KR20230036169A - 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법 - Google Patents

금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230036169A
KR20230036169A KR1020237007896A KR20237007896A KR20230036169A KR 20230036169 A KR20230036169 A KR 20230036169A KR 1020237007896 A KR1020237007896 A KR 1020237007896A KR 20237007896 A KR20237007896 A KR 20237007896A KR 20230036169 A KR20230036169 A KR 20230036169A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal surface
ink
metal
mask
substrate
Prior art date
Application number
KR1020237007896A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102626521B1 (ko
Inventor
나바 쉬파이즈만
모쉐 프렌켈
Original Assignee
카티바, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 카티바, 인크. filed Critical 카티바, 인크.
Priority to KR1020247001306A priority Critical patent/KR20240014578A/ko
Publication of KR20230036169A publication Critical patent/KR20230036169A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102626521B1 publication Critical patent/KR102626521B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/92—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared from printing surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/0041—Digital printing on surfaces other than ordinary paper
    • B41M5/0058—Digital printing on surfaces other than ordinary paper on metals and oxidised metal surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/10—Printing inks based on artificial resins
    • C09D11/101—Inks specially adapted for printing processes involving curing by wave energy or particle radiation, e.g. with UV-curing following the printing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/30—Inkjet printing inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
    • G03F7/2018—Masking pattern obtained by selective application of an ink or a toner, e.g. ink jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0002—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits for manufacturing artworks for printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0079—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the method of application or removal of the mask
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/013—Inkjet printing, e.g. for printing insulating material or resist
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0392—Pretreatment of metal, e.g. before finish plating, etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562—Details of resist
    • H05K2203/0582—Coating by resist, i.e. resist used as mask for application of insulating coating or of second resist
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1173—Differences in wettability, e.g. hydrophilic or hydrophobic areas

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

기판에 금속 패턴을 형성하는 방법이 제공된다. 이 방법은 금속 표면에, 상기 금속 표면을 화학적으로 활성화시키는 활성화제를 포함하는 화학적 표면-활성 용액을 도포하는 단계; 미리결정된 패턴에 따라 에치 레지스트 마스크를 제공하도록 활성화된 표면에 에치-레지스트 잉크를 논임팩트 프린팅하는 단계 - 상기 에치-레지스트 잉크 내의 적어도 하나의 잉크 성분이 활성화된 표면을 타격시 활성화된 금속 표면과 화학적 반응을 하여 상기 에치-레지스트 잉크의 액적을 고정화함 -; 상기 에치 레지스트 마스크로 덮히지 않은 마스크화되지 않은 금속 부분을 제거하도록 에칭 공정을 수행하는 단계; 및 상기 에치 레지스트 마스크를 제거하는 단계를 포함한다.

Description

금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법{METHODS FOR PRODUCING AN ETCH RESIST PATTERN ON A METALLIC SURFACE}
본원의 실시태양은 잉크젯 프린팅과 같은 논임팩트 지향을 사용하여 에치-레지스트 마스크를 도포하여 인쇄 회로 기판을 제조하는 것에 관한 것이다.
인쇄 회로 기판(Printed circuit board, PCB)이 대부분의 전자 제품에 널리 사용된다. PCB의 제조는 지점간 구축(point-to-point construction)과 같은 다른 기입 방법을 사용하기보다 더 저렴하고, 더 빠르고, 더 정확하다고 여겨진다. 여전히, 고품질을 유지하면서 비용 효율성의 더 작은 배치, 고효율성의 더 큰 배치, 온디맨드 보드, 밀집 회로를 가진 보드, 더 얇은 라인을 가진 보드 등의 제조를 포함하여 특정 조건에 따라 PCB를 제조할 수 있는 더 간단하면서 비용 효율적인 제조 공정에 대한 검색이 계속되고 있다.
PCB의 제조 공정에서 구리 라인의 패터닝이 일반적으로 절연체 보드에 적층된 구리층에 에치-레지스트 포토-마스크를 도포하고 에칭 공정에 의해 노출된 구리 부분을 제거하고, 전기적 도전 경로로서 원하는 구리 라인만 남김으로써(이미지 패터닝이라고도 함) 이루어진다. 에치-레지스트 패턴이 추가의 방법, 예컨대 논임팩트 프린팅(예, 잉크젯 프린팅)으로 구리층의 상부에 도포될 후 있다. 종래의 잉크 재료는 비교적 점도가 낮아서, 잉크 드롭이 비흡수성 표면, 예컨대 구리 표면에 타격시, 드롭의 비제어적 스프레딩, 및 클러스터링, 합체(coalescence) 및 대규모 도트 게인(dot gain)과 같은 다른 현상이 일반적으로 발생한다. 따라서, 잉크젯 프린팅 기술에 의해 형성되는 프린트 패턴이 저품질, 또는 예컨대 비일관적인 라인 폭, 불량 라인 에지 평활도, 인접 라인간의 쇼트 및 패턴 라인의 비연결성을 포함하는 구리 라인을 보여준다.
본원의 실시태양은 기판에 금속 패턴을 형성하는 방법을 포함한다. 이 방법은 기판에 결합된 금속 표면에, 상기 금속 표면을 화학적으로 활성화시키는 활성화제를 포함하는 화학적 표면-활성 용액을 도포하는 단계; 미리결정된 패턴에 따라 에치 레지스트 마스크를 제공하도록 활성화된 표면에 에치-레지스트 잉크를 논임팩트 프린팅하는 단계 - 상기 에치-레지스트 잉크 내의 적어도 하나의 잉크 성분이 활성화된 표면을 타격시 활성화된 금속 표면과 화학적 반응을 하여 상기 에치-레지스트 잉크의 액적을 고정화함 -; 상기 에치 레지스트 마스크로 덮히지 않은 마스크화되지 않은 금속 부분을 제거하도록 에칭 공정을 수행하는 단계; 및 상기 에치 레지스트 마스크를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시태양에서, 본원의 실시태양에 따라 형성된 금속 패턴이 50 마이크론 미만의 폭을 가지는 패턴 라인을 포함한다. 일부 실시태양에서, 본원의 실시태양에 따라 제조되어 마스크화된 에치 레지스트는 50 마이크론 미만의 폭을 가지는 라인을 포함한다. 일부 실시태양에서, 본원의 실시태양에 따라 형성된 금속 패턴이 30 마이크론 미만의 폭을 가지는 패턴 라인을 포함한다. 일부 실시태양에서, 본원의 실시태양에 따라 제조되어 마스크화된 에치 레지스트는 30 마이크론 미만의 폭을 가지는 라인을 포함한다.
일부 실시태양에서, 이 방법은, 프린팅 단계 전에, 용매을 사용하여 표면으로부터 화학적 표면-활성 용액을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시태양에서, 화학적 반응을 하는 잉크 성분이 음이온성 성분이다. 일부 실시태양에서, 활성화된 표면과 화학적 반응을 하는 잉크 성분이 아크릴레이트, 포스페이트, 술포네이트 또는 이들의 혼합물로부터 선택된 중합체 성분이다. 일부 실시태양에서, 활성화제는 구리 염, 철 염, 크롬 황산, 과황산염, 아염소산나트륨 및 과산화수소 또는 이들의 혼합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
일부 실시태양에서, 상기 화학적 표면-활성 용액을 도포하는 단계는 약 10-60초 동안 금속 표면을 화학적 표면-활성 용액을 포함하는 바스(bath)에 침지하는 단계를 포함한다. 일부 실시태양에서, 상기 화학적 표면-활성 용액을 도포하는 단계는 화학적 표면-활성 용액을 금속에 분사하는 단계를 포함한다. 일부 실시태양에서, 상기 에치-레지스트 잉크를 활성화된 표면에 논임팩트 프린팅하는 단계는 잉크젯 프린팅 단계를 포함한다.
본원의 주제는 명세서의 결론 부분에 특별히 지적되고 명백히 청구된다. 하지만, 조직 및 동작 방법 둘 다 그 목적, 특징 및 장점과 함께 이하 도면과 함께 기재되는 다음의 자세한 설명을 참조하여 가장 이해될 것이다.
도 1은 본원의 일부 실시태양에 따른 에치-레지스트 마스크의 제조 방법의 흐름도이다.
도 2a는 비활성 구리에 프린팅된 일례의 에치 레지스트 마스크의 사진이다.
도 2b는 본원의 실시태양에 따른 활성화 구리 표면에 프린팅된 일례의 에치 레지스트 마스크의 사진이다.
간단하고 명확한 도시를 위하여, 도면의 구성요소들이 필수적으로 스케일되어 도시되지는 않는다. 예를 들어, 구성요소 중 일부의 치수는 명확성을 위해 다른 구성요소에 비하여 과장될 수 있다. 또한, 적절하게 고려되는 한, 도면 부호가 대응하거나 유사한 구성요소를 나타내도록 도면 간에서 반복될 수도 있다.
다음의 구체적인 상세한 설명에서, 다수의 특정 사항들이 기재되어 본원의 전반적인 이해를 제공한다. 그러나, 이 분야에 통상의 기술자에 의해 본원이 이러한 특정 사항 없이도 숙련될 수 있음을 이해해야 할 것이다. 다른 예에서, 공지된 방법, 절차 및 구성요소는 본원을 모호하게 하지 않기 위해 자세히 기재되지 않았다.
본원의 실시태양은 예컨대 인쇄 기판 회로(PCB)의 제조 동안, 논임팩트 프린팅에 의해 금속 층에 에치-레지스트 마스크를 형성하거나 도포하는 방법에 관한 것이다. 본원의 실시태양에 따라 에치-레지스트 마스크를 금속 표면에 도포하는 방법은 금속 표면을 화학적으로 활성화시키도록 금속 표면의 상부에 화학적 표면-활성 용액을 도포하는 단계, 이어서 표면으로부터 화학적 활성 요액을 제거/세척하는 단계와 활성화된 표면의 상부에 에치 레지스트 잉크를 프린팅(예, 잉크젯 프린팅)하는 단계를 포함한다. 본원의 실시태양에 따르면, 에치-레지스트 잉크의 활성 성분은 활성화된 표면과 화학적 반응을 하여 표면을 타격시 액체 성분의 액적을 고정화한다. 화학적 반응은 활성화된 표면에 타격하는 경우에 즉각적으로 잉크 액적 점성의 상당한 증가(예, 한 자릿수(10배) 또는 두 자릿수(100배) 만큼)를 야기시킨다.
일부 실시태양에서, 에치-레지스트 잉크(잉크 성분) 내의 활성 성분이 에치 레지스트 성분일 수 있고, 다른 실시태양에서 활성 성분이 에치-레지스트 성분과 상이할 수 있다. 일부 실시태양에 따르면, 에치 레지스트-잉크의 하나 이상의 활성 성분이 활성화된 표면 상의 성분과 화학적 반응을 할 수 있다.
금속 층이 절연의 비전도성 기판에 적층된 구리 층일 수 있다. 설명의 용이를 위해, 이하 구리 표면이라 한다. 다른 금속 표면, 예컨대 알루미늄 표면, 스테인리스강 표면, 금 표면 및 다른 표면이 본원의 실시태양에 유사하게 적용될 수 있음을 알아야 할 것이다.
본원의 일부 실시태양에 따른 에치-레지스트 마스크 제조 방법의 흐름도인 도 1을 참조한다. 본원의 실시태양에 따르면, 박스(110)에 도시된 바와 같이, 이 방법은, 에치-레지스트 패턴이 프린트될 금속 표면에 화학적 표면-활성 용액을 도포하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시태양에서, 화학적 표면-활성 용액이 상기 표면을 화학적으로 활성시키도록 할 수 있는 임의의 에칭 용액이거나 임의의 에칭 용액을 포함할 수 있다. 화학적으로 활성된 표면은 표면 활성 전에는 에치 레지스트 잉크 재료에 반응하지 않으나 표면 활성 후에는 에치 레지스트 잉크 액적의 고정화(immobilization)를 야기하도록 반응하는 표면으로 정의될 수 있다. 예컨대, 표면-활성 용액은 구리 염, 철 염, 크롬 황산, 과황산염, 아염소산나트륨 및 과산화수소를 포함할 수 있다. 일부 실시태양에서, 화학적 활성 용액을 도포하는 단계는 화학적 표면-활성 용액을 포함하는 바스에 표면을 침지하는 단계, 표면 위에 화학적 표면-활성 용액을 분사하는 단계 및 임의의 다른 적합한 방법을 포함할 수 있다. 일부 실시태양에서, 이 방법은 예컨대 10초, 20초, 30초, 60초 또는 이를 초과하는 미리결정된 시간 기간 동안, 금속 표면을 화학적 활성 용액에 가하는 단계(예컨대, 침지, 분사 등에 의해) 단계를 포함할 수 있다.
박스(115)에 도시된 것처럼, 일부 실시태양에서, 이 방법은 예컨대 알코올 용액을 사용하여 화학적 표면-활성 용액을 제거하는 단계를 선택적으로 포함할 수 있다. 예를 들어, 이 방법은 에탄올을 사용하여 표면으로부터 화학적 표면-활성 용액의 잔류물을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시태양에서, 표면으로부터 화학적 활성 용액을 제거하는 단계는 알코올 용액이 아닌 액체, 예컨대 프로필 알코올; 이소-프로필 알코올; 아세톤을 사용하여 이루어질 수 있다.
박스(120)에 도시된 바와 같이, 일부 실시태양에서, 이 방법은 미리결정된 패턴에 따라 에치 레지스트 마스크를 제공하도록 활성화된 표면에 에치-레지스트 잉크를 논임팩트 프린팅하는 단계(예, 잉크젯 프린팅에 의해)를 포함할 수 있다. 에치 레지스트 잉크는 활성화된 표면에 타격시 에치-레지스트 잉크의 액적을 고정화하도록 활성화된 표면과 화학적 반응을 하는 에치-레지스트 중합체 성분을 포함할 수 있다. 일부 실시태양에서, 에치-레지스트 성분과 상이한 또 다른 잉크 성분이 활성화된 표면과 화학적 반응을 하여 활성화된 표면을 타격시 에치-레지스트 잉크의 액적을 고정화하도록 활성화된 표면과 화학적 반응을 한다.
에치 레지스트 중합체 활성 성분의 비제한적 실시예는 아크릴레이트, 스티렌 아크릴레이트, 포스페이트 및 술포네이트 중합체일 수 있으며, 분자량(Mw)은 1000-17,000이다.
일부 실시태양에서, 에치 레지스트 활성 중합체 성분은 수용성일 것이고, 활성 음이온성 성분을 포함할 수 있다. 음이온성 에치-레지스트 활성 성분의 비제한적 실시예는 7.0보다 높은 pH에서 적어도 하나의 음이온성 중합체(염기 형태)를 포함할 수 있다. 음이온성 중합체는 용해된 염 형태의 아크릴 수지 및 스티렌-아크릴 수지, 용해된 염 형태, 예컨대 나트륨, 암모늄 또는 아민 중화된 형태 등의 술폰산 수지로부터 선택될 수 있다. 임의의 특정 이론적인 메커니즘에 구속되지는 않은 채, 위 언급한 수지들은 반응성(활성화된) 표면과 반응할 수 있다. 예를 들면, 구리 금속 표면은 활성화되어 구리의 상부에 구리 양이온을 형성할 수 있으며, (에치-레지스트 잉크 중에 존재하는) 아크릴 중합체가 표면에 부딪히면, 음이온성 아크릴레이트는 구리 이온과 반응하여 액적 내에 중합체성 매트릭스를 형성할 수 있고, 이는 액적의 점성을 극적으로 증가시킨다.
일부 실시태양에서, 활성화된 표면에 타격시 에치-레지스트 잉크의 액적을 고정화하도록 표면-활성화 성분과 화학적 반응을 하는 잉크 성분이 에치-레지스트 성분과 상이할 수 있다.
박스(130)에 도시된 것처럼, 마스크화된 구리 보드는 금속 층에서 노출되고, 마스크화되지 않은 부분을 제거하도록 금속 에칭(예, 산성 구리 에칭) 용액에 의해 더 에칭될 수 있다. 박스(140)에 도시된 것처럼, 에치 레지스트 마스크는 그 후 기판, 즉 절연 보드에 라인 패턴을 노출하도록 제거될 것이다.
실시예
앱손 스타일러스(Epson stylus)(4900) 잉크젯 프린터를 사용하여, 일례의 액체 조성물(여기서 에치-레지스트 잉크 조성물이라 함)이 18 마이크론의 구리 두께를 갖는 FR4 구리 클래드 보드 상에 프린팅되었다. 일부 테스트에서, 구리는, 구리 표면을 활성화하도록 화학적 표면-활성 용액을 도포함으로써 먼저 화학적으로 활성화되었다. 에치 레지스트 잉크의 액체 조성물을 미리 결정된 패턴에 따라 활성화되거나 비활성화된 구리 표면에 잉크젯 프린트 기술을 사용하여 선택적으로 프린트하였다. 이하에서, %(w/w)는 조성물의 중량에 대한 중량%로서의 물질의 농도의 단위이다. 마스킹되지 않은 노출된 구역으로부터의 구리를 암자(Amza)(퍼믹스(PERMIX) 166)에 의해 제공된 강도 42° 바움(Baume)의 염화제2철 에칭제 용액을 함유하는 에칭제 바스를 사용하여 에칭하였다. 에칭은 월터 레멘 게엠베하(Walter Lemmen GMBH)에 의해 제공된 스프레이 디벨로퍼 에스31(Spray Developer S31) 내에서 35℃ 온도에서 3분 동안 수행하였다. 에칭된 보드를 25℃ 온도에서 NaOH의 1% (w/w) 수용액 중에 침지시킨 후 물로 FR4 구리 보드를 세척하고 25℃에서 공기에 의해 건조시키는 것에 의해 에치 레지스트 마스크를 벗겨내었다.
실시예 1 - 실온에서 액체 조성물 형태인 에치 레지스트 잉크를 처리되지 않은(비활성화된) 구리 FR4 보드의 상부에 프린트하였다. 프로필렌 글리콜 (습윤제) 및 1% (w/w) 2-아미노-2-메틸 프로판올, BYK에 의해 제공된 0.3% (w/w)의 BYK 348 및 2 % (w/w)의 베이스크립트 비에이 시안(Bayscript BA Cyan)으로 액체 조성물을 제조하였다. 이 재료들을 24% 존크릴(Joncryl) 스티렌 아크릴 수지 용액을 함유하는 물에 용해시켰다. 앱손 스타일러스 4900 잉크젯 프린터를 사용하여, 에치 레지스트 조성물을 18 마이크론의 구리 두께를 가지는 FR4 구리 클래드 보드의 상부에 프린트하여 에치 레지스트 마스크를 제조하였다.
에치-레지스트 마스크를 육안으로 검사하였다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 프린트된 패턴은 매우 열악한 프린트 품질과 극단적으로 열악한 에지 선명도 및 선들 사이의 심각한 단락을 보였다.
실시예 2 - 실시예 1에 상세히 설명된 대로 액체 조성물을 제조하였다. FR4 구리 클래드 보드 표면을 구리 클래드를 CuCl2 0.5% (w/w) 수용액에 30초 동안 디핑(예를 들면, 침지)시킨 후 구리 보드를 기술 등급 에탄올로 세척하는 것에 의해 활성시켰다.
앱손 스타일러스 4900 잉크젯 프린터를 사용하여, 에치 레지스트 조성물을 구리 보드의 상부에 프린트하고 80℃에서 건조시켜 불용성 에치 레지스트 마스크를 제조하였다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 에치 레지스트 패턴은 선명도가 좋은 높은 프린트 품질 및 날카로운 에지를 함유하는 50 마이크로미터까지 가늘어진 선 폭을 가진 얇은 선을 보였으며, 선의 끊김은 보이지 않았다. 노출된 구리의 에칭 및 에치 레지스트 마스크의 제거를 실시예 1에 상세히 설명된 대로 수행하였다. 보드 상의 배선 패턴은 날카로운 에지를 가지고 선이 끊기지 않은, 50 마이크론까지 가늘어진 폭을 가지는 선명도가 좋은 얇은 선을 보였다.
실시예 3 - 실시예 1에 상세히 설명된 대로 액체 조성물을 제조하였다. FR4 구리 클래드 보드 표면을 구리 클래드를 FeCl3 20% (w/w) 수용액을 함유하는 바스에 10초 동안 디핑시킨 후 구리 보드를 기술 등급 에탄올로 세척하는 것에 의해 활성시켰다.
실시예 2와 유사하게, 액체 조성물을 코팅된 구리 보드 상에 잉크젯 프린트하고 80℃에서 건조시켜 불용성 에치 레지스트 마스크를 제조하였다. 에치 레지스트 패턴은 선명도가 좋은 높은 프린트 품질 및 날카로운 에지를 함유하는 50 마이크로미터까지 가늘어진 선 폭을 가진 얇은 선을 보였으며, 선의 끊김은 보이지 않았다. 노출된 구리의 에칭 및 에치 레지스트 마스크의 제거를 실시예 1에 상세히 설명된 대로 수행하였다. 보드 상의 배선 패턴은 날카로운 에지를 가지고 선이 끊기지 않은, 30 마이크론까지 가늘어진 폭을 가지는 선명도가 좋은 얇은 선을 보였다.
실시예 4 - 실시예 1에 상세히 설명된 대로 액체 조성물을 제조하였다. FR4 구리 클래드 보드 표면을 구리 클래드를 Na2S2O8 1% (w/w) 수용액에 30초 동안 디핑시킨 후 구리 보드를 기술 등급 에탄올로 세척하는 것에 의해 활성시켰다.
앱손 스타일러스 4900 잉크젯 프린터를 사용하여, 에치 레지스트 조성물을 처리된 구리 보드 상에 프린트하고 80℃에서 건조시켜 불용성 에치 레지스트 마스크를 제조하였다. 에치 레지스트 패턴은 선명도가 좋은 높은 프린트 품질 및 날카로운 에지를 함유하는 50 마이크로미터까지 가늘어진 선 폭을 가진 얇은 선을 보였으며, 선의 끊김은 보이지 않았다. 마스크 되지 않은 구리의 에칭 및 에치 레지스트 마스크의 제거를 실시예 1에 상세히 설명된 대로 수행하였다. 에칭 및 스트리핑 공정에 의해 제조된 배선 패턴은 날카로운 에지를 가지고 선이 끊기지 않은, 30 마이크론까지 가늘어진 폭을 가지는 선명도가 좋은 얇은 선을 보였다.
아래의 표 1은 본 발명의 실시태양에서 사용된 화학적 표면 활성화 성분의 비제한적인 예들을 예시하며, 표면-활성 용액 중의 이들의 상대적 중량 농도 및 제안된 침지 시간은 본 발명의 일부 실시태양에 따른 것이다.
활성화제 농도 (w/w%) 침지 시간 (초)
CuCl2 (또는 임의의 이가 구리 염) 0.5-1 30
Na2S2O8 (또는 임의의 과황산염) 0.5-1 30
H2O2 10 30
FeCl3 20 10
HCrO4/H2SO4 5 30
NaClO2 5 60
아래의 표 2는 에치-레지스트 잉크의 일부 비제한적인 예들을 예시한다.
에치-레지스트 잉크 에치-레지스트 성분
1 2 % (w/w)의 시안 염료, 10% 프로필렌 글리콜, 1% (w/w) 2-아미노-2-메틸 프로판올 및 0.3% (w/w)의 계면활성제를 24% 스티렌 아크릴 수지 용액을 함유하는 물에 용해시켰다. 아크릴레이트 중합체;
Mw: 1000-17,000
2 2 % (w/w)의 시안 염료, 10% 프로필렌 글리콜, 1% (w/w) 2-아미노-2-메틸 프로판올 및 0.3% (w/w)의 계면활성제를 24% 포스페이트 수지 용액을 함유하는 물에 용해시켰다. 포스페이트 중합체
Mw: 500-17,000
3 2 % (w/w)의 시안 염료, 10% 프로필렌 글리콜, 1% (w/w) 2-아미노-2-메틸 프로판올 및 0.3% (w/w)의 계면활성제를 24% 술포네이트 수지 용액을 함유하는 물에 용해시켰다. 술포네이트 중합체
Mw: 500-17,000
본원의 특정특징이 여기에 도시되고 기재되었으나, 다수의 변경, 대체, 변형 및 등가물이 통상의 기술자에게 가능하다. 따라서, 수반되는 청구항이 본원의 정신 내에 있는 한은 모든 변경 및 수정을 포함하도록 의도되는 것임을 이해해야 한다.

Claims (20)

  1. 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법으로서,
    금속 표면을 화학적으로 활성화시키는 활성화제를 갖는 활성화 용액을 상기 기판의 금속 표면에 도포하는 단계;
    미리 결정된 패턴에 따라 상기 금속 표면의 부분을 덮는 마스크를 제공하기 위해 활성화된 금속 표면에 잉크를 논임팩트 프린팅하는 단계 - 상기 잉크의 적어도 하나의 성분이 상기 활성화된 금속 표면과 접촉 시 상기 활성화된 금속 표면의 금속 이온들과 화학적 반응을 하여 상기 잉크의 액적들을 고정화함 -;
    상기 마스크로 덮이지 않은 금속 표면의 부분으로부터 재료를 제거하기 위해 에칭 공정을 수행하는 단계; 및
    상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마스크는 50 마이크론 미만의 폭을 가지는 라인들을 포함하는, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    프린팅하기 전에, 용매를 사용하여 상기 기판으로부터 상기 활성화 용액을 제거하는 단계를 더 포함하는, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학적 반응을 하는 상기 잉크의 적어도 하나의 성분이 음이온성 성분인, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학적 반응을 하는 상기 잉크의 적어도 하나의 성분이 아크릴레이트, 포스페이트, 술포네이트 또는 이들의 혼합물로부터 선택된 중합체 성분인, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 활성화제는 구리 염, 철 염, 크롬 황산, 과황산염, 아염소산나트륨, 과산화수소 또는 이들의 혼합물 중 하나 이상을 포함하는, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 활성화된 금속 표면에 상기 잉크를 논임팩트 프린팅하는 단계는 잉크젯 프린팅 단계를 포함하는, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법.
  8. 무기 활성화제를 포함하는 활성화 용액을 금속 표면에 도포함으로써 기판의 금속 표면을 화학적으로 활성화시키는 단계;
    상기 금속 표면을 화학적으로 활성화시킨 후, 마스크 패턴으로 상기 금속 표면에 잉크를 프린팅하는 단계;
    상기 금속 표면의 부분을 덮는 마스크를 생성하기 위해 상기 잉크의 성분을 상기 금속 표면의 이온들과 반응시키는 단계;
    상기 마스크에 의해 덮이지 않은 상기 금속 표면의 부분으로부터 재료를 제거하기 위해 에칭 공정을 수행하는 단계; 및
    금속 패턴을 형성하기 위해 상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는, 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 금속 패턴은 라인들을 포함하고, 각각의 라인은 50마이크론 미만의 폭을 갖는, 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 마스크는 라인들을 포함하고, 각각의 라인은 50마이크론 미만의 폭을 갖는 라인을 포함하는 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    프린팅하기 전에, 상기 기판으로부터 상기 활성화 용액을 제거하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 잉크의 상기 성분은 아크릴레이트, 포스페이트, 설포네이트, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 중합체 성분인, 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 무기 활성화제는 구리 염, 철 염, 크롬 황산, 과황산염, 아염소산나트륨 및 과산화수소로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는, 방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 프린팅하는 단계는 잉크젯 프린팅하는 단계인, 방법.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 잉크가 염료를 포함하는, 방법.
  16. 제8항에 있어서, 상기 금속 표면은 구리를 포함하고 상기 이온들은 구리 양이온들을 포함하는, 방법.
  17. 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법으로서,
    금속 표면을 화학적으로 활성화시키는 활성화제를 갖는 활성화 용액을 상기 기판의 금속 표면에 도포하는 단계;
    미리 결정된 패턴에 따라 금속 표면의 부분을 덮는 마스크를 생성하기 위해 활성화된 금속 표면에 잉크를 논임팩트 프린팅하는 단계, - 상기 잉크는 상기 활성화된 금속 표면과 접촉 시 상기 활성화된 금속 표면과 화학 반응을 하여 상기 잉크의 액적들을 고정화하는 중합체 성분을 포함함 -;
    상기 마스크에 의해 덮이지 않는 상기 금속 표면의 부분으로부터 재료를 제거하기 위해 에칭 공정을 수행하는 단계; 및
    상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 활성화제는 구리 염, 철 염, 크롬 황산, 과황산염, 아염소산나트륨, 과산화수소 또는 이들의 혼합물 중 하나 이상을 포함하는, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 중합체 성분은 음이온성 성분인, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 활성화된 금속 표면에 상기 잉크를 논임팩트 프린팅하는 단계는 잉크젯 프린팅 단계를 포함하는, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 방법.

KR1020237007896A 2015-08-13 2016-07-27 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법 KR102626521B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020247001306A KR20240014578A (ko) 2015-08-13 2016-07-27 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562204508P 2015-08-13 2015-08-13
US62/204,508 2015-08-13
PCT/IL2016/050820 WO2017025949A1 (en) 2015-08-13 2016-07-27 Methods for producing an etch resist pattern on a metallic surface
KR1020187007265A KR102508824B1 (ko) 2015-08-13 2016-07-27 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187007265A Division KR102508824B1 (ko) 2015-08-13 2016-07-27 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247001306A Division KR20240014578A (ko) 2015-08-13 2016-07-27 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230036169A true KR20230036169A (ko) 2023-03-14
KR102626521B1 KR102626521B1 (ko) 2024-01-17

Family

ID=57983031

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237007896A KR102626521B1 (ko) 2015-08-13 2016-07-27 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법
KR1020247001306A KR20240014578A (ko) 2015-08-13 2016-07-27 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법
KR1020187007265A KR102508824B1 (ko) 2015-08-13 2016-07-27 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247001306A KR20240014578A (ko) 2015-08-13 2016-07-27 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법
KR1020187007265A KR102508824B1 (ko) 2015-08-13 2016-07-27 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법

Country Status (6)

Country Link
US (4) US10806035B2 (ko)
EP (2) EP3335079B1 (ko)
JP (3) JP6975463B2 (ko)
KR (3) KR102626521B1 (ko)
CN (2) CN108027553B (ko)
WO (1) WO2017025949A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107710070B (zh) * 2015-06-04 2021-07-13 科迪华公司 用于在金属表面上产生抗蚀刻图案的方法及其组合物组
CN108027553B (zh) 2015-08-13 2021-12-31 柯狄公司 用于在金属表面上产生抗蚀刻图案的方法
US10398034B2 (en) 2016-12-12 2019-08-27 Kateeva, Inc. Methods of etching conductive features, and related devices and systems
US20200325583A1 (en) * 2017-10-23 2020-10-15 Mec Company., Ltd. Method for Producing Film Formation Substrate, Film Formation Substrate, and Surface Treatment Agent
GB2583778B (en) * 2019-03-29 2023-05-24 Pierce Protocols Ltd Glass etching preparation method and system
JP6908207B2 (ja) * 2019-06-11 2021-07-21 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物、これを用いたステンレス鋼表面の粗化処理方法、ならびに粗化処理されたステンレス鋼およびその製造方法
CN110468413A (zh) * 2019-09-10 2019-11-19 四会富仕电子科技股份有限公司 一种金属基表面粗化的方法
US11826775B2 (en) * 2022-03-07 2023-11-28 CatMarks Manufacturing, LLC Automotive part identification marking system

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009532205A (ja) * 2006-04-05 2009-09-10 マクダーミッド インコーポレーテッド 銅表面にパターンを形成する方法

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4015706A (en) 1971-11-15 1977-04-05 Chemcut Corporation Connecting modules for an etching system
US4127438A (en) * 1977-11-07 1978-11-28 International Business Machines Corporation Adhesion promoter for additively plated printed circuit boards
DE3402883A1 (de) 1984-01-27 1985-08-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Leiterplatten aus schichtpressstoffen
CA1282272C (en) 1985-06-07 1991-04-02 Shigeru Danjo Photocurable composition
US4946711A (en) 1987-10-14 1990-08-07 Desoto, Inc. Masking compositions and method for applying the same
JP2585070B2 (ja) 1988-08-02 1997-02-26 日本ペイント株式会社 画像形成方法
WO1992011322A2 (en) 1990-12-20 1992-07-09 Exxon Chemical Patents Inc. Uv/eb curable butyl copolymers for lithographic and corrosion-resistant coating applications
GB9425031D0 (en) 1994-12-09 1995-02-08 Alpha Metals Ltd Printed circuit board manufacture
DE69635203T2 (de) 1995-07-11 2006-06-29 Delphi Technologies, Inc., Troy Beschichtungen und Verfahren, insbesondere für Leiterplatten
EP0860742B1 (en) 1997-02-25 2001-04-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Flexible, flame-retardant, photoimageable composition for coating printing circuits
US6222136B1 (en) 1997-11-12 2001-04-24 International Business Machines Corporation Printed circuit board with continuous connective bumps
IL129307A0 (en) 1999-04-04 2000-02-17 Scitex Corp Ltd Process for direct digital printing of circuit boards
GB9916060D0 (en) 1999-07-08 1999-09-08 Isis Innovation Printed circuit fabrication
WO2001008895A1 (fr) 1999-07-30 2001-02-08 Seiko Epson Corporation Procede d'enregistrement comprenant des supports d'enregistrement et d'impression avec deux composes liquides
EP1240552B1 (en) 1999-08-13 2012-09-19 Intellectual Ventures Holding 40 LLC Water-processable photoresist compositions
WO2001073510A1 (fr) 2000-03-29 2001-10-04 Kanagawa University Composition de resine photodurcissante/thermodurcissante, couche seche photosensible preparee au moyen de cette resine et procede de creation de configurations
DE10066028C2 (de) 2000-07-07 2003-04-24 Atotech Deutschland Gmbh Kupfersubstrat mit aufgerauhten Oberflächen
JP3754303B2 (ja) 2001-02-16 2006-03-08 株式会社日立インフォメーションテクノロジー Ｓｄｒａｍリフレッシュ回路
JP2003012971A (ja) 2001-06-28 2003-01-15 Konica Corp インクジェット記録方法
US7150816B2 (en) 2001-08-31 2006-12-19 Semitool, Inc. Apparatus and method for deposition of an electrophoretic emulsion
US6709962B2 (en) 2002-03-19 2004-03-23 N. Edward Berg Process for manufacturing printed circuit boards
US20030177639A1 (en) * 2002-03-19 2003-09-25 Berg N. Edward Process and apparatus for manufacturing printed circuit boards
SG107593A1 (en) * 2002-06-04 2004-12-29 Agency Science Tech & Res Method for electroless metalisation of polymer substrate
GB0221891D0 (en) 2002-09-20 2002-10-30 Avecia Ltd Process
TWI291726B (en) 2002-10-25 2007-12-21 Nanya Technology Corp Process for etching metal layer
US7005241B2 (en) 2003-06-09 2006-02-28 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Process for making circuit board or lead frame
JP2005033049A (ja) 2003-07-08 2005-02-03 Nec Toppan Circuit Solutions Inc プリント配線板の配線パターン形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP2005079479A (ja) 2003-09-02 2005-03-24 Asahi Kasei Electronics Co Ltd レジスト直描用レジストインク
US7477627B2 (en) 2003-09-10 2009-01-13 Intel Corporation Method and device of adaptive control of data rate, fragmentation and request to send protection in wireless networks
US20050067378A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Harry Fuerhaupter Method for micro-roughening treatment of copper and mixed-metal circuitry
US7722747B2 (en) 2003-10-22 2010-05-25 Nexx Systems, Inc. Method and apparatus for fluid processing a workpiece
GB0324947D0 (en) 2003-10-25 2003-11-26 Avecia Ltd Process
ATE460830T1 (de) 2004-01-15 2010-03-15 Panasonic Corp Struktur und prozess zu ihrer herstellung
EP1643817A4 (en) 2004-03-03 2010-04-21 Ibiden Co Ltd RESIN SOLUTION, PAINT PROCESSING AND PCB
KR100585138B1 (ko) 2004-04-08 2006-05-30 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법
US20050250052A1 (en) 2004-05-10 2005-11-10 Nguyen Khe C Maskless lithography using UV absorbing nano particle
GB0414840D0 (en) 2004-07-02 2004-08-04 Ncr Int Inc Self-service terminal
KR100733920B1 (ko) * 2004-09-17 2007-07-02 주식회사 엘지화학 에칭 레지스트용 잉크 조성물, 이를 이용한 에칭 레지스트패턴 형성 방법 및 미세 유로 형성 방법
JP2009506187A (ja) 2005-08-31 2009-02-12 プリンター リミテッド Ｕｖ硬化可能なハイブリッド硬化インクジェットインク組成物およびそれを使用するソルダマスク
KR100643934B1 (ko) * 2005-09-02 2006-11-10 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 회로패턴 형성방법
US7686986B2 (en) 2006-01-05 2010-03-30 Headwaters Technology Innovation, Llc Magnesium hydroxide nanoparticles, methods of making same and compositions incorporating same
JP2007250884A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Shirai Denshi Kogyo Kk フレキシブルプリント基板およびその製造方法
US20080308003A1 (en) 2007-06-13 2008-12-18 Krol Andrew M UV inkjet resist
JP5454834B2 (ja) 2007-08-30 2014-03-26 日立化成株式会社 粗化処理装置
JP2009158593A (ja) 2007-12-25 2009-07-16 Tessera Interconnect Materials Inc バンプ構造およびその製造方法
WO2009116401A1 (ja) 2008-03-17 2009-09-24 日立化成工業株式会社 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、ソルダーレジスト及びプリント配線板
KR100986287B1 (ko) 2008-05-09 2010-10-07 삼성전기주식회사 잉크젯 토출장치
EP2391924B1 (en) 2009-01-29 2013-07-24 Digiflex Ltd. Process for producing a photomask on a photopolymeric surface
JP2011171323A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Mitsubishi Paper Mills Ltd 銅又は銅合金のエッチング方法
JP2011243256A (ja) 2010-05-19 2011-12-01 Dainippon Printing Co Ltd サスペンション用フレキシャー基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ
KR20140130234A (ko) 2010-11-17 2014-11-07 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 프린트 배선판의 제조 방법
US20120288683A1 (en) 2011-05-10 2012-11-15 Chin-Te Kuo Protuberant structure and method for making the same
JP6053773B2 (ja) * 2011-07-07 2016-12-27 アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ 銅又は銅合金表面への有機レジスト密着性の提供方法
US9352544B2 (en) * 2011-08-24 2016-05-31 Digiflex Ltd. Process for dry-coating flexographic surfaces
EP2753159B1 (en) 2011-08-29 2018-12-19 NGK Insulators, Ltd. Laminated sintered ceramic wiring substrate, and semiconductor package containing wiring substrate
US9683305B2 (en) * 2011-12-20 2017-06-20 Apple Inc. Metal surface and process for treating a metal surface
BR112014016337A8 (pt) 2012-01-31 2017-07-04 Agfa Gevaert impressão com tinta a jato de tinta curável por radiação e resistente ao ataque químico
JP2013162007A (ja) * 2012-02-07 2013-08-19 Toppan Printing Co Ltd 微細配線パターンの製造方法
US20140252571A1 (en) 2013-03-06 2014-09-11 Maxim Integrated Products, Inc. Wafer-level package mitigated undercut
JP6164614B2 (ja) 2013-12-06 2017-07-19 メック株式会社 エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法
WO2015084921A1 (en) 2013-12-06 2015-06-11 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Cleaning formulation for removing residues on surfaces
TWI500806B (zh) 2014-03-10 2015-09-21 Nat Univ Tsing Hua 碳化矽薄膜的製造方法
KR20150109932A (ko) 2014-03-21 2015-10-02 삼성전기주식회사 에칭액 조성물 및 이를 이용한 회로 패턴의 제조방법
US10498101B2 (en) 2014-09-08 2019-12-03 Kyushu University, National University Corporation Method for producing organic microdisk structure
GB2538522B (en) 2015-05-19 2019-03-06 Dst Innovations Ltd Electronic circuit and component construction
CN107710070B (zh) 2015-06-04 2021-07-13 科迪华公司 用于在金属表面上产生抗蚀刻图案的方法及其组合物组
CN108027553B (zh) 2015-08-13 2021-12-31 柯狄公司 用于在金属表面上产生抗蚀刻图案的方法
US10398034B2 (en) 2016-12-12 2019-08-27 Kateeva, Inc. Methods of etching conductive features, and related devices and systems

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009532205A (ja) * 2006-04-05 2009-09-10 マクダーミッド インコーポレーテッド 銅表面にパターンを形成する方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108027553A (zh) 2018-05-11
KR20240014578A (ko) 2024-02-01
WO2017025949A1 (en) 2017-02-16
EP3866572A2 (en) 2021-08-18
US20210007225A1 (en) 2021-01-07
EP3866572B1 (en) 2024-01-03
US11255018B2 (en) 2022-02-22
US20180242457A1 (en) 2018-08-23
KR102508824B1 (ko) 2023-03-09
JP2023116478A (ja) 2023-08-22
US11807947B2 (en) 2023-11-07
EP3335079A1 (en) 2018-06-20
EP3335079A4 (en) 2019-03-27
EP3335079B1 (en) 2021-05-12
EP3866572A3 (en) 2021-09-29
JP7288644B2 (ja) 2023-06-08
KR102626521B1 (ko) 2024-01-17
CN108027553B (zh) 2021-12-31
JP2021192427A (ja) 2021-12-16
KR20180074666A (ko) 2018-07-03
US20240035167A1 (en) 2024-02-01
US10806035B2 (en) 2020-10-13
JP6975463B2 (ja) 2021-12-01
CN114397795A (zh) 2022-04-26
US20220136113A1 (en) 2022-05-05
JP2018527463A (ja) 2018-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102508824B1 (ko) 금속 표면 상에 에치 레지스트 패턴을 형성하는 방법
JP7426735B2 (ja) 金属表面上のエッチレジストパターンの製造方法
US11006528B2 (en) Methods of etching conductive features, and related devices and systems
JP2018527463A5 (ko)
TW201828358A (zh) 蝕刻導電特徵之方法及相關裝置與系統

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant