KR102522960B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에 위치하며, 기판이 놓이는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛의 상부에서 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛; 상기 기판 지지 유닛의 측면 및 상기 기판 지지 유닛의 저면을 둘러싸도록 제공되고, 공정이 진행되는 동안 상기 기판에서 비산되는 액을 모으는 처리 용기; 및 상기 처리 용기 내의 액이 일정 수위 이상인지 여부를 감지하는 액 감지 센서를 가지는 수위 감지 유닛;을 포함하되, 상기 처리 용기의 바닥면에는 상기 처리 용기 내의 액을 배출하는 배출 라인이 연결된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing having a processing space; a substrate support unit located in the processing space and including a spin head on which a substrate is placed; a liquid supply unit supplying a processing liquid to the substrate from an upper portion of the substrate support unit; a processing container provided to surround a side surface of the substrate support unit and a bottom surface of the substrate support unit, and to collect liquid scattered from the substrate during a process; and a water level detection unit having a liquid sensor for detecting whether the liquid in the processing container is above a predetermined level, wherein a discharge line for discharging the liquid in the processing container is connected to a bottom surface of the processing container.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing device {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 액 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for liquid processing a substrate.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 HMDS(Hexamethyl disilazane) 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다.Among semiconductor manufacturing processes, a photo-lithography process is a process of forming a desired pattern on a wafer. The photo process is usually performed in a spinner local facility that is connected to an exposure facility to continuously process a coating process, an exposure process, and a developing process. This spinner facility sequentially or selectively performs a hexamethyl disilazane (HMDS) process, a coating process, a baking process, and a developing process.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치(10)를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고하면 현상 공정을 수행하는 장치 등의 액을 기판에 공급하여 처리하는 기판 처리 장치(10)의 경우, 기판(2)에 공급된 처리액 등을 포함하는 액은 처리 용기(3)에 의해 모여 배출 라인(4)으로 배출된다. 배출 라인(4)이 이물질 등에 의해 막히는 경우, 액이 배출되지 못해, 처리 용기(3) 내에 잔류하는 액의 수위는 점점 높아져 상단이 배출 라인(4)의 상단에 비해 높은 곳에 위치하고, 처리 용기(3) 내의 기체가 배기되는 배기 라인(5)을 통해 처리 용기(3)의 외부로 유출될 수 있는 문제점이 있다.1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus 10 . Referring to FIG. 1 , in the case of a substrate processing apparatus 10 supplying and treating a liquid such as a device performing a developing process to a substrate, the liquid including the processing liquid supplied to the substrate 2 is disposed in a processing container 3 It is collected by and discharged to the discharge line (4). When the discharge line 4 is blocked by foreign substances, etc., the liquid cannot be discharged, and the level of the liquid remaining in the processing vessel 3 gradually rises so that the upper end is located higher than the upper end of the discharge line 4, and the processing vessel ( 3) There is a problem in that the gas in the process vessel 3 may flow out through the exhaust line 5 through which the gas is exhausted.

본 발명은 처리 용기 내의 액이 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing liquid in a processing container from leaking out.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에 위치하며, 기판이 놓이는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛의 상부에서 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛; 상기 기판 지지 유닛의 측면 및 상기 기판 지지 유닛의 저면을 둘러싸도록 제공되고, 공정이 진행되는 동안 상기 기판에서 비산되는 액을 모으는 처리 용기; 및 상기 처리 용기 내의 액이 일정 수위 이상인지 여부를 감지하는 액 감지 센서를 가지는 수위 감지 유닛;을 포함하되, 상기 처리 용기의 바닥면에는 상기 처리 용기 내의 액을 배출하는 배출 라인이 연결된다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes a housing having a processing space; a substrate support unit located in the processing space and including a spin head on which a substrate is placed; a liquid supply unit supplying a processing liquid to the substrate from an upper portion of the substrate support unit; a processing container provided to surround a side surface of the substrate support unit and a bottom surface of the substrate support unit, and to collect liquid scattered from the substrate during a process; and a water level detection unit having a liquid sensor for detecting whether the liquid in the processing container is above a predetermined level, wherein a discharge line for discharging the liquid in the processing container is connected to a bottom surface of the processing container.

상기 처리 용기는, 상기 처리 용기의 공간을 외측 공간 및 내측 공간으로 구분하는 수직 격벽; 및 상기 내측 공간의 상부를 덮는 내측 커버;를 포함하되, 상기 수직 격벽은 상기 내측 커버의 외측 원주로부터 아래 방향으로 상기 바닥면으로부터 이격된 위치까지 연장된 링 형상으로 제공되며, 상기 액 감지 센서는 상기 내측 공간에 위치된다.The processing container may include: a vertical partition wall dividing the space of the processing container into an outer space and an inner space; and an inner cover covering an upper portion of the inner space, wherein the vertical partition wall is provided in a ring shape extending downward from an outer circumference of the inner cover to a position spaced apart from the bottom surface, and the liquid detection sensor It is located in the inner space.

상기 처리 용기의 바닥면에는 위 방향을 향해 돌출되고, 상기 처리 용기 내의 기체를 배기하는 배기 라인이 형성되고, 상기 배기 라인은 상기 바닥면의 상기 내측 공간에 대향되는 위치에 제공되고, 상기 액 감지 센서는 상기 배기 라인의 외측면에 설치된다.An exhaust line that protrudes upward from the bottom surface of the processing vessel and exhausts gas in the processing vessel is formed, the exhaust line is provided at a position opposite to the inner space of the bottom surface, and detects the liquid. A sensor is installed on the outer surface of the exhaust line.

상기 배기 라인의 상단은 상기 수직 격벽의 하단보다 높게 제공되며, 상기 액 감지 센서는 상기 배기 라인의 상단 및 상기 수직 격벽의 하단의 사이에 위치된다.An upper end of the exhaust line is provided higher than a lower end of the vertical partition wall, and the liquid detection sensor is positioned between the upper end of the exhaust line and the lower end of the vertical partition wall.

상기 처리 용기의 바닥면에는 위 방향을 향해 돌출되고, 상기 처리 용기 내의 기체를 배기하는 배기 라인이 형성되고, 상기 액 감지 센서는 상기 배기 라인의 외측면에 설치된다.An exhaust line protruding upward from the bottom surface of the processing vessel and exhausting gas in the processing vessel is formed, and the liquid detection sensor is installed on an outer surface of the exhaust line.

상기 배기 라인의 상단은 상기 배출 라인의 상단보다 높은 위치에 위치되고, 상기 액 감지 센서는 상기 배출 라인의 상단보다 높은 위치에 제공된다.An upper end of the exhaust line is located at a higher position than an upper end of the discharge line, and the liquid detection sensor is provided at a position higher than the upper end of the discharge line.

상기 액 감지 센서는 상기 배기 라인의 측면을 둘러싸도록 제공된 와이어 형상의 누액 센서로 제공된다.The liquid detection sensor is provided as a wire-shaped liquid leakage sensor provided to surround a side surface of the exhaust line.

상기 수위 감지 유닛은 상기 액 감지 센서로부터 감지한 결과에 따라 알람을 발생시키는 알람 부재를 더 포함할 수 있다.The water level detection unit may further include an alarm member generating an alarm according to a result detected by the liquid detection sensor.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 기판 처리 장치는 처리 용기 내의 액이 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus of the present invention can prevent the liquid in the processing vessel from leaking out.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 현상 챔버를 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 2의 현상 챔버를 나타낸 측면도이다.
도 7은 도 6의 현상 챔버에 설치된 수위 감지 유닛을 간략하게 나타낸 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a view of the substrate processing apparatus viewed from above.
FIG. 3 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 viewed from an AA direction.
FIG. 4 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 viewed from the BB direction.
FIG. 5 is a plan view illustrating the developing chamber of FIG. 2 .
FIG. 6 is a side view illustrating the developing chamber of FIG. 2 .
FIG. 7 is a perspective view schematically illustrating a water level sensing unit installed in the developing chamber of FIG. 6 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the figures are exaggerated to emphasize clearer description.

본 실시예의 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The substrate processing apparatus of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment is used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Below, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2는 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.2 to 4 are views schematically showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus 1 viewed from above, FIG. 3 is a view of the substrate processing apparatus 1 of FIG. 2 viewed from the A-A direction, and FIG. 4 is a view of the substrate processing apparatus 1 of FIG. 2 viewed from B-B This is a view from the direction.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.2 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a buffer module 300, a coating and developing module 400, and an interface module 700. . The load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the coating and developing module 400, and the interface module 700 are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다. Hereinafter, the direction in which the load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the coating and developing module 400, and the interface module 700 are disposed is referred to as a first direction 12. When viewed from above, a direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14, and a direction perpendicular to the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. It is called

웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The wafer W is moved while being accommodated in the cassette 20 . Cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, a front open unified pod (FOUP) having a front door may be used as the cassette 20 .

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 will be described.

로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다. The load port 100 has a mounting table 120 on which a cassette 20 containing wafers W is placed. A plurality of mounting tables 120 are provided, and the mounting tables 120 are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 2 , four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the wafer W between the buffer module 300 and the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 . The index module 200 includes a frame 210 , an index robot 220 , and a guide rail 230 . The frame 210 is generally provided in the shape of a hollow rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the buffer module 300 . The frame 210 of the index module 200 may be provided at a height lower than that of the frame 310 of the buffer module 300 described below. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210 . The index robot 220 is 4-axis driven so that the hand 221 that directly handles the wafer W can move and rotate in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. This is a possible structure. The index robot 220 includes a hand 221, an arm 222, a support 223, and a stand 224. The hand 221 is fixedly installed to the arm 222 . The arm 222 is provided with a structure that can be stretched and rotated. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 so as to be movable along the support 223 . The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224 . The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14 . The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230 . Also, although not shown, a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 is further provided on the frame 210 .

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The buffer module 300 includes a frame 310 , a first buffer 320 , a second buffer 330 , a cooling chamber 350 , and a buffer robot 360 . The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty inside, and is disposed between the index module 200 and the coating and developing module 400 . The first buffer 320 , the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the buffer robot 360 are positioned within the frame 310 . The cooling chamber 350 , the second buffer 330 , and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are the coating and developing module ( It is provided at a height corresponding to that of the developing module 402 of 400). The buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. Each of the first buffer 320 and the second buffer 330 stores a plurality of wafers W temporarily. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332 . The supports 332 are disposed within the housing 331 and are spaced apart from each other along the third direction 16 . One wafer W is placed on each support 332 . The housing 331 determines the direction in which the index robot 220 is provided and the buffer robot ( 360) has an opening (not shown) in the direction provided. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330 . However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the buffer robot 360 is provided and in the direction in which the application robot 432 located in the application module 401 is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320 .

버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The buffer robot 360 transfers the wafer W between the first buffer 320 and the second buffer 330 . The buffer robot 360 includes a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixedly installed to the arm 362 . The arm 362 is provided in a stretchable structure so that the hand 361 can move along the second direction 14 . The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363 . The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer in an upper or lower direction than this. The buffer robot 360 may be provided such that the hand 361 is only driven in two axes along the second direction 14 and the third direction 16 .

냉각 챔버(350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다.The cooling chamber 350 cools each wafer (W). The cooling chamber 350 includes a housing 351 and a cooling plate 352 . The cooling plate 352 has an upper surface on which the wafer W is placed and a cooling means 353 for cooling the wafer W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. In addition, a lift pin assembly for positioning the wafer W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350 . The housing 351 is a direction provided with the index robot 220 and a developing section so that the developing robot provided in the index robot 220 and the developing module 402 can carry in or take out the wafer W from the cooling plate 352 . The robot has an opening in a given direction. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with doors that open and close the aforementioned opening.

도포 모듈(401)은 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as photoresist to the wafer W and a heat treatment process such as heating and cooling the wafer W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410 , a bake chamber 420 , and a transfer chamber 430 . The resist coating chamber 410 , the bake chamber 420 , and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14 . A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of each are provided in the first direction 12 and the third direction 16 respectively. A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned parallel to the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430 . The transfer chamber 430 has a substantially rectangular shape. The coating unit robot 432 transfers the wafer W between the bake chambers 420 , the resist coating chambers 410 , and the first buffer 320 of the first buffer module 300 . The guide rail 433 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to linearly move in the first direction 12 . The applicator robot 432 has a hand 434 , an arm 435 , a support 436 , and a pedestal 437 . The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in an elastic structure so that the hand 434 can move in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436 . The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 , and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433 .

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 기판 지지 유닛(412), 그리고 액 공급 유닛(413)을 가진다. 또한, 레지스트 도포 챔버(410)는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)을 더 포함할 수 있다.The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresists used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies photoresist on the wafer (W). The resist coating chamber 410 includes a housing 411 , a substrate support unit 412 , and a liquid supply unit 413 . In addition, the resist coating chamber 410 may further include a nozzle 414 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the wafer W on which the photoresist is applied.

하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 하우징(411)은 그 내부에 처리 공간을 가진다. The housing 411 has a cup shape with an open top. The housing 411 has a processing space therein.

기판 지지 유닛(412)은 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 기판 지지 유닛(412)은 회전 가능하게 제공된다. The substrate support unit 412 is positioned within the housing 411 and supports the wafer W. The substrate support unit 412 is provided rotatably.

액 공급 유닛(413)은 기판 지지 유닛의 상부에서 기판 지지 유닛(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 처리액을 공급한다. 예를 들면, 처리액은 극성 물질을 포함하는 포토 레지스트로 제공된다. 극성 물질은 솔벤트(Solvent)로 제공될 수 있다. The liquid supply unit 413 supplies a processing liquid onto the wafer W placed on the substrate support unit 412 from above the substrate support unit. For example, the treatment liquid is provided as a photoresist containing a polar material. Polar materials may be provided as solvents.

베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. 선택적으로 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다.The bake chamber 420 heat-treats the wafer W. For example, the bake chambers 420 perform a pre-bake process of heating the wafer (W) to a predetermined temperature to remove organic substances or moisture from the surface of the wafer (W) before applying the photoresist or applying the photoresist to the wafer (W). W), a soft bake process or the like is performed after coating, and a cooling process or the like of cooling the wafer (W) is performed after each heating process. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422 . The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, a heating means 424 such as a hot wire or a thermoelectric element is provided on the heating plate 422 . Some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421 and other portions may include only the heating plate 422 . Optionally, the cooling plate 421 and the heating plate 422 may be respectively provided in one bake chamber 420 .

현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(500), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(500), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(500)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(500)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.The developing module 402 includes a developing process of removing a portion of the photoresist by supplying a developing solution to obtain a pattern on the wafer W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the wafer W before and after the developing process. includes The developing module 402 includes a developing chamber 500 , a bake chamber 470 , and a transfer chamber 480 . The developing chamber 500 , the bake chamber 470 , and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the developing chamber 500 and the baking chamber 470 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of developing chambers 500 are provided, and a plurality of each are provided in the first direction 12 and the third direction 16 respectively. A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(500), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned parallel to the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . A developing robot 482 and a guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480 . The transfer chamber 480 has a substantially rectangular shape. The developing robot 482 transfers the wafer W between the bake chambers 470, the developing chambers 500, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. . The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12 . The developing robot 482 includes a hand 484, an arm 485, a support 486, and a stand 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a flexible structure so that the hand 484 can move in the horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . The arm 485 is coupled to the support 486 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 486 . The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487 . The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483 .

현상 챔버들(500)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(500)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(500)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. 도 5는 도 2의 현상 챔버를 나타낸 평면도이다. 도 6은 도 2의 현상 챔버를 나타낸 측면도이다. 도 6에는 도면 편의상 세정 노즐은 생략하였다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 현상 챔버(500)는 하우징(510), 처리 용기(520), 기판 지지 유닛(530), 액 공급 유닛(540), 세정 노즐 부재(550), 팬필터유닛(560), 승강 유닛(600) 및 수위 감지 유닛(800)을 포함한다.All of the developing chambers 500 have the same structure. However, the type of developer used in each developing chamber 500 may be different from each other. The developing chamber 500 removes the light-irradiated region of the photoresist on the wafer W. At this time, the light-irradiated region of the protective film is also removed. Depending on the type of photoresist that is selectively used, only a region to which light is not irradiated among regions of the photoresist and the passivation layer may be removed. FIG. 5 is a plan view illustrating the developing chamber of FIG. 2 . FIG. 6 is a side view illustrating the developing chamber of FIG. 2 . In FIG. 6, the cleaning nozzle is omitted for convenience of drawing. 5 and 6, the developing chamber 500 includes a housing 510, a processing container 520, a substrate support unit 530, a liquid supply unit 540, a cleaning nozzle member 550, and a fan filter unit. 560 , a lifting unit 600 and a water level sensing unit 800 .

하우징(510)은 밀폐된 처리 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(560)이 설치된다. 팬필터유닛(560)은 처리 공간에 수직기류를 발생시킨다. 하우징(510)은 일면(511)에 기판 출입구(512)가 형성된다.The housing 510 provides an airtight treatment space, and a fan filter unit 560 is installed thereon. The fan filter unit 560 generates vertical airflow in the processing space. A substrate entrance 512 is formed on one surface 511 of the housing 510 .

팬필터유닛(560)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 하우징(510) 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터유닛(560)을 통과하여 하우징(510) 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 된다. 처리 공간내에서 처리 공정에 의해 발생된 기체 부산물은 수직 기류에 의해 배기 라인(525)을 통해 용이하게 배출된다.The fan filter unit 560 is a unit in which a filter and an air supply fan are modularized, and is a device that filters clean air and supplies it to the inside of the housing 510 . The clean air passes through the fan filter unit 560 and is supplied into the housing 510 to form a vertical airflow. This vertical airflow provides a uniform airflow over the substrate. Gaseous by-products generated by the treatment process within the treatment space are easily discharged through the exhaust line 525 by vertical airflow.

도 6에 도시된 바와 같이, 하우징(510)은 베이스(900)에 의해 공정 영역(PA)과 유틸리티 영역(UA)으로 구획된다. 베이스(900)에는 처리 용기(520)와 세정 노즐 부재(550) 그리고 액 공급 유닛(540)이 설치된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유틸리티 영역(UA)에는 처리 용기(520)와 연결되는 배출 라인(524), 배기 라인(525) 이외에도 승강 유닛(600)의 구동기(532)와, 세정 노즐 부재(550) 및 액 공급 유닛(540)과 연결되는 각종 배관들이 위치되는 공간으로, 공정 영역(PA)은 고청정도를 유지하기 위해 유틸리티 영역(UA)으로부터 격리되는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 6 , the housing 510 is divided into a process area PA and a utility area UA by the base 900 . A processing container 520, a cleaning nozzle member 550, and a liquid supply unit 540 are installed in the base 900. Although only a portion is shown in the drawings, the utility area UA includes a discharge line 524 and an exhaust line 525 connected to the processing container 520, as well as an actuator 532 of the lifting unit 600 and a cleaning nozzle member 550. and a space in which various pipes connected to the liquid supply unit 540 are located, and the process area PA is preferably isolated from the utility area UA in order to maintain high cleanliness.

처리 용기(520)는 베이스(900)에 설치된다. 처리 용기(520)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(520)의 개구된 상면은 웨이퍼(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 용기(520)는 기판 지지 유닛(530) 주위를 둘러싸도록 설치된다. 일 실시 예에 따르면, 처리 용기(520)는 기판 지지 유닛(530)의 측면 및 기판 지지 유닛(530)의 저면을 둘러싸도록 제공된다. 처리 용기(520)는 기판(W)의 현상 및 세정 그리고 건조 공정이 진행되는 동안 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 유체(현상액, 세정액 등의 액 및 건조가스 등)를 유입 및 모으기 위한 것이다. 이것에 의해 외부의 다른 장치나 주위가 오염되는 것이 방지될 뿐만 아니라, 현상액 회수 및 기판 상부의 균일한 기류 흐름을 제공한다.The processing vessel 520 is installed on the base 900 . The processing vessel 520 has a cylindrical shape with an open top and provides a process space for processing the wafer W. The open upper surface of the processing container 520 serves as a path for transporting and transporting the wafers W. The processing container 520 is installed to surround the substrate support unit 530 . According to one embodiment, the processing container 520 is provided to surround the side surface of the substrate support unit 530 and the bottom surface of the substrate support unit 530 . The processing container 520 is used to introduce and collect fluids (liquid such as developer, cleaning solution, and drying gas) scattered on the substrate W while the substrate W is being developed, cleaned, and dried. This not only prevents contamination of other external devices or surroundings, but also provides developer recovery and uniform air flow over the substrate.

처리 용기(520)는 외측 공간(a), 내측 공간(b), 커버(526), 외측 벽(521), 수직 격벽(522) 및 내측 커버(528)를 포함한다. 외측 공간(a)은 웨이퍼(W)로부터 비산되는 현상액과 기체가 유입되는 공간으로 외측벽(521)과 수직격벽(522)에 의해 정의된다. 따라서, 수직 격벽(522)은 처리 용기(520)의 내부 공간을 외측 공간(a) 및 내측 공간(b)으로 구분한다. 내측 커버(528)는 내측 공간(b)의 상부를 덮는다. 수직 격벽(522)은 내측 커버(528)의 외측 원주로부터 아래 방향으로 바닥면(523)으로부터 이격된 위치까지 연장된 링 형상으로 제공된다. 따라서, 내측 커버(528) 및 수직 격벽(522)은 외측 공간(a)을 통해 처리 용기(520) 내로 유입된 액이 내측 공간(b)으로 유입되는 것을 차단한다.The processing container 520 includes an outer space (a), an inner space (b), a cover 526 , an outer wall 521 , a vertical partition wall 522 and an inner cover 528 . The outer space (a) is defined by the outer wall 521 and the vertical barrier 522 as a space into which the developer and gas scattered from the wafer (W) are introduced. Accordingly, the vertical partition 522 divides the inner space of the processing container 520 into an outer space (a) and an inner space (b). The inner cover 528 covers the upper part of the inner space (b). The vertical partition wall 522 is provided in a ring shape extending downward from the outer circumference of the inner cover 528 to a position spaced apart from the bottom surface 523 . Accordingly, the inner cover 528 and the vertical partition wall 522 block liquid introduced into the processing container 520 through the outer space (a) from flowing into the inner space (b).

바닥면(523)의 외측 공간(a)에 대응되는 영역에는 처리 용기(520) 내의 액을 드레인하기 위한 배출 라인(524)이 연결된다. 그리고 처리 용기(520)의 바닥면(523)에는 위 방향을 향해 돌출되고, 처리 용기(520) 내의 기체를 배기하는 배기 라인(525)이 형성된다. 배기 라인(525)은 바닥면(523)의 내측 공간(b)에 대향되는 위치에 제공된다. 배기 라인(525)의 상단은 수직 격벽(522)의 하단 및 배출 라인(524)의 상단 보다 높게 제공된다.A discharge line 524 for draining the liquid in the processing container 520 is connected to a region corresponding to the outer space (a) of the bottom surface 523 . Also, an exhaust line 525 protruding upward from the bottom surface 523 of the processing container 520 and exhausting gas inside the processing container 520 is formed. The exhaust line 525 is provided at a position opposite to the inner space b of the bottom surface 523 . The upper end of the exhaust line 525 is provided higher than the lower end of the vertical partition wall 522 and the upper end of the discharge line 524 .

커버(526)는 기판 지지 유닛(530)의 측면을 둘러싸도록 제공된다. 커버(526)는 상부에서 바라볼 때 환형으로 제공된다. 커버(526)는 기판 지지 유닛(530)의 측면을 둘러쌈으로써, 기판(W) 상에서 비산되는 유체가 처리 용기(520)의 외부로 비산되는 것을 방지한다. 커버(526)는 외측벽(521)의 내측 면을 따라 승강 가능하게 제공된다. 커버(526)는 웨이퍼(W)를 스핀 헤드(531) 상으로 반입하거나, 처리가 끝난 기판을 반출할 수 있도록 승강 유닛(600)에 의해 승강된다. 커버(526)는 승강 유닛(600)에 의해 기판보다 높은 업 위치와, 기판보다 낮은 다운 위치로 승강된다. A cover 526 is provided to surround a side surface of the substrate support unit 530 . The cover 526 is provided in an annular shape when viewed from the top. The cover 526 surrounds the side surface of the substrate support unit 530 to prevent the fluid splashing on the substrate W from scattering to the outside of the processing container 520 . The cover 526 is movably provided along the inner surface of the outer wall 521 . The cover 526 is lifted by the lifting unit 600 so that the wafer W can be loaded onto the spin head 531 or the processed substrate can be taken out. The cover 526 is lifted by the lifting unit 600 to an up position higher than the board and a down position lower than the board.

외측벽(521)은 커버(526)의 하부 외측면을 둘러싸도록 제공된다. 외측벽(521)은 하우징(510)의 하부에 고정되게 제공된다. 외측벽(521)은 수직격벽(522)과 함께 외측 공간(a)을 정의한다.An outer wall 521 is provided to surround a lower outer surface of the cover 526 . The outer wall 521 is provided to be fixed to the lower portion of the housing 510 . The outer wall 521 together with the vertical partition wall 522 defines the outer space (a).

승강 유닛(600)은 커버(526)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 커버(526)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(531)에 대한 처리 용기(520)의 상대 높이가 변경된다. 웨이퍼(W)가 스핀 헤드(531)에 로딩 또는 스핀 헤드(531)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(531)가 처리 용기(520)의 상부로 돌출되도록 커버(526)는 하강한다.The lifting unit 600 linearly moves the cover 526 in the vertical direction. As the cover 526 moves up and down, the relative height of the processing container 520 with respect to the spin head 531 is changed. When the wafer W is loaded into or unloaded from the spin head 531, the cover 526 is lowered so that the spin head 531 protrudes upward from the processing container 520.

기판 지지 유닛(530)은 처리 용기(520)의 처리 공간에 위치된다. 기판 지지 유닛(530)은 공정 진행 중 웨이퍼(W)를 지지한다. 기판 지지 유닛(530)은 웨이퍼(W)가 놓여지는 평평한 상부면을 가지는 스핀 헤드(531)를 가진다. 스핀 헤드(531)는 공정이 진행되는 동안 필요에 따라 후술할 구동기(532)에 의해 기판을 회전시킬 수 있다. 스핀 헤드(531)는 기판이 원심력에 의해 스핀 헤드(531)로부터 이탈되지 않도록 내부에 형성된 진공라인(미도시됨)을 통해 기판을 직접 진공 흡착할 수 있다. 상술한 구조와 달리 기판 지지 유닛(530)은 스핀 헤드(531)에 설치되는 척킹핀들을 통해 기판의 측면으로부터 기판의 가장자리(edge)를 기계적으로 고정할 수 있다. 스핀 헤드(531)의 하부면에는 스핀들(533)이 고정 결합되며, 스핀들(533)은 구동기(532)에 의해 회전 가능하게 제공된다. 도시하지 않았지만, 구동기(532)는 회전력을 제공하기 위한 모터, 벨트 및 풀리 등을 구비한다.The substrate support unit 530 is positioned in the processing space of the processing vessel 520 . The substrate support unit 530 supports the wafer W during processing. The substrate support unit 530 has a spin head 531 having a flat upper surface on which a wafer W is placed. The spin head 531 may rotate the substrate by a driver 532 to be described later as needed while the process is in progress. The spin head 531 may directly vacuum adsorb the substrate through a vacuum line (not shown) formed therein so that the substrate is not separated from the spin head 531 by centrifugal force. Unlike the structure described above, the substrate support unit 530 may mechanically fix the edge of the substrate from the side of the substrate through chucking pins installed on the spin head 531 . A spindle 533 is fixedly coupled to the lower surface of the spin head 531 , and the spindle 533 is rotatably provided by an actuator 532 . Although not shown, the driver 532 includes a motor, a belt, and a pulley to provide rotational force.

세정 노즐 부재(550)와 액 공급 유닛(540)은 처리 용기(520)의 외측에 위치된다. 세정 노즐 부재(550)는 스윙 동작되며, 기판상에 기판 세정을 위한 세정액을 토출한다.The cleaning nozzle member 550 and the liquid supply unit 540 are located outside the processing container 520 . The cleaning nozzle member 550 swings and discharges a cleaning liquid for cleaning the substrate onto the substrate.

액 공급 유닛(540)은 기판 지지 유닛(530)의 상부에서 처리액을 기판으로 공급한다. 처리액은 현상액일 수 있다. 액 공급 유닛(540)은 노즐(541)과, 노즐(541)이 설치되는 아암(542), 아암(542)을 이동시키는 노즐 구동부(543) 그리고 노즐(541) 및 노즐 구동부(543)를 제어하는 노즐 제어부(544)를 포함한다. 액 공급 유닛(540)은 기판에 접액하면서 스캔하는 것이 아니고, 기판 상면에 일정한 높이에서 회전되는 기판으로 현상액을 토출하면서 스캔하는 방식으로 현상액을 도포할 수 있다. 이러한 방식은 기판에 접액시 발생하는 노즐 오염을 방지할 수 있고, 전체적인 프로세스 시간을 줄일 수 있는 장점이 있다. 또한, 기판 위에 현상을 위한 액그릇(PUDDLE)을 형성하지 않아 약액 소모량을 획기적으로 줄일 수 있다. 액 공급 유닛(540)는 노즐(541)이 홈 위치에서 대기할 때, 노즐(541)을 세정하는 노즐 배스(bath)(545)를 갖는다. 노즐 배스(545)에서는 질소가스 및 세정액을 이용하여 노즐 끝단에 묻어 있는 약액 등을 제거하게 된다. The liquid supply unit 540 supplies the processing liquid to the substrate from the top of the substrate support unit 530 . The treatment solution may be a developing solution. The liquid supply unit 540 controls the nozzle 541, the arm 542 on which the nozzle 541 is installed, the nozzle driving unit 543 that moves the arm 542, and the nozzle 541 and the nozzle driving unit 543. It includes a nozzle control unit 544 that does. The liquid supply unit 540 may apply the developer solution in a scanning manner while discharging the developer solution to a substrate rotated at a constant height on the upper surface of the substrate, rather than scanning while contacting the substrate. This method has the advantage of being able to prevent nozzle contamination that occurs when contacting the substrate and reducing the overall process time. In addition, since a liquid container (PUDDLE) for development is not formed on the substrate, consumption of the chemical solution can be drastically reduced. The liquid supply unit 540 has a nozzle bath 545 that cleans the nozzle 541 when the nozzle 541 is on standby at the home position. In the nozzle bath 545, nitrogen gas and cleaning liquid are used to remove chemical liquid from the tip of the nozzle.

수위 감지 유닛(800)은 처리 용기(520) 내의 액이 일정 수위 이상인지 여부를 판단한다. 도 7은 도 6의 현상 챔버에 설치된 수위 감지 유닛(800)을 간략하게 나타낸 사시도이다. 도 6 및 도 7을 참고하면, 일 실시 예에 따르면, 수위 감지 유닛(800)은 액 감지 센서(810), 알람 부재(820)를 포함한다.The water level detection unit 800 determines whether the liquid in the processing container 520 is above a certain water level. FIG. 7 is a perspective view schematically illustrating the water level sensing unit 800 installed in the developing chamber of FIG. 6 . Referring to FIGS. 6 and 7 , according to an embodiment, the water level detection unit 800 includes a liquid detection sensor 810 and an alarm member 820.

액 감지 센서(810)는 처리 용기(520) 내의 액이 일정 수위 이상인지 여부를 감지한다. 액 감지 센서(810)는 처리 용기(520)의 외측 공간(a)을 통해 유입되고 있는 액과 접촉되지 않을 수 있는 위치에 제공된다. 따라서, 일 실시 예에 따르면, 액 감지 센서(810)는 내측 공간(b) 내에 위치된다. 예를 들면, 액 감지 센서(810)는 와이어 형상의 누액 센서로 제공된다. 와이어 형상의 누액 센서의 예로서, 오므론(OMROM)사의 F03-16SF 제품을 들 수 있다. 이 경우, 액 감지 센서(810)는 배기 라인(525)의 외측면을 둘러싸도록 제공된다. 액 감지 센서(810)는 배기 라인(525)의 상단 및 수직 격벽(522)의 하단의 사이의 높이에 제공된다. 그러므로, 내측 커버(528) 및 수직 격벽(522)에 의해 처리 용기(520)의 외측 공간(a)을 통해 유입되고 있는 액이 액 감지 센서(810)에 접촉되는 것이 방지되므로, 액 감지 센서(810)가 유입되고 있는 액을 감지함으로써, 처리 용기(520) 내의 액의 수위가 일정 수위 이상 된 것으로 오인하는 것을 방지할 수 있다.The liquid detection sensor 810 detects whether the liquid in the processing container 520 is above a certain water level. The liquid detection sensor 810 is provided at a position where it may not come into contact with the liquid flowing through the outer space (a) of the processing container 520 . Therefore, according to one embodiment, the liquid detection sensor 810 is located in the inner space (b). For example, the liquid detection sensor 810 is provided as a wire-shaped liquid leak sensor. As an example of the wire-shaped leak sensor, the F03-16SF product of Omron (OMROM) is mentioned. In this case, the liquid detection sensor 810 is provided to surround the outer surface of the exhaust line 525 . The liquid detection sensor 810 is provided at a height between the upper end of the exhaust line 525 and the lower end of the vertical bulkhead 522 . Therefore, since the liquid flowing through the outer space (a) of the processing container 520 is prevented from contacting the liquid detection sensor 810 by the inner cover 528 and the vertical partition wall 522, the liquid detection sensor ( By detecting the flowing liquid, the liquid level in the processing container 520 may be prevented from being mistakenly recognized as having reached a predetermined level or higher.

알람 부재(820)는 액 감지 센서(810)로부터 감지한 결과에 따라 알람을 발생시킨다. 예를 들면, 일정 높이에 위치된 액 감지 센서(810)에 처리 용기(520) 내에서 모이고 있는 액이 접촉하게 되는 경우, 액 감지 센서(810)는 접촉 신호를 제어기(830)로 보내고 제어기(830)는 접촉 신호에 따라 알람 부재(820)가 알람을 발생시키도록 제어한다.The alarm member 820 generates an alarm according to a result detected by the liquid detection sensor 810 . For example, when the liquid collected in the processing container 520 comes into contact with the liquid detection sensor 810 located at a certain height, the liquid detection sensor 810 sends a contact signal to the controller 830 and the controller ( 830 controls the alarm member 820 to generate an alarm according to the contact signal.

상술한 바와 같이, 수위 감지 유닛(800)을 제공함으로써, 배출 라인(524)이 막혀 처리 용기(520) 내의 액의 수위가 일정 수위에 도달하는 것을 미리 알 수 있으므로, 처리 용기(520) 내의 액이 배기 라인(525)등을 통해 처리 용기(520)의 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.As described above, by providing the water level detection unit 800, it can be known in advance that the liquid level in the processing container 520 reaches a certain level due to the discharge line 524 being blocked, and thus the liquid in the processing container 520 Exhaust to the outside of the processing container 520 through the exhaust line 525 or the like can be prevented.

다시 도 2 내지 도 4를 참고하면, 베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 선택적으로 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. Referring back to FIGS. 2 to 4 , the bake chamber 470 heat-treats the wafer W. For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process of heating the wafer W before the development process is performed, a hard bake process of heating the wafer W after the development process is performed, and heating after each bake process. A cooling process of cooling the wafer is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472 . The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element is provided on the heating plate 472 . Some of the bake chambers 470 may include only the cooling plate 471 , and others may include only the heating plate 472 . Optionally, the cooling plate 471 and the heating plate 472 may be respectively provided in one bake chamber 470 .

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. Also, when viewed from the top, the application module 401 and the developing module 402 may have the same chamber arrangement.

인터페이스 모듈(700)은 도포 및 현상 모듈(400) 및 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. The interface module 700 transfers the wafer W between the coating and developing module 400 and the exposure apparatus 900 . The interface module 700 includes a frame 710 , a first buffer 720 , a second buffer 730 , and an interface robot 740 . A first buffer 720 , a second buffer 730 , and an interface robot 740 are positioned within the frame 710 . The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on top of each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730 .

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14 . The interface robot 740 transports the wafer W between the first buffer 720 , the second buffer 730 , and the exposure apparatus 900 .

제 1 버퍼(720)는 레지스트 도포 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 도포 및 현상 모듈(400)으로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 개구(미도시)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the wafers W on which the resist coating process is performed before they are moved to the exposure apparatus 900 . In addition, the second buffer 730 temporarily stores the wafers W that have been processed in the exposure apparatus 900 before being moved to the coating and developing module 400 . The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722 . The supports 722 are disposed in the housing 721 and are spaced apart from each other along the third direction 16 . One wafer W is placed on each support 722 . The housing 721 has an opening (not shown) through which the interface robot 740 can carry in or take out the wafer W from the support 722 into the housing 721 . The second buffer 730 has a structure similar to that of the first buffer 720 . As described above, only buffers and a robot may be provided in the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on a wafer.

이상의 상세한 설명은 감광액을 도포하는 공정에 사용되는 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 예를 들어 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 예에 한정되지 않으며, 장치 내에 액의 수위를 제한 해야하는 것이 요구되는 장치에 모두 적용 가능하다.In the above detailed description, a substrate processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid used in a process of applying a photoresist has been described as an example. However, the present invention is not limited to the above-described examples, and can be applied to any device that requires limiting the liquid level in the device.

20: 카세트 100: 로드 포트
200: 인덱스 모듈 300: 버퍼 모듈
400: 도포 및 현상 모듈 401: 도포 모듈
402: 현상 모듈 500: 현상 챔버
510: 하우징 520: 처리 용기
521: 외측벽 522: 수직 격벽
523: 바닥면 524: 배출 라인
525: 배기 라인 526: 커버
528: 내측 커버 530: 기판 지지 유닛
540: 액 공급 유닛 560: 팬필터유닛
600: 승강 부재 700: 인터페이스 모듈
800: 수위 감지 유닛 810: 액 감지 센서
820: 알람 부재 830: 제어기20: cassette 100: load port
200: index module 300: buffer module
400: application and development module 401: application module
402: developing module 500: developing chamber
510: housing 520: processing container
521: outer wall 522: vertical bulkhead
523 bottom surface 524 discharge line
525 exhaust line 526 cover
528: inner cover 530: substrate support unit
540: liquid supply unit 560: fan filter unit
600: elevating member 700: interface module
800: water level detection unit 810: liquid detection sensor
820: no alarm 830: controller

Claims (8)

기판 처리 장치에 있어서,
처리 공간을 가지는 하우징;
상기 처리 공간에 위치하며, 기판이 놓이는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지 유닛;
상기 기판 지지 유닛의 상부에서 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛;
상기 기판 지지 유닛의 측면 및 상기 기판 지지 유닛의 저면을 둘러싸도록 제공되고, 공정이 진행되는 동안 상기 기판에서 비산되는 액을 모으는 처리 용기; 및
상기 처리 용기 내의 액이 일정 수위 이상인지 여부를 감지하는 액 감지 센서를 가지는 수위 감지 유닛;을 포함하되,
상기 처리 용기의 바닥면에는 상기 처리 용기 내의 액을 배출하는 배출 라인이 연결되고,
상기 처리 용기의 바닥면에는 위 방향을 향해 돌출되고, 상기 처리 용기 내의 기체를 배기하는 배기 라인이 형성되고,
상기 액 감지 센서는 상기 배기 라인의 외측면에 설치되는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus,
a housing having a processing space;
a substrate support unit located in the processing space and including a spin head on which a substrate is placed;
a liquid supply unit supplying a processing liquid to the substrate from an upper portion of the substrate support unit;
a processing container provided to surround a side surface of the substrate support unit and a bottom surface of the substrate support unit, and to collect liquid scattered from the substrate during a process; and
A water level detection unit having a liquid detection sensor for detecting whether the liquid in the processing container is above a predetermined level;
A discharge line for discharging the liquid in the processing vessel is connected to a bottom surface of the processing vessel;
An exhaust line protruding upward from the bottom surface of the processing vessel and exhausting gas inside the processing vessel is formed;
The liquid detection sensor is installed on the outer surface of the exhaust line. 제 1 항에 있어서,
상기 처리 용기는,
상기 처리 용기의 공간을 외측 공간 및 내측 공간으로 구분하는 수직 격벽; 및
상기 내측 공간의 상부를 덮는 내측 커버;를 포함하되,
상기 수직 격벽은 상기 내측 커버의 외측 원주로부터 아래 방향으로 상기 바닥면으로부터 이격된 위치까지 연장된 링 형상으로 제공되며,
상기 액 감지 센서는 상기 내측 공간에 위치되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The processing vessel,
a vertical partition wall dividing the space of the processing vessel into an outer space and an inner space; and
Including; inner cover covering the upper part of the inner space,
The vertical bulkhead is provided in a ring shape extending downward from the outer circumference of the inner cover to a position spaced apart from the bottom surface,
The liquid detection sensor is located in the inner space. 제 2 항에 있어서,
상기 배기 라인은 상기 바닥면의 상기 내측 공간에 대향되는 위치에 제공
되는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The exhaust line is provided at a position opposite to the inner space of the bottom surface.
Substrate processing device to be. 제 3 항에 있어서,
상기 배기 라인의 상단은 상기 수직 격벽의 하단보다 높게 제공되며,
상기 액 감지 센서는 상기 배기 라인의 상단 및 상기 수직 격벽의 하단의 사이에 위치되는 기판 처리 장치.According to claim 3,
The upper end of the exhaust line is provided higher than the lower end of the vertical bulkhead,
The liquid detection sensor is positioned between an upper end of the exhaust line and a lower end of the vertical partition wall. 삭제delete 제 4 항에 있어서,
상기 배기 라인의 상단은 상기 배출 라인의 상단보다 높은 위치에 위치되고, 상기 액 감지 센서는 상기 배출 라인의 상단보다 높은 위치에 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 4,
The upper end of the exhaust line is located at a higher position than the upper end of the discharge line, and the liquid detection sensor is provided at a position higher than the upper end of the discharge line. 제 1 항에 있어서,
상기 액 감지 센서는 상기 배기 라인의 측면을 둘러싸도록 제공된 와이어 형상의 누액 센서로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The liquid detection sensor is provided as a wire-shaped liquid leakage sensor provided to surround a side surface of the exhaust line. 제 1 항에 있어서,
상기 수위 감지 유닛은 상기 액 감지 센서로부터 감지한 결과에 따라 알람을 발생시키는 알람 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The water level detection unit further comprises an alarm member generating an alarm according to a result detected by the liquid detection sensor.
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