KR20230028098A - Target assembly and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 기기 기술 분야에 속하고, 구체적으로 타겟재 어셈블리 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention belongs to the field of semiconductor device technology, and specifically relates to a target material assembly and a manufacturing method thereof.
반도체, 전자 기기 등의 제조에서, 박막 형성을 위한 알루미늄 및 알루미늄 합금 스퍼터링 타겟은 알루미늄 합금으로 만들어진 백 플레이트와 접합하여 사용된다.In the manufacture of semiconductors, electronic devices, etc., aluminum and aluminum alloy sputtering targets for forming thin films are used in conjunction with back plates made of aluminum alloys.
스퍼터링 타겟과 백 플레이트는 열간등압성형(HIP) 확산 접합으로 접합되지만 HIP 확산 접합은 Ni 등의 접합 재료의 삽입이 필요하고 HIP 확산 접합은 캐닝(canning), 탈기(degassing) 등의 전처리가 필요하여 생산 효율이 낮고 비용이 매우 높으며 스퍼터링 타겟의 수명이 짧다.The sputtering target and the back plate are bonded by hot isostatic pressing (HIP) diffusion bonding, but HIP diffusion bonding requires insertion of bonding materials such as Ni, and HIP diffusion bonding requires pretreatment such as canning and degassing. Therefore, the production efficiency is low, the cost is very high, and the life of the sputtering target is short.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술한 선행 기술에 존재하는 단점에 대해, 타겟재 어셈블리의 사용 수명을 크게 연장시키는 타겟재 어셈블리 및 그 제조 방법을 제공한다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a target material assembly and a method for manufacturing the same, which greatly extends the service life of the target material assembly, against the disadvantages present in the prior art.
본 발명의 기술적 과제를 해결하기 위해 사용되는 과제 해결 수단은 타겟재 어셈블리를 제공하는 것이며, 상기 타겟재 어셈블리는 타겟재 및 백 플레이트를 포함하고, 백 플레이트는 타겟재의 외곽에 설치되며, 타겟재와 백 플레이트는 용접으로 접합되고, 타겟재의 스퍼터링 표면은 백 플레이트의 선단 표면보다 돌출되며, 타겟재의 스퍼터링 표면은 타겟재가 위치한 스퍼터링 챔버의 내부에 더 가깝다. The problem solving means used to solve the technical problem of the present invention is to provide a target material assembly, the target material assembly includes a target material and a back plate, the back plate is installed on the periphery of the target material, and the target material and The back plate is joined by welding, the sputtering surface of the target material protrudes beyond the front end surface of the back plate, and the sputtering surface of the target material is closer to the inside of the sputtering chamber where the target material is located.
바람직하게, 타겟재는 타겟재 바디, 타겟재 바디에 연결되는 오목부를 포함하고, 오목부는 타겟재 가장자리의 배면에 설치되며, 타겟재 가장자리의 배면은 타겟재 가장자리의 스퍼터링 표면과 반대되는 면이고, 백 플레이트는 백 플레이트 바디, 백 플레이트 바디에 연결되는 돌출부를 포함하며, 돌출부는 백 플레이트 가장자리의 정면에 설치되고, 백 플레이트 가장자리의 배면에 비해, 백 플레이트 가장자리의 정면은 백 플레이트가 위치한 스퍼터링 챔버의 내부에 더 가까우며, 돌출부는 오목부 내부에 설치된다. Preferably, the target material includes a target material body and a concave portion connected to the target material body, the concave portion is installed on the back surface of the edge of the target material, the rear surface of the edge of the target material is a surface opposite to the sputtering surface of the edge of the target material, and the bag The plate includes a back plate body and a protrusion connected to the back plate body, the protrusion is installed on the front side of the back plate edge, and compared to the back side of the back plate edge, the front side of the back plate edge is the inside of the sputtering chamber where the back plate is located. is closer to, and the protrusion is installed inside the recess.
바람직하게, 돌출부와 오목부는 형상이 매칭된다. Preferably, the protruding portion and the concave portion are matched in shape.
바람직하게, 돌출부는 내측 방향을 향한 제1 측면을 포함하고, 오목부는 외측 방향을 향한 제2 측면을 포함하며, 제1 측면과 제2 측면은 접착되고, 타겟재 축방향에 수직되는 방향을 따른 제1 측면과 제2 측면의 길이는 동일하며, 상기 길이는 0.1~3mm이다. Preferably, the protrusion has a first side facing inward, and the concave portion has a second side facing outward, the first side and the second side being adhered, along a direction perpendicular to the axial direction of the target material. The first side and the second side have the same length, and the length is 0.1 to 3 mm.
바람직하게, 타겟재의 두께는 20~30mm이다. Preferably, the thickness of the target material is 20 to 30 mm.
바람직하게, 타겟재의 재질은 순 알루미늄, 알루미늄 구리 합금, 알루미늄 실리콘 합금, 구리 실리콘 알루미늄 합금 중 어느 하나이고; Preferably, the material of the target material is any one of pure aluminum, aluminum copper alloy, aluminum silicon alloy, and copper silicon aluminum alloy;
백 플레이트의 재질은 A5000 계열 알루미늄, A6000 계열 알루미늄, A2000 계열 알루미늄 중 어느 하나이다. The material of the back plate is any one of A5000 series aluminum, A6000 series aluminum, and A2000 series aluminum.
바람직하게, 상기 타겟재 어셈블리는 연결 부재를 더 포함하고, 백 플레이트는 연결 부재를 통해 그가 위치하는 스퍼터링 챔버의 챔버 벽에 연결된다. Preferably, the target material assembly further comprises a connecting member, and the back plate is connected to the chamber wall of the sputtering chamber in which it is located via the connecting member.
바람직하게, 상기 타겟재 어셈블리는 실드를 더 포함하고, 실드는 백 플레이트, 타겟재와 각각 접촉 연결되며, 실드는 연결 부재를 통해 그가 위치하는 스퍼터링 챔버에 연결된다. Preferably, the target material assembly further includes a shield, the shield is connected to the back plate and the target material in contact with each other, and the shield is connected to the sputtering chamber in which it is located through a connecting member.
바람직하게, 타겟재의 두께는 백 플레이트의 두께보다 두껍다. Preferably, the thickness of the target material is greater than the thickness of the back plate.
본 발명은 상기 타겟재 어셈블리의 제조 방법을 더 제공하며, 상기 방법은, The present invention further provides a method of manufacturing the target material assembly, the method comprising:
타겟재의 외곽을 백 플레이트에 접합하여 백 플레이트가 타겟재의 외곽에 위치하도록 하고, 용접용 드릴 비트를 타겟재의 외각과 백 플레이트의 접합 중심 라인에서 백 플레이트 측으로 기설정된 거리만큼 오프셋하며, 타겟재의 외곽과 백 플레이트를 용접하여 접합하는 단계를 포함한다. The outer edge of the target material is joined to the back plate so that the back plate is located on the outer edge of the target material, and the drill bit for welding is offset by a predetermined distance from the center line of the joint between the outer edge of the target material and the back plate to the back plate side, and joining the back plate by welding.
바람직하게, 용접 온도는 350~550℃이다. Preferably, the welding temperature is 350-550 °C.
바람직하게, 용접용 드릴 비트가 접합 중심 라인에서 백 플레이트 측으로 오프셋된 기설정된 거리는 0.1~3mm이다. Preferably, the preset distance at which the drill bit for welding is offset from the joint center line to the back plate side is 0.1 to 3 mm.
바람직하게, 타겟재와 백 플레이트를 용접하는 용접 방법은 마찰 교반 용접이다.Preferably, the welding method for welding the target material and the back plate is friction stir welding.
바람직하게, 용접용 드릴 비트의 회전 속도는 1,000rpm 내지 2,500rpm이고, 이송 속도는 50mm/min 내지 300mm/min이다.Preferably, the rotation speed of the drill bit for welding is 1,000 rpm to 2,500 rpm, and the feed speed is 50 mm/min to 300 mm/min.
본 발명의 타겟재 어셈블리 및 그 제조 방법은, 백 플레이트를 타겟재의 외곽에 설치함으로써, 백 플레이트가 타겟재의 배면에서 자리를 차지하지 않아, 스퍼터링 범위의 두께가 모두 타겟재로 이루어지기 때문에, 타겟재 자체의 두께를 간접적으로 더 두껍게 설정할 수 있고, 타겟재 자체의 사용 수명을 연장시키므로, 기존 제품에 비해, 전체 전력을 수명이 다 할 때까지 연장시킬 수 있으며, 타겟재 어셈블리의 긴 수명을 구현할 수 있다.In the target material assembly and manufacturing method of the present invention, since the back plate does not occupy a position on the back surface of the target material by installing the back plate outside the target material, the thickness of the sputtering range is all made of the target material. Since the thickness of the target material can be set to be thicker indirectly and the life span of the target material itself is extended, compared to existing products, the total power can be extended until the end of the lifespan and the life span of the target material assembly can be realized. there is.
도 1은 본 발명의 실시예 2의 타겟재 어셈블리의 구조 모식도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 3에서 초음파 탐상 시험을 통해 검출된, 타겟재와 백 플레이트가 용접된 접합 계면 부분의 간극도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 8의 타겟재 어셈블리의 구조 모식도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 8에서 일부 타겟재가 스퍼터링된 타겟재 어셈블리의 구조 모식도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 8의 타겟재 어셈블리의 구조 모식도이다.1 is a structural schematic diagram of a target material assembly of Example 2 of the present invention.
Figure 2 is a gap diagram of a bonded interface portion where a target material and a back plate are welded, detected through an ultrasonic flaw test in Example 3 of the present invention.
Figure 3 is a structural schematic diagram of the target material assembly of Example 8 of the present invention.
4 is a structural schematic diagram of a target material assembly in which some target materials are sputtered in Example 8 of the present invention.
5 is a structural schematic view of the target material assembly of Example 8 of the present invention.
당업자가 본 발명의 과제 해결수단을 보다 잘 이해할 수 있도록, 첨부된 도면 및 구체적인 실시형태를 참조하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.In order for those skilled in the art to better understand the technical solutions of the present invention, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings and specific embodiments.
이하, 본 발명의 실시예를 상세히 설명하고, 상기 실시예의 예시를 첨부한 도면에 나타내었으며, 여기서 동일하거나 유사한 도면 부호는 동일하거나 유사한 소자 또는 동일하거나 유사한 기능을 갖는 소자를 나타낸다. 이하에서 도면을 참조하여 설명되는 실시예는 예시적인 것으로, 본 발명을 해석하기 위한 것일 뿐, 본 발명을 한정하는 것으로 이해되어서는 안된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail, and examples of the embodiments are shown in the accompanying drawings, wherein the same or similar reference numerals denote the same or similar elements or elements having the same or similar functions. Embodiments described below with reference to the drawings are illustrative, only for interpreting the present invention, and should not be construed as limiting the present invention.
실시예 1Example 1
본 실시예는 타겟재 어셈블리를 제공하며, 상기 타겟재 어셈블리는 타겟재 및 백 플레이트를 포함하고, 백 플레이트는 타겟재의 외곽에 설치되며, 타겟재의 스퍼터링 표면은 백 플레이트의 선단 표면보다 돌출되고, 타겟재의 스퍼터링 표면은 타겟재가 위치한 스퍼터링 챔버의 내부에 더 가깝다. This embodiment provides a target material assembly, wherein the target material assembly includes a target material and a back plate, the back plate is installed outside the target material, the sputtering surface of the target material protrudes beyond the front end surface of the back plate, and The sputtering surface of the material is closer to the inside of the sputtering chamber where the target material is located.
본 실시예는 상기 타겟재 어셈블리의 제조 방법을 더 제공하고, 상기 방법은,This embodiment further provides a manufacturing method of the target material assembly, the method comprising:
타겟재의 외곽을 백 플레이트에 접합하여 백 플레이트가 타겟재의 외곽에 위치하도록 하고, 용접용 드릴 비트를 타겟재의 외각과 백 플레이트의 접합 중심 라인에서 백 플레이트 측으로 기설정된 거리만큼 오프셋하며, 타겟재의 외곽과 백 플레이트를 용접하여 접합하는 단계를 포함한다. The outer edge of the target material is joined to the back plate so that the back plate is located on the outer edge of the target material, and the drill bit for welding is offset by a predetermined distance from the center line of the joint between the outer edge of the target material and the back plate to the back plate side, and joining the back plate by welding.
본 실시예의 타겟재 어셈블리 및 그 제조 방법은, 백 플레이트를 타겟재의 외곽에 설치함으로써, 백 플레이트가 타겟재의 배면에서 자리를 차지하지 않아, 스퍼터링 범위의 두께가 모두 타겟재로 이루어지기 때문에, 타겟재 자체의 두께를 간접적으로 더 두껍게 설정할 수 있고, 타겟재 자체의 사용 수명을 연장시키므로, 기존 제품에 비해, 전체 전력을 수명이 다 할 때까지 연장시킬 수 있으며, 타겟재 어셈블리의 긴 수명을 구현할 수 있다. In the target material assembly and manufacturing method of the present embodiment, since the back plate does not occupy a position on the back surface of the target material by installing the back plate on the outside of the target material, the thickness of the sputtering range is all made of the target material. Since the thickness of the target material can be set to be thicker indirectly and the life span of the target material itself is extended, compared to existing products, the total power can be extended until the end of the lifespan and the life span of the target material assembly can be realized. there is.
실시예 2Example 2
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 타겟재 어셈블리를 제공하며, 상기 타겟재 어셈블리는 타겟재(1) 및 백 플레이트(2)를 포함하고, 백 플레이트(2)는 타겟재(1)의 외곽에 설치되며, 타겟재(1)와 백 플레이트(2)는 용접으로 접합되고, 타겟재(1)의 스퍼터링 표면은 백 플레이트(2)의 선단 표면보다 돌출되며, 타겟재(1)의 스퍼터링 표면은 타겟재(1)가 위치한 스퍼터링 챔버의 내부에 더 가깝다. As shown in FIG. 1 , this embodiment provides a target material assembly, the target material assembly including a
타겟재(1)의 스퍼터링 표면이 백 플레이트(2)의 선단 표면보다 돌출되므로, 플라즈마는 주로 타겟재(1)의 스퍼터링 표면에 충격을 가하여, 백 플레이트(2)에 대한 손상을 감소한다. Since the sputtering surface of the
바람직하게, 타겟재(1)는 타겟재 바디(11), 타겟재 바디(11)에 연결되는 오목부(12)를 포함하고, 오목부(12)는 타겟재(1) 가장자리의 배면에 설치되며, 타겟재(1) 가장자리의 배면은 타겟재(1) 가장자리의 스퍼터링 표면과 반대되는 면이고, 백 플레이트(2)는 백 플레이트 바디(21), 백 플레이트 바디(21)에 연결되는 돌출부(22)를 포함하며, 돌출부(22)는 백 플레이트(2) 가장자리의 정면에 설치되고, 백 플레이트(2) 가장자리의 배면에 비해, 백 플레이트(2) 가장자리의 정면은 백 플레이트(2)가 위치한 스퍼터링 챔버의 내부에 더 가까우며, 돌출부(22)는 오목부(12) 내부에 설치된다. Preferably, the
바람직하게, 돌출부(22)와 오목부(12)는 형상이 매칭된다. Preferably, the
바람직하게, 돌출부(22)는 내측 방향을 향한 제1 측면(3)을 포함하고, 오목부(12)는 외측 방향을 향한 제2 측면(4)을 포함하며, 제1 측면(3)과 제2 측면(4)은 접착되고, 타겟재(1) 축방향에 수직되는 방향을 따른 제1 측면(3)과 제2 측면(4)의 길이(X)는 동일하며, 상기 길이(X)는 0.1~3mm이다. Preferably, the
타겟재(1)의 일면과 백 플레이트(2)의 접합 라인을 용접할 경우, 타겟재(1)의 다른 일면과 백 플레이트(2)의 접합 라인 부분의 용접 이음매에 균열이 발생하는 것을 효과적으로 방지한다. When welding one side of the
구체적으로, 본 실시예에서 타겟재(1) 축방향에 수직되는 방향을 따른 제1 측면(3)과 제2 측면(4)의 길이(X)는 1.5mm이다. Specifically, in this embodiment, the length X of the first side surface 3 and the second side surface 4 along a direction perpendicular to the axial direction of the
바람직하게, 타겟재(1)의 두께는 20~30mm이다. Preferably, the thickness of the
구체적으로, 본 실시예의 타겟재(1)의 두께는 30mm이다. Specifically, the thickness of the
바람직하게, 타겟재(1)의 재질은 순 알루미늄, 알루미늄 구리 합금, 알루미늄 실리콘 합금, 구리 실리콘 알루미늄 합금 중 어느 하나이고; Preferably, the material of the
백 플레이트(2)의 재질은 A5000 계열 알루미늄, A6000 계열 알루미늄, A2000 계열 알루미늄 중 어느 하나이다. The material of the back plate 2 is any one of A5000 series aluminum, A6000 series aluminum, and A2000 series aluminum.
바람직하게, 타겟재(1)의 두께는 백 플레이트(2)의 두께보다 두껍고, 타겟재(1) 두께의 증가는 타겟재 어셈블리의 사용 수명을 연장시킬 뿐만 아니라, 백 플레이트(2)에 사용되는 재료를 절약한다. Preferably, the thickness of the
설명해야 할 것은, 스퍼터링 범위 내의 타겟재(1) 두께 방향에서, 본 실시예의 타겟재(1)의 재질은 구리 실리콘 알루미늄 합금이고, 타겟재(1)는 순도가 4N5 이상이고 Si, Cu 첨가 원소를 함유하는 알루미늄 타겟재(1)로 이루어진다. 타겟재(1)와 백 플레이트(2)는 서로 다른 재료이다. It should be explained that, in the thickness direction of the
본 실시예는 상기 타겟재 어셈블리의 제조 방법을 더 제공하고, 상기 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다.This embodiment further provides a manufacturing method of the target material assembly, and the method includes the following steps.
단계 1)에서, 타겟재(1)(TG)의 재료는 Al-Cu 합금이고, 백 플레이트(2)(BP)의 재료는 A6061 합금이며, 타겟재(1), 백 플레이트(2)를 각각 전용 지그에 고정하고, 타겟재(1)의 외곽을 백 플레이트(2)에 접합하여, 백 플레이트(2)가 타겟재(1)의 외곽에 위치하도록 하며, 둘 사이의 이음매 간극을 0.2mm 이하로 조정하였다. In step 1), the material of the target material 1 (TG) is an Al-Cu alloy, the material of the back plate 2 (BP) is an A6061 alloy, and the
단계 2)에서, 마찰 교반 용접(FSW) 교반 도구의 드릴 비트를 접합 중심 라인에 맞추고, 백 플레이트(2) 측으로 오프셋된 기설정된 거리는 1mm이며, 삽입 깊이는 17mm이고, 경사각은 3°이며, 회전 속도는 1600rpm이다. 드릴 비트가 백 플레이트(2) 측으로 오프셋되어, 용융된 백 플레이트(2) 재료가 용융된 타겟재(1) 재료의 내부에 들어가는 것을 감소하고, 스퍼터링 타겟재(1)의 순도를 증가하며, 후속적으로 타겟재(1)에서 사용되는 스퍼터링 공정의 안정성을 향상시킬 수 있다. In step 2), the drill bit of the friction stir welding (FSW) stirring tool is aligned with the joint center line, the preset distance offset to the back plate 2 side is 1 mm, the insertion depth is 17 mm, the inclination angle is 3 °, and the rotation The speed is 1600 rpm. The drill bit is offset to the back plate 2 side, reducing the molten back plate 2 material entering the inside of the
단계 3)에서, FSW 교반 도구를 이음매 재료에 삽입한 후, 해당 위치에서 5초 동안 유지하고, 용접 이음매 온도가 500℃를 초과하면 이동하기 시작하였다. In step 3), after inserting the FSW stirring tool into the seam material, hold it in that position for 5 seconds, and start moving when the welding seam temperature exceeds 500°C.
단계 4)에서, 타겟재(1) 및 백 플레이트(2)를 이동하여, FSW 교반 도구의 이동 속도가 150mm/min에 대응되면, 접합을 시작하였다. In step 4), the
단계 5)에서, 드릴 비트가 시작점에서 360° 회전한 후, 이음선에서 30mm 이상 중첩하여, 완성품의 바깥쪽으로 옮기고, FSW 교반 도구를 빼내어, 타겟재 어셈블리를 획득하였다. In step 5), after the drill bit rotated 360° from the starting point, overlapped at least 30 mm at the seam, moved to the outside of the finished product, and pulled out the FSW stirring tool to obtain a target material assembly.
바람직하게, 용접 공정은 타겟재(1)의 스퍼터링 표면, 배면 또는 양측에서 수행된다. Preferably, the welding process is performed on the sputtering surface, rear surface or both sides of the
FSW 용접 도구는 고상 용접 특징을 구비하고, 캐닝, 탈기 등 전처리가 필요하지 않으며, 공기 중에서 정렬 후 바로 시작할 수 있고, 생산성의 향상과 비용의 절감은 HIP 확산 용접의 2배 이상이다.FSW welding tools have solid-state welding characteristics, do not require pretreatment such as canning and degassing, and can be started immediately after alignment in the air, and productivity improvement and cost reduction are more than twice that of HIP diffusion welding.
드릴 비트의 전진 방향에 대하여, 드릴 비트의 회전 방향은 반시계 방향으로 설정된다. With respect to the forward direction of the drill bit, the rotation direction of the drill bit is set counterclockwise.
타겟재(1)와 백 플레이트(2)를 접합한 후, 용접 부분의 앞뒷면을 절단하여 1.0mm만큼 제거하고, 초음파 탐상 시험(C-Scan)을 수행하여, FSW 접합 부분에 접합 결함이 검출되지 않았는지 확인하였다. After bonding the target material (1) and the back plate (2), cut the front and back surfaces of the welded part and remove it by 1.0mm, and conduct an ultrasonic inspection test (C-Scan) to detect bonding defects at the FSW joint I made sure it wasn't.
타겟재(1) 및 백 플레이트(2)를 접합 및 C-Scan한 후, 다시 용접 부분의 앞뒷면을 절단하여 1.3mm만큼 제거하고, 타겟재(1) 및 백 플레이트(2)의 접합 계면에 대해 헬륨 누설 시험을 수행하며, 내부에 He 가스를 가득 채우고, 누설 검출을 수행하여, 1E-10Pa·m3/s 이하의 감도에서 누설이 검출되지 않았는지 확인하였다. After bonding and C-scanning the target material (1) and the back plate (2), the front and back surfaces of the welded part are cut and removed by 1.3 mm, and the joint interface between the target material (1) and the back plate (2) is cut. A helium leak test was performed on the inside, the inside was filled with He gas, and leak detection was performed to confirm that no leak was detected at a sensitivity of 1E-10Pa·m 3 /s or less.
본 실시예의 타겟재 어셈블리 및 그 제조 방법은, 백 플레이트(2)를 타겟재(1)의 외곽에 설치함으로써, 백 플레이트(2)가 타겟재(1)의 배면에서 자리를 차지하지 않아, 스퍼터링 범위의 두께가 모두 타겟재(1)로 이루어지기 때문에, 타겟재(1) 자체의 두께를 간접적으로 더 두껍게 설정할 수 있고, 타겟재(1) 자체의 사용 수명을 연장시키므로, 기존 제품에 비해, 전체 전력을 수명이 다 할 때까지 연장시킬 수 있으며, 타겟재 어셈블리의 긴 수명을 구현할 수 있다. In the target material assembly and manufacturing method of the present embodiment, by installing the back plate 2 on the outside of the
실시예 3Example 3
본 실시예는 타겟재 어셈블리를 제공하고, 실시예 2의 타겟재 어셈블리와의 구별점은 다음과 같다.This embodiment provides a target material assembly, and the differences from the target material assembly of Example 2 are as follows.
본 실시예의 타겟재 축방향에 수직되는 방향을 따른 제1 측면과 제2 측면의 길이(X)는 3mm이다. The length (X) of the first side and the second side along the direction perpendicular to the target material axial direction of this embodiment is 3mm.
본 실시예의 타겟재의 두께는 20mm이다. The thickness of the target material in this embodiment is 20 mm.
본 실시예는 상기 타겟재 어셈블리의 제조 방법을 더 제공하고, 상기 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다.This embodiment further provides a manufacturing method of the target material assembly, and the method includes the following steps.
단계 1)에서, 타겟재(TG) 재료는 Al-Cu 합금이고, 백 플레이트(BP) 재료는 A6061 합금이며, 타겟재, 백 플레이트를 각각 전용 지그에 고정하고, 타겟재의 외곽을 백 플레이트에 접합하여 백 플레이트가 타겟재의 외곽에 위치하도록 하고, 둘 사이의 이음매 간극을 0.2mm 이하로 조정하였다. In step 1), the target material (TG) material is an Al-Cu alloy, the back plate (BP) material is A6061 alloy, the target material and the back plate are each fixed to a dedicated jig, and the outer edge of the target material is bonded to the back plate. so that the back plate was positioned outside the target material, and the seam gap between the two was adjusted to 0.2 mm or less.
단계 2)에서, 마찰 교반 용접(FSW) 교반 도구의 드릴 비트를 접합 중심 라인에 맞추고, 백 플레이트 측으로 오프셋된 기설정된 거리는 1mm이며, 삽입 깊이는 17mm이고, 경사각은 3°이며, 회전 속도는 800rpm이다. In step 2), the drill bit of the friction stir welding (FSW) stirring tool is aligned with the joint center line, the preset distance offset to the back plate side is 1 mm, the insertion depth is 17 mm, the inclination angle is 3 °, and the rotation speed is 800 rpm am.
단계 3)에서, FSW 교반 도구를 이음매 재료에 삽입한 후, 해당 위치에서 5초 동안 유지하고, 용접 이음매 온도가 500℃를 초과하면 이동하기 시작하였다. In step 3), after inserting the FSW stirring tool into the seam material, hold it in that position for 5 seconds, and start moving when the welding seam temperature exceeds 500°C.
단계 4)에서, 타겟재 및 백 플레이트를 이동하여, FSW 교반 도구의 이동 속도가 100mm/min에 대응되면, 접합하기 시작하였다. In step 4), the target material and the back plate were moved, and bonding started when the moving speed of the FSW stirring tool corresponded to 100 mm/min.
단계 5)에서, 드릴 비트가 시작점에서 360° 회전한 후, 이음선에서 30mm 이상 중첩하여, 완성품의 바깥쪽으로 옮기고, FSW 교반 도구를 빼내어, 타겟재 어셈블리를 획득하였다.In step 5), after the drill bit rotated 360° from the starting point, overlapped at least 30 mm at the seam, moved to the outside of the finished product, and pulled out the FSW stirring tool to obtain a target material assembly.
도 2에 도시된 바와 같이, 타겟재와 백 플레이트를 접합한 후, 용접 부분의 앞뒷면을 절단하여 1.0mm만큼 제거하고, 초음파 탐상 시험(C-Scan)을 수행하여, FSW 결합 부분의 접합 결함을 검출하였다. As shown in FIG. 2, after bonding the target material and the back plate, the front and back surfaces of the welded portion are cut and removed by 1.0 mm, and an ultrasonic flaw test (C-Scan) is performed to determine the bonding defect of the FSW joint portion. was detected.
타겟재 및 백 플레이트를 접합 및 C-Scan한 후, 다시 용접 부분의 앞뒷면을 절단하여 1.3mm만큼 제거하고, 헬륨 누설 시험을 수행하며, 내부에 He 가스를 가득 채우고, 누설 검출을 수행하여, 1E-10Pa·m3/s 이하의 감도에서 누설이 검출 검출됨을 확인하였다. 누설 부분의 단면에 중공 결함 및 접합되지 않은 결함이 발생하였으며, 이는 드릴 비트의 낮은 회전 속도 때문인 것으로 판단된다. After bonding and C-scanning the target material and the back plate, the front and back sides of the welded part are cut again and removed by 1.3 mm, a helium leak test is performed, the inside is filled with He gas, and leakage detection is performed, It was confirmed that leakage was detected and detected at a sensitivity of 1E-10Pa·m 3 /s or less. Hollow defects and unbonded defects occurred in the cross section of the leaking part, which is considered to be due to the low rotational speed of the drill bit.
도 2로부터 알 수 있는바, 헬륨 누설 시험에서 누출이 검출되고, 타겟재 및 백 플레이트가 용접된 접합 계면 부분에서 간극을 볼 수 있었다. As can be seen from FIG. 2, leakage was detected in the helium leak test, and a gap was found at the joint interface portion where the target material and the back plate were welded.
실시예 4Example 4
본 실시예는 타겟재 어셈블리를 제공하고, 실시예 2의 타겟재 어셈블리와의 구별점은 다음과 같다.This embodiment provides a target material assembly, and the differences from the target material assembly of Example 2 are as follows.
본 실시예의 타겟재 축방향에 수직되는 방향을 따른 제1 측면과 제2 측면의 길이(X)는 0.1mm이다. The length (X) of the first side and the second side along the direction perpendicular to the axial direction of the target material in this embodiment is 0.1 mm.
본 실시예의 타겟재의 두께는 24mm이다. The thickness of the target material in this embodiment is 24 mm.
본 실시예는 상기 타겟재 어셈블리의 제조 방법을 더 제공하고, 상기 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다.This embodiment further provides a manufacturing method of the target material assembly, and the method includes the following steps.
단계 1)에서, 타겟재(TG) 재료는 Al-Cu 합금이고, 백 플레이트(BP) 재료는 A6061 합금이며, 타겟재, 백 플레이트를 각각 전용 지그에 고정하고, 타겟재의 외곽을 백 플레이트에 접합하여 백 플레이트가 타겟재의 외곽에 위치하도록 하고, 둘 사이의 이음매 간극을 0.2mm 이하로 조정하였다. In step 1), the target material (TG) material is an Al-Cu alloy, the back plate (BP) material is A6061 alloy, the target material and the back plate are each fixed to a dedicated jig, and the outer edge of the target material is bonded to the back plate. so that the back plate was positioned outside the target material, and the seam gap between the two was adjusted to 0.2 mm or less.
단계 2)에서, 마찰 교반 용접(FSW) 교반 도구의 드릴 비트를 접합 중심 라인에 맞추고, 백 플레이트 측으로 오프셋된 기설정된 거리는 1mm이며, 삽입 깊이는 17mm이고, 경사각은 3°이며, 회전 속도는 2000rpm이다. In step 2), the drill bit of the friction stir welding (FSW) stirring tool is aligned with the joint center line, the preset distance offset to the back plate side is 1 mm, the insertion depth is 17 mm, the inclination angle is 3 °, and the rotation speed is 2000 rpm am.
단계 3)에서, FSW 교반 도구를 이음매 재료에 삽입한 후, 해당 위치에서 5초 동안 유지하고, 용접 이음매 온도가 500℃를 초과하면 이동하기 시작하였다. In step 3), after inserting the FSW stirring tool into the seam material, hold it in that position for 5 seconds, and start moving when the welding seam temperature exceeds 500°C.
단계 4)에서, 타겟재 및 백 플레이트를 이동하여, FSW 교반 도구의 이동 속도가 200mm/min에 대응되면, 접합하기 시작하였다. In step 4), the target material and the back plate were moved, and bonding started when the moving speed of the FSW stirring tool corresponded to 200 mm/min.
단계 5)에서, 드릴 비트가 시작점에서 360° 회전한 후, 이음선에서 30mm 이상 중첩하여, 완성품의 바깥쪽으로 옮기고, FSW 교반 도구를 빼내어, 타겟재 어셈블리를 획득하였다.In step 5), after the drill bit rotated 360° from the starting point, overlapped at least 30 mm at the seam, moved to the outside of the finished product, and pulled out the FSW stirring tool to obtain a target material assembly.
타겟재와 백 플레이트를 접합한 후, 용접 부분의 앞뒷면을 절단하여 1.0mm만큼 제거하고, 초음파 탐상 시험(C-Scan)을 수행하여, FSW 접합 부분에 접합 결함이 검출되지 않았는지 확인하였다. After bonding the target material and the back plate, the front and back surfaces of the welded portion were cut and removed by 1.0 mm, and an ultrasonic inspection test (C-Scan) was performed to confirm that no bonding defects were detected at the FSW joint.
타겟재 및 백 플레이트를 접합 및 C-Scan한 후, 다시 용접 부분의 앞뒷면을 절단하여 1.3mm만큼 제거하고, 타겟재 및 백 플레이트의 접합 계면에 대해 헬륨 누설 시험을 수행하며, 내부에 He 가스를 가득 채우고, 누설 검출을 수행하여, 1E-10Pa·m3/s 이하의 감도에서 누설이 검출되지 않았는지 확인하였다. After bonding and C-scanning the target material and the back plate, the front and back surfaces of the welded part are cut again and removed by 1.3 mm, and a helium leak test is performed on the bonding interface between the target material and the back plate, and He gas is inside. was filled up, and leakage detection was performed to confirm that no leakage was detected at a sensitivity of 1E-10Pa·m 3 /s or less.
실시예 5Example 5
본 실시예는 타겟재 어셈블리를 제공하고, 실시예 2의 타겟재 어셈블리와의 구별점은 다음과 같다.This embodiment provides a target material assembly, and the differences from the target material assembly of Example 2 are as follows.
타겟재의 재질은 순 알루미늄이다. The material of the target material is pure aluminum.
백 플레이트의 재질은 A5000 계열 알루미늄이다. The material of the back plate is A5000 series aluminum.
본 실시예는 상기 타겟재 어셈블리의 제조 방법을 제공하고, 실시예 2의 타겟재 어셈블리의 제조 방법과의 구별점은 다음과 같다.This embodiment provides a manufacturing method of the target material assembly, and the differences from the manufacturing method of the target material assembly of Example 2 are as follows.
단계 2)에서, 마찰 교반 용접(FSW) 교반 도구의 드릴 비트를 접합 중심 라인에 맞추고, 백 플레이트 측으로 오프셋된 기설정된 거리는 0.1mm이며, 회전 속도는 1000rpm이다. In step 2), the drill bit of the friction stir welding (FSW) stirring tool is aligned with the joint center line, the preset distance offset to the back plate side is 0.1 mm, and the rotation speed is 1000 rpm.
단계 3)에서, FSW 교반 도구를 이음매 재료에 삽입한 후, 해당 위치에서 5초 동안 유지하고, 용접 이음매 온도가 350℃가 되면 이동하기 시작하였다. In step 3), after inserting the FSW stirring tool into the seam material, it was held at that position for 5 seconds and started to move when the temperature of the weld seam reached 350°C.
단계 4)에서, 타겟재 및 백 플레이트를 이동하여, FSW 교반 도구의 이동 속도가 50mm/min에 대응되면, 접합하기 시작하였다. In step 4), the target material and the back plate were moved, and bonding started when the moving speed of the FSW stirring tool corresponded to 50 mm/min.
실시예 6Example 6
본 실시예는 타겟재 어셈블리를 제공하고, 실시예 2의 타겟재 어셈블리와의 구별점은 다음과 같다.This embodiment provides a target material assembly, and the differences from the target material assembly of Example 2 are as follows.
타겟재의 재질은 알루미늄 실리콘 합금이다. The material of the target material is an aluminum silicon alloy.
백 플레이트의 재질은 A6000 계열 알루미늄이다. The material of the back plate is A6000 series aluminum.
본 실시예는 상기 타겟재 어셈블리의 제조 방법을 제공하고, 실시예 2의 타겟재 어셈블리의 제조 방법과의 구별점은 다음과 같다.This embodiment provides a manufacturing method of the target material assembly, and the differences from the manufacturing method of the target material assembly of Example 2 are as follows.
단계 2)에서, 마찰 교반 용접(FSW) 교반 도구의 드릴 비트를 접합 중심 라인에 맞추고, 백 플레이트 측으로 오프셋된 기설정된 거리는 3mm이며, 회전 속도는 2500rpm이다. In step 2), the drill bit of the friction stir welding (FSW) stirring tool is aligned with the joint center line, the preset distance offset to the back plate side is 3 mm, and the rotation speed is 2500 rpm.
단계 3)에서, FSW 교반 도구를 이음매 재료에 삽입한 후, 해당 위치에서 5초 동안 유지하고, 용접 이음매 온도가 400℃가 되면 이동하기 시작하였다. In step 3), after inserting the FSW stirring tool into the seam material, it was held in that position for 5 seconds, and it started to move when the welding seam temperature reached 400°C.
단계 4)에서, 타겟재 및 백 플레이트를 이동하여, FSW 교반 도구의 이동 속도가 300mm/min에 대응되면, 접합하기 시작하였다. In step 4), the target material and the back plate were moved, and bonding started when the moving speed of the FSW stirring tool corresponded to 300 mm/min.
실시예 7Example 7
본 실시예는 타겟재 어셈블리를 제공하고, 실시예 2의 타겟재 어셈블리와의 구별점은 다음과 같다.This embodiment provides a target material assembly, and the differences from the target material assembly of Example 2 are as follows.
타겟재의 재질은 구리 실리콘 알루미늄 합금이다. The material of the target material is a copper silicon aluminum alloy.
백 플레이트의 재질은 A2000 계열 알루미늄이다. The material of the back plate is A2000 series aluminum.
본 실시예는 상기 타겟재 어셈블리의 제조 방법을 제공하고, 실시예 2의 타겟재 어셈블리의 제조 방법과의 구별점은 다음과 같다.This embodiment provides a manufacturing method of the target material assembly, and the differences from the manufacturing method of the target material assembly of Example 2 are as follows.
단계 2)에서, 마찰 교반 용접(FSW) 교반 도구의 드릴 비트를 접합 중심 라인에 맞추고, 백 플레이트 측으로 오프셋된 기설정된 거리는 2mm이며, 회전 속도는 2200rpm이다. In step 2), the drill bit of the friction stir welding (FSW) stirring tool is aligned with the joint center line, the preset distance offset to the back plate side is 2 mm, and the rotation speed is 2200 rpm.
단계 3)에서, FSW 교반 도구를 이음매 재료에 삽입한 후, 해당 위치에서 5초 동안 유지하고, 용접 이음매 온도가 520℃가 되면 이동하기 시작하였다. In step 3), after inserting the FSW stirring tool into the seam material, it was held in that position for 5 seconds, and it started to move when the welding seam temperature reached 520°C.
단계 4)에서, 타겟재 및 백 플레이트를 이동하여, FSW 교반 도구의 이동 속도가 200mm/min에 대응되면, 접합하기 시작하였다. In step 4), the target material and the back plate were moved, and bonding started when the moving speed of the FSW stirring tool corresponded to 200 mm/min.
실시예 8Example 8
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 타겟재 어셈블리를 제공하고, 실시예 2의 타겟재 어셈블리와의 구별점은 다음과 같다.As shown in FIG. 3, this embodiment provides a target material assembly, and the differences from the target material assembly of Example 2 are as follows.
타겟재(1)는 돌출부(22)를 포함하지 않고, 백 플레이트(2)는 오목부(12)를 포함하지 않으며, 타겟재(1)의 외각과 백 플레이트(2)는 단지 하나의 곡면을 통해 접착된다. The
도 4로부터 스퍼터링된 타겟재(5)를 볼 수 있고, 타겟재(1)의 두께가 유의하게 증가하였으며, 백 플레이트(2)를 타겟재(1)의 외곽에 설치함으로써, 백 플레이트(2)가 타겟재(1)의 배면에서 자리를 차지하지 않아, 스퍼터링 범위의 두께가 모두 타겟재(1)로 이루어지기 때문에, 타겟재(1) 자체의 두께를 간접적으로 더 두껍게 설정할 수 있고, 타겟재(1) 자체의 사용 수명을 연장시키므로, 기존 제품에 비해, 전체 전력을 수명이 다 할 때까지 연장시킬 수 있으며, 타겟재 어셈블리의 긴 수명을 구현할 수 있다. 4, it can be seen that the sputtered target material 5, the thickness of the
바람직하게, 상기 타겟재 어셈블리는 연결 부재를 더 포함하고, 백 플레이트(2)는 연결 부재를 통해 그가 위치하는 스퍼터링 챔버의 챔버 벽에 연결된다. 구체적으로, 본 실시예의 연결 부재는 플랜지(6)이다. Preferably, the target material assembly further comprises a connecting member, and the back plate 2 is connected to the chamber wall of the sputtering chamber in which it is located via the connecting member. Specifically, the connecting member in this embodiment is the flange 6.
바람직하게, 상기 타겟재 어셈블리는 실드(9)를 더 포함하고, 실드(9)는 백 플레이트(2), 타겟재(1)와 각각 접촉 연결되며, 실드(9)는 연결 부재를 통해 그가 위치하는 스퍼터링 챔버에 연결된다. Preferably, the target material assembly further comprises a shield 9, wherein the shield 9 is connected in contact with the back plate 2 and the
도 5에 도시된 바와 같이, 구체적으로, 본 실시예에서 타겟재 어셈블리 중의 백 플레이트(2)는 플랜지(6)를 통해 그가 위치하는 스퍼터링 챔버의 챔버 벽에 연결되고, 백 플레이트(2)는 제1 나사 볼트(7)를 통해 플랜지(6)에 연결되며, 플랜지(6)는 기존 재료로 제조되므로 장착 문제를 일으키지 않는다. 구체적으로, 본 실시예의 플랜지(6)는 알루미늄 합금으로 제조된다. 실드(9)는 제2 나사 볼트(8)를 통해 플랜지(6)에 연결된다. As shown in Fig. 5, specifically, in this embodiment, the back plate 2 in the target material assembly is connected to the chamber wall of the sputtering chamber in which it is located via the flange 6, and the back plate 2 is It is connected to the flange (6) via 1 threaded bolt (7), and the flange (6) is made of existing materials so that it does not cause mounting problems. Specifically, the flange 6 of this embodiment is made of aluminum alloy. The shield 9 is connected to the flange 6 via a second screw bolt 8 .
이해할 수 있는 것은, 상술한 실시형태는 본 발명의 원리를 설명하기 위한 예시적인 실시형태일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 당업자라면 본 발명의 사상 및 본질을 벗어나지 않으면서 다양한 변형 및 개선이 가능하며, 이러한 변형 및 개선도 본 발명의 보호 범위로 간주된다.It can be understood that the above-described embodiment is only an exemplary embodiment for explaining the principle of the present invention, and the present invention is not limited thereto. Various modifications and improvements can be made by those skilled in the art without departing from the spirit and essence of the present invention, and such modifications and improvements are also considered within the protection scope of the present invention.
1: 타겟재;
11: 타겟재 바디;
12: 오목부;
2: 백 플레이트;
21: 백 플레이트 바디;
22: 돌출부;
3: 제1 측면;
4: 제2 측면;
5: 스퍼터링된 타겟재;
6: 플랜지;
7: 제1 나사 볼트;
8: 제2 나사 볼트;
9: 실드.1: target material;
11: target material body;
12: concave portion;
2: back plate;
21: back plate body;
22: protrusion;
3: first side;
4: second side;
5: sputtered target material;
6: flange;
7: first screw bolt;
8: second screw bolt;
9: shield.
Claims (14)
타겟재 및 백 플레이트를 포함하고, 백 플레이트는 타겟재의 외곽에 설치되며, 타겟재의 스퍼터링 표면은 백 플레이트의 선단 표면보다 돌출되는 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리.
In the target material assembly,
A target material assembly comprising a target material and a back plate, wherein the back plate is installed outside the target material, and a sputtering surface of the target material protrudes from a front end surface of the back plate.
타겟재는 타겟재 바디, 타겟재 바디에 연결되는 오목부를 포함하고, 오목부는 타겟재 가장자리의 배면에 설치되며, 타겟재 가장자리의 배면은 타겟재 가장자리의 스퍼터링 표면과 반대되는 면이고,
백 플레이트는 백 플레이트 바디, 백 플레이트 바디에 연결되는 돌출부를 포함하며, 돌출부는 백 플레이트 가장자리의 정면에 설치되고, 백 플레이트 가장자리의 배면에 비해, 백 플레이트 가장자리의 정면은 백 플레이트가 위치한 스퍼터링 챔버의 내부에 더 가까우며, 돌출부는 오목부 내부에 설치되는 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리.
According to claim 1,
The target material includes a target material body and a concave portion connected to the target material body, the concave portion is installed on the back surface of the edge of the target material, the rear surface of the edge of the target material is a surface opposite to the sputtering surface of the edge of the target material,
The back plate includes a back plate body and a protrusion connected to the back plate body, the protrusion is installed on the front side of the edge of the back plate, and compared to the back side of the edge of the back plate, the front side of the edge of the back plate is of the sputtering chamber where the back plate is located. Closer to the inside, the target material assembly, characterized in that the protrusion is installed inside the recess.
돌출부와 오목부는 형상이 매칭되는 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리.
According to claim 2,
Target material assembly, characterized in that the protrusion and the concave portion are matched in shape.
돌출부는 내측 방향을 향한 제1 측면을 포함하고, 오목부는 외측 방향을 향한 제2 측면을 포함하며, 제1 측면과 제2 측면은 접착되고, 타겟재 축방향에 수직되는 방향을 따른 제1 측면과 제2 측면의 길이는 동일하며, 상기 길이는 0.1~3mm인 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리.
According to claim 3,
The protrusion has a first side facing inward, the concave has a second side facing outward, the first side and the second side are adhered, and the first side along a direction perpendicular to the axial direction of the target material. And the length of the second side is the same, the target material assembly, characterized in that the length is 0.1 ~ 3mm.
타겟재의 두께는 20~30mm인 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리.
According to any one of claims 1 to 4,
Target material assembly, characterized in that the thickness of the target material is 20 ~ 30mm.
타겟재의 재질은 순 알루미늄, 알루미늄 구리 합금, 알루미늄 실리콘 합금, 구리 실리콘 알루미늄 합금 중 어느 하나이고;
백 플레이트의 재질은 A5000 계열 알루미늄, A6000 계열 알루미늄, A2000 계열 알루미늄 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리.
According to any one of claims 1 to 4,
The material of the target material is any one of pure aluminum, aluminum copper alloy, aluminum silicon alloy, copper silicon aluminum alloy;
The material of the back plate is any one of A5000 series aluminum, A6000 series aluminum, and A2000 series aluminum.
연결 부재를 더 포함하고, 백 플레이트는 연결 부재를 통해 그가 위치하는 스퍼터링 챔버의 챔버 벽에 연결되는 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리.
According to any one of claims 1 to 4,
A target material assembly, further comprising a connecting member, wherein the back plate is connected to a chamber wall of a sputtering chamber in which it is located via the connecting member.
실드를 더 포함하고, 실드는 백 플레이트, 타겟재와 각각 접촉 연결되며, 실드는 연결 부재를 통해 그가 위치하는 스퍼터링 챔버에 연결되는 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리.
According to claim 7,
A target material assembly, further comprising a shield, wherein the shield is connected to the back plate and the target material in contact with each other, and the shield is connected to the sputtering chamber in which the shield is located through a connecting member.
타겟재의 두께는 백 플레이트의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리.
According to any one of claims 1 to 4,
The target material assembly, characterized in that the thickness of the target material is thicker than the thickness of the back plate.
타겟재의 외곽을 백 플레이트에 접합하여 백 플레이트가 타겟재의 외곽에 위치하도록 하고, 용접용 드릴 비트를 타겟재의 외각과 백 플레이트의 접합 중심 라인에서 백 플레이트 측으로 기설정된 거리만큼 오프셋하며, 타겟재의 외곽과 백 플레이트를 용접하여 접합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리의 제조 방법.
In the manufacturing method of the target material assembly according to any one of claims 1 to 9,
The outer edge of the target material is joined to the back plate so that the back plate is located on the outer edge of the target material, and the drill bit for welding is offset by a predetermined distance from the center line of the joint between the outer edge of the target material and the back plate to the back plate side, A method of manufacturing a target material assembly comprising the step of welding and joining the back plate.
용접 온도는 350~550℃인 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리의 제조 방법.
According to claim 10,
The manufacturing method of the target material assembly, characterized in that the welding temperature is 350 ~ 550 ℃.
용접용 드릴 비트가 접합 중심 라인에서 백 플레이트 측으로 오프셋된 기설정된 거리는 0.1~3mm인 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리의 제조 방법.
According to claim 10,
A method of manufacturing a target material assembly, characterized in that the predetermined distance at which the drill bit for welding is offset from the joint center line to the back plate side is 0.1 to 3 mm.
타겟재와 백 플레이트를 용접하는 용접 방법은 마찰 교반 용접인 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리의 제조 방법.
According to claim 10,
A method of manufacturing a target material assembly, characterized in that the welding method for welding the target material and the back plate is friction stir welding.
용접용 드릴 비트의 회전 속도는 1,000rpm 내지 2,500rpm이고, 이송 속도(feed rate)는 50mm/min 내지 300mm/min인 것을 특징으로 하는 타겟재 어셈블리의 제조 방법.According to any one of claims 10 to 13,
The rotational speed of the drill bit for welding is 1,000 rpm to 2,500 rpm, and the feed rate is 50 mm/min to 300 mm/min.
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