KR20230034671A - Apparatus for treating substrate and method for measuring pressure using the same - Google Patents

Apparatus for treating substrate and method for measuring pressure using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20230034671A
KR20230034671A KR1020210117716A KR20210117716A KR20230034671A KR 20230034671 A KR20230034671 A KR 20230034671A KR 1020210117716 A KR1020210117716 A KR 1020210117716A KR 20210117716 A KR20210117716 A KR 20210117716A KR 20230034671 A KR20230034671 A KR 20230034671A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
pressure
measuring member
unit
processing
Prior art date
Application number
KR1020210117716A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102624575B1 (en
Inventor
박민정
정영헌
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020210117716A priority Critical patent/KR102624575B1/en
Publication of KR20230034671A publication Critical patent/KR20230034671A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102624575B1 publication Critical patent/KR102624575B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/08—Means for indicating or recording, e.g. for remote indication
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Abstract

The present invention provides an apparatus for treating a substrate to accurately measure the influence of a fan filter unit on a substrate. According to one embodiment of the present invention, the apparatus for treating a substrate comprises: a housing having a treatment space in which a substrate is treated; a support unit supporting the substrate in the treatment space; a liquid supply unit having a treatment liquid supply nozzle supplying a treatment liquid to the substrate supported on the support unit; a fan filter unit injecting gas into the treatment space to form a descending air current; and a measurement member having a pressure sensor provided in the treatment space to measure the pressure of the descending air current and generate a sensing signal based on the pressure. The measurement member can be provided at a position corresponding to the position at which the substrate is placed in the treatment space.

Description

기판 처리 장치 및 압력 측정 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR MEASURING PRESSURE USING THE SAME}Substrate processing device and pressure measuring method {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR MEASURING PRESSURE USING THE SAME}

본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용하여 압력을 측정하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a method for measuring pressure using the same.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 일반적으로, 각각의 공정이 수행되는 공정 챔버에는 파티클 확산을 방지하기 위한 하강 기류가 형성된다. 하강 기류 형성을 위해 각 공정 챔버의 상부에는 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛이 제공되고 하부에는 공정 챔버를 배기하기 위한 배기 부재가 제공된다. 파티클은 팬 필터 유닛이 발생시킨 하강 기류를 타고 배기 부재를 통해 외부로 배출된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. In general, a descending airflow to prevent particle diffusion is formed in a process chamber where each process is performed. To form a descending airflow, a fan filter unit generating a descending airflow is provided at the upper part of each process chamber, and an exhaust member for exhausting the process chamber is provided at the lower part. Particles are discharged to the outside through the exhaust member on the descending air current generated by the fan filter unit.

하강 기류의 풍속은, 각 공정을 수행하는 동안 기판의 처리에 영향을 미친다. 또한, 하강 기류의 풍속은 기판을 각 공정 챔버로 이송하는 동안 기판에 형성된 막을 건조시키는 등의 영향을 미칠 수 있다.The wind speed of the downdraft affects the processing of the substrate during each process. In addition, the wind speed of the downdraft may have an effect such as drying a film formed on the substrate while transferring the substrate to each process chamber.

이에, 팬 필터 유닛의 풍속을 측정하여 제어할 필요가 있다. 일반적으로, 공정이 진행되지 않는 동안 팬 필터 유닛의 하부에서 작업자가 직접 풍속계를 사용하여 팬 필터 유닛의 풍속을 측정한다. Therefore, it is necessary to measure and control the wind speed of the fan filter unit. In general, while the process is not in progress, a worker directly measures the wind speed of the fan filter unit using an anemometer at the lower part of the fan filter unit.

그러나, 이와 같은 방법은 풍속계의 위치를 언제나 같은 지점에 두기 어렵고, 풍속계의 수평이 틀어질 수 있다. 또한, 측정 시간이나 측정 위치를 매번 같게 설정하기 어렵다. 이에, 측정 환경에 따라 풍속이 다르게 측정되는 문제가 있다.However, in this method, it is difficult to place the anemometer at the same position all the time, and the anemometer may be leveled. In addition, it is difficult to set the same measurement time or measurement position each time. Accordingly, there is a problem in that the wind speed is measured differently depending on the measurement environment.

또한, 공정이 진행되지 않는 동안 팬 필터 유닛의 풍속을 측정하므로, 기판이 공정 레시피에 따라 순차적으로 처리되는 동안 팬 필터 유닛의 기판에 대한 영향을 알기 어려운 문제가 있다.In addition, since the wind speed of the fan filter unit is measured while the process is not in progress, it is difficult to know the effect of the fan filter unit on the substrate while the substrate is sequentially processed according to the process recipe.

본 발명은 팬 필터 유닛의 풍속을 측정할 시에 측정 환경에 따른 오차를 줄이기 위한 기판 처리 장치 및 압력 측정 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a pressure measurement method for reducing an error due to a measurement environment when measuring wind speed of a fan filter unit.

또한, 본 발명은 팬 필터 유닛의 기판에 대한 영향을 정확하게 측정하기 위한 기판 처리 장치 및 압력 측정 방법을 제공하기 위한 것이다. In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a pressure measuring method for accurately measuring the influence of a fan filter unit on a substrate.

본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 일 실시예에서, 기판 처리 장치는, 내부에서 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 하우징; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛과; 처리 공간 내로 기체를 주입하여 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛; 및 처리 공간 내부에 제공되어 하강 기류의 압력을 측정하고 압력에 기초하여 감지 신호를 생성하는 압력 센서를 가지는 측정 부재를 포함하고, 측정 부재는, 처리 공간 내에서 기판이 놓이는 위치와 대응되는 위치에 제공될 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to an embodiment of the present invention, in one embodiment, a substrate processing apparatus includes a housing having a processing space in which a substrate is processed; a support unit supporting the substrate within the processing space; a liquid supply unit having a nozzle supplying a processing liquid to the substrate supported by the support unit; a fan filter unit injecting gas into the processing space to form a downdraft; and a measuring member having a pressure sensor provided inside the processing space to measure the pressure of the downdraft and to generate a sensing signal based on the pressure, wherein the measuring member is located at a position in the processing space corresponding to a position where the substrate is placed. can be provided.

일 실시예에서, 측정 부재는 기판의 중앙 영역에 대응되는 위치와 기판의 가장자리 영역에 대응되는 위치 간으로 이동 가능하도록 제공될 수 있다.In one embodiment, the measurement member may be provided to be movable between a position corresponding to the central region of the substrate and a position corresponding to the edge region of the substrate.

일 실시예에서, 측정 부재는, 감지 신호를 전달받고 하강 기류의 압력의 측정 데이터를 수집하고 측정 데이터가 정상 범위 내인지 여부를 판단하며 측정 데이터를 기반으로 팬 필터 유닛의 풍속을 제어하는 제어부; 제어부의 판단 결과에 따라 측정 데이터의 정상 여부를 통지하는 알람부를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the measurement member may include: a control unit that receives a detection signal, collects measurement data of the pressure of the downdraft, determines whether the measurement data is within a normal range, and controls the wind speed of the fan filter unit based on the measurement data; An alarm unit notifying whether or not the measurement data is normal according to the determination result of the control unit may be further included.

일 실시예에서, 노즐의 상부에 제공될 수 있다.In one embodiment, it may be provided at the top of the nozzle.

일 실시예에서, 노즐을 기판의 중앙 영역과 기판의 가장자리 영역 간으로 이동시키는 구동 부재를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, it may further include a driving member that moves the nozzle between the central region of the substrate and the edge region of the substrate.

일 실시예에서, 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 제어기는, 노즐이 기판 상으로 액을 공급하는 동안 측정 부재가 하강 기류의 압력을 측정하도록 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어할 수 있다.In one embodiment, it further includes a controller that controls the liquid supply unit and the measuring member, the controller controls the liquid supply unit and the measuring member so that the measuring member measures the pressure of the downdraft while the nozzle supplies the liquid onto the substrate. You can control it.

일 실시예에서, 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 제어기는, 노즐이 기판 상으로 액을 공급하지 않는 동안 측정 부재가 하강 기류의 압력을 측정하도록 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어할 수 있다.In one embodiment, it further includes a controller that controls the liquid supply unit and the measurement member, the controller such that the liquid supply unit and the measurement member measure the pressure of the downdraft while the nozzle is not supplying liquid onto the substrate. can control.

일 실시예에서, 상부가 개방되며 지지 유닛을 감싸도록 제공되는 컵; 컵 하부에 제공되어 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the cup has an open top and is provided to enclose the support unit; An exhaust unit provided under the cup to exhaust the processing space may be further included.

일 실시예에서, 측정 부재는, 팬 필터 유닛과 대향하는 위치에 제공될 수 있다.In one embodiment, the measuring member may be provided at a position facing the fan filter unit.

또한, 기판 처리 장치는, 일 실시예에서, 내부에서 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 하우징; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛과; 처리 공간 내로 기체를 주입하여 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛; 및 처리 공간 내부에 제공되어 하강 기류의 압력을 측정하고 압력에 기초하여 감지 신호를 생성하는 압력 센서를 가지는 측정 부재를 포함하고, 측정 부재는, 노즐의 상부에 제공될 수 있다.Further, the substrate processing apparatus, in one embodiment, includes a housing having a processing space in which a substrate is processed; a support unit supporting the substrate within the processing space; a liquid supply unit having a nozzle supplying a processing liquid to the substrate supported by the support unit; a fan filter unit injecting gas into the processing space to form a downdraft; and a measuring member having a pressure sensor provided inside the processing space to measure the pressure of the downdraft and to generate a sensing signal based on the pressure, wherein the measuring member may be provided above the nozzle.

일 실시예에서, 측정 부재는, 감지 신호를 전달받고 하강 기류의 압력의 측정 데이터를 수집하고 측정 데이터가 정상 범위 내인지 여부를 판단하며 측정 데이터를 기반으로 팬 필터 유닛의 풍속을 제어하는 제어부; 제어부의 판단 결과에 따라 측정 데이터의 정상 여부를 통지하는 알람부를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the measurement member may include: a control unit that receives a detection signal, collects measurement data of the pressure of the downdraft, determines whether the measurement data is within a normal range, and controls the wind speed of the fan filter unit based on the measurement data; An alarm unit notifying whether or not the measurement data is normal according to the determination result of the control unit may be further included.

일 실시예에서, 노즐을 기판의 중앙 영역과 기판의 가장자리 영역 간으로 이동시키는 구동 부재를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, it may further include a driving member that moves the nozzle between the central region of the substrate and the edge region of the substrate.

일 실시예에서, 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 제어기는, 노즐이 기판 상으로 액을 공급하는 동안 측정 부재가 하강 기류의 압력을 측정하도록 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어할 수 있다.In one embodiment, it further includes a controller that controls the liquid supply unit and the measuring member, the controller controls the liquid supply unit and the measuring member so that the measuring member measures the pressure of the downdraft while the nozzle supplies the liquid onto the substrate. You can control it.

일 실시예에서, 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 제어기는, 노즐이 기판 상으로 액을 공급하지 않는 동안 측정 부재가 하강 기류의 압력을 측정하도록 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어할 수 있다.In one embodiment, it further includes a controller that controls the liquid supply unit and the measurement member, the controller such that the liquid supply unit and the measurement member measure the pressure of the downdraft while the nozzle is not supplying liquid onto the substrate. can control.

일 실시예에서, 상부가 개방되며 지지 유닛을 감싸도록 제공되는 컵; 컵 하부에 제공되어 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the cup has an open top and is provided to enclose the support unit; An exhaust unit provided under the cup to exhaust the processing space may be further included.

일 실시예에서, 측정 부재는, 팬 필터 유닛과 대향하는 위치에 제공될 수 있다.In one embodiment, the measuring member may be provided at a position facing the fan filter unit.

또한, 본 발명은 압력 측정 방법을 제공한다. 일 예에서, 압력 측정 방법은, 측정 부재는 팬 필터 유닛과 대향하는 위치에서, 기판의 중앙 영역에 대응되는 위치와 기판의 가장자리 영역에 대응되는 위치 간으로 이동하며 처리 공간의 압력을 측정할 수 있다.In addition, the present invention provides a method for measuring pressure. In one example, the pressure measuring method may measure the pressure in the processing space by moving the measuring member between a position corresponding to the central region of the substrate and a position corresponding to the edge region of the substrate at a position facing the fan filter unit. there is.

일 실시예에서, 측정 부재는, 노즐의 상부에 제공될 수 있다.In one embodiment, the measuring member may be provided on top of the nozzle.

일 실시예에서, 노즐이 기판 상으로 액을 공급하지 않는 동안 처리 공간의 압력을 측정할 수 있다.In one embodiment, the pressure in the process space can be measured while the nozzle is not supplying liquid onto the substrate.

일 실시예에서, 노즐이 기판 상으로 액을 공급하지 않는 동안 처리 공간의 압력을 측정할 수 있다.In one embodiment, the pressure in the process space can be measured while the nozzle is not supplying liquid onto the substrate.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 팬 필터 유닛의 풍속을 측정할 시에 측정 환경에 따른 오차를 줄일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, when measuring the wind speed of the fan filter unit, an error due to a measurement environment can be reduced.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 팬 필터 유닛의 기판에 대한 영향을 정확하게 측정할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the effect of the fan filter unit on the substrate can be accurately measured.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 액처리 챔버의 일 예를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 측정부재를 상부에서 바라본 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 처리 공간의 압력을 측정하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따라 처리 공간의 압력을 측정하는 모습을 나타내는 도면이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing an application block or a developing block of FIG. 1 .
FIG. 3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
FIG. 4 is a view schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 3 .
5 is a view of the measuring member of FIG. 4 viewed from above.
6 is a diagram illustrating a state in which pressure in a processing space is measured according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing a state in which the pressure of a processing space is measured according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize clearer description.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.Referring to FIGS. 1 to 3 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a treating module 30 , and an interface module 40 . According to one embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above is referred to as a first direction 12. The second direction 14 is referred to, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30 and stores the processed substrate W into the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. Based on the index frame 24, the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30. The container 10 in which the substrates W are stored is placed in the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, an airtight container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The vessel 10 may be placed on the loadport 22 by a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle or by an operator. can

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the second direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 as an axis, and rotates in the third direction 16. It may be provided to be movable along.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate (W). The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided stacked on top of each other. According to the embodiment of FIG. 2 , two coating blocks 30a are provided and two developing blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two coating blocks 30a may perform the same process and may be provided with the same structure. Also, the two developing blocks 30b may perform the same process and have the same structure.

도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.Referring to FIG. 3 , the coating block 30a has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies liquid to the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. A plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged in series along the first direction 12 . Heat treatment chambers 3200 are located on one side of the transfer chamber 3400 .

반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.The transport chamber 3400 transports the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 within the coating block 30a. The transfer chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12 . A transfer robot 3422 is provided in the transfer chamber 3400 . The transport robot 3422 transports substrates between the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 as an axis, and rotates in the third direction. It may be provided movably along (16). A guide rail 3300 whose longitudinal direction is parallel to the first direction 12 is provided in the transfer chamber 3400, and a transfer robot 3422 can be provided to be movable on the guide rail 3300. .

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid processing chambers 3600 may be stacked with each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402 . The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12 . Some of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the index module 20 . Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as a front liquid treating chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the interface module 40 . Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as a rear heat treating chamber 3604 (rear heat treating chamber).

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front liquid processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W, and the rear liquid processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquids. According to one embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W coated with the anti-reflection film. Optionally, the first liquid may be a photoresist and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied on the substrate W to which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are the same type of liquid, and they may both be photoresists.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액처리 챔버(3602, 3604)의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 팬 필터 유닛(3670), 지지유닛(3640), 컵(3620), 액 공급 유닛(3660) 그리고 측정부재(700)를 가진다. 6 is a diagram schematically showing an example of liquid processing chambers 3602 and 3604 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6 , the liquid processing chambers 3602 and 3604 include a housing 3610, a fan filter unit 3670, a support unit 3640, a cup 3620, a liquid supply unit 3660, and a measuring member 700. have

하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(3670)이 제공된다. An entrance (not shown) through which the substrate W is taken in and out is formed on the sidewall of the housing 3610 . The entrance may be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620, the support unit 3640, and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610. A fan filter unit 3670 is provided on the upper wall of the housing 3610 to form a downdraft within the housing 3260.

일 예에서, 팬 필터 유닛(3670)은 회전에 따라 내부에 하강 기류를 형성하는 팬과 필터를 가지는 팬 필터(3670a)와 팬 필터(3670a)로 기체를 공급하는 에어 공급 라인(3670b)를 갖는다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. In one example, the fan filter unit 3670 has a fan filter 3670a having a fan and a filter that forms a downdraft therein as it rotates, and an air supply line 3670b that supplies gas to the fan filter 3670a. . Cup 3620 has a processing space with an open top.

지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 일 예에서, 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급 유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다.The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. In one example, the support unit 3640 is provided to rotate the substrate W during liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies liquid to the substrate W supported by the support unit 3640 .

컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간(1000)을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간(1000) 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 일 예에서, 컵(3620)의 하부에는 배기 유닛(3672)이 제공된다. 팬 필터 유닛(3670)에 의해 공급된 기체는 배기 유닛(3672)을 통해 빠져나가면서 하강기류를 형성하고, 하우징(3610)의 내부를 일정 청정도로 유지한다. The cup 3620 has a processing space 1000 that is open at the top. The support unit 3640 is disposed in the processing space 1000 and supports the substrate W. The support unit 3640 is provided so that the substrate W can rotate during liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies liquid to the substrate W supported by the support unit 3640 . In one example, an exhaust unit 3672 is provided at the bottom of cup 3620 . The gas supplied by the fan filter unit 3670 escapes through the exhaust unit 3672 to form a downdraft and maintains the inside of the housing 3610 at a certain level of cleanliness.

액 공급 유닛(3660)은 기판 상으로 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(3660)은 노즐팁을 가지는 노즐(3662)과 노즐(3662)을 이동시키는 구동 부재(미도시)를 구비한다. 일 예에서, 구동부재(미도시)는 노즐(3662)를 기판(W)의 중앙 영역에 대응되는 위치와 기판의 가장자리 영역에 대응되는 위치 간으로 이동시킨다.The liquid supply unit 3660 supplies a processing liquid onto the substrate. The liquid supply unit 3660 includes a nozzle 3662 having a nozzle tip and a driving member (not shown) for moving the nozzle 3662 . In one example, a driving member (not shown) moves the nozzle 3662 between a position corresponding to the central region of the substrate W and a position corresponding to the edge region of the substrate.

측정 부재(700)는, 처리 공간(1000)에 제공되어 하강 기류의 압력을 측정한다. 측정 부재(700)는 압력 센서(701), 제어부(710) 그리고 알람부(720)를 갖는다. 압력 센서(701)는 하강 기류의 압력을 측정하고 압력에 기초하여 감지 신호를 생성한다. 제어부(710)는 압력 센서(701)로부터 감지 신호를 전달받고 하강 기류의 압력의 측정 데이터를 수집하고 측정 데이터가 정상 범위 내인지 여부를 판단한다. 제어부(710)는 판단 결과에 따라 측정 데이터가 정상이 아닐 경우 팬 필터 유닛의 풍속을 제어하며, 이를 알람부(720)에 통지한다. 알람부(720)는 측정 데이터가 정상이 아님을 시각적 또는 청각적 방법으로 작업자에게 통지한다. 일 예에서, 알람부(720)는 시각적으로 알림을 통지하는 디스플레이 장치로 제공되거나 청각적으로 알림을 통지하는 소리 장치로 제공될 수 있다.The measuring member 700 is provided in the processing space 1000 to measure the pressure of the downdraft. The measuring member 700 has a pressure sensor 701, a control unit 710 and an alarm unit 720. The pressure sensor 701 measures the pressure of the downdraft and generates a sensing signal based on the pressure. The control unit 710 receives a detection signal from the pressure sensor 701, collects measurement data of the pressure of the downdraft, and determines whether the measurement data is within a normal range. If the measured data is not normal according to the determination result, the control unit 710 controls the wind speed of the fan filter unit and notifies the alarm unit 720 of this. The alarm unit 720 notifies the operator that the measured data is not normal through a visual or audible method. In one example, the alarm unit 720 may be provided as a display device for notifying notifications visually or as a sound device for notifying notifications audibly.

일 실시예에서, 측정 부재(700)는, 팬 필터 유닛(3670)과 대향하는 위치에 제공될 수 있다. 일 예에서, 팬 필터 유닛(3670)의 중심과 측정 부재(700)의 중심이 마주보도록 제공될 수 있다. 이에, 팬 필터 유닛(3670)에서 제공되는 기체가 측정 부재(700)의 중심을 기점으로 균등한 분포를 가지도록 하여 하강 기류의 데이터를 용이하게 수집 및 분석할 수 있다.In one embodiment, the measuring member 700 may be provided at a position facing the fan filter unit 3670. In one example, the center of the fan filter unit 3670 and the center of the measuring member 700 may face each other. Accordingly, data of the descending airflow can be easily collected and analyzed by ensuring that the gas provided from the fan filter unit 3670 has an even distribution starting from the center of the measurement member 700 .

일 예에서, 측정 부재(700)는, 처리 공간 내에서 기판(W)이 놓이는 위치와 대응되는 위치에 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 도 5에 도시된 바와 같이 측정 부재(700)는 노즐(3662)의 상부에 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 압력 센서(701)는 노즐(3662)의 상부에 일정 면적을 차지하도록 고루 퍼지도록 제공된다.In one example, the measuring member 700 may be provided at a position corresponding to a position where the substrate W is placed in the processing space. In one embodiment, as shown in FIG. 5 , the measurement member 700 may be provided on top of the nozzle 3662 . In one embodiment, the pressure sensor 701 is provided to spread evenly to occupy a certain area on top of the nozzle 3662.

이하, 도 6 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 압력 측정 방법에 대해 설명한다. 제어기는, 본 발명의 압력 측정 방법을 수행하기 위해 액 공급 유닛 및 측정 부재(700)를 제어한다.Hereinafter, the pressure measurement method of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7 . The controller controls the liquid supply unit and the measuring member 700 to perform the pressure measurement method of the present invention.

도 6을 참조하면, 노즐(3662)이 기판(W) 상으로 액을 공급하는 동안 측정 부재(700)가 하강 기류의 압력을 측정한다. 이에 따라, 기판(W) 상으로 액이 공급되는 동안 하강 기류의 데이터를 수집할 수 있다. 일 예에서, 노즐(3662)의 탄착 지점은 기판(W)의 중앙 영역과 기판(W)의 가장자리 영역 간으로 이동될 수 있다. 측정 부재(700)는, 노즐(3662)이 기판(W)의 중앙 영역에 위치할 때와, 노즐(3662)이 기판(W)의 가장자리 영역에 위치할 때의 하강 기류의 데이터를 각각 수집할 수 있다. 이를 기반으로 기판(W)을 액 처리하는 동안 하강 기류가 기판(W)의 중앙 영역과 가장 자리 영역에 각각 어떠한 영향을 미치는지 판단할 수 있다. 선택적으로, 측정 부재(700)는 노즐(3662)이 기판(W) 상으로 액을 공급하는 동안 계속적으로 하강 기류에 관한 데이터를 수집할 수 있다. 이에 따라, 기판(W)의 각 영역의 하강 기류에 관한 연속적인 데이터를 얻고 이를 기반으로 기판(W)의 각 영역에 따라 하강 기류가 어떠한 영향을 미치는지에 관한 분석을 할 수 있다.Referring to FIG. 6 , while the nozzle 3662 supplies liquid onto the substrate W, the measuring member 700 measures the pressure of the downdraft. Accordingly, while the liquid is being supplied onto the substrate W, data of the descending airflow may be collected. In one example, the impact point of the nozzle 3662 may be moved between a central region of the substrate W and an edge region of the substrate W. The measuring member 700 collects downdraft data when the nozzle 3662 is located in the central region of the substrate W and when the nozzle 3662 is located in the edge region of the substrate W, respectively. can Based on this, it is possible to determine how the downdraft affects the central region and the edge region of the substrate W during liquid treatment. Optionally, the measurement member 700 may continuously collect data on the downdraft while the nozzle 3662 supplies the liquid onto the substrate W. Accordingly, it is possible to obtain continuous data on the downdraft of each area of the substrate W and analyze the effect of the downdraft according to each area of the substrate W based on this data.

기판(W) 상으로 액이 공급되는 동안 제어부(710)는 압력 센서(701)로부터 감지 신호를 전달받고 하강 기류의 압력의 측정 데이터를 수집하고 측정 데이터가 정상 범위 내인지 여부를 판단한다. 제어부(710)는 판단 결과에 따라 측정 데이터가 정상이 아닐 경우 팬 필터 유닛(3670)의 풍속을 제어하며, 이를 알람부(720)는 알람을 통지한다. While liquid is supplied onto the substrate W, the control unit 710 receives a detection signal from the pressure sensor 701, collects measurement data of the pressure of the descending airflow, and determines whether the measurement data is within a normal range. The control unit 710 controls the wind speed of the fan filter unit 3670 when the measurement data is not normal according to the determination result, and the alarm unit 720 notifies an alarm.

이와 달리, 도 7에 도시된 바와 같이 노즐(3662)이 기판(W) 상으로 액을 공급하지 않는 동안 측정 부재(700)가 하강 기류의 압력을 측정하도록 액 공급 유닛 및 측정 부재(700)를 제어할 수 있다. 노즐(3662)은 기판(W)의 중앙 영역과 기판(W)의 가장자리 영역 간으로 이동될 수 있다. 측정 부재(700)는, 노즐(3662)이 기판(W)의 중앙 영역에 위치할 때와, 노즐(3662)이 기판(W)의 가장자리 영역에 위치할 때의 하강 기류의 데이터를 각각 수집할 수 있다. 이를 기반으로 기판(W)을 액 처리하기 전 또는 후에 하강 기류가 기판(W)의 중앙 영역과 가장 자리 영역에 각각 어떠한 영향을 미치는지 미리 판단할 수 있다. 선택적으로, 측정 부재(700)는 노즐(3662)이 이동하는 동안 계속적으로 하강 기류에 관한 데이터를 수집할 수 있다. 이에 따라, 기판(W)의 각 영역의 하강 기류에 관한 연속적인 데이터를 얻고 이를 기반으로 기판(W)의 각 영역에 따라 하강 기류가 어떠한 영향을 미치는지에 관한 분석을 할 수 있다.Unlike this, as shown in FIG. 7 , the liquid supply unit and the measuring member 700 are used so that the measuring member 700 measures the pressure of the downdraft while the nozzle 3662 does not supply the liquid onto the substrate W. You can control it. The nozzle 3662 may be moved between the central region of the substrate W and the edge region of the substrate W. The measuring member 700 collects downdraft data when the nozzle 3662 is located in the central region of the substrate W and when the nozzle 3662 is located in the edge region of the substrate W, respectively. can Based on this, before or after the liquid treatment of the substrate W, it is possible to determine in advance how the downdraft affects the central region and the edge region of the substrate W, respectively. Optionally, measurement member 700 may continuously collect downdraft data while nozzle 3662 is moving. Accordingly, it is possible to obtain continuous data on the downdraft of each area of the substrate W and analyze the effect of the downdraft according to each area of the substrate W based on this data.

상술한 예에서는, 액 처리 챔버는 기판(W)에 포토레지스트 액 또는 반사방지막과 같은 액을 공급하는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 액 처리 챔버는 팬 필터 유닛(3670)과 노즐(3662)을 구비하며 다른 종류의 액을 공급하는 챔버로 제공될 수 있다. In the above example, the liquid processing chamber has been described as supplying a liquid such as a photoresist liquid or an antireflection film to the substrate W. However, unlike this, the liquid processing chamber may include a fan filter unit 3670 and a nozzle 3662 and may be provided as a chamber supplying a different type of liquid.

다시, 도 2 내지 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 로봇(3812)은 전단 버퍼(3802)와 전단 액처리 챔버(3602) 간에 기판(W)을 반송한다.Again, referring to FIGS. 2 and 3 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The front buffers 3802 are provided in plural numbers and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. The buffer robot 3812 transfers the substrate W between the front buffer 3802 and the front liquid processing chamber 3602 .

버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. Other portions of the buffer chambers 3802 and 3804 are disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffers 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural numbers and are stacked on top of each other in the vertical direction.

전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에는 제1 버퍼 로봇(3812)가 제공되어 전단 버퍼(3802) 내에 보관된 복수의 기판(W)을 전단 버퍼(3802) 내에서 이동시킨다. 또한, 후단 버퍼(3804)에는 제2 버퍼 로봇(3814)가 제공되어 후단 버퍼(3804) 내에 보관된 복수의 기판(W)을 후단 버퍼(3804) 내에서 이동시킨다.Each of the front-side buffers 3802 and the back-side buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates (W). The front buffer 3802 is provided with a first buffer robot 3812 to move the plurality of substrates W stored in the front buffer 3802 within the front buffer 3802 . In addition, a second buffer robot 3814 is provided in the rear buffer 3804 to move the plurality of substrates W stored in the rear buffer 3804 within the rear buffer 3804 .

전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. The substrates W stored in the shearing buffer 3802 are carried in or out by the indexing robot 2200 and the transfer robot 3422 . The substrates W stored in the rear buffer 3804 are carried in or out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602 .

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, transfer chamber 3400, and liquid processing chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200, transfer chamber 3400, and liquid processing chamber 3600 of the coating block 30a. ) and is provided with a structure and arrangement generally similar to However, all of the liquid processing chambers 3600 in the developing block 30b are equally provided as a developing chamber 3600 that develops a substrate by supplying a developer solution.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure device 50 . The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a transfer member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, the process of which has been completed in the coating block 30a, is carried into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50, is transferred to the developing block 30b. According to an example, the additional process may be an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, an upper surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on top of each other. Additional process chambers 4200 may all be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space where the substrate W transported between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during transport. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and the plurality of interface buffers 4400 may be stacked on top of each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 in the longitudinal direction, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transport member 4600 may be provided by one or a plurality of robots. According to an example, the transport member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 transfers the substrate W between the interface buffer 4400 and the exposure device ( 50), the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200, the first robot 4602, and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hands 3420 of the transfer robots 3422 and 3424. Optionally, the hands of the robots that transfer the substrate W directly to and from the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber are provided in the same shape as the hands 3420 of the transfer robots 3422 and 3424, and the hands of the other robots have different shapes. can be provided as

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3202)의 가열 장치(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the index robot 2200 is provided to transfer and receive the substrate W directly with the heating device 3230 of the front heat treatment chamber 3202 provided on the coating block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transport robot 3422 provided to the coating block 30a and the developing block 30b may be provided to transfer the substrate W directly to and from the transport plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200 .

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다. The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating processing process and a developing processing process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the process block 37 performs only the coating process, and the film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film (SOH).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

Claims (20)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에서 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 하우징;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐을 가지는 액 공급 유닛과;
상기 처리 공간 내로 기체를 주입하여 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛; 및
상기 처리 공간 내부에 제공되어 상기 하강 기류의 압력을 측정하고 상기 압력에 기초하여 감지 신호를 생성하는 압력 센서를 가지는 측정 부재를 포함하고,
상기 측정 부재는,
상기 처리 공간 내에서 상기 기판이 놓이는 위치와 대응되는 위치에 제공되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a housing having a processing space in which a substrate is processed;
a support unit supporting a substrate within the processing space;
a liquid supply unit having a processing liquid supply nozzle supplying a processing liquid to the substrate supported by the support unit;
a fan filter unit injecting gas into the processing space to form a downdraft; and
a measuring member provided inside the processing space and having a pressure sensor that measures the pressure of the downdraft and generates a sensing signal based on the pressure;
The measuring member,
A substrate processing apparatus provided at a location corresponding to a location where the substrate is placed in the processing space. 제1항에 있어서,
상기 측정 부재는 기판의 중앙 영역에 대응되는 위치와 상기 기판의 가장자리 영역에 대응되는 위치 간으로 이동 가능하도록 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The measuring member is provided to be movable between a position corresponding to a central region of the substrate and a position corresponding to an edge region of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 측정 부재는,
상기 감지 신호를 전달받고 상기 하강 기류의 압력의 측정 데이터를 수집하고 상기 측정 데이터가 정상 범위 내인지 여부를 판단하며 상기 측정 데이터를 기반으로 상기 팬 필터 유닛의 풍속을 제어하는 제어부;
상기 제어부의 상기 판단 결과에 따라 상기 측정 데이터의 정상 여부를 통지하는 알람부를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The measuring member,
a control unit that receives the detection signal, collects measurement data of the downdraft pressure, determines whether the measurement data is within a normal range, and controls wind speed of the fan filter unit based on the measurement data;
The substrate processing apparatus further comprises an alarm unit for notifying whether the measured data is normal according to the determination result of the control unit. 제1항에 있어서,
상기 노즐의 상부에 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
A substrate processing device provided above the nozzle. 제4항에 있어서,
상기 노즐을 상기 기판의 중앙 영역과 상기 기판의 가장자리 영역 간으로 이동시키는 구동 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 4,
and a driving member for moving the nozzle between a central region of the substrate and an edge region of the substrate. 제4항에 있어서,
상기 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 노즐이 상기 기판 상으로 액을 공급하는 동안 상기 측정 부재가 상기 하강 기류의 압력을 측정하도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 측정 부재를 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 4,
Further comprising a controller for controlling the liquid supply unit and the measuring member,
The controller,
and controlling the liquid supply unit and the measuring member so that the measuring member measures the pressure of the downdraft while the nozzle supplies the liquid onto the substrate. 제4항에 있어서,
상기 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 노즐이 상기 기판 상으로 액을 공급하지 않는 동안 상기 측정 부재가 상기 하강 기류의 압력을 측정하도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 측정 부재를 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 4,
Further comprising a controller for controlling the liquid supply unit and the measuring member,
The controller,
and controlling the liquid supply unit and the measuring member so that the measuring member measures the pressure of the downdraft while the nozzle does not supply liquid onto the substrate. 제1항에 있어서,
상부가 개방되며 상기 지지 유닛을 감싸도록 제공되는 컵;
상기 컵 하부에 제공되어 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치. According to claim 1,
a cup having an open top and provided to enclose the support unit;
and an exhaust unit provided under the cup to exhaust the processing space. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 측정 부재는,
상기 팬 필터 유닛과 대향하는 위치에 제공되는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 8,
The measuring member,
A substrate processing apparatus provided at a position facing the fan filter unit. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에서 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 하우징;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐을 가지는 액 공급 유닛과;
상기 처리 공간 내로 기체를 주입하여 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛; 및
상기 처리 공간 내부에 제공되어 상기 하강 기류의 압력을 측정하고 상기 압력에 기초하여 감지 신호를 생성하는 압력 센서를 가지는 측정 부재를 포함하고,
상기 측정 부재는,
상기 노즐의 상부에 제공되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a housing having a processing space in which a substrate is processed;
a support unit supporting a substrate within the processing space;
a liquid supply unit having a processing liquid supply nozzle supplying a processing liquid to the substrate supported by the support unit;
a fan filter unit injecting gas into the processing space to form a downdraft; and
a measuring member provided inside the processing space and having a pressure sensor that measures the pressure of the downdraft and generates a sensing signal based on the pressure;
The measuring member,
A substrate processing device provided above the nozzle. 제10항에 있어서,
상기 측정 부재는,
상기 감지 신호를 전달받고 상기 하강 기류의 압력의 측정 데이터를 수집하고 상기 측정 데이터가 정상 범위 내인지 여부를 판단하며 상기 측정 데이터를 기반으로 상기 팬 필터 유닛의 풍속을 제어하는 제어부;
상기 제어부의 상기 판단 결과에 따라 상기 측정 데이터의 정상 여부를 통지하는 알람부를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 10,
The measuring member,
a control unit that receives the detection signal, collects measurement data of the downdraft pressure, determines whether the measurement data is within a normal range, and controls wind speed of the fan filter unit based on the measurement data;
The substrate processing apparatus further comprises an alarm unit for notifying whether the measured data is normal according to the determination result of the control unit. 제10항에 있어서,
상기 노즐을 상기 기판의 중앙 영역과 상기 기판의 가장자리 영역 간으로 이동시키는 구동 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 10,
and a driving member for moving the nozzle between a central region of the substrate and an edge region of the substrate. 제12항에 있어서,
상기 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 노즐이 상기 기판 상으로 액을 공급하는 동안 상기 측정 부재가 상기 하강 기류의 압력을 측정하도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 측정 부재를 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 12,
Further comprising a controller for controlling the liquid supply unit and the measuring member,
The controller,
and controlling the liquid supply unit and the measuring member so that the measuring member measures the pressure of the downdraft while the nozzle supplies the liquid onto the substrate. 제12항에 있어서,
상기 액 공급 유닛 및 측정 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 노즐이 상기 기판 상으로 액을 공급하지 않는 동안 상기 측정 부재가 상기 하강 기류의 압력을 측정하도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 측정 부재를 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 12,
Further comprising a controller for controlling the liquid supply unit and the measuring member,
The controller,
and controlling the liquid supply unit and the measuring member so that the measuring member measures the pressure of the downdraft while the nozzle does not supply liquid onto the substrate. 제10항에 있어서,
상부가 개방되며 상기 지지 유닛을 감싸도록 제공되는 컵;
상기 컵 하부에 제공되어 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치. According to claim 10,
a cup having an open top and provided to enclose the support unit;
and an exhaust unit provided under the cup to exhaust the processing space. 제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 측정 부재는,
상기 팬 필터 유닛과 대향하는 위치에 제공되는 기판 처리 장치.According to any one of claims 10 to 15,
The measuring member,
A substrate processing apparatus provided at a position facing the fan filter unit. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 상기 처리 공간의 압력을 측정하는 방법에 있어서,
상기 측정 부재는 상기 팬 필터 유닛과 대향하는 위치에서,
상기 기판의 중앙 영역에 대응되는 위치와 상기 기판의 가장자리 영역에 대응되는 위치 간으로 이동하며 상기 처리 공간의 압력을 측정하는 압력 측정 방법.In the method for measuring the pressure in the processing space using the substrate processing apparatus of claim 1,
The measuring member is at a position facing the fan filter unit,
The pressure measurement method of measuring the pressure in the processing space while moving between a position corresponding to a central region of the substrate and a position corresponding to an edge region of the substrate. 제17항에 있어서,
상기 측정 부재는,
상기 노즐의 상부에 제공되는 압력 측정 방법.According to claim 17,
The measuring member,
A pressure measuring method provided at the top of the nozzle. 제17항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐이 상기 기판 상으로 액을 공급하지 않는 동안 상기 처리 공간의 압력을 측정하는 압력 측정 방법.According to any one of claims 17 to 18,
The pressure measurement method of measuring the pressure in the processing space while the nozzle does not supply liquid onto the substrate. 제17항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐이 상기 기판 상으로 액을 공급하지 않는 동안 상기 처리 공간의 압력을 측정하는 압력 측정 방법.


According to any one of claims 17 to 18,
The pressure measurement method of measuring the pressure in the processing space while the nozzle does not supply liquid onto the substrate.
KR1020210117716A 2021-09-03 2021-09-03 Apparatus for treating substrate and method for measuring pressure using the same KR102624575B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210117716A KR102624575B1 (en) 2021-09-03 2021-09-03 Apparatus for treating substrate and method for measuring pressure using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210117716A KR102624575B1 (en) 2021-09-03 2021-09-03 Apparatus for treating substrate and method for measuring pressure using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230034671A true KR20230034671A (en) 2023-03-10
KR102624575B1 KR102624575B1 (en) 2024-01-15

Family

ID=85570436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210117716A KR102624575B1 (en) 2021-09-03 2021-09-03 Apparatus for treating substrate and method for measuring pressure using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102624575B1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07321083A (en) * 1994-05-26 1995-12-08 Sony Corp Semiconductor wafer treating apparatus
JP2001057335A (en) * 1999-06-09 2001-02-27 Tokyo Electron Ltd Device and method for substrate treatment
JP2009016743A (en) * 2007-07-09 2009-01-22 Hitachi High-Tech Control Systems Corp Wafer transporting device, and method of monitoring air flow in wafer transporting device
JP2013000697A (en) * 2011-06-20 2013-01-07 Toshiba Corp Spiral coating device and spiral coating method
KR20180119788A (en) * 2017-04-26 2018-11-05 세메스 주식회사 Air conditioner and apparatus for treating substrate the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07321083A (en) * 1994-05-26 1995-12-08 Sony Corp Semiconductor wafer treating apparatus
JP2001057335A (en) * 1999-06-09 2001-02-27 Tokyo Electron Ltd Device and method for substrate treatment
JP2009016743A (en) * 2007-07-09 2009-01-22 Hitachi High-Tech Control Systems Corp Wafer transporting device, and method of monitoring air flow in wafer transporting device
JP2013000697A (en) * 2011-06-20 2013-01-07 Toshiba Corp Spiral coating device and spiral coating method
KR20180119788A (en) * 2017-04-26 2018-11-05 세메스 주식회사 Air conditioner and apparatus for treating substrate the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102624575B1 (en) 2024-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6593045B2 (en) Substrate processing apparatus and method
KR101289523B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4494332B2 (en) Rinse processing method, development processing apparatus, and control program
KR20090091667A (en) Substrate processing method, computer-readable storage medium, and substrate processing system
KR101740480B1 (en) Teaching method and substrate treating apparatus using the same
KR101873073B1 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium for liquid processing
JP2004087795A (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment system
KR100573618B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparsus
KR101935945B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101915479B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20180083804A (en) Substrate processing apparatus
KR20230034671A (en) Apparatus for treating substrate and method for measuring pressure using the same
KR101849839B1 (en) Substrate transporting device, substrate treating apparatus, and substrate transporting method
KR20180006710A (en) Apparatus for treating susbstrate
KR102522960B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102066044B1 (en) Substrate treating apparatus, index robot and substrate transferring method
KR102316618B1 (en) Buffer unit, Apparatus for treating a substrate including the unit
KR20230034670A (en) Apparatus for treating substrate and method for measuring pressure using the same
KR101985754B1 (en) Air conditioner and apparatus for treating substrate the same
KR101768518B1 (en) Transfer chamber, Apparatus for treating substrate, and method for trasnferring substrate
KR102534203B1 (en) substrate handling system
JP4319201B2 (en) Substrate processing method, program, and substrate processing system
KR102139616B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20190096901A (en) Apparatus for treating substrate
KR102628419B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant