid-Open No. 10-1899239.

본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 칩의 솔더볼이 구비되는 일면에도 EMI 차폐막을 용이하게 형성할 수 있는 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법 및 EMI 차폐막 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present application is intended to solve the problems of the prior art described above, and to provide an EMI shielding film forming method and an EMI shielding film forming apparatus for one surface of an object that can easily form an EMI shielding film even on one surface on which a solder ball of a chip is provided. do it with

다만, 본원의 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들도 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.However, the technical problems to be achieved by the embodiment of the present application are not limited to the technical problems as described above, and other technical problems may exist.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제 1 측면에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법은, (a) 솔더볼이 구비될 일면에 솔더볼이 구비되지 않은 상태의 대상체를 준비하는 단계; (b) 상기 대상체의 상기 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 단계; (c) 상기 일면에 형성된 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분을 부분적으로 제거하는 단계; 및 (d) 상기 일면의 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분이 부분적으로 제거되어 노출된 솔더볼이 구비될 부분에 솔더볼을 구비하는 단계를 포함할 수 있다.As a technical means for achieving the above technical problem, the method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to the first aspect of the present application includes (a) preparing an object in a state in which a solder ball is not provided on one surface on which a solder ball is to be provided step; (b) forming an EMI shielding film on the one surface of the object; (c) partially removing a portion of the EMI shielding film formed on the one surface positioned on the portion where the solder ball is to be provided; and (d) providing a solder ball in a portion where the solder ball is to be provided, which is exposed by partially removing a portion of the EMI shielding layer on the one surface on which the solder ball is to be provided.

또한, 본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 (c) 단계는, (c1) 상기 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 상기 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 레이저를 조사하는 단계; 및 (c2) 상기 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 발생한 버를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, in the method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an exemplary embodiment of the present application, the step (c) includes: (c1) a burr in a portion of the EMI shielding film located on a portion where a solder ball is to be provided irradiating a laser to a portion of the EMI shielding film positioned on a portion to be provided with a solder ball; and (c2) removing the burr generated in a portion of the EMI shielding film positioned on the portion where the solder ball is to be provided.

본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 (c1) 단계는, 상기 대상체의 상기 일면 상에 광 투과부재를 위치시키고, 레이저가 상기 광 투과부재를 통과하게 하되, 상기 광 투과부재와 상기 EMI 차폐막 사이의 거리는 상기 (c1) 단계에서 발생하는 버의 끝단의 높이가 미리 설정된 높이 이하로 제한되도록 설정될 수 있다.In the method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application, the step (c1) includes positioning a light transmitting member on the one surface of the object and allowing a laser to pass through the light transmitting member , the distance between the light transmitting member and the EMI shielding film may be set so that the height of the tip of the burr generated in step (c1) is limited to a predetermined height or less.

본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 흡입하는 흡입 홀이 형성되고, 상기 (c1) 단계에서, 상기 흡입 홀은 상기 레이저 조사시 발생되는 연기의 적어도 일부를 흡입할 수 있다.In the method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application, a suction hole for sucking a gas is formed on a surface of the light transmitting member facing the object, and in step (c1), the suction hole may inhale at least a part of smoke generated during the laser irradiation.

본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 배출하는 배출 홀이 형성되고, 상기 (c) 단계에서, 상기 배출 홀은 버의 끝단의 높이가 낮아지도록 기체를 배출할 수 있다.In the method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application, an exhaust hole for exhausting gas is formed on a surface of the light transmitting member facing the object, and in step (c), the exhaust hole The gas can be discharged so that the height of the tip of the silver burr is lowered.

본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 EMI 차폐막은 metal을 포함하는 소재로 이루어지고, 상기 (c2) 단계는, 자석부의 자력으로 상기 버를 제거할 수 있다.In the method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application, the EMI shielding film is made of a material including a metal, and in step (c2), the burr may be removed by a magnetic force of a magnet. .

본원의 일 구현예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 있어서, 상기 대상체는, PCB, package, chip 중 하나일 수 있다.In the method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application, the object may be one of a PCB, a package, and a chip.

본원의 제1 측면에 따른 EMI 차폐막 형성 장치는, 대상체의 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 차폐막 형성부; 상기 대상체의 상기 일면에 형성된 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 레이저를 조사하는 레이저 조사부; 상기 레이저 조사부와 상기 대상체의 일면 사이에 배치되는 광 투과부재; 및 버를 제거하는 버 제거부를 포함할 수 있다. An apparatus for forming an EMI shielding film according to a first aspect of the present application includes: a shielding film forming unit for forming an EMI shielding film on one surface of an object; a laser irradiator for irradiating a laser so as to generate a burr on a portion of the EMI shielding film formed on the one surface of the object located on a portion to be provided with a solder ball; a light transmitting member disposed between the laser irradiation unit and one surface of the object; and a deburring unit for removing the burr.

본원의 일 구현예에 따른 EMI 차폐막 형성 장치에 있어서, 상기 광 투과부재와 상기 대상체의 일면 사이의 거리는 버의 끝단의 높이를 미리 설정된 높이 이하로 제한하도록 설정될 수 있다.In the EMI shielding film forming apparatus according to the exemplary embodiment of the present application, the distance between the light transmitting member and one surface of the object may be set to limit the height of the tip of the burr to a preset height or less.

본원의 일 구현예에 따른 EMI 차폐막 형성 장치에 있어서, 상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 흡입하는 흡입 홀이 형성되고, 상기 흡입 홀은 상기 레이저 조사부의 레이저 조사시 발생되는 연기를 흡입할 수 있다.In the apparatus for forming an EMI shielding film according to an embodiment of the present application, a suction hole for sucking a gas is formed on a surface of the light transmitting member facing the object, and the suction hole is configured to remove smoke generated when the laser irradiation unit is irradiated with a laser. can be inhaled.

본원의 일 구현예에 따른 EMI 차폐막 형성 장치에 있어서, 상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 배출하는 배출 홀이 형성되고, 상기 배출 홀은 버의 끝단의 높이가 낮아지도록 기체를 배출할 수 있다.In the apparatus for forming an EMI shielding film according to an embodiment of the present application, an exhaust hole for discharging gas is formed on a surface of the light transmitting member facing the object, and the exhaust hole discharges gas such that the height of the tip of the burr is lowered. can do.

본원의 일 구현예에 따른 EMI 차폐막 형성 장치에 있어서, 상기 EMI 차폐막은 metal을 포함하는 소재로 이루어지고, 상기 버 제거부는, 자력으로 상기 버를 제거하는 자석부를 포함할 수 있다.In the apparatus for forming an EMI shielding film according to an embodiment of the present application, the EMI shielding film may be made of a material including a metal, and the deburring unit may include a magnet for removing the burr by magnetic force.

상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본원을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.The above-described problem solving means are merely exemplary, and should not be construed as limiting the present application. In addition to the exemplary embodiments described above, additional embodiments may exist in the drawings and detailed description.

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 솔더볼이 구비되지 않은 상태의 일면에 EMI 차폐막을 형성한 후, EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분과 대응하는 부분을 제거하고 솔더볼을 구비할 수 있으므로, 솔더볼에 EMI 차폐막을 형성하지 않으면서 솔더볼이 구비되는 대상체의 일면에 대해서도 용이하게 EMI 차폐막을 형성할 수 있다.According to the above-described problem solving means of the present application, after the EMI shielding film is formed on one surface in a state where the solder ball is not provided, the portion corresponding to the portion where the solder ball is to be provided of the EMI shielding film can be removed and the solder ball can be provided. The EMI shielding layer can be easily formed even on one surface of the object on which the solder ball is provided without forming the EMI shielding layer.

또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 광 투과 부재가 레이저를 통과시켜 레이저가 버를 발생시키게 허용하면서도, 발생되는 버의 끝단이 미리 설정된 높이 이상으로 높아지지 않게 할 수 있어, 버가 최대한 대상체의 일면에 가까운 상태를 갖게할 수 있고, 이에 따라, 자석부를 이용한 버 제거시 자석부의 버에 대한 자력 작용이 용이해져 자석부의 자력을 이용한 버 제거가 용이할 수 있다.In addition, according to the above-described problem solving means of the present application, the light transmitting member allows the laser to pass through and the laser generates burrs, while the tip of the generated burrs does not rise above a preset height, so that the burrs are maximally It is possible to have a state close to one surface of the object, and accordingly, when the burr is removed using the magnet part, the magnetic force action on the burr of the magnet part is facilitated, so that the burr removal using the magnetic force of the magnet part can be facilitated.

또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 레이저 조사시, EMI 차폐막에 열이 가해짐으로써 연기가 발생할 수 있는데, 이 연기가 광 투과부재의 흡입 홀에 의해 제거될 수 있으므로, 공정의 안전성이 증가되고, 유해물질이 퍼지는 현상이 줄어들 수 있다.In addition, according to the above-described problem solving means of the present application, smoke may be generated by applying heat to the EMI shielding film during laser irradiation, and since this smoke can be removed by the suction hole of the light transmitting member, the safety of the process is improved. increase, and the spread of harmful substances can be reduced.

또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 광 투과부재의 배출 홀이 기체를 분사하여 버에 타측으로의 외력을 작용하여 버의 끝단의 높이가 높아지는 것을 방지하거나, 높아진 버의 끝단의 높이가 낮아지게 할 수 있다.In addition, according to the above-described problem solving means of the present application, the discharge hole of the light transmitting member injects gas to apply an external force to the other side to prevent the height of the tip of the bur from increasing, or to increase the height of the tip of the burr. can make it lower

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 자석부의 자력에 의해 버가 제거될 수 있으므로, 용이한 버 제거 작업이 수행될 수 있다.According to the problem solving means of the present application described above, since the burr can be removed by the magnetic force of the magnet part, an easy deburring operation can be performed.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법을 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.
도 2는본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 일면에 솔더볼이 구비되지 않은 상태의 대상체의 일부의 개략적인 개념 확대도이다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 솔더볼이 구비되지 않은 상태의 대상체의 일면의 개념도이다.
도 4는 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 일면에 EMI 차폐막이 형성된 대상체의 일부의 개략적인 개념 확대도이다.
도 5는 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 EMI 차폐막이 형성된 대상체의 일면의 개념도이다.
도 6은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 형성된 부분이 부분적으로 제거된 대상체의 일면의 개념도이다.
도 7은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 레이저 조사부의 레이저 조사를 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 8은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 광 투과부재의 역할을 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 9는 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 광 투과부재의 개략적인 개념 단면도이다.
도 10 및 도 11은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 자석부의 자력에 의해 버가 제거되는 것을 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 12는 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 일면에 대한 솔더볼이 구비되는 것을 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 13은 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법의 솔더볼이 구비된 일면의 개략적인 개념도이다.
도 14는 본원의 일 실시예에 따른 EMI 차폐막 형성 장치를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram for explaining a method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application.
2 is a schematic conceptual enlarged view of a portion of an object in a state in which a solder ball is not provided on one surface of a method for forming an EMI shielding film on one surface of the object according to an embodiment of the present application.
3 is a conceptual diagram of one surface of the object in a state in which a solder ball is not provided in the method for forming an EMI shielding film on one surface of the object according to an embodiment of the present application.
4 is a schematic conceptual enlarged view of a portion of an object in which an EMI shielding film is formed on one surface of a method of forming an EMI shielding film on one surface of the object according to an embodiment of the present application.
5 is a conceptual diagram of one surface of an object on which an EMI shielding film is formed in the method of forming an EMI shielding film on one surface of the object according to an embodiment of the present application.
6 is a conceptual diagram of one surface of the object from which a portion formed on a portion where a solder ball of an EMI shielding film is to be provided in a method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present disclosure;
7 is a schematic conceptual diagram for explaining laser irradiation of a laser irradiator of a method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application.
8 is a schematic conceptual diagram for explaining a role of a light transmitting member in a method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application.
9 is a schematic conceptual cross-sectional view of a light transmitting member of a method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application.
10 and 11 are schematic conceptual views for explaining that burrs are removed by the magnetic force of the magnet part of the method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application.
12 is a schematic conceptual diagram for explaining that a solder ball is provided on one surface of a method of forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application.
13 is a schematic conceptual diagram of one surface provided with a solder ball in a method for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application.
14 is a schematic block diagram for explaining an EMI shielding film forming apparatus according to an embodiment of the present application.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art to which the present application pertains can easily implement them. However, the present application may be embodied in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present application in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is said to be "connected" with another part, it includes not only the case where it is "directly connected" but also the case where it is "electrically connected" with another element interposed therebetween. do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에", "상부에", "상단에", "하에", "하부에", "하단에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when it is said that a member is positioned "on", "on", "on", "under", "under", or "under" another member, this means that a member is positioned on the other member. It includes not only the case where they are in contact, but also the case where another member exists between two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout this specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

또한, 본원의 실시예에 관한 설명 중 방향이나 위치와 관련된 용어(일측, 일면, 타측 등)는 도면에 나타나 있는 각 구성의 배치 상태를 기준으로 설정한 것이다. 예를 들면, 도 2 및 도 4를 보았을 때, 전반적으로 12시 방향이 일측, 전반적으로 12시 방향을 향하는 면이 일면, 전반적으로 6시 방향이 타측 등이 될 수 있다.In addition, terms (one side, one side, the other side, etc.) related to the direction or position in the description of the embodiment of the present application are set based on the arrangement state of each component shown in the drawings. For example, referring to FIGS. 2 and 4 , the overall 12 o'clock direction may be one side, the overall 12 o'clock direction may be one side, and the overall 6 o'clock direction may be the other side.

본원은 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법에 관한 것이다.The present application relates to a method of forming an EMI shielding film on one surface of an object.

참고로, 본원에서 대상체는 PCB, package, chip 등 다양한 종류의 전자제품의 솔더볼이 구비되는 것을 의미할 수 있다. 이에 따르면, 대상체는 PCB, package, chip 등 중 하나일 수 있다.For reference, in the present specification, the object may mean that solder balls of various types of electronic products, such as a PCB, a package, and a chip, are provided. According to this, the object may be one of a PCB, a package, a chip, and the like.

이하에서는, 용이한 이해를 위해, 먼저, 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막 형성 방법(이하 '본 방법'라 함)에 대해 설명한다.Hereinafter, for easy understanding, a method for forming an EMI shielding layer on one surface of an object according to an exemplary embodiment of the present application (hereinafter referred to as 'the present method') will be described.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 방법은 솔더볼이 구비될 일면에 솔더볼이 구비되지 않은 상태의 대상체(9)를 준비하는 단계(S100)를 포함한다.1 to 3 , the method includes preparing an object 9 in a state in which a solder ball is not provided on one surface on which a solder ball is to be provided ( S100 ).

또한, 도 1, 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 방법은 대상체(9)의 일면에 EMI 차폐막(91)을 형성하는 단계(S300)를 포함한다. S300 단계는 스퍼터링을 이용해 EMI 차폐막(91)을 형성할 수 있다. 이에 따라 형성되는 EMI 차폐막(91)은 metal을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. EMI 차폐막 형성하는 방법은 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.Also, referring to FIGS. 1 , 4 and 5 , the method includes forming an EMI shielding layer 91 on one surface of the object 9 ( S300 ). In step S300, the EMI shielding film 91 may be formed by sputtering. Accordingly, the EMI shielding layer 91 formed may be made of a material including metal. A method of forming the EMI shielding layer is obvious to those skilled in the art, so a detailed description thereof will be omitted.

또한, 도 1 및 도 6을 참조하면, 본 방법은 대상체(9)의 일면에 형성된 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분(911)을 부분적으로 제거하는 단계(S500)를 포함한다.In addition, referring to FIGS. 1 and 6 , the method includes a step ( S500 ) of partially removing the portion 911 positioned on the portion where the solder ball of the EMI shielding film formed on one surface of the object 9 is to be provided. .

구체적으로, 도 7 및 도 8을 참조하면, S500 단계는, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일면에 수비될 솔더볼은 복수 개일 수 있고, 이에 따라, 솔더볼이 구비될 부분도 일면 상에 복수 개 일 수 있으며, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분(레이저 조사 예정 부분)도 복수 개 일 수 있다. 레이저를 조사하는 단계는, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분 복수 개 각각에 레이저를 조사할 수 있다. 레이저를 조사 받은 부분은 열에 의해 가열되어 다른 부분 대비 변형될 수 있고, 이에 따라, 레이저가 조사된 부분에서는 버가 발생할 수 있다. 이를 고려하여, 레이저를 조사하는 단계는 레이저 조사에 의해 EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버가 발생할 수 있는 스펙(파장, 강도 등)을 갖는 레이저를 조사할 수 있다.Specifically, referring to FIGS. 7 and 8 , in step S500 , the solder ball of the EMI shielding film 91 is provided so that a burr is generated in a portion positioned on the portion where the solder ball of the EMI shielding film 91 is to be provided. It may include irradiating a laser to a portion located on the portion. For example, there may be a plurality of solder balls to be guarded on one surface, and accordingly, there may be a plurality of portions on one surface where the solder balls will be provided, and the portion ( The portion to be irradiated with laser) may also be plural. In the step of irradiating the laser, the laser may be irradiated to each of a plurality of portions of the EMI shielding film 91 located on the portion where the solder balls are to be provided. The laser-irradiated portion may be deformed compared to other portions by being heated by heat, and accordingly, burrs may occur in the laser-irradiated portion. In consideration of this, the step of irradiating the laser may include irradiating a laser having a specification (wavelength, intensity, etc.) in which burrs may occur in the portion located on the portion where the solder ball of the EMI shielding film 91 is to be provided by laser irradiation. have.

레이저를 조사하는 단계에 의해, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분 복수 개 중 하나 이상에는 버가 발생할 수 있다.By irradiating the laser, burrs may be generated in at least one of the plurality of portions positioned on the portion where the solder ball is to be provided of the EMI shielding film 91 .

또한, 도 7 및 도 8을 참조하면, 레이저를 조사하는 단계는 대상체(9)의 일면 상에 광 투과부재(3)를 위치시키고 레이저가 광 투과부재(3)를 통과하여 EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 도달하게 할 수 있다. 예를 들어, 레이저를 조사하는 레이저 조사부(2)는 대상체(9)의 일면 상, 즉, 일측에 위치하고, 광 투과부재(3)는 레이저 조사부(2)와 대상체(9)의 일면 사이에 위치할 수 있다. 광 투과부재(3)는 플라스틱, 유리 등 다양한 재질로 이루어질 수 있다.In addition, referring to FIGS. 7 and 8 , in the step of irradiating the laser, the light transmitting member 3 is positioned on one surface of the object 9 and the laser passes through the light transmitting member 3 to the EMI shielding film 91 . It is possible to make the solder ball of the to reach the part located on the part to be provided. For example, the laser irradiation unit 2 for irradiating a laser is located on one surface, that is, on one side of the object 9 , and the light transmitting member 3 is located between the laser irradiation unit 2 and one surface of the object 9 . can do. The light transmitting member 3 may be made of various materials such as plastic and glass.

이때, 광 투과부재(3)와 EMI 차폐막(91) 사이의 거리(t)는 레이저 조사 단계에서 발생하는 버의 끝단의 높이를 미리 설정된 높이 이하로 제한하도록 설정될 수 있다. 레이저의 조사에 따라 레이저가 조사되는 부분은 변형되고, 이에 따라, 주변의 레이저가 조사되지 않은 부분과 끊어지게 될 수 있으며, 이에 따라, 끊어진 부분(끝단)이 상향 이동되며 이에 따라 버가 발생할 수 있는데, 이때, 광 투과부재(3)는 버의 끝단이 미리 설정된 높이 이상으로 높아지지 않도록 눌러줄수 있다(가압). 예를 들어, 미리 설정된 높이는 광 투과부재(3)가 구비되지 않았을 때, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분 복수 개 에 레이저가 조사되어 발생되는 버의 끝단의 평균 높이보다 작게 설정될 수 있다. 이에 따르면, 광 투과부재(3)와 EMI 차폐막(91) 사이의 거리(t)는 광 투과부재(3)가 구비되지 않았을 때, EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분 복수 개 에 레이저가 조사되어 발생되는 버의 끝단의 평균 높이 미만으로 설정됨이 바람직하다. In this case, the distance t between the light transmitting member 3 and the EMI shielding film 91 may be set to limit the height of the tip of the burr generated in the laser irradiation step to a preset height or less. The portion irradiated with the laser is deformed according to the irradiation of the laser, and accordingly, the portion that is not irradiated with the surrounding laser may be cut off. At this time, the light transmitting member 3 can be pressed so that the tip of the burr does not rise above a preset height (pressurization). For example, when the light transmitting member 3 is not provided with the preset height, the average height of the tip of the burr generated by irradiating a laser to a plurality of portions located on the portion where the solder ball of the EMI shielding film 91 is to be provided It can be set smaller. According to this, the distance t between the light transmitting member 3 and the EMI shielding film 91 is the portion located on the portion where the solder ball of the EMI shielding film 91 is to be provided when the light transmitting member 3 is not provided. It is preferable to set it to less than the average height of the tip of the burr generated by irradiating a plurality of lasers.

또한, 도 9를 참조하면, 광 투과부재(3)의 대상체(9)를 향하는 면(이를 테면, 타면)에는 기체를 흡입하는 흡입 홀(31)이 형성될 수 있다. 흡입 홀(31)은 흡입부(43)와 연결(연통)될 수 있다. 이에 따라, 흡입부(43)에 의해 흡입 홀(31) 내로 기체가 흡입될 수 있다.Also, referring to FIG. 9 , a suction hole 31 for sucking gas may be formed on a surface (eg, the other surface) of the light transmitting member 3 facing the object 9 . The suction hole 31 may be connected (communicated) with the suction unit 43 . Accordingly, gas may be sucked into the suction hole 31 by the suction unit 43 .

레이저를 조사하는 단계에서, 흡입 홀(31)은 레이저 조시사 발생되는 연기의 적어도 일부를 흡입할 수 있다. 레이저 조사시, EMI 차폐막에 열이 가해짐으로써 연기가 발생할 수 있다. 이에 대하여, 본 방법에 의하면, 대상체(9)와 레이저 조사부(2) 사이에 위치하는 광 투과부재(3)가 대상체(9)의 일측에서 연기를 흡입하므로 연기의 적어도 일부가 제거될 수 있다. In the step of irradiating the laser, the suction hole 31 may suck at least a portion of the smoke generated by irradiating the laser. When irradiating with a laser, heat may be applied to the EMI shield to generate smoke. In contrast, according to the present method, since the light transmitting member 3 positioned between the object 9 and the laser irradiation unit 2 sucks the smoke from one side of the object 9, at least a portion of the smoke can be removed.

또한, 도 9를 참조하면, 광 투과부재(3)의 대상체(9)를 향하는 면(타면)에는 기체를 배출하는 배출 홀(32)이 형성될 수 있다. S500 단계에서, 배출 홀(32)은 버의 끝단의 높이가 낮아지도록 기체를 배출할 수 있다. 즉, 배출 홀(32)은 EMI 차폐막 측(타측)으로 기체를 배출할 수 있고, 배출된 기체는 버에 일측으로 외력을 작용할 수 있으며, 이에 따라, 버의 끝단은 높이가 낮아질 수 있다.Also, referring to FIG. 9 , a discharge hole 32 for discharging gas may be formed on the surface (the other surface) of the light transmitting member 3 facing the object 9 . In step S500, the discharge hole 32 may discharge the gas so that the height of the tip of the burr is lowered. That is, the exhaust hole 32 may discharge gas toward the EMI shielding film side (the other side), and the discharged gas may apply an external force to one side of the burr, and accordingly, the height of the tip of the burr may be lowered.

또한, 도 1을 참조하면, S500 단계는, EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 발생한 버를 제거하는 단계(S700)를 포함할 수 있다. S700 단계는, 자석부(41)의 자력으로 버를 제거할 수 있다. 자석부(41)는 자석을 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, EMI 차폐막은 metal을 포함하는 소재로 이루어질 수 있으므로, 자석의 자력에 반응할 수 있다.In addition, referring to FIG. 1 , step S500 may include removing burrs generated on a portion of the EMI shielding film on a portion where the solder ball is to be provided ( S700 ). In step S700, the burr may be removed by the magnetic force of the magnet unit 41 . The magnet part 41 may include a magnet. As described above, since the EMI shielding layer may be made of a material including metal, it may respond to the magnetic force of the magnet.

예를 들어, 도 10 및 도 11을 참조하면, S700 단계는, 자석부(41)를 대상체(9)의 일면(EMI 차폐막)을 향해 근접시킬 수 있고, 이에 따라, 버의 적어도 일부는 자석부(41)에 달라붙을 수 있으며, 이 후, 자석부(41)은 대상체(9)의 일면으로부터 멀어질 수 있고, 이 과정에서 버가 EMI 차폐막(91)으로부터 탈락되어 제거될 수 있다.For example, referring to FIGS. 10 and 11 , in step S700 , the magnet part 41 may be brought closer to one surface (EMI shielding film) of the object 9, and accordingly, at least a portion of the burr is a magnet part. 41 , and then, the magnet part 41 may move away from one surface of the object 9 , and in this process, the burr may be removed from the EMI shielding film 91 .

또한, 전술한 바에 따르면, 광 투과 부재(3)가 버의 끝단의 높이가 미리 설정된 높이 이상으로 높아지지 않게 할 수 있고, 거기에 더해 배출 홀(32)로부터 배출되는 기체에 의해 버의 끝단의 높이가 낮아질 수 있으므로, 버의 상태가 버의 끝단이 최대한 대상체(9)의 일면에 가까운 수평 상태에 가까울 수 있어, 자석부(41)의 자력 작용시 자석부(41)의 자력이 버의 전면에 균일하게 작용될 수 있다. 이에 따라, 버의 최대한 많은 부분이 자석부(41)에 달라붙게 될 수 있다. In addition, according to the above-mentioned bar, the light transmitting member 3 can prevent the height of the tip of the burr from becoming higher than a preset height, and in addition to that, the height of the tip of the burr is caused by the gas discharged from the discharge hole 32 . Since the height can be lowered, the state of the burr can be close to a horizontal state where the tip of the burr is as close to one side of the object 9 as possible, so that the magnetic force of the magnet part 41 when the magnetic force of the magnet part 41 acts is applied to the front surface of the bur. can be uniformly applied to Accordingly, a maximum portion of the burr may stick to the magnet portion 41 .

또한, 도 1, 도 12 및 도 13을 참조하면, 본 방법은 대상체(9)의 일면의 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분이 부분적으로 제거되어 노출된 솔더볼이 구비될 부분에 솔더볼을 구비하는 단계(S900)를 포함한다. 솔더볼(92)을 구비하는 것은 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.In addition, referring to FIGS. 1, 12 and 13 , in this method, a portion of the EMI shield on one surface of the object 9 located on the portion where the solder ball is to be provided is partially removed and the exposed solder ball is placed on the portion to be provided. It includes a step (S900) of providing a solder ball. Having the solder ball 92 is obvious to those skilled in the art, so a detailed description thereof will be omitted.

한편, 이하에서는, 본원의 일 실시예에 따른 대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막을 형성하는 EMI 차폐막 형성 장치(이하 '본 장치'라 함)(1000)에 대해 설명한다. 다만, 전술한 본 방법은 본 장치에 의해 수행될 수 있는 것이므로, 앞서 살핀 본 방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다. 참고로, 본 장치는 전술한 본 방법의 수행시 적용될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니며, 본 장치는 전술한 본 방법외에도 대상체의 다양한 부분에 대한 EMI 차폐막 형성에 적용될 수 있다. 즉, 본 장치는 전술한 본 방법 외에도 종래의 통상적 EMI 차폐막 형성 방법(EMI 차폐막을 부분적으로 형성하는 방법)에 적용될 수 있다.Meanwhile, hereinafter, an EMI shielding film forming apparatus (hereinafter referred to as 'the present apparatus') 1000 for forming an EMI shielding film on one surface of an object according to an embodiment of the present application will be described. However, since the above-described method can be performed by the present apparatus, the same reference numerals are used for the same or similar components as those described in the above salpin present method, and the overlapping description will be simplified or omitted. For reference, the apparatus may be applied when performing the method described above, but is not limited thereto, and the apparatus may be applied to forming an EMI shielding film for various parts of an object in addition to the method described above. That is, the apparatus can be applied to a conventional method of forming an EMI shielding film (a method of partially forming an EMI shielding film) in addition to the method described above.

이에 따라, 본 장치(1000)는 대상체의 일면에 대하여 EMI 차폐막을 형성할 수 있는데, 이때, 대상체의 일면은 전술한 솔더볼이 구비될 일면을 의미할 수도 있고, 또는 그 외의 다른 면을 지칭하는 것일 수도 있다.Accordingly, the device 1000 may form an EMI shielding film on one surface of the object. In this case, the one surface of the object may refer to one surface on which the above-described solder ball is to be provided, or to refer to another surface. may be

본 장치(1000)는 대상체(9)의 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 차폐막 형성부(1)를 포함한다.The apparatus 1000 includes a shielding film forming unit 1 that forms an EMI shielding film on one surface of the object 9 .

또한, 본 장치(1000)는 레이저 조사부(2)를 포함한다. 레이저 조사부(2)는 대상체(9)의 일면에 형성된 EMI 차폐막(91)의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 레이저를 조사한다.In addition, the apparatus 1000 includes a laser irradiation unit 2 . The laser irradiator 2 irradiates the laser so as to generate a burr on the portion of the EMI shielding film 91 formed on one surface of the object 9 , which is located on the portion where the solder ball is to be provided.

또한, 본 장치(1000)는 광 투과부재(3)를 포함한다. 광 투과부재(3)는 레이저 조사부(2)와 대상체(9)의 일면 사이에 배치된다. 이에 따르면, 레이저 조사부(2)에서 조사된 레이저는 광 투과부재(3)를 통과하여 EMI 차폐막에 도달할 수 있다.In addition, the apparatus 1000 includes a light transmitting member 3 . The light transmitting member 3 is disposed between the laser irradiation unit 2 and one surface of the object 9 . According to this, the laser irradiated from the laser irradiation unit 2 may pass through the light transmitting member 3 to reach the EMI shielding film.

또한, 광 투과부재(3)와 대상체(9)의 일면 사이의 거리는 버의 끝단의 높이를 미리 설정된 높이 이하로 제한하도록 설정될 수 있다.In addition, the distance between the light transmitting member 3 and one surface of the object 9 may be set to limit the height of the tip of the burr to a preset height or less.

또한, 광 투과부재(3)의 대상체(9)를 향하는 면(이를 테면, 타면)에는 기체를 흡입하는 흡입 홀(31)이 형성될 수 있다. 흡입 홀(31)은 레이저 조사부(2)의 레이저 조사시 발생되는 연기를 흡입할 수 있다.In addition, a suction hole 31 for sucking gas may be formed on a surface (eg, the other surface) of the light transmitting member 3 facing the object 9 . The suction hole 31 may suck in smoke generated when the laser irradiation unit 2 is irradiated with a laser.

또한, 광 투과부재(3)의 대상체(9)를 향하는 면(타면)에는 기체를 배출하는 배출 홀(32)이 형성될 수 있다. 배출 홀(32)은 버의 끝단의 높이가 낮아지도록 기체를 배출(분사)할 수 있다.In addition, a discharge hole 32 for discharging gas may be formed on the surface (the other surface) of the light transmitting member 3 facing the object 9 . The discharge hole 32 may discharge (jet) the gas so that the height of the tip of the burr is lowered.

또한, 본 장치(1000)는 버를 제거하는 버 제거부(4)를 포함한다. EMI 차폐막은 metal을 포함하는 소재로 이루어질 수 있다. 버 제거부(4)는 자력으로 버를 제거하는 자석부(41)를 포함할 수 있다. 또한, 버 제거부(4)는 자석부(41)를 일측 및 타측 방향으로 이동시키는 이동부를 포함할 수 있다. 이에 따라, 자석부(41)는 타측으로 이동되어 대상체(9)의 일면(EMI 차폐막)을 향해 근접할 수 있고, 일측으로 이동되어 대상체(9)의 일면으로부터 멀어질 수 있다. 버 제거부(4)는 버의 적어도 일부가 자력에 의해 자석부(41)에 붙도록 자석부(41)를 대상체(9)의 일면(EMI 차폐막)을 향해 근접시킬 수 있고, 이 후, 자석부(41)를 대상체(9)의 일면으로부터 멀어지게 할 수 있다. 이 과정에서 버가 EMI 차폐막(91)으로부터 탈락되어 제거될 수 있다.In addition, the apparatus 1000 includes a deburring unit 4 for removing burrs. The EMI shielding layer may be made of a material including metal. The deburring unit 4 may include a magnet unit 41 that removes burrs by magnetic force. In addition, the deburring unit 4 may include a moving unit for moving the magnet unit 41 in one direction and the other direction. Accordingly, the magnet part 41 may be moved to the other side to approach one surface (EMI shielding film) of the object 9 , and may be moved to one side to be farther from the one surface of the object 9 . The deburring unit 4 may bring the magnet unit 41 toward the one surface (EMI shielding film) of the object 9 so that at least a portion of the burr is attached to the magnet unit 41 by magnetic force, and then, the magnet The part 41 may be moved away from one surface of the object 9 . In this process, the burr may be removed from the EMI shielding film 91 .

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present application is for illustration, and those of ordinary skill in the art to which the present application pertains will understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a dispersed form, and likewise components described as distributed may be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present application.

1: 차폐막 형성부
2: 레이저 조사부
3: 광 투과부재
4: 버 제거부
9: 대상체
91: EMI 차폐막
911: EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분
92: 솔더볼1: Shielding film forming part
2: laser irradiation unit
3: light transmitting member
4: deburring part
9: object
91: EMI shielding film
911: A portion located on the portion where the solder ball of the EMI shielding film is to be provided
92: solder ball

Claims (5)

대상체의 일면에 대한 EMI 차폐막을 형성하는 장치에 있어서,
대상체의 일면에 EMI 차폐막을 형성하는 차폐막 형성부;
상기 대상체의 상기 일면에 형성된 EMI 차폐막의 솔더볼이 구비될 부분 상에 위치하는 부분에 버(burr)가 발생하도록 레이저를 조사하는 레이저 조사부;
상기 레이저 조사부와 상기 대상체의 일면 사이에 배치되는 광 투과부재; 및
버를 제거하는 버 제거부를 포함하되,
상기 광 투과부재와 상기 EMI 차폐막 사이의 거리는 버의 끝단의 높이를 미리 설정된 높이 이하로 제한하도록 설정되는 것인,
EMI 차폐막 형성 장치.An apparatus for forming an EMI shielding film on one surface of an object, the apparatus comprising:
a shielding film forming unit for forming an EMI shielding film on one surface of the object;
a laser irradiator for irradiating a laser so as to generate a burr on a portion of the EMI shielding film formed on the one surface of the object located on a portion to be provided with a solder ball;
a light transmitting member disposed between the laser irradiation unit and one surface of the object; and
Including a deburring unit for removing the burr,
The distance between the light transmitting member and the EMI shielding film is set to limit the height of the tip of the burr to a predetermined height or less,
EMI shielding film forming device. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 흡입하는 흡입 홀이 형성되고,
상기 흡입 홀은 상기 레이저 조사부의 레이저 조사시 발생되는 연기를 흡입하는 것인, EMI 차폐막 형성 장치.According to claim 1,
A suction hole for sucking gas is formed on a surface of the light transmitting member facing the object,
The suction hole is an EMI shielding film forming apparatus that sucks smoke generated when the laser irradiation unit is irradiated with a laser. 제1항에 있어서,
상기 광 투과부재의 상기 대상체를 향하는 면에는 기체를 배출하는 배출 홀이 형성되고,
상기 배출 홀은 버의 끝단의 높이가 낮아지도록 기체를 배출하는 것인, EMI 차폐막 형성 장치.According to claim 1,
An exhaust hole for discharging gas is formed on a surface of the light transmitting member facing the object,
The discharge hole will discharge the gas so that the height of the tip of the burr is lowered, the EMI shielding film forming apparatus. 제1항에 있어서,
상기 EMI 차폐막은 metal을 포함하는 소재로 이루어지고,
상기 버 제거부는, 자력으로 상기 버를 제거하는 자석부를 포함하는 것인, EMI 차폐막 형성 장치.
According to claim 1,
The EMI shielding film is made of a material including a metal,
The deburring unit, the EMI shielding film forming apparatus comprising a magnet unit for removing the burr by magnetic force.
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