KR20230000961A - 플라즈마 처리 장치 및 기판 지지부 - Google Patents

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KR20230000961A
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료타 니시
아키라 이시카와
겐키 히라타
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 전열 가스 공급 구멍의 이상 방전을 억제할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 기판 지지부를 제공한다.
[해결수단] 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마 처리 용기와, 플라즈마 처리 용기 내에 배치되며 베이스의 상부에 지지면을 구비하는 기판 지지부를 갖고, 기판 지지부는, 지지면에 베이스 측으로부터 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 구멍과, 전열 가스 공급 구멍 내의 지지면 측에 배치되며 탄화 규소로 구성되는 제 1 부재와, 전열 가스 공급 구멍 내의 제 1 부재의 하측에 배치되며 다공성 수지로 구성되는 제 2 부재와, 전열 가스 공급 구멍 내의 제 2 부재의 하측에 배치되며 PTFE로 구성되는 제 3 부재를 구비한다.

Description

플라즈마 처리 장치 및 기판 지지부{PLASMA PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE SUPPORT}
본 개시는 플라즈마 처리 장치 및 기판 지지부에 관한 것이다.
플라즈마 처리 장치에서는, 플라즈마 처리를 실행하는 플라즈마 처리 용기 내에, 처리 대상의 기판을 지지하는 기판 지지부를 갖는다. 기판 지지부에는, 기판 지지부에 놓인 기판의 이면과 기판 지지부의 지지면 사이에 전열 가스를 공급하기 위한 공급 구멍이 형성되어 있다. 이 공급 구멍에서는, 플라즈마 처리 시에 이상 방전이 발생하는 경우가 있다.
일본 특허 공개 제 2019-220555 호 공보
본 개시는 전열 가스 공급 구멍의 이상 방전을 억제할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 기판 지지부를 제공한다.
본 개시의 일 태양에 따른 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마 처리 용기와, 플라즈마 처리 용기 내에 배치되며 베이스의 상부에 지지면을 구비하는 기판 지지부를 갖고, 기판 지지부는 지지면에 베이스 측으로부터 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 구멍과, 전열 가스 공급 구멍 내의 지지면 측에 배치되며 탄화 규소로 구성되는 제 1 부재와, 전열 가스 공급 구멍 내의 제 1 부재의 하측에 배치되며 다공성 수지로 구성되는 제 2 부재와, 전열 가스 공급 구멍 내의 제 2 부재의 하측에 배치되며 PTFE(polytetrafluoroethylene)로 구성되는 제 3 부재를 포함한다.
본 개시에 의하면, 전열 가스 공급 구멍의 이상 방전을 억제할 수 있다.
도 1은 본 개시의 제 1 실시형태에 있어서의 플라즈마 처리 시스템의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 제 1 실시형태의 기판 지지부의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다.
도 3은 참고예의 전열 가스 공급 구멍의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다.
도 4는 참고예의 로드의 제 2 부재의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 5는 제 1 실시형태의 전열 가스 공급 구멍의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다.
도 6은 변형예 1의 전열 가스 공급 구멍의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다.
도 7은 변형예 2의 전열 가스 공급 구멍의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다.
도 8은 제 2 실시형태의 전열 가스 공급 구멍의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다.
이하, 개시하는 플라즈마 처리 장치 및 기판 지지부의 실시형태에 대해 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 또한, 이하의 실시형태에 의해 개시 기술이 한정되는 것은 아니다.
플라즈마 처리 시에, 전열 가스의 공급 구멍에 있어서의 이상 방전을 억제하기 위해서, 표면에 요철을 마련한 매립 부재를 공급 구멍에 배치하는 것이 제안되고 있다. 이 경우, 전열 가스는 요철에 의한 간극을 통해 지지면에 공급된다. 그런데, 기판 지지부 상에 탑재된 기판이나 에지 링을 냉각하기 위해 전열 가스의 압력을 상승시키면, 파셴의 법칙에 따라 매립 부재와 공급 구멍과의 간극에서 이상 방전이 발생하는 경우가 있다. 따라서, 전열 가스의 압력을 상승시킨 경우에도, 전열 가스 공급 구멍의 이상 방전을 억제하는 것이 기대되고 있다.
(제 1 실시형태)
[플라즈마 처리 시스템의 구성]
이하, 플라즈마 처리 시스템의 구성예에 대해 설명한다. 도 1은 본 개시의 제 1 실시형태에 있어서의 플라즈마 처리 시스템의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 처리 시스템은 용량 결합 플라즈마 처리 장치(1) 및 제어부(2)를 포함한다. 또한, 용량 결합 플라즈마 처리 장치(1)는 제어부(2)를 포함할 수도 있다. 용량 결합 플라즈마 처리 장치(1)는 플라즈마 처리 챔버(10), 가스 공급부(20), 전원(30), 배기 시스템(40) 및 전열 가스 공급부(60)를 포함한다. 또한, 플라즈마 처리 장치(1)는 기판 지지부(11) 및 가스 도입부를 포함한다. 가스 도입부는 적어도 하나의 처리 가스를 플라즈마 처리 챔버(10) 내에 도입하도록 구성된다. 가스 도입부는 샤워 헤드(13)를 포함한다. 기판 지지부(11)는 플라즈마 처리 챔버(10) 내에 배치된다. 샤워 헤드(13)는 기판 지지부(11)의 상방에 배치된다. 일 실시형태에서, 샤워 헤드(13)는 플라즈마 처리 챔버(10)의 천정부(ceiling)의 적어도 일부를 구성한다. 플라즈마 처리 챔버(10)는 샤워 헤드(13), 플라즈마 처리 챔버(10)의 측벽(10a) 및 기판 지지부(11)에 의해 규정된 플라즈마 처리 공간(10s)을 갖는다. 플라즈마 처리 챔버(10)는 적어도 하나의 처리 가스를 플라즈마 처리 공간(10s)에 공급하기 위한 적어도 하나의 가스 공급구와, 플라즈마 처리 공간으로부터 가스를 배출하기 위한 적어도 하나의 가스 배출구를 갖는다. 측벽(10a)은 접지된다. 샤워 헤드(13) 및 기판 지지부(11)는 플라즈마 처리 챔버(10) 하우징과는 전기적으로 절연된다.
기판 지지부(11)는 본체부(111) 및 링 조립체(112)를 포함한다. 본체부(111)는 기판(웨이퍼)(W)을 지지하기 위한 중앙 영역(기판 지지면)(111a)과, 링 조립체(112)를 지지하기 위한 환상 영역(링 지지면)(111b)을 갖는다. 본체부(111)의 환상 영역(111b)은 평면에서 볼 때 본체부(111)의 중앙 영역(111a)을 둘러싸고 있다. 기판(W)은 본체부(111)의 중앙 영역(111a) 상에 배치되며, 링 조립체(112)는 본체부(111)의 중앙 영역(111a) 상의 기판(W)을 둘러싸도록 본체부(111)의 환상 영역(111b) 상에 배치된다. 일 실시형태에서, 본체부(111)는 베이스 및 정전 척을 포함한다. 베이스는 도전성 부재를 포함한다. 베이스의 도전성 부재는 하부 전극으로서 기능한다. 정전 척은 베이스 상에 배치된다. 정전 척의 상면은 기판 지지면(111a)을 갖는다. 링 조립체(112)는 하나 또는 복수의 환상 부재를 포함한다. 하나 또는 복수의 환상 부재 중 적어도 하나는 에지 링이다. 또한, 도시는 생략하지만, 기판 지지부(11)는 정전 척, 링 조립체(112) 및 기판 중 적어도 하나를 타겟 온도로 조절하도록 구성된 온도 조절 모듈을 포함할 수도 있다. 온도 조절 모듈은 히터, 전열 매체, 유로, 또는 이들의 조합을 포함할 수도 있다. 유로에는, 염수나 가스와 같은 전열 유체가 흐른다. 또한, 기판 지지부(11)는 기판(W)의 이면과 기판 지지면(111a) 사이, 및 링 조립체(112)와 링 지지면(111b) 사이에 전열 가스 공급로(50) 및 전열 가스 공급 구멍(50a)을 거쳐서 전열 가스를 공급하도록 구성된 전열 가스 공급부(60)를 포함한다. 또한, 전열 가스 공급 구멍(50a) 내에는, 전열 가스 공급 구멍(50a)에서의 이상 방전을 억제하기 위한 로드(52)가 배치된다.
샤워 헤드(13)는 가스 공급부(20)로부터의 적어도 하나의 처리 가스를 플라즈마 처리 공간(10s) 내에 도입하도록 구성된다. 샤워 헤드(13)는 적어도 하나의 가스 공급구(13a), 적어도 하나의 가스 확산실(13b) 및 복수의 가스 도입구(13c)를 갖는다. 가스 공급구(13a)에 공급된 처리 가스는 가스 확산실(13b)을 통과하여 복수의 가스 도입구(13c)로부터 플라즈마 처리 공간(10s) 내에 도입된다. 또한, 샤워 헤드(13)는 도전성 부재를 포함한다. 샤워 헤드(13)의 도전성 부재는 상부 전극으로서 기능한다. 또한, 가스 도입부는, 샤워 헤드(13)에 더하여, 측벽(10a)에 형성된 하나 또는 복수의 개구부에 장착되는 하나 또는 복수의 사이드 가스 주입부(SGI: Side Gas Injector)를 포함할 수도 있다.
가스 공급부(20)는 적어도 하나의 가스 소스(21) 및 적어도 하나의 유량 제어기(22)를 포함할 수도 있다. 일 실시형태에서, 가스 공급부(20)는 적어도 하나의 처리 가스를, 각각에 대응하는 가스 소스(21)로부터 각각에 대응하는 유량 제어기(22)를 거쳐서 샤워 헤드(13)에 공급하도록 구성된다. 각 유량 제어기(22)는, 예컨대 매스 플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기를 포함할 수도 있다. 또한, 가스 공급부(20)는 적어도 하나의 처리 가스의 유량을 변조 또는 펄스화하는 하나 또는 그 이상의 유량 변조 장치를 포함할 수도 있다.
전원(30)은 적어도 하나의 임피던스 정합 회로를 거쳐서 플라즈마 처리 챔버(10)에 결합되는 RF 전원(31)을 포함한다. RF 전원(31)은 소스 RF 신호 및 바이어스 RF 신호와 같은 적어도 하나의 RF 신호(RF 전력)를 기판 지지부(11)의 도전성 부재 및/또는 샤워 헤드(13)의 도전성 부재에 공급하도록 구성된다. 이에 의해, 플라즈마 처리 공간(10s)에 공급된 적어도 하나의 처리 가스로부터 플라즈마가 형성된다. 따라서, RF 전원(31)은 플라즈마 처리 챔버(10)에서 하나 또는 그 이상의 처리 가스로부터 플라즈마를 생성하도록 구성되는 플라즈마 생성부의 적어도 일부로서 기능할 수 있다. 또한, 바이어스 RF 신호를 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 공급함으로써, 기판(W)에 바이어스 전위가 발생하여, 형성된 플라즈마 중의 이온 성분을 기판(W)에 끌어들일 수 있다.
일 실시형태에서, RF 전원(31)은 제 1 RF 생성부(31a) 및 제 2 RF 생성부(31b)를 포함한다. 제 1 RF 생성부(31a)는 적어도 하나의 임피던스 정합 회로를 거쳐서 기판 지지부(11)의 도전성 부재 및/또는 샤워 헤드(13)의 도전성 부재에 결합되고, 플라즈마 생성용의 소스 RF 신호(소스 RF 전력)을 생성하도록 구성된다. 일 실시형태에서, 소스 RF 신호는 13MHz 내지 150MHz의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시형태에서, 제 1 RF 생성부(31a)는 상이한 주파수를 갖는 복수의 소스 RF 신호를 생성하도록 구성될 수도 있다. 생성된 하나 또는 복수의 소스 RF 신호는 기판 지지부(11)의 도전성 부재 및/또는 샤워 헤드(13)의 도전성 부재에 공급된다. 제 2 RF 생성부(31b)는 적어도 하나의 임피던스 정합 회로를 거쳐서 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 결합되고, 바이어스 RF 신호(바이어스 RF 전력)를 생성하도록 구성된다. 일 실시형태에서, 바이어스 RF 신호는 소스 RF 신호보다 낮은 주파수를 갖는다. 일 실시형태에서, 바이어스 RF 신호는 400kHz 내지 13.56MHz의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시형태에서, 제 2 RF 생성부(31b)는 상이한 주파수를 갖는 복수의 바이어스 RF 신호를 생성하도록 구성될 수도 있다. 생성된 하나 또는 복수의 바이어스 RF 신호는 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 공급된다. 또한, 다양한 실시형태에서, 소스 RF 신호 및 바이어스 RF 신호 중 적어도 하나가 펄스화될 수도 있다.
또한, 전원(30)은 플라즈마 처리 챔버(10)에 결합되는 DC 전원(32)을 포함할 수도 있다. DC 전원(32)은 제 1 DC 생성부(32a) 및 제 2 DC 생성부(32b)를 포함한다. 일 실시형태에서, 제 1 DC 생성부(32a)는 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 접속되며, 제 1 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제 1 바이어스 DC 신호는 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 인가된다. 일 실시형태에서, 제 1 DC 신호가 정전 척 내의 전극과 같은 다른 전극에 인가될 수도 있다. 일 실시형태에서, 제 2 DC 생성부(32b)는 샤워 헤드(13)의 도전성 부재에 접속되며, 제 2 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제 2 DC 신호는 샤워 헤드(13)의 도전성 부재에 인가된다. 다양한 실시형태에서, 제 1 및 제 2 DC 신호 중 적어도 하나가 펄스화될 수도 있다. 또한, 제 1 및 제 2 DC 생성부(32a, 32b)는 RF 전원(31)에 추가하여 마련될 수도 있고, 제 1 DC 생성부(32a)가 제 2 RF 생성부(31b) 대신에 마련될 수도 있다.
배기 시스템(40)은, 예컨대 플라즈마 처리 챔버(10)의 바닥부에 마련된 가스 배출구(10e)에 접속될 수 있다. 배기 시스템(40)은 압력 조정 밸브 및 진공 펌프를 포함할 수도 있다. 압력 조정 밸브에 의해, 플라즈마 처리 공간(10s) 내의 압력이 조정된다. 진공 펌프는 터보 분자 펌프, 드라이 펌프 또는 이들의 조합을 포함할 수도 있다.
전열 가스 공급부(60)는 기판 지지부(11)의 베이스 및 정전 척에 마련된 전열 가스 공급 구멍(50a)에, 전열 가스 공급로(50)를 거쳐서, 전열 가스(냉열 전달용 가스)를 공급한다. 전열 가스로서는, 예컨대 헬륨 가스가 사용된다. 전열 가스는 기판 지지면(111a) 및 링 지지면(111b)의 전열 가스 공급 구멍(50a)으로부터 기판(W)의 이면과 기판 지지면(111a) 사이, 및 링 조립체(112)와 링 지지면(111b) 사이에 공급된다. 전열 가스를 공급함으로써, 플라즈마 처리에 의해 열공급되어 고온이 된 기판(W)과 에지 링의 열 제거를 실행한다.
제어부(2)는, 본 개시에서 설명되는 다양한 공정을 플라즈마 처리 장치(1)에 실행시키는 컴퓨터 실행 가능한 명령을 처리한다. 제어부(2)는 여기에 설명된 다양한 공정을 실행하도록 플라즈마 처리 장치(1)의 각 요소를 제어하도록 구성될 수 있다. 일 실시형태에서, 제어부(2)의 일부 또는 전부가 플라즈마 처리 장치(1)에 포함될 수도 있다. 제어부(2)는 예컨대 컴퓨터(2a)를 포함할 수도 있다. 컴퓨터(2a)는, 예컨대, 처리부(CPU: Central Processing Unit)(2a1), 기억부(2a2) 및 통신 인터페이스(2a3)를 포함할 수도 있다. 처리부(2a1)는 기억부(2a2)에 저장된 프로그램에 기초하여 다양한 제어 동작을 실행하도록 구성될 수 있다. 기억부(2a2)는 RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Drive) 또는 이들의 조합을 포함할 수도 있다. 통신 인터페이스(2a3)는 LAN(Local Area Network) 등의 통신 회선을 거쳐서 플라즈마 처리 장치(1)와의 사이에서 통신할 수도 있다.
[전열 가스 공급 구멍(50a)의 배치]
다음으로, 도 2를 이용하여 기판 지지부(11)에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 배치에 대해 설명한다. 도 2는 제 1 실시형태의 기판 지지부의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 기판 지지부(11)의 본체부(111)의 상부에는 정전 척(113)이 마련되고, 정전 척(113)의 상면이 기판 지지면(111a) 및 링 지지면(111b)이 된다. 정전 척(113)은, 예컨대 세라믹판으로 구성된다. 정전 척(113)에 있어서의 개구(114, 114a)는 전열 가스 공급 구멍(50a)의 최상부를 구성한다. 전열 가스 공급 구멍(50a)은 슬리브(51) 및 정전 척(113)의 개구(114, 114a)에 의해 구성되고, 기판 지지면(111a) 및 링 지지면(111b) 각각에 복수 마련되어 있다. 슬리브(51)는, 예컨대, 알루미나(Al2O3)에 의해 구성된다. 도 2에서는, 기판 지지면(111a) 및 링 지지면(111b) 각각에 마련된 전열 가스 공급 구멍(50a) 각각 중 일부의 단면을 나타내고 있다.
전열 가스 공급 구멍(50a) 내에는 로드(52)가 배치된다. 로드(52)의 개구(114, 114a) 내에 배치되는 부분은 제 1 부재(53, 53a)로 구성된다. 또한, 기판 지지면(111a)에 마련된 전열 가스 공급 구멍(50a)의 영역(120)과, 링 지지면(111b)에 마련된 전열 가스 공급 구멍(50a)의 영역(121)은, 정전 척(113)의 두께가 상이할 뿐 다른 것은 동일한 구성이므로, 이하의 설명에서는 영역(120)을 일 예로서 설명한다.
[참고예의 전열 가스 공급 구멍의 단면]
여기서, 도 3 및 도 4를 이용하여, 표면에 요철을 마련한 매립 부재를 공급 구멍에 배치하는 참고예의 전열 가스 공급 구멍의 단면에 대해 설명한다. 도 3은 참고예의 전열 가스 공급 구멍의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다. 도 4는 참고예의 로드의 제 2 부재의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 참고예에서는, 로드(52) 대신에 로드(200)가 전열 가스 공급 구멍(50a) 내에 배치된다. 또한, 로드(200)는 제 1 부재(53) 대신에 제 1 부재(201)를 갖고, 제 1 부재(201)는 제 2 부재(202)와 접속되어 있다. 제 2 부재(202)는 낙하 방지용의 볼록부(203)와, 전열 가스를 투과하기 위한 절결부(204)와, 제 1 부재(201)를 꽂기 위한 구멍(205)을 갖는다. 제 1 부재(201)는 하부에 마련된 돌기부(206)를 구멍(205)에 끼워 넣음으로써, 제 2 부재(202)의 상부에 접속되어 있다.
영역(120)에서는, 정전 척(113)의 개구(114)는 바로 아래의 슬리브(51)에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)과의 접속 부분에서, 접착층(116)의 개구부를 거쳐서 접속된다. 전열 가스 공급 구멍(50a)의 최상부인 개구(114)의 내경은 슬리브(51)의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내경보다 작다. 제 2 부재(202)의 상면은, 정전 척(113)의 하면에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 외주부를 둘러싸도록, 정전 척(113)의 하면과 접해 있다.
전열 가스 공급 구멍(50a)에서는, 유로(210) 내지 유로(212)의 순서로 전열 가스가 흐른다. 유로(210)는 제 2 부재(202)와 슬리브(51) 사이의 간극이다. 유로(211)는 유로(210)와 접속되는 절결부(204)이다. 유로(212)는 절결부(204)와 접속되는, 제 1 부재(201)와 정전 척(113)의 개구(114)의 내벽 사이의 간극이다. 또한, 도 3 및 도 4에서는, 유로 근방에 화살표를 붙여서 나타내고 있다. 참고예의 로드(200)에서는, 전열 가스의 압력을 상승시킨 경우, 절결부(204) 내의 공간 등의 간극에서, 전열 가스의 헬륨으로부터 전리된 전자가 전위차를 받아 가속하여, 이상 방전이 발생하는 경우가 있다. 즉, 정전 척(113)의 세라믹판과 알루미나로 구성되는 슬리브(51)와의 이음매 부근의 가스 유로에서 전위차가 생기기 쉬워서, 해당 가스 유로에서 이상 방전이 발생하는 경우가 있다. 그 때문에, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 상부에서, 이상 방전을 억제하는 것이 요구된다.
[제 1 실시형태의 전열 가스 공급 구멍의 단면]
다음으로, 도 5를 이용하여 제 1 실시형태에 있어서의 전열 가스 공급 구멍의 단면에 대해 설명한다. 도 5는 제 1 실시형태의 전열 가스 공급 구멍의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 제 1 실시형태에서는, 원기둥 형상의 로드(52)가 전열 가스 공급 구멍(50a) 내에 배치된다. 로드(52)는, 개구(114) 내에 배치되는 부분인 제 1 부재(53)와, 제 1 부재(53)의 하측에 배치되는 제 2 부재(54)와, 제 2 부재(54)의 하측에 배치되는 제 3 부재(55)를 갖는다. 또한, 도 5에서는, 정전 척(113)의 내부에 마련된 전극(115)의 일부도 나타내고 있다.
제 1 부재(53)는 탄화 규소(SiC)로 구성되고, 정전 척(113)에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽(개구(114)의 내벽)과의 사이에 간극을 갖는다. 해당 간극은, 예컨대, 0.01㎜ 내지 0.4㎜이다. 또한, 제 1 부재(53)의 길이는 적어도 정전 척(113)의 두께에 대응하는 길이이다. 제 1 부재(53)는 정전 척(113)의 개구(114) 근방에서 전위차를 완화시킨다. 또한, 제 1 부재(53)는 알루미나(Al2O3) 등의 다른 세라믹일 수도 있다. 제 2 부재(54)는 다공성 수지로 구성되고, 슬리브(51) 내 및 정전 척(113)의 하면에서, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽과의 사이에 간극을 갖지 않도록 접해 있다. 다공성 수지는 다공질 구조를 갖는 수지이며, 예컨대, PI(polyimide), PTFE, PCTFE(polychlorotrifluoroethylene), PFA(perfluoroalkoxyalkane resin), PEEK(polyetheretherketone), PEI(polyetherimide), POM(polyoxymethylene, polyacetal, polyformaldehyde), MC(methyl cellulose), PC(polycarbonate) 및 PPS(polyphenylene sulfone)와 같은 수지를 사용할 수 있다. 다공성 수지는, 예컨대 PTFE를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 제 2 부재(54)와 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽 사이에는 약간의 간극이 있을 수도 있으며, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내경보다 직경이 큰 제 2 부재(54)를 압입하도록 할 수도 있다. 즉, 제 2 부재(54)와 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽 사이는, 예컨대, -0.2㎜ 내지 +0.2㎜의 범위로 할 수 있다.
제 1 실시형태의 영역(120)에서는, 참고예와 마찬가지로, 정전 척(113)의 개구(114)는 바로 아래의 슬리브(51)에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)과의 접속 부분에서, 접착층(116)의 개구부를 거쳐서 접속된다. 전열 가스 공급 구멍(50a)의 최상부인 개구(114)의 내경은 슬리브(51)의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내경보다 작다. 제 2 부재(54)의 상면은 정전 척(113)의 하면에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 외주부를 둘러싸도록, 정전 척(113)의 하면과 간극을 갖지 않도록 접해 있다.
제 3 부재(55)는 수지, 예컨대 PTFE로 구성되고, 슬리브(51) 내에서, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽과의 사이에 간극을 갖도록 배치된다. 해당 간극은, 예컨대, 0.01㎜ 내지 0.6㎜이다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 로드(52)는 정전 척(113)의 상면 측으로부터 순서대로 제 1 부재(53), 제 2 부재(54), 제 3 부재(55)가 접해 있는 상태이다. 즉, 제 1 부재(53)의 하면은 제 2 부재(54)의 상면과 접해 있고, 제 2 부재(54)의 하면은 제 3 부재(55)의 상면과 접해 있다. 또한, 로드(52)는, 제 1 부재(53)와 제 2 부재(54) 사이는 접착되지 않을 수도 있다. 또한, 로드(52)는, 제 2 부재(54)와 제 3 부재(55)는 접착되어 있지만, 제 3 부재(55)에 낙하 방지용의 볼록부를 마련하는 경우에는, 제 2 부재(54)와 제 3 부재(55) 사이는 접착되지 않을 수도 있다. 또한, 로드(52)는 전열 가스 공급 구멍(50a)에 대해 접착되지 않지만, 제 2 부재(54) 및 제 3 부재(55)는 전열 가스 공급 구멍(50a) 내에서 고정되어 있다.
전열 가스 공급 구멍(50a)에서는, 유로(56) 내지 유로(58)의 순서로 전열 가스가 흐른다. 유로(56)는 제 3 부재(55)와 슬리브(51) 사이의 간극이다. 유로(57)는 유로(56)와 접속되는, 제 2 부재(54)의 내부의 다공질 구조를 통과하는 유로이다. 유로(58)는 유로(57)와 접속되는, 제 1 부재(53)와 정전 척(113)의 개구(114)의 내벽 사이의 간극이다. 또한, 도 5에서는, 유로 근방에 화살표를 붙여서 전열 가스의 흐름을 나타내고 있다. 즉, 제 1 실시형태에서는, 전열 가스는 제 3 부재(55)와 전열 가스 공급 구멍(50a)(슬리브(51))의 내벽 사이의 간극, 제 2 부재(54)의 내부, 및 제 1 부재(53)와 전열 가스 공급 구멍(50a)(개구(114) 내)의 내벽 사이의 간극을 통해 기판 지지면(111a)에 공급된다. 로드(52)에서는, 전열 가스의 압력을 상승시킨 경우라도, 정전 척(113)의 하면, 및 슬리브(51)의 상부의 근방에 공간이 없어서 전자가 직진하지 않아, 전자의 가속을 억제하므로, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다. 즉, 탄화 규소(SiC)인 제 1 부재(53)와 알루미나(Al2O3)인 슬리브(51) 사이에 다공성 수지인 제 2 부재(54)를 끼워 넣음으로써, 제 1 부재(53)와 슬리브(51)가 서로에 대해 직접 노출되지 않으므로, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다.
[변형예 1]
이어서, 도 6을 이용하여 로드(52)의 상부의 구조를 변경한 변형예 1에 대해 설명한다. 도 6은 변형예 1의 전열 가스 공급 구멍의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다. 또한, 변형예 1에 있어서의 플라즈마 처리 장치의 일부의 구성은 상술한 제 1 실시형태와 마찬가지이므로, 그 중복되는 구성 및 동작의 설명에 대해서는 생략한다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 변형예 1에서는, 로드(52a)가 전열 가스 공급 구멍(50a) 내에 배치된다. 로드(52a)는, 개구(114) 내에 배치되는 부분인 제 1 부재(53b)와, 제 1 부재(53b)의 하측에 배치되는 제 2 부재(54a)와, 제 2 부재(54a)의 하측에 배치되는 제 3 부재(55a)를 갖는다.
제 1 부재(53b)는, 제 1 부재(53)와 마찬가지로, 탄화 규소(SiC)로 구성되고, 정전 척(113)에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽(개구(114)의 내벽)과의 사이에 간극을 갖는다. 해당 간극은, 예컨대, 0.01㎜ 내지 0.4㎜이다. 또한, 제 1 부재(53b)의 하부는 슬리브(51) 내까지 연장되고, 제 2 부재(54a)를 관통하여, 제 3 부재(55a)의 상부에 고정되어 있다. 제 2 부재(54a)는 다공성 수지로 구성되고, 슬리브(51) 내 및 정전 척(113)의 하면에서, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽과의 사이에 간극을 갖지 않도록 접해 있다. 제 2 부재(54a)와 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽 사이는, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 예컨대 -0.2mm 내지 +0.2mm의 범위로 할 수 있다. 제 2 부재(54a)는, 제 2 부재(54)와 비교하여, 길이 방향(종방향)이 짧고, 중심에 제 1 부재(53b)의 하부가 관통하고 있다. 제 2 부재(54a)는, 관통하고 있는 제 1 부재(53b)의 측면과의 사이에 간극을 갖지 않도록 접해 있다. 또한, 제 2 부재(54a)의 상면은, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 정전 척(113)의 하면에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 외주부를 둘러싸도록, 정전 척(113)의 하면과 간극을 갖지 않도록 접해 있다.
제 3 부재(55a)는 수지, 예컨대 PTFE로 구성되고, 슬리브(51) 내에서, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽과의 사이에 간극을 갖도록 배치된다. 해당 간극은, 예컨대, 0.01㎜ 내지 0.6㎜이다. 제 3 부재(55a)는 낙하 방지용의 볼록부(55b)를 갖는다. 또한, 제 3 부재(55a)의 상부에는 제 1 부재(53b)의 하부가 끼워져서 고정되어 있다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 로드(52a)는 정전 척(113)의 상면 측으로부터 순서대로 제 1 부재(53b), 제 2 부재(54a), 제 3 부재(55a)가 접해 있다. 로드(52a)는, 제 1 부재(53b)가 제 2 부재(54a)를 거쳐서 제 3 부재(55a)에 고정되어 있고, 제 1 부재(53b), 제 2 부재(54a) 및 제 3 부재(55a)가 일체화되어 있는 상태이다.
변형예 1의 전열 가스 공급 구멍(50a)에서는, 유로(56), 유로(57a), 유로(58)의 순서로 전열 가스가 흐른다. 유로(56)는 제 3 부재(55a)와 슬리브(51) 사이의 간극이다. 유로(57a)는 유로(56)와 접속되는, 제 2 부재(54a)의 내부의 다공질 구조를 통과하는 유로이다. 유로(57a)는 유로(57)에 비해 짧게 되어 있어서, 전열 가스가 흐르기 쉽게 되어 있다. 즉, 유로(57a)는 유로(57)보다 컨덕턴스가 큰 유로이다. 또한, 제 2 부재(54a)의 길이는 컨덕턴스와 이상 방전의 억제와의 트레이드 오프에 의해 결정할 수 있다. 유로(58)는 유로(57a)와 접속되는, 제 1 부재(53b)와 정전 척(113)의 개구(114)의 내벽 사이의 간극이다. 또한, 도 6에서는, 유로 근방에 화살표를 붙여서 전열 가스의 흐름을 나타내고 있다. 즉, 변형예 1에서는, 전열 가스는, 제 3 부재(55a)와 전열 가스 공급 구멍(50a)(슬리브(51))의 내벽 사이의 간극, 제 2 부재(54a)의 내부, 및 제 1 부재(53b)와 전열 가스 공급 구멍(50a)(개구부(114) 내)의 내벽 사이의 간극을 통해 기판 지지면(111a)에 공급된다.
로드(52a)에서는, 전열 가스의 압력을 상승시킨 경우라도, 정전 척(113)의 하면, 및 슬리브(51)의 상부의 근방에 공간이 없어서 전자가 직진하지 않아, 전자의 가속을 억제하므로, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다. 또한, 다공성 수지로 구성되는 제 2 부재(54a)를 전열 가스가 흐르는 거리가 짧기 때문에, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 컨덕턴스를 제 1 실시형태의 로드(52)보다도 크게 할 수 있다.
[변형예 2]
이어서, 도 7을 이용하여 로드(52)의 상부의 구조를 변경한 변형예 2에 대해 설명한다. 도 7은 변형예 2의 전열 가스 공급 구멍의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다. 또한, 변형예 2에 있어서의 플라즈마 처리 장치의 일부의 구성은 상술한 제 1 실시형태와 동일하므로, 그의 중복되는 구성 및 동작의 설명에 대해서는 생략한다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 변형예 2에서는, 로드(52b)가 전열 가스 공급 구멍(50a) 내에 배치된다. 로드(52b)는, 개구(114) 내에 배치되는 부분인 제 1 부재(53c)와, 제 1 부재(53c)의 하측에 배치되는 제 2 부재(54b)와, 제 2 부재(54b)의 하측에 배치되는 제 3 부재(55c)를 갖는다.
제 1 부재(53c)는, 제 1 부재(53)와 마찬가지로, 탄화 규소(SiC)로 구성되고, 정전 척(113)에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽(개구(114)의 내벽)과의 사이에 간극을 갖는다. 해당 간극은, 예컨대, 0.01㎜ 내지 0.4㎜이다. 또한, 제 1 부재(53c)의 하부는 슬리브(51) 내까지 연장되고, 제 2 부재(54b)의 상부에 끼워져서 고정되어 있다. 제 2 부재(54b)는 다공성 수지로 구성되고, 슬리브(51) 내 및 정전 척(113)의 하면에서, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽과의 사이에 간극을 갖지 않도록 접해 있다. 제 2 부재(54b)와 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽 사이는, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 예컨대 -0.2mm 내지 +0.2mm의 범위로 할 수 있다. 제 2 부재(54b)는, 제 2 부재(54)와 비교하여, 상부에 제 1 부재(53c)의 하부를 끼워 넣기 위한 구멍이 마련되어 있다. 또한, 제 2 부재(54b)의 상면은, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 정전 척(113)의 하면에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 외주부를 둘러싸도록, 정전 척(113)의 하면과 간극을 갖지 않도록 접해 있다.
제 3 부재(55c)는 수지, 예컨대 PTFE로 구성되고, 슬리브(51) 내에서, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽과의 사이에 간극을 갖도록 배치된다. 해당 간극은, 예컨대, 0.01㎜ 내지 0.6㎜이다. 제 3 부재(55c)의 상부에는 제 2 부재(54b)의 하부가 접착 등에 의해 고정되어 있다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 로드(52b)는 정전 척(113)의 상면 측으로부터 순서대로 제 1 부재(53c), 제 2 부재(54b), 제 3 부재(55c)가 접해 있다.
변형예 2의 전열 가스 공급 구멍(50a)에서는, 유로(56) 내지 유로(58)의 순서로 전열 가스가 흐른다. 유로(56)는 제 3 부재(55c)와 슬리브(51) 사이의 간극이다. 유로(57)는 유로(56)와 접속되는, 제 2 부재(54b)의 내부의 다공질 구조를 통과하는 유로이다. 유로(58)는 유로(57)와 접속되는, 제 1 부재(53c)와 정전 척(113)의 개구(114)의 내벽 사이의 간극이다. 또한, 도 7에서는, 유로 근방에 화살표를 붙여서 전열 가스의 흐름을 나타내고 있다. 즉, 변형예 2에서는, 전열 가스는, 제 3 부재(55c)와 전열 가스 공급 구멍(50a)(슬리브(51))의 내벽 사이의 간극, 제 2 부재(54b)의 내부, 및 제 1 부재(53c)와 전열 가스 공급 구멍(50a)(개구부(114) 내)의 내벽 사이의 간극을 통해 기판 지지면(111a)에 공급된다.
로드(52b)에서는, 전열 가스의 압력을 상승시킨 경우라도, 정전 척(113)의 하면, 및 슬리브(51)의 상부의 근방에 공간이 없어서 전자가 직진하지 않아, 전자의 가속을 억제하므로, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다.
(제 2 실시형태)
상술한 제 1 실시형태에서는, 정전 척(113)의 개구(114) 내에 탄화 규소(SiC)로 구성된 제 1 부재(53, 53a~53c)를 마련했지만, 다공성 부재를 정전 척(113)의 개구(114) 내에 마련할 수도 있으며, 이 경우의 실시형태에 대해 제 2 실시형태로서 설명한다. 또한, 제 1 실시형태의 플라즈마 처리 장치(1)와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여함으로써, 그의 중복되는 구성 및 동작의 설명에 대해서는 생략한다.
도 8은 제 2 실시형태의 전열 가스 공급 구멍의 단면의 일 예를 나타내는 부분 확대도이다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 제 2 실시형태에서는, 정전 척(113a)에 슬리브(51)의 상부의 개구, 즉 슬리브(51)에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내경보다 직경이 큰 개구(114b)를 마련한다. 개구(114b)는, 예컨대, 스폿페이싱 가공에 의해 형성된다. 또한, 접착층(116)에도 개구(114b)와 동일한 직경의 개구부를 마련한다. 제 2 실시형태에서는, 슬리브(51)의 상단과 로드(52c)의 상단이 동일한 높이가 되도록, 슬리브(51)의 전열 가스 공급 구멍(50a) 내에 로드(52c)를 마련한다. 다음으로, 정전 척(113a)의 상면 측으로부터 개구(114b)에 다공성 부재(59)를 삽입하고, 슬리브(51) 및 로드(52c)의 상면에 접착시킨다. 또한, 슬리브(51)와 로드(52c)와의 간극에 대응하는 부분에는 접착제가 부착되지 않도록 한다. 또한, 미리 로드(52c)의 상면에 다공성 부재(59)를 접착한 것을 전열 가스 공급 구멍(50a)에 삽입하도록 할 수도 있다. 이 경우, 다공성 부재(59)의 직경을 개구(114b)의 직경보다 크게 하여 압입함으로써, 접착제를 사용하지 않고 로드(52c) 및 다공성 부재(59)를 고정할 수 있다.
다공성 부재(59)의 측면은 개구(114b) 및 접착층(116)의 개구의 내벽과의 사이에 간극을 갖지 않도록 접해 있다. 또한, 다공성 부재(59)의 하면은 슬리브(51) 및 로드(52c)의 상면과의 사이에 간극을 갖지 않도록 접해 있다. 또한, 다공성 부재(59)는, 제 1 실시형태의 제 2 부재(54)와 마찬가지로, 예컨대 다공성 수지로 구성된다.
로드(52c)는, 제 1 실시형태의 제 3 부재(55)와 마찬가지로, 수지, 예컨대 PTFE로 구성되고, 슬리브(51) 내에서, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽과의 사이에 간극을 갖도록 배치된다.
제 2 실시형태에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)에서는, 유로(56a) 및 유로(58a)의 순서로 전열 가스가 흐른다. 유로(56a)는 로드(52c)와 슬리브(51) 사이의 간극이다. 유로(58a)는 유로(56a)와 접속되는, 다공성 부재(59)의 내부의 다공질 구조를 통과하는 유로이다. 또한, 도 8에서는, 유로 근방에 화살표를 붙여서 전열 가스의 흐름을 나타내고 있다. 즉, 제 2 실시형태에서는, 전열 가스는, 로드(52c)와 전열 가스 공급 구멍(50a)(슬리브(51))의 내벽 사이의 간극, 및 다공성 부재(59)의 내부를 통해 기판 지지면(111a)에 공급된다. 로드(52c)에서는, 전열 가스의 압력을 상승시킨 경우라도, 정전 척(113)의 하면, 및 슬리브(51)의 상부의 근방에 공간이 없어서 전자가 직진하지 않아, 전자의 가속을 억제하므로, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다.
이상, 제 1 실시형태에 의하면, 플라즈마 처리 장치(1)는 플라즈마 처리 용기(플라즈마 처리 챔버(10))와, 플라즈마 처리 용기 내에 배치되며, 베이스의 상부에 지지면(기판 지지면(111a), 링 지지면(111b))을 구비하는 기판 지지부(11)를 갖는다. 기판 지지부(11)는, 지지면에 베이스 측으로부터 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 구멍(50a)과, 전열 가스 공급 구멍(50a) 내의 지지면 측에 배치되며 탄화 규소로 구성되는 제 1 부재(53, 53a~53c)와, 전열 가스 공급 구멍(50a) 내의 제 1 부재(53, 53a~53c)의 하측에 배치되며 다공성 수지로 구성되는 제 2 부재(54, 54a, 54b)와, 전열 가스 공급 구멍(50a) 내의 제 2 부재(54, 54a, 54b)의 하측에 배치되며 PTFE로 구성되는 제 3 부재(55, 55a, 55c)를 구비한다. 그 결과, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 제 2 부재(54, 54a, 54b)는 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽과의 사이에 간극을 갖지 않도록 배치된다. 그 결과, 전열 가스가 제 2 부재(54, 54a, 54b)의 내부를 흐르게 할 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 제 1 부재(53, 53a~53c)는 적어도 전열 가스 공급 구멍(50a) 중 지지면에 마련된 세라믹판(정전 척(113))의 두께에 대응하는 길이이다. 그 결과, 전위차를 완화하여 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 세라믹판은 내부에 전극을 갖는 정전 척(113)이다. 그 결과, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 전열 가스 공급 구멍(50a)은 세라믹판에 있어서의 내경이 베이스(슬리브(51))에 있어서의 내경보다 작게 구성되고, 제 2 부재(54, 54a, 54b)의 상면은 세라믹판의 하면에 있어서의 전열 가스 공급 구멍(50a)의 외주부를 둘러싸도록, 세라믹판의 하면과 접해 있다. 그 결과, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 제 1 부재(53, 53a~53c)는 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽과의 사이에 간극을 갖도록 배치된다. 그 결과, 제 2 부재(54, 54a, 54b)를 통과한 전열 가스를 기판 지지부(11)의 지지면에 공급할 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 제 3 부재(55, 55a, 55c)는 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽과의 사이에 간극을 갖도록 배치된다. 그 결과, 전열 가스를 제 2 부재(54, 54a, 54b)로 흘려 보낼 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 전열 가스는 제 3 부재(55, 55a, 55c)와 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽 사이의 간극, 제 2 부재(54, 54a, 54b)의 내부, 및 제 1 부재(53, 53a~53c)와 전열 가스 공급 구멍(50a)의 내벽 사이의 간극을 통해 지지면에 공급된다. 그 결과, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 제 1 부재(53)의 하면은 제 2 부재(54)의 상면과 접해 있고, 제 2 부재(54)의 하면은 제 3 부재(55)의 상면과 접해 있다. 그 결과, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 1에 의하면, 제 1 부재(53b)의 하부는 제 2 부재(54a)를 관통하여 제 3 부재(55a)의 상부에 고정되어 있다. 그 결과, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제하면서, 전열 가스의 유량을 증가시킬 수 있다.
또한, 변형예 2에 의하면, 제 1 부재(53c)의 하부는 제 2 부재(54b)의 내부에 고정되어 있다. 그 결과, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 다공성 수지는 PI, PTFE, PCTFE, PFA, PEEK, PEI, POM, MC, PC 또는 PPS이다. 그 결과, 전열 가스 공급 구멍(50a)의 이상 방전을 억제하면서, 전열 가스를 기판 지지부(11)의 지지면에 공급할 수 있다.
금회 개시된 각 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아닌 것으로 생각되어야 한다. 상기의 각 실시형태는 첨부된 청구범위 및 그 요지를 일탈하지 않고서, 다양한 형체로 생략, 치환, 변경될 수도 있다.
또한, 상술한 각 실시형태에서는, 플라즈마원으로서 용량 결합형 플라즈마를 이용하여 기판(W)에 대해 에칭 등의 처리를 실행하는 용량 결합 플라즈마 처리 장치(1)를 예로 설명했지만, 개시의 기술은 이것에 한정되지 않는다. 플라즈마를 이용하여 기판(W)에 대해 처리를 실행하는 장치이면, 플라즈마원은 용량 결합 플라즈마에 한정되지 않고, 예컨대 유도 결합 플라즈마, 마이크로파 플라즈마, 마그네트론 플라즈마 등 임의의 플라즈마원을 사용할 수 있다.
1: 플라즈마 처리 장치
2: 제어부
10: 플라즈마 처리 챔버
11: 기판 지지부
20: 가스 공급부
31: RF 전원
40: 배기 시스템
50: 전열 가스 공급로
50a: 전열 가스 공급 구멍
51: 슬리브
52, 52a~52c: 로드
53, 53a~53c: 제 1 부재
54, 54a, 54b: 제 2 부재
55, 55a, 55c: 제 3 부재
59: 다공성 부재
60: 전열 가스 공급부
111a: 기판 지지면
111b: 링 지지면
113, 113a: 정전 척
114, 114a, 114b: 개구
W: 기판

Claims (24)

  1. 플라즈마 처리 용기와,
    상기 플라즈마 처리 용기 내에 배치되며, 베이스의 상부에 지지면을 구비하는 기판 지지부를 갖고,
    상기 기판 지지부는,
    상기 지지면에 상기 베이스 측으로부터 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 구멍과,
    상기 전열 가스 공급 구멍 내의 상기 지지면 측에 배치되며, 탄화 규소로 구성되는 제 1 부재와,
    상기 전열 가스 공급 구멍 내의 상기 제 1 부재의 하측에 배치되며, 다공성 수지로 구성되는 제 2 부재와,
    상기 전열 가스 공급 구멍 내의 상기 제 2 부재의 하측에 배치되며, PTFE(polytetrafluoroethylene)로 구성되는 제 3 부재를 구비하는
    플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 부재는 상기 전열 가스 공급 구멍의 내벽과의 사이에 간극을 갖지 않도록 배치되는
    플라즈마 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 부재는 적어도 상기 전열 가스 공급 구멍 중 상기 지지면에 마련된 세라믹판의 두께에 대응하는 길이인
    플라즈마 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 세라믹판은 내부에 전극을 갖는 정전 척인
    플라즈마 처리 장치.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 전열 가스 공급 구멍은, 상기 세라믹판에 있어서의 내경이 상기 베이스에 있어서의 내경보다 작게 구성되고,
    상기 제 2 부재의 상면은 상기 세라믹판의 하면에 있어서의 상기 전열 가스 공급 구멍의 외주부를 둘러싸도록 상기 세라믹판의 하면과 접해 있는
    플라즈마 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부재는 상기 전열 가스 공급 구멍의 내벽과의 사이에 간극을 갖도록 배치되는
    플라즈마 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 3 부재는 상기 전열 가스 공급 구멍의 내벽과의 사이에 간극을 갖도록 배치되는
    플라즈마 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 전열 가스는 상기 제 3 부재와 상기 전열 가스 공급 구멍의 내벽 사이의 간극, 상기 제 2 부재의 내부, 및 상기 제 1 부재와 상기 전열 가스 공급 구멍의 내벽 사이의 간극을 통해 상기 지지면에 공급되는
    플라즈마 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부재의 하면은 상기 제 2 부재의 상면과 접해 있고,
    상기 제 2 부재의 하면은 상기 제 3 부재의 상면과 접해 있는
    플라즈마 처리 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부재의 하부는 상기 제 2 부재를 관통하여 상기 제 3 부재의 상부에 고정되어 있는
    플라즈마 처리 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부재의 하부는 상기 제 2 부재의 내부에 고정되어 있는
    플라즈마 처리 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    다공성 수지는 PI(polyimide), PTFE, PCTFE(polychlorotrifluoroethylene), PFA(perfluoroalkoxyalkane resin), PEEK(polyetheretherketone), PEI(polyetherimide), POM(polyoxymethylene, polyacetal, polyformaldehyde), MC(methyl cellulose), PC(polycarbonate), 또는 PPS(polyphenylene sulfone)인
    플라즈마 처리 장치.
  13. 플라즈마 처리 용기 내에 배치되며, 베이스의 상부에 지지면을 구비하는 기판 지지부로서,
    상기 지지면에 상기 베이스 측으로부터 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 구멍과,
    상기 전열 가스 공급 구멍 내의 상기 지지면 측에 배치되며, 탄화 규소로 구성되는 제 1 부재와,
    상기 전열 가스 공급 구멍 내의 상기 제 1 부재의 하측에 배치되며, 다공성 수지로 구성되는 제 2 부재와,
    상기 전열 가스 공급 구멍 내의 상기 제 2 부재의 하측에 배치되며, PTFE(polytetrafluoroethylene)로 구성되는 제 3 부재를 구비하는
    기판 지지부.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 부재는 상기 전열 가스 공급 구멍의 내벽과의 사이에 간극을 갖지 않도록 배치되는
    기판 지지부.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 부재는 적어도 상기 전열 가스 공급 구멍 중 상기 지지면에 마련된 세라믹판의 두께에 대응하는 길이인
    기판 지지부.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 세라믹판은 내부에 전극을 갖는 정전 척인
    기판 지지부.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 전열 가스 공급 구멍은, 상기 세라믹판에 있어서의 내경이 상기 베이스에 있어서의 내경보다 작게 구성되고,
    상기 제 2 부재의 상면은 상기 세라믹판의 하면에 있어서의 상기 전열 가스 공급 구멍의 외주부를 둘러싸도록 상기 세라믹판의 하면과 접해 있는
    기판 지지부.
  18. 제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부재는 상기 전열 가스 공급 구멍의 내벽과의 사이에 간극을 갖도록 배치되는
    기판 지지부.
  19. 제 13 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 3 부재는 상기 전열 가스 공급 구멍의 내벽과의 사이에 간극을 갖도록 배치되는
    기판 지지부.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 전열 가스는 상기 제 3 부재와 상기 전열 가스 공급 구멍의 내벽 사이의 간극, 상기 제 2 부재의 내부, 및 상기 제 1 부재와 상기 전열 가스 공급 구멍의 내벽 사이의 간극을 통해 상기 지지면에 공급되는
    기판 지지부.
  21. 제 13 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부재의 하면은 상기 제 2 부재의 상면과 접해 있고,
    상기 제 2 부재의 하면은 상기 제 3 부재의 상면과 접해 있는
    기판 지지부.
  22. 제 13 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부재의 하부는 상기 제 2 부재를 관통하여 상기 제 3 부재의 상부에 고정되어 있는
    기판 지지부.
  23. 제 13 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부재의 하부는 상기 제 2 부재의 내부에 고정되어 있는
    기판 지지부.
  24. 제 13 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    다공성 수지는 PI(polyimide), PTFE, PCTFE(polychlorotrifluoroethylene), PFA(perfluoroalkoxyalkane resin), PEEK(polyetheretherketone), PEI(polyetherimide), POM(polyoxymethylene, polyacetal, polyformaldehyde), MC(methyl cellulose), PC(polycarbonate), 또는 PPS(polyphenylene sulfone)인
    기판 지지부.
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