KR20230062023A - 커패시터 부품 및 외부전극 형성용 페이스트 - Google Patents

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강범석
박성한
김정렬
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Abstract

본 개시에 따른 커패시터 부품은, 유전체층 및 내부전극층을 포함하는 바디; 및 상기 바디의 일면에 배치되는 외부전극; 을 포함하고, 상기 외부전극은, 도전성의 베이스 및 상기 베이스 내에 배치된 글래스를 포함하고, 상기 글래스는, 상기 글래스 전체 중량 대비 0.01 wt 이상 5.8 wt% 이하의 질소(N)를 포함한다.

Description

커패시터 부품 및 외부전극 형성용 페이스트{CAPACITOR COMPONENT AND PASTE FOR EXTERNAL ELECTRODE}
본 발명은 커패시터 부품 및 외부전극 형성용 페이스트에 관한 것이다.
커패시터 부품 중 하나인 MLCC는 소형이면서도 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 통신, 컴퓨터, 가전, 자동차 등의 산업에 사용되는 중요한 칩 부품이고, 특히, 휴대전화, 컴퓨터, 디지털 TV 등 각종 전기, 전자, 정보 통신 기기에 사용되는 핵심 수동 소자이다.
최근에는 전자 기기의 소형화 및 고성능화에 따라 MLCC 또한 소형화 및 고용량화되는 추세이며, 이런 흐름에 따라 커패시터 부품의 고신뢰성을 확보하는 중요도가 높아지고 있다.
MLCC의 초소형화, 신뢰성 확보를 위해서는 유전체층와 내부전극층의 박층화 뿐만이 아니라, 외부전극의 박층화 기술 개발 또한 매우 중요하다. 초소형 MLCC의 경우, 제품 설계 시 10㎛ 이하 두께의 외부전극이 요구되고 있으나, 기존 외부전극 재료를 통한 박층화 진행 시 외부전극 기밀성이 감소하는 부효과가 발현하게 된다. 외부전극 신뢰성을 구현할 수 있는 재료 개발이 필요하다.
국내공개특허 제2021-0071496호
본 발명의 목적 중 하나는 외부전극의 글래스 매트릭스 강화를 통해 내습 특성을 향상시킬 수 있는 커패시터 부품을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면은, 유전체층 및 내부전극층을 포함하는 바디; 및 상기 바디의 일면에 배치되는 외부전극; 을 포함하고, 상기 외부전극은, 도전성의 베이스 및 상기 베이스 내에 배치된 글래스를 포함하고, 상기 글래스는, 상기 글래스 전체 중량 대비 0.01 wt 이상 5.8 wt% 이하의 질소(N)를 포함하는 커패시터 부품을 제공한다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 커패시터 부품의 외부전극의 글래스 매트릭스 강화를 통해 내습 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따른 단면을 개략적으로 나타내는 도면.
도 3은 도 2의 A 영역을 확대한 것을 개략적으로 나타내는 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
또한, 각 실시 형태의 도면에서 나타난 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 설명한다.
덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 "포함"한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "상에" 형성된다고 하는 것은 직접적으로 접촉하여 형성되는 것을 의미할 뿐 아니라, 사이에 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미할 수 있는 것으로 문맥에 따라 적절히 해석되어야 한다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙이도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 2는 도 1의 I-I'선을 따른 단면을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 3은 도 2의 A 영역을 확대한 것을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 커패시터 부품(100)은 바디(110) 및 제1 및 제2 외부전극(130, 140)을 포함한다.
바디(110)는 커패시터의 용량 형성에 기여하는 부분으로서의 액티브 영역과, 상하 마진부로서 액티브 영역의 상하 부에 각각 형성되는 상부 및 하부 커버(112, 113)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에서, 바디(110)는 형상에 있어 특별히 제한은 없지만, 실질적으로 육면체 형상일 수 있다. 즉, 바디(110)는, 내부전극층(121, 122)의 배치에 따른 두께 차이 및 모서리부의 연마로 인하여, 완전한 육면체 형상은 아니지만 실질적으로 육면체에 가까운 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 실시 형태를 명확하게 설명하기 위해 육면체의 방향을 정의하면, 도면 상에 표시된 L, W 및 T는 각각 길이 방향, 폭 방향 및 두께 방향을 나타낸다. 여기서, 두께 방향은 유전체층이 적층된 적층 방향과 동일한 개념으로 사용될 수 있다.
또한, 바디(110)에서, T방향으로 서로 대향하는 양면을 제1 및 제2 면(1, 2)으로 정의하고, 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 L방향으로 서로 대향하는 양면을 제3 및 제4 면(3, 4)으로 정의하고, 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 제3 및 제4 면(3, 4)과 연결되고 W방향으로 서로 대향하는 양면을 제5 및 제6 면(5, 6)으로 정의한다. 이때, 제1 면(1)은 실장 면이 될 수 있다.
상기 액티브 영역은 복수의 유전체층(111)과, 유전체층(111)을 사이에 두고 복수의 제1 및 제2 내부전극층(121, 122)이 번갈아 적층되는 구조로 이루어질 수 있다.
유전체층(111)은 고유전률을 갖는 세라믹 분말, 예를 들어 티탄산바륨(BaTiO3)계 또는 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 분말을 이용해 형성될 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 예로서, 티탄산바륨(BaTiO3)계 분말을 이용해 유전체층(1110)이 형성된다고 함은, 티탄산바륨(BaTiO3) 분말을 주성분으로 하여, 주성분에 부성분 분말을 추가한 것을 이용하였음을 의미할 수 있다. 부성분은, 티탄산바륨(BaTiO3)의 페로브스카이트 구조(ABO3)에서, 바륨(Ba) 및/또는 티타늄(Ti)의 격자 위치, 즉, A-site 및/또는 B-site를 치환(substitute) 또는 침입(interstitial)할 수 있는 원소의 양이온을 포함하는 화합물(산화물 및 질화물 등을 의미한다)을 포함할 수 있다.
유전체층(111)의 두께는 커패시터 부품(100)의 용량 설계에 맞추어 임의로 변경할 수 있으며, 바디(110)의 크기와 용량을 고려하여 1 층의 두께는 소성 후 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛이 되도록 구성할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 유전체층(111)의 두께라고 함은, W 방향 중앙부에서 취한 바디(100)의 L-T 단면에 대한 광학 현미경 사진 또는 SEM 사진에 도시된 어느 하나의 유전체층(111)의 T 방향을 따른 수치(dimension)를 L 방향으로 복수회 측정한 산술 평균 값을 의미할 수 있다. 여기서, L 방향을 따른 복수회 측정은, L 방향을 따라 등간격일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 또는 유전체층(111)의 두께라고 함은, 상기 사진에 도시된 복수의 유전체층(111) 각각에 대해 전술한 T 방향을 따른 수치의 산술 평균 값을 구하고, 이들의 합을 유전체층(111)의 총 수로 나눈 값을 의미할 수 있다.
제1 및 제2 내부전극층(121, 122)은 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 마주하도록 배치될 수 있다.
제1 및 제2 내부전극층(121, 122)은 유전체층(111) 형성을 위한 유전체 그린시트 상에 소정의 두께로 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트를 인쇄하여 유전체그린시트를 사이에 두고 유전체 그린시트의 적층 방향을 따라 적층된 후 이러한 적층체를 소결함으로써 형성될 수 있다. 제1 및 제2 내부전극층(121, 122)은 적층체가 소결되어 형성된 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)을 통해 번갈아 노출되도록 형성될 수 있으며, 중간에 배치된 유전체층(111)에 의해 서로 전기적으로 절연될 수 있다.
이러한 제1 및 제2 내부전극층(121, 122)은 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)을 통해 번갈아 노출되는 부분을 통해 제1 및 제2 외부전극(130, 140)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
따라서, 제1 및 제2 외부전극(130, 140)에 전압을 인가하면 서로 대향하는 제1 및 제2 내부전극층(121, 122) 사이에 전하가 축적되고, 이때 커패시터 부품(100)의 정전 용량은 제1 및 제2 내부전극층(121, 122)의 서로 중첩되는 영역의 면적과 비례하게 된다.
이러한 제1 및 제2 내부전극층(121, 122)의 두께는 용도에 따라 결정될 수 있으며, 예를 들어 세라믹 바디(110)의 크기와 용량을 고려하여 0.1 ㎛ 내지 1.0 ㎛의 범위 내에 있도록 결정될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 예로서, 제1 내부전극층(121)의 두께라고 함은, 전술한 유전체층(111)의 두께에 대한 측정 방법과 동일한 측정 방법으로 산출될 수 있다.
제1 및 제2 내부전극층(121, 122)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상부 및 하부 커버(112, 113)는 내부전극층을 포함하지 않는 것을 제외하고는 상기 액티브영역의 유전체층(111)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 또는, 커버(112, 113)은, 유전체층(111)과 상이한 재질인 세라믹 유전체 분말을 이용해 형성될 수 있다. 여기서, 커버(112, 113)가 유전체층(111)과 상이한 재질의 세라믹 유전체 분말을 이용해 형성된다고 함은, 커버(112, 113) 형성을 위해 이용되는 유전체 분말과, 유전체층(111) 형성을 위해 유전체 분말이, 서로 동일한 원소로 구성되나 이들 간의 비가 상이한 것을 의미할 수 도 있으며, 전술한 부성분의 원소의 종류가 상이함을 의미할 수도 있으며, 전술한 부성분의 원소의 함량이 상이함을 의미할 수도 있다.
상부 및 하부 커버(112, 113)는 단일 유전체층 또는 2 개 이상의 유전체층을 상기 액티브 영역의 상하 면에 각각 T방향으로 적층하여 형성된 것으로 볼 수 있으며, 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 제1 및 제2 내부전극층(121,122)의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
외부전극(130, 140)은 바디(100)의 제3 및 제4 면(103, 104)에 배치되어, 내부전극층(121, 122)과 연결된다. 구체적으로, 제1 외부전극(130)은 바디(110)의 제3 면(103)에 배치되어 바디(110)의 제3 면(103)으로 노출된 제1 내부전극층(121)과 연결된다. 제2 외부전극(140)은 바디(110)의 제4 면(104)에 배치되어 바디(110)의 제4 면(104)으로 노출된 제2 내부전극층(122)과 연결된다. 제1 및 제2 외부전극(130, 140)은 제1 전극층(131, 141), 및 제1 전극층(131, 141) 상에 배치되는 제2 전극층(132, 142)을 각각 포함할 수 있다. 한편, 제1 및 제2 외부전극(130, 140)은 내부전극층(121, 122)과의 연결 관계, 및 바디(110)에 형성된 위치만 상이하다. 따라서, 이하에서는 설명의 편의를 위해, 바디(110)의 제3 면(103)에 배치된 제1 외부전극(130)을 중심으로 설명하기로 하고, 제2 외부전극(140)에 대한 설명은 생략하기로 한다. 제1 외부전극(130)에 대한 후술할 설명은 제2 외부전극(140)에도 동일하게 적용될 수 있다.
제1 전극층(131)은 바디(110)의 제3 면(3)을 통해 노출된 제1 내부전극층(121)과 각각 접촉되어 직접적으로 연결됨으로써 제1 외부전극(130)과 제1 내부전극층(121) 간의 전기적 도통을 확보한다.
제1 전극층(131)은 도전성의 베이스(131a) 및 베이스(131a) 내에 배치된 글래스(131b)를 포함한다. 예로서, 제1 전극층(131)은, 외부전극 형성용 페이스트를 바디(110)의 제3 면(103)에 도포하고, 이를 소결함으로써 형성될 수 있다.
도전성 베이스(131a)는 제1 전극층(131)의 매트릭스를 구성하는 것으로, Cu, Ag, Pt, Ni, Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 도전성 베이스(131a)는 Cu 일 수 있으나, 본 발명의 범위가 이에 제한되는 것은 아니다.
글래스(131b)는, 제1 전극층(131)의 도전성 베이스(131a) 내에 배치되고, 제1 전극층(131)을 치밀화하기 위해 포함된다. 글래스(131b)로 인해 제1 전극층(131)의 내습 특성이 향상될 수 있다. 글래스(131b)는, 글래스(131b) 전체 중량 대비 0.01 wt% 이상 10 wt% 이하, 바람직하게는 5.8 wt% 이하의 질소(N)를 포함한다. 질소의 중량 비가 5.8 wt% 가 되기까지는 내습 특성(투습도)가 점점 증가하나, 질소의 중량 비가 5.8 wt% 를 초과하는 경우에는 내습 특성이 포화될 수 있다.
외부전극 형성용 페이스트는, 도전성 분말, 글래스 분말, 및 바인더를 포함한다. 페이스트의 도전성 분말은 페이스트 소결 과정에서 서로 연결되어 제1 전극층(131)의 도전성 베이스(131a)가 될 수 있다. 페이스트의 글래스 분말은 페이스트 소결 과정에서 서로 연결되어 제1 전극층(131)의 글래스(131b)가 될 수 있다. 한편, 페이스트 레벨에서의 글래스 분말의 조성과, 제1 전극층(131) 레벨에서의 글래스의 조성은 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 페이스트에 적용된 글래스 분말의 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
페이스트의 도전성 분말은, Cu, Ag, Pt, Ni, Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제한되지 않는 예로서, 페이스트는, 도전성 분말로서, Cu 분말 만을 포함하거나, Cu를 포함하는 제1 도전성 분말과, Ag를 포함하는 제2 도전성 분말을 포함할 수 있으나 본 발명의 범위가 이에 제한되는 것은 아니다.
페이스트의 글래스 분말은 질소(N)를 포함할 수 있다. 글래스 분말 내에서 질소(N)는 규소(Si)와 결합된 형태일 수 있다. 질소(N)는 글래스 매트릭스 내 산소(≡Si-O≡Si)를 질소[(≡Si)3≡N]로 치환하는데, 2배위의 산소(O)가 3배위의 질소(N) 치환됨에 의해 글래스 매트릭스의 가교 밀도가 증대하고, oxynitride 구조의 공유결합에 의해 유리 망목(glass network)이 더욱 강화된다. 한편, 유리 망목 구조의 강화에 따라 유리 망목의 자유 체적이 감소되며, 이를 통해 수분 및 도금액에 기인한 이온 교환을 억제하여 글래스 침출을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 따라서, 내수성/내산성/내알칼리성과 같은 화학적 성질이 현저히 개선될 수 있다. 예로서, 글래스 분말 내에서 질소(N)의 함량은, 0.01 wt% 이상 10 wt% 이하일 수 있으며, 바람직하게는 5.8 wt% 이하일 수 있다. 상기 함량이 0.01 wt% 미만인 경우에는 제1 전극층(131)의 내습 특성이 저하될 수 있다. 상기 함량이 5.8 wt% 초과인 경우에는 제1 전극층(131)의 내습 특성은 담보할 수 있으나, 내습 특성이 포화되어 그 효과의 증가가 미미할 수 있다.
페이스트의 글래스 분말은, 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 및 이트륨(Y) 로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 제한되지 않는 예로서, 글래스 분말은, 주석(Sn), 철(Fe), 및 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 4.5wt% 이하로 함유할 수 있다. 예로서, 글래스 분말은, 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 및 이트륨(Y) 로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 산화물을 더 포함할 수 있다. 제한되지 않는 예로서, 글래스 분말은, SnO2, Fe2O3 및 NiO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. SnO2, Fe2O3, 및 NiO는 제1 전극층(131) 내에서 도전성 베이스(131a)와 글래스(131b) 간의 젖음성(wetability)을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 외부전극(131)의 치밀도 개선으로 내습 특성을 향상시킬 수 있다. 글래스 분말에서, SnO2, Fe2O3 및 NiO 중 적어도 하나는 7 wt% 이하로 함유할 수 있다. SnO2, Fe2O3 및 NiO 중 적어도 하나의 함량이 7 wt% 를 초과하는 경우에는, 페이스트 소결 시 글래스의 결정화가 진행되어 글래스(131b)로 인한 치밀화의 효과가 저하될 수 있다.
페이스트의 글래스 분말은, 5 wt% 이상 55 wt% 이하의 SiO2, 10 wt% 이상 50 wt % 이하의 BaO, 10 wt% 이상 25 wt% 이하의 알칼리 금속 산화물, 1 wt% 이상 10 wt% 이하의 CaO, 5 wt% 이상 25 wt% 이하의 B2O3, 1 wt% 이상 25 wt% 이하의 Al2O3, 1 wt% 이상 20 wt% 이하의 ZnO를 더 포함할 수 있다. 여기서, SiO2 함량이 높아질수록 글래스 매트릭스 결합 강화로 인해 융점이 상승하며 점도 상승 효과를 가지게 된다. BaO, 알칼리 금속 산화물, 및 CaO는, 염기성 산화물로서, 그 함량이 증가할수록 글래스 융점 저하 및 매트릭스 내 비가교 산소 증대에 의한 글래스 유동성을 향상시키는 역할을 할 수 있다. B2O3 는 함량이 증가할수록 융점 저하 및 유리화 경향을 향상시키나, 도금액에 의한 글래스 침출에 취약해진다. Al2O3는 함량 증가에 따라 내식성 및 글래스 구조 강화 역할을 하나 결정화가 용이해질 수 있다. ZnO는 양쪽성 산화물로 작용하며 조핵 억제의 기능이 있다.
예로서, 글래스 분말은, a) 5 wt% 이상 55 wt% 이하의 SiO2, b) 10 wt% 이상 50 wt % 이하의 BaO, c) 10 wt% 이상 25 wt% 이하의 알칼리 금속 산화물, d) 1 wt% 이상 10 wt% 이하의 CaO, e) 5 wt% 이상 25 wt% 이하의 B2O3, f) 1 wt% 이상 25 wt% 이하의 Al2O3, g) 1 wt% 이상 20 wt% 이하의 ZnO, h) 0.1 wt% 이상 10 wt% 이하의 질화물, 및 i) 7 wt% 이하의 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 및 이트륨(Y)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 산화물들을 서로 화학적으로 결합시킴으로써 제조될 수 있다.
표 1은, 글래스 분말 내에서 질소(N)의 중량 비를 변화시키면서 내습 특성을 측정한 것을 나타낸 것이다.
내습 특성은, 수분 투과도 측정기를 이용하여, 외부전극 페이스트를 소결한 제1 전극층의 투습율(Water Vapor Transmission Rate, mg/m2·day)과 소결막 두께(m)를 이용해 투습도 (mg/m·day) 로 정량화하였다. 한편, 질소(N)의 함량은, 페이스트 레벨에서의 글래스 분말 내에서의 질소 함량과, 제1 전극층 레벨에서의 글래스 내에서의 질소 함량이 실질적으로 동일하였다.
질화물의 함량(wt%) 질소(N)의 함량(wt%) 투습도 (mg/m·day)
#1 0 0 0.028
#2 2 0.6 0.015
#3 4 1.1 0.007
#4 6 2.5 0.007
#5 10 5.8 0.004
#6 15 5.8 0.004
표 1에서와 같이, 글래스 내에서 질소 함량이 증가할수록 내습 특성이 증가함을 알 수 있다. 한편, 글래스 분말을 제조함에 있어, 질화물의 함량을 증가시킬수록 글래스 분말 내에 용해되는 질소의 함량은 증가하나, 예 5 및 예 6에서와 같이, 질화물의 함량이 증가하더라도 글래스 분말 내 질소의 함량은 5.8 wt% 가 상한치인 것으로 판단된다. 따라서, 글래스 및 글래스 분말 내에서 질소의 함량이 0.01 wt% 이상 5.8 wt% 이하인 경우에는, 내습 특성이 향상됨을 알 수 있다.
제2 전극층(132)은 제1 전극층(131)에 배치된다. 제2 전극층(132)은 제1 전극층(131)의 도전성 베이스(131a) 및 글래스(131b) 각각과 접촉할 수 있다. 제한되지 않는 예로서, 제2 전극층(132)은, 전해 도금으로 형성된 도금층일 수 있다. 제2 전극층(132)은, 예컨대 니켈 도금층과 주석 도금층이 순서대로 적층된 구조일 수 있다. 니켈 도금층은 제1 전극층(131)의 도전성 베이스(131a) 및 글래스(131b) 각각과 접촉될 수 있고, 결과, 제1 및 제2 전극층(131, 132)은 서로 물리적 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 외부전극(130)은 바디의 제3 면(3)에 형성되는 접속부와, 상기 접속부에서 바디(110)의 제1 면(1), 제2 면(2), 제5 면(105) 및 제6 면(106) 각각의 적어도 일부까지 연장되는 밴드부를 포함할 수 있다. 다만, 본 실시예의 범위가 상기의 설명에 제한되는 것은 아니고, 제1 외부전극(130)은, 예로서, L 형태, C 형태 등으로 다양하게 변형될 수 있다.
한편, 이상의 설명에서, 예로서, 글래스(131b) 내에서 질소(N)의 존재 및 그 중량비(wt%)는, 커패시터 부품(1)의 두께 방향(T) 중앙에서 취한 길이 방향-폭 방향 단면(LW 단면)에 대한 SEM 이미지를 기준으로, 상기 이미지에 도시된 제1 전극층(131)의 접속부의 3개 영역 및 각각의 밴드부의 3개 영역 총 9개의 영역 내의 글래스(131b)에 대해 EDS 매핑을 수행하고 이를 산술 평균한 것으로부터 취득될 수 있다. 상기 총 9개의 영역은, 서로 등각격일 수 있으나 본 발명의 범위가 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 설명은, 전술한 글래스(131b) 내에서 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 및 이트륨(Y)의 존재 및 그 중량비(wt%)를 증명하는 것에도 동일하게 이용될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능 하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100: 커패시터 부품
110: 바디
111: 유전체층
121, 122: 제1 및 제2 내부전극층
130, 140: 제1 및 제2 외부전극
131, 141: 제1 전극층
132, 142: 제2 전극층
100: 커패시터 부품

Claims (10)

  1. 유전체층 및 내부전극층을 포함하는 바디; 및
    상기 바디의 일면에 배치되는 외부전극; 을 포함하고,
    상기 외부전극은, 도전성의 베이스 및 상기 베이스 내에 배치된 글래스를 포함하고,
    상기 글래스는, 상기 글래스 전체 중량 대비 0.01 wt 이상 5.8 wt% 이하의 질소(N)를 포함하는,
    커패시터 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 글래스는, 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 및 이트륨(Y) 로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는,
    커패시터 부품.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 글래스 전체 중량 대비, 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 및 이트륨(Y) 로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나는, 4.5 wt % 이하로 함유된,
    커패시터 부품.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 도전성 베이스는, Cu, Ag, Pt, Ni, Sn 중 적어도 하나를 포함하는,
    커패시터 부품.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 외부전극은,
    상기 도전성 베이스 및 상기 베이스 내에 배치된 글래스를 포함하는 제1 전극층과, 상기 제1 전극층에 배치된 제2 전극층을 가지는,
    커패시터 부품.
  6. 도전성 분말, 글래스 분말, 및 바인더를 포함하고,
    상기 글래스 분말은, 상기 글래스 분말 중량 대비 0.01 wt% 이상 5.8 wt% 이하의 질소(N)를 포함하는,
    외부전극 형성용 페이스트.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 글래스 분말은,
    주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 및 이트륨(Y) 로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 산화물을 더 포함하는,
    외부전극 형성용 페이스트.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 글래스 분말은, SnO2, Fe2O3 및 NiO 중 적어도 하나를 7 wt% 이하로 함유하는,
    외부전극 형성용 페이스트.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 도전성 분말은, Cu, Ag, Pt, Ni, Sn 중 적어도 하나를 포함하는, 외부전극 형성용 페이스트.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 글래스 분말은,
    5 wt% 이상 55 wt% 이하의 SiO2, 10 wt% 이상 50 wt % 이하의 BaO, 10 wt% 이상 25 wt% 이하의 알칼리 금속 산화물, 1 wt% 이상 10 wt% 이하의 CaO, 5 wt% 이상 25 wt% 이하의 B2O3, 1 wt% 이상 25 wt% 이하의 Al2O3, 및 1 wt% 이상 20 wt% 이하의 ZnO
    를 더 포함하는, 외부전극 형성용 페이스트.

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