KR20230048623A - 도전 페이스트, 프린트 배선판, 프린트 배선판의 제조방법, 프린트 회로판의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 별도 접착제를 사용하지 않아도, 전자 부품과의 접합 강도를 높일 수 있는 도전 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 유기 성분 및 도전성 입자를 함유하는 도전 페이스트로서, 상기 도전 페이스트의 건조막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P100)이 0.01MPa 이하이고, 140℃에서 30분 간 가열한 후의 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(C25)이 0.01MPa 이상인 도전 페이스트이다.
Description
본 발명은 도전 페이스트, 프린트 배선판, 프린트 배선판의 제조방법, 프린트 회로판의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 전자 부품을 프린트 배선판에 실장할 때에는 땜납에 의한 방법이 널리 이용되고 있었지만, 전자기기의 소형화에 따라서, 와이어 본딩 방식이나 플립 칩 방식이라고 불리는 실장방법이 널리 알려지게 되었다. 특히, 플립 칩 방식에서는 전자 부품의 전극과 프린트 배선판의 전극을 도전성 범프를 사용해서 전기적으로 접속함으로써 보다 소형의 전자 부품을 실장할 수 있다.
또한, 최근, 마이크로 LED라고 불리는 50㎛×50㎛ 이하의 LED 칩 등에 대해서도, 파인 피치에서의 실장이 활발히 검토되고 있고, 플립 칩 방식에 있어서의 LED 칩뿐만 아니라, 도전성 범프도 더욱 소형화가 요구되고 있다.
마이크로 LED의 실장방법으로서는 예를 들면, 프린트 배선판 표면에 도전성 미립자를 첨가한 도전성 포토레지스트 등을 도포한 후, 노광, 현상함으로써, 프린트 배선판의 전극 상에 도전성 범프를 형성한 후, 도전성 범프와 LED 전극을 도전성을 갖는 접착제를 통해서 접합시키는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1참조).
그러나, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는 도전성 범프와 LED 전극을 접합시키는데 별도 접착제가 필요하기 때문에, 공정수가 증가하고, 생산 효율이 나쁘다고 하는 문제가 있었다.
그래서, 본 발명은 별도 접착제를 사용하지 않아도, 저온 저압으로 LED를 실장할 수 있고, 또한 도전성 범프와 LED 전극의 접합 강도를 높일 수 있는 도전 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서, 주로 이하의 구성을 갖는다.
유기 성분 및 도전성 입자를 함유하는 도전 페이스트로서, 상기 도전 페이스트의 건조막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P100)이 0.01MPa 이하이고, 140℃에서 30분 간 가열한 후의 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(C25)이 0.01MPa 이상인 도전 페이스트.
본 발명의 도전 페이스트는 별도 접착제를 사용하지 않아도 저온 저압으로 접합 강도 높게 전자 부품을 실장할 수 있다.
도 1은 본 발명의 프린트 회로판의 제조방법의 일예를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 프린트 회로판의 제조방법의 다른 일예를 나타내는 개략도이다.
도 3은 실시예에 있어서 사용한 다이 시어(Die Shear) 강도 측정용 샘플의 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 프린트 회로판의 제조방법의 다른 일예를 나타내는 개략도이다.
도 3은 실시예에 있어서 사용한 다이 시어(Die Shear) 강도 측정용 샘플의 단면 모식도이다.
본 발명의 도전 페이스트는 유기 성분 중에 도전성 입자를 분산시킨 것을 말을 하고, 기판 상에 도포 후, 용제를 제거, 수지를 열경화시켜서 사용하는 비감광성의 도전 페이스트와 유기 성분을 조정해서 노광, 현상 프로세스에 의해 패턴 형성을 가능하게 한 감광성의 도전 페이스트도 포함한다.
<도전 페이스트>
본 발명의 도전 페이스트는 유기 성분 및 도전성 입자를 함유하는 도전 페이스트로서, 상기 도전 페이스트의 건조막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P100)이 0.01MPa 이하이고, 140℃에서 30분 간 가열한 후의 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(C25)이 0.01MPa 이상이다. 또한, 상기 도전 페이스트의 건조막의 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P25)이 0.1MPa 이상이면 공정 중의 접촉이나 외압에 의한 형상변화를 억제할 수 있는 등 작업성이 향상한다. 구체적 수치로서는 건조막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P100)이 0.00001∼0.01MPa이고, 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P25)이 0.1∼50000MPa이고, 140℃에서 30분 간 가열한 후의 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(C25)이 0.01∼100000MPa인 것으로 작업성과 저온 실장성을 양립할 수 있다. 또한, 100℃에 있어서의 건조막의 저장 탄성률 G'(P100)이 25℃에 있어서의 건조막의 저장 탄성률 G'(P25)의 1/10 이하이면 작업성과 저온 실장성의 양립이 보다 가능하게 된다.
상기 조건을 충족시키는 도전 페이스트로서 유기 성분에 카르복실기 함유 폴리머, 광중합 개시제, 에폭시 수지 및 노볼락형 페놀 수지를 함유한 도전 페이스트가 있다. 이들 성분을 함유하는 도전 페이스트는 실장 후의 다이 시어 강도를 보다 높일 수 있을 뿐 아니라, 건조막에의 노광, 현상 처리를 행하는 것에 의해 미세한 범프 형성이 가능하게 된다. 또한, 에폭시 수지의 경화 촉매를 함유함으로써 에폭시 수지의 경화 반응을 촉진하고, 보다 다이 시어 강도도 높게 할 수 있다.
또한, 도전 페이스트의 건조막에 i선(파장 365nm)의 노광량 500mJ/cm2로 노광한 후의 막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(E100)이 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(E25)의 1/10 이하이면 미세 가공성과 저온 실장성의 양립이 보다 가능하게 된다.
본 발명의 도전 페이스트 중에서 노광, 현상에 의해 패턴 형성할 수 있는 도전 페이스트는 감광성 성분 및 도전성 입자를 함유하는 감광성 도전 페이스트로서, 상기 감광성 도전 페이스트를 100℃에서 30분 간 건조하고, 얻어진 건조막을 i선(파장 365nm)의 노광량 500mJ/cm2로 노광하고, 0.1질량%의 탄산 나트륨 수용액으로 30초 샤워 현상한 후의 막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(D100)이 0.01MPa 미만이고, 상기 현상 후의 막을 140℃에서 30분 간 가열한 후의 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(C25)이 0.01MPa 이상이다.
여기서 「저장 탄성률 G'(D100)」이란 레오미터에 의해 현상 후의 막의 동적 점탄성 측정(온도 의존성)을 행한 경우의 저장 탄성률 G'이다. 동적 점탄성이란 재료에 있는 정현 주파수로 전단 변형을 가했을 때에, 정상 상태에 달한 경우에 나타내는 전단 응력을 변형과 위상의 일치하는 성분(탄성적 성분)과, 변형과 위상이 90° 지연된 성분(점성적 성분)으로 분해되고, 재료의 동적인 역학 특성을 해석하는 방법이다.
전단 변형에 위상이 일치하는 응력 성분을 전단 변형으로 나눈 것이 저장 탄성률 G'이다. 저장 탄성률 G'은 각 온도에 있어서의 동적인 변형에 대한 재료의 탄성을 나타내는 것이고, 현상 후의 막의 경도와 관련된다. 따라서, 각 측정 온도에 있어서의 저장 탄성률 G'은 현상 후의 막에 관한 이하와 같은 특성에 영향을 준다. 구체적으로는 G'(D100)는 현상 후의 막의 가열 시에 있어서의 유동성에 영향을 주고, G'(C25)는 경화 후의 막의 접합 강도에 영향을 준다.
상술한 현상 후의 막의 G'(D100)이 0.01MPa 미만인 것에 의해, 감광성 도전 페이스트를 사용해서 형성되는 범프와, 이것에 접합하는 전자 부품 간의 접합 강도가 향상한다. 이것은 프린트 배선판의 전극 상에 범프를 형성한 후, 100℃ 이상으로 가열하면서, 전자 부품의 전극부와 상기 범프를 가열 압착함으로써, 전자 부품의 전극 형상에 따라서 범프가 신속하게 유동, 변형하기 때문에, 범프와 전극 간에서 높은 밀착력이 얻어지기 때문이다. G'(D100)는 0.007MPa 이하인 것이 보다 바람직하다.
G'(D100)의 하한값은 특별히 제한은 없지만, 도전성 범프의 가열 압착 시의 유동성이 지나치게 높으면, 이웃이 되는 전자 부품과 전기적으로 접속하는 쇼트 불량이 발생하기 때문에, 이것을 방지하는 관점에서 0.002MPa 이상인 것이 바람직하다.
상술한 경화 후의 막은 G'(C25)이 0.01MPa 이상이고, 0.05MPa 이상인 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 가열 압착 시에는 유동성을 갖고 있었던 범프가 고정화되기 때문에, 전자 부품과 범프의 접합 강도가 향상한다.
G'(C25)의 상한값은 특별히 제한은 없지만, 전자 부품과 프린트 배선판을 접합한 후에 전자 부품의 동작 불량이 판명되었을 때의 리페어하기의 용이함의 관점에서, G'(C25)는 1.0MPa 이하인 것이 바람직하다.
일반적인 감광성 도전 페이스트의 경우, G'(D100)도 G'(C25)도 0.01MPa 이상인 경우가 많다. 이에 대하여, 본 발명과 같이, G'(C25)를 0.01MPa 이상으로 하면서, G'(D100)을 0.01MPa 미만으로 하는 방법으로서는 예를 들면, 페이스트 중에 후술하는 광중합성기를 갖는 카르복실기 함유 수지와, 광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지를 함유시키는 방법 등이 열거된다.
전자 부품과 범프의 접합 강도는 예를 들면, 다이 시어 강도에 의해 평가할 수 있다. 여기서 「다이 시어 강도」란 피접합 부재에 접합된 접합 부재에 수평 방향의 힘(전단 방향의 힘)을 가했을 때의 접합 강도를 나타내는 지표이다. 다이 시어 강도는 일반적인 다이 시어 강도 측정 장치를 사용해서 측정할 수 있다.
<감광성 성분>
본 발명의 도전 페이스트는 감광성 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 감광성 성분을 함유함으로써, 프린트 배선판의 전극 상에 위치 정밀도가 높고, 미세한 도전성 범프를 형성할 수 있다. 감광성 성분으로서는 예를 들면, 광중합 개시제, 불포화 이중 결합을 갖는 화합물, 광중합성기를 갖는 카르복실기 함유 수지 등이 열거된다.
<광중합 개시제>
본 발명의 도전 페이스트는 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제로서는 벤조페논 유도체, 아세토페논 유도체, 티오크산톤 유도체, 벤질 유도체, 벤조인 유도체, 옥심계 화합물, α-히드록시케톤계 화합물, α-아미노알킬페논계 화합물, 포스핀옥사이드계 화합물, 안트론 화합물, 안트라퀴논 화합물 등이 열거된다.
본 발명의 도전 페이스트 중에 있어서의 광중합 개시제의 함유량은 광중합성기를 갖는 카르복실기 함유 수지 100중량부에 대하여, 0.05∼30중량부가 바람직하다. 광중합 개시제의 함유량이 0.05중량부 이상이면, 노광부의 경화 밀도가 상승하고, 현상 후의 잔막율을 높게 할 수 있다. 한편, 광중합 개시제의 함유량이 30중량부 이하이면, 감광성 도전 페이스트를 도포해서 얻어지는 도포막 상부에 있어서의 광중합 개시제에 의한 과잉한 광흡수에 의한 배선 패턴 두꺼워짐을 억제하고, 미세 가공성을 보다 향상시킬 수 있다.
<불포화 이중 결합을 갖는 화합물>
본 발명의 도전 페이스트는 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 여기서 「불포화 이중 결합을 갖는 화합물」이란 불포화 이중 결합을 갖는 모노머를 의미한다. 불포화 이중 결합을 함유함으로써, 노광 시에 노광부의 가교 밀도를 향상시키고, 현상 마진을 넓게 할 수 있고, 미세 가공성을 보다 향상시킬 수 있다.
불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서는 예를 들면, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 1.4-부탄디올디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디메타크릴레이트, 글리세린디메타크릴레이트, 2-히드록시-3-아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸디메타크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 디옥산글리콜디아크릴레이트, 시클로헥산디메탄올디메타크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트, 에톡시화 (4)비스페놀A 디아크릴레이트, 에톡시화 (10)비스페놀A 디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물 등의 2관능 모노머; 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판에톡시트리아크릴레이트, 글리세린프로폭시트리아크릴레이트 등의 3관능 모노머; 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨에톡시테트라아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트 등의 4관능 모노머가 열거된다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.
본 발명의 도전 페이스트에 있어서의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 함유량은 광중합성기를 갖는 카르복실기 함유 수지 100중량부에 대하여 1∼100중량부가 바람직하다. 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 함유량이 1중량부 이상이면, 노광부의 가교 밀도가 높아지고, 미노광부와 노광부의 현상액에 대한 용해도차를 크게 할 수 있고, 미세 가공성을 향상시킬 수 있다. 한편, 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 함유량이 100중량부 이하이면, G'(D100)를 보다 저감시킬 수 있다.
<광중합성기를 갖는 카르복실기 함유 수지>
본 발명의 도전 페이스트는 감광성 성분으로서 광중합성기를 갖는 카르복실기 함유 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 이 수지가 카르복실기를 함유함으로써 알칼리 현상성을 높이고, 포토리소그래피법에 의한 미세 가공성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이 수지는 광중합성기를 갖기 때문에, 현상 후의 막에 유기 성분으로서 잔존한다. 그 때문에, 현상 시의 막감소(유기 성분의 감소)에 의해 막 중의 도전성 입자의 비율이 증가함으로써 G'(D100)이 증가한다,라고 하는 현상을 억제할 수 있다.
광중합성기를 갖는 카르복실기 함유 수지로서는 예를 들면, 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체, 카르복실산 변성 에폭시 수지, 카르복실산 변성 페놀 수지, 폴리아믹산, 카르복실산 변성 실록산 폴리머 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도, 자외광 투과율이 높은 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체 또는 카르복실산 변성 에폭시 수지가 바람직하고, 카르복실산 변성 에폭시 수지가 보다 바람직하다.
카르복실기 함유 아크릴계 공중합체로서는 아크릴계 단관능 모노머와 불포화산 또는 그 산무수물의 공중합체가 바람직하다.
아크릴계 단관능 모노머로서는 예를 들면, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 이소 프로판아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소데실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트, 벤질메르캅탄아크릴레이트, 아크릴아미드, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드, N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 메타크릴페놀, 메타크릴아미드페놀, γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N-(2-히드록시페닐)아크릴아미드, N-(3-히드록시페닐)아크릴아미드, N-(4-히드록시페닐)아크릴아미드, o-히드록시페닐아크릴레이트, m-히드록시페닐아크릴레이트, p-히드록시페닐아크릴레이트, o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌, 2-(2-히드록시페닐)에틸아크릴레이트, 2-(3-히드록시페닐)에틸아크릴레이트, 2-(4-히드록시페닐)에틸아크릴레이트 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다. 이들 중에서도, 에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트가 바람직하다.
불포화산 또는 그 산무수물로서는 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘 산, 크로톤산, 말레산, 푸말산, 아세트산비닐이나, 이들의 산무수물 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다. 불포화산의 공중합비에 의해, 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체의 산가를 조정할 수 있다.
카르복실산 변성 에폭시 수지로서는 에폭시 화합물과 불포화산 또는 불포화산 무수물의 반응물이 바람직하다. 여기서, 카르복실산 변성 에폭시 수지란 에폭시 화합물의 에폭시기를 카르복실산 또는 카르복실산 무수물로 변성한 것이고, 에폭시기는 포함되어 있지 않다.
에폭시 화합물로서는 예를 들면, 글리시딜에테르류, 글리시딜아민류, 에폭시 수지 등이 열거된다. 보다 구체적으로는 글리시딜에테르류로서는 예를 들면, 메틸글리시딜에테르, 에틸글리시딜에테르, 부틸글리시딜에테르, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 트리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 비스페놀A 디글리시딜에테르, 수첨 비스페놀A 디글리시딜에테르, 비스페놀F 디글리시딜에테르, 비스페놀S 디글리시딜에테르, 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르, 비페놀디글리시딜에테르, 테트라메틸비페놀글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트 등이 열거된다. 글리시딜아민류로서는 예를 들면, tert-부틸글리시딜아민 등이 열거된다. 에폭시 수지로서는 예를 들면, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 수첨 비스페놀A형 에폭시 수지 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
상술의 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체나 카르복실산 변성 에폭시 수지에, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 불포화 이중 결합을 도입할 수 있다. 카르복실기 함유 수지에 불포화 이중 결합을 도입함으로써, 노광 시에 노광부의 가교 밀도를 향상시키고, 현상 마진을 넓게 할 수 있고, 미세 가공성을 보다 향상시킬 수 있다.
광중합성기를 갖는 카르복실기 함유 수지의 산가는 예를 들면, 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체의 경우, 구성 성분 중의 불포화산의 비율에 의해, 소망의 범위로 조정할 수 있다. 카르복실산 변성 에폭시 수지의 경우, 다염기산 무수물을 반응시킴으로써, 소망의 범위로 조정할 수 있다. 카르복실산 변성 페놀 수지의 경우, 구성 성분 중의 다염기산 무수물의 비율에 의해, 소망의 범위로 조정할 수 있다.
<에폭시 수지>
본 발명의 도전 페이스트는 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지를 함유함으로써 도전성 범프와 LED 전극 등의 전자 부품의 접합 강도를 높일 수 있다. 에폭시 수지로서는 비스페놀A형, 크레졸노볼락형, 페놀노볼락형, 비스페놀A 노볼락형, 디시클로펜타디엔형, 나프탈렌형 등이 열거되고, 그 중에서도 연화점이 30℃ 이상, 100℃ 이하인 것이 바람직하다. 연화점이 30℃ 이상이면 가열 압착 시의 과잉 유동에 의한 근방 범프와의 쇼트 불량의 발생을 억제할 수 있고, 100℃ 이하이면, 저온에서의 부품 실장이 가능하게 된다. 보다 구체적으로는 DIC Corporation 제품의 EPICRON N-660(연화점 61∼69℃), EPICRON N-670(연화점 68∼76℃), EPICRON N-680(연화점 80∼90℃), EPICRON N-770(연화점 65∼75℃), EPICRON N-775(연화점 70∼80℃), EPICRON N-865(연화점 64∼72℃), EPICRON N-890(연화점 75∼90℃), EPICRON HP-7200L(연화점 50∼60℃), EPICRON HP-7200(연화점 57∼68℃), EPICRON HP-7200H(연화점 75∼90℃), EPICRON HP-4700(연화점 85∼98℃), Nippon Kayaku Co., Ltd. 제품의 KAYARAD NC-3000(연화점 53∼63℃), NC-3000H(연화점 65∼75℃) 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다.
<노볼락형 페놀 수지>
본 발명의 도전 페이스트는 노볼락형 페놀 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 노볼락형 페놀 수지를 함유함으로써 도전성 범프와 LED 전극 등의 전자 부품과의 접합 강도를 높일 수 있다. 그 중에서도 연화점이 30℃ 이상, 100℃ 이하인 것이 바람직하다. 연화점이 30℃ 이상이면 가열 압착 시의 과잉 유동에 의한 근방 범프와의 쇼트 불량의 발생을 억제할 수 있고, 100℃ 이하이면, 저온에서의 부품 실장이 가능하게 된다. 보다 구체적으로는 Nippon Kayaku Co., Ltd. 제품의 KAYARAD GPH-65(연화점 63∼69℃), KAYARAD GPH-103, Meiwa Plastic Industries, Ltd. H-4(연화점 67∼75℃), HF-1M(연화점 82∼86℃), HF-3M(연화점 94∼98℃), MEHC-7800-4S(연화점 61∼65℃), MEHC-7800SS(연화점 63∼67℃), MEHC-7800S(연화점 72∼78℃), MEHC-7800M(연화점 78∼84℃), MEHC-7851-SS(연화점 64∼69℃), MEHC-7851-S(연화점 70∼75℃), MEHC-7851-M(연화점 74∼79℃), MEHC-7851-H(연화점 80∼85℃), MEHC-7841(연화점 58∼65℃) 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
본 발명에 있어서의 에폭시 수지, 노볼락형 페놀 수지의 합계 첨가량으로서는 카르복실기 함유 폴리머 100중량부에 대하여 1∼100중량부가 바람직하다. 에폭시 수지와 노볼락형 페놀 수지의 합계 첨가량이 1중량부 이상이면 도전성 범프와 LED 전극 등의 전자 부품과의 접합 강도를 높일 수 있고, 100중량부 이하이면 현상 시의 용해성을 높일 수 있어 고해상도의 패터닝이 가능하게 된다. 에폭시 수지와 노볼락형 페놀 수지의 비율은 사용하는 에폭시 수지의 에폭시 당량과 노볼락형 페놀 수지의 수산기 당량의 비율에 따르는 것이 바람직하다.
<경화 촉진제>
본 발명의 도전 페이스트는 에폭시 수지와 노볼락형 페놀 수지의 경화를 촉진시키는 경화 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제를 함유함으로써 도전성 범프와 LED 전극 등의 전자 부품과의 접합 강도를 높일 수 있다. 보다 구체적으로는 이미다졸류, 디시안디아미드 유도체, 4급 암모늄염, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트가 열거된다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
본 발명에 있어서의 경화 촉진제의 첨가량은 에폭시 수지 100중량부에 대하여 0.01∼5중량부가 바람직하다. 경화 촉진제의 첨가량이 0.01중량부 이상이면 도전성 범프와 LED 전극 등의 전자 부품과의 접합 강도를 높일 수 있고, 5중량부 이하이면 가열 압착 시에 과잉으로 경화 반응이 진행되지 않고, 가열 압착 시의 온도 마진을 넓게 할 수 있다.
<광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지>
본 발명의 도전 페이스트는 광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지를 함유함으로써, 알칼리 현상성은 유지한 채, 현상 후의 막의 가열 시의 유연성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, G'(C25)을 0.01MPa 이상으로 유지하면서, G'(D100)을 0.01MPa 미만으로 저하시키도록 조제하는 것이 용이하게 된다.
광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지로서는 예를 들면, 카르복실기 함유 올리고머가 열거된다. 보다 구체적으로는 BASF SE 제품의 고형의 JONCRYL 67(유리 전이점 73℃), JONCRYL 678(유리 전이점 85℃), JONCRYL 611(유리 전이점 50℃), JONCRYL 693(유리 전이점 84℃), JONCRYL 682(유리 전이점 56℃), JONCRYL 690(유리 전이점 102℃), JONCRYL 819(유리 전이점 57℃), JONCRYL JDX-C3000A(유리 전이점 65℃), JONCRYL JDX-C3080(유리 전이점 134℃), 알칼리 수에서 용해시킨 JONCRYL 52J(유리 전이점 56℃), JONCRYL PDX-6157(유리 전이점 84℃), JONCRYL 60J(유리 전이점 85℃), JONCRYL 63J(유리 전이점 73℃), JONCRYL 70J(유리 전이점 102℃), JONCRYL JDX-6180(유리 전이점 134℃), JONCRYL HPD-196(유리 전이점 85℃), JONCRYL HPD-96J(유리 전이점 102℃), JONCRYL PDX-6137A(유리 전이점 102℃), JONCRYL 6610(유리 전이점 85℃), JONCRYL JDX-6500(유리 전이점 65℃), JONCRYL PDX-6102B(유리 전이점 19℃) 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
이들 중에서도, G'(D100)를 저하시키는 관점에서, 유리 전이점이 110℃ 이하의 것이 바람직하다. 또한, 고형의 카르복실기 함유 올리고머가 바람직하다.
또한, 유리 전이점은 예를 들면, 시차 주사 열량계(DSC-60A plus; Shimadzu Corporation 제품) 등을 사용한 시차 주사 열량 분석(DSC)에 의해 측정할 수 있다.
본 발명의 도전 페이스트에 있어서의 광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지의 함유량은 광중합성기를 갖는 카르복실기 함유 수지 100중량부에 대하여, 1∼50중량부가 바람직하다. 광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지의 함유량이 1중량부 이상이면 상술한 G'(D100)을 보다 저감할 수 있고, 전자 부품과 도전성 범프의 밀착력을 높이고, 경화 후의 막의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지의 함유량이 50중량 이하이면 현상 시의 패턴 박리를 억제할 수 있다. 광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지의 함유량은 5∼40중량부가 보다 바람직하다.
<도전성 입자>
본 발명의 도전 페이스트는 도전성 입자를 함유한다. 도전성 입자로서는 예를 들면, 은, 금, 구리, 백금, 납, 주석, 니켈, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 티탄, 인듐, 마그네슘, 코발트, 아연, 칼륨, 리튬, 철, 수은, 베릴륨, 카드뮴, 로듐, 루테늄, 이리듐이나 이들의 합금 등의 입자가 열거된다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도, 도전성의 관점에서 은, 금 및 구리로부터 선택되는 금속 입자가 바람직하고, 비용 및 안정성의 관점에서 은 입자가 보다 바람직하다. 또한, 도전성 입자는 수지나 무기 산화물 등의 표면을 피복한 것이어도 된다. 수지 입자나 무기 산화물 입자의 표면을 금속으로 피복한 도전성 입자는 실장 시에 수지입자에 의한 탄성 반발이 있기 때문에, 금속 입자가 바람직하다.
도전성 입자의 장축 길이를 단축 길이로 나눈 값인 애스펙트비는 1.1∼2.0이 바람직하다. 여기서, 도전성 입자의 애스펙트비는 주사형 전자현미경(SEM) 또는 투과형 전자현미경(TEM)을 사용해서 배율 15000배로 도전성 입자를 관찰하고, 무작위로 선택한 100개의 도전성 입자의 1차 입자에 대해서, 각각의 장축 길이 및 단축 길이를 측정하고, 양자의 평균값으로부터 산출할 수 있다.
도전성 입자의 평균 입자 지름은 0.05∼5.0㎛가 바람직하다. 도전성 입자의 평균 입자 지름이 0.05㎛ 이상인 것에 의해, 입자 간의 상호 작용을 적당하게 억제하고, 감광성 도전 페이스트 중에 있어서의 도전성 입자의 분산성을 향상시킬 수 있다. 도전성 입자의 평균 입자 지름은 0.1㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 도전성 입자의 평균 입자 지름이 5.0㎛ 이하인 것에 의해, 얻어지는 도전 패턴의 표면평활도, 패턴 정밀도 및 치수정밀도를 향상시킬 수 있다. 도전성 입자의 평균 입자지름은 2.0㎛ 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 도전성 입자의 평균 입자 지름은 레이저 조사형의 입도 분포계를 사용해서 측정할 수 있다. 측정에 의해 얻어진 입도 분포의 D50의 값을 도전성 입자의 평균 입자 지름(D50)으로 한다.
본 발명의 도전 페이스트에 있어서의 도전성 입자의 함유량은 전 고형분 중 30∼90중량%가 바람직하다. 도전성 입자의 함유량이 30중량% 이상이면 가열 소결 시의 도전성 입자끼리의 접촉 확률이 향상되고, 도전성을 향상시킬 수 있다. 도전성 입자의 함유량은 50중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 도전성 입자의 함유량이 90중량% 이하이면, 노광 공정에 있어서의 도막의 투광성이 향상되고, 미세가공성을 향상시킬 수 있다. 여기서 전 고형분이란 용제를 제외한 도전 페이스트의 전 구성 성분을 말한다.
<용제>
본 발명의 도전 페이스트는 용제를 함유할 수 있다. 용제로서는 예를 들면, N, N-디메틸아세트아미드(비점 165℃), N, N-디메틸포름아미드(비점 153℃), N-메틸-2-피롤리돈(비점 204℃), 디메틸이미다졸리디논(비점 225℃), 디메틸술폭시드(비점 189℃), γ-부티로락톤(비점 204℃), 락트산 에틸(비점 154℃), 1-메톡시-2-프로판올(비점 120℃), 1-에톡시-2-프로판올(비점 132℃), 디아세톤 알콜(비점 166℃), 테트라히드로푸르푸릴알콜(비점 178℃), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(비점 146℃), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(비점 217℃), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(비점 194℃), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(비점 230℃), 디에틸렌글리콜(비점 245℃), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트(비점 247℃), 2,2,4,-트리메틸-1,3-펜탄디올모노이소부티레이트(비점 253℃) 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.
특히, 20℃에 있어서의 물 100g에의 용해도가 80g 이상이고, 또한 비점이 200℃ 이상인 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸이미다졸리디논, γ-부티로락톤, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜이 바람직하다. 용제의 20℃에 있어서의 물 100g에의 용해도가 80g 이상이면, 감광성 도전 페이스트의 건조막 중의 잔존 용매가 현상 시의 현상액과 치환되기 쉬워 현상 후의 막 중의 잔존 용제를 저감할 수 있고, 가열 압착 시의 잔존 용제의 휘발을 방지함으로써 전자 부품과 도전성 범프의 접착 강도를 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 비점이 200℃ 이상이면 용제의 휘발이 억제되어, 감광성 도전 페이스트의 증점을 억제할 수 있다.
본 발명의 도전 페이스트에 있어서의 용제의 함유량은 전 페이스트 조성물 중 3∼30중량%가 바람직하다. 용제의 함유량이 3∼30중량%이면 도전 페이스트의 점도를 인쇄 등의 도포에 바람직한 범위로 할 수 있고, 양호한 도포성이 얻어진다.
<그 밖의 성분>
본 발명의 도전 페이스트는 그 소망의 특성을 손상하지 않는 범위이면, 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란커플링제, 소포제, 안료 등의 첨가제를 함유할 수 있다.
가소제로서는 예를 들면, 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린 등이 열거된다.
레벨링제로서는 예를 들면, 특수 비닐계 중합체, 특수 아크릴계 중합체 등이 열거된다.
실란 커플링제로서는 예를 들면, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란 등이 열거된다.
<프린트 배선판>
본 발명의 프린트 배선판은 본 발명의 도전 페이스트의 건조막 또는 건조막을 노광 및 현상한 후의 막을 구비한다. 이것에 의해, 가열 시에 유연해져서, 가열 후에 경화하는 점으로부터, 전자 부품을 접합시킬 때에 별도 접착제를 사용하지 않아도 경화 후의 전자 부품과의 접합 강도를 높일 수 있다.
<도전 페이스트, 감광성 도전 페이스트의 제조방법>
본 발명의 도전 페이스트는 에폭시 수지나 노볼락형의 페놀 수지 등의 열경화성 수지 성분이나, 노광 광에 반응하는 광중합 개시제, 불포화 이중 결합을 갖는 화합물이나 카르복실기 함유 폴리머, 광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지, 용제, 첨가제를 적당히 혼합한 유기물 중에 도전성 입자를 혼합함으로써 제조할 수 있다. 혼합 장치로서는 예를 들면, 3본 롤러 밀, 볼 밀, 유성식 볼 밀 등의 분산기나 혼련기 등이 열거된다.
<프린트 회로판의 제조방법>
이하, 도면을 참조하고, 본 발명의 프린트 회로판의 제조방법의 예시를 설명한다. 또한, 도면은 모식적인 것이다. 또한, 본 발명은 이하에 설명하는 예시에 의해 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 프린트 회로판의 제조방법의 하나는 프린트 배선판 상에, 본 발명의 도전 페이스트의 건조막을 형성하는 공정과, 상기 건조막을 노광 및 현상하고, 상기 프린트 배선판의 전극 상에 도전성 범프를 형성하는 공정과, 상기 도전성 범프 상에 전극을 갖는 전자 부품을 가열 압착하는 공정을 갖는다.
도 1은 본 발명의 프린트 회로판의 제조방법의 일례를 나타내는 공정도이다. 우선, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 프린트 배선판(2) 상에, 본 발명의 도전 페이스트의 건조막(1)을 형성한다.
프린트 배선판 상에 본 발명의 도전 페이스트의 건조막을 형성하는 공정에 있어서, 도포 방법으로서는 예를 들면, 스피너를 사용한 회전 도포, 스프레이 도포, 롤 코팅, 스크린 인쇄, 블레이드 코터, 다이 코터, 캘린더 코터, 메니스커스 코터 또는 바 코터를 사용한 도포 등이 열거된다.
감광성 도전 페이스트의 건조막의 막두께는 1∼10㎛가 바람직하다. 건조막의 막두께가 1㎛ 이상이면 도전성 범프의 저항값 편차의 억제나, 프린트 배선판과 전자 부품의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 한편, 건조막의 막두께가 10㎛ 이하이면, 노광 시에 광이 건조막의 막 심부까지 도달하기 쉬워져 현상 마진을 넓힐 수 있고, 또한 실장 시의 도전성 범프의 젖음 확장에 의한 쇼트도 억제할 수 있다. 건조막의 막두께는 2∼5㎛가 보다 바람직하다. 또한, 감광성 도전 페이스트의 건조막의 막두께는 예를 들면, "서프콤(등록상표)" 1400(TOKYO SEIMITSU CO., LTD. 제품) 등의 촉침식 단차계를 사용해서 측정할 수 있다. 보다 구체적으로는 랜덤한 3개의 위치의 막두께를 촉침식 단차계(측장: 1mm, 주사 속도: 0.3mm/sec)로 각각 측정하고, 그 평균값을 막두께로 한다.
건조 방법으로서는 예를 들면, 오븐, 핫플레이트, 적외선 등에 의한 가열 건조나, 진공 건조 등이 열거된다. 건조 온도는 50∼180℃가 바람직하고, 건조 시간은 1분 간∼수 시간이 바람직하다.
다음에, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 건조막(1)을 노광 및 현상하고, 상기 프린트 배선판(2)의 전극(3) 상에 도전성 범프(4)를 형성한다.
노광 방법으로서는 고압 수은 램프, 초고압 수은 램프, LED 등의 i선(파장 365nm), h선(파장 405nm) 또는 g선(파장 436nm)을 발하는 광원을 사용하고, 진공 흡착 노광, 프록시 노광, 프로젝션 노광, 직묘(直描) 노광 등의 각종 노광 방법이 열거된다.
또한, 노광 시에 있어서의 노광 광의 조도비(파장 365nm에 있어서의 조도): (파장 405nm에 있어서의 조도)가 1.1∼1.9인 것이 바람직하다. 조도비가 1.1 이상이면 과잉한 광반응이 일어나지 않고, 저온 저압 조건으로 전자 부품을 가열 압착할 수 있고, 조도비가 1.9 이하이면 노광부의 광반응이 효율적으로 진행되고, 현상 시의 프로세스 마진을 넓게 할 수 있다.
현상 방법으로서는 예를 들면, 노광한 감광성 도전 페이스트의 건조막을 갖는 기판을 정치 또는 회전시키면서 현상액을 건조막 면에 스프레이 하는 방법, 노광한 감광성 도전 페이스트의 건조막을 갖는 기판을 현상액 중에 침지하는 방법, 노광한 감광성 도전 페이스트의 건조막을 갖는 기판을 현상액 중에 침지하면서 초음파를 가하는 방법 등이 열거된다.
현상액으로서는 알칼리성의 수용액이 바람직하고, 예를 들면, 수산화 테트라메틸암모늄, 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산 디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 시클로헥실아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 수용액이 열거된다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다. 또한, 경우에 따라서는 이들의 수용액에, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤 등의 극성 용제; 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알콜류; 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류; 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 이소부틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류; 계면활성제 등을 1종 이상 첨가해도 된다.
현상 후, 린스액에 의한 린스 처리를 실시해도 된다. 린스액으로서는 예를 들면, 물 또는 물에 에탄올, 이소프로필알콜 등의 알콜류 또는 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류를 첨가한 수용액 등이 열거된다.
다음에, 도 1(c)에 나타내는 바와 같이, 도전성 범프(4) 상에 전극(6)을 갖는 전자 부품(5)을 가열 압착한다.
도전성 범프 상에 전극을 갖는 전자 부품을 가열 압착하는 공정에 있어서, 가열 온도는 60℃ 이상 250℃ 이하가 바람직하고, 60℃ 이상 160℃ 이하가 보다 바람직하다. 가열 온도를 60℃ 이상으로 함으로써 실온에서의 도전성 범프의 저장 탄성률 G'과, 실장 시의 도전성 범프의 저장 탄성률 G'의 차를 크게 하기 위한 감광성 도전 페이스트 설계가 용이하게 된다. 또한, 가열 온도를 250℃ 이하로 함으로써, 프린트 배선판 및 전자 부품의 열팽창이나 열수축을 작게 할 수 있기 때문에, 실장의 위치 정밀도를 보다 높일 수 있다.
가열 압착의 방법으로서는 플립칩 본더(Flip Chip Bonder)용의 가열 압착 툴이나 진공 다이아프램식 라미네이터 등을 사용할 수 있다. 가열 압착 시에 있어서 패턴에 초음파를 조사해도 된다. 초음파를 조사함으로써 보다 도전성 범프와 각 전극의 경화 후의 막의 접합 강도를 보다 향상시킬 수 있다. 가열 압착 시에 있어서 패턴에 레이저를 조사해도 된다. 레이저를 조사함으로써 도전성 범프의 소결이 단시간으로 진행되고, 생산 효율을 향상시킬 수 있다. 레이저 광원으로서는 특별히 한정되지 않지만, 금속의 흡수대에 따른 파장에 따라서 적당히 채용할 수 있다. 레이저 광원으로서는 예를 들면, 고체 레이저(루비, 유리, YAG 등), 반도체 레이저(GaAs, InGaAsP 등), 액체 레이저(색소 등), 기체 레이저(He-Ne, Ar, CO2, 엑시머 등)가 열거된다.
전자 부품으로서는 예를 들면, 적어도 1개의 접속용 단자를 갖는 LED칩, Mini LED칩, μLED칩, IC칩, LSI칩, 저항칩, 콘덴서칩 등의 칩형 전자 부품 등이 열거된다. 그 중에서도 μLED를 실장한 프린트 회로판은 고휘도, 전력 절약, 고응답 속도와, 뛰어난 디스플레이 특성을 갖는다. 또한, 전극을 갖는 전자 부품의 전극 표면에 0.5㎛ 이상의 요철을 갖는 것이 바람직하다. 0.5㎛ 이상의 요철을 가짐으로써, 실장 시에 요철부가 도전성 범프에 바이팅되어 높은 밀착성이 얻어져 경화 후의 막의 접합 강도가 향상한다.
본 발명의 프린트 회로판의 제조방법의 하나는 전극을 갖는 전자 부품의 전극이 존재하고 있는 면 상에, 본 발명의 도전 페이스트의 건조막을 형성하는 공정과, 상기 건조막을 노광 및 현상하고, 상기 전극을 갖는 전자 부품의 전극 상에 도전성 범프를 형성하는 공정과, 상기 도전성 범프 상에 전극을 갖는 전자 부품을 가열 압착하는 공정을 갖는다.
도 2는 본 발명의 프린트 회로판의 제조방법의 일례를 나타내는 공정도이다. 우선, 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 전극을 갖는 전자 부품(5)의 전극(6)이 존재하고 있는 면 상에 본 발명의 도전 페이스트의 건조막(1)을 형성한다. 감광성 도전 페이스트의 건조막을 형성하는 방법으로서는 상술한 방법과 동일한 방법을 사용할 수 있다.
다음에, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 건조막(1)을 노광 및 현상하고, 상기전극(6)을 갖는 전자 부품(5)의 전극(6) 상에 도전성 범프(4)를 형성한다. 도전성 범프를 형성하는 방법으로서는 상술한 방법과 동일한 방법을 사용할 수 있다.
다음에, 도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 프린트 배선판(2)의 전극(3) 상에 도전성 범프(4)를 가열 압착한다. 이들을 가열 압착하는 방법으로서는, 상술한 방법과 동일한 방법을 사용할 수 있다.
실시예
이하에 본 발명을 실시예 및 비교예를 들어서 상세하게 설명하지만, 본 발명의 형태는 이들에 한정되는 것은 아니다.
각 실시예에 있어서의 평가 방법은 이하와 같다.
<건조막의 저장 탄성률 G'(P25), G'(P100)의 측정 방법(1)>
막두께 1mm의 유리 기판 상에 실시예 1∼21 및 비교예 1에서 얻어진 도전 페이스트를, 건조 후의 막두께가 4㎛가 되도록 도포하고, 도포막을 100℃ 온도의 건조 오븐 내에서 10분 간 건조하고, 유리 기판 상에 건조막을 형성하고, 이하의 장치를 사용하고, 25℃와 100℃의 저장 탄성률을 각각 측정했다.
측정 장치: Triboindenter TI950(Hysitron사 제품)
측정 방법: 나노인덴테이션법
측정 모드: 연속 합성 측정법
측정 주파수 100Hz
사용 압자: 사파이어제 삼각 추압자(Berkovich 압자)
측정 온도: 25℃, 100℃.
<노광 후 막의 저장 탄성률 G'(E25), G'(E100)의 측정 방법(2)>
막두께 1mm의 유리 기판 상에 실시예 3∼21 및 비교예 1에서 얻어진 감광성 도전 페이스트를, 건조 후의 막두께가 4㎛가 되도록 도포하고, 도포막을 100℃ 온도의 건조 오븐 내에서 10분 간 건조하여 건조막을 얻은 후, 또한 i선(파장 365nm)의 노광량 500mJ/cm2로 노광하고, 유리 기판 상에 노광막을 형성하고, 이하의 장치를 사용하고, 25℃와 100℃의 저장 탄성률을 각각 측정했다.
측정 장치: Triboindenter TI950(Hysitron사 제품)
측정 방법: 나노인덴테이션법
측정 모드: 연속 합성 측정법
측정 주파수 100Hz
사용 압자: 사파이어제 삼각 추압자(Berkovich 압자)
측정 온도: 25℃, 100℃.
<현상 후 막의 저장 탄성률 G'(D100), 큐어 후의 저장 탄성률 G'(C25)의 측정 방법(3)>
막두께 75㎛의 PET 필름 "세라필(등록상표)"(Toray Inc. 제품)의 이형 처리면에, 실시예 3∼21 및 비교예 1에서 얻어진 감광성 도전 페이스트를, 건조 후의 막두께가 50㎛가 되도록 다이 코터로 도포하고, 도포막을 100℃ 온도의 건조 오븐 내에서 30분 간 건조하고, PET 필름 상에 건조막을 형성했다.
그 후, 초고압 수은 램프를 갖는 노광 장치(PEM-6M; Union Optical Co., LTD. 제품)를 사용하고, PET 필름 상의 건조막 전면에 i선(파장 365nm)의 노광량 500mJ/cm2로 노광을 행했다.
노광 후, 0.1중량%의 Na2CO3 수용액을 사용하고, 30초간 샤워 현상하고, 초순수에 의해 린스 처리를 행했다. 그 후, 현상 후의 막을 박리하고, 직경 18mm의 원형으로 잘라내고, 이하의 장치를 사용해서 현상 후 막의 저장 탄성률 G'(D100)을 측정했다.
상술한 방법과 동일하게, 막두께 75㎛의 PET 필름 "세라필"의 이형 처리면에, 실시예 1∼21 및 비교예 1에서 얻어진 도전 페이스트를, 건조 후의 막두께가 50㎛가 되도록 도포, 건조, 노광, 현상을 행했다. 그 후, 현상 후의 막을 140℃ 온도의 건조 오븐 내에서 30분 간 가열하고, 큐어막을 형성했다. 그 후, 큐어막을 박리하고, 직경 18mm의 원형으로 잘라내고, 이하의 장치를 사용해서 큐어막의 25℃에서의 저장 탄성률 G'(C25)을 측정했다.
측정 장치: 점도·점탄성 측정 장치 HAAKE MARSIII(Thermo Fisher SCIENTIFIC 제품)
측정 조건: OSC 온도 의존 측정
지오메트리: 평행 원판형(20mm)
각주파수: 1Hz
각속도: 6.2832rad/초
온도 범위: 25∼150℃(현상 후 막의 저장 탄성률 측정 시는 25℃로 설정)
승온 속도: 0.08333℃/초(큐어막의 저장 탄성률 측정 시만 설정)
샘플 형상: 원형(직경 18mm)
샘플 두께: 50㎛.
<다이 시어 강도의 측정 방법>
유리 기판 상에 실시예 1∼2에서 얻더진 도전 페이스트를, 건조 후의 막두께가 3㎛가 되도록 스크린 인쇄로 도포하고, 도포막을 100℃ 온도의 건조 오븐 내에서 10분 간 건조하고, 유리 기판 상에 건조막을 형성했다.
그 후, 0.7mm 두께의 실리콘 웨이퍼를 사방 2mm로 커팅한 웨이퍼 칩을 도전성 막 상에 놓고, 진공 다이어프램식 라미네이터(MVLP500/600; Meiki Co., Ltd. 제품)를 사용해서 실장한 후, 140℃ 온도의 건조 오븐 내에서 30분 간 가열해서 도3에 나타내는 다이 시어 강도 측정용 샘플을 얻었다. 실장 조건은 온도 120℃, 가압 압력 1MPa, 가압 시간 60초 간으로 했다. 그리고, 다이 시어 강도 측정 장치(Dage 시리즈 4000; Dage사 제품)를 사용해서 다이 시어 강도를 측정했다. 측정은 25℃에서, 전단 속도 200㎛/초에서 행했다.
실시예 3∼21 및 비교예 1에서 얻어진 감광성 도전 페이스트에 대해서는 유리 기판 상에 건조 후의 막두께가 3㎛가 되도록 스크린 인쇄로 도포하고, 도포막을 100℃ 온도의 건조 오븐 내에서 10분 간 건조하고, 유리 기판 상에 건조막을 형성했다.
그 후, 초고압 수은 램프를 갖는 노광 장치(PEM-6M; Union Optical Co., LTD. 제품)를 사용하고, 유리 기판 상의 건조막 전면에 i선(파장 365nm)의 노광량 500mJ/cm2로 노광을 행했다.
노광 후, 0.1중량%의 Na2CO3 수용액을 사용하고, 30초 간 샤워 현상하고, 초순수에 의해 린스 처리를 행하고, 유리 기판 상에 도전성 막을 형성했다.
그 후, 0.7mm 두께의 실리콘 웨이퍼를 사방 2mm로 커팅한 웨이퍼 칩을 도전성 막 상에 놓고, 진공 다이어프램식 라미네이터(MVLP500/600; Meiki Co., Ltd. 제품)를 사용해서 실장한 후, 140℃ 온도의 건조 오븐 내에서 30분 간 가열해서 도 3에 나타내는 다이 시어 강도 측정용 샘플을 얻었다. 실장 조건은 온도 120℃, 가압 압력 1MPa, 가압 시간 60초 간으로 했다. 그리고, 다이 시어 강도 측정 장치(Dage 시리즈 4000; Dage사 제품)를 사용해서 다이 시어 강도를 측정했다. 측정은 25℃에서, 전단 속도 200㎛/초로 행했다.
도 3은 다이 시어 강도 측정용 샘플의 단면 모식도이다. 도 3에 있어서, 유리 기판(8)에 형성된 도전성 막(9) 상에 웨이퍼 칩(10)이 접합되어 있다.
<실장 가능 온도의 측정 방법>
유리 기판 상에, 실시예 1∼2의 도전 페이스트를, 건조 후의 막두께가 3㎛가 되도록 스크린 인쇄로 도포하고, 도포막을 100℃ 온도의 건조 오븐 내에서 10분 간 건조하고, 유리 기판 상에 건조막을 형성했다.
그 후, 0.7mm 두께의 실리콘 웨이퍼를 사방 2mm로 커팅한 웨이퍼 칩을 건조막 상에 놓고, 진공 다이어프램식 라미네이터(MVLP500/600; Meiki Co., Ltd. 제품)를 사용해서 실장하고, 도 3에 나타내는 다이 시어 강도 측정용 샘플을 얻었다. 실장 조건은 가압 압력 1MPa, 가압 시간 60초 간으로 하고, 가열 온도를 70℃, 80℃, 90℃, 100℃, 110℃, 120℃의 각 조건으로 실시했다. 얻어진 기판을 140℃ 온도의 건조 오븐 내에서 30분 간 가열하고, 다이 시어 강도 측정 장치(Dage 시리즈 4000; Dage사 제품)를 사용해서 다이 시어 강도를 측정했다. 측정은 25℃에서, 전단 속도 200㎛/초로 행했다. 다이 시어 강도의 값이 5N/mm2 이상이 되는 최저 가열 온도를 실장 가능 온도로 했다.
실시예 3∼21 및 비교예 1에서 얻어진 감광성 도전 페이스트에 대해서는 건조 후의 막두께가 3㎛가 되도록 스크린 인쇄로 도포하고, 도포막을 100℃ 온도의 건조 오븐 내에서 10분 간 건조하고, 유리 기판 상에 건조막을 형성했다.
그 후, 초고압 수은 램프를 갖는 노광 장치(PEM-6M; Union Optical Co., LTD.제품)를 사용하고, 유리 기판 상의 건조막 전면에 i선(파장 365nm)의 노광량 500mJ/cm2로 노광을 행했다.
노광 후, 0.1중량%의 Na2CO3 수용액을 사용하고, 30초 간 샤워 현상하고, 초순수에 의해 린스 처리를 행하고, 유리 기판 상에 현상 후 막을 형성했다.
그 후, 0.7mm 두께의 실리콘 웨이퍼를 사방 2mm로 커팅한 웨이퍼 칩을 현상후 막 상에 놓고, 진공 다이어프램식 라미네이터(MVLP500/600; Meiki Co., Ltd. 제품)를 사용해서 실장하고, 도 3에 나타내는 다이 시어 강도 측정용 샘플을 얻었다. 실장 조건은 가압 압력 1MPa, 가압 시간 60초 간으로 하고, 가열 온도를 70℃, 80℃, 90℃, 100℃, 110℃, 120℃의 각 조건으로 실시했다. 얻어진 기판을 140℃ 온도의 건조 오븐 내에서 30분 간 가열하고, 다이 시어 강도 측정 장치(Dage 시리즈 4000; Dage사 제품)를 사용해서 다이 시어 강도를 측정했다. 측정은 25℃에서, 전단 속도 200㎛/초로 행했다. 다이 시어 강도의 값이 5N/mm2 이상이 되는 최저 가열 온도를 실장 가능 온도로 했다.
실시예, 비교예에서 사용한 재료는 이하와 같다.
[감광성 성분]
(합성예) 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(A)
질소 분위기의 반응 용기 중에, 150g의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(이하, 「DGME」)를 투입하고, 오일 배스를 사용해서 80℃까지 승온했다. 이것에, 20g의 에틸아크릴레이트 (이하, 「EA」), 40g의 메타크릴산 2-에틸헥실(이하, 「2-EHMA」), 20g의 n-부틸아크릴레이트(이하, 「BA」), 15g의 N-메틸올아크릴아미드(이하, 「MAA」), 0.8g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 및 10g의 DGME로 이루어지는 혼합물을, 1시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 또한 80℃에서 6시간 가열해서 중합 반응을 행했다. 그 후, 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르를 첨가하고, 중합 반응을 정지했다. 계속해서, 5g의 글리시딜메타크릴레이트(이하, 「GMA」), 1g의 트리에틸벤질암모늄클로라이드 및 10g의 DGME로 이루어지는 혼합물을, 0.5시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 또한 2시간 가열해서 부가 반응을 행했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 또한 24시간 진공 건조함으로써, 공중합 비율(질량 기준): EA/2-EHMA/BA/GMA/AA=20/40/20/5/15의 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(A)를 얻었다.
[광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지]
·JONCRYL 67(BASF SE 제품)
·JONCRYL 678(BASF SE 제품)
·JONCRYL 611(BASF SE 제품)
·JONCRYL 693(BASF SE 제품)
·JONCRYL 682(BASF SE 제품)
·JONCRYL 819(BASF SE 제품)
·JONCRYL JDX-C3000A(BASF SE 제품)
·JONCRYL JDX-C3080(BASF SE 제품).
[광중합 개시제]
· "IRGACURE" OXE04(BASF SE 제품) (이하, OXE04라고 한다).
[불포화 이중 결합을 갖는 화합물]
· "라이트 아크릴레이트(등록 상표)" BP-4EA(KYOEISHA CHEMICAL Co.,LTD. 제품)(이하, BP-4EA라고 한다).
[도전성 입자]
·입자 지름(D50) 0.7㎛, 애스펙트비 1.1의 Ag 입자(이하, Ag 입자라고 한다)
·입자 지름(D50) 0.7㎛, 애스펙트비 1.1의 수지 코어 Ag 피복 입자(수지 코어 입자의 평균 입자 지름 0.65㎛).
[에폭시 수지]
· "EPICLON(등록 상표)" 840(DIC Corporation 제품)(이하, 「840」라고 한다), 에폭시 당량 185g/eq, 액상
· "EPICLON" HP-7200L(DIC Corporation 제품)(이하, HP-7200L이라고 한다), 에폭시 당량 250g/eq, 연화점 55℃.
[노볼락형 페놀 수지]
·스탠다드 타입 H-4(Meiwa Plastic Industries, Ltd. 제품)(이하, H-4라고 한다), 수산기 당량 105g/eq, 연화점 72℃
·고내열, 고강성 타입 MEH-7600-4H(Meiwa Plastic Industries, Ltd. 제품)(이하, MEH-7600이라고 한다), 수산기 당량 100g/eq, 연화점 155℃.
[경화 촉진제]
· "큐어졸(등록 상표)" C11Z-A(SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION 제품)(이하, C11Z-A라고 한다).
(실시예 1)
100mL 클린 보틀에, 15g의 「840」, 8.51g의 H-4, 5g의 JONCRYL 67.6g의 DGME를 넣고, 자전-공전 진공 믹서 "아와토리 렌타로우(등록상표)" ARE-310(THINKY CORPORATION 제품)을 사용해서 혼합하고, 34.51g의 수지 용액을 얻었다.
얻어진 34.51g의 수지 용액과 Ag 입자 66.52g을 혼합하고, 3본 롤러(EXAKT M-50; EXAKT사 제품)를 사용해서 혼련하고, 101.03g의 도전 페이스트를 얻었다. 표 1에 도전 페이스트의 조성을 나타낸다.
얻어진 도전 페이스트를 사용하고, 각 저장 탄성률 G', 실장 가능 온도 및 다이 시어 강도를 각각 상술의 방법에 의해 평가했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 2)
100mL 클린 보틀에 15g의 「840」, 8.51g의 H-4, 5g의 JONCRYL 67, 1.18g의 C11Z-A, 6g의 DGME를 넣고, 자전-공전 진공 믹서 "아와토리 렌타로우(등록상표)" ARE-310(THINKY CORPORATION 제품)를 사용해서 혼합하고, 35.69g의 수지 용액을 얻었다.
얻어진 35.69g의 수지 용액과 Ag 입자 69.28g을 혼합하고, 3본 롤러(EXAKT M-50; EXAKT사 제품)를 사용해서 혼련하고, 104.97g의 도전 페이스트를 얻었다. 표 1에 도전 페이스트의 조성을 나타낸다.
얻어진 도전 페이스트를 사용하고, 각 저장 탄성률 G', 실장 가능 온도 및 다이 시어 강도를 각각 상술의 방법에 의해 평가했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 3)
100mL 클린 보틀에, 13.59g의 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(A), 4.08g의 JONCRYL 67, 0.60g의 OXE04, 2.00g의 BP-4EA, 5.66g의 DGME를 넣고, 자전-공전 진공 믹서 "아와토리 렌타로우(등록상표) "ARE-310 (THINKY CORPORATION 제품)를 사용해서 혼합하고, 25.93g의 수지 용액을 얻었다.
얻어진 25.93g의 수지 용액과 Ag 입자 60.46g을 혼합하고, 3본 롤밀을 사용해서 혼련하고, 86.39g의 감광성 도전 페이스트를 얻었다. 표 1에 감광성 도전 페이스트의 조성을 나타낸다.
얻어진 감광성 도전 페이스트를 사용하고, 각 저장 탄성률 G', 실장 가능 온도 및 다이 시어 강도를 각각 상술의 방법에 의해 평가했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 4∼10)
표 1에 나타내는 조성의 감광성 도전 페이스트를 실시예 1과 같은 방법으로 제작하고, 실시예 3과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 11)
100mL 클린 보틀에, 13.59g의 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(A), 0.68의 JONCRYL 819, 0.60g의 OXE04, 2.00g의 BP-4EA, 4.93g의 DGME를 넣고, 자전-공전 진공 믹서 "아와토리 렌타로우(등록상표)" ARE-310(THINKY CORPORATION 제품)을 사용해서 혼합하고, 21.80g의 수지 용액을 얻었다.
얻어진 21.80g의 수지 용액과, Ag 입자 50.79g을 혼합하고, 3본 롤밀(EXAKT M-50; EXAKT사 제품)을 사용해서 혼련하고, 72.59g의 감광성 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 감광성 도전 페이스트를 사용하고, 실시예 3과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 12)
100mL 클린 보틀에, 13.59g의 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(A), 2.04g의 JONCRYL 819, 0.60g의 OXE04, 2.00g의 BP-4EA, 5.23g의 DGME를 넣고, 자전-공전 진공 믹서 "아와토리 렌타로우(등록상표)"ARE-310 (THINKY CORPORATION 제품)을 사용해서 혼합하고, 23.46g의 수지 용액을 얻었다.
얻어진 23.46g의 수지 용액과 Ag 입자 54.73g을 혼합하고, 3본 롤밀(EXAKT M-50; EXAKT사 제품)을 사용해서 혼련하고, 78.18g의 감광성 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 감광성 도전 페이스트를 사용하고, 실시예 3과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 13)
100mL 클린 보틀에, 13.59g의 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(A), 4.08의 JONCRYL 819, 0.60g의 OXE04, 2.00g의 BP-4EA, 5.66g의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트(20℃에 있어서의 물 100g에의 용해도가 6.5g)를 넣고, 자전-공전 진공 믹서 "아와토리 렌타로우(등록상표)" ARE-310(THINKY CORPORATION 제품)을 사용해서 혼합하고, 25.93g의 수지 용액을 얻었다.
얻어진 25.93g의 수지 용액과, Ag 입자 60.46g을 혼합하고, 3본 롤밀(EXAKT M-50; EXAKT사 제품)을 사용해서 혼련하고, 86.39g의 감광성 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 감광성 도전 페이스트를 사용하고, 실시예 3과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 14)
실시예 13의 노광 조건을 광학 필터를 사용해서 i선(파장 365nm) 노광량 500mJ/cm2로 노광했을 때에 h선(파장 405nm)의 노광량이 2000mJ/cm2가 되도록 조정해서 실시예 3과 마찬가지로 하여 평가를 행했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. 상기한 바와 같이, 분광 특성을 조정함으로써, 노광부를 적당하게 광반응시켜, 현상 후 막의 저장 탄성률 G'(D100)을 낮게 억제할 수 있고, 실장성을 높이고, 실장 가능 온도를 내릴 수 있었다.
(실시예 15)
100ml 클린 보틀에, 15.00g의 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(A), 0.66g의 OXE04, 3.82g의 「840」, 2.17g의 H-4, 1.53g의 DGME를 넣고, 자전-공전 진공 믹서 "아와토리 렌타로우(등록상표)" ARE-310(THINKY CORPORATION 제품)을 사용해서 혼합하고, 23.18g의 수지 용액을 얻었다.
얻어진 23.18g의 수지 용액과 입자 지름(D50) 0.7㎛, 애스펙트비 1.1의 Ag 입자 50.52g을 혼합하고, 3본 롤밀(EXAKT M-50; EXAKT사 제품)을 사용해서 혼련하고, 73.70g의 감광성 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 감광성 도전 페이스트를 사용하고, 실시예 3과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 16∼21)
표 1에 나타내는 조성의 감광성 도전 페이스트를 실시예 1과 동일한 방법으로 제작하고, 실시예 3과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(비교예 1)
100mL 클린 보틀에, 13.59g의 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(A), 0.60g의 OXE04, 2.00g의 BP-4EA, 4.78g의 DGME를 넣고, 자전-공전 진공 믹서 "아와토리 렌타로우(등록상표)" ARE-310(THINKY CORPORATION 제품)을 사용해서 혼합하고, 20.96g의 수지 용액을 얻었다.
얻어진 20.96g의 수지 용액과, 입자 지름(D50) 0.7㎛, 애스펙트비 1.1의 Ag 입자 48.97g을 혼합하고, 3본 롤밀(EXAKT M-50; EXAKT사 제품)을 사용해서 혼련하고, 69.93g의 감광성 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 감광성 도전 페이스트를 사용하고, 실시예 3과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(표 1-1)
(표 1-2)
(표 2)
실시예 1∼21의 건조막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P100)은 모두 0.01MPa 이하이고, 가열 압착 시의 도전성 막과 웨이퍼 칩의 밀착력이 향상하고, 경화 후의 막의 접합 강도가 향상한 결과, 다이 시어 강도는 모두 6.0N/mm2 이상으로 양호했다. 실시예 10은 광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지로서 유리 전이점이 비교적 높은 것을 사용한 영향으로, 다이 시어 강도가 저하했지만, 허용 범위 내이었다.
실시예 3∼21의 현상 후의 막의 G'(D100)은 모두 0.01MPa 미만이고, 가열 압착 시의 도전성 막과 웨이퍼 칩의 밀착력이 향상하고, 경화 후의 막의 접합 강도가 향상한 결과, 다이 시어 강도는 모두 6.0N/mm2 이상으로 양호했다.
비교예 1은 G'(D100)가 0.01MPa 미만이 되지 않고, 도전성 막과 웨이퍼 칩의 밀착성이 열악하고, 그 결과, 실시예 3∼21과 비교해서 다이 시어 강도가 현저하게 저하했다.
1: 도전 페이스트의 건조막
2: 프린트 배선판
3: 프린트 배선판의 전극
4: 도전성 범프
5: 전자 부품
6: 전자 부품의 전극
7: 프린트 회로판
8: 유리 기판
9: 도전성 막
10: 웨이퍼 칩
2: 프린트 배선판
3: 프린트 배선판의 전극
4: 도전성 범프
5: 전자 부품
6: 전자 부품의 전극
7: 프린트 회로판
8: 유리 기판
9: 도전성 막
10: 웨이퍼 칩
Claims (17)
- 유기 성분 및 도전성 입자를 함유하는 도전 페이스트로서, 상기 도전 페이스트의 건조막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P100)이 0.01MPa 이하이고, 140℃에서 30분 간 가열한 후의 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(C25)이 0.01MPa 이상인 도전 페이스트.
- 제 1 항에 있어서,
상기 도전 페이스트의 건조막의 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P25)이 0.1MPa 이상인 도전 페이스트. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 도전 페이스트의 건조막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P100)이 0.00001∼0.01MPa이고, 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P25)이 0.1MPa∼50000MPa이고, 140℃에서 30분 간 가열한 후의 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(C25)이 0.01MPa∼100000MPa인 도전 페이스트. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기 성분이 카르복실기 함유 폴리머, 광중합 개시제, 에폭시 수지 및 노볼락형 페놀 수지를 함유하는 도전 페이스트. - 제 4 항에 있어서,
에폭시 수지의 경화 촉진제를 함유하는 도전 페이스트. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도전 페이스트의 건조막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P100)이 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(P25)의 1/10 이하인 도전 페이스트. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도전 페이스트의 건조막에 i선(파장 365nm)의 노광량 500mJ/cm2로 노광한 후의 막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(E100)이 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(E25)의 1/10 이하인 도전 페이스트. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기 성분이 감광성 성분이고, 상기 도전 페이스트를 100℃에서 30분 간 건조하고, 얻어진 건조막을 i선(파장 365nm)의 노광량 500mJ/cm2로 노광하고, 0.1질량%의 탄산 나트륨 수용액으로 30초 샤워 현상한 후의 막의 100℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(D100)이 0.01MPa 미만이고, 상기 현상 후의 막을 140℃에서 30분 간 가열한 후의 25℃에 있어서의 저장 탄성률 G'(C25)이 0.01MPa 이상인 도전 페이스트. - 제 8 항에 있어서,
광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지를 함유하는 도전 페이스트. - 제 9 항에 있어서,
상기 광중합성기를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지의 유리 전이 온도가 110℃ 이하인 도전 페이스트. - 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 성분으로서, 광중합성기를 갖는 카르복실기 함유 수지를 함유하는 도전 페이스트. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 도전 페이스트의 건조막을 노광 및 현상한 후의 막을 구비한 프린트 배선판.
- 프린트 배선판 상에, 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 도전 페이스트의 건조막을 형성하는 공정과,
상기 건조막을 노광 및 현상하고, 상기 프린트 배선판의 전극 상에 도전성 범프를 형성하는 공정을 갖는, 도전성 범프가 있는 프린트 배선판의 제조방법으로서,
상기 노광 시에 있어서의 노광 광의 조도비(파장 365nm에 있어서의 노광 광의 조도): (파장 405nm에 있어서의 노광 광의 조도)가 1:1∼1:9인 도전성 범프가 있는 프린트 배선판의 제조방법. - 프린트 배선판 상에, 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 도전 페이스트의 건조막을 형성하는 공정과,
상기 건조막을 노광 및 현상하고, 상기 프린트 배선판의 전극 상에 도전성 범프를 형성하는 공정과,
상기 도전성 범프 상에 전극을 갖는 전자 부품을 가열 압착하는 공정을 갖는 프린트 회로판의 제조방법. - 전극을 갖는 전자 부품의 상기 전극이 존재하고 있는 면 상에, 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 도전 페이스트의 건조막을 형성하는 공정과,
상기 건조막을 노광 및 현상하고, 상기 전극을 갖는 전자 부품의 전극 상에 도전성 범프를 형성하는 공정과,
상기 도전성 범프 상에 프린트 배선판을 가열 압착하는 공정을 갖는 프린트 회로판의 제조방법. - 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 전극을 갖는 전자 부품의 전극 표면에 0.5㎛ 이상의 요철을 갖는 프린트 회로판의 제조방법. - 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
전기 전극을 갖는 전자 부품이 μLED인 프린트 회로판의 제조방법.
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