KR20230022962A - 편평한 하단 섀도우 링 - Google Patents

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지에 리우
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Abstract

일부 예들에서, 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하기 위해 편평한 하단 섀도우 링 (Bottom Shadow Ring; fBSR) 이 제공된다. 예시적인 fBSR은 프로세싱 챔버 내에서 기판의 에지를 커버하기 위한 오버행 (overhang) 을 포함한다. 오버행은 기판의 외측 에지 위로 방사상으로 외향으로 연장하는 편평한 존을 포함한다.

Description

편평한 하단 섀도우 링
본 개시는 일반적으로 반도체 제작에 관한 것이고, 보다 구체적으로 기판 에칭 동작들을 위한 편평한 하단 섀도우 링 (flat Bottom Shadow Ring) 에 관한 것이다.
원치 않은 블랙 실리콘 포메이션은 깊은 실리콘 에칭 동작들에서 상당한 결함 문제를 제시할 수 있다. 이러한 포메이션은 때때로 웨이퍼의 외측 에지들에서 웨이퍼 베벨 존들에서 발생할 수도 있다. 블랙 실리콘은 예를 들어 광을 트랩하고 플라즈마 또는 무선 주파수 (radio frequency; RF) 섀도우들을 유발하는 실리콘 니들들 (needles) 에서 관찰될 수도 있다. 블랙 실리콘 포메이션 및 결함있는 포메이션은 파손되기 쉽다. 이 파손은 생산 시 중대한 결함 문제들을 유발할 수 있다.
블랙 실리콘 포메이션을 처리하기 위한 공지된 기법은 예를 들어, 에칭으로부터 보호하기 위해 에지를 커버하는 것을 포함한다. 일부 에지를 커버하는 기법들은 하단 섀도우 링 (Bottom Shadow Ring; BSR) 을 채용한다. BSR을 사용하더라도, 프로파일 깊이들이 증가함에 따라, 그럼에도 불구하고, 특히 웨이퍼의 좁은 에지 배제 존들에서 균일한 방사상 변화량들 또는 깊이 균일도를 전달하는 것이 여전히 어려울 수 있다. 실제로, 일부 예들에서, 일부 현재 이용 가능한 BSR들의 고유한 특성들은 이들 문제들을 악화시킬 수 있다.
예를 들어, 공지된 타입의 BSR (302) 이 도 3에 예시된다. 이 타입의 BSR (302) 은 0.254 내지 7.6 ㎜ (대략 0.01 내지 0.3 인치) 범위의 방사상 길이를 갖는 짧은 립 (lip) (306) 을 갖는다. BSR (302) 의 방사상으로 내측 존 (303) 이 램프 (ramp) (304) 를 포함한다는 것을 알 수 있을 것이다. 램프 (304) 는 에칭 문제 및 다른 프로세싱 문제를 유발할 수 있는 장애물을 제시한다. 예를 들어, 램프 (304) 의 반사 형상은 RF 필드들과 간섭할 수 있고 섀도우들, "에칭 없음" 존들, 및 구조체들, 비아들, 등의 가능한 오정렬을 유발할 수 있다.
본 명세서에 제공된 배경기술 기술 (description) 은 일반적으로 본 개시의 맥락을 제시하기 위한 것이다. 이 배경기술 섹션에 기술된 정도의 본 명세서에 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원 시 종래 기술로서 달리 인증되지 않을 수도 있는 본 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.
우선권 주장
본 출원은 2020년 6월 11일에 출원된 미국 특허 가출원 번호 제 63/038,026 호의 우선권의 이익을 주장하고, 이는 전체가 본 명세서에 참조로서 인용된다.
일부 예들에서, 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하기 위한 편평한 하단 섀도우 링 (flat Bottom Shadow Ring; fBSR) 이 제공된다.
예시적인 fBSR은 프로세싱 챔버 내에서 기판의 에지를 커버하기 위한 오버행 (overhang) 을 포함한다. 오버행은 편평한 존을 포함하고, 편평한 존은 기판의 외측 에지 위로 방사상으로 외향으로 연장한다. 일부 예들에서, 편평한 존은 일반적으로 기판의 상부 표면과 평행하다.
일부 예들에서, 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 예시적인 방법은 프로세싱 챔버 내 기판-지지 어셈블리 상에 기판을 지지하는 단계를 포함한다. 방법은 프로세싱 챔버 내에 fBSR을 설치하는 단계를 포함하고, fBSR은 프로세싱 챔버 내에 기판의 에지를 커버하기 위한 오버행을 포함하고, 그리고 오버행은 기판의 외측 에지 위로 방사상으로 외향으로 연장하는 편평한 존을 포함한다. 방법은 기판 위에 fBSR을 센터링하는 단계 및 fBSR의 오버행으로 기판의 에지를 커버하는 단계, 및 이어서 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시 예들은 첨부한 도면들의 도면들에 제한이 아니라 예로서 예시된다. 임의의 특정한 엘리먼트 또는 작용의 논의를 보다 용이하게 식별하기 위해, 참조 번호의 최상위 숫자 (digit) 또는 숫자들은 그 엘리먼트가 처음 도입된 도면 번호를 지칭한다.
도 1은 본 편평한 하단 섀도우 링 (flat Bottom Shadow Ring; fBSR) 의 일부 실시 예들이 채용될 수도 있는 반응 챔버의 개략도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 fBSR의 일반적인 구성 (arrangement) 을 예시한다.
도 3은 일 예에 따른 일 타입의 공지된 BSR을 예시한다.
도 4a는 도 2에 도시된 fBSR (202) 의 확대도이다.
도 4b는 본 개시의 또 다른 예시적인 실시 예에 따른 fBSR을 예시한다.
도 5는 본 개시의 또 다른 예시적인 실시 예에 따른 fBSR을 예시한다.
도 6a 및 도 6b는 일부 실시 예들에 따른, 기판 포메이션들의 비교 예들을 예시하는 도면들이다.
도 7은 본 개시의 예시적인 실시 예에 따른 fBSR을 사용하기 위한 방법을 도시하는 흐름도이다.
이어지는 기술은 본 개시의 예시적인 실시 예들을 구현하는 시스템들, 방법들, 및 기법들을 포함한다. 이하의 기술에서, 설명의 목적들을 위해, 예시적인 실시 예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 수많은 구체적 상세들이 제시된다. 그러나, 당업자에게 본 개시가 이들 구체적 상세들 없이 실시될 수도 있다는 것이 분명할 것이다.
본 특허 문헌의 개시의 일부는 저작권 보호를 받는 자료를 포함할 수도 있다. 저작권자는 특허 문헌 또는 특허 개시가 특허청 특허 서류들 또는 기록들에 나타나기 때문에, 특허 문헌 또는 특허 개시의 누군가에 의한 복사 (facsimile reproduction) 를 반대할 수 없지만, 모든 저작권 권리들을 보유한다. 이하의 공지는 본 문헌의 일부를 형성하는 이하 및 도면들에 기술된 바와 같은 모든 데이터에 적용된다: 저작권 Lam Research Corporation, 2020, 판권 소유.
도 1은 본 편평한 하단 섀도우 링 (flat Bottom Shadow Ring; fBSR) 의 일부 실시 예들이 채용될 수도 있는 반응 챔버의 개략도이다. 도 1은 기판을 에칭하기 위해 통상적으로 채용되는 타입의 예시적인 플라즈마 프로세싱 챔버를 나타내는, 용량 커플링 (capacitively-coupled) 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 를 예시한다. 프로세싱 챔버 (100) 는 웨이퍼 (104) 와 같은 기판이 에칭 동안 포지셔닝되는 워크피스 (workpiece) 홀더를 나타내는, 척 (102) 과 같은 기판-지지 어셈블리를 포함한다. 척 (102) 은 임의의 적합한 척킹 기법, 예를 들어, 정전기적, 기계적, 클램핑, 진공, 등에 의해 구현될 수도 있다. 에칭 동안, 척 (102) 은 통상적으로 듀얼 주파수 전력 소스 (106) 에 의해 에칭 동안 듀얼 RF 주파수들 (저 주파수 및 고 주파수), 예를 들어, 2 ㎒ 및 27 ㎒를 동시에 공급받는다.
상부 전극 (108) 이 웨이퍼 (104) 위에 위치된다. 상부 전극 (108) 은 접지된다. 도 1은 상부 전극 (108) 의 하단 표면 (107) 이 척 (102) 및 웨이퍼 (104) 의 상단 표면 (109) 보다 보다 큰 에칭 반응기를 예시한다. 에칭 동안, 플라즈마 (112) 는 혼합 가스 라인 (114) 을 통해 공급되고 배기 라인 (118) 을 통해 펌핑 아웃되는 (pump out) 에천트 소스 가스로부터 형성된다. 프로세싱 챔버 (100) 내에서, 혼합 가스 라인 (114) 은 샤워헤드 (미도시) 에 연결될 수도 있다. 프로세싱 챔버 (100) 외부의 가스들의 업스트림 (upstream) 혼합 및 분배는 이하에 보다 상세히 논의된다.
전기 절연체 링 (110) 이 프로세싱 챔버 (100) 로부터 상부 전극 (108) 을 절연한다. 한정 링들 (confinement rings) (116) 은 상부 전극 (108) 과 하부 전극, 예컨대 척 (102) 사이에 배치될 수도 있다. 일반적으로, 한정 링들 (116) 은 프로세스 제어를 개선하고 반복성을 보장하도록 에칭 플라즈마 (112) 를 웨이퍼 (104) 위의 영역으로 한정하는 것을 돕는다.
RF 전력이 듀얼 주파수 전력 소스 (106) 로부터 척 (102) 에 공급될 때, 등전위장 라인들 (equipotential field lines) 이 웨이퍼 (104) 위에 설정된다. 등전위장 라인들은 웨이퍼 (104) 와 플라즈마 (112) 사이에 있는 플라즈마 시스 (sheath) 에 걸친 전기장 라인들이다. 이들 등전위장 라인들을 가로지르는 것은 웨이퍼 (104) 와 플라즈마 (112) 사이에 있는 플라즈마 시스의 전기장 라인들이다. 플라즈마 프로세싱 동안, 포지티브 이온들은 웨이퍼 (104) 의 표면 상에 충돌하도록 (impinge) 등전위장 라인들을 가로질러 가속화되고, 이에 따라 에칭 방향성을 개선하는 것과 같은 목표된 에칭 효과를 제공한다. 상부 전극 (108) 및 척 (102) 의 기하 구조로 인해, 장 라인들 (field lines) 은 웨이퍼 표면에 걸쳐 균일하지 않을 수도 있고, 웨이퍼 (104) 의 에지에서 상당히 가변할 수도 있다. 따라서, 포커스 링 (120) 은 통상적으로 전체 웨이퍼 표면에 걸쳐 프로세스 균일도를 개선하도록 제공된다. 도 1을 참조하면, 웨이퍼 (104) 는 세라믹, 석영, 플라스틱, 등과 같은 적합한 유전체 재료로 형성될 수도 있는 포커스 링 (120) 내에 배치되는 것으로 도시된다. 따라서, 포커스 링 (120) 의 존재는 등전위장 라인들로 하여금 웨이퍼 (104) 의 전체 표면 위에 실질적으로 균일하게 배치되게 한다.
전기 전도성 차폐부 (122) 가 실질적으로 포커스 링 (120) 을 둘러싼다. 전기 전도성 차폐부 (122) 는 프로세싱 챔버 (100) 내에서 실질적으로 접지되도록 구성된다. 차폐부 (122) 는 포커스 링 (120) 외부의 원치 않은 등전위장 라인들의 존재를 방지한다. 혼합된 가스 라인 (114) 을 통해 공급된 챔버 소스 가스와 관련하여, 플라즈마 반응기 내에서 그리고 플라즈마 반응기의 업스트림에서 가스 이송 특성들이 에칭 불균일도 또는 증착 불균일도에 기여하는 가장 민감한 변수들일 수 있다는 것이 발견되었다.
일부 실시 예들에서, 혼합된 가스 라인 (114) 의 업스트림의 가스 전달 패널은 혼합 전에 개별적인 가스-특정 공급 라인들에 의해 공급된다. 이들 라인들은 가스 혼합물의 가스 구성 요소 (constituent) 각각에 대해 밸브들, 레귤레이터들, 질량 유량 제어기들 (mass flow controllers; MFCs), 등과 같은 플로우 컴포넌트들 및 파이핑 (piping) 을 포함할 수 있다. 이들 개별 라인들은 매니폴드 유입구들을 통해 종래의 가스 혼합 매니폴드에 가스를 공급한다. 개별 가스들은 가스 공급 라인 (예를 들어, 도 1의 혼합된 가스 라인 (114)) 을 통해 다른 컴포넌트들 또는 프로세싱 챔버 (예를 들어, 도 1의 프로세싱 챔버 (100)) 로 분배되도록 출구를 통해 매니폴드를 떠나기 전에 매니폴드 내에서 혼합된다.
일부 실시 예들에서, 가스 혼합 매니폴드 또는 분배기는 상대적으로 큰 체적의 세장형 (elongate), 튜브형 구조체를 포함한다. 목표된 가스 혼합물을 생성하기 위한 가스 공급 라인 각각은 가스 매니폴드의 길이를 따라 특정한 거리 이격된다. 일부 매니폴드들은 예를 들어 최대 27 인치 길이일 수도 있다. 미리 결정된 매니폴드의 전체 길이는 이를 공급하는 가스 라인들의 수에 기초할 수도 있다. 가스 라인들의 수는 결국 프로세싱 챔버 (100) 내에서 미리 결정된 프로세스를 위해 목표된 가스 혼합물에 종속될 수도 있다.
도 2는 예시적인 실시 예에 따른 fBSR (202) 의 일반적인 구성 (arrangement) (200) 을 예시한다. 이 실시 예에서, 구성 (200) 은 웨이퍼 (204) 및 척 (205) 을 포함한다. 웨이퍼는 상부 표면 (207) 을 포함한다. 하나 이상의 한정 또는 포커스 링들 (220) 이 웨이퍼 (204) 를 둘러싼다. 웨이퍼 (204) 및 척 (205) 의 각각의 중심들은 도면에서 방향 (209) 의 좌측에 있다. 일부 예들에서, fBSR (202) 의 오버행 (206) 이 웨이퍼 (204) 의 에지 영역 (208) 을 커버하고 웨이퍼 (204) 의 외측 에지 (222) 위로 연장하는 방식으로 배치될 수도 있다.
도 4a는 도 2에 도시된 fBSR (202) 의 확대도이다. 도 4a의 fBSR (202) 은 fBSR (202) 의 상부 표면 (402) 을 따라 배치된 연장된 편평한 존 (404) 을 포함한다. 일부 실시 예들에서, 편평한 존 (404) 은 fBSR (202) 의 방사상으로 내측 존 (405) 내부에 배치된다. 공지된 BSR (302) (도 3) 과 대조적으로, 편평한 존 (404) 은 방해하는 프로파일 또는 간섭하는 구조체가 없다. BSR (302) 상에 존재하는 램프 (ramp) (304) 는 fBSR (202) 내에 존재하지 않는다. 램프 (304) 의 간섭 특성과 관련하여 상기 논의된 문제들은 이에 따라 완화되거나 적어도 감소된다. 다시 도 2를 참조하면, 일부 예들에서, 편평한 존 (404) 은 웨이퍼 (204) 의 상부 표면 (207) 의 평면에 평행한 편평하고, 기울어지지 않은 평면에 놓인다.
일부 예들에서, fBSR (202) 은 BSR (302) (도 3) 의 짧은 립 (lip) (306) 보다 상당히 보다 긴 방사상 길이를 갖는 박형 오버행 (206) 을 포함한다. 일부 예들에서, 박형 오버행 (206) 은 BSR (302) 의 짧은 립 (306) 의 방사상 면적보다 보다 큰 방사상 면적 또는 치수를 갖는다. 일부 실시 예들에서, 박형 오버행 (206) 은 편평한 존 (404) 의 일부를 따라 부분적으로 연장하고 규정한다. 일부 예들에서, 박형 오버행 (206) 은 7.62 내지 76.2 ㎜ (대략 0.3 내지 3.0 인치) 범위의 방사상 길이를 갖는다.
특정한 실시 예들에 따라, 박형 오버행 (206) 은 웨이퍼 (204) (도 2) 의 선택된 대응하는 에지 영역을 커버하거나 오버랩하기 (overlap) 위해, 박형 오버행 (206) 의 길이보다 보다 짧은 노즈 섹션 (406) 을 갖는다. 일부 예들에서, 노즈 섹션 (406) 은 0.245 내지 7.62 ㎜ (대략 0.01 내지 0.3 인치) 범위의 방사상 길이를 갖는다. 일부 예들에서, fBSR (202) 의 내측 에지 (407) 와 프로세싱된 웨이퍼의 중심 사이의 거리는 76.2 내지 304.8 ㎜ (대략 약 3.0 내지 12.0 인치) 의 웨이퍼 직경에 기초하여, 38.1 내지 152.4 ㎜ (대략 1.5 내지 6.0 인치) 의 범위이다.
일부 예들에서, fBSR (202) 은 박형 오버행 (206) 의 영역에서 균일한 단면 두께를 갖는다. 특정한 실시 예들에서, fBSR (202) 은 특정한 프로세스 챔버들을 개장하기 (retrofit) 위해 0.245 내지 7.6 ㎜ (대략 0.01 내지 0.3 인치) 범위의 박형 오버행 (206) 및/또는 노즈 섹션 (406) 의 단면 두께를 갖는다. 일부 예들에서, 박형 오버행 (206) 은 도시된 바와 같이 상부의 연장된 편평한 존 (404) 의 일부 또는 전부를 형성하거나 규정한다. 일부 예들에서, 편평한 존 (404) 은 7.62 내지 76.2 ㎜ (대략 0.3 내지 3.0 인치) 범위의 방사상 길이를 갖는다. 일부 예들에서, 편평한 존 (404) 은 방사상 외측 존 (410) 내로 또는 일부를 통해 방사상 외향으로 연장한다. 일부 예들에서, 편평한 존 (404) 은 fBSR (202) 의 방사상 중간 지점과 fBSR (202) 의 원주 (413) 사이에 놓인 방사상 외측 존 (410) 내로 연장한다. 일부 예들에서, 편평한 존 (404) 은 fBSR (202) 의 전체 원주 (413) 로 방사상 외향으로 연장한다. 일부 예들에서, 편평한 존 (404) 은 단차부 (408) 에서 종료된다. 일부 예들에서, fBSR (202) 은 웨이퍼 위에 또는 척 (102) (도 1) 과 같은 기판-지지 어셈블리 상에 fBSR (202) 을 센터링하기 위한 하나 이상의 위치 결정 (locating) 리세스들 또는 포메이션들 (414 및 415) 을 포함한다. fBSR (202) 은 내부로 지향된 기울어진 면 또는 경사부 (slope) (416), 또는 외부로 지향된 기울어진 면 또는 경사부 (418) 와 같은 특정한 기하학적 피처들을 포함할 수도 있다. fBSR (202) 의 일부 예들은 fBSR (202) 의 기능을 향상시키기 위해 다른 또는 추가의 기하학적 피처들을 포함할 수도 있다.
이와 관련하여, 도 4b는 본 개시의 추가의 예시적인 실시 예들에 따른 fBSR (202) 을 예시한다. 일부 예들에서, 편평한 존 (404) 은 기울어진 면 또는 경사부 (409) 의 풋 (foot) 에서 종료된다. 부드러운 커브 (smooth curve) 또는 다른 포메이션과 같은 다른 종단 구성들이 가능하다. 일부 예들에서, 기하학적 피처는 박형 오버행 (206) 의 하부 측 (424) 과 fBSR (202) 의 하부 측 (426) 사이에서 연장하는 확장된 내부로 지향된 기울어진 면 또는 경사부 (420) 를 포함한다. 일부 예들에서, 기울어진 면 또는 경사부가 fBSR (202) 의 2 개의 평면들 또는 표면들의 교차점과 같은 다른 또는 추가 위치들에 제공된다. 일부 예들에서, 기하학적 피처는 둥근 코너 (422) 와 같은 윤곽 포메이션을 포함할 수도 있다. 윤곽 포메이션은 예를 들어, fBSR (202) 의 2 개의 평면들 또는 표면들의 교차점에서 제공될 수도 있다.
일부 예들에서, 위치 결정 포메이션들 (414 및 415) 은 상이한 단면 프로파일들 또는 형상들을 갖는다. 다른 예들이 가능하다. 위치 결정 포메이션들 (414 및 415) 은 도시된 것과 동일한 형상, 또는 상이한 형상들을 가질 수도 있다. 예시적인 fBSR (202) 은 예를 들어, 단지 하나의 위치 결정 포메이션 (414 또는 415), 또는 위치 결정 포메이션들 (414 및 415) 모두를 포함하는 복수의 위치 결정 포메이션들을 포함할 수도 있다. 추가의 위치 결정 포메이션들, 및 이의 구성들이 가능하다. 예를 들어, 위치 결정 포메이션들 (414 및 415) 사이의 간격은 가변할 수도 있다. 일부 예들에서, 위치 결정 포메이션 (414 또는 415) 은 기판-지지 어셈블리, 예를 들어, 한정 링 (220) (도 2) 상의 특정한 엘리먼트와 인게이지하도록 (engage) 구성된다.
도 5는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 코팅된 fBSR을 예시한다. 도 5를 참조하면, fBSR (502) 은 fBSR (502) 의 재료 강도 또는 화학적 내성을 향상시키기 위해 코팅 (504) 으로 처리된다. 코팅 (504) 은 옥사이드 코팅, 예를 들어, 이트륨 옥사이드 코팅을 포함할 수도 있다. 코팅 (504) 은 예를 들어 fBSR (502) 의 전체 상부 표면들 (506 및 508) 위로 연장할 수도 있다. 일부 예들에서, 코팅 (504) 은 편평한 존 (510) 에 대응하는 상부 표면 (508), 또는 상부 표면 (506) 만을 커버한다. 코팅 타입들 및 커버리지 존들의 다른 조합들이 가능하다.
도 6a는 BSR (302) 과 같은 공지의 BSR을 사용하여 웨이퍼 표면 상에 생성된 예시적인 포메이션들 (602) 을 예시하는 도면이다. 도 6a는 웨이퍼의 에지에서 프로파일 (602A) 이 변형되고 줄무늬들 (striations) (603) 을 포함하는 것을 도시한다. 이 타입의 변형은, 일부 예들에서, 에칭 정지부에 도달하려고 한다는 것을 나타낸다. 대조적으로, 도 6b는 본 개시의 fBSR을 사용하여 웨이퍼 표면 상에 생성된 일관된 예시적인 포메이션들 (604) 을 예시한다. 도 6a와 비교하여, 도 6b는 줄무늬들이 없는 웨이퍼 (604A) 의 에지를 따라 훨씬 보다 깨끗한 프로파일을 도시한다. 이는 보다 높은 종횡비가 여전히 달성될 수 있다는 것을 나타낸다.
도 7은 특정한 실시 예들에 따른 (웨이퍼와 같은) 기판을 프로세싱하기 위해 프로세싱 챔버 내에서 fBSR을 사용하기 위한 프로세스 (700) 를 예시한다.
동작 (702) 에서, 프로세스 (700) 는 프로세싱 챔버 내 기판-지지 어셈블리 상에 기판을 지지하는 것으로 시작된다. 이어서 프로세스 (700) 는 동작 (704) 으로 진행한다.
동작 (704) 에서, 프로세스 (700) 는 프로세싱 챔버 내에 fBSR을 설치하고 기판 위에 fBSR을 센터링하는 것을 포함한다. 센터링 동작은 기판-지지 어셈블리와 fBSR 상의 센터링 포메이션을 인게이지하는 것을 포함할 수도 있다. fBSR은 프로세싱 챔버 내에서 기판의 에지를 커버하기 위한 오버행을 포함할 수도 있고, 편평한 존은 기판의 외측 에지 위로 방사상으로 외향으로 연장한다. 이어서 프로세스 (700) 는 동작 (706) 으로 진행한다.
동작 (706) 에서, 프로세스 (700) 는 fBSR의 오버행으로 기판의 에지를 커버하는 것을 포함한다. 이어서 프로세스 (700) 는 동작 (708) 으로 진행한다.
동작 (708) 에서, 프로세스 (700) 는 기판을 프로세싱하는 것을 포함한다.
본 명세서에 개시된 장치 및 방법들을 더 예시하기 위해, 예들의 비제한적인 목록이 본 명세서에 제공된다:
1. 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하기 위한 편평한 하단 섀도우 링 (fBSR) 에 있어서, fBSR은, 프로세싱 챔버 내에서 기판의 에지를 커버하기 위한 오버행을 포함하고, 편평한 존은 기판의 외측 에지 위로 방사상으로 외향으로 연장한다.
2. 예 1의 fBSR에 있어서, 편평한 존은 일반적으로 기판의 상부 표면과 평행하다.
3. 예 1 또는 예 2의 fBSR에 있어서, 편평한 존의 방사상 길이는 약 7.62 내지 76.2 ㎜ (대략 0.3 내지 3.00 인치) 의 범위이다.
4. 예 1 내지 예 3 중 어느 하나의 fBSR에 있어서, 편평한 존은 fBSR의 방사상으로 외측 존 내로 방사상으로 외향으로 연장하고, 방사상 외측 존은 fBSR의 방사상 중간 지점과 fBSR의 원주 사이에 놓인다.
5. 예 1 내지 예 4 중 어느 하나의 fBSR에 있어서, 편평한 존은 fBSR의 원주로 방사상으로 외향으로 연장한다.
6. 예 1 내지 예 5 중 어느 하나의 fBSR에 있어서, 편평한 존은 코팅을 포함한다.
7. 예 6의 fBSR에 있어서, 코팅은 옥사이드 코팅을 포함한다.
8. 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하는 방법에 있어서, 방법은 프로세싱 챔버 내에서 기판-지지 어셈블리 상에 기판을 지지하는 단계; 프로세싱 챔버 내에 편평한 하단 섀도우 링 (fBSR) 을 설치하는 단계로서, fBSR은 프로세싱 챔버 내에 기판의 에지를 커버하기 위한 오버행을 포함하고, 그리고 오버행은 기판의 외측 에지 위로 방사상으로 외향으로 연장하는 편평한 존을 포함하는, fBSR 설치 단계; 기판 위에 fBSR을 센터링하고 fBSR의 오버행으로 기판의 에지를 커버하는 단계; 및 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하는 단계를 포함한다. 일부 예들에서, 예시적인 방법에 사용된 fBSR은 예 1 내지 예 7에서 규정된 임의의 하나 이상의 피처들을 포함한다.
예들이 구체적인 예시적인 실시 예들 또는 방법들을 참조하여 기술되었지만, 다양한 수정들 및 변화들이 보다 넓은 범위의 본 실시 예들로부터 벗어나지 않고 이들 실시 예들로 이루어질 수도 있다는 것이 자명할 것이다. 따라서, 명세서 및 도면들은 제한적인 의미보다 예시로서 간주된다. 이의 일부를 형성하는 첨부 도면들은 제한이 아닌 예시로서, 주제가 실시될 수도 있는 특정한 실시 예들을 도시한다. 예시된 실시 예들은 당업자들로 하여금 본 명세서에 개시된 교시들을 실시하게 하도록 충분히 상세히 기술된다. 다른 실시 예들이 활용되고 이로부터 유도될 수도 있다. 따라서, 이 상세한 기술은 따라서 제한하는 의미로 생각되지 않고, 다양한 실시 예들의 범위는 첨부된 청구항들로 인정되는 등가물들의 전체 범위와 함께, 첨부된 청구항들에 의해서만 규정된다.
본 발명의 주제의 이러한 실시 예들은, 단순히 편의성을 위해 그리고 임의의 단일 발명 또는 실제로 2 개 이상이 개시된다면 발명의 개념으로 본 출원의 범위를 자의적으로 제한하는 것을 의도하지 않고, 용어 "발명"으로 개별적으로 그리고/또는 집합적으로 참조될 수도 있다. 따라서, 특정한 실시 예들이 본 명세서에 예시되고 기술되었지만, 동일한 목적을 달성하도록 계산된 다른 구성들이 도시된 특정한 실시 예들을 대체할 수도 있다는 것이 인식되어야 한다. 본 개시는 다양한 실시 예들의 임의의 그리고 모든 변형들 또는 적응들을 커버하도록 의도된다. 상기 실시 예들 및 본 명세서에 구체적으로 기술되지 않은 다른 실시 예들의 조합들이, 상기 기술을 검토하면 당업자에게 자명할 것이다.

Claims (8)

  1. 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하기 위한 편평한 하단 섀도우 링 (flat Bottom Shadow Ring; fBSR) 에 있어서,
    프로세싱 챔버 내에서 기판의 에지를 커버하기 위한 오버행 (overhang) 을 포함하고, 편평한 존은 상기 기판의 외측 에지 위로 방사상으로 외향으로 연장하는, 편평한 하단 섀도우 링.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 편평한 존은 일반적으로 상기 기판의 상부 표면과 평행한, 편평한 하단 섀도우 링.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 편평한 존의 방사상 길이는 약 7.62 내지 76.2 ㎜ (대략 0.3 내지 3.00 인치) 의 범위인, 편평한 하단 섀도우 링.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 편평한 존은 상기 fBSR의 방사상으로 외측 존 내로 방사상 외향으로 연장하고, 상기 방사상 외측 존은 상기 fBSR의 방사상 중간 지점과 상기 fBSR의 원주 사이에 놓이는, 편평한 하단 섀도우 링.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 편평한 존은 상기 fBSR의 상기 원주로 방사상으로 외향으로 연장하는, 편평한 하단 섀도우 링.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 편평한 존은 코팅을 포함하는, 편평한 하단 섀도우 링.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 코팅은 옥사이드 코팅을 포함하는, 편평한 하단 섀도우 링.
  8. 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하는 방법에 있어서,
    프로세싱 챔버 내 기판-지지 어셈블리 상에 기판을 지지하는 단계;
    상기 프로세싱 챔버 내에 편평한 하단 섀도우 링 (fBSR) 을 설치하는 단계로서, 상기 fBSR은 상기 프로세싱 챔버 내에서 상기 기판의 에지를 커버하기 위한 오버행을 포함하고, 그리고 상기 오버행은 상기 기판의 외측 에지 위로 방사상으로 외향으로 연장하는 편평한 존을 포함하는, 상기 fBSR 설치 단계;
    상기 기판 위에 상기 fBSR을 센터링하고 그리고 상기 fBSR의 상기 오버행으로 상기 기판의 상기 에지를 커버하는 단계; 및
    상기 프로세싱 챔버 내에서 상기 기판을 프로세싱하는 단계를 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
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