KR20230029064A - 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치 및 이를 위한 방법 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 123
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 117
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 115
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 61
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Cleaning In General (AREA)
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Abstract
플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치가 개시된다. 본 발명의 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치는 시료의 코팅 및 세정을 위한 진공 챔버, 진공 챔버 내 시료를 공급하는 로딩부, 진공 챔버 내 플라즈마를 형성하기 위한 가스를 주입하는 가스 주입부, 진공 챔버 내 플라즈마가 형성된 플라즈마 환경에서 진공 챔버 내 공급된 시료를 플라즈마 세정하는 세정부, 진공 챔버 내 플라즈마가 형성된 플라즈마 환경에서 진공 챔버 내 공급된 시료를 금속 코팅하는 코팅부 및, 진공 챔버로부터, 코팅 및 세정이 완료된 시료를 외부로 배출시키는 언로딩부를 포함하며, 진공 챔버는 세정부 및 코팅부 각각과 연결되며 세정부 및 코팅부를 통해 시료의 코팅 및 세정 기능을 수행한다.
Description
본 발명은 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치 및 이를 위한 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 코팅 및 세정이 순차적으로 이루어질 수 있는 장치 및 이를 위한 방법에 관한 것이다.
플라즈마란 기체 상태의 물질에 높은 에너지가 가해져 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 상태를 말한다. 플라즈마 상태에서 일어나는 화학반응은 기체 상태에서는 볼 수 없을 정도로 매우 빠르거나 정밀하며, 플라즈마 상태의 화학반응을 이용하는 대표적인 산업기술로는 반도체·디스플레이 제조공정의 화학 증착 및 식각기술, 재료의 코팅, 용접, 절단기술, 레이저와 같은 광 발생기술 등을 꼽을 수 있다.
플라즈마가 이용되는 분야로 금속 코팅 또는 세정 등의 표면 처리가 대표적이다.
플라즈마를 이용한 플라즈마 금속 코팅은 진공 챔버 내에 배치된 시료에 증착시키고자하는 물질로 이루어진 타겟 주위에 플라즈마를 형성시켜 플라즈마 중의 이온 충격에 의해 타겟으로부터 방출되는 물질이 시료 위에 증착되도록 하는 방법이다.
또한, 플라즈마를 이용한 플라즈마 세정은 시료를 전극 사이에 위치시킨 후, 이 전극에 전압을 인가하면 진공 챔버 내부의 반응 가스와 반응하여 플라즈마를 발생시켜 시료를 세정하는 방법이다.
그러나, 이러한 종래의 플라즈마 금속 코팅 또는 플라즈마 세정 방법은 각각 별도의 진공 챔버를 구비한 별도의 장치에서 이루어지고 있어 작업 효율이 떨어지는 문제가 있다. 또한, 플라즈마 금속 코팅의 정도 및 세정의 세기를 수동으로 조절하였으므로 조절의 용이성 및 정확도가 떨어지는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 플라즈마 코팅 및 세정 작업의 효율을 높이기 위한 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치 및 이를 위한 방법을 제공하는 데에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치는 시료의 코팅 및 세정을 위한 진공 챔버, 상기 진공 챔버 내 시료를 공급하는 로딩부, 상기 진공 챔버 내 플라즈마를 형성하기 위한 가스를 주입하는 가스 주입부, 상기 진공 챔버 내 상기 플라즈마가 형성된 플라즈마 환경에서 상기 진공 챔버 내 공급된 시료를 플라즈마 세정하는 세정부, 상기 진공 챔버 내 상기 플라즈마가 형성된 플라즈마 환경에서 상기 진공 챔버 내 공급된 시료를 금속 코팅하는 코팅부 및, 상기 진공 챔버로부터, 코팅 및 세정이 완료된 시료를 외부로 배출시키는 언로딩부를 포함하고, 상기 진공 챔버는 상기 세정부 및 코팅부 각각과 연결되며 상기 세정부 및 코팅부를 통해 상기 시료의 코팅 및 세정 기능을 수행한다.
이때, 상기 장치는 사용자 명령을 입력받기 위한 입력부 및, 상기 입력부를 통해 입력된 사용자 명령에 따라, 상기 진공 챔버 내 상기 시료가 놓여지는 지지대의 위치를 조정하는 프로세서를 더 포함한다.
또한, 상기 프로세서는 상기 금속 코팅의 두께를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되면, 상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 금속 코팅을 위한 타겟 금속과 상기 지지대와의 거리가 변경되도록 상기 지지대의 위치를 조정할 수 있다.
또한, 상기 프로세서는 상기 플라즈마 세정의 세정력 강도를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되면, 상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 상기 지지대를 전진 또는 후진시킬 수 있다.
또한, 상기 프로세서는 상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 상기 지지대의 위치가 조정된 후, 상기 세정부에서 플라즈마 세정이 수행되거나 상기 코팅부에서 금속 코팅이 수행되는 동안 상기 지지대의 위치를 상기 설정 값에 대응되는 범위 내에서 지속적으로 변경시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 방법은 시료의 코팅 및 세정을 위한 진공 챔버 내 시료를 공급하는 단계, 시료의 코팅 및 세정을 위한 진공 챔버 내 플라즈마를 형성하기 위한 가스를 주입하는 단계, 상기 진공 챔버 내 상기 플라즈마가 형성된 플라즈마 환경에서 상기 진공 챔버 내 공급된 시료를 플라즈마 세정하는 작업 및 상기 금속 코팅하는 작업을 수행하는 단계 및 상기 진공 챔버로부터, 코팅 및 세정이 완료된 시료를 외부로 배출시키는 단계를 포함한다.
또한, 상기 방법은 사용자 명령을 입력받는 단계 및, 상기 입력된 사용자 명령에 따라, 상기 진공 챔버 내 상기 시료가 놓여지는 지지대의 위치를 조정하는 단계를 더 포함한다.
또한, 상기 조정하는 단계는 상기 금속 코팅의 두께를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되면, 상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 금속 코팅을 위한 타겟 금속과 상기 지지대와의 거리가 변경되도록 상기 지지대의 위치를 조정할 수 있다.
또한, 상기 조정하는 단계는 상기 플라즈마 세정의 세정력 강도를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되면, 상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 상기 지지대를 전진 또는 후진시킬 수 있다.
또한, 상기 수행하는 단계는 플라즈마 세정이 수행되거나 금속 코팅이 수행되는 동안 상기 지지대의 위치를 상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 대응되는 범위 내에서 지속적으로 변경시킬 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 유사한 플라즈마 환경에서 일어나는 금속 코팅 과정과 세정 과정을 하나의 진공 챔버를 통해 처리되도록 함으로써, 보다 경제적으로 금속 코팅 및 세정 작업을 수행할 수 있다.
또한, 사용자가 입력한 입력 값에 따라, 시료의 위치가 변경되도록 조정함으로써 금속 코팅 및 세정 효율을 높일 수 있다.
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치의 구성을 간략히 도시한 블록도,
도 2 및 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치의 사시도 일부를 나타낸 도면,
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치의 평면도 일부를 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치의 배면도 일부를 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 방법을 간략히 설명하기 위한 흐름도,
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정의 정도를 조정하기 위한 방법을 간략히 설명하기 위한 흐름도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치의 구성을 간략히 도시한 블록도,
도 2 및 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치의 사시도 일부를 나타낸 도면,
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치의 평면도 일부를 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치의 배면도 일부를 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 방법을 간략히 설명하기 위한 흐름도,
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정의 정도를 조정하기 위한 방법을 간략히 설명하기 위한 흐름도이다.
먼저, 본 명세서 및 청구범위에서 사용되는 용어는 본 발명의 다양한 실시 예들에서의 기능을 고려하여 일반적인 용어들을 선택하였다. 하지만, 이러한 용어들은 당 분야에 종사하는 기술자의 의도나 법률적 또는 기술적 해석 및 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 일부 용어는 출원인이 임의로 선정한 용어일 수 있다. 이러한 용어에 대해서는 본 명세서에서 정의된 의미로 해석될 수 있으며, 구체적인 용어 정의가 없으면 본 명세서의 전반적인 내용 및 당해 기술 분야의 통상적인 기술 상식을 토대로 해석될 수도 있다.
또한, 본 명세서에 첨부된 각 도면에 기재된 동일한 참조 번호 또는 부호는 실질적으로 동일한 기능을 수행하는 부품 또는 구성요소를 나타낸다. 설명 및 이해의 편의를 위해서 서로 다른 실시 예들에서도 동일한 참조번호 또는 부호를 사용하여 설명하도록 한다. 즉, 복수의 도면에서 동일한 참조 번호를 가지는 구성 요소를 모두 도시하고 있다고 하더라도, 복수의 도면들이 하나의 실시 예를 의미하는 것은 아니다.
또한, 본 명세서 및 청구범위에서는 구성요소들 간의 구별을 위하여 '제1', '제2' 등과 같이 서수를 포함하는 용어가 사용될 수 있다. 이러한 서수는 동일 또는 유사한 구성 요소들을 서로 구별하기 위하여 사용하는 것이며, 이러한 서수 사용으로 인하여 용어의 의미가 한정 해석되어서는 안될 것이다. 일 예로, 이러한 서수와 결합된 구성 요소는 그 숫자에 의해 사용 순서나 배치 순서 등이 제한 해석되어서는 안된다. 필요에 따라서는, 각 서수들은 서로 교체되어 사용될 수도 있다.
본 명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다름을 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, '포함하다' 또는 '구성하다' 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 본 발명의 실시 예에서, 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적인 연결뿐 아니라, 다른 매체를 통한 간접적인 연결의 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다는 의미는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치의 구성을 간략히 도시한 블록도이다.
본 발명의 장치(100)는 진공 챔버(110), 로딩부(120), 가스 주입부(130), 세정부(140), 코팅부(150) 및 언로딩부(160)를 포함한다.
진공 챔버(110)는 내부에 밀폐 공간을 형성하며, 내부의 밀폐 공간에 놓여지는 시료에 대하여 플라즈마 코팅 및 세정이 수행되는 구성이다. 진공 챔버(110)는 플라즈마 반응을 위한 가스가 유입되는 가스 유입구(미도시)와 코팅 또는 세정 반응으로 발생되는 기체를 외부로 방출하는 가스 배기구(미도시)를 포함할 수 있다. 가스 배기구에는 진공 펌프(미도시)가 연결될 수 있다. 진공 펌프는 진공 챔버(110) 내부를 소정의 공정 압력으로 유지하고, 진공 챔버(110) 내에서 코팅 또는 세정 반응으로 발생되는 부산물 가스를 진공 챔버(110) 외부로 배출할 수 있다.
또한, 진공 챔버(110)는 덮개(52), 측벽 및 바닥을 포함하며, 덮개(52), 측벽 및 바닥은 플라즈마 환경의 코팅 및 세정 프로세스에 대해 불활성인 물질, 예를 들어, 스테인레스 강으로 구성될 수도 있고, 내부 표면들만 불활성인 물질로 코팅될 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 진공 챔버(110)의 상부에는 내부 공간을 들여다볼 수 있는 뷰 포트(24)가 포함될 수 있으나, 뷰 포트(24)의 상부로 내부 공간의 밀폐를 위한 덮개(52)가 장착될 수 있으며, 진공 챔버(110)의 일 측면에는 시료를 수용하는 스테이지 기판(23)을 진공 챔버(110)의 내부 공간으로 로딩 또는 언로딩할 수 있는 게이트가 형성될 수 있다.
또한, 진공 챔버(110)의 타 측면에는 가스 배기구를 통해 진공 챔버(110)로부터 가스를 배기하기 위한 진공 포트(21)가 포함될 수 있다.
도 5를 참조하면, 진공 챔버(110)의 하부에는 진공 챔버(110)의 가스 배기구를 통해 진공 챔버(110)로부터 가스를 배기하기 위한 진공 포트(21), 메인 전원 및 펌프 전원을 공급하기 위한 전원부(51), 가스 주입부(130), 장치(100)의 제어를 위한 프로세서(180)를 포함하는 본체가 구비될 수 있다.
로딩부(120)는 세정 및 코팅의 대상이 되는 시료가 놓여지는 지지대를 진공 챔버(110) 내로 이송시키는 구성이다. 로딩부(120)는 지지대의 이송을 위한 이송수단(미도시)을 포함하며, 이송수단은 이송 모듈(미도시) 및 구동 모터(미도시)로 구성될 수 있다.
가스 주입부(130)는 진공 챔버(110) 내 플라즈마를 형성하기 위한 공정 가스가 주입되는 위한 구성이다. 가스 주입부(130)는 플라즈마를 형성하기 위한 공정 가스를 진공 챔버(110) 상의 가스 유입구를 통해 시료로 유동시키도록 구성된 화학물질 전달 시스템을 포함할 수 있다.
여기서, 공정 가스는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne), 크세논(Xe) 등의 불활성(비반응) 가스 뿐만 아니라, 산소(O2), 질소(N2), 공기 등을 이용할 수 있으며 이들 가스들의 하나 이상의 혼합가스를 이용할 수도 있다. 또한, 코팅부(150)에는 이러한 공정 가스를 저장하기 위한 공정 가스 탱크(미도시)가 따로 구비될 수 있다.
도 2를 참조하면, 가스 주입부(130)는 진공 챔버(110) 내부의 진공 상태를 모니터링할 수 있는 진공 게이지(22) 및 스테이지 기판(23)이 연결될 수 있다.
세정부(140)는 가스 주입부(130)를 통해 세정용 반응가스를 주입하기 위한 구성이다. 세정용 반응가스로는 산소(O2), 오존(O3), 물(H20) 등을 사용할 수 있으며, 세정부(140)는 이러한 세정용 반응가스를 저장하기 위한 세정용 가스 탱크(미도시) 및 세정용 가스 탱크로부터 전달되는 세정용 반응가스를 진공 챔버(110) 내부로 선택적으로 공급하기 위한 반응가스 밸브(미도시)를 포함할 수 있다.
또한, 세정부(140)는 프로세서(180)로부터의 제어 신호를 수신하여 세정 시간, 세정의 세기 등을 조절하기 위한 신호 수신 모듈(미도시)을 포함할 수 있다.
진공 챔버(110) 내로 공정 가스가 주입된 후 전원이 인가되면 방전에 의해 공정 가스가 여기(excitation)되어 이온화되며, 플라즈마 내의 양이온이 세정 대상인 시료와 충돌하면서 시료의 표면으로부터 탄소 및/또는 수소를 포함하는 유기물의 결합 구조를 끊어 이온 등의 형태로 이탈시킬 수 있다.
한편, 진공 챔버(110) 내부로 공급된 세정용 반응가스는 플라즈마 이온에 의해 이온화되어 산소 이온을 생성할 수 있다. 산소 이온은 시료의 표면으로부터 이온 형태로 이탈하는 탄소(C), 수소(H) 등과 결합하여 CO2, CO, H2 등의 가스를 생성할 수 있다. 생성된 가스는 진공 펌프를 통해 진공 챔버(110) 외부로 배출될 수 있다.
코팅부(150)는 공정 가스를 이용하여 시료를 코팅하기 위한 구성으로, 시료에 코팅이 되기 위한 타겟 금속판(미도시), 공정용 가스 탱크로부터 전달되는 공정 가스를 진공 챔버(110) 내부로 선택적으로 공급하기 위한 공정가스 밸브(미도시) 및 프로세서(180)로부터의 제어 신호를 수신하여 코팅 시간, 코팅의 세기 등을 조절하기 위한 신호 수신 모듈(미도시)을 포함할 수 있다.
진공 챔버(110) 내 공정 가스가 주입된 후 전원이 인가되면, 타겟 금속판의 아래로 플라즈마가 형성되며, 이때, 플라즈마는 타겟 금속판의 주변에서 높은 밀도로 형성된다. 또한, 이온화된 공정 가스는 양이온으로서, 양이온은 전위차에 의해 이끌리어 음극의 타겟 금속판을 향해 가속된다. 타겟 금속판을 향해 가속되는 양이온은 수십 KeV 이상의 운동에너지를 가지고 있는데, 타겟 금속판에 부딪히면서 타겟 금속판의 표면의 원자에 이 운동 에너지를 일부 전달하여, 타겟 금속판 표면의 원자를 타겟 금속판의 표면으로부터 분리시킨다. 그리고, 타겟 금속판의 표면으로부터 분리된 원자, 즉 증착물질이 시료에 증착되어 코팅이 수행되게 된다.
진공 챔버(110)는 세정부(140) 및 코팅부(150) 각각과 연결되며 세정부(140) 및 코팅부(150)를 통해 시료의 코팅 및 세정 기능을 수행할 수 있다.
즉, 상술한 플라즈마 세정 및 코팅 작업은 단일의 진공 챔버(110) 내에서 순차적으로 진행될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 코팅을 먼저 수행하는 경우, 공정 가스를 진공 챔버(110) 내에 주입하여 타겟 금속로부터 분리된 금속 입자에 의해 시료 표면을 코팅하고, 이후 세정 가스를 진공 챔버(110) 내에 주입하여 시료 표면의 불순물을 제거하는 방식으로 플라즈마 세정을 순차적으로 수행할 수 있다. 또한, 이와 반대로, 플라즈마 세정을 통해 시료 표면의 불순물을 제거한 후, 플라즈마 코팅이 순차적으로 수행될 수도 있다.
언로딩부(160)는 세정 및 코팅의 대상이 되는 시료를 외부로 배출시키는 구성이다. 이를 위해, 언로딩부(160)는 시료가 놓여지는 지지대를 진공 챔버(110) 외부로 이송시키기 위한 이송수단(미도시)을 포함하며, 이송수단은 이송 모듈(미도시) 및 구동 모터(미도시)로 구성될 수 있다.
또한, 언로딩부(160)는 실시 예에 따라 생략될 수 있으며 이 경우, 로딩부(120)를 통해 시료가 외부로 배출될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치(100)는 사용자 명령을 입력받기 위한 입력부(170) 및 프로세서(180)를 더 포함할 수 있다.
입력부(170)는 사용자 명령을 입력받기 위한 구성이다. 입력부(170)는 복수의 버튼 또는 터치 센서를 구비할 수 있으며, 복수의 버튼 또는 터치 센서를 통해, 장치(100)의 다양한 제어를 위한 사용자 명령을 입력하는 것이 가능하다.
프로세서(180)는 장치(100)의 동작을 전반적으로 제어하기 위한 구성이다.
프로세서(180)는 가스 배기구를 통해 배출되는 배기가스의 양을 감지하여, 진공 챔버(110) 내부로 공급되는 공정가스, 반응가스 등의 양을 조절하거나 전원부(51)의 전원 공급량을 조절할 수 있다. 이를 위해, 가스 배기구에 배기가스 감지부(미도시)를 구비하고, 이로부터 배기가스의 종류와 양을 수신할 수 있다.
프로세서(180)는 진공 펌프 등을 통해 진공 챔버(110) 내부의 공정 압력을 소정의 공정 압력으로 유지할 수 있다. 이를 위해, 진공 챔버(10) 내에는 압력 센서(미도시)를 구비하고, 이로부터 진공 챔버(110)의 내부 압력값을 수신할 수 있다.
이상의 구조를 갖는 장치(100)의 작동을 보면, 먼저 진공 펌프를 이용하여 진공 챔버(110) 내부를 기본 진공(base pressure)으로 만든 후, 가스 주입부(130)를 통해 진공 챔버(110) 내부로 공정가스를 먼저 공급하거나 공정가스와 반응가스를 함께 공급하여 설정한 공정 압력을 맞출 수 있다.
한편, 프로세서(180)는 입력부(170)를 통해 입력된 사용자 명령에 따라, 진공 챔버(110) 내 시료가 놓여지는 지지대(32)의 위치를 조정할 수 있다.
지지대(32)의 상부에는 시료를 담는 하나 또는 복수의 플레이트(31)가 배치될 수 있다.
구체적으로, 프로세서(180)는 금속 코팅의 두께를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되면, 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라, 금속 코팅을 위한 타겟 금속과 지지대(32)와의 거리가 변경되도록 지지대(32)의 위치를 조정할 수 있다.
예를 들어, 도 3을 참조하면, 진공 챔버(110)의 덮개 하부에 코팅을 위한 타겟 금속판이 부착되어 있는 경우, 프로세서(180)는 지지대(32)가 진공 챔버(110) 내에 로딩된 상태에서 지지대(32)가 타겟 금속판과 가깝도록 혹은 멀어지도록 하기 위해 상·하로 이동하도록 제어할 수 있다. 이를 위해, 지지대(32) 또는 지지대(32)가 놓여지는 기판(33)의 일 측에는 지지대(32)의 높이 조정을 위한 리프팅 모듈(미도시) 및 구동 모터(미도시)가 구비될 수 있다. 이때, 지지대(32)는 기판(33)과 함께 상·하로 이동될 수도 있다.
지지대(32)의 상·하 이동 거리는 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 기 설정될 수 있으며 일반적으로 상·하 이동 거리는 설정되는 금속 코팅의 두께에 비례하여 설정될 수 있다.
예를 들어, 금속 코팅의 두께를 현재 설정된 값보다 두껍게 설정하는 사용자 명령이 입력되는 경우, 프로세서(180)는 지지대(32)가 타겟 금속판과 가까워지도록 지지대(32)를 상승시키는 제어동작을 수행할 수 있다.
반대로, 금속 코팅의 두께를 현재 설정된 값보다 얇게 설정하는 사용자 명령이 입력되는 경우, 프로세서(180)는 지지대(32)가 타겟 금속판과 멀어지도록 지지대(32)를 하강시키는 제어동작을 수행할 수 있다.
즉, 금속 코팅을 두껍게 설정하는 사용자 명령이 입력되면, 프로세서(180)는 금속 코팅을 얇게 설정하는 사용자 명령이 입력될 때보다 상대적으로 시료의 위치가 덮개의 타겟 금속판과 가까워지게 된다.
이와 같이, 입력부(170)를 통해 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 지지대(32)의 높이가 조정된 후, 플라즈마 코팅이 수행될 수 있다.
한편, 프로세서(180)는 입력부(170)를 통해 플라즈마 세정의 세정력 강도를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되면, 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 지지대(32)와 가스 주입부(130)와의 거리가 변경되도록 지지대(32)의 위치를 조정할 수 있다.
구체적으로, 도 4를 참조하면, 프로세서(180)는 지지대(32)가 진공 챔버(110) 내에 로딩된 상태에서 지지대(32) 상부의 시료가 놓인 플레이트(31)가 가스 주입부(130)와 가깝도록 혹은 멀어지도록 하기 위해 전진 또는 후진하도록 제어할 수 있다. 이를 위해, 지지대(32)의 일 측에는 지지대(32)의 전진 또는 후진을 위한 이송 모듈(미도시) 및 구동 모터(미도시)가 구비될 수 있다. 이때, 지지대(32)는 지지대(32)가 놓여지는 기판(33)과 함께 전진 또는 후진할 수도 있다.
지지대(32)의 전진 및 후진 거리는 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 기 설정될 수 있으며 일반적으로 전진 및 후진 거리는 설정되는 플라즈마 세정의 세정력 강도에 비례하여 설정될 수 있다.
예를 들어, 세정력의 강도를 현재 설정된 값보다 크게 설정하는 사용자 명령이 입력되는 경우, 프로세서(180)는 지지대(32)가 가스 주입부(130)와 가까워지도록 지지대(32)를 후진시키는 제어동작을 수행할 수 있다.
반대로, 세정력의 강도를 현재 설정된 값보다 작게 설정하는 사용자 명령이 입력되는 경우, 프로세서(180)는 지지대(32)가 가스 주입부(130)와 멀어지도록 지지대(32)를 전진시키는 제어동작을 수행할 수 있다.
즉, 세정력의 강도를 크게 설정하는 사용자 명령이 입력되면, 프로세서(180)는 세정력의 강도를 자게 설정하는 사용자 명령이 입력될 때보다 상대적으로 시료의 위치가 가스 주입부(130)와 가까워지게 된다.
이와 같이, 입력부(170)를 통해 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 지지대(32)가 전진 또는 후진된 후, 플라즈마 세정이 수행될 수 있다.
한편, 실시 예에 따라, 프로세서(180)는 입력부(170)를 통해 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라, 지지대(32)의 위치가 조정된 후, 플라즈마 세정이 수행되거나 금속 코팅이 수행되는 동안 지지대(32)의 위치를 설정 값에 대응되는 범위 내에서 지속적으로 변경시킬 수 있다.
구체적으로, 플라즈마 세정 또는 금속 코팅을 위한 플라즈마 환경에서 시료가 특정 속도 이하로 좌·우 방향으로 지속 이동되는 경우, 시료의 각 부분과 가스 주입부(130)와의 거리가 변경되면서 플라즈마 세정 또는 금속 코팅이 이루어지므로, 표면적이 넓은 시료의 표면이 연속적으로 세정되거나 금속 코팅될 수 있다.
따라서, 플라즈마 세정 또는 금속 코팅이 수행되는 동안 시료가 위치하는 지지대(32)가 고정된 상태로 유지되는 것이 아니라 좌·우 방향으로 지속 이동됨으로써, 시료와 가스 주입부(130)와의 거리가 변경되는 상태가 지속적으로 유지될 수 있으며, 이로부터 시료의 표면 세정력 및 금속 코팅의 균일도가 높아지는 효과를 얻을 수 있다.
본 실시 예에서는 지지대(32)가 좌·우 방향으로 반복하여 지속 이동되는 예에 대하여만 설명하였으나, 지지대(32)가 360° 혹은 일정 각도의 범위에서 회전하도록 구현되더라도 무방하다.
한편, 플라즈마 세정 또는 금속 코팅이 수행되는 동안 지지대(32)가 지속 이동되는 범위는 기존에 입력부(170)를 통해 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값을 중심으로 하는 기 설정된 범위 내로 한정될 수 있다. 예를 들어, 지지대(32)가 지속 이동되는 범위는 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 조정된 지지대(32)의 위치로부터 특정 범위 내로 한정된 범위일 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 방법을 간략히 설명하기 위한 흐름도이다.
먼저, 시료의 코팅 및 세정을 위한 진공 챔버 내 시료를 공급한다(S610).
이때, 사용자 명령을 입력받고, 입력된 사용자 명령에 따라, 진공 챔버 내 시료가 놓여지는 지지대의 위치를 조정할 수 있다.
이후, 진공 챔버 내 플라즈마를 형성하기 위한 가스를 주입한다(S620).
이후, 진공 챔버 내 플라즈마가 형성된 플라즈마 환경에서 진공 챔버 내에 공급된 시료를 플라즈마 세정하는 작업 및 금속 코팅하는 작업을 수행한다(S630).
이때, 플라즈마 세정이 수행되거나 금속 코팅이 수행되는 동안, 지지대의 위치를 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 대응되는 범위 내에서 지속적으로 변경시킬 수 있다.
이후, 진공 챔버로부터, 코팅 및 세정이 완료된 시료를 외부로 배출한다(S640).
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정의 정도를 조정하기 위한 방법을 간략히 설명하기 위한 흐름도이다.
먼저, 사용자 명령을 입력받는다(S710).
이후, 입력된 사용자 명령에 따라, 진공 챔버 내 시료가 놓여지는 지지대의 위치를 조정한다(S720).
이때, 금속 코팅의 두께를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되는 경우, 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 금속 코팅을 위한 타겟 금속과 지지대와의 거리가 변경되도록 지지대의 위치를 조정할 수 있다.
또한, 플라즈마 세정의 세정력 강도를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되면, 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라, 지지대를 전진 또는 후진시킬 수 있다.
이후, 플라즈마 세정이 수행되거나 금속 코팅이 수행되는 동안, 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 대응되는 범위 내에서 지지대의 위치를 지속적으로 변경한다(S720).
이상과 같은 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 유사한 플라즈마 환경에서 일어나는 금속 코팅 과정과 세정 과정을 하나의 진공 챔버를 통해 처리되도록 함으로써, 보다 경제적으로 금속 코팅 및 세정 작업을 수행할 수 있다.
또한, 사용자가 입력한 입력 값에 따라, 시료의 위치가 변경되도록 조정함으로써 금속 코팅 및 세정 효율을 높일 수 있다.
한편, 상술한 다양한 실시 예에 따른 플라즈마 코팅 및 세정 방법은 프로그램으로 구현되어 다양한 기록 매체에 저장될 수 있다. 즉, 각종 프로세서에 의해 처리되어 상술한 플라즈마 코팅 및 세정 방법을 실행할 수 있는 컴퓨터 프로그램이 기록 매체에 저장된 상태로 사용될 수도 있다.
일 예로, ⅰ) 시료의 코팅 및 세정을 위한 진공 챔버 내 시료를 공급하는 단계, ⅱ) 시료의 코팅 및 세정을 위한 진공 챔버 내 플라즈마를 형성하기 위한 가스를 주입하는 단계, ⅲ) 진공 챔버 내 플라즈마가 형성된 플라즈마 환경에서 진공 챔버 내 공급된 시료를 플라즈마 세정하는 작업 및 금속 코팅하는 작업을 수행하는 단계 및, ⅳ) 진공 챔버로부터, 코팅 및 세정이 완료된 시료를 외부로 배출시키는 단계를 수행하는 프로그램이 저장된 비일시적 판독 가능 매체(non-transitory computer readable medium)가 제공될 수 있다.
비일시적 판독 가능 매체란 레지스터, 캐쉬, 메모리 등과 같이 짧은 순간 동안 데이터를 저장하는 매체가 아니라 반영구적으로 데이터를 저장하며, 기기에 의해 판독(reading)이 가능한 매체를 의미한다. 구체적으로는, 상술한 다양한 어플리케이션 또는 프로그램들은 CD, DVD, 하드 디스크, 블루레이 디스크, USB, 메모리카드, ROM 등과 같은 비일시적 판독 가능 매체에 저장되어 제공될 수 있다.
한편, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
100: 장치 110: 진공 챔버
120: 로딩부 130: 가스 주입부
140: 세정부 150: 코팅부
160: 언로딩부 170: 입력부
180: 프로세서
120: 로딩부 130: 가스 주입부
140: 세정부 150: 코팅부
160: 언로딩부 170: 입력부
180: 프로세서
Claims (10)
- 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치에 있어서,
시료의 코팅 및 세정을 위한 진공 챔버;
상기 진공 챔버 내 시료를 공급하는 로딩부;
상기 진공 챔버 내 플라즈마를 형성하기 위한 가스를 주입하는 가스 주입부;
상기 진공 챔버 내 상기 플라즈마가 형성된 플라즈마 환경에서 상기 진공 챔버 내 공급된 시료를 플라즈마 세정하는 세정부;
상기 진공 챔버 내 상기 플라즈마가 형성된 플라즈마 환경에서 상기 진공 챔버 내 공급된 시료를 금속 코팅하는 코팅부; 및
상기 진공 챔버로부터, 코팅 및 세정이 완료된 시료를 외부로 배출시키는 언로딩부;를 포함하며,
상기 진공 챔버는 상기 세정부 및 코팅부 각각과 연결되며 상기 세정부 및 코팅부를 통해 상기 시료의 코팅 및 세정 기능을 수행하는 것인, 장치. - 제1항에 있어서,
사용자 명령을 입력받기 위한 입력부; 및
상기 입력부를 통해 입력된 사용자 명령에 따라, 상기 진공 챔버 내 상기 시료가 놓여지는 지지대의 위치를 조정하는 프로세서;를 더 포함하는 장치. - 제2항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 금속 코팅의 두께를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되면, 상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 금속 코팅을 위한 타겟 금속과 상기 지지대와의 거리가 변경되도록 상기 지지대의 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 장치. - 제2항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 플라즈마 세정의 세정력 강도를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되면, 상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 상기 지지대를 전진 또는 후진시키는 것을 특징으로 하는 장치. - 제2항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 상기 지지대의 위치가 조정된 후, 상기 세정부에서 플라즈마 세정이 수행되거나 상기 코팅부에서 금속 코팅이 수행되는 동안 상기 지지대의 위치를 상기 설정 값에 대응되는 범위 내에서 지속적으로 변경시키는 것을 특징으로 하는 장치. - 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 방법에 있어서,
시료의 코팅 및 세정을 위한 진공 챔버 내 시료를 공급하는 단계;
시료의 코팅 및 세정을 위한 진공 챔버 내 플라즈마를 형성하기 위한 가스를 주입하는 단계;
상기 진공 챔버 내 상기 플라즈마가 형성된 플라즈마 환경에서 상기 진공 챔버 내 공급된 시료를 플라즈마 세정하는 작업 및 상기 금속 코팅하는 작업을 수행하는 단계; 및
상기 진공 챔버로부터, 코팅 및 세정이 완료된 시료를 외부로 배출시키는 단계;를 포함하는 방법. - 제6항에 있어서,
사용자 명령을 입력받는 단계; 및
상기 입력된 사용자 명령에 따라, 상기 진공 챔버 내 상기 시료가 놓여지는 지지대의 위치를 조정하는 단계;를 더 포함하는 방법. - 제7항에 있어서,
상기 조정하는 단계는,
상기 금속 코팅의 두께를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되면, 상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 금속 코팅을 위한 타겟 금속과 상기 지지대와의 거리가 변경되도록 상기 지지대의 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 방법. - 제7항에 있어서,
상기 조정하는 단계는,
상기 플라즈마 세정의 세정력 강도를 설정하기 위한 사용자 명령이 입력되면, 상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 따라 상기 지지대를 전진 또는 후진시키는 것을 특징으로 하는 방법 - 제7항에 있어서,
상기 수행하는 단계는,
플라즈마 세정이 수행되거나 금속 코팅이 수행되는 동안 상기 지지대의 위치를 상기 입력된 사용자 명령에 대응되는 설정 값에 대응되는 범위 내에서 지속적으로 변경시키는 것을 특징으로 하는 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020210111104A KR102647315B1 (ko) | 2021-08-23 | 2021-08-23 | 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치 및 이를 위한 방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020210111104A KR102647315B1 (ko) | 2021-08-23 | 2021-08-23 | 플라즈마 코팅 및 세정을 위한 장치 및 이를 위한 방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230029064A true KR20230029064A (ko) | 2023-03-03 |
| KR102647315B1 KR102647315B1 (ko) | 2024-03-12 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102647315B1 (ko) |
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| JPH1167729A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Sony Corp | プラズマ処理装置 |
| KR20080014527A (ko) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | 삼성전자주식회사 | 전처리 단계를 포함하는 화학 기상 증착 방법 |
| JP2016225516A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 株式会社島津製作所 | 製造装置 |
| KR20200027665A (ko) * | 2018-09-05 | 2020-03-13 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 증착 방법 및 플라즈마 증착 장치 |
-
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|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |