KR20180083804A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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가즈야 하시모토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus capable of appropriately measuring a concentration of a process gas by using a simple device. A hydrophobic processing apparatus (41) processing a wafer (W) using a process gas containing ions includes: a processing container (300) containing the wafer (W) therein; a gas supply part supplying HMDS gas into the processing container (300); an exhaust part (340) exhausting the inside of the processing container (300); and an ion sensor (346) measuring the number of ions included in gas present in at least one of the inside of the processing container (300), the inside of the gas supply part (320), and the inside of the exhaust part (340).

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은 이온을 포함하는 처리 가스를 사용하여 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed by using a process gas containing ions.

예를 들어 반도체 장치의 제조에 있어서의 포토리소그래피 처리에서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)의 표면을 소수화하는 소수화 처리, 소수화된 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 해당 레지스트막에 소정의 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차 행하여져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다.For example, in the photolithography process in the manufacture of a semiconductor device, a hydrophobic process for hydrophobizing the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a " wafer "), a resist solution coating process And a developing process for developing the exposed resist film are sequentially performed, and a predetermined resist pattern is formed on the wafer.

상술한 소수화 처리는, 웨이퍼의 표면과 레지스트막의 밀착성을 향상시키기 위하여 행하여지는 것이며, 친수성의 웨이퍼 표면을 소수성으로 변화시키기 위하여 행해진다. 이러한 소수화 처리에서는, 웨이퍼의 표면에 대해 소수화 처리제, 예를 들어 HMDS(Hexamethyldisilazane, 헥사메틸디실라잔) 가스를 소정의 시간 공급하고, 웨이퍼의 표면과 HMDS를 화학 반응시킨다. 즉, 이 화학 반응에 의해 웨이퍼의 표면의 수산기를 트리메틸실라놀기로 치환하고, 해당 웨이퍼의 표면을 소수화하고 있다. 그리고, 이에 의해, 후속 공정에 있어서 레지스트막이 웨이퍼의 표면으로부터 박리되거나 하는 것을 억제할 수 있다.The above hydrophobic treatment is performed to improve the adhesion between the surface of the wafer and the resist film, and is performed in order to change the hydrophilic surface of the wafer to hydrophobic. In this hydrophobic treatment, a hydrophobic treatment agent such as HMDS (hexamethyldisilazane, hexamethyldisilazane) gas is supplied to the surface of the wafer for a predetermined time, and the surface of the wafer is chemically reacted with the HMDS. That is, the hydroxyl group on the surface of the wafer is replaced with a trimethylsilanol group by this chemical reaction, and the surface of the wafer is hydrophobized. Thus, it is possible to prevent the resist film from peeling off from the surface of the wafer in the subsequent process.

상술한 소수화 처리를 적절하게 행하기 위해서는, 웨이퍼와 HMDS의 화학 반응을 촉진시키기 위해, 적절한 농도의 HMDS 가스를 사용하는 것이 중요하다. 소수화 처리가 적절하게 행하여지지 않으면, 그 후의 레지스트 도포 처리가 적절하게 행하여지지 않고, 예를 들어 로트 불량이 발생하여, 수율이 저하된다.In order to appropriately perform the above-described hydrophobic treatment, it is important to use an appropriate concentration of HMDS gas to promote the chemical reaction between the wafer and HMDS. If the hydrophobic treatment is not carried out properly, the subsequent resist coating treatment is not properly carried out, for example, a lot defect occurs and the yield is lowered.

그래서, HMDS 가스의 농도를 감시할 필요가 있다. 예를 들어 특허문헌 1에는, 정전위 전해 방식의 HMDS 농도 센서를 이용하여, HMDS 가스의 농도를 측정하는 것이 개시되어 있다. 또한, 동 특허문헌 1에는, 소수화 처리에 의해 생기는 NH3 가스의 농도를, 격막 전극 방식의 NH3 농도 센서를 이용하여 측정하는 것도 개시되어 있다.Therefore, it is necessary to monitor the concentration of HMDS gas. For example, Patent Document 1 discloses that the concentration of HMDS gas is measured using an HMDS concentration sensor of the electrostatic potential type. Also, Patent Document 1 discloses that the concentration of NH 3 gas generated by the hydrophobic treatment is measured using an NH 3 concentration sensor of a diaphragm electrode method.

일본 특허 공개 평7-142311호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-142311

그러나, 상술한 특허문헌 1에 기재된 방법과 같이, HMDS 가스 또는 NH3 가스의 농도를 직접 측정하는 경우, 측정에 사용되는 농도 센서가 고가이며 또한 대형의 것이 된다.However, when the concentration of HMDS gas or NH 3 gas is directly measured as in the method described in Patent Document 1, the concentration sensor used for the measurement is expensive and large.

또한, HMDS 가스의 농도를 측정하기 위하여, 예를 들어 적외선 센서를 사용하는 것도 생각된다. 그러나, 적외선 센서도 역시 고가이며 대형이다. 그래서, HMDS 농도의 측정에는 개선의 여지가 있다.It is also conceivable to use, for example, an infrared sensor to measure the concentration of HMDS gas. However, infrared sensors are also expensive and large. Therefore, there is room for improvement in the measurement of the HMDS concentration.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 간이한 장치를 이용하여, 처리 가스의 농도를 적절하게 측정하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to appropriately measure the concentration of the process gas using a simple apparatus.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명자가 예의 검토한 결과, HMDS 가스의 농도와, HMDS 가스를 사용하여 이온 센서로 측정되는 이온의 수에 상관 관계가 있는 것을 알아내었다. 그리고, 이 이온 센서는, 종래의 농도 센서나 적외선 센서에 비하여 저렴하고, 또한 소형의 것이다.In order to achieve the above object, the present inventors have intensively studied and found that there is a correlation between the concentration of HMDS gas and the number of ions measured by an ion sensor using HMDS gas. The ion sensor is inexpensive and compact as compared with the conventional density sensor and infrared sensor.

본 발명은 이러한 지견에 기초하여 이루어진 것으로, 본 발명은 이온을 포함하는 처리 가스를 사용하여 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며, 피처리 기판을 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 내부에 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 처리 용기의 내부를 배기하는 배기부와, 적어도 상기 처리 용기의 내부, 상기 가스 공급부의 내부 또는 상기 배기부의 내부의 가스에 포함되는 상기 이온의 수를 측정하는 이온 센서를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.The present invention has been accomplished on the basis of these findings, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed by using a process gas containing ions, comprising: a processing vessel accommodating a substrate to be processed; A gas supply unit for supplying a process gas; an exhaust unit for exhausting the inside of the process container; and a gas supply unit for measuring the number of ions included in at least the gas inside the process container, the gas supply unit, And has an ion sensor.

상기 이온 센서는 상기 배기부에 설치되어 있어도 된다.The ion sensor may be installed in the exhaust part.

상기 이온 센서는 상기 피처리 기판과 동형의 측정용 기판에 설치되어 있어도 된다.The ion sensor may be provided on a measuring substrate of the same type as the substrate to be processed.

상기 측정용 기판에는, 적어도 풍속 센서 또는 온도 센서가 더 설치되어 있어도 된다.The measurement board may further include at least an air speed sensor or a temperature sensor.

상기 이온 센서의 내부에는, 가스가 유통하는 가스 유통로가 형성되고, 상기 가스 유통로의 내부에는, 이온을 포집하기 위한 집전 전극이 설치되어 있어도 된다.In the ion sensor, a gas flow passage through which gas flows may be formed, and a current collecting electrode for collecting ions may be provided in the gas flow passage.

상기 가스 유통로는 직선상으로 연신하는 직선부와 상기 직선부에 접속되는 굴곡부를 갖고, 상기 집전 전극은 굴곡부에 설치되어 있어도 된다.The gas passage may have a linear portion extending in a straight line and a bent portion connected to the straight portion, and the current collecting electrode may be provided in a bent portion.

상기 집전 전극은, 상기 가스 유통로의 내측면을 덮도록 설치되어 있어도 된다.The current collecting electrode may be provided so as to cover the inner surface of the gas passage.

상기 처리 가스는 HMDS 가스여도 된다.The process gas may be HMDS gas.

본 발명에 따르면, 간이한 장치인 이온 센서를 이용하여 이온의 수를 측정하고, 또한 측정되는 이온의 수에 기초하여, 처리 가스의 농도를 적절하게 측정할 수 있다. 그리고, 이와 같이 처리 가스의 농도를 적절하게 제어함으로써, 로트 불량을 억제하여, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the number of ions can be measured using an ion sensor which is a simple device, and the concentration of the process gas can be appropriately measured based on the number of ions to be measured. By appropriately controlling the concentration of the process gas in this way, the defect of the lot can be suppressed and the yield of the product can be improved.

도 1은 본 실시 형태에 관한 소수화 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 정면도이다.
도 3은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 배면도이다.
도 4은 본 실시 형태에 관한 소수화 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 5은 본 실시 형태에 관한 소수화 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 실시 형태에 관한 이온 센서의 내부 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 7은 이온 센서로 측정되는 이온의 수의 시계열 변화를 나타내는 그래프이다.
도 8은 다른 실시 형태에 관한 소수화 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 9는 다른 실시 형태에 관한 소수화 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 10은 다른 실시 형태에 관한 이온 센서의 내부 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 11은 다른 실시 형태에 관한 이온 센서의 내부 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 12는 다른 실시 형태에 관한 이온 센서의 내부 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 13은 다른 실시 형태에 관한 이온 센서를 구비한 측정용 웨이퍼의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 14는 다른 실시 형태에 관한 이온 센서를 구비한 측정용 웨이퍼의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 15는 다른 실시 형태에 관한 이온 센서를 구비한 측정용 웨이퍼의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a configuration of a substrate processing system provided with a hydrophobic processing apparatus according to the embodiment.
2 is a front view schematically showing the configuration of the substrate processing system according to the embodiment.
3 is a rear view schematically showing a configuration of the substrate processing system according to the embodiment.
4 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the hydrophobic processing apparatus according to the present embodiment.
5 is a plan view schematically showing the configuration of the hydrophobic processing apparatus according to the present embodiment.
6 is a longitudinal sectional view schematically showing the internal configuration of the ion sensor according to the present embodiment.
7 is a graph showing a time series change in the number of ions measured by the ion sensor.
8 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a hydrophobic processing apparatus according to another embodiment.
9 is a plan view schematically showing the configuration of a hydrophobic processing apparatus according to another embodiment.
10 is a longitudinal sectional view schematically showing an internal configuration of an ion sensor according to another embodiment.
11 is a longitudinal sectional view schematically showing an internal configuration of an ion sensor according to another embodiment.
12 is a longitudinal sectional view schematically showing the internal configuration of the ion sensor according to another embodiment.
13 is a plan view schematically showing a configuration of a measurement wafer having an ion sensor according to another embodiment.
14 is a plan view schematically showing a configuration of a measurement wafer having an ion sensor according to another embodiment.
15 is a plan view schematically showing the configuration of a measurement wafer having an ion sensor according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. In the specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

<1. 기판 처리 시스템><1. Substrate processing system>

먼저, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치로서의 소수화 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성에 대해 설명한다. 도 1은, 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 2 및 도 3은, 각각 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는, 각각 정면도와 배면도이다. 그리고, 기판 처리 시스템(1)에서는, 피처리 기판으로서의 웨이퍼 W에 소정의 처리를 행한다.First, the configuration of a substrate processing system having a hydrophobic processing device as a substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described. Fig. 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of the substrate processing system 1. Fig. 2 and 3 are a front view and a rear view, respectively, schematically showing the outline of the internal structure of the substrate processing system 1, respectively. In the substrate processing system 1, a predetermined process is performed on the wafer W as a substrate to be processed.

기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시된 바와 같이 복수매의 웨이퍼 W를 수용한 카세트 C가 반입출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼 W에 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12) 사이에서 웨이퍼 W의 수수를 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속시킨 구성을 갖고 있다.1, the substrate processing system 1 includes a cassette station 10 in which a cassette C containing a plurality of wafers W is loaded and unloaded, a plurality of various processing apparatuses And an interface station 13 for transferring the wafer W between the exposure apparatus 12 adjacent to the processing station 11 are integrally connected to each other.

카세트 스테이션(10)에는, 카세트 재치대(20)가 설치되어 있다. 카세트 재치대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대해 카세트 C를 반입출할 때에 카세트 C를 재치하는 카세트 재치판(21)이 복수 설치되어 있다.The cassette station (10) is provided with a cassette table (20). The cassette mounting table 20 is provided with a plurality of cassette mounting plates 21 for mounting the cassette C when loading and unloading the cassette C with respect to the outside of the substrate processing system 1. [

카세트 스테이션(10)에는, 도 1에 도시된 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는 상하 방향 및 연직축 주위(θ 방향)에도 이동 가능하며, 각 카세트 재치판(21) 상의 카세트 C와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제3 블록 G3의 수수 장치 사이에서 웨이퍼 W를 반송할 수 있다.The cassette station 10 is provided with a wafer transfer device 23 capable of moving on a transfer path 22 extending in the X direction as shown in Fig. The wafer transfer device 23 is movable between the cassette C on each cassette mount plate 21 and the transfer device of the third block G3 of the processing station 11 described later The wafer W can be transported.

처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들어 4개의 블록, 즉 제1 블록 G1 내지 제4 블록 G4가 설치되어 있다. 예를 들어 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 제1 블록 G1이 설치되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측, 도면의 상측)에는, 제2 블록 G2가 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는, 이미 설명한 제3 블록 G3이 설치되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제4 블록 G4가 설치되어 있다.The processing station 11 is provided with a plurality of, for example, four blocks, that is, a first block G1 to a fourth block G4 having various devices. For example, a first block G1 is provided on the front side of the processing station 11 (in the direction of the X direction in Fig. 1), and the back side of the processing station 11 The second block G2 is provided. The third block G3 already described is provided on the cassette station 10 side of the processing station 11 (on the Y direction side in Fig. 1), and the interface station 13 side 1 on the Y-direction positive side), a fourth block G4 is provided.

예를 들어 제1 블록 G1에는, 도 2에 나타낸 바와 같이 복수의 액처리 장치, 예를 들어 웨이퍼 W를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼 W의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼 W에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼 W의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래부터 이 순서대로 배치되어 있다.For example, as shown in Fig. 2, the first block G1 includes a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a development processing apparatus 30 for developing wafers W, an antireflection film (hereinafter referred to as &quot; An antireflection film forming apparatus 31 for forming an antireflection film (hereinafter referred to as &quot; antireflection film &quot;), a resist coating apparatus 32 for applying a resist solution to a wafer W to form a resist film, Quot; anti-reflection film &quot;) are arranged in this order from the bottom.

예를 들어 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는 각각 수평 방향으로 3개 나란히 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.For example, the development processing device 30, the lower anti-reflection film forming device 31, the resist coating device 32, and the upper anti-reflection film forming device 33 are arranged side by side in the horizontal direction. The number and arrangement of the development processing apparatus 30, the lower anti-reflection film forming apparatus 31, the resist coating apparatus 32, and the upper anti-reflection film forming apparatus 33 can be arbitrarily selected.

이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에서는, 예를 들어 웨이퍼 W 상에 소정의 처리액을 도포하는 스핀코팅이 행해진다. 스핀코팅에서는, 예를 들어 도포 노즐로부터 웨이퍼 W 상에 처리액을 토출함과 함께, 웨이퍼 W를 회전시켜, 처리액을 웨이퍼 W의 표면에 확산시킨다.In the developing apparatus 30, the lower anti-reflection film forming apparatus 31, the resist coating apparatus 32, and the upper anti-reflection film forming apparatus 33, for example, a spin coating . In the spin coating, for example, the treatment liquid is discharged from the application nozzle onto the wafer W, and the wafer W is rotated to diffuse the treatment liquid onto the surface of the wafer W.

예를 들어 제2 블록 G2에는, 도 3에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 W의 가열이나 냉각과 같은 열처리를 행하는 열처리 장치(40)나, 레지스트액과 웨이퍼 W의 정착성을 높이기 위하여 소수화 처리를 행하는 소수화 처리 장치(41), 웨이퍼 W의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향과 수평 방향으로 나란히 설치되어 있다. 이들 열처리 장치(40), 소수화 처리 장치(41), 주변 노광 장치(42)의 수나 배치에 대해서도, 임의로 선택할 수 있다. 또한, 소수화 처리 장치(41)의 구성에 대해서는 후술한다.For example, in the second block G2, as shown in Fig. 3, a heat treatment apparatus 40 for performing heat treatment such as heating and cooling of the wafer W, a hydrophobic treatment (hydrophobic treatment) for hydrophobizing the resist solution and the wafer W The apparatus 41 and the peripheral exposure apparatus 42 for exposing the peripheral portion of the wafer W are provided in the vertical direction and in the horizontal direction. The number and arrangement of the heat treatment apparatus 40, the hydrophobic treatment apparatus 41, and the peripheral exposure apparatus 42 can be arbitrarily selected. The constitution of the hydrophobic treatment apparatus 41 will be described later.

예를 들어 제3 블록 G3에는, 복수의 수수 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래부터 순서대로 설치되어 있다. 또한, 제4 블록 G4에는, 복수의 수수 장치(60, 61, 62)가 아래부터 순서대로 설치되어 있다.For example, in the third block G3, a plurality of transfer devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 are provided in order from below. In the fourth block G4, a plurality of transfer devices 60, 61, and 62 are provided in order from the bottom.

도 1에 도시된 바와 같이 제1 블록 G1 내지 제4 블록 G4에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역 D가 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역 D에는, 예를 들어 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 갖는 웨이퍼 반송 장치(70)가 복수 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 웨이퍼 반송 영역 D 내를 이동하고, 주위의 제1 블록 G1, 제2 블록 G2, 제3 블록 G3 및 제4 블록 G4 내의 소정의 장치에 웨이퍼 W를 반송할 수 있다.As shown in Fig. 1, a wafer carrying region D is formed in an area surrounded by the first block G1 to the fourth block G4. In the wafer transfer region D, a plurality of wafer transfer devices 70 having transfer arms movable in, for example, the Y direction, the X direction, the? Direction, and the vertical direction are arranged. The wafer transfer device 70 moves within the wafer transfer area D and can transfer the wafer W to predetermined devices in the first block G1, the second block G2, the third block G3 and the fourth block G4 in the periphery .

또한, 웨이퍼 반송 영역 D에는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제3 블록 G3과 제4 블록 G4 사이에서 직선적으로 웨이퍼 W를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다.As shown in Fig. 3, a shuttle transfer device 80 for transferring the wafers W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided in the wafer transfer region D.

셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들어 도 3의 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되었다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼 W를 지지한 상태에서 Y 방향으로 이동하고, 제3 블록 G3의 수수 장치(52)와 제4 블록 G4의 수수 장치(62) 사이에서 웨이퍼 W를 반송할 수 있다.The shuttle transfer device 80 can move linearly in the Y direction in Fig. 3, for example. The shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while holding the wafer W and can transfer the wafer W between the transfer device 52 of the third block G3 and the transfer device 62 of the fourth block G4 have.

도 1에 도시된 바와 같이 제3 블록 G3의 X 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(90)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는 예를 들어 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 웨이퍼 W를 지지한 상태에서 상하로 이동하고, 제3 블록 G3 내의 각 수수 장치에 웨이퍼 W를 반송할 수 있다.As shown in Fig. 1, a wafer transfer device 90 is provided beside the X direction positive side of the third block G3. The wafer transfer device 90 has, for example, a transfer arm which is movable in the X direction, the? Direction and the vertical direction. The wafer transfer device 90 moves vertically while holding the wafer W, and can transfer the wafer W to each transfer device in the third block G3.

인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(100)와 전달 장치(101)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 반송 암에 웨이퍼 W를 지지하고, 제4 블록 G4 내의 각 수수 장치, 수수 장치(101) 및 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼 W를 반송할 수 있다.In the interface station 13, a wafer transfer apparatus 100 and a transfer apparatus 101 are provided. The wafer transfer apparatus 100 has, for example, a transfer arm which is movable in the Y direction, the? Direction, and the vertical direction. The wafer transfer apparatus 100 can support the wafer W on the transfer arm, for example, and transfer the wafer W between the transfer apparatus, the transfer apparatus 101 and the exposure apparatus 12 in the fourth block G4 .

이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시된 바와 같이 제어부(200)가 설치되어 있다. 제어부(200)는 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼 W의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계 동작을 제어하고, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 소수화 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네토 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 된다.In the substrate processing system 1 described above, a control unit 200 is provided as shown in FIG. The control unit 200 is, for example, a computer, and has a program storage unit (not shown). In the program storage unit, a program for controlling the processing of the wafer W in the substrate processing system 1 is stored. The program storage section also stores a program for controlling the operation of the driving system such as the above-described various processing apparatuses and transporting apparatuses and realizing the hydrophobic processing to be described later in the substrate processing system 1. [ The program is recorded in a computer-readable storage medium such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetooptical disk (MO) And may be installed in the control unit 200 from the storage medium.

<2. 소수화 처리 장치><2. Hydrophobic treatment device>

이어서, 상술한 소수화 처리 장치(41)의 구성에 대해 설명한다. 도 4은, 소수화 처리 장치(41)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 도 5은, 소수화 처리 장치(41)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.Next, the constitution of the above-described hydrophobic treatment apparatus 41 will be described. Fig. 4 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of the structure of the hydrophobic treatment device 41. Fig. Fig. 5 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of the hydrophobic treatment device 41. Fig.

소수화 처리 장치(41)는 웨이퍼 W를 수용하고, 상부가 개구하는 바닥이 있는 대략 U자상의 처리 용기(300)와, 처리 용기(300)의 개구를 덮는 덮개(301)를 갖고 있다. 처리 용기(300)의 저면 상부에는, 웨이퍼 W를 재치하는 재치대(302)가 설치되어 있다. 재치대(302)의 내부에는, 웨이퍼 W를 가열하기 위한 히터(303)가 설치되어 있다.The hydrophobic treatment apparatus 41 has a substantially U-shaped processing container 300 having a bottom accommodating the wafer W and opening at the top thereof, and a lid 301 covering the opening of the processing container 300. A table 302 for placing a wafer W thereon is provided on the bottom surface of the processing vessel 300. Inside the mounting table 302, a heater 303 for heating the wafer W is provided.

재치대(302)의 하방에는, 웨이퍼 W를 하방으로부터 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(304)이 설치되어 있다. 승강 핀(304)은, 승강 구동부(305)에 의해 상하 이동할 수 있다. 재치대(302) 및 처리 용기(300)에는, 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(306)이 형성되어 있고, 승강 핀(304)은, 관통 구멍(306)을 삽입 관통하도록 되어 있다.Below the mounting table 302, there is provided a lift pin 304 for supporting the wafer W from below and moving it up and down. The lifting pins 304 can be moved up and down by the lifting and lowering driver 305. A through hole 306 is formed in the mounting table 302 and the processing container 300 so as to pass therethrough in the thickness direction. The up and down pin 304 is inserted through the through hole 306.

덮개(301)는 수평한 천장판(310)과, 천장판(310)의 외주연부로부터 연직 하방으로 연신하여 설치된 측판(311)을 구비하고 있다. 측판(311)의 하단부(311a)는, 처리 용기(300)의 상단부(300a)와 대향하고 있으며, 처리 용기(300)와 덮개(301)에 둘러싸인 영역에 처리 공간 A가 형성된다.The lid 301 includes a horizontal ceiling plate 310 and a side plate 311 extending vertically downward from the outer peripheral edge of the ceiling plate 310. A lower end portion 311a of the side plate 311 faces the upper end portion 300a of the processing vessel 300 and a processing space A is formed in an area surrounded by the processing vessel 300 and the lid 301.

덮개(301)는 해당 덮개(301)를 처리 용기(300)에 대해 상대적으로 승강 이동시키는 승강 기구(312)를 구비하고 있다. 이 승강 기구(312)에 의해, 측판(311)의 하단부(311a)와 처리 용기(300)의 상단부(300a) 사이에, 소정의 간극 G가 형성되도록, 덮개(301)의 처리 용기(300)에 대한 높이 방향의 위치가 조정되어 있다.The lid 301 is provided with a lifting mechanism 312 for lifting and moving the lid 301 relative to the processing container 300. The processing vessel 300 of the lid 301 is moved up and down by the lifting mechanism 312 so that a predetermined gap G is formed between the lower end portion 311a of the side plate 311 and the upper end portion 300a of the processing vessel 300. [ Is adjusted in the height direction.

덮개(301)에는, 처리 용기(300)의 내부에 어느 웨이퍼 W의 상면에 대해 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부(320)가 설치되어 있다. 가스 공급부(320)에 있어서, 덮개(301) 중앙부의 하면에는 가스 공급구(321)가 형성되어 있다. 가스 공급구(321)에는, 덮개(301)의 내부에 형성된 가스 유로(322)가 연통되어 있다.In the lid 301, a gas supply part 320 for supplying a process gas and a purge gas to the upper surface of a wafer W is provided inside the process container 300. In the gas supply part 320, a gas supply port 321 is formed on a lower surface of the central part of the lid 301. A gas flow path 322 formed in the lid 301 communicates with the gas supply port 321.

가스 유로(322)에는, 가스 공급관(323)이 접속되어 있다. 가스 공급관(323)에는, 또한 HMDS 가스 공급관(324)과 질소 가스 공급관(325)이 접속되어 있다. HMDS 가스 공급관(324)에는, 처리 가스로서의 HMDS 가스를 공급하는 HMDS 가스 공급원(326)이 접속되어 있다. 또한, HMDS 가스 공급관(324)에는, HMDS 가스의 유통을 제어하는 밸브(327)가 설치되어 있다. 질소 가스 공급관(325)에는, 퍼지 가스로서의 질소 가스를 공급하는 질소 가스 공급원(328)이 접속되어 있다. 또한, 질소 가스 공급관(325)에는, 질소 가스를 압송하기 위한 레귤레이터(329)와, 질소 가스의 유통을 제어하는 밸브(330)가, 질소 가스 공급원(328)측부터 이 순서로 설치되어 있다. 그리고, 밸브(327, 330)에 의해, 웨이퍼 W에 대해 공급하는 가스를, HMDS 가스와 질소 가스로 교대로 전환할 수 있다.A gas supply pipe 323 is connected to the gas supply channel 322. The HMDS gas supply pipe 324 and the nitrogen gas supply pipe 325 are connected to the gas supply pipe 323. The HMDS gas supply pipe 324 is connected to an HMDS gas supply source 326 for supplying HMDS gas as a process gas. The HMDS gas supply pipe 324 is provided with a valve 327 for controlling the flow of HMDS gas. A nitrogen gas supply source 328 for supplying a nitrogen gas as a purge gas is connected to the nitrogen gas supply pipe 325. The nitrogen gas supply pipe 325 is provided with a regulator 329 for feeding nitrogen gas and a valve 330 for controlling the flow of nitrogen gas in this order from the nitrogen gas supply source 328 side. The gases supplied to the wafer W by the valves 327 and 330 can be alternately switched to HMDS gas and nitrogen gas.

HMDS 가스 공급원(326)에는, HMDS액 공급관(331)이 접속되어 있다. HMDS액 공급관(331)에는 또한 내부에 액체 상태의 HMDS액을 저류하는 HMDS액 탱크(332)가 접속되어 있다. 또한, HMDS액 공급관(331)에는, HMDS액의 유통을 제어하는 밸브(333)가 설치되어 있다. 그리고, HMDS액 공급관(331)으로부터 공급된 HMDS액은, HMDS 가스 공급원(326)에 있어서 기화되어 HMDS 가스로 변화한다.An HMDS liquid supply pipe 331 is connected to the HMDS gas supply source 326. The HMDS liquid supply pipe 331 is also connected to an HMDS liquid tank 332 for storing the liquid HMDS liquid therein. The HMDS liquid supply pipe 331 is provided with a valve 333 for controlling the flow of the HMDS liquid. The HMDS liquid supplied from the HMDS liquid supply pipe 331 is vaporized in the HMDS gas supply source 326 and converted into HMDS gas.

또한, HMDS 가스 공급원(326)에는, 상술한 질소 가스 공급원(328)에 연통되는 질소 가스 공급관(334)이 접속되어 있다. 또한, 질소 가스 공급관(334)에는, 질소 가스를 압송하기 위한 레귤레이터(335)와, 질소 가스의 유통을 제어하는 밸브(336)가, 질소 가스 공급원(328)측부터 이 순서로 설치되어 있다. 그리고, HMDS 가스 공급원(326)의 내부 HMDS 가스는, 질소 가스 공급원(328)으로부터 공급되는 질소 가스에 의해, 처리 용기(300)의 내부로 압송된다.The HMDS gas supply source 326 is connected to a nitrogen gas supply pipe 334 communicating with the above-described nitrogen gas supply source 328. The nitrogen gas supply pipe 334 is provided with a regulator 335 for feeding nitrogen gas and a valve 336 for controlling the flow of nitrogen gas in this order from the nitrogen gas supply source 328 side. The internal HMDS gas of the HMDS gas supply source 326 is pressure-fed into the processing vessel 300 by the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 328.

덮개(301)에는, 처리 용기(300)(처리 공간 A)의 내부를 배기하는 배기부(340)가 설치되어 있다. 배기부(340)에 있어서, 덮개(301)의 측판(311)의 하단부(311a)에는, 복수의 배기구(341)가 형성되어 있다. 이들 복수의 배기구(341)는 하단부(311a)의 주위 방향을 따라, 환상으로 등간격으로 설치되어 있다. 각 배기구(341)에는, 덮개(301)의 내부에 형성된 배기로(342)가 연통되어 있다.The lid 301 is provided with an exhaust part 340 for exhausting the inside of the processing container 300 (processing space A). A plurality of exhaust ports 341 are formed in the lower end portion 311a of the side plate 311 of the lid 301 in the exhaust portion 340. The plurality of exhaust ports 341 are annularly arranged at regular intervals along the circumferential direction of the lower end 311a. An exhaust passage 342 formed in the lid 301 communicates with each exhaust port 341.

배기로(342)에는, 배기관(343)이 접속되어 있다. 배기관(343)에는 또한, 예를 들어 진공 펌프 등의 배기 장치(344)가 접속되어 있다. 또한, 배기관(343)에는, 가스의 유통을 제어하는 밸브(345)가 설치되어 있다.An exhaust pipe 343 is connected to the exhaust passage 342. The exhaust pipe 343 is also connected to an exhaust device 344 such as a vacuum pump. The exhaust pipe 343 is provided with a valve 345 for controlling the flow of the gas.

배기관(343)에는, 배기 장치(344)와 밸브(345)의 사이에 있어서, 이온 센서(346)가 설치되어 있다. 이온 센서(346)는 배기관(343)의 내부를 흐르는 가스 중의 이온의 수(단위 체적당 이온의 수)를 측정할 수 있다.The exhaust pipe 343 is provided with an ion sensor 346 between the exhaust device 344 and the valve 345. The ion sensor 346 can measure the number of ions (the number of ions per unit volume) in the gas flowing in the exhaust pipe 343.

구체적으로 도 6에 나타낸 바와 같이, 이온 센서(346)의 내부에는, 가스가 유통하는 가스 유통로(350)가 형성되어 있다. 가스 유통로(350)의 내측면에는 반발 전극(351)이 설치되고, 가스 유통로(350)의 내부에는 집전 전극(352)이 설치되어 있다. 그리고, 반발 전극(351)이 이온과 같은 극성의 전극이 되도록, 해당 반발 전극(351)에 전압을 인가한다. 예를 들어 이온이 양이온의 경우, 반발 전극(351)을 양극으로 한다. 그렇게 하면, 이온은 반발 전극(351)로부터 이격되는 방향으로 흘러, 집전 전극(352)에 포집된다. 그리고, 집전 전극(352)의 전압을 측정함으로써, 미리 구해진 단위 체적당 이온의 수와 전압의 관계로부터, 이온의 수가 측정된다. 이와 같이 해서, 가스 중의 이온의 수를 측정할 수 있다.Specifically, as shown in Fig. 6, a gas flow passage 350 through which gas flows is formed inside the ion sensor 346. As shown in Fig. A repulsive electrode 351 is provided on the inner surface of the gas passage 350 and a current collector electrode 352 is provided in the gas passage 350. Then, a voltage is applied to the repelling electrode 351 so that the repulsion electrode 351 becomes a polarity electrode having the same polarity as the ion. For example, when the ion is a cation, the repulsion electrode 351 is used as an anode. Then, the ions flow in a direction away from the repulsion electrode 351, and are collected in the current collector electrode 352. Then, by measuring the voltage of the current collecting electrode 352, the number of ions is measured from the relationship between the number of ions per unit volume and the voltage which are obtained in advance. In this way, the number of ions in the gas can be measured.

이와 같이 배기관(343)에 이온 센서(346)를 설치하는 목적은, 가스 중의 이온의 수를 측정함으로써, HMDS 가스의 농도를 측정하는 것이다. 여기서, 본 발명자가 예의 검토한 바, 도 7에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 시간 T1 내지 T2의 사이, 소수화 처리 장치(41)를 기동시켜, 가스 공급부(320)에 의해 처리 공간 A의 내부에 HMDS 가스를 공급하면서, 배기부(340)에 의해 처리 공간 A의 내부를 배기하면, 이온 센서(346)에 의해 측정되는 이온의 수(단위 체적당 이온의 수)가 증가하는 것을 알 수 있다. 바꾸어 말하면, HMDS 가스의 농도가 증가되면, 이온의 수도 증가한다. 그래서, HMDS 가스의 농도와 이온의 수에 상관 관계가 있는 것을 알 수 있었다. 그리고, 본 실시 형태에서는, 이온 센서(346)로 측정되는 이온의 수에 기초하여, HMDS 가스의 농도를 산출하여 감시할 수 있다.The purpose of providing the ion sensor 346 in the exhaust pipe 343 is to measure the concentration of the HMDS gas by measuring the number of ions in the gas. 7, the hydrophobic treatment apparatus 41 is activated, for example, between time T1 and T2, and the gas supply unit 320 supplies the inside of the processing space A It can be seen that the number of ions (the number of ions per unit volume) measured by the ion sensor 346 increases when exhausting the interior of the processing space A by the exhaust part 340 while supplying the HMDS gas. In other words, as the concentration of HMDS gas increases, the number of ions also increases. Therefore, it was found that there is a correlation between the concentration of HMDS gas and the number of ions. In the present embodiment, the concentration of the HMDS gas can be calculated and monitored based on the number of ions measured by the ion sensor 346. [

<3. 웨이퍼 처리><3. Wafer Processing>

이어서, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 사용하여 행하여지는 웨이퍼 처리에 대해 설명한다.Next, the wafer processing performed using the substrate processing system 1 configured as described above will be described.

먼저, 복수의 웨이퍼 W를 수납한 카세트 C가, 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되어, 카세트 재치판(21)에 재치된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트 C 내의 각 웨이퍼 W가 순차 취출되어, 처리 스테이션(11)의 제3 블록 G3의 수수 장치(53)에 반송된다.First, a cassette C containing a plurality of wafers W is carried into the cassette station 10 of the substrate processing system 1 and placed on the cassette mount plate 21. [ Thereafter, each of the wafers W in the cassette C is sequentially taken out by the wafer transfer device 23 and transferred to the transfer device 53 in the third block G3 of the processing station 11.

이어서, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록 G2의 열처리 장치(40)에 반송되어 온도 조절 처리된다. 그 후, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 예를 들어 제1 블록 G1의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)에 반송되어, 웨이퍼 W 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼 W는, 제2 블록 G2의 열처리 장치(40)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 그 후, 웨이퍼 W는, 제3 블록 G3의 수수 장치(53)로 되돌려진다.Then, the wafer W is transferred to the thermal processing apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and subjected to temperature adjustment processing. Thereafter, the wafer W is transferred to the lower anti-reflection film forming apparatus 31 of the first block G1, for example, by the wafer transfer apparatus 70, and a lower anti-reflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, and the heat treatment is performed. Thereafter, the wafer W is returned to the transfer device 53 of the third block G3.

이어서, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 동일한 제3 블록 G3의 수수 장치(54)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록 G2의 소수화 처리 장치(41)에 반송되어, 소수화 처리가 행해진다. 이 소수화 처리 장치(41)에 있어서의 소수화 처리에 대해서는 후술한다.Subsequently, the wafer W is carried by the wafer transfer device 90 to the transfer device 54 of the same third block G3. Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer device 70 to the hydrophobicization processing device 41 of the second block G2, and hydrophobic processing is performed. The hydrophobic treatment in the hydrophobic treatment apparatus 41 will be described later.

그 후, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 레지스트 도포 장치(32)에 반송되어, 웨이퍼 W 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 프리베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록 G3의 수수 장치(55)에 반송된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating device 32 by the wafer transfer device 70, and a resist film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and is pre-baked. Thereafter, the wafer W is carried by the wafer transfer device 70 to the transfer device 55 of the third block G3.

이어서, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에 반송되어, 웨이퍼 W 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 가열되어, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼 W는, 주변 노광 장치(42)에 반송되어, 주변 노광 처리된다.Subsequently, the wafer W is transferred to the upper anti-reflection film forming apparatus 33 by the wafer transfer apparatus 70, and an upper anti-reflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, heated, and temperature-adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the peripheral exposure apparatus 42 and subjected to peripheral exposure processing.

그 후, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록 G3의 수수 장치(56)에 반송된다.Thereafter, the wafer W is carried by the wafer transfer device 70 to the transfer device 56 of the third block G3.

이어서, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 수수 장치(52)에 반송되고, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제4 블록 G4의 수수 장치(62)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼 W는, 인터페이스 스테이션(13)의 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(12)에 반송되어, 소정의 패턴으로 노광 처리된다.The wafer W is then transferred to the transfer device 52 by the wafer transfer device 90 and transferred to the transfer device 62 of the fourth block G4 by the shuttle transfer device 80. [ Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 12 by the wafer transfer apparatus 100 of the interface station 13, and subjected to exposure processing in a predetermined pattern.

이어서, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 제4 블록 G4의 수수 장치(60)에 반송된다. 그 후 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 처리 장치(30)에 반송되어, 현상된다. 현상 종료 후, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 포스트베이크 처리된다.Subsequently, the wafer W is carried by the wafer transfer device 100 to the transfer device 60 of the fourth block G4. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and post-exposure baked. Thereafter, the wafer W is transferred to the development processing apparatus 30 by the wafer transfer apparatus 70 and is developed. After completion of the development, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 90, and post-baked.

그 후, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록 G3의 수수 장치(50)에 반송되고, 그 후 카세트 스테이션(10)의 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 소정의 카세트 재치판(21)의 카세트 C에 반송된다. 이와 같이 해서, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer device 70 to the transfer device 50 of the third block G3, and thereafter is transferred by the wafer transfer device 23 of the cassette station 10 to a predetermined cassette mounting plate Is conveyed to the cassette C of the main body 21. In this way, a series of photolithography processes is completed.

<4. 소수화 처리><4. Hydrophobic treatment>

이어서, 상술한 소수화 처리 장치(41)에 있어서의 소수화 처리에 대해 설명한다. 소수화 처리에 있어서는, 승강 기구(312)에 의해 덮개(301)를 소정의 위치까지 상승시킨다. 그리고, 처리 용기(300)와 덮개(301)의 사이에서 웨이퍼 W가 반입되어, 재치대(302) 상에 웨이퍼 W가 재치된다.Next, the hydrophobic treatment in the above-described hydrophobic treatment apparatus 41 will be described. In the hydrophobic treatment, the lid 301 is lifted to a predetermined position by the lifting mechanism 312. Then, the wafer W is carried between the processing container 300 and the lid 301, and the wafer W is placed on the mounting table 302.

계속해서, 덮개(301)의 하단부(311a)와 처리 용기(300)의 상단부(300a)의 사이에 소정의 간극 G가 형성되는 위치까지 덮개(301)를 하강시켜, 처리 공간 A를 형성한다.Subsequently, the lid 301 is lowered to a position where a predetermined gap G is formed between the lower end portion 311a of the lid 301 and the upper end portion 300a of the processing vessel 300, thereby forming the processing space A.

이어서, 히터(303)에 의해 웨이퍼 W를 예를 들어 90℃ 내지 150℃로 가열한 후, HMDS 가스 공급원(326)으로부터 가스 공급부(320)의 가스 공급구(321)를 통해 소정의 농도의 HMDS 가스를 처리 공간 A의 내부로 소정의 유량으로 공급한다. 또한, HMDS 가스의 공급과 함께 배기 장치(344)를 기동하고, 배기부(340)의 배기구(341)로부터 소정의 유량으로 HMDS 가스를 배기한다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 중앙 상방으로부터 공급된 HMDS 가스는, 웨이퍼 W의 상방을 웨이퍼 W의 외주연부를 향해 확산하도록 흐른다. 그리고, HMDS 가스에 접촉한 웨이퍼 W의 표면이 소수화된다. 또한, 웨이퍼 W의 외주연부까지 확산한 HMDS 가스는, 웨이퍼 W의 외측에 설치된 배기부(340)의 배기구(341)로부터 배기된다.Subsequently, the wafer W is heated to, for example, 90 DEG C to 150 DEG C by the heater 303, and then the HMDS gas is supplied from the HMDS gas supply source 326 through the gas supply port 321 of the gas supply unit 320 to a predetermined concentration of HMDS Gas is supplied into the processing space A at a predetermined flow rate. Further, the HMDS gas is supplied and the exhaust device 344 is started, and the HMDS gas is exhausted from the exhaust port 341 of the exhaust part 340 at a predetermined flow rate. Thereby, the HMDS gas supplied from above the center of the wafer W flows to diffuse the upper side of the wafer W toward the outer peripheral edge of the wafer W. Then, the surface of the wafer W in contact with the HMDS gas is hydrophobic. The HMDS gas diffused to the outer circumferential edge of the wafer W is exhausted from the exhaust port 341 of the exhaust portion 340 provided outside the wafer W. [

이 소수화 처리 시, 이온 센서(346)로 이온의 수를 측정함으로써, HMDS 가스의 농도를 측정한다. 여기서, 종래, 예를 들어 HMDS 가스를 처리 공간 A의 내부에 공급하는 시간은, 사전에 평가한 최악 조건을 거듭하여, 더욱 마진을 갖게 한 시간이 되고 있다. 이에 반하여, 본 실시 형태에서는, 이온 센서(346)로 HMDS 가스의 농도를 측정하여 감시함으로써, 이 HMDS 가스의 공급 시간을 최소한으로 억제할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.In this hydrophobic treatment, the concentration of the HMDS gas is measured by measuring the number of ions with the ion sensor 346. Here, conventionally, for example, the time for supplying the HMDS gas into the processing space A has been such that the worst condition evaluated in advance is repeated and the margin is further increased. On the other hand, in the present embodiment, the concentration of the HMDS gas is measured and monitored by the ion sensor 346, so that the supply time of the HMDS gas can be minimized. As a result, the throughput of the wafer processing can be improved.

HMDS 가스를 소정의 시간 공급하여 웨이퍼 W 표면의 전체면을 소수화 처리한 후, HMDS 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 질소 가스 공급관(325)으로부터 가스 공급부(320)의 가스 공급구(321)를 통해 질소 가스를 소정의 유량으로 공급하고, 처리 공간 A 내에 잔존하는 HMDS 가스를 퍼지한다. 또한, HMDS 가스의 공급과 함께 배기 장치(344)를 기동하여, 배기부(340)의 배기구(341)로부터 소정의 유량으로 HMDS 가스를 배기한다.The HMDS gas is supplied for a predetermined time to hydrophobize the entire surface of the wafer W, and then the supply of the HMDS gas is stopped. Nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply pipe 325 through the gas supply port 321 of the gas supply unit 320 at a predetermined flow rate and the HMDS gas remaining in the process space A is purged. Further, the HMDS gas is supplied and the exhaust device 344 is activated to exhaust the HMDS gas from the exhaust port 341 of the exhaust part 340 at a predetermined flow rate.

이 퍼지 시, 이온 센서(346)로 이온의 수를 측정함으로써, HMDS 가스의 농도를 측정한다. 여기서, 종래, 예를 들어 퍼지를 행하는 시간은, 사전에 평가한 최악 조건을 거듭하여, 더욱 마진을 갖게 한 시간이 되고 있다. 이에 반하여, 본 실시 형태에서는, 이온 센서(346)로 HMDS 가스의 농도를 측정하여 감시함으로써, 이 퍼지를 행하는 시간을 최소한으로 억제할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼 처리의 스루풋을 더욱 향상시킬 수 있다.In this purge, the concentration of the HMDS gas is measured by measuring the number of ions with the ion sensor 346. Here, conventionally, for example, the time for performing the purging has been such that the worst condition evaluated in advance is repeated and the margin is further increased. On the other hand, in the present embodiment, by measuring the concentration of the HMDS gas by the ion sensor 346 and monitoring it, the time for performing this purging can be minimized. As a result, it is possible to further improve the throughput of the wafer processing.

처리 공간 A의 내부의 퍼지가 완료된 후, 배기 장치(344)를 정지시킨다. 계속해서, 승강 기구(312)에 의해 덮개(301)를 소정의 높이까지 상승시키고, 소수화 처리가 완료된 웨이퍼 W를 처리 용기(300)의 외부로 반출된다. 이와 같이 해서, 소수화 처리 장치(41)에 있어서의 소수화 처리가 종료된다.After the purge of the interior of the processing space A is completed, the exhaust device 344 is stopped. Subsequently, the lid 301 is raised to a predetermined height by the lifting mechanism 312, and the wafer W on which the hydrophobic treatment has been completed is carried out of the processing vessel 300. In this way, the hydrophobic treatment in the hydrophobic treatment device 41 is completed.

이상의 실시 형태에 따르면, 이온 센서(346)와 같이 저렴하고 소형의 것을 사용하여, HMDS 가스의 농도를 측정하여 감시할 수 있다. 그 결과, 적절한 농도의 HMDS 가스를 사용하여 소수화 처리를 적절하게 행할 수 있고, 로트 불량을 억제하여, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment described above, the concentration of the HMDS gas can be measured and monitored using an inexpensive and compact one like the ion sensor 346. As a result, it is possible to appropriately perform the hydrophobic treatment by using the HMDS gas at an appropriate concentration, to suppress the lot defect, and to improve the yield of the product.

또한, 상술한 바와 같이 소수화 처리에 있어서의 HMDS 가스의 공급 시간을 최소한으로 억제할 수 있고, 또한 질소 가스에 의한 퍼지 시간을 최소한으로 억제할 수 있으므로, 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.Further, as described above, the supply time of the HMDS gas in the hydrophobic treatment can be minimized, and the purging time by the nitrogen gas can be minimized, thereby improving the throughput of the wafer processing.

또한, 종래, HMDS 가스 공급원(326)과 질소 가스 공급원(328)을 접속하는 질소 가스 공급관(334)에 매스 플로우미터(도시하지 않음)를 설치하고, 이 매스 플로우미터로 질소 가스의 유량을 측정함으로써, HMDS의 농도를 추정하고 있었다. 그러나, 이 매스 플로우미터로는, 예를 들어 처리 용기(300)로부터 HMDS 가스가 누설되어 HMDS 가스의 농도가 변화한 경우나, 가스 공급관(323)으로부터 HMDS 가스가 누설되어 HMDS 가스의 농도가 변화한 경우 등을 검지할 수 없다. 본 실시 형태에서는, 이러한 HMDS 가스의 농도 변화도 검지할 수 있다.Further, a mass flow meter (not shown) is conventionally provided in a nitrogen gas supply pipe 334 connecting the HMDS gas supply source 326 and the nitrogen gas supply source 328, and the flow rate of the nitrogen gas is measured by this mass flow meter , The concentration of HMDS was estimated. However, in this mass flow meter, for example, when the HMDS gas is leaked from the processing vessel 300 and the concentration of the HMDS gas changes, or when the HMDS gas leaks from the gas supply pipe 323 to change the concentration of the HMDS gas And the like can not be detected. In the present embodiment, the concentration change of the HMDS gas can also be detected.

<5. 다른 실시 형태><5. Other Embodiments>

이어서, 본 발명의 다른 실시 형태에 대해 설명한다.Next, another embodiment of the present invention will be described.

<5-1. 다른 실시 형태의 소수화 처리 장치><5-1. The hydrophobic processing apparatus of another embodiment>

이상의 실시 형태에 있어서, 이온 센서(346)는 배기부(340)의 배기관(343)에 설치되어 있었지만, 이온 센서(346)가 설치되는 장소는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어 도 8 및 도 9에 나타낸 바와 같이, 이온 센서(346)는 배기부(340)의 배기관(343)에 있어서, 배기 장치(344)의 하류측에 설치되어 있어도 된다. 또한, 이온 센서(346)는 가스 공급부(320)의 가스 공급관(323)에 설치되어 있어도 되며, HMDS 가스 공급관(324)에 설치되어 있어도 된다. 또한, 도시는 하지 않았지만, 이온 센서(346)는 처리 용기(300)의 내부에 설치되어 있어도 된다.In the above embodiment, the ion sensor 346 is provided in the exhaust pipe 343 of the exhaust unit 340, but the place where the ion sensor 346 is installed is not limited to this. 8 and 9, the ion sensor 346 may be provided on the exhaust pipe 343 of the exhaust unit 340 and on the downstream side of the exhaust unit 344. [ The ion sensor 346 may be installed in the gas supply pipe 323 of the gas supply unit 320 or may be installed in the HMDS gas supply pipe 324. Although not shown, the ion sensor 346 may be provided inside the processing vessel 300.

어느 경우든, 상기 실시 형태와 마찬가지의 효과를 향수할 수 있고, 즉 이온 센서(346)를 사용하여 HMDS 가스의 농도를 감시함으로써, 소수화 처리를 적절하게 행하여, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시키는 것도 가능해진다.In any case, the same effects as those of the above embodiment can be enjoyed, that is, by monitoring the concentration of the HMDS gas using the ion sensor 346, the hydrophobization treatment can be suitably performed to improve the yield of the product. It is also possible to improve the throughput of the wafer processing.

또한, 이온 센서(346)를 가스 공급부(320)에 설치한 경우, 처리 전의 HMDS 가스를 이온 센서(346)에 통과시키게 되어, 해당 HMDS 가스가 오염될 우려가 있다. 그렇게 하면, 소수화 처리가 적절하게 행해지지 않는 경우가 있다. 그래서, 이와 같이 소수화 처리에 대한 영향을 회피하기 위하여, 이온 센서(346)는 배기부(340)에 설치되는 것이 보다 바람직하다.When the ion sensor 346 is installed in the gas supply unit 320, the HMDS gas before treatment is passed through the ion sensor 346, and the HMDS gas may be contaminated. In this case, the hydrophobic treatment may not be appropriately performed. Therefore, in order to avoid the influence on the hydrophobic treatment as described above, it is more preferable that the ion sensor 346 is installed in the exhaust part 340.

<5-2. 다른 실시 형태의 이온 센서><5-2. Ion sensor of another embodiment>

이상의 실시 형태에서는, 이온 센서(346)는 반발 전극(351)과 집전 전극(352)을 갖고 있었지만, 이온 센서(346)의 구성은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어 도 10에 나타낸 바와 같이, 반발 전극(351)을 생략해도 된다. HMDS 가스는 인화성이 있기 때문에, 이온 센서(346)에는 방폭 대책이 실시되어 있는 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 반발 전극(351)을 생략함으로써, 전압의 인가를 피할 수 있으므로, 이온 센서(346)를 방폭 사양으로 할 수 있다.In the above embodiment, the ion sensor 346 has the repulsion electrode 351 and the current collector electrode 352, but the configuration of the ion sensor 346 is not limited thereto. For example, as shown in Fig. 10, the repulsion electrode 351 may be omitted. Since the HMDS gas has flammability, the ion sensor 346 is preferably provided with measures against explosion. In this embodiment, since the application of the voltage can be avoided by omitting the rebounding electrode 351, the ion sensor 346 can be made explosion proof.

또한, 도 11에 나타낸 바와 같이 가스 유통로(350)는 직선상으로 연신하는 직선부(353)와, 직선부(353)에 접속되는 굴곡부(354)를 갖고, 이 굴곡부(354)에 집전 전극(352)을 설치해도 된다. 이러한 경우, 직선부(353)를 직선상으로 유통하는 이온은, 굴곡부(354)의 집전 전극(352)에 충돌하여 확실하게 포집된다. 그래서, 이온 센서(346)를 방폭 사양으로 하면서, 집전 전극(352)에서의 이온의 포집을 효율적으로 행할 수 있다.11, the gas passage 350 has a linear portion 353 that extends in a straight line and a bending portion 354 that is connected to the straight portion 353. The bending portion 354 is provided with a current collecting electrode (352) may be provided. In this case, the ions that flow straightly through the rectilinear section 353 collide with the current collecting electrode 352 of the bent section 354 and are reliably trapped. Therefore, while the ion sensor 346 is of explosion-proof specifications, the collection of ions in the current collector electrode 352 can be efficiently performed.

또한, 도 12에 나타내는 바와 같이 집전 전극(352)은, 가스 유통로(350)의 내측면을 덮도록 설치되어 있어도 된다. 이러한 경우에도, 이온은 집전 전극(352)에 충돌하여 확실하게 포집된다. 그래서, 이온 센서(346)를 방폭 사양으로 하면서, 집전 전극(352)에서의 이온의 포집을 효율적으로 행할 수 있다.As shown in Fig. 12, the current collector electrode 352 may be provided so as to cover the inner side surface of the gas flow path 350. Even in this case, the ions collide with the current collector electrode 352 and are reliably trapped. Therefore, while the ion sensor 346 is of explosion-proof specifications, the collection of ions in the current collector electrode 352 can be efficiently performed.

<5-3. 다른 실시 형태의 측정용 웨이퍼><5-3. Measurement wafers of other embodiments>

이상의 실시 형태에서는, 이온 센서(346)는 소수화 처리 장치(41)에 설치되어 있었지만, 도 13에 나타내는 바와 같이 측정용 기판으로서의 측정용 웨이퍼 T에 설치되어 있어도 된다. 측정용 웨이퍼 T는, 웨이퍼 W와 동일 형상을 갖고 있다.In the above embodiment, the ion sensor 346 is provided in the hydrophobic treatment apparatus 41, but may be provided on the measurement wafer T as a measurement substrate as shown in Fig. The measurement wafer T has the same shape as the wafer W.

측정용 웨이퍼 T 상에는, 복수의 이온 센서(346), 접속 기판(400) 및 각 이온 센서(346)와 접속 기판(400)을 접속하는 배선(401)이 설치되어 있다. 접속 기판(400)에는, 프린트 배선 기판(402)을 통해 아날로그 기판(403)이 접속되어 있다. 아날로그 기판(403)은 또한 로거(도시하지 않음)나 제어 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 그리고, 이온 센서(346)에 의해 측정된 데이터는, 이들 로거나 제어 장치에 출력된다.On the measurement wafer T, a plurality of ion sensors 346, a connection substrate 400, and wirings 401 connecting the respective ion sensors 346 and the connection substrate 400 are provided. An analog substrate 403 is connected to the connecting board 400 through a printed wiring board 402. [ The analog substrate 403 is also connected to a logger (not shown) or a control device (not shown). The data measured by the ion sensor 346 is output to these loggers and control devices.

여기서, 종래, 웨이퍼 W 상에 소수화 처리가 적절하게 행해지고 있는지 여부의 검사는, 예를 들어 접촉각계를 사용하여 행해지고 있었다. 그러나, 이 접촉각계는 고가이다. 또한, 접촉각계는 소수화 처리 장치(41)의 외부에 설치되기 때문에, 소수화 처리된 웨이퍼 W를 해당 접촉각계에 반송한 뒤에서 검사할 필요가 있기 때문에, 검사가 매우 번거롭다.Here, conventionally, the inspection of whether or not the hydrophobic treatment is appropriately performed on the wafer W is performed using, for example, a contact angle meter. However, this contact angle is expensive. In addition, since the contact angle meter is provided outside the hydrophobic treatment apparatus 41, it is necessary to carry out the inspection after the hydrophobicized wafer W is returned to the contact angle meter, so that the inspection is very troublesome.

이 점, 본 실시 형태에서는, 측정용 웨이퍼 T를 소수화 처리 장치(41)의 내부에 반송하여 소수화 처리를 행하고, 복수의 이온 센서(346)를 사용하여, 측정용 웨이퍼 T 상의 HMDS의 농도를 측정할 수 있다. 그래서, 종래의 접촉각계를 사용한 검사를 생략하고, 저렴하게 게다가 간이적으로 소수화 처리가 적절하게 행해지고 있는지 여부의 검사를 행할 수 있다.In this respect, in the present embodiment, the measurement wafer T is transported into the hydrophobic treatment apparatus 41 to carry out hydrophobic treatment, and the concentration of the HMDS on the measurement wafer T is measured using a plurality of ion sensors 346 can do. Therefore, it is possible to omit the inspection using the conventional contact angle meter, and to check whether the hydrophobicization process is performed inexpensively and appropriately.

이상의 실시 형태에서는, 이온 센서(346)에 의해 측정된 데이터는 유선에서 출력되고 있었지만, 무선으로 출력되어도 된다. 도 14에 나타낸 바와 같이, 측정용 웨이퍼 T 상에는, 복수의 이온 센서(346), 계측 회로(410) 및 각 이온 센서(346)와 계측 회로(410)를 접속하는 배선(411)이 설치되어 있다. 계측 회로(410)는 예를 들어 아날로그 회로, 메모리, 전원, 무선 통신 회로 등을 구비하고 있다. 그리고, 계측 회로(410)로 계측된 데이터는, 예를 들어 무선에 의해 계측 회로(410)로부터 외부의 제어 장치(412)로 출력된다.In the embodiment described above, the data measured by the ion sensor 346 is output from the wire, but may also be outputted wirelessly. 14, a plurality of ion sensors 346, a measuring circuit 410, and wirings 411 for connecting the respective ion sensors 346 and the measuring circuit 410 are provided on the measuring wafer T . The measurement circuit 410 includes, for example, an analog circuit, a memory, a power supply, and a wireless communication circuit. The data measured by the measurement circuit 410 is output from the measurement circuit 410 to the external control device 412 by radio, for example.

이러한 경우에도, 상기 실시 형태와 마찬가지의 효과를 향수할 수 있고, 즉 저렴하게 게다가 간이적으로 소수화 처리가 적절하게 행해지고 있는지 여부의 검사를 행할 수 있다.Even in such a case, it is possible to enjoy the same effects as those of the above embodiment, that is, to check whether or not the hydrophobic treatment is performed appropriately inexpensively and simply.

이상의 실시 형태의 측정용 웨이퍼 T 상에는, 이온 센서(346) 이외에도, 도 15에 도시된 바와 같이 측정용 웨이퍼 T 상의 가스의 풍속을 측정하는 풍속 센서(420)가 설치되어 있어도 된다. 이러한 경우, 예를 들어 측정용 웨이퍼 T에 있어서, 하나의 반면에 복수의 이온 센서(346)가 설치되고, 다른 반면에 복수의 풍속 센서(420)가 설치된다. 풍속 센서(420)에는, 배선(421)을 통해 접속 기판(422)이 접속되어 있다. 접속 기판(422)에는, 프린트 배선 기판(423)을 통해 아날로그 기판(424)이 접속되어 있다. 아날로그 기판(424)은, 로거(도시하지 않음)나 제어 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 그리고, 풍속 센서(420)에 의해 측정된 데이터는, 이들 로거나 제어 장치에 출력된다.In addition to the ion sensor 346, an air speed sensor 420 for measuring the air velocity of the gas on the measuring wafer T may be provided on the measuring wafer T in the above embodiment as shown in Fig. In this case, for example, in the measurement wafer T, a plurality of ion sensors 346 are provided on one side, and a plurality of air velocity sensors 420 are provided on the other side. The connecting board 422 is connected to the wind speed sensor 420 via the wiring 421. [ An analog substrate 424 is connected to the connection board 422 through a printed wiring board 423. [ The analog substrate 424 is connected to a logger (not shown) or a control device (not shown). The data measured by the wind speed sensor 420 are output to these loggers and control devices.

또한, 도 14에 나타낸 바와 같이 이온 센서(346)에 의해 측정된 데이터는 무선으로 출력되어도 되고, 마찬가지로 풍속 센서(420)에 의해 측정된 데이터도 무선으로 출력되어도 된다.14, data measured by the ion sensor 346 may be output wirelessly, and data measured by the air speed sensor 420 may also be output wirelessly.

이러한 경우, 예를 들어 측정용 웨이퍼 T를 반전시켜 2회 계측함으로써, 이온 센서(346)에 의해 측정용 웨이퍼 T의 전체면의 HDMS 가스의 농도를 측정할 수 있고, 또한 풍속 센서(420)에 의해 측정용 웨이퍼 T의 전체면의 가스 풍속을 측정할 수 있다. 그리고, 이와 같이 HDMS 가스의 농도와 가스의 풍속 양쪽을 측정함으로써, 소수화 처리가 적절하게 행해지고 있는지 여부의 검사를 더욱 정밀하게 행할 수 있다.In this case, the concentration of the HDMS gas on the entire surface of the measurement wafer T can be measured by the ion sensor 346, for example, by measuring the measurement wafer T two times by reversing the measurement wafer T, The gas velocity on the entire surface of the measuring wafer T can be measured. By measuring both the concentration of the HDMS gas and the velocity of the gas in this way, it is possible to more accurately check whether or not the hydrophobic treatment is properly carried out.

또한, 측정용 웨이퍼 T 상에는, 또한 측정용 웨이퍼 T의 온도를 측정하는 온도 센서(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다. 즉, 측정용 웨이퍼 T 상에는, 이온 센서(346) 외에도, 풍속 센서(420) 대신 온도 센서가 설치되어 있어도 되며, 풍속 센서(420)와 온도 센서의 양쪽이 설치되어 있어도 된다. 이러한 경우, 측정용 웨이퍼 T의 온도도 측정함으로써, 소수화 처리가 적절하게 행해지고 있는지 여부의 검사를 더욱 정밀하게 행할 수 있다.A temperature sensor (not shown) for measuring the temperature of the measuring wafer T may also be provided on the measuring wafer T. That is, in place of the ion sensor 346, a temperature sensor may be provided instead of the wind speed sensor 420 on the measurement wafer T, and both the wind speed sensor 420 and the temperature sensor may be provided. In this case, by also measuring the temperature of the wafer for measurement T, it is possible to more accurately check whether or not the hydrophobic treatment is appropriately performed.

이상의 실시 형태에서는, 처리 가스로서 HMDS의 농도를 측정하는 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 처리 가스가 이온을 포함하고 있으면, 다른 처리 가스의 농도를 측정하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 해당 다른 처리 가스를 사용하여, 소수화 처리 이외의 다른 처리를 적절하게 행하는 것이 가능해진다.In the above embodiment, the case of measuring the HMDS concentration as the process gas has been described. However, the present invention can be applied to the case where the concentration of the other process gas is measured as long as the process gas contains ions. In addition, other treatments other than the hydrophobic treatment can be suitably performed using the other process gas.

이상, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 이해된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to these examples. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims and that they are also within the technical scope of the present invention.

1: 기판 처리 시스템
41: 소수화 처리 장치
200: 제어부
300: 처리 용기
301: 덮개
320: 가스 공급부
340: 배기부
346: 이온 센서
350: 가스 유통로
351: 반발 전극
352: 집전 전극
353: 직선부
354: 굴곡부
420: 풍속 센서
A: 처리 공간
W: 웨이퍼
T: 측정용 웨이퍼1: substrate processing system
41: Hydrophobic treatment device
200:
300: Processing vessel
301: Cover
320: gas supply unit
340:
346: Ion sensor
350: Gas distribution channel
351: rebound electrode
352: collector electrode
353:
354: Bend
420: wind speed sensor
A: Processing space
W: Wafer
T: Wafer for measurement

Claims (8)

이온을 포함하는 처리 가스를 사용하여 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며,
피처리 기판을 수용하는 처리 용기와,
상기 처리 용기의 내부에 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 처리 용기의 내부를 배기하는 배기부와,
적어도 상기 처리 용기의 내부, 상기 가스 공급부의 내부 또는 상기 배기부의 내부의 가스에 포함되는 상기 이온의 수를 측정하는 이온 센서를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed by using a process gas containing ions,
A processing container for accommodating a substrate to be processed;
A gas supply unit for supplying a process gas into the processing vessel,
An exhaust part for exhausting the interior of the processing container,
And an ion sensor for measuring the number of ions included in at least the gas inside the processing vessel, the gas supply section, or the inside of the exhaust section. 제1항에 있어서, 상기 이온 센서는 상기 배기부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the ion sensor is provided in the exhaust part. 제1항에 있어서, 상기 이온 센서는, 상기 피처리 기판과 동형의 측정용 기판에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the ion sensor is provided on a substrate for measurement which is the same as the substrate to be processed. 제3항에 있어서, 상기 측정용 기판에는, 적어도 풍속 센서 또는 온도 센서가 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein at least the wind speed sensor or the temperature sensor is further provided on the measurement substrate. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이온 센서의 내부에는, 가스가 유통하는 가스 유통로가 형성되고,
상기 가스 유통로의 내부에는, 이온을 포집하기 위한 집전 전극이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The ion sensor according to any one of claims 1 to 4, wherein a gas flow path through which gas flows is formed in the ion sensor,
Wherein a current collecting electrode for collecting ions is provided in the gas passage. 제5항에 있어서,
상기 가스 유통로는 직선상으로 연신하는 직선부와 상기 직선부에 접속되는 굴곡부를 갖고,
상기 집전 전극은 굴곡부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the gas flow path has a straight portion extending in a straight line and a bent portion connected to the straight portion,
Wherein the current collecting electrode is provided at a bent portion. 제5항에 있어서, 상기 집전 전극은 상기 가스 유통로의 내측면을 덮도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the current collecting electrode is provided so as to cover an inner surface of the gas flow passage. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 가스는 HMDS 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the process gas is an HMDS gas.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210035572A (en) * 2019-09-24 2021-04-01 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR20220035766A (en) * 2020-09-14 2022-03-22 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7050139B2 (en) * 2020-12-14 2022-04-07 東京エレクトロン株式会社 Board processing equipment and measurement board

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142311A (en) 1993-06-30 1995-06-02 Sony Corp Device and apparatus for processing substrate using silane coupling agent
JP2014227593A (en) * 2013-05-27 2014-12-08 株式会社デンソー Surface treatment apparatus and surface treatment method

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61140851A (en) * 1984-12-14 1986-06-27 Jeol Ltd Analyzing instrument
JPH068796B2 (en) * 1985-02-01 1994-02-02 株式会社東芝 Ion concentration measurement method
JP2906006B2 (en) * 1992-10-15 1999-06-14 東京エレクトロン株式会社 Processing method and apparatus
JP3202954B2 (en) * 1997-10-14 2001-08-27 東京エレクトロン株式会社 Processing liquid supply device
JP3070671B2 (en) * 1997-10-24 2000-07-31 日本電気株式会社 Wafer storage method and wafer storage device
JP2000003903A (en) * 1998-06-16 2000-01-07 Sony Corp Plasma treatment apparatus
JP3469803B2 (en) * 1999-02-19 2003-11-25 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus operating method and coating and developing apparatus
JP2001313252A (en) * 2000-02-22 2001-11-09 Tokyo Electron Ltd Treating apparatus
JP2001291655A (en) * 2000-04-07 2001-10-19 Tokyo Electron Ltd Method for evaluating hydrophobic treatment, method for forming resist pattern, and formation system for the resist pattern
US6889568B2 (en) * 2002-01-24 2005-05-10 Sensarray Corporation Process condition sensing wafer and data analysis system
WO2006107044A1 (en) * 2005-04-04 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma processing method and system
JP4726070B2 (en) * 2006-05-23 2011-07-20 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, apparatus inspection method, apparatus inspection program, and recording medium recording the program
JP4985183B2 (en) * 2007-07-26 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP2009054915A (en) * 2007-08-29 2009-03-12 Seiko Epson Corp Evaluation method of hydrophobic property, hmds processing substrate, evaluation system of hydrophobic property, semiconductor device, and electronic apparatus
JP5522144B2 (en) * 2011-10-25 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 Heating device, heating method and storage medium
JP2013197449A (en) * 2012-03-22 2013-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing method and substrate processing device
JP2015032779A (en) * 2013-08-06 2015-02-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ Plasma processing apparatus
KR101603786B1 (en) * 2014-04-29 2016-03-17 주식회사 모원 Concentration detecting apparatus and concentration detecting method using the same
JP6404049B2 (en) * 2014-09-18 2018-10-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ Flow path integrated sensor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142311A (en) 1993-06-30 1995-06-02 Sony Corp Device and apparatus for processing substrate using silane coupling agent
JP2014227593A (en) * 2013-05-27 2014-12-08 株式会社デンソー Surface treatment apparatus and surface treatment method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210035572A (en) * 2019-09-24 2021-04-01 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR20220035766A (en) * 2020-09-14 2022-03-22 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate

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