KR20230035641A

KR20230035641A - Emf 강도 제어 방법 및 통신 장치

Info

Publication number: KR20230035641A
Application number: KR1020237004695A
Authority: KR
Inventors: 타오 진; 윤한 장; 춘린 수에; 린 후앙
Original assignee: 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2020-07-20
Filing date: 2021-07-16
Publication date: 2023-03-14
Also published as: EP4175205A4; WO2022017292A1; EP4175205A1; US20230155695A1; CN113965270A; CN113965270B

Abstract

본 출원의 실시예들은 통신 기술 분야에 관한 것으로, EMF 강도 모니터링 프로세스에서 그리드의 크기가 적응적으로 조정됨으로써 EMF 강도 제어 정확도를 향상시키면서 네트워크 디바이스의 처리 압력을 감소시킬 수 있게 하는 EMF 강도 제어 방법 및 통신 장치를 개시한다. 특정 솔루션은 다음과 같다: 네트워크 디바이스는 제1 그리드 그룹 내의 각 그리드의 EMF 강도를 획득한다. 제1 그리드 그룹은 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역을 분할함으로써 획득된 M개의 그리드를 포함하고, M은 1보다 큰 정수이다. 네트워크 디바이스는 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정한다. 제2 그리드 그룹은 적어도 제1 그리드 및 제2 그리드를 포함하고, 제1 그리드의 커버리지 영역은 제2 그리드의 커버리지 영역보다 크고, 제1 그리드의 EMF 강도는 제2 그리드의 EMF 강도보다 작다. 네트워크 디바이스는 제2 그리드 그룹에 기초하여 제2 그리드 그룹의 커버리지 영역의 EMF 강도를 모니터링하여 제2 그리드 그룹의 커버리지 영역의 EMF 강도를 조정한다.

Description

EMF 강도 제어 방법 및 통신 장치

본 출원은 2020년 7월 20일에 중국 특허청에 제출되고 발명의 명칭이 "EMF STRENGTH CONTROL METHOD AND COMMUNICATION APPARATUS"인 중국 특허 출원 번호 202010700367.X의 우선권을 주장하는데, 이 중국 특허 출원은 그 전체가 참조에 의해 본원에 통합된다.

본 출원의 실시예들은 통신 기술 분야에 관한 것으로, 특히 전자기장(electromagnetic field, EMF) 강도 제어 방법 및 통신 장치에 관한 것이다.

통신 기술의 발달에 따라 네트워크 디바이스의 통신 품질에 대해 더 높은 요건이 부과되고 있다. 네트워크 디바이스의 통신 능력을 향상시키기 위해, 대규모 다중 입력 다중 출력(massive mimo, MM) 기술이 실제 통신 프로세스에 적용되기 시작했다. MM 기술을 사용함으로써 네트워크 디바이스는 좁은 빔을 통해 사용자와 통신할 수 있다. 기존의 넓은 빔에 비해, 좁은 빔은 더 정확한 신호 송신을 제공할 수 있으며, 통신 프로세스에서 서로 다른 사용자 사이에 더 작은 신호 중첩을 갖는다. 따라서, 네트워크 디바이스와 서로 다른 사용자 사이의 통신 품질을 효과적으로 향상시킬 수 있다.

신호 커버리지에서의 전자기장(electromagnetic field, EMF) 강도가 클수록 대응하는 방향에서 네트워크 디바이스와 사용자 사이의 통신 품질이 더 좋다는 것을 나타낸다. 그러나, 규정 요건으로 인해 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 내의 네트워크 디바이스의 EMF 강도는 과도하게 높을 수 없다. 따라서, 네트워크 디바이스는 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 내의 EMF 강도를 모니터링하고, 모니터링 결과에 기초하여 EMF 강도 분포를 조정해야 한다(예를 들어, 송신 전력을 줄임으로써 EMF 강도를 규정 준수 범위 내의 값으로 줄어야 함).

현재, 네트워크 디바이스는 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 내의 영역을 복수의 하위 영역(또는 그리드로 지칭됨)으로 균등하게 분할하고, 각 그리드에서 EMF 강도를 모니터링하여 각 그리드의 EMF 강도를 판정하고, 그에 따라 EMF 강도 분포를 조정할 수 있다.

그리드 분할이 미세할수록 네트워크 디바이스가 EMF 강도 분포를 더 정확하게 조정하는 데 도움이 된다는 것을 이해할 수 있다. 이러한 방식으로, 규정 준수를 전제로, 네트워크 디바이스는 신호 커버리지에서 EMF 강도를 최대한 향상시켜 통신 품질을 향상시킬 수 있다. 그러나, 미세 분할을 통해 획득된 대량의 그리드의 EMF 강도를 동시에 모니터링하는 것은 네트워크 디바이스에 큰 압력이 되고 네트워크 디바이스의 정상적인 작동에도 영향을 미친다.

본 출원의 실시예는 전자기장(EMF) 강도 모니터링 프로세스에서 그리드의 크기가 적응적으로 조정되어, 그리드의 공간 도메인 해상도를 조정함으로써 EMF 강도 제어 정확도를 향상시키면서 네트워크 디바이스의 처리 압력을 감소시킬 수 있게 하는, 전자기장(EMF) 강도 제어 방법 및 통신 장치를 제공한다.

전술한 목적을 달성하기 위해, 본 출원의 실시예에서는 다음과 같은 기술 솔루션이 사용된다.

제1 양태에 따르면, 전자기장(EMF) 강도 제어 방법이 제공된다. 이 방법은 다음을 포함한다: 네트워크 디바이스는 제1 그리드 그룹의 각 그리드의 EMF 강도를 획득한다. 제1 그리드 그룹은 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역을 분할함으로써 획득된 M개의 그리드를 포함하고, M은 1보다 큰 정수이다. 네트워크 디바이스는 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정한다. 제2 그리드 그룹은 적어도 제1 그리드 및 제2 그리드를 포함하고, 제1 그리드의 커버리지 영역은 제2 그리드의 커버리지 영역보다 크고, 제1 그리드의 EMF 강도는 제2 그리드의 EMF 강도보다 작다. 네트워크 디바이스는 제2 그리드 그룹에 기초하여 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역의 EMF 강도를 모니터링하여 신호 커버리지 영역의 EMF 강도를 조정한다.

이 솔루션에 기초하면, 네트워크 디바이스는 제1 그리드 그룹의 그리드의 EMF 강도 분포에 기초하여 제1 그리드 그룹의 각 그리드의 커버리지 영역을 조정할 수 있는데, 예를 들어 약한 EMF 강도를 갖는 인접한 그리드들을 결합하거나, 강한 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할할 수 있다. 그리드 입도(grid granularity)가 통신 수요 분포에 기초하여 유연하게 조정되므로, 그리드는 적응적으로 조정됨으로써 EMF 강도 제어 정확도를 향상시키면서 네트워크 디바이스의 처리 압력을 감소시킨다.

가능한 구현에서, M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하는 것은 다음을 포함한다: 네트워크 디바이스는 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 M개의 그리드에서 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 2개 이상의 인접 그리드를 결합한다. 네트워크 디바이스는 결합을 통해 획득된 그리드와 미결합 그리드를 제2 그리드 그룹으로 판정한다. 이 솔루션에 기초하면, 그리드의 수량을 감소시키는 구체적인 방법이 제공된다. 구체적으로, 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 2개 이상의 인접한 그리드가 결합된다. 이 예에서, EMF 강도가 제1 임계값 미만인 경우, 이는 대응하는 그리드가 위치한 영역의 통신 수요가 약함을 나타내는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 큰 입도를 사용하여 해당 영역에서 EMF 모니터링이 수행될 수 있다. 예를 들어, 그리드들을 결합함으로써 큰 입도에서의 모니터링이 구현될 수 있다.

가능한 구현에서, M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하는 것은 다음을 포함한다: 네트워크 디바이스는 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할한다. 네트워크 디바이스는 분할을 통해 획득된 그리드와 미분할 그리드를 제2 그리드 그룹으로 판정한다. 이 솔루션에 기초하면, 구체적인 그리드 세밀화 방법이 제공된다. 구체적으로, 통신 수요가 강한 영역에 대한 세밀화된 모니터링을 구현하기 위해, 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하여 대응하는 영역에서 작은 입도를 갖는 더 많은 그리드를 획득한다. 따라서, 이러한 방식으로 획득된 정밀한 EMF 강도를 사용하여 정확한 EMF 강도 제어를 수행할 수 있다.

가능한 구현에서, 네트워크 디바이스가 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하는 것은 다음을 포함한다: 네트워크 디바이스는 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여, M개의 그리드에서 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 2개 이상의 인접한 그리드를 결합하고, M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할한다. 네트워크 디바이스는 결합을 통해 획득된 그리드, 분할을 통해 획득된 그리드, 및 미결합 그리드/미분할 그리드를 제2 그리드 그룹으로 판정한다. 이 솔루션에 기초하면, 또 다른 그리드 최적화 솔루션이 제공된다. 구체적으로, 통신 수요가 약한 영역(예를 들어, 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 그리드에 대응하는 영역)의 그리드들이 결합되어 입도가 큰 그리드를 획득함으로써, 네트워크 디바이스의 처리 압력이 감소된다. 통신 수요가 강한 영역에 대한 세밀화된 모니터링을 구현하기 위해, 통신 수요가 강한 영역의 그리드는 분할되어 작은 입도를 갖는 그리드를 획득한다. 본 출원에서 결합 동작과 분할 동작은 동시에 수행될 수도 있고, 순차적으로 수행될 수도 있음에 유의해야 한다. 본 출원에서 순서는 제한되지 않는다.

가능한 구현에서, 네트워크 디바이스에 의해, M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하기 전에, 방법은 다음을 더 포함한다: 네트워크 디바이스는 분할을 통해 획득된 제2 그리드 그룹의 그리드의 수량이 제3 임계값보다 작다고 판정한다. 이 솔루션에 기초하면, 네트워크 디바이스는, 제3 임계값과 분할을 통해 획득된 대량의 그리드의 수량 사이의 값 관계를 판정함으로써, 네트워크 디바이스가 분할을 통해 획득된 그리드를 처리할 능력을 갖는지 여부를 판정할 수 있다. 네트워크 디바이스가 분할을 통해 획득된 그리드를 처리할 수 있다고 판정될 경우, 분할 동작이 수행될 수 있다. 반대로, 네트워크 디바이스가 분할을 통해 획득된 대량의 그리드를 처리할 수 없다면, 분할을 통해 획득된 그리드의 수량이 네트워크 디바이스에 의해 원활하게 처리될 수 있도록 분할 동작은 적절하게 조정된다. 예를 들어, 분할을 통해 획득된 대응하는 영역의 그리드의 수량이 적절하게 감소될 수 있다. 또 다른 예로, 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 크고 통신 수요가 여전히 약한 영역들에 대응하는 그리드들이 결합되어 네트워크 디바이스의 처리 능력을 확보함으로써 네트워크 디바이스는 EMF 강도가 높은 영역에 대한 세밀화된 모니터링을 수행할 수 있다.

가능한 구현에서, 그리드의 EMF 강도는 미리 설정된 시간 내의 그리드의 EMF 강도의 평균값이다. 이 솔루션에 기초하면, 가능한 EMF 강도 판정 방법이 제공된다. 구체적으로, 미리 설정된 시간 내에서의 EMF 강도의 평균값이 대응하는 그리드의 EMF 강도로 사용된다. EMF 강도는 통신 수요에 따라 실시간으로 변하기 때문에, 미리 설정된 시간 내의 EMF 강도의 평균값을 해당 그리드의 EMF 강도로 사용함으로써 대응하는 영역의 통신 수요가 보다 정확하게 반영될 수 있음을 알 수 있다. 물론, 본 출원의 일부 다른 구현에서는, 전체 처리 절차의 시간 소비를 줄이고 네트워크 디바이스의 처리 압력을 줄이기 위해, 대안적으로 한 순간의 EMF 강도가 대응하는 그리드의 EMF 강도로 사용될 수 있다.

가능한 구현에서, 방법은 네트워크 디바이스에 의해 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 현재 이용 가능한 송신 전력을 판정하는 것을 더 포함한다. 제2 그리드 그룹을 판정하는 것은: 네트워크 디바이스에 의해, 현재 이용 가능한 송신 전력에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하는 것을 포함한다. 이 솔루션에 기초하면, 네트워크 디바이스가 제2 그리드 그룹을 판정하는 가능한 솔루션이 제공된다. 예를 들어, 전술한 구현을 참조하면, 네트워크 디바이스는 각 그리드의 EMF 강도에 기초하여 대응하는 그리드를 분할할지 및/또는 결합할지 여부를 판정할 수 있다. 구체적 구현에서, 네트워크 디바이스는 그리드의 EMF 강도 상태를 판정하기 위해 그리드의 영역에 대응하는 방향으로의 송신 전력을 획득할 수 있다. 이 예에서, 네트워크 디바이스는 해당 방향으로 송신될 수 있는 최대 전력과 현재 송신 전력의 차이에 기초하여, 해당 방향으로 EMF 강도가 더 증가될 수 있는지 여부를 판정할 수 있다. EMF 강도가 더 증가될 수 있다면, 이는 해당 방향의 그리드가 더 분할될 수 있음을 나타낸다. 즉, 네트워크 디바이스는 더 많은 그리드의 EMF 모니터링을 추가로 처리할 수 있다. 이러한 방식으로, 네트워크 디바이스는 대응하는 그리드에 대한 분할 처리를 수행할 수 있다. 네트워크 디바이스가 대응하는 방향으로의 송신 전력을 증가시킬 수 없다면, 이는 해당 방향의 그리드가 분할될 수 없음을 나타낸다. 그리드가 계속 분할된다면, 네트워크 디바이스는 분할을 통해 획득된 그리드에 대해 EMF 모니터링을 원활하게 수행할 수 없다. 따라서, 이 솔루션은, 네트워크 디바이스가 분할/결합을 통해 획득된 제2 그리드 그룹에 대해 EMF 강도 모니터링을 원활하게 수행할 수 있도록 네트워크 디바이스에 의해 그리드 분할/결합을 수행할지 여부를 판정하기 위한 참조 메커니즘을 제공한다.

제2 양태에 따르면, 통신 장치가 제공된다. 이 장치는 다음과 같은 유닛들을 포함한다. 획득 유닛은 제1 그리드 그룹 내의 각 그리드의 EMF 강도를 획득하도록 구성되는데, 제1 그리드 그룹은 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역을 분할함으로써 획득된 M개의 그리드를 포함하고, M은 1보다 큰 정수이다. 판정 유닛은 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하도록 구성되는데, 제2 그리드 그룹은 적어도 제1 그리드 및 제2 그리드를 포함하고, 제1 그리드의 커버리지 영역은 제2 그리드의 커버리지 영역보다 크고, 제1 그리드의 EMF 강도는 제2 그리드의 EMF 강도보다 작다. 조정 유닛은 제2 그리드 그룹에 기초하여 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역의 EMF 강도를 모니터링하여 신호 커버리지 영역의 EMF 강도를 조정하도록 구성된다.

가능한 구현에서, 판정 유닛은 구체적으로, M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 M개의 그리드에서 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 2개 이상의 인접 그리드를 결합하고, 결합을 통해 획득된 그리드와 미결합 그리드를 제2 그리드 그룹으로 판정하도록 구성된다.

가능한 구현에서, 판정 유닛은 구체적으로, M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하고, 분할을 통해 획득된 그리드와 미분할 그리드를 제2 그리드 그룹으로 판정하도록 구성된다.

가능한 구현에서, 판정 유닛은 구체적으로, M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여, M개의 그리드에서 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 2개 이상의 인접한 그리드를 결합하고 M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하고, 결합을 통해 획득된 그리드, 분할을 통해 획득된 그리드, 및 미결합 그리드/미분할 그리드를 제2 그리드 그룹으로 판정하도록 구성된다.

가능한 구현에서, 판정 유닛은 또한, 분할을 통해 획득된 제2 그리드 그룹 내의 그리드의 수량이 제3 임계값 미만이라고 판정하도록 구성된다.

가능한 구현에서, 그리드의 EMF 강도는 미리 설정된 시간 내의 그리드의 EMF 강도의 평균값이다.

가능한 구현에서, 판정 유닛은 또한 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 현재 이용 가능한 송신 전력을 판정하도록 구성되고, 판정 유닛은 또한 현재 이용 가능한 송신 전력에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하도록 구성된다.

제3 양태에 따르면, 통신 장치가 제공된다. 통신 장치는 하나 이상의 프로세서 및 하나 이상의 메모리를 포함한다. 하나 이상의 메모리는 하나 이상의 프로세서에 결합되고 하나 이상의 메모리는 컴퓨터 명령어를 저장한다. 하나 이상의 프로세서가 컴퓨터 명령어를 실행할 때, 네트워크 디바이스는 제1 양태 또는 제1 양태의 가능한 구현들 중 어느 하나에 따른 EMF 강도 제어 방법을 수행할 수 있게 된다.

제4 양태에 따르면, 컴퓨터 판독가능 저장 매체가 제공된다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 컴퓨터 명령어를 포함하고, 컴퓨터 명령어가 실행될 때, 제1 양태 또는 제1 양태의 가능한 구현들 중 어느 하나에 따른 EMF 강도 제어 방법이 수행된다.

제5 양태에 따르면, 처리 회로 및 인터페이스를 포함하는 칩 시스템이 제공된다. 처리 회로는 저장 매체로부터 저장 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램을 호출하고 실행하여 제1 양태 또는 제1 양태의 가능한 구현들 중 어느 하나에 따른 EMF 강도 제어 방법을 수행하도록 구성된다.

제6 양태에 따르면, 컴퓨터 프로그램 제품이 제공된다. 컴퓨터 프로그램 제품이 컴퓨터에서 실행될 때, 컴퓨터는 제1 양태 또는 제1 양태의 가능한 구현들 중 어느 하나에 따른 EMF 강도 제어 방법을 수행할 수 있게 된다.

제2 양태에 따른 통신 장치, 제3 양태에 따른 통신 장치, 제4 양태에 따른 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 제5 양태에 따른 칩 시스템, 및 제6 양태에 따른 컴퓨터 프로그램 제품은 모두 전술한 대응하는 방법을 수행하도록 구성된다. 따라서, 이들에 의해 달성될 수 있는 유익한 효과에 대해서는 전술한 대응하는 방법의 유익한 효과를 참조한다. 자세한 내용은 여기에서 다시 설명되지 않는다.

도 1은 네트워크 디바이스가 통신을 위해 복수의 좁은 빔을 송신하는 개략도이다.
도 2는 네트워크 디바이스 신호의 이득 분포의 개략도이다.
도 3은 그리드 분할의 개략도이다.
도 4는 본 출원의 실시예에 따른 통신 시스템의 개략적 구성도이다.
도 5는 본 출원의 실시예에 따른 EMF 강도 제어 방법의 흐름도이다.
도 6은 본 출원의 실시예에 따른 그리드 분할의 개략도이다.
도 7은 본 출원의 실시예에 따른 다른 유형의 그리드 분할의 개략도이다.
도 8은 본 출원의 실시예에 따른 다른 EMF 강도 제어 방법의 개략적 흐름도이다.
도 9는 본 출원의 실시예에 따른 다른 유형의 그리드 분할의 개략도이다.
도 10은 본 출원의 실시예에 따른 다른 EMF 강도 제어 방법의 개략적 흐름도이다.
도 11은 본 출원의 실시예에 따른 통신 장치의 개략적 구성도이다.
도 12는 본 출원의 실시예에 따른 다른 통신 장치의 개략적 구성도이다.
도 13은 본 출원의 실시예에 따른 칩 시스템의 개략적 구성도이다.

네트워크 디바이스가 MM 기술을 사용하여 통신을 수행할 때, 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역에서 사용자와 통신할 필요가 있을 경우, 네트워크 디바이스는 사용자가 위치한 방향으로 좁은 빔을 송신하여, 좁은 빔을 통해 사용자와 통신할 수 있다. 유사하게, 복수의 사용자와 통신할 필요가 있을 경우, 네트워크 디바이스는 복수의 대응하는 좁은 빔을 서로 다른 방향으로 송신할 수 있다.

예를 들어, 도 1은 도 1은 네트워크 디바이스가 통신을 위해 복수의 좁은 빔을 송신하는 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 신호 커버리지 내에서, 네트워크 디바이스는 복수의 좁은 빔(예를 들어, Wd1, Wd2, Wd3, ..., Wdm)을 송신할 수 있다. 네트워크 디바이스는 Wd1을 통해 사용자 1(여기서 사용자 1은 Wd1과 동일한 방향을 가진 사용자일 수 있음)과 다운링크 데이터 송신을 수행할 수 있다. 유사하게, 네트워크 디바이스는 Wd2를 통해 사용자 2(여기서 사용자 2는 Wd2와 동일한 방향을 가진 사용자일 수 있음)와 다운링크 데이터 송신을 수행할 수 있다.

네트워크 디바이스가 좁은 빔을 통해 통신을 수행할 때, 각각의 좁은 빔에 의해 커버되는 방향으로 대응하는 전자기파가 존재한다. 실제 작업 시나리오에서, 네트워크 디바이스는 사용자와 통신할 필요가 있다고 판정한 후에만 해당 사용자가 위치한 방향으로 좁은 빔을 송신한다. 따라서, 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역 내에서, 각 방향의 EMF 강도는 통신 수요에 따라 달라진다. 예를 들어, 통신 수요가 강한 영역에서는 대응하는 영역의 EMF 강도가 강하다. 또 다른 예로, 통신 수요가 약한 영역에서는 대응하는 영역의 EMF 강도도 약하다.

네트워크 디바이스는 신호 커버리지에서 각 방향의 EMF 강도에 대한 규정 요건을 충족시키기 위해, 신호 커버리지를 복수의 그리드로 분할하고 각 그리드를 실시간(또는 주기적으로) 모니터링하여 EMF 강도가 작업 프로세스에서 표준을 초과하지 않는 것을 보장할 수 있다. 다음은 그리드 분할 방법을 예를 사용하여 설명한다.

도 2는 네트워크 디바이스의 신호의 이득 분포의 개략도이다. 신호의 이득 분포는 신호 커버리지 상태를 나타내는 데 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 다음은 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 상태가 도 2에 도시된 이득 분포에 대응하고 네트워크 디바이스가 -10dB 이득을 갖는 신호 커버리지에서 EMF 강도 모니터링을 수행해야 하는 예를 사용한다. 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에 도시된 그리드 분할의 개략도를 참조하면, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 네트워크 디바이스는 도 2에 도시된 이득 분포에서 -10dB 이득을 갖는 영역을 XOY 평면과 XOZ(및/또는 YOZ) 평면에서 개별적으로 동일한 개방 각도를 갖는 복수의 영역으로 균등하게 분할하여, 도 3의 (b)에 도시된 복수의 그리드를 획득할 수 있다. 이러한 방식으로, 이득이 -10dB인 영역이 균등하게 분할되고 대응하는 그리드가 획득되어 EMF 강도 모니터링을 수행한다. 본 출원에서 EMF 강도 모니터링은 EMF 모니터링으로도 지칭될 수 있다.

각 그리드에 대한 EMF 강도 모니터링을 수행할 때, 네트워크 디바이스는 대응하는 그리드를 커버하는 전자기파를 송신하는 송신 링크에 대한 파라미터를 모니터링함으로써 서로 다른 방향으로의 빔의 전력 투영을 판정한 다음, 그리드의 위치의 EMF 강도를 계산하고 판정할 수 있다. 각 그리드의 EMF 강도를 판정한 후, 네트워크 디바이스는 각 그리드의 EMF 강도에 기초하여 송신 링크의 파라미터를 조정하여(예를 들어, 전력 제한을 수행함), 각 그리드의 EMF 강도가 규정 요건을 충족시킬 수 있게 한다.

그리드를 가리키는 트래픽 빔의 모니터링 정확도를 증가시키기 위해서는 전체 셀에 대해 통합된 그리드 세밀화가 수행되어야 한다는 점에 유의해야 한다. 따라서, 네트워크 디바이스에 대응하는 전체 셀 동작 요건이 증가한다. 그러나, 실제 작업에서는 에너지 방향이 한 영역 또는 여러 영역에 상대적으로 집중된 경우에만 전력 제한이 수행되어야 한다. 따라서, 통합 그리드 세밀화는 네트워크 디바이스에 대한 비효율적 모니터링 압력을 크게 증가시킨다.

전술한 문제를 해결하기 위해, 본 출원의 실시예는 그리드 크기를 유연하게 조정하여 네트워크 디바이스의 EMF 모니터링 정확도가 효과적으로 개선됨과 동시에 네트워크 디바이스에 과도한 모니터링 압력을 가하지 않는 EMF 강도 제어 방법을 제공한다.

다음은 첨부된 도면을 참조하여 본 출원의 실시예에서 제공되는 기술 솔루션을 상세히 설명한다.

도 4는 본 출원의 실시예에 따른 통신 시스템(400)의 개략적 구성도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 통신 시스템(400)은 네트워크 디바이스(410) 및 단말기(420)를 포함할 수 있다. 통신 시스템(400)은 420 이외의 다른 단말기를 더 포함할 수 있음에 유의해야 한다. 예를 들어, 통신 시스템(400)은 도 4에 도시된 단말기(421)를 더 포함할 수 있다. 통신 시스템(400)에 포함된 단말기의 수는 본 출원의 실시예에서 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 출원의 실시예에서 단말기(단말 디바이스로도 지칭될 수 있음)는 사용자 장비(user equipment, UE), 모바일폰, 태블릿 컴퓨터, 데스크탑 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 핸드헬드 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 울트라 모바일 개인용 컴퓨터(ultra-mobile personal computer,UMPC), 넷북, 또는 휴대폰과 같은 전자 디바이스, PDA(personal digital assistant), 증강 현실(augmented reality, AR)/가상 현실(virtual reality, VR) 디바이스, 또는 미디어 플레이어일 수 있다. 디바이스의 구체적 형태는 본 출원의 실시예에서 특별히 제한되지 않는다.

통신 시스템(400)에서, 네트워크 디바이스(410)는 5세대 이동 통신 기술(5th generation mobile communication technology, 5G)에서 MM 통신(즉, MM 기술을 사용하여 수행되는 통신)을 수행할 수 있는 기지국일 수 있다. 일부 다른 실시예에서, 네트워크 디바이스(410)는 대안적으로 MM 통신 또는 다른 통신 디바이스를 지원할 수 있는 3세대 이동 통신 기술(3rd-Generation mobile communication technology, 3G) 또는 4세대 이동 통신 기술(4th generation mobile communication technology, 4G) 기지국일 수 있음을 이해해야 한다. 예를 들어, 네트워크 디바이스(410)는 5G 기지국이다. 네트워크 디바이스(410)는 다른 디바이스(예를 들어, 단말기(420) 및/또는 단말기(421))와 5G 통신을 수행하기 위해 5G 뉴 라디오(new radio, NR)를 제공할 수 있다. 네트워크 디바이스(410)에는 기저대역 모듈이 배치되어 서로 다른 방향의 송신 전력과 같은 정보를 수집할 수 있다. 기저대역 모듈은 또한 신호 파라미터를 조정함으로써 네트워크 디바이스(410)의 신호 커버리지에서 EMF 강도를 조정하도록 구성될 수 있다. 또한, 일부 실시예에서, 네트워크 디바이스는 송신기 체인 및 수신기 체인을 포함할 수 있다. 당업자는 송신기 체인과 수신기 체인 각각이 신호 송신 및 수신과 관련된 복수의 구성요소(예를 들어, 프로세서, 변조기, 다중화기, 인코더, 역다중화기 및 안테나)를 포함할 수 있음을 이해할 수 있다.

네트워크 디바이스(410)는 빔을 통해 대응하는 방향의 단말기와 통신(예를 들어, 다운링크 데이터 송신)을 수행할 수 있다. 본 출원의 이 실시예에서, 서로 다른 미리 설정된 그리드에서의 EMF 강도를 모니터링함으로써, 네트워크 디바이스(410)는 그리드의 크기를 조정할 수 있다. 예를 들어, 네트워크 디바이스(410)는 낮은 EMF 강도를 갖는 두 개 이상의 그리드를 하나의 그리드로 결합할 수 있다. 다른 예로, 네트워크 디바이스(410)는 높은 EMF 강도를 갖는 그리드를 둘 이상의 작은 그리드로 분할할 수 있다. 이러한 방식으로, 네트워크 디바이스(410)는 현재의 통신 수요 분포에 기초하여 그리드의 크기와 수량을 적응적으로 조정할 수 있으므로, 네트워크 디바이스(410)의 EMF 모니터링 효율은 효과적으로 증가될 수 있다. 일반적으로, 결합되어야 하는 그리드의 수량은 분할되어야 하는 그리드의 수량보다 훨씬 많다. 따라서, 네트워크 디바이스(410)의 EMF 모니터링 압력이 감소될 수 있다.

본 출원의 실시예에서 제공되는 EMF 강도 제어 방법은 모두 도 4에 도시된 통신 시스템(400)에서 사용될 수 있다.

다음은 본 출원의 실시예에서 제공되는 EMF 강도 제어 방법을 상세히 설명한다.

도 5에 도시된 바와 같이, 방법은 S501 내지 S504를 포함할 수 있다.

S501: 제1 그리드 그룹에 기초하여, 각 그리드에 대응하는 EMF 강도를 모니터링한다.

제1 그리드 그룹은 M개의 그리드를 포함할 수 있고, 각 그리드는 네트워크 디바이스 신호의 커버리지 영역에서 하나의 하위 영역에 대응한다. M은 2 이상의 정수이다. 이 예에서, 제1 그리드 그룹의 설정 파라미터(예를 들어, M개의 그리드 각각의 수평 개방 각도 및 수직 개방 각도)는 네트워크 디바이스에서 미리 설정되거나, 또는 이력 데이터에 기초하여 네트워크 디바이스에 의해 획득되거나, 또는 수신된 명령어에 따라 실시간으로 업데이트될 수 있다. 이것은 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.

본 출원의 이 실시예에서, 네트워크 디바이스는 M개의 그리드와 일대일 대응하는 M개의 EMF 강도 모니터링 결과를 획득하기 위해 제1 그리드 그룹의 각 그리드의 EMF 강도를 모니터링할 수 있다. EMF 강도를 획득하는 구체적인 방법은 전술한 설명에서의 방법과 유사하므로 여기서는 다시 자세히 설명되지 않는다.

예를 들어, 도 6을 참조하면, M=8이고, 제1 그리드 그룹이 도 6의 A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7, 및 A8 그리드를 포함하는 예가 사용된다. 네트워크 디바이스는 제1 그리드 그룹의 8개 그리드의 EMF 강도를 모니터링하여 각 그리드에 대응하는 EMF 강도를 획득할 수 있다. 예를 들어, 네트워크 디바이스는 A1에 대응하는 EMF 강도 EMF1을 판정할 수 있다. 유사하게, 네트워크 디바이스는 A2에 대응하는 EMF 강도 EMF2, A3에 대응하는 EMF 강도 EMF3, A4에 대응하는 EMF 강도 EMF4, A5에 대응하는 EMF 강도 EMF5, A6에 대응하는 EMF 강도 EMF6, A7에 대응하는 EMF 강도 EMF7, A8에 대응하는 EMF 강도 EMF8을 판정할 수 있다.

본 출원의 이 실시예에서, 네트워크 디바이스는 특정 순간에 모니터링을 통해 획득된 각 그리드의 EMF 강도를 대응하는 그리드의 EMF 강도로 사용할 수 있음에 유의해야 한다. 일부 다른 실시예에서, 네트워크 디바이스는 사전 설정된 시간 내에서 고정 또는 비고정 빈도로 각 그리드의 EMF 강도를 지속적으로 모니터링할 수 있고(예를 들어, 1초 내에서 1밀리초마다 한 번의 빈도로 그리드의 EMF 강도를 모니터링함), 각 그리드에 대응하며 미리 설정된 시간 내에서 획득된 다수의 EMF 강도를 평균하여 미리 설정된 시간 내에서의 각 그리드의 EMF 강도의 평균값을 획득하고, 평균값을 대응하는 그리드의 EMF 강도로 사용한다.

각 그리드가 위치한 영역의 통신 수요 상태는 일정 시간(예를 들어, 미리 설정된 시간) 내에서의 그리드의 평균 EMF 강도를 계산함으로써 더 정확하게 판정될 수 있고, 평균 계산을 통해 획득된 평균 EMF 값을 대응하는 그리드의 EMF 강도로 사용함으로써 그리드의 EMF 강도 상태가 더 정확하게 식별될 수 있다. 구체적 구현 프로세스에서, 그리드의 EMF 강도를 판정하는 방식은 실제 상황에 기초하여 유연하게 선택될 수 있다. 이것은 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.

S502: 각 그리드에 대응하는 EMF 강도에 기초하여, 결합되어야 하는 그리드를 판정한다.

네트워크 디바이스는 S501에서 획득된 각 그리드의 EMF 강도에 기초하여 결합되어야 하는 그리드를 판정할 수 있다.

이 예에서, 네트워크 디바이스는 제1 그리드 그룹의 각 그리드의 EMF 강도에 기초하여 현재 순간에서의 통신 수요의 강도 분포를 판정할 수 있다. EMF 강도 분포는 통신에 대한 현재 수요와 관련됨을 이해해야 한다. 예를 들어, 높은 EMF 강도를 갖는 그리드에 대응하는 영역에서 단말기는 통신에 대한 강한 수요를 갖는다. 이에 대응하여, 낮은 EMF 강도를 갖는 그리드에 대응하는 영역에서 단말기는 통신에 대한 상대적으로 약한 수요를 갖는다. 단말의 통신 수요가 상대적으로 약한 영역의 경우, 네트워크 디바이스가 여전히 제1 그리드 그룹의 분할에 기초하여 각 그리드에 대한 EMF 강도 모니터링을 수행하면, 복수의 인접한 그리드의 EMF 강도는 근접하고 낮을 수 있다. 결과적으로, 네트워크 디바이스의 EMF 강도 모니터링의 효율성이 떨어지고, 네트워크 디바이스에서 관련된 모니터링 자원이 낭비된다.

따라서, 본 출원의 이 실시예에서, 각각의 EMF 강도가 낮은 인접한 그리드는 결합되어야 하는 그리드로 판정될 수 있다.

예를 들어, 일부 구현에서, 네트워크 디바이스는 각 그리드의 EMF 강도와 제1 임계값 사이의 값 관계에 기초하여 대응하는 그리드가 결합되어야 하는지 여부를 판정할 수 있다. 예를 들어, 계속 도 6을 참조하면, 제1 그리드 그룹에 포함된 8개의 그리드에서, A2에 대응하는 EMF 강도 EMF2와 A7에 대응하는 EMF 강도 EMF7은 모두 제1 임계값 미만이다. 또한 A2는 A7에 인접해 있다. 이 경우, 네트워크 디바이스는 A2와 A7이 결합되어야 하는 그리드라고 판정할 수 있다.

일부 다른 구현에서, 네트워크 디바이스는 M개의 그리드의 EMF 강도를 분류하고, 각각의 EMF 강도가 낮고 서로 인접한 그리드를 결합되어야 하는 그리드로 판정할 수 있다. 예를 들어, 도 6을 참조하면, 8개 그리드의 EMF 강도를 내림차순으로 EMF6>EMF8>EMF3>EMF4>EMF1>EMF5>EMF7>EMF2로 정렬한 예가 사용된다. 네트워크 디바이스는 가장 작은 EMF 강도를 갖는 N개의 그리드에 속하는 인접 그리드를 결합되어야 하는 그리드로 판정할 수 있다. 예를 들어 N=3을 사용하면, 8개의 모든 그리드에서 가장 작은 EMF 강도를 갖는 3개의 그리드는 A5, A7 및 A2이다. 3개의 그리드에서 A2와 A7은 서로 인접해 있다. 따라서, 네트워크 디바이스는 A2와 A7을 결합되어야 하는 그리드로 판정할 수 있다.

전술한 두 가지 예에서 결합되어야 하는 그리드를 판정하는 방법은 단지 예일 뿐임에 유의해야 한다. 본 출원의 일부 다른 구현에서, 대안적으로 네트워크 디바이스는 결합되어야 하는 그리드를 다른 방법에 따라 판정할 수 있다. 예를 들어, 네트워크 디바이스는 각각의 EMF 강도가 모든 그리드의 평균 EMF 강도보다 낮은 그리드 중에서 인접한 그리드를 결합되어야 하는 그리드로 판정할 수 있다. 이것은 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.

또한, 일부 구현에서, 네트워크 디바이스는 그리드 결합 필요성이 있다고 판정할 때 S502를 수행할 수 있다. 예를 들어, 네트워크 디바이스의 처리 압력이 높을 때, 네트워크 디바이스는 그리드 결합 필요성이 있다고 판정할 수 있다. 예를 들어, 현재 실행 중인 프로세스에서 프로세서 사용량 및 메모리 사용량과 같은 파라미터를 사용함으로써, 네트워크 디바이스는 처리 압력이 높은지 여부를 판정할 수 있다.

S503: 대응하는 그리드를 결합하여, 결합을 통해 획득된 그리드와 미결합 그리드를 포함하는 제2 그리드 그룹을 획득한다.

S504: 제2 그리드 그룹에 기초하여 EMF 모니터링을 수행한다.

결합되어야 하는 그리드를 판정한 후, 네트워크 디바이스는 대응하는 그리드를 결합하여 업데이트된 그리드를 획득할 수 있다. 업데이트된 그리드(예를 들어, 결합을 통해 획득된 그리드)와 미결합 그리드는 제2 그리드 그룹을 형성할 수 있다.

도 3의 설명을 참조하면, 상이한 그리드는 상이한 수평 개방 각도 범위 및/또는 수직 개방 각도 범위를 가짐을 이해할 수 있다. 따라서, 결합되어야 하는 그리드의 수평 개방 각도 및/또는 수직 개방 각도에 기초하여 업데이트된 그리드의 개방 각도가 획득될 수 있으므로, 결합을 통해 획득된 그리드와 미결합 그리드를 포함하는 업데이트된 그리드 그룹(예를 들어, 제2 그리드 그룹)이 획득될 수 있다.

예를 들어, A2와 A7가 결합되어야 하고, A2는 15° 내지 30°의 수평 개방 각도 범위 및 45° 내지 60°의 수직 개방 각도 범위를 갖고, A7은 30° 내지 45°의 수평 개방 각도 범위 및 45° 내지 60°의 수직 개방 각도 범위를 갖는다. 네트워크 디바이스는, A2와 A7의 개방 각도 상태에 기초하여, 결합을 통해 획득된 그리드(예를 들어, A2 및 A7)의 개방 각도가 15° 내지 45°의 수평 개방 각도 및 45° 내지 60°의 수직 개방 각도인 것으로 판정할 수 있다. 이러한 방식으로, 네트워크 디바이스는 도 7에 도시된 업데이트된 그리드를 획득할 수 있다.

제2 그리드 그룹을 획득한 후, 네트워크 디바이스가 EMF 모니터링을 수행해야 하는 경우, 네트워크 디바이스는 제2 그리드 그룹에 기초하여 EMF 모니터링을 수행할 수 있다. 제2 그리드 그룹의 그리드의 수량은 제1 그리드 그룹의 그리드의 수량보다 확실히 적기 때문에, 제2 그리드 그룹에 기초하여 EMF 모니터링이 수행될 경우, 네트워크 디바이스의 EMF 모니터링 압력이 효과적으로 감소하고 EMF 모니터링 효율성이 향상될 수 있음을 알 수 있다.

본 출원의 이 실시예에서, 네트워크 디바이스에 의해 제1 그리드 그룹의 각 그리드의 EMF 강도를 획득하는 동작은 미리 설정된 주기성에 기초하여 자발적으로 수행될 수 있다는 점에 유의해야 한다. 예를 들어, 네트워크 디바이스의 전원이 켜진 경우, 네트워크 디바이스는 제1 그리드 그룹의 각 그리드에 대응하는 EMF 강도를 획득한 후 S501 내지 S504를 수행한다. 미리 설정된 지속 시간이 경과한 후, 제1 그리드 그룹에 대한 저장된 정보(예를 들어, 제1 그리드 그룹은 이전 처리를 통해 획득된 제2 그리드 그룹이거나, 미리 설정된 제1 그리드 그룹일 수 있음)에 대해, 네트워크 디바이스는 그리드 그룹의 각 그리드의 EMF 강도를 획득한 후 S501 내지 S504를 다시 수행할 수 있다. 이러한 방식으로, 네트워크 디바이스는 현재 통신 상태의 변화에 기초하여 EMF 모니터링이 수행되는 그리드를 주기적으로 유지관리함으로써 그리드의 지속적인 적응적 조정을 구현할 수 있다.

일부 다른 실시예에서, 대안적으로 네트워크 디바이스는 EMF 강도 획득 명령어를 수신한 후 S501 내지 S504를 수행하여 그리드의 적응적 조정을 구현할 수 있다. 이러한 방식으로, 조정이 수행되어야 하는 경우에만 S501을 수행함으로써 네트워크 디바이스의 처리 압력은 더욱 감소될 수 있다.

이러한 방식으로, 그리드의 크기가 적응적으로 조정됨으로써(예를 들어, 작은 EMF를 갖는 인접한 그리드를 결합함) 그리드의 수량을 감소시킬 수 있다. 따라서, EMF 모니터링 능력에 영향을 주지 않으면서 네트워크 디바이스의 EMF 모니터링으로 인한 처리 압력이 효과적으로 감소된다.

도 8은 본 출원의 실시예에 따른 다른 EMF 강도 제어 방법의 개략적 흐름도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 방법은 S801 내지 S804를 포함할 수 있다.

S801: 제1 그리드 그룹에 기초하여, 각 그리드에 대응하는 EMF 강도를 모니터링한다.

이 예에서 S801의 실행 방식은 도 5에 도시된 S501의 실행 방법과 유사하며, 자세한 내용은 여기에서 다시 설명되지 않는다.

S802: 각 그리드에 대응하는 EMF 강도에 기초하여, 분할되어야 하는 그리드를 판정한다.

EMF 강도 분포는 현재 셀(즉, 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역)에서의 실시간 통신 수요와 관련된다는 것을 이해해야 한다. 구체적으로, 셀 내의 특정 영역의 통신 수요가 강할 경우, 대응하는 EMF 강도도 강하다. 셀 내의 특정 영역의 통신 수요가 약할 경우, 대응하는 EMF 강도도 약하다. 따라서, 셀 내의 특정 영역의 EMF 강도가 높을 경우, 미리 설정된 제1 그리드 그룹을 사용하거나 이력 데이터로부터 획득된 제1 그리드 그룹을 사용하여 EMF 모니터링이 계속 수행되면, 해당 영역의 EMF 모니터링은 충분히 정확하지 않다. 결과적으로, 네트워크 디바이스는 대응하는 영역에서 좁은 빔에 대한 전력 제어를 정확하게 수행할 수 없다. 따라서, 이 예에서, 네트워크 디바이스는 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하여 높은 EMF 강도를 갖는 영역을 개별 모니터링을 위한 2개 이상의 그리드로 분할하여 모니터링 정확도를 향상시킬 수 있다.

S803: 대응하는 그리드를 분할하여, 분할된 그리드와 미분할 그리드를 포함하는 제2 그리드 그룹을 획득한다.

S804: 제2 그리드 그룹에 기초하여 EMF 모니터링을 수행한다.

예를 들어, 제1 그리드 그룹은 도 7에 도시된 그리드 분포를 가지며, A6의 EMF 강도는 제2 임계값보다 크다. A6의 EMF 강도(예를 들어, EMF6)가 제2 임계값보다 크다고 판정될 때, 네트워크 디바이스는 EMF 모니터링을 위해 A6이 더 많은 그리드로 분할되어야 한다고 판정할 수 있다. 일부 구현에서, 네트워크 디바이스는 A6에 의해 커버되는 영역을 P개의 하위 영역으로 균등 분할(또는 A6의 EMF 강도 분포에 기초하여 불균등 분할)할 수 있는데, 여기서 각각의 영역은 하나의 업데이트된 새로운 그리드에 대응하고, P는 2 이상의 정수이다. 예를 들어, P=2일 때, 도 9에 도시된 새로운 그리드가 획득될 수 있다. 새로운 그리드는 A6을 분할함으로써 획득된 그리드 A6-1과 그리드 A6-2를 포함할 수 있다. 일부 다른 구현에서, 네트워크 디바이스는 A6에 인접한 다른 그리드의 EMF 스캐닝 결과에 기초하여, A6이 분할되어야 하는 그리드의 수량 및 각 그리드의 커버리지 크기를 판정할 수 있다. 이것은 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.

그리드 분할 동작이 EMF 모니터링을 수행하기 위한 네트워크 디바이스의 처리 압력을 증가시키기 때문에, 일부 구현에서는 네트워크 디바이스가 업데이트된 그리드에 기초하여 EMF 모니터링을 수행할 때 그리드의 수량 증가로 인한 과도하게 높은 처리 압력 문제가 발생하지 않도록 그리드 분할 동안 네트워크 디바이스의 처리 능력도 고려되어야 함에 유의해야 한다.

예로서, 그리드를 분할하기 전에, 네트워크 디바이스는 분할을 통해 획득된 그리드의 총 수량이 미리 설정된 그리드 수량(예를 들어, 제3 임계값)을 초과하는지 여부를 판정할 수 있다. 그리드의 총 수량이 미리 설정된 그리드 수량을 초과하면, 네트워크 디바이스가 분할을 통해 획득된 그리드 그룹에 기초하여 EMF 모니터링을 수행할 때 과도하게 높은 처리 압력의 문제가 발생할 수 있다. 이 경우, 네트워크 디바이스는 분할되어야 하는 그리드의 수량을 적절하게 감소시키거나, 분할을 통해 획득된 작은 그리드의 수량을 적절하게 감소시키거나, 그리드 분할을 수행하지 않음으로써, 네트워크 디바이스가 업데이트된 그리드에 기초하여 EMF 모니터링을 수행할 때 과도하게 높은 처리 압력을 갖지 않는 것을 보장할 수 있다.

본 출원의 일부 예에서, 네트워크 디바이스는 제1 그리드 그룹 내의 각 그리드의 획득된 EMF 강도에 기초하여 각 그리드에 대응하는 영역에서 좁은 빔의 송신 전력 값을 판정할 수 있다. 송신 전력 값에 기초하여, 네트워크 디바이스는 네트워크 디바이스에 의해 제공될 수 있는 최대 송신 전력 값과의 비교를 통해 대응하는 방향에서 좁은 빔의 사용 가능한 송신 전력을 판정할 수 있다. 사용 가능한 송신 전력에 기초하여, 네트워크 디바이스는 처리 압력이 과도하게 높은지 여부를 명확하게 판정할 수 있다. 따라서, 네트워크 디바이스는 사용 가능한 송신 전력에 기초하여 대응하는 방향에서의 그리드 분할 여부 및 분할을 통해 획득되는 그리드의 수량을 판정할 수 있다.

따라서, 네트워크 디바이스는 제1 그리드 그룹의 각 그리드의 EMF 강도에 기초하여 EMF 모니터링이 수행되는 그리드를 적응적으로 조정함으로써(예를 들어, EMF가 높은 영역의 그리드 수량을 증가시킴) EMF 강도 모니터링을 보다 정확하게 수행한다.

상이한 구현 시나리오에서, 도 5에 도시된 EMF 강도 제어 방법 및 도 8에 도시된 EMF 강도 제어 방법은 필요에 따라 개별적으로 또는 동시에 사용되어 EMF 모니터링을 더욱 최적화할 수 있다. 당업자가 본 출원에서 제공되는 기술 솔루션의 구현 프로세스를 보다 명확하게 이해할 수 있도록, 다음은 도 5 및 도 8에 도시된 EMF 강도 제어 방법이 동시에 사용되는 예를 사용하여 그 구현 프로세스를 설명한다.

도 10에 도시된 바와 같이, 방법은 S1001 내지 S1004를 포함할 수 있다.

S1001: 제1 그리드 그룹 내의 각 그리드의 EMF 강도를 획득한다.

S1002: 결합되어야 하는 그리드 및 분할되어야 하는 그리드를 판정한다.

S1003: 결합되어야 하는 그리드를 결합하고 분할되어야 하는 그리드를 분할하여 제2 그리드 그룹을 획득한다.

S1004: 제2 그리드 그룹에 기초하여 EMF 모니터링을 수행한다.

S1001 내지 S1004의 실행 방식에 대해서는 도 5 및/또는 도 8의 전술한 설명을 참조하는 것을 이해해야 한다. 자세한 내용은 여기에서 다시 설명되지 않는다.

네트워크 디바이스가 S1003을 수행할 때, 그리드 분할이 수행될 경우, 네트워크 디바이스의 처리 능력이 분할을 통해 획득된 그리드에 대해 EMF 모니터링이 수행되는 것을 허용하지 않으면, 네트워크 디바이스는 이에 대한 다른 적절한 처리을 수행할 수 있음에 유의해야 한다.

예를 들어, 일부 구현에서, 네트워크 디바이스의 처리 능력이 충분히 강하지 않다고 네트워크 디바이스가 판정할 때, 네트워크 디바이스는 그리드 분할을 수행하지 않고 결합되어야 하는 그리드만을 결합하여 업데이트된 그리드를 획득할 수 있고 S1004를 계속 수행할 수 있다.

일부 다른 구현에서, 네트워크 디바이스의 처리 능력이 충분히 강하지 않다고 판정할 때, 네트워크 디바이스는 분할되어야 하는 그리드에 의해 커버되는 영역에서 통신 우선순위를 판정할 수 있고, 우선순위에 따라 후속 동작을 선택적으로 수행할 수 있다. 예를 들어, 통신 우선순위가 높은 경우, 네트워크 디바이스는 제1 그리드 그룹에서 통신 우선순위가 낮은 영역의 그리드를 결합하여 처리 능력을 확보하고, 분할되어야 하는 그리드를 분할하여 업데이트된 그리드를 획득하고, 업데이트된 그리드에 대해 EMF 모니터링을 수행한다. 이러한 방식으로, 통신 우선순위가 높은 영역에 처리 능력이 이전됨으로써, 네트워크 디바이스는 통신 우선순위가 높은 영역에 대한 고정밀 모니터링 및 조정을 구현할 수 있다.

이 예에서, 진행 중인 통신의 유형에 기초하여 통신 우선순위가 판정될 수 있음에 유의해야 한다. 예를 들어, 현재 진행 중인 통신이 데이터 통화와 같은 통화 서비스인 경우, 통신의 우선순위가 높은 것으로 판정된다. 현재 진행 중인 통신이 사진 브라우징과 같은 데이터 서비스인 경우, 통신의 우선순위가 낮은 것으로 판정된다. 다른 예로서, 통신 중인 단말기가 VIP 고객인 경우에 통신의 우선순위가 높은 것으로 간주되거나, 또는 통신 중인 단말기가 일반 고객인 경우에 통신의 우선순위가 낮은 것으로 간주된다. 물론, 대안적으로 통신의 우선순위는 다른 정책에 따라 판정될 수 있다. 정책은 네트워크 디바이스에 미리 설정되거나 유연하게 구성될 수 있다. 이것은 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.

전술한 내용은 주로 본 출원의 실시예에서 제공되는 솔루션을 네트워크 디바이스의 관점에서 설명한다. 전술한 기능을 구현하기 위해, 네트워크 디바이스는 해당 기능을 수행하기 위한 대응하는 하드웨어 구조 및/또는 소프트웨어 모듈을 포함한다. 당업자는 본 명세서에 개시된 실시예에서 설명된 예의 유닛 및 알고리즘 단계와 조합하여 본 출원이 하드웨어 또는 하드웨어와 컴퓨터 소프트웨어의 조합에 의해 구현될 수 있음을 쉽게 인식할 수 있어야 한다. 기능이 하드웨어에 의해 수행될지 또는 컴퓨터 소프트웨어가 하드웨어를 구동하는 방식으로 수행될지는 기술 솔루션의 특정 애플리케이션 및 설계 제약에 따라 다르다. 당업자는 각각의 특정 애플리케이션에 대해 설명된 기능을 구현하기 위해 상이한 방법을 사용할 수 있지만, 그러한 구현이 본 출원의 범위를 벗어나는 것으로 간주되어서는 안 된다.

본 출원의 실시예에서, 네트워크 디바이스의 기능 모듈은 전술한 방법 예에 따라 분할을 통해 획득될 수 있다. 예를 들어, 다양한 기능에 대응하여 분할을 통해 기능 모듈이 획득되거나, 둘 이상의 기능이 하나의 처리 모듈로 통합될 수 있다. 통합 모듈은 하드웨어의 형태로 구현되거나, 소프트웨어 기능 모듈의 형태로 구현될 수 있다. 본 출원의 실시예에서 모듈 분할은 예이고 논리적 기능 분할일 뿐임에 유의해야 한다. 실제 구현에서는 다른 분할 방식이 사용될 수 있다.

도 11은 본 출원의 실시예에 따른 통신 장치(1100)의 개략적 블록도이다. 통신 장치(1100)는 본 출원의 실시예에서 제공되는 임의의 EMF 강도 제어 방법을 구현하기 위해 도 4에 도시된 네트워크 디바이스(410)에 배치될 수 있다.

도 11에 도시된 바와 같이, 통신 장치(1100)는, 제1 그리드 그룹의 각 그리드의 EMF 강도를 획득하도록 구성된 획득 유닛(1101) ― 제1 그리드 그룹은 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역을 분할함으로써 획득된 M개의 그리드를 포함하고, M은 1보다 큰 정수임 ― 과, M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하도록 구성된 판정 유닛(1102) ― 제2 그리드 그룹은 적어도 제1 그리드 및 제2 그리드를 포함하고, 제1 그리드의 커버리지 영역은 제2 그리드의 커버리지 영역보다 크고, 제1 그리드의 EMF 강도는 제2 그리드의 EMF 강도보다 작음 ― 과, 제2 그리드 그룹에 기초하여 M개의 그리드의 EMF 강도를 모니터링하여 네트워크 디바이스의 커버리지 영역(즉, 네트워크 디바이스에 대응하는 셀)에서의 EMF 강도를 조정하도록 구성된 조정 유닛(1103)을 포함한다.

가능한 구현에서, 판정 유닛(1102)은 구체적으로, M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 M개의 그리드에서 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 2개 이상의 인접 그리드를 결합하고, 결합을 통해 획득된 그리드와 미결합 그리드를 제2 그리드 그룹으로 판정하도록 구성된다.

가능한 구현에서, 판정 유닛(1102)은 구체적으로, M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하고, 분할을 통해 획득된 그리드와 미분할 그리드를 제2 그리드 그룹으로 판정하도록 구성된다.

가능한 구현에서, 판정 유닛(1102)은 구체적으로, M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여, M개의 그리드에서 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 2개 이상의 인접 그리드를 결합하고 M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하고, 결합을 통해 획득된 그리드, 분할을 통해 획득된 그리드, 및 미결합 그리드/미분할 그리드를 제2 그리드 그룹으로 판정하도록 구성된다.

가능한 구현에서, 판정 유닛(1102)은 또한 분할을 통해 획득된 제2 그리드 그룹 내의 그리드의 수량이 제3 임계값보다 작다고 판정하도록 구성된다.

가능한 구현에서, 그리드의 EMF 강도는 미리 설정된 시간 내에서의 그리드의 EMF 강도의 평균값이다.

가능한 구현에서, 판정 유닛(1102)은 또한 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 현재 사용 가능한 송신 전력을 판정하도록 구성되고, 판정 유닛(1102)은 또한 현재 사용 가능한 송신 전력에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하도록 구성된다.

전술한 방법 실시예에서의 단계들의 모든 관련 내용은 대응하는 기능 모듈의 기능 설명에서 인용될 수 있다는 점에 유의해야 한다. 자세한 내용은 여기서 다시 설명되지 않는다. 반드시 그런 것이 아니라 선택적으로, 필요한 경우, 본 출원의 이 실시예에서 제공되는 통신 장치(1100)는 획득 유닛(1101) 및/또는 판정 유닛(1102) 및/또는 조정 유닛(1103)의 대응하는 기능의 완료를 지원하도록 구성된 처리 모듈 또는 제어 모듈을 더 포함할 수 있다.

도 12는 다른 통신 장치(1200)의 개략적 구성도이다. 통신 장치(1200)는 프로세서(1201) 및 메모리(1202)를 포함할 수 있다. 메모리(1202)는 컴퓨터 실행 가능 명령어를 저장하도록 구성된다. 예를 들어, 일부 실시예에서, 프로세서(1201)가 메모리(1202)에 저장된 명령어를 실행할 때, 통신 장치(1200)는 도 5에 도시된 S501 내지 S504를 수행할 수 있게 되거나, 또는 도 8에 도시된 S801 내지 S804를 수행할 수 있게 되거나, 또는 도 10에 도시된 S1001 내지 S1004 및 네트워크 디바이스에서 수행되어야 하는 다른 동작을 수행할 수 있게 된다.

전술한 방법 실시예의 단계들의 모든 관련 내용은 대응하는 기능 모듈의 기능 설명에서 인용될 수 있다는 점에 유의해야 한다. 자세한 내용은 여기에서 다시 설명되지 않는다.

도 13은 칩 시스템(1300)의 개략적 구성도이다. 칩 시스템(1300)은 전술한 실시예의 기능을 구현할 때 네트워크 디바이스를 지원하기 위한 프로세서(1301) 및 통신 인터페이스(1302)를 포함할 수 있다. 가능한 설계에서, 칩 시스템(1300)은 네트워크 디바이스에 필요한 프로그램 명령어 및 데이터를 저장하도록 구성된 메모리를 더 포함한다. 칩 시스템(1300)은 칩을 포함할 수 있거나, 칩 및 다른 이산 디바이스를 포함할 수 있다.

전술한 실시예의 기능, 행위, 동작, 단계 등의 전부 또는 일부는 소프트웨어, 하드웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 조합을 사용하여 구현될 수 있다. 소프트웨어 프로그램이 구현에 사용될 경우, 전체 또는 일부가 컴퓨터 프로그램 제품의 형태로 구현될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 하나 이상의 컴퓨터 명령어를 포함한다. 컴퓨터 프로그램 명령어가 컴퓨터에서 로딩되고 실행될 때, 본 출원의 실시예에 따른 절차 또는 기능이 전부 또는 부분적으로 생성된다. 컴퓨터는 범용 컴퓨터, 전용 컴퓨터, 컴퓨터 네트워크, 또는 다른 프로그래밍 가능한 장치일 수 있다. 컴퓨터 명령어는 컴퓨터 판독가능 저장 매체에 저장되거나, 하나의 컴퓨터 판독가능 저장 매체에서 다른 컴퓨터 판독가능 저장 매체로 송신될 수 있다. 예를 들어, 컴퓨터 명령어는, 유선(예를 들어, 동축 케이블, 광섬유, 또는 디지털 가입자 회선(digital subscriber line, DSL)) 또는 무선(예를 들어, 적외선, 라디오 또는 마이크로웨이브) 방식으로, 특정 웹사이트, 컴퓨터, 서버 또는 데이터 센터로부터 다른 웹사이트, 컴퓨터, 서버 또는 데이터 센터로 송신될 수 있다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 하나 이상의 사용 가능한 매체를 통합하는 서버 또는 데이터 센터와 같은 데이터 저장 디바이스 또는 컴퓨터에 의해 액세스 가능한 임의의 사용 가능한 매체일 수 있다. 사용 가능한 매체는 자기 매체(예를 들어, 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 자기 테이프), 광학 매체(예를 들어, DVD), 반도체 매체(예를 들어, 솔리드 스테이트 드라이브(solid state disk, SSD)) 등일 수 있다.

본 출원은 특정 특징 및 그 실시예를 참조하여 설명되지만, 본 출원의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 수정 및 조합이 이루어질 수 있음이 명백하다. 이에 따라, 명세서 및 첨부된 도면은 첨부된 청구범위에 의해 정의된 본 출원의 예시적 설명일 뿐이며, 본 출원의 범위 내에서의 임의의 또는 모든 수정, 변형, 조합 또는 균등물을 커버하는 것으로 간주된다. 당업자는 본 출원의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 출원에 대해 다양한 수정 및 변경을 할 수 있음이 명백하다. 본 출원의 이러한 수정 및 변형이 다음 청구범위 및 그와 균등한 기술에 의해 정의된 보호 범위 내에 속할 경우, 본 출원은 이들을 포함하도록 의도된다.

Claims

전자기장(electromagnetic field, EMF) 강도 제어 방법으로서,
네트워크 디바이스에 의해 제1 그리드 그룹 내의 각 그리드의 EMF 강도를 획득하는 단계 ― 상기 제1 그리드 그룹은 상기 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역을 분할함으로써 획득된 M개의 그리드를 포함하고, M은 1보다 큰 정수임 ― 와,
상기 네트워크 디바이스에 의해 상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하는 단계 ― 상기 제2 그리드 그룹은 적어도 제1 그리드 및 제2 그리드를 포함하고, 상기 제1 그리드의 커버리지 영역은 상기 제2 그리드의 커버리지 영역보다 크고, 상기 제1 그리드의 EMF 강도는 상기 제2 그리드의 EMF 강도보다 작음 ― 와,
상기 네트워크 디바이스에 의해 상기 제2 그리드 그룹에 기초하여 상기 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역의 EMF 강도를 모니터링하여 상기 신호 커버리지 영역의 EMF 강도를 조정하는 단계를 포함하는,
EMF 강도 제어 방법.
제1항에 있어서,
상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하는 단계는,
상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 상기 네트워크 디바이스에 의해 상기 M개의 그리드에서 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 2개 이상의 인접 그리드를 결합하는 단계와,
상기 네트워크 디바이스에 의해, 결합을 통해 획득된 그리드와 미결합 그리드를 상기 제2 그리드 그룹으로 판정하는 단계를 포함하는,
EMF 강도 제어 방법.
제1항에 있어서,
상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하는 단계는,
상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 상기 네트워크 디바이스에 의해 상기 M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하는 단계와,
상기 네트워크 디바이스에 의해, 분할을 통해 획득된 그리드와 미분할 그리드를 상기 제2 그리드 그룹으로 판정하는 단계를 포함하는,
EMF 강도 제어 방법.
제1항에 있어서,
상기 네트워크 디바이스에 의해 상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하는 단계는,
상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여, 상기 네트워크 디바이스에 의해 상기 M개의 그리드에서 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 2개 이상의 인접 그리드를 결합하고, 상기 M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하는 단계와,
상기 네트워크 디바이스에 의해, 결합을 통해 획득된 그리드, 분할을 통해 획득된 그리드, 및 미결합 그리드/미분할 그리드를 상기 제2 그리드 그룹으로 판정하는 단계를 포함하는,
EMF 강도 제어 방법.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 네트워크 디바이스에 의해 상기 M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하기 전에,
상기 네트워크 디바이스에 의해, 분할을 통해 획득된 상기 제2 그리드 그룹 내의 그리드의 수량이 제3 임계값보다 작다고 판정하는 단계를 더 포함하는,
EMF 강도 제어 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 그리드의 EMF 강도는 미리 설정된 시간 내에서의 상기 그리드의 EMF 강도의 평균값인,
EMF 강도 제어 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 네트워크 디바이스에 의해 상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 현재 사용 가능한 송신 전력을 판정하는 단계를 더 포함하되,
상기 제2 그리드 그룹을 판정하는 단계는, 상기 네트워크 디바이스에 의해 상기 현재 사용 가능한 송신 전력에 기초하여 상기 제2 그리드 그룹을 판정하는 단계를 포함하는,
EMF 강도 제어 방법.
통신 장치로서,
제1 그리드 그룹 내의 각 그리드의 EMF 강도를 획득하도록 구성된 획득 유닛 ― 상기 제1 그리드 그룹은 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역을 분할함으로써 획득된 M개의 그리드를 포함하고, M은 1보다 큰 정수임 ― 과,
상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 제2 그리드 그룹을 판정하도록 구성된 판정 유닛 ― 상기 제2 그리드 그룹은 적어도 제1 그리드 및 제2 그리드를 포함하고, 상기 제1 그리드의 커버리지 영역은 상기 제2 그리드의 커버리지 영역보다 크고, 상기 제1 그리드의 EMF 강도는 상기 제2 그리드의 EMF 강도보다 작음 ― 과,
상기 제2 그리드 그룹에 기초하여 상기 네트워크 디바이스의 신호 커버리지 영역의 EMF 강도를 모니터링하여 상기 신호 커버리지 영역의 EMF 강도를 조정하도록 구성된 조정 유닛을 포함하는,
통신 장치.
제8항에 있어서,
상기 판정 유닛은 구체적으로, 상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 상기 M개의 그리드에서 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 2개 이상의 인접 그리드를 결합하고, 결합을 통해 획득된 그리드와 미결합 그리드를 상기 제2 그리드 그룹으로 판정하도록 구성되는,
통신 장치.
제8항에 있어서,
상기 판정 유닛은 구체적으로, 상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 상기 M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하고, 분할을 통해 획득된 그리드와 미분할 그리드를 상기 제2 그리드 그룹으로 판정하도록 구성되는,
통신 장치.
제8항에 있어서,
상기 판정 유닛은 구체적으로, 상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여, 상기 M개의 그리드에서 각각의 EMF 강도가 제1 임계값보다 작은 2개 이상의 인접 그리드를 결합하고, 상기 M개의 그리드에서 제2 임계값보다 큰 EMF 강도를 갖는 그리드를 분할하며, 결합을 통해 획득된 그리드, 분할을 통해 획득된 그리드, 및 미결합 그리드/미분할 그리드를 상기 제2 그리드 그룹으로 판정하도록 구성되는,
통신 장치.
제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 판정 유닛은 또한, 분할을 통해 획득된 상기 제2 그리드 그룹 내의 그리드의 수량이 제3 임계값보다 작다고 판정하도록 구성되는,
통신 장치.
제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 그리드의 EMF 강도는 미리 설정된 시간 내에서의 상기 그리드의 EMF 강도의 평균값인,
통신 장치.
제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 판정 유닛은 또한 상기 M개의 그리드의 EMF 강도에 기초하여 현재 사용 가능한 송신 전력을 판정하도록 구성되고,
상기 판정 유닛은 또한 상기 현재 사용 가능한 송신 전력에 기초하여 상기 제2 그리드 그룹을 판정하도록 구성되는,
통신 장치.
통신 장치로서,
하나 이상의 프로세서 및 하나 이상의 메모리를 포함하되,
상기 하나 이상의 메모리는 상기 하나 이상의 프로세서에 결합되고, 상기 하나 이상의 메모리는 컴퓨터 명령어를 저장하고,
상기 하나 이상의 프로세서가 상기 컴퓨터 명령어를 실행할 때, 상기 통신 장치는 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 EMF 강도 제어 방법을 수행할 수 있게 되는,
통신 장치.
컴퓨터 명령어를 포함하는 컴퓨터 판독가능 저장 매체로서,
상기 컴퓨터 명령어가 실행될 때, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 EMF 강도 제어 방법이 수행되는,
컴퓨터 판독가능 저장 매체.
칩 시스템으로서,
처리 회로 및 인터페이스를 포함하되,
상기 처리 회로는 저장 매체로부터 상기 저장 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램을 호출하고 실행하여 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 EMF 강도 제어 방법을 수행하도록 구성되는,
칩 시스템.
컴퓨터 실행 가능 명령어를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품으로서,
상기 컴퓨터 실행가능 명령어가 실행될 때, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 방법이 구현되는,
컴퓨터 프로그램 제품.