KR20230008353A - 점착 조성물, 이를 포함하는 점착시트 및 점착시트 박리방법 - Google Patents
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 249
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 249
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 23
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 78
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 Polyethylene Polymers 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N butyric aldehyde Natural products CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGLHLAESQEWCR-UHFFFAOYSA-N N-(hydroxymethyl)urea Chemical compound NC(=O)NCO VGGLHLAESQEWCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N allyl alcohol Chemical compound OCC=C XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4-dimethylphenyl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1=CC=C(C)C=C1C UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYYJOCXNESGFSB-UHFFFAOYSA-N 1-(oxiran-2-yl)-n-(oxiran-2-ylmethyl)methanamine Chemical compound C1OC1CNCC1CO1 HYYJOCXNESGFSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylimidazole Chemical compound C=CN1C=CN=C1 OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCRYNQTXGUTACA-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpiperazine Chemical compound C=CN1CCNCC1 DCRYNQTXGUTACA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpiperidin-2-one Chemical compound C=CN1CCCCC1=O PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTXUTPWZJZHRJC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpyrrole Chemical compound C=CN1C=CC=C1 CTXUTPWZJZHRJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXTIIWDWHSZBRK-UHFFFAOYSA-N 2,4-diisocyanato-1-methylbenzene;2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound CCC(CO)(CO)CO.CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O TXTIIWDWHSZBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJKGAPPUXSSCFI-UHFFFAOYSA-N 2-Hydroxy-4'-(2-hydroxyethoxy)-2-methylpropiophenone Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=C(OCCO)C=C1 GJKGAPPUXSSCFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(oxiran-2-ylmethoxy)hexoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCCCOCC1CO1 WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- UJTRCPVECIHPBG-UHFFFAOYSA-N 3-cyclohexylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1NC(=O)C(C2CCCCC2)=C1 UJTRCPVECIHPBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl Chemical group [CH2]CCO QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSMDYRHBKZVGNR-UHFFFAOYSA-N 3-propan-2-ylpyrrole-2,5-dione Chemical compound CC(C)C1=CC(=O)NC1=O SSMDYRHBKZVGNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- WSMYVTOQOOLQHP-UHFFFAOYSA-N Malondialdehyde Chemical compound O=CCC=O WSMYVTOQOOLQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N Methylacrylonitrile Chemical compound CC(=C)C#N GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QORUGOXNWQUALA-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.N=C=O.C1=CC=C(C(C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)C=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.N=C=O.C1=CC=C(C(C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)C=C1 QORUGOXNWQUALA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCSMJKASWLYICJ-UHFFFAOYSA-N Succinic aldehyde Chemical compound O=CCCC=O PCSMJKASWLYICJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBHRHUJRKGNOKX-UHFFFAOYSA-N [(4,6-diamino-1,3,5-triazin-2-yl)amino]methanol Chemical compound NC1=NC(N)=NC(NCO)=N1 MBHRHUJRKGNOKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSVZGWAJIHWNQK-UHFFFAOYSA-N [3-(hydroxymethyl)-2-bicyclo[2.2.1]heptanyl]methanol Chemical compound C1CC2C(CO)C(CO)C1C2 YSVZGWAJIHWNQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJVBXWVJBJIKCU-UHFFFAOYSA-N [hydroxy(2-hydroxyethoxy)phosphoryl] prop-2-enoate Chemical compound OCCOP(O)(=O)OC(=O)C=C KJVBXWVJBJIKCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005263 alkylenediamine group Chemical group 0.000 description 1
- ZHNUHDYFZUAESO-OUBTZVSYSA-N aminoformaldehyde Chemical compound N[13CH]=O ZHNUHDYFZUAESO-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N decyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCOC(=O)C=C FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-IHWYPQMZSA-N isocrotonic acid Chemical compound C\C=C/C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N lauryl acrylate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940118019 malondialdehyde Drugs 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- VAUOPRZOGIRSMI-UHFFFAOYSA-N n-(oxiran-2-ylmethyl)aniline Chemical compound C1OC1CNC1=CC=CC=C1 VAUOPRZOGIRSMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDYPDLBFDATSCF-UHFFFAOYSA-N nonyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCOC(=O)C=C MDYPDLBFDATSCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANISOHQJBAQUQP-UHFFFAOYSA-N octyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)C=C ANISOHQJBAQUQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- ULDDEWDFUNBUCM-UHFFFAOYSA-N pentyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C=C ULDDEWDFUNBUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003004 phosphinoxides Chemical class 0.000 description 1
- ZWLUXSQADUDCSB-UHFFFAOYSA-N phthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1C=O ZWLUXSQADUDCSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- LYBIZMNPXTXVMV-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)OC(=O)C=C LYBIZMNPXTXVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N propyl prop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C=C PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013441 quality evaluation Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- BWYYYTVSBPRQCN-UHFFFAOYSA-M sodium;ethenesulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)C=C BWYYYTVSBPRQCN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N valeric aldehyde Natural products CCCCC=O HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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Abstract
본 발명은 점착 조성물에 의하여 형성되는 점착층 및 점착층이 점착되어 있는 기재를 포함하는 점착시트를 포함하고, 상기 점착 조성물은 적어도 두 개 이상의 광 개시제들을 포함하는 것을 특징으로 하여, 점착시트를 웨이퍼로부터 박리하기 위하여 고압수은 자외선 및 소정 파장의 LED 자외선을 선택적으로 조사할 수 있고, 웨이퍼에 손상을 주지않고 점착시트의 잔여물 없이 점착시트를 박리할 수 있는 점착 조성물, 이를 포함하는 점착시트 및 점착시트 박리방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 점착 조성물, 이를 포함하는 점착시트 및 점착시트 박리방법에 관한 것이다.
휴대용 전자기기의 소형화를 위하여, 반도체 칩의 박형화가 요구되고 있다. 반도체 칩의 박형화를 위하여 반도체 웨이퍼에 대한 박막 연삭(grinding) 및 다이싱(dicing) 공정이 필요하고, 연삭 및 다이싱 공정에서 웨이퍼를 보호 및/또는 고정하기 위한 점착시트(adhesive film)가 사용된다. 점착시트는 반도체 웨이퍼 가공 시 웨이퍼 보호를 위하여 웨이퍼에 점착되고, 필요에 따라 웨이퍼로부터 제거되어야 한다. 점착시트를 웨이퍼로부터 제거, 즉 박리하기 위하여 다양한 방법이 사용될 수 있다.
종래 웨이퍼에서 점착시트를 박리하는 방법으로 열을 가하는 방법, 고압수은 자외선(UltraViolet rays; UV)을 조사하는 방법 또는 소정 파장의 LED 자외선을 조사하는 방법 등이 있다.
관련하여, 대한민국 공개특허 제10-2018-0086448호 등은 반도체 웨이퍼와 지지체를 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 지지체를 박리하는 공정을 개시하고 있으나, 웨이퍼가 열에 의하여 손상될 수 있다는 단점이 있다.
또한, 고압수은 자외선을 조사하는 경우에는 고압수은 램프로부터 발생된 열에 의해 점착시트가 변형되어 점착시트의 박리시 웨이퍼가 손상될 수 있고, 소정 파장의 LED 자외선을 조사하는 경우에는 점착시트의 점착력이 충분히 저하되지 않아 점착시트의 박리시 웨이퍼가 휘거나 점착시트의 잔여물이 웨이퍼에 존재할 수 있다.
이에 따라, 고압수은 자외선은 물론 소정 파장의 LED 자외선을 조사하는 경우에도 점착력이 충분히 저하되어 작업 환경에 따라 적절한 박리 방법을 선택할 수 있는 점착시트의 필요성이 대두된다.
본 발명은 점착시트를 웨이퍼로부터 박리시키기 위하여 작업 환경 또는 사용자의 필요에 따라, 고압수은 자외선 및 소정 파장의 LED 자외선 중 어느 하나를 선택적으로 조사할 수 있는 점착 조성물, 이를 포함하는 점착시트 및 점착시트 박리방법을 제공하는 것을 발명의 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 점착 조성물에 의하여 형성되는 점착층 및 상기 점착층이 점착되어 있는 기재를 포함하고, 상기 점착층의 점착력은 하기 수학식 1을 통해 계산되는 변화율이 0.72 초과 1.0 미만인 것을 특징으로 하는 점착시트를 제공한다.
[수학식 1]
(수학식 1에 있어서, LED 자외선을 조사한 후의 점착력은 380nm 파장의 LED 자외선을 250mJ 조사한 후의 점착력이고, 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력은 고압수은 자외선을 250mJ 조사한 후의 점착력이고, 점착층의 점착력은 LED 자외선 또는 고압수은 자외선을 조사하기 전의 점착력이다.)
또한, 본 발명은 상기 점착시트의 점착 조성물에 의하여 형성된 점착층의 점착력이 저하되도록 고압수은 자외선 및 소정 파장의 LED 자외선 중 어느 하나를 선택적으로 조사하는 단계를 포함하고, 상기 점착층의 점착력은 하기 수학식 1을 통해 계산되는 변화율이 0.72 초과 1.0 미만인 것을 특징으로 하는 점착시트의 박리방법을 제공한다.
[수학식 1]
(수학식 1에 있어서, LED 자외선을 조사한 후의 점착력은 380nm 파장의 LED 자외선을 250mJ 조사한 후의 점착력이고, 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력은 고압수은 자외선을 250mJ 조사한 후의 점착력이고, 점착층의 점착력은 LED 자외선 또는 고압수은 자외선을 조사하기 전의 점착력이다.)
또한, 본 발명은 0.1% 농도에서의 380nm 파장의 흡광계수가 0.8 미만인 제1 광개시제 및 0.1% 농도에서의 380nm 파장의 흡광계수가 0.8 이상인 제2 광개시제;를 포함하고, 제1 광개시제 및 제2 광개시제의 합계량은 점착 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 1.87 중량%인 점착 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 점착 조성물, 이를 포함하는 점착시트 및 점착시트 박리방법에 이용하는 경우, 작업 환경 또는 사용자의 선택에 따라, 고압수은 자외선 및 소정 파장의 LED 자외선 중 어느 하나를 선택적으로 조사하여, 웨이퍼로부터 점착시트를 효과적으로 박리할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 점착시트의 박리방법을 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명에 따른 점착시트의 제조방법을 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 점착시트에 대하여 고압수은 자외선 조사 후의 박리성을 평가한 사진이다.
도 4는 본 발명의 비교예 2에 따른 점착시트에 대하여 고압수은 자외선 조사 후의 박리성을 평가한 사진이다.
도 2는 본 발명에 따른 점착시트의 제조방법을 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 점착시트에 대하여 고압수은 자외선 조사 후의 박리성을 평가한 사진이다.
도 4는 본 발명의 비교예 2에 따른 점착시트에 대하여 고압수은 자외선 조사 후의 박리성을 평가한 사진이다.
본 발명은 점착 조성물, 이를 포함하는 점착시트 및 그 점착시트의 박리방법 및 나아가 상기 점착시트의 제조방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 명세서 전체에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
<점착시트>
본 발명에 따른 점착시트(100)는 기재(110) 및 점착층(120)을 포함한다. 이때, 점착층(120)은 소정의 공정을 통하여 기재(110)에 점착되어 있을 수 있다. 예를 들어 설명하면, 소정의 공정을 통하여 점착층(120)은 기재(110)와 기결합된 상태로 존재하고, 필요에 따라 점착층(120)을 통하여 점착시트(100)가 웨이퍼(200)와 점착되도록 할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
기재 (110)
본 발명에 따른 기재(110)는 반도체 웨이퍼를 가공하기 위하여 사용되는 것으로 점착층(120)이 점착될 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 PE(Polyethylene; 폴리에틸렌), PP(Polypropylene; 폴리프로필렌), PC(Polycarbonate; 폴리카보네이트), PET(Polyethylene Terephthalate; 폴리에틸렌테트라프탈레이트), TAC(Triacetate Cellulose; 트리아세틸셀룰로오스), PI(Polyimide; 폴리이미드), PEEK(Poly Ether Ether Ketone; 폴리에테르에테르케톤), PVC(Polyvinyl Chloride; 폴리염화비닐) 및 PMMA(Polymethyl methacrylate; 폴리메틸메타아크릴레이트) 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는 PE(Polyethylene; 폴리에틸렌)을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
기재(110)의 두께는 통상의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 있어서의 기재의 두께일 수 있으며, 통상 20 내지 200㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 80 내지 120㎛일 수 있다. 상기 두께 범위를 만족하는 경우, 웨이퍼 가공 시 발생하는 충격을 충분히 흡수하여 웨이퍼의 손상을 방지 할 수 있고, 충격에 의한 점착시트의 뜯어짐 현상을 줄일 수 있는 이점이 있다. 기재의 두께가 높을 경우에는 웨이퍼 가공을 위한 장비에 적절히 셋업하기 어려우며, 두께 균일도를 맞추기가 어려울 수 있다.
상기 기재(110)는 단일층일 수 있고, 2층 이상의 층이 적층된 복층일 수 있다. 또한, 기재(110)의 점착층(120)이 접하는 면에는 밀착성을 향상시키기 위하여, 코로나 처리 및 프라이머 처리 등의 표면 처리를 실시할 수 있다.
점착층 (120)
본 발명에 따른 점착층(120)은 점착시트(100)를 웨이퍼(200)에 밀착 또는 점착하기 위한 층으로, 후술하는 점착 조성물에 의하여 형성되고, 상기 기재(110) 상에 마련될 수 있다.
점착층(120)의 두께는 5 내지 40㎛일 수 있으며, 바람직하게는 10 내지 30㎛일 수 있다. 상기 두께 범위를 만족하는 경우 점착력, 겔분율, 두께 편차를 조절하기에 유리한 이점이 있다. 두께가 낮을 경우 점착력이 낮아져 웨이퍼를 충분히 고정하지 못하는 문제가 발생 할 수 있으며, 두께가 높을 경우 점착제 제조 시 충분한 경화가 진행되지 않아 점착제층 겔분율이 낮게 형성되고, 점착시트의 제거 시 잔여물이 웨이퍼에 전사될 수 있다.
점착시트 (100)
본 발명에 따른 점착시트(100)는 반도체 웨이퍼 가공을 위하여 사용되며, 웨이퍼(200)에 부착되기 위하여 점착력을 가지는 점착층(120) 및 점착층(120)이 도포된 기재(110)를 포함한다. 좀 더 상세히 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 점착시트(100)는 점착 조성물에 의하여 형성되는 점착층(120) 및 점착층(120)이 점착되어 있는 기재(110)를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 점착시트(100)는 웨이퍼(200) 가공 중 웨이퍼(200)에 점착된 점착시트(100)를 웨이퍼(200)에서 박리하기 위하여, 고압수은 자외선 및 소정 파장의 LED 자외선 중 어느 하나를 선택적으로 조사할 수 있다. 여기서 고압수은 자외선은 높은 자외선을 방사하기 위해서 램프관 내의 가스압을 높힌 수은램프로부터 방사되는 자외선으로, 254nm에서 436nm의 파장범위를 가질 수 있으며, 인쇄제판, 건조, 경화, 코팅에서 일반적으로 사용 할 수 있는 자외선을 뜻한다. 상기 박리 공정을 위하여, 점착층(120)의 점착력이 상기 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력 및 상기 LED 자외선을 조사한 후의 점착력을 고려하여 결정될 수 있다. 상기 소정 파장의 LED는 360nm 내지 400nm 파장의 LED일 수 있으며, 바람직하게는 380nm 파장의 LED일 수 있다.
웨이퍼(200) 가공 시, 웨이퍼(200)를 보호 및 고정하기 위하여 점착시트(100)를 사용할 수 있고, 상기 웨이퍼(200) 가공 과정이 완료되면 점착시트(100)는 웨이퍼(200)로부터 박리되어야 한다. 예를 들어 설명하면, 웨이퍼(200)를 박형화하기 위한 후면 연삭(back grinding; 백 그라인딩) 공정에 있어서, 후면 연삭 과정 중 웨이퍼(200)를 보호하기 위하여 웨이퍼(200)에 점착시트(100)가 밀착 또는 점착되어야 한다. 예를 들어 설명하면, 본 실시예에 따른 점착시트(100)를 사용하여 웨이퍼(200)를 약 100㎛ 정도의 두께로 연삭할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 웨이퍼(200)에 대한 후면 연삭 과정이 완료되면, 점착시트(100)는 웨이퍼(200)로부터 박리되어야 한다. 이와 같이, 점착시트(100)는 필요에 따라, 웨이퍼(200)에 효과적으로 밀착 또는 점착되기 위한 점착력을 가지면서도, 점착시트(100)의 박리시에는 웨이퍼(200)에 손상을 가하지 않으며 박리되어야 한다.
점착시트(100)의 박리를 위하여 고압수은 자외선을 조사하는 방법이 사용될 수 있다. 하지만, 고압수은 자외선을 사용하는 경우, 고압수은 램프로부터 발생된 열에 의해 점착시트(100)의 변형이 발생하거나, 또는 작업자에게 오존이 누출되는 문제점이 발생할 수 있다. 또한, 점착시트(100)의 박리를 위하여 소정 파장의 LED 자외선을 조사하는 경우에는 점착시트(100)의 점착력이 충분히 저하되지 않아 점착시트(100)의 박리 후 잔여물이 웨이퍼에 존재하는 문제점이 발생할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 점착시트(100)가 고압수은 자외선은 물론 소정 파장의 LED 자외선 조사에 의하는 경우에도 점착력이 충분히 저하되어 웨이퍼(200)로부터 문제 없이 박리될 수 있도록 하여, 공정과정 또는 작업환경에 따라 고압수은 자외선 또는 소정 파장의 LED 자외선을 선택적으로 사용하여 점착시트(100)를 웨이퍼(200)로부터 효율적으로 박리할 수 있다.
이를 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 점착시트(100)의 점착층(120)의 초기 점착력은 고압수은 자외선 조사 및 소정 파장의 LED 자외선 조사 각각에 의하여 저하되는 정도를 고려해 결정될 수 있다. 또한, 점착시트(120)의 점착력은 점착시트(100)가 웨이퍼(200)로부터 박리될 때, 점착시트(100)의 잔여물이 웨이퍼(200) 표면에 남지 않도록 결정되어야 한다.
예를 들어 설명하면, 점착층(120)의 점착력은 수학식 1을 통해 계산되는 변화율이 0.72 초과 1.0 미만이 되도록 결정될 수 있다.
[수학식 1]
상기 수학식 1에서, LED 자외선을 조사한 후의 점착력은 380nm 파장의 LED 자외선을 250mJ 조사한 후의 점착력이고, 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력은 고압수은 자외선을 250mJ 조사한 후의 점착력이고, 점착층의 점착력은 LED 자외선 또는 고압수은 자외선을 조사하기 전의 점착력이 될 수 있다.
이때, LED 자외선을 조사한 후의 점착력이 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력보다 더 큰 값을 가질 수 있다. 이에 따라, 점착시트(100)를 박리하기 위하여, 380nm 파장의 LED 자외선을 250mJ 조사하였을 경우 점착시트(100)의 잔여물이 웨이퍼(200)에 남지 않도록 할 수 있다.
예를 들어 설명하면, LED 자외선을 조사한 후의 점착력은 0.1 내지 0.3 N/25mm 이고, 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력은 0.04 내지 1.0 N/25mm 이고, 자외선을 조사하기 전 점착층의 점착력은 1 내지 5 N/25mm 일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 점착시트(100)는 고압수은 자외선 및 380nm 파장의 LED 자외선 각각을 조사한 후의 택력이 50gf 미만인 것을 특징으로 할 수 있다. 점착시트(100)의 자외선 조사 후의 택력이 50gf 미만일 경우, 점착시트(100)가 웨이퍼(200)로부터 박리될 때, 점착시트(100)의 잔여물이 웨이퍼(200) 표면에 남는 것을 방지할 수 있는 이점이 있으므로 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 점착층(120)은 후술하는 점착 조성물에 의하여 형성되며 자외선 경화형 점착제 특성을 가질 수 있다. 자외선 경화형 점착제는 조사되는 자외선의 파장에 따라 경화 반응성이 다른 특징을 가지기에, 고압수은 자외선 또는 LED 자외선을 선택적으로 이용하여 점착시트(100)를 박리시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 점착시트(100)을 사용함에 따라, 반도체 웨이퍼 가공 중 박리 공정이 상대적으로 쉬운 고압수은 자외선을 사용하거나, 필요에 따라 열 발생이 적은 LED 자외선을 사용하여 점착시트(100)를 효율적으로 제거할 수 있다.
<웨이퍼>
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼(200)는 가공을 통하여 반도체 소자를 생성하기 위한 것으로, 특별히 한정되지 않는다. 웨이퍼(200) 가공 작업은 웨이퍼(200)의 이면 연삭 및 다이싱하는 과정을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
<점착시트의 박리방법>
또한, 본 발명은, 기재 및 점착층을 포함하는 점착시트를 웨이퍼로부터 박리하는 점착시트의 박리방법을 제공한다.
상기 점착시트의 박리방법에 있어서, 기재, 점착층, 점착시트, 웨이퍼 등에 관한 내용은 상기 <점착시트> 및 <웨이퍼>에서 기술된 내용이 그대로 적용될 수 있다.
본 발명의 점착시트의 박리방법에 있어서, 상기 기재, 점착층, 점착시트, 웨이퍼 등의 구조 및 구성요소, 및 그의 제조방법은 상기 기술한 기술적 특징에 방해가 되지 않는 한, 특별히 한정되지 않으며, 이 분야에 공지된 것들이 제한 없이 채용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 점착시트의 박리방법을 나타낸 도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(200)에 밀착된 점착시트(100)를 박리하기 위하여, 광원(300)에서 자외선을 조사할 수 있고, 이에 따라, 점착시트(100)는 웨이퍼(200)로부터 박리되는 과정을 거쳐, 점착시트(100)와 웨이퍼(200)는 완전히 분리될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트(100)를 웨이퍼(200)로부터 박리하는 방법은 점착시트(100)의 점착 조성물에 의하여 형성된 점착층(120)의 점착력이 저하되도록 고압수은 자외선 및 소정 파장의 LED 자외선 중 어느 하나를 선택적으로 조사하는 단계를 포함한다. 이때, 광원(300)은 작업 환경 등을 고려하여, 고압수은 자외선을 조사하기 위한 고압수은 자외선 램프 및 LED 자외선을 조사하기 위한 LED 자외선 램프가 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 점착시트 박리방법에서 점착층(120)의 초기 점착력은 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력 및 LED 자외선을 조사한 후의 점착력을 고려하여 결정된다. 이때, 점착층(120)의 점착력은 상기 <점착시트>에서 설명한 바와 같이 수학식 1을 만족하도록 결정될 수 있다.
이에 따라, 점착시트(100)를 웨이퍼(200)로부터 박리하기 위하여, 고압수은 자외선 또는 소정 파장의 LED 자외선 중 어느 하나를 선택적으로 사용할 수 있다.
<점착 조성물>
본 발명은, 웨이퍼에 점착 및 박리되기 위한 점착력을 가지는 점착 조성물을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 점착시트는 점착시트를 웨이퍼에 부착하기 위한 점착 조성물을 포함하고, 점착 조성물에 의하여 형성되는 점착층이 기재에 도포된 상태로 점착시트가 생성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 점착 조성물은 아크릴 중합체, 가교제 및 적어도 2종 이상의 광개시제들을 포함하며, 추가적으로 첨가제, 용매 등을 더 포함할 수 있다. 이때, 첨가제는 AS첨가제, 점착력 조절첨가제, 염료, 안료 등을 포함할 수 있고, 용매는 점도 조절을 위하여 포함될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이하 각 성분을 구체적으로 설명한다.
아크릴 중합체
상기 점착 조성물은 탄소수 1~12의 알킬기 함유 (메타)아크릴레이트 단량체 유래의 반복단위 및 극성 단량체 유래의 반복단위를 포함하여 중합된 아크릴 중합체를 포함할 수 있다.
상기 탄소수 1~12의 알킬기 함유 (메타)아크릴레이트 단량체는 해당 탄소수를 만족하는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 함유하는 알킬 (메타)아크릴레이트이다. 예를 들어, 부틸 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 메틸 아크릴레이트, n-프로필 아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, 펜틸 아크릴레이트, n-옥틸 아크릴레이트, 노닐 아크릴레이트, 데실 아크릴레이트, 도데실 아크릴레이트 등을 들 수 있으며, 이들 중에서 2-에틸헥실 아크릴레이트, 부틸 아크릴레이트 또는 이들의 혼합물이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 탄소수 1-12의 알킬기 함유 (메타)아크릴레이트 단량체는 아크릴 중합체의 제조에 사용되는 총 단량체 100 중량%에 대하여 10 내지 90 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 함량 범위를 만족하는 경우 단차 메움성 및 밀착력을 충분히 확보할 수 있고, 응집력이 저하에 따른 공정성 저하를 방지할 수 있으므로 바람직하다.
상기 극성 단량체는 적어도 1종 이상의 극성기와 함께 중합성 불포화 결합을 포함하는 단량체를 함유하여 이루어지는 것으로, 구체적으로 (메트)아크릴산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이소크로톤산, 이들의 산무수물(예를 들어, 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 함유 단량체) 등의 카르복실기 함유 단량체; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 3-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, 비닐알코올, 알릴알코올 등의 수산기(히드록실기) 함유 단량체; (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸 (메트)아크릴아미드, N-메틸올 (메트)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-부톡시메틸 (메트)아크릴아미드, N-히드록시에틸(메트)아크릴아미드 등의 아미드기 함유 단량체; (메트)아크릴산 아미노에틸, (메트)아크릴산 디메틸아미노에틸, (메트)아크릴산t-부틸아미노에틸 등의 아미노기 함유 단량체; (메트)아크릴산 글리시딜, (메트)아크릴산 메틸글리시딜 등의 에폭시기 함유 단량체; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 단량체; N-비닐-2-피롤리돈, (메트)아크릴로일모르폴린, N-비닐피페리돈, N-비닐피페라진, N-비닐피롤, N-비닐이미다졸 등의 복소환 함유 비닐계 단량체; 비닐술폰산 나트륨 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸 아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 시클로헥실말레이미드, 이소프로필 말레이미드 등의 이미드기 함유 단량체; 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 등의 이소시아네이트기 함유 단량체 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 카르복실기 함유 단량체 및 에폭시기를 함유 단량체를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 극성 단량체는 아크릴 중합체의 제조에 사용되는 총 단량체 100 중량%에 대하여 10 내지 90 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 함량 범위를 만족하는 경우 응집력이 향상되어 내구성이 향상될 수 있으며, 점착력 또한 향상될 수 있는 이점이 있다.
상기 아크릴 중합체는 전술한 각 단량체의 일부 또는 전체를 중합시켜 형성되는 것일 수 있다. 아크릴 중합체의 제조방법은 특별히 한정되지 않으며, 당 분야에서 통상적으로 사용되는 괴상중합, 용액중합, 유화중합 또는 현탁중합 등의 방법을 이용하여 제조할 수 있으며, 용액중합이 바람직하다. 또한, 중합 시 통상 사용되는 용매, 중합 개시제 등이 더 포함될 수 있다.
상기 아크릴 중합체의 합성에 있어서, 용액 중합으로 행하는 경우의 유기 용제로서는, 케톤계, 에스터계, 알코올계, 방향족계 유기용제를 사용할 수 있으며, 그 중에서도 초산에틸(ethyl acetate), 메탄올(methyl alcohol), 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol) 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 중합 개시제로는 α,α＇-아조비스아이소뷰티로나이트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼옥사이드 등의 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 통상 이용한다. 이 때, 필요에 따라 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합시간을 조절하는 것에 의해, 원하는 분자량의 아크릴 중합체를 얻을 수 있다.
이와 같이 합성된 아크릴 중합체는 고형분이 30 내지 40 중량%이고, 점도가 2,000 내지 3,000 cps(25℃)가 되도록 조절될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
아크릴 중합체는 점착 조성물 총 중량에 대하여 85 내지 96 중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량범위를 만족하는 경우, 점착층의 두께를 충분히 높이는데 유리하고, 다이코팅, 그라비아코팅 등의 공정에서 요구되는 적절한 점도 확보가 가능한 이점이 있다. 또한, 가교제와의 빠른 반응에 따른 겔화 발생을 방지할 수 있으며, 점도 상승으로 인한 코팅 공정성 저하의 문제를 방지할 수 있는 이점이 있다.
가교제
본 발명의 일 실시예에 따른 가교제는 HDI, TDI 등의 이소시아네이트 계열, 아지리딘(Azriridine) 계열 등일 수 있다. 좀 더 상세히 예를 들어 설명하면, 가교제는 에틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 알킬렌기와 아미노기를 2 개 갖는 알킬렌디아민류; 톨릴렌디이소시아네이트, 수소화 톨릴렌디이소시아네이트, 트리메틸올프로판톨릴렌디이소시아네이트어덕트, 트리페닐메탄트리이소시아네이트, 메틸렌비스 (4-페닐메탄트리이소시아네이트, 이소포론디이소시아네트 및 이들의 케토옥심블록물 또는 페놀블록물 등의 이소시아네이트류; 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 글리세린디 또는 트리글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 디글리시딜아닐린, 디글리시딜아민 등의 에폭시류; 포름알데히드, 아세트알데히드, 프로피온알데히드, 부틸알데히드 등의 모노알데히드류; 글리옥살, 말론디알데히드, 숙신디알데히드, 글루탈디알데히드, 말레디알데히드, 프탈디알데히드 등의 디알데히드류; 메틸올 요소, 메틸올 멜라민, 알킬화 메틸올 요소, 알킬화 메틸올화 멜라민, 아세트구아나민, 벤조구아나민과 포름알데히드의 축합물 등의 아미노-포름알데히드수지 등이 될 수 있다.
가교제는 점착 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 6 중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량범위를 만족하는 경우, 아크릴 중합체의 가교 정도를 적절하게 조절할 수 있으며, 이에 따라 부족한 가교로 인해 점착층의 택력이 지나치게 높아짐에 따른 박리 시 잔여물이 남는 문제 및 지나친 가교로 인한 점착 조성물의 겔화 발생 등으로 충분한 점착력을 확보하지 못하는 문제를 방지할 수 있는 이점이 있다.
광 개시제
상기 점착 조성물은 광 개시제를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 점착 조성물은 고압수은 자외선뿐만 아니라, 소정 파장의 LED 자외선에서도 박리특성을 확보하기 위하여, 적어도 2종 이상의 광 개시제들을 포함한다. 즉, 소정 파장의 LED 자외선에서도 박리특성을 확보하기 위하여, 해당 파장범위에서 높은 흡광성능을 갖는 광 개시제를 필요로 한다. 상기 소정 파장의 LED는 360nm 내지 400nm 파장의 LED일 수 있으며, 바람직하게는 380nm 파장의 LED일 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 점착 조성물은 0.1% 농도에서의 380nm 파장의 흡광계수가 0.8 미만인 제1 광 개시제에 추가적으로, 0.1% 농도에서의 380nm 파장의 흡광계수가 0.8 이상인 제2 광 개시제를 포함한다.
상기 제1 광 개시제는 구체적으로, 아세톤에 0.1%의 농도로 포함된 용액에서의 380nm 파장에 대한 흡광계수를 측정하였을 때, 흡광계수가 0.8 미만인 것일 수 있으며, 고압수은 자외선에 의한 광경화 반응의 효율을 증가시키는 역할을 한다.
상기 0.1% 농도에서의 380nm 파장의 흡광계수가 0.8 미만인 제1 광 개시제는 예를 들어, 아세토페논(Acetophenone)계 광 개시제일 수 있으며, 시판품으로는 Micure CP-4(미원스페셜케미칼社), Irgacure 184, Irgacure 651, Irgacure 907, Irgacure 2959, Darocur BP, Darocur MBF (이상 BASF社) 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 제2 광 개시제는 구체적으로, 아세톤에 0.1%의 농도로 포함된 용액에서의 380nm 파장에 대한 흡광계수를 측정하였을 때, 흡광계수가 0.8 이상인 것일 수 있으며, 고압수은 자외선에서는 점착력이 변화하지 않지만, 380nm 파장의 LED 자외선에서 광경화 반응이 효과적으로 발생되도록 하는 역할을 한다.
상기 0.1% 농도에서의 380nm 파장의 흡광계수가 0.8 이상인 제2 광 개시제는 예를 들어, 포스핀옥사이드(Phosphinoxide)계 광 개시제일 수 있으며, 시판품으로는 Irgacure TPO, Irgacure 819, Irgacure 369 (이상 BASF社) 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이와 같이, 제1 광 개시제 및 제2 광 개시제를 함께 사용하는 경우 고압수은 자외선을 사용하는 박리공정 및 소정 파장의 LED 자외선을 사용하는 박리공정 모두를 선택적으로 적용 가능한 가변 점착력을 가지는 점착시트를 제작할 수 있기 때문에 바람직하다.
제1 광 개시제 및 제2 광 개시제의 합계량은 점착 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 1.87 중량%일 수 있다. 상기 함량범위를 만족하는 경우 박리시 잔여물 발생 및 형광등, 가시광선 등의 노출에 의한 성능 변화를 최소화할 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 광 개시제는 점착 조성물 총 중량에 대하여 0.25 내지 1.0 중량%로 포함될 수 있고, 상기 제2 광 개시제는 점착 조성물 총 중량에 대하여 0.25 내지 1.0 중량%로 포함될 수 있다.
<점착시트의 제조>
도 2는 본 발명에 따른 점착시트의 제조방법을 나타낸 도이다. 본 발명에 따른 점착시트(100)를 제작하기 위하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 이형필름(130)을 준비하고, 건조 후 점착층(120)의 두께가 10 내지 30㎛가 되도록, 점착 조성물을 상기 이형필름(130)의 이형면에 도공하고, 도공된 이형필름(130)을 100℃에서 3분 건조하여 용매를 휘발시켜 점착층(120)을 형성한다. 이후, 이형필름(130)의 배면(점착 조성물 도공면)에 베이스 기재(110)를 라미네이션하여 접합할 수 있다. 이때, 이형필름(130)은 38㎛ 실리콘 이형처리 필름이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 기재(110)는 상기 <점착시트>에서 기술된 기재에 관한 내용이 그대로 적용될 수 있다. 이에 따라, 점착 조성물이 도공된 이형필름(130)이 기재(110)에 접합됨에 의하여 점착층(120)이 형성될 수 있다. 점착시트(100)는 이형필름(130), 점착층(120), 기재(110)의 순서대로 적층되어 제작될 수 있다.
본 실시예에 따른 점착시트(100)는 이형필름(130)을 제거한 후 웨이퍼(200)에 밀착 또는 부착될 수 있고, 웨이퍼 가공 이후, 필요에 따라, 웨이퍼(200)로부터 점착시트(100)가 박리될 수 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
<실시예>
합성예: 아크릴 중합체의 합성
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 1L의 반응기에 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-ethylhexyl acrylate, 2-EHAM) 110 중량부, 부틸 아크릴레이트(butyl acrylate, BAM) 90 중량부, 2,3-에폭시프로필 메타크릴레이트(2,3-epoxypropyl methacrylate, GMA) 15 중량부, 아크릴산(acrylic acid, AAc) 15 중량부로 이루어진 단량체 혼합물을 초산에틸(ethyl acetate, EAC) 150 중량부에 투입한 후, 산소를 제거하기 위하여 질소가스를 1시간 동안 퍼징한 후, 80℃로 유지하였다. 상기 단량체 혼합물을 균일하게 혼합한 후, 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴)(2,2'-azobis(isobutyronitrile), AIBN) 0.8 중량부 및 벤조일 퍼옥사이드(benzoyl peroxide, BPO) 0.8 중량부를 투입하였다. 이후 교반시키며, UV램프(10mW)를 조사하여 아크릴 중합체를 제조하였다.
상기 제조된 아크릴 중합체를 초산에틸(ethyl acetate, EAC)과 혼합하여 고형분 함량을 35%로 조절하였으며, 점도는 2,500cps(25℃)이었다.
실시예 및 비교예: 점착 조성물 및 점착시트의 제조
(1) 점착 조성물의 제조
하기 표 1의 조성 및 함량에 따라 실시예 및 비교예의 점착 조성물을 제조하였다.
| (단위: 중량%) | 아크릴 중합체 |
가교제 | 제1 광 개시제 | 제2 광 개시제 | |||
| A | B | C | D | E | |||
| 실시예 1 | 94.34 | 3.78 | 0.94 | - | - | 0.94 | - |
| 실시예 2 | 95.24 | 3.80 | 0.48 | - | - | 0.48 | - |
| 실시예 3 | 92.59 | 5.55 | 0.93 | - | - | 0.93 | - |
| 실시예 4 | 95.24 | 2.86 | 0.95 | - | - | 0.95 | - |
| 실시예 5 | 94.34 | 3.78 | - | 0.94 | - | 0.94 | - |
| 실시예 6 | 94.34 | 3.78 | - | - | 0.94 | 0.94 | - |
| 실시예 7 | 94.34 | 3.78 | 0.94 | - | - | - | 0.94 |
| 비교예 1 | 95.24 | 3.81 | 0.95 | - | - | - | - |
| 비교예 2 | 95.24 | 3.81 | - | - | - | 0.95 | - |
| 비교예 3 | 95.79 | 3.83 | 0.19 | - | - | 0.19 | - |
- 아크릴 중합체: 본원 합성예에 따른 아크릴 중합체
- 가교제: SMC-A100 (애경케미칼社)
- 제1 광 개시제 A: Micure CP-4 (미원스페셜케미칼社) (흡광계수: 0.017)
- 제1 광 개시제 B: Irgacure 651 (BASF社) (흡광계수: 0.180)
- 제1 광 개시제 C: Irgacure 907 (BASF社) (흡광계수: 0.097)
- 제2 광 개시제 D: Irgacure TPO (BASF社) (흡광계수: 1.441)
- 제2 광 개시제 E: Irgacure 819 (BASF社) (흡광계수: 1.860)
*흡광계수의 측정
UV-VIS Spectrophotometer(UV-2600, SHIMADZU社)를 이용하여 광 개시제의 흡광계수를 측정하였다. 아세톤 용매에 측정하고자 하는 광 개시제를 용해하여 0.1% 농도의 용액을 준비한다. 아세톤으로 베이스라인을 측정한 후, 상기 준비한 0.1% 농도의 광 개시제 용액을 세팅하여 300~500nm 파장영역에 대한 흡광계수를 측정하고, 380nm 파장에서의 흡광계수 데이터를 확인하였다.
(2) 점착시트의 제조
상기에서 제조된 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 3의 점착 조성물을 이형필름(38㎛ 실리콘 이형처리 필름, 율촌社)의 이형면에 건조 후 두께 20㎛가 되도록 도포한다. 상기 점착 조성물이 도포된 이형필름을 100℃에서 3분간 건조하여 용매를 휘발시키고, 이형필름의 배면(즉, 점착 조성물 도포면)에 기재(110PE, 오쿠라社)를 접합하여, 점착시트를 제조하였다.
<실험예>
상기 실시예 및 비교예에 따른 점착시트에 대하여, 박리력 및 택력 품질 평가를 실시하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. 본 발명에서 이용한 측정 방법 및 평가 방법은 다음과 같다.
1. 박리력 평가
점착시트를 304 SUS 또는 미러 웨이퍼에 점착한 후, 고압수은 자외선 및 380nm 파장의 LED 자외선 각각을 조사하여, 각 광원에 따른 박리력을 평가하였다.
박리력은 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 3에 따른 점착 조성물을 사용하여 제조된 점착시트를 폭 25mm, 길이 150mm로 잘라서 샘플을 준비한 후, 만능시험기(Shimadzu 社)를 이용하여 180°박리(peel) 점착력을 측정하였다. 좀 더 상세히 설명하면, 상기 준비된 점착시트 샘플의 점착층을 304 SUS 및 미러 웨이퍼 각각에 점착하여 고정한 후, 한쪽 측면을 만능시험기의 로드셀쪽 클램프에 고정시키고, 속도 300mm/min으로 점착시트를 박리하면서 점착력을 측정하였다. 자외선 조사 전, 고압수은 자외선 조사 후 및 380nm 파장의 LED 자외선 조사 후의 점착력을 각각 3회 측정하였고, 표 2에 기재된 값은 총 3회 측정값에 대한 평균값이다.
2. 택력 평가
Texture analyser 장비(모델명 및 제조사)를 이용하여 택력을 측정하였다. 먼저 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 3에 따른 점착 조성물을 사용하여 제조된 점착시트의 점착층을 상기 장비에 로드셀 방향으로 고정한다. 상기 장비에 압자를 시험편에 접촉시킨 후, 5mm φ, 구형 프로브를 10mm/min 속도로 밀어 넣어, 정지하중 100g으로 1초 유지 후에 프로브를 끌어올릴 때의 하중을 측정하였다. 점착시트의 박리시 잔여물이 남지 않기 위해서는 상기 측정된 택력이 50gf 미만일 필요가 있다.
| 자외선 조사 전 | 자외선 조사 후 | 수학식 1에 따른 변화율 | |||||||||
| 고압수은 자외선 | 380nm LED 자외선 | ||||||||||
| SUS 점착력 |
웨이퍼 점착력 |
택력 | SUS 점착력 |
웨이퍼 점착력 |
택력 | SUS 점착력 |
웨이퍼 점착력 |
택력 | SUS | 웨이퍼 | |
| N/25mm | N/25mm | gf | N/25mm | N/25mm | gf | N/25mm | N/25mm | gf | |||
| 실시예1 | 2.5 | 2 | 150 | 0.05 | 0.05 | 0.8 | 0.2 | 0.16 | 20 | 0.939 | 0.944 |
| 실시예2 | 2.5 | 2 | 150 | 0.06 | 0.05 | 0.8 | 0.3 | 0.3 | 30 | 0.902 | 0.872 |
| 실시예3 | 1.2 | 1 | 80 | 0.04 | 0.04 | 0.8 | 0.3 | 0.3 | 30 | 0.776 | 0.729 |
| 실시예4 | 4.4 | 3.8 | 200 | 0.05 | 0.04 | 0.8 | 0.1 | 0.1 | 20 | 0.989 | 0.984 |
| 실시예5 | 2.4 | 1.9 | 150 | 0.05 | 0.05 | 0.8 | 0.2 | 0.2 | 25 | 0.936 | 0.919 |
| 실시예6 | 2.5 | 2.1 | 150 | 0.05 | 0.06 | 0.8 | 0.2 | 0.2 | 20 | 0.939 | 0.931 |
| 실시예7 | 2.5 | 2 | 150 | 0.06 | 0.05 | 0.8 | 0.2 | 0.2 | 25 | 0.943 | 0.923 |
| 비교예1 | 2.5 | 2 | 150 | 0.05 | 0.05 | 0.8 | 2.4 | 1.9 | 150 | 0.041 | 0.051 |
| 비교예2 | 2.5 | 2 | 150 | 0.4 | 0.2 | 50 | 0.15 | 0.1 | 30 | 1.119 | 1.056 |
| 비교예3 | 2.5 | 2 | 150 | 0.3 | 0.4 | 50 | 0.2 | 0.3 | 40 | 1.045 | 1.063 |
상기 표 2를 참조하면, 본 발명에 따른 점착시트 및 점착시트의 박리방법에 따라 점착시트를 박리한 결과, 실시예 1 내지 7에서와 같이 고압수은 자외선 및 380nm 파장의 LED 자외선 각각을 조사한 후, SUS 및 웨이퍼에서 점착시트의 점착력이 현저하게 저하되었고, 점착시트를 웨이퍼에서 박리한 후 잔여물이 남지 않는 기준 택력을 50gf라고 할 때, 실시예 1 내지 7 모두 택력도 50gf 미만으로 평가되었다. 좀 더 상세히 설명하면, 본 발명에 따른 수학식 1의 변화율이 0.72 초과 1.0 미만을 만족하는 실시예 1 내지 7의 경우, 점착력이 현저하게 저하되었고, 택력도 50gf 미만으로 평가됨에 따라, 본 발명에 따른 점착시트는 기존 공정인 고압수은 자외선 또는 메탈할라이드 자외선 박리 공정에도 적용이 가능하고, 선택적으로 380nm 파장의 자외선 박리공정에도 적용 가능함을 확인할 수 있다.
반면, 본 발명에 따른 수학식 1의 변화율이 0.72 이하인 비교예 1의 경우, 380nm 파장의 LED 자외선을 조사한 후 점착력의 저하량이 미비하여 원활한 박리가 어렵고, 택력도 매우 높아 점착시트의 박리시 잔여물이 남을 수 있음을 확인할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 수학식 1의 변화율이 1 이상인 비교예 2 내지 3의 경우, 고압수은 자외선을 조사한 후 택력이 50gf으로 측정되어 점착시트의 박리시 잔여물이 남을 수 있음을 확인할 수 있다. 관련하여 도 3을 참조하면, 고압수은 자외선을 조사한 후 택력이 0.8gf인 실시예 1의 경우, 점착시트의 박리시 잔여물 없이 안정적으로 박리되는 것을 확인할 수 있다. 반면, 도 4를 참조하면, 고압수은 자외선을 조사한 후 택력이 50gf인 비교예 2의 경우, 점착시트의 박리시 점착층이 점착시트의 기재로부터 분리되어 잔여물이 남는 것을 확인할 수 있다.
비교예 1 내지 3을 통하여 확인한 바와 같이, 380nm 파장의 LED 자외선을 조사하는 경우와 고압수은 자외선을 조사하는 경우, 동일 점착력 수준에서 고압수은 자외선을 조사하는 경우의 택력이 380nm LED 자외선을 조사하는 경우의 택력보다 더 높게 나타나는 경향이 있기에, 고압수은 자외선 조사시에는 0.1 N/25mm 이하의 점착력을 만족하여야 하고, 380nm LED 자외선 조사시에는 0.3 N/25mm 이하의 점착력을 만족하여야 50gf 미만의 택력을 유지할 수 있다.
Claims (13)
- 점착 조성물에 의하여 형성되는 점착층; 및
상기 점착층이 점착되어 있는 기재;를 포함하고,
상기 점착층의 점착력은 하기 수학식 1을 통해 계산되는 변화율이 0.72 초과 1.0 미만인, 점착시트.
[수학식 1]
(상기 수학식 1에 있어서, LED 자외선을 조사한 후의 점착력은 380nm 파장의 LED 자외선을 250mJ 조사한 후의 점착력이고, 상기 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력은 고압수은 자외선을 250mJ 조사한 후의 점착력이고, 상기 점착층의 점착력은 LED 자외선 또는 고압수은 자외선을 조사하기 전의 점착력이다.)
- 제 1 항에 있어서,
상기 점착시트는 반도체 웨이퍼 가공용인 것을 특징으로 하는 점착시트.
- 제 1 항에 있어서,
상기 LED 자외선을 조사한 후의 점착력이 상기 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력보다 더 큰 것을 특징으로 하는 점착시트.
- 제 1 항에 있어서,
상기 LED 자외선을 조사한 후의 점착력은 0.1 내지 0.3 N/25mm 이고, 상기 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력은 0.04 내지 1.0 N/25mm 인 것을 특징으로 하는 점착시트.
- 제 1 항에 있어서,
상기 점착층의 점착력이 1 내지 5 N/25mm 인 것을 특징으로 하는 점착시트.
- 제 1 항에 있어서, 상기 점착 조성물은
0.1% 농도에서의 380nm 파장의 흡광계수가 0.8 미만인 제1 광개시제; 및
0.1% 농도에서의 380nm 파장의 흡광계수가 0.8 이상인 제2 광개시제;를 포함하고,
상기 제1 광개시제 및 상기 제2 광개시제의 합계량은 상기 점착 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 1.87 중량%인 것을 특징으로 하는 점착시트.
- 제 6 항에 있어서,
상기 제1 광 개시제는 상기 점착 조성물 총 중량에 대하여 0.25 내지 1.0 중량%로 포함되고, 상기 제2 광 개시제는 상기 점착 조성물 총 중량에 대하여 0.25 내지 1.0 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 점착시트.
- 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 웨이퍼로부터 박리하는 방법에 있어서,
상기 점착시트의 점착 조성물에 의하여 형성된 점착층의 점착력이 저하되도록 고압수은 자외선 및 소정 파장의 LED 자외선 중 어느 하나를 선택적으로 조사하는 단계;를 포함하고,
상기 점착층의 점착력은 하기 수학식 1을 통해 계산되는 변화율이 0.72 초과 1.0 미만인, 점착시트의 박리방법.
[수학식 1]
(상기 수학식 1에 있어서, LED 자외선을 조사한 후의 점착력은 380nm 파장의 LED 자외선을 250mJ 조사한 후의 점착력이고, 상기 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력은 고압수은 자외선을 250mJ 조사한 후의 점착력이고, 상기 점착층의 점착력은 LED 자외선 또는 고압수은 자외선을 조사하기 전의 점착력이다.)
- 제 8 항에 있어서,
상기 LED 자외선을 조사한 후의 점착력은 0.1 내지 0.3 N/25mm 이고, 상기 고압수은 자외선을 조사한 후의 점착력은 0.04 내지 1.0 N/25mm인 것을 특징으로 하는 점착시트의 박리방법.
- 제 8 항에 있어서,
상기 점착층의 점착력이 1 내지 5 N/25mm인 것을 특징으로 하는 점착시트의 박리방법.
- 아크릴 중합체, 가교제 및 적어도 2종 이상의 광개시제들을 포함하는 점착 조성물에 있어서,
0.1% 농도에서의 380nm 파장의 흡광계수가 0.8 미만인 제1 광개시제; 및
0.1% 농도에서의 380nm 파장의 흡광계수가 0.8 이상인 제2 광개시제;를 포함하고,
상기 제1 광개시제 및 상기 제2 광개시제의 합계량은 상기 점착 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 1.87 중량%인 점착 조성물.
- 제 11 항에 있어서,
상기 제1 광 개시제는 상기 점착 조성물 총 중량에 대하여 0.25 내지 1.0 중량%로 포함되고, 상기 제2 광 개시제는 상기 점착 조성물 총 중량에 대하여 0.25 내지 1.0 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 점착 조성물.
- 청구항 11 항에 기재된 점착 조성물의 경화물을 포함하는 점착시트.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210088898A KR20230008353A (ko) | 2021-07-07 | 2021-07-07 | 점착 조성물, 이를 포함하는 점착시트 및 점착시트 박리방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
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|---|---|
| KR20230008353A true KR20230008353A (ko) | 2023-01-16 |
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ID=85109988
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180086448A (ko) | 2015-11-26 | 2018-07-31 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 전자 부품의 제조방법, 가고정용 수지 조성물, 가고정용 수지 필름 및 가고정용 수지 필름 시트 |
-
2021
- 2021-07-07 KR KR1020210088898A patent/KR20230008353A/ko unknown
Patent Citations (1)
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