KR20230042878A - 몰리브덴 화합물, 이의 제조방법 및 이의 용도 - Google Patents

몰리브덴 화합물, 이의 제조방법 및 이의 용도 Download PDF

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Abstract

본 발명은 증기압 및 열적 안정성이 우수한 몰리브덴 화합물 및 이의 제조방법 및 이의 용도에 관한 것으로, 본 발명의 몰리브덴 화합물을 전구체로 사용하여 저저항 및 고순도의 몰리브덴함유 박막을 제조할 수 있다.

Description

몰리브덴 화합물, 이의 제조방법 및 이의 용도{molybdenum compound, manufacturing method thereof, and use thereof}
본 발명은 몰리브덴 화합물, 이의 제조방법 및 이의 용도에 관한 것이다.
반도체 소자에 있어서 다양한 박막 증착법이 연구개발되어 현재 적용되고 있다.
일례로 박막 증착방법은 화학 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD), 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD), 플라즈마 화학증착 및 플라즈마 원자층 증착 등이 있다.
전형적인 CVD 공정에서는, 텅스텐, 루테늄 등의 금속이 휘발성 금속 전구체의 형태로 착화되어 기판 표면 상에서 반응하거나 분해되어 금속의 증착물을 형성한다.
ALD는 별도의 간헐적 단계로 반응물들을 공급하여 이들의 화학적 교환에 의해 반응물을 분해시킴으로써 금속함유 박막을 형성시킨다. ALD는 CVD보다 더 낮은 온도에서 수행될 수 있으며, 박막 형성에 대한 이점뿐만 아니라 가공에서도 장점을 가진다.
또한 플라즈마-강화 원자층 증착(PEALD)은 층 성장을 촉진하도록 기판 표면에 플라즈마 형태로 반응물을 제공하는 단계들을 활용한다. 일반적으로, PEALD 시스템은, RF 전력 공급과 함께 플라즈마 소스(source), 및 임의적인 가스 유동 조절기를 포함한다.
그러나 상기와 같은 박막증착방법이 가지는 장점에도 불구하고 박막 성장은 대부분 금속 전구체의 화학적 반응에 의해 제어되기 때문에 무엇보다 금속 전구체의 개발이 매우 중요하다.
즉, 금속 전구체는 기체상의 전구체를 함유 용기로부터 반응 챔버 내에 용이하게 수송하기 위해서 액체 형태 및/또는 충분한 증기 압력이 필요하다. 둘째, 저장 조건 및 수송 조건에서 장기간 열적 안정성이 요구되며, 기체상 열적 안정성 또한 박막에 불순물 유입을 막기 위해 필요하다. 셋째 전구체를 샘플 기판 상에서 요구되는 박막으로 용이하게 전환시키기 위해 반응 기체, 예컨대 암모니아 또는 산소에 대한 강한 반응성이 요구된다.
한편 몰리브덴을 함유하는 박막은 박막 태양 전지, 전계 방출 디스플레이, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널, 유기 발광 다이오드 및 반도체 장치에 사용되며, 전자 부품의 부재로도 이용되고 있다.
몰리브덴 함유 박막이 상기에 언급된 다양한 분야에 사용될 수 있는 것은 몰리브덴, 몰리브덴산화물 및 몰리브덴질화물 등이 저저항, 큰 일함수(work function)및 열적·화학적 안정성이 우수하기 때문이다.
그러나 상기 언급한 다양한 증착방법에 용이하게 적용하기위해 향상된 특성을 가지는 몰리브덴 전구체에 대한 연구가 여전히 필요한 실정이다.
한국공개특허공보 제2021- 0024418호(2021.03.05)
본 발명은 열적 안정성과 휘발성이 우수하여 몰리브덴 함유 박막증착용 전구체로 유용하게 사용가능한 몰리브덴 화합물 및 이의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 몰리브덴 화합물을 제공하는 것으로, 본 발명의 몰리브덴 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(상기 화학식 1에서,
L은 C1-C5알킬렌이며;
R1은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이며;
R2 내지 R7은 각각 독립적으로 C1-C7알킬이다.)
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1에서 L은 C1-C3알킬렌이며; R1은 할로겐, C1-C5알킬 또는 C1-C5알콕시이며; R2 내지 R7은 각각 독립적으로 C1-C5알킬일 수 있다.
보다 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1에서 R2 및 R3은 각각 독립적으로 분지쇄C3-C5알킬일 수 있다.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00002
(상기 화학식 2에서,
L1은 C1-C5알킬렌이며;
R은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이며;
R11 내지 R15는 각각 독립적으로 C1-C7알킬이다.)
보다 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2에서 R11은 분지쇄C3-C7알킬일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물은 하기 화합물로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정이 있는 것은 아니다.
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
또한 본 발명은 본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물의 제조방법을 제공하느는 것으로, 본 발명의 몰리브덴 화합물의 제조방법은,
하기 화학식 11로 표시되는 화합물과 하기 화학식 12로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 화학식 13으로 표시되는 몰리브덴 화합물을 제조하는 단계를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00009
[화학식 11]
Figure pat00010
[화학식 12]
Figure pat00011
[화학식 13]
Figure pat00012
(상기 화학식 1 및 화학식 11 내지 13에서,
M1은 알칼리금속이며;
L은 C1-C5알킬렌이며;
R1은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이며;
R2 내지 R7은 각각 독립적으로 C1-C7알킬이며;
X1 및 X2는 서로 독립적으로 할로겐이다.)
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물의 제조방법은 하기 화학식 13의 화합물을 하기 화학식 14의 화합물과 반응시켜 상기 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[화학식 14]
R1-M2
(상기 화학식 14에서,
M2는 알칼리금속이며;
R1은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노 C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이다.)
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 화학식 14로 표시되는 화합물은 상기 화학식 13으로 표시되는 화합물에 대하여 1 내지 1.2몰로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물은 열적 안정성 및 증기압이 우수하여, 몰리브덴 함유 박막증착용 전구체로 매우 유용하게 사용가능하다.
나아가 본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물은 열적 안정성 및 증기압이 우수한 특정한 구조를 가짐으로써 이를 이용하여 제조되는 몰리브덴 함유 박막운 향상된 물성을 가진다.
도 1은 실시예 1에서 제조한 몰리브덴 화합물의 열중량 분석(TGA) 결과를 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조된 몰리브덴 화합물의 증기압을 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명을 좀 더 구체적으로 설명한다. 이 때 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 사용된 용어 "알킬"은 탄소수 1 내지 7, 바람직하게 탄소수 1 내지 5, 보다 바람직하게 탄소수 1 내지 4를 가진 포화된 직쇄상 또는 분지상의 비-고리(cyclic) 탄화수소를 의미한다. 대표적인 포화 직쇄상 알킬은 -메틸, -에틸, -n-프로필, -n-부틸, -n-펜틸, -n-헥실과 -n-헵틸을 포함하고, 반면에 포화 분지상 알킬은 -이소프로필, -sec-부틸, -이소부틸, -tert-부틸, 이소펜틸, 2-메틸헥실, 3-메틸부틸, 2-메틸펜틸, 3-메틸펜틸, 4-메틸펜틸, 2-메틸헥실, 3-메틸헥실, 2-메틸펜틸, 3-메틸펜틸, 4-메틸펜틸, 2-메틸헥실, 3-메틸헥실, 4-메틸헥실, 5- 메틸헥실, 2,3-디메틸부틸, 2,3-디메틸펜틸, 2,4-디메틸펜틸, 2,3-디메틸헥실, 2,4-디메틸헥실, 2,5-디메틸헥실, 2,2-디메틸펜틸, 2,2-디메틸헥실, 3,3-디메틸펜틸, 3,3-디메틸헥실, 4,4-디메틸헥실, 2-에틸펜틸, 3-에틸펜틸, 2-데틸헥실, 3-에틸헥실, 4-에틸헥실, 2-메틸-2-에틸펜틸, 2-메틸-3-에틸펜틸, 2-메틸-4-에틸펜틸, 2-메틸-2-에틸헥실, 2-메틸-3-에틸헥실, 2-메틸-4-에틸헥실, 2,2-디에틸펜틸, 3,3-디에틸헥실, 2,2-디에틸헥실, 및 3,3-디에틸헥실을 포함한다.
바람직하게 본 발명의 직쇄 알킬은 탄소수 1 내지 7, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 6, 보다 좋기로는 탄소수 1 내지 5일 수 있으며, 탄소수 1 내지 4일 수 있고, 탄소수 1 내지 3일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 분지쇄 알킬은 바람직하게 탄소수 3 내지 7, 탄소수 3 내지 6, 탄소수 3 내지 5 또는 탄소수 3 내지 4일 수 있다.
본 명세서에서 "C1- C7"와 같이 기재될 경우 이는 탄소수가 1 내지 7개임을 의미한다. 예를 들어, C1-7알킬은 탄소 수가 1 내지 7인 알킬을 의미한다.
본 명세서에서 사용된 용어 "알콕시"는 -OCH3, -OCH2CH3, -O(CH2)2CH3, -O(CH2)3CH3, -O(CH2)4CH3, -O(CH2)5CH3, 및 이와 유사한 것을 포함하는 -O-(알킬)을 의미하며, 여기에서 알킬은 위에서 정의된 것과 같다.
본 명세서에서 사용된 용어 "모노-알킬아미노"는 -NHCH3, -NHCH2CH3, -NH(CH2)2CH3, -NH(CH2)3CH3, -NH(CH2)4CH3, -NH(CH2)5CH3, 및 이와 유사한 것을 포함하는, -NH(알킬)을 의미하며, 여기에서 알킬은 위에서 정의된 것과 같다.
본 명세서에서 사용된 용어 "디-알킬아미노"는 -N(CH3)2, -N(CH2CH3)2, -N((CH2)2CH3)2, -N(CH3)(CH2CH3), 및 이와 유사한 것을 포함하는 -N(알킬)(알킬)을 의미하며, 여기에서 각 알킬은 서로 독립적으로 위에서 정의된 알킬이다.
본 발명은 보다 향상된 증기압 및 열안정성이 우수한 몰리브덴 화합물을 제공하는 것으로, 본 발명의 몰리브덴 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00013
(상기 화학식 1에서,
L은 C1-C5알킬렌이며;
R1은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이며;
R2 내지 R7은 각각 독립적으로 C1-C7알킬이다.)
본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물은 두개의 이미드기(=N-) 및 산소원자를 포함함으로써 열적 안정성 및 증기압이 우수한 동시에 반응성이 향상된다.
따라서 본 발명의 몰리브덴 화합물을 박막 증착용 전구체로 사용하여 제조된 몰리브덴 함유 박막은 향상된 물성을 가진다.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1에서 L은 C1-C3알킬렌이며; R1은 할로겐, C1-C5알킬 또는 C1-C5알콕시이며; R2 내지 R7은 각각 독립적으로 C1-C5알킬일 수 있다.
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1에서 L은 C1-C3알킬렌이며; R1은 할로겐, C1-C5알킬 또는 C1-C5알콕시이며; R2 및 R3은 각각 독립적으로 분지쇄C3-C5알킬이며; R4 내지 R7은 각각 독립적으로 C1-C5알킬일 수 있으며, 보다 바람직하게는 L은 C1-C2알킬렌이며; R1은 할로겐, C1-C4알킬 또는 C1-C4알콕시이며; R2 및 R3은 각각 독립적으로 분지쇄C3-C4알킬이며; R4 내지 R7은 각각 독립적으로 C1-C4알킬일 수 있다.
보다 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00014
(상기 화학식 2에서,
L1은 C1-C5알킬렌이며;
R은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이며;
R11 내지 R15는 각각 독립적으로 C1-C7알킬이다.)
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 화학식 2로 표시되는 몰리브덴 화합물은 보다 향상된 열적 안정성 및 증기압이 우수하여 보다 용이하게 고품질의 몰리브덴 함유 박막의 제조가 가능하다.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2에서 L1은 C1-C3알킬렌이며; R은 할로겐, C1-C5알킬, C1-C5알콕시, 모노C1-C5알킬아미노 또는 디C1-C5알킬아미노이며; R11 내지 R15는 각각 독립적으로 C1-C5알킬일 수 있으며, 보다 구체적으로 L1은 C1-C2알킬렌이며; R은 할로겐, C1-C5알킬 또는 C1-C5알콕시일 수 있다.
보다 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2에서 L1은 C1-C2알킬렌이며; R은 할로겐, C1-C4알킬 또는 C1-C4알콕시이며; R11은 분지쇄C3-C4알킬이며; R12 내지 R15는 각각 독립적으로 C1-C5알킬일 수 있다.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물은 하기 화합물로부터 선택되는 것일 수 있으나, 이에 한정이 있는 것은 아니다.
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
또한 본 발명은 본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물의 제조방법을 제공하는 것으로, 본 발명의 몰리브덴 화합물의 제조방법은
하기 화학식 11로 표시되는 화합물과 하기 화학식 12로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 화학식 13으로 표시되는 몰리브덴 화합물을 제조하는 단계를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00021
[화학식 11]
Figure pat00022
[화학식 12]
Figure pat00023
[화학식 13]
Figure pat00024
(상기 화학식 1 및 화학식 11 내지 13에서,
M1은 알칼리 금속이며;
L은 C1-C5알킬렌이며;
R1은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이며;
R2 내지 R7은 각각 독립적으로 C1-C7알킬이며;
X1 및 X2는 서로 독립적으로 할로겐이다.)
본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물의 제조방법에 있어서 상기 화학식 12의 화합물은 상기 화학식 11로 표시되는 화합물에 대하여 1 내지 1.2당량으로 사용될 수 있으며, 상온(10 내지 35℃)에서 6시간 내지 24시간동안 반응시켜 상기 화학식 13으로 표시되는 화합물을 제조할 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법은 하기 화학식 13의 화합물을 하기 화학식 14의 화합물과 반응시켜 상기 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계를 더 포함하여 제조될 수 있다.
[화학식 14]
R1-M2
상기 화학식 14에서,
M2는 알칼리금속이며;
R1은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노 C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 14로 표시되는 화합물에 있어서 알칼리금속은당업자에 인식될 수 있는 알칼리금속이면 모두 가능하나, 일례로 Na, Li 등일 수 있으나, 바람직하게 Li일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 14로 표시되는 화합물은 상기 화학식 11로 표시되는 화합물 1몰에 대하여 1 내지 1.2몰로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물의 제조방법은 용매 하에서 이루어질 수 있다. 상기 반응에 사용되는 용매는 통상의 유기용매이면 모두 가능하며, 일예로 알코올계 용매, 알칸계 용매, 방향족 용매, 에테르계 용매 등에서 선택될 수 있으며, 구체적으로 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 헥산(Hexane), 디에틸에테르(diethyl ether), 톨루엔(toluene), 테트라하이드로퓨란(THF) 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는 2-프로판올을 사용할 수 있다.
반응온도는 통상의 유기합성에서 사용되는 온도에서 사용가능하나, 반응물질 및 출발물질의 양에 따라 달라질 수 있으며, 바람직하게 반응식 1의 반응은 실온(room temperature, 10 내지 35
Figure pat00025
)에서 수행될 수 있고, HPLC 또는 NMR 등을 통하여 출발물질이 완전히 소모됨을 확인한 후 반응을 완결시키도록 한다. 반응이 완결되면 추출과정 후 감압 하에서 용매를 증류시킨 후 컬럼 크로마토그래피, 재결정 또는 승화 등의 통상적인 방법을 통하여 목적물을 분리 정제할 수도 있다.
또한, 상기 반응은 질소, 아르곤 등의 비활성 기체 분위기 하에서 수행될 수 있다.
또한 본 발명은 본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴 화합물의 용도를 제공한다.
이에 이하, 본 발명에 따른 몰리브덴 화합물을 포함하는 몰리브덴함유 박막형성용 조성물 및 상기 몰리브덴함유 박막증착용 조성물을 이용하는 몰리브덴함유 박막의 제조방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴함유 박막형성용 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 몰리브덴 화합물을 포함하며, 본 발명의 조성물 내 상기 몰리브덴 화합물의 사용량은 박막의 성막조건 또는 박막의 두께 및 특성 등을 고려하여 당업자가 인식할 수 있는 범위 내로 포함될 수 있음은 물론이다.
일 예로, 상기 몰리브덴함유 박막형성용 조성물은 몰리브덴 화합물만을 포함할 수도 있으며, 상기 몰리브덴 화합물을 0.01 내지 2 M의 몰농도로 포함할 수 있다. 이때, 상기 몰리브덴함유 박막형성용 조성물은 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 데칸, 도데칸, 에틸시클로헥산, 프로필시클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠, 크실렌, 메시틸렌, 디에틸벤젠, 에틸 톨루엔 등의 탄화수소계 용매; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올 등의 알코올계 용매; 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 부틸에틸에테르, 테트라하이드로퓨란 등의 에테르계 용매; 메틸 부틸레이트, 에틸 부틸레이트, 프로필프로피오네이트 등의 에스테르계 용매; 에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합유기용매를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴함유 박막형성용 조성물은 상기 화학식 1의 몰리브덴 화합물을 포함함에 따라 높은 휘발성 및 반응성으로 고품질의 몰리브덴함유 박막을 제공할 수 있다.
상세하게, 상기 몰리브덴함유 박막형성용 조성물은 몰리브덴함유 박막을 성장시키는 경우, 낮은 온도에서 쉽게 박막이 제조될 수 있으며, 박막 성장속도(Growth rate)이 좋을 뿐만 아니라 박막의 저항이 낮고 순도가 높은 장점이 있다. 즉, 상기 몰리브덴함유 박막형성용 조성물은 본 발명의 몰리브덴 화합물을 포함함에 따라 몰리브덴함유 박막을 제조 시, 높은 증기압 및 반응성을 가져 용이하게 양질의 몰리브덴함유 박막이 제조될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 몰리브덴 화합물을 이용하는 몰리브덴함유 박막을 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 몰리브덴함유 박막을 제공한다.
본 발명의 몰리브덴함유 박막은 상기 화학식 1의 몰리브덴 화합물을 전구체로 포함하는 몰리브덴함유 박막형성용 조성물을 이용하여 제조된다.
본 발명의 몰리브덴함유 박막의 제조방법은 증기압이 높고 열적 안정성 및 반응성이 우수한 상기 화학식 1의 몰리브덴 화합물을 전구체로 채용함으로써 고밀도 및 고순도의 몰리브덴함유 박막을 제조할 수 있다. 나아가 본 발명의 제조방법으로 제조된 몰리브덴함유 박막은 내구성 및 단차피복성이 우수하다.
본 발명의 몰리브덴함유 박막의 제조방법은 본 기술분야에서 당업자가 인식할 수 있는 범위 내에서 가능한 방법이라면 모두 가능하나, 바람직하게 원자층증착법(ALD), 화학기상증착법(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 저압기상증착법(LPCVD), 플라즈마강화기상증착법(PECVD) 또는 플라즈마강화원자층증착법(PEALD)으로 수행될 수 있으며, 바람직하게 원자층증착법(ALD) 또는 플라즈마강화원자층증착법(PEALD)으로 수행될 수 있다.
본 발명의 몰리브덴함유 박막의 제조방법은 구체적으로
a)챔버 내에 장착된 기판의 온도를 100 내지 500℃로 유지하는 단계; 및
b) 상기 몰리브덴함유 박막증착용 조성물 및 반응가스를 상기 기판에 접촉시켜 몰리브덴함유 박막을 제조하는 단계; 를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴함유 박막의 제조방법은 상기 몰리브덴함유 박막의 두께에 따라 b)단계를 수 회 반복할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴함유 박막의 제조방법은 목적하는 박막의 구조 또는 열적 특성에 따라 증착 조건이 조절될 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 조건으로는 몰리브덴 화합물을 포함하는 몰리브덴함유 박막형성용 조성물의 투입 유량, 반응가스, 운반 가스의 투입 유량, 압력, RF 파워, 기판 온도 등이 예시될 수 있으며, 이러한 증착 조건의 비한정적인 일예로는 몰리브덴함유 박막형성용 조성물의 투입 유량은 10 내지 1000 cc/min, 운반가스는 10 내지 1000 cc/min, 반응가스의 유량은 1 내지 1000 cc/min, 압력은 0.5 내지 10 torr, RF 파워는 200 내지 1000 W 및 기판 온도는 100 내지 500℃범위, 바람직하게는 100 내지 300℃, 보다 바람직하게 100 내지 200℃범위에서 조절될 수 있으나 이에 한정이 있는 것은 아니다.
본 발명의 몰리브덴함유 박막의 제조방법에서 사용되는 반응가스는 한정이 있는 것은 아니나 제조하고자 하는 몰리브덴함유 박막을 고려하여 통상적으로 금속 전구체와 함께 사용되는 가스이면 무방하며, 구체적인 일예로, 함산소 가스는 산소(O2), 오존(O3), 증류수(H2O) 또는 과산화수소(H2O2) 등일 수 있으며, 함질소 가스는 일산화질소(NO), 아산화질소(N2O), 암모니아(NH3), 질소(N2), 하이드라진(H2N4) 또는 터셔리부틸하이드라진(C4H12N2) 등의 하이드라진 유도체일 수 있고, 함탄소 가스는 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2), (C1-C12)의 포화 또는 불포화 탄화수소 등일 수 있으나 이는 일 예시일 뿐 이에 제한받지 않는다. 또한 상기 반응가스는 질소(N2), 헬륨(He) 또는 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스와 혼합하여 사용될 수도 있으며 기타 반응가스로서 수소가 사용될 수도 있다.
본 발명의 일 예에 따른 몰리브덴 화합물은 우수한 증기압은 물론 높은 온도 에서도 쉽게 분해되지 않으며, 기화 후에도 안정적인 증기 상태를 유지할 수 있어 상술된 증착방법에 효과적일 수 있다.
일예로, 원자층 증착법(ALD)은 기판이 위치하는 증착 영역에 몰리브덴 화합물을 주입하는 단계, 증착 영역에서 몰리브덴 화합물을 흡착시키는 단계 및 증착 영역에 반응가스를 주입하는 단계와 박막을 형성하는 단계가 순차적으로 수행되며, 상기의 각 단계가 1회 진행되면 몰리브덴이 함유된 박막 단층이 증착된다. 각 단계의 반복적인 과정을 거쳐 원하는 두께의 몰리브덴함유 박막을 증착할 수 있다.
상기 기판은 통상의 기판이라면 제한되지 않으며, 이의 비한정적인 일 예로는 Si, SiO2, Pt, TiN, Ge, SiGe, GaP, GaAs, SiC, SiGeC, InAs 및 InP 중 하나 이상의 반도체 재료를 포함하는 기판, SOI(Silicon On Insulator) 기판, 석영 기판 또는 디스플레이용 유리 기판 등의 강성 기판이거나, 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, PolyEthylene Terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, PolyEthylene Naphthalate), 폴리 메틸메타크릴레이트(PMMA, Poly Methyl MethAcrylate), 폴리카보네이트(PC, PolyCarbonate), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에스테르(Polyester) 등의 가요성 플라스틱 기판일 수 있다.
또한 상기 몰리브덴함유 박막은 상기 기판에 직접 박막을 형성하는 것뿐 아니라, 상기 기판과 상기 몰리브덴함유 박막 사이에 다수의 도전층, 유전층 또는 절연층 등을 포함할 수 있다.
상기 몰리브덴함유 박막형성용 조성물 및 몰리브덴함유 박막의 제조방법을 이용하여 우수한 단차피복성을 가질 수 있으며, 밀도가 높은 고순도의 몰리브덴함유 박막을 제조할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 몰리브덴함유 박막을 제조하는 방법에 따르면, ALD 공정 또는 CVD 공정 등을 통해 용이하게 목적하는 박막 재료를 공급함에 따라 다양하게 활용될 수 있다.
일예로, 상기 몰리브덴 화합물을 사용하여 몰리브덴 금속 박막을 제조하는 경우, 상기 몰리브덴 화합물이 충분한 휘발성을 보일 뿐 아니라 반응성이 좋아 비교적 쉽게 몰리브덴 금속으로 환원되므로 고순도의 전도성 몰리브덴 금속 박막을 제조할 수 있다.
구체적인 일예로, 상기 몰리브덴함유 박막의 제조방법으로 상기 화학식 1의 몰리브덴 화합물을 사용하여 용이하게 몰리브덴산화물 박막을 형성할 수 있다.
이하 본 발명을 합성예 및 실시예를 통해 상세히 설명하나, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 합성예, 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적인 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들은 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있음을 이해하여야 한다.
[실시예 1] 몰리브덴 화합물 1((t-butylN=)2MoCl(DMAMB)의 제조
Figure pat00026
250mL 슐렝크 플라스크에 (t-butylN=)MoCl2(DME)(8g) 소분하고 노말 헥산(Hexane) 20mL 투입시켰다. 상온에서 2당량의 DMAMBLi(1-dimethylamino-2-methyl-2-butoxy lithium) 헥산용액을 적가한 후 12시간 동안 상온에서 교반시켰다. 이후 반응액을 여과하고 감압 하에서 용매를 완전히 제거했다. 생성된 액체를 감압 하에서 증류(148℃, 0.7Torr)하여, 노란색 액체인 표제 화합물(t-butylN=)2MoCl(DMAMB) 5g을 제조하였다(수율: 50%).
1H NMR(C6D6, 500 MHz): δ2.63 (d, H, NCH2), 2.43 (d, 6H, N(CH3)2), 2.29 (d, H, NCH2), 1.60 (m, 1H, OC(CH2)CH3), 1.52 (m, 1H, OC(CH2)CH3), 1.42(s, 9H, NC(CH3)3), 1.39(s, 9H, NC(CH3)3), 1.17(s, 3H, OC(CH3)), 0.88(t, 3H, OCCH2(CH3))
제조된 몰리브덴 화합물 1의 열 중량 분석 (TGA)은 질소 분위기 하에서 10℃/min의 스캔 속도로 Rigaku사의 Thermo plus EVO II TG8120 시리즈 열 중량 측정 및 시차 열 분석 기기를 사용하여 분석하여 도 1에 나타내었다.
도 1에서 보이는 바와 같이 실시예 1에서 제조된 몰리브덴 화합물 1은 226℃에서 화합물의 1.5wt%만의 잔류물을 가져 열적 안정성이 우수함을 알 수 있다. 또한 도 2에 나타낸 증기압 그래프로부터 본 발명의 몰리브덴 화합물이 우수한 증기압을 가짐을 알 수 있다.
[실시예 2] 몰리브덴 화합물 2((t-butylN=)2Mo(OtBu)(DMAMB))의 제조
Figure pat00027
250mL 슐렝크 플라스크에 (t-butylN=)MoCl2(DME) (8.8g) 소분하고 노말 헥산(Hexane) 20mL 투입시켰다. 상온에서 1당량의 DMAMBLi(1-dimethylamino-2-methyl-2-butoxy lithium) 헥산용액을 적가하여 12시간 동안 상온 교반시켰다. 이 후 -20℃로 냉각시켜 1몰의 t-butoxylithium 헥산용액을 적가한 후 상온으로 승온하여 2시간 동안 상온에서 교반시켜 반응을 종료시켰다. 반응액을 필터하여 감압 하에서 용매를 완전히 제거했다. 생성된 액체를 감압 하에서 증류(108℃, 0.4Torr)하여, 노란색 액체인 (t-butylN=)2Mo(Ot-Bu)DMAMB)을 6.5g 합성하였다.
1H NMR(C6D6, 500 MHz):δ2.52 (d, 1H, NCH2), 2.38 (s, 6H, N(CH3)2), 2.23 (d, 1H, NCH2), 1.74 (m, 1H, OC(CH2)CH3), 1.59 (m, 1H, OC(CH2)CH3), 1.45 (s, 9H, NC(CH3)3), 1.42 (s, 9H, NC(CH3)3) δ1.22 (s, 3H, OC(CH3) δ1.00(t, 3H, OCCH2(CH3))
도 1에 몰리브덴 화합물 2의 열 중량 분석 (TGA) 그래프를 나타내었으며, 도 1에서 보이는 바와 같이 실시예 2에서 제조된 몰리브덴 화합물 2는 200℃에서 화합물의 분해가 시작됨을 알 수 있으며, 229℃에서 화합물 2의 4 wt%만의 잔류물을 가져 몰리브덴 화합물 2가 열적 안정성이 우수함을 알 수 있다.
또한 도 2에 몰리브덴 화합물 2의 증기압을 나타내었다. 이로부터 본 발명의 몰리브덴 화합물 2의 증기압이 우수함을 알 수 있다.
[실시예 3] 몰리브덴 화합물 4((t-butylN=)2MoMe(DMAMB))의 제조
Figure pat00028
250mL 슐렝크 플라스크에 (t-butylN=)MoCl2(DME)(12g) 소분하고 노말 헥산(Hexane) 20mL 투입시켰다. 여기에 상온에서 1당량의 DMAMBLi(1-dimethylamino-2-methyl-2-butoxy lithium) 헥산용액을 적가하여 12시간 동안 상온 교반시켰다. 반응혼합물을 -20℃로 냉각시킨 후 1.6M MeLi ether용액 18mL 적가 하고, 상온으로 승온하여 2시간동안 교반시켰다. 반응액을 필터하여 감압 하에서 용매를 완전히 제거하고, 얻어진 액체를 감압 하에서 증류(110℃, 0.7Torr) 하여, 붉은 액체인 표제 화합물((t-butylN=)2MoMe(DMAMB)) 6g을 합성하였다(수율 50%).
1H NMR(C6D6, 500 MHz): δ2.44 (d, 1H, NCH2)δ2.22 (s, 6H, N(CH3)2) δ2.07 (d, 1H, NCH2) δ1.74 (m, 1H, OC(CH2)CH3) δ1.59 (m, 1H, OC(CH2)CH3) δ1.45 (s, 9H, NC(CH3)3) δ1.42 (s, 9H, NC(CH3)3) δ1.22 (s, 3H, OC(CH3) δ1.00(t, 3H, OCCH2(CH3)) δ0.87(s, 3H, CH3)
도 1 및 도 2에 나타낸 몰리브덴 화합물 3의 열 중량 분석 (TGA) 그래프 및 증기압 그래프로부터 본 발명의 몰리브덴 화합물 3이 증기압 및 열적 안정성이 우수함을 알 수 있다.
[비교예 1] 몰리브덴 화합물 3((t-butylN=)2Mo(DMAMB)2)의 제조
Figure pat00029
250mL 슐텡크 플라스크에 (t-butylN=)MoCl2(DME) (8g) 소분하고 노말 헥산(Hexane) 20mL 투입시켰다. 상온에서 2당량의 DMAMBLi(1-dimethylamino-2-methyl-2-butoxy lithium) 헥산 솔루션을 적가 하였다. 다음으로 12시간 동안 상온 교반시켰다. 반응 액을 필터(filter) 하여 감압 하에서 용매를 완전히 제거했다. 생성된 액체를 감압 하에서 증류(148℃, 0.7 Torr) 하여, 노란색 액체 (t-butylN=)2Mo(DMAMB) 2, 5g을 합성하였다. (수율 : 50%)
1H NMR(C6D6, 500 MHz): δ2.40 (s, 12H, N(CH3)2), 1.73 (m, 4H, OC(CH2)CH3), 1.48 (s, 4H, NCH2), 1.46 (s, 9H, NC(CH3)3) 1.44 (s, 9H, NC(CH3)3) 1.32 (d, 6H, OC(CH3)), 1.05 (t, 6H, OCCH2(CH3))
도 2에 본 발명의 비교예 1의 몰리브덴 화합물의 증기압 그래프를 나타내었으며, 이로부터 본 발명의 몰리브덴 화합물이 비교예 1의 몰리브덴 화합물과 대비하여 특정한 작용기를 가짐으로써 보다 향상된 증기압을 가짐을 알 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 실시예에 대해 상세히 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 몰리브덴 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00030

    상기 화학식 1에서,
    L은 C1-C5알킬렌이며;
    R1은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노 C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이며
    R2 내지 R7은 각각 독립적으로 C1-C7알킬이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1에서 L은 C1-C3알킬렌이며;
    R1은 할로겐, C1-C5알킬 또는 C1-C5알콕시이며
    R2 내지 R7은 각각 독립적으로 C1-C5알킬인 몰리브덴 화합물.
  3. 제2항에 있어서,
    R2 및 R3은 각각 독립적으로 분지쇄C3-C5알킬이며;
    R3 내지 R7은 각각 독립적으로 직쇄C1-C5알킬인 몰리브덴 화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 몰리브덴 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 몰리브덴 화합물:
    [화학식 2]
    Figure pat00031

    상기 화학식 2에서,
    L1은 C1-C5알킬렌이며;
    R은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노 C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이며;
    R11 내지 R15는 각각 독립적으로 C1-C7알킬이다.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 화학식 2에서 R11은 분지쇄C3-C7알킬인 몰리브덴 화합물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 몰리브덴 화합물은 하기 화합물로부터 선택되는 것인, 몰리브덴 화합물.
    Figure pat00032

    Figure pat00033

    Figure pat00034

    Figure pat00035

    Figure pat00036

    Figure pat00037
  7. 하기 화학식 11로 표시되는 화합물과 하기 화학식 12로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 화학식 13으로 표시되는 몰리브덴 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 몰리브덴 화합물의 제조방법.
    [화학식 1]
    Figure pat00038

    [화학식 11]
    Figure pat00039

    [화학식 12]
    Figure pat00040

    [화학식 13]
    Figure pat00041

    상기 화학식 1 및 화학식 11 내지 13에서,
    M1은 알칼리 금속이며;
    L은 C1-C5알킬렌이며;
    R1은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노 C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이며;
    R2 내지 R7은 각각 독립적으로 C1-C7알킬이며;
    X1 및 X2는 서로 독립적으로 할로겐이다.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제조방법은 하기 화학식 13의 화합물을 하기 화학식 14의 화합물과 반응시켜 상기 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 몰리브덴 화합물의 제조방법.
    [화학식 14]
    R1-M2
    상기 화학식 14에서,
    M2는 알칼리 금속이며;
    R1은 할로겐, C1-C7알킬, C1-C7알콕시, 모노 C1-C7알킬아미노 또는 디C1-C7알킬아미노이다.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 화학식 14로 표시되는 화합물은 상기 화학식 13으로 표시되는 화합물 1몰에 대하여 1 내지 1.2몰로 사용되는 몰리브덴 화합물의 제조방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101306810B1 (ko) * 2012-05-09 2013-09-10 한국화학연구원 신규의 텅스텐 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR20140127687A (ko) * 2013-04-25 2014-11-04 한국화학연구원 아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR20200041870A (ko) * 2017-08-30 2020-04-22 가부시키가이샤 아데카 금속 알콕사이드 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법
KR20210024418A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 위에 다결정질 몰리브덴 막을 형성하는 방법 및 이와 관련된 다결정 몰리브덴 막을 포함한 구조

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101306810B1 (ko) * 2012-05-09 2013-09-10 한국화학연구원 신규의 텅스텐 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR20140127687A (ko) * 2013-04-25 2014-11-04 한국화학연구원 아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR20200041870A (ko) * 2017-08-30 2020-04-22 가부시키가이샤 아데카 금속 알콕사이드 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법
KR20210024418A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 위에 다결정질 몰리브덴 막을 형성하는 방법 및 이와 관련된 다결정 몰리브덴 막을 포함한 구조

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