KR20230030517A - 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 보호막이 형성된 워크의 제조 방법, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법 - Google Patents

보호막 형성 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 보호막이 형성된 워크의 제조 방법, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230030517A
KR20230030517A KR1020220087575A KR20220087575A KR20230030517A KR 20230030517 A KR20230030517 A KR 20230030517A KR 1020220087575 A KR1020220087575 A KR 1020220087575A KR 20220087575 A KR20220087575 A KR 20220087575A KR 20230030517 A KR20230030517 A KR 20230030517A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective film
film
forming
workpiece
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020220087575A
Other languages
English (en)
Inventor
카즈마 노지마
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20230030517A publication Critical patent/KR20230030517A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2333/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

열경화성 보호막 형성 필름(13)으로서, 보호막 형성 필름(13)의 표면에 상흔이 형성되었을 때에도, 보호막 형성 필름(13)을 열경화시킨 후의 보호막 표면의 상흔을 눈에 띄지 않게 할 수 있는, 보호막 형성 필름(13), 보호막 형성 필름(13)을 구비하는 보호막 형성용 복합 시트, 보호막 형성 필름(13) 또는 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 보호막이 형성된 워크의 제조 방법, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법.

Description

보호막 형성 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 보호막이 형성된 워크의 제조 방법, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법{PROTECTIVE FILM FORMING FILM, COMPOSITE SHEET FOR FORMING PROTECTIVE FILM, MANUFACTURING METHOD OF WORK WITH PROTECTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD OF WORKPIECE WITH PROTECTIVE FILM}
본 발명은 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 보호막이 형성된 워크의 제조 방법, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법에 관한 것이다.
본원은 2021년 8월 25일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2021-137056호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
반도체 웨이퍼나 절연체 웨이퍼 등의 웨이퍼에는, 그 한쪽 면(회로면)에 회로가 형성되어 있고, 추가로 그 면(회로면) 상에 범프 등의 돌출형 전극을 갖는 것이 있다. 이러한 웨이퍼는 분할에 의해 칩이 되고, 그 돌출형 전극이 회로 기판 상의 접속 패드에 접속됨으로써, 상기 회로 기판에 탑재된다.
이러한 웨이퍼나 칩에 있어서는, 크랙의 발생 등의 파손을 억제하기 위해, 회로면과는 반대측 면(이면)을 보호막으로 보호하는 경우가 있다.
이러한 보호막을 형성하기 위해서는, 웨이퍼의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성 필름을 첩부한다. 보호막 형성 필름은 이를 지지하기 위한 지지 시트 상에 적층되어, 보호막 형성용 복합 시트 상태로 사용되는 경우도 있고, 지지 시트 상에 적층되지 않고 사용되는 경우도 있다(특허문헌 1 참조). 이어서, 이면에 보호막 형성 필름을 구비하는 웨이퍼(보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼)는, 그 후의 각종 공정을 거쳐, 이면에 보호막을 구비하는 칩(보호막이 형성된 칩)으로 가공 된다. 그 동안, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼는, 다음 공정을 행하는 장소나, 보관되는 장소 등, 목적으로 하는 장소로 반송할 필요가 있다.
상기 보호막이 형성된 칩은 예를 들면, 상기 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼를 제작한 후, 웨이퍼를 분할하여 칩을 제작하고, 보호막 형성 필름을 절단함으로써, 절단 후의 보호막 형성 필름을 이면에 구비하는 칩(보호막 형성 필름이 형성된 칩)을 제작하고, 보호막 형성 필름이 형성된 칩을 픽업한 후, 추가로 절단 후의 보호막 형성 필름을 경화시켜, 보호막을 형성함으로써 제작할 수 있다. 절단 후의 보호막 형성 필름을 경화시켜, 보호막이 형성된 칩을 형성한 후, 보호막이 형성된 칩을 픽업할 수도 있다.
또한, 상기 보호막이 형성된 칩은 예를 들면, 상기 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼를 제작한 후, 그 중의 보호막 형성 필름을 경화시켜 보호막을 형성하고, 이어서, 웨이퍼를 분할하여 칩을 제작하고, 보호막을 절단함으로써도 제작할 수 있다.
국제공개 제2015/111632호
상기 보호막 형성 필름으로는, 이를 가열하여 열경화시킴으로써 보호막을 형성 가능한, 열경화성 보호막 형성 필름이 널리 이용되고 있다. 열경화성 보호막 형성 필름을 워크의 이면에 첩부할 때에는, 보호막 형성 필름의 워크측과는 반대측으로부터 박리 필름 또는 지지 시트를 개재하여 라미네이트 롤 등의 가압 수단으로 가압한다. 이 때에, 예를 들면, 박리 필름 또는 지지 시트와 라미네이트 롤 사이에 입자 형상의 이물질이 혼입되면, 입자 형상의 이물질의 가압흔이 보호막 형성 필름의 워크측과는 반대측 표면에 형성되는 경우가 있다.
보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼를 일 예로 하는, 보호막 형성 필름이 형성된 워크를 반송할 때에는, 보호막 형성 필름의 워크측과는 반대측 노출면에 반송 수단을 접촉시켜, 상기 반송 수단에 의해 상기 보호막 형성 필름이 형성된 워크를 고정한 상태로 반송한다.
상기 반송 수단으로는, 예를 들면, 보호막 형성 필름이 형성된 워크와의 접촉부에 있어서, 보호막 형성 필름이 형성된 워크를 흡착함으로써 고정하는 것이 알려져 있으나, 이는 일 예이다.
이러한 반송 수단을 이용하여, 보호막 형성 필름이 형성된 워크를 반송하면, 보호막 형성 필름의 반송 수단에 의한 고정 개소, 보다 구체적으로는, 반송 수단 중의 고정 부위의 접촉 개소에 반송 수단(상기 고정 부위)의 접촉흔이 형성되는 경우가 있다. 예를 들면, 상기 고정 부위가, 평면 형상이 원형인 흡착반인 경우에는, 원형의 흡착흔이 보호막 형성 필름의 노출면에 형성되는 경우가 있다.
또한, 보호막 형성 필름이 형성된 칩을, 밀어올림 니들핀 등의 밀어올림 수단을 사용하여 픽업하면, 보호막 형성 필름의 밀어올림 수단에 의한 밀어올림 개소에 패임 자국(니들 자국)이 형성되는 경우가 있다.
보호막 형성 필름의 표면에 가압흔, 접촉흔, 흡착흔, 패임 자국 등의 상흔이 형성되는 것은, 보호막 형성 필름이, 비교적 부드럽기 때문이다. 이러한 상흔이 명확하게 시인 가능하게 되어 있는 보호막 형성 필름이 형성된 워크는, 외관상의 문제점이 있음과 함께, 레이저 인자성 저하의 염려가 있다. 보호막 형성 필름이 열경화되어 보호막으로 형성된 후에도, 상흔이 명확하게 시인 가능하게 되어 있는 보호막이 형성된 워크는, 외관상의 문제점 및 레이저 인자성의 저하의 염려를 갖는다. 그리고, 특허문헌 1에 개시되어 있는 보호막 형성 필름은, 이러한 문제점을 반드시 해결할 수 있는 것은 아니다.
본 발명은 열경화성 보호막 형성 필름으로서, 보호막 형성 필름의 표면에 상흔이 형성되었을 때에도, 보호막 형성 필름을 열경화시킨 후의 보호막 표면의 상흔을 눈에 띄지 않게 할 수 있는, 보호막 형성 필름, 상기 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성용 복합 시트, 상기 보호막 형성 필름 또는 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 보호막이 형성된 워크의 제조 방법, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 이하의 양태를 포함한다.
[1] 열경화성 보호막 형성 필름으로서,
상기 보호막 형성 필름의 폭 4㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -50℃에서 150℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했을 때, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(90)이 5MPa 이하인, 보호막 형성 필름.
[2] 상기 보호막 형성 필름의 폭 4㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -50℃에서 150℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 tanδ를 측정했을 때, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 tanδ(90)이 0.34 이상인, [1]에 기재된 보호막 형성 필름.
[3] 상기 보호막 형성 필름을 가열 경화시킨 열경화물의 폭 5㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -60℃에서 300℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했을 때, 23℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(23)이 100MPa 이상인, [1] 또는 [2]에 기재된 보호막 형성 필름.
[4] 아크릴 수지를 포함하는 중합체 성분(A)을 함유하고,
상기 아크릴 수지의 유리 전이 온도가 10℃ 미만인, [1]∼[3] 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름.
[5] 충전재(D)를 함유하고,
상기 보호막 형성 필름의 총 질량에 대한 상기 충전재(D)의 함유량의 비율이, 50질량％ 미만인, [1]∼[4] 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름.
[6] 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 보호막 형성 필름을 구비하고,
상기 보호막 형성 필름이, [1]∼[5] 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름인, 보호막 형성용 복합 시트.
[7] 보호막이 형성된 워크의 제조 방법으로서,
상기 보호막이 형성된 워크는, 워크와, 상기 워크의 어느 개소에 형성된 보호막을 구비하고 있고,
상기 제조 방법은, [1]∼[5] 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름, 또는 [6]에 기재된 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성 필름을 상기 워크의 목적으로 하는 개소에 첩부함으로써, 상기 워크 및 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성 필름이 형성된 워크를 제작하는 첩부 공정과,
상기 첩부 공정 후, 상기 보호막 형성 필름을 열경화시켜, 상기 보호막을 형성함으로써, 상기 보호막이 형성된 워크를 제작하는 열경화 공정을 갖는, 보호막이 형성된 워크의 제조 방법.
[8] 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법으로서,
상기 보호막이 형성된 워크 가공물은, 워크를 가공함으로써 얻어진 워크 가공물과, 상기 워크 가공물의 어느 개소에 형성된 보호막을 구비하고 있고,
상기 제조 방법은, [1]∼[5] 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름, 또는 [6]에 기재된 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성 필름을 상기 워크의 목적으로 하는 개소에 첩부함으로써, 상기 워크 및 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성 필름이 형성된 워크를 제작하는 첩부 공정과,
상기 첩부 공정 후, 상기 워크를 가공함으로써, 상기 워크 가공물을 제작하는 가공 공정과,
상기 첩부 공정 후, 상기 보호막 형성 필름을 열경화시킴으로써, 상기 보호막을 형성하는 열경화 공정을 갖는, 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 열경화성 보호막 형성 필름으로서, 보호막 형성 필름의 표면에 상흔이 형성되었을 때에도, 보호막 형성 필름을 열경화시킨 후의 보호막 표면의 상흔을 눈에 띄지 않게 할 수 있는, 보호막 형성 필름, 상기 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성용 복합 시트, 상기 보호막 형성 필름 또는 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 보호막이 형성된 워크의 제조 방법, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성 필름의 일 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 일 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의, 또 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의, 또 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막이 형성된 웨이퍼의 제조 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막이 형성된 웨이퍼의 제조 방법의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막이 형성된 칩의 제조 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막이 형성된 칩의 제조 방법의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
◇ 보호막 형성 필름
본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 열경화성 보호막 형성 필름으로서, 상기 보호막 형성 필름의 폭 4㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -50℃에서 150℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했을 때, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(90)이 5MPa 이하이다.
본 실시형태의 보호막 형성 필름은 예를 들면, 후술하는 바와 같이, 지지 시트와 적층함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 구성할 수 있다.
본 실시형태의 보호막 형성 필름, 또는 이를 구비하는 보호막 형성용 복합 시트를 사용함으로써, 워크와, 상기 워크의 어느 개소에 형성된 보호막을 구비하는 보호막이 형성된 워크를 제조할 수 있다. 또한, 워크 가공물과, 상기 워크 가공물의 어느 개소에 형성된 보호막을 구비하는 보호막이 형성된 워크 가공물을 제조할 수 있다. 예를 들면, 워크가 웨이퍼인 경우, 상기 보호막 형성 필름 또는 보호막 형성용 복합 시트를 사용함으로써, 칩과, 상기 칩의 이면에 형성된 보호막을 구비하는 보호막이 형성된 칩을 제조할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 워크로는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 등의 웨이퍼, 반도체 장치 패널 등을 들 수 있다. 반도체 장치 패널이란, 반도체 장치의 제조 과정에서 취급하는 것이며, 그 구체예로는, 1개 또는 2개 이상의 전자 부품이 봉지 수지에 의해 봉지된 상태의 반도체 장치를 사용하여, 복수개의 이들 반도체 장치가, 원형, 직사각형 등의 형상의 영역 내에, 평면적으로 배치되어 구성된 것을 들 수 있다.
본 명세서에 있어서는, 워크를 가공한 것을 「워크 가공물」로 칭한다. 예를 들면, 워크가 반도체 웨이퍼인 경우, 워크 가공물로는 반도체 칩을 들 수 있다.
본 명세서에 있어서, 「웨이퍼」로서는, 실리콘, 게르마늄, 셀렌 등의 원소 반도체나, GaAs, GaP, InP, CdTe, ZnSe, SiC 등의 화합물 반도체로 구성되는 반도체 웨이퍼; 사파이어, 유리, 니오브산리튬, 탄탈산리튬 등의 절연체로 구성되는 절연체 웨이퍼를 들 수 있다.
이들 웨이퍼의 한쪽 면 상에는, 회로가 형성되어 있고, 본 명세서에 있어서는, 이와 같이 회로가 형성되어 있는 측의 웨이퍼의 면을 「회로면」으로 칭한다. 그리고, 웨이퍼의 회로면과는 반대측 면을 「이면」으로 칭한다.
웨이퍼는 다이싱 등의 수단에 의해 가공(분할)되어 칩이 된다. 본 명세서에 있어서는, 웨이퍼의 경우와 동일하게, 회로가 형성되어 있는 측의 칩의 면을 「회로면」으로 칭하고, 칩의 회로면과는 반대측 면을 「이면」으로 칭한다.
웨이퍼의 회로면과 칩의 회로면에는, 모두 범프, 필러 등의 돌출형 전극이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 돌출형 전극은 땜납으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 보호막이 형성된 칩을 사용함으로써, 기판 장치를 제조할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 「기판 장치」란, 보호막이 형성된 워크 가공물이 그 회로면 상의 돌출형 전극에 있어서, 회로 기판 상의 접속 패드에 플립 칩 접속되어 구성된 것을 의미한다. 예를 들면, 워크로서 반도체 웨이퍼를 사용한 경우이면, 기판 장치로는 보호막이 형성된 반도체 칩이 플립 칩 접속되어 이루어지는 반도체 장치를 들 수 있다.
본 실시형태의 보호막 형성 필름은, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(90)이 5MPa 이하임으로써, 본 실시형태의 보호막 형성 필름을 사용하여, 상기 보호막이 형성된 워크 또는 상기 보호막이 형성된 워크 가공물을 제조하는 공정 중, 열경화성 보호막 형성 필름의 표면에 상흔이 형성되었을 때에도, 보호막 형성 필름을 열경화시킨 후의 보호막 표면의 상흔을 눈에 띄지 않게 할 수 있다. 본 실시형태의 보호막 형성 필름은, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(90)이 5MPa 이하임으로써, 보호막 형성 필름을 가열 경화시켜 보호막으로 할 때, 가열 경화되기 전의 90℃에 있어서 보호막 형성 필름의 유동성이 상온시보다 증대하여, 보호막 형성 필름의 표면에 생긴 상흔을 수복할 수 있고, 즉, 본 실시형태의 보호막 형성 필름은 자기 수복성이 우수하기 때문에, 그 결과, 보호막 표면의 상흔을 눈에 띄지 않게 할 수 있었다고 생각된다. 본 명세서에 있어서, 「상온」이란, 특별히 냉각하거나 가열하지 않은 온도, 즉 평상의 온도를 의미하며, 예를 들면, 15∼25℃의 온도 등을 들 수 있다.
본 실시형태의 보호막 형성 필름은, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(90)이 5MPa 이하이며, 3MPa 이하인 것이 바람직하고, 2MPa 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.4MPa 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.2MPa 이하인 것이 특히 바람직하다.
본 실시형태의 보호막 형성 필름은, 열경화성을 갖고, 그 열경화에 의해 보호막으로서 기능한다. 상온의 보호막 형성 필름을 100℃ 이상의 온도가 될 때까지 가열하고, 이어서 상온이 될 때까지 냉각함으로써, 가열·냉각 후의 보호막 형성 필름으로 하고, 가열·냉각 후의 보호막 형성 필름의 경도와, 가열 전의 보호막 형성 필름의 경도를 동일한 온도에서 비교했을 때, 가열·냉각 후의 보호막 형성 필름 쪽이 견고한 경우에는, 이 보호막 형성 필름은 열경화성이다.
본 실시형태의 보호막 형성 필름은, 90℃에 있어서는 경화되지 않고, 오히려 연화되는 성질을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 상기 보호막 형성 필름의 폭 4㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -50℃에서 150℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했을 때, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(90)은 70℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(70)보다 작은 것이 바람직하다.
본 실시형태의 보호막 형성 필름은, 70℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(70)이 8MPa 이하인 것이 바람직하고, 3.5MPa 이하인 것이 보다 바람직하며, 3MPa 이하인 것이 더욱 바람직하고, 2MPa 이하인 것이 특히 바람직하다.
본 실시형태의 보호막 형성 필름은, 상기 보호막 형성 필름의 폭 4㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -50℃에서 150℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 tanδ를 측정했을 때, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 tanδ(90)이 0.20 이상인 것이 바람직하고, 0.24 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.34 이상인 것이 더욱 바람직하다. 90℃에 있어서의 상기 시험편의 tanδ(90)의 값이 상기 하한값 이상임으로써, 보호막 형성 필름의 자기 수복성이 우수한 경향이 있다. 이는, 90℃에 있어서 보호막 형성 필름의 점성 성분의 기여가 커지기 때문으로 추측된다.
본 실시형태의 보호막 형성 필름은, 상기 보호막 형성 필름의 폭 4㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -50℃에서 150℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 tanδ를 측정했을 때, 70℃에 있어서의 상기 시험편의 tanδ(70)가 0.35 이상인 것이 바람직하고, 0.40 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.50 이상인 것이 더욱 바람직하다. 70℃에 있어서의 상기 시험편의 tanδ(70)의 값이 상기 하한값 이상임으로써, 보호막 형성 필름의 자기 수복성이 우수한 경향이 있다. 이는, 70℃에 있어서 보호막 형성 필름의 점성 성분의 기여가 커지기 때문으로 추측된다.
본 실시형태의 보호막 형성 필름을 가열 경화시킨 열경화물의 폭 5㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -60℃에서 300℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했을 때, 23℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(23)은 100MPa 이상인 것이 바람직하고, 200MPa 이상인 것이 보다 바람직하며, 300MPa 이상인 것이 더욱 바람직하다. 열경화 후의 보호막의 저장 탄성률 E'(23)이 너무 낮은 경우, 보호막이 형성된 칩 등의 보호막이 형성된 워크 가공물을 캐리어 테이프로 포장하고 반송했을 경우, 유연한 보호막이 캐리어 테이프의 내벽에 부딪혀, 손상이나 패임이 발생할 우려가 있다. 또한, 경화 후에 보호막이 형성된 칩을 픽업하는 공정에서는, 열경화 후의 보호막의 저장 탄성률 E'(23)이 높은 편이 픽업시의 니들 자국을 저감할 수 있다.
보호막 형성 필름은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 보호막 형성 필름이 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. 보호막 형성 필름은 저장 탄성률 E'의 제어의 용이성 및 제조 비용의 면에서 1층(단층)으로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서는, 보호막 형성 필름의 경우에 한정하지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하고, 또한 「복수층이 서로 상이하다」란, 「각 층의 구성 재료 및 두께 중 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다.
보호막 형성 필름의 시험편의 저장 탄성률 E'는, 복수장의 상기 보호막 형성 필름을 적층하고 잘라냄으로써, 폭 4㎜의 적층물을 제작하고, 이 적층물을 시험편으로서 측정할 수 있다.
보호막의 시험편의 저장 탄성률 E'는, 복수장의 상기 보호막 형성 필름을 적층하고 잘라냄으로써, 폭 5㎜의 적층물을 제작하고, 이 적층물을 가열 경화시켜 보호막의 적층물로 한 후, 보호막의 적층물을 시험편으로서 측정할 수 있다. 보호막의 저장 탄성률 E'는, 복수장의 상기 보호막 형성 필름을 적층하고 가열 경화시켜 보호막으로 한 후, 잘라냄으로써, 폭 4㎜의 적층물을 제작하고, 이 적층물을 시험편으로서 측정해도 된다.
보다 구체적으로는, 상기 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 이 상태로 시험편을 승온 속도 3℃/min로 -10℃에서 170℃까지 등속 승온하면서, 주파수 11Hz의 조건하에서 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정한다. 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지한다는 것은, 시험편의 저장 탄성률 E'의 측정 대상 부분의 길이가 20㎜인 것을 의미한다.
상기 시험편의 상기 2개소에서의 유지는 예를 들면, 공지의 그리퍼 등의 유지 수단을 이용하여 행할 수 있다.
상기 시험편(적층물)의 두께는 상기 시험의 실시를 방해하지 않고, 상기 저장 탄성률 E'의 측정 정밀도를 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다.
통상, 상기 시험편의 두께는 190∼210㎛인 것이 바람직하고, 195∼205㎛인 것이 보다 바람직하며, 200㎛인 것이 특히 바람직하다.
상기 시험편을 구성하는 보호막 형성 필름의 장수는 특별히 한정되지 않고, 각각의 보호막 형성 필름의 두께에 따라, 임의로 선택할 수 있다.
예를 들면, 두께가 40㎛인 5장의 보호막 형성 필름 또는 보호막을 사용함으로써, 상기 시험편을 제작할 수 있다. 단, 이는 일 예이며, 사용하는 보호막 형성 필름 또는 보호막의 장수와 두께는, 이에 한정되지 않는다.
상기 시험편의 저장 탄성률 E'(90) 및 저장 탄성률 E'(70)은, 상기 보호막 형성 필름의 함유 성분의 종류와 그 함유량을 조절함으로써 조절할 수 있다.
예를 들면, 보호막 형성 필름이, 후술하는 중합체 성분(A)을 함유하는 경우에는, 중합체 성분(A)이 갖는 구성 단위의 종류와 그 양을 조절함으로써, 시험편의 저장 탄성률 E'를 보다 용이하게 조절할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 아크릴산2-에틸헥실로부터 유도된 구성 단위를 일정량 이상 갖는 아크릴 수지를 중합체 성분(A)으로서 사용하여, 그 함유량을 조절함으로써, 시험편의 저장 탄성률 E'를 보다 용이하게 조절할 수 있다.
중합체 성분(A)이 아크릴 수지를 포함하는 경우에는, 아크릴 수지의 유리 전이 온도를 조절함으로써, 시험편의 저장 탄성률 E'를 보다 용이하게 조절할 수 있다. 아크릴 수지의 유리 전이 온도가 낮을수록, 시험편의 저장 탄성률 E'(90) 및 저장 탄성률 E'(70)은 작아지는 경향이 있다.
또한, 예를 들면, 보호막 형성 필름이, 후술하는 충전재(D)를 함유하는 경우에는, 표면 수식된 구형의 충전재(D)를 사용하여, 평균 입자 직경 및 함유량을 조절함으로써, 시험편의 저장 탄성률 E'(90) 및 저장 탄성률 E'(70)을 보다 용이하게 조절할 수 있다. 전형적으로는, 충전재(D)의 평균 입자 직경이 클수록, 시험편의 저장 탄성률 E'(90) 및 저장 탄성률 E'(70)은 작아지는 경향이 있다.
보호막 형성 필름의 두께는 50㎛ 미만인 것이 바람직하고, 45㎛ 미만인 것이 보다 바람직하다.
보호막 형성 필름의 두께는 보호 성능이 보다 높은 보호막을 형성할 수 있는 점에서는, 10㎛ 이상인 것이 바람직하고, 15㎛ 이상인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 20㎛ 이상이어도 된다.
보호막 형성 필름의 두께는 상술한 어느 상한값과 하한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 보호막 형성 필름의 두께는 5㎛ 이상 50㎛ 미만, 및 5㎛ 이상 45㎛ 미만 중 어느 하나여도 된다.
본 명세서에 있어서, 「보호막 형성 필름의 두께」란, 보호막 형성 필름 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 보호막 형성 필름의 두께란, 보호막 형성 필름을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
본 명세서에 있어서는, 보호막 형성 필름의 경우에 한정하지 않고 「두께」란, 특별히 언급이 없는 한, 대상물에 있어서 무작위로 선출된 5개소에서 측정한 두께의 평균으로 나타내는 값이며, JIS K7130에 준거하여, 정압 두께 측정기를 이용하여 취득할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 상기 보호막 형성 필름을 가열함으로써 얻어진 열경화물은, 보호막으로서 기능하는 것이 바람직하다.
상기 보호막 형성 필름을 웨이퍼의 목적으로 하는 개소에 첩부하고, 열경화시켜, 보호막을 형성할 때의 경화 조건은, 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한, 특별히 한정되지 않고, 보호막 형성 필름의 종류에 따라, 적절히 선택하면 된다.
예를 들면, 보호막 형성 필름의 열경화시의 가열 온도는 100∼180℃인 것이 바람직하고, 110∼160℃인 것이 보다 바람직하며, 120∼140℃인 것이 특히 바람직하다. 그리고, 상기 열경화시의 가열 시간은 0.5∼5h인 것이 바람직하고, 0.5∼4h인 것이 보다 바람직하며, 1∼3h인 것이 특히 바람직하다.
＜＜보호막 형성용 조성물＞＞
상기 보호막 형성 필름은 그 구성 재료를 함유하는 보호막 형성용 조성물(보다 구체적으로는, 열경화성 보호막 형성용 조성물)을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 보호막 형성 필름은 그 형성 대상면에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써 형성할 수 있다.
상기 보호막 형성 필름은 열경화성에 추가로, 에너지선 경화성을 갖고 있어도 된다.
본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미하고, 그 예로서, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 크세논 램프, 블랙 라이트, 또는 LED 램프 등을 이용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다.
보호막 형성 필름에 있어서, 보호막 형성 필름의 총 질량에 대한 보호막 형성 필름의 1종 또는 2종 이상의 후술하는 함유 성분의 합계 함유량의 비율은, 100질량％를 초과하지 않는다.
동일하게, 보호막 형성용 조성물에 있어서, 보호막 형성용 조성물의 총 질량에 대한 보호막 형성용 조성물의 1종 또는 2종 이상의 후술하는 함유 성분의 합계 함유량의 비율은, 100질량％를 초과하지 않는다.
보호막 형성용 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커튼 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.
보호막 형성용 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않는다. 단, 보호막 형성용 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 그리고, 용매를 함유하는 보호막 형성용 조성물은 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건에서, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 단, 보호막 형성용 조성물은 열경화성이기 때문에, 이 조성물 자체와, 이 조성물로부터 형성된 열경화성 보호막 형성 필름이 열경화되지 않도록, 가열 건조시키는 것이 바람직하다.
바람직한 보호막 형성 필름으로는, 예를 들면, 중합체 성분(A), 열경화성 성분(B), 및 충전재(D)를 함유하는 것을 들 수 있다. 중합체 성분(A)은 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 간주할 수 있는 성분이다. 열경화성 성분(B)은 열을 반응의 트리거로 하여 경화(중합) 반응할 수 있는 성분이다. 한편, 본 명세서에 있어서 중합 반응에는, 중축합 반응도 포함된다.
이하, 보호막 형성용 조성물의 조성에 대해, 상세하게 설명한다.
＜보호막 형성용 조성물(III)＞
바람직한 보호막 형성용 조성물로는, 예를 들면, 상기 중합체 성분(A), 열경화성 성분(B), 및 충전재(D)를 함유하는 보호막 형성용 조성물(III)(본 명세서에 있어서는, 단순히 「조성물(III)」로 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다.
[중합체 성분(A)]
중합체 성분(A)은 보호막 형성 필름에 조막성이나 가요성 등을 부여하기 위한 중합체 화합물이다. 한편, 본 명세서에 있어서 중합체 화합물에는, 중축합 반응의 생성물도 포함된다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 중합체 성분(A)은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
중합체 성분(A)으로는, 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있고, 아크릴 수지가 바람직하다.
중합체 성분(A)에 있어서의 상기 아크릴 수지로는, 공지의 아크릴 중합체를 들 수 있다.
아크릴 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 10000∼2000000인 것이 바람직하고, 100000∼1500000인 것이 보다 바람직하며, 200000∼1200000인 것이 더욱 바람직하고, 300000∼1000000인 것이 특히 바람직하다. 아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 상기 하한값 이상임으로써, 조막성을 부여하는 것이보다 용이해진다. 아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 상기 상한값 이하임으로써, 상기 저장 탄성률 E'(90) 및 상기 저장 탄성률 E'(70)을 보다 작게 하기 쉬워진다.
본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다.
아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -80℃ 이상 10℃ 미만인 것이 바람직하고, -70℃ 이상 5℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, -60℃ 이상 0℃ 이하인 것이 더욱 바람직하고, -60℃ 이상 -5℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 아크릴 수지의 Tg가 상기 하한값 이상임으로써, 예를 들면, 보호막 형성 필름의 열경화물과 지지 시트의 밀착성이 억제되어, 지지 시트의 박리성이 적절히 향상된다. 아크릴 수지의 Tg가 상기 상한값 이하임으로써, 상기 저장 탄성률 E'(90) 및 상기 저장 탄성률 E'(70)을 보다 작게 하기 쉬워진다.
아크릴 수지가 m종(m은 2 이상의 정수이다)의 구성 단위를 갖고, 이들 구성 단위를 유도하는 m종의 모노머에 대해, 각각 1에서 m까지의 어느 중복되지 않는 번호를 순차 할당하여, 「모노머 m」으로 명명했을 경우, 아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 이하에 나타내는 Fox의 식을 이용하여 산출할 수 있다.
Figure pat00001
(식 중, Tg는 아크릴 수지의 유리 전이 온도이고; m은 2 이상의 정수이며; Tgk는 모노머 m의 호모 폴리머의 유리 전이 온도이고; Wk는 아크릴 수지에 있어서의, 모노머 m으로부터 유도된 구성 단위 m의 질량분율이며, 단, Wk는 하기 식을 만족한다)
Figure pat00002
(식 중, m 및 Wk는 상기와 동일하다)
상기 Tgk로는, 고분자 데이터·핸드북, 점착 핸드북 또는 Polymer Handbook 등에 기재되어 있는 값을 사용할 수 있다. 예를 들면, 아크릴산메틸의 호모 폴리머의 Tgk는 10℃이고, 메타크릴산메틸의 호모 폴리머의 Tgk는 105℃이며, 아크릴산2-히드록시에틸의 호모 폴리머의 Tgk는 -15℃이고, 메타크릴산글리시딜의 호모 폴리머의 Tgk는 41℃이며, 아크릴산2-에틸헥실의 호모 폴리머의 Tgk는 -70℃이고, 아크릴산의 호모 폴리머의 Tgk는 103℃이며, 아크릴로니트릴의 호모 폴리머의 Tgk는 97℃이고, 아크릴산n-부틸의 호모 폴리머의 Tgk는 -54℃이며, 메타크릴산2-에틸헥실의 호모 폴리머의 Tgk는 -10℃이고, 아크릴산에틸의 호모 폴리머의 Tgk는 -24℃이다.
아크릴 수지로는, 예를 들면, 1종 또는 2종 이상의 (메타)아크릴산에스테르의 중합체; 상기 (메타)아크릴산에스테르, (메타)아크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌, 및 N-메틸올아크릴아미드 등으로부터 선택되는 2종 이상의 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다. 아크릴 수지를 구성하는 모노머가 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
아크릴 수지를 구성하는 상기 (메타)아크릴산에스테르로는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴) 등의, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수가 1∼18의 사슬형 구조인, (메타)아크릴산알킬에스테르;
(메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산디시클로펜타닐 등의 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르;
(메타)아크릴산벤질 등의 (메타)아크릴산아랄킬에스테르;
(메타)아크릴산디시클로펜테닐에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐에스테르;
(메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐옥시알킬에스테르;
(메타)아크릴산이미드;
(메타)아크릴산글리시딜 등의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르;
(메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르;
(메타)아크릴산N-메틸아미노에틸 등의 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 여기서, 「치환 아미노기」란, 아미노기의 1개 또는 2개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 구조를 갖는 기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」 및 「메타크릴산」의 양쪽을 포함하는 개념이다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하며, 예를 들면, 「(메타)아크릴로일기」란, 「아크릴로일기」 및 「메타크릴로일기」의 양쪽을 포함하는 개념이고, 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 포함하는 개념이다.
아크릴 수지는 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 다른 화합물과 결합 가능한 관능기를 갖고 있어도 된다. 아크릴 수지의 상기 관능기는, 후술하는 가교제(F)를 개재하여 다른 화합물과 결합해도 되고, 가교제(F)를 개재하지 않고 다른 화합물과 직접 결합하고 있어도 된다.
바람직한 아크릴 수지의 일 예로는, 아크릴산2-에틸헥실로부터 유도된 구성 단위를 갖는 아크릴 수지(α)를 들 수 있다.
상기 아크릴 수지(α)에 있어서, 아크릴 수지(α)를 구성하는 구성 단위의 전체량에 대한 상기 아크릴산2-에틸헥실로부터 유도된 구성 단위의 비율(함유량)은, 10∼90질량％인 것이 바람직하고, 예를 들면, 25∼85질량％, 40∼80질량％, 및 50∼75질량％ 중 어느 하나여도 된다.
본 발명에 있어서는, 중합체 성분(A)으로서, 아크릴 수지 이외의 열가소성 수지(이하, 단순히 「열가소성 수지」로 약기하는 경우가 있다)를, 아크릴 수지를 사용하지 않고 단독으로 사용해도 되고, 아크릴 수지와 병용해도 된다. 상기 열가소성 수지를 사용함으로써, 보호막의 지지 시트로부터의 박리성이 향상되거나, 피착체의 요철면에 보호막 형성 필름이 추종하기 쉬워지는 경우가 있다.
상기 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 1000∼100000인 것이 바람직하고, 3000∼80000인 것이 보다 바람직하다.
상기 열가소성 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -30∼150℃인 것이 바람직하고, -20∼120℃인 것이 보다 바람직하다.
상기 열가소성 수지로는 예를 들면, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리스티렌 등을 들 수 있다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 상기 열가소성 수지는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(III)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 중합체 성분(A)의 함유량의 비율은, 중합체 성분(A)의 종류에 상관없이, 10∼85질량％인 것이 바람직하고, 15∼70질량％인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 15∼45질량％ 및 15∼35질량％ 중 어느 하나여도 되고, 20∼70질량％ 및 25∼70질량％ 중 어느 하나여도 된다.
이 내용은 보호막 형성 필름에 있어서의 보호막 형성 필름의 총 질량에 대한 중합체 성분(A)의 함유량의 비율이, 중합체 성분(A)의 종류에 상관없이, 10∼85질량％인 것이 바람직하고, 15∼70질량％인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 15∼45질량％ 및 15∼35질량％ 중 어느 하나여도 되고, 20∼70질량％ 및 25∼70질량％ 중 어느 하나여도 된다는 것과 동일하다.
이는, 용매를 함유하는 수지 조성물로부터 용매를 제거하고, 수지막을 형성하는 과정에서는, 용매 이외의 성분의 양은 통상, 변화하지 않는 것에 기초하고 있으며, 수지 조성물과 수지막에서는, 용매 이외의 성분끼리의 함유량의 비율은 동일하다. 이에, 본 명세서에 있어서는, 이후, 보호막 형성 필름의 경우에 한정하지 않고, 용매 이외의 성분의 함유량에 대해서는, 수지 조성물로부터 용매를 제거한 수지막에서의 함유량만 기재한다.
중합체 성분(A)은 열경화성 성분(B)에도 해당하는 경우가 있다. 본 발명에 있어서는, 조성물(III)이 이러한 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)의 양쪽에 해당하는 성분을 함유하는 경우, 조성물(III)은 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유한다고 간주한다.
[열경화성 성분(B)]
열경화성 성분(B)은 보호막 형성 필름을 경화시키기 위한 성분이다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 열경화성 성분(B)은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
열경화성 성분(B)으로는 예를 들면, 에폭시계 열경화성 수지, 열경화성 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있고, 에폭시계 열경화성 수지가 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 열경화성 폴리이미드 수지란, 열경화함으로써 폴리이미드 수지를 형성하는, 폴리이미드 전구체와, 열경화성 폴리이미드의 총칭이다.
(에폭시계 열경화성 수지)
에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)로 이루어진다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 에폭시계 열경화성 수지는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
·에폭시 수지(B1)
에폭시 수지(B1)로는, 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르 및 그 수첨물, 오쏘크레졸노볼락 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 2관능 이상의 에폭시 화합물을 들 수 있다.
에폭시 수지(B1)로는, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다.
에폭시 수지(B1)의 수평균 분자량은 특별히 한정되지 않으나, 보호막 형성 필름의 경화성과, 보호막의 강도 및 내열성의 점에서, 300∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하며, 300∼3000인 것이 특히 바람직하다.
에폭시 수지(B1)의 에폭시 당량은 100∼1000g/eq인 것이 바람직하고, 150∼950g/eq인 것이 보다 바람직하다.
에폭시 수지(B1)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
·열경화제(B2)
열경화제(B2)는 에폭시 수지(B1)에 대한 경화제로서 기능한다.
열경화제(B2)로는 예를 들면, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기로는 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하며, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다.
열경화제(B2) 중, 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제로는 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다.
열경화제(B2) 중, 아미노기를 갖는 아민계 경화제로는 예를 들면, 디시안디아미드 등을 들 수 있다.
열경화제(B2)는 불포화 탄화수소기를 갖고 있어도 된다.
열경화제(B2)로서 페놀계 경화제를 사용하는 경우에는, 보호막의 지지 시트로부터의 박리성이 향상되는 점에서, 열경화제(B2)는 연화점 또는 유리 전이 온도가 높은 것이 바람직하다.
열경화제(B2) 중, 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등의 수지 성분의 수평균 분자량은 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하며, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다.
열경화제(B2) 중, 예를 들면, 비페놀, 디시안디아미드 등의 비수지 성분의 분자량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 60∼500인 것이 바람직하다.
열경화제(B2)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
보호막 형성 필름에 있어서의, 열경화제(B2)의 함유량은 에폭시 수지(B1)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼100질량부인 것이 바람직하고, 0.5∼50질량부인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 0.5∼25질량부, 0.5∼10질량부, 및 0.5∼5질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화제(B2)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 보호막 형성 필름의 경화가 보다 진행되기 쉬워진다. 열경화제(B2)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 보호막 형성 필름의 흡습률이 저감되어, 보호막 형성 필름을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.
보호막 형성 필름에 있어서의, 열경화성 성분(B)의 함유량(예를 들면, 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)의 총 함유량)은, 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)의 총 함유량 100질량부에 대해, 10∼100질량부인 것이 바람직하고, 20∼70질량부인 것이 보다 바람직하며, 25∼55질량부인 것이 더욱 바람직하고, 30∼45질량부인 것이 특히 바람직하다. 열경화성 성분(B)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 예를 들면, 열경화 후의 보호막의 저장 탄성률 E'(23)을 보다 크게 하기 쉬워진다. 열경화성 성분(B)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 예를 들면, 상기 저장 탄성률 E'(90)을 보다 작게 하기 쉬워진다.
[충전재(D)]
조성물(III) 및 보호막 형성 필름은 충전재(D)를 함유하고 있는 것이 바람직하다. 보호막 형성 필름이 충전재(D)를 함유함으로써, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 보다 용이하게 조절할 수 있다. 보다 구체적으로는, 보호막 형성 필름이 함유하는 충전재(D)의 평균 입자 직경과, 보호막 형성 필름의 충전재(D)의 함유량을 조절함으로써, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 보다 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 보호막 형성 필름이 충전재(D)를 함유함으로써, 보호막 형성 필름과 보호막은 열팽창 계수의 조정이 용이해지고, 이 열팽창 계수를 보호막의 형성 대상물에 대해 최적화함으로써, 보호막 형성 필름을 사용하여 얻어진 보호막이 형성된 칩의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 보호막 형성 필름이 충전재(D)를 함유함으로써, 보호막의 흡습률을 저감하거나, 방열성을 향상시킬 수도 있다.
충전재(D)는 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 것이어도 되나, 무기 충전재인 것이 바람직하다.
바람직한 무기 충전재로는 예를 들면, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄 화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈; 이들 무기 충전재의 표면 개질품; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 또는 알루미나인 것이 바람직하고, 실리카인 것이 보다 바람직하다.
보호막 형성용 조성물에 있어서의, 충전재(D)의 그 이외의 성분에 대한 분산성이 향상되는 점에서는, 상기 실리카는 유기기로 표면 수식된 실리카인 것이 바람직하고, 비닐기, 에폭시기, 페닐기, 또는 메타크릴기로 표면 수식된 실리카인 것이 보다 바람직하며, 비닐기 또는 에폭시기로 표면 수식된 실리카인 것이 특히 바람직하다.
보호막 형성용 조성물에 있어서의, 충전재(D)의 그 이외의 성분에 대한 분산성이 향상되는 점에서는, 충전재(D)의 평균 입자 직경은 0.05∼2㎛인 것이 바람직하고, 0.2∼0.9㎛인 것이 보다 바람직하며, 0.4∼0.7㎛인 것이 특히 바람직하다. 충전재(D)의 평균 입자 직경이 상기 하한값 이상임으로써, 상기 저장 탄성률 E'(90) 및 저장 탄성률 E'(70)을 보다 작게 할 수 있는 경향이 있다.
본 명세서에 있어서 「평균 입자 직경」이란, 특별히 언급이 없는 한, 레이저 회절 산란법에 의해 구해진 입도 분포 곡선에 있어서의, 적산값 50％에서의 입자 직경(D50)의 값을 의미한다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 충전재(D)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
충전재(D)를 사용하는 경우, 보호막 형성 필름에 있어서의, 보호막 형성 필름의 총 질량에 대한 충전재(D)의 함유량의 비율은, 30질량％ 이상 70질량％ 이하인 것이 바람직하고, 예를 들면, 35질량％ 이상 70질량％ 이하, 35질량％ 이상 65질량％ 이하, 및 35질량％ 이상 59질량％ 이하 중 어느 하나여도 되며, 35질량％ 이상 50질량％ 미만이어도 된다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기의, 상기 저장 탄성률 E'(90), 상기 저장 탄성률 E'(70), 및 열경화 후의 보호막의 저장 탄성률 E'(23)을 상술한 범위로 하는 조절이 보다 용이해진다. 보호막 형성 필름에 있어서의, 보호막 형성 필름의 총 질량에 대한 충전재(D)의 함유량의 비율은, 40질량％ 이상 70질량％ 이하인 것이 바람직하고, 예를 들면, 45질량％ 이상 70질량％ 이하, 45질량％ 이상 65질량％ 이하, 및 45질량％ 이상 59질량％ 이하 중 어느 하나여도 되며, 45질량％ 이상 50질량％ 미만이어도 된다.
[경화 촉진제(C)]
조성물(III) 및 보호막 형성 필름은 경화 촉진제(C)를 함유하고 있어도 된다. 경화 촉진제(C)는 조성물(III)의 경화 속도를 조정하기 위한 성분이다.
바람직한 경화 촉진제(C)로는 예를 들면, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3차 아민; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류(1개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸); 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류(1개 이상의 수소 원자가 유기기로 치환된 포스핀); 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 경화 촉진제(C)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
경화 촉진제(C)를 사용하는 경우, 보호막 형성 필름에 있어서의, 경화 촉진제(C)의 함유량은, 열경화성 성분(B)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼7질량부인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제(C)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 경화 촉진제(C)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어져, 열경화 후의 보호막의 저장 탄성률 E'(23)을 보다 크게 하기 쉬워진다. 경화 촉진제(C)의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 예를 들면, 고극성의 경화 촉진제(C)가 고온·고습도 조건하에서 보호막 형성 필름 중에 있어서 피착체와의 접착 계면 측으로 이동하여 편석하는 것을 억제하는 효과가 높아진다. 그 결과, 보호막 형성 필름을 사용하여 얻어진 보호막이 형성된 칩의 신뢰성이 보다 향상된다.
[커플링제(E)]
조성물(III) 및 보호막 형성 필름은 커플링제(E)를 함유하고 있어도 된다. 커플링제(E)로서, 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는 것을 사용함으로써, 보호막 형성 필름으로부터 형성된 보호막의 피착체에 대한 접착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 커플링제(E)를 사용함으로써, 상기 보호막은 내열성을 저해하지 않고, 내수성이 향상된다.
커플링제(E)는 중합체 성분(A), 열경화성 성분(B) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다.
바람직한 상기 실란 커플링제로는 예를 들면, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 3-글리시딜옥시메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필메틸디에톡시실란, 3-(페닐아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아닐리노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다.
바람직한 상기 실란 커플링제로는, 1분자 중에 복수개의 알콕시실릴기를 갖는 올리고머형 실란 커플링제도 들 수 있다.
상기 올리고머형 실란 커플링제는 휘발하기 어렵고, 1분자 중에 복수개의 알콕시실릴기를 갖기 때문에, 내구성 향상에 효과적인 점에서 바람직하다.
상기 올리고머형 실란 커플링제로는 예를 들면, 에폭시기 함유 올리고머형 실란 커플링제인 「X-41-1053」, 「X-41-1059A」, 「X-41-1056」, 및 「X-40-2651」(모두 신에츠 카가쿠사 제조); 메르캅토기 함유 올리고머형 실란 커플링제인 「X-41-1818」, 「X-41-1810」, 및 「X-41-1805」(모두 신에츠 카가쿠사 제조) 등을 들 수 있다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 커플링제(E)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
커플링제(E)를 사용하는 경우, 보호막 형성 필름에 있어서의, 커플링제(E)의 함유량은, 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.03∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼5질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼2질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(E)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(D)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 보호막 형성 필름의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(E)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 커플링제(E)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다.
[가교제(F)]
중합체 성분(A)으로서, 상술한 아크릴 수지 등의, 다른 화합물과 결합 가능한 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 관능기를 갖는 것을 사용하는 경우, 조성물(III) 및 보호막 형성 필름은, 가교제(F)를 함유하고 있어도 된다. 가교제(F)는 중합체 성분(A) 중의 상기 관능기를 다른 화합물과 결합시켜 가교하기 위한 성분이며, 이와 같이 가교함으로써, 보호막 형성 필름의 점착력 및 응집력을 조절할 수 있다.
가교제(F)로는 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제), 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 가교제(F)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 저장 탄성률 E'(90) 및 상기 저장 탄성률 E'(70)을 작게 하는 점에서는, 조성물(III)이 가교제(F)를 함유하지 않거나, 또는, 조성물(III)에 있어서, 가교제(F)의 함유량이 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해, 예를 들면, 0.01질량부 미만인 등, 가교제(F)의 함유량이 적은 것이 바람직하다.
이에 비해, 일정량 이상의 가교제(F)를 사용하는 경우, 조성물(III)에 있어서, 가교제(F)의 함유량은 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.5∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 가교제(F)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 가교제(F)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 가교제(F)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 상기 저장 탄성률 E'(90) 및 상기 저장 탄성률 E'(70)을 보다 작게 하기 쉬워진다.
[에너지선 경화성 수지(G)]
조성물(III) 및 보호막 형성 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하고 있어도 된다. 보호막 형성 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하고 있음으로써, 에너지선의 조사에 의해 특성을 변화시킬 수 있다.
에너지선 경화성 수지(G)는 에너지선 경화성 화합물, 또는 에너지선 경화성 화합물로부터 합성되었다고 볼 수 있는 올리고머 또는 폴리머(중합체)이다.
상기 에너지선 경화성 화합물로는 예를 들면, 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 화합물이 바람직하다.
상기 아크릴레이트계 화합물로는 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트 등의 사슬형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트; 올리고에스테르(메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머; 에폭시 변성 (메타)아크릴레이트; 상기 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트 이외의 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다.
상기 에너지선 경화성 화합물의 중량 평균 분자량은 100∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하다.
상기 올리고머 또는 폴리머의 합성에 사용하는 상기 에너지선 경화성 화합물은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 에너지선 경화성 수지(G)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
에너지선 경화성 수지(G)를 사용하는 경우, 조성물(III)에 있어서, 조성물(III)의 총 질량에 대한 에너지선 경화성 수지(G)의 함유량의 비율은 1∼30질량％인 것이 바람직하고, 5∼25질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼20질량％인 것이 특히 바람직하다.
[광중합 개시제(H)]
조성물(III) 및 보호막 형성 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하는 경우, 에너지선 경화성 수지(G)의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제(H)를 함유하고 있어도 된다.
조성물(III)에 있어서의 광중합 개시제(H)로는 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-히드록시-1-(4-(4-(2-히드록시-2-메틸프로피오닐)벤질)페닐)-2-메틸프로판-1-온, 2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질-1-부타논 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드 등의 설파이드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 1-클로로안트라퀴논, 2-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물을 들 수 있다.
또한, 광중합 개시제(H)로는 예를 들면, 아민 등의 광증감제 등도 들 수 있다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 광중합 개시제(H)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
광중합 개시제(H)를 사용하는 경우, 조성물(III)에 있어서, 광중합 개시제(H)의 함유량은 에너지선 경화성 수지(G)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼20질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 2∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
[착색제(I)]
조성물(III) 및 보호막 형성 필름은 착색제(I)를 함유하고 있는 것이 바람직하다. 착색제(I)를 함유시킴으로써, 보호막 형성 필름 및 보호막의 광투과성을 용이하게 조절할 수 있다.
착색제(I)로는 예를 들면, 무기계 안료, 유기계 안료, 유기계 염료 등, 공지의 것을 들 수 있다.
상기 유기계 안료 및 유기계 염료로는 예를 들면, 아미늄계 색소, 시아닌계 색소, 메로시아닌계 색소, 크로코늄계 색소, 스쿠아릴륨계 색소, 아즈레늄계 색소, 폴리메틴계 색소, 나프토퀴논계 색소, 피릴륨계 색소, 프탈로시아닌계 색소, 나프탈로시아닌계 색소, 나프토락탐계 색소, 아조계 색소, 축합 아조계 색소, 인디고계 색소, 페리논계 색소, 페릴렌계 색소, 디옥사진계 색소, 퀴나크리돈계 색소, 이소인돌리논계 색소, 퀴노프탈론계 색소, 피롤계 색소, 티오인디고계 색소, 금속 착체계 색소(금속 착염 염료), 디티올 금속 착체계 색소, 인돌페놀계 색소, 트리아릴메탄계 색소, 안트라퀴논계 색소, 나프톨계 색소, 아조메틴계 색소, 벤즈이미다졸론계 색소, 피란트론계 색소, 및 스렌계 색소 등을 들 수 있다.
상기 무기계 안료로는 예를 들면, 카본 블랙, 코발트계 색소, 철계 색소, 크롬계 색소, 티타늄계 색소, 바나듐계 색소, 지르코늄계 색소, 몰리브덴계 색소, 루테늄계 색소, 백금계 색소, ITO(인듐주석옥사이드)계 색소, ATO(안티몬주석옥사이드)계 색소 등을 들 수 있다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 착색제(I)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
착색제(I)를 사용하는 경우, 보호막 형성 필름의 착색제(I)의 함유량은 목적에 따라 적절히 조절하면 된다. 예를 들면, 보호막 형성 필름의 착색제(I)의 함유량을 조절하여, 보호막 형성 필름의 광투과성을 조절함으로써, 보호막 형성 필름 또는 보호막에 대해 레이저 인자를 행한 경우의 인자 시인성을 조절할 수 있다. 또한, 보호막 형성 필름의 착색제(I)의 함유량을 조절함으로써, 보호막의 의장성을 향상시키거나, 웨이퍼의 이면의 연삭흔을 보이기 어렵게 할 수도 있다. 이들의 점을 고려하면, 보호막 형성 필름에 있어서의 보호막 형성 필름의 총 질량에 대한 착색제(I)의 함유량의 비율은 0.1∼10질량％인 것이 바람직하고, 0.1∼7.5질량％인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼5질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 착색제(I)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 예를 들면, 피착체로부터 보호막 형성 필름을 박리했을 때, 보호막 형성 필름의 피착체에 있어서의 잔존의 유무를 육안에 의해 용이하게 확인할 수 있다. 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 착색제(I)의 과잉 사용이 억제된다.
[범용 첨가제(J)]
조성물(III) 및 보호막 형성 필름은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 범용 첨가제(J)를 함유하고 있어도 된다.
범용 첨가제(J)는 공지의 것이어도 되고, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있으며, 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 게터링제, 자외선 흡수제 등을 들 수 있다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름이 함유하는 범용 첨가제(J)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(III) 및 보호막 형성 필름의 범용 첨가제(J)의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다.
[용매]
조성물(III)은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 조성물(III)은 취급성이 양호해진다.
본 명세서에 있어서, 「용매」란, 특별히 언급이 없는 한, 대상 성분을 용해 시키는 것 뿐만 아니라, 대상 성분을 분산시키는 분산매도 포함하는 개념으로 한다.
상기 용매는 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.
조성물(III)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(III)이 함유하는 용매로 보다 바람직한 것으로는 예를 들면, 조성물(III) 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤, 톨루엔, 초산에틸 등을 들 수 있다.
조성물(III)의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜보호막 형성용 조성물(III)의 제조 방법＞
조성물(III)은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.
배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법에서 적절히 선택하면 된다.
각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도와 시간은 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되나, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.
◎보호막 형성 필름의 예
도 1은 본 실시형태의 보호막 형성 필름의 일 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 한편, 이하의 설명에서 이용하는 도면은 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내는 경우가 있고, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 동일하다고는 한정되지 않는다.
여기에 나타내는 보호막 형성 필름(13)은 그 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13a) 상에 제1 박리 필름(151)을 구비하고, 상기 제1 면(13a)과는 반대측의 다른 쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13b) 상에 제2 박리 필름(152)을 구비하고 있다.
이러한 보호막 형성 필름(13)은 예를 들면, 롤 형상으로 보존하는데 바람직하다.
보호막 형성 필름(13)을 사용하여 제작한 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했을 때, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(90)이 5MPa 이하가 된다.
보호막 형성 필름(13)은 상술한 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다.
제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152)은 모두 공지의 것이어도 된다.
제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152)은 서로 동일한 것이어도 되고, 예를 들면, 보호막 형성 필름(13)으로부터 박리시킬 때 필요한 박리력이 서로 상이한 등, 서로 상이한 것이어도 된다.
도 1에 나타내는 보호막 형성 필름(13)은 제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152) 중 어느 한쪽이 제거되어 생긴 노출면이 워크(도시 생략) 중 어느 하나의 개소에 대한 첩부면이 된다. 그리고, 후술하는 지지 시트 또는 다이싱 시트를 사용하는 경우에는, 제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152)의 나머지 다른 쪽이 제거되어 생긴 보호막 형성 필름(13)의 노출면이 상기 지지 시트 또는 다이싱 시트의 첩부면이 된다.
도 1에 있어서는, 박리 필름이 보호막 형성 필름(13)의 양면(제1 면(13a), 제2 면(13b))에 형성되어 있는 예를 나타내고 있으나, 박리 필름은 보호막 형성 필름(13) 중 어느 한쪽 면만, 즉, 제1 면(13a)만 또는 제2 면(13b)에만 형성되어 있어도 된다.
본 실시형태의 보호막 형성 필름은 이하의 측면을 갖는다.
「1」 열경화성 보호막 형성 필름으로서,
상기 보호막 형성 필름의 폭 4㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -50℃에서 150℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했을 때, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(90)이 5MPa 이하, 3MPa 이하, 2MPa 이하, 0.4MPa 이하, 및 0.2MPa 이하 중 어느 하나인, 보호막 형성 필름.
「2」 상기 보호막 형성 필름의 폭 4㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -50℃에서 150℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 tanδ를 측정했을 때, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 tanδ(90)이 0.20 이상, 0.24 이상, 및 0.34 이상 중 어느 하나인, 「1」에 기재된 보호막 형성 필름.
「3」 상기 보호막 형성 필름을 가열 경화시킨 열경화물의 폭 5㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -60℃에서 300℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했을 때, 23℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(23)이 100MPa 이상, 200MPa 이상, 및 300MPa 이상 중 어느 하나인, 「1」 또는 「2」에 기재된 보호막 형성 필름.
「4」 아크릴 수지를 포함하는 중합체 성분(A)을 함유하고,
상기 아크릴 수지의 유리 전이 온도가 10℃ 미만, -80℃ 이상 10℃ 미만, -70℃ 이상 5℃ 이하, -60℃ 이상 0℃ 이하, 및 -60℃ 이상 -5℃ 이하 중 어느 하나인, 「1」∼「3」 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름.
「5」 충전재(D)를 함유하고,
상기 보호막 형성 필름의 총 질량에 대한 상기 충전재(D)의 함유량의 비율이, 50질량％ 미만, 30질량％ 이상 70질량％ 이하, 35질량％ 이상 70질량％ 이하, 35질량％ 이상 65질량％ 이하, 35질량％ 이상 59질량％ 이하, 및 35질량％ 이상 50질량％ 미만 중 어느 하나인, 「1」∼「4」 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름.
「6」 중합체 성분(A)을 함유하고,
상기 보호막 형성 필름의 총 질량에 대한 상기 중합체 성분(A)의 함유량의 비율이, 10∼85질량％, 15∼70질량％, 15∼45질량％, 15∼35질량％, 20∼70질량％, 및 25∼70질량％ 중 어느 하나인, 「1」∼「5」 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름.
「7」 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유하고,
상기 중합체 성분(A) 및 상기 열경화성 성분(B)의 총 함유량 100질량부에 대해, 상기 열경화성 성분(B)의 함유량이, 10∼100질량부, 20∼70질량부, 25∼55질량부, 및 30∼45질량부 중 어느 하나인, 「1」∼「6」 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름.
「8」 상기 보호막 형성 필름의 폭 4㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -50℃에서 150℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했을 때, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(90)은, 70℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(70)보다 작은, 「1」∼「7」 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름.
「9」 상기 저장 탄성률 E'(70)이 8MPa 이하, 3.5MPa 이하, 3MPa 이하, 및 2MPa 이하 중 어느 하나인, 「8」에 기재된 보호막 형성 필름.
본 실시형태의 보호막 형성 필름은, 후술하는 지지 시트와 병용함으로써, 보호막의 형성과 워크의 가공(예를 들면, 다이싱)을 함께 행할 수 있는, 보호막 형성용 복합 시트를 구성 가능하다. 이하, 이러한 보호막 형성용 복합 시트에 대해 설명한다.
◇보호막 형성용 복합 시트
본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트는, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 보호막 형성 필름을 구비하고 있고, 상기 보호막 형성 필름이 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성 필름이다.
본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트는 그 중의 보호막 형성 필름에 의해, 워크의 목적으로 하는 개소(예를 들면, 웨이퍼의 이면)에 첩부할 수 있다.
본 명세서에 있어서는, 보호막 형성 필름이 경화한 후에도, 지지 시트와, 보호막 형성 필름의 경화물의 적층 구조가 유지되어 있는 한, 이 적층 구조체를 「보호막 형성용 복합 시트」로 칭한다.
이하, 상기 보호막 형성용 복합 시트를 구성하는 각 층에 대해 상세하게 설명한다.
◎지지 시트
상기 지지 시트는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 지지 시트가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층의 구성 재료 및 두께는 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다.
지지 시트는 투명 및 비투명 중 어느 것이어도 되고, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다.
보호막 형성 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 지지 시트는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.
지지 시트로는 예를 들면, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면 상에 형성된 점착제층을 구비한 것; 기재만으로 이루어지는 것; 등을 들 수 있다. 지지 시트가 점착제층을 구비하고 있는 경우, 점착제층은 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 기재와 보호막 형성 필름 사이에 배치된다.
기재 및 점착제층을 구비하는 지지 시트를 사용한 경우에는, 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 지지 시트와 보호막 형성 필름 사이의 밀착성 및 박리성을 용이하게 조절할 수 있다.
기재만으로 이루어지는 지지 시트를 사용한 경우에는, 저비용으로 보호막 형성용 복합 시트를 제조할 수 있다.
본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트의 예를 이러한 지지 시트의 종류별로 이하 도면을 참조하면서 설명한다.
◎보호막 형성용 복합 시트의 일 예
도 2는 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트의 일 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
한편, 도 2 이후의 도면에 있어서, 이미 설명된 도면에 나타내는 것과 동일한 구성요소에는, 그 설명된 도면의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)는, 지지 시트(10)와, 지지 시트(10)의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(10a) 상에 형성된 보호막 형성 필름(13)을 구비하여 구성되어 있다.
지지 시트(10)는 기재(11)와, 기재(11)의 한쪽 면(제1 면)(11a) 상에 형성된 점착제층(12)을 구비하여 구성되어 있다. 보호막 형성용 복합 시트(101) 중, 점착제층(12)은 기재(11)와 보호막 형성 필름(13) 사이에 배치되어 있다.
즉, 보호막 형성용 복합 시트(101)는 기재(11), 점착제층(12), 및 보호막 형성 필름(13)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.
지지 시트(10)의 제1 면(10a)은 점착제층(12)의 기재(11)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(12a)과 동일하다.
보호막 형성용 복합 시트(101)는 추가로, 보호막 형성 필름(13) 상에 지그용 접착제층(16) 및 박리 필름(15)을 구비하고 있다.
보호막 형성용 복합 시트(101)에 있어서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 전체면 또는 거의 전체면에 보호막 형성 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성 필름(13)의 점착제층(12)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13a)의 일부, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있다. 또한, 보호막 형성 필름(13)의 제1 면(13a) 중, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 영역과, 지그용 접착제층(16)의 보호막 형성 필름(13)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(16a)에, 박리 필름(15)이 적층되어 있다. 보호막 형성 필름(13)의 제1 면(13a)과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13b)에는, 지지 시트(10)가 형성되어 있다.
보호막 형성용 복합 시트(101)의 경우에 한정되지 않고, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 박리 필름(예를 들면, 도 2에 나타내는 박리 필름(15))은 임의의 구성이며, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트는 박리 필름을 구비하고 있어도 되고, 구비하고 있지 않아도 된다.
지그용 접착제층(16)은 링 프레임 등의 지그에 보호막 형성용 복합 시트(101)를 고정하기 위해 사용한다.
지그용 접착제층(16)은 예를 들면, 접착제 성분 또는 점착제 성분을 함유하는 단층 구조를 갖고 있어도 되고, 심재가 되는 시트와, 상기 시트의 양면에 형성된 접착제 성분 또는 점착제 성분을 함유하는 층을 구비한 복수층 구조를 갖고 있어도 된다.
보호막 형성용 복합 시트(101)는 박리 필름(15)이 제거된 상태에서, 보호막 형성 필름(13)의 제1 면(13a)에 워크의 목적으로 하는 개소가 첩부되고, 또한, 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.
상기와 같이, 보호막 형성 필름(13)을 구비하는 보호막 형성용 복합 시트(101)를 사용하여, 상기 보호막이 형성된 워크 또는 상기 보호막이 형성된 워크 가공물을 제조하는 공정 중, 열경화성 보호막 형성 필름의 표면에 상흔이 형성되었을 때에도, 보호막 형성 필름(13)을 열경화시킨 후의 보호막 표면의 상흔을 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
도 3은 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(102)는, 보호막 형성 필름의 형상 및 크기가 상이하고, 지그용 접착제층이 보호막 형성 필름의 제1 면이 아닌, 점착제층의 제1 면에 적층되어 있는 점 이외에는, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)와 동일하다.
보다 구체적으로는, 보호막 형성용 복합 시트(102)에 있어서, 보호막 형성 필름(23)은 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 일부 영역, 즉, 점착제층(12)의 폭 방향(도 3에 있어서의 좌우 방향)에 있어서의 중앙측 영역에 적층되어 있다. 또한, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 보호막 형성 필름(23)이 적층되어 있지 않은 영역에 보호막 형성 필름(23)을 그 폭 방향의 외측으로부터 비접촉으로 둘러싸듯이, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있다. 그리고, 보호막 형성 필름(23)의 점착제층(12)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(23a)과, 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)에, 박리 필름(15)이 적층되어 있다. 보호막 형성 필름(23)의 제1 면(23a)과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(23b)에는, 지지 시트(10)가 형성되어 있다.
도 4는 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(103)는, 지그용 접착제층(16)을 구비하고 있지 않은 점 이외에는, 도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(102)와 동일하다.
도 5는 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(104)는, 지지 시트(10) 대신에 지지 시트(20)를 구비하여 구성되어 있는 점 이외에는, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)와 동일하다.
지지 시트(20)는 기재(11)만으로 이루어진다.
즉, 보호막 형성용 복합 시트(104)는 기재(11) 및 보호막 형성 필름(13)이 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.
지지 시트(20)의 보호막 형성 필름(13)측 면(한쪽 면)(20a)은 기재(11)의 제1 면(11a)과 동일하다.
본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트는 도 1∼도 5에 나타내는 것에 한정되지 않으며, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1∼도 5에 나타내는 것의 일부 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 지금까지 설명한 것에 또 다른 구성이 추가된 것이어도 된다.
이어서, 지지 시트를 구성하는 각 층에 대해 더욱 상세하게 설명한다.
○기재
상기 기재는 시트형 또는 필름형이고, 그 구성 재료로는 예를 들면, 각종 수지를 들 수 있다.
상기 수지로는 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 등의 폴리에틸렌; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 노르보르넨 수지 등의 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀; 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체(모노머로서 에틸렌을 사용하여 얻어진 공중합체); 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 염화비닐계 수지(모노머로서 염화비닐을 사용하여 얻어진 수지); 폴리스티렌; 폴리시클로올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복시레이트, 모든 구성 단위가 방향족 고리형기를 갖는 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르; 2종 이상의 상기 폴리에스테르의 공중합체; 폴리(메타)아크릴산에스테르; 폴리우레탄; 폴리우레탄아크릴레이트; 폴리이미드; 폴리아미드; 폴리카보네이트; 불소 수지; 폴리아세탈; 변성 폴리페닐렌옥시드; 폴리페닐렌설파이드; 폴리설폰; 폴리에테르케톤 등을 들 수 있다.
또한, 상기 수지로는 예를 들면, 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 혼합물 등의 폴리머 알로이도 들 수 있다. 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 폴리머 알로이는 폴리에스테르 이외의 수지의 양이 비교적 소량인 것이 바람직하다.
또한, 상기 수지로는 예를 들면, 여기까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상이 가교된 가교 수지; 여기까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상을 사용한 아이오노머 등의 변성 수지도 들 수 있다.
상기 수지는 내열성이 우수한 점에서는, 폴리프로필렌 또는 폴리부틸렌테레프탈레이트인 것이 바람직하다.
기재를 구성하는 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
기재의 두께는 50∼300㎛인 것이 바람직하고, 60∼100㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재의 두께가 이러한 범위임으로써, 보호막 형성용 복합 시트의 가요성과, 웨이퍼에 대한 첩부 적성이 보다 향상된다.
여기서, 「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란, 기재를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
기재는 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에, 충전재, 착색제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
기재는 투명 및 비투명 중 어느 것이어도 되고, 목적에 따라 착색되어 있어도 되며, 다른 층이 증착되어 있어도 된다.
보호막 형성 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 기재는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.
기재는 그 위에 형성되는 층(예를 들면, 점착제층, 보호막 형성 필름, 또는 상기 다른 층)과의 밀착성을 조절하기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리; 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리; 친유 처리; 친수 처리 등이 표면에 실시되어 있어도 된다. 또한, 기재는 표면이 프라이머 처리되어 있어도 된다.
기재는 특정 범위의 성분(예를 들면, 수지 등)을 함유함으로써, 적어도 한쪽 면에 있어서, 점착성을 갖는 것이어도 된다.
기재는 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지를 함유하는 기재는 상기 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다.
○점착제층
상기 점착제층은 시트형 또는 필름형이고, 점착제를 함유한다.
상기 점착제로는 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 고무계 수지, 실리콘 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의 점착성 수지를 들 수 있다.
점착제층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 1∼60㎛인 것이 보다 바람직하며, 1∼30㎛인 것이 특히 바람직하다.
여기서, 「점착제층의 두께」란, 점착제층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 점착제층의 두께란, 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
점착제층은 투명 및 비투명 중 어느 것이어도 되고, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다.
보호막 형성 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 점착제층은 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.
점착제층은 에너지선 경화성 및 비에너지선 경화성 중 어느 것이어도 된다. 에너지선 경화성 점착제층은 그 경화 전 및 경화 후에서의 물성을 조절할 수 있다. 예를 들면, 후술하는 보호막이 형성된 칩의 픽업 전, 에너지선 경화성 점착제층을 경화시킴으로써, 이 보호막이 형성된 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.
본 명세서에 있어서는, 에너지선 경화성 점착제층이 에너지선 경화한 후에도, 기재와, 에너지선 경화성 점착제층의 경화물의 적층 구조가 유지되고 있는 한, 이 적층 구조체를 「지지 시트」로 칭한다.
점착제층은 점착제를 함유하는 점착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 형성 대상면에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 점착제층을 형성할 수 있다. 점착제 조성물에 있어서의 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 점착제층에 있어서의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다.
점착제층에 있어서, 점착제층의 총 질량에 대한 점착제층의 1종 또는 2종 이상의 후술하는 함유 성분의 합계 함유량의 비율은 100질량％를 초과하지 않는다.
동일하게, 점착제 조성물에 있어서, 점착제 조성물의 총 질량에 대한 점착제 조성물의 1종 또는 2종 이상의 후술하는 함유 성분의 합계 함유량의 비율은 100질량％를 초과하지 않는다.
점착제 조성물의 도공 및 건조는 예를 들면, 상술한 보호막 형성용 조성물의 도공 및 건조의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
점착제층이 에너지선 경화성인 경우, 에너지선 경화성 점착제 조성물로는 예를 들면, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)(이하, 「점착성 수지(I-1a)」로 약기하는 경우가 있다)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-1); 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)(이하, 「점착성 수지(I-2a)」로 약기하는 경우가 있다)를 함유하는 점착제 조성물(I-2); 상기 점착성 수지(I-2a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-3) 등을 들 수 있다.
점착제층이 비에너지선 경화성인 경우, 비에너지선 경화성 점착제 조성물로는 예를 들면, 상기 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)를 함유하는 점착제 조성물(I-4) 등을 들 수 있다.
[비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)]
상기 점착성 수지(I-1a)는 아크릴 수지인 것이 바람직하다.
상기 아크릴 수지로는 예를 들면, 적어도 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴 중합체를 들 수 있다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로는 예를 들면, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기의 탄소수가 1∼20인 것을 들 수 있고, 상기 알킬기는 직쇄형 또는 분지쇄형인 것이 바람직하다.
상기 아크릴 중합체는 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다.
상기 관능기 함유 모노머로는 예를 들면, 상기 관능기가 후술하는 가교제와 반응함으로써 가교의 기점이 되는 것을 들 수 있다.
상기 관능기 함유 모노머로는 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다.
상기 아크릴 중합체는 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 및 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 다른 모노머 유래의 구성 단위를 갖고 있어도 된다.
상기 다른 모노머는 (메타)아크릴산알킬에스테르 등과 공중합 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다.
상기 다른 모노머로는 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등을 들 수 있다.
상기 점착제 조성물(I-1), 점착제 조성물(I-2), 점착제 조성물(I-3), 및 점착제 조성물(I-4)(이하, 이들 점착제 조성물을 포괄하여, 「점착제 조성물(I-1)∼(I-4)」로 약기한다)에 있어서, 상기 아크릴 중합체 등의 상기 아크릴 수지가 갖는 구성 단위는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 아크릴 중합체에 있어서, 구성 단위의 전체량에 대한 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위량의 비율은 1∼35질량％인 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-1) 또는 점착제 조성물(I-4)가 함유하는 점착성 수지(I-1a)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1) 또는 점착제 조성물(I-4)로부터 형성되는 점착제층에 있어서, 상기 점착제층의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-1a)의 함유량의 비율은 5∼99질량％인 것이 바람직하다.
[에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)]
상기 점착성 수지(I-2a)는 예를 들면, 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기에 에너지선 중합성 불포화기를 갖는 불포화기 함유 화합물을 반응시킴으로써 얻어진다.
상기 불포화기 함유 화합물은 상기 에너지선 중합성 불포화기 이외에, 추가로 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 반응함으로써, 점착성 수지(I-1a)와 결합 가능한 기를 갖는 화합물이다.
상기 에너지선 중합성 불포화기로는 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기(에테닐기), 알릴기(2-프로페닐기) 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기가 바람직하다.
점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 결합 가능한 기로는 예를 들면, 수산기 또는 아미노기와 결합 가능한 이소시아네이트기 및 글리시딜기, 그리고 카르복시기 또는 에폭시기와 결합 가능한 수산기 및 아미노기 등을 들 수 있다.
상기 불포화기 함유 화합물로는 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-2) 또는 (I-3)이 함유하는 점착성 수지(I-2a)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-2) 또는 (I-3)으로부터 형성되는 점착제층에 있어서, 상기 점착제층의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-2a)의 함유량의 비율은 5∼99질량％인 것이 바람직하다.
[에너지선 경화성 화합물]
상기 점착제 조성물(I-1) 또는 (I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다.
에너지선 경화성 화합물 중, 모노머로는 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메타)아크릴레이트 등의 다가 (메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트; 폴리에스테르(메타)아크릴레이트; 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 에폭시(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성 화합물 중, 올리고머로는 예를 들면, 상기에서 예시한 모노머의 중합체인 올리고머 등을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1) 또는 (I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1) 또는 (I-3)으로부터 형성되는 점착제층에 있어서, 상기 점착제층의 총 질량에 대한 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량의 비율은 1∼95질량％인 것이 바람직하다.
[가교제]
점착성 수지(I-1a)로서, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-1) 또는 (I-4)는 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 점착성 수지(I-2a)로서 예를 들면, 점착성 수지(I-1a)에 있어서의 것과 동일한, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-2) 또는 (I-3)은 추가로 가교제를 함유하고 있어도 된다.
상기 가교제는 예를 들면, 상기 관능기와 반응하여, 점착성 수지(I-1a)끼리 또는 점착성 수지(I-2a)끼리를 가교한다.
가교제로는 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 이들 디이소시아네이트의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제(이소시아네이트기를 갖는 가교제); 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제(글리시딜기를 갖는 가교제); 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제); 알루미늄 킬레이트 등의 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제); 이소시아누레이트계 가교제(이소시아누르산 골격을 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)가 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 점착제 조성물(I-1) 또는 (I-4)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하다.
상기 점착제 조성물(I-2) 또는 (I-3)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하다.
[광중합 개시제]
점착제 조성물(I-1), (I-2), 및 (I-3)(이하, 이들 점착제 조성물을 포괄하여, 「점착제 조성물(I-1)∼(I-3)」으로 약기한다)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-1)∼(I-3)은 자외선 등의 비교적 저에너지인 에너지선을 조사해도 충분히 경화 반응이 진행된다.
상기 광중합 개시제로는 예를 들면, 상술한 광중합 개시제(H)와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-3)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-2)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-3)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a) 및 상기 에너지선 경화성 화합물의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하다.
[그 외의 첨가제]
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)는 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는 그 외의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
상기 그 외의 첨가제로는 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전재(필러), 방청제, 착색제(안료, 염료), 증감제, 점착 부여제, 반응 지연제, 가교 촉진제(촉매) 등의 공지의 첨가제를 들 수 있다.
한편, 반응 지연제란, 예를 들면, 점착제 조성물(I-1)∼(I-4) 중에 혼입되어 있는 촉매의 작용에 의해, 보존 중의 점착제 조성물(I-1)∼(I-4)에 있어서, 목적으로 하지 않는 가교 반응이 진행되는 것을 억제하는 성분이다. 반응 지연제로는 예를 들면, 촉매에 대한 킬레이트에 의해 킬레이트 착체를 형성하는 것을 들 수 있으며, 보다 구체적으로는, 1분자 중에 카르보닐기(-C(=O)-)를 2개 이상 갖는 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)가 함유하는 그 외의 첨가제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)의 그 외의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
[용매]
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)는 용매를 함유하고 있어도 된다. 점착제 조성물(I-1)∼(I-4)는 용매를 함유하고 있음으로써, 그 도공 대상면에 대한 도공 적성이 향상된다.
상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하고, 상기 유기 용매로는 예를 들면, 메틸에틸케톤, 아세톤 등의 케톤; 초산에틸 등의 에스테르(카르복실산에스테르); 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르; 시클로헥산, n-헥산 등의 지방족 탄화수소; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소; 1-프로판올, 2-프로판올 등의 알코올 등을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)가 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 된다.
○점착제 조성물의 제조 방법
점착제 조성물은 예를 들면, 배합 성분의 종류가 상이한 점 이외에는, 앞서 설명한 보호막 형성용 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
◇보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법
상기 보호막 형성용 복합 시트는 상술한 각 층을 대응하는 위치 관계가 되도록 적층하고, 필요에 따라, 일부 또는 모든 층의 형상을 조절함으로써 제조할 수 있다. 각 층의 형성 방법은 앞서 설명한 바와 같다.
예를 들면, 지지 시트를 제조할 때, 기재 상에 점착제층을 적층하는 경우에는, 기재 상에 상술한 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시키면 된다.
또한, 박리 필름 상에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 점착제층을 형성해 두고, 이 점착제층의 노출면을 기재의 한쪽 표면과 첩합하는 방법으로도, 기재 상에 점착제층을 적층할 수 있다. 이 때, 점착제 조성물은 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다. 또한, 이 경우의 박리 필름은 보호막 형성용 복합 시트의 제조 과정 또는 사용 과정 중 어느 타이밍에 제거하면 된다.
여기까지는, 기재 상에 점착제층을 적층하는 경우를 예로 들었으나, 상술한 방법은 예를 들면, 기재 상에 점착제층 이외의 다른 층을 적층하는 경우에도 적용할 수 있다.
한편, 예를 들면, 기재 상에 적층된 점착제층 상에 추가로 보호막 형성 필름을 적층하는 경우에는, 점착제층 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하여, 보호막 형성 필름을 직접 형성하는 것이 가능하다. 보호막 형성 필름 이외의 층도, 이 층을 형성하기 위한 조성물을 사용하여, 동일한 방법으로 점착제층 상에 이 층을 적층할 수 있다. 이와 같이, 기재 상에 적층된 어느 하나의 층(이하, 「제1 층」으로 약기한다) 상에 새로운 층(이하, 「제2 층」으로 약기한다)을 형성하여, 연속하는 2층의 적층 구조(다시 말하면, 제1 층 및 제2 층의 적층 구조)를 형성하는 경우에는, 상기 제1 층 상에 상기 제2 층을 형성하기 위한 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시키는 방법을 적용할 수 있다.
단, 제2 층은 이를 형성하기 위한 조성물을 사용하여 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 이 형성된 제2 층의 상기 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측 노출면을 제1 층의 노출면과 첩합함으로써, 연속하는 2층의 적층 구조를 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 조성물은 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다. 박리 필름은 적층 구조의 형성 후, 필요에 따라 제거하면 된다.
여기서는, 점착제층 상에 보호막 형성 필름을 적층하는 경우를 예로 들었으나, 예를 들면, 점착제층 상에 보호막 형성 필름 이외의 층(필름)을 적층하는 경우 등, 대상이 되는 적층 구조는 임의로 선택할 수 있다.
이와 같이, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하는 기재 이외의 층은 모두, 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 목적으로 하는 층의 표면에 첩합하는 방법으로 적층할 수 있기 때문에, 필요에 따라 이러한 공정을 채용하는 층을 적절히 선택하여 보호막 형성용 복합 시트를 제조하면 된다.
한편, 보호막 형성용 복합 시트는 통상, 그 지지 시트와는 반대측 최표층(예를 들면, 보호막 형성 필름)의 표면에 박리 필름이 첩합된 상태로 보관된다. 따라서, 이 박리 필름(바람직하게는, 그 박리 처리면) 상에 보호막 형성용 조성물 등의 최표층을 구성하는 층을 형성하기 위한 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 최표층을 구성하는 층을 형성해 두고, 이 층의 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측 노출면 상에 나머지 각 층을 적층하여, 박리 필름을 제거하지 않고 첩합한 상태로 함으로써, 박리 필름이 형성된 보호막 형성용 복합 시트가 얻어진다.
◇보호막이 형성된 워크의 제조 방법(보호막 형성 필름 및 보호막 형성용 복합 시트의 사용 방법)
상기 보호막 형성 필름 및 보호막 형성용 복합 시트는, 워크와, 상기 워크의 어느 개소에 형성된 보호막을 구비하는 보호막이 형성된 워크의 제조에 사용할 수 있다.
본 실시형태의 보호막이 형성된 워크의 제조 방법은, 상기 보호막 형성용 복합 시트를 구성하고 있지 않은 보호막 형성 필름, 또는 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성 필름을 상기 워크의 목적으로 하는 개소에 첩부함으로써, 상기 워크 및 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성 필름이 형성된 워크를 제작하는 첩부 공정과,
상기 첩부 공정 후, 상기 보호막 형성 필름을 열경화시켜, 상기 보호막을 형성함으로써, 상기 보호막이 형성된 워크를 제작하는 열경화 공정을 갖는다.
워크가 웨이퍼인 경우에는, 상기 보호막이 형성된 워크로는, 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 이면에 형성된 보호막을 구비하는 보호막이 형성된 웨이퍼를 들 수 있다.
상기 보호막이 형성된 웨이퍼의 제조 방법은, 상기 보호막 형성용 복합 시트를 구성하고 있지 않은 보호막 형성 필름, 또는 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성 필름을 상기 웨이퍼의 이면에 첩부함으로써, 상기 웨이퍼, 및 상기 웨이퍼의 이면에 형성된 상기 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성 필름이 형성된 워크를 제작하는 첩부 공정과,
상기 첩부 공정 후, 상기 보호막 형성 필름을 열경화시켜, 상기 보호막을 형성함으로써, 상기 보호막이 형성된 워크를 제작하는 열경화 공정을 갖는다.
＜＜보호막이 형성된 웨이퍼의 제조 방법(제조 방법(1-1))＞＞
이하, 보호막이 형성된 워크의 제조 방법으로서, 보호막이 형성된 웨이퍼의 제조 방법을 예로 들어, 도면을 인용하면서 설명한다.
도 6은 본 실시형태의 보호막이 형성된 웨이퍼의 제조 방법 중, 보호막 형성 필름을 사용한 경우의 제조 방법의 일 예(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법(1-1)」으로 칭하는 경우가 있다)를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 여기서는, 도 1에 나타내는 보호막 형성 필름(13)을 사용한 경우에 대해 설명한다.
상기 제조 방법(1-1)의 상기 첩부 공정에 있어서는, 우선, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 제1 박리 필름(151)이 제거되어, 한쪽 면(여기서는, 제2 면(13b))에 제2 박리 필름(152)을 구비하고, 다른 쪽 면(여기서는, 제1 면(13a))이 노출되어 있는 보호막 형성 필름(13)을 사용하여, 그 제1 면(13a)을 웨이퍼(9)의 이면(9b)에 첩부함으로써, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)를 제작한다.
도 6(a) 중의 화살표는 보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)에 대한 첩부 방향을 나타내고 있다.
이 때, 웨이퍼(9)는 예를 들면, 여기에 나타내는 바와 같이, 자신의 온도 조절이 가능하게 되어 있는 테이블(8) 상에 설치하고, 테이블(8)의 가열에 의해, 웨이퍼(9)를 가열해 두고, 이 가열되고 있는 상태의 웨이퍼(9)에 보호막 형성 필름(13)을 첩부하는 것이 바람직하다.
웨이퍼(9)는 그 이면(9b)에 보호막 형성 필름(13)을 첩부하기 위해, 그 돌출형 전극(90)을 구비하고 있는 회로면(9a)측을 테이블(8)을 향해, 테이블(8) 상에 설치한다. 한편, 여기서는, 웨이퍼(9)의 회로의 도시는 생략하고 있다.
보호막 형성 필름(13)을 웨이퍼(9)의 이면에 첩부할 때에는, 보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)측과는 반대측으로부터 제2 박리 필름(152)을 개재하여 라미네이트 롤(16) 등의 가압 수단으로 가압한다.
보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)에 대한 첩부 조건은 특별히 한정되지 않는다. 통상, 첩부시의 보호막 형성 필름(13)의 온도(첩부 온도)는 20∼100℃인 것이 바람직하고, 보호막 형성 필름(13)을 첩부하는 속도(첩부 속도)는 0.1∼2m/min인 것이 바람직하고, 첩부시에 보호막 형성 필름(13)에 가하는 압력(첩부 압력)은 0.1∼0.6MPa인 것이 바람직하다.
도 6(b) 및 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(9)에 첩부 후의 보호막 형성 필름(13)으로부터, 제2 박리 필름(152)을 제거한다. 예를 들면, 보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)측과는 반대측으로부터 제2 박리 필름(152)을 개재하여 라미네이트 롤(16)로 가압할 때, 제2 박리 필름(152)과 라미네이트 롤(16) 사이에 입자 형상의 이물질(17)이 혼입되는 경우가 있어, 입자 형상의 이물질(17)의 가압흔(18)이 보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)측과는 반대측 표면(13b)에 형성되는 경우가 있다.
상기 제조 방법(1-1)의 상기 첩부 공정 후, 상기 열경화 공정에 있어서는, 웨이퍼(9)에 첩부 후의 보호막 형성 필름(13)을 열경화시켜, 보호막(13')을 형성함으로써, 도 6(d)에 나타내는 바와 같이, 보호막이 형성된 웨이퍼(902)를 제작한다.
열경화 공정에 있어서의 보호막 형성 필름의 가열 조건은, 보호막 형성 필름을 열경화시켜 보호막을 형성하고, 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한, 특별히 한정되지 않는다. 열경화 공정에 있어서의 보호막 형성 필름의 가열 온도는, 100∼180℃인 것이 바람직하고, 110∼160℃인 것이 보다 바람직하며, 120∼140℃인 것이 특히 바람직하다. 열경화 공정에 있어서의 보호막 형성 필름의 가열 시간은, 0.5∼5h인 것이 바람직하고, 0.5∼4h인 것이 보다 바람직하며, 1∼3h인 것이 특히 바람직하다.
종래의 보호막 형성 필름을 사용한 경우에는, 가압흔(18)이 보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)측과는 반대측 표면(13b)에 형성되었을 경우, 열경화 공정을 거쳐도 가압흔(18)이 남게 되어, 불량품이 제작된다.
이에 비해, 본 실시형태의 보호막 형성 필름을 사용한 제조 방법(1-1)의 경우에는, 가령, 보호막 형성 필름(13)의 표면에 가압흔(18) 등의 상흔이 형성되었을 경우에도, 열경화 공정을 행함으로써, 가열에 의한 자기 수복성의 효과에 의해 상흔이 작아져, 보호막(13')의 표면의 상흔을 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
상기 제조 방법(1-1)은 상기 첩부 공정 후 상기 열경화 공정 전에, 보호막 형성 필름(13)이 열경화하지 않는 조건에서 보호막 형성 필름(13)을 가열하는 가열 공정을 갖는 것이 바람직하다. 보호막 형성 필름(13)이 열경화하지 않는 조건에서 보호막 형성 필름(13)을 가열함으로써, 보호막 형성 필름(13)의 표면의 상흔을 작게 할 수 있어, 보호막(13')의 표면의 상흔을 보다 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
가열 공정에 있어서의 보호막 형성 필름의 가열 조건은, 보호막 형성 필름(13)을 열경화시키지 않고, 보호막 형성 필름(13)의 표면의 상흔을 작게 할 수 있는 한, 특별히 한정되지 않는다. 가열 공정에 있어서의 보호막 형성 필름의 가열 온도는, 75∼105℃인 것이 바람직하고, 80∼100℃인 것이 보다 바람직하며, 85∼95℃인 것이 특히 바람직하다. 가열 공정에 있어서의 보호막 형성 필름의 가열 시간은, 0.5∼5h인 것이 바람직하고, 0.5∼4h인 것이 보다 바람직하며, 1∼3h인 것이 특히 바람직하다.
상기에서 얻어진 보호막이 형성된 웨이퍼(902)를 사용하여, 웨이퍼(9)를 분할하여, 보호막(13')을 절단함으로써, 보호막이 형성된 칩(도시 생략)을 제작할 수 있다.
여기까지는, 제조 방법(1-1)으로서, 보호막 형성 필름을 사용한 경우의 보호막이 형성된 웨이퍼의 제조 방법에 대해 설명했으나, 보호막 형성 필름 대신에, 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성용 복합 시트를 사용해도, 보호막이 형성된 웨이퍼를 제조할 수 있다.
＜＜보호막이 형성된 웨이퍼의 제조 방법(제조 방법(1-2))＞＞
도 7은 본 실시형태의 보호막이 형성된 웨이퍼의 제조 방법 중, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하고 있지 않은 보호막 형성 필름을 사용하고, 추가로 반송 공정을 갖는 경우의 제조 방법의 일 예(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법(1-2)」으로 칭하는 경우가 있다)를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 여기서는, 도 1에 나타내는 보호막 형성 필름(13)을 사용한 경우에 대해 설명한다.
제조 방법(1-2)의 상기 첩부 공정은 라미네이트 롤을 이용하는 방법 등, 제조 방법(1-1)의 상기 첩부 공정과 동일한 방법으로 행할 수 있다.
상기 제조 방법(1-2)의 상기 첩부 공정에 의해, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)를 제작한다.
도 7(a)에 있어서도, 도 6(c)와 동일하게, 도시하지 않은 가압흔(18) 등의 상흔이 보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)측과는 반대측 표면(13b)에 형성되는 경우가 있다.
상기 반송 공정에 있어서는, 이어서, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901) 중의 보호막 형성 필름(13)의 노출면(여기서는, 제2 면(13b))에, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)를 반송하기 위해 사용하는 반송 수단(7)을 접촉시켜, 반송 수단(7)에 의해, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)를 고정한다.
반송 수단(7)은 공지의 것이어도 되고, 예를 들면, 반송 대상물(여기서는, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901))과의 접촉부에 있어서, 반송 대상물을 흡착함으로써 고정하는 수단(예를 들면, 이른바 흡착 암 등)을, 반송 수단(7)으로서 사용할 수 있다. 이 경우의 상기 접촉부로는, 흡착반을 들 수 있다. 단, 반송 수단(7)은 이에 한정되지 않으며, 반송 대상물을 흡착 이외에 의해 고정하는 것이어도 된다.
한편, 여기서는 반송 수단(7)만 단면 표시를 생략하고 있다.
상기 반송 공정에 있어서는, 이어서, 도 7(c)에 나타내는 바와 같이, 반송 수단(7)에 의해 고정한 상태의 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)를 테이블(8)로부터 분리한다.
도 7(c) 중의 화살표는 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)의 테이블(8)로부터의 분리 방향을 나타내고 있다.
그리고, 추가로 이대로 도 7(d)에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)를 반송 수단(7)에 의해 고정한 상태로 반송한다. 한편, 도 7(d) 중에서는, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)의 반송 방향을 화살표로 나타내고 있으나, 이는 반송 방향의 일 예이며, 반송 방향이 이 방향만으로 한정되는 것은 아니다.
상기 반송 공정에 있어서는, 이어서, 도 7(e)에 나타내는 바와 같이, 목적으로 하는 장소로 반송 후의 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)에 있어서, 반송 수단(7)에 의한 고정 상태를 해소하여, 반송 수단(7)을 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)로부터 분리한다.
이상에 의해, 상기 반송 공정이 종료된다.
상기 반송 공정 종료 후의, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901) 중의 보호막 형성 필름(13), 보다 구체적으로는, 보호막 형성 필름(13)의 제2 면(13b) 중, 반송 수단(7) 중의 고정 부위의 접촉 개소에 반송 수단(7)의 접촉에 기인하는 접촉흔(19)이 형성되는 경우가 있다. 예를 들면, 상기 고정 부위가, 평면 형상이 원형의 흡착반인 경우에는, 원형의 접촉흔(19)이 보호막 형성 필름(13)의 노출면에 형성되는 경우가 있다.
상기 제조 방법(1-2)의 상기 반송 공정 후, 상기 열경화 공정에 있어서는, 웨이퍼(9)에 첩부 후의 보호막 형성 필름(13)을 열경화시켜, 보호막(13')을 형성함으로써, 도 7(f)에 나타내는 바와 같이, 보호막이 형성된 웨이퍼(902)를 제작한다.
제조 방법(1-2)의 열경화 공정은 제조 방법(1-1)의 열경화 공정의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
종래의 보호막 형성 필름을 사용한 경우에는, 가압흔(18), 접촉흔(19) 등의 상흔이 보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)측과는 반대측 표면(13b)에 형성되었을 경우, 열경화 공정을 거쳐도 상흔이 남게 되어, 불량품이 제작된다.
이에 비해, 본 실시형태의 보호막 형성 필름을 사용한 제조 방법(1-2)의 경우에는, 가령, 보호막 형성 필름(13)의 표면에 상흔이 형성되었을 경우에도, 열경화 공정을 행함으로써, 가열에 의한 자기 수복성의 효과에 의해 상흔이 작아져, 보호막(13')의 표면의 상흔을 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
상기 제조 방법(1-2)은 상기 반송 공정 후 상기 열경화 공정 전에, 보호막 형성 필름(13)이 열경화하지 않는 조건에서 보호막 형성 필름(13)을 가열하는 가열 공정을 갖는 것이 바람직하다. 보호막 형성 필름(13)이 열경화하지 않는 조건에서 보호막 형성 필름(13)을 가열함으로써, 보호막 형성 필름(13)의 표면의 상흔을 작게 할 수 있어, 보호막(13')의 표면의 상흔을 보다 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
제조 방법(1-2)의 가열 공정은 제조 방법(1-1)의 가열 공정의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
상기에서 얻어진 보호막이 형성된 웨이퍼(902)를 사용하여, 웨이퍼(9)를 분할하여, 보호막(13')을 절단함으로써, 보호막이 형성된 칩(도시 생략)을 제작할 수 있다.
＜＜보호막이 형성된 워크의 제조 방법의 변형예＞＞
본 실시형태의 보호막이 형성된 워크의 제조 방법은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상기 첩부 공정과, 상기 반송 공정과, 상기 가열 공정과, 상기 열경화 공정 중 어느 것에도 해당하지 않는 다른 공정을 갖고 있어도 된다.
상기 다른 공정은 목적에 따라 임의로 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
상기 다른 공정을 행하는 타이밍은 상기 다른 공정의 내용에 따라, 적절히 선택할 수 있다.
상기 보호막이 형성된 웨이퍼의 제조 방법에 있어서의 상기 다른 공정의 일 예로는, 상기 웨이퍼로서 그 회로면에 백그라인드 테이프가 형성되어 있는 것을 사용하는 경우이면, 상기 첩부 공정 전에, 상기 웨이퍼의 회로면으로부터 백그라인드 테이프를 제거하는 백그라인드 테이프 제거 공정을 들 수 있다.
상기 백그라인드 테이프는 공지의 것이이도 되고, 상기 백그라인드 테이프의, 웨이퍼의 회로면에 대한 첩부와 웨이퍼의 회로면으로부터의 제거는, 공지의 방법으로 행할 수 있다.
지금까지는, 상기 제조 방법(1-1) 및 상기 제조 방법(1-2)으로서, 도 1에 나타내는 보호막 형성 필름(13)을 사용한 경우에 대해 설명했으나, 본 실시형태의 보호막이 형성된 워크의 제조 방법에 있어서는, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101), 도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(102), 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(103), 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(104) 등을 비롯한, 보호막 형성용 복합 시트를 사용해도 된다.
상기 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우에는, 상기 보호막 형성용 복합 시트와, 도 1에 나타내는 보호막 형성 필름(13)의 구성의 상이에 기초하여, 본 실시형태의 보호막이 형성된 워크의 제조 방법은, 어느 타이밍에서 행하는 상기 다른 공정을 갖고 있어도 된다.
◇보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법(보호막 형성 필름 및 보호막 형성용 복합 시트의 사용 방법)
상기 보호막 형성 필름 및 보호막 형성용 복합 시트는, 워크를 가공함으로써 얻어진 워크 가공물과, 상기 워크 가공물의 어느 개소에 형성된 보호막을 구비하는 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조에 사용할 수 있다.
본 실시형태의 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법은, 워크를 가공함으로써 워크 가공물을 제작하는 공정을 갖는 점에서, 상술한 보호막이 형성된 워크의 제조 방법과는 상이하다.
본 실시형태의 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법은, 상기 보호막 형성용 복합 시트를 구성하고 있지 않은 상기 보호막 형성 필름, 또는 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성 필름을 상기 워크의 목적으로 하는 개소에 첩부함으로써, 상기 워크 및 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성 필름이 형성된 워크를 제작하는 첩부 공정과, 상기 첩부 공정 후, 상기 워크를 가공함으로써, 상기 워크 가공물을 제작하는 가공 공정과, 상기 첩부 공정 후, 상기 보호막 형성 필름을 열경화시킴으로써, 상기 보호막을 형성하는 열경화 공정을 갖는다.
워크가 웨이퍼인 경우에는, 상기 보호막이 형성된 워크 가공물로는, 칩과, 상기 칩의 이면에 형성된 보호막을 구비하는 보호막이 형성된 칩을 들 수 있다.
상기 보호막이 형성된 칩의 제조 방법은, 상기 보호막 형성용 복합 시트를 구성하고 있지 않은 보호막 형성 필름, 또는 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성 필름을 웨이퍼의 이면에 첩부함으로써, 상기 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 이면에 형성된 상기 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼를 제작하는 첩부 공정과, 상기 첩부 공정 후, 상기 웨이퍼를 분할함으로써, 칩을 제작하는 가공 공정(「분할 공정」이라고 할 수도 있다)과, 상기 첩부 공정 후, 상기 보호막 형성 필름을 열경화시킴으로써, 상기 보호막을 형성하는 열경화 공정을 갖는다.
＜＜보호막이 형성된 칩의 제조 방법(제조 방법(2-1))＞＞
이하, 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법으로서, 보호막이 형성된 칩의 제조 방법을 예로 들어, 도면을 인용하면서 설명한다.
도 8은 본 실시형태의 보호막이 형성된 칩의 제조 방법 중, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하고 있지 않은 보호막 형성 필름을 사용한 경우의 제조 방법의 일 예(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법(2-1)」으로 칭하는 경우가 있다)를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 여기서는, 도 1에 나타내는 보호막 형성 필름(13)을 사용한 경우에 대해 설명한다.
상기 제조 방법(2-1)의 상기 첩부 공정에 있어서는, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 제1 박리 필름(151)을 제거한 보호막 형성 필름(13)의 표면(13a)을 웨이퍼(9)의 이면(9b)에 첩부함으로써, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)를 제작한다.
제조 방법(2-1)의 상기 첩부 공정은 라미네이트 롤을 사용하는 방법 등, 제조 방법(1-1)의 상기 첩부 공정과 동일한 방법으로 행할 수 있다.
제조 방법(2-1)의 상기 첩부 공정에 있어서도, 제조 방법(1-1)의 상기 첩부 공정과 동일하게, 도시하지 않은 가압흔(18) 등의 상흔이 보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)측과는 반대측 표면(13b)에 형성되는 경우가 있다.
상기 제조 방법(2-1)의 상기 첩부 공정 후 상기 가공 공정 전에, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)로부터, 제2 박리 필름(152)을 제거하고, 이에 의해 새롭게 생긴 노출면, 즉 보호막 형성 필름(13)의 제2 면(13b)에 다이싱 시트(80)를 첩부한다. 다이싱 시트(80)는 기재(81)와, 그 한쪽 면에 형성된 점착제층(82)을 구비하고 있다. 본 공정에 있어서는, 점착제층(82)의 기재(81)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(82a)을 보호막 형성 필름(13)의 제2 면(13b)에 첩부한다. 점착제층(82)의 제1 면(82a)은 다이싱 시트(80)의 제1 면(80a)과 동일하다.
이와 같이, 상기 제조 방법(2-1)은 상기 첩부 공정과 상기 가공 공정 사이에, 상기 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼 중의 상기 보호막 형성 필름의 상기 웨이퍼측과는 반대측 면에 다이싱 시트를 첩부하는 다이싱 시트 첩부 공정을 갖는다.
다이싱 시트(80)는 보호막 형성용 복합 시트(101) 중의 지지 시트(10)와 동일한 구성을 갖는 것이어도 된다.
여기서는, 다이싱 시트(80)를 사용한 경우에 대해 나타내고 있으나, 제조 방법(2-1)에 있어서는, 예를 들면, 기재만으로 이루어지는 다이싱 시트 등, 다이싱 시트(80) 이외의 공지의 다이싱 시트를 사용해도 된다.
다이싱 시트(80)의 보호막 형성 필름(13)에 대한 첩부는 공지의 방법으로 행할 수 있으며, 예를 들면, 제조 방법(1-1)의 상기 첩부 공정에 있어서의, 보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)에 대한 첩부의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
다이싱 시트(80)를 보호막 형성 필름(13)의 표면(13b)에 첩부할 때, 예를 들면, 다이싱 시트(80)와 라미네이트 롤(16) 사이에 입자 형상의 이물질(17)이 혼입되는 경우가 있어, 도시하지 않은 가압흔(18) 등의 상흔이 보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)측과는 반대측 표면(13b)에 형성되는 경우가 있다.
상기 제조 방법(2-1)의 상기 첩부 공정 후, 상기 가공 공정에 있어서는, 웨이퍼(9)를 분할함으로써 칩(90)을 제작한다.
또한, 상기 첩부 공정 후, 절단 공정에 있어서는, 보호막 형성 필름(13)을 절단한다.
상기 가공 공정 및 절단 공정을 행함으로써, 도 8(c)에 나타내는 바와 같이, 칩(90)과, 그 이면(90b)에 형성된 절단 후의 보호막 형성 필름(130)을 구비하는 보호막 형성 필름이 형성된 칩(913)을 제작함과 함께, 지지 시트(10) 상에서, 복수개의 이들 보호막 형성 필름이 형성된 칩(913)이 정렬된 상태로 유지되어 구성된, 보호막 형성 필름이 형성된 칩군(903)을 제작한다.
도 8(c) 중, 부호 130a는, 절단 후의 보호막 형성 필름(130)의 제1 면을 나타내고 있고, 보호막 형성 필름(13)의 제1 면(13a)에 대응되고 있다. 또한, 부호 130b는, 절단 후의 보호막 형성 필름(130)의 제2 면을 나타내고 있고, 보호막 형성 필름(13)의 제2 면(13b)에 대응되고 있다.
제조 방법(2-1)에 있어서는, 상기 첩부 공정 후, 상기 가공 공정과 상기 절단 공정을 동시에 행하거나, 또는 상기 가공 공정을 행한 후 상기 절단 공정을 행하는 것이 바람직하다.
제조 방법(2-1)에 있어서는, 웨이퍼의 가공(분할)과, 보호막 형성 필름의 절단을 그 순서에 상관없이, 중단하지 않고 동일한 조작에 의해 연속적으로 행한 경우에는, 가공 공정 및 절단 공정을 동시에 행한 것으로 간주한다.
상기 가공 공정 및 절단 공정은 모두, 이들을 행하는 순서에 따라, 공지의 방법으로 행할 수 있다.
예를 들면, 가공 공정 및 절단 공정을 동시에 행하는 경우에는, 블레이드를 사용하는 블레이드 다이싱, 레이저 조사에 의한 레이저 다이싱, 또는 연마제를 포함하는 물의 분사에 의한 워터 다이싱 등의 각종 다이싱에 의해, 웨이퍼(9)의 분할과, 보호막 형성 필름(13)의 절단을 동시에 행할 수 있다.
또한, 스텔스 다이싱(등록상표)에 의해 개질층을 형성하고, 또한 분할을 행하지 않은 웨이퍼(9)와, 보호막 형성 필름(13)을 함께, 이들의 표면에 대해 평행 방향으로 인장하는, 이른바 익스팬드를 행함으로써도, 웨이퍼(9)의 분할과, 보호막 형성 필름(13)의 절단을 동시에 행할 수 있다. 이러한 익스팬드는 -20∼5℃ 등의 저온하에 있어서 행하는 것이 바람직하다.
스텔스 다이싱(등록상표)이란, 이하와 같은 방법이다. 즉, 우선, 웨이퍼의 내부에 있어서, 분할 예정 개소를 설정하고, 이 개소를 초점으로 하여, 이 초점에 집속하도록 레이저광을 조사함으로써, 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성한다. 웨이퍼의 개질층은 웨이퍼의 다른 개소와는 달리, 레이저광의 조사에 의해 변질되어 있어, 강도가 약하게 되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼에 힘이 가해짐으로써, 웨이퍼의 내부의 개질층에 있어서, 웨이퍼의 양면 방향으로 연장되는 균열이 발생하여, 웨이퍼의 분할의 기점이 된다. 이어서, 웨이퍼에 힘을 가하여, 상기 개질층의 부위에 있어서 웨이퍼를 분할하여, 칩을 제작한다.
예를 들면, 제조 방법(2-1)에 있어서, 상기 가공 공정 및 절단 공정을 행함으로써, 도 8(c)에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성 필름이 형성된 칩(913)을 제작함과 함께, 다이싱 시트(80) 상에서, 복수개의 이들 보호막 형성 필름이 형성된 칩(913)이 정렬된 상태로 유지되어 구성된, 보호막 형성 필름이 형성된 칩군(903)을 제작한다.
제조 방법(2-1)의 상기 가공 공정 및 절단 공정 후, 상기 열경화 공정을 행함으로써, 도 8(d)에 나타내는 바와 같이, 보호막이 형성된 칩(913')을 제작함과 함께, 다이싱 시트(80) 상에서, 복수개의 이들 보호막이 형성된 칩(913')이 정렬된 상태로 유지되어 구성된, 보호막이 형성된 칩군(904)을 제작한다.
도 8(d) 중, 부호 130a'는, 보호막(130')의 제1 면을 나타내고 있고, 절단 후의 보호막 형성 필름(130)의 제1 면(130a)에 대응되고 있다. 또한, 부호 130b'는, 보호막(130')의 제2 면을 나타내고 있고, 절단 후의 보호막 형성 필름(130)의 제2 면(130b)에 대응되고 있다.
제조 방법(2-1)의 열경화 공정은 제조 방법(1-1)의 열경화 공정의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
제조 방법(2-1)의 경우에도, 상술한 실시형태의 보호막 형성 필름을 사용하고 있으므로, 제조 방법(1-1)의 경우와 동일하게, 가령, 보호막 형성 필름(13)의 표면에 가압흔(18) 등의 상흔이 형성되었을 경우에도, 열경화 공정을 행함으로써, 가열에 의한 자기 수복성의 효과에 의해 상흔이 작아져, 보호막(13')의 표면의 상흔을 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
상기 제조 방법(2-1)은 상기 첩부 공정 후 상기 가공 공정 전에, 또는, 상기 가공 공정 후 상기 열경화 공정 전에, 보호막 형성 필름(130)이 열경화하지 않는 조건에서 보호막 형성 필름(130)을 가열하는 가열 공정을 갖는 것이 바람직하다. 보호막 형성 필름(130)이 열경화하지 않는 조건에서 보호막 형성 필름(130)을 가열함으로써, 보호막 형성 필름(130)의 표면의 상흔을 작게 할 수 있어, 보호막(130')의 표면의 상흔을 보다 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
제조 방법(2-1)의 가열 공정은 제조 방법(1-1)의 가열 공정의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
상기 가열 공정 및 상기 열경화 공정에 있어서는, 보호막 형성 필름이 형성된 칩군(903)을 그 표면(예를 들면, 절단 후의 보호막 형성 필름(130)의 제1 면(130a), 칩(90)의 이면(90b))이 수평 방향에 대해 평행이 되도록 배치(이른바, 「가로 배치」)하여 보호막 형성 필름(130)을 가열할 수 있어, 열경화시킬 수 있다.
한편, 상기 가열 공정 및 상기 열경화 공정에 있어서는, 보호막 형성 필름이 형성된 칩군(903)을 그 표면(상기와 동일함)이 수평 방향에 대해 직교하도록(다시 말하면, 연직 방향에 대해 평행이 되도록) 배치(이른바, 「세로 배치」)하여, 보호막 형성 필름(130)을 가열해도 되고, 열경화시켜도 된다. 이와 같이 보호막 형성 필름이 형성된 칩군(902)를 세로 배치로 하여 가열했을 경우에는, 가로 배치로 하여 가열했을 경우보다, 다이싱 시트(80)의, 보호막이 형성된 칩(913')을 유지하고 있는 영역에 있어서의, 늘어짐의 발생을 억제할 수 있다.
제조 방법(2-1)의 상기 열경화 공정 후에는, 도 8(e)에 나타내는 바와 같이, 보호막이 형성된 칩군(904) 중의 보호막이 형성된 칩(913')을 다이싱 시트(80)로부터 분리하여 픽업하는 픽업 공정을 행함으로써, 목적으로 하는 보호막이 형성된 칩(913')을 취출할 수 있다.
제조 방법(2-1)의 상기 픽업 공정에 있어서는, 보호막이 형성된 칩(913') 중의 보호막(130')의 제2 면(130b')과, 다이싱 시트(80) 중의 점착제층(82)의 제1 면(82a) 사이에 박리가 발생한다.
보호막이 형성된 칩(913')은 공지의 방법으로 픽업할 수 있다.
보호막이 형성된 칩(913')을 밀어올림 니들핀 등의 밀어올림 수단을 사용하여 픽업할 수 있다. 여기서는, 진공 콜릿 등의 분리 수단(8)을 이용하여, 보호막이 형성된 칩(913')을 화살표 P 방향으로 분리하는 경우를 나타내고 있다.
한편, 여기서는 분리 수단(8)만 단면 표시를 생략하고 있다.
＜＜보호막이 형성된 칩의 제조 방법(제조 방법(2-2))＞＞
도 9는 본 실시형태의 보호막이 형성된 칩의 제조 방법 중, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성 필름을 사용한 경우의 제조 방법의 일 예(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법(2-2)」으로 칭하는 경우가 있다)를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 여기서는, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)를 사용한 경우에 대해 설명한다.
상기 제조 방법(2-2)의 상기 첩부 공정에 있어서는, 도 9(a)에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성용 복합 시트(101) 중의 보호막 형성 필름(13), 보다 구체적으로는, 박리 필름(15)을 제거한 보호막 형성 필름(13)을 웨이퍼(9)의 이면(9b)에 첩부함으로써, 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)를 제작한다.
제조 방법(2-2)에 있어서는, 상기 첩부 공정 이후, 상술한 다이싱 시트(80)를 구비하고 있는 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901) 대신에, 지지 시트(10)를 구비하고 있는 보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼(901)를 사용하는 점, 및 열경화 공정 전에 픽업 공정을 행하는 점을 제외하면, 제조 방법(2-1)의 경우와 동일한 방법으로 가공 공정 및 절단 공정을 행할 수 있다.
예를 들면, 제조 방법(2-2)에 있어서, 상기 가공 공정 및 절단 공정을 행함으로써, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성 필름이 형성된 칩(913)을 제작함과 함께, 지지 시트(10) 상에서, 복수개의 이들 보호막 형성 필름이 형성된 칩(913)이 정렬된 상태로 유지되어 구성된, 보호막 형성 필름이 형성된 칩군(905)을 제작한다.
보호막 형성 필름이 형성된 칩군(905)은 다이싱 시트(80) 대신에 지지 시트(10)를 구비하고 있는 점 이외에는, 제조 방법(2-1)에 있어서의 보호막 형성 필름이 형성된 칩군(903)과 동일하다.
웨이퍼(9)의 분할 방법은 예를 들면, 제조 방법(2-1)의 상기 가공 공정에 있어서의 웨이퍼(9)의 분할 방법과 동일해도 된다.
제조 방법(2-2)에 있어서, 보호막 형성 필름(13)의 절단은 공지의 방법이어도 되고, 예를 들면, 제조 방법(2-1)의 상기 절단 공정에 있어서의 보호막 형성 필름(13)의 절단 방법과 동일해도 된다.
얻어진 상기 보호막 형성 필름이 형성된 칩(913)을 사용하여, 보호막 형성 필름이 형성된 칩(913)을 지지 시트(10)으로부터 분리하여 픽업함으로써, 도 9(c)에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성 필름이 형성된 칩(913)을 취출할 수 있다. 이 때의 공정은 제조 방법(2-1)에 있어서 설명한 픽업 공정과 동일해도 된다.
제조 방법(2-2)의 상기 픽업 공정에 있어서는, 보호막 형성 필름이 형성된 칩(913) 중의 보호막 형성 필름(130)의 제2 면(130b)과, 지지 시트(10) 중의 점착제층(12)의 제1 면(12a) 사이에 박리가 발생한다.
보호막 형성 필름이 형성된 칩(913)을 밀어올림 니들핀 등의 밀어올림 수단을 이용하여 픽업하면, 보호막 형성 필름(130)의 밀어올림 수단에 의한 밀어올림 개소에 패임 자국(니들 자국) 등의 상흔이 형성되는 경우가 있다.
상기 제조 방법(2-2)의 픽업 공정 후, 상기 열경화 공정에 있어서는, 보호막 형성 필름이 형성된 칩(913)에 있어서의 보호막 형성 필름(130)을 열경화시켜, 보호막(130')을 형성함으로써, 보호막이 형성된 칩(913')을 제작한다.
도 9(d) 중, 부호 130a'는, 보호막(130')의 제1 면을 나타내고 있고, 절단 후의 보호막 형성 필름(130)의 제1 면(130a)에 대응되고 있다. 또한, 부호 130b'는, 보호막(130')의 제2 면을 나타내고 있고, 절단 후의 보호막 형성 필름(130)의 제2 면(130b)에 대응되고 있다.
제조 방법(2-2)의 열경화 공정은 제조 방법(1-1)의 열경화 공정의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
종래의 보호막 형성 필름을 사용한 경우에는, 도시하지 않은 패임 자국 등의 상흔이 보호막 형성 필름(13)의 웨이퍼(9)측과는 반대측 표면(130b)에 형성되었을 경우, 열경화 공정을 거쳐도 상흔이 남게 되어, 불량품이 제작된다.
이에 대해, 본 실시형태의 보호막 형성 필름을 사용한 제조 방법(2-2)의 경우에는, 가령, 보호막 형성 필름(13)의 표면에 상흔이 형성되었을 경우에도, 열경화 공정을 행함으로써, 가열에 의한 자기 수복성의 효과에 의해 상흔이 작아져, 보호막(13')의 표면의 상흔을 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
상기 제조 방법(2-2)은 상기 픽업 공정 후 상기 열경화 공정 전에, 보호막 형성 필름(130)이 열경화하지 않는 조건에서 보호막 형성 필름(130)을 가열하는 가열 공정을 갖는 것이 바람직하다. 보호막 형성 필름(130)이 열경화하지 않는 조건에서 보호막 형성 필름(130)을 가열함으로써, 보호막 형성 필름(130)의 표면의 상흔을 작게 할 수 있어, 보호막(130')의 표면의 상흔을 보다 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
제조 방법(2-2)의 가열 공정은 제조 방법(1-1)의 가열 공정의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
여기까지는, 상기 제조 방법(2-2)으로서, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)를 사용한 경우에 대해 설명했으나, 본 실시형태의 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법에 있어서는, 도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(102), 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(103), 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(104) 등을 비롯한, 다른 보호막 형성용 복합 시트를 사용해도 된다.
상기 다른 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우에는, 상기 다른 보호막 형성용 복합 시트와, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)의 구성의 상이에 기초하여, 본 실시형태의 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법은, 어느 타이밍에서 행하는 상기 다른 공정을 갖고 있어도 된다.
여기까지는, 상기 제조 방법(2-2)으로서, 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 경우의 보호막이 형성된 칩의 제조 방법에 대해 설명했으나, 보호막 형성용 복합 시트 대신에, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하고 있지 않은 보호막 형성 필름을 사용해도, 보호막이 형성된 칩을 제조할 수 있다.
＜＜보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법의 변형예＞＞
본 실시형태의 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상기 첩부 공정과, 상기 가공 공정과, 상기 절단 공정과, 상기 가열 공정과, 상기 열경화 공정과, 상기 픽업 공정과, 상기 다이싱 시트 첩부 공정 중 어느 것에도 해당하지 않는 다른 공정을 갖고 있어도 된다.
상기 다른 공정은 목적에 따라 임의로 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
상기 다른 공정을 행하는 타이밍은 상기 다른 공정의 내용에 따라, 적절히 선택할 수 있다.
상기 보호막이 형성된 칩의 제조 방법에 있어서의 상기 다른 공정의 일 예로는, 상기 첩부 공정 전에, 상기 웨이퍼의 회로면에 백그라인드 테이프를 첩부하는 백그라인드 테이프 첩부 공정과, 상기 백그라인드 테이프 첩부 공정 후, 상기 가공 공정 전 및 상기 절단 공정 전에, 상기 웨이퍼의 회로면으로부터 백그라인드 테이프를 제거하는 백그라인드 테이프 제거 공정을 들 수 있다.
상기 백그라인드 테이프는 공지의 것이어도 되고, 상기 백그라인드 테이프의, 웨이퍼의 회로면에 대한 첩부와, 웨이퍼의 회로면으로부터의 제거는, 공지의 방법으로 행할 수 있다.
본 명세서에 있어서는, 단순한 「첩부 공정」이라는 기재는, 「다이싱 시트 첩부 공정」과, 「백그라인드 테이프 첩부 공정」의 어느 것에도 해당하지 않는, 상술한 상기 보호막 형성 필름, 또는 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성 필름을 워크의 목적으로 하는 개소(예를 들면, 웨이퍼의 이면)에 첩부하는 공정을 의미한다.
상기 보호막이 형성된 칩의 제조 방법에 있어서의 상기 다른 공정의 다른 예로는, 상기 첩부 공정 후 상기 픽업 공정 전에, 상기 보호막 형성 필름 또는 보호막의, 상기 웨이퍼측과는 반대측, 또는 상기 칩측과는 반대측 면에 레이저 인자를 행하는 인자 공정을 들 수 있다.
보호막 형성 필름 또는 보호막에 대한 레이저 인자는, 공지의 방법으로 행할 수 있다.
◇기판 장치의 제조 방법(보호막이 형성된 워크 가공물의 사용 방법)
상술한 제조 방법에 의해 보호막이 형성된 워크 가공물을 얻은 후에는, 종래의 보호막이 형성된 워크 가공물 대신에, 이 보호막이 형성된 워크 가공물을 사용하는 점을 제외하면, 종래의 기판 장치의 제조 방법과 동일한 방법으로 기판 장치를 제조할 수 있다.
이러한 기판 장치의 제조 방법으로는, 예를 들면, 상기 보호막 형성 필름을 사용하여 얻어진 보호막이 형성된 워크 가공물 상의 돌출형 전극을 회로 기판 상의 접속 패드에 접촉시킴으로써, 상기 돌출형 전극과, 상기 회로 기판 상의 접속 패드를 전기적으로 접속하는 플립 칩 접속 공정을 갖는 제조 방법을 들 수 있다.
실시예
이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 전혀 아니다.
＜수지의 제조 원료＞
본 실시예 및 비교예에 있어서 약기하고 있는 수지의 제조 원료의 정식 명칭을 이하에 나타낸다.
MA: 아크릴산메틸
HEA: 아크릴산2-히드록시에틸
2EHA: 아크릴산2-에틸헥실
2EHMA: 메타크릴산2-에틸헥실
GMA: 메타크릴산글리시딜
MMA: 메타크릴산메틸
BA: 아크릴산n-부틸
EA: 아크릴산에틸
＜보호막 형성용 조성물의 제조 원료＞
보호막 형성용 조성물의 제조에 사용한 원료를 이하에 나타낸다.
[중합체 성분(A)]
(A)-1: 2EHA(65질량부), MMA(25질량부), 및 HEA(10질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량: 50만, 유리 전이 온도: -38℃)
(A)-2: BA(40질량부), EA(25질량부), MMA(30질량부), 및 GMA(5질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량: 50만, 유리 전이 온도: -9℃)
(A)-3: 2EHA(30질량부), EA(35질량부), MMA(30질량부), 및 GMA(5질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량: 50만, 유리 전이 온도: -12℃)
(A)-4: 2EHA(73질량부), MA(12질량부), GMA(3질량부), 및 HEA(12질량부)를 공중합하여 이루어지는 공중합체(중량 평균 분자량: 55만, 유리 전이 온도: -55℃)
(A)-5: 2EHA(12질량부), MA(73질량부), GMA(3질량부), 및 HEA(12질량부)를 공중합하여 이루어지는 공중합체(중량 평균 분자량: 55만, 유리 전이 온도: -5℃)
(A)-6: 2EHMA(85질량부), MA(7질량부), 및 HEA(8질량부)를 공중합하여 이루어지는 공중합체(중량 평균 분자량: 65만, 유리 전이 온도: -9℃)
(A)-7: BA(60질량부), MA(10질량부), GMA(17질량부), 및 HEA(13질량부)를 공중합하여 이루어지는 공중합체(중량 평균 분자량: 50만, 유리 전이 온도: -31℃)
(A)-8: MA(87질량부) 및 HEA(13질량부)를 공중합하여 이루어지는 공중합체(중량 평균 분자량: 45만, 유리 전이 온도: 6℃)
[에폭시 수지(B1)]
(B1)-1: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「jER828」, 에폭시 당량: 184∼194g/eq)
(B1)-2: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「에피클론 HP-7200」, 에폭시 당량: 254∼264g/eq)
(B1)-3: 비스페놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「jER1055」, 에폭시 당량: 800∼900g/eq)
(B1)-4: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(닛폰 카야쿠사 제조 「XD-1000」, 에폭시 당량: 248g/eq)
(B1)-5: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「에피클론 HP-7200HH」, 에폭시 당량: 274∼286g/eq)
[열경화제(B2)]
(B2)-1: 디시안디아미드(열활성 잠재성 에폭시 수지 경화제, 미츠비시 카가쿠사 제조 「DICY7」)
[경화 촉진제(C)]
(C)-1: 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 카세이 코교사 제조 「큐어졸 2PHZ」)
[충전재(D)]
(D)-1: 실리카 필러(아드마텍스사 제조 「SC2050MA」, 에폭시기로 표면 수식된 구형 실리카 필러, 평균 입자 직경: 0.5㎛)
(D)-2: 실리카 필러(가부시키가이샤 타츠모리 제조 「SV-10」(평균 입자 직경: 10㎛의 구형 실리카 필러)를 분쇄한 것, 분쇄 후의 평균 입자 직경: 2.0㎛)
(D)-3: 실리카 필러(아드마텍스사 제조 「SC105G-MMQ」, 비닐기로 표면 수식된 구형 실리카 필러, 평균 입자 직경: 0.3㎛)
(E)-1: 에폭시기, 메틸기, 및 메톡시기를 갖는 올리고머형 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「X-41-1056」, 에폭시 당량 280g/eq)
[착색제(I)]
(I)-1: 유기계 흑색 안료(다이이치 세이카 코교사 제조 「6377 블랙」)
(I)-2: 카본 블랙(미츠비시 케미컬사 제조 「MA-600」)
[실시예 1]
＜＜보호막 형성 필름의 제조＞＞
＜보호막 형성용 조성물(III)-1의 제조＞
중합체 성분(A)-1(30.1질량부), 에폭시 수지(B1)-1(12.0질량부), 에폭시 수지(B1)-2(6.0질량부), 열경화제(B2)-1(0.4질량부), 경화 촉진제(C)-1(0.4질량부), 충전재(D)-1(48.1질량부), 커플링제(E)-1(0.4질량부), 및 착색제(I)-1(2.5질량부)를 메틸에틸케톤에 용해 또는 분산시키고, 23℃에서 교반함으로써, 용매 이외의 모든 성분의 합계 농도가 60질량％인 열경화성 보호막 형성용 조성물(III)-1을 얻었다. 여기에 나타내는 메틸에틸케톤 이외의 성분의 배합량은 모두, 용매를 포함하지 않는 목적물의 배합량이다.
＜보호막 형성 필름의 제조＞
폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 한쪽 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(제2 박리 필름, 린텍사 제조 「SP-PET502150」, 두께 50㎛)을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 보호막 형성용 조성물(III)-1을 도공하고, 100℃에서 2분 건조시킴으로써, 두께 40㎛의 열경화성 보호막 형성 필름을 제조했다.
또한, 얻어진 보호막 형성 필름의, 제2 박리 필름을 구비하지 않은 쪽의 노출면에 첩부 속도 2m/min, 첩부 온도 60℃, 첩부 압력 0.5MPa의 조건에서, 박리 필름(제1 박리 필름, 린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)의 박리 처리면을 첩합함으로써, 보호막 형성 필름과, 상기 보호막 형성 필름의 한쪽 면에 형성된 제1 박리 필름과, 상기 보호막 형성 필름의 다른 쪽 면에 형성된 제2 박리 필름을 구비하여 구성된 박리 필름이 형성된 보호막 형성 필름을 제조했다.
＜＜보호막 형성 필름의 평가＞＞
＜보호막 형성 필름의 저장 탄성률 E'(70) 및 E'(90)의 측정＞
상기에서 얻어진 5장의 박리 필름이 형성된 보호막 형성 필름을 사용하여, 이들의 제1 박리 필름 또는 제2 박리 필름을 제거하면서, 보호막 형성 필름의 노출면끼리를 순차 첩합해 감으로써, 제2 박리 필름과, 5장의 보호막 형성 필름(합계 두께 200㎛)과, 제2 박리 필름이 이 순서로 적층되어 구성된 적층물을 제작했다. 그리고, 이 적층물로부터, 길이 방향이 보호막 형성 필름의 MD 방향이 되도록, 폭이 4㎜이고 길이가 30㎜인 절편을 잘라냈다.
이어서, 이 절편으로부터 최표면의 2장의 제2 박리 필름을 제거하여 얻어진 것을 시험편으로 했다.
이어서, 동적 점탄성 자동 측정 장치(에이·앤드·디사 제조 「레오바이브론 DDV-01FP」)를 이용하여, 인장법(인장 모드)에 의해, 척간 거리 20㎜, 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 측정 조건에서 -50℃에서 150℃까지의 온도역에 있어서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했다. 그 중에서, 70℃에 있어서의 저장 탄성률 E'(70) 및 90℃에 있어서의 저장 탄성률 E'(90)을 표 1에 나타냈다. 또한, 이 때, 70℃에 있어서의 tanδ(70) 및 90℃에 있어서의 tanδ(90)을 표 1에 나타냈다.
＜보호막의 저장 탄성률 E'(23)의 측정＞
상기와 동일하게, 제2 박리 필름과, 5장의 보호막 형성 필름(합계 두께 200㎛)과, 제2 박리 필름이 이 순서로 적층되어 구성된 적층물을 제작하고, 이 적층물로부터, 길이 방향이 보호막 형성 필름의 MD 방향이 되도록, 폭이 5㎜이고 길이가 30㎜인 절편을 잘라냈다.
이 절편을 90℃, 2h의 가열 후, 추가로 130℃, 2h의 2단계 가열하고, 이어서, 이 절편으로부터 최표면의 2장의 제2 박리 필름을 제거하여 얻어진 것을 시험편으로 했다.
이어서, 동적 점탄성 측정 장치(TA 인스트루먼트사 제조 「DMAQ800」)를 이용하여, 인장법(인장 모드)에 의해, 척간 거리 20㎜, 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 측정 조건에서 -60℃에서 300℃까지의 온도역에 있어서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했다. 그 중에서 23℃에 있어서의 저장 탄성률 E'(23)을 표 1에 나타냈다.
＜자기 수복성(A)의 평가＞
테이프 라미네이터(린텍 가부시키가이샤 제조, RAD-3600F/12)를 이용하여, 상기에서 얻어진 박리 필름이 형성된 보호막 형성 필름으로부터 제1 박리 필름을 제거하고, 제2 박리 필름측으로부터 두께 40㎛, 세로 0.25㎜, 가로 0.25㎜의 티끌(극소의 실리콘 이물질)을 사이에 두고 라미네이트 롤을 가압함으로써, 노출되어 있는 보호막 형성 필름을 실리콘 웨이퍼(직경 8인치, 두께 350㎛, ＃2000 연삭)의 연삭면에 첩부함으로써, 실리콘 웨이퍼, 보호막 형성 필름, 및 제2 박리 필름이, 이 순서로 적층된 적층물을 제작했다. 제2 박리 필름을 박리하고, 보호막 형성 필름의 표면을 레이저 현미경(키엔스사, VK-9700)으로 관찰한 결과, 티끌의 혼입에 의해, 보호막 형성 필름의 표면에 깊이 약 2.03㎛(즉, 가열 전의 상흔의 깊이)의 상흔이 관찰되었다.
표면에 상흔이 형성되어 있는 보호막 형성 필름을 90℃, 2h 가열했다. 동일하게, 가열 후의 보호막 형성 필름의 표면을 레이저 현미경으로 관찰한 결과, 보호막 형성 필름의 표면에 깊이 약 0.26㎛(즉, 가열 후의 상흔의 깊이)의 상흔이 관찰되었다.
이하의 식을 이용하여, 90℃, 2h 가열에 의한 자기 수복률(A)[％]를 소수점 이하 첫째 자리의 값을 사사오입하여 정수로 산출했다.
자기 수복률(A)[％]＝{(가열 전의 상흔의 깊이－가열 후의 상흔의 깊이)／가열 전의 상흔의 깊이}×100
또한, 자기 수복률(A)[％] 및 다음 기준에서의 평가 결과를 표 1에 나타냈다.
A: 100∼80％
B: 79∼60％
C: 59∼35％
D: 34∼15％
E: 14∼0％
＜자기 수복성(C)의 평가＞
상기와 동일한, 표면에 가열 전의 상흔의 깊이 2.07㎛의 상흔이 형성되어 있는 보호막 형성 필름을 90℃, 2h 가열하고, 그 후, 130℃, 2h 가열하여 보호막으로 했다. 동일하게, 보호막 표면을 레이저 현미경으로 관찰한 결과, 보호막 표면에 깊이 약 0.18㎛(즉, 90℃ 가열한 후, 추가로 가열 경화 후의 상흔의 깊이)의 상흔이 관찰되었다.
이하의 식을 이용하여, 130℃, 2h 가열에 의한 자기 수복률(C)[％]를 소수점 이하 첫째 자리의 값을 사사오입하여 정수로 산출했다.
자기 수복률(C)[％]＝{(가열 전의 상흔의 깊이－90℃ 가열한 후 추가로 가열 경화 후의 상흔의 깊이)／가열 전의 상흔의 깊이}×100
자기 수복률(C)[％] 및 다음 기준에서의 평가 결과를 표 1에 나타냈다.
A: 100∼80％
B: 79∼60％
C: 59∼35％
D: 34∼15％
E: 14∼0％
＜자기 수복성(B)의 평가＞
상기와 동일한, 표면에 가열 전의 상흔의 깊이 2.01㎛의 상흔이 형성되어 있는 보호막 형성 필름을 130℃, 2h 가열하여 보호막으로 했다. 동일하게, 보호막 표면을 레이저 현미경으로 관찰한 결과, 보호막 표면에 깊이 약 0.80㎛(즉, 가열 경화 후의 상흔의 깊이)의 상흔이 관찰되었다.
이하의 식을 이용하여, 130℃, 2h 가열에 의한 자기 수복률(B)[％]를 소수점 이하 첫째 자리의 값을 사사오입하여 정수로 산출했다.
자기 수복률(B)[％]＝{(가열 전의 상흔의 깊이―가열 경화 후의 상흔의 깊이)／가열 전의 상흔의 깊이}×100
자기 수복률(B)[％] 및 다음 기준에서의 평가 결과를 표 1에 나타냈다.
(평가 기준)
A: 100∼80％
B: 79∼60％
C: 59∼35％
D: 34∼15％
E: 14∼0％
＜＜보호막 형성 필름의 제조 및 보호막 형성 필름의 평가＞＞
[실시예 2∼7, 비교예 1∼2]
보호막 형성 필름의 함유 성분과 함유량이 표 1 또는 표 2에 나타내는 바와 같이 되도록, 배합 성분의 종류를 변경한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 보호막 형성 필름 및 보호막 형성용 복합 시트를 제조하고, 보호막 형성 필름을 평가했다. 결과를 표 1 또는 표 2에 나타낸다.
Figure pat00003
Figure pat00004
상기 결과로부터 명백한 바와 같이, 비교예 1∼2의 보호막 형성 필름은 90℃, 2h의 가열에서, 자기 수복성의 효과가 관측되지 않았다. 또한, 비교예 1∼2의 보호막 형성 필름은 통상의 가열 경화 조건인 130℃, 2h의 가열에 의해, 자기 수복성의 효과가 관측되지 않았다. 90℃, 2h의 가열, 및 130℃, 2h의 가열에 의해서도, 자기 수복성의 효과가 관측되지 않았다.
이들에 비해, 실시예 1∼7의 보호막 형성 필름은 90℃, 2h의 가열에 의해, 자기 수복성의 효과가 관측되었다. 또한, 실시예 1∼7의 보호막 형성 필름은 통상의 가열 경화 조건인 130℃, 2h의 가열에 의해, 자기 수복성의 효과가 관측되었다. 또한, 통상의 가열 경화 조건인 130℃, 2h의 가열보다, 90℃, 2h의 가열, 및 130℃, 2h의 가열에 의해, 우수한 자기 수복성의 효과가 관측되었다. 따라서, 본 발명의 보호막 형성 필름은, 본 발명의 보호막 형성 필름, 또는, 본 발명의 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여, 보호막이 형성된 워크 또는 보호막이 형성된 워크 가공물을 제조하는 공정 중, 보호막 형성 필름의 표면에 상흔이 형성되었을 때에도, 보호막 형성 필름을 열경화시킨 후의 보호막 표면의 상흔을 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
본 발명은 반도체 장치를 비롯한 각종 기판 장치의 제조에 이용 가능하다.
10, 20…지지 시트, 10a, 20a…지지 시트의 한쪽 면(제1 면),
11…기재,
12…점착제층,
13, 23…보호막 형성 필름,
130…절단 후의 보호막 형성 필름,
13', 130'…보호막,
15, 151, 152…박리 필름,
16…라미네이트 롤,
17…이물질,
18…가압흔, 19…접촉흔
101, 102, 103, 104…보호막 형성용 복합 시트,
9…웨이퍼, 9b…웨이퍼의 이면,
90…칩, 90b…칩의 이면,
901…보호막 형성 필름이 형성된 웨이퍼,
902…보호막이 형성된 웨이퍼,
903…보호막 형성 필름이 형성된 칩군,
904…보호막이 형성된 칩군,
905…보호막 형성 필름이 형성된 칩군,
913…보호막 형성 필름이 형성된 칩,
913'…보호막이 형성된 칩

Claims (8)

  1. 열경화성 보호막 형성 필름으로서,
    상기 보호막 형성 필름의 폭 4㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -50℃에서 150℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했을 때, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(90)이 5MPa 이하인, 보호막 형성 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막 형성 필름의 폭 4㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -50℃에서 150℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 tanδ를 측정했을 때, 90℃에 있어서의 상기 시험편의 tanδ(90)이 0.34 이상인, 보호막 형성 필름.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보호막 형성 필름을 가열 경화시킨 열경화물의 폭 5㎜의 시험편을 20㎜의 간격을 두어 2개소에서 유지하고, 인장 모드에 의해 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/min, 등속 승온의 조건에서 -60℃에서 300℃까지 상기 시험편을 승온하면서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 측정했을 때, 23℃에 있어서의 상기 시험편의 저장 탄성률 E'(23)이 100MPa 이상인, 보호막 형성 필름.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    아크릴 수지를 포함하는 중합체 성분(A)을 함유하고,
    상기 아크릴 수지의 유리 전이 온도가 10℃ 미만인, 보호막 형성 필름.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    충전재(D)를 함유하고,
    상기 보호막 형성 필름의 총 질량에 대한 상기 충전재(D)의 함유량의 비율이, 50질량％ 미만인, 보호막 형성 필름.
  6. 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 보호막 형성 필름을 구비하고,
    상기 보호막 형성 필름이, 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 보호막 형성 필름인, 보호막 형성용 복합 시트.
  7. 보호막이 형성된 워크의 제조 방법으로서,
    상기 보호막이 형성된 워크는, 워크와, 상기 워크의 어느 개소에 형성된 보호막을 구비하고 있고,
    상기 제조 방법은, 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 보호막 형성 필름, 또는 제 6 항의 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성 필름을 상기 워크의 목적으로 하는 개소에 첩부함으로써, 상기 워크 및 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성 필름이 형성된 워크를 제작하는 첩부 공정과,
    상기 첩부 공정 후, 상기 보호막 형성 필름을 열경화시켜, 상기 보호막을 형성함으로써, 상기 보호막이 형성된 워크를 제작하는 열경화 공정을 갖는, 보호막이 형성된 워크의 제조 방법.
  8. 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법으로서,
    상기 보호막이 형성된 워크 가공물은, 워크를 가공함으로써 얻어진 워크 가공물과, 상기 워크 가공물의 어느 개소에 형성된 보호막을 구비하고 있고,
    상기 제조 방법은, 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 보호막 형성 필름, 또는 제 6 항의 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성 필름을 상기 워크의 목적으로 하는 개소에 첩부함으로써, 상기 워크 및 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성 필름이 형성된 워크를 제작하는 첩부 공정과,
    상기 첩부 공정 후, 상기 워크를 가공함으로써, 상기 워크 가공물을 제작하는 가공 공정과,
    상기 첩부 공정 후, 상기 보호막 형성 필름을 열경화시킴으로써, 상기 보호막을 형성하는 열경화 공정을 갖는, 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법.
KR1020220087575A 2021-08-25 2022-07-15 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 보호막이 형성된 워크의 제조 방법, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법 KR20230030517A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2021-137056 2021-08-25
JP2021137056A JP2023031526A (ja) 2021-08-25 2021-08-25 保護膜形成フィルム、保護膜形成用複合シート、保護膜付きワークの製造方法、及び、保護膜付きワーク加工物の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230030517A true KR20230030517A (ko) 2023-03-06

Family

ID=85292710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220087575A KR20230030517A (ko) 2021-08-25 2022-07-15 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 보호막이 형성된 워크의 제조 방법, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023031526A (ko)
KR (1) KR20230030517A (ko)
CN (1) CN115725096A (ko)
TW (1) TW202308850A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015111632A1 (ja) 2014-01-22 2015-07-30 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび検査方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015111632A1 (ja) 2014-01-22 2015-07-30 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN115725096A (zh) 2023-03-03
TW202308850A (zh) 2023-03-01
JP2023031526A (ja) 2023-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7182603B2 (ja) 保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体チップの製造方法
JP7330166B2 (ja) 保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体チップの製造方法
KR102507152B1 (ko) 수지막 형성용 필름 및 수지막 형성용 복합 시트
KR102519799B1 (ko) 지지 시트 및 보호막 형성용 복합 시트
KR102516392B1 (ko) 보호막 형성용 복합 시트
JP6686241B1 (ja) 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、検査方法及び識別方法
JP7478524B2 (ja) 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び保護膜付きワーク加工物の製造方法
KR20200145675A (ko) 보호막 형성용 복합 시트, 및 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법
KR20230030517A (ko) 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 보호막이 형성된 워크의 제조 방법, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법
JP7114013B1 (ja) 治具固定用粘着シート、保護膜形成用複合シート、及び保護膜付きチップの製造方法
JPWO2019186994A1 (ja) 保護膜形成用複合シート及びその製造方法
JP7413356B2 (ja) フィルム状接着剤及び半導体加工用シート
WO2022202502A1 (ja) 治具固定用粘着シート、保護膜形成用複合シート、及び保護膜付きチップの製造方法
JP7471880B2 (ja) フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート
JP7471879B2 (ja) フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート
JP2019062107A (ja) 樹脂膜形成用複合シート
WO2020195761A1 (ja) 熱硬化性樹脂フィルム、第１保護膜形成用シート、キット、及び第１保護膜付きワーク加工物の製造方法
KR102467148B1 (ko) 지지 시트 및 보호막 형성용 복합 시트
KR102534931B1 (ko) 지지 시트 및 보호막 형성용 복합 시트
KR102524205B1 (ko) 보호막 형성용 복합 시트 및 그 제조 방법
KR20230141527A (ko) 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 반도체 장치의 제조 방법, 및 보호막 형성 필름의 사용
KR20230040880A (ko) 보호막 형성 필름 및 보호막 형성용 복합 시트
KR102574633B1 (ko) 보호막 형성용 복합 시트
KR20230141529A (ko) 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 반도체 장치의 제조 방법, 및 보호막 형성 필름의 사용
TW202239602A (zh) 保護膜形成膜、保護膜形成用複合片、具保護膜之工件加工物的製造方法、以及具保護膜之工件的製造方法